KR20160112973A - 약액 공급 장치의 조정 방법, 기억 매체 및 약액 공급 장치 - Google Patents

약액 공급 장치의 조정 방법, 기억 매체 및 약액 공급 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20160112973A
KR20160112973A KR1020160030302A KR20160030302A KR20160112973A KR 20160112973 A KR20160112973 A KR 20160112973A KR 1020160030302 A KR1020160030302 A KR 1020160030302A KR 20160030302 A KR20160030302 A KR 20160030302A KR 20160112973 A KR20160112973 A KR 20160112973A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chemical liquid
nozzle
discharge
area
liquid
Prior art date
Application number
KR1020160030302A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102442862B1 (ko
Inventor
히로시 도미타
신이치 미즈시노
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20160112973A publication Critical patent/KR20160112973A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102442862B1 publication Critical patent/KR102442862B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/02—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by spraying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005—Spin coating
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 도포막이 형성된 기판의 주연부에 도포막 제거용의 약액을 노즐을 통해서 공급함에 있어서, 노즐의 토출 상태의 조정 작업을 용이하게 행할 수 있는 기술을 제공한다. 노즐로부터 상기 약액을 토출하는 공정과, 상기 노즐의 선단과 당해 선단으로부터 토출하는 약액의 공중에서의 액류 형성 영역을 포함하는 영역을 촬상부에 의해 연속적으로 촬상하는 공정과, 상기 촬상부에 의한 촬상 결과에 기초하여, 촬상 영역 내에서의 약액의 면적의 시간적 추이를 나타내는 면적 추이 데이터를 취득하는 공정과, 상기 면적 추이 데이터에 기초하여, 상기 노즐에 접속된 약액 공급로에 설치된 공급 제어 기기를 조정하는 조정 공정을 실행한다. 그에 의해서 작업자가 노즐의 토출 상태를 육안으로 관찰할 필요가 없어지므로, 조정 작업을 용이하게 행할 수 있다.

Description

약액 공급 장치의 조정 방법, 기억 매체 및 약액 공급 장치{ADJUSTMENT METHOD OF CHEMICAL LIQUID SUPPLY DEVICE, STORAGE MEDIUM, AND CHEMICAL LIQUID SUPPLY DEVICE}
본 발명은 노즐로부터 기판에 약액을 공급해서 액 처리를 행하는 기술 분야에 관한 것이다.
반도체 제조 공정의 하나로서, 기판의 표면에 도포막을 형성하는 공정이 있고, 도포막으로서는 예를 들어 레지스트막, 반사 방지막, 에칭 마스크가 되는 유기막 또는 절연막 등을 들 수 있다. 도포막의 형성 공정은, 기판을 회전시켜서 약액을 확장시키는 스핀 코팅이 주류이며, 스핀 코팅에 의해 기판의 표면 전체에 약액의 액막이 형성된다. 액막을 형성할 때 기판의 주연부에도 액막이 돌아 들어가므로, 주연부로부터 막이 박리되어 파티클 오염의 요인이 된다. 또는, 기판을 반송 아암에 의해 반송할 때 반송 아암에 막이 부착되어, 반송 아암이 후속 기판을 반송할 때 그 기판을 오염시킬 우려가 있다.
이 때문에 기판의 표면에 도포막을 형성한 후, 도포막을 제거하는 약액, 예를 들어 용제에 의해 기판의 주연부의 도포막을 제거하는 공정이 행하여진다. 이 공정은, 기판이 반도체 웨이퍼인 경우, 스핀 코팅이 종료된 후, 기판을 스핀 척에 의해 회전시키면서 노즐로부터 기판의 주연부에 용제를 토출함으로써 행하여진다.
한편, 기판을 유효 활용하기 위해서 디바이스의 형성 영역을 가능한 한 기판의 둘레 끝에 근접시키고자 하는 요청이 있고, 이 요청에 따르기 위해서, 기판의 주연부에 있어서의 도포막의 제거 폭을 가능한 한 좁게 또한 둘레 방향으로 균일하게 할 필요가 있다. 이러한 점에서, 도포막 형성 장치의 운전을 행하기 전에, 용제의 노즐의 토출 상태(토출 정지 상태를 포함함)에 대해서 미묘한 조정이 요구된다. 이 조정은, 작업자가 노즐로부터 용제의 토출 상태를 육안에 의해 관찰하면서 행하여지는데, 도포막 형성 장치는 통상 가열 유닛이나 반송계와 함께 하우징 내에 배치되어 있다. 또한 도포막 형성 장치도 케이스체 내에 스핀 코팅을 행하는 컵 모듈, 약액의 토출용 노즐, 밸브 등의 약액의 공급 제어 기기의 일부가 수납되어 구성되어 있다.
이 때문에, 작업자는, 부재가 밀집되어 있는 좁고 어두운 장치 내에서 노즐로부터의 용제의 토출 상태를 확인하여야만 하여, 손전등으로 내부를 비추어도, 작업이 난항이며, 특히 스플래쉬가 일어났는지 여부 등의 판단이 어렵다. 또한, 토출 상태가 양호한지 여부의 판단이 작업자의 경험에 의하고 있기 때문에, 판단에 개인차가 포함되는 것을 피할 수 없다. 특허문헌 1에는, 도포막의 제거액이 기판의 주연부에 토출되고, 당해 주연부로부터 비산하는 방향을 CCD 카메라로 촬상하여, 제거액의 토출 방향을 조정하는 기술이 기재되어 있지만, 노즐로부터의 제거액의 토출 상태, 토출 정지 상태를 조정하는 기술은 아니다.
일본 특허 공개 제2008-183559호
본 발명은, 도포막이 형성된 기판의 주연부에 도포막 제거용의 약액을 노즐을 통해서 공급함에 있어서, 노즐의 토출 상태(토출 정지 상태를 포함함)의 조정 작업을 용이하게 행할 수 있는 기술을 제공한다.
본 발명의 약액 공급 장치의 조정 방법은, 표면에 도포막이 형성되고, 유지대에 수평하게 유지된 기판의 주연부에 상기 도포막을 제거하기 위한 약액을 노즐을 통해서 공급하는 약액 공급 장치를 조정하는 방법으로서, 상기 노즐로부터 상기 약액을 토출하는 공정과, 상기 노즐의 선단과 상기 선단으로부터 토출하는 약액의 공중에서의 액류 형성 영역을 포함하는 영역을 촬상부에 의해 연속적으로 촬상하는 공정과, 상기 촬상부에 의한 촬상 결과에 기초하여, 촬상 영역 내에서의 약액의 면적의 시간적 추이를 나타내는 면적 추이 데이터를 취득하는 공정과, 상기 면적 추이 데이터에 기초하여, 상기 노즐에 접속된 약액 공급로에 설치된 공급 제어 기기를 조정하는 조정 공정을 포함한다.
본 발명의 기억 매체는, 표면에 도포막이 형성되어 있는 기판의 주연부에 상기 도포막을 제거하기 위한 약액을 공급하는 약액 공급 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억하는 기억 매체로서, 상기 컴퓨터 프로그램은, 컴퓨터와 결합하여 본 발명의 약액 공급 장치의 조정 방법을 실행하도록 스텝 군이 짜여져 있다.
본 발명의 약액 공급 장치는, 표면에 도포막이 형성되어 있는 기판의 주연부에 상기 도포막을 제거하기 위한 약액을 공급하는 약액 공급 장치로서, 상기 기판을 수평하게 유지하는 유지대와, 상기 유지대 상의 기판의 주연부에 상기 약액을 토출하는 노즐과, 상기 노즐로부터 토출하는 약액의 토출 위치가 기판의 외측 테두리를 따라서 상대적으로 이동하도록 유지대를 구동하는 구동부와, 상기 노즐에 접속된 약액 공급로에 설치되어, 약액의 공급을 제어하기 위한 공급 제어 기기와, 상기 노즐의 선단과 상기 선단으로부터 토출하는 약액의 공중에서의 액류 형성 영역을 포함하는 영역을 연속적으로 촬상하는 촬상부를 설치하기 위한 설치부와, 상기 촬상부에 의한 촬상 결과에 기초하여, 촬상 영역 내에서의 약액의 면적의 시간적 추이를 나타내는 면적 추이 데이터를 취득하는 스텝과, 상기 면적 추이 데이터에 기초하여 상기 공급 제어 기기를 조정하는 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 포함한다.
본 발명은, 도포막이 형성된 기판의 주연부에 도포막 제거용의 약액을 노즐을 통해서 공급함에 있어서, 노즐의 선단과 당해 선단으로부터 토출하는 약액의 공중에서의 액류 형성 영역을 포함하는 영역을 촬상부에 의해 연속적으로 촬상하고 있다. 그리고, 촬상 결과에 기초하여, 촬상 영역 내에서의 약액의 면적의 시간적 추이를 나타내는 면적 추이 데이터를 취득하고, 이 데이터에 기초하여, 약액 공급로에 설치된 공급 제어 기기를 조정하도록 하고 있다. 따라서, 노즐의 토출 상태(토출 정지 상태를 포함함)의 조정 작업을 용이하게 행할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 레지스트막 형성 장치의 종단 측면도이다.
도 2는 레지스트막 형성 장치의 평면도이다.
도 3은 레지스트막 형성 장치에 설치되는 시너를 토출하는 노즐의 사시도이다.
도 4는 노즐에 시너를 공급하는 공급 제어 기기의 구성도이다.
도 5는 액류의 상태를 도시하는 설명도이다.
도 6은 레지스트막 형성 장치에 설치되는 제어부가 취득하는 데이터의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 7은 레지스트막 형성 장치에 설치되는 제어부가 취득하는 데이터의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 8은 레지스트막 형성 장치에 설치되는 제어부가 취득하는 데이터의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 9는 레지스트막 형성 장치에 설치되는 제어부가 취득하는 데이터의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 10은 제어부의 화상 처리에 의해 얻어지는 데이터의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 11은 노즐로부터 토출되는 시너의 유량과 시간의 관계를 나타내는 그래프도이다.
도 12는 노즐에 시너를 공급하기 위한 제어 기기의 조정 흐름도이다.
도 13은 노즐로부터 토출되는 시너의 액류의 상태를 도시하는 모식도이다.
도 14는 제어 기기의 조정 흐름도이다.
도 15는 노즐로부터 토출되는 시너의 액류의 상태를 도시하는 모식도이다.
도 16은 제어 기기의 조정 흐름도이다.
도 17은 노즐의 선단의 상태를 도시하는 모식도이다.
도 1, 도 2는, 약액 공급 장치가 내장된 레지스트막 형성 장치(1)의 종단 측면도, 평면도이다. 이 레지스트막 형성 장치(1)는, 원형의 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)(W)의 표면 전체에 레지스트막을 형성한 후, 웨이퍼의 주연부에 약액으로서 레지스트막의 용제인 시너를 공급하고, 웨이퍼(W)의 주연부의 불필요한 레지스트막을, 당해 주연부를 따른 링 형상으로 제거한다. 그와 같이 웨이퍼(W)에 레지스트막의 형성 및 주연부의 레지스트막의 제거(이하, 통상 처리라고 기재함)를 행하지 않을 때, 이 레지스트막 형성 장치(1)는, 상기 시너를 공급하는 노즐에 접속되는 배관에 설치되는 공급 제어 기기의 조정을 행할 수 있도록 구성되어 있다. 당해 실시 형태에 있어서, 이 공급 제어 기기의 조정은, 레지스트막 형성 장치(1)에 설치되는 제어부가 자동으로 행한다.
이하, 레지스트막 형성 장치(1)의 각 부에 대해서 설명한다. 도 1 중 도면부호 11은 웨이퍼(W)의 유지대를 이루는 스핀 척이며, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착하여, 당해 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 도면부호 12는 회전 구동부이며, 스핀 척(11)에 유지된 웨이퍼(W)를 연직축을 중심으로 회전시킨다. 도면부호 13, 14는, 각각 레지스트 토출 노즐, 시너 토출 노즐이며, 연직 하방으로 각각 레지스트, 시너를 토출한다. 이 시너 토출 노즐(14)은, 웨이퍼(W) 표면에서의 레지스트의 습윤성을 높이기 위해서 시너를 토출하는 노즐이며, 상기의 불필요한 레지스트막을 제거하기 위한 노즐과는, 별체의 노즐로서 설치되어 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 레지스트 토출 노즐(13), 시너 토출 노즐(14)은, 지지 부재를 통해서 각각 이동 기구(15, 16)에 접속되어 있다. 그리고, 레지스트 토출 노즐(13), 시너 토출 노즐(14)은, 이동 기구(15, 16)에 의해 각각 수평하면서 또한 승강 가능하게 구성되어, 웨이퍼(W)의 중심부 위와 컵(21)의 외측의 대기 영역과의 사이에서 이동 가능하게 된다. 도 2 중, 도면부호 17, 18은, 이동 기구(15, 16)가 각각 이동하기 위한 가이드이다.
컵(21)은, 스핀 척(11)에 유지된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 설치된다. 도 1 중 도면부호 22는 배기관이며, 컵(21) 내를 배기한다. 도면부호 23은 액체 배출관이며, 컵(21)의 저부에 개구되어, 당해 저부에서의 액체를 제거한다. 도면 중 도면부호 24는, 가이드 부재이며, 웨이퍼(W)의 하방측에 설치되어, 웨이퍼(W)로부터 흘러 떨어진 액체를 컵(21)의 저부에 가이드함과 함께, 컵(21) 내에서의 기류의 흐름을 규제한다.
도면 중 도면부호 31은, 레지스트막 제거용의 시너 토출 노즐이며, 비스듬히 하방으로 신장되는 막대 형상으로 형성되어, 그 선단으로부터 약액으로서 시너를 토출한다. 도면 중 32는, 시너 토출 노즐(31)에 시너를 공급하기 위한 약액 공급로를 이루는 공급관이며, 그 상류측은 유량 검출부(33), 공급 제어 기기(5)를 이 순서대로 통해서 시너 공급원(34)에 접속되어 있다. 시너 토출 노즐(31)로부터 토출되는 시너는, 상기 웨이퍼(W)의 주연부의 레지스트막을 제거한다. 따라서, 상기 공급 제어 기기의 조정은, 이 공급 제어 기기(5)에 대해서 행하여지고, 시너 토출 노즐(31), 공급 제어 기기(5) 및 시너 공급원(34)은 약액 공급 장치를 구성한다. 공급 제어 기기(5)에 대해서 상세하게는 후술한다. 또한, 상기 유량 검출부(33)는, 공급되는 시너의 유량에 따라서 제어부(6)에 검출 신호를 송신한다.
이하, 시너 토출 노즐(31)의 사시도인 도 3도 참조하면서 설명한다. 시너 토출 노즐(31)은, 수평하게 신장되는 아암(35)의 선단측에 지지되어 있다. 아암(35)의 기단측은, 도 1에 도시하는 수직인 회전축(36)에 접속되어 있고, 당해 회전축(36)은 회전 기구(37)에 의해 회전한다. 회전축(36)의 회전에 의해, 시너 토출 노즐(31)은, 컵(21) 내에 적재된 웨이퍼(W)의 주연부 상에 시너를 토출하기 위한 통상 처리용의 토출 위치와, 컵(21)의 외측에 설치된 액체 배출용 컵(38)에 시너를 토출하기 위한 시험용 토출 위치의 사이에서 이동한다. 액체 배출용 컵(38) 내에는 당해 시너를 배출하기 위한 도시하지 않은 액체 배출로가 설치되어 있다.
상기의 통상 처리에 대해서 설명하면, 시너 토출 노즐(14)로부터 웨이퍼(W)의 중심부에 토출된 시너는, 회전 구동부(12)에 의한 웨이퍼(W)의 회전 원심력에 의해 주연부에 널리 퍼진다. 그 후, 레지스트 토출 노즐(13)로부터 웨이퍼(W)의 중심부에 토출된 레지스트가 시너와 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 주연부에 널리 퍼져서, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 레지스트막이 형성된다. 이와 같이 시너 및 레지스트는, 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 도포된다. 그러한 후, 통상 처리용의 토출 위치에 위치하는 시너 토출 노즐(31)로부터, 회전 구동부(12)에 의해 회전하는 웨이퍼(W)의 주연부에 시너가 공급되고, 웨이퍼(W)의 주연을 따라 시너의 토출 위치가 이동함으로써, 당해 주연부에 있어서의 레지스트막이 제거된다.
도 3의 설명으로 돌아간다. 도면 중 도면부호 41은 촬상부인 카메라이며, 도면부호 42는 카메라(41)의 설치부이다. 카메라(41)는, 설치부(42)에 대하여 착탈 가능하며, 예를 들어 웨이퍼(W)에 통상 처리를 행할 때는 카메라 설치부(42)로부터 제거되고, 공급 제어 기기(5)의 조정을 행할 때는 카메라 설치부(42)에 설치된다. 따라서, 복수의 레지스트막 형성 장치(1) 사이에서 카메라(41)를 두루 사용을 할 수 있다.
설치부(42)에 설치된 카메라(41)의 촬상 영역에는, 시너 토출 노즐(31)의 선단과, 당해 시너 토출 노즐(31)로부터 액체 배출용 컵(38)을 향해서 공중에 토출되는 시너의 액류가 형성되는 영역이 포함된다. 촬상된 데이터는, 신호 케이블(43)을 통해서 후술하는 제어부(6)에 송신된다. 도 3중 도면부호 44는 예를 들어 LED에 의해 구성되는 조명부이며, 촬상을 행할 수 있도록 상기 촬상 영역에 광을 조사한다. 또한, 도면이 복잡해지는 것을 방지하기 위해서 도 2에서는 조명부(44)의 표시를 생략하고 있다. 또한, 도 1, 도 2 중 도면부호 10은 하우징이며, 앞서 설명한 컵(21) 및 각 노즐을 저장하고 있다.
공급 제어 기기(5)의 조정에서는, 시너 토출 노즐(31)로부터 시너의 토출을 개시하고 나서 토출을 종료할 때까지, 카메라(41)에 의해 상기 촬상 영역이 연속적으로 촬상된다. 이 촬상에서 토출 상태의 이상이 검출된 경우에, 공급 제어 기기(5)의 조정이 행하여진다. 시너 토출 노즐(31)로부터의 토출 상태의 이상으로서는, 예를 들어 스플래쉬가 있고, 이 스플래쉬는 순간적으로 발생한다. 그러한 순간적으로 발생하는 이상을 촬상할 수 있도록, 상기 연속적인 촬상으로서는, 1/200초 내지 1/1000초 간격으로 반복 촬상이 행하여지는 것이 바람직하고, 이 예에서는 1/500초 간격으로 반복 촬상이 행하여진다.
계속해서, 도 4를 참조하면서 공급 제어 기기(5)의 구성에 대해 설명한다. 이 공급 제어 기기(5)로서는, 유량 조정 밸브(51), 썩백(suck-back) 밸브(52)가 포함되고, 공급관(32)의 하류측을 향해서, 이 순서대로 설치되어 있다. 유량 조정 밸브(51)의 개방도에 따라, 하류측에 공급되는 시너의 유량이 조정된다. 또한, 이 유량 조정 밸브(51)가 개방된 상태로부터 폐쇄됨으로써, 시너 토출 노즐(31)에 있어서는, 토출되고 있던 시너의 액 끊김이 일어난다. 이 유량 조정 밸브(51)가 개방 상태에서 폐쇄 상태로 될 때까지의 스피드를, 액 끊김 스피드라고 기재하는 경우가 있다.
썩백 밸브(52)는, 용적이 가변 가능한 유로를 구비하고, 상기의 시너 토출 노즐(31)로부터의 시너의 액 끊김 후, 당해 유로의 용적이 확장됨으로써 썩백 밸브(52)의 하류측의 시너가 당해 썩백 밸브(52)를 향해서 흡인되어, 시너 토출 노즐(31)의 선단에 부착되는 시너의 액적이 흡인되어서 제거된다. 이 썩백 밸브(52)에 의한 흡인 동작을 썩백, 썩백 밸브(52)를 향해서 흡인되는 시너의 양을 썩백량, 흡인을 행하는 썩백 밸브(52)의 동작 속도를 썩백 스피드로서 각각 기재하는 경우가 있다. 유량 조정 밸브(51)의 개폐 동작과, 썩백 밸브(52)의 썩백 및 썩백량에 대해서는, 제어부(6)로부터 출력되는 제어 신호에 의해 제어된다.
도면 중 도면부호 53은 에어 공급 라인이며, 그 하류단은 분기해서 유량 조정 밸브(51), 썩백 밸브(52)에 각각 접속되어 있다. 도면 중 도면부호 54, 55는, 분기한 에어 공급 라인(53)에 설치된 스피드 컨트롤러이며, 유량 조정 밸브(51), 썩백 밸브(52)에 공급되는 에어의 유량을 각각 조정한다. 유량 조정 밸브(51)에 대해서는 에어가 공급됨으로써, 당해 유량 조정 밸브(51)가 폐쇄되고, 시너 토출 노즐(31)에 있어서의 액 끊김이 일어난다. 이 액 끊김의 스피드, 즉 유량 조정 밸브(51)의 폐쇄 스피드는, 당해 유량 조정 밸브(51)에 공급되는 에어의 유량에 대응한다. 즉, 스피드 컨트롤러(54)에 의해, 상기의 액 끊김 스피드가 제어된다.
썩백 밸브(52)에 있어서는, 에어가 공급됨으로써 상기 썩백이 행하여지고, 상기 썩백 스피드는 썩백 밸브(52)에 공급되는 에어의 유량에 대응한다. 즉, 스피드 컨트롤러(55)에 의해 썩백 스피드가 제어된다. 스피드 컨트롤러(54, 55)에 의해 각 밸브에 공급되는 에어의 유량은, 제어부(6)로부터 출력되는 제어 신호에 기초해서 제어된다.
계속해서, 도 4에 도시하는 제어부(6)에 대해서 설명한다. 제어부(6)는, 컴퓨터이며, 각종 연산을 행하기 위한 CPU(61), 메모리(62), 프로그램 저장부(63) 및 예를 들어 디스플레이로 이루어지는 표시부(64)를 구비하고 있고, 이들은 당해 제어부(6)에 포함되는 버스(60)에 접속되어 있다. 또한, 버스(60)에는, 상기 조명부(44)나, 도시를 하고 있지 않지만 이미 설명한 이동 기구(15, 16), 회전 구동부(12), 회전 기구(37) 및 공급 제어 기기(5) 등의 레지스트막 형성 장치(1)를 구성하는 각 부가 접속되어 있다.
프로그램 저장부(63)는, 프로그램을 저장하는 기억 매체이며, 예를 들어 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크) 또는 메모리 카드 등에 의해 구성되어 있다. 프로그램은, 프로그램 저장부(63)에 저장된 상태로 제어부(6)에 인스톨되어, 버스(60)를 통해서 레지스트막 형성 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 출력하여, 상기의 통상 처리, 공급 제어 기기(5)의 조정을 각각 행할 수 있다. 도 4 중, 프로그램 저장부(63)에 저장되는 공급 제어 기기(5)의 조정을 행하기 위한 프로그램으로서 65, 66을 표시하고 있다. 프로그램(65)은, 카메라(41)에 의해 취득된 화상 데이터를 화상 처리하고, 후술하는 면적 추이 데이터 및 적산 화상 데이터를 작성함과 함께, 표시부(64)에의 각종 표시를 행하기 위한 프로그램이다. 프로그램(66)은, 화상 데이터 및 화상 데이터로부터 작성된 면적 추이 데이터에 기초하여, 메모리(62) 내의 데이터를 보정하여, 공급 제어 기기(5)의 동작을 제어하기 위한 프로그램이다.
예를 들어 카메라(41)에 의해 취득된 각 화상 데이터는, 메모리(62)에 기억된다. 또한, 메모리(62)에는 스피드 컨트롤러(54, 55)의 동작을 제어하기 위한 설정값이 기억되어 있고, 이 설정값에 기초하여 스피드 컨트롤러(54, 55)의 동작이 제어된다. 또한, 메모리(62)에는 썩백량에 관한 설정값이 기억되어 있다. 즉, 이 메모리(62)에는 상기의 액 끊김 스피드, 썩백량 및 썩백 스피드를 규정하는 파라미터가 기억되어 있다. 또한, 메모리(62)에는, 개방 시의 유량 조정 밸브(51)의 개방도를 규정하는 파라미터, 즉, 안정되게 토출될 때의 시너의 유량을 규정하는 파라미터도 기억되어 있다.
액 끊김 스피드, 썩백 스피드, 썩백량의 설정이 부적절하면, 시너의 토출 상태가 이상으로 된다. 또한, 시너 토출 노즐(31)에 공급되는 시너에 기포가 포함되어 있어도 토출 상태가 이상으로 된다. 공급 제어 기기(5)의 조정은, 이 파라미터에 대해서 적절한 값을 설정하고, 또한 공급관(32) 내의 시너의 기포를 제거함으로써, 시너의 토출 상태가 정상이 되도록 행하여진다. 또한, 시너의 토출 상태란, 제어부(6)로부터 시너의 토출을 정지시키기 위한 제어 신호가 출력된 후의 상태도 포함한다.
공급 제어 기기(5)의 조정을 행함에 있어서, 시너 토출 노즐(31)이 액체 배출용 컵(38) 상의 시험용의 토출 위치에 위치한 상태에서, 시너의 토출을 개시하기 위한 제어 신호(토출 개시 트리거)가 유량 조정 밸브(51)에 출력되고, 시너가 토출된 후, 토출을 정지시키기 위한 제어 신호(토출 종료 트리거)가 유량 조정 밸브(51)에 출력된다. 이 시너의 토출에 병행하여, 이미 설명한 연속적인 촬상이 행하여진다. 이 연속적인 촬상의 개시 타이밍은, 토출 개시 트리거의 출력 시보다도 빠른 타이밍이며, 연속적인 촬상의 종료 타이밍은, 토출 종료 트리거의 출력 시보다도 늦은 타이밍이다.
연속적인 촬상의 종료 후, 취득된 각 화상 데이터에 대하여 화상 처리가 행하여지고, 화상 데이터 중의 시너의 액류의 면적이 산출된다. 이 산출은, 개략적으로는, 촬상 영역 내의 소정의 설정 영역에 포함되는 액류를 1개의 직사각형 또는 복수의 직사각형으로 간주하여, 직사각형의 면적의 합계를 구함으로써 행한다. 도 5의 (a) 내지 (c)는, 서로 다른 형상의 액류가 촬상된 화상 데이터를 나타내고 있으며, 이하, 각 액류에 관한 면적의 산출 방법을 설명한다.
도 5의 (a)에 도시한 바와 같이 액류가 직선 형상이며, 액 기둥을 형성하고 있는 경우, 상기 설정 영역에 포함되는 액류의 길이 L×액류의 폭=액류의 면적으로서 산출된다. 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이 액류가 곡선 형상인 경우, 상기의 설정 영역 내에서, 예를 들어 곡률이 소정의 값보다도 커지는 점에서 설정 영역 내의 액류를 구획한다. 그리고, 구획된 액류는 각각 직사각형인 것으로 간주하고, 각 직사각형의 면적의 합계 값을 액류의 면적으로 한다. 도 5의 (b)에서는 액류가 4개로 구획되어 있다. 구획된 액류에 대해서 시너 토출 노즐(31)에 가까운 쪽부터 제1 영역, 제2 영역, 제3 영역, 제4 영역으로 하면, 액류의 면적은, 제1 영역의 길이 L1×제1 영역의 폭+제2 영역의 길이 L2×제2 영역의 폭+제3 영역의 길이 L3×제3 영역의 폭+제4 영역의 길이 L4×제4 영역의 폭으로서 산출된다.
도 5의 (c)에 도시한 바와 같이 복수의 액적이 점재하는 액류인 경우, 설정 영역 내의 각 액적을 직사각형이라 간주하고, 액적마다 당해 면적의 면적을 산출하여, 산출된 면적을 합계해서 액류의 면적을 산출한다. 즉, 도 5의 (c)의 예에서는, 화살표로 나타내는 각 액적의 면적을 산출하고, 산출된 면적을 합계해서 액류의 면적으로 한다. 또한, 이와 같이 복수의 액적이 점재하는 경우에는, 액적 군 전체를 둘러싸는 직사각형을 설정하고, 이 직사각형의 면적을 산출해서 액류의 면적으로 해도 된다.
상기와 같이 각 화상 데이터로부터 액류의 면적이 산출되면, 당해 면적에 대해서, 시간에 의한 추이를 나타내는 면적 추이 데이터가 작성된다. 상기의 연속적인 촬상이 행하여지는 기간(촬상 전체 기간으로 함)을 시계열순으로 토출 개시 시, 토출 계속 시, 토출 종료 시의 3개로 나누는 것으로 해서, 면적 추이 데이터는 이 기간마다 작성된다. 각 기간의 길이는 미리 설정되어 있고, 토출 계속 시는, 유량 조정 밸브(51)의 개방도가, 메모리(62)에 기억된 개방도에 따른 일정한 개방도로 되어, 토출 상태가 안정되는 기간에 포함된다. 그리고, 토출 개시 시에는 토출 개시 트리거가 출력되는 타이밍과, 그 후의 토출 상태가 안정되는 기간이 포함된다. 토출 종료 시에는, 토출 종료 트리거가 출력되는 타이밍과, 당해 타이밍 후의 기간이 포함된다.
도 6, 도 7의 그래프는, 토출 개시 시, 토출 종료 시의 각 면적 추이 데이터의 일례를 나타내고 있으며, 그래프의 횡축은 소정의 시각으로부터의 경과 시간(단위: 초)을, 그래프의 종축은 면적을 각각 나타내고 있다. 이들 도 6, 도 7은 시너의 토출 상태가 정상인 경우를 나타내고 있으며, 그래프의 설명을 위해서, 서로 다른 시각에서 취득된 복수의 화상 데이터를, 그래프의 횡축에 대응시켜서 표시하고 있다.
토출 개시 시에 있어서 시너의 토출이 정상인 경우, 도 6의 각 화상 데이터에서 나타내는 바와 같이, 시너 토출 노즐(31)로부터 시너의 액 기둥이 점차 신장되어, 직선 형상의 액류가 형성된다. 따라서, 도 6의 면적 추이 데이터로서는, 액류의 면적이 점차 상승한 후에 소정의 값으로 되고, 그 소정의 값 그대로 추이한다. 또한, 토출 종료 시에 있어서 시너의 토출이 정상인 경우, 도 7의 각 화상 데이터에서 나타내는 바와 같이, 시너 토출 노즐(31)로부터 토출되는 시너가 액 기둥을 형성하는 상태에서 액 기둥이 도중에 끊어져서 액적이 토출되는 상태로 되고, 시간의 경과에 따라서 토출되는 액적이 작아짐과 함께 액적의 간격이 커진다. 그 후, 시너 토출 노즐(31)로부터의 액적의 토출이 정지해서 액 끊김이 되고, 시너 토출 노즐(31)의 선단에 부착되는 액적이 썩백에 의해 제거된다. 따라서, 도 7의 시계열 데이터로서는 액류의 면적이 안정적으로 추이하는 상태로부터, 당해 면적이 점차 저하되어, 결국 0이 된다.
도 8, 도 9의 그래프는, 도 6, 도 7과 마찬가지로 토출 개시 시, 토출 종료 시의 면적 추이 데이터이지만, 시너의 토출 상태가 이상인 예를 나타내고 있다. 도 8의 그래프에 나타내는 경과 시간 10×1/500초 부근에서는, 액류의 면적이 급격하게 상승하고, 그러한 후, 급격하게 저하되어서 피크를 형성하고 있다. 화상 데이터에 나타낸 바와 같이, 이 액류의 면적의 상승 시에는 시너 토출 노즐(31)로부터의 시너의 토출 유량이 과잉이 되어, 액류의 폭이 시너 토출 노즐(31)의 폭보다 부풀어 오른 스플래쉬로 되어 있다. 그리고, 급격하게 액류의 면적이 저하되었을 때는, 액 기둥에 도중 끊김이 발생한 상태로 되어 있다. 이러한 토출 상태로 된 것은, 이 면적 추이 데이터를 취득한 시너의 토출보다도 1개 전의 시너의 토출 후의 썩백량이 너무 많은 것 및/또는 토출되는 시너 중에 기포가 포함되어 있었던 것에 의한다.
또한, 경과 시간 13×1/500초 내지 15×1/500초에서는 액류의 면적이 안정되기 시작하고 있지만, 그 후, 경과 시간 16×1/500초 내지 20×1/500초에서는, 액류의 면적의 저하가 일어나고 있다. 화상 데이터에 나타낸 바와 같이 이 면적의 저하 시에는, 액 기둥의 도중 끊김이 발생하고 있다. 이것은 시너 토출 노즐(31)에 공급되는 시너 중에 기포가 포함되어 있는 것에 의한다. 경과 시간 21×1/500초 이후는, 액류의 면적이 다시 상승해서 안정되어 있다. 또한, 도 8에서는 화상 데이터로서 나타내고 있지 않지만, 기포를 포함한 시너가 토출될 때는, 미소한 액적이 비교적 넓은 범위에 비산된 스플래쉬가 되는 경우가 있다. 그 경우도, 도 5의 (c)에서 설명한 바와 같이 그 미소한 액적마다 면적이 산출되기 때문에, 액류의 면적은 정상 시와는 상이하게 추이한다.
또한, 도 9의 면적 추이 데이터의 그래프에 나타내는 경과 시간 1×1/500초 내지 15×1/500초에서는, 액류의 면적이 급격하게 저하되어서 0으로 된 후, 경과 시간 55×1/500초 내지 90×1/500초에서, 액류의 면적은 0과, 0보다 약간 큰 값의 사이에서 변동하여 추이하고 있다. 이 기간 중의 경과 시간 63×1/500초의 화상 데이터에서 나타내는 바와 같이, 당해 기간 중에는 시너 토출 노즐(31)로부터 액적이 토출되고 있다. 또한, 경과 시간 110×1/500초에는 비교적 큰 액류의 면적의 피크가 나타나고, 화상 데이터에서 나타내는 바와 같이 이 피크의 출현 시에는 직선 형상의 액류가 형성되어 있다.
이와 같이 액류의 면적이 추이하는 것은, 유량 조정 밸브(51)를 폐쇄하는 스피드가 너무 큰 것에 의한다. 구체적으로 설명하면, 폐쇄하는 스피드가 빠르기 때문에, 비교적 빠른 타이밍에서 시너 토출 노즐(31)로부터의 토출되는 시너의 액 끊김이 일단 일어난다. 그러나, 워터 해머 현상에 의해, 유량 조정 밸브(51)의 하류측에서는 시너가 상류측을 향해서 이동하고 있고, 이 상류측으로의 이동 후에 당해 시너가 하류측으로 이동해서 시너 토출 노즐(31)로부터 토출되기 때문에, 상기와 같이 소량의 액적이 토출된 후, 비교적 큰 유량으로 시너가 토출된다. 또한, 경과 시간 130×1/500초 내지 150×1/500초에서는, 액류의 면적이 비교적 낮은 값에서 불안정하게 추이하고 있다. 화상 데이터에 나타낸 바와 같이, 이 경과 시간 중에서는 시너 토출 노즐(31)로부터 액적이 계속해서 흘러내리고 있다. 이것은 썩백량이 부족한 것에 의한다.
토출 계속 시의 면적 추이 데이터의 그래프의 예에 대해서는 도시하고 있지 않으나, 토출 상태가 정상이면, 시너 토출 노즐(31)로부터 액 기둥이 계속해서 형성되기 때문에, 액류의 면적의 값이 일정한 그래프가 된다. 토출되는 시너에 기포가 포함되어 있는 경우에는, 토출 상태가 이상으로 되어, 액 기둥에 도중 끊김이 발생하거나, 스플래쉬가 발생함으로써, 액류의 면적의 값이 변동된다.
또한, 도 8, 도 9에서는 액 끊김 스피드가 너무 작은 경우의 문제에 대해서 나타내고 있지 않지만, 이 경우에는 토출 종료 시에 시너 토출 노즐(31)로부터 시너의 액적이 계속해서 흘러내려버리게 된다. 따라서, 면적 추이 데이터의 그래프로서는, 액류의 면적이 0보다 크고, 또한 비교적 낮은 값에서 비교적 오랜 시간 계속해서 추이하게 된다. 이상에서 설명한 바와 같이 시너의 토출 상태의 이상은, 면적 추이 데이터에 반영되게 된다. 이 면적 추이 데이터를 사용하여, 공급 제어 기기(5)의 조정이 행하여진다.
그런데, 각 화상 데이터로부터는 상기의 면적 추이 데이터 이외에, 적산 화상 데이터가 작성된다. 이 적산 화상 데이터는, 복수의 화상 데이터에서의 액류의 화상을 중첩해서 작성된다. 즉, 서로 다른 시각에서 형성된 시너의 액류의 화상 데이터가 합성되어, 1개의 화상 데이터가 된다. 이 적산 화상 데이터로서는, 토출 개시 시의 적산 화상 데이터, 토출 계속 시의 적산 화상 데이터, 토출 종료 시의 적산 화상 데이터 및 촬상 전체 기간의 적산 화상 데이터의 4개가 작성된다. 촬상 전체 기간의 적산 화상 데이터의 액류는 토출 개시 시, 토출 계속 시, 토출 종료 시의 각 적산 화상 데이터의 액류가 합성된 것이다. 각 적산 화상 데이터로부터 얻어지는 화상(적산 화상)은 표시부(64)에 표시됨으로써, 장치의 유저가 시너의 토출 상태의 이상의 유무에 대해서 확인할 수 있다.
도 10의 (a), (b), (c), (d)는, 토출 개시 시의 적산 화상, 토출 계속 시의 적산 화상, 토출 종료 시의 적산 화상, 촬상 전체 기간의 적산 화상의 예를 각각 나타내고 있다. 도 10의 (a), (c), (d)에 대해서는, 상측에 토출 상태가 정상인 예를, 하측에 토출 상태가 이상인 예를 각각 나타내고 있다. 토출 개시 시의 적산 화상에 대해서, 도 10의 (a)의 상단은 스플래쉬가 관찰되지 않고, 도 10의 (a)의 하단은 스플래쉬가 관찰된다. 즉 유저는, 적산 화상 중의 스플래쉬의 유무에 따라, 토출 상태가 정상인지 이상인지를 판단할 수 있다. 또한, 이 스플래쉬로서는, 액적이 비산되는 것 이외에, 도 8에서 나타낸 바와 같이 액류가 부풀어오르는 것이 포함된다.
토출 계속 시의 적산 화상에 대해서는 토출 개시 시와 마찬가지로, 스플래쉬가 관찰되지 않는 경우와, 스플래쉬가 관찰되는 경우가 있다. 유저는, 도 10의 (b)에 도시한 바와 같이 스플래쉬가 관찰되지 않는 경우에는 토출 상태가 정상이라고 판단하고, 스플래쉬가 관찰되는 경우에는 토출 상태가 이상이라고 판단할 수 있다. 도 10의 (c)의 토출 종료 시의 적산 화상에 있어서, 시너 토출 노즐(31)로부터 액 늘어짐이 발생하고 있는 경우에는 수직성이 높은 액류가 관찰되므로, 유저는, 그와 같은 액류가 관찰되지 않는 경우에는 토출 상태가 정상이고, 그와 같은 액류가 관찰되는 경우에는 토출 상태가 이상이라고 판단할 수 있다. 도 10의 (d)의 촬상 전체 기간의 적산 화상은, 상기와 같이 토출 개시 시, 토출 계속 시, 토출 종료 시의 액류의 화상이 합성된 것이기 때문에, 스플래쉬 및 수직성이 높은 액류가 관찰되지 않는 경우에는 토출 상태가 정상이라고 판단할 수 있고, 스플래쉬 또는 수직성이 높은 액류가 관찰되는 경우에는 토출 상태가 이상이라고 판단할 수 있다.
이 실시 형태에서는, 공급 제어 기기(5)의 조정이 자동으로 행해지므로, 토출 상태가 정상인지 여부의 판정은 제어부(6)가 행한다. 따라서, 앞서 서술한 적산 화상에 기초한 유저의 판단이 행하여지지 않지만, 후술하는 바와 같이 유저가 수동으로 공급 제어 기기(5)의 조정을 행하기 위해서는, 이러한 적산 화상을 사용해서 토출 상태가 정상인지 여부의 판정을 행하는 것이 유효하다.
계속해서, 자동으로 행해지는 공급 제어 기기(5)의 조정에 대해서 설명하기 위해, 도 11의 그래프에 대해서 설명해 둔다. 이 그래프는, 시너 토출 노즐(31)부터 정상적으로 시너가 토출되는 경우의 시간과, 당해 시너 토출 노즐(31)로부터 토출되는 시너의 유량과의 관계를 나타낸 그래프이다. 그래프의 횡축은 소정의 시각으로부터의 경과 시간을, 종축은 시너 토출 노즐(31)로부터 토출되는 시너의 유량을 각각 나타내고 있다. 이 그래프에 나타낸 바와 같이 시너의 유량이 추이하도록, 공급 제어 기기(5)의 조정이 행하여진다.
그래프에 있어서의 유량의 추이에 대해서 구체적으로 설명하면, 토출 개시 트리거가 출력되고 나서 소정의 시간이 경과한 시점 t1까지는 유량 조정 밸브(51)의 개방도가 상승함으로써 유량이 상승한다. 그리고, 시점 t1로부터 토출 종료 트리거가 출력되는 시점까지는 유량 조정 밸브(51)의 개방도가 일정해져, 유량이 일정해진다. 그 후, 토출 종료 트리거가 출력된 시점으로부터는, 유량 조정 밸브(51)의 개방도가 저하됨으로써 유량이 저하되고, 결국에는 유량 조정 밸브(51)가 폐쇄되어서 유량이 0으로 된다. 시점 t1부터 토출 종료 트리거가 출력되는 시점까지를 토출 안정 구간(그래프 중 점선의 화살표로 나타내는 구간)으로 하면, 상기 토출 계속 시는 토출 안정 구간에 포함되고, 상기 메모리(62)에 기억되는 유량 조정 밸브(51)의 개방도는, 토출 안정 구간에서의 개방도를 규정하고 있다.
이하, 공급 제어 기기(5)의 자동 조정의 공정에 대해서 설명한다. 우선, 도 12에 나타내는, 시너 토출 노즐(31)에 공급되는 시너가 기포를 포함하지 않는 상태로 하고(기포 섞임의 제거), 또한 토출 안정 구간의 시너 유량을 목표 유량으로 하기 위한 플로우가 행하여진다. 유저가 제어부(6)에 대하여 원하는 목표 유량을 설정하면, 이 설정에 따른 유량 조정 밸브(51)의 밸브 개방도가 메모리(62)에 기억된다(스텝 S1).
그 후, 상술한 바와 같이 카메라(41)에 의해 연속적인 촬상이 개시되고, 이 촬상 개시에 약간 지연되어 토출 개시 트리거가 출력되어서, 시험용 토출 위치에 위치하는 시너 토출 노즐(31)로부터 시너의 토출이 개시된다. 그리고, 유량 조정 밸브(51)의 개방도가 메모리(62)에 기억된 개방도로 되는 한편, 유량 검출부(33)로부터의 검출 신호가 제어부(6)에 송신된다(스텝 S2). 그 후, 토출 종료 트리거가 출력되어 시너의 토출이 종료되고, 이 토출 종료에 약간 지연되어서 연속적인 촬상이 정지한다.
촬상 정지 후, 취득된 각 화상 데이터가 화상 처리되어, 촬상 전체 기간의 적산 화상 데이터와, 토출 개시 시, 토출 계속 시, 토출 종료 시에 있어서의 각 적산 화상 데이터와, 토출 개시 시, 토출 계속 시, 토출 종료 시에 있어서의 각 면적 추이 데이터가 작성된다. 또한, 이들 적산 화상 데이터 및 면적 추이 데이터의 작성에 병행하여, 유량 검출부(33)로부터 송신되는 검출 신호에 기초하여, 토출 안정 구간에 있어서의 유량 값이 검출된다(스텝 S3). 그 후, 토출 계속 시의 면적 추이 데이터에 기초하여, 시너 토출 노즐(31)로부터 토출된 시너에 기포가 포함되어 있었는지 여부에 대해서 판정된다(스텝 S4).
이 스텝 S4의 판정에 대해서, 도 13을 참조하면서 설명한다. 도 13은, 토출 안정 구간에서 취득되는 화상 데이터를 모식적으로 도시하고 있다. 또한, 이 도 13 및 후술하는 도 15, 도 17에서는, 설명의 편의상, 시너 토출 노즐(31) 내에 포함되는 시너가 촬상되어 있도록 나타내고 있지만, 도 6 내지 도 9에 도시한 바와 같이 시너 토출 노즐(31) 내의 시너에 대해서는 촬상되지 않아도 된다. 토출 계속 시에 토출되는 시너가 기포를 포함하지 않고, 정상인 상태에서 토출되는 경우, 취득되는 모든 화상 데이터에 있어서, 도 13의 (a)에 도시한 바와 같이 시너의 액류에 도중 끊김이 없이, 당해 액류는 기둥 형상으로 되어 있다. 따라서, 토출 계속 시의 면적 추이 데이터의 액류의 면적은 일정해진다.
그러나, 토출되는 시너가 기포를 포함하여, 토출 상태가 이상인 경우에는, 도 13의 (b), 도 13의 (c)에 도시한 바와 같이 액 기둥이 복수로 분단되거나, 액 기둥이 짧아진 화상 데이터가 취득되므로, 토출 계속 시의 면적 추이 데이터의 액류의 면적은 변동된다. 상술한 바와 같이 기포가 포함됨으로써, 액류가 분단되거나 짧아지는 것 외에, 스플래쉬가 일어나는 경우도 액류의 면적은 변동된다. 따라서, 스텝 S4에서는, 토출 계속 시의 액류의 면적이 일정한 경우에는, 기포가 포함되어 있지 않다(기포 섞임이 없다)고 판정되고, 액류의 면적이 변동되어 있는 경우에는, 기포가 포함되어 있다(기포 섞임이 있다)고 판정된다.
스텝 S4에서 기포가 포함되어 있다고 판정되면, 시너 토출 노즐(31)로부터 소정량의 시너가 미리 설정된 횟수, 액체 배출용 컵(38)에 토출되어, 공급관(32) 내의 시너가 제거된다. 당해 시너가 기포를 포함하는 경우, 이 기포도 시너와 함께 제거되므로, 이 시너의 제거는 공급관(32) 내의 시너의 기포 제거 작업이다(스텝 S5). 스텝 S5의 실행 후는 스텝 S2 이후의 각 스텝 S가 실시된다.
스텝 S4에서 기포가 포함되어 있지 않다고 판정된 경우에는, 검출된 유량이 목표 유량에 대하여 일치하고 있는지, 목표 유량보다 많은지, 목표 유량보다 적은지가 판정된다(스텝 S6). 이 스텝 S6에서, 목표 유량보다 많다고 판정된 경우에는, 메모리(62)에 기억된 유량 조정 밸브(51)의 개방도에 대해서, 소정량의 조정값이 감산되어서 보정된다(스텝 S7), 그 후, 스텝 S2 이후의 각 스텝 S가 실시된다. 스텝 S6에서, 목표 유량보다 적다고 판정된 경우에는, 메모리(62)에 기억된 밸브의 개방도에 대해서 소정량의 조정값이 가산되어서 보정된다(스텝 S8). 그 후, 스텝 S2 이후의 각 스텝 S가 실시된다. 스텝 S6에서, 검출된 유량이 목표 값에 대하여 일치하고 있다고 판정된 경우에는, 다음 공정의 플로우인 액 끊김 조정을 행하는 플로우로 이행한다.
계속해서, 액 끊김 조정을 행하는 플로우에 대해서, 도 14의 흐름도를 참조하면서 설명한다. 메모리(62)에 기억되는 썩백량, 썩백 스피드의 각 설정값이, 예를 들어 초기값에서 0으로 변경된다. 즉, 시너 토출 노즐(31)로부터 시너를 토출한 후, 썩백이 행하여지지 않는 설정이 된다. 또한, 메모리(62)에 기억되는 스피드 컨트롤러(54)의 액 끊김 스피드의 설정값은, 예를 들어 임의의 초기값으로 설정된다(스텝 T1).
그 후, 앞서 서술한 기포 섞임의 제거의 플로우에 있어서의 스텝 S2와 마찬가지로, 카메라(41)에 의한 연속적인 촬상이 행하여지고, 이 연속적인 촬상 기간 중에 시너의 토출이 행하여진다(스텝 T2). 그리고, 스텝 S3과 마찬가지로 각 화상 데이터가 화상 처리되어, 각 기간의 적산 화상 데이터와, 각 기간의 면적 추이 데이터가 작성된다(스텝 T3). 예를 들어 스텝 T2에서 취득된 화상 데이터 중, 마지막으로 취득된, 즉 가장 새롭게 취득된 화상 데이터에 기초하여 액 끊김이 적절한지 여부가 판정된다(스텝 T4). 이 스텝 T4에서는, 예를 들어 도 15의 중앙에 도시한 바와 같이, 시너 토출 노즐(31)의 선단에 시너가 부착된 상태로 되어 있는 경우, 액 끊김이 적절하다고 판정된다. 그리고, 도 15의 좌측에 도시한 바와 같이, 시너 토출 노즐(31)의 선단에 액적이 부착되어 있지 않은 경우 및 도 15의 우측에 도시한 바와 같이, 선단으로부터 방울져 떨어지고 있는 경우에는, 액 끊김이 적절하지 않다고 판정된다. 이 스텝 T4에서, 액 끊김이 적절하다고 판정된 경우에는, 다음 공정인 썩백의 조정 플로우로 이행한다.
스텝 T4에서 액 끊김이 적절하지 않다고 판정된 경우에는, 스텝 T3에서 취득한 토출 종료 시의 면적 추이 데이터에 기초하여, 액 늘어짐이 길게 계속되었는지 여부에 대해서 판정된다(스텝 T5). 이 스텝 T5의 판정의 구체적인 일례에 대해서 설명한다. 액 늘어짐이 일어나면, 토출 정지 트리거의 출력 후에 액류의 면적이 0보다 크고 비교적 작은 값에서 추이하는 파형이 출현한다. 유량 조정 밸브(51)의 폐쇄 속도가 너무 크면, 도 9의 55×1/500초 내지 90×1/500초에서 예시되는 바와 같이, 그러한 파형이 출현하는 기간은 비교적 짧고, 유량 조정 밸브의 폐쇄 속도가 너무 작으면, 그러한 파형이 출현하는 기간은 비교적 길다. 따라서, 예를 들어 토출 정지 트리거의 출력 후, 액류의 면적이 0보다 크고 소정의 값 이하로 되어 있는 기간이, 임계값을 초과한 경우에는, 액 늘어짐이 길게 계속되었다고 판정되고, 임계값을 초과하지 않는 경우에는, 액 늘어짐이 길게 계속되어 있지 않다고 판정된다.
스텝 T5에서, 액 늘어짐이 길게 계속되었다고 판정되면, 메모리(62)에 기억되는 액 끊김 스피드의 설정값이 소정의 양 증가하도록 보정된다. 즉, 유량 조정 밸브(51)의 폐쇄 속도가 소정의 양만큼 커지도록, 스피드 컨트롤러(54)의 동작을 제어하는 설정값이 보정된다(스텝 T6). 스텝 T5에서, 액 늘어짐이 길게 계속되고 있지 않다고 판정되면, 메모리(62)에 기억되는 액 끊김 스피드의 설정값이 소정의 양만큼 저하되도록 보정된다. 즉, 유량 조정 밸브(51)의 폐쇄 속도가 소정의 양 작아지도록, 스피드 컨트롤러(54)의 동작을 제어하는 설정값이 보정된다(스텝 T7). 스텝 T6, T7의 실행 후는 스텝 T2 이후의 스텝 T가 행하여지고, 스텝 T4에서 액 끊김이 적절하다고 판정된 경우에는, 썩백의 조정 플로우가 개시된다.
계속해서, 썩백의 조정 플로우에 대해서, 도 16의 흐름도를 참조하면서 설명한다. 이 조정 플로우에서는, 액 끊김으로부터 1초 후에 적절한 양으로 썩백하도록 각 부의 조정이 행하여진다. 우선, 메모리(62)에 기억되는 썩백량의 설정값이 초기값 A0, 썩백 스피드의 설정값이 초기값 B0으로 변경된다(스텝 U1). 즉, 시너 토출 후에 썩백이 행해지도록 설정된다. 그 후, 시너 토출 노즐(31)로부터 시너의 토출이 행하여지고, 토출 후에 썩백이 행하여진다.
계속해서 이미 설명한 스텝 S2, T2와 마찬가지로, 카메라(41)에 의한 연속적인 촬상이 행하여지고, 이 연속적인 촬상 기간 중에 시너의 토출이 행하여진다(스텝 U2). 그리고, 스텝 S3, T3과 마찬가지로 각 화상 데이터가 화상 처리되어, 각 기간의 적산 화상 데이터와, 각 기간의 면적 추이 데이터가 작성된다(스텝 U3). 그 후, 토출 개시 시의 면적 추이 데이터에 기초하여, 당해 토출 개시 시에 스플래쉬가 발생하고 있는지 여부가 판정된다(스텝 U4).
이 판정의 일례에 대해서 구체적으로 설명한다. 도 8에서 설명한 바와 같이 스플래쉬가 발생하면, 액 기둥의 팽창 또는 액 기둥의 도중 끊김이 발생한다. 또한, 액적의 비산이 발생하는 경우도 있다. 액 기둥이 부풀어 오르면 액류의 면적이 급격하게 상승한다. 또한, 액 기둥의 도중 끊김이 발생하거나, 액적이 비산된 상태가 되면, 액류의 면적이 급격하게 감소한다. 따라서, 이 스텝 U4에서는, 예를 들어 면적 추이 데이터의 그래프를 미분하고, 그 미분 값이 상한의 임계값을 초과하지 않고, 또한 하한의 임계값을 초과하지 않는 경우에는, 스플래쉬가 발생하지 않았다고 판정되고, 미분 값이 상한의 임계값 또는 하한의 임계값을 초과한 경우에는, 스플래쉬가 발생한 것으로 판정된다.
스텝 U4에서 스플래쉬가 발생하였다고 판정된 경우에는, 메모리(62)의 썩백량의 설정값을 소정의 양인 A1만큼 감소시킨다(스텝 U5). 이 스텝 U5의 실시 후에는 스텝 U2 이후의 스텝 U가 행하여진다. 스텝 U4에서 스플래쉬가 발생하지 않았다고 판단된 경우에는, 토출 종료 시의 각 화상 데이터에 기초하여 썩백이 행해졌는지 여부의 판정이 행하여진다(스텝 U6). 이 판정에 대해서, 도 17을 참조하면서 설명한다. 예를 들어 도 17의 좌측에 도시한 바와 같이 시너 토출 노즐(31)의 선단에 액적이 부착되어 있는 상태의 화상이 취득된 후에, 도 17의 우측에 도시한 바와 같이 선단의 액적이 제거되어 있는 화상이 취득되었으면, 썩백이 행하여졌다고 판정된다. 그와 같이 액적이 제거되어 있는 화상이 취득되지 않았으면, 썩백이 행하여지지 않았다고 판정된다.
스텝 U6에서, 썩백이 행하여지지 않았다고 판정된 경우, 메모리(62)의 썩백량의 설정값을 소정의 양인 A2만큼 증가시킴과 함께 썩백 스피드를 소정의 양인 B2만큼 증가시키도록 보정한다(스텝 U7). 이 보정 후에는 스텝 U2 이후의 스텝 U가 행하여진다.
스텝 U6에서 썩백이 행하여졌다고 판정된 경우, 썩백 시간에 대해서 1초이다, 1초보다 늦다, 및 1초보다 빠르다 중 어디에 해당하는지가 판정된다(스텝 U8). 이 판정에 대해서 설명하면, 도 17의 우측에 나타내는 시너 토출 노즐(31)의 선단의 액적이 제거된 화상이 취득된 시점부터, 도 17의 좌측에 나타내는 액적이 부착되어서 정지한 상태의 화상이 취득된 시점까지의 시간이 1초인지 여부가 판정된다. 화상 데이터는 소정의 간격으로 취득되고 있기 때문에, 예를 들어 이 썩백 시간에 관한 판정은, 도 17의 우측 화상이 취득되고 나서, 도 17의 좌측 화상이 취득될 때까지 취득된 화상의 수에 기초해서 행하여진다.
스텝 U8에서 썩백 시간이 1초보다 짧다고 판정된 경우에는, 메모리(62)의 썩백 스피드의 설정값을 소정의 양인 B1만큼 감소시킨다(스텝 U9). 스텝 U8에서 썩백 시간이 1초보다 길다고 판정된 경우에는, 메모리(62)의 썩백 스피드의 설정값을 소정의 양인 B2만큼 증가시킨다(스텝 U10). 또한, 썩백 속도가 너무 느린 경우에는 액 늘어짐이 발생할 우려가 있고, 썩백 스피드가 너무 빠른 경우에는 기포를 함유하여, 다음에 시너를 토출할 때 스플래쉬가 일어날 우려가 있다. 이러한 토출 이상이 발생하는 것을 방지하기 위해서, 스텝 U8 내지 U10에서 썩백 스피드가 조정된다. 이 스텝 U9, 스텝 U10의 종료 후에는 스텝 U2 이후의 각 스텝 U가 실행된다. 스텝 U8에서 썩백 시간이 1초라고 판정된 경우에는, 공급 제어 기기(5)의 자동 조정이 종료된다. 자동 조정의 종료 후에는 통상 처리가 행하여지고, 각 플로우에서 메모리(62)에 설정된 파라미터에 기초하여 시너의 급단이 행하여져, 웨이퍼(W)의 주연부의 레지스트막이 제거된다.
이 레지스트막 형성 장치(1)에 의하면, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)의 주연부에 레지스트막 제거용의 시너를 시너 토출 노즐(31)을 통해서 공급함에 있어서, 시너 토출 노즐(31)의 선단과 당해 선단으로부터 토출하는 시너의 공중에서의 액류 형성 영역을 포함하는 영역을 카메라(41)에 의해 연속적으로 촬상하고 있다. 그리고 촬상 결과에 기초하여, 촬상 영역 내에서의 시너의 면적의 시간적 추이를 나타내는 면적 추이 데이터가 취득된다. 이 면적 추이 데이터에 기초하여, 시너의 스플래쉬나 시너 토출 종료 후의 액 늘어짐이 일어나지 않도록, 공급 제어 기기(5)의 동작을 제어하기 위한 메모리(62) 내의 각 파라미터가 자동 조정됨과 함께, 공급관(32) 내의 기포 제거가 자동으로 행해진다. 따라서, 배경기술의 항목에서 기재한 바와 같은, 작업자가 좁고 어두운 장치 내에서 시너 토출 노즐(31)로부터의 시너의 토출 상태를 관찰할 필요가 없으므로, 용이하게 시너의 토출 상태를 조정할 수 있고, 조정에 필요로 하는 작업 시간의 단축도 도모할 수 있다. 또한 시너의 토출 상태에 대해서 판정함에 있어서, 작업자간에 차가 발생하는 것을 방지할 수 있으므로, 공급 제어 기기(5)의 조정 작업에 작업자간에 차가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 순간적으로 스플래쉬가 발생하거나, 스플래쉬에 의해 비산되는 액적이 미소해도, 연속적인 촬상을 행하고 있음으로써, 이들 순간적인 스플래쉬 및 미소한 액적이 포함된 화상 데이터를 취득할 수 있다. 따라서, 작성되는 면적 추이 데이터는, 이 스플래쉬의 발생이 보다 확실하게 반영된 것으로 되기 때문에, 공급 제어 기기(5)의 자동 조정을 정밀도 높게 행할 수 있다. 따라서, 통상 처리 시에 있어서 시너의 토출 상태가 이상해지는 것을, 보다 확실하게 억제할 수 있다.
상기의 공급 제어 기기(5)의 조정은, 제어부(6)에 의해 자동으로 행하는 것에 한정되지 않고, 유저가 수동으로 행하도록 해도 된다. 그 경우, 상기의 각 플로우에서 화상 데이터가 취득되면, 이 화상 데이터로부터 얻어지는 화상, 적산 화상 및 면적 추이 데이터의 그래프 등, 판정에 필요한 것을 표시부(64)에 표시할 수 있도록 한다. 또한, 이와 같이 수동 조정을 행하는 경우, 예를 들어 상기의 각 스텝에서, 면적 추이 데이터 대신에 적산 화상에 의해 판정을 행할 수 있는 스텝은, 적산 화상을 사용해서 판정을 행해도 된다. 예를 들어, 도 16의 썩백 조정 플로우에 있어서의 스텝 U4의 스플래쉬의 유무 판정에 대해서는, 적산 화상을 사용해서 판정할 수 있다. 또한, 자동 조정 시에 있어서도 이 스텝 U6의 판정은, 적산 화상 데이터에 기초해서 행해도 된다.
이와 같이, 유저가 수동으로 조정을 행함에 있어서, 정지 화상인 적산 화상을 취득하고 있는 것은, 작업의 효율화를 도모함에 있어서 유효하다. 예를 들어, 취득한 화상 데이터로부터 시너의 토출 상태를 나타내는 동화상을 작성하는 것도 가능하다. 그러나, 동영상으로는 토출 상태의 이상 유무를 확인하기 위해서, 유저가 당해 동화상의 개시 시점부터 종료 시점을 향해서 시간을 들여 볼 필요가 있는데, 도 10에서 예시한 바와 같이 적산 화상을 사용한 경우에는 일별해서 이상의 유무를 확인할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이 스플래쉬는 순간적으로 발생하기 때문에, 동영상으로는 스플래쉬의 확인이 곤란한 경우도, 적산 화상을 사용함으로써 용이하게 확인할 수 있다. 또한 상기의 예에서는, 토출 개시 시, 토출 계속 시, 토출 종료 시의 각 기간의 적산 화상을 취득하고 있으므로, 유저는 어느 기간에서 이상이 발생하고 있는지 빠르게 확인할 수 있다. 따라서, 각 적산 화상을 참조함으로써, 상기의 공급 제어 기기(5)의 조정을 빠르게 행할 수 있다.
이와 같이 유저가 수동으로 공급 제어 기기(5)의 조정을 행하는 경우도, 시너 토출 노즐(31)로부터의 액류를 육안으로 관찰함으로써 토출 상태의 이상을 검출하는 것에 비해, 이상의 검출을 용이하면서도 또한 확실하게 행할 수 있으므로, 유저의 부담은 경감된다. 따라서, 상기한 파라미터의 조정 및 기포를 포함한 시너의 제거에 필요로 하는 조정 작업 시간의 단축화, 작업자간에 의한 조정 오차를 억제할 수 있다.
한편, 레지스트막 형성 장치(1)에 있어서의 구동부는, 웨이퍼(W)의 유지대에 대하여 노즐(31)에 의한 시너의 토출 위치를 상대적으로 이동시킬 수 있으면 되며, 따라서 노즐(31)이 정지한 웨이퍼(W) 상을 당해 구동부에 의해 이동하는 장치이어도 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 본 발명에 적용되는 기판은 각형 기판이어도 된다. 구체적으로는, 노즐로부터 각형 기판에 토출되는 약액의 토출 위치가, 구동부에 의해 당해 각형 기판의 변을 따라서 상대적으로 이동하도록 구성되는 장치에 대해서도 본 발명을 적용할 수 있다.
1 : 레지스트막 형성 장치 11 : 스핀 척
31 : 시너 토출 노즐 41 : 카메라
5 : 공급 제어 기기 51 : 유량 조정 밸브
52 : 썩백 밸브 53 : 에어 공급 라인
54, 55 : 스피드 컨트롤러 6 : 제어부
62 : 메모리 64 : 표시부
65 : 화상 처리 프로그램 66 : 조정용 프로그램

Claims (9)

  1. 표면에 도포막이 형성되고, 유지대에 수평하게 유지된 기판의 주연부에 상기 도포막을 제거하기 위한 약액을 노즐을 통해서 공급하는 약액 공급 장치를 조정하는 방법으로서,
    상기 노즐로부터 상기 약액을 토출하는 공정과,
    상기 노즐의 선단과 상기 선단으로부터 토출하는 약액의 공중에서의 액류 형성 영역을 포함하는 영역을 촬상부에 의해 연속적으로 촬상하는 공정과,
    상기 촬상부에 의한 촬상 결과에 기초하여, 촬상 영역 내에서의 약액의 면적의 시간적 추이를 나타내는 면적 추이 데이터를 취득하는 공정과,
    상기 면적 추이 데이터에 기초하여, 상기 노즐에 접속된 약액 공급로에 설치된 공급 제어 기기를 조정하는 조정 공정을 포함하는 약액 공급 장치의 조정 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 조정 공정은, 노즐로부터의 약액의 토출이 개시되고, 토출의 안정 구간에 들어간 후, 토출 종료를 위한 제어 신호가 발생될 때까지의 기간에서의 상기 면적 추이 데이터에 기초하여, 약액 내의 기포의 유무를 판단하는 공정과, 기포가 있다고 판단했을 때, 약액 내의 기포 제거 작업을 행하는 공정을 포함하는, 약액 공급 장치의 조정 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 조정 공정은, 노즐로부터의 약액의 토출 정지를 위한 제어 신호가 발생된 후의 기간에서의 상기 면적 추이 데이터에 기초하여, 약액의 액 끊김 속도를 조정하는 공정을 포함하는, 약액 공급 장치의 조정 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 조정 공정은, 노즐로부터의 약액의 토출 정지를 위한 제어 신호가 발생된 후의 기간에서의 상기 면적 추이 데이터에 기초하여, 약액의 액 끊김 시에 있어서의 썩백 밸브에 의한 썩백에 필요로 하는 썩백 시간을 구하는 공정과,
    상기 썩백 시간과 미리 설정한 설정 시간에 기초하여, 상기 썩백 밸브에 의한 썩백 시간을 조정하는 공정을 포함하는, 약액 공급 장치의 조정 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 노즐로부터의 약액의 토출 개시를 위한 제어 신호가 발생된 후, 토출 상태가 안정될 때까지의 기간을 포함하는 기간에서의 적산 화상을 표시하는 공정을 더 포함하는, 약액 공급 장치의 조정 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 노즐로부터의 약액의 토출 종료를 위한 제어 신호가 발생된 후에 있어서의 적산 화상을 표시하는 공정을 더 포함하는, 약액 공급 장치의 조정 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 조정 공정은,
    노즐로부터의 약액의 토출이 개시되고, 토출의 안정 구간에 들어간 후, 토출 종료를 위한 제어 신호가 발생될 때까지의 기간에서의 상기 면적 추이 데이터에 기초하여, 약액 내의 기포의 유무를 판단하는 공정,
    기포가 있다고 판단했을 때, 약액 내의 기포 제거 작업을 행하는 공정,
    노즐로부터의 약액의 토출 정지를 위한 제어 신호가 발생된 후의 기간에서의 상기 면적 추이 데이터에 기초하여, 약액의 액 끊김 속도를 조정하는 공정,
    노즐로부터의 약액의 토출 정지를 위한 제어 신호가 발생된 후의 기간에서의 상기 면적 추이 데이터에 기초하여, 약액의 액 끊김 시에 있어서의 썩백 밸브에 의한 썩백에 필요로 하는 썩백 시간을 구하는 공정, 및
    상기 썩백 시간과 미리 설정한 설정 시간에 기초하여, 상기 썩백 밸브에 의한 썩백 시간을 조정하는 공정의 순서로 행하는, 약액 공급 장치의 조정 방법.
  8. 표면에 도포막이 형성되어 있는 기판의 주연부에 상기 도포막을 제거하기 위한 약액을 공급하는 약액 공급 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억하는 기억 매체로서,
    상기 컴퓨터 프로그램은, 컴퓨터와 결합하여 제1항 또는 제2항에 기재된 약액 공급 장치의 조정 방법을 실행하도록 스텝 군이 짜여져 있는 기억 매체.
  9. 표면에 도포막이 형성되어 있는 기판의 주연부에 상기 도포막을 제거하기 위한 약액을 공급하는 약액 공급 장치로서,
    상기 기판을 수평하게 유지하는 유지대와,
    상기 유지대 상의 기판의 주연부에 상기 약액을 토출하는 노즐과,
    상기 노즐로부터 토출하는 약액의 토출 위치가 기판의 외측 테두리를 따라서 상대적으로 이동하도록 유지대를 구동하는 구동부와,
    상기 노즐에 접속된 약액 공급로에 설치되어, 약액의 공급을 제어하기 위한 공급 제어 기기와,
    상기 노즐의 선단과 상기 선단으로부터 토출하는 약액의 공중에서의 액류 형성 영역을 포함하는 영역을 연속적으로 촬상하는 촬상부를 설치하기 위한 설치부와,
    상기 촬상부에 의한 촬상 결과에 기초하여, 촬상 영역 내에서의 약액의 면적의 시간적 추이를 나타내는 면적 추이 데이터를 취득하는 스텝과, 상기 면적 추이 데이터에 기초하여 상기 공급 제어 기기를 조정하는 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 포함하는 약액 공급 장치.
KR1020160030302A 2015-03-20 2016-03-14 약액 공급 장치의 조정 방법, 기억 매체 및 약액 공급 장치 KR102442862B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-058230 2015-03-20
JP2015058230A JP6332095B2 (ja) 2015-03-20 2015-03-20 薬液供給装置の調整方法、記憶媒体及び薬液供給装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160112973A true KR20160112973A (ko) 2016-09-28
KR102442862B1 KR102442862B1 (ko) 2022-09-14

Family

ID=56924247

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160030302A KR102442862B1 (ko) 2015-03-20 2016-03-14 약액 공급 장치의 조정 방법, 기억 매체 및 약액 공급 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10155246B2 (ko)
JP (1) JP6332095B2 (ko)
KR (1) KR102442862B1 (ko)
TW (1) TWI659472B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108400103A (zh) * 2017-02-08 2018-08-14 株式会社斯库林集团 基板处理装置、其控制方法及计算机可读存储介质
KR20180119137A (ko) * 2017-04-24 2018-11-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리 장치, 이상 검지 방법 및 기억 매체
KR20210031506A (ko) * 2018-08-27 2021-03-19 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 교사 데이터 생성 방법 및 토출 상태의 판정 방법

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108269750B (zh) * 2016-12-30 2022-01-04 细美事有限公司 基板处理装置、使用其测量排出量的方法和基板处理方法
JP6769335B2 (ja) * 2017-02-22 2020-10-14 東京エレクトロン株式会社 処理レシピの評価方法、記憶媒体、処理レシピ評価用の支援装置、及び液処理装置
US11923220B2 (en) * 2018-01-26 2024-03-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP7071209B2 (ja) * 2018-05-11 2022-05-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液吐出装置、処理液吐出方法、および基板処理装置
JP7052573B2 (ja) * 2018-06-06 2022-04-12 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置及び塗布膜形成装置の調整方法
WO2020045176A1 (ja) * 2018-08-27 2020-03-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 教師データ生成方法および吐出状態の判定方法
JP7179568B2 (ja) * 2018-10-05 2022-11-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN112997274A (zh) * 2018-11-21 2021-06-18 东京毅力科创株式会社 基片处理的条件设定辅助方法、基片处理***、存储介质和学习模型
JP7193376B2 (ja) * 2019-02-22 2022-12-20 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂成型装置及び樹脂成型品の製造方法
WO2023008124A1 (ja) * 2021-07-26 2023-02-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、情報処理方法及び記憶媒体
CN114192307B (zh) * 2021-10-22 2023-08-25 国网上海市电力公司 一种智能带电绝缘材料涂覆均匀的方法
JP2023132370A (ja) * 2022-03-10 2023-09-22 兵神装備株式会社 ディスペンサシステム
JP2023132371A (ja) * 2022-03-10 2023-09-22 兵神装備株式会社 ディスペンサシステム
JP2023132372A (ja) * 2022-03-10 2023-09-22 兵神装備株式会社 ディスペンサシステム
CN117660962B (zh) * 2024-01-31 2024-05-31 大连保税区金宝至电子有限公司 用于蚀刻小尺寸元件的蚀刻设备及蚀刻方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008183559A (ja) 2008-04-10 2008-08-14 Tokyo Electron Ltd 基板の処理方法及び基板の処理装置
JP2010279932A (ja) * 2009-06-08 2010-12-16 Toshiba Corp 成膜装置及び成膜方法
JP2013062330A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000082646A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布液塗布方法及びその装置
KR100470682B1 (ko) * 2001-09-11 2005-03-07 나노에프에이 주식회사 포토레지스트의 흘림 길이를 조절할 수 있는 포토레지스트공급 장치 및 이를 이용한 포토레지스트 공급 방법
JP5045218B2 (ja) * 2006-10-25 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5457384B2 (ja) * 2010-05-21 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP6169409B2 (ja) * 2013-05-02 2017-07-26 理想科学工業株式会社 インク液滴の飛翔状態評価装置
US10446390B2 (en) * 2013-06-28 2019-10-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for dispensing liquid spin-on glass (SOG) onto semiconductor wafers

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008183559A (ja) 2008-04-10 2008-08-14 Tokyo Electron Ltd 基板の処理方法及び基板の処理装置
JP2010279932A (ja) * 2009-06-08 2010-12-16 Toshiba Corp 成膜装置及び成膜方法
JP2013062330A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108400103A (zh) * 2017-02-08 2018-08-14 株式会社斯库林集团 基板处理装置、其控制方法及计算机可读存储介质
CN108400103B (zh) * 2017-02-08 2022-03-08 株式会社斯库林集团 基板处理装置、其控制方法及计算机可读存储介质
KR20180119137A (ko) * 2017-04-24 2018-11-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리 장치, 이상 검지 방법 및 기억 매체
KR20210031506A (ko) * 2018-08-27 2021-03-19 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 교사 데이터 생성 방법 및 토출 상태의 판정 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TWI659472B (zh) 2019-05-11
KR102442862B1 (ko) 2022-09-14
JP6332095B2 (ja) 2018-05-30
TW201705281A (zh) 2017-02-01
US10155246B2 (en) 2018-12-18
JP2016178238A (ja) 2016-10-06
US20160271640A1 (en) 2016-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20160112973A (ko) 약액 공급 장치의 조정 방법, 기억 매체 및 약액 공급 장치
KR102473026B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100199463B1 (ko) 도포액 도포방법 및 그 장치
JP5030767B2 (ja) 基板処理装置、および基板処理装置の異常処理方法
JPH10209022A (ja) 処理液供給方法及びその装置
US10589305B2 (en) Substrate treating apparatus, and method of controlling the substrate treating apparatus
JP7331568B2 (ja) 液処理装置及び液処理装置の液検出方法
JP6487168B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5434329B2 (ja) 処理液供給装置及び処理液供給方法
AU2007289367B2 (en) Spin coater with optical controls
JPH11329936A (ja) 基板処理装置
JPH115056A (ja) 処理液供給装置
JP3811082B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2017034120A (ja) 基板処理装置
JP2000082646A (ja) 塗布液塗布方法及びその装置
JPH07142332A (ja) 半導体装置の製造装置
JP3544801B2 (ja) 処理液供給方法およびその装置
JP2001126975A (ja) 基板塗布装置
US11343949B2 (en) Apparatus and method for dispensing a viscous adhesive
JPH09153453A (ja) 処理液供給装置
JP2000070834A (ja) 異常検出方法及びこれを用いた基板塗布装置
JPH10135100A (ja) 処理液供給装置
JP3568360B2 (ja) 処理液供給装置
JP3578594B2 (ja) 塗布液塗布装置
JP7487006B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant