KR20170030706A - 기판 검사 장치 - Google Patents

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KR20170030706A
KR20170030706A KR1020150127757A KR20150127757A KR20170030706A KR 20170030706 A KR20170030706 A KR 20170030706A KR 1020150127757 A KR1020150127757 A KR 1020150127757A KR 20150127757 A KR20150127757 A KR 20150127757A KR 20170030706 A KR20170030706 A KR 20170030706A
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 기판 검사 장치는, 광원부, 기판을 지지하는 지지부, 상기 기판 상의 결함을 검출하는 검출부, 그리고 상기 광원부가 조사하는 광을 전반사시키는 광 조절부를 포함하되, 상기 검출부는, 상기 입사광이 전반사될 때 발생하는 소멸파가 상기 기판에 도달하여 상기 기판 상의 상기 결함과 충돌하여 발생하는 산란 신호를 수집하여 상기 결함을 검출한다.

Description

기판 검사 장치{Substrate Inspection Apparatus}
본 발명은 기판 검사 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상의 결함을 검출할 수 있는 기판 검사 장치에 관한 것이다.
반도체 공정이 미세화 및 복잡화됨에 따라, 반도체 소자에 생성된 결함을 검사하는 것이 필수적이다. 반도체 기판 상의 결함을 검출함으로써, 반도체 소자의 신뢰성을 향상시키고, 공정 수율을 높일 수 있다. 이 때, 반도체 기판 상의 결함은 광(optic)을 이용하여 검사할 수 있다.
본 발명은 광 검사 영역 외에서 발생하는 노이즈를 줄일 수 있는 기판 검사 장치를 제공한다.
본 발명은 특정 영역에서의 산란 신호를 추출하여 광 검사 공정을 진행할 수 있는 기판 검사 장치를 제공한다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 검사 장치는, 광원부, 기판을 지지하는 지지부, 상기 기판 상의 결함을 검출하는 검출부, 그리고 상기 광원부가 조사하는 광을 전반사시키는 광 조절부를 포함하되, 상기 검출부는, 상기 광이 전반사될 때 발생하는 소멸파가 상기 기판 상에 도달하여 상기 기판 상의 상기 결함과 충돌할 때 발생하는 산란 신호를 수집하여 상기 결함을 검출한다.
일 예에 따르면, 상기 광 조절부는 상기 기판의 상면으로부터 설정 높이 이격되도록 제공될 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 광 조절부는 전반사 프리즘(total reflection prism)을 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 광 조절부는 상기 전반사 프리즘을 이동시키는 이동 부재를 더 포함하고, 상기 이동 부재는 상기 전반사 프리즘이 상기 기판 및 상기 검출부 사이에 제공되는 검사 위치 및 상기 전반사 프리즘이 상기 기판과 중첩되지 않는 대기 위치 간에 이동시킬 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 광 조절부를 제어하고, 상기 광 조절부가 수집한 상기 산란 신호를 전송받아 상기 결함을 판독하는 제어부를 더 포함하고, 상기 제어부는, 상기 전반사 프리즘이 상기 대기 위치에 위치된 상태에서 제 1차 검사 공정을 진행하고, 상기 전반사 프리즘이 상기 검사 위치에 위치된 상태에서 제 2차 검사 공정을 진행하도록 상기 광 조절부를 제어할 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 광 조절부는 내부에 상기 광이 전반사되는 공간을 포함하는 집광부 및 상기 집광부 내 배치되고, 전반사된 상기 광을 제거하는 필터부를 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 필터부는 상기 공간으로 상기 광을 투과시키는 투과 부재 및 상기 공간에서 전반사된 상기 광을 제거하는 필터를 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 필터는 상기 필터부의 일측에 배치되고, 상기 투과 부재는 상기 공간의 중심축을 기준으로 상기 일측과 대향되는 타측에 배치될 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 광원부는 상기 기판으로 제 1 광을 조사하는 제 1 광원 및 상기 광 조절부로 제 2 광을 조사하는 제 2 광원을 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 광원부 및 상기 광 조절부를 제어하고, 상기 광 조절부가 수집한 상기 산란 신호를 전송받아 상기 결함을 판독하는 제어부를 더 포함하고, 상기 제어부는, 상기 제 1 광원으로 상기 기판 상에 상기 제 1 광을 조사하여 제 1차 검사 공정을 진행하고, 상기 제 2 광원으로 상기 광 조절부에 상기 제 2 광을 조사하여 제 2차 검사 공정을 진행하도록 상기 광원부 및 상기 광 조절부를 제어할 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 제어부는, 상기 제 1차 검사 공정시 상기 기판 상에 설정 크기 이상의 결함이 존재하는 이상 위치를 파악하고, 상기 제 2 차 검사 공정시 상기 이상 위치를 제외하고 상기 제 2 차 검사 공정을 진행할 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 제어부는, 상기 제 1차 검사 공정시 상기 기판의 상기 상면과 상기 광 조절부의 높이를 측정하고, 상기 제 2 차 검사 공정시 상기 높이를 유지하도록 제어할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 검사 장치는, 기판을 지지하는 지지부, 상기 기판 상의 검사 영역을 향해 광을 입사하는 광원부, 상기 검사 영역 위인 검사 위치에 배치되고, 상기 광을 전반사시키는 전반사 부재를 포함하는 광 조절부, 상기 광이 전반사될 때 발생하는 소멸파와 상기 검사 영역 상의 결함과의 충돌에 의한 산란 신호를 수집하는 검출부, 그리고 상기 지지부, 상기 광 조절부, 그리고 상기 검출부를 제어하는 제어부를 포함하되, 상기 제어부는, 상기 기판과 상기 광 조절부가 상기 소멸파가 존재하는 근접장 내에서 이격되도록 상기 지지부 및 상기 광 조절부를 제어한다.
일 예에 따르면, 상기 광 조절부는, 상기 전반사 부재를 상기 검사 위치 및 상기 검사 위치에서 벗어난 대기 위치 사이에서 이동시키는 이동 부재를 더 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 광 조절부는, 상기 전반사 부재에서 전반사된 상기 광을 제거하는 필터 부재를 더 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시 예에 의하면, 본 발명은 광이 전반사될 때 발생하는 소멸파를 이용하여 기판 상의 결함에서 발생되는 산란 신호를 획득할 수 있다. 보다 구체적으로, 광을 전반사시키는 광 조절부와 기판의 상면을 근접장 범위 내에서 이격시켜 제공함으로써, 전반사시 발생하는 소멸파가 기판의 상면에 도달할 수 있고, 기판의 상면에 결함이 존재하는 경우 소멸파와 결함의 충돌로 인해 산란 신호가 발생할 수 있다. 이 산란 신호를 검출부가 수집하여 결함 정보를 획득할 수 있고, 소멸파는 파원으로부터 지수함수적으로 세기가 감소하므로 기판의 상면 아래에서의 추가 산란 신호 발생을 방지할 수 있다. 따라서, 노이즈를 줄일 수 있고, 검사 효율이 증가된 기판 검사 장치를 얻을 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 기판에 대한 광 검사 공정을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 검사 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3a는 도 2의 측면도이다.
도 3b는 도 3a의 A의 확대도이다.
도 4는 도 2의 기판 검사 장치를 이용한 기판 검사 방법의 실시예를 보여주는 플로우 차트다.
도 5A 내지 도 5C는 도 4의 기판 검사 방법을 보여주는 도면들이다.
도 6은 도 2의 기판 검사 장치를 이용한 기판 검사 방법의 실시예를 보여주는 플로우 차트다.
도 7A 내지 도 7F는 도 6의 기판 검사 방법을 보여주는 도면들이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기판 검사 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 도 8의 측면도이다.
도 10A는 도 8 및 도 9의 집광부의 단면도이다.
도 10B는 도 8 및 도 9의 필터부를 보여주는 도면이다.
도 11은 도 8의 기판 검사 장치를 이용한 기판 검사 방법의 실시예를 보여주는 플로우 차트다.
도 12A 내지 도 12D는 도 11의 기판 검사 방법을 보여주는 도면들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 바람직한 실시예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다. 이에 더하여, 본 명세서에서, 어떤 막이 다른 막 또는 기판 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막이 개재될 수도 있다는 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.
도 1은 일반적인 기판(10)에 대한 광 검사 공정을 개략적으로 보여주는 도면이다. 기판(10)의 상면(11) 상의 결함을 검출하기 위해, 광 검사 공정을 진행할 수 있다. 광 검사 공정을 통해, 기판(10)의 상면(11) 상에 생성된 결함의 존재 여부, 결함의 크기 및 결함의 위치 정보 등을 검출할 수 있다. 예를 들어, 결함은 파티클 등의 이물질 또는 패턴의 이상 성장을 포함할 수 있다. 도 1을 참조하면, 기판(10)의 상면(11) 상으로 광들(L1,L2)을 입사시킬 수 있다. 광들(L1,L2)은 제 1 광(L1) 및 제 2 광(L2)을 포함할 수 있다. 제 1 및 제 2 광들(L1,L2) 각각은, 기판(10)에 입사되는 광의 조사 범위의 양 가장자리들에 입사되는 빛일 수 있다. 기판(10)은 적어도 하나 이상의 막들(10a,10b…)을 포함할 수 있다. 따라서, 제 1 및 제 2 광들(L1,L2)의 적어도 일부는 기판(10)의 상면(11)의 아래에 제공된 막들(10a,10b…)로 투과될 수 있다. 상면(11) 상에 입사된 제 1 광(L1)이 상면(11) 상의 제 1 파티클(P1)과 반응하여, 제 1 산란신호(S1)가 발생할 수 있다. 검출부(미도시)는 이 때 발생한 제 1 산란 신호(S1)를 수집하여, 제 1 파티클(P1)에 대한 정보를 획득할 수 있다. 이 때, 상면(11)의 아래로 투과되는 제 2 광(L2)과 하부 막(10b)이 포함하는 제 2 파티클(P2)이 반응할 수 있다. 따라서, 제 2 파티클(P2)에 의한 제 2 산란 신호(S2)가 발생될 수 있다. 기판(10)의 상면(11) 상의 제 1 결함(P1)을 검출하고자 할 때, 제 2 산란 신호(S2)는 노이즈(noise)로 작용할 수 있다. 특히, 기판(10)이 다층 구조로 제공되는 경우, 노이즈(noise)가 증가할 수 있고 광 검사 공정의 신뢰도가 감소할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 검사 장치(100A)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3a는 도 2의 측면도이고, 도 3b는 도 3a의 A의 확대도이다. 도 2 내지 도 3b를 참조하면, 기판 검사 장치(100A)는 지지부(110), 광원부(120), 광 조절부(130), 검출부(140), 포커스 조정부(150), 그리고 제어부(160)를 포함할 수 있다.
지지부(110)는 그의 상면(11) 상에 기판(10)을 지지할 수 있다. 기판(10)은 웨이퍼일 수 있다. 이와 달리, 기판(10)은 유리 기판일 수 있다. 지지부(110)는 제어부(160)에 의해, 제 1 방향(D1), 제 1 방향(D1)과 직교하는 제 2 방향(D2), 제 1 방향(D1) 및 제 2 방향(D2)과 직교하는 제 3 방향(D3)으로의 이동될 수 있다. 제 1 방향(D1) 및 제 2 방향(D2)은 x-y 평면을 포함할 수 있다. 제 3 방향(D3)은 z축을 포함할 수 있다. 광 검사 공정 진행시, 지지부(110)가 이동되어 기판(10)이 스캐닝(scanning)될 수 있다. 광 검사 공정 진행시, 지지부(110)가 이동되어 기판(10)의 초점(focus)을 조절할 수 있다.
광원부(120)는 지지부(110)의 일측에 제공될 수 있다. 광원부(120)는 기판(10)을 향해 입사광(L)을 조사할 수 있다. 광원부(120)는 광 조절부(130)의 전반사 부(132)를 향해 입사광(L)을 조사할 수 있다. 입사광(L)은 레이저 빔일 수 있다. 광원부(120)는 입사광(L)의 조사 각도 및 위치가 이동 가능하도록 제공될 수 있다.
광 조절부(130)는 지지부(110)의 일측에 제공될 수 있다. 광 조절부(130)는 기판(10)과 검출부(140) 사이에 배치될 수 있다. 광 조절부(130)는 광원부(120)가 조사하는 입사광(L)을 전반사시킬 수 있다. 입사광(L)이 전반사될 때, 소멸파(EW)가 발생될 수 있다. 소멸파(EW)는 전자기파로서, 근접장 광(near-field light)일 수 있다. 소멸파(EW)는 파원으로부터의 거리에 따라 그 세기가 지수함수적으로 감소될 수 있다. 전반사 부(132)는 기판(10)의 상면(11)으로부터 임계 거리(D)만큼 이격되도록 제공될 수 있다.
임계 거리(D)는 소멸파(EW)로부터 영향이 미칠 수 있는 거리일 수 있다. 일 예로, 임계 거리(D)는 소멸파(EW)의 세기가 1/e로 감소하는 거리일 수 있다. 임계 거리(D)는 입사광(L)의 입사각, 광원의 파장, 그리고 매질들의 굴절률에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 광원의 파장이 266nm 내지 355nm로 제공될 때, 임계 거리(D)는 약 150nm 내지 300nm일 수 있다. 입사각(θi), 제 1 매질 및 제 2 매질의 굴절률들(n1,n2, 단, n1>n2), 그리고 진공에서의 입사광의 파장(λ0)에 따라, 임계 거리(D)는 [수식 1]과 같이 얻어질 수 있다.
Figure pat00001
[수식 1]
따라서, 전반사 부(132)의 하면(132a)에서 입사광(L)이 전반사될 때 발생한 소멸파(EW)는 기판(10)의 상면(11)까지 도달하지만, 상면(11) 아래에는 도달하지 않을 수 있다. 이로 인해, 기판(10)의 상면(11) 상에 제 1 파티클(P1)이 존재하는 경우, 소멸파(EW)는 제 1 파티클(P1)과 충돌하여 산란 신호(S)를 발생시킬 수 있다. 소멸파(EW)는 근접장(near-field) 환경을 벗어나게 되면 소멸하므로, 소멸파(EW)는 기판(10)의 상면(11) 아래의 구조체로 투과되지 않을 수 있다. 따라서, 기판(10)의 하부 막(10b)이 포함하는 제 2 파티클(P2)에 의한 추가 산란 신호가 발생하지 않을 수 있다.
광 조절부(130)는 전반사 부(132), 연결부(131), 지지축(133), 그리고 이동 부재(134)를 포함할 수 있다. 일 예로, 전반사 부(132)는 전반사 프리즘일 수 있다. 광원부(120)가 조사하는 입사광(L)이 전반사 부(132)에 입사되면, 전반사 부(132)의 하면(132a)에서 전반사가 일어날 수 있다. 연결부(131)는 전반사 부(132)와 지지축(133)을 연결할 수 있다. 지지축(133)의 일단은 이동 부재(134)와 결합될 수 있다. 이동 부재(134)는 전반사 부(132)를 이동시킬 수 있다. 일 예로, 이동 부재(134)는 전반사 부(132)를 검사 위치 및 대기 위치간에 이동시킬 수 있다. 이 때, 검사 위치는 전반사 부(132)가 기판(10)의 검사 영역 상(over)에 있는 위치일 수 있다. 구체적으로, 검사 위치는 전반사 부(132)가 기판(10)과 검출부(140) 사이에 제공되는 위치일 수 있다. 전반사 부(132)가 검사 위치에 배치될 때, 전반사 부(132)는 기판(10) 및 검출부(140)와 중첩될 수 있다. 반면에, 대기 위치는 전반사 부(132)가 검사 위치를 벗어난 위치일 수 있다. 대기 위치에서, 전반사 부(132)는 기판(10)으로부터 수평적으로 이격되고, 기판(10) 및 검출부(140)와 중첩되지 않을 수 있다. 이동 부재(134)는 전반사 부(132)를 x-y 평면 상에서 이동시킬 수 있다. 이동 부재(134)는 전반사 부(132)를 z축 방향으로 이동시킬 수 있다.
검출부(140)는 기판(10) 상에서 발생하는 산란 신호(S)를 검출한다. 검출부(140)는 검출한 산란 신호(S)를 제어부(160)로 전송할 수 있다. 도면의 간략화를 위해, 기판(10) 상에 결함(P)이 존재할 때의 산란 신호(S)만을 도시하였으나, 산란 신호(S)는 기판(10) 상에 결함(P) 존재 여부에 관계없이 전 영역에서 발생할 수 있다. 결함의 존재 여부에 따라, 기판(10)에서 발생한 산란 신호(S)는 상이할 수 있다. 이로 인해, 검출부(140)는 기판(10) 상의 결함을 검출할 수 있다. 검출부(140)는 기판(10)의 상면(11) 상의 결함의 존재 여부, 그 크기, 그리고 그 위치 정보 등을 검출할 수 있다. 예를 들어, 결함은 파티클 등의 이물질 또는 패턴의 이상 성장을 포함할 수 있다. 이하, 결함이 파티클인 경우를 예로 들어 설명하나, 이에 한정되지 않는다. 검출부(140)는 소멸파(EW)가 상면(11) 상의 결함과 반응하여 발생하는 산란 신호(S)를 수집할 수 있다. 검출부(140)는 산란 신호(S)를 감지하고, 산란 신호(S)를 디지털화(digitalize)할 수 있다. 검출부(140)는 복수 개로 제공될 수 있다. 검출부(140)가 복수 개로 제공되는 경우, 각각의 검출부들은 다양한 위치에 제공될 수 있다. 검출부(140)는 렌즈 또는 고감도 CCD 카메라 등을 포함할 수 있다. 이와 달리, 검출부(140)는 카메라부(미도시)를 더 포함하고, 기판(10)의 패턴 자체를 측정할 수 있다.
포커스 조정부(150)는 지지부(110)의 일측에 배치될 수 있다. 포커스 조정부(150)는 광원부(120)와 대향되는 위치에 배치될 수 있다. 포커스 조정부(150)는 기판(10) 상에서 반사된 반사광(L')을 수집하여, 초점 정보를 수집할 수 있다. 포커스 조정부(150)는 초점 정보를 제어부(160)로 실시간으로 피드백할 수 있다.
제어부(160)는 지지부(110), 광원부(120), 광 조절부(130), 검출부(140), 및 포커스 조정부(150)를 제어할 수 있다. 제어부(160)는 검출부(140)가 수집한 산란 신호(S)에 대한 정보를 전송받아, 이를 분석할 수 있다. 제어부(160)는 산란 신호(S)로부터, 기판(10)의 상면(11)에서 얻은 복수의 2D 광학 이미지들을 획득할 수 있다. 제어부(160)는 이미지들을 비교 분석하고, 결함 존재 여부, 사이즈, 그 위치 정보 등을 판단할 수 있다. 예를 들어, 제어부(160)는 기판(10) 상의 각 영역들에서 발생한 산란 신호들(S)을 비교하여, 산란 신호(S)가 다른 부분을 기판(10) 상의 결함으로 인지할 수 있다. 제어부(160)는 기판(10)에 대해 인-라인(in-line) 모니터링이 가능하도록 제어할 수 있다. 제어부(160)는 광 검사 공정을 복수 회 진행할 수 있다. 예를 들어, 제어부(160)는 광 조절부(130)를 배제한 상태로 제 1 차 검사 공정을 진행하고, 광 조절부(130)를 제공한 후에 제 2 차 검사 공정을 진행할 수 있다. 제어부(160)는 산란 신호들을 처리하는 영상 처리 장치(미도시) 및 산란 신호 데이터들을 처리하는 라이브러리(미도시)를 포함할 수 있다. 즉, 제어부(160)는 측정된 이미지들을 비교 분석하고, 결함 여부 및 사이즈 등을 판단하고 이에 대한 정보들을 디스플레이할 수 있다. 추가적으로, 제어부(160)는 추가 분석부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 추가 분석부(미도시)는 SEM(Scanning Electron Microscope) 또는 TEM(Transmission Electrom Microscope) 검사부를 포함할 수 있다.
도 4는 도 2의 기판 검사 장치(100A)를 이용한 기판 검사 방법의 실시예를 보여주는 플로우 차트다. 도 5A 내지 도 5C는 도 4의 기판 검사 방법을 보여주는 도면들이다. 이하, 도 4 내지 도 5C를 참조하여, 실시예에 따른 기판 검사 방법을 설명한다.
도 4 및 도 5A를 참조하면, 광원부(120)는 검사 위치에 제공된 광 조절부(130)의 전반사 부(132)로 입사광(L)을 조사한다(S110). 이 때, 검사 위치는, 전반사 부(132)가 기판(10)과 검출부(140) 사이에 제공되는 위치일 수 있다. 전반사 부(132)는 기판(10)의 상면(11)과 임계 거리(D)만큼 이격될 수 있다. 임계 거리(D)는 근접장 광의 영향을 받는 거리일 수 있다. 예를 들면, 임계 거리(D)는 약 150nm 내지 300nm일 수 있다. 입사광(L)은 입사각(φ)을 갖도록 입사될 수 있다. 입사각(φ)은 임계각(θc)보다 큰 각일 수 있다. 임계각(θc)보다 큰 입사각(φ)을 갖는 입사광(L)은 전반사 부(132)에서 전반사될 수 있다.
도 4 및 도 5B를 참조하면, 입사광(L)은 전반사 부(132)의 하면(132a)에서 전반사될 수 있다(S120). 전반사된 반사광(L')은 전반사 부(132)로 조사된 입사광(L)과 동일한 세기 및 양을 가질 수 있다. 이 때, 전반사 부(132)의 하면(132a)에서 입사광(L)이 전반사됨과 동시에, 소멸파(EW)가 발생될 수 있다(S130). 전반사 부(132)과 기판(10)이 임계 거리(D)만큼 이격되어, 소멸파(EW)는 기판(10)의 상면(11)에 도달 가능할 수 있다.
도 4 및 도 5C를 참조하면, 기판(10)의 상면(11) 상에 결함(P)이 존재하는 경우, 소멸파(EW)가 결함(P)과 반응할 수 있다(S140). 이에 따라, 산란 신호(S)가 발생될 수 있다(S150). 산란 신호(S)는 전반사 부(132)를 통과하여 검출부(140)로 수집될 수 있다(S160). 검출부(140)는 산란 신호(S)를 제어부(160)로 전송할 수 있다. 제어부(160)는 산란 신호(S)로부터, 기판(10)의 상면(11) 상의 결함 여부 및 그 사이즈 등을 검출할 수 있다. 예를 들어, 제어부(160)는 기판(10)의 결함(P)을 포함하지 않은 영역과 포함하는 영역에서 발생한 산란 신호들(S)을 비교하여, 결함 여부를 판단할 수 있다. 이 때, 기판(10)과 전반사 부(132)가 임계 거리(D)만큼 이격되어, 소멸파(EW)가 기판(10)의 상면(11) 아래로 투과되지 않을 수 있다. 이로 인해, 검사 대상인 기판(10)의 상면(11) 아래의 구성요소, 즉, 하부 막질 또는 지지부(110) 등에서의 추가 산란 신호 발생을 방지하고, 이에 의한 노이즈를 줄일 수 있다.
도 6은 도 2의 기판 검사 장치(100A)를 이용한 기판 검사 방법의 실시예를 보여주는 플로우 차트다. 도 7A 내지 도 7F는 도 6의 기판 검사 방법을 보여주는 도면들이다. 이하, 도 6 내지 도 7F를 참조하여, 실시예에 따른 기판 검사 방법을 설명한다.
도 6 및 도 7A를 참조하면, 제어부(160)는 제 1차 검사 공정을 수행하도록 광원부(120) 및 광 조절부(130)를 제어할 수 있다. 제어부(160)는 전반사 부(132)를 대기 위치에 위치시킬 수 있다. 대기 위치는 전반사 부(132)가 기판(10)과 이격된 위치일 수 있다. 제어부(160)는, 광원부(120)가 기판(10)의 상면(11)으로 제 1 입사광(L1)을 조사하도록 광원부(120)를 제어할 수 있다(S210). 제 1 입사광(L1)은 제 1 입사각(φ1)을 갖도록 조사될 수 있다. 이 때, 제 1 입사각(φ1)의 각도의 범위는 제한되지 않는다. 검출부(140)는 제 1 입사광(L1)에 의해 기판(10) 상에서 발생한 산란 신호(미도시)를 수집할 수 있다. 검출부(140)는 수집한 산란 신호(미도시)를 제어부(160)로 전송할 수 있다. 포커스 조정부(150)는 반사된 제 1 반사광(L1')을 수집하여, 포커싱 정보를 획득할 수 있다.
도 6 및 도 7B를 참조하면, 제어부(160)는 제 1 차 검사 공정 후에 기판(10)의 상면(11) 상의 파티클들(P,LP)에 대한 정보를 획득할 수 있다(S220). 예를 들어, 제어부(160)는 기판(10)의 결함(P)을 포함하지 않은 영역과 포함하는 영역에서 발생한 산란 신호들(미도시)을 비교하여, 결함 여부를 판단할 수 있다. 기판(10)은 복수 개의 샷들(shots)을 포함할 수 있다. 제어부(160)는 이상 영역(R2) 및 검사 영역(R1)에 대한 정보를 획득할 수 있다. 예를 들어, 제어부(160)는 설정 크기 이상의 큰 파티클(LP)을 포함하는 샷들을 이상 영역(R2)으로 정의하고, 큰 파티클(LP)을 포함하지 않는 샷들을 검사 영역(R1)으로 정의할 수 있다. 이 때, 설정 크기는 임계 거리(D)와 실질적으로 동일 또는 그보다 큰 크기일 수 있다. 또한, 제어부(160)는 제 1 차 검사 공정시, 포커스 조정부(150)로부터 초점(focus)에 대한 정보를 획득할 수 있다(S220).
도 6 및 도 7C를 참조하면, 제어부(160)는 제 2 차 검사 공정을 수행하도록 광원부(120) 및 광 조절부(130)를 제어할 수 있다. 제어부(160)는 전반사 부(132)를 검사 위치에 위치시킬 수 있다(S230). 검사 위치는, 전반사 부(132)가 기판(10)과 검출부(140) 사이에 제공되는 위치일 수 있다. 전반사 부(132)가 검사 위치에 제공될 때, 전반사 부(132)와 기판(10)의 상면(11)은 임계 거리(D)만큼 이격되도록 제공될 수 있다. 임계 거리(D)는 근접장 광의 영향을 받는 거리일 수 있다. 예를 들면, 임계 거리(D)는 약 150nm 내지 300nm일 수 있다. 이 때, 제어부(160)는 큰 파티클(LP)을 포함하는 영역인 이상 영역(R2)은 생략하고 제 2 검사 공정을 수행할 수 있다. 따라서, 전반사 부(132)와 큰 파티클(LP)의 물리적 충돌을 방지하고, 기판(10) 상의 추가 결함 발생을 방지할 수 있다. 또한, 제어부(160)는 전반사 부(132)와 기판(10)의 포커싱을 제어하며 제 2 검사 공정을 수행할 수 있다.
도 6 및 도 7D를 참조하면, 제어부(160)는, 광원부(120)가 전반사 부(132)로 제 2 입사광(L2)을 조사하도록 광원부(120)를 제어할 수 있다(S240). 제 2 입사광(L2)은 제 2 입사각(φ2)을 갖도록 조사될 수 있다. 제 2 입사각(φ2)은 임계각(θc)보다 큰 각일 수 있다. 임계각(θc)보다 큰 제 2 입사각(φ2)을 갖는 제 2 입사광(L2)은 전반사 부(132)에서 전반사될 수 있다.
도 6 및 도 7E를 참조하면, 제 2 입사광(L2)은 전반사 부(132)의 하면(132a)에서 전반사될 수 있다(S250). 전반사된 제 2 반사광(L2')은 전반사 부(132)로 조사된 제 2 입사광(L2)과 동일한 세기 및 양을 가질 수 있다. 이 때, 전반사 부(132)의 하면(132a)에서 제 2 입사광(L2)이 전반사됨과 동시에, 소멸파(EW)가 발생될 수 있다(S260). 전반사 부(132)과 기판(10)이 근접장 거리인 임계 거리(D)만큼 이격되어, 소멸파(EW)는 기판(10)의 상면(11)에 도달 가능할 수 있다.
도 6 및 도 7F를 참조하면, 기판(10)의 상면(11)에 파티클(P)이 존재하는 경우, 소멸파(EW)와 파티클(P)이 충돌할 수 있다(S270). 이 때, 산란 신호(S)가 발생될 수 있다(S280). 산란 신호(S)는 전반사 부(132)를 통과하여 검출부(140)로 수집될 수 있다(S290). 검출부(140)는 수집한 산란 신호(S)를 제어부(160)로 전송할 수 있다. 제어부(160)는 기판(10)의 결함(P)을 포함하지 않은 영역과 포함하는 영역에서 발생한 산란 신호들(S)을 비교하여, 결함 여부를 판단할 수 있다. 기판(10)과 전반사 부(132)가 근접장 거리인 임계 거리(D)만큼 이격되도록 제공되어, 소멸파(EW)가 기판(10)의 상면(11) 아래로 투과되지 않을 수 있다. 이로 인해, 검사 대상인 기판(10)의 상면(11) 아래의 구성요소, 하부 막질 또는 지지부(110) 등에서의 추가 산란 신호 발생을 방지하고, 이에 의한 노이즈를 줄일 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기판 검사 장치(100B)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 9는 도 8의 측면도이다. 도 10A는 도 8 및 도 9의 광 조절부(130)의 단면도이고, 도 10B는 도 8 및 도 9의 필터부(138)를 보여주는 도면이다. 도 8 내지 도 10B를 참조하면, 기판 검사 장치(100B)는 지지부(110), 광원부(120), 광 조절부(130), 검출부(140), 포커스 조정부(150), 그리고 제어부(160)를 포함할 수 있다. 도 2 내지 도 3을 참조하여 설명한 기판 검사 장치(100A)와 실질적으로 동일한 구성에 대하여는 동일한 참조번호가 제공되고, 설명의 간소화를 위하여 중복되는 설명은 생략될 수 있다.
광원부(120)는 복수 개로 제공될 수 있다. 광원부(120)는 제 1 광원부(120a) 및 제 2 광원부(120b)를 포함할 수 있다. 제 1 광원부(120a)는 기판(10) 상으로 직접 제 1 입사광(L1)을 조사하고, 제 2 광원부(120b)는 광 조절부(130)로 직접 제 2 입사광(L2)을 조사할 수 있다. 도 8 및 도 9에서는 기판 검사 장치(100B)가 2개의 광원부들(120a,120b)을 갖는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이와 달리, 광원부(120)는 입사위치 및 입사각이 제어 가능한 단일의 광원부로 제공될 수 있다. 예를 들어, 기판 검사 장치(100B)는 광 조절부(130)로 직접 제 2 입사광(L2)을 조사하는 제 2 광원부(120b)만을 포함할 수 있다. 제 2 광원부(120b)가 광 조절부(130)로 제 2 입사광(L2)을 공급하는 경로 상에, 광학 부재(125)가 제공될 수 있다. 광학 부재(125)는 미러(mirror)일 수 있다.
광 조절부(130)는 집광부(135) 및 필터부(138)를 포함할 수 있다. 집광부(135)는 기판(10)의 검사 영역 상에 제공될 수 있다. 집광부(135)는 대물 렌즈(objective)일 수 있다. 집광부(135)는 하우징(136)을 포함할 수 있다. 하우징(136)은 내부에 입사광(도 12c의 L2)이 전반사되는 내부 공간(137)을 제공한다. 예를 들어, 집광부(135)의 하면(135a)에서 광이 전반사될 수 있다. 집광부(135)의 하면(135a)은 렌즈를 포함할 수 있다. 이와 달리, 집광부(135)의 하면(135a)은 전반사 프리즘을 포함할 수 있다. 필터부(138)는 집광부(135) 내 제공될 수 있다. 필터부(138)는 전반사된 제 2 반사광(L2')을 제거할 수 있다(도 12d 참조). 필터부(138)는 투과 부재(138a) 및 필터(138b)를 포함할 수 있다. 필터(138b)는 필터부(138)의 일측에 제공될 수 있다. 투과 부재(138a)는 필터(138b)를 감싸도록 제공될 수 있다. 일 예로, 도 10b를 참조하면, 투과 부재(138a)는 내부 공간(137)의 중심축(O)을 기준으로, 필터(138b)와 대향되는 타측에 배치될 수 있다. 투과 부재(138a)는 투명한 재질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 투과 부재(138a)는 글래스를 포함할 수 있다. 투과 부재(138a)는 제 2 입사광(L2)이 전반사되도록, 제 2 입사광(L2)을 내부 공간(137)으로 제공할 수 있다. 필터(138b)는 특정 파장의 빛을 제거할 수 있다.
집광부(135)의 내부 공간(137)에서 제 2 입사광(L2)이 전반사될 때, 소멸파(EW)가 발생될 수 있다. 소멸파(EW)는 근접장 광(near-field light)일 수 있다. 소멸파(EW)는 파원으로부터 거리에 따라 그 세기가 지수함수적으로 감소될 수 있다. 집광부(135)는 기판(10)의 상면(11)으로부터 임계 거리(D)만큼 이격되도록 제공될 수 있다. 임계 거리(D)는 근접장 광의 영향을 받을 수 있는 거리일 수 있다. 이 때, 임계 거리(D)는 약 150nm 내지 300nm일 수 있다. 따라서, 집광부(130)에서 제 2 입사광(L2)이 전반사될 때 발생한 소멸파(EW)는 기판(10)의 상면(11)까지 도달할 수 있다. 이로 인해, 기판(10)의 상면(11) 상에 결함(P)이 존재하는 경우, 소멸파(EW)는 결함(P)과 충돌하여 산란 신호(S)를 발생시킬 수 있다. 검출부(140)는 집광부(135) 및 투과 부재(138a)를 통과한 산란 신호(S)를 검출할 수 있다. 즉, 집광부(135)가 투과 부재(138a) 및 필터(138b)를 가짐으로써, 집광부(135) 내에서의 전반사된 제 2 반사광(L2')과 산란 신호(S)를 구분할 수 있다. 집광부(135)는 그 내부에 미러 등의 광학 요소들을 포함할 수 있다.
도 11은 도 8의 기판 검사 장치(100B)를 이용한 기판 검사 방법의 실시예를 보여주는 플로우 차트다. 도 12A 내지 도 12D는 도 8의 기판 검사 방법을 보여주는 도면들이다. 이하, 도 11 내지 도 12D를 참조하여, 실시예에 따른 기판 검사 방법을 설명한다. 설명의 간소화를 위하여 중복되는 설명은 생략될 수 있다.
도 11 및 도 12A를 참조하면, 제어부(160)는 제 1차 검사 공정을 수행하도록 광원부(120) 및 광 조절부(130)의 집광부(135)를 제어할 수 있다. 제어부(160)는, 제 1 광원부(120a)가 기판(10)의 상면(11)으로 제 1 입사광(L1)을 조사하도록 제 1 광원부(120a)를 제어할 수 있다(S310). 제 1 입사광(L1)은 제 1 입사각(φ1)을 갖도록 조사될 수 있다. 이 때, 제 1 입사각(φ1)의 각도의 범위는 제한되지 않는다. 따라서, 반사된 제 1 반사광(L1')의 세기 및 양은, 기판(10) 상으로 조사된 제 1 입사광(L1)의 그것들보다 적을 수 있다. 검출부(140)는 제 1 입사광(L1)에 의해 기판(10) 상에서 발생한 산란 신호(미도시)를 수집할 수 있다. 검출부(140)는 수집한 산란 신호(미도시)를 제어부(160)로 전송할 수 있다. 포커스 조정부(150)는 반사된 제 1 반사광(L1')을 수집하여, 포커싱 정보를 획득할 수 있다.
제 1 검사 공정을 통해, 제어부(160)는 제 1 차 검사 공정 후에 기판(10)의 상면(11) 상의 파티클들에 대한 정보를 획득할 수 있다(S320). 기판(10)은 복수 개의 샷들(shots)을 포함할 수 있다. 도 7b와 같이, 제어부(160)는 이상 영역(R2) 및 검사 영역(R1)에 대한 정보를 획득할 수 있다. 예를 들어, 제어부(160)는 설정 크기 이상의 큰 파티클(LP)을 포함하는 샷들을 이상 영역(R2)으로 정의하고, 큰 파티클(LP)을 포함하지 않는 샷들을 검사 영역(R1)으로 정의할 수 있다. 또한, 제어부(160)는 제 1 차 검사 공정시, 포커스 조정부(150)로부터 초점(focus)에 대한 정보를 획득할 수 있다(S320).
도 11 및 도 12B를 참조하면, 제어부(160)는 제 2 차 검사 공정을 수행하도록 광원부(120) 및 집광부(135)를 제어할 수 있다. 제어부(160)는, 제 2 광원부(120b)가 집광부(135)로 제 2 입사광(L2)을 조사하도록 제 2 광원부(120b)를 제어할 수 있다(S330). 제 2 입사광(L2)은 집광부(135)의 타측으로 입사되고, 투과 부재(138a)를 통해 집광부(135) 내의 내부 공간(137)으로 입사될 수 있다. 이 때, 제어부(160)는 큰 결함(LP)을 포함하는 영역인 이상 위치는 생략하고 제 2 검사 공정을 수행할 수 있다. 따라서, 집광부(135)와 큰 결함(LP)의 물리적 충돌을 방지하고, 기판(10) 상의 추가 결함 발생을 방지할 수 있다. 또한, 제어부(160)는 집광부(135)와 기판(10)의 포커싱을 제어하며 제 2 검사 공정을 수행할 수 있다.
도 11 및 도 12C를 참조하면, 제 2 광(L2)은 집광부(135) 내의 내부 공간(137)에서 전반사될 수 있다(S340). 전반사된 제 2 반사광(L2')은 전반사 부(132)로 조사된 제 2 입사광(L2)과 동일한 세기 및 양을 가질 수 있다. 이 때, 제 2 입사광(L2)이 전반사됨과 동시에, 소멸파(EW)가 발생될 수 있다(S350). 집광부(135)와 기판(10)이 근접장 거리인 임계 거리(D)만큼 이격되어, 소멸파(EW)는 기판(10)의 상면(11)에 도달 가능할 수 있다.
도 11 및 도 12D를 참조하면, 기판(10)의 상면(11)에 파티클(P)이 존재하는 경우, 소멸파(EW)가 파티클(P)과 충돌될 수 있다(S370). 이 때, 산란 신호(S)가 발생될 수 있다(S380). 산란 신호(S)는 집광부(135)를 통과하여 검출부(140)로 수집될 수 있다(S390). 검출부(140)는 수집한 산란 신호(S)를 제어부(160)로 전송할 수 있다. 제어부(160)는 기판(10)의 결함(P)을 포함하지 않은 영역과 포함하는 영역에서 발생한 산란 신호들(S)을 비교하여, 결함 여부를 판단할 수 있다. 필터(138b)가 전반사된 제 2 반사광(L2')을 흡수 또는 반사시킴으로써, 산란 신호(S)와 전반사된 제 2 반사광(L2')의 교란 및 간섭을 방지할 수 있다(S360).
집광부(135)와 기판(10)과 근접장 거리인 임계 거리(D)만큼 이격되도록 제공되어, 소멸파(EW)가 기판(10)의 상면(11) 아래로 투과되지 않을 수 있다. 즉, 검사 대상인 기판(10)의 상면(11) 아래의 구성요소, 이로 인해, 하부 막질 또는 지지부(110) 등에서의 추가 산란 신호 발생을 방지하고, 이에 의한 노이즈를 줄일 수 있다.
도 11 내지 도 12D는 도 8의 기판 검사 장치(100B)를 이용하여 복수 회 광 검사 공정을 진행하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이와 달리, 도 4 내지 도 5C와 같이, 단일 광 검사 공정을 진행할 수 있음은 자명하다.
상술한 기판 검사 장치들(100A,100B)은 광을 전반사시킬 수 있는 전반사 부(132) 또는 집광부(135)를 포함하는 것을 예로 들어 설명하였다. 그러나, 기판 검사 장치는 이에 제한되지 않고, 광을 전반사시킬 수 있는 다양한 광학 부재를 포함할 수 있다. 일 예로, 기판 검사 장치들(100A,100B)은 전반사 거울을 이용하여 광 검사 공정을 진행할 수 있다. 또한, 기판 검사 장치들(100A,100B)은 광 검사 효율을 증가시키기 위해 추가적인 광학 요소들을 포함할 수 있다. 일 예로, 기판 검사 장치들(100A,100B)은 미러 또는 집광부 등을 더 포함할 수 있다.
또한, 상술한 기판 검사 장치들(100A,100B)은 광원부(120)가 단일 광선을 조사하는 것처럼 도시하였으나, 이는 설명의 편의를 위하여 간략히 도시하였을 뿐, 광원부(120)는 면 광원일 수 있다. 또한, 본 발명의 도면들에서는, 기판(10)의 상면(11)에 파티클(P)이 포함된 경우에 산란 신호(S)가 발생하는 것을 도시하였으나, 이는 도면의 간략화를 위한 것일 뿐, 상술한 바와 같이 산란 신호(S)는 기판(10) 상의 결함 유무와 관계없이 기판(10)의 전 영역에서 발생할 수 있다. 또한, 기판 검사 장치들(100A,100B)이 산란 신호(S)를 이용하여 기판(10) 상의 결함을 측정하는 것으로 예를 들어 설명하였으나, 이와 달리, 카메라부(미도시)를 더 포함하는 경우, 기판(10) 상의 패턴을 측정할 수 있다.
또한, 상술한 기판 검사 장치들(100A,100B)은 광원부(120)가 기판(10) 및/또는 광 조절부(130)로 직접 입사광을 조사하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이와 달리, 기판 검사 장치들(100A,100B)은 광원부(120)와 기판(10) 및/또는 광 조절부(130) 사이에 입사광의 도달 면적을 증가시키는 광학 소자를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 레이저 빔 수를 증가시키거나 레이저 빔 면적을 증가시킴으로써 입사광의 도달 면적을 증가시킬 수 있다. 일 예로, 광원부(120)가 조사하는 입사광의 경로 상에 travelling lens를 추가하여, 레이저 빔 수를 증가시킬 수 있다. 또한, 입사광의 경로 상에 cylinderical lens를 추가하여, 레이저 빔 면적을 증가시킬 수 있다. 이를 통해, 입사광의 도달 면적을 도달시켜 보다 넓은 면적에 대한 측정이 가능하므로, 보다 신속한 검사 공정이 수행될 수 있다.
이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.

Claims (10)

  1. 광원부;
    기판을 지지하는 지지부;
    상기 기판 상의 결함을 검출하는 검출부; 그리고
    상기 광원부가 조사하는 입사광을 전반사시키는 광 조절부를 포함하되,
    상기 검출부는, 상기 입사광이 전반사될 때 발생하는 소멸파가 상기 기판에 도달하여 상기 기판 상의 상기 결함과 충돌하여 발생하는 산란 신호를 수집하여 상기 결함을 검출하는, 기판 검사 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 조절부는, 상기 검출부와 상기 기판 사이에 제공되도록 구성되는, 기판 검사 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 광 조절부는 상기 기판의 상면으로부터 임계 거리만큼 이격되도록 배치되고,
    상기 임계 거리는, 상기 소멸파가 상기 상면에 도달하지만, 상기 상면 아래에는 도달하지 않도록 하는 거리인, 기판 검사 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 임계 거리는 약 150nm 내지 약 300nm인, 기판 검사 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 조절부는:
    전반사 프리즘; 및
    상기 전반사 프리즘을 이동시키는 이동 부재를 포함하고,
    상기 이동 부재는, 상기 전반사 프리즘이 상기 기판 및 상기 검출부 사이에 제공되는 검사 위치 및 상기 전반사 프리즘이 상기 기판과 중첩되지 않는 대기 위치 간에 상기 전반사 프리즘을 이동시키는, 기판 검사 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 광 조절부를 제어하고, 상기 검출부가 수집한 상기 산란 신호를 전송받아 상기 결함을 판독하는 제어부를 더 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 전반사 프리즘이 상기 대기 위치에 위치된 상태에서 제 1차 검사 공정을 진행하고, 상기 전반사 프리즘이 상기 검사 위치에 위치된 상태에서 제 2차 검사 공정을 진행하도록 상기 광 조절부를 제어하는, 기판 검사 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제 1차 검사 공정시 상기 기판 상에 설정 크기 이상의 결함이 존재하는 이상 영역을 파악하고, 상기 이상 영역을 제외하고 상기 제 2 차 검사 공정을 진행하는, 기판 검사 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 조절부는:
    내부에서 상기 입사광이 전반사되는 집광부; 및
    전반사된 반사광을 제거하는 필터부를 포함하는, 기판 검사 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 필터부는:
    상기 공간으로 상기 입사광을 투과시키는 투과 부재; 및
    상기 공간에서 상기 전반사된 반사광을 제거하는 필터를 포함하는, 기판 검사 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 필터는 상기 필터부의 일측에 배치되고, 상기 투과 부재는 상기 공간의 중심축을 기준으로 상기 일측과 대향되는 타측에 배치되는, 기판 검사 장치.
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