KR20170017424A - Silicon carbide powder, method of fabrication the same and silicon carbide single crystal - Google Patents
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Abstract
Description
실시예는 탄화규소 분말, 이의 제조방법 및 탄화규소 단결정에 대한 것이다.The examples relate to a silicon carbide powder, a production method thereof, and a silicon carbide single crystal.
탄화규소 분말은 최근에 다양한 전자 소자 및 목적을 위한 반도체 재료로서 사용되고 있다. 탄화규소 분말은 특히 물리적 강도 및 화학적 공격에 대한 높은 내성으로 인해 유용하다. 탄화규소 분말은 또한 방사 경도(radiation hardness), 비교적 넓은 밴드갭, 높은 포화 전자 드리프트 속도(saturated electron drift velocity), 높은 조작 온도, 및 스펙트럼의 청색(blue), 보라(violet), 및 자외(ultraviolet) 영역에서의 높은 에너지 양자의 흡수 및 방출을 포함하는 우수한 전자적 성질을 가진다.Silicon carbide powder has recently been used as a semiconductor material for various electronic devices and purposes. Silicon carbide powders are particularly useful due to their physical strength and high resistance to chemical attack. Silicon carbide powders can also be used in a variety of applications including, but not limited to, radiation hardness, a relatively wide bandgap, a high saturated electron drift velocity, a high operating temperature, and a blue, violet, and ultraviolet Quot;) < / RTI > region.
탄화규소 분말의 제조방법으로는 다양한 방법이 있으며, 일례로, 애치슨법, 탄소열환원공법, 액상고분자열분해법 또는 CVD 공법 등을 이용하고 있다. 특히 고순도의 탄화규소 분말 합성 공법은 액상고분자열분해법 또는 탄소열환원공법을 이용하고 있다.The silicon carbide powder may be produced by a variety of methods, for example, the Acheson method, the carbon thermal reduction method, the liquid polymer thermal decomposition method, or the CVD method. Particularly, the high-purity silicon carbide powder synthesis method uses a liquid phase polymer decomposition method or a carbon thermal reduction method.
즉, 탄소원과 규소원의 재료를 혼합하고, 혼합물을 탄화공정 및 합성 공정을 진행하여 탄화규소 분말을 합성할 수 있다. That is, the silicon carbide powder can be synthesized by mixing the carbon source and the silicon source material, and performing the carbonization process and the synthesis process of the mixture.
이러한 탄화규소 분말은 용도에 따라 다양한 입도가 요구된다. 예를 들어, 탄화규소 단결정 성장시에는 입도가 큰 분말이 요구된다.These silicon carbide powders are required to have various particle sizes depending on the application. For example, when a silicon carbide single crystal is grown, a powder having a large grain size is required.
또한, 탄화규소 단결정 성장시 결함(defect)을 감소시키기 위해, 탄화규소 분말의 고순도가 요구된다.In addition, high purity of silicon carbide powder is required in order to reduce defects in the growth of silicon carbide single crystals.
이에 따라, 탄화규소 단결정 성장시 원료가 되는 탄화규소 분말을 효율적으로 제조할 수 있는 방법이 요구된다.Accordingly, there is a demand for a method capable of efficiently producing silicon carbide powder as a raw material in the growth of silicon carbide single crystal.
실시예는 고순도를 가지고 큰 입경을 가지는 탄화규소 분말 및 이에 의해 제조되는 탄화규소 단결정을 제공하고자 한다.The embodiment is intended to provide a silicon carbide powder having a high purity and a large particle diameter and a silicon carbide single crystal produced thereby.
실시예에 따른 탄화규소 분말 제조방법은, 탄소원 및 규소원을 혼합하여 혼합물을 형성하고, 상기 혼합물을 가열하여 제 1 탄화규소 분말을 제조하는 단계; 및 상기 1 탄화규소 분말을 입성장하여 제 2 탄화규소 분말을 제조하는 단계를 포함하고, 상기 제 2 탄화규소 분말을 제조하는 단계는 1700℃ 내지 2200℃의 온도에서 5℃/min를 초과하는 승온 속도로 진행된다.The method of manufacturing a silicon carbide powder according to an embodiment includes the steps of: mixing a carbon source and a silicon source to form a mixture, and heating the mixture to produce a first silicon carbide powder; And the step of granulating the silicon carbide powder to produce a second silicon carbide powder, wherein the step of preparing the second silicon carbide powder comprises heating the silicon carbide powder at a temperature of 1700 ° C to 2200 ° C at a temperature higher than 5 ° C / min Speed.
실시예에 따른 탄화규소 분말은 제 1 탄화규소 분말을 입성장하여 제 2 탄화규소 분말을 제조할 때, 승온 속도를 증가시킴으로써, 베타상에서 변환되는 알파상의 핵의 수를 적절하게 제어할 수 있다.The silicon carbide powder according to the embodiment can appropriately control the number of alpha phase nuclei converted on the beta phase by increasing the heating rate when the first silicon carbide powder is granulated to produce the second silicon carbide powder.
이에 따라, 상기 알파상의 핵에서 입성장되는 탄화규소 분말의 입경을 증가시킬 수 있다.Accordingly, it is possible to increase the particle diameter of the silicon carbide powder grain-grown in the alpha phase nucleus.
또한, 승온 속도를 증가시킴으로써, 승온 구간의 시간을 감소시킬 수 있어 공정 효율을 향상시킬 수 있다.Further, by increasing the temperature raising rate, the time of the temperature raising period can be reduced, and the process efficiency can be improved.
또한, 실시예에 따른 탄화규소 분말을 이용하여 탄화규소 단결정을 성장시킬 때, 도가니 내 충진량을 향상시켜 공정 효율을 향상시킬 수 있고, 표면 결함을 감소시킬 수 있어 탄화규소 단결정의 품질을 향상시킬 수 있다.Further, when the silicon carbide single crystal is grown using the silicon carbide powder according to the embodiment, the filling amount in the crucible can be improved to improve the process efficiency, the surface defect can be reduced, and the quality of the silicon carbide single crystal can be improved have.
도 1은 실시예에 따른 탄화규소 분말 제조 방법의 공정 흐름도를 설명하기 위한 도면이다.
도 2 및 도 3은 실시예에 따른 탄화규소 분말 제조 방법에서 제 2 탄화규소 분말 공정의 온도 그래프를 설명하기 위한 도면이다.
도 4 및 도 5는 실시예에 따른 탄화규소 분말 제조 방법에서 제 2 탄화규소 분말 공정에서 입성장 공정을 비교하기 위한 도면이다.
도 6 및 도 7은 실시예 및 비교예에 따른 탄화규소 분말의 SEM 사진을 도시한 도면이다.
도 8은 실시예에 따른 탄화규소 분말을 이용하는 단결정 성장장치를 도시한 도면이다.1 is a view for explaining a process flow chart of a method for producing silicon carbide powder according to an embodiment.
FIGS. 2 and 3 are views for explaining the temperature graph of the second silicon carbide powder process in the method for producing silicon carbide powder according to the embodiment.
FIGS. 4 and 5 are views for comparing the grain growth process in the second silicon carbide powder process in the method for producing silicon carbide powder according to the embodiment.
6 and 7 are SEM photographs of the silicon carbide powder according to Examples and Comparative Examples.
8 is a view showing a single crystal growing apparatus using the silicon carbide powder according to the embodiment.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under" Quot; includes all that is formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 탄화규소 분말 제조방법은, 제 1 탄화규소 분말을 제조하는 단계(ST10) 및 제 2 탄화규소 분말을 제조하는 단계(ST20)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a method of manufacturing a silicon carbide powder according to an embodiment may include a step ST10 of producing a first silicon carbide powder and a step ST20 of producing a second silicon carbide powder.
상기 제 1 탄화규소 분말을 제조하는 단계(ST10)에서는 미립의 탄화규소 분말을 제조할 수 있다. 자세하게, 약 0.01㎛ 내지 약 20㎛의 입경을 가지는 탄화규소 분말을 제조할 수 있다. In the step (ST10) of producing the first silicon carbide powder, fine silicon carbide powder can be produced. In detail, a silicon carbide powder having a particle diameter of about 0.01 mu m to about 20 mu m can be produced.
상기 제 1 탄화규소 분말은 탄소원(C source)과 규소원(Si source)을 혼합하여 제조될 수 있다. 상기 규소원은 규소를 제공할 수 있는 다양한 물질을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 규소원은 실리카(silica)를 포함할 수 있다. 또한, 실리카 이외에도, 상기 규소원으로는 실리카 분말, 실리카 솔(sol), 실리카 겔(gel), 석영 분말 등이 이용될 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 규소를 포함하는 유기 규소 화합물을 규소원으로 사용할 수 있다. The first silicon carbide powder may be prepared by mixing a carbon source (C source) and a silicon source (Si source). The silicon source may include various materials capable of providing silicon. For example, the silicon source may comprise silica. In addition to the silica, the silica source may be silica powder, silica sol, silica gel, quartz powder, or the like. However, the embodiment is not limited thereto, and an organosilicon compound containing silicon may be used as a silicon source.
또한, 상기 탄소원은 고체 탄소원 또는 유기 탄소 화합물을 포함할 수 있다. In addition, the carbon source may include a solid carbon source or an organic carbon compound.
상기 고체 탄소원으로는 흑연(graphite), 카본 블랙(carbon black), 카본 나노 튜브(carbon nano tube, CNT) 및 풀러렌(fullerene, C60) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The solid carbon source may include at least one of graphite, carbon black, carbon nano tube (CNT), and fullerene (C 60 ).
상기 유기 탄소 화합물로는 페놀(penol), 프랑(franc), 자일렌(xylene), 폴리이미드(polyimide), 폴리우레탄(polyunrethane), 폴리비닐알콜(polyvinyl alcohol), 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile), 및 폴리비닐아세테이트 (poly (vinyl acetate)) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그 외에도 셀룰로오스(cellulose), 제당, 피치(pitch) 또는 타르(tar) 등을 포함할 수 있다. Examples of the organic carbon compounds include phenol, franc, xylene, polyimide, polyunrethane, polyvinyl alcohol, polyacrylonitrile, And polyvinyl acetate (poly (vinyl acetate)). Cellulose, sugar, pitch, or tar, and the like.
이러한 탄소원과 규소원을 용매를 이용한 습식 혼합 공정 또는 용매를 이용하지 않은 건식 혼합 공정으로 탄소원과 규소원을 혼합할 수 있다. The carbon source and the silicon source can be mixed by a wet mixing process using a solvent or a dry mixing process without using a solvent.
이러한 규소원과 탄소원은 볼 밀(ball mill), 어트리션 밀(attrition bill) 등의 방법으로 혼합하여 혼합 분말을 회수한다. 혼합 분말은 체(sieve)에 의해 걸려져서 회수될 수 있다. These silicon sources and carbon sources are mixed by a method such as ball mill, attrition bill or the like to recover the mixed powder. The mixed powder can be recovered by being caught by a sieve.
상기 규소원 및 상기 탄소원은 일정한 비율로 혼합될 수 있다. 예를 들어, 규소원에 포함된 규소에 대한 탄소원에 포함된 탄소의 몰(mole)비(이하 “규소에 대한 탄소의 몰비”)는 약 1:1.5 내지 약 1:3 일 수 있다. 규소에 대한 탄소의 몰비가 약 3을 초과하는 경우에는 탄소의 양이 많아 반응에 참여하지 않고 잔류하는 잔류 탄소의 양이 많아져서 회수율을 저하시킬 수 있다. 그리고 규소에 대한 탄소의 몰비가 약 1.5 미만인 경우에는 규소의 양이 많아 반응에 참여하지 않고 잔류하는 잔류 규소의 양이 많아져서 회수율을 저하시킬 수 있다. 즉 상기 규소에 대한 탄소의 몰비는 회수율을 고려하여 결정된 것이다.The silicon source and the carbon source may be mixed at a certain ratio. For example, the mole ratio of carbon contained in the carbon source to silicon contained in the silicon source (hereinafter referred to as " mole ratio of carbon to silicon ") may be from about 1: 1.5 to about 1: 3. When the molar ratio of carbon to silicon is more than about 3, the amount of carbon is large, so that the amount of residual carbon remaining does not participate in the reaction and the recovery rate may be lowered. When the molar ratio of carbon to silicon is less than about 1.5, the amount of residual silicon remaining in the reaction does not participate in the reaction due to a large amount of silicon, which may reduce the recovery rate. That is, the molar ratio of carbon to silicon is determined in consideration of the recovery rate.
이때, 상기 규소원이 반응 단계의 고온에서 기체 상태로 휘발되는 것을 고려하여, 규소에 대한 탄소의 몰비를 약 1.8 내지 약 2.7로 할 수 있다.At this time, considering that the silicon source volatilizes in a gaseous state at a high temperature in the reaction step, the molar ratio of carbon to silicon may be about 1.8 to about 2.7.
이어서, 합성 단계를 거친다. 즉, 상기 규소원과 탄소원을 혼합한 혼합 분말을 가열하여 제 1 탄화규소 분말을 형성할 수 있다. 상기 합성 단계는 탄화(carbonization) 공정 및 합성(synthesis) 공정으로 구분될 수 있다.Then, a synthesis step is carried out. That is, the mixed powder containing the silicon source and the carbon source may be heated to form the first silicon carbide powder. The synthesis step may be divided into a carbonization step and a synthesis step.
상기 탄화 공정에서는 상기 유기 탄소 화합물이 탄화되어 탄소가 생성될 수 있다. 상기 탄화 공정은 약 600℃ 내지 약 1200℃의 온도에서 진행될 수 있다. 더 자세하게, 상기 탄화 공정은 약 800℃ 내지 약 1100℃의 온도에서 진행될 수 있다. 상기 고체 탄소원을 탄소원으로 사용하는 경우에는 상기 탄화공정은 진행되지 않을 수 있다.In the carbonization process, the organic carbon compound may be carbonized to generate carbon. The carbonization process may be performed at a temperature of about 600 ° C to about 1200 ° C. More specifically, the carbonization process may proceed at a temperature of about 800 ° C to about 1100 ° C. When the solid carbon source is used as a carbon source, the carbonization process may not proceed.
이후, 상기 합성 공정이 진행된다. 상기 합성 공정에서는 상기 규소원과 고체 탄소원이 반응하거나 또는 상기 규소원과 상기 유기 탄소 화합물이 반응하여, 아래의 반응식 1 및 2의 단계에 따른 반응식 3의 전체 반응식에 의하여 탄화규소 분말이 형성될 수 있다. Thereafter, the above-described synthesis process proceeds. In the synthesis step, the silicon source reacts with the solid carbon source, or the silicon source reacts with the organic carbon compound, and the silicon carbide powder may be formed according to the overall reaction formula of the reaction formula 3 according to the following reaction formulas 1 and 2 have.
[반응식 1][Reaction Scheme 1]
SiO2(s) + C(s) -> SiO(g) + CO(g) SiO2 (s) + C (s) - > SiO (g) + CO (g)
[반응식 2][Reaction Scheme 2]
SiO(g) + 2C(s) -> SiC(s) + CO(g)SiO (g) + 2C (s) - > SiC (s) + CO (g)
[반응식 3][Reaction Scheme 3]
SiO2(s) + 3C(s) -> SiC(s) + 2CO(g) SiO2 (s) + 3C (s) - > SiC (s) + 2CO (g)
상술한 바와 같은 반응이 원활하게 일어날 수 있도록 가열 온도는 약 1300℃ 이상일 수 있다. 이때, 가열 온도를 약 1300℃ 내지 약 1700℃로 함으로써 제조되는 탄화규소 분말이 저온 안정상인 베타상을 가지도록 할 수 있다. 이러한 베타상은 미세한 입자로 이루어져서 탄화규소 분말의 강도 등을 향상할 수 있다.The heating temperature may be about 1300 ° C or higher so that the reaction as described above can be smoothly performed. At this time, it is possible to make the silicon carbide powder to have a beta phase, which is a low-temperature stable phase, by setting the heating temperature to about 1300 ° C to about 1700 ° C. Such a beta phase is formed of fine particles, which can improve the strength and the like of the silicon carbide powder.
상기와 같은 제조 공정에 의해 약 0.1㎛ 내지 약 20㎛의 입도를 가지는 미립의 제 1 탄화규소 분말을 제조할 수 있다.
The first silicon carbide powder having a particle size of about 0.1 mu m to about 20 mu m can be produced by the above-described manufacturing process.
이어서, 상기 제 2 탄화규소 분말을 제조하는 단계(ST20)에서는 상기 제 1 탄화규소 분말을 일정한 온도 및 압력에서 반응시킬 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 탄화규소 분말을 일정한 온도 및 압력에서 반응시켜, 상기 제 1 탄화규소 분말을 입성장시킬 수 있다.Next, in the step of preparing the second silicon carbide powder (ST20), the first silicon carbide powder may be reacted at a constant temperature and pressure. In detail, the first silicon carbide powder may be allowed to react with the first silicon carbide powder at a constant temperature and pressure.
자세하게, 상기 제 2 탄화규소 분말은 상기 제 1 탄화규소 분말을 약 1700℃ 내지 약 2200℃의 온도에서 반응시켜 제조될 수 있다. 또한, 상기 1차 탄화규소 분말은 약 1000mbar 내지 약 1200mbar의 압력에서 반응될 수 있다.In detail, the second silicon carbide powder can be produced by reacting the first silicon carbide powder at a temperature of about 1700 ° C to about 2200 ° C. The primary silicon carbide powder may also be reacted at a pressure of from about 1000 mbar to about 1200 mbar.
즉, 상기 제 2 탄화규소 분말은 상기 1차 탄화규소 분말을 약 1700℃ 내지 약 2200℃의 온도 및 약 1000mbar 내지 약 1200mbar의 압력에서 반응시켜 입성장시킴으로서 제조될 수 있다.That is, the second silicon carbide powder can be prepared by reacting the primary silicon carbide powder at a temperature of about 1700 ° C. to about 2200 ° C. and a pressure of about 1000 mbar to about 1200 mbar.
상기 제 2 탄화규소 분말을 제조하는 단계(ST20)는 일정한 범위의 승온 속도에서 진행될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 탄화규소 분말을 제조하는 단계(ST20)는 상기 제 1 탄화규소 분말을 약 1700℃ 내지 약 2200℃의 온도에서 약 5℃/min를 초과하는 승온 속도로 온도가 증가될 수 있다.The step (ST20) of producing the second silicon carbide powder may proceed at a temperature raising rate within a certain range. In detail, the step (ST20) of producing the second silicon carbide powder may increase the temperature of the first silicon carbide powder at a temperature of about 1700 DEG C to about 2200 DEG C at a temperature increase rate exceeding about 5 DEG C / min .
자세하게, 상기 제 2 탄화규소 분말을 제조하는 단계(ST20)는 상기 제 1 탄화규소 분말을 약 1700℃ 내지 약 2200℃의 온도에서 약 5℃/min를 초과하고 30℃/min 미만의 승온 속도로 입성장시킬 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 탄화규소 분말을 제조하는 단계(ST20)는 상기 제 1 탄화규소 분말을 약 1700℃ 내지 약 2200℃의 온도에서 약 10℃/min 내지 약 20℃/min의 승온 속도로 입성장시킬 수 있다In detail, the step (ST20) of producing the second silicon carbide powder may be performed by heating the first silicon carbide powder at a temperature of about 1700 DEG C to about 2200 DEG C at a rate of more than about 5 DEG C / min and less than 30 DEG C / The mouth can be grown. In more detail, the step (ST20) of producing the second silicon carbide powder may be performed by heating the first silicon carbide powder at a temperature of about 1700 DEG C to about 2200 DEG C at a rate of about 10 DEG C / min to about 20 DEG C / min Can grow
상기 승온 속도가 약 5℃/min 이하인 경우, 승온 시간이 길어지게 되고, 이에 따라, 베타(β)상의 탄화규소 분말이 기화되어 재결정화되는 알파(α)상의 탄화규소 분말 핵이 많아지게 되어 제 2 탄화규소 분말의 입경이 감소될 수 있다.When the temperature raising rate is about 5 ° C / min or less, the temperature raising time becomes longer, and the silicon carbide powder on the beta (beta) phase is vaporized and recrystallized, 2 particle size of the silicon carbide powder can be reduced.
또한, 상기 승온 속도가 약 30℃/min를 초과하는 경우, 승온 시간이 길어지게 되고, 이에 따라, β상의 탄화규소 분말이 기화되어 재결정화되는 α상의 탄화규소 분말 핵이 너무 적어지게 되어, α상의 탄화규소 분말의 양이 감소될 수 있다.When the heating rate is more than about 30 ° C / min, the temperature rise time becomes long. Accordingly, the α-phase silicon carbide powder nuclei which are recrystallized by vaporization of the β-phase silicon carbide powder becomes too small, The amount of silicon carbide powder on the substrate can be reduced.
도 2 및 도 3은 승온 속도에 따른 탄화규소 분말 제조 공정의 온도-시간 그래프를 도시한 도면이다.2 and 3 are graphs showing temperature-time graphs of the silicon carbide powder production process according to the heating rate.
도 2를 참조하면, 실시예에 따른 탄화규소 분말 제조공정에서 제 2 탄화규소 분말은 승온 구간이 도 3의 제 2 탄화규소 분말의 승온 구간보다 가파른 것을 알 수 있다. 자세하게, 도 2는 승온 속도가 5℃/min를 초과하는 제 2 탄화규소 분말의 제조 공정이고, 도 3은 승온 속도가 5℃/min 이하인 제 2 탄화규소 분말의 제조 공정이다.Referring to FIG. 2, in the silicon carbide powder manufacturing process according to the embodiment, the temperature of the second silicon carbide powder is higher than that of the second silicon carbide powder of FIG. 3. 2 is a process for producing a second silicon carbide powder having a temperature raising rate exceeding 5 캜 / min, and Fig. 3 is a process for producing a second silicon carbide powder having a temperature raising rate of 5 캜 / min or less.
즉, 실시예에 따른 제 2 탄화규소 분말은 승온 구간에서 승온 속도를 증가시킴으로써, 단시간에 고온으로 증가시키는 것을 알 수 있다.That is, it can be seen that the second silicon carbide powder according to the embodiment increases the temperature to a high temperature in a short time by increasing the heating rate in the temperature rising period.
즉, 도 2 및 도 3을 참조하면, 도 2 및 도 3은 입성장 구간까지의 온도는 동일 또는 유사하나, 승온 구간의 승온 속도 및 시간은 상이한 것을 알 수 있다. 즉, 실시예에 따른 제 2 탄화규소 분말은 승온 구간에서 승온 속도가 더 높고, 승온 구산의 시간이 짧은 것을 알 수 있다.2 and 3, the temperatures up to the grain growth period are the same or similar to each other in FIG. 2 and FIG. 3, but the temperature raising rate and time of the temperature raising section are different. That is, it can be seen that the second silicon carbide powder according to the embodiment has a higher heating rate and a shorter heating-up period in the heating temperature range.
도 4 및 도 5 는 도 2 및 도 3의 탄화규소 분말의 제조공정에 따른 승온 구간과 입성장 구간에서의 제 1 탄화규소 분말의 제 2 탄화규소 분말로의 전환 과정을 설명하기 위한 도면이다.FIGS. 4 and 5 are views for explaining the conversion process of the first silicon carbide powder into the second silicon carbide powder in the temperature rising period and the grain growth period according to the manufacturing process of the silicon carbide powder of FIGS. 2 and 3.
도 4는 도 2의 탄화규소 분말의 제조공정에 따른 승온 구간과 입성장 구간에서의 제 1 탄화규소 분말의 제 2 탄화규소 분말로의 전환 과정을 도시한 도면이다. FIG. 4 is a view showing a process of converting the first silicon carbide powder into the second silicon carbide powder in the temperature rising period and the grain growth period according to the manufacturing process of the silicon carbide powder of FIG. 2. FIG.
도 2를 참조하면, 실시예에 따른 탄화규소 분말은 제 2 탄화규소 분말의 승온 구간에서 승온 속도가 크고 승온 시간이 짧은 것을 알 수 있다. 이에 따라, 베타(β)상의 제 1 탄화규소 분말이 기화되어 재결정화되는 알파(α)상의 핵의 수가 적은 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 2, it can be seen that the silicon carbide powder according to the embodiment has a high heating rate and a short heating time in the temperature rising period of the second silicon carbide powder. As a result, it can be seen that the number of nuclei on the alpha (alpha) phase in which the first silicon carbide powder on the beta (beta) phase is vaporized and recrystallized is small.
이에 따라, 입성장 구간에서는 적은 수의 알파(α)상의 핵에서 탄화규소 가스가 집중되어 입성장되는 알파(α)상의 제 1 탄화규소 분말의 입경을 크게할 수 있는 것을 알 수 있다.Accordingly, it can be seen that the grain size of the first silicon carbide powder on the alpha phase is increased by concentrating the silicon carbide gas in a small number of alpha phase phases in the grain growth period.
반면에, 도 5는 도 3의 탄화규소 분말의 제조공정에 따른 승온 구간과 입성장 구간에서의 제 1 탄화규소 분말의 제 2 탄화규소 분말로의 전환 과정을 도시한 도면이다. FIG. 5 is a view showing a process of converting the first silicon carbide powder into the second silicon carbide powder in the temperature rising period and the grain growth period according to the manufacturing process of the silicon carbide powder of FIG.
도 5를 참조하면, 비교예에 따른 탄화규소 분말은 제 2 탄화규소 분말의 승온 구간에서 승온 속도가 작고 승온 시간이 긴 것을 알 수 있다. 이에 따라, 베타(β)상의 제 1 탄화규소 분말이 기화되어 재결정화되는 알파(α)상의 핵의 수가 실시예에 비해 많은 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 5, it can be seen that the silicon carbide powder according to the comparative example has a low heating rate and a long heating time in the temperature rising period of the second silicon carbide powder. As a result, it can be seen that the number of nuclei on the alpha (alpha) phase in which the first silicon carbide powder on the beta (beta) phase is vaporized and recrystallized is larger than in the embodiment.
이에 따라, 입성장 구간에서는 많은 수의 알파(α)상의 핵에서 입성장되므로, 실시예에 따른 알파(α)상의 제 2 탄화규소 분말에 비해 입경을 작아질 수 있는 것을 알 수 있다.Accordingly, it can be seen that the grain size can be reduced as compared with the alpha-phase second silicon carbide powder according to the embodiment because it is naturally grown in a large number of alpha (alpha) phase nuclei during the grain growth period.
실시예에 따른 탄화규소 분말 즉, 상기 공정에 따라 제 1 탄화규소 분말에 입성장되는 제 2 탄화규소 분말의 입경은 약 500㎛ 이상일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 탄화규소 분말의 입경은 약 500㎛ 내지 1500㎛일 수 있다.The silicon carbide powder according to the embodiment, that is, the second silicon carbide powder to be ingrown into the first silicon carbide powder according to the above process, may have a particle diameter of about 500 μm or more. In detail, the particle diameter of the second silicon carbide powder may be about 500 탆 to 1500 탆.
또한, 실시예에 따른 탄화규소 분말의 불순물은 약 1ppm 이하일 수 있다.The impurities of the silicon carbide powder according to the embodiment may be about 1 ppm or less.
또한, 실시예에 따른 탄화규소 분말은 알파(α)상 탄화규소 분말 및 베타(β)상 탄화규소 분말의 중량% 비가 90:10 내지 99:1일 수 있다.In addition, the silicon carbide powder according to the embodiment may have a weight% ratio of the alpha (alpha) phase silicon carbide powder and the beta (beta) phase silicon carbide powder of 90:10 to 99: 1.
즉, 실시예에 따른 탄화규소 분말은 알파(α)상과 베타(β)상의 탄화규소 분말을 모두 포함하고, 중량%비는 상기 범위와 같을 수 있다.
That is, the silicon carbide powder according to the embodiment includes both the alpha (alpha) phase and beta (beta) phase silicon carbide powder, and the weight% ratio may be the same as the above range.
이하, 실시예들 및 비교예들에 따른 탄화규소 분말의 제조 방법을 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 이러한 실시예는 본 발명을 좀더 상세하게 설명하기 위하여 예시로 제시한 것에 불과하다. 따라서 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the methods for producing silicon carbide powder according to Examples and Comparative Examples. These embodiments are merely illustrative of the present invention in order to explain the present invention in more detail. Therefore, the present invention is not limited to these embodiments.
실시예 1Example 1
10g의 퓸드 실리카(fumed silica) 및 10g의 페놀수지를 혼합하여 혼합물을 형성하였다. 또한 원료는 도가니 500φ × 100H에 6㎏을 투입하였다.10 g of fumed silica and 10 g of phenolic resin were mixed to form a mixture. In addition, 6 kg of the raw material was put into a crucible 500? X 100H.
혼합장치는 임펠러가 설치된 장치로 임펠러 속도를 200 rpm으로 5시간 작동하여 혼합하였다.The mixing device was operated with the impeller speed of 200 rpm for 5 hours with the impeller installed.
이후, 상기 혼합물을 승온 온도를 3℃/min으로 하여 약 850℃의 온도에서 2시간 동안 탄화공정으로 거쳐, 승온 온도를 5℃/min으로 하여 약 1650℃의 온도에서 약 3시간 동안 합성공정을 거쳐, 미립의 3C 결정상을 가지는 제 1 탄화규소 분말을 제조하였다.Thereafter, the mixture was subjected to a carbonization process at a temperature of 3 ° C / min at a temperature of about 850 ° C for 2 hours and a synthesis process at a temperature of about 1650 ° C at a temperature of 5 ° C / min for about 3 hours Thus, a first silicon carbide powder having a fine 3C crystal phase was prepared.
이어서, 상기 1차 탄화규소 분말을 아르곤(Ar) 분위기에서, 승온 온도를 10℃/min으로 하여 약 2200℃의 온도 및 약 1050mbar에서 약 5시간 동안 유지하여 제 1 탄화규소 분말을 입성장하여 제 2 탄화규소 분말을 제조하였다.
Then, the primary silicon carbide powder was maintained in an argon (Ar) atmosphere at a temperature of about 10 ° C./min at a temperature of about 2200 ° C. and at a temperature of about 1050 mbar for about 5 hours to ingest the first silicon carbide powder, 2 silicon carbide powder.
실시예 2Example 2
제 1 탄화규소 분말의 승온 온도가 20℃/min이었다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제 2 탄화규소 분말을 제조하였다.
A second silicon carbide powder was prepared in the same manner as in Example 1, except that the temperature of the first silicon carbide powder was raised at a rate of 20 ° C / min.
비교예 1Comparative Example 1
제 1 탄화규소 분말의 승온 온도가 1.5℃/min이었다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제 2 탄화규소 분말을 제조하였다.
A second silicon carbide powder was prepared in the same manner as in Example 1, except that the temperature of the first silicon carbide powder was raised at a rate of 1.5 ° C / min.
비교예 2Comparative Example 2
제 1 탄화규소 분말의 승온 온도가 5℃/min이었다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제 2 탄화규소 분말을 제조하였다.
A second silicon carbide powder was prepared in the same manner as in Example 1, except that the temperature of the first silicon carbide powder was raised at a rate of 5 ° C / min.
비교예 3Comparative Example 3
제 1 탄화규소 분말의 승온 온도가 30℃/min이었다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제 2 탄화규소 분말을 제조하였다.
A second silicon carbide powder was prepared in the same manner as in Example 1, except that the temperature of the first silicon carbide powder was raised at a rate of 30 ° C / min.
이어서, 실시예 1, 2와 비교예 1 내지 3에 의해 제조되는 제 2 탄화규소 분말의 입자크기(입경), 신포, 결정상(알파상의 비율) 및 불순물의 농도를 측정하였다.
Then, the particle size (particle diameter), the shinpole, the crystalline phase (alpha phase ratio) and the concentration of impurities of the second silicon carbide powder produced by Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 were measured.
Impurities (ppm)
(D50, ㎛)
Particle size
(D50, 占 퐉)
(D90/D10)
Scatter
(D90 / D10)
(알파상의 비율)
Crystalline phase
(Ratio of alpha phase)
표 1 및 도 6을 참조하면, 실시예 1 및 실시예 2에 따른 탄화규소 분말의 입경은 약 500㎛ 이상인 것을 알 수 있다.Referring to Table 1 and FIG. 6, it can be seen that the particle size of the silicon carbide powder according to Examples 1 and 2 is about 500 μm or more.
또한, 실시예 1 내지 실시예 2에 따른 탄화규소 분말은 불순물 즉, 알루미늄, 붕소, 티타늄 및 바나듐을 포함하는 불순물의 농도가 약 1ppm 이하인 것을 알 수 있다.It is also understood that the silicon carbide powder according to Examples 1 to 2 has an impurity concentration of about 1 ppm or less, that is, impurities including aluminum, boron, titanium, and vanadium.
또한, 실시예 1 내지 실시예 2에 따른 탄화규소 분말은 알파상의 비율이 약 98%인 것을 알 수 있다. 즉, 알파상과 베타상의 비율이 98:2인 것을 알 수 있다.
In addition, it can be seen that the silicon carbide powder according to Examples 1 to 2 had an alpha phase ratio of about 98%. That is, the ratio of the alpha phase to the beta phase is 98: 2.
반면에, 표 1 및 도 7을 참조하면, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 탄화규소 분말의 입경은 약 500㎛ 미만인 것을 알 수 있다.On the other hand, referring to Table 1 and FIG. 7, it can be seen that the particle diameter of the silicon carbide powder according to Comparative Example 1 and Comparative Example 2 is less than about 500 占 퐉.
또한, 표 1을 참조하면, 비교예 3에 따른 탄화규소 분말의 입경은 알파상의 비율이 약 88%인 것을 알 수 있다. 즉, 알파상과 베타상의 비율이 88:12인 것을 알 수 있다.
Further, referring to Table 1, it can be seen that the particle size of the silicon carbide powder according to Comparative Example 3 is about 88% in the ratio of the alpha phase. That is, the ratio of the alpha phase to the beta phase is 88:12.
즉, 실시예에 따른 탄화규소 분말은 제 1 탄화규소 분말은 입성장하여 제 2 탄화규소 분말을 제조할 때, 승온 속도를 증가시킴으로써, 베타상에서 변환되는 알파상의 핵의 수를 적절하게 제어할 수 있다.That is, in the silicon carbide powder according to the embodiment, when the first silicon carbide powder is grain-grown to produce the second silicon carbide powder, the number of alpha phase nuclei converted in the beta phase can be appropriately controlled have.
이에 따라, 상기 알파상의 핵에서 입성장되는 탄화규소 분말의 입경을 증가시킬 수 있다.Accordingly, it is possible to increase the particle diameter of the silicon carbide powder grain-grown in the alpha phase nucleus.
또한, 승온 속도를 증가시킴으로써, 승온 구간의 시간을 감소시킬 수 있어 공정 효율을 향상시킬 수 있다.
Further, by increasing the temperature raising rate, the time of the temperature raising period can be reduced, and the process efficiency can be improved.
이하, 도 8을 참조하여, 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method for growing silicon carbide single crystal according to an embodiment will be described with reference to FIG.
실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 제조방법은, 단결정 성장용 탄화규소 분말을 준비하는 단계, 상기 탄화규소 분말을 도가니에 충진하는 단계, 상기 도가니를 단결정 성장 장치에 투입하는 단계 및 상기 단결정 성장 장치를 가열하는 단계를 포함할 수 있다.A method for growing a silicon carbide single crystal according to an embodiment includes the steps of preparing a silicon carbide powder for single crystal growth, filling the crucible with the silicon carbide powder, injecting the crucible into a single crystal growth apparatus, And heating.
단결정 성장용 탄화규소 분말을 준비하는 단계는 앞서 설명한 단결정 성장용 탄화규소 분말 제조방법 즉, 제 2 탄화규소 분말 제조방법과 동일하므로 이하의 설명은 생략한다.The step of preparing the silicon carbide powder for single crystal growth is the same as the above-described method for producing silicon carbide powder for monocrystalline growth, that is, the second silicon carbide powder manufacturing method described above, and therefore, the following description will be omitted.
이어서, 상기 단결정 성장용 탄화규소 분말을 도가니(100)에 충진하고, 탄화규소 분말을 수용하는 도가니를 단결정 성장 장치(1000)에 투입할 수 있다.Then, the crucible for filling the
이어서, 상기 단결정 성장 장치를 가열하는 단계에서는 상기 도가니(100)에 열을 가할 수 있다. 도면에 도시하지 않았으나, 발열 유도부가 상기 도가니(100) 외부에 위치하여 상기 도가니(100)에 열을 가할 수 있다. 상기 도가니(100)는 상기 발열 유도부에 의해 스스로 발열될 수 있다. 상기 발열 유도부는 일례로, 고주파 유도 코일일 수 있다. 고주파 유도 코일에 고주파 전류를 흐르게 함으로써 상기 도가니(100)를 가열할 수 있다. 즉, 상기 도가니(100)에 수용되는 원료를 원하는 온도로 가열할 수 있다.Subsequently, in the step of heating the single crystal growth apparatus, heat can be applied to the
이에 따라, 상기 도가니(100) 내에 수용된 탄화규소 분말이 승화되고, 도가니(100) 내의 종자정(400)으로 이동할 수 있고, 상기 종자정(400)으로부터 잉곳(410)이 성장할 수 있다. The silicon carbide powder contained in the
구체적으로, 상기 발열 유도부에 의해 상기 도가니(100)의 상부 및 하부에 서로 다른 가열온도 영역을 갖는 온도구배가 형성된다. 이러한 온도구배로 인하여 상기 탄화규소 분말의 승화가 일어나고, 승화된 탄화규소 가스가 상대적으로 온도가 낮은 종자정(400)의 표면으로 이동한다. 이로 인해, 상기 탄화규소 가스가 재결정되어 잉곳(410)으로 성장될 수 있다.
Specifically, a temperature gradient having different heating temperature regions is formed in the upper portion and the lower portion of the
실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장은 앞서 설명하였듯이, 입경이 큰 즉, 입경이 약 500㎛ 내지 약 1500㎛인 알파상 탄화규소 분말을 이용할 수 있다.As described above, the silicon carbide single crystal growth according to the embodiment can use an alpha-phase silicon carbide powder having a larger particle size, that is, a particle size of about 500 μm to about 1500 μm.
일반적으로 분말의 입도가 클수록 비표면적은 작아지게 된다. 이때. 탄화규소 분말의 입도가 작은 경우, 비표면적이 커지고, 성장 초기에 원하지 않는 승화가 발생되어 탄화규소 단결정의 품질이 저하될 수 있다.Generally, the larger the particle size of the powder, the smaller the specific surface area. At this time. When the particle size of the silicon carbide powder is small, the specific surface area becomes large, undesired sublimation occurs at the beginning of growth, and the quality of the silicon carbide single crystal may be deteriorated.
또한, 약 1500um이상의 탄화규소 분말은 비표면적이 매우 작지만, 탄화규소 단결정 성장시 분말이 승화되는 면적이 작아지고, 이로 인하여 단결정의 성장률이 낮아지고 품질이 저하될 수 있다.In addition, the silicon carbide powder of about 1500 um or more has a very small specific surface area, but the area of sublimation of the powder during the growth of the silicon carbide single crystal becomes small, thereby lowering the growth rate of the single crystal and deteriorating the quality.
반면에, 실시예에 따른 탄화규소 분말은 입도를 적절히 제어하여, 성장 초기 품질 저하의 영향을 감소시킬 수 있고, 단결정 성장률을 향상시킬 수 있다.
On the other hand, the silicon carbide powder according to the embodiment can control the particle size appropriately, thereby reducing the influence of the initial quality deterioration and improving the growth rate of the single crystal.
이하, 실시예들 및 비교예들에 따른 탄화규소 단결정의 제조 방법을 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 이러한 실시예는 본 발명을 좀더 상세하게 설명하기 위하여 예시로 제시한 것에 불과하다. 따라서 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples and comparative examples of producing a silicon carbide single crystal. These embodiments are merely illustrative of the present invention in order to explain the present invention in more detail. Therefore, the present invention is not limited to these embodiments.
실시예 3Example 3
실시예 2의 탄화규소 분말을 이용하여 상기 단결정 성장 공정에 의해 탄화규소 단결정을 성장하였다.
Using the silicon carbide powder of Example 2, the silicon carbide single crystal was grown by the single crystal growth process.
비교예 4Comparative Example 4
비교예 2의 탄화규소 분말을 이용하여 상기 단결정 성장 공정에 의해 탄화규소 단결정을 성장하였다.
Using the silicon carbide powder of Comparative Example 2, the silicon carbide single crystal was grown by the single crystal growth process.
표 2를 참조하면, 실시예3의 탄화규소 단결정의 결함밀도가 비교예 4에 비해 더 작은 것을 알 수 있다. 즉, 단결정 성장용 탄화규소 분말의 입경을 제어함으로써, 탄화규소 단결정의 품질을 향상시킬 수 있는 것을 알 수 있다.Referring to Table 2, it can be seen that the defect density of the silicon carbide single crystal of Example 3 is smaller than that of Comparative Example 4. [ That is, it can be seen that the quality of the silicon carbide single crystal can be improved by controlling the particle diameter of the silicon carbide powder for single crystal growth.
또한, 실시예3은 비교예 4에 비해 도가니 내에 충진되는 분말 충진량도 증가되므로, 공정 효율을 향상시킬 수 있는 것을 알 수 있다.
In addition, in Example 3, compared to Comparative Example 4, the filling amount of the powder filled in the crucible is also increased, which means that the process efficiency can be improved.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.
Claims (10)
상기 1 탄화규소 분말을 입성장하여 제 2 탄화규소 분말을 제조하는 단계를 포함하고,
상기 제 2 탄화규소 분말을 제조하는 단계는 1700℃ 내지 2200℃의 온도에서 5℃/min를 초과하는 승온 속도로 진행되는 탄화규소 분말 제조방법.Mixing a carbon source and a silicon source to form a mixture, and heating the mixture to produce a first silicon carbide powder; And
And a step of granulating the silicon carbide powder to prepare a second silicon carbide powder,
Wherein the step of preparing the second silicon carbide powder proceeds at a temperature raising rate exceeding 5 캜 / min at a temperature of 1700 캜 to 2200 캜.
상기 제 2 탄화규소 분말을 제조하는 단계는 1700℃ 내지 2200℃의 온도에서 10℃/min 내지 20℃/min의 승온 속도로 진행되는 탄화규소 분말 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of preparing the second silicon carbide powder is carried out at a temperature raising rate of from 10 占 폚 / min to 20 占 폚 / min at a temperature of 1700 占 폚 to 2200 占 폚.
상기 제 2 탄화규소 분말의 입경은 500㎛ 내지 1500㎛인 탄화규소 분말 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the second silicon carbide powder has a particle diameter of 500 mu m to 1500 mu m.
상기 제 1 탄화규소 분말은 β상 탄화규소 분말을 포함하고,
상기 제 2 탄화규소 분말은 α상 탄화규소 분말 및 β상 탄화규소 분말을 포함하며,
상기 제 2 탄화규소 분말은 상기 α상 탄화규소 분말 및 상기 β상 탄화규소 분말의 중량% 비가 90:10 내지 99:1인 탄화규소 분말 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the first silicon carbide powder comprises a? Phase silicon carbide powder,
Wherein the second silicon carbide powder comprises an alpha phase silicon carbide powder and a beta phase silicon carbide powder,
And the second silicon carbide powder has a weight% ratio of the α-phase silicon carbide powder and the β-phase silicon carbide powder of 90:10 to 99: 1.
상기 제 2 탄화규소 분말은 1ppm 이하의 불순물을 포함하는 탄화규소 분말 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the second silicon carbide powder contains impurities of 1 ppm or less.
상기 불순물은 알루미늄(Al), 붕소(B), 티타늄(Ti) 및 바나듐(V) 중 적어도 하나를 포함하는 탄화규소 분말 제조 방법.6. The method of claim 5,
Wherein the impurity includes at least one of aluminum (Al), boron (B), titanium (Ti), and vanadium (V).
상기 탄화규소 분말의 입경은 500㎛ 내지 1500㎛인 탄화규소 분말.8. The method of claim 7,
Wherein the silicon carbide powder has a particle diameter of 500 mu m to 1500 mu m.
상기 탄화규소 분말은 α상 탄화규소 분말 및 β상 탄화규소 분말을 포함하고,
상기 α상 탄화규소 분말 및 상기 β상 탄화규소 분말의 중량% 비는 90:10 내지 99:1인 탄화규소 분말.9. The method of claim 8,
Wherein the silicon carbide powder comprises an? -Phase silicon carbide powder and a? -Phase silicon carbide powder,
The silicon carbide powder according to claim 1, wherein the α-phase silicon carbide powder and the β-phase silicon carbide powder have a weight% ratio of 90:10 to 99: 1.
상기 탄화규소 분말은 1ppm 이하의 불순물을 포함하고,
상기 불순물은 알루미늄(Al), 붕소(B), 티타늄(Ti) 및 바나듐(V) 중 적어도 하나를 포함하는 탄화규소 분말.10. The method of claim 9,
Wherein the silicon carbide powder contains impurities of 1 ppm or less,
Wherein the impurity comprises at least one of aluminum (Al), boron (B), titanium (Ti), and vanadium (V).
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