KR20170001826A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 유기 발광 소자, 상기 유기 발광 소자 위에 위치하고, 1.7 보다 크거나 같고 6.0 보다 작거나 같은 범위의 굴절률을 갖는 무기 물질로 형성된 고굴절막을 포함하는 캐핑층 그리고 상기 캐핑층 및 상기 유기 발광 소자를 덮는 박막 봉지층을 포함하고, 상기 무기 물질은 CuI, TlI(Thallium iodide), BaS, Cu2O, CuO, BiI, WO3, AgI, CdI2, HgI2, SnI2, PbI2, BiI3, ZnI2, MoO3, Ag2O, CdO, CoO, Pr2O3, SnS, PbS, CdS, CaS, ZnS, ZnTe, PbTe, CdTe, SnSe, PbSe, CdSe, AlAs, GaAs, InAs, GaP, InP, AlP, AlSb, GaSb, 및 InSb 중에서 적어도 하나를 포함한다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
최근 모니터 또는 텔레비전 등의 경량화 및 박형화가 요구되고 있으며, 이러한 요구에 따라 음극선관(cathode ray tube, CRT)이 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)로 대체되고 있다. 그러나, 액정 표시 장치는 수발광 장치로서 별도의 백라이트(backlight)가 필요할 뿐만 아니라, 응답 속도 및 시야각 등에서 한계가 있다.
최근 이러한 한계를 극복할 수 있는 표시 장치로서, 자발광형 표시소자로 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답시간이 빠르다는 장점을 가진 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)가 커다란 주목을 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 발광을 위한 유기 발광 소자를 포함하고, 이러한 유기 발광 소자는 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
현재, 유기 발광층에서 발생된 빛을 효과적으로 추출하여 광효율을 향상시킬 수 있는 다양한 방법이 요구되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 광효율이 향상된 유기 발광 표시 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 유기 발광 소자, 상기 유기 발광 소자 위에 위치하고, 1.7 보다 크거나 같고 6.0 보다 작거나 같은 범위의 굴절률을 갖는 무기 물질로 형성된 고굴절막을 포함하는 캐핑층 그리고 상기 캐핑층 및 상기 유기 발광 소자를 덮는 박막 봉지층을 포함하고, 상기 무기 물질은 CuI, TlI(Thallium iodide), BaS, Cu2O, CuO, BiI, WO3, TiO2, AgI, CdI2, HgI2, SnI2, PbI2, BiI3, ZnI2, MoO3, Ag2O, CdO, CoO, Pr2O3, SnS, PbS, CdS, CaS, ZnS, ZnTe, PbTe, CdTe, SnSe, PbSe, CdSe, AlAs, GaAs, InAs, GaP, InP, AlP, AlSb, GaSb, 및 InSb 중에서 적어도 하나를 포함한다.
상기 캐핑층은 상기 박막 봉지층 바로 아래 위치하는 탑층을 포함하고, 상기 박막 봉지층은 상기 캐핑층 바로 위에 위치하는 베이스층을 포함하고, 상기 탑층과 상기 베이스층은 서로 굴절률이 다를 수 있다.
상기 박막 봉지층은 상기 베이스층 위에 위치하는 제1 봉지층, 상기 제1 봉지층 위에 위치하는 제2 봉지층 및 상기 제2 봉지층 위에 위치하는 제3 봉지층을 더 포함하고, 상기 제1 봉지층은 무기층, 상기 제2 봉지층은 유기층 및 상기 제3 봉지층은 무기층일 수 있다.
상기 베이스층은 LiF, SiOx, SiC, MgF2, AlF3, 및 NaF 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 봉지층은 SiON, TiO2, 및 SiNx 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제3 봉지층은 SiON, SiNx, 및 TiO2 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 캐핑층은 1.0 보다 크거나 같고 1.7 보다 작은 범위의 굴절률을 갖는 무기 물질을 포함하는 저굴절막을 더 포함할 수 있다.
상기 저굴절막은 상기 고굴절막과 상기 유기 발광 소자 사이에 위치할 수 있다.
상기 저굴절막은 할로겐 화합물을 포함하는 무기 물질을 포함할 수 있다.
상기 저굴절막은 MgF2, LiF, AlF3, 및 NaF 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 캐핑층은 상기 저굴절막과 상기 고굴절막 각각을 적어도 하나 포함하고, 상기 캐핑층은 상기 저굴절막과 상기 고굴절막이 교대로 적층될 수 있다.
상기 유기 발광 소자는 서로 마주하는 제1 전극 및 제2 전극 그리고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고, 상기 캐핑층은 상기 제2 전극 바로 위에 위치할 수 있다.
상기 제1 전극은 반사막으로 형성될 수 있다.
상기 캐핑층의 측면을 상기 박막 봉지층이 덮을 수 있다.
상기 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층, 및 청색 발광층을 포함하고, 상기 청색 발광층 하단에 위치하는 보조층을 더 포함할 수 있다.
상기 적색 발광층 하단에 위치하는 적색 공진 보조층 및 상기 녹색 발광층 하단에 위치하는 녹색 공진 보조층을 더 포함할 수 있다.
상기 보조층은 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
Figure pat00001
화학식 1
화학식 1에서 A1, A2 및 A3는 각각 알킬기, 아릴기, 카르바졸, 디벤조티오펜(dibenzothiophene), 디벤조퓨란(Dibenzofuran; DBF), 비페닐(biphenyl)일 수 있고, a, b, c는 각각 0 내지 4의 정수이다.
상기 보조층은 하기 화학식 2로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
Figure pat00002
화학식 2
화학식 2에서 a는 0 내지 3이고, b와 c는 각각 0 내지 3이고, X는 O, N 또는 S 중에서 선택되며, X는 서로 같거나 상이하다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 고굴절률을 갖는 무기 재료로 캐핑층을 형성함으로써 유기 발광 표시 장치의 광효율을 높일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 캐핑층의 탑층과 박막 봉지층의 베이스층이 서로 다른 굴절률을 갖도록 설계하여 유기 발광 표시 장치의 광효율을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 A부분을 확대하여 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 2의 유기 발광 소자를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 3의 유기 발광 소자를 일부 변형한 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 2의 캐핑층을 일부 변형한 실시예를 나타내는 단면도이다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "위"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 2는 도 1의 A부분을 확대하여 나타내는 단면도이다. 도 3은 도 2의 유기 발광 소자를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(123), 기판(123) 위에 배치되고 게이트선, 데이터선, 박막 트랜지스터 및 층간 절연막 등을 포함하는 박막 트랜지스터 소자층(1300), 박막 트랜지스터 소자층(1300) 위에 위치하는 유기 발광 소자(LD)가 위치한다. 유기 발광 소자(LD)는 제1 전극(160), 발광 소자층(170) 및 제2 전극(180)을 포함한다. 제1 전극(160)은 정공 주입 전극이 되고, 제2 전극(180)은 전자 주입 전극이 될 수 있다. 제1 전극(160) 전극을 통하여 공급된 정공과 제2 전극(180)을 통해 공급된 전자가 발광 소자층(170)에서 결합하여 빛을 발생할 수 있다. 반대로 제1 전극(160)은 전자 주입 전극이 되고 제2 전극(180)은 정공 주입 전극이 될 수 있다. 제1 전극(160)을 통하여 공급된 전자와 제2 전극(180)을 통하여 공급된 정공이 발광 소자층(170)의 발광층에서 결합하여 빛을 발생할 수 있다.
유기 발광 소자(LD)의 효율 및 시야각 등의 광특성을 추가적으로 조절하기 위해 유기 발광 소자(LD) 캐핑층(190)이 위치한다. 또한, 유기 발광 소자(LD)는 산소 또는 수분과 같은 외부 기체에 대해 매우 취약하기 때문에 외부로부터의 산소나 수분이 침투하는 것을 방지하기 위해 캐핑층(190)의 상부면 및 측면을 감싸도록 박막 봉지층(121)이 위치한다.
이하에서는 도 2 및 도 3을 참고하여 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 적층 구조에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(123), 박막 트랜지스터(130), 제 1 전극(160), 발광 소자층(170) 및 제2 전극(180)을 포함한다. 제1 전극(160)은 애노드 전극, 제2 전극(180)은 캐소드 전극일 수 있으나, 제1 전극(160)이 캐소드 전극이고 제2 전극(180)이 애노드 전극일 수 있다.
여기서, 기판(123)은 예컨대 유리와 같은 무기 물질 또는 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리에테르술폰 또는 이들의 조합과 같은 유기 물질, 실리콘웨이퍼 등으로 만들어질 수 있다.
그리고, 기판(123) 위에는 기판 버퍼층(126)이 위치할 수 있다. 기판 버퍼층(126)은 불순 원소의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하는 역할을 한다.
이때, 기판 버퍼층(126)은 상기 기능을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판 버퍼층(126)은 질화 규소(SiNx)막, 산화 규소(SiOy)막, 산질화 규소(SiOxNy)막 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 그러나, 기판 버퍼층(126)은 반드시 필요한 구성은 아니며, 기판(123)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
기판 버퍼층(126) 위에는 구동 반도체층(137)이 형성된다. 구동 반도체층(137)은 다결정 규소를 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 또한, 구동 반도체층(137)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(135), 채널 영역(135)의 양 옆에서 도핑되어 형성된 소스 영역(134) 및 드레인 영역(136)을 포함한다. 이때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용될 수 있다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라진다.
구동 반도체층(137) 위에는 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOy) 따위로 형성된 게이트 절연막(127)이 위치한다. 게이트 절연막(127) 위에는 구동 게이트 전극(133)을 포함하는 게이트 배선이 위치한다. 그리고, 구동 게이트 전극(133)은 구동 반도체층(137)의 적어도 일부, 특히 채널 영역(135)와 중첩되도록 형성된다.
한편, 게이트 절연막(127) 상에는 구동 게이트 전극(133)을 덮는 층간 절연막(128)이 형성된다. 게이트 절연막(127)과 층간 절연막(128)에는 구동 반도체층(137)의 소스 영역(134) 및 드레인 영역(136)을 드러내는 제1 접촉 구멍(122a) 및 제2 접촉 구멍(122b)이 형성되어 있다. 층간 절연막(128)은, 게이트 절연막(127)과 마찬가지로, 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOy)를 사용하여 만들어질 수 있다.
그리고, 층간 절연막(128) 위에는 구동 소스 전극(131) 및 구동 드레인 전극(132)을 포함하는 데이터 배선이 위치할 수 있다. 또한, 구동 소스 전극(131) 및 구동 드레인 전극(132)은 각각 층간 절연막(128) 및 게이트 절연막(127)에 형성된 제1 접촉 구멍(122a) 및 제2 접촉 구멍(122b)을 통해 구동 반도체층(137)의 소스 영역(134) 및 드레인 영역(136)과 연결된다.
이와 같이, 구동 반도체층(137), 구동 게이트 전극(133), 구동 소스 전극(131) 및 구동 드레인 전극(132)을 포함하여 구동 박막 트랜지스터(130)가 형성된다. 구동 박막 트랜지스터(130)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않고, 당해 기술 분야의 전문가가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변경 가능하다.
그리고, 층간 절연막(128) 상에는 데이터 배선을 덮는 평탄화막(124)이 형성된다. 평판화막(124)은 그 위에 형성될 유기 발광 소자의 발광 효율을 높이기 위해 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 한다. 또한, 평탄화막(124)은 드레인 전극(132)의 일부를 노출시키는 제3 접촉 구멍(122c)을 갖는다.
평탄화막(124)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질 등으로 만들 수 있다.
여기에서, 본 발명에 따른 일실시예는 전술한 구조에 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라 평탄화막(124)과 층간 절연막(128) 중 어느 하나는 생략될 수도 있다.
이때, 평탄화막(124) 위에는 유기 발광 소자(LD)의 화소 전극에 해당하는 제1 전극(160)이 위치한다. 즉, 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들마다 각각 배치된 복수의 제1 전극(160)을 포함한다. 이때, 복수의 제1 전극(160)은 서로 이격 배치된다. 제1 전극(160)은 평탄화막(124)의 제3 접촉 구멍(122c)을 통해 드레인 전극(132)과 연결된다.
또한, 평탄화막(124) 위에는 제1 전극(160)을 드러내는 개구부가 형성된 화소 정의막(125)이 위치한다. 즉, 화소 정의막(125) 사이에는 각 화소에 대응하는 복수개의 개구부가 형성되어 있다. 이때, 화소 정의막(125)에 의해 형성된 개구부마다 발광 소자층(170)이 위치할 수 있다. 이에 따라, 화소 정의막(125)에 의해 각각의 발광 소자층(170)이 형성되는 화소 영역이 정의될 수 있다.
이때, 제1 전극(160)은 화소 정의막(125)의 개구부에 대응하도록 배치된다. 그러나, 제1 전극(160)은 반드시 화소 정의막(125)의 개구부에만 배치되는 것은 아니며, 제1 전극(160)의 일부가 화소 정의막(125)과 중첩되도록 화소 정의막(125) 아래에 배치될 수 있다.
화소 정의막(125)은 폴리아크릴(polyacrylate) 계열 및 폴리이미드(polyimide) 계열 등의 수지 또는 실리콘 계열의 무기물 등으로 만들 수 있다.
한편, 제1 전극(160) 위에는 발광 소자층(170)이 위치한다. 발광 소자층(170)의 구조에 대해서는 하기에서 상세히 설명하기로 한다.
발광 소자층(170) 위에는 공통 전극에 해당하는 제2 전극(180)이 위치할 수 있다. 이와 같이, 제1 전극(160), 발광 소자층(170) 및 제2 전극(180)을 포함하는 유기 발광 소자(LD)가 형성된다.
이때, 제1 전극(160) 및 제2 전극(180)은 각각 투명한 도전성 물질로 형성되거나 반투과형 또는 반사형 도전성 물질로 형성될 수 있다. 제1 전극(160) 및 제2 전극(180)을 형성하는 물질의 종류에 따라, 유기 발광 표시 장치는 전면 발광형, 배면 발광형 또는 양면 발광형이 될 수 있다. 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 제1 전극(160)이 반사막으로 형성되고, 제2 전극(180)은 반투과막으로 형성되어 발광 소자층(170)에서 발생된 빛이 제2 전극(180)을 통과하여 방출될 수 있다. 다시 말해, 본 실시예에서 유기 발광 표시 장치는 전면 발광형의 공진 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자에 포함되는 제2 전극(180)은 Ag, Al, Mg, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, In, Sn, Ru, Mo, 및 Nb 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제2 전극(180)은 스퍼터링 방법으로 증착 형성할 수 있다.
한편, 제2 전극(180) 위에는 제2 전극(180)을 덮어 보호하는 캐핑층(190)이 위치한다. 본 실시예에서 캐핑층(190)은 1.7 보다 크거나 같고 6.0 보다 작거나 같은 범위의 굴절률을 갖는 무기 물질을 포함한다. 본 실시예에서 캐핑층(190)을 형성하는 무기 물질은 CuI, TlI(Thallium iodide), BaS, Cu2O, CuO, BiI 및 WO3 중 선택된 하나를 포함할 수 있다. 특히, CuI, BiI 또는 TlI의 무기 물질은 대략 섭씨 500도 미만에서 열증발이 가능한 고굴절 재료이고 저온에서 열증발법에 의한 증착이 가능하여 유기 발광 소자(LD)에 대한 전기적 특성 변화 없이 공진을 강하게 만들 수 있다. 따라서, CuI, BiI 또는 TlI의 무기 물질로 캐핑층(190)을 형성하게 되면 유기 발광 소자(LD)의 전기적 특성 변화 없이 광효율이 증가할 수 있다.
앞에서 설명한 실시예에 한정되지 않고 캐핑층(190)은 TiO2, AgI, CdI2, HgI2, SnI2, PnI2, BiI3, ZnI2, MoO3, Ag2O, CdO, CoO, Pr2O3, SnS, PbS, CdS, CaS, ZnS, ZnTe, PbTe, CdTe, SnSe, PbSe, CdSe, AlAs, GaAs, InAs, GaP, InP, AlP, AlSb, GaSb, 및 InSb로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시한 캐핑층(190)은 단일층으로 설명하였으나 이에 한정되지 않고 2층 이상의 복수개의 층을 포함할 수 있으며 이에 대해서는 후술하기로 한다.
그리고, 캐핑층(190) 위에는 박막 봉지층(121)이 형성되어 있다. 박막 봉지층(121)은 기판(123) 위에 형성되어 있는 유기 발광 소자(LD)와 구동 회로부를 외부로부터 밀봉시켜 보호한다.
박막 봉지층(121)은 서로 하나씩 교대로 적층되는 베이스층(121a), 제1 봉지층(121b), 제2 봉지층(121c) 및 제3 봉지층(121d)을 포함한다. 베이스층(121a)은 캐핑층(190) 바로 위에 위치하는 층이고, 캐핑층(190)의 상부면과 접촉할 수 있다. 본 실시예에 따른 베이스층(121a)은 캐핑층(190)과 다른 굴절률을 가질 수 있다. 가령, 앞에서 설명한 바와 같이 캐핑층(190)이 고굴절막으로 형성되는 경우에 베이스층(121a)은 저굴절막으로 형성될 수 있다. 저굴절막으로 형성된 베이스층(121a)은 LiF, SiOx, SiC, MgF2, AlF3, 및 NaF 중에서 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 변형 실시예로, 캐핑층(190)은 1.7 이하의 저굴절률을 갖는 Balq와 같은 유기 재료 또는 AlF3와 같은 무기 재료로 형성될 수 있고, 이 때 베이스층(121a)은 SiNx, TiO2, CuI 및 TlI 중에서 선택된 하나를 포함할 수 있다.
베이스층(121a) 위에 제1 봉지층(121b), 제2 봉지층(121c) 및 제3 봉지층(121d)이 차례로 적층되어 있다. 본 실시예에 따르면, 제1 봉지층(121b)은 무기층, 제2 봉지층(121c)은 유기층, 제3 봉지층(121d)은 무기층일 수 있다. 제1 봉지층(121b)은 SiON, TiO2, 및 SiNx 중에서 적어도 하나를 포함하고, 제3 봉지층(121d)은 SiON, SiNx, 및 TiO2 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 봉지층(121b)의 SiON, 및 SiNx 등의 산화물 또는 질화물은 화학 기상 증착 방법(Chemical Vapor Deposition)으로 증착할 수 있고, TiO2 등의 산화물은 원자 증착법(Atomic Layer Deposition)으로 증착할 수 있다. 본 실시예에서 제1 봉지층(121b)은 하나의 층으로 형성하였으나, 제1 봉지층(121b)은 하부층과 상부층을 포함하는 2개의 층으로 형성될 수도 있다. 이 때 하부층 및 상부층은 각각 SiON, TiO2, 및 SiNx 중에서 선택된 하나를 포함할 수 있다.
이하에서는 도 3을 참고하여 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자에 대해 설명하기로 한다.
도 3을 참고하면, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자(도 2의 X 부분)는 제1 전극(160), 정공 수송층(174), 발광층(175), 전자 수송층(177), 전자 주입층(179) 및 제 2 전극(180)이 순서대로 적층된 구조를 포함한다.
제1 전극(160)이 애노드일 경우에는 정공 주입이 용이하도록 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택된 물질을 선택할 수 있다. 제1 전극(160)은 투명 전극 또는 불투명 전극일 수 있다. 제1 전극(160)이 투명 전극일 경우에는 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO), 주석 산화물(SnO2), 아연 산화물(ZnO) 또는 이들의 조합과 같은 도전성 산화물 또는 알루미늄, 은, 마그네슘과 같은 금속을 사용하여 얇은 두께로 제1 전극(160)을 형성할 수 있다. 제1 전극(160)이 불투명 전극인 경우에는, 알루미늄, 은, 마그네슘과 같은 금속을 사용하여 제1 전극(160)을 형성할 수 있다.
제1 전극(160)은 서로 다른 종류의 물질을 포함한 2층 이상의 구조로 형성할 수 있다. 예를 들어 제1 전극(160)은 인듐주석 산화물(ITO)/은(Ag)/인듐 주석 산화물(ITO)이 차례로 적층된 구조로 형성될 수 있다.
제1 전극(160)은 스퍼터링(sputtering)법 또는 진공 증착법 등을 이용해서 형성할 수 있다.
제1 전극(160) 위에 정공 수송층(174)이 위치한다. 정공 수송층(174)은 정공 주입층(172)으로부터 전달되는 정공을 원활하게 수송하는 기능을 수행할 수 있다. 정공 수송층(174)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 정공 수송층(174)은 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD, MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이때, 정공 수송층(174)의 두께는 15nm 내지 25nm 일 수 있다. 바람직하게는, 정공 수송층(174)의 두께는 20 nm일 수 있다. 본 실시예에서 설명한 정공 수송층(174)을 변형하여 정공 수송층(174)에 정공 주입 물질을 포함하여 정공 수송/주입층을 단일층으로 형성할 수도 있다.
정공 수송층(174) 위에 발광층(175)이 위치한다. 발광층(175)은 특정 색을 표시하는 발광 물질을 포함한다. 예를 들어, 발광층(175)은 청색, 녹색 또는 적색과 같은 기본색 또는 이들을 조합하는 색을 표시할 수 있다.
발광층(175)의 두께는 10nm 내지 50nm일 수 있다. 발광층(175)은 호스트와 도펀트를 포함한다. 발광층(175)은 적색, 녹색, 청색 및 백색을 발광하는 물질을 포함할 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다.
발광층(175)이 적색을 발광하는 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum) 중에서 적어도 하나를 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(175)이 녹색을 발광하는 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac-tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(175)이 청색을 발광하는 경우, CBP, 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic 를 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(175) 위에 전자 수송층(177)이 위치한다. 전자 수송층(177)은 제2 전극(180)으로부터 발광층(175)으로 전자를 전달할 수 있다. 또한, 전자 수송층(177)은 제1 전극(160)으로부터 주입된 정공이 발광층(175)을 통과하여 제2 전극(180)으로 이동하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 전자 수송층(177)은 정공 저지층의 역할을 하여, 발광층(175)에서 정공과 전자의 결합을 돕는다.
이때, 전자 수송층(177)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 수송층(177)은 Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
전자 수송층(177) 위에 전자 주입층(179)이 위치한다. 전자 주입층(179)은 제2 전극(180)으로부터 전자 수송층(177)으로 전자 주입을 수월하게 하는 역할을 한다. 본 실시예에서 전자 주입층(179)은 쌍극자 물질과 제1 금속을 포함한다. 여기서, 쌍극자 물질과 제1 금속은 공증착되어 하나의 층을 형성할 수 있다. 제1 금속은 Yb, Mg, Li, Na, Ca, Sr, Ba, In, Sn, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Sm, 및 Lu 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
쌍극자 물질은 극성이 다른 제1 성분과 제2 성분이 결합되고, 제1 성분은 주기율표 상에서 알칼리 금속류, 알칼리 토금속류, 희토류 및 전이 금속 중에서 선택된 하나를 포함하고, 제2 성분은 할로겐을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 성분은 Li, Na, K, Rb, Cs, Be, Mg, Ca, Sr, 및 Ba 중에서 적어도 하나를 포함하는 원소이고, 제2 성분은 F, Cl, Br, 및 I 중에서 적어도 하나를 포함하는 원소일 수 있다. 여기서, 제1 성분은 쌍극자 물질이 이온화될 때 양이온이 되는 원소이고, 제2 성분은 음이온이 되는 원소일 수 있다.
본 실시예에서 전자 주입층(179)의 두께는 공정 마진을 고려하여 최소값이 5 옹스트롬(Å)이고, 전자 주입층으로 기능하기 어려운 점을 고려하여 최대값을 50 옹스트롬(Å)으로 하여 그 범위가 5 옹스트롬(Å) 내지 50 옹스트롬(Å)일 수 있다. 하지만, 바람직하게는 전자 주입층의 두께가 10 옹스트롬(Å) 내지 20 옹스트롬(Å)일 수 있다.
전자 주입층(179) 위에 제2 전극(180)이 위치한다. 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자에 포함되는 제2 전극(180)은 Ag, Al, Mg, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, In, Sn, Ru, Mo, 및 Nb 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 공통 전극의 두께는 대략 30 옹스트롬(Å) 내지 300 옹스트롬(Å)일 수 있다. 본 실시예에서 제2 전극(180)은 스퍼터링 방법으로 증착 형성할 수 있다.
도 4는 도 3의 유기 발광 소자를 일부 변형한 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 4를 참고하면, 도 3에서 설명한 유기 발광 소자에서 발광층(175)을 변형한 형태를 나타낸다. 즉, 본 실시예에서 발광층(175)은 적색 발광층(R), 녹색 발광층(G), 및 청색 발광층(B)을 포함하고, 청색 발광층(B) 하단에 청색 발광층(B)의 효율을 높이기 위한 보조층(BIL)이 위치할 수 있다.
적색 발광층(R)은 대략 30nm 내지 50nm이고, 녹색 발광층(G)은 대략 10nm 내지 30nm이며, 청색 발광층(B)은 대략 10nm 내지 30nm일 수 있다. 청색 발광층(B) 하단에 위치하는 보조층(BIL)은 대략 20nm 이하 일 수 있다. 보조층(BIL)은 정공 전하 밸런스(hole Charge Balance)를 조절하여 청색 발광층(B)의 효율을 높이는 역할을 할 수 있다. 보조층(BIL)은 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
Figure pat00003
화학식 1
화학식 1에서 A1, A2 및 A3는 각각 알킬기, 아릴기, 카르바졸, 디벤조티오펜(dibenzothiophene), 디벤조퓨란(Dibenzofuran; DBF), 비페닐(biphenyl)일 수 있고, a, b, c는 각각 0 내지 4의 정수일 수 있다.
상기 화학식 1로 표현되는 화합물들의 일례로 하기 화학식 1-1, 1-2, 1-3, 1-4, 1-5, 1-6을 포함할 수 있다.
Figure pat00004
화학식 1-1
Figure pat00005
화학식 1-2
Figure pat00006
화학식 1-3
Figure pat00007
화학식 1-4
Figure pat00008
화학식 1-5
Figure pat00009
화학식 1-6
다른 실시예로 보조층(BIL)은 하기 화학식 2로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
Figure pat00010
화학식 2
화학식 2에서 a는 0 내지 3이고, b와 c는 각각 0 내지 3이며, X는 O, N 또는S중에서 선택될 수 있으며, X는 서로 같거나 상이할 수 있다.
화학식 2를 나타내는 화합물의 일례로 하기 화학식 2-1 내지 2-6을 포함할 수 있다.
Figure pat00011
화학식 2-1
Figure pat00012
화학식 2-2
Figure pat00013
화학식 2-3
Figure pat00014
화학식 2-4
Figure pat00015
화학식 2-5
Figure pat00016
화학식 2-6
다른 실시예로 보조층(BIL)은 하기 화학식 3으로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
Figure pat00017
화학식 3
화학식 3에서 A1은 알킬기, 아릴기, 카르바졸, 디벤조티오펜(dibenzothiophene), 디벤조퓨란(Dibenzofuran; DBF)일 수 있고, L1과 L2는 각각
Figure pat00018
(n은 0 내지 3)일 수 있으며, L1과 L2에 연결된 DBF는 카르바졸 또는 디벤조티오펜(dibenzothiophene)으로 대체될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 보조층(BIL)의 합성법에 대해 설명하기로 한다. 일례로, 하기 화학식 1-1의 합성법에 대해 설명한다.
Figure pat00019
화학식 1-1
<합성예>
아르곤 기류 하, 300ml(밀리리터)의 3구 플라스크에 4-다이벤조퓨란보론산을 6.3g, 4, 4', 4''-트라이브로모트라이페닐아민을 4.8g, 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(Pd(PPh3)4)을 104mg, 2M의 탄산나트륨(Na2CO3) 용액을 48ml, 톨루엔을 48ml 넣은 후, 섭씨 80도에서 8시간 반응하였다. 반응액을 톨루엔/물로 추출하고, 무수황산나트륨으로 건조하였다. 이것을 감압 하에서 농축하고, 수득된 조 생성물을 컬럼 정제하는 것에 의해 3.9g의 황백색 분말을 수득하였다.
도 4에서 적색 발광층(R) 아래 적색 공진 보조층(R')이 위치하고, 녹색 발광층(G) 아래 녹색 공진 보조층(G')이 위치할 수 있다. 이들 적색 공진 보조층(R')과 녹색 공진 보조층(G')은 각 색상별 공진 거리를 맞추기 위하여 부가된 층이다. 이와 달리, 적색 발광층(R) 또는 녹색 발광층(G)에 대응하는 청색 발광층(B) 및 보조층(BIL) 아래에는 이들과 정공 수송층(174) 사이에 위치하는 별도의 공진 보조층이 형성되지 않을 수 있다.
이상에서 설명한 차이점 외에 앞에서 설명한 내용은 도 4의 실시예에 적용할 수 있다.
도 5는 도 2의 캐핑층을 일부 변형한 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 5의 실시예에서 캐핑층(190)은 서로 다른 굴절률을 갖는 복층막을 포함한다. 캐핑층(190)은 유기 발광 소자(LD)의 발광 소자층(170)에서 방출된 빛의 추출률을 높여 광효율을 향상시킨다.
구체적으로, 캐핑층(190)은 저굴절막(190a)과 고굴절막(190b)이 교대로 적층된 구조를 갖는다. 도 5에서는, 하나의 저굴절막(190a)과 하나의 고굴절막(190b)을 나타내었으나, 이에 한정되지 않고 캐핑층(190)은 저굴절막(190a) 및 고굴절막(190b) 각각이 적어도 하나 이상 포함된 3층 이상의 복층막으로 형성될 수 있다.
본 실시예에서 저굴절막(190a)은 1.0 보다 크거나 같고 1.7 보다 작은 범위의 굴절률을 갖는 무기 물질을 포함할 수 있다. 저굴절막(190a)에 사용될 수 있는 무기 물질은 할로겐 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, MgF2, LiF, AlF3, 및 NaF 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이에 한정되지 않고, 저굴절막(190a)은 1족, 2족, 란탄계, 전이금속 기반의 불소, 가령 KF, PbF, CaF2, SrF2, YbF2 등을 포함할 수 있다.
또한, 유기 발광 소자(LD)와 가장 멀리 떨어진 최상층에는 고굴절막(190b)이 배치된다. 즉, 캐핑층(190)의 최상층은 고굴절막(190b)이다. 하지만, 캐핑층(190)의 최상층인 탑층은 저굴절막일 수 있다. 본 실시예의 변형예에 따르면, 저굴절막/고굴절막/저굴절막의 3층이 가능하기 때문이다.
고굴절막(190b)은 1.7 보다 크거나 같고 6.0 보다 작거나 같은 범위의 굴절률을 갖는 무기 물질을 포함할 수 있다.
고굴절막(190b)에 사용될 수 있는 무기 물질은, 예를 들어, CuI, TlI(Thallium iodide), BaS, Cu2O, CuO, BiI, 및 WO3 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 고굴절막(190b)은 앞에서 설명한 실시예에 한정되지 않고 TiO2, AgI, CdI2, HgI2, SnI2, PnI2, BiI3, ZnI2, MoO3, Ag2O, CdO, CoO, Pr2O3, SnS, PbS, CdS, CaS, ZnS, ZnTe, PbTe, CdTe, SnSe, PbSe, CdSe, AlAs, GaAs, InAs, GaP, InP, AlP, AlSb, GaSb, 및 InSb 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에서 저굴절막(190a)은 대략 100 옹스트롬 내지 400 옹스트롬 범위의 두께를 가지며, 고굴절막(190b)은 대략 400 옹스트롬 내지 800 옹스트롬 범위의 두께를 가질 수 있다. 저굴절막(190a)과 고굴절막(190b)의 두께가 전술한 범위 내에 속할 때, 발광 소자층(170)에서 방출되어 캐핑층(190)를 통과하는 빛의 광효율이 90%이상 증가될 수 있다. 하지만, 본 발명의 일실시예에 따른 캐핑층(190)의 두께가 전술한 바에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 저굴절막(190a) 및 고굴절막(190b)의 두께는 필요에 따라 적절하게 조절될 수 있다.
캐핑층(190)의 저굴절막(190a)과 고굴절막(190b) 간의 굴절률 차이에 의해 발광 소자층(170)에서 방출된 빛의 일부는 캐핑층(190)을 투과하고 다른 일부는 캐핑층(190)에 의해 반사될 수 있다. 구체적으로, 빛은 저굴절막(190a)과 고굴절막(190b)의 계면 또는 고굴절막(190b)과 베이스층(121a)의 계면에서 반사된다.
캐핑층(190)으로 인해 반사된 빛은 제1 전극(160) 또는 제2 전극(180)에서 다시 반사되어 반사와 반사를 거듭하면서 증폭된다. 또한, 캐핑층(190) 내부에서도 반사를 거듭하면서 증폭될 수도 있다. 즉, 저굴절막(190a)과 고굴절막(190b)의 계면과 고굴절막(190b)과 베이스층(121a)의 계면 사이에서 반사를 거듭할 수도 있다.
이러한 공진 효과를 통해, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 빛을 효과적으로 증폭하여 광효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 저굴절막(190a)과 고굴절막(190b)의 굴절률 차이 및 고굴절막(190b)과 베이스층(121a)의 굴절률 차이에 의해 저굴절막(190a)과 고굴절막(190b)의 계면 및 고굴절막(190b)과 베이스층(121a)의 계면에서 빛이 반사되므로, 저굴절막(190a)과 고굴절막(190b)은 서로 적절한 굴절률 차이를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 고굴절막(190b)과 맞닿는 베이스층(121a)은 저굴절 물질로 형성될 수 있다.
따라서, 저굴절막(190a) 및 고굴절막(190b)이 각각 갖는 굴절률은 베이스층(121a)의 굴절률과 각 굴절막(190a,190b)의 제조에 사용되는 소재의 특성을 고려하여 결정된 범위 내의 굴절률을 갖는다. 즉, 고굴절막(190b)의 굴절률은 고굴절막(190b)의 소재로 사용되는 성분에 따라 1.7 이상 6.0 이하의 굴절률을 갖게 된다. 그리고 저굴절막(190a)의 굴절률은 저굴절막(190a)의 소재로 사용되는 성분에 따라 1.0 이상 1.7 미만의 굴절률을 갖게 된다. 이때, 동일한 소재를 사용하더라도 제조 공법에 따라 저굴절막(190a) 및 고굴절막(190b)이 갖는 굴절률은 달라질 수 있다.
이상에서 설명한 차이점 외에 도 2에서 설명한 내용은 도 5의 실시예에 모두 적용 가능하다.
하기 표 1은 본 발명의 일실시예에서 설명한 바와 같이 캐핑층을 무기 물질로 형성하면서 캐핑층의 탑층과 박막 봉지층의 베이스층이 서로 다른 굴절률을 갖도록 재료 설계를 한 경우에, 캐핑층을 유기 물질로 형성한 비교예 대비하여 광효율 변화를 나타낸다.
비교예1 비교예2 실시예1 실시예2 실시예3 실시예4
박막 봉지층 제3봉지층 SiNx SiNx SiNx SiNx SiNx SiNx
제2봉지층 유기물 유기물 유기물 유기물 유기물 유기물
제1봉지층 SiON SiON SiNx SiON SiON SiNx
베이스층 LiF LiF LiF LiF LiF LiF
캐핑층 상부층 유기재료1 유기재료2 TiOx CuI CuI CuI
하부층 - Balq - AlF3 AlF3
상대적
광효율		 0.84 0.91 1.01 0.93 0.98 1.03
상기 표 1을 참고하면, 비교예 1은 단일층이면서 유기 물질인 유기재료1로 캐핑층을 형성하였고, 비교예 2는 이중층이면서 유기 물질인 Balq와 유기재료2로 캐핑층을 형성하였다. 여기서, 유기재료1과 유기재료2는 굴절률이 대략 1.88 내지 1.90인 유기물 가운데 기존에 캐핑층으로 양산되고 있는 물질일 수 있다. 유기 재료로 캐핑층을 형성한 비교예 1, 2의 광효율이 각각 0.84와 0.91로 측정된 결과 대비하여, 실시예 1, 2, 3, 4에서는 광효율이 증가하였다. 상기 표 1에서 제2 봉지층의 유기물은 아크릴계 유기물을 사용하였다. 이 때, 아크릴계 유기물은 자외선 경화 타입일 수 있다. 아크릴계 유기물 대신에 에폭시계 유기물을 사용할 수도 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
121 박막 봉지층 160 제1 전극
174 정공 수송층 175 발광층
177 전자 수송층 179 전자 주입층
180 제2 전극 190 캐핑층

Claims (18)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 위치하는 유기 발광 소자,
    상기 유기 발광 소자 위에 위치하고, 1.7 보다 크거나 같고 6.0 보다 작거나 같은 범위의 굴절률을 갖는 무기 물질로 형성된 고굴절막을 포함하는 캐핑층 그리고
    상기 캐핑층 및 상기 유기 발광 소자를 덮는 박막 봉지층을 포함하고,
    상기 무기 물질은 CuI, TlI(Thallium iodide), BaS, Cu2O, CuO, BiI, WO3, TiO2, AgI, CdI2, HgI2, SnI2, PbI2, BiI3, ZnI2, MoO3, Ag2O, CdO, CoO, Pr2O3, SnS, PbS, CdS, CaS, ZnS, ZnTe, PbTe, CdTe, SnSe, PbSe, CdSe, AlAs, GaAs, InAs, GaP, InP, AlP, AlSb, GaSb, 및 InSb 중에서 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 캐핑층은 상기 박막 봉지층 바로 아래 위치하는 탑층을 포함하고, 상기 박막 봉지층은 상기 캐핑층 바로 위에 위치하는 베이스층을 포함하고,
    상기 탑층과 상기 베이스층은 서로 굴절률이 다른 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 박막 봉지층은 상기 베이스층 위에 위치하는 제1 봉지층, 상기 제1 봉지층 위에 위치하는 제2 봉지층 및 상기 제2 봉지층 위에 위치하는 제3 봉지층을 더 포함하고,
    상기 제1 봉지층은 무기층, 상기 제2 봉지층은 유기층 및 상기 제3 봉지층은 무기층인 유기 발광 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 베이스층은 LiF, SiOx, SiC, MgF2, AlF3, 및 NaF 중에서 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 제1 봉지층은 SiON, TiO2, 및 SiNx 중에서 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 제3 봉지층은 SiON, SiNx, 및 TiO2 중에서 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제2항에서,
    상기 캐핑층은 1.0 보다 크거나 같고 1.7 보다 작은 범위의 굴절률을 갖는 무기 물질을 포함하는 저굴절막을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 저굴절막은 상기 고굴절막과 상기 유기 발광 소자 사이에 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 저굴절막은 할로겐 화합물을 포함하는 무기 물질을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 저굴절막은 MgF2, LiF, AlF3, 및 NaF 중에서 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제7항에서,
    상기 캐핑층은 상기 저굴절막과 상기 고굴절막 각각을 적어도 하나 포함하고, 상기 캐핑층은 상기 저굴절막과 상기 고굴절막이 교대로 적층된 유기 발광 표시 장치.
  12. 제1항에서,
    상기 유기 발광 소자는
    서로 마주하는 제1 전극 및 제2 전극 그리고
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고,
    상기 캐핑층은 상기 제2 전극 바로 위에 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 제1 전극은 반사막으로 형성된 유기 발광 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 캐핑층의 측면을 상기 박막 봉지층이 덮는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층, 및 청색 발광층을 포함하고,
    상기 청색 발광층 하단에 위치하는 보조층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  16. 제15항에서,
    상기 적색 발광층 하단에 위치하는 적색 공진 보조층 및 상기 녹색 발광층 하단에 위치하는 녹색 공진 보조층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  17. 제15항에서,
    상기 보조층은 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함하는 유기 발광 표시 장치:
    Figure pat00020
    화학식 1
    화학식 1에서 A1, A2 및 A3는 각각 알킬기, 아릴기, 카르바졸, 디벤조티오펜(dibenzothiophene), 디벤조퓨란(Dibenzofuran; DBF), 비페닐(biphenyl)일 수 있고, a, b, c는 각각 0 내지 4의 정수이다.
  18. 제15항에서,
    상기 보조층은 하기 화학식 2로 표현되는 화합물을 포함하는 유기 발광 표시 장치:
    Figure pat00021

    화학식 2
    화학식 2에서 a는 0 내지 3이고, b와 c는 각각 0 내지 3이고, X는 O, N 또는 S 중에서 선택되며, X는 서로 같거나 상이하다.
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