KR20170034927A - 도파관의 하부면 근처에 위치한 광원들을 갖는 조명 디바이스 - Google Patents

도파관의 하부면 근처에 위치한 광원들을 갖는 조명 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR20170034927A
KR20170034927A KR1020177007513A KR20177007513A KR20170034927A KR 20170034927 A KR20170034927 A KR 20170034927A KR 1020177007513 A KR1020177007513 A KR 1020177007513A KR 20177007513 A KR20177007513 A KR 20177007513A KR 20170034927 A KR20170034927 A KR 20170034927A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
waveguide
cavity
emitting
light
sidewalls
Prior art date
Application number
KR1020177007513A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101898828B1 (ko
Inventor
세르게 제이. 비어후이젠
Original Assignee
루미레즈 엘엘씨
코닌클리케 필립스 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 루미레즈 엘엘씨, 코닌클리케 필립스 엔.브이. filed Critical 루미레즈 엘엘씨
Publication of KR20170034927A publication Critical patent/KR20170034927A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101898828B1 publication Critical patent/KR101898828B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0081—Mechanical or electrical aspects of the light guide and light source in the lighting device peculiar to the adaptation to planar light guides, e.g. concerning packaging
    • G02B6/0086—Positioning aspects
    • G02B6/0091—Positioning aspects of the light source relative to the light guide
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0023—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed between the light guide and the light source, or around the light source
    • G02B6/0026—Wavelength selective element, sheet or layer, e.g. filter or grating
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0023—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed between the light guide and the light source, or around the light source
    • G02B6/0031—Reflecting element, sheet or layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
    • G02B6/0055—Reflecting element, sheet or layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0073—Light emitting diode [LED]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133605—Direct backlight including specially adapted reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133606—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133611—Direct backlight including means for improving the brightness uniformity
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133621—Illuminating devices providing coloured light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0015—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it
    • G02B6/002—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it by shaping at least a portion of the light guide, e.g. with collimating, focussing or diverging surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예들에 따른 디바이스는 통상적으로 투명 재료의 제1 섹션으로부터 형성된 도파관(6)을 포함한다. 광원(8)은 상기 도파관의 하부면의 가까이에 배치된다. 광원은 반도체 발광 다이오드(12) 및 상기 반도체 발광 다이오드와 상기 도파관 사이에 배치된 투명 재료의 제2 섹션을 포함한다. 투명 재료의 상기 제2 섹션의 측벽들(18)은 반사성이다. 조명 대상 표면은 상기 도파관의 상부면의 가까이에 배치된다. 몇몇 실시예들에서, 상기 도파관의 가장자리는 곡면이다.

Description

도파관의 하부면 근처에 위치한 광원들을 갖는 조명 디바이스{LIGHTING DEVICE WITH LIGHT SOURCES POSITIONED NEAR THE BOTTOM SURFACE OF A WAVEGUIDE}
본 발명은 반도체 발광 다이오드들을 포함하는 조명 디바이스들에 관한 것이다.
LED(light emitting diode)와 같은 반도체 발광 디바이스들은 최근에 이용 가능한 가장 효율적인 광원들 중 하나이다. 가시 스펙트럼에서 동작 가능한 고 휘도 LED들의 제조에 있어서 현재 관심있는 재료 시스템들은 Ⅲ-Ⅴ족 반도체들, 특히 갈륨(gallium), 알루미늄(aluminum), 인듐(indium) 및 Ⅲ-질화물 재료이라고도 언급되는 니트로겐(nitrogen)의 2원, 3원 및 4원의 합금들과 갈륨, 알루미늄, 인듐, 비소(arsenic) 및 인(phosphorus)의 2원, 3원 및 4원의 합금들을 포함한다. Ⅲ-질화물 디바이스들은 종종 사파이어, 실리콘 카바이드 또는 Ⅲ-질화물 기판들 상에서 에피택셜 성장되고, Ⅲ-인화물(phosphide) 디바이스들은 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition), MBE(molecular beam epitaxy) 또는 다른 에피텍셜 기술들에 의해 갈륨 비화물(gallium arsenide) 상에 에피택셜 성장된다. n-타입 영역은 종종 기판 상에 적층되고, 그 후 발광 영역 또는 활성 영역이 n-타입 영역 상에 적층되고, 이어서 p-타입 영역이 활성 영역 상에 적층된다. 층들의 순서는 p-타입 영역이 기판에 근접하도록 역순이 될 수 있다.
반도체 발광 디바이스들의 하나의 가능한 사용은 일반적인 조명 기구 및 LCD(liquid crystal display)들과 같은 디스플레이 디바이스들을 위한 백라이트들에 대한 것이다. 컬러 또는 흑백 전송 LCD들은 셀룰러 폰, PDA(personal digital assiatants), 휴대용 뮤직 플레이어, 랩탑 컴퓨터, 데스크탑 컴퓨터 및 텔레비젼 응용기기들에서 보통 사용된다.
도 5에 도시된, LED들에 의해 광이 제공되는 백라이트의 하나의 예시가 미국 특허 7,052,152에서 설명된다. LED들(43)의 배열이 백라이트(45)의 후방 패널 상에 위치된다. 백라이트(45)의 후방 평면(48) 및 측벽들(46)은 고반사성 재료들로 덮혀진다. 색 변환 형광체 층(47)은 백라이트(45)의 커버 플레이트(40)에 배치된다. LCD 패널(44)은 백라이트(45)의 전방에 위치된다. LCD 패널(44)은 제1 편광 필터, 액정층의 선택된 영역에 걸쳐 전기장을 전개시키기 위한 박막 트랜지스터 배열, 액정층, RGB 컬러 필터 배열 및 제2 편광 필터를 가지는 종래의 LCD일 수 있다. 컬러 필터 배열은 적색, 녹색 및 청색의 서브픽셀들을 가진다. LCD 패널(44)과 백라이트(45) 사이에서, 휘도 강화 필름(BEF) 또는 편광 리커버리 필름(DBEF)과 같은 부가적인 필름들이 때때로 사용된다.
고체의 투명한 도파관의 하부면에 배치된 광원을 갖는 디바이스를 형성하는 것이 본 발명의 목적이다. 본 발명의 실시예들에 따른 디바이스는 통상적으로 투명 재료의 제1 섹션으로부터 형성된 도파관을 포함한다. 광원은 도파관의 하부면에 가까이 배치된다. 광원은 반도체 발광 다이오드 및 그 반도체 발광 다이오드와 도파관 사이에 배치된 투명 재료의 제2 섹션을 포함한다. 투명 재료의 제2 섹션의 측벽들은 반사적이다. 조명 대상 표면은 도파관의 상부면에 가까이 배치된다. 몇몇 실시예들에서, 도파관의 가장자리는 곡면이다.
본 발명의 실시예들에 따른 조명 디바이스들은 충분한 조명, 혼합 및 균일성을 갖추었으며, 종래의 디바이스들보다 더 얇다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 조명 시스템을 도시한다.
도 2 및 도 3은 도파관의 하부에 접속된 반도체 발광 디바이스들을 도시한다.
도 4는 도파관의 부분의 상면도이다.
도 5는 백라이트 및 LCD의 단면도이다.
후방 플레이트(48), 측벽들(46) 및 커버 플레이트(40)에 의해 형성된, 도 5에 도시된 도파관은 LCD(44)에 입사된 광이 충분히 혼합되어 균일하도록 두꺼워야 한다. 본 발명의 실시예들에서, 도 5에 도시된 것과 같이, 개방된, 박스형 도파관 대신에, 고체 도파관(solid waveguide)이 사용된다. 광원들은 도파관의 하부면 근처에 위치된다. 본 발명의 실시예들에 따른 조명 디바이스들은 도 5에 도시된 디바이스보다 더 얇을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 조명 디바이스를 도시한다. 몇몇의 광원들(8)은 도파관(6)의 하부면에 연결된다. 예를 들어, 도파관(6)은 몇몇 광원들에 의해 제공된 광을 혼합하는 투명 재료의 섹션일 수 있다. 예를 들어, 도파관(6)은 아크릴(예를 들어, PMMA), 하드 실리콘, 성형 플라스틱, 폴리 카보네이트 또는 임의의 다른 적합한 재료일 수 있다. 도파관(6)으로부터의 광은 조명 대상 표면 쪽으로 향해진다. 아래의 실시예들이 조명 대상 표면으로서 LCD(liquid crystal display) 패널(4)의 예시를 사용하고 있지만, 본 발명은 LCD 디스플레이들에 국한되지는 않는다. 일반적인 조명 응용의 경우에, 조명 대상 표면은 단순한 투명 커버를 포함하는 임의의 표면일 수 있다.
조명 대상 표면은 제1 편광 필터, 액정층의 선택된 영역에 걸쳐 전기장을 전개시키기 위한 박막 트랜지스터 배열, 액정층, RGB 컬러 필터 배열 및 제2 편광 필터를 가지는 종래의 LCD(4)일 수 있다. 컬러 필터 배열은 적색, 녹색 및 청색 서브픽셀들을 가진다. LCD 패널(4)과 도파관(6) 사이에는, 휘도 강화 필름 또는 편광 리커버리 필름뿐 아니라 균일성을 개선하기 위한 디퓨져 요소와 같은 추가의 잘 공지된 필름들이 사용될 수 있다.
도 2는 도파관(6)의 하부면과 연결된 광원(8)의 제1 예를 도시한다. 청색 또는 UV 방출 Ⅲ-질화물 LED(12)와 같은 반도체 LED는 접속부(14)들에 의해 마운트(10)에 접속된다. 예를 들어, LED(12)는 박막 플립-칩 디바이스(thin-film flip-chip device)일 수 있다.
박막 플립-칩 Ⅲ-질화물 디바이스는 우선 사파이어, SiC 또는 GaN과 같은 성장 기판 상에 n-타입 영역, 발광 또는 활성 영역 및 p-타입 영역을 성장시킴으로써 형성될 수 있다. p-타입 영역 및 발광 영역의 부분들은 아래의 n-타입 영역의 부분들을 노출시키기 위해 에칭된다. 그 후, 노출된 n- 및 p-타입 영역들 상에 반사성일 수 있는 금속 전극들(예를 들어, 은, 알루미늄 또는 합금)이 형성된다. 다이오드가 순방향 바이어스되는 경우, 발광 영역은 Ⅲ-질화물 활성층의 구성에 의해 결정된 파장의 광을 방출한다. 그러한 LED들을 형성하는 것은 잘 공지되어 있다.
그 후, 반도체 LED(12)는 플립 칩으로서 마운트(10)에 장착된다. 마운트(10)는, 예를 들어, 세라믹, 알루미늄 또는 실리콘과 같은 임의의 적합한 재료가 될 수 있다. 마운트(10)는, 예를 들어, 금 또는 땝납일 수 있는 접속부들을 통해 반도체 구조체 상의 금속 전극들에 땜납되거나 초음파로 용접된 금속 전극들을 포함한다. 만약, 예를 들어, 초음파 용접 또는 임의의 다른 적합한 결합에 의해 접속부들 자신들이 접속될 수 있다면, 접속부들은 생략될 수 있다. 반도체 상의 전극들, 마운트 상의 전극들 및 접속부들을 포함하는, 반도체 층들(12)과 마운트(10) 사이의 다수의 금속 층들이 구조체(14)로서 도 2에 도시된다. 마운트(10)는 기계적 지지대로서의 역할을 하고, LED 칩 상의 n-전극 및 p-전극과 전원 사이의 전기적 인터페이스를 제공하고, 히트 싱크를 제공한다. 적합한 마운트들이 잘 공지되어 있다.
LED의 두께를 줄이고 성장 기판에 의해 광이 흡수되는 것을 막기 위해, 에칭, 화학-기계 연마, 또는 레이저가 Ⅲ-질화물 구조체 및 성장 기판의 인터페이스를 가열하여 Ⅲ-질화물 구조체의 일부를 녹이고 반도체 구조체로부터의 기판을 릴리즈하는 레이저 용융과 같은, 기판에 적합한 방법에 의해 성장 기판이 제거된다. 일 실시예에서, 성장 기판의 제거는 LED의 배열이 마운트 웨이퍼 상에 장착된 후에, 그리고 LED들/마운트들이 (예를 들어, 쏘잉(sawing)에 의해) 싱귤레이트되기 전에 수행된다.
몇몇 실시예들에서, 성장 기판이 제거된 후에 남아있는 Ⅲ-질화물 구조체는,예를 들어, 광 결정을 이용하여 박형화되거나 및/또는 거칠게 되거나 또는 패턴화된다. 광 결정은, 예를 들어 디바이스의 상부면의 법선에 대해 큰 각도로 방출되는 것을 최대화하도록 설계될 수 있다. 몇몇의 실시예들에서, 광 결정은 ＞50%의 에너지가 디바이스의 상부면의 법선에 대해 ＞45°의 각도로 방출되도록 구성된다. 디바이스는 캡슐화 재료로 커버될 수 있다. 몇몇의 실시예들에서, 성장 기판은 디바이스의 부분으로 남는다. 성장 기판은, 대부분의 광이 디바이스의 상부면의 법선에 대해 큰 각도로 방출되도록, 반사성 코팅으로 코팅될 수 있다. 하나 이상의 형광체와 같은 파장 변환 재료가 반도체 구조체 위에 형성될 수 있다.
캐비티(20)는 도파관(6)으로부터 LED(12)를 분리시킨다. LED(12)에 인접한 캐비티의 측면들(18) 및 하부(16)는 반사성이다. 캐비티(20)는, 예를 들어, 실리콘과 같은 투명 재료로 채워질 수 있다. 다이크로익 필터 층(22)은 도파관(6)과 캐비티(20) 사이에 배치된다. 다이크로익 필터 층(22)은, 광선(24)과 같이 LED(12)에 의해 작은 각으로 방출된 청색 광은 반사되고, 반면에 광선(26)과 같이 LED(12)에 의해 큰 각으로 방출된 청색 광은 투과되도록 구성될 수 있다. 적합한 다이크로익 필터들은 잘 공지되어 있고, 예를 들어, 34968 플로리다 더니든 더글라스 애비뉴 830 소재의 오션 옵틱스(Ocean Optics)로부터 이용 가능하다.
도 2에 도시된 디바이스는 먼저 마운트(10) 상에 장착된 박막 플립 칩 LED(12)를 형성함으로써 형성될 수 있다. 캐비티(20)의 반사성 측벽들(18) 및 반사성 바닥부(16)가 그 후에 형성된다. 예를 들어, TiO2와 같은 반사성 재료가, 예를 들어, 실리콘과 같은 성형 가능한 재료에 배치될 수 있고, 그 후 반사성 측벽들(18) 및 바닥부(16)를 형성하기 위해 마운트(10) 상에 성형된다. 대안으로, 측벽들(18) 및 바닥부(16)는 딱딱한 재료, 만약 그 딱딱한 재료 자체가 반사성이 아니라면, 반사성 재료로 코팅되어 사전 제작될 수 있고, 그 후에 마운트(10)에 위치된다. 그 후 캐비티(20)는 투명 재료로 채워진다. 그 후 다이크로익 필터 층(22)이 캐비티(20) 내의 투명 재료 위에 코팅된다.
도 3은 도파관(6)의 하부면에 연결된 광원(8)의 제2 예시를 도시한다. 반도체 LED(12)는, 위에서 설명한 바와 같이, 접속부(14)에 의해 마운트(10)에 접속된 Ⅲ-질화물 박막 플립 칩일 수 있다. 도 2의 디바이스에서와 같이, 캐비티는 반사성 측벽들(18)에 의해 형성된다. LED(12)에 의해 채워지지 않은 캐비티의 하부(16)의 일부는 반사성으로 만들어진다. 유리와 같은 고체 투명 재료(30)가 반사성 측벽들(18) 및 바닥부(16)에 의해 형성된 캐비티를 채운다. 위에서 설명된 바와 같이, 광(24)을 반사시키고 광(26)을 투과시키는 다이크로익 필터 층(22)은 투명 재료(30) 위에 배치된다.
도 3에 도시된 디바이스는, 먼저 위에서 설명된 바와 같이, 마운트(10)에 장착된 박막 플립 칩 LED(12)를 형성함으로서 형성될 수 있다. 이와는 별개로, 다이크로익 필터 층(22)을 형성하는 단계 이전 또는 이후에, 유리 플레이트와 같은 투명 재료(30)는 원하는 크기로 잘려진 다이크로익 필터 층(22)으로 코팅된다. 투명 재료(30)는, 예를 들어, 투명한 에폭시(epoxy) 또는 실리콘으로 접착함으로써 LED(12)에 부착된다. 그 후, 반사성 측벽들(18) 및 바닥부(16)는 은 또는 알루미늄과 같은 반사성 금속, 반사성 페인트, 반사성 코팅 또는, 예를 들어, 실리콘과 같은 투명한 바인더 재료에 배치된 TiO2와 같은 반사성 재료를 이용하여 투명 재료(30)의 측면들 및 바닥부를 코팅함으로써 형성된다. 투명 재료(30)의 측면들은 투명 재료(30)가 LED(12)에 부착되기 전에 반사성 재료들로 코팅될 수 있다. 바인더에 있는 반사성 재료를 투명 재료(30)와 마운트(10) 사이의 공간으로 빼내기 위해 진공(vacuum)이 사용될 수 있으며, 또는 반사성 바닥부(16)를 형성하기 위해, 투명 재료(30) 아래에서 빨아들이도록 바인더가 선택될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 마운트(10)는 반사성이다.
몇몇 실시예들, 도 2 및 도 3에 도시된 디바이스들에서는, 도시된 관점에서 보았을 때, LED(12)가 수백 마이크로미터와 1 또는 2 밀리미터 사이의 측방 치수를 가질 수 있다. 투명 재료로 채워진 공간은, 도시된 관점에서 보았을 때, LED(12) 측방 치수의, 예를 들어, 1.1과 2배 사이의 측방 치수를 가질 수 있고, LED(12)의 측방 치수의, 예를 들어, 0.5와 1.5배 사이의 높이를 가질 수 있다. 일례에서, LED(12)는 길이가 1㎜, 마운트(10)는 길이가 2㎜ 및 투명 재료(30)는 길이가 1.5㎜이고 높이가 1㎜이다.
몇몇 실시예들에서, 도파관의 부분의 상면도인 도 4에 도시된 바와 같이, 도파관(6)의 가장자리(6A)는 조명 대상 표면의 아래쪽에 있는 도파관의 영역쪽으로 광을 향하게 하도록 형상화된다. 사각형들(8)은 광원들의 위치들을 도시하며, 이는 도 2 및 도 3에 도시된 광원들일 수 있다. 가장자리(6A)는 반사성 재료로 코팅될 수 있고, 또는 광원들(8)에 의해 가장자리(6A) 쪽으로 방출된 광의 내부 전반사를 유발하는 형상일 수 있는 다수의 곡면 부분들을 포함한다. 가장자리(6A)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 물결 모양일 수 있으며, 또는 또 다른 모양일 수 있다. 광은 디스플레이의 액티브 뷰잉(active viewing) 영역(50)으로 향해질 수 있다. 도파관(6)의 가장자리를 형상화하는 것은 도파관 가장자리에 입사한 광을 LED들의 후방쪽 대신에 LED들로부터 떨어진 방향으로 지향시킴으로써 LED들에 의한 흡수에 대한 광 손실의 양을 감소시킬 수 있다. 또한, 도파관(6)의 가장자리를 형상화하는 것은 액티브 뷰잉 영역(50)에서 광의 균일성을 개선시킬 수 있으며, 주어진 디스플레이 성능을 위해 필요한 LED들의 수를 감소시킬수 있고, 도파관의 가장자리와 액티브 뷰잉 영역(50) 사이의 거리인, 베젤(bezel) 높이(52)를 감소시킬 수 있다.
광원들(8)은, 도파관(6) 가장자리 부근에서만 또는 임의의 다른 구성으로, 도파관(6)의 하부에 걸쳐 같은 간격으로 위치될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 일부 광원들은 청색 광을 방출하며, 일부는 녹색광을 방출하고, 일부는 적색광을 방출한다. 적색, 녹색 및 청색 광은 도파관(6)에서 결합되어 백색광을 형성한다. 몇몇 실시예들에서, 각각의 광원은, 예를 들어, 청색-방출 LED에 의해 방출된 광의 일부를 파장 변환함으로써 백색광을 방출하며, 파장변환된 광과 청색광은 백색광을 형성하기 위해 결합된다. 예를 들어, 노란색-방출 형광체는 백색 광을 형성하기 위해 청색-방출 LED와 결합될 수 있으며, 또는 적색-방출 형광체 및 녹색-방출 형광체는 백색광을 형성하기 위해 청색-방출 LED와 결합될 수 있다. 원하는 색 포인트를 달성하기 위해 다른 색들의 광을 방출하는 부가적인 형광체들 또는 다른 파장 변환 재료들을 첨가할 수 있다. 형광체들은 도 2 및 도 3의 LED(12)에 직접적으로, 또는 다이크로익 필터 층(22)과 투명 재료(20 또는 30)의 사이에, 또는 다이크로익 필터 층(22)과 도파관(6) 사이에 배치될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 하나 이상의 원격 형광체들은 도 4에서 도시된, 디스플레이의 액티브 뷰잉 영역(50)의 도파관(6)에 배치될 수 있다.
수개의 광원들에 의해 광이 제공되는 위에서 설명된 조명 시스템에서, 성능은 그 설계가 광의 충분한 조명, 혼합 및 균일성을 제공하는지의 여부에 의해 측정될 수 있다. 본 발명의 실시예들의 특징들을 가지지 않는 조명 시스템들과 비교할 때, 본 발명의 실시예들은 더 적은 광원들을 가지고도 충분한 조명, 혼합 및 균일성을 제공할 수 있다. 디스플레이들의 백라이트와 같은 몇몇 응용들에서는, 조명 시스템의 두께를 최소화하는 것이 바람직하다. 본 발명의 실시예들의 특징들을 가지지 않는 조명 시스템들과 비교할 때, 본 발명의 실시예들은 더 얇은 조명 시스템에서 동일한 성능을 제공할 수 있다.
본 발명을 상세히 기술했기 때문에, 본 명세서를 고려한다면 본 기술 분야의 숙련자들은 본 명세서에 기술된 발명 개념의 사상을 벗어나지 않고도 본 발명에 대해 변경들이 행해질 수 있다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 범주가 도시되고 기술된 특정한 실시예들에 제한되는 것으로 의도되어서는 안된다.

Claims (20)

  1. 디바이스로서,
    도파관; 및
    상기 도파관의 하부면(bottom surface) 가까이에 배치된 광원들
    을 포함하고, 각각의 광원은,
    측면 발광 LED(a laterally emitting light emitting diode)의 상부면에 대한 법선에 대해 큰 각도로 대부분의 광을 방출시키는 상기 측면 발광 LED;
    상기 도파관으로부터 상기 측면 발광 LED를 분리시키는 캐비티;
    상기 캐비티 내에 배치되거나 또는 상기 캐비티를 정의(defining)하는 투명 재료; 및
    상기 도파관과 상기 캐비티 사이에 배치된 다이크로익 필터(dichroic filter)
    를 포함하는 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도파관의 상부면 가까이에 배치된 조명 대상 표면(a surface to be illuminated)을 더 포함하는 디바이스.
  3. 제1항에 있어서, 상기 캐비티는 측벽들 및 하부(bottom)에 의해 정의되고, 상기 캐비티의 하부는 상기 측면 발광 LED를 둘러싸며, 상기 캐비티의 측벽들 및 하부는 반사성 재료를 포함하거나 또는 상기 반사성 재료가 상기 캐비티의 측벽들 및 하부 상에 배치되는, 디바이스.
  4. 제3항에 있어서, 상기 반사성 재료는 투명한 바인더 재료에 배치된 TiO2를 포함하는, 디바이스.
  5. 제1항에 있어서, 상기 캐비티는 측벽들 및 하부에 의해 정의되고, 상기 캐비티의 하부는 상기 측면 발광 LED를 둘러싸며, 상기 캐비티의 측벽들 및 하부는 상기 투명 재료의 측면들 및 하부에 코팅된 반사성 재료를 포함하는, 디바이스.
  6. 제1항에 있어서, 상기 투명 재료는 유리 및 실리콘 중 하나인, 디바이스.
  7. 제1항에 있어서, 상기 도파관의 가장자리(edge)는 상기 도파관의 상부면의 부분을 향해 광을 지향시키는 형상(shaped)인, 디바이스.
  8. 제7항에 있어서, 상기 도파관의 가장자리는 곡면(curved)인, 디바이스.
  9. 제7항에 있어서, 상기 도파관의 가장자리는 상기 가장자리에 입사하는 광의 내부 전반사를 유발하는 형상인, 디바이스.
  10. 제1항에 있어서, 상기 도파관과 상기 측면 발광 LED 사이에 배치된 파장 변환 재료를 더 포함하는 디바이스.
  11. 제1항에 있어서, 상기 투명 재료는 상기 측면 발광 LED의 길이보다 더 긴 길이를 갖는, 디바이스.
  12. 제1항에 있어서, 상기 측면 발광 LED는, 상기 측면 발광 LED에 의해 방출된 에너지의 50%가 넘는 에너지(over 50% of the energy)가 상기 측면 발광 LED의 상기 상부면에 대한 법선에 대해 45°보다 큰 각도로 방출되도록 구성된 광 결정(photonic crystal)을 포함하는, 디바이스.
  13. 제1항에 있어서, 상기 측면 발광 LED는
    사파이어 성장 기판; 및
    상기 사파이어 성장 기판 상에 배치된 반사성 코팅
    을 포함하는, 디바이스.
  14. 방법으로서,
    측면 발광 LED가 배치되는 캐비티를 형성하는 단계;
    도파관과 상기 캐비티 사이에 다이크로익 필터를 배치하는 단계; 및
    상기 도파관의 하부면 가까이에 상기 측면 발광 LED를 포함하는 상기 캐비티를 배치하는 단계
    를 포함하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 캐비티를 형성하는 단계는 반사성 재료를 포함하는 상기 캐비티의 측벽들 및 하부를 성형하거나 또는 상기 반사성 재료 없이 상기 캐비티의 측벽들 및 하부를 성형하고 상기 캐비티의 측벽들 및 하부 상에 상기 반사성 재료를 배치하는 단계를 포함하는, 방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 캐비티는 측벽들 및 하부에 의해 정의되고, 상기 캐비티의 하부는 상기 측면 발광 LED를 둘러싸며, 상기 캐비티를 형성하는 단계는 상기 측면 발광 LED에 유리 플레이트를 접착하고 상기 유리 플레이트의 측면들 및 하부를 반사성 재료로 코팅하는 단계를 포함하는, 방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 도파관의 상부면의 부분을 향해 광을 지향시키도록 상기 도파관의 가장자리를 형상화하는 단계를 더 포함하는 방법.
  18. 제14항에 있어서, 상기 도파관과 상기 측면 발광 LED 사이에 파장 변환 재료를 배치하는 단계를 더 포함하는 방법.
  19. 제14항에 있어서, 상기 측면 발광 LED는, 상기 측면 발광 LED에 의해 방출된 에너지의 50%가 넘는 에너지가 상기 측면 발광 LED의 상부면에 대한 법선에 대해 45°보다 큰 각도로 방출되도록 구성된 광 결정을 포함하는, 방법.
  20. 제14항에 있어서, 상기 측면 발광 LED는
    사파이어 성장 기판; 및
    상기 사파이어 성장 기판에 배치된 반사성 코팅
    을 포함하는, 방법.
KR1020177007513A 2009-07-16 2010-06-23 도파관의 하부면 근처에 위치한 광원들을 갖는 조명 디바이스 KR101898828B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/503,915 2009-07-16
US12/503,915 US9322973B2 (en) 2009-07-16 2009-07-16 Lighting device with light sources positioned near the bottom surface of a waveguide
PCT/IB2010/052855 WO2011007277A2 (en) 2009-07-16 2010-06-23 Lighting device with light sources positioned near the bottom surface of a waveguide

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127003967A Division KR101719580B1 (ko) 2009-07-16 2010-06-23 도파관의 하부면 근처에 위치한 광원들을 갖는 조명 디바이스

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170034927A true KR20170034927A (ko) 2017-03-29
KR101898828B1 KR101898828B1 (ko) 2018-09-13

Family

ID=42985385

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177007513A KR101898828B1 (ko) 2009-07-16 2010-06-23 도파관의 하부면 근처에 위치한 광원들을 갖는 조명 디바이스
KR1020127003967A KR101719580B1 (ko) 2009-07-16 2010-06-23 도파관의 하부면 근처에 위치한 광원들을 갖는 조명 디바이스

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127003967A KR101719580B1 (ko) 2009-07-16 2010-06-23 도파관의 하부면 근처에 위치한 광원들을 갖는 조명 디바이스

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9322973B2 (ko)
EP (1) EP2454621B1 (ko)
JP (2) JP5965839B2 (ko)
KR (2) KR101898828B1 (ko)
CN (1) CN102472863B (ko)
TW (1) TWI537526B (ko)
WO (1) WO2011007277A2 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019151826A1 (ko) * 2018-02-05 2019-08-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광장치
WO2021154857A1 (en) * 2020-01-28 2021-08-05 Lucifer Lighting Company Light fixtures having waveguides and related methods
USD995885S1 (en) 2020-01-28 2023-08-15 Lucifer Lighting Company Waveguide for multi-zone illumination light fixtures

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101780420B1 (ko) * 2011-03-24 2017-09-22 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비하는 입체 영상 표시 장치
TWI461799B (zh) * 2011-12-23 2014-11-21 Wistron Corp 具有可撓式顯示面板的電子裝置及背光模組
EP3025380B1 (en) * 2013-07-22 2019-12-25 Lumileds Holding B.V. Flip-chip side emitting led
USD838253S1 (en) 2014-07-04 2019-01-15 Sakai Display Products Corporation Image display
USD877147S1 (en) 2014-07-04 2020-03-03 Sakai Display Products Corporation Image display
USD873822S1 (en) 2014-07-04 2020-01-28 Sakai Display Products Corporation Image display
CN106169530A (zh) * 2016-08-29 2016-11-30 广东德力光电有限公司 一种带侧壁反射层的led芯片结构
KR102018912B1 (ko) * 2017-12-29 2019-09-05 주식회사 디엠엘이디 식물 공장의 식물성장용 인공 광원 장치의 패키지 구조
US12013099B2 (en) 2021-12-02 2024-06-18 Lumileds Llc Projecting a static light pattern or symbol

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10212199A (ja) * 1997-01-30 1998-08-11 Kyocera Corp 結晶成長用基板及びそれを用いた発光装置
JP2005115372A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Lumileds Lighting Us Llc Ｌｅｄの二次元アレイを用いるｌｃｄバックライト
JP2006339151A (ja) * 2005-05-30 2006-12-14 Lg Electronics Inc 発光ダイオードを備えたバックライトユニット及びその製造方法
KR20070058532A (ko) * 2004-09-30 2007-06-08 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 선택적인 광선 각도 재순환을 이용한 ｌｅｄ의 광도 향상
KR20080063231A (ko) * 2005-09-29 2008-07-03 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 반사재 및 발광 다이오드용 반사체
JP2008300298A (ja) * 2007-06-01 2008-12-11 Opt Design:Kk 面照明光源装置及び面照明装置
JP2009043738A (ja) * 2008-10-30 2009-02-26 Citizen Electronics Co Ltd 面状光源装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10033502A1 (de) * 2000-07-10 2002-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
WO2003034508A1 (en) 2001-10-12 2003-04-24 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacture thereof
KR101030068B1 (ko) 2002-07-08 2011-04-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 소자
CN1729501A (zh) * 2002-12-18 2006-02-01 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于lcd显示面板的滚动背光设备
US7854535B2 (en) * 2003-09-23 2010-12-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Ceramic packaging for high brightness LED devices
US7488432B2 (en) * 2003-10-28 2009-02-10 Nichia Corporation Fluorescent material and light-emitting device
JP2005157025A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Rohm Co Ltd 液晶表示装置
US20070267646A1 (en) * 2004-06-03 2007-11-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Light Emitting Device Including a Photonic Crystal and a Luminescent Ceramic
KR20050121076A (ko) 2004-06-21 2005-12-26 삼성전자주식회사 백라이트 어셈블리 및 이를 이용한 표시장치
US7352011B2 (en) * 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
US7322731B2 (en) * 2005-06-24 2008-01-29 3M Innovative Properties Company Color mixing illumination light unit and system using same
US20070001185A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Lu Ying T LED backlight module
JP2007036044A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Mitsubishi Rayon Co Ltd 面光源装置
EP1954982A4 (en) 2005-11-30 2011-11-30 Showa Denko Kk LIGHT GUIDE ELEMENT, PLANAR LIGHT SOURCE DEVICE HAVING THIS LIGHT GUIDE ELEMENT, AND DISPLAY APPARATUS USING THE SAME LIGHT SOURCE DEVICE
JP4541346B2 (ja) 2005-11-30 2010-09-08 昭和電工株式会社 面光源装置
JP4828253B2 (ja) 2006-02-23 2011-11-30 昭和電工株式会社 液晶用バックライトの光源として用いられる発光ユニット
CN101473256B (zh) 2006-06-22 2011-05-18 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于基于led的环境光的对称光导结构
US7663152B2 (en) 2006-08-09 2010-02-16 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Illumination device including wavelength converting element side holding heat sink
EP2176586A1 (en) * 2007-08-16 2010-04-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting assembly
JP5628475B2 (ja) 2008-07-22 2014-11-19 日亜化学工業株式会社 表面実装型発光装置の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10212199A (ja) * 1997-01-30 1998-08-11 Kyocera Corp 結晶成長用基板及びそれを用いた発光装置
JP2005115372A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Lumileds Lighting Us Llc Ｌｅｄの二次元アレイを用いるｌｃｄバックライト
KR20070058532A (ko) * 2004-09-30 2007-06-08 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 선택적인 광선 각도 재순환을 이용한 ｌｅｄ의 광도 향상
JP2006339151A (ja) * 2005-05-30 2006-12-14 Lg Electronics Inc 発光ダイオードを備えたバックライトユニット及びその製造方法
KR20080063231A (ko) * 2005-09-29 2008-07-03 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 반사재 및 발광 다이오드용 반사체
JP2008300298A (ja) * 2007-06-01 2008-12-11 Opt Design:Kk 面照明光源装置及び面照明装置
JP2009043738A (ja) * 2008-10-30 2009-02-26 Citizen Electronics Co Ltd 面状光源装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019151826A1 (ko) * 2018-02-05 2019-08-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광장치
WO2021154857A1 (en) * 2020-01-28 2021-08-05 Lucifer Lighting Company Light fixtures having waveguides and related methods
US11163100B2 (en) 2020-01-28 2021-11-02 Lucifer Lighting Company Light fixtures having waveguides and related methods
USD995885S1 (en) 2020-01-28 2023-08-15 Lucifer Lighting Company Waveguide for multi-zone illumination light fixtures

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120052321A (ko) 2012-05-23
US10025026B2 (en) 2018-07-17
US9322973B2 (en) 2016-04-26
EP2454621B1 (en) 2023-05-03
KR101898828B1 (ko) 2018-09-13
TW201113475A (en) 2011-04-16
WO2011007277A2 (en) 2011-01-20
US20160161668A1 (en) 2016-06-09
JP2016136649A (ja) 2016-07-28
WO2011007277A3 (en) 2011-03-31
US20110012148A1 (en) 2011-01-20
JP6481946B2 (ja) 2019-03-13
EP2454621A2 (en) 2012-05-23
JP5965839B2 (ja) 2016-08-10
TWI537526B (zh) 2016-06-11
KR101719580B1 (ko) 2017-03-24
CN102472863A (zh) 2012-05-23
CN102472863B (zh) 2015-09-09
JP2012533840A (ja) 2012-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101898828B1 (ko) 도파관의 하부면 근처에 위치한 광원들을 갖는 조명 디바이스
JP6620120B2 (ja) 半導体発光素子を含むバックライト
US7538359B2 (en) Backlight including side-emitting semiconductor light emitting devices
US8104907B2 (en) Remote wavelength converting material configuration for lighting

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)