KR20170040863A - 투광성 도전막 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예는, 제1 도전층, 상기 제1 도전층 상의 제2 도전층 및 상기 제2 도전층 상의 제3 도전층을 포함하고, 상기 제2 도전층은, 은(Ag)과 합금 원소를 포함하고, 상기 합금 원소는 상기 은 보다 작은 원자 반경을 가지며, 상기 제2 도전층의 두께는 20Å 내지 60Å인 투광성 도전막을 개시한다.
Description
본 발명은 투광성 도전막 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 개의 기판과 그 사이에 들어 있는 액정층으로 이루어지며, 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
본 발명의 실시예들은 투광성 도전막 및 이를 포함하는 액정 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 제1 도전층, 상기 제1 도전층 상의 제2 도전층 및 상기 제2 도전층 상의 제3 도전층을 포함하고, 상기 제2 도전층은, 은(Ag)과 합금 원소를 포함하고, 상기 합금 원소는 상기 은 보다 작은 원자 반경을 가지며, 상기 제2 도전층의 두께는 20Å 내지 60Å인 투광성 도전막을 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 도전층의 두께는 30Å 내지 50Å일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 합금 원소는 아연(Zn), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 플래티늄(Pt), 안티모니(Sb), 망가니즈(Mn), 텅스텐(W) 및 몰리브덴(Mo) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 도전층은 인듐(In)을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 합금 원소의 함량은 상기 제2 도전층에 대해 2wt% 내지 35wt%로 포함될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층은 ITO, IZO, 및 AZO 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층 각각의 두께는 20Å 내지 70Å일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 투광성 도전막의 광 투과율은 80% 이상일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 위치하며, 다수의 액정 분자들로 이루어진 액정층 및 상기 액정층에 전기장을 인가하는 화소 전극과 공통 전극을 포함하고, 상기 공통 전극은, 제1 도전층, 상기 제1 도전층 상의 제2 도전층 및 상기 제2 도전층 상의 제3 도전층을 포함하고, 상기 제2 도전층은, 은(Ag)과 합금 원소를 포함하고, 상기 합금 원소는 상기 은 보다 작은 원자 반경을 가지며, 상기 제2 도전층의 두께는 20Å 내지 60Å인 액정 표시 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 도전층의 두께는 30Å 내지 50Å일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 합금 원소는 상기 제2 도전층에 대하여 5wt% 내지 35wt%로 포함될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 합금 원소는 아연(Zn), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 플래티늄(Pt), 안티모니(Sb), 망가니즈(Mn), 텅스텐(W) 및 몰리브덴(Mo) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 도전층은 인듐(In)을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층은 ITO, IZO, 및 AZO 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층 각각의 두께는 20Å 내지 70Å일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 공통 전극의 광 투과율은 80% 이상일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판을 더 포함하고, 상기 제1 기판 상에는 상기 화소 전극이 위치하고, 상기 제2 기판 상에는 상기 공통 전극이 위치하며, 상기 액정층은 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 액정 분자들은 수평 방향으로 배향되고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에서 상기 액정 분자들은 90°틀어져 배열될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 기판 상에는 상기 화소 전극과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터가 위치하고, 상기 박막 트랜지스터 상에는 평탄화층이 위치하며, 상기 평탄화층 상에는 상기 공통 전극이 위치하고, 상기 공통 전극 상에는 절연막을 사이에 두고 상기 화소 전극이 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 기판 상에는 상기 화소 전극과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터가 위치하고, 상기 박막 트랜지스터와 상기 화소 전극 사이에는 평탄화층이 위치하며, 상기 평탄화층 상에는 상기 액정층이 충진된 마이크로 캐비티가 위치하며, 상기 마이크로 캐비티는 상기 액정 표시 장치의 픽셀들마다 따로 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 화소 전극은 상기 마이크로 캐비티의 하부에 위치하고, 상기 마이크로 캐비티 상에는 상기 공통 전극이 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 광학적, 전기적 특성이 우수한 초박형의 투광성 도전막을 구현할 수 있고, 이를 포함하는 액정 표시 장치의 성능이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투광성 도전막을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 제2 도전층의 합금 원소의 함량에 따른 은의 응집현상을 도시한 도이다.
도 3은 도 1의 제2 도전층의 두께에 따른 제2 도전층의 투과율을 개략적으로 도시한 도이다.
도 4은 광의 파장에 따른 도 1의 제2 도전층의 투과율을 개략적으로 도시한 도이다.
도 5은 도 1의 제3 도전층의 두께 변화에 따른 투광성 도전막의 저항을 나타낸 도이다.
도 6은 도 1의 제3 도전층의 두께 변화에 따른 투광성 도전막의 투과율을 나타낸 도이다.
도 7은 도 1의 제3 도전층의 보호 능력을 테스트한 결과를 도시한 도이다.
도 8은 광의 파장에 따른 도 1의 투광성 도전막의 투과율을 개략적으로 도시한 도이다.
도 9는 도 1의 제2 도전층의 두께 변화에 따른 도 1의 투광성 도전막의 저항을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 10은 도 1의 투광성 도전막의 레이저 패터닝 특성을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 제2 도전층의 합금 원소의 함량에 따른 은의 응집현상을 도시한 도이다.
도 3은 도 1의 제2 도전층의 두께에 따른 제2 도전층의 투과율을 개략적으로 도시한 도이다.
도 4은 광의 파장에 따른 도 1의 제2 도전층의 투과율을 개략적으로 도시한 도이다.
도 5은 도 1의 제3 도전층의 두께 변화에 따른 투광성 도전막의 저항을 나타낸 도이다.
도 6은 도 1의 제3 도전층의 두께 변화에 따른 투광성 도전막의 투과율을 나타낸 도이다.
도 7은 도 1의 제3 도전층의 보호 능력을 테스트한 결과를 도시한 도이다.
도 8은 광의 파장에 따른 도 1의 투광성 도전막의 투과율을 개략적으로 도시한 도이다.
도 9는 도 1의 제2 도전층의 두께 변화에 따른 도 1의 투광성 도전막의 저항을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 10은 도 1의 투광성 도전막의 레이저 패터닝 특성을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 각 도면에서, 구성요소는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
각 구성요소의 설명에 있어서, 상(on)에 또는 하(under)에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(on)과 하(under)는 직접 또는 다른 구성요소를 개재하여 형성되는 것을 모두 포함하며, 상(on) 및 하(under)에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투광성 도전막을 개략적으로 도시한 단면도, 도 2는 도 1의 제2 도전층의 합금 원소의 함량에 따른 은의 응집현상을 도시한 도, 도 3은 도 1의 제2 도전층의 두께에 따른 제2 도전층의 투과율을 개략적으로 도시한 도, 도 4은 광의 파장에 따른 도 1의 제2 도전층의 투과율을 개략적으로 도시한 도, 도 5은 도 1의 제3 도전층의 두께 변화에 따른 투광성 도전막의 저항을 나타낸 도, 도 6은 도 1의 제3 도전층의 두께 변화에 따른 투광성 도전막의 투과율을 나타낸 도, 그리고 도 7은 도 1의 제3 도전층의 보호 능력을 테스트한 결과를 도시한 도이다.
도 1 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 투광성 도전막(10)은 제1 도전층(12), 제1 도전층(12) 상의 제2 도전층(14) 및 제2 도전층(14) 상의 제3 도전층(16)을 포함할 수 있다.
먼저, 제2 도전층(14)은 은(Ag) 합금으로 이루어질 수 있다. 은(Ag) 합금은 은과 합금 원소를 포함한다. 합금 원소는 은(Ag)의 결정구조 내의 침입형 자리(Interstitial site)에 위치할 수 있다. 은(Ag)은 면심입방구조(FCC)를 가지므로, 합금 원소는 면심입방구조(FCC)의 침입형 자리에 위치하며, 은의 결정구조 내로의 침투를 용이하게 하기 위해, 합금 원소는 은(Ag)과 동일하거나 작은 원자 반경을 가지는 원소들일 수 있다.
예를 들어, 합금 원소는 아연(Zn), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 플래티늄(Pt), 안티모니(Sb), 망가니즈(Mn), 텅스텐(W) 및 몰리브덴(Mo) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 합금 원소는 제2 도전층(14)의 황(S)에 대한 내성을 향상시키기 위해 인듐(In)을 더 포함할 수 있다.
합금 원소는 제2 도전층(14)의 성막시 은(Ag)의 응집현상을 방지할 수 있다. 따라서, 제2 도전층(14)은 매우 얇은 두께로 형성되더라도 응집현상 없이 균일한 연속막을 형성할 수 있다. 합금원소는 제2 도전층(14)에 대하여 2wt% 이상 35wt% 이하로 포함될 수 있다.
도 2는 제2 도전층(14)의 합금 원소의 함량에 따른 은의 응집현상을 도시한 도로, 비교예 1은 은(Ag)에 인듐(In)이 0.5wt% 함유된 합금으로 형성된 도전층이고, 실시예 1, 실시예 2 및 실시예 3은 은(Ag)에 본 발명에 따른 합금 원소 중 갈륨(Ga)을 각각 2wt%, 3wt% 및 5wt% 함유한 합금으로 형성된 도전층들이다. 도 2에도시된 도전층들은, ITO막 상에 형성되었으며, ITO막을 포함한 전체 두께가 150Å이 되도록 형성되었다. 또한, ITO막 상에 도전층들을 형성한 후에는 250℃에서 한 시간 동안 열처리하였다.
비교예 1의 경우는 은의 응집체의 크기가 12.1㎚로 응집 현상이 매우 심하게 나타났다. 이에 반해, 갈륨(Ga)을 각각 2wt%, 3wt% 및 5wt%로 포함한 실시예 1, 실시예 2 및 실시예 3은 은의 응집체의 크기가 약 1㎚로 형성된바, 은의 응집현상이 방지되었다고 볼 수 있다. 따라서, 제2 도전층(14)에 합금 원소가 2wt% 이상 포함되면, 은(Ag)의 응집현상이 방지되므로, 균일한 두께를 가지는 초박형의 제2 도전층(14)의 형성이 가능하다는 점을 알 수 있다. 한편, 합금 원소의 함량이 35wt% 보다 큰 경우는, 합금 원소의 함량이 지나치게 커짐에 따라, 은(Ag)의 특성이 감소하여 제2 도전층(14)의 저항이 증가하고 내산화성이 감소할 수 있다. 따라서, 합금원소는 제2 도전층(14)에 대하여 2wt% 이상 35wt% 이하로 포함될 수 있다.
한편, 제2 도전층(14)은 스퍼터링 법에 의해 형성될 수 있는데, 이때 스퍼터링 타겟의 제조 용이성을 위해 합금 원소는 스퍼터링 타겟 내에 20wt% 이하로 포함될 수 있으며, 이에 따라, 상기 타겟을 이용하여 형성한 제2 도전층(14)도 합금 원소를 20wt% 이하로 포함할 수 있다.
이와 같이, 제2 도전층(14)은 은의 응집현상을 방지하는 합금 원소를 포함하므로, 제2 도전층(14)은 매우 얇은 두께를 가지고 형성될 수 있고, 이에 따라 제2 도전층(14)은 우수한 광 투과율을 가질 수 있다.
도 3은 제2 도전층(14)의 두께에 따른 제2 도전층(14)의 투과율을 개략적으로 도시한 도이고, 도 4는 광의 파장에 따른 제2 도전층(14)의 투과율을 개략적으로 도시한 도로, 도 3 및 도 4에서 (I)는 도 2의 비교예 1과 동일한 조성으로 형성된 도전층이고, (II)는 순수한 은으로 형성된 도전층이며, (III)은 도 2의 실시예 3과 동일한 조성으로 형성된 도전층이다. 도 3 및 도 4의 (I), (II), (III)은 모두 30Å의 두께를 가진다. 또한, 도 4의 (IV)는 기존 액정 표시 장치 등에 공통 전극으로 사용되던 ITO로 형성된 도전층으로 1200Å의 두께를 가진다.
도 3은 550㎚의 파장을 가지는 광을 조사하였을 때의 투과율을 나타낸다. 도 3에 도시된 바와 같이, (I)과 (II)의 경우는 40Å 두께 이하에서 급격하게 투과율이 저하되는 것을 알 수 있다. 이에 반해, (III)은 50Å 이하의 두께에서 (I)과 (II)에 비해 우수한 투과율을 보이고, 20Å 내지 60Å의 범위에서 85% 이상의 투과율을 가지고, 30Å 내지 50Å 범위에서 90% 이상의 투과율을 가짐을 알 수 있다.
이는 상술한 바와 같이, 제2 도전층(14)이 합금 원소를 2wt% 이상 포함함으로써, 은(Ag)의 응집현상이 방지되어, 제2 도전층(14)은 매우 얇은 두께로 형성되더라도 응집현상 없이 균일한 연속막을 형성할 수 있기 때문이다. 또한, 도 4에서 알 수 있는 바와 같이, (III)은 가시광선의 모든 파장대에서 90% 이상의 투과율을 가지는바, 제2 도전층(14)의 광학적 특성이 우수함을 알 수 있다.
다만, 제2 도전층(14)의 두께가 20Å 보다 작으면, 은의 응집현상이 발생할 수 있어, 제2 도전층(14)이 연속막으로 형성되기 어려워 투광성 도전막(10)의 저항이 증가할 수 있으며, 제2 도전층(14)의 두께가 60Å보다 크면 투광성 도전막(10)의 투과율이 감소할 수 있다. 따라서, 제2 도전층(14)의 두께는 20Å 내지 60Å로 형성될 수 있다. 또한, 더욱 우수한 투과율을 확보하기 위해 제2 도전층(14)은 30Å 내지 50Å 두께로 형성될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 제1 도전층(12)과 제3 도전층(16)은 제2 도전층(14)에 포함된 은이 외부로 노출되어 은에 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 제1 도전층(12)과 제3 도전층(16)은 ITO, IZO, 및 AZO 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 도전층(12)과 제3 도전층(16) 각각의 두께는 20Å 내지 70Å 일 수 있다. 제1 도전층(12)과 제3 도전층(16)의 두께는 서로 상이하게 형성될 수 있다.
도 5와 도 6은 각각 제3 도전층(16)의 두께 변화에 따른 투광성 도전막(10)의 저항과 투과율을 나타낸 도이다. 또한, 도 7은 제3 도전층(16)의 보호 능력을 테스트한 결과를 도시한 도이다. 보호 능력은 EP-6 용액에 투광성 도전막(10)을 600초간 침지시켰을 때, 제2 도전층(14)에 손상이 발생하는지 여부로 테스트 하였다.
도 5 내지 도 7에서, 제1 도전층(12)은 70Å의 두께를 가지도록 ITO로 형성하고, 제2 도전층(14)은 도 2의 실시예 3과 동일한 조성으로 40Å의 두께를 가지도록 형성하였으며, 제3 도전층(16)은 ITO로 형성하되, 두께를 20Å(A), 30Å(B), 40Å(C), 70Å(D) 및 100Å(E)으로 변경하였다. 한편, 도 7의 (F)는 제2 도전층(14)만으로 형성한 도전층을 테스트한 결과이다.
먼저, 도 7에서 알 수 있는 바와 같이, 제3 도전층(16)이 20Å 이상의 두께를 가지면, 제2 도전층(14)이 외부의 환경에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 그 결과 도 5 및 도 6에서 알 수 있는 바와 같이, 투광성 도전막(10)의 저항과 투과율에 변화가 거의 나타나지 않는다. 도 6은 550㎚의 파장을 가지는 광을 조사하였을 때의 투과율이다.
한편, 제1 도전층(12)과 제3 도전층(16)의 형성시 사용되는 타겟의 사용시간이 길어지면, 타겟의 표면에 노쥴(Nodule)이 생성되고, 이로 의해 제1 도전층(12)과 제3 도전층(16)의 표면에 파티클이 낙하하여 제1 도전층(12)과 제3 도전층(16)의 품질이 저하될 수 있는바, 이를 방지하기 위해 제1 도전층(12)과 제3 도전층(16)의 두께는 70Å이하로 형성될 수 있다. 또한, 제1 도전층(12)과 제3 도전층(16)의 두께가 70Å 보다 크면, 투광성 도전막(10)의 전체 투과율이 저하될 수 있다. 따라서, 제1 도전층(12)과 제3 도전층(16) 각각의 두께는 20Å 내지 70Å로 형성될 수 있다.
이와 같이 투광성 도전막(10)은 초박형으로 구현될 수 있는 제2 도전층(14)과, 70Å 이하의 두께를 가지는 제1 도전층(12) 및 제3 도전층(16)을 포함함으로써, 투광성 도전막(10)도 매우 얇은 두께로 형성되며, 이에 따라 투광성 도전막(10)은 우수한 광학적 성질을 가질 뿐 아니라, 전기적 특성 및 레이터 패터닝 특성도 우수할 수 있다.
도 8은 광의 파장에 따른 도 1의 투광성 도전막의 투과율을 개략적으로 도시한 도이고, 도 9는 도 1의 제2 도전층의 두께 변화에 따른 도 1의 투광성 도전막의 저항을 개략적으로 나타낸 도이며, 도 10은 도 1의 투광성 도전막의 레이저 패터닝 특성을 개략적으로 나타낸 도이다. 이하에서는 도 1을 함께 참조하여 설명한다.
도 8에서, 투과율을 테스트한 투광성 도전막(10)은 70Å의 두께를 가지도록 ITO로 각각 형성한 제1 도전층(12)과 제3 도전층(16), 및 도 2의 실시예 3과 동일한 조성으로 40Å의 두께를 가지도록 형성한 제2 도전층(14)을 포함한다. 도 8에서 알 수 있는 바와 같이, 투광성 도전막(10)은 가시광선의 전체 파장대에서 80% 이상의 투과율을 가지는바, 본 발명에 따른 투광성 도전막(10)은 우수한 광학적 특성을 가짐을 알 수 있다.
도 9는 투광성 도전막(10)의 저항의 측정 결과를 도시한 도로, 도 9의 비교예 2 및 비교예 3은 ITO로 각각 1350Å과 500Å의 두께로 형성한 도전층들이며, 실시예 4 내지 6은 모두 도 8에서 테스트한 투과성 도전막(10)에서 제2 도전층(14)의 두께만 30Å, 40Å 및 50Å으로 순차적으로 증가시킨 경우이다. 도 9에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 투광성 도전막(10)은 저항이 비교예 2에 비해 월등히 작고, 실시예 5와 실시예 6의 경우는 비교예 1과 비교하여도 저항 차이가 크게 나지 않는다. 즉, 투광성 도전막(10)은 매우 얇은 두께를 가지고 형성되더라도 전기적 특성이 우수함을 알 수 있다.
도 10은 레이저 트리밍 결과를 도시한 도로, (X)는 도 9의 실시예 5의 투광성 도전막(10)을 레이저 패터닝한 결과이며, (Y) 및 (Z)는 각각 도 9의 비교예 2와 비교예 3의 도전층들을 레이저 패터닝한 결과이다. 도 10에서 알 수 있는 바와 같이, (X)의 경우가 (Y) 및 (Z)의 경우보다 패턴이 정교하게 형성된 것을 알 수 있다. 이는 은이 ITO에 비해 흡수 계수가 크기 때문이다. 예를 들어, 패터닝을 위해 조사되는 레이저 광의 파장이 1024㎚일 때, ITO의 흡수계수는 0.02임에 반해, 은(Ag)의 흡수계수는 8이다. 따라서, 투광성 도전막(10)은 우수한 레이저 트리밍 특성을 가질 수 있고, 이에 따라 투광성 도전막(10)을 액정 표시 장치의 공통 전극 등에 사용할 때, 공통 전극의 패터닝이 용이하게 수행될 수 있다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)는 제1 기판(111), 제1 기판(111) 상에 위치하며, 다수의 액정 분자(113)들로 이루어진 액정층(103), 및 액정층(103)에 전기장을 인가하는 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)을 포함할 수 있다. 또한, 액정 표시 장치(100)는 제1 기판(111)과 마주보는 제2 기판(112)을 포함할 수 있다.
제 1 기판(111) 상에는 TFT 어레이층(120), 화소 전극(PE), 제1 배향막(AL1)이 형성될 수 있다.
제1 기판(111)은 유리 기판뿐만 아니라, PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등을 포함하는 플라스틱 기판 일 수 있다.
TFT 어레이층(120)은 복수의 스위칭 소자들(TFT)를 포함하며, 또한, 미도시된 복수의 게이트 라인들, 복수의 데이터 라인들을 포함한다. 스위칭 소자(TFT)는 박막 트랜지스터로서, 활성층(AT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다.
게이트 전극(GE) 상에는 게이트 절연막인 제1 절연층(L1)이 형성되고, 제1절연층(L1) 상에 활성층(AT)이 형성된다. 활성층(AT) 상에는 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE)이 서로 이격되게 형성되고, 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE)을 덮는 제2절연층(L2)이 형성된다. 도 11에서는 게이트 전극(GE)이 활성층(AT) 아래에 위치하는 바텀 게이트 타입(bottom gate type)의 박막 트랜지스터를 예시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않고 게이트 전극(GE)이 활성층(AT) 상에 위치하는 탑 게이트 타입(top gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터가 채용될 수 있다.
활성층(AT)은 다양한 물질을 포함하도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 활성층(AT)은 비정질 실리콘 또는 결정질 실리콘과 같은 무기 반도체 물질을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 활성층(AT)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 또 다른 예로서, 활성층(AT)은 유기 반도체 물질을 포함할 수 있다.
게이트 전극(GE), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE)은, 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속이 단일층 또는 복수층으로 형성될 수 있다.
제 1 절연층(L1) 및 제 2 절연층(L2)은 다양한 종류의 절연성 물질로 형성될 수 있다. 제 1 절연층(L1) 및 제 2 절연층(L2)은 SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 가운데 선택된 하나 이상의 절연막이 단일층 또는 복수층으로 형성될 수 있다.
TFT 어레이층(120) 위로는 평탄화층(150)이 더 마련될 수 있으며, 화소 전극(PE)은 평탄화층(150) 위에 위치한다. 화소 전극(PE)은 평탄화층(150), 제2 절연층(L2)을 관통하여 스위칭 소자(TFT)의 드레인 전극(DE)과 연결되어 있다. 화소 전극(PE) 상에는 액정 분자(113)들의 배향을 위한 제1 배향막(AL1)이 형성될 수 있다.
제2 기판(112) 상에는 차광 패턴(BP), 컬러 필터(CF), 오버 코팅층(OC), 공통 전극(CE)이 형성되며, 또한, 공통 전극(CE) 상에는 액정 분자(113)들의 배향을 위한 제2 배향막(AL2)이 형성될 수 있다.
제2 기판(112)은 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판일 수 있으며, 제2 기판(112)의 외면은 표시면(DS)이 된다.
차광 패턴(BP)은 스위칭 소자(TFT)와 미도시된 게이트 라인, 데이터 라인들이 형성된 영역에 대응하는 위치의 제2 기판(112) 상에 배치되고, 광을 차단한다. 차광 패턴(BP)의 배치 위치는 예시적인 것이며 제1 기판(111)상에 배치될 수도 있다.
컬러 필터(CF)는 제2 기판(112)상에 배치되고, 컬러 광을 필터링한다. 컬러 필터(CF)의 배치는 예시적인 것이며, 제1 기판(111) 상에 배치될 수도 있다.
오버 코팅층(OC)은 컬러 필터(CF)가 형성된 제2 기판(112) 상에 배치되어, 제2 기판(112) 상면을 평탄화한다. 오버 코팅층(OC)은 생략될 수 있다.
공통 전극(CE)은 화소 전극(PE)과 마주하도록 제2 기판(112) 상에 배치되고, 화소 전극(PE)에 인가되는 전압의 극성을 정의하는 기준 전압, 즉 공통 전압이 인가된다. 일 예로, 공통 전극(CE)은 평판 형태를 가질 수 있다.
공통 전극(CE)은, 도 1에서 도시하고 설명한 투광성 도전막(도 1의 10)으로 이루어질 수 있다. 즉, 공통 전극(CE)은 ITO 등으로 형성되는 제1 도전층과 제3 도전층 사이에 은 합금으로 이루어진 제2 도전층을 포함할 수 있다.
제2 도전층은 은과 제2 도전층의 형성시 은의 응집현상을 방지하는 합금 원소를 포함할 수 있다. 합금 원소는 아연(Zn), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 플래티늄(Pt), 안티모니(Sb), 망가니즈(Mn), 텅스텐(W) 및 몰리브덴(Mo) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으며, 황(S)에 대한 내성을 향상시키기 위해 인듐(In)을 더 포함할 수 있다. 합금 원소는 제2 도전층에 대해 2wt% 이상 35wt% 이하로 포함될 수 있고, 제2 도전층은 20Å 내지 60Å의 두께로 형성될 수 있다.
제1 도전층과 제3 도전층은 제2 도전층이 외부로 노출되어 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 도전층은 공통 전극(CE)과 평탄화층(150) 간의 접합력을 향상시킬 수 있다. 제1 도전층과 제3 도전층은 20Å 내지 70Å의 두께로 형성될 수 있다.
따라서, 공통 전극(CE)은 매우 얇은 두께로 형성될 수 있고, 이에 따라 우수한 광학적 성질을 가질 뿐 아니라, 전기적 특성도 우수하며, 이를 포함하는 액정 표시 장치(100)의 성능이 향상될 수 있다.
액정층(103)은 액정 분자(113)들로 이루어진다. 액정층(103)은 일 예로, 수직 배향 모드 액정층일 수 있다. 즉, 전계가 형성되지 않은 상태에서, 액정 분자(113)의 장축이 제1 기판(111) 면에 대해 수직으로 배치될 수 있다. 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE) 사이에 전압이 인가되면 액정층에 전기장이 인가되고, 전기장은 액정 분자(113)들의 배열을 변경시켜, 액정층(103)을 투과하는 광의 양을 조절함으로써 액정 디스플레이 장치(100)는 영상을 표시할 수 있다.
한편, 도 12의 액정 표시 장치(100')는 제1 기판(111)과 제2 기판(112) 사이에 배치된 액정층(103)을 포함하고, 상하 방향으로 전기장을 형성하는 점에서는 도 11의 액정 표시 장치(100)와 동일하나, 액정분자(113')들의 배열이 수평 방향으로 배열된 점에서 도 11의 액정 표시 장치(100)와 상이하다. 구체적으로, 도 12의 액정 분자(113')들은 수평 방향으로 배향되고, 화소 전극(도 11의 PE)과 공통 전극(도 11의 CE)사이에서 90°틀어져 배열될 수 있다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 13을 참조하면, 액정 표시 장치(200)는 제1 기판(211), 제1 기판(211) 상에 위치하며, 다수의 액정 분자(213)들로 이루어진 액정층(203), 및 액정층(203)에 전기장을 인가하는 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)을 포함할 수 있다. 또한, 액정 표시 장치(200)는 제1 기판(211)과 마주보는 제2 기판(212)을 포함할 수 있다. 제1 기판(211)과 제2 기판(212) 상에는 각각 액정 분자(213)들의 배향을 위한 제1 배향막(AL1)과 제2 배향막(AL2)이 형성될 수 있다.
제 1 기판(211) 상에는 TFT 어레이층(220), 컬러 필터(CF), 공통 전극(CE) 및 화소 전극(PE)이 위치할 수 있다. 또한, 컬러 필터(CF)들 사이의 스위칭 소자(TFT)가 형성된 영역 상에는 차광 패턴이 형성될 수 있다. 차광 패턴은 제1 기판(211)과 제2 기판(212)의 간극을 유지시키는 스페이서와 일체적으로 형성될 수 있다.
TFT 어레이층(220)의 스위칭 소자(TFT)는 박막 트랜지스터일 수 있으며, 활성층(AT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다. 게이트 전극(GE) 상에는 게이트 절연막인 제1 절연층(L1)이 형성되고, 제1 절연층(L1) 상에 활성층(AT)이 형성된다. 활성층(AT) 상에는 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE)이 서로 이격 되게 형성되고, 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE)을 덮는 제2 절연층(L2)이 형성된다.
TFT 어레이층(220) 상에는 컬러 필터(CF)가 마련될 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 컬러 필터(CF)는 제2 기판(212) 상에 배치될 수도 있다.
컬러 필터(CF) 상에는 평탄화층(250)이 형성될 수 있으며, 평탄화층(250) 상에는 공통 전극(CE)이 위치할 수 있다.
공통 전극(CE)은, 도 1에서 도시하고 설명한 투광성 도전막(도 1의 10)으로 이루어질 수 있다. 즉, 공통 전극(CE)은 ITO 등으로 형성되는 제1 도전층과 제3 도전층 사이에 은 합금으로 이루어진 제2 도전층을 포함할 수 있다.
제1 도전층과 제3 도전층은 제2 도전층이 외부로 노출되어 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 도전층은 공통 전극(CE)과 평탄화층(150) 간의 접합력을 향상시킬 수 있다. 제1 도전층과 제3 도전층은 20Å 내지 70Å의 두께로 형성될 수 있다.
제2 도전층은 은과 제2 도전층의 형성시 은의 응집현상을 방지하는 합금 원소를 포함하며, 20Å 내지 60Å의 두께로 형성될 수 있다. 합금 원소는 제2 도전층에 대해 2wt% 이상 35wt% 이하로 포함될 수 있다. 합금 원소는 아연(Zn), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 플래티늄(Pt), 안티모니(Sb), 망가니즈(Mn), 텅스텐(W) 및 몰리브덴(Mo) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으며, 황(S)에 대한 내성을 향상시키기 위해 인듐(In)을 더 포함할 수 있다.
따라서, 공통 전극(CE)은 매우 얇은 두께로 형성되며, 이에 따라 우수한 광학적 성질을 가질 뿐 아니라, 전기적 특성도 우수할 수 있다.
공통 전극(CE) 상에는 제3 절연막(260)을 사이에 두고 화소 전극(PE)이 배치될 수 있다. 따라서, 공통 전극(CE)과 화소 전극(PE)에 전압이 인가되면, 제1 기판(211)에 나란한 수평 전기장이 생성될 수 있고, 액정층(203)의 액정 분자(213)들은 수평 전기장에 의해 배열이 변경될 수 있다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 14를 참조하면, 액정 표시 장치(300)는 제1 기판(311), 제1 기판(311) 상에 위치하며, 다수의 액정 분자(313)들로 이루어진 액정층(303), 및 액정층(303)에 전기장을 인가하는 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)을 포함할 수 있다.
제 1 기판(311) 상에는 TFT 어레이층(320), 화소 전극(PE), 제1 배향막(AL1)이 형성될 수 있다.
TFT 어레이층(320)은 복수의 스위칭 소자들(TFT)를 포함하며, 또한, 미도시된 복수의 게이트 라인들, 복수의 데이터 라인들을 포함한다. 스위칭 소자(TFT)는 박막 트랜지스터로서, 활성층(AT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다.
게이트 전극(GE) 상에는 게이트 절연막인 제1 절연층(L1)이 형성되고, 제1절연층(L1) 상에 활성층(AT)이 형성된다. 활성층(AT) 상에는 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE)이 서로 이격되게 형성되고, 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE)을 덮는 제2절연층(L2)이 형성된다.
TFT 어레이층(320) 위로는 평탄화층(350)이 더 마련될 수 있으며, 화소 전극(PE)은 평탄화층(350) 위에 위치한다. 화소 전극(PE)은 평탄화층(350), 제2 절연층(L2)을 관통하여 스위칭 소자(TFT)의 드레인 전극(DE)과 연결되어 있다.
평탄화층(350) 상에는 마이크로 캐비티(MC)가 위치할 수 있다. 마이크로 캐비티(MC)에는 액정층(303)이 충진될 수 있다. 마이크로 캐비티(MC)는 화소 전극(PE)이 형성된 영역에 대응하여 형성될 수 있으며, 액정 표시 장치(300)의 각 픽셀마다 따로 형성될 수 있다. 또한, 마이크로 캐비티(MC)들 사이에는 블랙 매트릭스(BM)가 형성될 수 있다.
마이크로 캐비티(MC)의 하부에는 화소 전극(PE)이 배치되고, 액정 분자(LC)들의 배향을 위한 제1 배향막(AL1)과 제2 배향막(AL2)이 마이크로 캐비티(MC)의 상, 하부에 배치되며, 마이크로 캐비티(MC)의 내벽을 따라 연결되게 형성될 수 있다.
마이크로 캐비티(MC) 상에는 공통 전극(CE)이 형성되며, 공통 전극(CE) 상에는 마이크로 캐비티(MC)를 형성하는 루프층이 형성될 수 있다. 루프층은 컬러필터(CF)를 포함할 수 있다.
공통 전극(CE)은, 도 1에서 도시하고 설명한 투광성 도전막(도 1의 10)으로 이루어질 수 있다. 즉, 공통 전극(CE)은 ITO 등으로 형성되는 제1 도전층과 제3 도전층 사이에 은 합금으로 이루어진 제2 도전층을 포함할 수 있다.
제1 도전층과 제3 도전층은 제2 도전층이 외부로 노출되어 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 도전층은 공통 전극(CE)과 평탄화층(150) 간의 접합력을 향상시킬 수 있다. 제1 도전층과 제3 도전층은 20Å 내지 70Å의 두께로 형성될 수 있다.
제2 도전층은 은과 제2 도전층의 형성시 은의 응집현상을 방지하는 합금 원소를 포함하며, 20Å 내지 60Å의 두께로 형성될 수 있다. 합금 원소는 제2 도전층에 대해 2wt% 이상 35wt% 이하로 포함될 수 있다. 합금 원소는 아연(Zn), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 플래티늄(Pt), 안티모니(Sb), 망가니즈(Mn), 텅스텐(W) 및 몰리브덴(Mo) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으며, 황(S)에 대한 내성을 향상시키기 위해 인듐(In)을 더 포함할 수 있다.
따라서, 공통 전극(CE)은 매우 얇은 두께로 형성되며, 이에 따라 우수한 광학적 성질을 가질 뿐 아니라, 전기적 특성도 우수할 수 있다.
마이크로 캐비티(MC)는 제1 기판(311) 상에 마이크로 캐비티(MC)의 형상과 동일한 희생층을 형성한 후, 희생층 상에 공통 전극(CE), 컬러 필터(CF)를 포함하는 루프층을 형성한 다음, 희생층을 제거하여 형성될 수 있다. 이때, 마이크로 캐비티(MC)는 루프층에 의해 형상이 유지될 수 있으며, 마이크로 캐비티(MC)에는 액정층(303)이 충진될 수 있다. 액정층(303)은 루프층의 일부를 제거한 후 마이크로 캐비티(MC)에 충진될 수 있으며, 액정층(303)의 주입이 완료된 후에는 주입을 위해 제거된 주입구를 밀봉할 수 있다.
주입구의 밀봉은 캡핑층(312)에 의할 수 있다. 캡핑층(312)은 루프층과 함께 액정층(303)을 밀봉하고 보호하는 역할을 한다. 캡핑층(312)은 루프층과 유사한 재질로 형성될 수 있으나, 캡핑층(312)의 재질은 침투성, 투광성을 고려하여 정할 수 있다.
이상에서는 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
Claims (21)
- 제1 도전층;
상기 제1 도전층 상의 제2 도전층; 및
상기 제2 도전층 상의 제3 도전층;을 포함하고,
상기 제2 도전층은, 은(Ag)과 합금 원소를 포함하고, 상기 합금 원소는 상기 은 보다 작은 원자 반경을 가지며, 상기 제2 도전층의 두께는 20Å 내지 60Å인 투광성 도전막. - 제1항에 있어서,
상기 제2 도전층의 두께는 30Å 내지 50Å인 투광성 도전막. - 제1항에 있어서,
상기 합금 원소는 아연(Zn), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 플래티늄(Pt), 안티모니(Sb), 망가니즈(Mn), 텅스텐(W) 및 몰리브덴(Mo) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 투광성 도전막. - 제3항에 있어서,
상기 제2 도전층은 인듐(In)을 더 포함하는 투광성 도전막. - 제1항에 있어서,
상기 합금 원소의 함량은 상기 제2 도전층에 대해 2wt% 내지 35wt%로 포함된 투광성 도전막. - 제1항에 있어서,
상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층은 ITO, IZO, 및 AZO 중 적어도 어느 하나를 포함하는 투광성 도전막. - 제6항에 있어서,
상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층 각각의 두께는 20Å 내지 70Å인 투광성 도전막. - 제1항에 있어서,
상기 투광성 도전막의 광 투과율은 80% 이상인 투광성 도전막. - 제1 기판;
상기 제1 기판 상에 위치하며, 다수의 액정 분자들로 이루어진 액정층; 및
상기 액정층에 전기장을 인가하는 화소 전극과 공통 전극;을 포함하고,
상기 공통 전극은, 제1 도전층, 상기 제1 도전층 상의 제2 도전층 및 상기 제2 도전층 상의 제3 도전층을 포함하고,
상기 제2 도전층은, 은(Ag)과 합금 원소를 포함하고, 상기 합금 원소는 상기 은 보다 작은 원자 반경을 가지며, 상기 제2 도전층의 두께는 20Å 내지 60Å인 액정 표시 장치. - 제9항에 있어서,
상기 제2 도전층의 두께는 30Å 내지 50Å인 액정 표시 장치. - 제9항에 있어서,
상기 합금 원소는 상기 제2 도전층에 대하여 5wt% 내지 35wt%로 포함된 액정 표시 장치. - 제11항에 있어서,
상기 합금 원소는 아연(Zn), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 플래티늄(Pt), 안티모니(Sb), 망가니즈(Mn), 텅스텐(W) 및 몰리브덴(Mo) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 액정 표시 장치. - 제12항에 있어서,
상기 제2 도전층은 인듐(In)을 더 포함하는 액정 표시 장치. - 제9항에 있어서,
상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층은 ITO, IZO, 및 AZO 중 적어도 어느 하나를 포함하는 액정 표시 장치. - 제14항에 있어서,
상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층 각각의 두께는 20Å 내지 70Å인 액정 표시 장치. - 제9항에 있어서,
상기 공통 전극의 광 투과율은 80% 이상인 액정 표시 장치. - 제9항에 있어서,
상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판을 더 포함하고,
상기 제1 기판 상에는 상기 화소 전극이 위치하고, 상기 제2 기판 상에는 상기 공통 전극이 위치하며, 상기 액정층은 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 배치된 액정 표시 장치. - 제17항에 있어서,
상기 액정 분자들은 수평 방향으로 배향되고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에서 상기 액정 분자들은 90°틀어져 배열된 액정 표시 장치. - 제9항에 있어서,
상기 제1 기판 상에는 상기 화소 전극과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터가 위치하고, 상기 박막 트랜지스터 상에는 평탄화층이 위치하며,
상기 평탄화층 상에는 상기 공통 전극이 위치하고,
상기 공통 전극 상에는 절연막을 사이에 두고 상기 화소 전극이 배치된 액정 표시 장치. - 제9항에 있어서,
상기 제1 기판 상에는 상기 화소 전극과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터가 위치하고, 상기 박막 트랜지스터와 상기 화소 전극 사이에는 평탄화층이 위치하며,
상기 평탄화층 상에는 상기 액정층이 충진된 마이크로 캐비티가 위치하며, 상기 마이크로 캐비티는 상기 액정 표시 장치의 픽셀들마다 따로 배치된 액정 표시 장치. - 제20항에 있어서,
상기 화소 전극은 상기 마이크로 캐비티의 하부에 위치하고, 상기 마이크로 캐비티 상에는 상기 공통 전극이 배치된 액정 표시 장치.
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