KR20170054732A - 광학 센서 패키지 - Google Patents
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Abstract
광학 센서 패키지가 개시된다.본 발명의 광학 센서 패키지는 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 상면에 결합된 제1 발광부 및 제2 발광부, 상기 베이스 기판의 상면에 상기 제1 발광부와 소정의 거리로 이격되어 결합된 수광부, 상기 제1 발광부 및 상기 제2 발광부를 수용하는 제1 개구부 및 상기 수광부를 수용하는 제2 개구부가 형성되고, 상기 베이스 기판과 결합되는 커버부를 포함하고, 상기 제1 발광부는 380nm 내지 1000㎛의 파장을 가지는 가시광선 또는 적외선을 생성하고, 상기 제2 발광부는 100nm 내지 380nm의 파장을 가지는 자외선을 생성하고, 상기 수광부는 상기 제1 발광부가 생성하는 광의 파장 대역을 선택적으로 감지할 수 있다.
Description
본 발명은 광학 센서 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광부와 수광부를 가지는 광학 센서 패키지에 관한 것이다.
최근 스마트폰, 태블릿 컴퓨터, 웨어러블 디바이스 등 복합적인 기능을 수행하는 전자 장치가 널리 보급되고 있다. 이러한 전자 장치에는 외부의 환경을 측정하거나 무선 통신을 위한 다양한 센서가 장착되고 있다. 이러한 센서 중 하나로 광학 센서가 널리 사용되고 있다.
일 형태의 광학 센서는 발광부 및 수광부를 포함할 수 있다. 이러한 광학 센서는 발광부에서 생성한 광의 적어도 일부가 다시 수광부로 조사되어 수광되게 된다. 그리고 수광된 광의 크기 등을 분석하여 외부 환경을 측정하게 된다. 이러한 광학 센서는 근접 센서 또는 심박 센서 등으로 사용될 수 있다. 대한민국 등록특허공보 제10-1277314호에는 이러한 형태의 근접센서가 개시되어 있다.
최근의 스마트폰, 태블릿 컴퓨터, 웨어러블 디바이스 등의 전자 장치는 종래보다 다양한 기능을 제공할 것을 요구받고 있다. 예를 들어, 최근의 스마트폰은 종래의 통신 기능 이외에도 전자 결제 기능, 헬스 케어 기능 등을 지원한다. 이러한 경향에 따라 광학 센서도 복합적인 기능을 수행할 수 있을 것이 요구되고 있다.
본 발명이 해결하려는 과제는 근접 센서 또는 심박 센서에 더불어 자외선 조사 기능을 가지는 광학 센서 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 근접 센서 또는 심박 센서에 더불어 위폐를 감지할 수 있는 기능을 가지는 광학 센서 패키지를 제공하는 것이다.
상기과제를 해결하기 위한 본 발명의 광학 센서 패키지는, 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 상면에 결합된 제1 발광부 및 제2 발광부, 상기 베이스 기판의 상면에 상기 제1 발광부와 소정의 거리로 이격되어 결합된 수광부, 상기 제1 발광부 및 상기 제2 발광부를 수용하는 제1 개구부 및 상기 수광부를 수용하는 제2 개구부가 형성되고, 상기 베이스 기판과 결합되는 커버부를 포함하고, 상기 제1 발광부는 380nm 내지 1000㎛의 파장을 가지는 가시광선 또는 적외선을 생성하고, 상기 제2 발광부는 100nm 내지 380nm의 파장을 가지는 자외선을 생성하고, 상기 수광부는 상기 제1 발광부가 생성하는 광의 파장 대역을 선택적으로 감지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기수광부를 덮는 광학 필터를 더 포함하고, 상기 광학 필터는 380nm 내지 1000㎛의 파장대역의 광은 통과시키고, 100nm 내지 380nm의 파장대역의 광은 차단시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,상기 제1 발광부 및 상기 제2 발광부는 상기 베이스 기판의 상면에서 서로 이격되어 위치하고, 상기 제1 개구부는 상기 제1 발광부 및 상기 제2 발광부를 각각 따로 수용하는 적어도 둘 이상의 개구부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,상기 제1 발광부는 상기 베이스 기판의 상면에서 서로 이격되어 위치하는 두 개의 제1 발광부용 발광다이오드를 포함하고, 상기 제1 개구부는 상기 두 개의 제1 발광부용 발광다이오드를 각각 따로 수용하는 두 개의 개구부를 포함하고, 상기 제2 발광부는 상기 두 개의 제1 발광부용 발광다이오드 중 어느 하나에 인접하여 위치하여, 상기 두 개의 개구부 중 어느 하나에 수용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수광부는 상기 두 개의 제1 발광부용 발광다이오드 사이에 위치할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수광부의 감지 결과에 대한 데이터를 처리하는 ASIC을 더 포함하고, 상기 제1 발광부, 상기 수광부 및 상기 ASIC은 피감지체의 근접 여부를 측정하는 근접센서로 동작할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수광부의 감지 결과에 대한 데이터를 처리하는 ASIC을 더 포함하고, 상기 제1 발광부, 상기 수광부 및 상기 ASIC은 피감지체의 심박수를 측정하는 심박센서로 동작할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 발광부는 위폐 감별용 자외선 발광다이오드일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지는 근접 센서 또는 심박 센서에 더불어 자외선 조사 기능을 가질 수 있다. 더욱 구체적으로 자외선을 조사하여 위폐를 감지하는 것이 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지의 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명하는데 있어서, 해당 분야에 이미 공지된 기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명을 부가하는 것이 본 발명의 요지를 불분명하게 할 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명에서 이를 일부 생략하도록 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 실시예들을 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 해당 분야의 관련된 사람 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
이하, 첨부한 도 1 내지 도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지의 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 광학 센서 패키지는 베이스 기판(100), 제1발광부(211),제2발광부(212), 수광부(220), 커버부(400), 제1 몰딩부(310) 및 제2 몰딩부(320)를 포함한다.
베이스 기판(100)은 평판 형태로 형성된다. 베이스 기판(100)은 상하면이 직사각형 형태인 것으로 형성될 수 있다. 베이스 기판(100)의 상면과 하면에는 각각 전극(미도시)이 형성될 수 있다. 각각의 전극은 외부로 노출되도록 형성된다. 상면의 전극은 제1발광부(211),제2발광부(212) 및 수광부(220)가 결합될 수 있다. 경우에 따라 상면의 전극에는 ASIC(230)이 결합 될 수도 있다. 하면의 전극은 신호가 입출력되거나 전원이 공급되는데 사용될 수 있다. 상면과 하면의 전극은 베이스 기판(100) 내부의 비아홀 등을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 베이스 기판(100)은 인쇄회로기판(PCB; Printed Circuit Board)으로 형성될 수 있다.
제1발광부(211), 제2발광부(212) 및수광부(220)는 각각 베이스 기판(100)의 상면에 결합된다. 발광부(210)와 수광부(220)는 베이스 기판(100)의 상면 상에서 서로 소정의 거리를 두고 이격된 상태로 결합 될 수 있다. 제1발광부(211), 제2발광부(212) 및 수광부(220)는 베이스 기판(100) 상면의 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 경우에 따라서 제1발광부(211), 제2발광부(212) 또는 수광부(220)는 ASIC(230)에 결합되고, ASIC(230)이 베이스 기판(100)에 결합될 수도 있다.
제1발광부(211) 및 제2발광부(212)는 광을 생성하는 발광다이오드(LED: Light Emitting Diode)로 형성될 수 있다. 제1발광부(211)와 제2발광부(212)는 서로 다른 파장 대역의 광을 생성할 수 있다. 구체적으로, 제1발광부(211)는 380nm 내지 1000㎛의 파장을 가지는 가시광선 또는 적외선을 생성하고, 제2 발광부(212)는 100nm 내지 380nm의 파장을 가지는 자외선을 생성할 수 있다.
제1발광부(211)가 가시광선을 생성하는 경우, 제1발광부(211)는 심박 센서용으로 사용될 수 있다. 또한, 제1발광부(211)가 적외선을 생성하는 경우, 제1발광부(211)는 근접 센서용 또는 적외선 통신용(IrDA)으로 사용될 수 있다. 제2발광부(212)가 자외선을 생성하는 경우, 제2발광부(212)는 위폐감지용으로 사용될 수 있다.그러나 이러한 발광부(211, 212)의 용도는 상기 나열한 예시에 한정되는 것은 아니다.
제1발광부(211) 및 제2발광부(212)는 베이스 기판(100) 상에서 서로 이격되도록 위치할 수 있다. 구체적으로, 제1발광부(211)와 제2발광부(212)는 수광부(220)를 사이에 두고 위치할 수 있다.
수광부(220)는 광을 감지하는 포토다이오드(PD: Photo Diode)로 형성될 수 있다.수광부(220)는 수광하는 광의 세기를 전기적인 신호로 변환하여 출력할 수 있다.
수광부(220)는 파장 선택적으로 광을 감지할 수 있다. 구체적으로,수광부(220)는 제1발광부(211)의 광은 감지할 수 있고, 제2발광부(212)의 광을 감지하지 않도록 형성될 수 있다. 따라서 수광부(220)는 제1발광부(211)가 생성하는 광의 파장 대역에 따라 가시광선 또는 적외선은 감지할 수 있으나 자외선을 감지하지 않을 수 있다.
이러한 수광부(220)의 파장 선택성은 광학 필터(221)에 의해 달성될 수 있다. 수광부(220)는 광학 필터(221)에 의해 덮여, 광학 필터(221)를 통과한 광만을 감지할 수 있다. 광학 필터(221)는 파장에 따라 선택적으로 광을 통과시킬 수 있다.구체적으로, 광학 필터(221)는 380nm 내지 1000㎛의 파장대역의 광은 통과시키고, 100nm 내지 380nm의 파장대역의 광은 차단시킬 수 있다. 광학 필터(221)의 통과 대역 및 차단 대역은 제1발광부(211) 및/또는 제2발광부(212)가 생성하는 광을 파장 대역에 따라 달라질 수 있다.
ASIC(230)은 수광부(220)의 출력 신호를 처리하여 다양한 정보를 도출할 수 있다. 예를 들어, ASIC(230)이 정보를 도출하는 것은 광학 센서 패키지의 상방에 물체가 위치하는지 및 어느 정도 가깝게 위치하는지를 센싱하는 근접 센싱 또는 광학 센서 패키지의 상방에 인체의 조직 등이 위치하는 경우 그 내부 혈관의 심박수를 센싱하는 심박센싱 등이 될 수 있다. 그러나 ASIC(230)의 기능은 나열한 것에 한정되는 것은 아니다. ASIC(230)의 목적에 따라 발광부(210)가 생성하는 광의 파장 대역은 변경될 수 있으며, 이에 따라 수광부(220)가 수광하는 파장 대역도 변경될 수 있다.
제1발광부(211)와 수광부(220)는 ASIC(230)의 기능에 따라 다양한 광학 센서로 기능 할 수 있다. 예를 들어, 제1발광부(211)가 적외선을 생성하는 발광다이오드이고, 수광부(220)는 제1발광부(211)의 적외선을 감지하는 포토다이오드인 경우, 제1발광부(211),수광부(220) 및 ASIC(230)은 근접 센서로 기능할 수 있다. 또한, 예를 들어,제1발광부(211)가 가시광선을 생성하는 발광다이오드이고, 수광부(220)는 제1발광부(211)의 가시광선을 감지하는 포토다이오드인 경우, 제1발광부(211), 수광부(220) 및 ASIC(230)은 근접 센서로 기능 할 수 있다.
이와 함께 제2발광부(212)는 자외선을 조사하여 위폐감지장치로 기능할 수 있다. 다수 국가의 화폐는 위조 방지를 위해 화폐의 표면에 형광 물질을 도포하고 있다. 이러한 형광 물질은 특정한 파장의 광(주로 자외선)이 조사되면 고유의 색을 반사하여 용이하게 식별이 가능하다. 이러한 형광 물질은 숨은 그림이나 홀로그램보다 위조가 어렵기 때문에 고액권이나 최근에 발행된 화폐에 널리 사용되고 있다. 본원 발명의 제2 발광부(212)는 이러한 형광 물질에 반응하는 자외선을 조사하여, 간단한 방법으로 위폐를 감지하는 것이 가능하도록 한다.
커버부(400)는 제1 개구부(410) 및 제2 개구부(420) 사이를 차폐하는 차폐벽을 구비한다. 차폐벽은 발광부(210)의 광이 통과되지 못하는 차광성인 것이 바람직하다.
또한, 커버부(400)는 베이스 기판(100)과 결합한다. 구체적으로 커버부(400)는 그 하면이 베이스 기판(100)의 상면과 맞닿아 결합 될 수 있다. 커버부(400)의 하면과 베이스 기판(100)의 상면은 밀착되어 결합되어, 제1 개구부(410)와 제2 개구부(420)가 커버부(400)의 하면과 베이스 기판(100)의 상면 사이의 틈새로 연통되는 것이 최소화될 수 있다. 커버부(400)는 그 하면이 베이스 기판(100)과 접착제에 의해서 결합될 수 있다.
커버부(400)가 베이스 기판(100)과 결합하면, 베이스 기판(100)의 발광부(210)가 결합된 부분 및 그 주변의 상면과 제1 개구부(410)의 내측면으로 둘러싸여 형성되는 내부 공간이 형성된다. 이 내부 공간은 상방으로는 개방되어 있다. 이 내부 공간에 발광부(211, 212)가 수용된다. 또한, 베이스 기판(100)의 수광부(220)가 결합된 부분 및 그 주변의 상면과 제2 개구부(420)의 내측면으로 둘러싸여 형성되는 내부 공간이 형성된다. 이 내부 공간은 상방으로는 개방되어 있다.이 내부 공간에 수광부(220)가 수용된다.
커버부(400)의 표면의 일부에는 반사면(미도시)이 형성될 수 있다. 여기서 반사면은 발광부(211, 212)가 생성하는 광에 대한 반사율이 일정 정도 이상인 것을 의미한다.
제1 몰딩부(310) 및 제2 몰딩부(320)는 각각 제1 개구부(410) 및 제2 개구부(420) 내부에서 발광부(211, 212) 및 수광부(220)의 주변에 형성된다. 제1 몰딩부(310)의 표면은 곡면으로 형성되어 발광부(211, 212)가 생성하는 광을 굴절시켜 집광시킬 수 있다. 또한 제2 몰딩부(320)의 표면도 곡면으로 형성되어 외부에서 조사되어 수광부(220)에 수광될 광을 집광시킬 수 있다.제1 몰딩부(310)와 제2 몰딩부(320)는 발광부(211, 212)가 생성하는 광에 대한 투광성이 높은 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 제1 몰딩부(310)와 제2 몰딩부(320)는 예를 들어, 실리콘 또는 에폭시 계열의 수지재로 형성될 수 있다.
이하, 도 3을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 광학 센서 패캐지에 대해 설명한다.본 실시예는 상술한 실시예와 다른 점을 중심으로 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지의 단면도이다.
제1 발광부는 두 개의 제1 발광부용 발광다이오드를 포함할 수 있다. 두 개의 제1 발광부용 발광다이오드는 서로 이격되어 위치한다. 구체적으로, 두 개의 제1 발광부용 발광다이오드는 수광부를 사이에 두고 위치한다. 제2 발광부는 두 개의 제1 발광부용 발광다이오드 중 어느 하나에 인접하여 위치한다.
제1 개구부는 두 개의 개구부를 포함할 수 있다. 두 개의 개구부 중 하나는 하나의 제1 발광부용 발광다이오드를 수용하고, 다른 하나는 다른 하나의 제1 발광부용 발광다이오드와 이와 인접하게 위치하는 제2 발광부를 함께 수용한다.
이상, 본 발명의 광학 센서 패키지의 실시예들에 대해 설명하였다. 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부한 도면에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 관점에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 본 명세서의 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 베이스 기판
211: 제1 발광부
212: 제2 발광부 220: 수광부
310: 제1 몰딩부 320: 제2 몰딩부
400: 커버부 410: 제1 개구부
420: 제2 개구부
212: 제2 발광부 220: 수광부
310: 제1 몰딩부 320: 제2 몰딩부
400: 커버부 410: 제1 개구부
420: 제2 개구부
Claims (8)
- 베이스 기판;
상기 베이스 기판의 상면에 결합된 제1 발광부 및 제2 발광부;
상기 베이스 기판의 상면에 상기 제1 발광부와 소정의 거리로 이격되어 결합된 수광부;
상기 제1 발광부 및 상기 제2 발광부를 수용하는 제1 개구부 및 상기 수광부를 수용하는 제2 개구부가 형성되고, 상기 베이스 기판과 결합되는 커버부를 포함하고,
상기 제1 발광부는 380nm 내지 1000㎛의 파장을 가지는 가시광선 또는 적외선을 생성하고,
상기 제2 발광부는 100nm 내지 380nm의 파장을 가지는 자외선을 생성하고,
상기 수광부는 상기 제1 발광부가 생성하는 광의 파장 대역을 선택적으로 감지할 수 있는 광학 센서 패키지. - 제1 항에 있어서,
상기 수광부를 덮는 광학 필터를 더 포함하고,
상기 광학 필터는 380nm 내지 1000㎛의 파장대역의 광은 통과시키고, 100nm 내지 380nm의 파장대역의 광은 차단시키는 광학 센서 패키지.
- 제1 항에 있어서,
상기 제1 발광부 및 상기 제2 발광부는 상기 베이스 기판의 상면에서 서로 이격되어 위치하고,
상기 제1 개구부는 상기 제1 발광부 및 상기 제2 발광부를 각각 따로 수용하는 적어도 둘 이상의 개구부를 포함하는 광학 센서 패키지. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 발광부는 상기 베이스 기판의 상면에서 서로 이격되어 위치하는 두 개의 제1 발광부용 발광다이오드를 포함하고,
상기 제1 개구부는 상기 두 개의 제1 발광부용 발광다이오드를 각각 따로 수용하는 두 개의 개구부를 포함하고,
상기 제2 발광부는 상기 두 개의 제1 발광부용 발광다이오드 중 어느 하나에 인접하여 위치하여, 상기 두 개의 개구부 중 어느 하나에 수용되는 광학 센서 패키지. - 제4 항에 있어서,
상기 수광부는 상기 두 개의 제1 발광부용 발광다이오드 사이에 위치하는 광학 센서 패키지.
- 제1 항에 있어서,
상기 수광부의 감지 결과에 대한 데이터를 처리하는 ASIC을 더 포함하고,
상기 제1 발광부, 상기 수광부 및 상기 ASIC은 피감지체의 근접 여부를 측정하는 근접센서로 동작하는 광학 센서 패키지. - 제1 항에 있어서,
상기 수광부의 감지 결과에 대한 데이터를 처리하는 ASIC을 더 포함하고,
상기 제1 발광부, 상기 수광부 및 상기 ASIC은 피감지체의심박수를 측정하는 심박센서로 동작하는 광학 센서 패키지. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 발광부는 위폐 감별용 자외선 발광다이오드인 광학 센서 패키지.
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