KR20160128516A - 반도체 발광소자 패키지 - Google Patents

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KR20160128516A
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김선홍
오대근
이진원
곽명환
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우리이앤엘 주식회사
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Abstract

본 개시는 반도체 발광소자 패키지에 있어서, 기판;기판에 구비된 반도체 발광소자;반도체 발광소자 주변 기판에 구비되어 반도체 발광소자의 빛을 반사하는 벽(a wall);그리고 기판을 통해 반도체 발광소자와 전기적으로 연결되도록 벽 내에 구비되는 보호소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지에 관한 것이다.

Description

반도체 발광소자 패키지{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자 패키지에 관한 것으로, 특히, 빛 흡수 손실을 감소시킨 반도체 발광소자 패키지에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래의 반도체 발광소자 패키지의 일 예를 나타낸 것이다. 반도체 발광소자(1)는 빛을 발광하고 ESD(electrostatic discharge) 보호소자(2)가 역으로 병렬 연결되어 있다. 기존 반도체 발광소자 패키지의 경우, 반도체 발광소자(1)와 ESD 보호소자(2)를 같은 공간에 두었다. 하지만 이 경우 반도체 발광소자(1)가 발광하여 빛이 발산되며 ESD 보호소자(2)에 흡수되어 빛 흡수 손실이 발생되는 문제점이 있다.
도 2는 한국 등록특허공보 제2005/0078545호에 개시된 LED 패키지의 일 예를 나타내는 도면이다. 이 문헌에 개시된 발명에 의하면, 광 추출 효율을 향상시키기 위하여 제너다이오드와 반도체 발광소자 사이에 돌기부(3)를 추가하여 반도체 발광소자에 흡수되는 빛을 반사시킨다. 그러나 이 기술은 광 효율은 높아지지만 집적화의 대책이 미흡한 문제점이 있다. 또한, 돌기부(3)의 높이가 적당해야 하기 때문에 소형화나 돌기부(3) 제조과정의 어려움이 문제가 된다.
도 3은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되는 반사막으로 기능하는 전극(901,902,903) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다.
도 4는 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 LED의 일 예를 나타내는 도면으로서, LED는 성장 기판(100)에 복수의 반도체층(300,400,500)이 순차로 증착되어 있다. 제2 반도체층(500) 위에 금속 반사막(950)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 전극(800)이 형성되어 있다. 봉지재(1000)는 형광체를 함유하며, 성장 기판(100) 및 반도체층(300,400,500)을 둘러싸도록 형성된다. LED는 전기적 콘택(820,960)이 구비된 기판(1200)에 도전성 접착제(830,970)에 의해 접합된다.
일반적인 카메라 플래시(Camera Flash)는 기판, 기판 위에 실장 된 LED, 리플렉터(Reflector) 또는 2차 렌즈(Lens)를 가진다. 기존에는 일반적인 Top View LED를 기판에 실장 하였다. 그러나 제품의 소형화를 위해서는 소형 LED 사용이 필요하다. 카메라 플래시가 소형화 되면 공간이 좁아서 ESD/Surge 등에 대한 보호소자(예: 제너다이오드)를 구비하기가 곤란하다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니 된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자 패키지에 있어서, 기판; 기판에 구비된 반도체 발광소자; 반도체 발광소자 주변 기판에 구비되어 반도체 발광소자의 빛을 반사하는 벽(a wall); 그리고 기판을 통해 반도체 발광소자와 전기적으로 연결되도록 벽 내에 구비되는 보호소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지가 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 반도체 발광소자 패키지의 일 예를 나타낸 도면,
도 2는 한국 등록특허공보 제2005/0078545호에 개시된 LED 패키지의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 LED의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 6은 도 5의 A-A'선을 따라 절단한 단면의 예들을 나타낸 도면,
도 7은 도 5의 B-B'선을 따라 절단한 단면의 예들을 나타낸 도면,
도 8은 반도체 발광소자와 벽, 도전부, 및 접합부의 관계의 일 예를 나타낸 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 제조방법의 일 예를 나타낸 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 제조방법의 다른 예를 나타낸 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 일 예를 설명하기 위한 도면으로서, 반도체 발광소자 패키지는 기판(10), 반도체 발광소자(20), 벽(40) 및 보호소자(30)를 포함한다. 기판(10)은 제1 배선(11), 제2 배선(12), 패드부(13)를 포함하고, 반도체 발광소자 패키지는 접합부(50,51,52)를 가질 수 있다.
도 5에 제시된 기판(10)에서 제1 배선(11), 제2 배선(12), 패드부(13)는 전기를 통하는 재료를 사용 가능하며, 하지만 패드부(13)는 전기를 통하지 않는 재질도 사용 가능하다. 반도체 발광소자(20)와 보호소자(30)는 제1 배선(11)과 제2 배선(12) 및 제2 도전부(51)와 제1 도전부(2)를 통하여 서로 전기적으로 연결 되어있다. 기판(10)은 도통이 가능한 기판이며, 대표적으로 PCB를 예로 들 수 있다.
반도체 발광소자(20)는 전기적으로 기판(10)과 구비되어 빛을 내는 기능을 할 수 있고, 본 예에서는 CSP(Chip Scale Package)가 사용된다. 반도체 발광소자(20)는 플립칩본딩 방식으로 기판(10)과 전기적으로 연결될 수 있다. 플립칩본딩을 하므로, 와이어본딩(Wire Bonding) 방식과는 다르게 칩을 뒤집어 전극(21,22;도 8 참조) 표면이 기판을 향하도록 함으로써 와이어본딩을 생략 할 수 있어 패키지의 사이즈 감소가 가능하다.
벽(40)은 절연성 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 절연성 재료인 가소성 수지인 PCT(Poly 1,4 Cyclohexane dimethyl Terephthalate), PPA(Polyphthalamide), LCP(Liquid Crystal Polymer), 열 경화성수지인 실리콘, Epoxy가 사용될 수 있다. 접합부(50,51,52)는 벽(40)의 하단에 구비된다. 벽(40)은 반도체 발광소자(20)와 떨어져 반도체 발광소자(20)를 둘러싸며 상측으로 개구(open)된다. 벽(40)은 발광하는 반도체 발광소자(20)의 빛을 반사하는 기능을 포함할 수 있다.
보호소자(30)는 정전기(ESD)나 Surge 등으로부터 반도체 발광소자(20)를 보호한다. 보호소자(30)는 제2 도전부(51)에 고정될 수 있으며, 이때 보호소자(30)의 전극을 와이어본딩(32)을 이용하여 제1 도전부(52)에 연결할 수 있다. 보호소자(30)는 제1 도전부(52)에 고정되고, 전극을 와이어본딩(32)을 이용하여 제2 도전부(51)에 연결할 수도 있다.
벽(40)과 기판(10)의 접합부(50)는 기판(10)의 패드부(13)와 접합하고, 제2 도전부(51)는 제1 배선(11)과 접합하며, 제1 도전부(52)는 제2 배선(12)과 접합한다. 벽(40)의 접합부(51,52)와 기판(10)은 전기적으로 연결될 수 있으며, 벽(40) 안에 있는 보호소자(30)를 작동시킬 수 있다. 기판(10)의 제1 배선(11)은 제2 도전부(51)와 접합되어 도통할 수 있고, 제2 배선(12)은 제1 도전부(52)와 접합되어 도통 할 수 있다. 또한 기판(10)과 벽(40)의 접합시 예를 들어 SMT용 접합제를 이용할 수 있다.
도 6은 도 5에서 A-A'선을 따라 절단한 단면의 예들을 설명하기 위한 도면으로서, 벽(40)과 접합부(50,51,52)의 노출면에 따른 다양한 예를 나타내고 있다. 도 6a에 제시된 바와 같이 제1,2 도전부(52,51)와 접합부(50)는 벽(40)으로 감싸져 있는 예이다. 6a는 제2 도전부(51)와 접합부(50)가 벽(40) 내에 있고, 어느 부분도 노출되지 않은 모습이다. 제1,2 도전부(52,51)와 접합부(50)가 외부로 노출되지 않음으로써 안정적인 전류가 전달되고 외부의 충격에 안정적인 장점이 있다. 도 6b에 제시된 바와 같이 제1,2 도전부(51,52) 및 접합부(50)의 한 부분이 노출될 수도 있다. 그리고 SMT용 접합제와 닿는 부분이 6a보다 넓다. 그 결과 한쪽으로 제1,2 도전부(51,52) 및 접합부(50)가 노출되어 접합되는 부분이 넓기 때문에 기판(10)과 벽(40)을 접합 할 때에 SMT 작업성이 개선 될 수 있다. 도 6c에 제시된 바와 같이, 도 6c는 제1,2 도전부(51,52) 및 접합부(50)가 노출되어 벽(40)으로부터 돌출되어 있다. 또한, 벽(40)이 기판(10) 위에 장착될 때 제1,2 도전부(51,52) 및 접합부(50)의 노출부분이 접합제와 결합하여 접합이 잘되는 장점이 있고, SMT 작업성이 개선 될 수 있다.
본 예에서 반도체 발광소자(20)는 기판(10)과 전기적으로 연결되는 제1 전극(도 8;22) 및 제2 전극(도 8;21)을 가지는 반도체 발광칩(23)이고, 제1 전극(22) 및 제2 전극(21)이 노출되도록 반도체 발광칩(23)을 감싸는 봉지재(24)를 포함한다. 보호소자(30)는 접합부(51,52)에 고정되며, 벽(40) 및 접합부(51,52)에 의해 차폐된 특징을 포함한다. 또한 벽(40) 내에 보호소자(30)가 존재함으로써 반도체 발광소자로부터의 빛이 보호소자(30)에 흡수되는 것이 방지된다. 봉지재(24)는 반도체 발광칩(23)을 외부의 습기, 충격 등으로 부터 보호하는 역할을 한다. 반도체 발광칩(23)은 제1 전극(22)과 제2 전극(21)을 전기적으로 연결하여 빛을 내는 역할을 한다.
도 7은 도 5에서 B-B'선을 따라 절단한 단면의 예들을 설명하기 위한 도면으로서, 도 7a는 보호소자(30)의 고정면이 절연될 때의 일 예이다. 보호소자(30)는 제2 도전부(51)에 고정 될 때, 보호소자(30)는 접합제(31)를 사용하여 고정될 수 있다. 그리고 제2 도전부(51)에 보호소자의 제1 전극을 와이어본딩(33)으로 전기적으로 연결하고, 제1 도전부(52)에 보호소자(30)의 제2 전극을 와이어본딩(32)을 이용하여 전기적으로 연결할 수 있다. 도 7b는 보호소자(30)의 고정면이 제1 전극을 형성 할 때의 일 예이다. 보호소자(30)는 제2 도전부(51)에 고정 될 때 접합제(31)를 사용하여 제2 도전부(51)에 고정할 수 있다. 그리고 제1 도전부(52)에 보호소자(30)의 제2 전극을 와이어본딩(32)을 이용하여 도통시킨다. 접합제(31)는 예를 들어 Ag paste 나 기타 도전성 접합제를 사용할 수 있다. 또한 보호소자(30)는 플립칩본딩이 가능한데, 제1 전극과 제2 전극이 같은 평면에 있는 보호소자(30) 일때, 제2 도전부(51)와 제1 전극, 제1 도전부(52)와 제2 전극을 연결하여 본딩이 가능하다. 도 7c에 제시된 예에 있어서, 벽 하단에는 홈(60)이 형성된다. 홈(60)에는 제2 도전부(51) 및 제1 도전부(52)와 연결된 보호소자(30)가 구비되고, 절연체(60)는 벽(40)의 홈(60)을 절연체로 보호소자(30)를 덮는다. 이 경우 벽(40)은 전술된 절연물질 또는 금속 모두 가능하다.
본 예에서 보호소자(30)는 반도체 발광소자(20)에 역방향 병렬 연결된다. 보호소자(30)는 반도체 발광소자(20)에 정전기 또는 Surge를 보호소자(30)를 통해 흐르게 해 반도체 발광소자(20)를 보호하는 특징을 포함한다. 보호소자(30)는 제너다이오드, TVS다이오드(Transient Voltage Suppressos Diode) 또는 이들의 조합을 포함한다. 보호소자(30) 중 일 예인 제너다이오드를 반도체 발광소자(20)에 병렬 연결하는 것을 포함한다. 제너다이오드는 병렬 연결되어 반도체 발광소자(20)에 일시적으로 걸리는 전압을 제너다이오드를 통해 흐르게 해 반도체 발광소자(20)를 보호하는 특징을 포함한다. 또한 보호소자(30)의 역할로 TVS 다이오드(Transient Voltage Suppressos Diode)도 사용 가능하다.
도 8은 도 5에서 반도체 발광소자(20)와 벽(40)과 기판(10)의 연결관계를 설명하기 위한 도면이다.
반도체 발광소자(20)는 제1 전극(22), 제2 전극(21)을 포함한다. 제1 전극(22)은 기판(10)의 제1 배선(11)과 전기적으로 연결되며, 제2 전극(21)은 기판(10)의 제2 배선(12)과 전기적으로 연결된다.
벽(40)은 제2 도전부(51), 제1 도전부(52), 접합부(50)를 포함한다. 벽(40) 내에 보호소자(30)는 제2 도전부(51) 또는 제1 도전부(52)에 고정되며 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다. 접합부(50)는 기판(10)과 패드부(13)의 접합 역할을 포함한다. 제1,2 도전부(52,51)는 전기를 통하는 역할을 해야 하기 때문에 도통 가능한 재료를 사용해야 하며, 접합부(50)는 도통 가능한 재료에 국한하지 않는다.
반도체 발광소자(20)와 제1 배선(11)과 제2 배선(12)을 통하여 전기적으로 역방향 병렬 연결되는 것을 특징으로 한다. 예를 들면, 반도체 발광소자(20)의 제1 전극(22)이 cathode(-)이고, 제2 전극(21)이 anode(+)일 때, 기판(10)에 전기적으로 연결되어 제1 배선(11)을 통해 제2 도전부(51)에 제1 전극(22)이 연결되고, 제2 배선(12)을 통해 제1 도전부(52)에 제2 전극(21)이 연결된다. 이때 보호소자(30)의 일 예인 제너다이오드가 도 7과 같이 연결되어 있다면 제너다이오드의 제2 도전부(51)는 anode(+), 제1 도전부(52)는 cathode(-)를 연결하여 병렬 연결한다.
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 제조방법의 일 예를 설명하기 위한 도면으로서, 예를 들면, 배선이 형성된 기판(10)을 두고(도 9a), 기판(10) 위에 반도체 발광소자(20)를 플립칩본딩 방식으로 접합한 후(도 9b), 반도체 발광소자(20)가 실장된 기판(10)에 벽(40)의 하단에 고정된 접합부(50,51,52)를 이용하여 벽(40)을 기판(10)에 접합(9c)하여 반도체 발광 패키지가 제조된다. 접합부(51) 또는 접합부(52)에 보호소자(20)이 고정되어 있고, 벽(40)의 사출성형시 접합부(51,52)는 벽(40)에 고정되도록 형성되어 있다. 기판(10)과 벽(40)의 접합시 예를 들어 SMT용 접합제를 이용할 수 있다. 기판(10)의 배선(11,12)과 도전부(51,52)는 도전성 솔더 물질을 사용하여 본딩하거나, 솔더를 사용하지 않고 접합하는 방법이 사용될 수 있다.
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 제조방법의 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 예를 들면, 배선이 형성된 기판(10)을 두고(도 10a), 기판(10) 위에 벽(40)의 하단의 접합부(50,51,52)를 이용하여 접합 한 후(도 10b), 벽(40)이 실장된 기판(10)의 배선(11,12)에 반도체 발광소자(20)의 전극(21,22)이 각각 도통하도록 접합한다(도 10c). 이에 따라, 반도체 발광소자(20)와 보호소자(30)가 역방향으로 병렬연결된다.
(1) 반도체 발광소자 패키지에 있어서, 기판; 기판에 구비된 반도체 발광소자; 반도체 발광소자 주변 기판에 구비되어 반도체 발광소자의 빛을 반사하는 벽(a wall); 그리고 기판을 통해 반도체 발광소자와 전기적으로 연결되도록 벽 내에 구비되는 보호소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
(2) 벽은 반도체 발광소자와 떨어져 반도체 발광소자를 둘러싸며 상측으로 개구된(open) 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
(3) 반도체 발광소자는: 기판과 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 가지는 반도체 발광칩(semiconductor light emitting chip); 그리고 제1 전극 및 제2 전극이 노출되도록 반도체 발광칩을 감싸는 봉지재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
(4) 벽의 하단에 구비되어 기판에 접합되는 접합부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
(5) 보호소자는 접합부에 고정되며, 벽, 및 접합부에 의해 차폐된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
(6) 접합부는 제1 도전부, 및 제2 도전부를 포함하며, 보호소자는 제1 도전부 또는 제2 도전부에 고정된 제너다이오드, TVS다이오드, 또는 이들의 조합을 포함하며, 보호소자는 제1 도전부 및 제2 도전부에 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
(7) 반도체 발광소자는 기판과 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 기판은: 제1 전극과 제2 도전부를 전기적으로 연결하는 제1 배선; 그리고 제2 전극과 제1 도전부를 전기적으로 연결하는 제2 배선;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(8) 벽은 추가의 접합부를 포함하며, 반도체 발광소자는 기판과 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 기판은: 제1 전극과 제2 도전부를 전기적으로 연결하는 제1 배선; 제2 전극과 제1 도전부를 전기적으로 연결하는 제2 배선; 그리고 추가의 접합부와 접합되는 패드부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
(9) 벽은 홈을 형성하며, 벽 하단에 홈이 형성되어 있고, 절연성 재료 내의 보호소자는 제2 도전부 및 제1 도전부와 연결되어 홈에 위치하여, 홈을 채워 보호소자를 덮는 절연체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
(10) 벽은 절연성 물질이며, 보호소자는 절연성 물질에 의해 덮인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지에 의하면, 반도체 발광소자가 정전기나 Surge 등에 취약한 점을 보완하기 위하여 보호소자를 발광소자 패키지 내에 위치할 때 발생할 수 있는 문제점인 보호소자가 반도체 발광소자의 빛을 흡수하는 것을 해결할 수 있는 반도체 발광소자 패키지가 제공된다.
본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지에 의하면 소형화되는 시장의 제품에 따라 반도체 발광소자 또한 소형화가 필요해졌고, 반도체 발광소자 패키지 내의 CSP(Chip Scale Package)를 사용하고 플립칩본딩하여 집약화, 사이즈의 소형화를 위한 반도체 발광소자 패키지가 제공된다.
본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지에 의하면 현재 반도체 발광소자 내에 있는 보호소자가 빛을 흡수시켜 결과적으로 휘도를 떨어뜨리는 반도체 발광소자 패키지의 문제점을 해결하고자 하는 것으로서, 상세하게는 보호소자를 벽 내에 위치시킴으로써 반도체 발광소자와 격리시켜 빛의 흡수를 방지하는 반도체 발광소자 패키지가 제공된다.

Claims (10)

  1. 반도체 발광소자 패키지에 있어서,
    기판;
    기판에 구비된 반도체 발광소자;
    반도체 발광소자 주변 기판에 구비되어 반도체 발광소자의 빛을 반사하는 벽(a wall);그리고
    기판을 통해 반도체 발광소자와 전기적으로 연결되도록 벽 내에 구비되는 보호소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    벽은 반도체 발광소자와 떨어져 반도체 발광소자를 둘러싸며 상측으로 개구된(open) 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  3. 청구항 1에 있어서,
    반도체 발광소자는:
    기판과 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 가지는 반도체 발광칩(semiconductor light emitting chip);그리고
    제1 전극 및 제2 전극이 노출되도록 반도체 발광칩을 감싸는 봉지재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  4. 청구항 1에 있어서,
    벽의 하단에 구비되어 기판에 접합되는 접합부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  5. 청구항 4에 있어서,
    보호소자는 접합부에 고정되며, 벽, 및 접합부에 의해 차폐된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  6. 청구항 4에 있어서,
    접합부는 제1 도전부, 및 제2 도전부를 포함하며,
    보호소자는 제1 도전부 또는 제2 도전부에 고정된 제너다이오드, TVS 다이오드, 또는 이들의 조합을 포함하며,
    보호소자는 제1 도전부 제2 도전부에 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  7. 청구항 6에 있어서,
    반도체 발광소자는 기판과 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며,
    기판은:
    제1 전극과 제2 도전부를 전기적으로 연결하는 제1 배선;그리고
    제2 전극과 제1 도전부를 전기적으로 연결하는 제2 배선;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  8. 청구항 6에 있어서,
    벽은 추가의 접합부를 포함하며,
    반도체 발광소자는 기판과 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며,
    기판은:
    제1 전극과 제2 도전부를 전기적으로 연결하는 제1 배선;
    제2 전극과 제1 도전부를 전기적으로 연결하는 제2 배선;그리고
    추가의 접합부와 접합되는 패드부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  9. 청구항 6에 있어서,
    벽은 홈;을 형성하며,
    벽 하단에 홈이 형성되어 있고, 절연성 재료 내의 보호소자는 제2 도전부 및 제1 도전부와 연결되어 홈에 위치하여, 홈을 채워 보호소자를 덮는 절연체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  10. 청구항 1에 있어서,
    벽은 절연성 물질이며,
    보호소자는 절연성 물질에 의해 덮인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
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WO2020159270A1 (ko) * 2019-01-31 2020-08-06 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
KR20200097359A (ko) * 2019-01-31 2020-08-19 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법

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