KR20170019551A - Light-Emitting Package and Backlight Unit having the same - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 90
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 175
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 5
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 6
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 6
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- UNPTZXSJGZTGJJ-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,5-tetrachloro-4-(3,5-dichlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC(Cl)=CC(C=2C(=C(Cl)C(Cl)=CC=2Cl)Cl)=C1 UNPTZXSJGZTGJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical group [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
Description
본 발명은 광원 패키지 및 그를 포함하는 백라이트 유닛, 더 구체적으로는 반사투과형 광부재를 포함하는 광원 패키지 및 그를 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light source package including a light source package and a backlight unit including the same, more specifically, a reflection transmission type light source, and a backlight unit including the same.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기전계발광표시장치(OLED: Organic Light Emitting Diode Display Device)와 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.2. Description of the Related Art [0002] As an information-oriented society develops, there have been various demands for display devices for displaying images. Recently, liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs) Various display devices such as an OLED (Organic Light Emitting Diode Display Device) have been utilized.
이러한 표시장치 중 액정 표시장치(LCD)는 화소영역 각각을 온(on)/오프(off) 제어하기 위한 스위칭 소자인 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이 기판과, 컬러필터 및/또는 블랙매트릭스 등을 구비한 상부기판과, 그 사이에 형성되는 액정물질층을 포함하는 표시패널과, 박막 트랜지스터를 제어하기 위한 구동부와, 표시패널로 광을 제공하는 백라이트 유닛(Back Light Unit; BLU) 등을 포함하여 구성되며, 화소 영역에 구비된 화소(Pixel; PXL) 전극 및 공통 전압(Vcom) 전극 사이에 인가되는 전계에 따라 액정층의 배열 상태가 조절되고 그에 따라 광의 투과도가 조절되어 화상이 표시되는 장치이다.Among these display devices, a liquid crystal display (LCD) has an array substrate including a thin film transistor, which is a switching element for controlling on / off each pixel region, and an array substrate including a color filter and / or a black matrix A display panel including a top substrate, a liquid crystal material layer formed therebetween, a driving unit for controlling the thin film transistor, a backlight unit (BLU) for providing light to the display panel, and the like , A pixel (PXL) electrode provided in a pixel region, and a common voltage (Vcom) electrode, and the transmittance of light is adjusted accordingly, thereby displaying an image.
이러한 액정 표시장치의 경우에는 외부에서 광을 제공하는 백라이트 장치가 있어야 하며, 백라이트 유닛 중에서 광원이 표시패널의 직하부에 배치되어 광을 직접 표시패널로 인가하는 직하형(Direct Type) 백라이트 유닛이 사용될 수 있으며, 이러한 직하형 백라이트 유닛은 표시장치의 하부 지지구조인 커버 버텀(Cover Bottom) 등의 상부에 배치되는 광원 모듈과, 광원 모듈 상부에 배치되는 확산판(Duffuser Plate; DP)과, 확산판 상부에 배치되는 1 이상의 광학시트 등을 포함하여 구성될 수 있다.In the case of such a liquid crystal display device, a backlight unit for providing light from the outside must be provided, and a direct type backlight unit in which a light source is disposed directly under the display panel among the backlight units, The direct-type backlight unit includes a light source module disposed on an upper portion of a cover bottom, which is a lower support structure of a display device, a diffuser plate (DP) disposed on the upper portion of the light source module, One or more optical sheets disposed on the upper side, and the like.
이러한 직하형 백라이트 유닛의 광원 모듈은 LED 패키지와 같은 광원 패키지와 그 상부에 배치되어 광원 표시장치 전체에 걸쳐 고르게 확산하기 위한 광확산 렌즈와, 광학산 렌즈 상부에 배치되는 확산판 또는 확산플레이트를 포함한다. The light source module of such a direct-type backlight unit includes a light source package such as an LED package, a light diffusing lens disposed above the light source package for diffusing evenly throughout the light source display, and a diffusion plate or diffusion plate disposed on the optical acid lens do.
한편, 직하형 백라이트 유닛에 사용되는 광확산 렌즈는 일정 부피를 차지하므로 장착에 일정한 크기 이상의 공간이 필요할 뿐 아니라, 광확산 렌즈의 재료 특성상 광원으로부터의 광의 파장을 일정 크기만큼 변경시킴으로써, 원하지 않은 색수차 현상이 발생되는 문제가 있었다.On the other hand, since the light diffusion lens used in the direct-type backlight unit occupies a certain volume, not only a space larger than a certain size is required for mounting, but also by changing the wavelength of light from the light source by a certain amount, There was a problem that the phenomenon occurred.
이러한 광확산 렌즈의 문제 때문에 최근 이러한 광확산 렌즈의 구조를 변경하거나 렌즈를 대체하기 위한 여러 방안이 제시되고 있으나, 직하형 백라이트 유닛에 사용되는 점광원의 광을 표시장치 전면에 고르게 확산시키는데는 어느 정도 한계가 있다.
In order to diffuse the light of the point light source used in the direct-type backlight unit evenly on the entire surface of the display device, it is necessary to change the structure of the light diffusion lens There is a degree limit.
이러한 배경에서, 본 발명의 목적은, 직하형 백라이트 유닛의 광원 패키지에 있어서, 상부에 반사투과형 부재를 포함하는 광원 패키지와 그를 포함하는 백라이트 유닛 등을 제공하는 것이다.In view of the above, it is an object of the present invention to provide a light source package including a transreflective member on an upper portion of a light source package of a direct type backlight unit, and a backlight unit including the same.
본 발명의 다른 목적은, 플립칩(Flip-chip) 또는 칩스케일 패키지(Chip Scale Package; CSP) 형태의 발광 패키지 상부에 반사투과 특성을 가지는 반사투과층을 형성함으로써, 광확산 렌즈 없이도 표시장치 전면에 고른 광확산이 가능한 광원 패키지와 그를 포함하는 백라이트 유닛 등을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a light emitting device and a method of manufacturing the same which can form a reflection transmission layer having a reflection transmission property on a flip chip or a Chip Scale Package (CSP) And a backlight unit including the light source package.
본 발명의 다른 목적은 2개의 전극층과 전극층 사이에 배치되는 발광층을 포함하는 발광부와, 발광부 상부에 배치되는 광투과층과, 상기 발광부 및 광투과층 양측면과 상기 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부로 구성되는 광원 패키지에서, 광투과층 상부와 광변환 밀봉부 사이 또는 광변환 밀봉부 상부에 일정 두께의 반사투과형 광부재를 배치함으로써, 광확산 렌즈 없이도 표시장치 전면에 고른 광확산이 가능한 광원 패키지와 그를 포함하는 백라이트 유닛 등을 제공하는 것이다.
Another object of the present invention is to provide a light emitting device comprising a light emitting portion including a light emitting layer disposed between two electrode layers and an electrode layer, a light transmitting layer disposed on the upper portion of the light emitting portion, and an upper surface surrounding both sides of the light emitting portion and the light transmitting layer, In the light source package constituted by the light conversion sealing portion, by arranging the reflective transmission type light member having a certain thickness between the upper portion of the light transmission layer and the light conversion sealing portion or above the light conversion sealing portion, And a backlight unit including the light source package.
전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는, 2개의 전극층과 상기 전극층 사이에 배치되는 발광층을 포함하는 발광부와,상기 발광부 상부에 배치되는 성장 기판층으로서의 광투과층과, 상기 발광부 및 광투과층의 양측면과 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부와, 상기 광투과층의 상면과 상기 광변환 밀봉부의 하면 사이에 제1두께의 층상 구조로 배치되는 반사투과형 광부재를 포함하는 백라이트 유닛용 광원 패키지를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device including a light emitting portion including two electrode layers and a light emitting layer disposed between the electrode layers, a light transmitting layer as a growth substrate layer disposed on the light emitting portion, A light transmitting and shielding portion surrounding both sides of the light emitting portion and the light transmitting layer and the upper surface of the light transmitting layer; and a reflective transmissive type light transmitting portion disposed in a layered structure of a first thickness between the upper surface of the light transmitting layer and the lower surface of the light conversion sealing portion. A light source package for a backlight unit including a member.
본 발명의 다른 실시예에서는, 2개의 전극층과 상기 전극층 사이에 배치되는 발광층을 포함하는 발광부와, 상기 발광부 상부에 배치되는 성장 기판층으로서의 광투과층과, 상기 발광부 및 광투과층 양측면과 상기 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부와, 상기 광변환 밀봉부 상면 상에 배치되고, 제2두께와 제2크기를 가지는 필름 구조의 반사투과형 광부재를 포함하는 백라이트 유닛용 광원 패키지를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a light emitting device including a light emitting portion including two electrode layers and a light emitting layer disposed between the electrode layers, a light transmitting layer serving as a growth substrate layer disposed over the light emitting portion, And a transflective optical member of a film structure having a second thickness and a second size, disposed on the upper surface of the light-transducing encapsulant and surrounding the upper surface of the light- Lt; / RTI >
본 발명의 또다른 실시예에서는, 2개의 전극층과 전극층 사이에 배치되는 발광층을 포함하는 발광부와, 상기 발광부 상부에 배치되는 성장 기판층으로서의 광투과층과, 상기 발광부 및 광투과층 양측면과 상기 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부와, 상기 광투과층 상부와 광변환 밀봉부 사이 또는 광변환 밀봉부 상부에 배치되고 반사율 90~99%, 광투과율 1~10%의 광학특성을 가지는 반사투과형 광부재를 포함하는 다수의 광원 패키지와; 상기 다수의 광원 패키지를 장착하기 위한 기판과; 상기 다수의 광원 패키지와 이격되어 상기 다수의 광원 패키지 상부에 배치되는 확산판과; 상기 확산판 상에 배치되는 1 이상의 광학시트를 포함하는 백라이트 유닛을 제공한다.
According to another embodiment of the present invention, there is provided a light emitting device comprising: a light emitting portion including a light emitting layer disposed between two electrode layers and an electrode layer; a light transmitting layer serving as a growth substrate layer disposed over the light emitting portion; And an upper surface of the light transmission layer, wherein the light transmission layer is disposed between the upper portion of the light transmission layer and the upper surface of the light transmission / A plurality of light source packages including a transreflective type optical member having a plurality of light emitting diodes; A substrate for mounting the plurality of light source packages; A diffusion plate disposed on the plurality of light source packages spaced apart from the plurality of light source packages; And a backlight unit including at least one optical sheet disposed on the diffusion plate.
본 발명의 일실시예에 의하면, 직하형 백라이트 유닛의 광원 패키지에 있어서, 상부에 반사투과형 광부재를 포함함으로써, 광확산 렌즈 없이도 표시장치 전면으로 고른 광확산이 가능한 효과가 있다.According to the embodiment of the present invention, in the light source package of the direct-type backlight unit, by including the transreflective type optical member on the upper portion, the light diffusion can be uniformly performed on the entire surface of the display device without the light diffusion lens.
더 구체적으로, 플립칩(Flip-chip) 또는 칩스케일 패키지(Chip Scale Package; CSP) 형태의 광원 패키지 상부에 반사투과 특성을 가지는 반사투과 광부재를 일정 크기로 형성함으로써, 광확산 렌즈 없이도 점광원으로부터의 광을 표시장치 전면에 고르게 분포시킬 수 있는 효과가 있다.More specifically, a reflective transmission light member having a reflective transmission characteristic is formed in a predetermined size on a light source package in the form of a flip-chip or a chip scale package (CSP) It is possible to distribute the light from the light-emitting layer uniformly over the entire surface of the display device.
또한, 2개의 전극층과 전극층 사이에 배치되는 청색 발광층을 포함하는 발광부와, 발광부 상부에 배치되는 광투과층과, 상기 발광부 및 광투과층 양측면과 상기 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부로 구성되는 발광 패키지에서, 광투과층 상부와 광변환 밀봉부 사이 또는 광변환 밀봉부 상부에 일정 두께의 반사투과형 광부재를 배치함으로써, LED 패키지에 의한 점광원을 면광원으로 사용할 수 있는 효과가 있다.
The light emitting device includes a light emitting portion including a blue light emitting layer disposed between two electrode layers and an electrode layer, a light transmitting layer disposed on the upper portion of the light emitting portion, and a light converting portion surrounding both sides of the light emitting portion and the light transmitting layer, In the light emitting package composed of the sealing portion, a transflective type optical member having a certain thickness is disposed between the upper portion of the light transmission layer and the light conversion sealing portion or above the light conversion sealing portion, an effect that the point light source by the LED package can be used as a surface light source .
도 1은 2가지 형태의 백라이트 유닛의 단면도로서, 도 1의 (a)는 엣지형(Edge-type) 백라이트 유닛이고, 도 1의 (b)는 본 발명이 적용될 수 있는 직하형 백라이트 유닛을 도시한다.
도 2는 직하형 백라이트 유닛에서 사용되는 개별 광원 패키지와 그 상부에 배치되는 광확산 렌즈의 구조를 도시하는 것으로서, 도 2의 (a)는 몰드 프레임을 포함하는 LED 패키지이고, 도 2의 (b)는 본 발명이 적용될 수 있는 플립칩 구조의 LED 패키지이다.
도 3은 종래의 광원 패키지와 광확산 렌즈 구조의 단점을 도시하기 위한 것이다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 의한 광원 패키지의 단면도이다.
도 5는 도 4의 실시예에 의한 광원 패키지를 제조하는 공정을 도시한다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 의한 광원 패키지의 단면도이다.
도 7은 본 실시예에 의한 반사투과형 광부재의 형성 크기를 광원 패키지의 칩 크기와 비교하여 도시한다.
도 8은 본 발명의 실시예에 의한 광원 패키지가 사용된 백라이트 유닛 및 표시장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 의한 백라이트 유닛의 평면도이고, 도 10은 본 실시예에 의한 백라이트 유닛이 사용된 경우의 광분포를 종래 구성과 비교하여 도시한다.Fig. 1 is a sectional view of two types of backlight units. Fig. 1 (a) is an edge-type backlight unit. Fig. 1 (b) do.
2 shows a structure of an individual light source package used in a direct-type backlight unit and a light diffusion lens disposed thereon. FIG. 2A is an LED package including a mold frame, ) Is an LED package having a flip chip structure to which the present invention can be applied.
3 is intended to illustrate the disadvantages of the conventional light source package and light diffusing lens structure.
4 is a cross-sectional view of a light source package according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 5 shows a process of manufacturing the light source package according to the embodiment of FIG.
6 is a cross-sectional view of a light source package according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 7 shows the size of the reflection transmission type optical member according to the present embodiment in comparison with the chip size of the light source package.
8 is a cross-sectional view of a backlight unit and a display device in which a light source package according to an embodiment of the present invention is used.
FIG. 9 is a plan view of a backlight unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 10 shows a light distribution in a case where a backlight unit according to the present embodiment is used, compared with a conventional configuration.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In the drawings, like reference numerals are used to denote like elements throughout the drawings, even if they are shown on different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the components from other components, and the terms do not limit the nature, order, order, or number of the components. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; intervening "or that each component may be" connected, "" coupled, "or " connected" through other components.
도 1은 2가지 형태의 백라이트 유닛의 단면도로서, 도 1의 (a)는 엣지형(Edge-type) 백라이트 유닛이고, 도 1의 (b)는 본 발명이 적용될 수 있는 직하형 백라이트 유닛을 도시한다. Fig. 1 is a sectional view of two types of backlight units. Fig. 1 (a) is an edge-type backlight unit. Fig. 1 (b) do.
도 1과 같이, 본 발명의 실시예가 적용될 수 있는 표시장치는 액정 표시패널 등의 표시패널(140)과 그 하부에 배치되어 표시패널에 광을 조사하는 백라이트 유닛(120, 160)을 포함하며, 백라이트 유닛을 지지하고 표시장치의 후면 전체에 걸쳐 연장되는 금속 또는 플라스틱 재질의 커버 버텀(Cover Bottom; 110) 등을 포함한다.1, a display device to which an embodiment of the present invention can be applied includes a
또한, 액정표시장치는 측면에서 백라이트 유닛을 구성하는 광원 하우징(127)을 지지하면서 상부에서는 표시패널(140)을 지지하기 위한 가이드 패널(Guide Panel; 130)과, 커버 버텀 또는 가이트 패널의 측면을 둘러싸되 표시패널의 전면부 일부까지 연장되어 배치되는 케이스탑(Case Top; 150) 등을 추가로 포함할 수 있다.The liquid crystal display device includes a
이러한 액정 표시장치에서는 표시패널로 광을 제공하기 위한 백라이트 유닛이 포함되며, 백라이트 유닛은 광원의 배치 및 광의 전달 형태에 따라서 엣지형(Edge-Type) 또는 직하형(Direct-Type) 등으로 구분될 수 있다.In such a liquid crystal display device, a backlight unit for providing light to the display panel is included, and the backlight unit is classified into an edge-type or a direct-type according to the arrangement of light sources and the transmission mode of light .
도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 엣지형 백라이트 유닛(120)은 LED 등의 광원(128)과 광원을 고정하기 위한 홀더 또는 하우징과 광원 구동 회로 등을 포함하는 광원 모듈(127)이 표시장치의 일측에 배치되며, 광을 패널 영역 전체로 확산시키기 위한 도광판(124; Light Guide Plate; LGP)과, 빛을 표시패널 방향으로 반사하기 위한 반사판(122)과, 도광판 상부에 배치되어 휘도 향상, 광의 확산 및 보호 등의 용도로 배치되는 1 이상의 광학시트(126) 등을 포함할 수 있다.1, the edge
이러한 엣지형 백라이트 유닛에서는 광원으로부터의 광이 도광판 인입부로 입사된 후, 도광판에서 전반사되면서 표시장치의 전면으로 퍼지면서 표시패널 방향으로 출광하게 된다.In this edge type backlight unit, light from the light source is incident on the light guide plate entrance portion, and is totally reflected by the light guide plate and spreads toward the display panel in the direction of the display panel.
한편, 본 발명이 적용될 수 있는 직하형 백라이트 유닛은, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 커버버텀(110)의 상부에 배치되는 광원 PCB(161)와, 광원 PCB 상부에 일정 거리 이격되어 배치되어 광원으로부터 광을 확산시키는 확산판(165)과, 확산판 상부에 배치되는 1 이상의 광학 시트(166)을 포함할 수 있으며, 광원 PCB(161)에는 확산판의 처짐을 방지하기 위한 다수의 확산판 서포트(164; DPS)가 배치되어 있다.1 (b), a direct-type backlight unit to which the present invention can be applied includes a light source PCB 161 disposed on an upper portion of the
광원 PCB(161)는 표시장치의 전면에 걸쳐서 배치되며, 광원 PCB 상부에는 다수의 광원인 LED칩(162)과, 각 광원으로부터 광을 확산시키기 위한 광확산 렌즈(163) 등이 포함된다.The light source PCB 161 is disposed over the entire surface of the display device. An
통상적으로, 엣지형 백라이트 유닛은 도광판의 두께만큼의 공간만 있으면 되기 때문에 10mm 이하의 슬림화가 가능하다는 장점이 있으나, 광이 측면에서만 제공되므로 고휘도 구현이 어렵고, 도광판 등의 부품으로 인하여 제조비용이 높으며, 표시장치의 국부적인 영역만 광을 조사하는 로컬 디밍(Local Dimming) 기능의 구현이 어렵다는 단점이 있다.Generally, since the edge type backlight unit needs only a space corresponding to the thickness of the light guide plate, it can be slim down to 10 mm or less. However, since light is provided only on the side, it is difficult to realize a high luminance, and manufacturing cost is high due to parts such as a light guide plate , It is difficult to realize a local dimming function of irradiating light only in a local region of the display device.
한편, 직하형 백라이트 유닛은, 표시장치 전면에 배치되는 다수의 광원으로부터의 광을 직접 표시패널로 조사하므로 고휘도가 가능하고 제조비용이 낮으며 로컬 디밍 구현이 용이하다는 장점이 있으나, 다수의 점광원인 LED로부터의 광이 표시패널 충분히 확산될 수 있도록 하기 위하여 광원과 확산판 사이의 간극인 광학갭(Optical Gap; OG)이 일정 이상이어야 하므로 두께가 비교적 커서 슬림화에 한계가 있다는 단점이 있다.On the other hand, the direct-type backlight unit has the advantage of high luminance, low manufacturing cost, and easy local dimming because it directs light from a plurality of light sources disposed on the front surface of the display device directly to the display panel. However, The optical gap (OG), which is a gap between the light source and the diffusion plate, must be set to a certain value or more in order to sufficiently diffuse the light from the LED as the display panel.
특히, 직하형 백라이트 유닛에서는 LED 패키지 등으로 구성되는 발광소자가 일종의 점광원의 역할을 하므로, 그를 고르게 확산시키기 위하여 광확산 렌즈가 사용되는데, 이러한 광확산 렌즈는 일정한 크기를 가질 뿐 아니라 각 LED 패키지 상부에 설치하여야 하므로 설치 공간이 필요하다는 단점이 있었다.In particular, in a direct-type backlight unit, a light-emitting device composed of an LED package or the like serves as a kind of point light source, so that a light diffusion lens is used to diffuse the light uniformly. Such a light diffusion lens has a certain size, It is necessary to provide an installation space.
도 2는 직하형 백라이트 유닛에서 사용되는 개별 광원 패키지와 그 상부에 배치되는 광확산 렌즈의 구조를 도시하는 것으로서, 도 2의 (a)는 몰드 프레임을 포함하는 LED 패키지이고, 도 2의 (b)는 본 발명이 적용될 수 있는 플립칩 구조의 LED 패키지이다.2 shows a structure of an individual light source package used in a direct-type backlight unit and a light diffusion lens disposed thereon. FIG. 2A is an LED package including a mold frame, ) Is an LED package having a flip chip structure to which the present invention can be applied.
도 2의 (a)에 의한 LED 패키지는 인쇄회로기판(210)과, 인쇄회로기판(210) 상에 장착된 LED칩(240)을 포함하며, 인쇄회로기판(210)은 인쇄회로기판베이스(211), 절연층(213) 및 전원배선층(215)으로 이루어질 수 있다.The LED package according to FIG. 2A includes a printed
또한, LED칩(240)이 장착된 인쇄회로기판(210) 상에는 인쇄회로기판(210)으로부터 돌출되어, LED칩(240)에서 측방으로 발생되는 광을 차단하거나, 차단된 광을 전방으로 반사시키기 위해 LED칩(100)의 가장자리를 두르는 측벽(220)이 포함되며, 측벽 상부의 개구 영역에는 광변환층(250) 또는 확산층이 배치될 수 있다.On the printed
도 2의 (a)에 의한 LED 패키지에서의 LED 칩(240)은 2개 전극 사이에 배치되어 청색(Blue)광을 방출하는 청색 LED일 수 있으며, 발광된 청색광은 격벽(220)에서 반사된 후 광변환층(250)에서 R, G, Y 등의 광으로 변환됨으로써 최종적으로 화이트(White)광이 방출된다.The
도 2의 (a) 구조의 LED 패키지(200)에서 방출되는 광은 통상 120도 정도의 지향각 또는 확산각을 가지는데, 전술한 바와 같이 광원과 확산판 사이의 간극인 광학갭(Optical Gap; OG)이 작아지는 경우 120도 정도의 방사각으로는 표시장치의 전면에 광을 분포시키기 어렵다.The light emitted from the
따라서, LED 패키지(200) 상부에는 LED 패키지로부터의 광을 더 넓게 확산시키기 위한 광확산 렌즈(300)가 사용되어야 한다. 이러한 광확산 렌즈(300)를 사용하는 경우 광의 방사각 또는 지향각을 160~170도까지 증가시킬 수 있다.Therefore, a
도 2의 (b)는 표면실장기술(surface mount technology : SMT)에 의하여 도 2의 (a)와 같은 몰드 프레임 또는 리드 프레임 없이 바로 LED 칩을 기판 상에 형성시키는 형태의 LED 패키지를 도시한다.2 (b) shows an LED package in which an LED chip is directly formed on a substrate by a surface mount technology (SMT) without a mold frame or a lead frame as shown in FIG. 2 (a).
도 2의 (b)와 같은 LED는 소위 칩온보드(Chip-On-Board; COB) 또는 칩스케일 패키지(Chip Scale Package; CSP)으로 표현되는 광원 패키지로서, 그에 포함되는 LED 패키지(200')는 광투과성을 가지는 성장 기판층(270)상에 2개의 전극층과 그 사이에 배치되는 발광층으로 구성되는 발광부(260)를 형성하고, 그 주위에 형광체 밀봉층(280)을 형성하는 구조로 되어 있다.2B is a light source package represented by a so-called chip-on-board (COB) or chip scale package (CSP), in which an LED package 200 ' A
도 2의 (b)에 의한 LED 칩은 일명 플립칩(Flip-Chip)으로 불리는 것으로서, 발광층에서 생성된 청색광이 성장 기판층(270)과 형광체 밀봉층(280)을 통과하면서 백색광으로 변환되어 출사되며, LED 칩의 측방향으로도 광이 출사되는 것이 특징이다.2B is a so-called flip-chip, in which the blue light generated in the light emitting layer is converted into white light while passing through the
도 2의 (b)와 같은 플립칩 구조의 광원 패키지도 주된 출사광은 패키지의 상부로 향하게 되며, 따라서 도 2의 (a)와 마찬가지로 광의 방사각 또는 지향각을 증가시키기 위하여 LED 패키지(200') 상부에 광확산 렌즈를 배치하는 것이 일반적이다.In the light source package of the flip chip structure as shown in FIG. 2 (b), the main emitted light is directed to the top of the package, and therefore, in order to increase the radiation angle or the directing angle of light, It is general to arrange a light diffusion lens on the upper side.
광확산 렌즈(300)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate : PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethylmethacrylate : PMMA), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리올레핀(polyolefine), 셀룰로스 아세테이트(cellulose acetate), 폴리비닐클로라이드(polyvinyl chloride) 등과 같은 합성수지재로 제조되는 것으로서, 광확산을 위하여 상면이 곡선 형상을 가지도록 형성된다.The
도 3은 종래의 광원 패키지와 광확산 렌즈 구조의 단점을 도시하기 위한 것이다.3 is intended to illustrate the disadvantages of the conventional light source package and light diffusing lens structure.
전술한 바와 같이, 종래에 사용되던 광확산 렌즈(300)는 광확산을 위하여 일정한 크기와 외부 곡면 프로파일을 가져야 하고, 따라서 일정한 공간을 차지하게 된다. As described above, the conventional
즉, 도 3의 (a)와 같이, 광확산 렌즈(300)는 일정한 폭(W)과 일정한 두께(T)를 가지는 구조이므로 렌즈의 두께만큼의 광학갭이 필요하고, 렌즈의 폭만큼의 기판 영역이 더 필요하게 된다.3 (a), since the
또한, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 광확산 렌즈(300)를 LED 패키지 상부에 고정하기 위한 고정부(310)가 더 필요한 단점이 있으며, 광확산 렌즈는 모든 LED 패키지에 구비되어야 하므로 이러한 광확산 렌즈의 설치 공간 및 고정부에 의한 손실이 더 커질 수 있다.3 (a), there is a disadvantage that the fixing
또한, 도 3의 (b)와 같이, 광확산 렌즈는 일정한 굴절율을 가지는 합성수지재료로 형성되어 광을 굴절/확산시키는데, 그 과정에서 LED 패키지로부터의 출사광의 최초 파장(λ0)를 일부 변화시켜 변화된 파장(λ1)으로 출광한다.3 (b), the light diffusion lens is formed of a synthetic resin material having a constant refractive index to refract / diffuse the light. In this process, the first wavelength? 0 of the outgoing light from the LED package is partially changed And exits at the wavelength lambda 1.
이러한 파장 변화로 인하여 원하지 않는 색수차 현상이 발생하고, 그로 인하여 백라이트 유닛의 성능이 떨어지게 된다.Undesirable chromatic aberration occurs due to such a wavelength change, thereby deteriorating the performance of the backlight unit.
본 발명은 이러한 점에 착안한 것으로서, 기존의 광원 패키지 상부에 배치되는 광확산 렌즈를 제거하고, 대신 광원 패키지를 구성하는 일부 영역에 얇은 두께를 가지는 반사투과층을 배치시킴으로써 광확산 렌즈 없이도 LED 패키지로부터의 광을 표시장치 전체에 고르게 확산시킬 수 있도록 한 것이다.The present invention has been made in view of this point, and it is an object of the present invention to provide a light source package that eliminates a light diffusion lens disposed on an upper portion of a conventional light source package and, instead, So that the light from the light source can be diffused evenly throughout the display device.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 의한 광원 패키지의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a light source package according to a first embodiment of the present invention.
제1실시예에 의한 광원 패키지(400)는 2개의 전극층(412, 414)과 전극층 사이에 배치되는 청색 발광층(430)을 포함하는 발광부와, 발광부 상부에 배치되는 성장 기판층으로서의 광투과층(440)과, 발광부 및 광투과층의 양측면과 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부(450)와, 광투과층(440)의 상면과 광변환 밀봉부(450) 하면 사이에 제1두께의 층상 구조로 배치되는 반사투과형 광부재(460)을 포함하여 구성될 수 있다.The
반사투과형 광부재(460)는 반사율 약90~99%, 투과율 약1~10%인 광학특성을 가지는 층상 구조로서, 층의 두께는 약 1~20um로 형성될 수 있다The reflective transmissive type
더 바람직하게는 반사투과형 광부재(460)는 반사율 91~95%, 광투과율 5~9%의 광학특성을 가질 수 있다.More preferably, the transreflective type
한편, 반사투과형 광부재(460)는 광투명 재료와 반사특성을 가지는 금속 재료의 혼합 재료를 광투과층(440)의 상면에 스퍼터링 등의 공정에 의하여 증착함으로써 형성될 수 있다.On the other hand, the transreflective type
더 구체적으로, 반사투과형 광부재(460)를 형성하기 위한 재료는 SiO2, TiO2 중 하나 이상으로 선택되는 광투과 재료와, Al, Au, Ag 중 하나 이상으로 선택되는 반사 재료가 혼합된 혼합재료일 수 있다.More specifically, the material for forming the transreflective-type
또한, 반사 투과형 광부재(460)의 제1두께는 약1~20um일 수 있다.In addition, the first thickness of the transflective type
이러한 본 발명의 제1실시예에 의하면, 도 4에 도시된 바와 같이, 발광부의 발광층(430)에서 생성되는 청색 출사광(Ls) 중 90%이상의 광이 반사투과형 광부재(460)에서 반사되어 반사광(Lr)을 이루며, 청색 출사광(Ls) 중 약10% 미만의 광이 반사투과형 광부재(460)를 관통하여 광원 패키지 상부로 향하는 투과광(Lt)을 형성한다.According to the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 4, at least 90% of the blue emitted light Ls generated in the
반사광(Lr)은 광원 패키지가 장착되는 서브 마운트 기판(470)의 상부에 배치되는 기저반사부(480)에서 다시 재반사되어 광원 패키지의 상부로 향하게 되며, 따라서 이러한 반사광(Lr)과 투과광(Lt)에 의하여 광원 패키지로부터의 광이 주위에 고르게 확산될 수 있는 것이다.The reflected light Lr is again reflected again by the
이로써, 점광원 형태인 광원 패키지의 발광층으로부터의 광원 패키지의 주위로 고르게 확산되고, 이러한 광원 패키지가 어레이 형태로 배치되는 백라이트 유닛은 표시장치의 전체에 걸쳐 고르게 광을 분포시켜 일종의 면광원으로 기능하게 되는 것이다.As a result, the backlight unit, which is diffused evenly around the light source package from the light emitting layer of the light source package in the form of a point light source, and the light source packages are arranged in the form of an array, distributes the light evenly throughout the display device and functions as a kind of surface light source .
한편, 반사광(Lr) 및 투과광(Lt)은 청색광으로서 각각 반사투과형 광부재(460)에서 반사 및 투과된 후 광변환 밀봉부(450)를 통과하면서 적색광(R), 녹색광(G), 황색광(Y)으로 변환되며, 따라서 광원 패키지에서 최종적으로 출사되는 광은 백색광(White)이 된다.The reflected light Lr and the transmitted light Lt are reflected and transmitted by the reflective transmission
도 5는 도 4의 제1실시예에 의한 광원 패키지(400)를 제조하는 공정을 도시한다.Fig. 5 shows a process of manufacturing the
도 5의 (a)와 같이, 우선 광투과 특성을 가지는 사파이어 재료 등으로 구성되는 성장 기판 상에 SMT 기법에 의하여 제1전극층(412), 발광층(430), 및 제2전극층(422)을 각각 형성한다. 성장 기판은 추후 LED 패키지가 제조된 이후에는 본 실시예에 의한 광투과층(440)을 형성하게 된다.5A, a
또한, 제1전극층(412)는 발광층(430) 및 제2전극층(422)을 관통하는 컨택홀을 통해 광원 패키지의 하면에 형성되는 제1전극(414)와 전기적으로 연결되며, 제2전극층(422)은 역시 광원 패키지의 하면에 형성되는 제2전극(424)와 전기적으로 연결된다. 제1전극층(412)와 제1전극(414)은 제1전극부(410)을 이루며, 제2전극층(422)와 제2전극(424)은 제2전극부(420)를 구성하게 된다.The
광투과층(440)을 이루는 성장 기판은 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성되며, 사파이어 외에도 징크 옥사이드(zinc oxide : ZNO), 갈륨 나이트라이드(hallium nitride : GaN), 실리콘 카비이드(silicon carbide : SiC) 및 알루미늄 나이트라이드(AlN) 등으로 형성될 수도 있다. The growth substrate constituting the
제1전극층(412) 및 제2전극층(422)는 각각 p형 반도체층과 n형 반도체층으로 형성되며, 제1전극(414) 및 제2전극(424)는 각각 p형 전극 및 n형 전극으로 구성될 수 있다. The
한편, 도시하지는 않았지만, 서브마운트 기판(440')과 n형 반도체층인 제2전극(424) 사이에는 격자정합을 향상시키기 위한 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있으며, 버퍼층(미도시)은 GaN 또는 AlN/GaN 등으로 형성될 수 있다. Although not shown, a buffer layer (not shown) for improving lattice matching may be formed between the submount substrate 440 'and the
이때, n형 반도체층인 제2전극층(422) 제2전극(424)은 n형 도전형 불순물이 도핑된 GaN 또는 GaN/AlGaN으로 이루어질 수 있으며, n형 도전형 불순물로는 일예로 Si, Ge 및 Sn 등을 사용하고, 바람직하게는 Si를 주로 사용한다. The
또한, p형 반도체층인 제1전극층(412) 및 제1전극(414)은 p형 도전형 불순물이 도핑된 GaN 또는 GaN/AlGaN으로 이루어질 수 있으며, p형 도전형 불순물로는 일예로 Mg, Zn 및 Be 등을 사용하고, 바람직하게는 Mg를 주로 사용한다. The
이러한 광원 패키지의 제작 공정에서 n형 반도체층인 제2전극층(422)의 일부가 노출되도록 p형 반도체층인 제1전극층(412) 및 발광층(230)의 일부가 메사식각(mesa etching)으로 제거되는데, 이에 따라 p형 반도체층인 제1전극층(412)과 활성층으로서의 발광층(230)이 n형 반도체층인 제2전극층(422) 상의 일부분에 형성된다. The
이 때, n형 전극인 제2전극(424)은 노출된 제2전극층(422)의 일 모서리에 구성되며, p형 전극인 제1전극(414)은 제1전극층(412) 상에 구성되는 "Top-Top"방법으로 전극이 배치되는, 수평형 LED칩을 이루게 된다. At this time, the
발광층(430)은 GaN 계열 단일 양자 우물구조(single quantum well : SQW)나 다중 양자 우물구조(multi quantum well : MQW)일 수 있으며 또한 이들의 초격자(supper lattice : SL) 등의 양자구조로, 이와 같은 발광층(430)의 양자구조는 GaN 계열의 다양한 물질을 조합하여 이루어질 수 있고 일예로 AlGaN, AlNGaN, InGaN 등이 사용될 수 있다. The
이러한 발광층(430)에 전계가 인가되었을 때, 전자-정공 쌍의 결합에 의하여 빛이 발생하게 된다When an electric field is applied to the
따라서, 이러한 광원 패키지는 제1전극층(412)과 제2전극층(422) 사이에 전압이 인가되면, P형 반도체층인 제1전극층(412)과 n형 반도체층인 제2전극층(422)으로 각각 정공과 전자가 주입되고, 발광층(230)에서 정공과 전자가 재결합하면서 여분의 에너지가 광으로 변환되어 성장 기판층(400') 또는 광투과층(440)을 통하여 외부로 방출하게 된다.Accordingly, when a voltage is applied between the
도 5의 (a)와 같이, 성장 기판층(440') 일측에 제1전극부(410)와 제2전극부(420) 및 발광층(430)을 형성한 후, 성장 기판층인 광투과층(440)의 타측면에 본 실시예에 의한 반사투과형 광부재를 증착한다.5A, a
즉, 도 5의 (b)와 같이, 광투과층(440)의 상면에 SiO2, TiO2 중 하나 이상으로 선택되는 광투과 재료와, Al, Au, Ag 중 하나 이상으로 선택되는 반사 재료가 혼합된 혼합재료를 스퍼터링 등의 공법에 의하여 증착하여, 약1~20um 두께를 가지는 반사투과층인 반사투과형 광부재(460)의 레이어를 형성한다.5 (b), a light transmitting material selected from one or more of SiO2 and TiO2 and a reflective material selected from one or more of Al, Au, and Ag are mixed on the upper surface of the
이 때, 반사투과형 광부재(460)는 반사율 약90~99%, 투과율 약1~10%, 더 바람직하게는 반사율 91~95%, 광투과율 5~9%의 광학특성을 가져야 하므로, 스퍼터링 되는 혼합재료는 그러한 광학특성을 가질 수 있도록 SiO2, TiO2 등과 같은 광투과 재료와 Al, Au, Ag 등과 같은 반사 재료의 조성비를 적절하게 조절하여야 한다.At this time, the transreflective type
이와 같이, 반사투과형 광부재(460)가 약90% 이상의 반사율과 약10% 이하의 광투과율을 가짐으로써, 발광부(430)에서 생성된 광중 대부분이 반사되어 광원 패키지 주변으로 확산될 수 있고, 일부만이 광원 패키지 상부로 투과됨으로써, 전체적으로 광원 패키지에 의한 광확산 및 광분포가 균일하게 된다. Since the transflective type
또한, 제1실시예에 의한 반사투과형 광부재(460)의 형성 두께를 약1~20um 으로 형성함으로써, 반사투과형 광부재의 필요한 광학특성(즉, 90% 이상의 반사율과 10% 이하의 투과율)을 가지면서도 최대한 얇은 구조로 반사투과층을 형성할 수 있게 된다. Further, by forming the reflective transmissive-type
본 실시예에 의한 이러한 효과는 여러 실험에 의하여 증명되었으며, 이에 대해서는 도 9 이하를 참고하여 아래에서 더 상세하게 설명한다.This effect according to the present embodiment has been confirmed by various experiments, which will be described in more detail below with reference to FIG. 9 and the following figures.
본 실시예에 의한 반사투과형 광부재(460)를 광투과층(440) 상부에 형성한 다음, 발광부 및 광투과층의 양측면과 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부(450)를 형성한다.The transflective type
광변환 밀봉부(450)는 발광부(430)로부터 생성된 청색광을 R, G, Y 광으로 파장 변환하는 광변환 기능과, 광원 패키지의 주위를 실링하는 밀봉 기능을 위한 것이다.The light
광변환 밀봉부(450)는 실리콘(Si)과 형광체를 혼합한 후 디스펜싱(dispensing)방식 또는 트랜스퍼몰딩(transfer molding) 공법에 의한 형성할 수 있으나 그에 한정되는 것은 아니다.The light-converting
광변환 밀봉부(450)를 구성하는 형광체는 발광부에서 출사되는 광이 청색광(Blue)인 경우에는 황색형광체(Y)를 사용할 수 있으며, 발광부에서 출사되는 광이 UV 광인 경우 형광체는 적(R), 녹(G), 청색(B)의 삼색의 형광체로 이루어지며, 적(R), 녹(G), 청색(B)의 형광체의 배합비를 조절함으로써 발광색을 선택할 수 있다.When the light emitted from the light emitting portion is blue light, the phosphor composing the light
황색형광체는 530 ~ 570nm파장을 주파장으로 하는 세륨(Ce)이 도핑된 이트륨(Y) 알루미늄(Al) 가넷인 YAG:Ce(T3Al5O12:Ce)계열 형광체를 사용하거나 실리케이트(silicate)계열의 황색형광체를 사용하는 것이 바람직하다.The yellow phosphor may be a YAG: Ce (T3Al5O12: Ce) based phosphor which is yttrium (Y) aluminum (Al) garnet doped with cerium (Ce) having a wavelength of 530 to 570 nm or a silicate- Is preferably used.
적색(R)의 형광체는 611nm 파장을 주파장으로 하는 산화이트륨(Y2O3)과 유로피움(EU)의 화합물로 이루어진 YOX(Y2O3:EU)계열 형광체이며, 녹색(G)의 형광체는 544nm 파장을 주파장으로 하는 인산(Po4)과 란탄(La)과 테르븀(Tb)의 화합물인 LAP(LaPo4:Ce,Tb)계열 형광체이며, 청색(B)의 형광체는 450nm 파장을 주파장으로 하는 바륨(Ba)과 마그네슘(Mg)과 산화알루미늄 계열의 물질과 유로피움(EU)의 화합물인 BAM blue(BaMgAl10O17:EU)계열 형광체를 사용하는 것이 바람직하다. The red (R) phosphor is a YOX (Y2O3: EU) based phosphor composed of yttrium oxide (Y2O3) and europium (EU) having a main wavelength of 611 nm and the green (G) (LaPo4: Ce, Tb) phosphor which is a compound of phosphorus (Po4) and lanthanum (La) and terbium (Tb) serving as a wavelength and a blue (B) phosphor is barium Ba having a main wavelength of 450 nm. And a BAM blue (BaMgAl10O17: EU) based phosphor which is a compound of magnesium (Mg) and aluminum oxide based materials and europium (EU).
이에, 발광층(430)에 전류 또는 전압이 인가되어 광이 방출되며, 출사광(Ls) 중 반사투과형 광부재(460)에서 반사된 반사광(Lr) 및 반사투과형 광부재(460)을 투과한 투과광(Lt)은 광변환 밀봉부(450)에 포함된 형광체를 여기시키고, 형광체에 의해 파장 변환된 광들이 혼합되어 백색광을 최종 출사하게 된다. A light or a voltage is applied to the
도 6은 본 발명의 제2실시예에 의한 광원 패키지의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a light source package according to a second embodiment of the present invention.
제2실시예에 의한 광원 패키지(600)는 2개의 전극층(412, 422)과 전극층 사이에 배치되는 청색 발광층(430)을 포함하는 발광부와, 발광부 상부에 배치되는 성장 기판층으로서의 광투과층(440)과, 발광부 및 광투과층 양측면과 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부(450)를 포함하며, 광변환 밀봉부 상면 상에 배치되고, 제2두께와 제2크기를 가지는 필름 구조의 반사투과형 광부재(660)를 추가로 포함하여 구성된다.The
즉, 도 4의 제1실시예에서는 반사투과형 광부재가 광투과층(440) 상면과 광변환 밀봉부(450)의 하면 사이에 스퍼터링 증착층으로 형성하는데 비하여, 도 6과 같은 제2실시예에서는 별도의 필름 형태로 형성되는 반사투과형 광부재(660)를 광원 패키지의 외부 상측, 즉 광변환 밀봉부(450)의 상면 상에 직접 배치하는 것이다. In other words, in the first embodiment shown in FIG. 4, the reflective transmission type light member is formed as the sputtering deposition layer between the upper surface of the
제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(660) 역시 반사율 90~99%, 광투과율 1~10%, 더 바람직하게는 반사율 91~95%, 광투과율 5~9%의 광학특성을 가질 수 있다.The transreflective type
제1실시예와 마찬가지로, 제2실시예에 의한 광원 패키지(600)를 이용하면, 도 6에 도시된 바와 같이, 발광부의 발광층(430)에서 생성되는 청색 출사광(Ls) 중 90%이상의 광이 반사투과형 광부재(660)에서 반사되어 반사광(Lr)을 이루며, 청색 출사광(Ls) 중 약10% 미만의 광이 반사투과형 광부재(660)를 관통하여 광원 패키지 상부로 향하는 투과광(Lt)을 형성한다.6, it is preferable that the
반사광(Lr)은 기저반사부(480)에서 다시 재반사되어 광원 패키지의 상부로 향하게 되며, 따라서 이러한 반사광(Lr)과 투과광(Lt)에 의하여 광원 패키지로부터의 광이 주위에 고르게 확산될 수 있고, 따라서 점광원 형태인 광원 패키지의 발광층으로부터의 광원 패키지의 주위로 고르게 확산될 수 있는 것이다. The reflected light Lr is again reflected again at the
한편, 제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(660)는 제2-1두께를 가지는 광투과성 모필름층(662)과, 모필름층의 적어도 일면에 배치되고 제2-2두께를 가지는 반사투과 코팅층(664)을 포함하도록 제작될 수 있다.On the other hand, the transreflective type
이 때, 모필름층(622)은 폴리메틸메타크릴레이트(polymethyl methacrylate:PMMA), MS(methlystylene)수지, 폴리스티렌(polystyrene:PS), 폴리프로필렌(Polypropylene:PP), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate:PET) 및 폴리카보네이트(polycarbonate:PC), 글래스 등과 같은 광투과성 재료로 형성되며, 모필름층(622)의 제2-1두께는 약0.75~1.25mm인 것이 바람직하다.At this time, the mother film layer 622 may be formed of a material such as polymethyl methacrylate (PMMA), MS (methystyrene) resin, polystyrene (PS), polypropylene (PP), polyethylene terephthalate PET, and polycarbonate (PC), glass, etc., and the second layer 1 thickness of the parent film layer 622 is preferably about 0.75 to 1.25 mm.
또한, 반사투과 코팅층(664)은 SiO2, TiO2 중 하나 이상으로 선택되는 광투과 재료와, Al, Au, Ag 중 하나 이상으로 선택되는 반사 재료가 혼합된 혼합재료를 모필름층(622)의 적어도 일면에 코팅함으로써 형성될 수 있다.Also, the reflective
이 때, 반사투과 코팅층(664)의 제2-2두께는 약20~60um인 것이 바람직하다.In this case, the thickness of the second
반사투과형 광부재(660)는 반사율 약90~99%, 투과율 약1~10%, 더 바람직하게는 반사율 91~95%, 광투과율 5~9%의 광학특성을 가져야 하므로, 반사트과 코팅층 형성에 사용되는 혼합재료는 그러한 광학특성을 가질 수 있도록 SiO2, TiO2 등과 같은 광투과 재료와 Al, Au, Ag 등과 같은 반사 재료의 조성비를 적절하게 조절하여야 한다.Since the transflective type
이와 같이, 본 발명의 제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(660)를 별도의 필름 형태로 형성하여 광원 패키지의 상측 외부에 배치하기 때문에, 제1실시예보다 제작이 용이하며, 반사투과형 광부재를 구성하는 반사투과 코팅층의 두께를 약20~60um 으로 형성함으로써, 반사투과형 광부재의 필요한 광학특성(즉, 90% 이상의 반사율과 10% 이하의 투과율)을 가지면서도 최대한 얇은 구조로 반사투과형 광부재를 형성할 수 있게 된다.As described above, since the transflective type
또한, 반사투과형 광부재(660)의 제2크기는 광변환 밀봉부 상면 넓이의 100~200%인 것이 바람직하다. The second size of the transreflective type
제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(660)는 광원 패키지의 상부를 모두 커버하되, 그보다 더 넓은 영역을 차지하도록 배치하는 것이다.The transreflective type
이와 같이, 필름 형태의 반사투과형 광부재(660)의 크기를 광원 패키지의 상면 크기보다 더 크게 함으로써, 도 6에 도시된 바와 같이, 더 넓은 지향각을 가지며 출사되는 광을 반사 및 투과시킴으로써, 광확산 효과를 더 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, by making the size of the film-shaped transreflective type
한편, 반사투과형 광부재(660)의 제2크기는 광원 패키지에 의한 출사광의 지향각 또는 방사각도 등에 따라서 광변환 밀봉부 상면 넓이, 즉 광원패키지의 상부 영역의 100~200% 중 최적인 값으로 결정될 수 있다.On the other hand, the second size of the transreflective type
예를 들면, 광원 패키지가 플립칩(flip-chip) 형태이어서 출사광의 방사각도가 넓은 경우에는 반사투과형 광부재(660)의 제2크기를 상대적으로 더 크게하고, 반대로 광원 패키지의 방사각도 또는 지향각이 좁은 경우에는 반사투과형 광부재(660)의 제2크기를 상대적으로 더 작게 하는 것이다.For example, if the light source package is a flip-chip type and the emission angle of the emitted light is wide, the second size of the transreflective
한편, 제2실시예에서 반사투과형 광부재(660)를 광원 패키지 외측에 형성함에 있어서, 제1실시예에서와 같은 스퍼터링 공법을 이용하기 어려운 것은, 광변환 밀봉부(450)가 열에 취약하여 스퍼터링 공정에서 손상될 수 있기 때문이다.On the other hand, it is difficult to use the sputtering method as in the first embodiment in forming the transreflective type
제1실시예에서는 반사투과형 광부재를 성장 기판층 상에 형성하는데, 성장 기판층을 이루는 주재료인 사파이어 등을 열에 강하기 때문에 스퍼터링 공법을 이용하여도 무방하다.In the first embodiment, the reflection transmission type optical member is formed on the growth substrate layer, but the sputtering technique may be used because sapphire or the like as a main material forming the growth substrate layer is resistant to heat.
그러나, 제2실시예와 같이 광원 패키지의 최외곽, 즉 광변환 밀봉부(450) 상에 반사투과형 광부재의 혼합재료를 스퍼터링 하게 되면, 수백도의 고온에 노출되는데, 광변환 밀봉부는 형광체와 실리콘(Si)으로 이루어져 있어서 100도 이상의 고온에서는 녹게 된다.However, when the mixed material of the transflective type optical member is sputtered on the outermost portion of the light source package, that is, the light
따라서, 제2실시예에서는 별도의 필름 형태로 반사투과형 광부재(660)를 제작한 후 광원 패키지 상부에 접착 또는 배치하는 것이다.Accordingly, in the second embodiment, the transflective type
도 7은 본 실시예에 의한 반사투과형 광부재의 형성 크기를 광원 패키지의 칩 크기와 비교하여 도시한다.FIG. 7 shows the size of the reflection transmission type optical member according to the present embodiment in comparison with the chip size of the light source package.
도 7의 (a)와 같이, 본 발명의 제1실시예에 의한 반사투과형 광부재(460)는 광투과층(440)의 상면 전체에 걸쳐 형성되며 따라서, 반사투과형 광부재(460)의 폭(W1) 또는 길이는 광원 패키지의 크기 또는 LED 칩의 크기(Wc)보다 작게 된다. 7A, the transreflective type
만일, 광원 패키지가 가로, 세로 길이가 각각 Wc인 정방형 형태이고, 광변환 밀봉부(450)의 형성 두께가 t인 경우, 제1실시예에 의한 반사투과형 광부재(460)의 가로, 세로 길이(W1)는 광원 패키지의 길이(Wc)에서 광변환 밀봉부의 두께의 2배(2t)를 뺀 것과 동일하게 된다.If the light source package has a square shape having a width and a length of Wc, respectively, and the thickness of the light
반면, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(660)는 광변환 밀봉부의 상측에 배치되되 광원 패키지의 크기보다 더 넓은 영역을 커버하도록 배치되며, 따라서 제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(660)의 가로, 세로 길이(W2)는 광원 패키지의 가로 세로 길이(Wc)와 같거나 더 크게 형성된다. 7B, the transreflective type
만일, 광원 패키지가 가로, 세로 길이가 각각 Wc인 정방형 형태인 경우, 제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(660)는 광원 패키지의 넓이, 즉 광변환 밀봉부 상면 넓이의 1~2배로 형성되어야 하므로, 반사투과형 광부재(660)의 가로, 세로 길이(W2)는 광원 패키지의 길이(Wc)의 약1~1.414배가 되는 것이 바람직하다.If the light source package has a square shape having a width and a length Wc, the transreflective type
도 8은 본 발명의 실시예에 의한 광원 패키지가 사용된 백라이트 유닛 및 표시장치의 단면도이다.8 is a cross-sectional view of a backlight unit and a display device in which a light source package according to an embodiment of the present invention is used.
본 발명의 실시예에 의한 백라이트 유닛은 전술한 바와 같은 제1실시예 및 제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(460, 660)를 포함하는 다수의 광원 패키지(400, 600)와, 다수의 광원 패키지를 장착하기 위한 기판(805)과, 다수의 광원 패키지와 이격되어 상기 다수의 광원 패키지 상부에 배치되는 확산판(820) 및 확산판 상에 배치되는 1 이상의 광학시트(830)을 포함하여 구성될 수 있다.The backlight unit according to the embodiment of the present invention includes a plurality of light source packages 400 and 600 including the reflective transmission type
또한, 기판(805) 상부에는 광원 패키지(400, 600)의 반사투과형 광부재로부터 반사된 광을 재반사하는 기저반사부(810)가 추가로 포함될 수 있다.In addition, a
광원 패키지(400, 600)는 2개의 전극층과 전극층 사이에 배치되는 청색 발광층을 포함하는 발광부와, 발광부 상부에 배치되는 성장 기판층으로서의 광투과층과, 발광부 및 광투과층 양측면과 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부와, 광투과층 상부와 광변환 밀봉부 사이 또는 광변환 밀봉부 상부에 배치되고 반사율 90~99%, 광투과율 1~10%의 광학특성을 가지는 반사투과형 광부재를 포함하여 구성된다.The light source packages 400 and 600 include a light emitting portion including a blue light emitting layer disposed between two electrode layers and an electrode layer, a light transmitting layer serving as a growth substrate layer disposed on the light emitting portion, And a reflective transmission type optical element having optical characteristics of 90 to 99% reflectance and 1 to 10% light transmittance disposed between the upper portion of the light transmission layer and the light conversion sealing portion or above the light conversion sealing portion, And an optical member.
광원 패키지(400, 600)는 기판(805) 상에 어레이 또는 격자 형태로 복수개가 배치되며, 도 8에 도시된 바와 같이, 광원 패키지의 발광층으로부터 출사된 광중에서 반사투과형 광부재에서 반사된 반사광(Lr)은 주위로 확산되어 기판 상에 있는 기저반사부(810)에서 재반사되어 표시패널(840)측으로 향하게 되고, 광원 패키지의 발광층으로부터 출사된 광중에서 반사투과형 광부재를 투과한 투과광(Lt)은 바로 표시패널 측으로 향하게 된다.A plurality of light source packages 400 and 600 are arranged on the
이 때, 반사투과형 광부재의 반사율이 90% 이상이므로 광원 패키지의 발광층으로부터 출사된 광의 대부분은 반사 및 재반사되어 주위로 확산되면서 표시패널측으로 향하게 되고, 출사광 중 일부가 반사투과형 광부재를 통과하여 바로 표시패널측으로 향하게 된다. At this time, since the reflectance of the transreflective type optical member is 90% or more, most of the light emitted from the light emitting layer of the light source package is reflected and re-reflected to be diffused to the display panel side and part of the emitted light passes through the transreflective optical member And is immediately directed to the display panel side.
따라서, 다수의 광원 패키지로부터의 광이 백라이트 유닛의 전체에 걸쳐 고르게 확산되므로, 백라이트 유닛이 면광원과 유사하게 표시패널로 균일한 광을 조사하게 된다. Thus, since the light from the plurality of light source packages is uniformly diffused over the entire backlight unit, the backlight unit irradiates uniform light to the display panel similarly to the surface light source.
아래에서는 본 발명의 실시예에 의한 백라이트 유닛 및 표시패널의 나머지 구성요소의 세부 구성에 대하여 설명한다.The detailed configuration of the backlight unit and the remaining components of the display panel according to the embodiment of the present invention will be described below.
기판(805)는 본 발명에 의한 광원 패키지를 실장하기 위한 것으로서, 일반적인 인쇄회로기판(PCB)나 플렉스블 회로기판(FPCB) 형태일 수 있으며, 서브 마운트 기판으로 표현될 수 있다.The
기저 반사부(810)는 반사투과형 광부재로부터 반산된 광을 표시패널쪽으로 재반사시키기 위하여 기판(805) 상부에 배치되는 것으로서 이러한 기저반사부(810)는 다수의 광원 패키지(400, 600) 각각을 제외한 기판 전면과 백라이트 유닛을 지지하는 커버버텀 내면 전체를 커버하는 백색 또는 은색의 판상 부재일 수 있다.The
도시하지는 않았지만, 이러한 기저 반사부(810)에는 다수의 광원 패키지(400, 600)에 대응되어 광원 패키지 각각이 통과할 수 있도록 하는 관통홀이 형성될 수 있다. 따라서, 각 광원 패키지는 기저 반사부(810)에 형성된 관통홀을 통과해서 반사판 외부로 노출될 수 있다.Although not shown, through-holes may be formed in the
백라이트 유닛에 포함되는 확산판(820)은 광원 패키지로부터 확산되어 입사되는 광을 표시패널 전체에 걸쳐 고르게 분포되도록 확산시키는 기능을 한다.The
이러한 확산판(820)은 폴리메틸메타크릴레이트(polymethyl methacrylate:PMMA), MS(methlystylene)수지, 폴리스티렌(polystyrene:PS), 폴리프로필렌(Polypropylene:PP), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate:PET) 및 폴리카보네이트(polycarbonate:PC) 중 선택된 1종 이상의 광투과성 재료로 형성된다.The
또한, 확산판(820)의 광확산 특성을 향상시키기 위하여 확산판의 표면 일부에는 다수의 확산패턴이 형성될 수 있으며, 이러한 확산패턴은 광원에 대응되는 일부 영역에만 형성될 수도 있고, 확산판 배면 전체에 걸쳐 형성될 수도 있다.Further, in order to improve the light diffusion characteristics of the
또한, 확산판(820)의 내부에는 입사된 광을 널리 확산시키기 위하여 다수의 산란입자를 포함할 수 있다. 이러한 산란입자는 비드(Bead) 형상일 수 있으며, 산란입자의 형상, 크기 및 분포는 규칙적 또는 불규칙적일 수 있다.In addition, a plurality of scattering particles may be included in the
확산판(820) 상부에는 확산판을 통과한 광을 집광하여 표시패널(840)로 보다 균일한 면광원이 입사되도록 하는 다수의 광학시트(830)들이 배치될 수 있다.A plurality of
이러한 광학시트(830)는 집광 기능을 하는 집광시트 또는 프리즘 시트(Prism Sheet; PS)와, 광을 확산시키는 확산시트(Diffusing Sheet; DS)와, DBEF(dual brightness enhancement film)라 불리는 반사형 편광필름 등 각종 기능성 시트 들이 조합되어 구성될 수 있다.The
본 실시예에 의한 백라이트 유닛에 의하여 광을 제공받는 표시패널(840)은 액정 표시패널인 경우에는 다시 다수의 게이트 라인과 데이터 라인 및 그 교차 영역에 정의되는 픽셀(Pixel)과, 각 픽셀에서의 광투과도를 조절하기 위한 스위칭 소자인 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이 기판과, 컬러필터 및/또는 블랙매트릭스 등을 구비한 상부기판과, 그 사이에 형성되는 액정물질층을 포함하여 구성될 수 있다.The
한편, 본 발명이 적용될 수 있는 표시패널은 이러한 액정표시패널에 한정되는 것은 아니며, 백라이트 유닛이 필요한 다른 형태의 표시장치까지 포함할 수 있을 것이다.Meanwhile, the display panel to which the present invention can be applied is not limited to such a liquid crystal display panel, but may include other types of display devices requiring a backlight unit.
또한, 도시하지는 않았지만, 본 실시예에 의한 백라이트 유닛을 지지하기 위한 구조로서, 표시장치의 후면 및 측면 일부를 커버하는 금속 또는 플라스틱 재질의 백커버인 커버 버텀(Cover Bottom)과, 표시패널을 하부에서 지지하는 가이드 패널(Guide Panel)과, 표시장치의 최외곽 측면과 표시패널의 상면 가장자리를 커버하는 케이스탑(Case Top) 등이 추가로 구비될 수 있다.Although not shown, a structure for supporting the backlight unit according to the present embodiment includes a cover bottom, which is a back cover made of metal or plastic, covering a rear surface and a part of a side surface of the display device, A case top which covers the outermost side of the display device and a top edge of the display panel, and the like may be additionally provided.
즉, 본 실시예에 의한 다수의 광학 패키지를 장착한 기판(805)이 커버 버텀 또는 플레이트 버텀의 내면에 장착될 수 있다.That is, the
도 9는 본 발명의 실시예에 의한 백라이트 유닛의 평면도이도, 도 10은 본 실시예에 의한 백라이트 유닛이 사용된 경우의 광분포를 종래 구성과 비교하여 도시한다.FIG. 9 is a plan view of a backlight unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 10 shows a light distribution when a backlight unit according to the present embodiment is used, in comparison with a conventional configuration.
도 9와 같이, 본 발명의 실시예에 의한 백라이트 유닛에는 다수의 광원 패키지(400, 600)이 어레이 형태로 배치될 수 있으며, 도 9에서는 백라이트 유닛의 가로, 세로 길이가 각각 964mm, 533mm이고, 가로 10개, 세로 5개로서 총 50개의 광원 패키지가 배치된 예를 도시한다. 따라서, 도 9의 예에서, 각 광원 패키지(400, 600)는 약100mm 간격으로 배치될 수 있다.9, a plurality of light source packages 400 and 600 may be arranged in an array form in the backlight unit according to the embodiment of the present invention. In FIG. 9, the backlight unit has lengths of 964 mm and 533 mm, 10 light sources, 10 light sources, and 5 light sources, totaling 50 light source packages. Accordingly, in the example of FIG. 9, each of the light source packages 400 and 600 may be disposed at intervals of about 100 mm.
이때, 각 광원 패키지의 가로, 세로 길이(Wc)는 각각 10mm인 것으로 가정하고, 전술한 제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(660)의 크기는 가로 세로 길이가 W2인 것으로 가정한다.At this time, it is assumed that the width Wc of each light source package is 10 mm, and the size of the transreflective
도 10의 (a)는 본 실시예에 의한 반사투과형 광부재가 없는 광원 패키지가 도 9와 같이 배치된 경우의 광분포를 도시하며, 도 10의 (b)는 광학 패키지의 크기와 동일하게 10*10mm의 크기를 가지는 완전 반사타입의 광부재가 광학 패키지 상부에 배치된 경우의 광분포를 도시하며, 도 10의 (c)는 반사율 약91%, 투과율 약9%이고 광학패키지 크기(Wc)의 1.3배 크기를 가지는 본 발명의 제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(660)가 사용된 경우의 광분포를 도시한다.10 (a) shows a light distribution when the light source package without the reflective transmission type optical part according to the present embodiment is arranged as shown in Fig. 9, and Fig. 10 (b) 10 (c) shows a light distribution in the case where a completely reflective type light source having a size of 10 mm is disposed on the optical package. Fig. 10 (c) shows the light distribution when the reflectance is about 91%, the transmittance is about 9% And a reflection transmission
도 10에서와 같이, 반사투과형 광부재가 없는 일반적인 LED 칩을 배치한 경우에는 광원 패키지(LED 칩) 상부에만 강한 광이 원형으로 조사되며, 광원 패키지 사이의 공간에서는 거의 광이 조사되지 않음을 알 수 있다.(도 10의 (a))As shown in FIG. 10, when a general LED chip having no transmissive light-emitting member is disposed, strong light is irradiated only on the upper part of the light source package (LED chip), and light is hardly irradiated in the space between the light source packages (Fig. 10 (a)).
또한, 광학 패키지의 크기와 동일하게 10*10mm의 크기를 가지는 완전 반사타입의 광부재가 광학 패키지 상부에 배치된 경우(도 10의 (b))에는 도 10의 (a)에 비하여 광분포가 조금 고르게 되기는 하지만, 여전히 광원 패키지 영역과 광원 패키지 사이의 공간에서의 광강도의 차이가 크다.10 (b)), the light distribution is slightly smaller than that of FIG. 10 (a). In the case where a completely reflective type light source having a size of 10 * 10 mm, The difference in light intensity in the space between the light source package area and the light source package is still large.
반면, 도 10의 (c)와 같이, 본 발명의 실시예에 의한 반사투과형 광부재를 사용한 경우에는, 광원 패키지 부분의 광강도와 광원 패키지 사이 공간의 광강도가 거의 균일해 짐을 알 수 있다.On the other hand, in the case of using the transreflective type optical member according to the embodiment of the present invention as shown in FIG. 10 (c), it can be seen that the light intensity in the light source package portion and the light intensity in the space between the light source package become substantially uniform.
이와 같이, 본 실시예에 의한 반사투과형 광부재를 포함하는 광원 패키지를 사용하면, 광확산 렌즈 없이도 표시장치 전면으로 고른 광확산이 가능하며, 광원(LED) 패키지에 의한 점광원을 면광원으로 사용할 수 있는 효과가 있다.As described above, by using the light source package including the transflective type optical member according to this embodiment, it is possible to uniformly diffuse the light to the front of the display device without using a light diffusing lens, and to use a point light source by a light source (LED) package as a surface light source There is an effect that can be.
특히, 각 광원 패키지에 포함되는 반사투과형 광부재가 반사율 약90~99%, 투과율 약1~10%, 더 바람직하게는 반사율 91~95%, 광투과율 5~9%의 광학특성을 가지도록 함으로써, 발광부의 출사광(Ls) 중 90%이상의 광이 반사투과형 광부재에서 반사되어 반사광(Lr)을 이루어 광원 패키지 주위로 확산되며, 출사광(Ls) 중 약10% 미만의 광이 반사투과형 광부재를 관통하여 광원 패키지 상부로 향하는 투과광(Lt)을 형성하며, 이러한 반사광(Lr)과 투과광(Lt)에 의하여 광원 패키지로부터의 광이 주위에 고르게 확산될 수 있고, 따라서 점광원 형태인 광원 패키지의 발광층으로부터의 광원 패키지의 주위로 고르게 확산될 수 있는 효과가 있다. Particularly, the reflective transmissive type light-receiving part included in each light source package has optical characteristics of a reflectance of about 90 to 99%, a transmittance of about 1 to 10%, more preferably a reflectance of 91 to 95% and a light transmittance of 5 to 9% 90% or more of the outgoing light Ls of the light emitting portion is reflected by the transflective type optical member to form the reflected light Lr and diffused around the light source package. Light of about 10% or less of the outgoing light Ls is reflected by the transmissive- The light from the light source package can be uniformly diffused around the light source package by the reflected light Lr and the transmitted light Lt, There is an effect that the light can be uniformly diffused around the light source package from the light emitting layer.
이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. , Separation, substitution, and alteration of the invention will be apparent to those skilled in the art. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.
412, 422 : 제1전극층, 제2전극층
414, 424 : 제1전극, 제2전극
430 : 발광층(활성층)
440 : 광투과층(성장 기판층)
450 : 광변환 밀봉부
460, 660 : 반사투과형 광부재
662 : 모필름층
664 : 반사투과 코팅층412, 422: first electrode layer,
430: light emitting layer (active layer) 440: light transmitting layer (grown substrate layer)
450: light-converting
662: Moisture film layer 664: Transparent transmission coating layer
Claims (12)
상기 발광부 상부에 배치되는 성장 기판층으로서의 광투과층;
상기 발광부 및 광투과층의 양측면과 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부;
상기 광투과층의 상면과 상기 광변환 밀봉부의 하면 사이에 제1두께의 층상 구조로 배치되는 반사투과형 광부재;
를 포함하는 백라이트 유닛용 광원 패키지.A light emitting portion including two electrode layers and a light emitting layer disposed between the electrode layers;
A light transmitting layer as a growth substrate layer disposed on the upper portion of the light emitting portion;
A light-converting and sealing unit enclosing both side surfaces of the light-emitting unit and the light-transmitting layer and the upper surface of the light-transmitting layer;
A transreflective optical member disposed in a layered structure of a first thickness between the upper surface of the light transmission layer and the lower surface of the light conversion sealing portion;
And a light source package for a backlight unit.
상기 반사투과형 광부재는 반사율 90~99%, 광투과율 1~10%의 광학특성을 가지는 백라이트 유닛용 광원 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the reflective and transmissive light-emitting member has optical characteristics with a reflectance of 90 to 99% and a light transmittance of 1 to 10%.
상기 반사투과형 광부재는 반사율 91~95%, 광투과율 5~9%의 광학특성을 가지는 백라이트 유닛용 광원 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the reflective transmission type light member has optical characteristics with a reflectance of 91 to 95% and a light transmittance of 5 to 9%.
상기 반사투과형 광부재는 SiO2, TiO2 중 하나 이상으로 선택되는 광투과 재료와, Al, Au, Ag 중 하나 이상으로 선택되는 반사 재료가 혼합된 혼합재료로 이루어지며, 상기 제1두께는 1~20um인 백라이트 유닛용 광원 패키지.The method of claim 3,
Wherein the reflective transmissive light member is made of a mixed material in which a light transmitting material selected from at least one of SiO2 and TiO2 and a reflective material selected from at least one of Al, Au and Ag is mixed, and the first thickness is 1 to 20 um Light source package for backlight unit.
상기 발광부 상부에 배치되는 성장 기판층으로서의 광투과층;
상기 발광부 및 광투과층 양측면과 상기 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부;
상기 광변환 밀봉부 상면 상에 배치되고, 제2두께와 제2크기를 가지는 필름 구조의 반사투과형 광부재;
를 포함하는 백라이트 유닛용 광원 패키지.A light emitting portion including two electrode layers and a light emitting layer disposed between the electrode layers;
A light transmitting layer as a growth substrate layer disposed on the upper portion of the light emitting portion;
A light transducing sealing portion surrounding both the light emitting portion and the light transmitting layer, and the upper surface of the light transmitting layer;
A transflective optical member of a film structure disposed on an upper surface of the light conversion encapsulation portion and having a second thickness and a second size;
And a light source package for a backlight unit.
상기 반사투과형 광부재는 반사율 90~99%, 광투과율 1~10%의 광학특성을 가지는 백라이트 유닛용 광원 패키지.6. The method of claim 5,
Wherein the reflective and transmissive light-emitting member has optical characteristics with a reflectance of 90 to 99% and a light transmittance of 1 to 10%.
상기 반사투과형 광부재는 반사율 91~95%, 광투과율 5~9%의 광학특성을 가지는 백라이트 유닛용 광원 패키지.6. The method of claim 5,
Wherein the reflective transmission type light member has optical characteristics with a reflectance of 91 to 95% and a light transmittance of 5 to 9%.
상기 반사투과형 광부재는 제2-1두께를 가지는 광투과성 모필름층과, 상기 모필름층의 적어도 일면에 배치되고 제2-2두께를 가지는 반사투과 코팅층을 포함하며, 상기 반사투과 코팅층은 SiO2, TiO2 중 하나 이상으로 선택되는 광투과 재료와, Al, Au, Ag 중 하나 이상으로 선택되는 반사 재료가 혼합된 혼합재료로 이루어지는 백라이트 유닛용 광원 패키지.8. The method of claim 7,
Wherein the reflective transmissive coating layer comprises a light transmissive parent film layer having a thickness of 2-1 and a reflective transmissive coating layer disposed on at least one side of the parent film layer and having a thickness of 2-2, TiO2, and a reflective material selected from at least one of Al, Au, and Ag.
상기 모필름층의 제2-1두께는 0.75~1.25mm이고, 상기 반사투과 코팅층의 제2-2 두께는 20~60um인 백라이트 유닛용 광원 패키지.9. The method of claim 8,
Wherein the second layer thickness of the mother film layer is 0.75 to 1.25 mm and the second layer thickness of the reflective coating layer is 20 to 60 um.
상기 반사투과형 광부재의 제2크기는 상기 광변환 밀봉부 상면 넓이의 100~200%인 백라이트 유닛용 광원 패키지.10. The method of claim 9,
Wherein the second size of the transreflective type optical member is 100 to 200% of the top surface width of the light conversion encapsulation unit.
상기 다수의 광원 패키지를 장착하기 위한 기판;
상기 다수의 광원 패키지와 이격되어 상기 다수의 광원 패키지 상부에 배치되는 확산판;
상기 확산판 상에 배치되는 1 이상의 광학시트;
를 포함하는 백라이트 유닛.A light emitting portion including a light emitting layer disposed between the two electrode layers and the electrode layer; a light transmitting layer as a growth substrate layer disposed on the light emitting portion; and a light emitting portion surrounding the light emitting portion and both sides of the light transmitting layer, And a transreflective type optical member disposed at an upper portion of the light conversion sealing portion or above the light conversion sealing portion and having an optical characteristic of 90 to 99% reflectance and 1 to 10% light transmittance, A plurality of light source packages;
A substrate for mounting the plurality of light source packages;
A diffusion plate spaced apart from the plurality of light source packages and disposed on the plurality of light source packages;
At least one optical sheet disposed on the diffuser plate;
.
상기 기판 상에는 상기 반사투과형 광부재로부터 반사된 광을 재반사하는 기저반사부가 배치되는 백라이트 유닛.12. The method of claim 11,
And a base reflector for re-reflecting light reflected from the transreflective type optical member is disposed on the substrate.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020150113323A KR102371290B1 (en) | 2015-08-11 | 2015-08-11 | Light-Emitting Package and Backlight Unit having the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| WO2022131647A1 (en) * | 2020-12-17 | 2022-06-23 | 삼성전자주식회사 | Led chip and display apparatus including same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102371290B1 (en) | 2022-03-08 |
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