KR20170001623A - 화학적 기계적 연마 패드 복합체 연마층 제형 - Google Patents

화학적 기계적 연마 패드 복합체 연마층 제형 Download PDF

Info

Publication number
KR20170001623A
KR20170001623A KR1020160078589A KR20160078589A KR20170001623A KR 20170001623 A KR20170001623 A KR 20170001623A KR 1020160078589 A KR1020160078589 A KR 1020160078589A KR 20160078589 A KR20160078589 A KR 20160078589A KR 20170001623 A KR20170001623 A KR 20170001623A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
average
fugitive
continuous phase
chemical mechanical
Prior art date
Application number
KR1020160078589A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102513538B1 (ko
Inventor
바이니안 퀴안
줄리아 코주크
테레사 브루갈로라스 브루파우
디에고 루고
조지 씨. 제이콥
제프리 비. 밀러
토니 쿠안 트랜
마크 알. 스택
제프리 제임스 헨드론
Original Assignee
다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨, 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 filed Critical 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
Publication of KR20170001623A publication Critical patent/KR20170001623A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102513538B1 publication Critical patent/KR102513538B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/22Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C70/00Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts
    • B29C70/58Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts comprising fillers only, e.g. particles, powder, beads, flakes, spheres
    • B29C70/66Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts comprising fillers only, e.g. particles, powder, beads, flakes, spheres the filler comprising hollow constituents, e.g. syntactic foam
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/12Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements by surface treatment, e.g. by irradiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/32115Planarisation
    • H01L21/3212Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

하기를 포함하는 화학적 기계적 연마 패드가 제공된다: 연마 표면을 갖는 연마층; 여기서 상기 연마층은 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 및 제2 비-탈루성 폴리머 상을 포함하고; 여기서 상기 제1 비-탈루성 폴리머 연속상은 복수개의 주기적 요홈을 가지고; 여기서 상기 복수개의 주기적 요홈은 제2 비-탈루성 폴리머 상으로 채워지고; 여기서 상기 제1 비-탈루성 폴리머 연속상은 6 부피% 이하의 개방 셀 다공성을 가지고; 및 여기서 상기 연마 표면은 기판을 연마하기 위해 적용된다.

Description

화학적 기계적 연마 패드 복합체 연마층 제형 {CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PAD COMPOSITE POLISHING LAYER FORMULATION}
본 발명은 화학적 기계적 연마 패드에 관한 것이다. 더 상세하게는, 본 발명은 연마 표면을 갖는 연마층을 함유하는 화학적 기계적 연마 패드에 관한 것이고; 여기서 상기 연마층은 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 및 제2 비-탈루성 폴리머 상을 포함하고; 여기서 상기 제1 비-탈루성 폴리머 연속상은 복수개의 주기적 요홈을 가지고; 여기서 상기 복수개의 주기적 요홈은 제2 비-탈루성 폴리머 상으로 채워지고; 여기서 상기 제1 비-탈루성 폴리머 연속상은 6 부피% 이하의 개방 셀 다공성을 가지고; 여기서 제2 비-탈루성 폴리머 상은 10 부피% 이상의 개방 셀 다공성을 가지고; 그리고 여기서 상기 연마 표면은 기판을 연마하기 위해 적용된다.
집적회로 및 다른 전자 소자의 제조에 있어서, 전도성, 반도체성 및 유전체 물질의 다중층이 반도체 웨이퍼의 표면 상에 증착되고 이로부터 제거된다. 전도성, 반도체성 및 유전체 물질의 박막들은 수많은 증착 기술을 사용하여 증착될 수 있다. 최신 웨이퍼 공정에서의 일반적 증착 기술은 무엇보다도 스퍼터링으로서 공지된 물리적 기상 증착 (PVD), 화학적 기상 증착 (CVD), 플라즈마-강화 화학적 기상 증착 (PECVD) 및 전기화학적 도금을 포함한다. 일반 제거 기술은 무엇보다도 습식 및 건식의 등방성 및 이방성 에칭을 포함한다.
물질의 층이 순차적으로 증착되고 제거됨에 따라, 웨이퍼의 최상위 표면은 비-평면적으로 된다. 차후 반도체 공정 (예를 들면, 금속화)은 웨이퍼가 평평한 표면을 가질 것을 요구하기 때문에, 웨이퍼는 평탄화될 것이 요구된다. 평탄화는 원하지 않는 표면 형상 및 표면 결함, 예컨대 굴곡 표면, 응집된 물질, 결정 격자 손상, 긁힘 및 오염된 층 또는 물질을 제거하기 위해 유용하다.
화학적 기계적 평탄화, 또는 화학적 기계적 연마 (CMP)는 작업용 피스 예컨대 반도체 웨이퍼를 평탄화하거나 연마하기 위해 사용되는 일반 기술이다. 종래의 CMP에서, 웨이퍼 캐리어, 또는 연마 헤드는 캐리어 조립체 상에 설치된다. 연마 헤드(polishing head)는 웨이퍼를 고정하고, CMP 장치 내의 테이블 또는 가압판 상에 설치되는 연마 패드의 연마층과 접촉되도록 웨이퍼를 배치시킨다. 캐리어 조립체는 웨이퍼 및 연마 패드 사이에 통제가능 압력을 제공한다. 동시에, 연마 매질 (예를 들면, 슬러리)는 연마 패드 위에 분배되어, 웨이퍼와 연마층 사이의 틈에 들어간다. 연마에 영향을 주기 위해, 연마 패드 및 웨이퍼는 통상적으로 서로에 대해 상대적으로 회전한다. 연마 패드가 웨이퍼 아래에서 회전하기 때문에, 웨이퍼는 통상적으로 환형의 연마 트랙, 또는 연마 영역에 쓸려지게 되고, 이에서 웨이퍼의 표면은 연마층과 직접적으로 대면된다. 웨이퍼 표면은 연마되고, 연마층의 화학적 및 기계적 작용 및 표면 상의 연마 매질에 의해 평면화된다.
James 등은 미국특허 제6,736,709호에서 화학적 기계적 연마 패드의 연마 표면에서의 그루빙(grooving)의 중요성을 개시하고 있다. 상세하게는, James 등은 "그루브강성도 지수(Groove Stiffness Quotient)"("GSQ")는 패드 강성도에 대한 그루빙의 효과를 추정하고, "그루브 유동 지수(Groove Flow Quotient)"("GFQ")는 (패드 계면) 유체 유동에 대한 그루빙의 효과를 추정하고; 주어진 연마 공정에서의 이상적인 연마 표면을 선택하는데 있어서의 GSQ 및 GFQ 사이의 미묘한 균형이 존재하는 것을 교시한다.
그럼에도 불구하고, 웨이퍼 치수가 계속하여 수축됨에 따라, 관련된 연마 공정에 대한 요구조건도 전보다 높아지고 있다.
따라서, 화학적 기계적 연마 패드의 작업 성능 범위를 늘릴 수 있는 연마층 설계에 대한 지속적인 필요성이 존재한다.
본 발명은 하기를 포함하는 화학적 기계적 연마 패드를 제공한다: 연마 표면, 기저 표면 및 기저 표면으로부터 연마 표면까지의 연마 표면에 대해 법선방향으로 측정된 평균 두께, T P- 평균 를 갖는 연마층; 여기서 연마층은 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 및 제2 비-탈루성 폴리머 상을 포함하고; 여기서 상기 제1 비-탈루성 폴리머 연속상은 연마 표면으로부터 기저 표면을 향하는, 연마 표면에 대해 법선방향으로 측정된 연마 표면으로부터의 평균 요홈 깊이, D 평균 을 갖는 복수개의 주기적 요홈을 갖고; 여기서 상기 평균 요홈 깊이, D 평균 는 평균 두께, T P-평균 보다 작고; 여기서 상기 복수개의 주기적 요홈은 제2 비-탈루성 폴리머 상으로 채워지고; 여기서 상기 제1 비-탈루성 폴리머 연속상은 8 내지 12 중량%의 미반응된 NCO기를 갖는 제1 연속상 이소시아네이트-말단화된 우레탄 예비중합체 및 제1 연속상 경화제의 반응 생성물이고; 여기서 제2 비-탈루성 폴리머 상은 제2 비-탈루성 폴리머 연속상 및 제2 비-탈루성 폴리머 불연속상으로부터 선택되고; 여기서 제2 비-탈루성 폴리머 상은 폴리 사이드 (P) 액체 성분 및 이소 사이드 (I) 액체 성분을 조합함으로써 형성되고; 여기서 상기 폴리 사이드 (P) 액체 성분은 (P) 사이드 폴리올, (P) 사이드 폴리아민 및 (P) 사이드 알코올 아민 중 적어도 하나를 포함하고; 여기서 상기 이소 사이드 (I) 액체 성분은 적어도 하나의 (I) 사이드 다작용성 이소시아네이트를 포함하고; 여기서 상기 제1 비-탈루성 폴리머 연속상은 6 부피% 이하의 개방 셀 다공성을 가지고; 여기서 제2 비-탈루성 폴리머 상은 10 부피% 이상의 개방 셀 다공성을 함유하고; 및 여기서 상기 연마 표면은 기판을 연마하기 위해 적용된다.
본 발명은 하기를 포함하는 기판의 연마 방법을 제공한다: 자성 기판, 광학적 기판 및 반도체 기판 중 적어도 하나로부터 선택되는 기판을 제공하는 단계; 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 연마층의 연마 표면 및 기판 사이에 동적 접촉을 생성하여 기판의 표면을 연마하는 단계; 그리고 연마제 컨디셔너로 연마 표면을 컨디셔닝하는 단계.
도 1은 본 발명의 연마층의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드의 평면도이다.
도 3도 2에서 선 A-A에 따라 취해진 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드의 평면도의 도면이다.
도 5는 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드의 평면도의 도면이다.
도 6은 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드의 평면도의 도면이다.
도 7도 6에서 선 B-B에 따라 취해진 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드의 단면도이다
도 8은 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드의 평면도이다.
도 9는 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드의 평면도이다.
도 10은 본 발명의 연마층의 평면도이다.
도 11도 10에서 선 C-C에 따라 취해진 본 발명의 연마층의 단면도이다.
도 12는 윈도우를 가진 본 발명의 연마층의 사시도이다.
도 13은 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드의 평면도이다.
도 14는 본 발명의 연마층의 평면도이다.
도 15도 14에서 선 AA-AA에 따라 취해진 본 발명의 연마층의 단면도이다.
상세한 설명
기록상, 특정 연마층의 연마 표면에 대한 GSQ 및 GFQ 값은 효과적인 연마층을 설계하기 위한 작업 가능 범위를 제공하였다. 놀랍게도, 본 발명은 연마층 강성도 및 연마층 설계의 슬러리 분산 성능을 분리하고; 이에 의해 연마층 설계의 범위를 연마 성능 특성의 지금까지 얻을 수 없었던 균형까지 확장함으로써 연마층에 대한 지금까지 확립된 GSQ 및 GFQ 파라미터의 주형을 파괴하기 위한 수단을 제공한다.
폴리머 상에 대해 참조하여 본원 및 첨부된 청구항에서 사용되는 용어 "비-탈루성(non-fugitive)"은 폴리머 상 (예를 들면, 제2 비-탈루성 폴리머 상)이 복합체 연마층에 존재하는 다른 폴리머 상 (예를 들면, 제1 비-탈루성 폴리머 연속상)과 관련하여 용융되고, 용해되고, 붕해되고, 그렇지 않으면 선택적으로 감소되지 않는 것을 의미한다.
연마 표면 (14)을 갖는 화학적 기계적 연마 패드 (10)에 대해 참조하여 본원 및 첨부된 청구항에서 사용되는 용어 "총 평균 두께, T T -평균 "는 연마 표면 (14)으로부터 서브패드 (25)의 하부 표면 (27)까지의 연마 표면 (14)에 대해 법선방향으로 측정된 화학적 기계적 연마 패드의 평균 두께, T T 를 의미한다. (도 37 참조).
연마층 (20)에 대해 참조하여 본원 및 첨부된 청구항에서 사용되는 용어 "실질적 원형 단면"은 중심축 (12)으로부터 연마층 (20)의 연마 표면 (14)의 외주 (15)까지의 단면의 최장 반경, r이 중심축 (12)으로부터 연마 표면 (14)의 외주 (15)까지의 단면의 최단 반경, r보다 20% 이하로 더 긴 것을 의미한다. (도 1 참조).
본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 바람직하게는 중심축 (12) 주변을 회전하도록 적용된다. (도 1 참조). 바람직하게는, 연마층 (20)의 연마 표면 (14)은 중심축 (12)에 대해 수직한 평면 (28)에 놓여 있다. 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 임의로 중심축 (12)에 대해 85 내지 95°, 바람직하게는 중심축 (12)에 대해 90°의 각, γ의 평면 (28)에서 회전하도록 적용된다. 바람직하게는, 연마층 (20)은 중심축 (12)에 대해 수직한 실질적 원형 단면을 가지는 연마 표면 (14)을 가진다. 바람직하게는, 중심축 (12)에 대해 수직한 연마 표면 (14)의 단면의 반경, r은 단면에 대해 20% 이하, 더 바람직하게는 단면에 대해 10% 까지 변화된다.
본원 및 첨부된 청구항에서 사용되는 용어 "연마 매질"은 입자 함유 연마 용액 및 비입자 함유 연마 용액, 예컨대 연마제 무함유 반응성 액체 연마 용액을 포괄한다.
본원 및 첨부된 청구항에서 사용되는 용어 "화학 결합"은 원자들 사이의 인력과 관련되고, 공유 결합, 이온 결합, 금속 결합, 수소 결합 및 반데르 발스 힘을 포괄한다.
본원 및 첨부된 청구항에서 사용되는 용어 "폴리(우레탄)"은 (i) 이소시아네이트 및 (ii) 폴리올 (디올 포함)의 반응으로부터 형성된 폴리우레탄 (a); 및 (i) 이소시아네이트와 (ii) 폴리올 (디올 포함) 및 (iii) 물, 아민 (디아민 및 폴리아민 포함) 또는 물 및 아민 (디아민 및 폴리아민 포함)의 조합의 반응으로부터 형성된 폴리(우레탄)(b)을 포괄한다.
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 특별하게는 자성 기판, 광학적 기판 및 반도체 기판 중 적어도 하나로부터 선택되는 기판의 연마를 용이하게 하기 위해 설계된다. 더 바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 특별하게는 반도체 기판의 연마를 용이하게 하기 위해 설계된다. 가장 바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 특별하게는 반도체 기판의 연마를 용이하게 하기 위해 설계되고, 여기서 상기 반도체 기판은 반도체 웨이퍼이다.
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 하기를 포함한다: 연마 표면 (14), 기저 표면 (17) 및 기저 표면 (17)으로부터 연마 표면 (14)까지의 연마 표면 (14)에 대해 법선방향으로 측정된 평균 두께, T P- 평균 를 가지는 연마층 (20); 여기서 상기 연마층 (20)은 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30) 및 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)을 포함하고; 여기서 상기 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 연마 표면 (14)으로부터 기저 표면 (17)을 향하는, 연마 표면 (14)에 대해 법선방향으로 측정된 연마 표면 (14)으로부터의 평균 요홈 깊이, D 평균 을 가지는 복수개의 주기적 요홈 (40)을 가지고; 여기서 평균 요홈 깊이, D 평균 T P- 평균 보다 작고(바람직하게는, 여기서 D 평균 0.5*T P-평균 ; 더 바람직하게는, 여기서 D 평균 0.4*T P-평균 ; 가장 바람직하게는, 여기서 D 평균 0.375*T P-평균 임); 여기서 상기 복수개의 주기적 요홈 (40)은 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)을 채워지고; 여기서 상기 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 8 내지 12 중량%의 미반응된 NCO기를 갖는 제1 연속상 이소시아네이트-말단화된 우레탄 예비중합체 및 제1 연속상 경화제의 반응 생성물이고; 여기서 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 제2 비-탈루성 폴리머 연속상 및 제2 비-탈루성 폴리머 불연속상으로부터 선택되고; 여기서 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 폴리 사이드 (P) 액체 성분 및 이소 사이드 (I) 액체 성분을 조합하여 형성되고; 여기서 상기 폴리 사이드 (P) 액체 성분은 (P) 사이드 폴리올, (P) 사이드 폴리아민 및 (P) 사이드 알코올 아민 중 적어도 하나를 포함하고; 여기서 상기 이소 사이드 (I) 액체 성분은 적어도 하나의 (I) 사이드 다작용성 이소시아네이트을 포함하고; 임의로, 여기서 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 복수개의 중공 코어 폴리머 물질을 함유하고; 여기서 상기 복수개의 중공 코어 폴리머 물질은 0 내지 58 부피%로 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)에 혼입되고; 여기서 상기 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 6 부피% 이하 (더 바람직하게는, 5 부피% 이하; 더욱더 바람직하게는, 4 부피% 이하; 가장 바람직하게는, 3 부피% 이하)의 개방 셀 다공성을 가지고; 여기서 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 10 부피% 이상 (바람직하게는, 25 내지 75 부피%; 더 바람직하게는, 30 내지 60 부피%; 가장 바람직하게는, 45 내지 55 부피%)의 개방 셀 다공성을 가지고; 그리고, 여기서 상기 연마 표면은 기판을 연마하기 위해 적용됨. (도 1-15 참조).
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 8 내지 12 중량%의 미반응된 NCO기를 갖는 제1 연속상 이소시아네이트-말단화된 우레탄 예비중합체 및 제1 연속상 경화제의 반응 생성물을 포함한다. 더 바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 8.75 내지 12 중량%의 미반응된 NCO기를 갖는 제1 연속상 이소시아네이트-말단화된 우레탄 예비중합체 및 제1 연속상 경화제의 반응 생성물을 포함한다. 더 바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 9.0 내지 9.25 중량%의 미반응된 NCO기를 갖는 제1 연속상 이소시아네이트-말단화된 우레탄 예비중합체 및 제1 연속상 경화제의 반응 생성물을 포함한다.
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 8 내지 12 중량%의 미반응된 NCO기를 갖는 제1 연속상 이소시아네이트-말단화된 우레탄 예비중합체 및 제1 연속상 경화제의 반응 생성물을 포함하고; 여기서 상기 제1 연속상 이소시아네이트-말단화된 우레탄 예비중합체는 제1 연속상 폴리이소시아네이트 (바람직하게는, 디이소시아네이트)와 제1 연속상 폴리올과의 상호작용으로부터 유도되고; 여기서 상기 제1 연속상 폴리올은 디올, 폴리올, 폴리올 디올, 그것의 코폴리머 및 이들의 혼합물로부터 이루어진 군으로부터 선택된다. 바람직하게는, 제1 연속상 폴리올은 폴리테트라메틸렌 에테르 글리콜 (PTMEG); PTMEG와 폴리프로필렌 글리콜 (PPG)의 혼합물; 및 저분자량 디올 (예를 들면, 1,2-부탄디올; 1,3-부탄디올; 1,4-부탄디올)과의 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 8 내지 12 중량%의 미반응된 NCO기를 갖는 제1 연속상 이소시아네이트-말단화된 우레탄 예비중합체 및 제1 연속상 경화제의 반응 생성물이고; 여기서 상기 제1 연속상 경화제는 제1 연속상 폴리아민이다. 바람직하게는, 제1 연속상 폴리아민은 방향족 폴리아민이다. 더 바람직하게는, 제1 연속상 폴리아민은 4,4'-메틸렌-비스-o-클로로아닐린 (MbOCA), 4,4'-메틸렌-비스-(3-클로로-2,6-디에틸아닐린) (MCDEA); 디메틸티오톨루엔디아민; 트리메틸렌글리콜 디-p-아미노벤조에이트; 폴리테트라메틸렌옥사이드 디-p-아미노벤조에이트; 폴리테트라메틸렌옥사이드 모노-p-아미노벤조에이트; 폴리프로필렌옥사이드 디-p-아미노벤조에이트; 폴리프로필렌옥사이드 모노-p-아미노벤조에이트; 1,2-비스(2-아미노페닐티오)에탄; 4,4'-메틸렌-비스-아닐린; 디에틸톨루엔디아민; 5-tert-부틸-2,4-톨루엔디아민; 3-tert-부틸-2,6-톨루엔디아민; 5-tert-아밀-2,4-톨루엔디아민; 3-tert-아밀-2,6-톨루엔디아민; 5-tert-아밀-2,4-클로로톨루엔디아민; 및 3-tert-아밀-2,6-클로로톨루엔디아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 방향족 폴리아민이다. 가장 바람직하게는, 제1 연속상 폴리아민은 4,4'-메틸렌-비스-o-클로로아닐린 (MbOCA)이다.
상업적으로 이용가능한 PTMEG계 이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체의 예는 Imuthane® 예비중합체 (COIM USA, Inc. 사제, 예컨대, PET-80A, PET-85A, PET-90A, PET-93A, PET-95A, PET-60D, PET-70D, PET-75D); Adiprene® 예비중합체 (Chemtura 사제, 예컨대, LF 800A, LF 900A, LF 910A, LF 930A, LF 931A, LF 939A, LF 950A, LF 952A, LF 600D, LF 601D, LF 650D, LF 667, LF 700D, LF750D, LF751D, LF752D, LF753D 및 L325); Andur® 예비중합체 (Anderson Development Company 사제, 예컨대, 70APLF, 80APLF, 85APLF, 90APLF, 95APLF, 60DPLF, 70APLF, 75APLF)을 포함한다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에서 사용되는 제1 연속상 이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체는 0.1 중량% 미만의 유리 톨루엔 디이소시아네이트 (TDI) 모노머 함량을 갖는 저급 유리 이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체(low free isocyanate terminated urethane prepolymer)이다.
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 다공성 및 비다공성 (즉, 미충전된) 구조 모두로 제공될 수 있다. 바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 ASTM D1622에 따라 측정된 0.5 이상의 비중을 가진다. 더 바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 ASTM D1622에 따라 측정되는 바와 같은 0.5 내지 1.2 (더욱더 바람직하게는, 0.55 내지 1.1; 가장 바람직하게는 0.6 내지 0.95)의 비중을 가진다.
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 ASTM D2240에 따라 측정된 바와 같은 40 내지 90의 쇼어 D 경도를 가진다. 더 바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 ASTM D2240에 따라 측정된 바와 같은 50 내지 75의 쇼어 D 경도를 가진다. 가장 바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 ASTM D2240에 따라 측정된 바와 같은 55 내지 70의 쇼어 D 경도를 가진다.
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 다공성이다. 바람직하게는, 제1 비-탈루성 폴리머 연속상은 복수개의 미량원소를 포함한다. 바람직하게는, 복수개의 미량원소는 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)에 걸쳐 균일하게 분산된다. 바람직하게는, 복수개의 미량원소는 포집된 가스 기체, 중공 코어 폴리머 물질, 액체 충전된 중공 코어 폴리머 물질, 수용성 물질 및 불용성 상 물질 (예를 들면, 미네랄 오일)로부터 선택된다. 복수개의 미량원소는 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)에 걸쳐 균일하게 분산된 포집된 가스 기체 및 중공 코어 폴리머 물질로부터 선택된다. 더 바람직하게는, 복수개의 미량원소는 150 ㎛ 미만 (더 바람직하게는 50 ㎛ 미만; 가장 바람직하게는 10 내지 50 ㎛)의 중량 평균 직경을 가진다. 바람직하게는, 복수개의 미량원소는 폴리아크릴로니트릴 또는 폴리아크릴로니트릴 코폴리머 (예를 들면, Akzo Nobel로부터의 Expancel®)의 껍질 벽을 갖는 폴리머성 미세중공구체(microballoon)를 포함한다. 바람직하게는, 복수개의 미량원소는 0 내지 58 부피% 다공성 (더 바람직하게는, 1 내지 58 부피%; 가장 바람직하게는, 10 내지 35 부피% 다공성)으로 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)으로 포함된다. 바람직하게는, 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 6 부피% 이하 (더 바람직하게는, 5 부피% 이하; 더욱더 바람직하게는, 4 부피% 이하; 가장 바람직하게는, 3 부피% 이하)인 개방 셀 다공성을 가진다.
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 제2 비-탈루성 폴리머 연속상 (52) (예를 들면, 도 7 11 참조) 및 제2 비-탈루성 폴리머 불연속상 (58) (예를 들면, 도 315 참조)으로부터 선택된다.
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 폴리 사이드 (P) 액체 성분 및 이소 사이드 (I) 액체 성분의 조합에 의해 형성된다.
바람직하게는, 폴리 사이드 (P) 액체 성분은 (P) 사이드 폴리올, (P) 사이드 폴리아민 및 (P) 사이드 알코올 아민 중 적어도 하나를 포함한다.
바람직하게는, (P) 사이드 폴리올은 디올, 폴리올, 폴리올 디올, 그것의 코폴리머 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 더 바람직하게는, (P) 사이드 폴리올은 폴리에테르 폴리올 (예를 들면, 폴리(옥시테트라메틸렌)글리콜, 폴리(옥시프로필렌)글리콜 및 이들의 혼합물); 폴리카보네이트 폴리올; 폴리에스테르 폴리올; 폴리카프로락톤 폴리올; 이들의 혼합물; 및, 에틸렌 글리콜; 1,2-프로필렌 글리콜; 1,3-프로필렌 글리콜; 1,2-부탄디올; 1,3-부탄디올; 2-메틸-1,3-프로판디올; 1,4-부탄디올; 네오펜틸 글리콜; 1,5-펜탄디올; 3-메틸-1,5-펜탄디올; 1,6-헥산디올; 디에틸렌 글리콜; 디프로필렌 글리콜; 및, 트리프로필렌 글리콜로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 저분자량 폴리올과 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 더욱더 바람직하게는, (P) 사이드 폴리올은 폴리테트라메틸렌 에테르 글리콜 (PTMEG); 에스테르계 폴리올 (예컨대 에틸렌 아디페이트, 부틸렌 아디페이트); 폴리프로필렌 에테르 글리콜 (PPG); 폴리카프로락톤 폴리올; 그것의 코폴리머; 및, 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, 사용되는 폴리 사이드 (P) 액체 성분은 (P) 사이드 폴리올을 함유하고; 여기서 상기 적어도 하나의 (P) 사이드 폴리올은 2,500 내지 100,000의 수평균 분자량, MN을 고분자량 폴리올을 포함한다. 더 바람직하게는, 사용되는 고분자량 폴리올은 5,000 내지 50,000 (더욱더 바람직하게는 7,500 내지 25,000; 가장 바람직하게는 10,000 내지 12,000)의 수평균 분자량, MN을 가진다.
바람직하게는, 사용되는 폴리 사이드 (P) 액체 성분은 (P) 사이드 폴리올을 함유하고; 여기서 상기 (P) 사이드 폴리올은 분자당 평균 3 내지 10개의 하이드록실기를 가지는 고분자량 폴리올을 포함한다. 더 바람직하게는, 사용되는 고분자량 폴리올은 분자당 평균 4 내지 8개 (더욱더 바람직하게는 5 내지 7개; 가장 바람직하게는 6개)의 하이드록실기를 가진다.
상업적으로 이용가능한 고분자량 폴리올의 예는 Specflex® 폴리올, Voranol® 폴리올 및 Voralux® 폴리올 (Dow Chemical Company 사제); Multranol® 스페셜티 폴리올 및 Ultracel® 플렉서블 폴리올 (Bayer MaterialScience LLC 사제); 및 Pluracol® 폴리올 (BASF 사제)을 포함한다. 수많은 바람직한 고분자량 폴리올은 표 1에 열거되어 있다.
[ 표 1 ]
Figure pat00001
바람직하게는, (P) 사이드 폴리아민은 디아민 및 다른 다작용성 아민으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 더 바람직하게는, (P) 사이드 폴리아민은 방향족 디아민 및 다른 다작용성 방향족 아민; 예컨대, 예를 들면, 4,4'-메틸렌-비스-o-클로로아닐린 ("MbOCA"); 4,4'-메틸렌-비스-(3-클로로-2,6-디에틸아닐린) ("MCDEA"); 디메틸티오톨루엔디아민; 트리메틸렌글리콜 디-p-아미노벤조에이트; 폴리테트라메틸렌옥사이드 디-p-아미노벤조에이트; 폴리테트라메틸렌옥사이드 모노-p-아미노벤조에이트; 폴리프로필렌옥사이드 디-p-아미노벤조에이트; 폴리프로필렌옥사이드 모노-p-아미노벤조에이트; 1,2-비스(2-아미노페닐티오)에탄; 4,4'-메틸렌-비스-아닐린; 디에틸톨루엔디아민; 5-tert-부틸-2,4-톨루엔디아민; 3-tert-부틸-2,6-톨루엔디아민; 5-tert-아밀-2,4-톨루엔디아민; 및 3-tert-아밀-2,6-톨루엔디아민 및 클로로톨루엔디아민으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, (P) 사이드 알코올 아민은 아민 개시된 폴리올로 이루어진 군으로부터 선택된다. 더 바람직하게는, (P) 사이드 알코올 아민은 분자당 1 내지 4 (더욱 더 바람직하게는, 2 내지 4; 가장 바람직하게는, 2)개의 질소 원자를 함유하는 아민 개시된 폴리올로 이루어진 군으로부터 선택된다. 바람직하게는, (P) 사이드 알코올 아민은 분자당 평균 적어도 3개의 하이드록실기를 갖는 아민 개시된 폴리올로 이루어진 군으로부터 선택된다. 더 바람직하게는, (P) 사이드 알코올 아민은 분자당 평균 3 내지 6 (더욱더 바람직하게는, 3 내지 5; 가장 바람직하게는, 4)개의 하이드록실기를 갖는 아민 개시된 폴리올로 이루어진 군으로부터 선택된다. 특히 바람직한 아민 개시된 폴리올은 700 이하 (바람직하게는, 150 내지 650; 더 바람직하게는, 200 내지 500; 가장 바람직하게는 250 내지 300)의 수평균 분자량, MN를 가지고, 350 내지 1,200 mg KOH/g의 (ASTM 시험 방법 D4274-11에 의해 결정된 바와 같은) 하이드록실가를 가진다. 더 바람직하게는, 사용되는 아민 개시된 폴리올은 400 내지 1,000 mg KOH/g (가장 바람직하게는 600 내지 850 mg KOH/g)의 하이드록실가를 가진다. 상업적으로 이용가능한 아민 개시된 폴리올의 예는 아민 개시된 폴리올의 Voranol® 류 (Dow Chemical Company 사제); Quadrol® 스페셜티 폴리올 (N,N,N',N'-테트라키스(2-하이드록시프로필 에틸렌 디아민))(BASF 사제); Pluracol® 아민계 폴리올 (BASF 사제); Multranol® 아민계 폴리올 (Bayer MaterialScience LLC 사제); 트리이소프로판올아민 (TIPA) (Dow Chemical Company 사제); 및, 트리에탄올아민 (TEA) (Mallinckrodt Baker Inc. 사제)을 포함한다. 수많은 바람직한 아민 개시된 폴리올이 표 2에 열거되어 있다.
[ 표 2 ]
Figure pat00002
바람직하게는, 이소 사이드 (I) 액체 성분은 적어도 하나의 (I) 사이드 다작용성 이소시아네이트를 포함한다. 바람직하게는, 적어도 하나의 (I) 사이드 다작용성 이소시아네이트는 2개의 반응성 이소시아네이트기 (즉, NCO)를 함유한다.
바람직하게는, 적어도 하나의 (I) 사이드 다작용성 이소시아네이트는 (I) 사이드 지방족 다작용성 이소시아네이트, (I) 사이드 방향족 다작용성 이소시아네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 더 바람직하게는, (I) 사이드 다작용성 이소시아네이트는 2,4-톨루엔 디이소시아네이트; 2,6-톨루엔 디이소시아네이트; 4,4'-디페닐메탄 디이소시아네이트; 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트; 톨리딘 디이소시아네이트; 파라-페닐렌 디이소시아네이트; 크실릴렌 디이소시아네이트; 이소포론 디이소시아네이트; 헥사메틸렌 디이소시아네이트; 4,4'-디사이클로헥실메탄 디이소시아네이트; 사이클로헥산디이소시아네이트; 및, 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 (I) 사이드 디이소시아네이트이다. 더욱더 바람직하게는, 적어도 하나의 (I) 사이드 다작용성 이소시아네이트는 (I) 사이드 디이소시아네이트와 (I) 사이드 예비중합체 폴리올의 반응에 의해 형성된 (I) 사이드 이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체이다.
바람직하게는, 적어도 하나의 (I) 사이드 다작용성 이소시아네이트는 (I) 사이드 이소시아네이트-말단화된 우레탄 예비중합체이고; 여기서 상기 (I) 사이드 이소시아네이트-말단화된 우레탄 예비중합체는 2 내지 12 중량%의 미반응된 이소시아네이트 (NCO)기를 가진다. 더 바람직하게는, 본 발명의 방법에서 사용되는 (I) 사이드 이소시아네이트-말단화된 우레탄 예비중합체는 2 내지 10 중량% (더욱더 바람직하게는 4 내지 8 중량%; 가장 바람직하게는 5 내지 7 중량%)의 미반응된 이소시아네이트 (NCO)기를 가진다.
더 바람직하게는, 사용되는 (I) 사이드 이소시아네이트-말단화된 우레탄 예비중합체는 (I) 사이드 디이소시아네이트 및 (I) 사이드 예비중합체 폴리올로 반응된 것이고; 여기서 상기 (I) 사이드 예비중합체 폴리올은 디올, 폴리올, 폴리올 디올, 그것의 코폴리머 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선태된다. 더 바람직하게는, (I) 사이드 예비중합체 폴리올은 폴리에테르 폴리올 (예를 들면, 폴리(옥시테트라메틸렌)글리콜, 폴리(옥시프로필렌)글리콜 및 이들의 혼합물); 폴리카보네이트 폴리올; 폴리에스테르 폴리올; 폴리카프로락톤 폴리올; 이들의 혼합물; 및, 에틸렌 글리콜; 1,2-프로필렌 글리콜; 1,3-프로필렌 글리콜; 1,2-부탄디올; 1,3-부탄디올; 2-메틸-1,3-프로판디올; 1,4-부탄디올; 네오펜틸 글리콜; 1,5-펜탄디올; 3-메틸-1,5-펜탄디올; 1,6-헥산디올; 디에틸렌 글리콜; 디프로필렌 글리콜; 및, 트리프로필렌 글리콜으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 저분자량 폴리올과의 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 더욱더 바람직하게는, (I) 사이드 예비중합체 폴리올은 폴리테트라메틸렌 에테르 글리콜 (PTMEG); 에스테르계 폴리올 (예컨대 에틸렌 아디페이트, 부틸렌 아디페이트); 폴리프로필렌 에테르 글리콜 (PPG); 폴리카프로락톤 폴리올; 그것의 코폴리머; 및, 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, (I) 사이드 예비중합체 폴리올은 PTMEG 및 PPG로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, (I) 사이드 예비중합체 폴리올이 PTMEG인 경우, (I) 사이드 이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체는 2 내지 10 중량% (더 바람직하게는 4 내지 8 중량%; 가장 바람직하게는 6 내지 7 중량%)의 미반응된 이소시아네이트 (NCO) 농도를 가진다. 상업적으로 이용가능한 PTMEG계 이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체의 예는 Imuthane® 예비중합체 (COIM USA, Inc. 사제, 예컨대, PET-80A, PET-85A, PET-90A, PET-93A, PET-95A, PET-60D, PET-70D, PET-75D); Adiprene® 예비중합체 (Chemtura 사제, 예컨대, LF 800A, LF 900A, LF 910A, LF 930A, LF 931A, LF 939A, LF 950A, LF 952A, LF 600D, LF 601D, LF 650D, LF 667, LF 700D, LF750D, LF751D, LF752D, LF753D 및 L325); Andur® 예비중합체 (Anderson Development Company 사제, 예컨대, 70APLF, 80APLF, 85APLF, 90APLF, 95APLF, 60DPLF, 70APLF, 75APLF)를 포함한다.
바람직하게는, (I) 사이드 예비중합체 폴리올이 PPG인 경우, (I) 사이드 이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체가 3 내지 9 중량% (더 바람직하게는 4 내지 8 중량%, 가장 바람직하게는 5 내지 6 중량%)의 미반응된 이소시아네이트 (NCO) 농도를 가진다. 상업적으로 이용가능한 PPG계 이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체의 예는 Imuthane® 예비중합체 (COIM USA, Inc. 사제, 예컨대, PPT-80A, PPT-90A, PPT-95A, PPT-65D, PPT-75D); Adiprene® 예비중합체 (Chemtura 사제, 예컨대, LFG 963A, LFG 964A, LFG 740D); 및, Andur® 예비중합체 (Anderson Development Company 사제, 예컨대, 8000APLF, 9500APLF, 6500DPLF, 7501DPLF)을 포함한다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에 사용되는 (I) 사이드 이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체는 0.1 중량% 미만의 유리 톨루엔 디이소시아네이트 (TDI) 모노머 함량을 갖는 저급 유리 이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체이다.
바람직하게는, 폴리 사이드 (P) 액체 성분 및 이소 사이드 (I) 액체 성분 중 적어도 하나는 임의로 추가의 액체 물질을 함유할 수 있다. 예를 들면, 폴리 사이드 (P) 액체 성분 및 이소 사이드 (I) 액체 성분 중 적어도 하나는 발포제 (예를 들면, 카바메이트 발포제 예컨대 SpecflexTM NR 556 CO2/지방족 아민 부가물, Dow Chemical Company 사제); 촉매 (예를 들면, 3차 아민 촉매 예컨대 Dabco® 33LV 촉매, Air Products, Inc. 사제; 및 주석 촉매 예컨대 Fomrez® 주석 촉매, Momentive 사제); 및 계면활성제 (예를 들면, Tegostab® 실리콘 계면활성제, Evonik 사제)로 이루어진 군으로부터 선택되는 액체 물질을 함유할 수 있다. 바람직하게는, 본 발명의 방법에서, 폴리 사이드 (P) 액체 성분은 추가의 액체 물질을 함유한다. 더 바람직하게는, 본 발명의 방법에서, 폴리 사이드 (P) 액체 성분은 추가의 액체 물질을 함유하고; 여기서 상기 추가의 액체 물질은 촉매 및 계면활성제 중 적어도 하나이다. 가장 바람직하게는, 폴리 사이드 (P) 액체 성분은 촉매 및 계면활성제를 함유한다.
바람직하게는, 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 ASTM D2240에 따라 측정된 10 내지 70의 쇼어 D 경도를 가진다. 더 바람직하게는, 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 ASTM D2240에 따라 측정된 20 내지 60 (더욱더 바람직하게는 25 내지 55; 가장 바람직하게는 40 내지 50)의 쇼어 D 경도를 가진다.
바람직하게는, 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 10 부피% 이상의 개방 셀 다공성을 가진다. 더 바람직하게는, 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)에서의 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 25 내지 75 부피% (더 바람직하게는, 30 내지 60 부피%; 가장 바람직하게는, 45 내지 55 부피%)의 개방 셀 다공성을 가진다.
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 연마 표면 (14)으로부터 기저 표면을 향하는, 연마 표면 (14)에 대해 법선방향으로 측정된 깊이, D를 갖는 복수개의 주기적 요홈 (40)을 가진다. 바람직하게는, 복수개의 주기적 요홈 (40)은 평균 깊이, D 평균 을 가지고; 여기서 D 평균 < T P-평균 이다. 더 바람직하게는, 복수개의 주기적 요홈 (40)은 평균 깊이, D 평균 을 가지고; D 평균 0.5*T P-평균 (더 바람직하게는, D 평균 0.4*T P-평균 ; 가장 바람직하게는, D 평균 0.375*T P-평균 )이다. 바람직하게는, 복수개의 주기적 요홈은 하나 이상의 그루브(groove)에 의해 구분된다. (도 3, 7, 1115 참조).
바람직하게는, 복수개의 주기적 요홈 (40)은 곡선형 요홈, 선형 요홈 및 이들의 조합으로부터 선택된다. (도 2, 5-6, 8-9, 10, 13-14 14 참조).
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 복수개의 주기적 요홈 (40)을 가지고, 여기서 상기 복수개의 주기적 요홈은 한 군의 적어도 2개의 동심원의 요홈 (45)이다. (예를 들면, 도 2, 5-69 참조). 바람직하게는, 적어도 2개의 동심원의 요홈 (45)은 15 mils (바람직하게는, 15 내지 40 mils; 더 바람직하게는, 25 내지 35 mils; 가장 바람직하게는, 30 mils) 이상의 평균 요홈 깊이, D 평균 , 5 mils (바람직하게는, 5 내지 150 mils; 더 바람직하게는, 10 내지 100 mils; 가장 바람직하게는, 15 내지 50 mils) 이상의 폭, 및 10 mils (바람직하게는, 25 내지 150 mils; 더 바람직하게는, 50 내지 100 mils; 가장 바람직하게는, 60 내지 80 mils) 이상의 피치를 가진다. 바람직하게는, 적어도 2개의 동심원의 요홈 (45)은 폭 및 피치를 가지고, 여기서 상기 폭 및 피치는 동일하다.
바람직하게는, 복수개의 주기적 요홈 (40)은 복수개의 분리된 주기적 요홈 (41) 및 복수개의 상호연결된 주기적 요홈 (42)으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 바람직하게는, 복수개의 주기적 요홈 (40)이 복수개의 분리된 주기적 요홈 (41)인 경우, 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 제2 비-탈루성 폴리머 불연속상 (58)이다. (예를 들면, 도 2-3 5 참조). 바람직하게는, 복수개의 주기적 요홈 (40)이 복수개의 상호연결된 주기적 요홈 (42)인 경우, 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 제2 비-탈루성 폴리머 연속상 (52)이다. (예를 들면, 도 6-7 참조).
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 복수개의 분리된 주기적 요홈 (41)을 가지고, 여기서 상기 복수개의 분리된 주기적 요홈 (41)은 한 군의 적어도 2개의 동심원의 요홈 (45)이다. (예를 들면 도 2 참조).
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 복수개의 분리된 주기적 요홈 (41)을 가지고, 여기서 상기 복수개의 주기적 요홈 (41)은 한 군의 적어도 2개의 십자 방격 요홈(cross-hatched recess) (61)이고; 여기서 상기 복수개의 주기적 요홈 (41)은 적어도 하나의 그루브 (62)에 의해 구분된다. (예를 들면 도 14-15 참조).
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)에서의 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 복수개의 상호연결된 주기적 요홈 (42)을 가지고, 여기서 상기 복수개의 상호연결된 주기적 요홈은 한 군의 적어도 2개의 동심원의 요홈 (45)을 가지고, 적어도 하나의 상호연결 (48)은 적어도 2개의 동심원의 요홈 (45)을 상호연결한다. (예를 들면 도 6-7 참조).
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)에서의 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)은 복수개의 상호연결된 주기적 요홈 (40)을 가지고, 여기서 복수개의 주기적 요홈은 한 군의 적어도 2개의 상호연결된 십자 방격 요홈 (60)을 가진다. (예를 들면 도 8 참조).
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)에서의 복수개의 주기적 요홈 (40)을 차지하는 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 연마층 (20)의 기저 표면 (17)으로부터 연마 표면 (14)을 향하는, 연마 표면 (14)에 대해 법선방향으로 측정된 높이, H를 가진다. 바람직하게는, 복수개의 주기적 요홈 (40)을 차지하는 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 연마층 (20)의 기저 표면 (17)으로부터 연마 표면 (14)을 향하는, 연마 표면 (14)에 대해 법선방향으로 측정된 평균 높이, H 평균 를 가지고; 여기서 연마층 (20)의 평균 두께, T P-평균 및 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)의 평균 높이, H 평균 사이의 차이, ΔS의 절대값은 0.5 μm 이하이다. 더 바람직하게는, 복수개의 주기적 요홈 (40)을 차지하는 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 연마층 (20)의 기저 표면 (17)으로부터 연마 표면 (14)을 향하는, 연마 표면 (14)에 대해 법선방향으로 측정된 평균 높이, H 평균 를 가지고; 여기서 연마층 (20)의 평균 두께, T P-평균 및 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)의 평균 높이, H 평균 사이의 차이, ΔS의 절대값은 0.2 μm 이하이다. 더욱더 바람직하게는, 복수개의 주기적 요홈 (40)을 차지하는 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 연마층 (20)의 기저 표면 (17)으로부터 연마 표면 (14)을 향하는, 연마 표면 (14)에 대해 법선방향으로 측정된 평균 높이, H 평균 를 가지고; 여기서 연마층 (20)의 평균 두께, T P-평균 및 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)의 평균 높이, H 평균 사이의 차이, ΔS의 절대값은 0.1 μm 이하이다. 가장 바람직하게는, 복수개의 주기적 요홈 (40)을 차지하는 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 연마층 (20)의 기저 표면 (17)으로부터 연마 표면 (14)을 향하는, 연마 표면 (14)에 대해 법선방향으로 측정된 평균 높이, H 평균 를 가지고; 여기서 연마층 (20)의 평균 두께, T P-평균 및 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)의 평균 높이, H 평균 사이의 차이, ΔS의 절대값은 0.05 μm 이하이다. ( 3, 7, 1115 참조).
바람직하게는, 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)에서의 복수개의 주기적 요홈 (40)을 차지하고, 여기서 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30) 및 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50) 사이에 화학 결합이 존재한다. 더 바람직하게는, 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30)에서의 복수개의 주기적 요홈 (40)을 차지하고, 여기서 상들 사이의 공유 결합이 깨지지 않는 한 상이 분리될 수 없도록 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30) 및 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50) 사이에 공유 결합이 존재한다.
본 기술분야의 숙련가는 특정 연마 작업용 화학적 기계적 연마 패드 (10)에 사용하기에 적합한 두께, T P 를 가지는 연마층 (20)을 선택하는 것을 이해할 수 있을 것이다. 바람직하게는, 연마층 (20)은 연마 표면 (14)의 평면 (28)에 대해 수직한 축 (12)에 따라 평균 두께, T P- 평균 를 나타낸다. 더 바람직하게는, 평균 두께, T P- 평균 는 20 내지 150 mils (더 바람직하게는, 30 내지 125 mils; 가장 바람직하게는, 40 내지 120 mils)이다. (도 1, 3, 7, 1115 참조).
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)의 연마 표면 (14)은 자성 기판, 광학적 기판 및 반도체 기판 (더 바람직하게는, 반도체 기판; 가장 바람직하게는, 반도체 웨이퍼) 중 적어도 하나로부터 선택되는 기판을 연마하기 위해 적용된다. 바람직하게는, 연마층 (20)의 연마 표면 (14)은 기판의 연마를 용이하게 하기 위해 마크로텍스처(macrotexture) 및 마이크로텍스처(microtexture) 중 적어도 하나를 가진다. 바람직하게는, 연마 표면 (14)은 마크로텍스처를 가지고, 여기서 상기 마크로텍스처는 (i) 적어도 하나의 수막 현상을 완화하고; (ii) 연마 매질 유동에 영향을 주고; (iii) 연마층의 강성도를 변경하고; (iv) 엣지 영향(edge effect)를 감소시키고; 그리고 (v) 연마 표면 (14)과 연마된 기판 사이의 영역으로부터의 연마 잔해의 이송을 용이하게 하는 것 중 적어도 하나가 실시되도록 설계된다.
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)은 추가로 하기를 포함한다: 적어도 하나의 천공 (도시되지 않음) 및 적어도 하나의 그루브 (62) 중 적어도 하나. 더 바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)은 연마 표면 (14)에서 개방되어 있는 연마층 (20)에 형성되고, 연마 표면 (14)으로부터 기저 표면 (17)을 향하는, 연마 표면 (14)에 대해 법선방향으로 측정된 연마 표면 (14)으로부터의 그루브 깊이, G 깊이 를 가지는 적어도 하나의 그루브 (62)를 가진다. 바람직하게는, 연마 과정에서 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 회전시, 적어도 하나의 그루브 (62)가 기판을 휩쓸도록 적어도 하나의 그루브 (62)는 연마 표면 (14) 상에 배치된다. 바람직하게는, 적어도 하나의 그루브 (62)는 곡선형 그루브, 선형 그루브 및 이들의 조합으로부터 선택된다. 바람직하게는, 적어도 하나의 그루브 (62)는 10 mils (바람직하게는, 10 내지 150 mils) 이상의 그루브 깊이, G 깊이 를 가진다. 바람직하게는, 적어도 하나의 그루브 (62)는 복수개의 주기적 요홈, D 평균 의 평균 깊이 이하인 그루브 깊이, G 깊이 를 가진다. 바람직하게는, 적어도 하나의 그루브 (62)는 복수개의 주기적 요홈, D 평균 의 평균 깊이 초과인 그루브 깊이, G 깊이 를 가진다. 바람직하게는, 적어도 하나의 그루브 (62)는 10 mils 이상, 15 mils 이상 및 15 내지 150 mils로부터 선택되는 그루브 깊이, G 깊이 ; 10 mils 이상 및 10 내지 100 mils으로부터 선택되는 폭; 및 30 mils 이상, 50 mils 이상, 50 내지 200 mils, 70 내지 200 mils, 및 90 내지 200 mils으로부터 선택되는 피치의 조합을 가지는 적어도 2개의 그루브 (62)를 포함하는 그루브 패턴을 형성한다. 바람직하게는, 적어도 하나의 그루브 (62)는 (a) 적어도 2개의 동심원의 그루브; (b) 적어도 하나의 나선형 그루브; (c) 십자 방격 그루브 패턴; 및 (d) 이들의 조합으로부터 선택된다. (도 1115 참조).
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)은 이에 혼입되는 0.2 중량% 미만의 연마제 입자를 가진다. 더 바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 연마층 (20)은 이에 혼입되는 1 ppm 미만의 연마제 입자를 가진다.
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 추가로 서브패드 (25)를 포함한다. 바람직하게는, 서브패드 (25)는 개방 셀 폼, 폐쇄 셀 폼, 방직포 물질, 부직포 재료 (예를 들면, 펠트화된, 스푼 결합된, 및 바늘 펀칭된 물질), 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질로 제조된다. 본 기술분야의 숙련가는 서브패드 (25)로서 사용하기 위한 구조 및 서브패드 두께, T s 의 적절한 물질을 선택하는 것을 인지하고 있을 것이다. 바람직하게는, 서브패드 (25)는 15 mils 이상 (더 바람직하게는, 30 내지 100 mils; 가장 바람직하게는 30 내지 75 mils)의 서브패드 평균 두께, T S-avg 를 가진다. (도 37 참조).
본 기술분야의 숙련가는 화학적 기계적 연마 패드 (10)에 사용하기 위한 적절한 스택 접착제 (23)를 선택하는 것을 인지하고 있을 것이다. 바람직하게는, 스택 접착제 (23)는 핫 멜트 접착제이다. 더 바람직하게는, 스택 접착제 (23)는 반응성 핫 멜트 접착제이다. 더욱더 바람직하게는, 핫 멜트 첨착제 (23)는 50 내지 150 ℃, 바람직하게는 115 내지 135 ℃의 미경화된 상태에서의 용융 온도를 나타내고, 용융 이후 90 분 이하의 가사 시간을 나타내는 경화된 반응성 핫 멜트 접착제이다. 가장 바람직하게는, 미경화된 상태에서의 반응성 핫 멜트 접착제 (23)는 폴리우레탄 수지 (예를 들면, Mor-Melt™ R5003, Dow Chemical Company 사제)를 포함한다.
바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 연마 기계의 가압판과 접합되도록 적용된다. 바람직하게는, 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 연마 기계의 가압판에 부착되도록 적용된다. 더 바람직하게는, 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 감압성 접착제 및 진공 중 적어도 하나를 사용하여 가압판에 부착될 수 있다.
바람직하게는, 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 서브패드 (25)의 하부 표면 (27)에 적용되는 감압성 가압판 접착제 (70)를 포함한다. 본 기술분야의 숙련가는 감압성 가압판 접착제 (70)로서 사용하기 위한 적절한 감압성 접착제를 선택하는 방법을 인지하고 있을 것이다. 바람직하게는, 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 또한 감압성 가압판 접착제 (70)에 대해 적용되는 이형 라이너 (75)를 포함하고, 여기서 감압성 가압판 접착제 (70)은 강성층 (25)의 하부 표면 (27)과 이형 라이너 (75) 사이에 개재된다. (도 37 참조).
기판 연마 작업에서의 중요한 단계는 공정에 대한 종료점을 결정하는 것이다. 종료점 감지를 위한 하나의 일반적인 인시츄 방법은 빛의 파장을 선택하도록 투명한 윈도우를 가진 연마 패드를 제공하는 단계를 수반한다. 연마 과정에서, 라이트 빔(light beam)은 윈도우를 통해 웨이퍼 표면을 향하고, 이에서 이는 반사되고 윈도우를 통해 검출기(예를 들면, 분광측정기)로 역으로 통과된다. 반사 신호에 기초하여, 기판 표면의 특성 (예를 들면, 그 위에의 필름의 두께)은 종료점 감지를 위해 결정될 수 있다. 이와 같은 광 기반 종료점 방법을 용이하게 하기 위해서, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 임의로 종료점 감지 윈도우 (65)를 더 포함한다. 바람직하게는, 종료점 감지 윈도우 (65)는 연마층 (20)에 편입된 통합 윈도우; 그리고 화학적 기계적 연마 패드 (10)로 편입된 플러그 인 위치 종료점 감지 윈도우 블록으로부터 선택된다. 본 기술분야의 숙련가는 의도된 연마 공정에서 사용하기 위한 종료점 감지 윈도우에 대한 구조물의 적절한 물질을 선택하기 위한 것을 인지하고 있을 것이다. (도 12 참조).
바람직하게는, 본 발명의 기판의 연마 방법은 하기를 포함한다: 자성 기판, 광학적 기판 및 반도체 기판 (바람직하게는 반도체 기판; 더 바람직하게는, 반도체 기판, 여기서 상기 반도체 기판은 반도체 웨이퍼임) 중 적어도 하나로부터 선택되는 기판을 제공하는 단계; 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 연마층의 연마 표면과 기판 사이에 동적 접촉을 생성하여 기판의 표면을 연마하는 단계; 그리고 연마제 컨디셔너로 연마 표면을 컨디셔닝하는 단계. 더 바람직하게는, 본 발명의 기판의 연마 방법에서, 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30) 및 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 연마층 (20)의 연마 표면 (14)으로부터 고르게 마모된다. 가장 바람직하게는, 본 발명의 기판의 연마 방법에서, 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)의 평균 높이, H 평균 와 연마층 (20)의 평균 두께, T P-평균 사이의 차이, ΔS의 절대값이 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 사용가능한 수명에 걸쳐 0.5 μm 이하 (바람직하게는, 0.2 μm 이하; 더 바람직하게는, 0.1 μm 이하; 가장 바람직하게는, 0.05 μm 이하)를 유지하도록, 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 (30) 및 제2 비-탈루성 폴리머 상 (50)은 연마층 (20)의 연마 표면 (14)으로부터 실질적으로 동일한 비율로 마모된다.
본 발명의 일부 구현예는 이하에서 하기 실시예에 상세하게 기재될 것이다.
실시예 1- 3: 화학적 기계적 연마 패드
상업적 폴리우레탄 연마 패드를 각각의 실시예 1-3에 따라 제조된 화학적 기계적 연마 패드에서 제1 비-탈루성 폴리머 연속상으로서 사용하였다. 특히, 실시예 1에서, 30 mils의 평균 요홈 깊이, D 평균 , 60 mils의 폭 및 120 mils의 피치를 갖는 복수개의 동심원 주기적 요홈을 갖는 상업적 IC1000TM 폴리우레탄 연마 패드를 제1 비탈루성 폴리머 연속상으로서 제공하였다. 실시예 2에서, 30 mils의 평균 요홈 깊이, D 평균 , 35 mils의 폭 및 70 mils의 피치를 갖는 복수개의 동심원 요홈을 갖는 상업적 VP5000TM 폴리우레탄 연마 패드를 제1 비탈루성 폴리머 연속상으로서 제공하였다. 실시예 3에서, 30 mils의 평균 요홈 깊이, D 평균 , 60 mils의 폭 및 120 mils의 피치를 갖는 복수개의 동심원 요홈을 갖는 상업적 VP5000TM 폴리우레탄 연마 패드를 제1 비탈루성 폴리머 연속상으로서 제공하였다.
하기를 함유하는 폴리 사이드 (P) 액체 성분을 제공하였다: 77.62 중량% 고분자량 폴리에테르 폴리올 (Voralux® HF 505 폴리올, Dow Chemical Company 사제); 21.0 중량% 모노에틸렌 글리콜; 1.23 중량%의 실리콘 계면활성제 (Tegostab® B8418 계면활성제, Evonik 사제); 0.05 중량%의 주석 촉매 (Fomrez® UL-28, Momentive 사제); 및, 0.10 중량%의 3차 아민 촉매 (Dabco® 33LV 촉매, Air Products, Inc. 사제). 추가의 액체 물질 (SpecflexTM NR 556 CO2/지방족 아민 부가물, Dow Chemical Company 사제)을 폴리 사이드 (P) 액체 성분 100 중량부당 4 중량부로 폴리 사이드 (P) 액체 성분에 부가하였다. 하기를 함유하는 이소 사이드 (I) 액체 성분을 제공하였다: 100 중량%의 개질된 디페닐메탄 디이소시아네이트 ((IsonateTM 181 MDI 예비중합체, Dow Chemical Company 사제). 가압 가스 (건조 공기)를 제공하였다.
제2 비탈루성 폴리머 상을 이후 (P) 사이드 액체 공급 포트, (I) 사이드 액체 공급 포트 및 4개의 접선방향의 가압 가스 공급 포트를 갖는 축방향 혼합 장치 (MicroLine 45 CSM 축방향 혼합 장치, Hennecke GmbH 사제)를 사용하여 각각의 제1 비탈루성 폴리머 연속상 물질의 복수개의 동심성 원형 요홈 내에 제공하였다. 폴리 사이드 (P) 액체 성분 및 이소 사이드 (I) 액체 성분을 12,500 kPa의 (P) 사이드 충전 압력, 17,200 kPa의 (I) 사이드 충전 압력 및 1.564의 (I)/(P)의 중량비 (0.95의 반응성 수소기 대 NCO기의 화학양론적 비로 주어짐)로 그것의 각각의 공급 포트를 통해 축방향 혼합 장치로 공급하였다. 가압 가스를 830 kPa의 공급 압력으로 접선방향의 가압 가스 공급 포트를 통해 공급하여 3.8 내지 1의 축방향 혼합 장치를 통한 가스 질량 유량비로 조합된 액체 성분을 제공하여 조합물을 형성하였다. 조합물은 이후 254 m/sec의 속도로 각각의 주지된 제1 비탈루성 폴리머 연속상을 향해 축방향 혼합 장치로부터 배출되어 복수개의 요홈을 충전하고, 복합 구조체를 형성하였다. 복합 구조체를 100℃에서 16시간 동안 경화시켰다. 복합 구조체를 이후 평평한 선반에서 기계가공하여 실시예 1-3의 화학적 기계적 연마 패드를 유도하였다. 실시예 1-3의 각각의 화학적 기계적 연마 패드의 연마 표면을 이후 70 mil 그루브 폭, 32 mil 그루브 깊이, 및 580 mil 피치를 갖는 X-Y 그루브 패턴을 제공하기 위해 그루빙하였다.
개방 셀 다공성
상업적 IC1000TM 연마 패드 연마층 및 VP5000TM 연마 패드 연마층의 개방 셀 다공성은 3 부피% 미만인 것으로 보고되고 있다. 각각의 실시예 1-3의 화학적 기계적 연마 패드에 형성된 제2 비탈루성 폴리머 상의 개방 셀 다공성은 10 부피% 초과였다.
비교 실시예 PC1-PC2 및 실시예 P1-P3
화학적 기계적 연마 제거율 실험
실리콘 디옥사이드 제거율 연마 시험을 각각의 실시예 1-3에 따라 제조한 화학적 기계적 연마 패드를 사용하여 수행하였고, 각각 실시예에서 기재된 동일한 X-T 격자 그루브 패턴을 갖는 IC1000TM 폴리우레탄 연마 패드 및 VP5000TM (모두 Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc. 사제)를 사용하여 비교 실시예 PC1-PC2에서 수득한 것들과 비교하였다. 상세하게는, 각각의 연마 패드에 대한 실리콘 디옥사이드 제거율은 표 3에 제공되어 있다. 연마 제거율 실험을 Novellus Systems, Inc.로부터의 200 mm 블랭킷 S15KTEN TEOS 시트 웨이퍼 상에서 수행하였다. Applied Materials 200 mm Mirra® 연마기를 사용하였다. 8.3 kPa (1.2 psi)의 다운 포스(down force), 200 ml/min의 슬러리 유속 (ACuPlaneTM 5105 슬러리, Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc. 사제), 93 rpm의 테이블 회전 속도 및 87 rpm의 캐리어 회전 속도를 사용하여 모든 연마 실험을 수행하였다. Saesol 8031C 다이아몬드 패드 컨디셔너 (Saesol Diamond Ind. Co., Ltd. 사제)를 연마 패드를 컨디셔닝하기 위해 사용하였다. 연마 패드를 10분 동안 31.1 N의 다운 포스를 사용하여 컨디셔너를 사용하여 각각 파쇄하였다. 연마 패드를 31.1 N의 다운 포스를 사용하여 연마 패드의 중심으로부터 1.7 내지 9.2 in에서 10 sweeps/min으로 연마 과정 동안 원위치에서 50% 추가 컨디셔닝시켰다. 3 mm 에지 배제와 함께 49 포인트 나선형 스캔을 사용하는 KLA-Tencor FX200 계측 장비를 사용하여 연마한 이전과 이후의 필름 두께를 측정함으로써 제거율을 측정하였다. 각각의 제거율 실험을 3회 실시하였다. 각각의 연마 패드에 대한 3회 제거율 실험에 대한 평균 제거율은 표 3에 제공되어 있다.
[ 표 3 ]
Figure pat00003

Claims (10)

  1. 연마 표면, 기저 표면 및 상기 기저 표면으로부터 상기 연마 표면까지의 상기 연마 표면에 대해 법선방향으로 측정된 평균 두께, T P- 평균 를 갖는 연마층을 포함하는 화학적 기계적 연마 패드로서,
    상기 연마층은 제1 비-탈루성 폴리머 연속상 및 제2 비-탈루성 폴리머 상을 포함하고;
    상기 제1 비-탈루성 폴리머 연속상은 상기 연마 표면으로부터 상기 기저 표면을 향하는, 상기 연마 표면에 대해 법선방향으로 측정된 상기 연마 표면으로부터의 평균 요홈 깊이, D 평균 을 갖는 복수개의 주기적 요홈을 갖고;
    상기 평균 요홈 깊이, D 평균 는 상기 평균 두께, T P-평균 보다 작고;
    상기 복수개의 주기적 요홈은 상기 제2 비-탈루성 폴리머 상으로 채워지고;
    상기 제1 비-탈루성 폴리머 연속상은 8 중량% 내지 12 중량%의 미반응된 NCO기를 갖는 제1 연속상 이소시아네이트-말단화된 우레탄 예비중합체 및 제1 연속상 경화제의 반응 생성물이고;
    상기 제2 비-탈루성 폴리머 상은 제2 비-탈루성 폴리머 연속상 및 제2 비-탈루성 폴리머 불연속상으로부터 선택되고;
    상기 제2 비-탈루성 폴리머 상은 폴리 사이드 (P) 액체 성분 및 이소 사이드 (I) 액체 성분을 조합함으로써 형성되고;
    상기 폴리 사이드 (P) 액체 성분은 (P) 사이드 폴리올, (P) 사이드 폴리아민 및 (P) 사이드 알코올 아민 중 적어도 하나를 포함하고;
    상기 이소 사이드 (I) 액체 성분은 적어도 하나의 (I) 사이드 다작용성 이소시아네이트를 포함하고;
    상기 제1 비-탈루성 폴리머 연속상은 6 부피% 이하의 개방 셀 다공성을 가지고;
    상기 제2 비-탈루성 폴리머 상은 10 부피% 이상의 개방 셀 다공성을 함유하고; 그리고,
    상기 연마 표면은 기판을 연마하기 위해 적용되는, 화학적 기계적 연마 패드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수개의 주기적 요홈을 채우는 제2 비-탈루성 폴리머 상은 상기 연마층의 상기 기저 표면으로부터 상기 연마 표면을 향하는, 상기 연마 표면에 대해 법선방향으로 측정된 평균 높이, H 평균 를 가지고; 그리고 상기 평균 두께, T P- 평균 와 상기 평균 높이, H 평균 사이의 차이, ΔS의 절대값이 0.5 ㎛ 이하인, 화학적 기계적 연마 패드.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 비-탈루성 폴리머 연속상은 복수개의 중공 코어 폴리머 물질을 함유하고; 상기 복수개의 중공 코어 폴리머 물질은 1 내지 58 부피%로 상기 제1 비-탈루성 폴리머 연속상에 혼입된 것인, 화학적 기계적 연마 패드.
  4. 제2항에 있어서, 상기 복수개의 주기적 요홈은 한 군의 적어도 2개의 동심원의 요홈이고, 상기 평균 요홈 깊이, D 평균 는 15 mils 이상, 폭은 5 mils 이상, 피치는 10 mils 이상인, 화학적 기계적 연마 패드.
  5. 제2항에 있어서, 상기 복수개의 주기적 요홈이 한 군의 적어도 2개의 십자 방격(cross-hatched) 요홈인, 화학적 기계적 연마 패드.
  6. 제2항에 있어서, 상기 연마 표면에서 상기 연마층 내에 형성된 적어도 하나의 그루브를 더 포함하고; 상기 적어도 하나의 그루브는 상기 연마 표면으로부터 상기 기저 표면을 향하는, 상기 연마 표면에 대해 법선방향으로 측정된 상기 연마 표면으로부터의 그루브 깊이, G 깊이 를 가지는, 화학적 기계적 연마 패드.
  7. 제6항에 있어서, 상기 적어도 하나의 그루브가 한 군의 적어도 2개의 동심원의 그루브인, 화학적 기계적 연마 패드.
  8. 제6항에 있어서, 상기 적어도 하나의 그루브가 적어도 하나의 나선형 그루브인, 화학적 기계적 연마 패드.
  9. 제6항에 있어서, 상기 적어도 하나의 그루브가 십자 방격 패턴에 제공되는, 화학적 기계적 연마 패드.
  10. 기판의 연마 방법으로서,
    자성 기판, 광학적 기판 및 반도체 기판 중 적어도 하나로부터 선택되는 기판을 제공하는 단계;
    제1항의 화학적 기계적 연마 패드를 제공하는 단계;
    상기 연마층의 상기 연마 표면과 상기 기판 사이에 동적 접촉을 생성하여 상기 기판의 표면을 연마하는 단계; 및,
    연마제 컨디셔너로 상기 연마 표면을 컨디셔닝하는 단계를 포함하는, 기판의 연마 방법.
KR1020160078589A 2015-06-26 2016-06-23 화학적 기계적 연마 패드 복합체 연마층 제형 KR102513538B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/751,385 2015-06-26
US14/751,385 US9630293B2 (en) 2015-06-26 2015-06-26 Chemical mechanical polishing pad composite polishing layer formulation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170001623A true KR20170001623A (ko) 2017-01-04
KR102513538B1 KR102513538B1 (ko) 2023-03-23

Family

ID=57537265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160078589A KR102513538B1 (ko) 2015-06-26 2016-06-23 화학적 기계적 연마 패드 복합체 연마층 제형

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9630293B2 (ko)
KR (1) KR102513538B1 (ko)
CN (1) CN107627202B (ko)
DE (1) DE102016007767A1 (ko)
FR (1) FR3037835B1 (ko)
TW (1) TWI705080B (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9421666B2 (en) * 2013-11-04 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having abrasives therein
JP2016047566A (ja) * 2014-08-27 2016-04-07 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨パッド
US9776300B2 (en) 2015-06-26 2017-10-03 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc. Chemical mechanical polishing pad and method of making same
US10092998B2 (en) 2015-06-26 2018-10-09 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of making composite polishing layer for chemical mechanical polishing pad
US10144115B2 (en) 2015-06-26 2018-12-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of making polishing layer for chemical mechanical polishing pad
US10086494B2 (en) * 2016-09-13 2018-10-02 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High planarization efficiency chemical mechanical polishing pads and methods of making
US10208154B2 (en) 2016-11-30 2019-02-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Formulations for chemical mechanical polishing pads and CMP pads made therewith
TWI642772B (zh) * 2017-03-31 2018-12-01 智勝科技股份有限公司 研磨墊及研磨方法
JP6948878B2 (ja) 2017-08-22 2021-10-13 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体製造装置及び半導体基板の研磨方法
CN110614580B (zh) 2019-10-22 2021-11-19 西安奕斯伟材料科技有限公司 抛光垫及其制备方法、化学机械研磨设备
US20220059401A1 (en) * 2020-08-24 2022-02-24 Skc Solmics Co., Ltd. Polishing pad and method for preparing semiconductor device using the same
US20230390970A1 (en) * 2022-06-02 2023-12-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of making low specific gravity polishing pads

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006346804A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 積層研磨パッドの製造方法
US20100317261A1 (en) * 2009-06-10 2010-12-16 Mary Jo Kulp Chemical mechanical polishing pad having a low defect integral window
JP2011073112A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Fujibo Holdings Inc 研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法
JP2011528625A (ja) * 2008-07-18 2011-11-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 浮遊要素を備えた研磨パッド、その製造方法及び使用方法
JP2013539927A (ja) * 2010-10-15 2013-10-28 ネクスプラナー コーポレイション 気孔直径の多峰性分布をもつ研磨パッド

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3312215A1 (de) 1983-04-05 1984-10-11 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren zur herstellung eines zelligen polyurethans
CA2133259A1 (en) * 1993-10-29 1995-04-30 Gene O. Lindholm Method for the polishing and finishing of optical lenses
US5789451A (en) 1996-07-29 1998-08-04 The Dow Chemcial Company Alkanolamine/carbon dioxide adduct and polyurethane foam therewith
US7214757B2 (en) * 2000-03-09 2007-05-08 Eastman Kodak Company Polyurethane elastomers and shaped articles prepared therefrom
US6736709B1 (en) 2000-05-27 2004-05-18 Rodel Holdings, Inc. Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
US20050171224A1 (en) 2004-02-03 2005-08-04 Kulp Mary J. Polyurethane polishing pad
US20060089093A1 (en) * 2004-10-27 2006-04-27 Swisher Robert G Polyurethane urea polishing pad
US20070141312A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 James David B Multilayered polishing pads having improved defectivity and methods of manufacture
US7169030B1 (en) 2006-05-25 2007-01-30 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US7445847B2 (en) 2006-05-25 2008-11-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US20090094900A1 (en) 2007-10-15 2009-04-16 Ppg Industries Ohio, Inc. Method of forming a polyurea polyurethane elastomer containing chemical mechanical polishing pad
US8118644B2 (en) * 2008-10-16 2012-02-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad having integral identification feature
CN101844330A (zh) * 2009-03-24 2010-09-29 宋健民 抛光垫修整器
US9238295B2 (en) * 2013-05-31 2016-01-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical window polishing pad
TWI597125B (zh) * 2014-09-25 2017-09-01 三芳化學工業股份有限公司 拋光墊及其製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006346804A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 積層研磨パッドの製造方法
JP2011528625A (ja) * 2008-07-18 2011-11-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 浮遊要素を備えた研磨パッド、その製造方法及び使用方法
US20100317261A1 (en) * 2009-06-10 2010-12-16 Mary Jo Kulp Chemical mechanical polishing pad having a low defect integral window
JP2011073112A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Fujibo Holdings Inc 研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法
JP2013539927A (ja) * 2010-10-15 2013-10-28 ネクスプラナー コーポレイション 気孔直径の多峰性分布をもつ研磨パッド

Also Published As

Publication number Publication date
CN107627202A (zh) 2018-01-26
KR102513538B1 (ko) 2023-03-23
FR3037835B1 (fr) 2020-04-24
TW201700521A (zh) 2017-01-01
CN107627202B (zh) 2019-07-05
TWI705080B (zh) 2020-09-21
FR3037835A1 (fr) 2016-12-30
DE102016007767A1 (de) 2016-12-29
US9630293B2 (en) 2017-04-25
US20160375545A1 (en) 2016-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102513538B1 (ko) 화학적 기계적 연마 패드 복합체 연마층 제형
KR102499031B1 (ko) 화학적 기계적 연마 패드용 복합체 연마층의 제조 방법
KR102195526B1 (ko) 연성이고 컨디셔닝가능한 화학 기계적 창 연마 패드
KR102208278B1 (ko) 연성이고 컨디셔닝가능한 연마층을 갖는 다층의 화학 기계적 연마 패드 적층물
KR102191947B1 (ko) 연성이고 컨디셔닝가능한 화학 기계적 연마 패드 적층물
TWI590919B (zh) 見窗之軟且可調質化學機械硏磨墊及研磨基板之方法
US10105825B2 (en) Method of making polishing layer for chemical mechanical polishing pad
KR102548640B1 (ko) 화학적 기계적 연마 패드용 연마층의 제조 방법
US10011002B2 (en) Method of making composite polishing layer for chemical mechanical polishing pad
US9586305B2 (en) Chemical mechanical polishing pad and method of making same
JP6773465B2 (ja) ケミカルメカニカル研磨パッド複合研磨層調合物
KR102477528B1 (ko) 화학 기계적 연마 패드 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant