KR20160094367A - Thermosetting resin composition for optical semiconductor device, lead frame for optical semiconductor device obtained using said composition, and optical semiconductor device - Google Patents

Thermosetting resin composition for optical semiconductor device, lead frame for optical semiconductor device obtained using said composition, and optical semiconductor device Download PDF

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유이치 후카미치
도시카즈 바바
가즈히로 후케
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

제1의 플레이트부(1)와 제2의 플레이트부(2)로 이루어지는 금속 리드 프레임과, 그 금속 리드 프레임에 탑재된 광반도체 소자(3)의 주위를 둘러싸도록 형성되는, 가장 얇은 부위의 두께가 0.2 mm 이하인 리플렉터(4)를 갖춘 광반도체 장치에 있어서, 상기 리플렉터(4)의 형성 재료가, 하기의 (A) 및 (B) 성분을 함유하는 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물로 이루어진다. 이와 같이 두께가 얇아지게 성형하더라도, 상기 수지 조성물의 특성에 의해, 높은 초기 광반사율을 보이고, 또한 장기 내광성 및 내가열변색성이 우수하게 된다. (A) 열경화성 수지. (B) 열경화성 수지 경화체 중에서의, 누적 입도 분포에 있어서의 누적도 95% 입도(D95)와 누적도 5% 입도(D5)의 비(D95/D5)가 1∼100인 산화지르코늄. The thickness of the thinnest portion formed to surround the periphery of the optical semiconductor element 3 mounted on the metal lead frame made up of the first plate portion 1 and the second plate portion 2, Wherein the material for forming the reflector 4 comprises a thermosetting resin composition for an optical semiconductor device containing the following components (A) and (B). Even when the thickness is made thin, the resin composition exhibits high initial light reflectance and excellent long-term light resistance and thermal discoloration resistance. (A) Thermosetting resin. (D95 / D5) of 1 to 100 in the cumulative degree of 95% particle size (D95) and cumulative degree of 5% particle size (D5) in the cumulative particle size distribution in the thermosetting resin cured product (B).

Description

광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물 및 그것을 이용하여 얻어지는 광반도체 장치용 리드 프레임, 및 광반도체 장치{THERMOSETTING RESIN COMPOSITION FOR OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, LEAD FRAME FOR OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED USING SAID COMPOSITION, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a thermosetting resin composition for an optical semiconductor device, a lead frame for an optical semiconductor device obtained by using the same, and a thermosetting resin composition for an optical semiconductor device,

본 발명은, 예컨대, 광반도체 소자로부터 발하는 빛을 반사시키는, 리플렉터(반사부)의 형성 재료가 되는 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물 및 그것을 이용하여 얻어지는 광반도체 장치용 리드 프레임, 및 광반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thermosetting resin composition for a photosemiconductor device which is a material for forming a reflector (reflector) that reflects light emitted from an optical semiconductor element, a lead frame for an optical semiconductor device obtained using the same, .

종래, 광반도체 소자를 탑재하여 이루어지는 광반도체 장치는, 예컨대, 도 1에 도시하는 것과 같이, 제1의 플레이트부(1)와 제2의 플레이트부(2)로 이루어지는 금속 리드 프레임 상에 광반도체 소자(3)가 탑재되고, 상기 광반도체 소자(3)의 주위를 둘러싸도록, 또한 제1의 플레이트부(1)와 제2의 플레이트부(2) 사이를 메우도록, 수지 재료로 이루어지는 광반사용의 리플렉터(4)가 형성되어 있는 구성을 취한다. 그리고, 상기 금속 리드 프레임과 리플렉터(4)의 내주면으로서 형성되는 오목부(5)에 탑재된 광반도체 소자(3)를, 필요에 따라서 형광체를 함유하는 실리콘 수지 등의 투명 수지를 이용하여 수지 밀봉함으로써 밀봉 수지층(6)이 형성되어 있다. 도 1에서, 7, 8은 금속 리드 프레임과 광반도체 소자(3)를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어이며, 필요에 따라서 설치되는 것이다. Conventionally, an optical semiconductor device having an optical semiconductor element mounted thereon has a structure in which, for example, as shown in Fig. 1, on a metal lead frame composed of a first plate portion 1 and a second plate portion 2, A light source 3 made of a resin material is used so as to surround the periphery of the optical semiconductor element 3 and to fill the space between the first plate portion 1 and the second plate portion 2, Of the reflector 4 is formed. The optical semiconductor element 3 mounted on the concave portion 5 formed as the inner peripheral surface of the metal lead frame and the reflector 4 is sealed with a transparent resin such as a silicone resin containing a fluorescent material Whereby a sealing resin layer 6 is formed. In Fig. 1, reference numerals 7 and 8 are bonding wires for electrically connecting the metal lead frame and the optical semiconductor element 3, and they are provided as required.

이러한 광반도체 장치에서는, 최근, 상기 리플렉터(4)를, 에폭시 수지 등으로 대표되는 열경화성 수지를 이용하여, 예컨대, 트랜스퍼 성형 등에 의해 성형하여 제조하고 있다. 리플렉터의 재료로서는, 종래에는 세라믹스를 사용하고 있었기 때문에, 얇게 성형하면 균열이 생기는 문제가 있었지만, 상기 열경화성 수지제의 리플렉터에 의해 이 문제가 해소되었다. 그리고, 상기 열경화성 수지에는, 종래부터 백색 안료로서 산화티탄을 배합하여, 상기 광반도체 소자(3)로부터 발하는 빛을 반사시키고 있다(특허문헌 1 참조). In this optical semiconductor device, recently, the reflector 4 is manufactured by molding, for example, transfer molding using a thermosetting resin typified by an epoxy resin or the like. As a material of the reflector, ceramics has been used in the past, and therefore there has been a problem of cracking when formed thinly, but this problem is solved by the reflector made of the thermosetting resin. The thermosetting resin is conventionally blended with titanium oxide as a white pigment to reflect light emitted from the optical semiconductor element 3 (see Patent Document 1).

특허문헌 1 : 일본 특허공개 2011-258845호 공보Patent Document 1: JP-A-2011-258845

그러나, 상기한 것과 같이 백색 안료로서 산화티탄을 이용하여 리플렉터를 형성한 경우, 초기의 광반사율에 관해서는 문제 없이 높은 광반사율을 실현하고 있지만, 시간이 경과함에 따라 그 광반사율이 저하하여 버린다고 하는 문제가 있다. 또한, 리플렉터에는, 그 두께가 얇아지도록 성형한 경우라도, 높은 초기 광반사율을 얻을 것이 요구되고 있고, 동시에, 우수한 내가열변색성을 실현할 것이 요구되고 있다. However, when a reflector is formed using titanium oxide as a white pigment as described above, a high light reflectance is achieved without any problem with respect to the initial light reflectance, but the light reflectance decreases with time there is a problem. Further, even when the reflector is molded so as to have a reduced thickness, it is required to obtain a high initial light reflectance, and at the same time, it is required to realize excellent heat resistance.

본 발명은, 이러한 사정에 감안하여 이루어진 것으로, 두께가 얇아지도록 성형하여도 높은 초기 광반사율을 보이고, 또한 장기 내광성 및 내가열변색성이 우수한 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물 및 그것을 이용하여 얻어지는 광반도체 장치용 리드 프레임, 및 광반도체 장치의 제공을 그 목적으로 한다. The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a thermosetting resin composition for optical semiconductor devices which exhibits a high initial light reflectance even when molded to have a thin thickness and excellent long term light resistance and heat discoloration resistance, A lead frame for a device, and an optical semiconductor device.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 가장 얇은 부위의 두께가 0.2 mm 이하인, 광반도체 장치의 리플렉터의 형성 재료로서, 하기의 (A) 및 (B) 성분을 함유하는 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물을 제1의 요지로 한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a reflector of a photosemiconductor device, which has a thickness of the thinnest portion of 0.2 mm or less, as a material for forming a reflector, The composition is the first point.

(A) 열경화성 수지. (A) Thermosetting resin.

(B) 열경화성 수지 경화체 중에서의, 누적 입도 분포에 있어서의 누적도 95% 입도(D95)와 누적도 5% 입도(D5)의 비(D95/D5)가 1∼100인 산화지르코늄. (D95 / D5) of 1 to 100 in the cumulative degree of 95% particle size (D95) and cumulative degree of 5% particle size (D5) in the cumulative particle size distribution in the thermosetting resin cured product (B).

그리고, 본 발명은, 두께 방향의 한 면에만 광반도체 소자를 탑재하기 위한 판형의 광반도체 장치용 리드 프레임으로서, 상호 간극을 두고 배치되는 복수의 플레이트부를 갖춤과 더불어, 상기 간극에, 상기 제1의 요지의 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물을 이용하여 충전하고, 경화되어 이루어지는 리플렉터가 형성되어 이루어지는 광반도체 장치용 리드 프레임을 제2의 요지로 한다. 또한, 본 발명은, 광반도체 소자 탑재 영역을 갖추고, 그 자체의 적어도 일부에서 소자 탑재 영역의 주위를 둘러싼 상태로 리플렉터가 형성되어 이루어지는 입체형의 광반도체 장치용 리드 프레임으로서, 상기 리플렉터가, 상기 제1의 요지의 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물을 이용하여 형성되어 이루어지는 광반도체 장치용 리드 프레임을 제3의 요지로 한다. The present invention also provides a lead frame for optical semiconductor devices in which a plurality of plate portions are disposed with a gap therebetween and a plurality of plate portions for mounting the optical semiconductor elements on only one side in the thickness direction, A lead frame for an optical semiconductor device in which a reflector formed by filling and curing by using a thermosetting resin composition for an optical semiconductor device of the present invention is formed. The present invention also provides a three-dimensional lead frame for an optical semiconductor device in which a reflector is formed in a state of having an optical semiconductor element mounting region and surrounding the element mounting region in at least a part of the lead frame, A lead frame for an optical semiconductor device formed by using a thermosetting resin composition for an optical semiconductor device of the first aspect is a third point.

또한, 본 발명은, 그 한 면에 광반도체 소자를 탑재하기 위한 소자 탑재 영역을 갖는 플레이트부가, 상호 간극을 두고 배치되고, 상기 소자 탑재 영역의 소정 위치에 광반도체 소자가 탑재되어 이루어지는 광반도체 장치로서, 상기 간극에, 상기 제1의 요지의 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물을 이용하여 충전하고, 경화하여 이루어지는 리플렉터가 형성되어 이루어지는 광반도체 장치를 제4의 요지로 한다. 또한, 본 발명은, 광반도체 소자 탑재 영역을 갖추고, 그 자체의 적어도 일부에서 소자 탑재 영역의 주위를 둘러싼 상태로 리플렉터가 형성되어 이루어지는 광반도체 장치용 리드 프레임의 소정 위치에 광반도체 소자가 탑재되어 이루어지는 광반도체 장치로서, 상기 리플렉터가, 상기 제1의 요지의 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물을 이용하여 형성되어 이루어지는 광반도체 장치를 제5의 요지로 한다. The present invention also provides an optical semiconductor device in which a plate portion having an element mounting region for mounting an optical semiconductor element on one surface thereof is disposed with a gap therebetween and an optical semiconductor element is mounted at a predetermined position of the element mounting region, And the reflector is formed by filling the gap with the thermosetting resin composition for an optical semiconductor device of the first aspect and curing the same. Further, the present invention provides a semiconductor device comprising: a semiconductor device mounted on a predetermined position of a lead frame for an optical semiconductor device in which a reflector is formed in a state of having an optical semiconductor element mounting region and surrounding the element mounting region in at least a part of the optical semiconductor element mounting region; Wherein the reflector is formed by using the thermosetting resin composition for an optical semiconductor device of the first aspect as a fifth point.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 연구를 거듭하여, 그 과정에서, 광반도체 장치의 리플렉터의 형성 재료에 있어서, 백색 안료로서 종래 사용되어 온 산화티탄 대신에, 산화지르코늄을 이용하는 것을 생각해냈다. 그리고, 리플렉터의 가장 얇은 부위의 두께가 0.2 mm 이하라도 높은 초기 광반사율 등을 보이기 위해서는, 리플렉터 내에서의 산화지르코늄의 입도 분포가 크게 관여하는 것에 주목하여, 본 발명자들은 각종 실험을 거듭했다. 그 결과, 리플렉터 재료인 열경화성 수지 조성물의 경화체 중에서의, 산화지르코늄의 누적도 95% 입도(D95)와 누적도 5% 입도(D5)의 비(D95/D5)가 1∼100일 때, 소기의 목적을 달성할 수 있다는 것을 알아내어, 본 발명에 도달했다. The inventors of the present invention have conducted extensive research in order to solve the above problems and have conceived that zirconium oxide is used instead of titanium oxide conventionally used as a white pigment in the material for forming a reflector of an optical semiconductor device . Note that the particle size distribution of zirconium oxide in the reflector is largely involved in order to exhibit a high initial light reflectance even when the thickness of the thinnest portion of the reflector is 0.2 mm or less, and the present inventors have repeatedly conducted various experiments. As a result, when the ratio (D95 / D5) of the cumulative 95% particle size (D95) to the cumulative 5% particle size (D5) of the zirconium oxide in the cured product of the thermosetting resin composition as the reflector material is 1 to 100, And the present invention has been accomplished.

이와 같이, 본 발명은, 상기 열경화성 수지(A)와, 특정 누적 입도 분포를 보이는 산화지르코늄(B)을 함유하는 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물이다. 이 때문에, 두께가 얇아지도록 성형하더라도 높은 초기 광반사율을 보이고, 또한 장기 내광성 및 내가열변색성도 갖추게 된다. 따라서, 상기 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물을 이용하여 리플렉터를 형성하여 이루어지는 광반도체 장치라면, 신뢰성이 높은 광반도체 장치를 얻을 수 있다. Thus, the present invention is a thermosetting resin composition for an optical semiconductor device containing the thermosetting resin (A) and zirconium oxide (B) having a specific cumulative particle size distribution. Therefore, even if the thickness is made thinner, a high initial light reflectance is exhibited, and long-term light resistance and thermal discoloring property are also provided. Therefore, if the optical semiconductor device is formed by forming the reflector using the thermosetting resin composition for optical semiconductor devices, a highly reliable optical semiconductor device can be obtained.

그리고, 열경화성 수지 경화체 중에서의, 상기 (B) 성분인 산화지르코늄의 평균 입자경(D50)이 특정 범위이면, 한층 더 높은 초기 광반사율 등을 갖추게 된다. When the average particle size (D50) of the zirconium oxide as the component (B) in the thermosetting resin cured product is within a specific range, a higher initial light reflectance or the like can be obtained.

도 1은 광반도체 장치의 구성을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 광반도체 장치의 다른 구성을 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 3은 상기 광반도체 장치의 다른 구성을 모식적으로 도시하는 평면도의 X-X′ 화살 표시 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of an optical semiconductor device.
2 is a plan view schematically showing another structure of the optical semiconductor device.
3 is a cross-sectional view of the optical semiconductor device taken along line XX 'in a plan view schematically showing another structure of the optical semiconductor device.

본 발명의 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물(이하, 「열경화성 수지 조성물」이라고도 함)은, 예컨대, 앞서 말한 것과 같이, 도 1에 도시하는 광반도체 장치 혹은 후술하는 도 2 및 도 3에 도시하는 광반도체 장치의, 리플렉터(4, 11) 형성 재료로서 이용되는 것이며, 상기 리플렉터(4, 11)에 있어서의 가장 얇은 부위의 두께가 0.2 mm 이하가 되는 부위에 적용되는 것이다. 이러한 본 발명의 열경화성 수지 조성물은, 열경화성 수지(A 성분)와, 특정 누적 입도 분포를 보이는 산화지르코늄(B 성분)을 이용하여 얻어지는 것으로, 통상, 액상, 혹은 시트상, 분말상, 혹은 그 분말을 타정(打錠)한 타블렛형으로 하여 리플렉터(4, 11) 형성 재료에 쓰인다. The thermosetting resin composition for optical semiconductor devices (hereinafter, also referred to as " thermosetting resin composition ") of the present invention can be used for the optical semiconductor device shown in Fig. 1 or the light shown in Figs. 2 and 3 Is used as a material for forming the reflectors 4 and 11 of the semiconductor device and is applied to a portion where the thickness of the thinnest portion of the reflectors 4 and 11 is 0.2 mm or less. The thermosetting resin composition of the present invention is obtained by using a thermosetting resin (component A) and a zirconium oxide (component B) having a specific cumulative particle size distribution and is usually in the form of a liquid, a sheet, a powder, (Tableting) tablet type and used for forming the reflectors 4 and 11.

〈A: 열경화성 수지〉 <A: Thermosetting resin>

상기 열경화성 수지(A 성분)로서는, 예컨대, 에폭시 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 함께 이용된다. Examples of the thermosetting resin (component A) include an epoxy resin and a silicone resin. They are used alone or together.

상기 에폭시 수지로서는, 예컨대, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지나 크레졸노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지, 모노글리시딜이소시아누레이트, 디글리시딜이소시아누레이트, 트리글리시딜이소시아누레이트, 히단토인에폭시 수지 등의 함질소환 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 F형 에폭시 수지, 지방족계 에폭시 수지, 실리콘 변성 에폭시 수지, 글리시딜에테르형 에폭시 수지, 알킬 치환 비스페놀 등의 디글리시딜에테르, 디아미노디페닐메탄 및 이소시아눌산 등의 폴리아민과 에피크롤히드린과의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜아민형 에폭시 수지, 올레핀 결합을 과아세트산 등의 과산(過酸)으로 산화하여 얻어지는 선형 지방족 및 지환식 에폭시 수지, 저흡수율 경화체 타입의 주류인 비페닐형 에폭시 수지, 디시클로환형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2종 이상 함께 이용할 수 있다. 이들 에폭시 수지 중에서도, 투명성 및 내변색성이 우수하다고 하는 점에서, 지환식 에폭시 수지나, 트리글리시딜이소시아누레이트 등의 이소시아눌환 구조를 갖는 것을 단독으로 혹은 함께 이용하는 것이 바람직하다. 같은 이유에서, 프탈산, 테트라히드로프탈산, 헥사히드로프탈산, 메틸테트라히드로프탈산, 나딕산, 메틸나딕산 등의 디카르복실산의 디글리시딜에스테르도 적합하다. 또한, 방향환이 수소화된 지환식 구조를 갖는 핵수소화트리멜리트산, 핵수소화피로멜리트산 등의 글리시딜에스테르 등도 예로 들 수 있다. Examples of the epoxy resin include novolak type epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin and cresol novolak type epoxy resin, A hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, a hydrogenated bisphenol F type epoxy resin, an aliphatic (aliphatic) epoxy resin, an alicyclic epoxy resin, an alicyclic epoxy resin, By reaction of epichlorohydrin with polyamines such as epoxy resin, epoxy resin, epoxy resin, glycidyl ether type epoxy resin, diglycidyl ether such as alkyl-substituted bisphenol, diaminodiphenylmethane and isocyanuric acid, A glycidylamine type epoxy resin to be obtained, a line obtained by oxidizing an olefin bond with peracid such as peracetic acid, There may be mentioned aliphatic and alicyclic epoxy resins, a low water absorption cured product type of mainstream biphenyl type epoxy resin, dicyclo ring epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Among these epoxy resins, those having an isocyanatome ring structure such as alicyclic epoxy resin or triglycidylisocyanurate are preferably used alone or in combination from the viewpoint of excellent transparency and discoloration resistance. For the same reason, diglycidyl esters of dicarboxylic acids such as phthalic acid, tetrahydrophthalic acid, hexahydrophthalic acid, methyltetrahydrophthalic acid, nadic acid and methylnadic acid are also suitable. Further, glycidyl esters such as nucleus hydrogenated trimellitic acid and nucleus hydrogenated pyromellitic acid having an alicyclic structure in which an aromatic ring is hydrogenated are also exemplified.

상기 에폭시 수지로서는, 상온에서 고형이라도 액상이라도 좋지만, 일반적으로, 사용하는 에폭시 수지의 평균 에폭시 당량이 90∼1000인 것이 바람직하고, 또한, 고형인 경우에는, 취급성의 편리성이라는 관점에서, 연화점이 50∼160℃인 것이 바람직하다. 즉, 에폭시 당량이 지나치게 작으면, 열경화성 수지 조성물 경화물이 취약하게 되는 경우가 있다. 또한, 에폭시 당량이 지나치게 크면, 열경화성 수지 조성물 경화물의 유리 전이 온도(Tg)가 낮아지는 경향이 보이기 때문이다. The epoxy resin may be solid at room temperature or liquid phase. In general, the average epoxy equivalent of the epoxy resin to be used is preferably 90 to 1000, and in the case of a solid, the softening point It is preferably 50 to 160 deg. That is, if the epoxy equivalent is too small, the cured product of the thermosetting resin composition may become fragile. If the epoxy equivalent is too large, the glass transition temperature (Tg) of the cured product of the thermosetting resin composition tends to be lowered.

열경화성 수지(A 성분)로서 상기 에폭시 수지를 이용할 때에는, 통상 경화제가 이용된다. 상기 경화제로서는, 예컨대, 산무수물계 경화제, 이소시아눌산 유도체계 경화제 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2종 이상 함께 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 내열성 및 내광성의 관점에서, 산무수물계 경화제를 이용하는 것이 바람직하다. When the epoxy resin is used as the thermosetting resin (component A), a curing agent is usually used. Examples of the curing agent include an acid anhydride-based curing agent and an isocyanuric acid derived-system curing agent. These may be used alone or in combination of two or more. Of these, from the viewpoints of heat resistance and light resistance, it is preferable to use an acid anhydride-based curing agent.

상기 산무수물계 경화제로서는, 예컨대, 무수프탈산, 무수말레산, 무수호박산, 무수트리멜리트산, 무수피로멜리트산, 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산이무수물 및 그 핵수소화물, 헥사히드로무수프탈산, 3-메틸헥사히드로무수프탈산, 4-메틸헥사히드로무수프탈산, 테트라히드로무수프탈산, 3-메틸테트라히드로무수프탈산, 4-메틸테트라히드로무수프탈산, 무수메틸다닉산, 시클로헥산-1,2,3-트리카르복실산-2,3-무수물 및 그 위치 이성체, 시클로헥산-1,2,3,4-테트라카르복실산-3,4-무수물 및 그 위치 이성체, 무수나딕산, 무수글루타르산, 무수디메틸글루타르산, 무수디에틸글루타르산, 메틸헥사히드로무수프탈산, 메틸테트라히드로무수프탈산 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2종 이상 함께 이용할 수 있다. 또한, 포화 지방쇄 골격, 불포화 지방쇄 골격, 또는 실리콘 골격의 말단기, 내지 측쇄로서 이들 산무수물을 갖는 올리고머도 단독으로 혹은 2종 이상 함께, 및 상기 산무수물과 함께 이용할 수 있다. 이들 산무수물계 경화제 중에서도, 무수프탈산, 헥사히드로무수프탈산, 3-메틸헥사히드로무수프탈산, 4-메틸헥사히드로무수프탈산, 테트라히드로무수프탈산, 3-메틸테트라히드로무수프탈산, 4-메틸테트라히드로무수프탈산을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 산무수물계 경화제로서는, 무색 내지 담황색의 산무수물계 경화제가 바람직하다. 또한, 상기 산무수물의 가수분해물인 카르복실산을 병용하여도 좋다. Examples of the acid anhydride-based curing agent include phthalic anhydride, maleic anhydride, succinic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid dianhydride and its hydrogen peroxide, Hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, 3-methyltetrahydrophthalic anhydride, 4-methyltetrahydrophthalic anhydride, methylnaphthalene anhydride, cyclohexane-1 , 2,3-tricarboxylic acid-2,3-anhydride and positional isomers thereof, cyclohexane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid-3,4-anhydride and positional isomers thereof, Anhydrous glutaric acid, anhydrous dimethylglutaric acid, anhydrous diethylglutaric acid, methylhexahydrophthalic anhydride, and methyltetrahydrophthalic anhydride. These may be used alone or in combination of two or more. Oligomers having these saturated anhydride chains, unsaturated lipid chain skeletons, or terminal skeletons of the silicon skeleton, or side chains thereof, may be used alone or in combination with two or more of them, together with the acid anhydrides. Among these acid anhydride-based curing agents, preferred are anhydride-free phthalic acid, hexahydrophthalic anhydride, 3-methylhexahydrophthalic anhydride, 4-methylhexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, 3-methyltetrahydrophthalic anhydride, It is preferable to use phthalic acid. The acid anhydride-based curing agent is preferably a colorless to pale yellow acid anhydride-based curing agent. In addition, a carboxylic acid which is a hydrolyzate of the acid anhydride may be used in combination.

또한, 상기 이소시아눌산 유도체계 경화제로서는, 예컨대, 1,3,5-트리스(1-카르복시메틸)이소시아누레이트, 1,3,5-트리스(2-카르복시에틸)이소시아누레이트, 1,3,5-트리스(3-카르복시프로필)이소시아누레이트, 1,3-비스(2-카르복시에틸)이소시아누레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2종 이상 함께 이용할 수 있다. 또한, 이소시아눌산 유도체계 경화제로서는, 무색 내지 담황색의 경화제가 바람직하다. Examples of the isocyanuric acid derivative-based curing agent include 1,3,5-tris (1-carboxymethyl) isocyanurate, 1,3,5-tris (2-carboxyethyl) isocyanurate, , 3,5-tris (3-carboxypropyl) isocyanurate, and 1,3-bis (2-carboxyethyl) isocyanurate. These may be used alone or in combination of two or more. As the isocyanuric acid derivative-based curing agent, a colorless to light yellow curing agent is preferable.

여기서, 상기 에폭시 수지와 상기 경화제의 배합 비율은, 에폭시 수지 중의 에폭시기 1 당량에 대하여, 경화제 중에서의 에폭시기와 반응 가능한 활성기(산무수기 혹은 카르복시기)가 0.3∼1.3 당량이 되도록 설정하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5∼1.1 당량이다. 즉, 활성기가 지나치게 적으면, 열경화성 수지 조성물의 경화 속도가 늦어지는 동시에, 그 경화물의 유리 전이 온도(Tg)가 낮아지는 경향이 보이고, 활성기가 지나치게 많으면 내습성이 저하하는 경향이 보이기 때문이다. The mixing ratio of the epoxy resin to the curing agent is preferably such that the active group (acid anhydride or carboxyl group) capable of reacting with the epoxy group in the curing agent is 0.3 to 1.3 equivalents based on 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin, Preferably 0.5 to 1.1 equivalents. That is, when the number of active groups is excessively small, the curing rate of the thermosetting resin composition tends to be slow, and the glass transition temperature (Tg) of the cured product tends to be low, and when the number of active groups is too large, the moisture resistance tends to decrease.

또한, 그 목적 및 용도에 따라서, 상술한 상기 산무수물계 경화제 및 이소시아눌산 유도체계 경화제 이외의 다른 에폭시 수지용 경화제, 예컨대, 페놀계 경화제, 아민계 경화제, 상기 산무수물계 경화제를 알코올로 부분 에스테르화한 것 등의 경화제를, 단독으로 혹은 2종 이상 함께 이용할 수 있다. 한편, 이들 경화제를 이용하는 경우에도, 그 배합 비율은, 상술한 에폭시 수지와 경화제의 배합 비율(당량비)에 준하면 된다. In addition, depending on the purpose and use thereof, a curing agent for an epoxy resin other than the above-mentioned acid anhydride curing agent and isocyanuric acid derivative curing agent such as a phenol curing agent, an amine curing agent and an acid anhydride curing agent, And esterification may be used alone or in combination of two or more. On the other hand, even when these curing agents are used, the mixing ratio may be in accordance with the mixing ratio (equivalent ratio) of the above-mentioned epoxy resin and curing agent.

이어서, 상기 열경화성 수지(A 성분)로서 상기 실리콘 수지를 이용하는 경우에 관해서 상술한다. 상기 실리콘 수지로서는, 적어도 촉매를 함유하며, 구체적으로는 촉매 및 실리콘 수지를 함유한다. 상기 촉매는, 예컨대, 실리콘 수지의 반응을 촉진시켜 실리콘 수지를 경화시키는 경화 촉매이며, 바람직하게는, 후술하는 실리콘 수지의 히드로실릴화 반응을 촉진시켜 실리콘 수지를 히드로실릴 부가에 의해 경화시키는 히드로실릴화 촉매이다. 그리고, 상기 촉매는, 천이 금속을 함유하고, 상기 천이 금속으로서는, 예컨대, 백금, 팔라듐, 로듐 등의 백금속 원소, 바람직하게는 백금을 들 수 있다. 구체적으로는, 촉매로서는, 촉매가 백금을 함유하는 경우에는, 예컨대, 백금흑, 염화백금, 염화백금산 등의 무기 백금, 예컨대, 백금-올레핀 착체, 백금-카르보닐 착체, 백금-아세틸아세테이트 등의 백금 착체 등을 들 수 있고, 바람직하게는 백금 착체를 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 백금 착체로서는, 예컨대, 백금-비닐실록산 착체, 백금-테트라메틸디비닐디실록산 착체, 백금-카르보닐시클로비닐메틸실록산 착체, 백금-디비닐테트라메틸디실록산 착체, 백금-시클로비닐메틸실록산 착체, 백금-옥타날/옥타놀 착체 등을 들 수 있다. 한편, 상기 촉매는, 후술하는 실리콘 수지와 구별하여 배합되는 양태나, 실리콘 수지를 구성하는 성분으로서 실리콘 수지에 함유되는 양태가 있다. Next, the case where the silicone resin is used as the thermosetting resin (component A) will be described in detail. The silicone resin contains at least a catalyst, specifically a catalyst and a silicone resin. The catalyst is, for example, a curing catalyst which accelerates the reaction of a silicone resin to cure the silicone resin, and is preferably a curing catalyst that accelerates the hydrosilylation reaction of the silicone resin described later to cure the silicone resin by hydrosilylation Catalyst. The catalyst contains a transition metal, and examples of the transition metal include a white metal element such as platinum, palladium and rhodium, preferably platinum. Specifically, when the catalyst contains platinum, for example, inorganic platinum such as platinum black, platinum chloride and chloroplatinic acid such as platinum-olefin complex, platinum-carbonyl complex, platinum such as platinum-acetylacetate A complex, and the like, preferably a platinum complex. More specifically, examples of the platinum complexes include platinum-vinylsiloxane complexes, platinum-tetramethyldivinyldisiloxane complexes, platinum-carbonylcyclovinylmethylsiloxane complexes, platinum-divinyltetramethyldisiloxane complexes, platinum- Vinylmethylsiloxane complex, platinum-octanal / octanol complex, and the like. On the other hand, there is an embodiment in which the catalyst is mixed with a silicone resin to be described later, and an aspect contained in the silicone resin as a component constituting the silicone resin.

상기 촉매 중의 천이 금속의 함유 비율(농도)은, 실리콘 수지 전체에 대하여, 질량 기준으로 바람직하게는 0.1∼500 ppm, 보다 바람직하게는 0.15∼100 ppm, 더욱 바람직하게는 0.2∼50 ppm, 특히 바람직하게는 0.3∼10 ppm이다. The content (concentration) of the transition metal in the catalyst is preferably 0.1 to 500 ppm, more preferably 0.15 to 100 ppm, still more preferably 0.2 to 50 ppm, particularly preferably 0.1 to 100 ppm, Is from 0.3 to 10 ppm.

상기 실리콘 수지는, 촉매에 의해서 반응이 촉진되어 경화되는 경화성 실리콘 수지로서, 예컨대, 1단계 경화형 실리콘 수지, 2단계 경화형 실리콘 수지 등의 열경화성 실리콘 수지 등을 들 수 있다. The silicone resin is a curable silicone resin that is cured by reaction with a catalyst, for example, a thermosetting silicone resin such as a one-stage curing silicone resin or a two-stage curing silicone resin.

상기 2단계 경화형 실리콘 수지는, 2단계의 반응 기구를 가지고 있으며, 1번째 단계의 반응에서 B 스테이지화(반경화)하고, 2번째 단계의 반응에서 C 스테이지화(완전 경화)하는 열경화성 실리콘 수지이다. 한편, 상기 B 스테이지란, 열경화성 실리콘 수지가, 용제에 가용인 A 스테이지와, 완전 경화된 C 스테이지 사이의 상태이며, 경화 및 겔화가 근소하게 진행되어, 용제에 팽윤하지만 완전히 용해되지 않고, 가열에 의해서 연화되지만 용융되지 않는 상태이다. The above-mentioned curable silicone resin is a thermosetting silicone resin which has a two-step reaction mechanism and is B-staged (semi-cured) in the first-step reaction and C-staged (fully cured) in the second-step reaction . On the other hand, the B stage is a state in which the thermosetting silicone resin is in a state between the A stage which is soluble in a solvent and the C stage which is completely cured, and the curing and gelation are progressed slightly, swelling in the solvent but not completely dissolving, But is not melted.

상기 1단계 경화형 실리콘 수지는, 1단계의 반응 기구를 갖고 있으며, 1번째 단계의 반응으로 완전 경화하는 열경화성 실리콘 수지이다. 상기 1단계 경화형 실리콘 수지로서는, 예컨대, 일본 특허공개 2012-124428호 공보에 개시되는 부가 반응 경화형 폴리오르가노폴리실록산을 들 수 있다. 구체적으로는, 부가 반응 경화형 폴리오르가노폴리실록산은, 예컨대, 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 규소 화합물 및 히드로실릴기 함유 규소 화합물을 함유한다. The one-stage curing-type silicone resin is a thermosetting silicone resin having a one-step reaction mechanism and fully cured in the first-step reaction. Examples of the above-mentioned one-stage curing type silicone resin include addition reaction curing type polyorganopolysiloxanes disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 12-142428. Specifically, the addition cure type polyorganopolysiloxane contains, for example, an ethylenically unsaturated hydrocarbon group-containing silicon compound and a hydrosilyl group-containing silicon compound.

상기 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 규소 화합물로서, 예컨대, 분자 내에 2개 이상의 비닐기를 갖는 비닐기 함유 폴리오르가노실록산, 바람직하게는 양말단 비닐폴리디메틸실록산을 들 수 있다. Examples of the ethylenically unsaturated hydrocarbon group-containing silicon compound include a vinyl group-containing polyorganosiloxane having two or more vinyl groups in the molecule, preferably vinyl-terminated polydimethylsiloxane in both ends.

상기 히드로실릴기 함유 규소 화합물로서, 예컨대, 분자 내에 2개 이상의 히드로실릴기를 갖는 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록산, 바람직하게는, 양말단 히드로실릴폴리디메틸실록산, 양말단 트리메틸실릴 봉쇄 메틸히드로실록산-디메틸실록산 코폴리머 등을 들 수 있다. Examples of the hydrosilyl group-containing silicon compound include hydrosilyl group-containing polyorganosiloxanes having two or more hydrosilyl groups in the molecule, preferably, both end-group hydrosilyl polydimethylsiloxane, end-capped trimethylsilyl-blocked methylhydrosiloxane- Dimethylsiloxane copolymer, and the like.

상기 2단계 경화형 실리콘 수지로서는, 예컨대, 축합 반응과 부가 반응의 2개의 반응계를 갖는 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 이러한 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지는, 촉매를 함유하고 있으며, 예컨대, 실라놀 양말단 폴리실록산, 알케닐기 함유 트리알콕시실란, 오르가노하이드로젠폴리실록산, 축합 촉매 및 히드로실릴화 촉매를 함유하는 제1의 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지, Examples of the two-stage curable silicone resin include a condensation reaction / addition reaction curable silicone resin having two reaction systems of a condensation reaction and an addition reaction. Such a condensation reaction / addition reaction curable silicone resin contains a catalyst and includes, for example, a first silanol condensation polysiloxane, an alkenyl group-containing trialkoxy silane, an organohydrogenpolysiloxane, a condensation catalyst and a hydrosilylation catalyst Condensation reaction / addition reaction of curing type silicone resin,

예컨대, 실라놀기 양말단 폴리실록산, 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 규소 화합물, 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 규소 화합물, 오르가노하이드로젠폴리실록산, 축합 촉매 및 히드로실릴화 촉매를 함유하는 제2의 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지, For example, a second condensation reaction / addition reaction containing a silanol group-endopolysiloxane, an ethylenically unsaturated hydrocarbon group-containing silicon compound, an ethylenically unsaturated hydrocarbon group-containing silicon compound, an organohydrogenpolysiloxane, a condensation catalyst and a hydrosilylation catalyst Curable silicone resin,

예컨대, 양말단 실라놀형 실리콘 오일, 알케닐기 함유 디알콕시알킬실란, 오르가노하이드로젠폴리실록산, 축합 촉매 및 히드로실릴화 촉매를 함유하는 제3의 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지, For example, a third condensation reaction / addition reaction curable silicone resin containing a siloxane-type silicone oil having a terminal end, a dialkoxyalkylsilane containing an alkenyl group, an organohydrogenpolysiloxane, a condensation catalyst and a hydrosilylation catalyst,

예컨대, 1 분자 중에 적어도 2개의 알케닐실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산, 1 분자 중에 적어도 2개의 히드로실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산, 히드로실릴화 촉매 및 경화지연제를 함유하는 제4의 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지, For example, a fourth condensation reaction / addition reaction containing an organopolysiloxane having at least two alkenylsilyl groups in one molecule, an organopolysiloxane having at least two hydrosilyl groups in one molecule, a hydrosilylation catalyst and a curing retarder Curable silicone resin,

예컨대, 적어도 2개의 에틸렌계 불포화 탄화수소기와 적어도 2개의 히드로실릴기를 1 분자 중에 함께 갖는 제1 오르가노폴리실록산, 에틸렌계 불포화 탄화수소기를 포함하지 않으며, 적어도 2개의 히드로실릴기를 1 분자 중에 갖는 제2 오르가노폴리실록산, 히드로실릴화 촉매 및 히드로실릴화 억제제를 함유하는 제5의 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지, For example, a first organopolysiloxane having at least two ethylenically unsaturated hydrocarbon groups and at least two hydrosilyl groups in one molecule, a second organopolysiloxane containing no ethylenically unsaturated hydrocarbon group and having at least two hydrosilyl groups in one molecule A fifth condensation reaction / addition reaction curable silicone resin containing a polysiloxane, a hydrosilylation catalyst and a hydrosilylation inhibitor,

예컨대, 적어도 2개의 에틸렌계 불포화 탄화수소기와 적어도 2개의 실라놀기를 1 분자 중에 함께 갖는 제1 오르가노폴리실록산, 에틸렌계 불포화 탄화수소기를 포함하지 않으며, 적어도 2개의 히드로실릴기를 1 분자 중에 갖는 제2 오르가노폴리실록산, 히드로실릴화 억제제 및 히드로실릴화촉매를 함유하는 제6의 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지, For example, a first organopolysiloxane having at least two ethylenically unsaturated hydrocarbon groups and at least two silanol groups in one molecule, a second organopolysiloxane containing no ethylenically unsaturated hydrocarbon group and having at least two hydrosilyl groups in one molecule A sixth condensation reaction / addition reaction curable silicone resin containing a polysiloxane, a hydrosilylation inhibitor and a hydrosilylation catalyst,

예컨대, 규소 화합물, 및 붕소 화합물 또는 알루미늄 화합물을 함유하는 제7의 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지, For example, a seventh condensation reaction / addition reaction curable silicone resin containing a silicon compound and a boron compound or an aluminum compound,

예컨대, 폴리알루미노실록산 및 실란 커플링제를 함유하는 제8의 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 등을 들 수 있다. For example, an eighth condensation reaction / addition reaction curable silicone resin containing a polyaluminosiloxane and a silane coupling agent can be given.

이들 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지는 단독으로 혹은 2종 이상 함께 이용된다. These condensation reaction / addition reaction curable silicone resins may be used alone or in combination of two or more.

상기 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지로서, 바람직하게는, 상기 제2의 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지를 들 수 있으며, 구체적으로는, 일본 특허공개 2010-265436호 공보 등에 상세히 기재되어 있고, 예컨대, 실라놀기 양말단 폴리디메틸실록산, 비닐트리메톡시실란, (3-글리시독시프로필)트리메톡시실란, 디메틸폴리실록산-co-메틸하이드로젠폴리실록산, 수산화테트라메틸암모늄 및 백금-카르보닐 착체를 함유한다. 구체적으로는, 상기 제2의 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지를 조제하기 위해서는, 예컨대, 우선, 축합 원료인 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 규소 화합물 및 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 규소 화합물과, 축합 촉매를 한 번에 가하고, 이어서, 부가 원료인 오르가노하이드로젠폴리실록산을 가하고, 그 후, 히드로실릴화 촉매(부가 촉매)를 가함으로써 조제할 수 있다. As the condensation reaction / addition reaction curable silicone resin, the above-mentioned second condensation reaction / addition reaction curable silicone resin can be exemplified. Specifically, it is described in detail in JP-A-2010-265436, For example, there may be mentioned a silanol group-terminated polydimethylsiloxane, vinyltrimethoxysilane, (3-glycidoxypropyl) trimethoxysilane, dimethylpolysiloxane-co-methylhydrogenpolysiloxane, tetramethylammonium hydroxide and platinum- . Specifically, in order to prepare the second condensation reaction / addition reaction curable silicone resin, for example, first, a silicon compound containing an ethylenically unsaturated hydrocarbon group and an ethylenically unsaturated hydrocarbon group as a condensation raw material and a condensation catalyst And then adding the organohydrogenpolysiloxane as an additional raw material, and then adding a hydrosilylation catalyst (addition catalyst).

〈B: 특정 산화지르코늄〉 &Lt; B: Specific zirconium oxide &

상기 A 성분과 함께 이용되는 특정 산화지르코늄(B 성분)으로서는, 열경화성 수지 경화체 중에서의, 누적 입도 분포에 있어서의 누적도 95% 입도(D95)와 누적도 5% 입도(D5)의 비(D95/D5)가 1∼100인 산화지르코늄이 이용된다. 바람직하게는, D95/D5가 9∼30인 산화지르코늄이며, 더욱 바람직하게는 D95/D5가 10∼25인 산화지르코늄이다. 즉, D95/D5를 상기 범위로 설정함으로써, 본 발명의 작용 효과인 「가장 얇은 부위의 두께가 0.2 mm 이하가 되도록 리플렉터를 성형하더라도 높은 초기 광반사율을 보이고, 또한 장기 내광성 및 내가열변색성이 우수하게 된다」고 하는 효과를 얻을 수 있게 되기 때문이다. 여기서, 상기 누적 입도 분포를 「열경화성 수지 경화체 중에서의」라고 하고 있는 것은, 산화지르코늄 입자가, 응집성이 높고 이차 입자화하기 쉬운 성질의 것이기 때문이며, 보다 정확한 입도 분포를 측정하기 위해서, 본 발명에서는, 열경화성 수지 경화체 중에 분산시켜 일차 입자화시키고 나서 그 누적 입도 분포를 측정하고 있다. 상기 누적 입도 분포의 구체적인 측정 방법으로서는, 예컨대, 열경화성 수지 조성물 중에 산화지르코늄을 가하고, 혼련기 등을 이용하여 용융 혼합한 후, 이것을 냉각하여 고화하고, 분쇄함으로써 분말형의 열경화성 수지 조성물을 얻고, 그것을 재료로 하여, 180℃×90초로 성형한 후, 175℃×3시간 경화한다. 이와 같이 하여, 1 mm 두께의 수지 성형판을 얻고, 이것을 시료로 하여, 수지 포매(包埋)하고 기계 연마한 후, 시료대에 고정하고, 도전성 처리(15 mA×10 sec의 조건으로 백금팔라듐을 스퍼터(스퍼터 장치: 히타치사 제조 E-1030))한다. 이어서, FE-SEM(히타치사 제조, S-4700)를 이용하여, 반사 전자상을 5 kV의 가속 전압 조건으로 관찰한다. 그리고, 그 SEM 화상(1만배 화상)을, 화상 처리 소프트(MITANI CORPORATION사 제조, Winroof)에 의해 2진화 처리하고, 산화지르코늄 입자의 입경을 측정(타원구상(단면이 타원인 구) 등과 같이 일률적으로 입경이 정해지지 않는 경우에는, 타원 장축의 값을 입경으로서 측정)한다. 그리고, 그 입경의 개수 빈도의 히스토그램을 작성하여, 5%, 95%의 개수 빈도 누적치의 입경, 즉, 누적도 95% 입도(D95), 누적도 5% 입도(D5)를 읽어들인다. 그 값을 바탕으로 D95/D5를 산출한다. As the specific zirconium oxide (component B) to be used together with the component A, the ratio of the cumulative degree of 95% particle size (D95) to the cumulative degree of 5% particle size (D5) in the cumulative particle size distribution in the thermosetting resin cured product (D95 / D5) of 1 to 100 are used. Preferably, zirconium oxide having D95 / D5 of 9 to 30, more preferably zirconium oxide having D95 / D5 of 10 to 25. That is, by setting D95 / D5 in the above-described range, it is possible to obtain a high reflectance and a long-term light resistance and heat discoloration resistance even when the reflector is molded so that the thickness of the thinnest portion becomes 0.2 mm or less It is possible to obtain an effect that &quot; excellent &quot; The reason why the cumulative particle size distribution is referred to as &quot; in the thermosetting resin cured product &quot; is that zirconium oxide particles have high cohesiveness and tend to be secondaryized. In order to measure a more accurate particle size distribution, Dispersed in a thermosetting resin cured product to form primary particles, and then the cumulative particle size distribution is measured. As a concrete measurement method of the cumulative particle size distribution, for example, zirconium oxide is added to a thermosetting resin composition, the mixture is melt-mixed using a kneader or the like, and then the mixture is solidified by cooling and pulverized to obtain a powdery thermosetting resin composition, The material is molded at 180 ° C for 90 seconds and cured at 175 ° C for 3 hours. In this way, a resin molded plate having a thickness of 1 mm was obtained. The resin molded plate was embedded in a resin, mechanically polished, fixed on a sample table, and subjected to electroconductive treatment (platinum palladium (Sputtering apparatus: E-1030, Hitachi, Ltd.). Subsequently, the reflection electron image was observed under an accelerating voltage condition of 5 kV using FE-SEM (S-4700, Hitachi, Ltd.). Then, the SEM image (10,000 magnifications) is binarized by image processing software (Winroof, manufactured by MITANI CORPORATION), and the diameter of the zirconium oxide particles is measured (uniformity of the elliptical spherical shape , The value of the major axis of the ellipse is measured as the particle diameter). Then, a histogram of the number frequency of the particle diameters is prepared, and the particle diameters of the number frequency accumulation values of 5% and 95%, that is, the cumulative 95% particle size (D95) and the cumulative degree 5% particle size (D5) are read. Calculate D95 / D5 based on that value.

그리고, 특히, 상기 열경화성 수지 경화체 중에서의, 상기 (B) 성분의 산화지르코늄의 평균 입자경(D50)은, 0.01∼1 ㎛인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 D50이 0.1∼0.5 ㎛인 산화지르코늄이며, 더욱 바람직하게는 D50이 0.19∼0.30 ㎛인 산화지르코늄이다. 즉, D50이 상기 특정 범위이면, 한층 더 높은 초기 광반사율 등을 갖추게 되기 때문이다. 한편, 상기 평균 입자경(D50)은, 앞서 말한, 누적도 95% 입도(D95), 누적도 5% 입도(D5)와 같은 식으로 하여 측정한, 누적도 50% 입도를 말하며, 메디안 직경이라고도 한다. In particular, the average particle diameter (D50) of the zirconium oxide as the component (B) in the thermosetting resin cured product is preferably 0.01 to 1 占 퐉, more preferably 0.1 to 0.5 占 퐉 in D50 , And more preferably a zirconium oxide having a D50 of 0.19 to 0.30 탆. That is, when D50 is in the specific range, a higher initial light reflectance or the like is provided. On the other hand, the average particle size (D50) refers to the cumulative 50% particle size as measured in the same manner as the aforementioned cumulative 95% particle size (D95) and cumulative 5% particle size (D5) .

입도의 조정은, 공지된 방법으로 행하여도 좋지만, 분쇄 효율의 점에서 습식 분쇄가 바람직하다. 또한, 습식 분쇄할 때의 매체로서는, 물, 유기 용매(알코올 등)가 바람직하고, 분쇄에 이용하는 분쇄기로서는, 예컨대, 볼 밀, 진동 밀, 매체 교반 밀 등을 이용할 수 있다. The adjustment of the particle size may be performed by a known method, but wet grinding is preferable from the viewpoint of grinding efficiency. As the medium for wet pulverization, water, an organic solvent (alcohol or the like) is preferable, and as the pulverizer used for pulverization, for example, a ball mill, a vibrating mill, a medium agitating mill or the like can be used.

상기 특정 산화지르코늄(B 성분)의 배합 비율은, 열경화성 수지 조성물 전체에 대하여, 바람직하게는 3∼50 체적%이고, 보다 바람직하게는 5∼30 체적%이다. 즉, B 성분의 함유 비율이 지나치게 적으면, 충분한 광반사성, 특히 우수한 초기 광반사율을 얻기가 어렵게 되는 경향이 보인다. B 성분의 함유 비율이 지나치게 많으면, 현저한 증점에 의해 혼련 등에 의한 열경화성 수지 조성물의 제작과 관련하여 곤란함이 생길 가능성이 보이기 때문이다. The blending ratio of the specific zirconium oxide (component B) is preferably 3 to 50% by volume, more preferably 5 to 30% by volume, based on the entire thermosetting resin composition. That is, when the content of the component B is too small, it tends to be difficult to obtain sufficient light reflectivity, particularly excellent initial light reflectance. If the content of the component B is excessively large, it is likely that there is a difficulty in manufacturing the thermosetting resin composition due to kneading or the like due to the remarkable thickening.

〈다른 첨가제〉 <Other additives>

그리고, 본 발명의 열경화성 수지 조성물에는, 상기 A 및 B 성분 이외에, 필요에 따라서, 무기질 충전제(단, 산화지르코늄을 제외함), 경화촉진제, 이형제, 실란 화합물을 배합할 수 있다. 나아가서는, 변성제(가소제), 산화방지제, 난연제, 탈포제, 레벨링제, 자외선흡수제 등의 각종 첨가제를 적절하게 배합할 수 있다. In the thermosetting resin composition of the present invention, an inorganic filler (excluding zirconium oxide), a curing accelerator, a releasing agent, and a silane compound may be added, if necessary, in addition to the components A and B described above. Further, various additives such as a modifier (plasticizer), an antioxidant, a flame retardant, a defoaming agent, a leveling agent, and an ultraviolet absorber can be appropriately compounded.

상기 무기질 충전제로서는, 예컨대, 석영 유리 분말, 탈크, 용융 실리카 분말이나 결정성 실리카 분말 등의 실리카 분말, 알루미나 분말, 질화알루미늄 분말, 질화규소 분말 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 선팽창 계수의 저감 등의 관점에서, 용융 실리카 분말을 이용하는 것이 바람직하고, 특히 고충전성 및 고유동성이라는 관점에서, 용융 구상 실리카 분말을 이용하는 것이 바람직하다. 한편, 상기 무기 질 충전제는, 앞서 말한 것과 같이, 산화지르코늄을 제외한다. 상기 무기질 충전제의 입경 및 그 분포에 관해서는, 상기 특정 산화지르코늄(B 성분)의 입경 및 그 분포와의 조합을, 열경화성 수지 조성물을 트랜스퍼 성형 등에 의해 성형할 때의 바리 등이 가장 저감하도록 배려하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 무기질 충전제의 평균 입자경은, 5∼100 ㎛인 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 10∼80 ㎛이다. 한편, 상기 평균 입자경은, 예컨대, 레이저 회절 산란식 입도 분포계를 이용하여 측정할 수 있다. 또한, 상기 무기질 충전제를 함유시켜, 상기 특정 산화지르코늄(B 성분)과 병용할 때, 경우에 따라서는 혼련에 지장이 생기는 경우도 있으므로, 그 경우, 산화지르코늄(B 성분)의 평균 입자경(D50)을 0.15∼1 ㎛로 하는 것이 바람직하다. Examples of the inorganic filler include silica powders such as quartz glass powder, talc, fused silica powder and crystalline silica powder, alumina powder, aluminum nitride powder and silicon nitride powder. Among them, it is preferable to use a fused silica powder from the viewpoint of reduction of the coefficient of linear expansion and the like, and from the viewpoint of high filling property and high fluidity, it is preferable to use the fused spherical silica powder. On the other hand, the inorganic filler excludes zirconium oxide as mentioned above. Regarding the particle size and distribution of the inorganic filler, the combination of the particle diameter and the distribution of the specific zirconium oxide (B component) is selected such that the barium etc. when the thermosetting resin composition is molded by transfer molding or the like is minimized . Specifically, the average particle diameter of the inorganic filler is preferably 5 to 100 占 퐉, and particularly preferably 10 to 80 占 퐉. On the other hand, the average particle size can be measured using, for example, a laser diffraction scattering particle size distribution meter. In some cases, when the inorganic filler is contained in combination with the specific zirconium oxide (component B), the kneading may be interrupted. In this case, the average particle size (D50) of zirconium oxide (component B) Is preferably 0.15 to 1 占 퐉.

그리고, 상기 무기질 충전제의 함유 비율에 있어서는, 상기 특정 산화지르코늄(B 성분)과 무기질 충전제의 합계의 함유 비율이, 열경화성 수지 조성물 전체의 10∼90 체적%가 되도록 설정하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 60∼90 체적%이며, 특히 바람직하게는 65∼85 체적%이다. 즉, 상기 합계의 함유 비율이 지나치게 적으면, 성형시에 휘어짐이 발생하는 등의 문제가 생기는 경향이 보인다. 또한, 합계의 함유 비율이 지나치게 많으면, 배합 성분을 혼련할 때, 혼련기에 많은 부하가 걸려, 혼련이 불가능하게 되는 경향이 보이고, 그 결과, 성형 재료인 열경화성 수지 조성물을 제작하기가 곤란하게 되는 경향이 보인다. It is preferable that the content ratio of the inorganic filler is such that the total content of the specific zirconium oxide (component B) and the inorganic filler is 10 to 90% by volume of the entire thermosetting resin composition. , More preferably 60 to 90 vol%, and particularly preferably 65 to 85 vol%. That is, when the content ratio is too small, there is a tendency that a problem such as warpage occurs at the time of molding. On the other hand, when the content ratio is too large, a large load is applied to the kneading machine when kneading the blended components, and it tends to make kneading impossible. As a result, it tends to be difficult to produce a thermosetting resin composition as a molding material I see this.

또한, 상기 특정 산화지르코늄(B 성분)과 무기질 충전제의 혼합 비율은, 초기 광반사율의 관점에서, 체적비로 (B 성분)/무기질 충전제=0.028∼1.0인 것이 바람직하다. 즉, B 성분과 무기질 충전제의 혼합 비율이, 상기 범위를 벗어나, 체적비가 지나치게 작으면, 열경화성 수지 조성물의 초기 광반사율이 저하하는 경향이 보이고, 체적비가 지나치게 크면, 열경화성 수지 조성물의 용융 점도가 상승하여 혼련이 곤란하게 되는 경향이 보인다.It is preferable that the mixing ratio of the specific zirconium oxide (component B) and the inorganic filler is (B component) / inorganic filler = 0.028 to 1.0 in terms of volume ratio from the viewpoint of the initial light reflectance. That is, if the mixing ratio of the component B and the inorganic filler is out of the above range and the volume ratio is too small, the initial light reflectance of the thermosetting resin composition tends to decrease. If the volume ratio is too large, the melt viscosity of the thermosetting resin composition rises So that the kneading tends to be difficult.

상기 경화촉진제는, 상기 열경화성 수지(A 성분)가 에폭시 수지인 경우에 이용할 수 있고, 경화촉진제로서는, 예컨대, 1,8-디아자-비시클로[5.4.0]운데센-7, 트리에틸렌디아민, 트리-2,4,6-디메틸아미노메틸페놀, N,N-디메틸벤질아민, N,N-디메틸아미노벤젠, N,N-디메틸아미노시클로헥산 등의 3급 아민류, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸 등의 이미다졸류, 트리페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄테트라플루오로보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라-n-부틸포스포늄브로마이드, 테트라페닐포스포늄브로마이드, 메틸트리부틸포스포늄디메틸포스페이트, 테트라페닐포스포늄-o,o-디에틸포스포로디티오에이트, 테트라-n-부틸포스포늄-o,o-디에틸포스포로디티오에이트 등의 인 화합물, 1,8-디아자-비시클로[5.4.0]운데센-7, 트리에틸렌디암모늄·옥틸카르복실레이트 등의 4급 암모늄염, 유기 금속염류 및 이들의 유도체 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2종 이상 함께 이용된다. 이들 경화촉진제 중에서는, 3급 아민류, 이미다졸류, 인 화합물을 이용하는 것이 바람직하다. 그 중에서도, 착색이 적은 경화물을 얻기 위해서는, 인 화합물을 이용하는 것이 특히 바람직하다. The curing accelerator can be used when the thermosetting resin (component A) is an epoxy resin. Examples of the curing accelerator include 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7, triethylenediamine , Tri-2,4,6-dimethylaminomethylphenol, N, N-dimethylbenzylamine, N, N-dimethylaminobenzene and N, N-dimethylaminocyclohexane, Imidazoles such as methylimidazole and 2-methylimidazole, and imidazoles such as triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetrafluoroborate, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetra-n-butylphosphonium bromide, tetraphenyl Phosphonium bromide, methyltributylphosphonium dimethylphosphate, tetraphenylphosphonium-o, o-diethylphosphorothioate, tetra-n-butylphosphonium-o, Phosphorus compound, 1,8-diaza-bicyclo [5.4.0] undecene-7, triethylenediammonium Quaternary ammonium salts such as octylcarboxylate, organic metal salts and derivatives thereof. These may be used alone or in combination of two or more. Among these curing accelerators, tertiary amines, imidazoles, and phosphorus compounds are preferably used. Among them, it is particularly preferable to use a phosphorus compound in order to obtain a cured product having little discoloration.

상기 경화촉진제의 함유량은, 상기 열경화성 수지(A 성분)에 대하여 0.001∼8 중량%로 설정하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01∼5 중량%이다. 즉, 경화촉진제의 함유량이 지나치게 적으면, 충분한 경화 촉진 효과를 얻을 수 없는 경우가 있고, 또한 경화촉진제의 함유량이 지나치게 많으면, 얻어지는 경화물에 변색이 생기는 경향이 보이기 때문이다. The content of the curing accelerator is preferably from 0.001 to 8% by weight, more preferably from 0.01 to 5% by weight, based on the thermosetting resin (component A). That is, when the content of the curing accelerator is too small, sufficient curing acceleration effect may not be obtained. When the content of the curing accelerator is too large, the resulting cured product tends to be discolored.

상기 이형제로서는 각종 이형제가 이용되지만, 그 중에서도 에테르 결합을 갖는 이형제를 이용하는 것이 바람직하며, 예컨대, 하기의 일반식(1)으로 표시되는 구조식을 갖춘 이형제를 들 수 있다. As the releasing agent, various releasing agents are preferably used, among which a releasing agent having an ether linkage is preferably used. For example, a releasing agent having a structural formula represented by the following general formula (1) can be mentioned.

CH3·(CH3)k·CH2O(CHRm·CHRn·O)x·H ···(1)CH 3揃 (CH 3 ) k 揃 CH 2 O (CHRm 揃 CHRn 揃 O) x 揃 H (1)

[식(1)에서, Rm, Rn은 수소 원자 또는 1가의 알킬기이며, 양자는 상호 동일하더라도 다르더라도 좋다. 또한, k는 1∼100의 정수이고, x는 1∼100의 정수이다.][In the formula (1), Rm and Rn are a hydrogen atom or a monovalent alkyl group, and they may be mutually the same or different. K is an integer of 1 to 100, and x is an integer of 1 to 100.]

상기 식(1)에서, Rm, Rn은 수소 원자 또는 1가의 알킬기이며, 바람직하게는, k는 10∼50의 정수, x는 3∼30의 정수이다. 보다 바람직하게는 Rm 및 Rn은 수소 원자이고, k는 28∼48의 정수, x는 5∼20의 정수이다. 즉, 반복수 k의 값이 지나치게 작으면, 이형성이 저하하고, 또한 반복수 x의 값이 지나치게 작으면, 분산성이 저하하기 때문에, 안정된 강도와 이형성을 얻을 수 없게 되는 경향이 보인다. 한편, 반복수 k의 값이 지나치게 크면, 융점이 높아지기 때문에 혼련이 곤란하게 되어, 열경화성 수지 조성물의 제조 공정에 있어서 곤란함을 일으키는 경향이 보이고, 반복수 x의 값이 지나치게 크면, 이형성이 저하하는 경향이 보이기 때문이다. In the above formula (1), Rm and Rn are each a hydrogen atom or a monovalent alkyl group, preferably k is an integer of 10 to 50, and x is an integer of 3 to 30. More preferably, Rm and Rn are hydrogen atoms, k is an integer of 28 to 48, and x is an integer of 5 to 20. That is, if the value of the number of repetition k is too small, the releasability is decreased. If the value of the number of repetitions x is too small, the dispersibility is lowered, and stable strength and releasability are not obtained. On the other hand, if the value of the number of repetitions k is too large, the melting point tends to become high, which makes it difficult to knead and tends to cause difficulty in the production process of the thermosetting resin composition. When the value of the number of repetitions x is too large, This is because of the tendency.

상기 이형제의 함유량은, 열경화성 수지 조성물체 전체의 0.001∼3 중량%의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 0.01∼2 중량%의 범위로 설정하는 것이 보다 바람직하다. 즉, 이형제의 함유량이 지나치게 적거나, 지나치게 많거나 하면, 경화체의 강도 부족을 초래하거나, 이형성의 저하를 야기하는 경향이 보이기 때문이다. The content of the releasing agent is preferably set in a range of 0.001 to 3% by weight, and more preferably in a range of 0.01 to 2% by weight based on the total weight of the thermosetting resin composition. That is, when the content of the releasing agent is too small or excessively large, the strength of the cured product tends to be insufficient, or the releasability tends to decrease.

상기 실란 화합물로서는 실란 커플링제나 실란을 들 수 있다. 상기 실란 커플링제로서는, 예컨대, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 또한, 상기 실란으로서는, 예컨대, 메틸트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디메틸디에틸실란, 페닐트리에톡시실란, 헥실트리메톡시실란, 헥실트리에톡시실란, 데실트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 헥사메틸디실라잔, 가수분해성 기를 포함하는 실록산 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2종 이상 함께 이용된다. Examples of the silane compound include a silane coupling agent and silane. Examples of the silane coupling agent include 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethylethoxy Silane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane and the like. Examples of the silane include methyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, dimethyldiethylsilane, phenyltriethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, hexyltriethoxysilane, Ethoxysilane, decyltrimethoxysilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, hexamethyldisilazane, siloxane containing a hydrolyzable group, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 변성제(가소제)로서는, 예컨대, 글리콜류, 실리콘류, 알코올류 등을 들 수 있다. Examples of the modifier (plasticizer) include glycols, silicones, and alcohols.

상기 산화방지제로서는, 예컨대, 페놀계 화합물, 아민계 화합물, 유기 황계 화합물, 포스핀계 화합물 등을 들 수 있다. Examples of the antioxidant include a phenol compound, an amine compound, an organic sulfur compound, and a phosphine compound.

상기 난연제로서는, 예컨대, 수산화마그네슘 등의 금속 수산화물, 브롬계 난연제, 질소계 난연제, 인계 난연제 등을 들 수 있고, 또한 삼산화안티몬 등의 난연 조제를 이용할 수도 있다.Examples of the flame retarder include metal hydroxides such as magnesium hydroxide, bromine flame retardants, nitrogen flame retardants, and phosphorus flame retardants, and flame retarding additives such as antimony trioxide may also be used.

상기 탈포제로서는, 예컨대, 실리콘계 등의 종래 공지된 탈포제를 들 수 있다. Examples of the defoaming agent include conventionally known defoaming agents such as silicone.

〈열경화성 수지 조성물〉 &Lt; Thermosetting resin composition &gt;

본 발명의 열경화성 수지 조성물은, 예컨대, 다음과 같이 하여 제조할 수 있다. 즉, 상기 A 및 B 성분, 또한 무기질 충전제, 나아가서는 경화촉진제 및 이형제, 그리고 필요에 따라서 이용되는 각종 첨가제를 적절하게 배합한 후, 혼련기 등을 이용하여 용융 혼합하고, 이어서, 이것을 냉각하여 고화하고 분쇄함으로써 분말형의 열경화성 수지 조성물을 제조할 수 있다. The thermosetting resin composition of the present invention can be produced, for example, in the following manner. That is, the components A and B as well as the inorganic filler, further the curing accelerator and the releasing agent, and various additives to be used as required are appropriately compounded, and then melt-mixed using a kneader or the like, And pulverized to obtain a powdery thermosetting resin composition.

그리고, 상기 얻어진 열경화성 수지 조성물을, 예컨대, 트랜스퍼 성형 또는 사출 성형함으로써 얻어지는 경화물로서는, 그 광반사율이, 파장 450∼800 nm에 있어서 80% 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 90% 이상이다. 한편, 상한은 통상 100%이다. 구체적으로는, 상기 경화물의 파장 450 nm에 있어서의 광반사율이 85∼98%인 것이 바람직하다. 상기 광반사율은, 예컨대, 다음과 같이 하여 측정된다. 즉, 두께 0.2 mm의 열경화성 수지 조성물의 경화물을, 소정의 경화 조건, 예컨대, 175℃×2분간의 성형 후, 175℃×3시간의 후경화로 제작하고, 실온(25±10℃)에서 상기 범위 내의 파장에서의 상기 경화물의 광반사율을 분광광도계(예컨대, 닛폰분코사 제조의 분광광도계 V-670)를 이용함으로써 측정할 수 있다. The cured product obtained by transfer molding or injection molding of the obtained thermosetting resin composition preferably has a light reflectance of 80% or more, more preferably 90% or more, at a wavelength of 450 to 800 nm. On the other hand, the upper limit is usually 100%. Specifically, it is preferable that the cured product has a light reflectance of 85 to 98% at a wavelength of 450 nm. The light reflectance is measured, for example, as follows. That is, a cured product of a thermosetting resin composition having a thickness of 0.2 mm is molded under a predetermined curing condition, for example, at 175 占 폚 for 2 minutes, followed by post-curing at 175 占 폚 for 3 hours, The light reflectance of the cured product at the wavelength within the above range can be measured by using a spectrophotometer (for example, a spectrophotometer V-670 manufactured by Nippon Bunko).

본 발명의 열경화성 수지 조성물을 이용하여 이루어지는 광반도체 장치는, 예컨대 다음과 같이 하여 제조된다. 즉, 금속 리드 프레임을 트랜스퍼 성형기의 금형 내에 설치하고 상기 열경화성 수지 조성물을 이용하여 트랜스퍼 성형에 의해 리플렉터를 형성한다. 이와 같이 하여, 광반도체 소자 탑재 영역의 주위를 둘러싸도록 환상의 리플렉터가 형성되어 이루어지는 광반도체 장치용의 금속 리드 프레임을 제작한다. 이어서, 상기 리플렉터 내부의, 금속 리드 프레임 상의 광반도체 소자 탑재 영역에 광반도체 소자를 탑재하고, 광반도체 소자와 금속 리드 프레임을 본딩 와이어를 이용하여 전기적으로 접속한다. 그리고, 상기 광반도체 소자를 포함하는 리플렉터의 내측 영역을, 실리콘 수지 등을 이용하여 수지 밀봉함으로써 밀봉 수지층이 형성된다. 이와 같이 하여, 예컨대, 도 1에 도시하는 입체형(컵형)의 광반도체 장치가 제작된다. 이 광반도체 장치는, 전술한 대로, 제1의 플레이트부(1)와 제2의 플레이트부(2)로 이루어지는 금속 리드 프레임의 제2의 플레이트부(2) 상에 광반도체 소자(3)가 탑재되고, 상기 광반도체 소자(3)의 주위를 둘러싸도록, 본 발명의 열경화성 수지 조성물로 이루어지는 광반사용의 리플렉터(4)가 형성되어 있는 구성을 취한다. 그리고, 상기 금속 리드 프레임과 리플렉터(4)의 내주면에 의해 형성되는 오목부(5)에는, 광반도체 소자(3)를 밀봉하는 투명성을 갖는 밀봉 수지층(6)이 형성되어 있다. 이 밀봉 수지층(6)에는 필요에 따라서 형광체가 함유되어 있다. 도 1에서, 7, 8은 금속 리드 프레임과 광반도체 소자(3)를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어이다. 그리고, 본 발명에서는, 광반도체 장치의 상기 리플렉터(4)에 있어서의 가장 얇은 부위의 두께가 0.2 mm 이하가 되는 구조를 대상으로 한다.The optical semiconductor device using the thermosetting resin composition of the present invention is manufactured, for example, as follows. That is, a metal lead frame is placed in a mold of a transfer molding machine, and a reflector is formed by transfer molding using the thermosetting resin composition. Thus, a metal lead frame for an optical semiconductor device in which an annular reflector is formed so as to surround the periphery of the optical semiconductor element mounting region is manufactured. Then, an optical semiconductor element is mounted on the optical semiconductor element mounting area on the metal lead frame inside the reflector, and the optical semiconductor element and the metal lead frame are electrically connected by using bonding wires. Then, a sealing resin layer is formed by resin-sealing the inner region of the reflector including the optical semiconductor element by using a silicone resin or the like. Thus, for example, a stereoscopic (cup-shaped) optical semiconductor device shown in Fig. 1 is manufactured. This optical semiconductor device has the optical semiconductor element 3 formed on the second plate portion 2 of the metal lead frame composed of the first plate portion 1 and the second plate portion 2 as described above And a reflector 4 for use with a light tube made of the thermosetting resin composition of the present invention is formed so as to surround the optical semiconductor element 3 mounted thereon. A sealing resin layer 6 having transparency for sealing the optical semiconductor element 3 is formed in the concave portion 5 formed by the metal lead frame and the inner circumferential surface of the reflector 4. [ The sealing resin layer 6 contains a phosphor as required. In Fig. 1, reference numerals 7 and 8 are bonding wires for electrically connecting the metal lead frame and the optical semiconductor element 3. The present invention is directed to a structure in which the thickness of the thinnest portion of the reflector 4 of the optical semiconductor device is 0.2 mm or less.

한편, 본 발명에서, 상기 도 1의 금속 리드 프레임 대신에 각종 기판을 이용하여도 좋다. 상기 각종 기판으로서는, 예컨대, 유기 기판, 무기 기판, 플렉시블 프린트 기판 등을 들 수 있다. 또한, 상기 트랜스퍼 성형 대신에, 사출 성형에 의해 리플렉터를 형성하여도 좋다. On the other hand, in the present invention, various substrates may be used instead of the metal lead frame shown in Fig. Examples of the various substrates include an organic substrate, an inorganic substrate, and a flexible printed substrate. Further, instead of the transfer molding, a reflector may be formed by injection molding.

또한, 상기 구성과 다른 광반도체 장치로서, 판형의 광반도체 장치용 리드 프레임을 이용한, 예컨대, 도 2 및 도 3(도 2의 X-X' 화살 표시 단면도)에 도시하는 광반도체 장치를 들 수 있다. 즉, 이 광반도체 장치는, 상호 간격을 두고서 배치된 금속 리드 프레임(10)의 두께 방향의 한 면의 소정 위치에 광반도체 소자(3)가 각각 탑재되고, 상기 금속 리드 프레임(10) 사이의 간극에 본 발명의 열경화성 수지 조성물로 이루어지는 광반사용의 리플렉터(11)가 형성되어 있는 구성을 취한다. 또한, 도 3에 도시하는 것과 같이, 금속 리드 프레임(10)의 간극에 본 발명의 열경화성 수지 조성물을 충전하고 경화하여 이루어지는 리플렉터(11)가 복수 부위 형성되어 있다. 한편, 도 2 및 도 3에서, 12는, 상기 광반도체 소자(3)와 금속 리드 프레임(10)을 전기적으로 접속하는 본딩 와이어이다. 이러한 광반도체 장치는, 상기 금속 리드 프레임(10)을 트랜스퍼 성형기의 금형 내에 설치하여 트랜스퍼 성형에 의해, 간격을 두고서 배치된 금속 리드 프레임(10)의 간극 및 금속 리드 프레임(10)의 광반도체 소자(3) 탑재면과는 반대면에 형성된 오목부에, 열경화성 수지 조성물을 충전하여, 경화시킴으로써 리플렉터(11)를 각각 형성한다. 이어서, 상기 금속 리드 프레임(10)의 소정 위치가 되는 광반도체 소자 탑재 영역에 광반도체 소자(3)를 탑재한 후, 광반도체 소자(3)와 금속 리드 프레임(10)을 본딩 와이어(12)를 이용하여 전기적으로 접속한다. 이와 같이 하여, 도 2 및 도 3에 도시하는 광반도체 장치가 제작된다. 그리고, 본 발명에서는, 광반도체 장치의 상기 리플렉터(11)에 있어서의 가장 얇은 부위의 두께가 0.2 mm 이하가 되는 구조를 대상으로 한다.Further, as an optical semiconductor device different from the above-described configuration, there is an optical semiconductor device shown in Figs. 2 and 3 (sectional view taken along arrows X-X 'in Fig. 2) using a lead frame for optical semiconductor devices in a plate shape. That is, in this optical semiconductor device, the optical semiconductor elements 3 are mounted at predetermined positions on one surface in the thickness direction of the metal lead frame 10 arranged at mutually spaced intervals, And a reflector 11 using a light tube made of the thermosetting resin composition of the present invention is formed in the gap. As shown in Fig. 3, a plurality of reflectors 11 formed by filling and curing the thermosetting resin composition of the present invention in the gaps of the metal lead frame 10 are formed. 2 and 3, reference numeral 12 denotes a bonding wire for electrically connecting the optical semiconductor element 3 and the metal lead frame 10. In this optical semiconductor device, the metal lead frame 10 is provided in a metal mold of a transfer molding machine, and by the transfer molding, the gap of the metal lead frame 10 arranged at intervals and the gap of the optical semiconductor element 10 of the metal lead frame 10 (3) The thermosetting resin composition is filled in the concave portion formed on the surface opposite to the mounting surface, and the reflector 11 is formed by curing. The optical semiconductor element 3 and the metal lead frame 10 are bonded to the bonding wire 12 after the optical semiconductor element 3 is mounted on the optical semiconductor element mounting region to be the predetermined position of the metal lead frame 10, As shown in Fig. Thus, the optical semiconductor device shown in Figs. 2 and 3 is manufactured. The present invention is directed to a structure in which the thickness of the thinnest portion of the reflector 11 of the optical semiconductor device is 0.2 mm or less.

실시예 Example

이어서, 실시예에 관해서 비교예와 함께 설명한다. 단, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. Next, Examples will be described together with Comparative Examples. However, the present invention is not limited to these examples.

우선, 열경화성 수지 조성물의 제작에 앞서서 하기에 기재하는 각 성분을 준비했다. First, prior to the production of the thermosetting resin composition, the respective components described below were prepared.

[에폭시 수지][Epoxy resin]

트리글리시딜이소시아누레이트(TEPIC)(에폭시 당량 100)Triglycidylisocyanurate (TEPIC) (epoxy equivalent 100)

[경화제][Curing agent]

4-메틸헥사히드로무수프탈산과 헥사히드로무수프탈산의 혼합물(산무수물 당량 164)(신닛폰리카사 제조, 리카시드 MH-700)(Ricaside MH-700, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (mixture of acid anhydride equivalent 164) of 4-methylhexahydrophthalic anhydride and hexahydrophthalic anhydride,

[경화촉진제][Curing accelerator]

메틸트리부틸포스포늄디메틸포스페이트(닛폰카가쿠고교사 제조, 히시콜린 PX-4MP)Methyl tributylphosphonium dimethyl phosphate (HISCOLIN PX-4MP, manufactured by Nippon Kayaku Kogyo Co., Ltd.)

[산화지르코늄 b1][Zirconium oxide b1]

다이이치키겐소카가쿠고교사 제조, UEP 산화지르코늄Manufactured by Daiseki Kensakagakugo Co., Ltd., UEP zirconium oxide

[산화지르코늄 b2][Zirconium oxide b2]

다이이치키겐소카가쿠고교사 제조, SRP-1 산화지르코늄Manufactured by Dai-ichi Kogyo Kagaku Kogyo Co., Ltd., SRP-1 zirconium oxide

[산화지르코늄 b3][Zirconium oxide b3]

다이이치키겐소카가쿠고교사 제조, SPZ 산화지르코늄Manufactured by Daiseki Kensakagakugo Co., Ltd., SPZ zirconium oxide

[산화지르코늄 b4][Zirconium oxide b4]

다이이치키겐소카가쿠고교사 제조의 SPZ 산화지르코늄을 일반적인 습식 볼 밀로 분쇄한 것. SPZ zirconium oxide manufactured by Daiseki Kensakagakugo Co., Ltd. is ground with a general wet ball mill.

[산화지르코늄 b5][Zirconium oxide b5]

다이이치키겐소카가쿠고교사 제조, SG 산화지르코늄Manufactured by Daiseki Kensakagakugo Co., Ltd., SG zirconium oxide

[산화지르코늄 b6][Zirconium oxide b6]

다이이치키겐소카가쿠고교사 제조, DK-3CH 산화지르코늄Manufactured by Dai-ichi Kogyo Kagaku Kogyo Co., Ltd., DK-3CH zirconium oxide

[실리카][Silica]

용융 구상 실리카 분말(평균 입자경 20 ㎛)(덴키카가쿠고교사 제조, FB-9454)(Average particle size: 20 mu m) (FB-9454, manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.)

[실시예 1∼9, 비교예 1∼3][Examples 1 to 9, Comparative Examples 1 to 3]

우선, 열경화성 수지 경화체 중에서의, 상기 산화지르코늄 b1∼b6의 누적 입도 분포를 보기 위해서 다음과 같이 측정했다. 즉, 우선, 상기한, 에폭시 수지 100 중량부와, 경화제 132 중량부와, 경화촉진제 1 중량부와 함께, 산화지르코늄 b1∼b6 중 어느 것을 181 중량부 가하고, 혼련기로 용융 혼련(온도 100∼130℃)하고, 실온(25℃)까지 냉각하여 분쇄함으로써 분말형의 열경화성 수지 조성물을 얻고, 그것을 재료로 하여, 180℃×90초로 성형 후, 175℃×3시간 경화했다. 이와 같이 하여, 1 mm 두께의 수지 성형판을 얻고, 이것을 시료로 하여, 수지 포매하고 기계 연마한 후, 시료대에 고정하여, 도전성 처리(15 mA×10 sec의 조건으로 백금팔라듐을 스퍼터(스퍼터 장치: 히타치사 제조 E-1030))했다. 이어서, FE-SEM(히타치사 제조, S-4700)를 이용하여, 반사 전자상을 5 kV의 가속 전압 조건으로 관찰했다. 그리고, 그 SEM 화상(1만배 화상)을, 화상 처리 소프트(MITANI CORPORATION사 제조, Winroof)에 의해 2진화 처리하여, 산화지르코늄 입자의 입경을 측정(타원 구상(단면이 타원인 구) 등과 같이 일률적으로 입경이 정해지지 않는 경우에는, 타원 장축의 값을 입경으로서 측정)했다. 그리고, 그 입경의 개수 빈도의 히스토그램을 작성하여, 5%, 50%, 95%의 개수 빈도 누적치의 입경, 즉, 누적도 95% 입도(D95), 누적도 50% 입도(D50(평균 입자경)), 누적도 5% 입도(D5)를 읽어들였다. 또한, 그 값을 바탕으로 D95/D5를 산출했다. 그 결과를 하기의 표 1에 기재한다.First, the cumulative particle size distribution of the zirconium oxide b1 to b6 in the thermosetting resin cured product was measured in the following manner. First, 181 parts by weight of zirconium oxide b1 to b6 was added to 100 parts by weight of the epoxy resin, 132 parts by weight of the curing agent and 1 part by weight of the curing accelerator, and the mixture was melt-kneaded at a temperature of 100 to 130 The mixture was cooled to room temperature (25 占 폚) and pulverized to obtain a powdery thermosetting resin composition. The material was molded at 180 占 폚 for 90 seconds and then cured at 175 占 폚 for 3 hours. In this manner, a resin molded plate having a thickness of 1 mm was obtained, which was then embedded in a resin, mechanically polished and fixed to a sample table, and platinum palladium was sputtered under the conditions of 15 mA × 10 sec Device: E-1030, manufactured by Hitachi, Ltd.)). Subsequently, a reflection electron image was observed under an accelerating voltage condition of 5 kV using FE-SEM (S-4700, Hitachi, Ltd.). Then, the SEM image (10,000 magnifications) is binarized by image processing software (Winroof, manufactured by MITANI CORPORATION) to measure the particle diameter of the zirconium oxide particles (uniformity in the elliptic spherical shape , The value of the major axis of the ellipse was measured as the particle diameter). Then, a histogram of the number frequency of the particle diameters was created to calculate the particle size of the number frequency accumulation values of 5%, 50% and 95%, that is, the cumulative 95% particle size D95, the cumulative 50% ) And the cumulative degree of 5% particle size (D5). Further, D95 / D5 was calculated based on the value. The results are shown in Table 1 below.

Figure pct00001
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이어서, 상기 각 성분을, 후기의 표 2 및 표 3에 기재하는 비율로 배합하고, 니이더로 용융 혼련(온도 100∼130℃)하고, 숙성한 후, 실온(25℃)까지 냉각하고 분쇄함으로써 목적으로 하는 분말형의 열경화성 수지 조성물을 제작했다. Then, the above components were compounded in the ratios described in Tables 2 and 3 below, melt-kneaded with a kneader (temperature: 100 to 130 占 폚), aged, cooled to room temperature (25 占 폚) A thermosetting resin composition in powder form was prepared.

이와 같이 하여 얻어진 실시예 및 비교예의 열경화성 수지 조성물을 이용하여, 하기의 방법에 따라서 각종 평가[초기 광반사율, 장기 내광성, 내가열변색성]의 측정을 행했다. 그 결과를 후기의 표 2 및 표 3에 기재한다. Various evaluations (initial light reflectance, long-term light resistance, and heat discoloration resistance) of the thermosetting resin compositions of the examples and comparative examples thus obtained were carried out according to the following methods. The results are shown in Tables 2 and 3 below.

[초기 광반사율][Initial light reflectance]

상기 각 열경화성 수지 조성물을 이용하여, 두께 0.2 mm의 시험편을 소정의 경화 조건(조건: 175℃×2분간의 성형+175℃× 3시간 경화)으로 제작하고, 이 시험편(경화물)을 이용하여, 실온(25℃)에서의 광반사율을 측정했다. 한편, 측정 장치로서 닛폰분코사 제조의 분광광도계 V-670을 사용하여, 파장 450 nm의 광반사율을 실온(25℃)에서 측정했다. 한편, 판정에서는, 광반사율이 90% 이상인 것을 「○」, 95% 이상인 것을 「◎」로 평가하고, 90% 미만인 것을 「×」로 평가했다. Each of the above-mentioned thermosetting resin compositions was used to prepare a test piece having a thickness of 0.2 mm by a predetermined curing condition (condition: molding at 175 DEG C for 2 minutes + 175 DEG C for 3 hours) , And the light reflectance at room temperature (25 캜) was measured. On the other hand, a spectrophotometer V-670 manufactured by Nippon Bunko Co., Ltd. was used as a measuring device, and the light reflectance at a wavelength of 450 nm was measured at room temperature (25 캜). On the other hand, in the judgment, the optical reflectance of 90% or more was evaluated as &quot;? &Quot;, the optical reflectivity of 95% or more was evaluated as?

[장기 내광성][Long term light resistance]

상기와 같이 하여 제작한 각 시험편을 이용하여, 파장 600 nm의 광반사율을 실온(25℃)에서 측정했다. 그 후, 그 시험편을 110℃의 핫플레이트로 가열한 상태에서, 강도 1 W/㎠의 고압수은등의 빛을, g선(436 nm) 밴드패스 필터를 통과시켜 15분간 조사한 후에, 상기와 같이 하여 파장 600 nm의 광반사율을 측정했다(가속 시험). 그리고, 상기 가속 시험 전후에서의 광반사율의 저하도(광 조사 후의 광반사율-광 조사 전의 광반사율)를 산출했다. 한편, 측정에는, 상기와 마찬가지로, 닛폰분코사 제조의 분광광도계 V-670을 사용했다. The light reflectance at a wavelength of 600 nm was measured at room temperature (25 占 폚) using each test piece prepared as described above. Thereafter, the specimen was heated by a hot plate at 110 DEG C, and light of a high-pressure mercury lamp of intensity 1 W / cm &lt; 2 &gt; was passed through a g-line (436 nm) band-pass filter and irradiated for 15 minutes, The light reflectance at a wavelength of 600 nm was measured (acceleration test). Then, the degree of decrease in light reflectance before and after the acceleration test (light reflectance after light irradiation-light reflectance before light irradiation) was calculated. On the other hand, a spectrophotometer V-670 manufactured by Nippon Bunko Co., Ltd. was used for the measurement.

[내가열변색성][I am thermochromic]

상기와 같이 하여 제작한 각 시험편을 이용하여, 200℃×20시간 가열하여, 파장 450 nm의 광반사율을 측정했다. 한편, 측정에는, 상기와 마찬가지로, 닛폰분코사 제조의 분광광도계 V-670을 사용했다. Each specimen thus prepared was heated at 200 DEG C for 20 hours to measure the light reflectance at a wavelength of 450 nm. On the other hand, a spectrophotometer V-670 manufactured by Nippon Bunko Co., Ltd. was used for the measurement.

Figure pct00002
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Figure pct00003
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상기 결과로부터, 본 발명에 규정한, 특정 입도 분포를 보이는 산화지르코늄을 배합하여 이루어지는 실시예 제품은, 성형물이 얇아도 높은 초기 광반사율을 얻을 수 있고, 또한, 장기 내광성, 내가열변색성에 관해서도 우수한 결과를 얻을 수 있었다. From the above results, it was confirmed that the product of Example of the present invention, in which zirconium oxide showing a specific particle size distribution as specified in the present invention was blended, was able to obtain a high initial light reflectivity even if the molded product was thin, and also exhibited excellent long-term light resistance and heat resistance The results were obtained.

이에 대하여, 본 발명의 규정에서 벗어나는 입도 분포를 보이는 산화지르코늄 b6을 이용한 비교예 제품은, 특히, 초기 광반사율에 관해서, 실시예 제품과 비교하여 매우 뒤떨어지는 결과가 되었다. On the other hand, the comparative product using zirconium oxide b6 exhibiting a particle size distribution deviating from the specification of the present invention was inferior to the product of the example particularly in terms of initial light reflectance.

[광반도체(발광) 장치의 제작][Fabrication of optical semiconductor (light emitting) device]

이어서, 상기 실시예 제품인 분말을 타정한 타블렛형의 열경화성 수지 조성물을 이용하여, 도 1에 도시하는 구성의 광반도체(발광) 장치를 제조했다. 즉, 구리(은 도금)제의 복수의 쌍을 이룬 제1의 플레이트부(1)와 제2의 플레이트부(2)를 갖는 금속 리드 프레임을 트랜스퍼 성형기의 금형 내에 설치하고, 상기 열경화성 수지 조성물을 이용하여 트랜스퍼 성형(조건: 175℃×2분간의 성형+175℃× 3시간 경화)을 행함으로써, 도 1에 도시하는, 금속 리드 프레임의 소정 위치에 리플렉터(4)(가장 얇은 두께 0.2 mm)를 형성했다. 이어서, 광반도체(발광) 소자(크기: 0.5 mm×0.5 mm)(3)를 탑재하여, 이 광반도체 소자(3)와 상기 금속 리드 프레임을 본딩 와이어(7, 8)로 전기적으로 접속함으로써, 리플렉터(4)와, 금속 리드 프레임과, 광반도체 소자(3)를 구비한 유닛을 제조했다. Subsequently, a photo-semiconductor (light-emitting) device having the structure shown in Fig. 1 was manufactured by using a tablet-type thermosetting resin composition in which the powder of the Example product was tableted. That is, a metal lead frame having a first plate portion 1 and a second plate portion 2 of a plurality of pairs made of copper (silver plating) is provided in a mold of a transfer molding machine, and the thermosetting resin composition (Condition: 175 deg. C x 2 min. Molding + 175 deg. C x 3 h) was performed to obtain a reflector 4 (0.2 mm thinnest) at a predetermined position of the metal lead frame shown in Fig. . Then, the optical semiconductor element 3 and the metal lead frame are electrically connected to each other by the bonding wires 7 and 8 by mounting an optical semiconductor (light emitting) element (size: 0.5 mm x 0.5 mm) A unit including the reflector 4, the metal lead frame, and the optical semiconductor element 3 was manufactured.

이어서, 상기 금속 리드 프레임과 리플렉터(4)의 내주면에 의해 형성되는 오목부(5)에, 실리콘 수지(신에츠실리콘사 제조, KER-2500)를 충전하여 상기 광반도체 소자(3)를 수지 밀봉(성형 조건: 150℃×4시간)함으로써 투명한 밀봉 수지층(6)을 형성하고, 리플렉터마다 다이싱에 의해 개편화(個片化)하여, 도 1에 도시하는 광반도체(발광) 장치를 제작했다. 얻어진 광반도체(발광) 장치는, 높은 초기 광반사율과 함께, 장기 내광성, 내가열변색성이 우수한 리플렉터(4)를 갖추고 있고, 높은 신뢰성을 갖춘 양호한 것을 얻을 수 있었다. Then, the optical semiconductor element 3 was sealed with a resin (KER-2500, manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) to the concave portion 5 formed by the metal lead frame and the inner circumferential surface of the reflector 4 (Molding condition: 150 DEG C x 4 hours) to form a transparent encapsulating resin layer 6, and each of the reflectors was diced into individual pieces to produce the optical semiconductor (light emitting) device shown in Fig. 1 . The obtained optical semiconductor (light-emitting) device was provided with a reflector 4 having excellent long-term light resistance and heat discoloration resistance together with a high initial light reflectivity, and good ones with high reliability were obtained.

상기 실시예에서는, 본 발명에 있어서의 구체적인 형태에 관해서 기재했지만, 상기 실시예는 단순한 예시에 지나지 않으며, 한정적으로 해석되는 것이 아니다. 당업자에게 분명한 다양한 변형은 본 발명의 범위 내라는 것이 의도되어 있다. Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to specific embodiments thereof, they are merely illustrative and not restrictive. Various modifications that are obvious to those skilled in the art are intended to be within the scope of the present invention.

본 발명의 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물은, 광반도체 장치에 내장된 광반도체 소자로부터 발하는 빛을 반사시키는 리플렉터의 형성 재료로서 유용하다. INDUSTRIAL APPLICABILITY The thermosetting resin composition for an optical semiconductor device of the present invention is useful as a material for forming a reflector that reflects light emitted from an optical semiconductor device incorporated in an optical semiconductor device.

1: 제1의 플레이트부
2: 제2의 플레이트부
3: 광반도체 소자
4, 11: 리플렉터
5: 오목부
6: 밀봉 수지층
7, 8, 12: 본딩 와이어
10: 금속 리드 프레임1: first plate portion
2: the second plate portion
3: optical semiconductor element
4, 11: Reflector
5:
6: sealing resin layer
7, 8, 12: bonding wire
10: Metal lead frame

Claims (10)

가장 얇은 부위의 두께가 0.2 mm 이하인, 광반도체 장치의 리플렉터의 형성 재료로서, 하기의 (A) 및 (B) 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물:
(A) 열경화성 수지.
(B) 열경화성 수지 경화체 중에서의, 누적 입도 분포에 있어서의 누적도 95% 입도(D95)와 누적도 5% 입도(D5)의 비(D95/D5)가 1∼100인 산화지르코늄. A thermosetting resin composition for a photosemiconductor device characterized by containing the following components (A) and (B) as a material for forming a reflector of an optical semiconductor device in which the thickness of the thinnest portion is 0.2 mm or less:
(A) Thermosetting resin.
(D95 / D5) of 1 to 100 in the cumulative degree of 95% particle size (D95) and cumulative degree of 5% particle size (D5) in the cumulative particle size distribution in the thermosetting resin cured product (B). 제1항에 있어서, 열경화성 수지 경화체 중에서의, 상기 (B) 성분인 산화지르코늄의 평균 입자경(D50)이 0.01∼1 ㎛인 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물. The thermosetting resin composition for optical semiconductor devices according to claim 1, wherein the average particle diameter (D50) of the zirconium oxide as the component (B) in the thermosetting resin cured product is 0.01 to 1 占 퐉. 제1항 또는 제2항에 있어서, 무기질 충전제를 더 함유하는 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물. The thermosetting resin composition according to claim 1 or 2, further comprising an inorganic filler. 두께 방향의 한 면에만 광반도체 소자를 탑재하기 위한 판형의 광반도체 장치용 리드 프레임으로서, 상호 간극을 두고 배치되는 복수의 플레이트부를 갖춤과 더불어, 상기 간극에, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재한 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물을 이용하여 충전하고, 경화하여 이루어지는 리플렉터가 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 광반도체 장치용 리드 프레임. A lead frame for an optical semiconductor device of a plate type for mounting an optical semiconductor element on only one side in the thickness direction, comprising a plurality of plate portions arranged with a gap therebetween, A lead frame for a photosemiconductor device, characterized in that a reflector is formed by filling and curing using a thermosetting resin composition for optical semiconductor devices described in the above item (1). 광반도체 소자 탑재 영역을 갖추고, 그 자체의 적어도 일부에서 소자 탑재 영역의 주위를 둘러싼 상태로 리플렉터가 형성되어 이루어지는 입체형의 광반도체 장치용 리드 프레임으로서, 상기 리플렉터가, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재한 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물을 이용하여 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 광반도체 장치용 리드 프레임. A lead frame for a three-dimensional optical semiconductor device in which a reflector is formed in a state of having an optical semiconductor element mounting region and surrounding the element mounting region in at least a part of the lead frame, A lead frame for a photosemiconductor device, which is formed by using a thermosetting resin composition for an optical semiconductor device according to any one of claims 1 to 6. 제5항에 있어서, 상기 리플렉터가 리드 프레임의 한 면에만 형성되어 있는 광반도체 장치용 리드 프레임. The lead frame for an optical semiconductor device according to claim 5, wherein the reflector is formed on only one side of the lead frame. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 리플렉터가 트랜스퍼 성형 또는 사출 성형에 의해 광반도체 장치용 리드 프레임에 형성되어 이루어지는 광반도체 장치용 리드 프레임. The lead frame for an optical semiconductor device according to any one of claims 4 to 6, wherein the reflector is formed on a lead frame for an optical semiconductor device by transfer molding or injection molding. 한 면에 광반도체 소자를 탑재하기 위한 소자 탑재 영역을 갖는 플레이트부가 상호 간극을 두고 배치되고, 상기 소자 탑재 영역의 소정 위치에 광반도체 소자가 탑재되어 이루어지는 광반도체 장치로서, 상기 간극에, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재한 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물을 이용하여 충전하고, 경화하여 이루어지는 리플렉터가 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 광반도체 장치. An optical semiconductor device comprising a plate portion having an element mounting region for mounting an optical semiconductor element on one side with a gap therebetween and an optical semiconductor element mounted on a predetermined position of the element mounting region, Wherein the reflector is formed by filling and curing the thermosetting resin composition for an optical semiconductor device according to any one of claims 1 to 3. 광반도체 소자 탑재 영역을 갖추고, 그 자체의 적어도 일부에서 소자 탑재 영역의 주위를 둘러싼 상태로 리플렉터가 형성되어 이루어지는 광반도체 장치용 리드 프레임의 소정 위치에 광반도체 소자가 탑재되어 이루어지는 광반도체 장치로서, 상기 리플렉터가, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재한 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물을 이용하여 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 광반도체 장치. An optical semiconductor device in which an optical semiconductor element is mounted at a predetermined position of a lead frame for an optical semiconductor device in which a reflector is formed in a state of having an optical semiconductor element mounting region and surrounding the element mounting region in at least a part of itself, Wherein the reflector is formed using the thermosetting resin composition for an optical semiconductor device according to any one of claims 1 to 3. 제9항에 있어서, 리플렉터로 둘러싸인 광반도체 소자를 포함하는 영역이 실리콘 수지로 수지 밀봉되어 이루어지는 광반도체 장치. 10. The optical semiconductor device according to claim 9, wherein a region including the optical semiconductor element surrounded by the reflector is resin-sealed with a silicone resin.
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