KR20170049261A - The light transmitting substrate and method for manufacturing the same - Google Patents
The light transmitting substrate and method for manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170049261A KR20170049261A KR1020150150436A KR20150150436A KR20170049261A KR 20170049261 A KR20170049261 A KR 20170049261A KR 1020150150436 A KR1020150150436 A KR 1020150150436A KR 20150150436 A KR20150150436 A KR 20150150436A KR 20170049261 A KR20170049261 A KR 20170049261A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive layer
- layer
- substrate
- transparent
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 142
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 43
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 26
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 11
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 42
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 17
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 27
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 7
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 7
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 6
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 5
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical group O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920001483 poly(ethyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
-
- H01L51/5215—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
-
- H01L51/5218—
-
- H01L51/5234—
-
- H01L51/5275—
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2105/00—Planar light sources
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
- F21Y2115/15—Organic light-emitting diodes [OLED]
-
- H01L2251/56—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 투광성 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 또한 투광성 기판이 적용되는 디스플레이 장치, 조명 장치 등에 관한 것이다.The present invention relates to a transparent substrate and a method of manufacturing the same. A display device to which a light-transmitting substrate is applied, a lighting device, and the like.
투광성 기판은 전기 전도성과 광투과성을 동시에 갖춘 투명 전도층을 포함하는 기판으로서, 발광소자에 구비되는 투광성 기판은 발생된 광의 손실을 최소화하도록 구성된다. 예를 들면, 유기발광소자(Organic light-emitting diode, OLED)는 발광성 유기물로 구성된 소자로서 유기 발광층에서 발광된 광은 전극 및 투광성 기판을 거쳐 외부로 나오게 된다. 이러한 투광성 기판은 액정 표시 소자(liquid crystal display), 일렉트로크로믹 디스플레이(ECD), 유기 전계발광소자(electroluminescence), 태양 전지, 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel), 플렉서블(flexible) 디스플레이, 전자페이퍼, 터치패널 등의 디스플레이 장치, 조명장치, 또는 태양전지 등에 응용될 수 있다. The translucent substrate is a substrate including a transparent conductive layer having both electrical conductivity and light transmittance. The translucent substrate provided in the light emitting element is configured to minimize loss of generated light. For example, an organic light-emitting diode (OLED) is a device composed of a luminescent organic material. Light emitted from the organic luminescent layer is emitted to the outside through the electrode and the light-transmitting substrate. Such a transparent substrate may be a liquid crystal display, an electrochromic display (ECD), an organic electroluminescence, a solar cell, a plasma display panel, a flexible display, an electronic paper, A display device such as a touch panel, a lighting device, a solar cell, or the like.
투광성 기판은 기저 기판과 기판에 부착되는 발광소자의 전극기능을 수행하는 투광성 전극을 포함하여 구성된다. 투광성 전극은 플라스틱 소재의 기저 기판 상에 ITO(tin-doped indium oxide) 등 전도성 물질을 이용하여 박막 형태로 형성 되는 것이 주 이지만, 최근 수급이 불안정한 재료인 인듐을 포함하는 ITO를 대체할 수 있는 탄소나노튜브(CNT), 금속 나노 구조체 등에 대한 연구 개발이 활발하게 이루어지고 있다. The translucent substrate comprises a base substrate and a translucent electrode that performs an electrode function of a light emitting element attached to the substrate. Transparent electrodes are mainly formed on a plastic base substrate using a conductive material such as ITO (tin-doped indium oxide) to form a thin film. In recent years, however, carbon that can replace ITO, which is indium- Research and development on nanotubes (CNTs), metal nanostructures, etc. have been actively conducted.
한국공개특허 제10-2014-0089670호에 개시된 것과 같이 다른 굴절률을 갖는 투광성 기판을 적층하는 방법으로 투광성 기판에서의 광 손실을 최소화시키기 위한 개발 등이 이루어지고 있다. Development and the like for minimizing light loss in a transparent substrate by a method of laminating a transparent substrate having a different refractive index as disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2014-0089670 have been developed.
본 발명은 광 추출 효율이 개선되는 구조의 투명 전도층을 포함하는 광추출기판 및 이를 이용한 유기발광소자로서 투과율 및 전기전도성에 영향을 미치지 않으면서도, 광 추출 효율이 개선된 광추출 기판 및 이를 이용하는 유기발광소자를 제공하는 것이다. The present invention relates to a light extraction substrate including a transparent conductive layer having a structure for improving light extraction efficiency and an organic light emitting device using the same, and a light extraction substrate having improved light extraction efficiency without affecting transmittance and electrical conductivity, And to provide an organic light emitting device.
그러나 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명은 투명전도층을 포함하는 투광성 기판으로서, 상기 투광성 기판은, 투광성 재료로 이루어진 기저 폴리머층; 상기 기저 폴리머층 상에 구비되는 제1 투명전도층;을 포함하고, 상기 제1 투명전도층에는 균열에 의해 분획되는 복수의 구역이 형성되어, 상기 균열에서 입사되는 광의 굴절이 발생되는 투광성 기판을 제공한다.The present invention provides a transparent substrate comprising a transparent conductive layer, wherein the transparent substrate comprises: a base polymer layer made of a translucent material; And a first transparent conductive layer provided on the base polymer layer, wherein the first transparent conductive layer has a plurality of regions divided by cracks to form a transparent substrate on which light is refracted, to provide.
또한 상기 제1 투명전도층의 수평방향으로 측정되는 상기 균열의 두께(t)는 100 nm 내지 20 μm 인 투광성 기판을 제공한다.And the thickness (t) of the crack measured in the horizontal direction of the first transparent conductive layer is 100 nm to 20 m.
또한 상기 제1 투명전도층의 수평방향으로 측정되는 상기 균열에 의해 분획되는 구역의 최단 길이 (l)는 100μm 내지 2mm인 투광성 기판을 제공한다.And the shortest length (l) of the region divided by the crack measured in the horizontal direction of the first transparent conductive layer is 100 占 퐉 to 2 mm.
또한 상기 제1 투명전도층의 두께는 5nm 내지 100nm인 투광성 기판을 제공한다.And the thickness of the first transparent conductive layer is 5 nm to 100 nm.
또한 상기 제1 투명전도층은 측면에 경사를 가지며, 상기 제1 투명전도층 측면과 상기 기저 폴리머층의 수평면이 이루는 경사 각도는 45°±20°인 투광성 기판을 제공한다.The first transparent conductive layer has a slope at a side surface thereof, and the angle of inclination between the side surface of the first transparent conductive layer and the horizontal surface of the base polymer layer is 45 ° ± 20 °.
또한 상기 제1 투명 전도층은 투명 전도성 산화물층, 투명 전도성 질화물층, 투명 전도성 황화물층 및 이들의 혼합층으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 층으로 형성되는 투광성 기판을 제공한다.The first transparent conductive layer may be formed of at least one layer selected from the group consisting of a transparent conductive oxide layer, a transparent conductive nitride layer, a transparent conductive sulfide layer, and a mixed layer thereof.
또한 상기 투광성 기판은, 상기 기저 폴리머층 상에 구비되며, 도전체 및 상기 도전체를 피복하는 피복폴리머를 포함하는 제2 투명전도층을 더 포함하고, 상기 제1 투명전도층은 상기 제2 투명전도층 상에 구비되는 투광성 기판을 제공한다.The transparent substrate may further include a second transparent conductive layer provided on the base polymer layer and including a conductor and a covering polymer covering the conductor, And a transparent substrate provided on the conductive layer.
또한 상기 제2 투명전도층의 상기 도전체는 금속 나노와이어, 메탈 메쉬 패턴 또는 도전성 폴리머를 포함하는 투광성 기판을 제공한다.Further, the conductor of the second transparent conductive layer may include a metal nanowire, a metal mesh pattern, or a conductive polymer.
또한 상기 제2 투명전도층이 상기 제1 투명전도층에 인접하는 절반을 A 영역이라 하고, 상기 기저 폴리머층에 인접하는 절반을 B 영역이라고 할 때, 상기 도전체는 상기 A 영역에 60% 이상 분포하는 투광성 기판을 제공한다. And a half adjacent to the first transparent conductive layer is referred to as an A region and a half adjacent to the base polymer layer is referred to as a B region, A transparent substrate is provided.
또한 상기 금속 나노와이어는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 아연(Zn), 티탄(Ti), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd) 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 물질로 형성된 투광성 기판을 제공한다.The metal nanowires may be formed of a metal such as Ag, Au, Cu, Pt, Fe, Ni, Co, Zn, Ti, (Cr), aluminum (Al), palladium (Pd), and combinations thereof.
또한 상기 메탈 메쉬 패턴은 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금을 이용하여 교차형태로 형성된 패턴인 투광성 기판을 제공한다.Also, the metal mesh pattern may be a pattern formed in a cross shape using silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), or an alloy thereof.
또한 상기 제2 투명전도층의 상기 도전체는 금속 입자를 더 포함하고, 상기 금속 입자는 상기 A 영역에 50% 이상 분포하는 투광성 기판을 제공한다. Further, the conductor of the second transparent conductive layer further includes metal particles, and the metal particles provide a translucent substrate distributed in the A region by 50% or more.
또한 본 발명은 기저 폴리머층, 제2 투명전도층 및 제1 투명전도층을 포함하는 투광성 기판을 제조하는 투광성 기판 제조단계; 상기 투광성 기판에 물리적 외력을 가하여 균열(crack)을 형성하는 균열형성단계;를 포함하는 투광성 기판의 제조방법을 제공한다.The present invention also provides a method of manufacturing a transparent substrate, comprising the steps of: preparing a transparent substrate for producing a transparent substrate comprising a base polymer layer, a second transparent conductive layer and a first transparent conductive layer; And a crack forming step of applying a physical external force to the transparent substrate to form a crack.
또한 상기 균열형성단계는 상기 제조된 투광성 기판을 굽힘(bending)으로써 물리적 외력을 가하여 균열(crack)을 형성하는 단계인 투광성 기판의 제조방법을 제공한다.In addition, the crack forming step may include bending the light transmitting substrate to form a crack by applying a physical external force.
또한 상기 균열형성단계는 상기 굽힘의 세기 및 위치를 조절하여 상기 균열(crack)이 상기 제1 투명전도층의 가장자리(edge) 영역으로 갈수록 분포가 증가하도록 형성하는 단계인 투광성 기판의 제조방법을 제공한다.And forming the crack so as to increase the distribution of the crack toward the edge region of the first transparent conductive layer by adjusting the intensity and position of the bend. do.
또한 상기 투광성 기판 제조단계는, 이형층을 준비하는 제1 단계; 상기 이형층 상에 제1 투명전도층을 형성하는 제2-1 단계; 상기 제1 투명전도층 상에 제2 투명전도층을 형성하는 제2-2 단계; 상기 제2 투명전도층 상에 기저 폴리머층을 형성하는 제3 단계; 및 상기 이형층과 상기 제1 투명전도층을 분리하는 제4 단계;를 포함하여 기저 폴리머층, 제2 투명전도층 및 제1 투명전도층을 포함하는 투광성 기판을 제조하는 단계인, 투광성 기판의 제조방법을 제공한다. Further, the step of preparing a transparent substrate may include a first step of preparing a release layer; A second step of forming a first transparent conductive layer on the release layer; (2-2) forming a second transparent conductive layer on the first transparent conductive layer; A third step of forming a base polymer layer on the second transparent conductive layer; And a fourth step of separating the release layer from the first transparent conductive layer, wherein the step of fabricating the transparent substrate includes the steps of: forming a base polymer layer, a second transparent conductive layer, and a first transparent conductive layer; And a manufacturing method thereof.
또한 본 발명은 상기 투광성 기판;을 포함하는 조명 장치를 제공한다. The present invention also provides a lighting apparatus including the transparent substrate.
또한 본 발명은 상기 투광성 기판; 상기 투광성 기판에 대향하는 반사 전극; 및 상기 투광성 기판과 상기 반사 전극 사이에 구비되는 유기발광층;을 포함하는 유기발광소자를 제공한다. The present invention also provides a light-transmissible substrate, A reflective electrode facing the transparent substrate; And an organic light emitting layer provided between the transparent substrate and the reflective electrode.
본 발명의 투광성 기판은, 균열에 의해 분획되는 복수의 구역을 포함하며, 균열에서 입사되는 광의 굴절이 발생되는 제1 투명전도층을 포함하여 투과율 및 전기전도성에 영향을 미치지 않으면서도, 광 추출 효율이 개선된 투광성 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공할 수 있다. The transparent substrate of the present invention includes a plurality of regions divided by a crack and includes a first transparent conductive layer in which refraction of light incident from the crack is generated so that the light extraction efficiency is improved without affecting the transmittance and the electrical conductivity The improved translucent substrate and the organic light emitting device including the same can be provided.
또한 제1 투명전도층의 가장자리(edge) 영역으로 갈수록 균열의 분포가 증가하도록 형성함으로써 투과율 및 전기전도성이 저하되는 것을 방지하면서도 제1 투명 전도층의 가장자리 영역을 통해 빠져나가는 빛(광)을 효율적으로 막을 수 있어 광 추출 효율이 더욱 개선된 투광성 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공할 수 있다. Further, since the distribution of the cracks is increased toward the edge region of the first transparent conductive layer, the light (light) escaping through the edge region of the first transparent conductive layer can be efficiently A light-transmitting substrate having improved light extraction efficiency and an organic light emitting device including the substrate can be provided.
또한 제1 투명전도층의 측면에 경사를 줌으로써 이를 포함하는 투광성 기판의 측면으로 방출되거나 내부 물질로 흡수되어 사라질 빛들이 가장자리의 경사면과 부딪힌 후 전반사를 일으켜 기판의 측면이나 상부 방향으로 진행하여 광 추출 효율이 개선되는 효과를 제공할 수 있다. In addition, by inclining the side surface of the first transparent conductive layer, light emitted from the side of the transparent substrate containing the transparent conductive layer or absorbed by the internal material collides with the inclined surface of the edge, And the efficiency can be improved.
또한 제2 투명전도층을 더 포함함으로써 균열로 인하여 저하될 수 있는 제1 투명전도층의 전기전도성을 보완할 수 있으며, 유기발광소자를 이용한 조명의 가장 큰 광손실의 원인인 웨이브가이드 손실(waveguide loss)을 효과적으로 줄여 주어서 광추출 효율을 증가시킬 수 있다. 또한 제2 투명전도층의 도전체로 금속 나노와이어 및 금속입자를 포함하는 경우 빛을 산란시켜 광 추출 효율을 더욱 높일 수 있으며, 특히 금속 입자는 외면에 돌기를 구비하여 더 넓은 영역대를 가지는 파장의 빛을 산란시킬 수 있다.Further, the second transparent conductive layer can further improve the electrical conductivity of the first transparent conductive layer which can be deteriorated due to the crack, and can prevent waveguide loss loss can be effectively reduced and the light extraction efficiency can be increased. In addition, when the metal nanowire and the metal particles are included in the conductor of the second transparent conductive layer, the light extraction efficiency can be further increased by scattering light. Particularly, the metal particles have a protrusion on the outer surface, It can scatter light.
도 1에 본 발명의 일실시예에 따른 제1 투명전도층의 구조도를 나타내었다.
도 2에 본 발명의 일실시예에 따른 균열에 의한 광추출 향상 구조를 도식화하여 나타내었다.
도 3에 본 발명의 일실시예에 따른 제2 투명전도층의 구조도를 나타내었다.
도 4에 본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판을 도식화하여 나타내었다.
도 5에 본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조단계를 나타내었다.
도 6에 본 발명의 일실시예에 따른 균열 구조의 광 추출 시뮬레이션 구조를 나타내었다.
도 7에 본 발명의 일실시예에 따른 유기발광소자의 광 추출 효율 측정 영역을 나타내었다.
도 8에 본 발명의 일실시예에 따른 균열 구조의 광 추출 시뮬레이션 결과를 나타내었따.
도 9에 본 발명의 일실시예에 따른 제1 투명전도층의 경사 구조를 나타내었다.
도 10에 본 발명의 일실시예에 따른 경사 구조에 의한 광 추출 시뮬레이션 결과를 나타내었다.
도 11에 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 투광성 기판의 광학 현미경 이미지를 나타내었다.
도 12에 본 발명의 실시예에 따른 투광성 기판의 면저항 측정 그래프를 나타내었다.
도 13에 실시예 1에 의해 제조된 투광성 기판의 광추출층의 생성시간에 따른 투과도 측정데이터 및 헤이즈 측정데이터를 나타내었다.1 is a structural view of a first transparent conductive layer according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view illustrating a light extraction enhancement structure according to an embodiment of the present invention.
3 is a structural view of a second transparent conductive layer according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic view of a transparent substrate according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 shows a step of manufacturing a transparent substrate according to an embodiment of the present invention.
6 illustrates a light extraction simulation structure of a crack structure according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 shows a light extraction efficiency measurement region of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
FIG. 8 shows a result of a light extraction simulation of a crack structure according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 shows an inclined structure of the first transparent conductive layer according to an embodiment of the present invention.
FIG. 10 shows a result of a light extraction simulation using an inclined structure according to an embodiment of the present invention.
11 shows an optical microscope image of a transparent substrate produced according to Example 1 of the present invention.
FIG. 12 shows a sheet resistance measurement graph of a transparent substrate according to an embodiment of the present invention.
13 shows transmittance measurement data and haze measurement data according to the generation time of the light extracting layer of the transparent substrate manufactured in Example 1.
이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.Before describing the present invention in detail, it is to be understood that the terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the scope of the invention, which is defined solely by the appended claims. shall. All technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art unless otherwise stated.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.Throughout this specification and claims, the word "comprise", "comprises", "comprising" means including a stated article, step or group of articles, and steps, , Step, or group of objects, or a group of steps.
또한 본 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Also throughout this specification, when a member is " on " another member, it includes not only a member in contact with another member, but also another member between the two members.
한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 및 이에 따른 효과를 설명하기로 한다. On the contrary, the various embodiments of the present invention can be combined with any other embodiments as long as there is no clear counterpoint. Any feature that is specifically or advantageously indicated as being advantageous may be combined with any other feature or feature that is indicated as being preferred or advantageous. Hereinafter, embodiments of the present invention and effects thereof will be described with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판(100)은, 기저 폴리머층(50), 기저 폴리머층(50) 상에 구비되는 제1 투명전도층(20)을 포함하고, 본 발명의 제1 투명전도층(20) 은 균열(21)을 경계면으로 하여 복수의 구역(22)으로 분획되어, 발생되는 광이 투광성 기판으로 입사하였을 때, 제1 투명전도층(20)의 균열(21)에 의해 굴절이 일어나는 기판으로서, 투과율 및 전기전도성에 영향을 미치지 않으면서도, 광 추출 효율을 개선시키는 투광성 기판(100)이다.The
본 발명의 일실시예에 따른 제1 투명전도층(20)의 적어도 일 영역에 존재하는 균열(21)은 도 1에 나타낸 것과 같이 제1 투명전도층(20) 내의 연속적 또는 비연속적으로 비어 있는 틈을 의미하고, 균열(21)을 경계면으로 하여 제1 투명전도층(20)은 복수의 구역(22)으로 분획되며, 균열에 의해 생긴 틈은 제1 투명전도층(20)의 두께 방향으로 관통하거나 관통하지 않을 수 있다. 즉, 균열(21)에 의하여 제1 투명전도층(20)은 여러 구역으로 분획되며, 각 구역(22)의 크기는 제1 투명전도층(20)의 수평방향으로 측정되는 최단 길이(l)를 통해 그 크기를 나타낼 수 있다. The
도 2에 균열에 의한 광추출 향상 구조를 도식화하여 나타내었다. 도 2의 (a)에 나타낸 종래의 투명 전도층의 경우 내부 광손실이 60%에 달하는 반면, 도 2의 (b)에 나타낸 본 발명에 의해 균열을 포함하는 투명 전도층의 경우 균열에 의한 광산란으로 인하여 내부 광추출 효율이 증가하는 효과를 갖는다. FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a structure for improving light extraction by cracks. In the case of the conventional transparent conductive layer shown in FIG. 2 (a), the internal light loss reaches 60%, whereas in the case of the transparent conductive layer containing cracks according to the present invention shown in FIG. 2 (b) The internal light extraction efficiency is increased.
일반적인 제1 투명전도층(20)이 유기발광소자(1000)에 사용되는 경우, 유기발광층(200)에서 발생된 빛은 스넬의 법칙(Snell's law)에 따라 내부 전반사의 영향을 받게 되는데, 본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판(100)은 발생된 빛이 상대적으로 고굴절률(1.5 내지 2.5)을 가진 제1 투명전도층(20)을 통과하는 중에 저굴절률(1 내지 1.4)을 가진 균열(21)에 임계각 이상의 각도로 접하는 경우 전반사 되도록 하며, 균열(21)을 통하여 빛이 빠져 나갈 수 있는 경로를 형성하게 함으로써 광 추출 효율을 높일 수 있다. When the general first transparent
본 발명의 일실시예에 따른 제1 투명전도층(20)의 균열(21)의 두께(t)는 100 nm 이상 20 μm 이하 이다. 균열(21)의 두께(t)라 함은 제1 투명전도층(20)의 수평방향으로 측정되는 균열 공간의 폭을 의미한다. 균열(21)의 두께(t)가 100 nm 미만인 경우 광추출의 효과가 떨어지는 문제점이 있고, 20 μm 초과인 경우 나노와이어 간의 접점(contact point)이 줄어들어 전도성이 떨어지는 문제점이 있다. 더욱 바람직하게는 100 nm 이상 5 μm 이하 인 것이 좋다. The thickness t of the
본 발명의 일실시예에 따른 제1 투명전도층(20)의 균열(21)에 의해 분획된 복수의 구역(22)의 크기는 최단 길이(l)로 측정될 수 있으며, 제1 투명전도층(20)의 수평방향으로 측정되는 각 구역(22)의 최단 길이(l)는 제1 투명전도층 (20)의 한변의 길이며, 바람직하게는 100 μm 이상, 2 mm 이하이다. 최단 길이(l)가 100 μm 미만인 경우 과도한 크랙(Crack)에 의한 전도성 저하 및 소자 구동 시 문제점이 있으며, 2mm 초과하는 경우 광추출 및 균열에 의한 광추출 기능의 효율저하 문제점이 있다. The size of the plurality of
본 발명의 일실시예에 따른 제1 투명전도층(20)의 균열(21)은 제1 투명전도층(20)의 가장자리(edge) 영역으로 갈수록 분포가 증가하는 형태로 포함될 수 있다. 이로 인하여, 제1 투명전도층(20)은 분획된 구역(22)의 최단 길이(l)가 100 μm 이상, 2 mm 이하인 가장자리 영역을 가질 수 있다. 가장자리 영역은 제1 투명전도층(20)의 둘레나 모서리를 포함하는 측면을 포함하는 영역을 의미한다. 가장자리 영역에 균열(21)이 다수 존재하도록 하는 경우, 투과성 및 전기전도성이 저하되는 것을 방지하면서도 제1 투명전도층(20)의 가장자리 영역으로 빠져 나가는 빛을 막을 수 있어 광 추출 효율을 개선시키는 효과를 갖는다.The
본 발명의 일실시예에 따른 제1 투명전도층(20)은 측면이 경사지게 형성될 수 있다. 즉, 기저 폴리머층(50)의 수평면과 제1 투명전도층(20)의 측면이 이루는 각이 90° 이외의 경사 각도(θ)를 갖는다. The first transparent
제1 투명전도층(20)의 측면이 경사를 가짐으로 인하여 측면으로 방출되거나 내부 물질로 흡수되어 사라질 빛들이 경사면에 입사할 때 전반사 되도록 하여 기판의 상부 방향으로 빛을 진행시켜 광 추출 효율을 향상시키는 효과가 있다. The side of the first transparent
제1 투명전도층(20) 측면과 기저 폴리머층(50)의 수평면이 이루는 경사 각도는 45°±20°인 것이 바람직하다. 상기 범위 내에서 투명 전도층의 수평면과 평행한 각도로 측면에 입사하는 광에 대하여 전반사가 일어나고, 이로 인한 광추출 효율이 가장 우수한 효과가 있다. The angle of inclination between the side surface of the first transparent
본 발명의 일실시예에 따른 제1 투명전도층(20)은 투명하고 전도성을 부여할 수 있는 물질이라면 제한이 없으나, 투명성, 전도성 및 내열성 등이 우수한 투명 전도성 산화물층, 투명 전도성 질화물층, 투명 전도성 황화물층 및 이들의 혼합층을 사용하는 것이 좋다. 바람직하게는 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO(Zinc Oxide) 및 SnO2(Tin Oxide) 등을 사용하여 형성하는 것이 좋고, 더욱 바람직하게는 F, Al, Ga, In, Si 등이 도핑된 것을 사용하여 형성하는 것이 좋다.The first transparent
본 발명의 일실시예에 따른 제1 투명전도층(20)의 두께는 5nm 내지 100nm이다. 5nm 미만인 경우 전기전도성이 떨어지는 문제점이 발생하며, 100nm를 초과하는 경우 유연성 저하되는 문제점이 있다. The thickness of the first transparent
본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판(100)은 기저 폴리머층(50)과 제1 투명전도층(20) 사이에 구비되는 제2 투명전도층(30)을 더 포함할 수 있다. 즉, 기저 폴리머층(50), 기저 폴리머층(50) 상에 구비되는 제2 투명전도층(30) 및 제2 투명전도층(30) 상에 구비되는 제1 투명전도층(20)을 포함한다. 제2 투명전도층(30)은 제1 투명전도층(20)에 연접하는 도전체(31) 및 이를 피복하는 피복폴리머(32)를 포함한다. The
제2 투명전도층(30)은 도 3에 나타낸 것과 같이, 제1 투명전도층(20)에 인접하는 절반을 A 영역이라 하고, 기저 폴리머층(50)에 인접하는 절반을 B 영역이라고 할 때, 도전체(31)의 60% 이상이 A영역에 분포하도록 형성된다. 후술될 설명에 의해 광추출층(40)이 더 포함되는 경우, B 영역은 광추출층(40)에 인접하는 절반을 의미한다. 보다 바람직하게는 제2 투명전도층(30)의 제조 특성에 따라 70% 또는 80% 이상으로 분포하도록 형성하는 것이 좋다. As shown in FIG. 3, the second transparent
제2 투명전도층(30)은 제1 투명전도층(20)의 균열(21)에 의해 저하될 수 있는 수 있는 투과성 및 전기전도성을 보완할 수 있는 층으로서, 상기 도전체(31)는 금속 나노와이어(311) 이거나 메탈 메쉬 패턴(312) 또는 도전성 폴리머(313)일 수 있다. The second transparent
도 4에 균열(21)에 의한 광추출 향상 구조 및 제2 투명전도층(30)(금속 나노와이어 및 금속입자 포함)을 포함하는 투광성 기판(100)을 도식화하여 나타내었다. 도 4에 나타낸 것과 같이 균열(21)이 형성되어 제1 투명전도층(20)의 전기전도성이 떨어질 수 있으나, 제1 투명전도층(20) 상에 형성된 제2 투명전도층(30)의 금속 나노와이어(311)를 통해 전기적 연결을 유지하도록 하여 투광성 기판(100)의 전기전도성을 유지할 수 있도록 한다. FIG. 4 shows a light-transmitting
제2 투명전도층(30)의 도전체(31)로서, 금속 나노와이어(311)는 전기적으로 도전성을 갖는 나노 사이즈의 구조체를 의미한다. 금속 나노와이어의 표면플라즈몬 효과에 의한 표면자기장에 의해 광추출 효율이 향상될 수 있다. 금속 나노와이어 평균직경은 20nm 내지 80nm 이며, 길이는 10㎛ 내지 80 ㎛ 이다. 상기 크기 범위에 미만 하는 경우 전기전도도가 저하되는 문제점이 있고, 초과하는 경우 수율이 저하되는 문제점이 있다. As the conductor 31 of the second transparent
또한 제2 투명전도층(30)은 도전체(31)로서, 금속 나노와이어(311) 이외에 금속 입자(314)를 더 포함할 수 있다. 상기 금속 입자(314)는 외면에 돌기를 더 구비할 수 있다. 금속 입자(314)의 크기는 100 내지 1000nm이다. 100nm 미만인 경우 산란 특성이 저하되는 문제점이 있고, 1000nm 초과하는 경우 투과율 손실의 문제점이 있다. 금속 입자(314)는 구형, 타원형, 무정형 등 그 형태에 제한이 없으며, 외면에 돌기를 구비한다. 복수의 입자가 서로 중첩되어 다층으로 형성되어도 무방하다. 금속 입자(314)의 외면에 구비된 돌기의 크기는 10 내지 300nm이다. 10nm 미만인 경우 광 산란 저하 문제점이 있고, 300nm 초과하는 경우 투과율 손실 문제점이 있다.The second transparent
제2 투명전도층(30)이 금속 입자(314)를 포함하는 경우 금속 입자(314)는 제2 투명전도층(30)의 A 영역에 50% 이상 분포되도록 형성한다. 보다 바람직하게는 제2 투명전도층(30)의 제조 특성에 따라 60% 또는 70% 이상으로 분포하도록 형성하는 것이 좋다.When the second transparent
금속 나노와이어(311)와 금속 입자(314)의 금속은 임의의 도전성 물질일 수 있다. 보다 통상적으로, 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 아연(Zn), 티탄(Ti), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd) 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것이나 이에 제한되지 않는다. 바람직하게는 은(Ag)을 사용한다. 은(Ag)의 경우 금속으로서 빛을 반사시키고, 투과율이 낮지만 유기발광소자(1000)에서 반사 전극(300)(예를 들면, 알루미늄(Al) 금속 전극)과 상응하여 서로 빛을 반사하므로 실제로 소자 내부에서의 광손실을 적게 하기 때문이다.The metal of the metal nanowires 311 and the metal particles 314 may be any conductive material. More typically, a metal such as Ag, Au, Cu, Pt, Fe, Ni, Cb, Zn, Ti, But are not limited to, those selected from the group consisting of chromium (Cr), aluminum (Al), palladium (Pd), and combinations thereof. Silver (Ag) is preferably used. Silver (Ag) reflects light as a metal and reflects light corresponding to the reflective electrode 300 (for example, an aluminum (Al) metal electrode) in the organic light emitting diode 1000 although the transmittance is low, This is because light loss inside the device is reduced.
금속 나노와이어, 돌기가 외면에 구비된 금속 입자를 포함하는 제2 투명전도층(30)의 두께는 100nm 내지 10㎛ 이다. 100nm 미만인 경우 전기전도도 저하 문제점이 있고, 10㎛ 초과하는 경우 투과율 손실 문제점이 있다. 금속 나노와이어 및 금속 입자의 표면에 빛이 도달하면 금속 나노와이어 및 금속입자를 통해 빛을 산란시켜 광 추출 효율을 높일 수 있다. 특히 금속 입자는 외면에 돌기를 구비하여 더 넓은 영역대를 가지는 파장의 빛을 산란시킬 수 있다. The thickness of the second transparent
제2 투명전도층(30)의 도전체(31)로서, 메탈 메쉬 패턴(312)은 금속을 이용하여 다양한 선폭 및 다양한 교차형태로 패턴을 형성한 것이며, 메탈 메쉬 패턴(312)은 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 합금 등을 이용하여 직교형식으로 패턴 형성한 층일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니며, 이용되는 소자의 적절한 헤이즈값 및 투과성 등의 요구에 따라 다양한 선폭 및 패턴으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 투광성 기판이 조명용 유기발광소자에 사용되는 경우 30 내지 80% 정도의 헤이즈값 및 70 내지 90% 정도의 투과율을 나타내기 위하여 100nm 내지 10μm의 선폭으로 메탈 메쉬 패턴(312)을 형성하는 것이 바람직하다. The metal mesh pattern 312 is formed by forming a pattern in various line widths and various crossing shapes using a metal as the conductor 31 of the second transparent
제2 투명전도층(30)의 도전체(31)로서, 도전성 폴리머(313)는 폴리에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌술폰산(Poly Ethylene Di Oxy Thiophene/Poly Styrene Sulfonate, PEDOT/PSS), 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (Polyethylene terephthalate, PET), 폴리테트라플루오로에틸렌(Poly Tetra Fluoro Ethylene, PTFE) 또는 고분자를 이용한 유브이 레진(UV resin) 등을 사용하여 형성된 층일 수 있다. 도전성 폴리머(313) 층의 두께는 300nm 내지 5μm인 것이 좋다. 300nm미만인 경우 투습성이 열악하여 소자 수명을 낮추는 문제점이 있고, 5μm초과인 경우 광투과도를 낮추는 문제점이 있다. As the conductive material 31 of the second transparent
본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판(100)은 제2 투명전도층(30)과 기저 폴리머층(50) 사이에 구비되는 광추출층(40)을 더 포함할 수 있다. 광추출층(40)은 광추출 기능이 가능하여 주로 전도체의 기능을 갖는 제2 투명전도층(30)을 기능적 측면에서 보완 가능하며, 제2 투명전도층(30)에 포함되는 금속 나노와이어 또는 금속 입자가 광추출층(40)에 의해 함침 또는 코팅되는 효과가 있어 금속 나노와이어 또는 금속 입자 간의 황화 및 산화로 일어나는 신뢰성 저하의 문제점을 해결할 수 있다.The
광추출층(40)은 금속의 산화물, 질화물 또는 황화물 등으로 코팅된 층일 수 있고, 평균직경 50 내지 300nm의 산란 입자(41)가 삽입된 층일 수 있다. 또한 이들이 복합된 금속의 산화물, 질화물 또는 황화물 등으로 코팅되고 산란 입자 역시 삽입된 층일 수 있다.The
또한 광추출층(40)은 돌기 형태를 갖거나 패턴 형상을 가질 수 있으며 그 두께는 100nm 내지 600nm이다. 100nm 미만인 경우 광산란 효과가 낮은 문제점이 있고, 600nm 초과인 경우 광투과도 감소의 문제점이 있다. 더욱 바람직하게는 100 내지 300nm인 것이 좋다.Further, the
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자(1000)는, 본 발명의 일 실시예에 따른 투광성 기판(100); 투광성 기판(100)에 대향하는 반사 전극(300); 및 투광성 기판(100)과 반사 전극(300) 사이에 구비되는 유기발광층(200);을 포함한다. An organic light emitting device 1000 according to an embodiment of the present invention includes a
유기발광층(200)은 투명 전극 역할의 투광성 기판(100), 반사 전극(300) 사이에 구비되며, 투광성 기판(100)과 반사 전극(300)의 전기적 구동에 의해 발광한다. 유기발광층(200)은 발광층을 포함하고, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중에서 선택된 하나 이상을 더 포함하는 적층 구조일 수 있다. 발광층을 형성할 수 있는 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송 받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. The organic
반사 전극(300)은 일함수가 작은 알칼리 금속, 알칼리 토금속 및 주기율표 제3속의 금속 즉, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li 또는 Ca 또는 그 합금 등으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The
조명용으로 사용되는 유기발광소자는 광추출 효율의 중요성이 더욱 부각되고, 본 발명에 따른 투광성 기판을 투명 전극으로 사용하여 투과성 및 전기전도성에 영향을 미치지 않으면서도 광 추출 효율을 향상시킬 수 있으며, 균열을 가짐으로써 초래할 수 있는 전기전도성의 저하를 방지할 수 있는 유기발광소자를 제공하게 한다.The importance of light extraction efficiency is more remarkable in organic light emitting devices used for illumination, and light extraction efficiency can be improved without affecting the permeability and electrical conductivity by using the transparent substrate according to the present invention as a transparent electrode, Which can prevent deterioration of the electric conductivity that may be caused by having the organic semiconductor layer.
본 발명의 일실시예에 따른 유기발광소자는 투명 전도층뿐만 아니라, 유기발광층 및 반사전극층에도 균열을 포함하여 적층 형태의 복수의 메사 구조를 포함할 수 있다. 각 메사 구조는 투명 전도층, 유기발광층, 반사전극층이 적층된 형태일 수 있다. The organic light emitting device according to an embodiment of the present invention may include a plurality of stacked mesa structures including cracks in the organic light emitting layer and the reflective electrode layer as well as the transparent conductive layer. Each mesa structure may be a stacked structure of a transparent conductive layer, an organic light emitting layer, and a reflective electrode layer.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 투광성 기판(100)의 제조방법은 기저 폴리머층(50), 제2 투명전도층(30) 및 제1 투명전도층(20)을 포함하는 투광성 기판(100)을 제조하는 투광성 기판제조단계(S10) 및 제조된 투광성 기판(100)에 물리적 외력을 가하여 균열(crack) (41)을 형성하는 균열형성단계(S20)를 포함한다.A method of manufacturing a
투광성 기판제조단계(S10)는 이형층(10)을 준비하는 제1 단계, 준비된 이형층(10) 상에 제1 투명전도층(20)을 형성하는 제2-1 단계, 형성된 제1 투명전도층 상(40)에 제2 투명전도층(30)을 형성하는 제2-2 단계, 형성된 제2 투명전도층(30) 상에 기저 폴리머층(50)을 형성하는 제3 단계 및 이형층(10)과 제1 투명전도층(20)을 분리하는 제4 단계를 포함한다. The transparent substrate manufacturing step S10 includes a first step of preparing a release layer 10, a second step of forming a first transparent
투광성 기판제조단계(S10)를 통해 이형층(기판 또는 버퍼층)(10) 상에 제1 투명전도층(20)을 형성하고 제2 투명전도층(30)을 형성함으로써 평탄도가 우수한 제1 투명전도층(20)을 형성하면서도 기판과의 분리가 용이하며, 보다 단순화되고 비용 절감이 가능한 플렉서블 투광성 기판(100)을 제조할 수 있다. The first transparent
제1 단계는 제1 투명전도층(20)과의 분리가 용이한 이형층(10)을 준비하는 것으로서, 이형층(10)은 기판 자체로 구성(11)되거나, 기판상에 버퍼층(12)으로 구성될 수 있다. The first step is to prepare the release layer 10 which is easy to separate from the first transparent
기판은 테플론(polytetrafluoroetylene) 기판, Bulk PMMA(Polymethyl methacrylate) 등을 이용할 수 있으며, 플렉서블 플라스틱 기판을 사용하는 경우, 유연기판에 사용 가능한 플렉서블 투광성 기판을 제조할 수 있으며, 각 단계 공정은 롤투롤(Roll to Roll) 방식으로 연속적으로 이루어져 생산성, 신뢰성, 경제성을 높일 수 있다. 또한 테플론(polytetrafluoroetylene) 기판, 이형기판을 이용하는 경우 별도의 버퍼층(12)을 구비하지 않고 기판 자체로써 이형층(10)으로 사용될 수 있다.The substrate can be a polytetrafluoroetylene substrate, a bulk PMMA (polymethyl methacrylate), or the like. When a flexible plastic substrate is used, a flexible transparent substrate usable for a flexible substrate can be manufactured. Each step process is a roll- to Roll) method to increase productivity, reliability and economy. In addition, when a polytetrafluoroethylene substrate or a release substrate is used, the substrate may be used as a release layer 10 without a separate buffer layer 12.
버퍼층(12)은 다양한 종류의 탄소화합물 및 금속산화물 이용하여 형성된 층으로서, 제1 탄소화합물, 제2 탄소화합물 및 금속산화물로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 사용하여 형성될 수 있다. 제1 탄소화합물은 유리전이온도(Tg)가 200℃ 이하인 탄소화합물을 포함하며, 제2 탄소화합물은 자외선에 의해 분해되는 탄소화합물을 포함하고, 금속산화물은 표면 점착성이 낮은 금속산화물을 포함한다.The buffer layer 12 is formed using various kinds of carbon compounds and metal oxides, and may be formed using at least one selected from the group consisting of a first carbon compound, a second carbon compound, and a metal oxide. The first carbon compound includes a carbon compound having a glass transition temperature (Tg) of 200 DEG C or lower, the second carbon compound includes a carbon compound decomposable by ultraviolet rays, and the metal oxide includes a metal oxide having a low surface adhesiveness.
제1 탄소화합물은 유리전이온도(Tg)가 200℃ 이하인 탄소화합물 중에서도 PC(Polycarbonate), PMMA(Polymethyl methacrylate) PTFE(Polytetrafluoroethylene), Polyvinylchloride(PVC), Polystyrene(PS) 및 Polyethyl methacrylate(PEMA) 로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 유리전이온도(Tg)가 100 내지 150 ℃인 탄소화합물, PMMA(Polymethylmethacrylate), PTFE(Polytetrafluoroethylene)를 사용하는 것이 버퍼층(12)을 형성하는 계면에서의 표면 점착성이 낮아 좋다. Among the carbon compounds having a glass transition temperature (Tg) of 200 ° C or less, the first carbon compound is composed of polycarbonate, PMMA (polymethyl methacrylate), PTFE (polytetrafluoroethylene), polyvinylchloride (PVC), polystyrene (PS) and polyethyl methacrylate , And the like. More preferably, the use of a carbon compound, a polymethylmethacrylate (PMMA), or a polytetrafluoroethylene (PTFE) having a glass transition temperature (Tg) of 100 to 150 ° C may lower the surface tackiness at the interface forming the buffer layer 12.
버퍼층(12)이 유리전이온도(Glass transition temperature, Tg)가 200℃ 이하인 제1 탄소화합물을 포함함으로써 후술할 제4 단계에서 버퍼층(12)과 제1 투명전도층(20)의 분리 공정에 있어서 버퍼층(12)의 성질 및 형상을 변화시키기에 좋다. 유리전이온도가 200℃를 초과하는 경우 상대적으로 경화 시 높은 온도와 시간이 요구되는 문제점이 있다. 또한 롤투롤 및 연속공정 진행 시, 공정가격 및 수율을 위해 낮은 유리전이온도를 가지는 재료가 적합하다. The buffer layer 12 includes a first carbon compound having a glass transition temperature (Tg) of 200 DEG C or lower so that in the step of separating the buffer layer 12 and the first transparent
제2 탄소화합물은 자외선에 의해 분해되는 탄소화합물 중에서도 금속이온계 폴리머, Vinyl-ketone계 공중합물 및 Ethylene-CO 공중합체로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다. Among the carbon compounds decomposable by ultraviolet rays, the second carbon compound preferably includes at least one selected from the group consisting of a metal ion polymer, a vinyl-ketone copolymer and an ethylene-CO copolymer.
버퍼층(12)이 자외선에 의해 분해되는 제2 탄소화합물을 포함함으로써 후술할 제4 단계에서 버퍼층(12)과 제1 투명전도층(20)의 분리 공정에 있어서, 간단한 처리에 의해서도 용이하게 제1 투명전도층(20)을 분리할 수 있는 장점이 있다. The buffer layer 12 includes the second carbon compound that is decomposed by ultraviolet rays so that the first buffer layer 12 and the first transparent
금속산화물은 계면에 치환된 원자에 의해 표면장력 및 표면에너지의 컨트롤이 용이하며, UV/ozone, Plasma treatment 방법에 의해 쉽게 컨트롤 할 수 있는 장점이 있다. 그에 따라, 계면의 점착성 및 점착성을 조절할 수 있고 이종재료를 쉽게 전사할 수 있는 특성을 나타낸다.Metal oxides have the advantage of easy control of surface tension and surface energy by substituted atoms at the interface, and can be easily controlled by UV / ozone and plasma treatment methods. As a result, it is possible to control the tackiness and tackiness of the interface and exhibit the property of easily transferring the heterogeneous material.
금속산화물은 점착성이 낮은 거의 모든 분위기에서 2000℃에 이르기까지 열역학적으로 매우 높은 안정성을 가지는 물질로 산화 이트륨(Y2O3), 지르코니아(ZrO2), 알루미나(Al2O3), 질화붕소(BN), 질화티타늄(TiN) 및 실리콘산화물(SiO2)로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다.The metal oxide is yttrium oxide from a material in virtually any environment with low tack having a thermodynamically highly stable down to 2000 ℃ (Y 2 O 3) , zirconia (ZrO 2), alumina (Al 2 O 3), boron nitride ( BN), it is preferred to include any one or more selected from a group consisting of titanium nitride (TiN) and silicon oxide (SiO 2).
또한 버퍼층(12)은 제1 투명전도층(20)과 접하는 표면에 오목 또는 볼록한 형상의 표면패턴을 형성할 수 있다. 버퍼층(12) 형성 시 표면 형상을 조절하여 본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조방법(S10)의 제4 단계를 통해 최종적으로 전사된 투광성 기판(100)의 제1 투명전도층(20)의 표면 형상을 제어할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층에 물결무늬를 형성하여 제1 투명전도층(20) 등을 적층하고 분리시키면, 제1 투명전도층(20)에 물결무늬가 전사된다. In addition, the buffer layer 12 can form a concave or convex surface pattern on the surface in contact with the first transparent
표면에 오목 또는 볼록한 형상의 표면패턴을 구비하는 투명 전도층을 포함하는 투광성 기판(100)상에 발광층 및 반사 전극을 적층하여 유기발광소자를 제조하는 경우, 표면 조도가 높아져 발광면적을 높여 주고, 또한 광추출 역할을 하여 발광효율을 높여 주는 효과를 제공할 수 있다. 또한 이 투광성 기판(100) 상에 광활성층 및 금속 전극을 적층하여 유기태양전지를 제조하는 경우, 태양광의 수광면적을 높여주고, 또한 광포집 역할을 하여 발전효율을 높여 주는 효과를 제공할 수 있다. When an organic light emitting device is manufactured by laminating a light emitting layer and a reflective electrode on a
버퍼층(12)의 두께는 100nm 내지 10μm로 형성하는 것이 좋다. 100nm 미만으로 버퍼층(12)을 형성하는 경우 화학적 내식성 및 표면 균일도가 불안정한 문제점이 있으며, 10μm 초과하여 버퍼층(12)을 형성하는 경우 표면 패턴 및 경화시간이 연장되어 공정상 문제점이 있다. 더욱 바람직하게는 400nm 내지 600nm인 것이 좋다. The thickness of the buffer layer 12 is preferably 100 nm to 10 mu m. When the buffer layer 12 is formed at less than 100 nm, the chemical corrosion resistance and the surface uniformity are unstable. When the buffer layer 12 is formed in excess of 10 탆, the surface pattern and the curing time are prolonged. And more preferably 400 nm to 600 nm.
본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조단계(S10)의 제1 단계는 버퍼 용액을 이용하여 스핀 코팅(spin coating)하거나 버퍼층(12) 시트를 별도로 형성하여 접착시켜 기판 상에 친수성의 버퍼층을 형성거나, 기판으로 플렉서블 기판을 사용하는 경우 롤투롤 공정 상에서 버퍼 용액을 이용한 코팅 및 열처리 방식으로 버퍼층(12)을 형성할 수 있고, 표면 형상을 조절할 수 있다. In the first step of the transparent substrate fabrication step S10 according to an embodiment of the present invention, a hydrophilic buffer layer is formed on the substrate by spin coating using a buffer solution or by separately forming a sheet of the buffer layer 12 Or when a flexible substrate is used as a substrate, the buffer layer 12 can be formed by coating and heat treatment using a buffer solution in a roll-to-roll process, and the surface shape can be adjusted.
본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조단계(S10)의 제2-1 단계는 이형층(10) 상에 제1 투명전도층(20)을 형성하는 단계로서, ITO(Indium Tin Oxide), ZnO(Zinc Oxide) 및 SnO2(Tin Oxide) 및 이들의 고용체에서 선택되는 어느 하나 이상을 사용하여 형성될 수 있으며, 여기에 F, Al, Ga, In, Si 등이 도핑된 것을 사용하여 제1 투명전도층(20)을 형성할 수 있다. Step 2-1 of the transparent substrate manufacturing step S10 according to an embodiment of the present invention is a step of forming the first transparent
제1 투명전도층(20)의 두께는 5nm 내지 100nm로 형성하는 것이 좋다. 5nm 미만으로 형성하는 경우 박막의 결정성이 떨어지는 문제점이 있으며, 100nm를 초과하여 형성하는 경우 유연성(Flexibility)의 저하로 접거나 휠 때 표면 크랙이 발생하는 문제점이 있다. 더욱 바람직하게는 5nm 내지 20nm인 것이 좋다. The thickness of the first transparent
본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조단계(S10)의 제2-1 단계는 스핀 코팅(spin coating)을 이용하여 상기 버퍼층(12) 상에 제1 투명전도층(20)을 형성하거나, 플렉서블 기판을 사용하는 경우 롤투롤 공정 상에서 증착(Deposition)을 통해 형성할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. The second transparent
본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조단계(S10)는 도 5에 나타낸 것과 같이 제1 투명전도층(20) 상에 제2 투명전도층(30)을 형성하는 제2-2 단계를 포함하여 제1 투명전도층(20), 제2 투명전도층(30) 및 기저 폴리머층(50)을 포함하는 플렉서블 투광성 기판(100)을 제조할 수 있다. The step S10 of fabricating a transparent substrate according to an embodiment of the present invention includes a second step 2-2 of forming a second transparent
본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판제조단계(S10)는 버퍼층(12) 상에 제1 투명전도층(20)을 형성한 후 제2 투명전도층(30)을 형성함으로써 제1 투명전도층(20)에 도전체(31)가 연접하기 때문에 우수한 전기전도성 및 광 산란 효과까지 갖는 투광성 기판(100)을 제조하는 공정을 제공할 수 있다.The step of fabricating a transparent substrate according to an embodiment of the present invention may include forming a first transparent
본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판제조단계(S10)의 제2-2 단계는 플렉서블 기판을 사용하는 경우 롤투롤 공정 상에서 금속 나노와이어(311) 또는 금속 입자(314)를 포함하는 잉크 조성물을 도포하고 건조하여 금속나노와이어층을 형성하거나 스핀 코팅(spin coating)을 이용하여 상기 제1 투명전도층 상(40)에 제2 투명전도층(30)을 형성하거나, 포토리소그래피(photolithography) 등을 이용하여 제2 투명전도층(30)을 형성할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. Step 2-2 of the transparent substrate manufacturing step (S10) according to an embodiment of the present invention is a step of forming an ink composition containing metal nanowires 311 or metal particles 314 on a roll-to-roll process in the case of using a flexible substrate A second transparent
본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조단계(S10)에 의해 이형층(10) 상에 제1 투명전도층(20)이 형성되고, 제1 투명전도층(20) 상에 순차적으로 제2 투명전도층(30)을 형성시킴으로써, 제2 투명전도층(30)의 금속 나노와이어(311) 및 금속 입자(314)가 중력에 의해 제1 투명전도층(20)에 더욱 인접하여 위치하기 때문에 전기 전도성 향상 및 광 추출 효율이 우수한 투광성 기판을 제공할 수 있다. The first transparent
제2 투명전도층(30)의 두께는 40nm 내지 150nm 이다. 40nm 미만인 경우 전기전도도 저하 문제점이 있고, 150nm 초과하는 경우 투과율 손실 문제점이 있다. 금속 나노와이어(311) 및 금속 입자(314)의 표면에 빛이 도달하면 금속 나노와이어(311) 및 금속입자(314)를 통해 빛을 산란시킬 수 있으므로 유기발광소자(1000)의 투광성 전극으로 사용되는 경우, 광 추출 효율을 높일 수 있다. 특히 금속 입자(314)는 외면에 돌기를 구비하여 더 넓은 영역대를 가지는 파장의 빛을 산란시킬 수 있다. 또한 제2 투명전도층(30)이 형성되는 투명 전도성 산화물층과의 접합성을 높일 수 있다. The thickness of the second transparent
본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조단계(S10)는 제2 투명전도층 상에 광추출층을 더 형성하는 제2-3 단계를 더 포함하여 제1 투명전도층(20), 제2 투명전도층(30), 광추출층(40) 및 기저 폴리머층(50)을 포함하는 투광성 기판(100)을 제조할 수 있다. The step (S10) of fabricating a transparent substrate according to an embodiment of the present invention further includes a step (2-3) of forming a light extracting layer on the second transparent conductive layer to form the first transparent
본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조단계(S10)의 제2-3 단계는 스핀 코팅(spin coating)을 이용하여 상기 제2 투명전도층(30) 상에 광추출층(40)을 형성하거나, 플렉서블 기판을 사용하는 경우 롤투롤 공정 상에서 금속의 산화물, 질화물, 황화물 또는 이의 혼합물을 포함하는 잉크 조성물을 도포하고 열처리하여 형성할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. The
본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조단계(S10)의 제3 단계는 상기 제1 투명전도층(20), 제2 투명전도층(30) 상에 기저 폴리머층(50)을 형성하는 단계로서 보다 단순화되고 비용이 절감되는 롤투롤(roll to roll) 공정을 통해 플렉서블한 투광성 기판을 제조할 수 있다.The third step of the transparent substrate manufacturing step S10 according to an embodiment of the present invention includes forming the
기저 폴리머층(50)은 PI(polyimide), PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate), PES(polyether sulfone), PEN(polyethylene naphthalate), PA(poly acrylate), PUA(polyurethane acrylate), PDMS(polydimethyl siloxane) 및 금속 박막으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종 이상을 포함하여 형성될 수 있다. 내화학성, 내열성 등이 우수한 PI를 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.The
기저 폴리머층(50)의 두께는 50㎛ 내지 3mm로 형성하는 것이 좋다. 0.7mm 미만으로 형성하는 경우 모기판으로써 지지력이 낮은 문제점이 있으며, 3mm 초과하여 형성하는 경우 유연성(Flexibility)이 감소하는 문제점이 있다. 더욱 바람직하게는 200㎛ 내지 1.5mm인 것이 좋다. It is preferable that the thickness of the
본 발명의 본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조단계(S10)의 제3 단계는 폴리머 용액을 이용하여 라미네이팅(laminating)하거나 폴리머 조성물을 도포한 후 건조 및 경화시키거나 스크린 프린팅(screen printing)하여 기저 폴리머층(50)을 형성하거나, 플렉서블 기판을 사용하는 경우 롤투롤 공정 상에서 폴리머 조성물을 도포하고 열처리하여 형성할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. The third step of the transparent substrate manufacturing step (S10) according to an embodiment of the present invention may include laminating using a polymer solution, applying a polymer composition, drying and curing or screen printing, The
본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조단계(S10)의 제4 단계는 이형층(10)을 디태칭(detaching)하는 단계로서, 이형층(10)과 제1 투명전도층(20) 사이를 분리(전사)하여 제1 투명전도층(20), 제2 투명전도층(30) 및 기저 폴리머층(50)을 포함하는 플렉서블 투광성 기판(100)을 제공하는 단계이다. The fourth step of the transparent substrate manufacturing step S10 according to an embodiment of the present invention is a step of detaching the release layer 10 and may be performed between the release layer 10 and the first transparent conductive layer 20 (100) comprising a first transparent conductive layer (20), a second transparent conductive layer (30), and a base polymer layer (50).
또한 버퍼층(12) 형성 시 표면에 형상을 갖도록 제조하고 제1 투명전도층(20)을 전사한 경우, 버퍼층(12) 표면 형상과 같이 제1 투명전도층(20) 표면에 버퍼층(12)의 형상이 전사되므로 제조된 플렉서블 투광성 기판(100)의 표면 형상을 제어할 수 있다.When the buffer layer 12 is formed so as to have a surface shape and the first transparent
본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조단계(S10)의 제4 단계는 이형층(10) (버퍼층)에 광원을 통한 광조사 처리하여 성상을 선택적으로 변화시켜 제1 투명전도층(20)과의 접착력을 낮추어 안정적으로 분리할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명의 일실시예에 따른 버퍼층(12)은 상기 언급한 제1 탄소화합물, 제2 탄소화합물, 금속산화물 등의 물질 즉, 유리전이온도가 200℃ 이하인 탄소화합물, 자외선에 의해 분해되는 탄소화합물, 금속산화물 사용하여 형성하기 때문에 복잡한 공정을 거치거나 많은 에너지를 들이지 않고도 용이하게 분리(전사)가 가능한 장점이 있다. The fourth step of the transparent substrate manufacturing step (S10) according to the embodiment of the present invention is a step of selectively etching the first transparent
광조사 처리에 이용될 수 있는 광원으로는 제논 램프, 할로겐 램프, HID 램프, 형광 램프, 수은 램프를 포함하는 가스 방전 램프 등을 사용할 수 있으며, 버퍼층(12)의 유리전이온도 이상의 열을 가하여 성상을 변화시킬 수 있는 열원이라면 제한없이 사용 가능하다. 바람직하게는 제논 렘프를 사용하는 것이 투명 전도성 산화층과 타 재료에 손상을 주지 않으면서 광추출층 형성을 위한 국부적인 에너지 전달에 좋다. A gas discharge lamp including a xenon lamp, a halogen lamp, a HID lamp, a fluorescent lamp, and a mercury lamp may be used as the light source that can be used for the light irradiation treatment. Can be used without limitations. Preferably, the use of Xenon lamps is good for local energy transfer for formation of a light extraction layer without damaging the transparent conductive oxide layer and other materials.
또한 본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조방법(S10)의 제4 단계 이후에, 상기 분리된 제1 투명전도층(20)에 잔존하는 이형층(10) 성분을 제거하는 제5 단계를 더 포함할 수 있다. 분리된 제1 투명전도층(20)을 포함하는 투광성 기판 표면에 잔존하는 버퍼층(12) 성분은 아세톤, 에탄올과 같은 화학약품을 이용하여 세척하여 제거하거나 플라즈마 처리하여 제거할 수 있다.In the fourth step of the transparent substrate manufacturing method (S10) according to an embodiment of the present invention, a fifth step of removing the component of the release layer 10 remaining in the separated first transparent
본 발명의 일실시예에 따른 균열형성단계(S20)는 투광성 기판(100)에 물리적 외력을 가하여 제1 투명전도층(20)에 균열(21) (crack)을 형성하는 단계이다. 균열형성단계(S20)는 투광성 기판(100)을 굽힘(bending)으로써 물리적 외력을 가하여 굽힘 세기 및 굽힘 위치에 따른 균열(21) (crack)을 형성할 수 있다. 또한 균열형성단계(S20)는 상기 굽힘 위치 및 굽힘 세기를 조절하여 제1 투명 전도층(40)의 영역별 균열(21) (crack)의 크기를 상이하게 형성할 수 있다. The crack forming step S20 according to an embodiment of the present invention is a step of forming a
또한 균열형성단계(S20)는 상기 굽힘 위치 및 굽힘 세기를 조절하여 상기 균열(21) (crack)이 상기 투명 전도층의 가장자리(edge) 영역으로 갈수록 분포가 증가하도록 형성할 수 있다. 더욱 구체적으로 투명 전도층의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 굽힘 세기를 크게 하여 형성되는 중앙 영역의 균열(21)에 의해 분획되는 구획의 최단 길이(l)가 40 내지 300nm 인 것에 비하여, 가장자리 영역의 균열(21)에 의해 분획되는 구획의 최단 길이(l)가 40 내지 100nm 가 되도록 균열(21)을 형성할 수 있다. In addition, the crack forming step S20 may be performed to adjust the bending position and the bending strength so as to increase the distribution of the cracks toward the edge region of the transparent conductive layer. More specifically, the shortest length l of the partition divided by the
또한 균열형성단계(S20)는 상기 투광성 기판 제조단계(S10)를 통해 제조된 투광성 기판(100)에 유기발광층(200) 및 반사 전극층(300)을 형성한 후에 이루어질 수 있다. 즉, 투광성 기판(100)의 투명 전도층 상에 유기발광층(200) 및 반사 전극층(300)을 형성하여 유기발광소자(1000)를 제조한 후 물리적 외력을 가하여 균열(21)을 형성하는 경우, 외력의 세기에 따라 투명 전도층뿐만 아니라 유기발광층(200)까지, 또는 반사 전극층(300)까지도 균열(21)을 형성할 수 있다. The crack forming step S20 may be performed after the organic
균열 구조 및 경사 구조의 광추출 시뮬레이션Simulation of light extraction with crack structure and inclined structure
(1) 균열 구조의 광추출 시뮬레이션(1) Light extraction simulation of crack structure
제1 투명전도층 균열 구조의 광 추출 효율의 개선 효과를 알아보기 위하여 균열에 의해 분획되는 구역에 대응하는 일정한 간격의 마이크로 픽셀(Micro Pixel) 구조를 갖는 유기발광소자에 대한 광추출 시뮬레이션을 수행하였다. 마이크로 픽셀 효과로 인한 광량 증가는 도 6에 나타낸 것과 같이 총 면적과 발생광량이 같은 마이크로 픽셀 구조로 설정하여 광선광학 시뮬레이션(Light tools)으로 해석하였으며, 길이(l=800, 400, 267, 200, 160, 67, 40nm)에 따른 광 추출 효율 변화를 확인하였다. 마이크로 픽셀의 효과를 명확하게 하기 위하여 도 7에 나타낸 것과 같이 기판 상층부(Top), 기판 측면(Side), 유기발광소자 측면(Guided)으로 나누어 광 추출 효율을 계산하였다.In order to examine the effect of improving the light extraction efficiency of the first transparent conductive layer crack structure, light extraction simulation was performed on the organic light emitting device having a micro pixel structure corresponding to the region divided by the cracks . As shown in FIG. 6, the increase in light amount due to the micropixel effect was analyzed by light-optical simulation by setting the total area and the generated light amount to the same micro-pixel structure. The lengths (l = 800, 400, 267, 200, 160, 67, and 40 nm). In order to clarify the effect of the micropixels, the light extraction efficiency was calculated by dividing the upper surface of the substrate, the side surface of the substrate, and the side of the organic light emitting device (Guided) as shown in FIG.
시뮬레이션 결과 도 8에 나타낸 것과 같이 균열에 의해 분획되는 구역(마이크로 픽셀)의 최단 길이(l)가 작아짐에 따라 기판의 상부(Top)와 측면(Side)의 추출 광량은 균열에 의해 분획되는 구역의 크기와 무관하게 일정한 추이를 보이나, 측면(Guided)의 추출 광량은 균열에 의해 분획되는 구역의 크기가 작아질수록 증가하는 경향을 보여, 전체(Total) 추출 효율이 증가하는 것을 알 수 있다. As a result of the simulation, as shown in FIG. 8, as the
(2) 경사 구조의 광추출 시뮬레이션(2) Simulation of light extraction with inclined structure
제1 투명전도층을 포함하는 유기발광소자의 가장자리에 경사를 갖는 구조의 광 추출 효율의 개선 효과를 알아보기 위하여 도 9에 나타낸 것과 같은 경사 각도가 45°인 유기발광소자에 대한 광 추출 효율을 계산하였다.. In order to investigate the effect of improving the light extraction efficiency of the structure having the inclination at the edge of the organic light emitting device including the first transparent conductive layer, the light extraction efficiency for the organic light emitting device having the inclination angle of 45 degrees as shown in FIG. Calculated.
시뮬레이션 결과 유기발광소자의 측면으로 방출되거나 내부 물질로 흡수되어 사라질 빛들이 가장자리의 경사면과 부딪힌 후 전반사를 일으켜 기판의 측면이나 상부 방향으로 진행하여 광 추출 효율이 개선됨을 알 수 있다. As a result of the simulation, it can be seen that the light extraction efficiency is improved by causing the light to be emitted to the side of the organic light emitting device or absorbed by the internal material to collide with the inclined surface of the edge,
또한 도 10에 나타낸 것과 같이 균열에 의해 분획되는 구역와 복합된 효과로서, 기판의 상부(Top)와 측면(Side)의 추출 광량이 증가하여 전체(Total) 추출 광량이 대폭 증가하는 것을 확인할 수 있다. Also, as shown in FIG. 10, it can be seen that the amount of light extracted from the top and side of the substrate is increased and the amount of total extracted light is greatly increased, as a result of being combined with a region divided by the cracks.
실시예Example
하기 표 1과 같이 제1 투명전도층, 제2 투명전도층 및 기저 폴리머층을 포함하는 투광성 기판 상에, 유기발광층 및 반사 전극을 순차적으로 적층하여 2X2mm2의 발광 영역을 갖는 유기발광소자를 제작하였다. 반사 전극으로는 알루미늄(Al)을 사용하여 형성하였으며, 유기발광층은 백색 유기전자소자의 제조 분야에서 통상적으로 사용되는 소재를 사용하였고, 그 형성방법 역시 일반적인 방식을 사용하였다. As shown in Table 1 below, an organic light emitting layer and a reflective electrode were sequentially laminated on a transparent substrate including a first transparent conductive layer, a second transparent conductive layer, and a base polymer layer to produce an organic light emitting device having a light emitting region of 2 x 2 mm 2 Respectively. As the reflective electrode, aluminum (Al) was used. As the organic light emitting layer, a material commonly used in the field of white organic electronic devices was used, and a general method of forming the organic light emitting layer was used.
도 11에 실시예 1에 따라 제조된 투광성 기판의 광학 현미경 이미지를 나타내었다. Fig. 11 shows an optical microscope image of the transparent substrate produced according to Example 1. Fig.
(°)Side slope
(°)
실험예Experimental Example
(1) 전기전도성 측정(1) Electrical conductivity measurement
실시예 및 비교예에서 제조된 유기발광소자의 표면 저항을 측정하여 전기전도성을 측정하였으며, 표면 저항 측정 시에 통상적으로 사용되는 4 포인트 프로브(기기명: MCP-T610, 제조사: MITSUBISHI CHEMICAL)를 사용하고, 핀간 간격이 5 mm인 ESP 타입의 프로브를 이용하여 측정하였다.The surface resistance of the organic light emitting device manufactured in Examples and Comparative Examples was measured to measure the electrical conductivity. A 4-point probe (MCP-T610, manufacturer: MITSUBISHI CHEMICAL) commonly used in surface resistance measurement was used , And an ESP type probe having a pin interval of 5 mm.
도 12에 균열없는 제1 투명 전도층 만을 포함하는 투광성 기판(비교예 1), 균열없는 제1 투명전도층 및 제2 투명전도층으로 AgNW을 포함하는 투광성 기판(실시예 8), 균열있는 제1 투명전도층 및 제2 투명전도층으로 AgNW을 포함하는 투광성 기판(실시예 1), 균열있는 제1 투명전도층, 제2 투명전도층으로 AgNW층, ZnO 광추출층을 포함하는 투광성 기판(실시예 9)의 면저항 측정 그래프를 나타내었다. 12 shows a transparent substrate (Comparative Example 1) that includes only the first transparent conductive layer without cracks, a transparent substrate (Example 8) that includes AgNW as the first transparent conductive layer without cracks and the second transparent conductive layer, (Example 1) comprising AgNW as the first transparent conductive layer and the second transparent conductive layer, the AgNW layer as the second transparent conductive layer, and the transparent substrate including the ZnO light extracting layer Example 9) is shown in FIG.
도 12 에 나타나는 것과 같이 비교예 1의 경우 면저항이 약 240(Ω/□)으로 측정되었으며, AgNW를 도포한 실시예 8의 경우 면저항이 17(Ω/□)로 감소하였으며, 균열을 포함하는 제1 투명 전도층을 사용한 실시예 1 및 실시예 9의 경우에도 면저항을 비슷한 수준으로 유지하는 것을 알 수 있다. As shown in FIG. 12, the sheet resistance of Comparative Example 1 was measured to be about 240 (Ω / □), the sheet resistance of Example 8 coated with AgNW was reduced to 17 (Ω / □) It can be seen that the sheet resistance is maintained at a similar level even in the case of Examples 1 and 9 using one transparent conductive layer.
(2) 투과율 측정(2) Measurement of transmittance
실시예 및 비교예에서 제조된 유기발광소자를 UV/Vis 분광기를 이용하여 투과율을 측정하였다. The transmittance of the organic light emitting device manufactured in Examples and Comparative Examples was measured using a UV / Vis spectroscope.
도 13 실시예 1에 의해 제조된 투광성 기판의 광추출층의 생성시간에 따른 투과도 측정데이터 및 헤이즈 측정데이터를 나타내었다. 헤이즈값은 광추출층의 생성 시간에 따라 증가하는 경향을 보이며, 광추출 효율은 광추출층과 균열에 의해 복합된 효과를 나타낸다. FIG. 13 shows transmittance measurement data and haze measurement data according to the generation time of the light extracting layer of the transparent substrate prepared in Example 1. FIG. The haze value tends to increase with the generation time of the light extracting layer, and the light extracting efficiency shows a combined effect by the light extracting layer and the crack.
전술한 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects, and the like illustrated in the above-described embodiments can be combined and modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
Claims (18)
상기 투광성 기판은,
투광성 재료로 이루어진 기저 폴리머층;
상기 기저 폴리머층 상에 구비되는 제1 투명전도층;을 포함하고,
상기 제1 투명전도층에는 균열에 의해 분획되는 복수의 구역이 형성되어, 상기 균열에서 입사되는 광의 굴절이 발생되는 투광성 기판.
A transparent substrate comprising a transparent conductive layer,
The light-
A base polymer layer made of a translucent material;
And a first transparent conductive layer provided on the base polymer layer,
Wherein a plurality of regions divided by cracks are formed in the first transparent conductive layer to cause refraction of light incident on the cracks.
상기 제1 투명전도층의 수평방향으로 측정되는 상기 균열의 두께(t)는 100 nm 내지 20 μm 인 투광성 기판.
The method according to claim 1,
And the thickness (t) of the crack measured in the horizontal direction of the first transparent conductive layer is 100 nm to 20 占 퐉.
상기 제1 투명전도층의 수평방향으로 측정되는 상기 균열에 의해 분획되는 구역의 최단 길이 (l)는 100μm 내지 2mm인 투광성 기판.
3. The method of claim 2,
Wherein the shortest length (l) of the region divided by the crack measured in the horizontal direction of the first transparent conductive layer is 100 탆 to 2 mm.
상기 제1 투명전도층의 두께는 5nm 내지 100nm인 투광성 기판.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the first transparent conductive layer is 5 nm to 100 nm.
상기 제1 투명전도층은 측면에 경사를 가지며,
상기 제1 투명전도층 측면과 상기 기저 폴리머층의 수평면이 이루는 경사 각도는 45°±20°인 투광성 기판.
The method according to claim 1,
Wherein the first transparent conductive layer has a slope at a side surface thereof,
Wherein a tilt angle formed by a side surface of the first transparent conductive layer and a horizontal surface of the base polymer layer is 45 占 20 占.
상기 제1 투명 전도층은 투명 전도성 산화물층, 투명 전도성 질화물층, 투명 전도성 황화물층 및 이들의 혼합층으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 층으로 형성되는 투광성 기판.
The method according to claim 1,
Wherein the first transparent conductive layer is formed of at least one layer selected from the group consisting of a transparent conductive oxide layer, a transparent conductive nitride layer, a transparent conductive sulfide layer, and a mixed layer thereof.
상기 투광성 기판은,
상기 기저 폴리머층 상에 구비되며, 도전체 및 상기 도전체를 피복하는 피복폴리머를 포함하는 제2 투명전도층을 더 포함하고,
상기 제1 투명전도층은 상기 제2 투명전도층 상에 구비되는 투광성 기판.
The method according to claim 1,
The light-
Further comprising a second transparent conductive layer provided on the base polymer layer and including a conductor and a covering polymer covering the conductor,
Wherein the first transparent conductive layer is provided on the second transparent conductive layer.
상기 제2 투명전도층의 상기 도전체는 금속 나노와이어, 메탈 메쉬 패턴 또는 도전성 폴리머를 포함하는 투광성 기판.
8. The method of claim 7,
Wherein the conductor of the second transparent conductive layer comprises a metal nanowire, a metal mesh pattern, or a conductive polymer.
상기 제2 투명전도층이 상기 제1 투명전도층에 인접하는 절반을 A 영역이라 하고, 상기 기저 폴리머층에 인접하는 절반을 B 영역이라고 할 때,
상기 도전체는 상기 A 영역에 60% 이상 분포하는 투광성 기판.
9. The method of claim 8,
A half of the second transparent conductive layer adjacent to the first transparent conductive layer is referred to as an A region and a half adjacent to the base polymer layer is referred to as a B region,
Wherein the conductor is distributed in the area A by 60% or more.
상기 금속 나노와이어는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 아연(Zn), 티탄(Ti), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd) 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 물질로 형성된 투광성 기판.
10. The method of claim 9,
The metal nanowire may be at least one selected from the group consisting of Ag, Au, Cu, Pt, Fe, Ni, Co, Zn, A transparent substrate formed of any one material selected from the group consisting of chromium (Cr), aluminum (Al), palladium (Pd), and combinations thereof.
상기 메탈 메쉬 패턴은 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금을 이용하여 교차형태로 형성된 패턴인 투광성 기판.
10. The method of claim 9,
Wherein the metal mesh pattern is a pattern formed in an intersecting pattern by using silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), or an alloy thereof.
상기 제2 투명전도층의 상기 도전체는 금속 입자를 더 포함하고,
상기 금속 입자는 상기 A 영역에 50% 이상 분포하는 투광성 기판.
10. The method of claim 9,
Wherein the conductor of the second transparent conductive layer further comprises metal particles,
Wherein the metal particles are distributed in the region A by 50% or more.
상기 투광성 기판에 물리적 외력을 가하여 균열(crack)을 형성하는 균열형성단계;를 포함하는 투광성 기판의 제조방법.
A transparent substrate manufacturing step of fabricating a transparent substrate including a base polymer layer, a second transparent conductive layer, and a first transparent conductive layer;
And a crack forming step of applying a physical external force to the translucent substrate to form a crack.
상기 균열형성단계는 상기 제조된 투광성 기판을 굽힘(bending)으로써 물리적 외력을 가하여 균열(crack)을 형성하는 단계인 투광성 기판의 제조방법.
14. The method of claim 13,
Wherein the step of forming a crack is a step of forming a crack by applying a physical external force by bending the manufactured transparent substrate.
상기 균열형성단계는 상기 굽힘의 세기 및 위치를 조절하여 상기 균열(crack)이 상기 제1 투명전도층의 가장자리(edge) 영역으로 갈수록 분포가 증가하도록 형성하는 단계인 투광성 기판의 제조방법.
15. The method of claim 14,
Wherein the step of forming the crack is a step of adjusting the intensity and position of the bending to form the crack so that the crack increases toward the edge region of the first transparent conductive layer.
상기 투광성 기판 제조단계는,
이형층을 준비하는 제1 단계;
상기 이형층 상에 제1 투명전도층을 형성하는 제2-1 단계;
상기 제1 투명전도층 상에 제2 투명전도층을 형성하는 제2-2 단계;
상기 제2 투명전도층 상에 기저 폴리머층을 형성하는 제3 단계; 및
상기 이형층과 상기 제1 투명전도층을 분리하는 제4 단계;를 포함하여 기저 폴리머층, 제2 투명전도층 및 제1 투명전도층을 포함하는 투광성 기판을 제조하는 단계인, 투광성 기판의 제조방법.
14. The method of claim 13,
The light-transmitting substrate manufacturing step may include:
A first step of preparing a release layer;
A second step of forming a first transparent conductive layer on the release layer;
(2-2) forming a second transparent conductive layer on the first transparent conductive layer;
A third step of forming a base polymer layer on the second transparent conductive layer; And
And a fourth step of separating the release layer from the first transparent conductive layer, wherein the step of preparing the transparent substrate comprises the steps of: preparing a transparent substrate including a base polymer layer, a second transparent conductive layer, and a first transparent conductive layer, Way.
A light-emitting device comprising the light-transmitting substrate according to any one of claims 1 to 12.
상기 투광성 기판에 대향하는 반사 전극; 및
상기 투광성 기판과 상기 반사 전극 사이에 구비되는 유기발광층;을 포함하는 유기발광소자.
A light-transmitting substrate according to any one of claims 1 to 12;
A reflective electrode facing the transparent substrate; And
And an organic emission layer disposed between the transmissive substrate and the reflective electrode.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150150436A KR101862318B1 (en) | 2015-10-28 | 2015-10-28 | The light transmitting substrate and method for manufacturing the same |
| PCT/KR2016/012136 WO2017074047A1 (en) | 2015-10-28 | 2016-10-27 | Light-transmissive substrate and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150150436A KR101862318B1 (en) | 2015-10-28 | 2015-10-28 | The light transmitting substrate and method for manufacturing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170049261A true KR20170049261A (en) | 2017-05-10 |
| KR101862318B1 KR101862318B1 (en) | 2018-05-29 |
Family
ID=58630499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150150436A KR101862318B1 (en) | 2015-10-28 | 2015-10-28 | The light transmitting substrate and method for manufacturing the same |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101862318B1 (en) |
| WO (1) | WO2017074047A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190023439A (en) * | 2017-08-29 | 2019-03-08 | 주식회사 도프 | Manufacturing method of transparent conductive film using the hybrid of nano silver and silver nanowire and the transparent conductive film made therefrom |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2539904A4 (en) * | 2010-02-27 | 2018-01-10 | Innova Dynamics, Inc. | Structures with surface-embedded additives and related manufacturing methods |
| WO2012134200A2 (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | 주식회사 엘지화학 | Substrate for organic electrode device |
| KR101878251B1 (en) * | 2011-04-08 | 2018-07-13 | 삼성전자주식회사 | Bending sensor and fabrication method thereof |
| KR101737156B1 (en) * | 2012-12-27 | 2017-05-17 | 제일모직주식회사 | Transparent conductor and apparatus comprising the same |
| KR101521694B1 (en) * | 2013-03-29 | 2015-05-19 | 삼성전기주식회사 | flexible/stretchable transparent film having conductivity and manufacturing method thereof |
| KR20150024184A (en) * | 2013-08-26 | 2015-03-06 | 제일모직주식회사 | Transparent conductor and optical display apparatus comprising the same |
-
2015
- 2015-10-28 KR KR1020150150436A patent/KR101862318B1/en active IP Right Grant
-
2016
- 2016-10-27 WO PCT/KR2016/012136 patent/WO2017074047A1/en active Application Filing
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190023439A (en) * | 2017-08-29 | 2019-03-08 | 주식회사 도프 | Manufacturing method of transparent conductive film using the hybrid of nano silver and silver nanowire and the transparent conductive film made therefrom |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101862318B1 (en) | 2018-05-29 |
| WO2017074047A1 (en) | 2017-05-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8921841B2 (en) | Porous glass substrate for displays and method of manufacturing the same | |
| CN105453292B (en) | Optoelectronic device substrate and optoelectronic device comprising same | |
| KR102066075B1 (en) | Substrate having transparent electrode for flexible display and method of fabricating the same | |
| US8921839B2 (en) | Light emitting device with spherical back mirror | |
| JP6573160B2 (en) | Light emitting element | |
| CN1430455A (en) | Plane display having anti-reflection coating with concentration gradient and its manufacturing method | |
| KR102522012B1 (en) | Conductive element and electronic devices comprising the same | |
| US10741784B2 (en) | Patterned organic light emitting diode (OLED) with enhanced light extraction | |
| KR101493601B1 (en) | A laminate for a light emitting device and process for preparing thereof | |
| WO2011161998A1 (en) | Organic el element | |
| EP2720285B1 (en) | Method of fabricating patterned substrate | |
| JP2016532994A (en) | LAMINATE FOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME | |
| KR101499279B1 (en) | Substrate for organic electronic device | |
| JP2005063704A (en) | Organic el device | |
| WO2012127916A1 (en) | Transparent conductive film, substrate having transparent conductive film, and organic electroluminescent element using same | |
| KR101466831B1 (en) | Light extraction substrate for oled, method of fabricating thereof and oled including the same | |
| CN106876608B (en) | OLED manufacturing method of ultrathin metal transparent electrode based on OLED light extraction | |
| KR101823358B1 (en) | Method for manufacturing composite substrate and composite substrate manufactured using thereof | |
| KR101862318B1 (en) | The light transmitting substrate and method for manufacturing the same | |
| US20170358763A1 (en) | Flexible substrate and method of manufacturing same | |
| WO2015009059A1 (en) | Method for manufacturing ultrathin organic light-emitting device | |
| KR101862760B1 (en) | Method for manufacturing composite substrate and composite substrate manufactured using thereof | |
| EP3087622B1 (en) | Light extracting electrode and organic light emitting diode with light extracting electrode | |
| EP3104668B1 (en) | Front plate for el element and illumination device | |
| KR20150085604A (en) | organic light emitting diode and manufacturing method of the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |