KR20160088283A - Uv-transmitting-substrate cleaning device and cleaning method - Google Patents

Uv-transmitting-substrate cleaning device and cleaning method Download PDF

Info

Publication number
KR20160088283A
KR20160088283A KR1020167006804A KR20167006804A KR20160088283A KR 20160088283 A KR20160088283 A KR 20160088283A KR 1020167006804 A KR1020167006804 A KR 1020167006804A KR 20167006804 A KR20167006804 A KR 20167006804A KR 20160088283 A KR20160088283 A KR 20160088283A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
cleaning
ozone water
ultraviolet
ozone
Prior art date
Application number
KR1020167006804A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
다카유키 지자이마루
Original Assignee
노무라마이크로사이엔스가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 노무라마이크로사이엔스가부시키가이샤 filed Critical 노무라마이크로사이엔스가부시키가이샤
Publication of KR20160088283A publication Critical patent/KR20160088283A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B08B7/0057—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
    • C11D11/0047—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
    • C11D3/04—Water-soluble compounds
    • C11D3/046—Salts
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1316—Methods for cleaning the liquid crystal cells, or components thereof, during manufacture: Materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/0231—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to electromagnetic radiation, e.g. UV light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • G02F2001/1316—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

실시형태의 자외선 투과성 기판의 세정장치는, 기판의 세정면에 오존수를 공급하는 오존수 공급부와, 상기 기판의 세정면에 오존수가 공급된 상태에서 상기 기판의 세정면과 반대측의 면에 250~260㎚의 파장을 포함하는 자외선을 조사하는 자외선 조사부를 구비한다.The ozone water supply unit supplies ozone water to the cleaning surface of the substrate. The ozone water supply unit supplies the ozone water to the surface of the substrate opposite to the cleaning surface in the state where the ozone water is supplied. And an ultraviolet ray irradiating unit for irradiating the ultraviolet ray including the wavelength of the ultraviolet ray.

Description

자외선 투과성 기판의 세정장치 및 세정방법{UV-TRANSMITTING-SUBSTRATE CLEANING DEVICE AND CLEANING METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a cleaning apparatus and a cleaning method for a UV-

본 발명은 자외선 투과성 기판의 세정장치 및 세정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning apparatus and a cleaning method for an ultraviolet-transparent substrate.

종래, 반도체용 실리콘 기판이나 액정 유리 기판의 세정방법으로서 RCA 세정법이나, 알칼리 세정 등의 세정액을 사용한 웨트(wet) 세정방법이 실시되고 있다. RCA 세정법에서는 예를 들어 과산화수소, 황산, 염산, 암모니아 등의 농후약품을 사용하여, 기판 표면의 피제거물을 제거한다. 또한, 세정액으로서 알칼리 세제 등을 사용하는 세정에 브러시 세정, 자외선 조사, 초음파 세정 등을 조합시키는 방법도 실시되고 있다. 이들 방법에서는 농후 약품이나 세정액을 대량으로 사용하고 있으므로, 배수처리 작업이나 환경보전의 관점에서, 농후 약품이나 세정액을 가능한한 사용하지 않는 세정방법이 요구되고 있었다. 또한, 유리기판은 반도체 웨이퍼와 비교하여 사이즈가 매우 크고, 또한 최근 유리 기판의 대형화가 현저하다. 이와 같은 대형의 유리기판의 세정에서는, 농후 약품이나 세정액의 사용량이나, 이들을 린스하는 순수의 사용량이 증대한다. 그 때문에, 유리 기판의 제조비용의 상승이나 배수처리 부하의 증대에 의한 환경부하의 증대 등의 문제가 발생하고 있다.Conventionally, a RCA cleaning method or a wet cleaning method using a cleaning liquid such as an alkali cleaning is performed as a cleaning method for a silicon substrate for a semiconductor or a liquid crystal glass substrate. In the RCA cleaning method, concentrated substances such as hydrogen peroxide, sulfuric acid, hydrochloric acid, and ammonia are used to remove substances to be removed on the surface of the substrate. Further, a method of combining brush cleaning, ultraviolet irradiation, ultrasonic cleaning, etc. with cleaning using an alkaline detergent or the like as a cleaning liquid is also carried out. In these methods, since a large amount of concentrated chemicals or cleaning liquids are used, there has been a demand for a cleaning method that does not use concentrated chemicals or cleaning liquids as much as possible from the viewpoints of wastewater treatment work and environmental conservation. Further, the size of the glass substrate is very large as compared with that of the semiconductor wafer, and recent enlargement of the glass substrate is remarkable. In the cleaning of such a large glass substrate, the amount of concentrated chemicals and cleaning liquid used and the amount of pure water used for rinsing them are increased. Therefore, problems such as an increase in the manufacturing cost of the glass substrate and an increase in the environmental load due to an increase in the load of the drainage processing have been caused.

또한, 세정 효율을 향상시키기 위해 웨트 세정의 전처리로서, 드라이 세정이 실시되는 경우도 있다. 드라이 세정에서는, 기판에 자외선을 조사하여 표면 처리를 실시하고, 이에 의해 기판표면의 유기물을 분해한다(예를 들어, 특허문헌 1, 2 참조). 또한, 전처리로서 드라이 세정 대신에, 유기용제 등으로 미리 기판 표면의 무기물을 세정하고, 순수로 린스하는 방법도 실시되고 있다.Further, in order to improve the cleaning efficiency, dry cleaning may be performed as a pre-treatment of wet cleaning. In the dry cleaning, ultraviolet rays are irradiated to the substrate to perform surface treatment, thereby decomposing organic substances on the surface of the substrate (see, for example, Patent Documents 1 and 2). Instead of dry cleaning as a pretreatment, a method of previously cleaning inorganic substances on the surface of a substrate with an organic solvent or the like and rinsing with pure water is also carried out.

그러나, 종래의 드라이 세정에서는 무기물을 제거할 수 없으므로, 이를 실시한 후, 농후 약품이나 세정액을 사용하는 웨트 세정을 실시하여, 무기물을 세정하는 것이 필요하다. 그 때문에, 웨트 세정 후에 다량의 배수가 발생하여, 이 배수를 처리할 필요가 있었다. 또한, 전처리로서 유기용제를 사용하여 세정하는 방법에서도, 유기용제 세정후 및 웨트 세정후에 각각 순수로 린스하기 때문에, 상기 동일하게 다량의 배수를 처리할 필요가 있었다. However, since the conventional dry cleaning can not remove the inorganic substance, it is necessary to carry out wet cleaning using a concentrated chemical or a cleaning liquid to clean the inorganic material. Therefore, a large amount of wastewater is generated after the wet cleaning, and this wastewater needs to be treated. Further, in the method of cleaning with an organic solvent as a pretreatment, since the organic solvent is rinsed with pure water after the organic solvent cleaning and the wet cleaning, respectively, it is necessary to treat the same large amount of wastewater.

일본 공개특허공보 평5-182945호Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-182945 일본 공개특허공보 평5-224167호Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-224167

본 발명은 상기한 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 종래의 농후 약품이나 세정액을 사용한 세정방법에 비하여, 배수처리 부하나 환경 부하를 경감시킬 수 있는 자외선 투과성 기판의 세정장치 및 세정방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Disclosure of the Invention The present invention has been made to solve the problems described above, and it is an object of the present invention to provide a cleaning device and a cleaning method of an ultraviolet transmitting substrate which can reduce a drainage processing part and an environmental load compared with a conventional cleaning method using a concentrated chemical or a cleaning liquid The purpose.

실시형태의 세정장치는 자외선 투과성 기판의 세정장치로, 상기 기판의 세정면에 오존수를 공급하는 오존수 공급부와, 상기 기판의 세정면에 오존수가 공급된 상태에서 상기 기판의 세정면과 반대측의 면에 250~260㎚의 파장을 포함하는 자외선을 조사하는 자외선 조사부를 구비하는 것을 특징으로 한다.The cleaning device of the embodiment is a cleaning device of an ultraviolet transparent substrate and includes an ozone water supply part for supplying ozonated water to the cleaning surface of the substrate and an ozone water supply part for cleaning the surface opposite to the cleaning surface of the substrate in a state where ozone water is supplied to the cleaning surface of the substrate And an ultraviolet ray irradiating unit for irradiating ultraviolet rays having a wavelength of 250 to 260 nm.

실시형태의 세정방법은 자외선 투과성 기판의 세정방법으로, 상기 기판의 세정면에 오존수를 공급하고, 또한 상기 기판의 세정면의 반대측의 면에 250~260㎚의 파장을 포함하는 자외선을 조사하는 것을 특징으로 한다.In the cleaning method of the embodiment, ozone water is supplied to the cleaning surface of the substrate, and ultraviolet rays having a wavelength of 250 to 260 nm are irradiated to the surface opposite to the cleaning surface of the substrate, .

본 발명의 자외선 투과성 기판의 세정장치 및 세정방법에 따르면, 종래의 농후약품을 사용한 세정방법에 비하여 배수처리부하나 환경부하를 경감시킬 수 있다.According to the cleaning device and the cleaning method of the ultraviolet-transparent substrate of the present invention, the environmental load of one drainage processing section can be reduced as compared with the conventional cleaning method using the concentrated chemicals.

도 1은 실시형태의 세정방법을 설명하는 도면이다.
도 2는 실시형태의 세정장치를 개략적으로 도시한 측면도이다.
도 3은 실시형태의 세정장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 실시형태의 세정방법을 도시한 흐름도이다.
도 5는 실시예에서 사용한 저압 수은 램프의 파장특성을 도시한 도면이다.1 is a view for explaining a cleaning method of the embodiment.
Fig. 2 is a side view schematically showing the cleaning apparatus of the embodiment. Fig.
3 is a plan view schematically showing the cleaning apparatus of the embodiment.
4 is a flow chart showing the cleaning method of the embodiment.
5 is a diagram showing the wavelength characteristics of the low-pressure mercury lamp used in the embodiment.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 사용하여 설명한다. 각 도면에서 동일한 기능을 갖는 구성에는 동일한 부호를 붙여 중복되는 설명을 생략한다. 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same reference numerals denote the same components and the description thereof is omitted. The present invention is not limited to the following embodiments.

도 1은 본 실시형태의 세정방법을 설명하는 도면이다. 본 실시형태의 세정방법은 기판(2)의 세정면(2a)에 오존수를 공급한 상태에서, 세정면(2a)과 반대측의 면(이하, 자외선 조사면이라고 함)(2b)에 자외선을 조사한다. 본 실시형태에서의 피제거물(3)은 예를 들어 포토 레지스트 등의 유기 박막이나 클린룸 내에서 세정면(2a)에 부착되는 유기물이다. 또한, 본 실시형태의 세정 방법에서는 세정면(2a)에 부착된 금속미립자 등의 무기물을 제거할 수도 있다.1 is a view for explaining a cleaning method of the present embodiment. The cleaning method of the present embodiment is a method in which ultraviolet rays are irradiated to a surface (hereinafter referred to as ultraviolet ray irradiation surface) 2b opposite to the cleansing surface 2a while ozone water is supplied to the cleansing surface 2a of the substrate 2 do. The substance 3 to be removed in the present embodiment is an organic thin film such as a photoresist or an organic substance attached to the cleansing surface 2a in the clean room. In the cleaning method of the present embodiment, it is also possible to remove inorganic substances such as metal fine particles adhering to the cleaning face 2a.

본 실시형태의 세정방법에서는 세정면(2a)에 오존수를 공급한 상태에서 자외선 조사면(2b)에 자외선을 조사하고, 오존수에 자외선을 조사함으로써 발생하는 라디칼 활성종을 이용하여 세정면(2a)의 피제거물(3)을 제거한다. 발생하는 라디칼 활성종은 주로 하기 화학식 1로 나타내는 반응에서 발생하는 산소 라디칼이나, 하기 화학식 2로 나타내는 반응에서 발생하는 히드록시 라디칼이다.In the cleaning method of the present embodiment, the ultraviolet rays are irradiated to the ultraviolet irradiation surface 2b while the ozone water is supplied to the cleaning surface 2a, and the ultraviolet rays are irradiated to the ozonated water, (3) is removed. The generated radical active species is mainly an oxygen radical generated in the reaction represented by the following formula (1) or a hydroxy radical generated in the reaction represented by the following formula (2).

Figure pct00001
Figure pct00001

Figure pct00002
Figure pct00002

이들 산소 라디칼이나 히드록시 라디칼은 세정면(2a)의 유기물을 산화분해하여 제거하고, 마찬가지로 무기물을 산화하여 산화물을 생성하여 제거한다.These oxygen radicals and hydroxy radicals oxidize and decompose organic substances on the cleansing face 2a and similarly oxidize the inorganic substances to generate and remove oxides.

세정면(2a)에 오존수를 공급하고 있는 상태에서, 세정면(2a) 상에는 소정의 두께를 갖는 오존수막(4)이 있다. 이 오존수막(4) 중의 오존 분자가 자외선에 의해 분해되어 라디칼 활성종이 발생한다. 발생한 라디칼 활성종이 예를 들어 유기물의 피제거물(3)을 산화 분해하여 세정한다. 피제거물(3)은 세정면(2a)에 부착되어 있으므로, 오존수막(4) 중에서 발생하는 라디칼 활성종 중 주로 세정면(2a) 근방에서 발생하는 라디칼 활성종이 상기 피제거물(3)의 분해 제거에 기여한다.In a state in which ozone water is supplied to the cleansing face 2a, there is an ozone water film 4 having a predetermined thickness on the cleansing face 2a. The ozone molecules in the ozone water film 4 are decomposed by ultraviolet rays to generate radical active species. And the resulting radical active species, for example, the organic matter 3 is oxidatively decomposed and washed. Since the matter 3 to be removed is attached to the cleansing surface 2a, the radical active species mainly generated in the vicinity of the cleansing surface 2a among the radical active species generated in the ozone water film 4, And contributes to decomposition and elimination.

여기에서, 세정면(2a) 측으로부터 자외선을 조사한 경우에는 오존수막(4) 표면에서 자외선의 일부가 산란이나 굴절하여, 조사한 자외선이 세정면(2a)에 도달할 때까지의 사이에 감쇠하는 것으로 생각된다. 또한, 자외선의 일부가 오존수막(4) 내 상방 부분에 존재하는 오존 분자에 흡수되어, 조사된 자외선에 대해서 세정면(2a)에 도달하는 자외선량이 감소됨으로써, 세정면(2a) 근방에서의 산소 라디칼의 발생량이 적어질 가능성도 있다. 또한, 오존수막(4) 내의 상방 부분에서 발생한 라디칼 활성종의 일부가, 세정면(2a) 상의 피제거물(3)에 도달하기 전에 라디칼 생성의 연쇄 반응을 일으키거나, 라디칼 활성종이 오존수의 흐름에 따라서 기판(2)상으로부터 외부에 배수되므로, 세정면(2a) 상의 피제거물(3)에 도달하지 않을 가능성도 있다.Here, when ultraviolet rays are irradiated from the side of the cleansing surface 2a, part of the ultraviolet rays scatter or refract on the surface of the ozone water film 4 and attenuate until the irradiated ultraviolet ray reaches the cleansing surface 2a I think. Part of the ultraviolet rays are absorbed by the ozone molecules existing in the upper part of the ozone water film 4 and the amount of ultraviolet rays reaching the cleansing surface 2a is reduced with respect to the irradiated ultraviolet rays, There is a possibility that the amount of radicals generated may be reduced. Part of the radical active species generated in the upper part in the ozone water film 4 may cause radical generation chain reaction before reaching the matter 3 to be removed on the cleansing face 2a, There is a possibility that the material 3 on the cleaning surface 2a will not reach the object 3 because the object 2 is drained to the outside from the substrate 2 along with the cleaning surface 2a.

이에 대하여, 본 실시형태의 세정방법에서는 세정면(2a)과 반대측의 면(2b)에 자외선을 조사한다. 그 때문에, 오존수막(4) 표면에서의 자외선의 산란, 반사, 굴절 등에 의한 자외선의 감쇠가 없다. 또한, 오존수막(4) 중을 통과할 때의 자외선의 감쇠도 없다. 또한, 오존수막(4) 중에서 발생한 라디칼 활성종이 오존수의 흐름에 따라서 기판(2)상으로부터 외부로 배수되는 일도 없다. 그 때문에, 자외선을 세정면(2a) 측으로부터 조사한 경우에 비하여, 효율 좋게 기판 세정을 실시할 수 있다.On the other hand, in the cleaning method of the present embodiment, ultraviolet rays are applied to the surface 2b opposite to the cleaning surface 2a. Therefore, there is no attenuation of ultraviolet rays due to scattering, reflection, refraction, etc. of ultraviolet rays on the surface of the ozone water film 4. Further, there is no attenuation of the ultraviolet ray when passing through the ozone water film 4. [ Also, the radical active species generated in the ozone water film 4 are not discharged to the outside from the substrate 2 in accordance with the flow of the ozone water. Therefore, the substrate can be efficiently cleaned as compared with the case where ultraviolet rays are irradiated from the cleaning surface 2a side.

도 2는 본 실시형태의 세정장치(1)를 도시한 개략 측면도이다. 도 3은 본 실시형태의 세정장치(1)를 도시한 개략 평면도이다. 본 실시형태의 세정장치는 소위 평류(平流) 세정장치이다. 도 2에 도시한 세정장치(1)는 세정대상인 기판(2)의 세정면(2a)에 오존수를 공급하는 오존수 공급부(5)와, 기판(2)의 세정면(2a)과 반대측면(이하, 자외선 조사면이라고 함)(2b)에 자외선을 조사하는 자외선 조사부(6)를 구비하고 있다. 기판(2)의 세정면(2a)에는, 예를 들어 유기물이나 무기물 등의 피제거물(3)이 부착되어 있다.2 is a schematic side view showing the cleaning apparatus 1 of the present embodiment. 3 is a schematic plan view showing the cleaning apparatus 1 of the present embodiment. The cleaning apparatus of the present embodiment is a so-called flat flow cleaning apparatus. The cleaning apparatus 1 shown in Fig. 2 includes an ozone water supply unit 5 for supplying ozone water to the cleaning surface 2a of the substrate 2 to be cleaned, , And an ultraviolet ray irradiating unit 6 for irradiating ultraviolet rays to the ultraviolet ray irradiating unit 2b. On the cleaning face 2a of the substrate 2, a substance 3 to be removed, such as an organic substance or an inorganic substance, is attached.

부호 "7"은 기판(2)을 반송하는 반송 롤러를 도시하고 있다. 반송 롤러(7)는 반송롤러(7) 상에 배치된 기판(2)을, 오존수 공급부(5)의 하방으로 반송하도록 배치되어 있다. 반송 롤러(7)는 화살표 A의 방향으로 기판(2)을 반송하고, 반송경로의 도중에 설치된 세정장치(1)가 기판(2)을 차례로 세정한다.Reference numeral 7 denotes a conveying roller for conveying the substrate 2. The conveying roller 7 is arranged so as to convey the substrate 2 placed on the conveying roller 7 to below the ozone water supply part 5. The conveying roller 7 conveys the substrate 2 in the direction of the arrow A and the cleaning device 1 installed in the middle of the conveying path sequentially cleans the substrate 2. [

기판(2)은 254㎚ 파장의 자외선에 대한 흡광계수가 바람직하게는 50% 이하인 자외선 투과성을 갖고 있다. 기판(2)은 상기한 파장(254㎚)의 자외선의 투과율이 50% 이상인 것이 바람직하고, 90% 이상인 것이 보다 바람직하다.The substrate 2 has an ultraviolet transmittance of preferably 50% or less with respect to an ultraviolet ray having a wavelength of 254 nm. The transmittance of ultraviolet rays at the above wavelength (254 nm) is preferably 50% or more, and more preferably 90% or more.

기판(2)으로서는, 상기한 흡광 계수 또는 자외선 투과율을 갖는 기판이면 특별히 한정되지 않고, 구체적으로는 석영 유리 기판, 유기 EL용 유리 기판, 액정 유리 기판, 탄화규소(SiC)기판이나 갈륨비소(GaAs)기판 등의 화합물 반도체 기판, 폴리에틸렌 프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 등의 투명수지기판 등을 사용할 수 있다.The substrate 2 is not specifically limited as long as it is a substrate having the above-mentioned extinction coefficient or ultraviolet transmittance. Specifically, it may be a quartz glass substrate, a glass substrate for organic EL, a liquid crystal glass substrate, a silicon carbide (SiC) ) Substrate, a transparent resin substrate such as polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), and polyethylene naphthalate (PEN).

본 실시형태의 세정장치(1)에서, 오존수 공급부(5)는 기판(2)의 세정면(2a)에 오존수를 공급하는 오존수 노즐(5b)을 구비하고 있다. 또한, 오존수 공급부(5)는 오존수를 제조하여 오존수 노즐(5b)에 공급하는 오존수 제조부(5a)를 구비하고 있다. 오존수 제조부(5a)는 순수에 오존을 용해시켜 오존수를 제조한다. 오존수 제조부(5a)로서는, 가스 투과막을 통하여 오존가스를 순수에 용해시키는 장치나, 오존가스와 순수를 충전탑 내에서 향류(向流) 접촉시켜 오존 가스를 순수에 용해시키는 장치를 사용할 수 있다. 순수는 기판(2)의 종류나 용도 및 세정목적에 따라서, 적절한 순도의 순수를 사용하면 좋지만, 예를 들어 기판(2)이 액정 유리기판인 경우에는 25℃ 환산의 저항률이 10㏁·㎝ 이상인 순수를 적절하게 사용할 수 있다.In the cleaning apparatus 1 of the present embodiment, the ozone water supply unit 5 is provided with an ozone water nozzle 5b for supplying ozone water to the cleaning surface 2a of the substrate 2. The ozone water supply part 5 is provided with an ozone water production part 5a for manufacturing the ozone water and supplying it to the ozone water nozzle 5b. The ozone water producing section 5a dissolves ozone in pure water to produce ozone water. As the ozone water producing section 5a, an apparatus for dissolving ozone gas in pure water through a gas permeable membrane or an apparatus for dissolving ozone gas in pure water in a countercurrent contact with ozone gas and pure water in a packed column can be used . Pure water may be pure water of appropriate purity depending on the type and use of the substrate 2 and purpose of cleaning. For example, when the substrate 2 is a liquid crystal glass substrate, it is preferable that the resistivity in terms of 25 DEG C is 10 M & Pure water can be used appropriately.

오존수 제조부(5a)가 제조하는 오존수의 농도는, 50~300ppm인 것이 바람직하고, 100~200ppm인 것이 보다 바람직하다. 또한, 오존의 자기 분해를 억제하여 오존을 효율적으로 이용하기 위해, 오존수에는 자기분해 억제제로서 이산화탄소 등을 첨가하는 것이 바람직하다.The concentration of ozone water produced by the ozone water producing section 5a is preferably 50 to 300 ppm, more preferably 100 to 200 ppm. Further, in order to suppress the autolysis of ozone and utilize ozone efficiently, it is preferable to add carbon dioxide or the like as an autolysis inhibitor to the ozone water.

오존수 공급부(5)가 공급하는 오존수의 온도는, 특별히 한정되지 않고, 15℃~25℃ 정도(상온)이면 좋다. 오존수를 상온에서 사용하는 경우에는, 세정을 위한 장치나 에너지를 삭감하는 것이 가능하다. 또한, 오존수는 가열해도 좋고, 이 경우에는 바람직하게는 15~50℃, 보다 바람직하게는 상온(20~30℃) 정도로 함으로써, 단시간에 보다 청정화된 기판 표면을 얻을 수 있다.The temperature of the ozonated water supplied by the ozonated water supply unit 5 is not particularly limited and may be about 15 캜 to 25 캜 (room temperature). When the ozone water is used at room temperature, it is possible to reduce the apparatus and energy for cleaning. The ozonated water may be heated. In this case, the ozonated water may preferably be at a temperature of 15 to 50 ° C, more preferably at a room temperature (20 to 30 ° C) to obtain a more clean substrate surface in a short time.

오존수 노즐(5b)로서는, 오존수를 분사하는 스프레이 노즐이나, 오존수를 분무하는 샤워 노즐이 사용된다. 오존수 노즐(5b)은 배관에 의해 오존수 제조부(5a)에 접속되어 있다. 이 배관을 통하여 오존수 제조부(5a)에서 제조된 오존수가 오존수 노즐(5b)에 공급된다. 공급된 오존수는 오존수 노즐(5b)로부터 세정면(2a)에 공급된다. 오존수 노즐(5b)은 가압장치를 구비하는 것이 바람직하고, 이 경우, 가압장치가 오존수를 가압하여 세정면(2a)에 공급할 수 있다. 세정면(2a)에 공급되는 오존수의 유속은 0.5~5m/s 정도인 것이 바람직하고, 이에 의해 세정효율을 향상시킬 수 있다.As the ozone water nozzle 5b, a spray nozzle for spraying ozone water or a shower nozzle for spraying ozone water is used. The ozone water nozzle 5b is connected to the ozone water producing section 5a by a pipe. The ozone water produced in the ozone water producing section 5a through the pipe is supplied to the ozone water nozzle 5b. The supplied ozonated water is supplied from the ozonated water nozzle 5b to the washing surface 2a. The ozone water nozzle 5b preferably includes a pressurizing device. In this case, the pressurizing device can pressurize the ozone water and supply it to the washing surface 2a. The flow velocity of the ozone water supplied to the cleansing surface 2a is preferably about 0.5 to 5 m / s, whereby the cleaning efficiency can be improved.

또한, 오존수 공급부(5)는 초음파 인가장치를 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우, 초음파 인가장치가 오존수에 초음파를 인가하고, 오존수 노즐(5b)이 초음파가 인가된 오존수를 세정면(2a)에 공급한다. 초음파의 주파수는 바람직하게는 30㎑ 이상, 보다 바람직하게는 100~2,000㎑, 더욱 바람직하게는 700~1,500㎑이다. 오존수에 초음파 인가하는 경우에는, 라디칼 활성종의 발생을 촉진하고, 세정효과를 높일 수 있다.It is preferable that the ozonated water supply part 5 is provided with an ultrasonic applicator. In this case, the ultrasonic wave application device applies ultrasonic waves to the ozone water, and the ozone water nozzle 5b supplies the ultrasonic wave-applied ozone water to the cleaning surface 2a. The frequency of the ultrasonic waves is preferably 30 kHz or more, more preferably 100 to 2,000 kHz, and still more preferably 700 to 1,500 kHz. When ultrasonic waves are applied to the ozone water, the generation of radical active species is promoted and the cleaning effect can be enhanced.

본 실시형태의 세정장치(1)에서, 자외선 조사부(6)는 기판(2)의 세정면(2a)과 반대측의 면(이하, 자외선 조사면이라고도 함)(2b)에 250~260㎚의 파장을 포함하는 자외선을 조사한다. 자외선 조사부(6)는 적어도 파장(254㎚)을 포함하는 자외선을 조사하는 것이 바람직하다. 파장 250~260㎚의 자외선, 특히 파장 254㎚의 자외선은 그 밖의 파장의 가시광선 내지 자외선보다도 순수 중의 오존 분자에 의한 흡수율이 높다. 그 때문에, 상기 바람직한 파장 범위를 포함하는 자외선을 조사함으로써, 상기 화학식 1, 화학식 2에 나타낸 라디칼 활성종의 생성 반응이 촉진된다. 그 결과, 피제거물(3)을 효과적으로 제거할 수 있다.In the cleaning apparatus 1 of the present embodiment, the ultraviolet ray irradiating unit 6 is irradiated with ultraviolet rays having a wavelength of 250 to 260 nm (hereinafter referred to as " ultraviolet ray irradiating surface ") on a surface opposite to the cleaning surface 2a of the substrate 2 To irradiate ultraviolet rays. The ultraviolet ray irradiating unit 6 preferably irradiates ultraviolet rays including at least a wavelength (254 nm). Ultraviolet rays having a wavelength of 250 to 260 nm, particularly ultraviolet rays having a wavelength of 254 nm, have a higher absorption rate of ozone molecules in pure water than visible light or ultraviolet rays of other wavelengths. Therefore, by irradiating ultraviolet rays containing the above-mentioned preferable wavelength range, the reaction of generating the radical active species shown in the above-mentioned Chemical Formulas 1 and 2 is promoted. As a result, the object 3 to be removed can be effectively removed.

자외선 조사부(6)는 적어도 파장 250~260㎚의 자외선을 조사하면 좋고, 상기한 파장의 자외선뿐만 아니라, 이 이외의 파장의 광, 예를 들어 파장 185㎚ 부근의 자외선, 파장 220~400㎚ 범위 내의 250~260㎚ 이외의 파장의 자외선, 자외선 이외의 가시광선이나 적외선의 파장 영역의 광을 조사해도 좋다. 이 경우, 자외선 조사부(6)가 조사하는 광의 발광 피크 파장의 영역은 특별히 한정되지 않지만, 적어도 250~260㎚의 범위에 발광 피크 파장을 갖고 있는 것이 바람직하다.The ultraviolet ray irradiating unit 6 may irradiate at least ultraviolet rays having a wavelength of 250 to 260 nm and may transmit not only ultraviolet rays having the wavelengths described above but also ultraviolet rays having wavelengths other than the above wavelengths, May be irradiated with ultraviolet light having a wavelength other than 250 to 260 nm, visible light other than ultraviolet light, or light having a wavelength range of infrared light. In this case, the region of the luminescence peak wavelength of the light irradiated by the ultraviolet irradiating unit 6 is not particularly limited, but it is preferable that the luminescence peak wavelength is in a range of at least 250 to 260 nm.

자외선 조사부(6)의 광원으로서는, 상기한 파장의 자외선을 발생하는 것이면 한정되지 않고, 예를 들어 저압 수은 램프, 고압 수은 램프, 진공 자외 램프, 크세논 램프, 발광 다이오드(LED) 등을 사용할 수 있다. 자외선 조사부(6)의 자외선 조사 조도는 라디칼 활성종의 생성농도(생성량)에 크게 영향을 주므로, 안정된 조도로 자외선을 조사할 수 있고 발광 수명이 길어, 운용 비용이 낮은 광원이 바람직하다. 이와 같은 광원으로서는, 저압 수은 램프를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 예를 들어 기판(2)이 대형인 경우에는, 기판(2)에 대하여 조사되는 자외선 조도의 부분적 균일성이나 세정장치의 소형화의 측면에서, LED를 사용하는 것이 바람직하다. LED는 발광수명이 길고 조사광의 직진성도 우수하므로, LED를 사용함으로써 운용 비용을 감소시킬 수도 있다.The low-pressure mercury lamp, the high-pressure mercury lamp, the vacuum ultraviolet lamp, the xenon lamp, the light-emitting diode (LED), or the like can be used as the light source of the ultraviolet ray irradiating unit 6, . Since the ultraviolet ray irradiation intensity of the ultraviolet ray irradiating unit 6 greatly affects the concentration (amount of production) of the radical active species, it is preferable that the ultraviolet ray irradiating unit 6 irradiate ultraviolet rays with a stable illuminance and have a long light emitting life and a low operating cost. As such a light source, it is preferable to use a low-pressure mercury lamp. Further, in the case where the substrate 2 is large, for example, it is preferable to use an LED in view of the partial uniformity of the ultraviolet illuminance irradiated on the substrate 2 and the miniaturization of the cleaning apparatus. LEDs have a long emission lifetime and are excellent in straightness of irradiated light, so that the use of LEDs may reduce operating costs.

자외선 조사부(6)가 조사하는 자외선 조도는, 피제거물(3)을 효율 좋게 제거하기 위해 2~20㎽/㎡인 것이 바람직하고, 3~8㎽/㎡인 것이 보다 바람직하다. 기판(2)의 세정면에 부착된 피제거물(3)은 오존수에 자외선을 조사함으로써 발생한 라디칼 활성종에 의해 분해되고, 오존수 중에 용해함으로써 제거된다.The ultraviolet illuminance irradiated by the ultraviolet irradiator 6 is preferably 2 to 20 mW / m 2, more preferably 3 to 8 mW / m 2, in order to efficiently remove the matter 3 to be removed. The substances 3 to be removed adhering to the cleaning face of the substrate 2 are decomposed by the radical active species generated by irradiating the ozone water with ultraviolet rays and dissolved by dissolving in the ozone water.

자외선 조사부(6)의 광원으로부터 자외선 조사면(2b)까지의 거리는, 기판(2)의 흡광 계수나 오존수의 농도, 사용하는 광원의 종류 등에 의해 적절하게 설정할 수 있다. 공기 중에서 자외선 조도가 광원으로부터의 거리의 제곱에 반비례하는 것을 고려하여, 예를 들어 수백 ㎜ 이하, 바람직하게는 5~20㎜로 한다. 이에 의해, 자외선 발광 조도가 2~20㎽/㎡ 정도의 자외선 광원이면, 세정면(2a)에서의 자외선 조도를 3㎽/㎡ 이상으로 할 수 있고, 이에 이해 세정 효율을 향상시킬 수 있다.The distance from the light source of the ultraviolet ray irradiating unit 6 to the ultraviolet ray irradiating surface 2b can be appropriately set depending on the extinction coefficient of the substrate 2, the concentration of the ozone water, the type of the light source to be used, and the like. Taking into account that the ultraviolet illuminance in air is inversely proportional to the square of the distance from the light source, it is set to, for example, several hundreds mm or less, preferably 5 to 20 mm. As a result, if the ultraviolet light emission illuminance is about 2 to 20 mW / m 2 or so, the ultraviolet light intensity on the cleaning surface 2a can be 3 mW / m 2 or more, which improves the understanding cleaning efficiency.

본 실시형태의 세정장치(1)에 따르면, 자외선 조사부(6)를 기판(2)의 세정면(2a)과 반대측의 면(2b) 측에 배치함으로써, 자외선 조사부(6)를 복수의 반송롤러(7) 사이에 설치할 수 있다. 그 때문에, 세정장치(1)를 소형화하는 것이 가능하다. 또한, 자외선 조사부를 세정면(2a)과 반대측의 면(2b)측에 설치함으로써, 자외선 조사부(6)의 광원과 유리 기판(2)의 거리를 작게 할 수 있으므로, 자외선 조사효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 자외선 조사부(6)를 기판(2)의 상방에 설치하는 경우에는, 예를 들어 오존수 방울이 튀어 자외선 조사부(6) 광원에 접촉되고, 자외선 조사부(6)의 광원이 파손되는 사고가 일어날 염려가 있고, 이 경우에는 기판(2)을 파손할 우려가 있다. 이에 대하여, 본 실시형태의 세정장치(1)에서는 자외선 조사부(6)를 기판(2)의 하방에 설치하므로, 방수조치를 하기 쉽다.According to the cleaning apparatus 1 of the present embodiment, by arranging the ultraviolet ray irradiating unit 6 on the side of the surface 2b opposite to the cleansing surface 2a of the substrate 2, (7). Therefore, the cleaning apparatus 1 can be downsized. Since the distance between the light source of the ultraviolet ray irradiating section 6 and the glass substrate 2 can be reduced by providing the ultraviolet ray irradiating section on the side of the surface 2b opposite to the cleaning surface 2a, have. When the ultraviolet ray irradiating unit 6 is disposed above the substrate 2, for example, an ozone water droplet rubs against the ultraviolet ray irradiating unit 6 to cause an accident that the light source of the ultraviolet ray irradiating unit 6 is damaged In this case, the substrate 2 may be damaged. On the contrary, in the cleaning apparatus 1 of the present embodiment, since the ultraviolet ray irradiating unit 6 is provided below the substrate 2, it is easy to take waterproof measures.

또한, 자외선 조사부(6)를 세정면(2a)의 상방에 구비하는 경우에는, 오존수 방울의 부착을 방지하기 위해, 자외선의 광원을 예를 들어 석영 유리관으로 보호하는 경우가 있다. 석영 유리관과 기판(2)의 거리가 가까울 때에는, 세정시, 세정된 유기물을 포함하는 물방울이 비산하여 석영 유리관에 부착되고, 그 부착된 물방울이 다시 기판(2)에 낙하하여 기판(2)을 재오염시킬 우려가 있다. 이에 대하여, 본 실시형태의 세정장치(1)에서는, 자외선 조사부(6)를 기판(2)의 하방에 구비하므로 이와 같은 우려가 없다. 또한, 본 실시형태의 세정장치(1)에서는 자외선 조사부(6)를 기판(2)의 하방에 구비하므로, 자외선 조사부(6)를 기판(2)의 상방에 구비하는 경우에 비하여, 자외선 조사부(6)를 유지하기 위한 힘도 작아서 좋다. 따라서, 장치 구성을 간이하게 할 수 있다.When the ultraviolet ray irradiating unit 6 is provided above the cleaning surface 2a, a light source of ultraviolet rays may be protected by, for example, a quartz glass tube in order to prevent adhesion of the ozone water droplets. When the distance between the quartz glass tube and the substrate 2 is close to that of the substrate 2, a water droplet containing the cleaned organic material is scattered and attached to the quartz glass tube at the time of cleaning, There is a risk of re-contamination. On the other hand, in the cleaning apparatus 1 of the present embodiment, there is no such a problem because the ultraviolet ray irradiating unit 6 is provided below the substrate 2. Since the ultraviolet ray irradiating unit 6 is provided below the substrate 2 in the cleaning apparatus 1 of the present embodiment as compared with the case where the ultraviolet ray irradiating unit 6 is provided above the substrate 2, 6) can be small. Therefore, the configuration of the apparatus can be simplified.

다음에, 본 실시형태의 세정장치를 사용한 세정방법에 대해서 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4에 도시한 본 실시형태의 세정 방법은, 상기 기판을 유지하는 공정(S100)과, 유지된 상기 기판의 세정면에 오존수를 공급하는 공정(S200)과, 상기 기판의 세정면에 오존수가 접촉된 상태에서 상기 기판의 세정면(2a)과 반대측의 면에 250~260㎚의 파장을 포함하는 자외선을 조사하는 공정(S300)을 구비하고 있다.Next, a cleaning method using the cleaning apparatus of the present embodiment will be described with reference to Fig. The cleaning method of this embodiment shown in Fig. 4 includes a step (S100) of holding the substrate, a step (S200) of supplying the ozonated water to the cleaning surface of the held substrate, and a step And a step (S300) of irradiating ultraviolet rays having a wavelength of 250 to 260 nm on a surface opposite to the cleansing surface (2a) of the substrate in a contacted state.

본 실시형태의 세정장치(1)를 사용한 기판의 세정은 다음과 같이 실시한다. 우선, 반송롤러(7) 상에 세정 대상인 기판(2)을 배치하여 유지하고, 반송롤러(7)를 작동시켜 기판(2)을 반송한다. 그리고, 반송되는 기판의 세정면(2a)에, 공정(S200)에서 오존수 노즐(5b)로부터 오존을 공급하면서, 공정(S300)에서 자외선 조사면(2b)측으로부터 자외선 조사부(6)에 의해 자외선을 조사한다. 이 때의, 오존수 노즐(5b)의 오존수 공급유량은 세정대상이 되는 기판(2)의 면적에 의존하지만, 세정성능의 관점에서 1㎡ 당 40~400ℓ/분인 것이 바람직하고, 1㎡ 당 100~400ℓ/분인 것이 보다 바람직하다.Cleaning of the substrate using the cleaning device 1 of the present embodiment is carried out as follows. First, the substrate 2 to be cleaned is placed and held on the conveying roller 7, and the conveying roller 7 is operated to convey the substrate 2. The ozone is supplied from the ozone water nozzle 5b in step S200 to the cleaning face 2a of the substrate to be transported and the ultraviolet light is irradiated from the ultraviolet light irradiation face 2b side in step S300 . The ozone water supply flow rate of the ozone water nozzle 5b at this time depends on the area of the substrate 2 to be cleaned but is preferably 40 to 400 L / min per 1 m < 2 > More preferably 400 L / min.

또한, 상기 실시형태에서는 반송롤러(7) 상에 기판(2)을 배치하여 유지하고 있지만, 기판(2)이 세정면(2a)에 오존수를 공급하고 있는 상태에서 세정면(2a)과 반대측의 면에 상기 파장의 자외선을 조사 가능한 형태로 유지되어 있으면, 기판(2)의 유지 형태나 방법은 특별히 한정되지 않는다.Although the substrate 2 is disposed and held on the conveying roller 7 in the above embodiment, the substrate 2 may be provided on the conveyance roller 7 in a state where the ozone water is supplied to the cleaning surface 2a, The shape and method of holding the substrate 2 are not particularly limited as long as the surface of the substrate 2 is maintained in such a form as to be irradiated with ultraviolet light of the above wavelength.

세정장치(1)에서의 기판의 세정은, 배치(batch) 식으로 실시해도 좋고, 연속식으로 실시해도 좋다. 소형의 기판을 세정하는 경우에는, 배치식으로 실시하는 것이 바람직하다.The cleaning of the substrate in the cleaning apparatus 1 may be carried out batchwise or continuously. When cleaning a small substrate, it is preferable to perform the cleaning in a batch manner.

본 발명의 세정방법은 에너지 절감화, 저비용화, 고세정능을 갖는 것을 특징으로 하는 세정방법이고, 특히 세정면적이 큰 액정 유리기판의 세정에 적용함으로써, 큰 효과를 발휘할 수 있다. 특히, 액정 유리기판은 최근 그 대형화가 현저하고, 세정의 균일성 및 세정시간의 단축을 목적으로 하여 평류 세정이 주류가 되고 있다. 본 발명의 효과는 평류 세정방법에만 한정되지 않고, 세정액을 샤워 등으로 흘려버리는 샤워링(showering)법이나, 회전하는 기판 상에 세정액을 공급하는 스핀 세정법, 기판을 세정액이 들어있는 배치식 침지조에 침지하는 침지 세정법 및 이들의 조합 등의, 세정액을 사용하는 종래 공지의 모든 세정방법에 적용하는 것이 가능하고, 어떤 세정방법에 대해서도 본 실시형태와 동일하게, 세정효율의 향상효과를 얻을 수 있다. 또한, 상술한 바와 같은 각 세정방법에 스펀지 등을 사용한 물리적 세정을 병용함으로써, 세정효율을 한층 높일 수도 있다.The cleaning method of the present invention is a cleaning method characterized by energy saving, low cost, and high cleaning performance. Especially, when the cleaning method is applied to cleaning of a liquid crystal glass substrate having a large cleaning area, a great effect can be exhibited. Particularly, the liquid crystal glass substrate has recently been remarkably increased in size, and the liquid crystal glass substrate has become mainstream for the purpose of uniformity of cleaning and shortening of cleaning time. The effect of the present invention is not limited to the parallel cleansing method but may be applied to a showering method in which a cleaning liquid is poured with a shower or the like, a spin cleaning method in which a cleaning liquid is supplied onto a rotating substrate, a method in which a substrate is immersed in a batch type immersion tank containing a cleaning liquid It is possible to apply the present invention to any conventionally known cleaning method using a cleaning liquid such as an immersion cleaning method or a combination thereof. As with the present embodiment, the cleaning efficiency can be improved by any cleaning method. Further, the cleaning efficiency can be further increased by using physical cleaning using a sponge or the like in combination with each of the above-described cleaning methods.

이상, 본 실시형태의 세정장치에 따르면, 종래의 농후약품이나 세정액을 사용한 세정방법에 비교하여 배수처리부하나 환경부하를 경감시킬 수 있고, 장치 구성도 간소화하는 것이 가능하다. 따라서, 오존수에 의한 기판의 세정효율을 향상시킬 수 있다.As described above, according to the cleaning apparatus of the present embodiment, it is possible to reduce the environmental load of the drainage processing unit and simplify the apparatus configuration as compared with the conventional cleaning method using the concentrated chemicals or the cleaning liquid. Therefore, the cleaning efficiency of the substrate by the ozonated water can be improved.

실시예Example

다음에, 실시예를 설명한다.Next, an embodiment will be described.

(실시예 1)(Example 1)

피세정물로서 크기가 세로 50㎜×가로 50㎜×두께 0.7㎜이고, 254㎚ 파장의 자외선에 대한 투과율이 99%인 액정 유리기판을 사용했다. 이 기판의 세정면에, 농도 100ppm의 오존수를 유량 1ℓ/분(1㎡ 당 400ℓ/분)로 공급하고 또한 세정면의 반대측의 면에 254㎚ 부근의 파장의 자외선을, 유리 기판보다 10㎜ 하방으로부터 자외선 조도 3.8㎽/㎡로 조사했다. 자외선 조사장치로서는, 저압 수은램프 AY-11(상품명, 니혼포토사이엔스(주)사제)를 사용했다.A liquid crystal glass substrate having a size of 50 mm in length × 50 mm in width × 0.7 mm in thickness and having a transmittance of 99% with respect to ultraviolet rays having a wavelength of 254 nm was used as the object to be cleaned. An ozone water having a concentration of 100 ppm was supplied at a flow rate of 1 L / min (400 L / min per 1 m 2) to the cleaning face of the substrate, and ultraviolet light having a wavelength of about 254 nm was applied to the surface opposite to the cleaning face, And an ultraviolet illuminance of 3.8 mW / m < 2 > As the ultraviolet irradiation device, a low-pressure mercury lamp AY-11 (trade name, manufactured by NIPPON PHOTOSENES CO., LTD.) Was used.

세정 전의 액정유리기판 표면에서의 물 접촉각과, 세정시간 0초, 30초, 60초, 180초, 300초, 600초 후의 액정유리기판 표면에서의 물 접촉각을 접속각계 PG-X(상품명, (주)마츠보사제)에 의해 측정했다. 물 접촉각의 측정결과를 표 1에 나타낸다. 물 접촉각이 작을수록, 액정유리기판에 부착된 유기물이 적고, 보다 양호하게 세정되어 있는 것을 나타낸다. 또한, 사용한 저압 수은램프의 파장특성을 도 5에 나타낸다.The water contact angle on the surface of the liquid crystal glass substrate before cleaning and the water contact angle on the surface of the liquid crystal glass substrate after the cleaning time of 0 second, 30 seconds, 60 seconds, 180 seconds, 300 seconds, and 600 seconds were measured using the connecting field PG-X Manufactured by Matsubosha Co., Ltd.). The measurement results of the water contact angle are shown in Table 1. The smaller the water contact angle, the less organic matter adhered to the liquid crystal glass substrate, and the better the cleaning. 5 shows the wavelength characteristics of the low-pressure mercury lamp used.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

실시예 1에서, 자외선을 세정면측으로부터 조사한 이외에는 실시예 1과 동일한 조건에서, 액정유리기판의 세정을 실시하고, 액정유리기판 표면에서의 물 접촉각의 경시변화를 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.In Example 1, the liquid crystal glass substrate was cleaned under the same conditions as in Example 1 except that ultraviolet rays were irradiated from the cleaning side, and the change in water contact angle with time on the surface of the liquid crystal glass substrate was measured. The results are shown in Table 1.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

실시예 1에서 자외선을 조사하지 않고 세정을 실시한 이외에는 실시예 1과 동일한 조건에서, 액정유리기판의 세정을 실시하고, 액정유리기판 표면에서의 물 접촉각의 경시 변화를 측정했다. 결과를 표 1에 함께 나타낸다.The liquid crystal glass substrate was cleaned under the same conditions as in Example 1 except that the cleaning was performed without irradiating ultraviolet rays in Example 1, and the change in water contact angle with time on the surface of the liquid crystal glass substrate was measured. The results are shown together in Table 1.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

비교예 1에서 파인젯(PT-010J50(프레테크사제))을 사용하여 오존수 노즐(5b)로부터 공급하는 오존수에 초음파를 인가한 이외에는 비교예 1과 동일한 조건에서, 액정유리기판의 세정을 실시하고, 액정유리기판 표면에서의 물 접촉각의 경시변화를 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다. 비교예 3에서는, 비교예 2와 거의 동등한 세정효과밖에 나타내지 않았다. 이는 오존수막에 진동이 부여됨으로써, 자외선이 오존수막에 의해 반사되므로, 자외선 조사의 효과가 나타나지 않았던 것을 나타낸다.The liquid crystal glass substrate was cleaned under the same conditions as in Comparative Example 1 except that ultrasonic waves were applied to the ozone water supplied from the ozone water nozzle 5b using Fine Jet (PT-010J50 (manufactured by Pretech)) in Comparative Example 1 , And a change with time in the water contact angle on the surface of the liquid crystal glass substrate was measured. The results are shown in Table 1. In Comparative Example 3, only the cleaning effect substantially equivalent to Comparative Example 2 was shown. This indicates that the effect of ultraviolet irradiation is not exhibited because the ultraviolet rays are reflected by the ozone water film by imparting vibration to the ozone water film.

Figure pct00003
Figure pct00003

이상에서 파장 250~260㎚의 자외선을 조사함으로써 세정 효율이 향상되고, 특히 액정 유리기판의 세정면과 반대측의 면으로부터 자외선을 조사한 경우에는, 세정면측으로부터 조사한 경우에 비하여, 단시간에 접촉각이 작아지는, 즉 단시간에 양호한 세정이 실시되는 것이 판명되었다.The cleaning efficiency is improved by irradiating ultraviolet rays having a wavelength of 250 to 260 nm. In particular, when ultraviolet rays are irradiated from a surface opposite to the cleaning surface of the liquid crystal glass substrate, the contact angle is small in a short period of time That is, good cleaning is performed in a short time.

1: 세정장치 2: 기판
2a: 세정면 2b: 자외선 조사면
3: 피세정물 4: 오존수막
5: 오존수 공급부 5a: 오존수 제조부
5b: 오존수 노즐 6: 자외선 조사부
7: 반송롤러1: cleaning device 2: substrate
2a: Facing surface 2b: Ultraviolet irradiation surface
3: Flushed water 4: Ozone water film
5: ozone water supply part 5a: ozone water production part
5b: ozone water nozzle 6: ultraviolet ray irradiation part
7: conveying roller

Claims (12)

자외선 투과성 기판의 세정장치로서,
상기 기판의 세정면에 오존수를 공급하는 오존수 공급부, 및
상기 기판의 세정면에 오존수가 공급된 상태에서 상기 기판의 세정면과 반대측의 면에 250~260㎚의 파장을 포함하는 자외선을 조사하는 자외선 조사부,
를 구비하는 것을 특징으로 하는 자외선 투과성 기판의 세정장치.1. A cleaning apparatus for a substrate having ultraviolet-
An ozonated water supply unit for supplying ozonated water to the cleaning surface of the substrate,
An ultraviolet ray irradiating unit for irradiating ultraviolet rays having a wavelength of 250 to 260 nm on a surface opposite to the cleaning surface of the substrate while ozone water is supplied to the cleaning surface of the substrate,
And a cleaning unit for cleaning the ultraviolet-transmitting substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 오존수 공급부는 상기 세정면에, 상기 오존수를 공급하는 오존수 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 자외선 투과성 기판의 세정장치.The method according to claim 1,
Wherein the ozone water supply part has an ozone water nozzle for supplying the ozonated water to the cleaning surface. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
오존수를 제조하여 상기 오존수 공급부에 공급하는 오존수 제조부를 구비하는 것을 특징으로 하는 자외선 투과성 기판의 세정장치.3. The method according to claim 1 or 2,
And an ozone water producing unit for producing ozone water and supplying the ozone water to the ozone water supply unit. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 자외선 조사부의 광원으로부터 상기 기판의 세정면과 반대측의 면까지의 거리는 5~20㎜인 것을 특징으로 하는 자외선 투과성 기판의 세정장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein a distance from a light source of the ultraviolet ray irradiating unit to a surface opposite to the cleaning surface of the substrate is 5 to 20 mm. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 자외선 조사부는 저압 수은 램프, 엑시머 램프 및 발광 다이오드(LED)로부터 선택되는 1종 이상을 구비하는 것을 특징으로 하는 자외선 투과성 기판의 세정장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the ultraviolet ray irradiating unit comprises at least one selected from a low pressure mercury lamp, an excimer lamp, and a light emitting diode (LED). 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판은 254㎚ 파장의 자외선에 대한 흡광계수가 50% 이하인 것을 특징으로 하는 자외선 투과성 기판의 세정장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the substrate has an extinction coefficient for ultraviolet light of 254 nm wavelength of 50% or less. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판은 액정 유리기판인 것을 특징으로 하는 자외선 투과성 기판의 세정장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the substrate is a liquid crystal glass substrate. 자외선 투과성 기판의 세정방법으로,
상기 기판을 유지하는 공정,
유지된 상기 기판의 세정면에 오존수를 공급하는 공정, 및
상기 기판의 세정면에 오존수가 접촉된 상태에서 상기 기판의 세정면의 반대측의 면에 250~260㎚의 파장을 포함하는 자외선을 조사하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 자외선 투과성 기판의 세정방법.By the cleaning method of the ultraviolet-transmitting substrate,
A step of holding the substrate,
Supplying ozone water to the cleaning surface of the held substrate, and
And a step of irradiating ultraviolet rays having a wavelength of 250 to 260 nm on a surface opposite to the cleaning surface of the substrate in a state where ozone water is in contact with the cleaning surface of the substrate. 제 8 항에 있어서,
상기 오존수는 오존 농도가 50ppm 이상인 것을 특징으로 하는 자외선 투과성 기판의 세정방법.9. The method of claim 8,
Wherein the ozone water has an ozone concentration of 50 ppm or more. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 오존수의 온도는 15℃∼50℃인 것을 특징으로 하는 자외선 투과성 기판의 세정방법.10. The method according to claim 8 or 9,
Wherein the temperature of the ozonated water is 15 ° C to 50 ° C. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 기판은 254㎚ 파장의 자외선에 대한 흡광계수가 50% 이하인 것을 특징으로 하는 자외선 투과성 기판의 세정방법.10. The method according to claim 8 or 9,
Wherein the substrate has an extinction coefficient for ultraviolet light of 254 nm wavelength of 50% or less. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 기판은 액정 유리기판인 것을 특징으로 하는 자외선 투과성 기판의 세정방법.10. The method according to claim 8 or 9,
Wherein the substrate is a liquid crystal glass substrate.
KR1020167006804A 2013-11-22 2014-11-19 Uv-transmitting-substrate cleaning device and cleaning method KR20160088283A (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-241894 2013-11-22
JP2013241894 2013-11-22
PCT/JP2014/005811 WO2015075922A1 (en) 2013-11-22 2014-11-19 Uv-transmitting-substrate cleaning device and cleaning method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160088283A true KR20160088283A (en) 2016-07-25

Family

ID=53179207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167006804A KR20160088283A (en) 2013-11-22 2014-11-19 Uv-transmitting-substrate cleaning device and cleaning method

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2015075922A1 (en)
KR (1) KR20160088283A (en)
CN (1) CN105637619A (en)
TW (1) TW201534409A (en)
WO (1) WO2015075922A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018026251A1 (en) * 2016-08-05 2018-02-08 무진전자 주식회사 Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer
US10622226B2 (en) 2016-10-19 2020-04-14 Semes Co. Ltd. Method and apparatus for cleaning component of substrate processing apparatus

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015011228B4 (en) 2015-08-27 2017-06-14 Süss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg Device for applying a liquid medium exposed to UV radiation to a substrate
DE102015011177B4 (en) * 2015-08-27 2017-09-14 Süss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg Device for applying a liquid medium exposed to UV radiation to a substrate
DE102015011229B4 (en) * 2015-08-27 2020-07-23 Süss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg Device for applying a liquid medium exposed to UV radiation to a substrate
CN106405926A (en) * 2016-11-30 2017-02-15 武汉华星光电技术有限公司 Preparation method of colour filter
CN107159666A (en) * 2017-06-04 2017-09-15 杜耀均 A kind of method of utilization ozone clean glass
CN108919565A (en) * 2018-06-29 2018-11-30 张家港康得新光电材料有限公司 A kind of cleaning method of electro-conductive glass

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05182945A (en) 1991-12-27 1993-07-23 Hitachi Ltd Treating device
JPH05224167A (en) 1992-02-07 1993-09-03 Canon Inc Washing method for glass substrate for liquid crystal element

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4088810B2 (en) * 1998-09-01 2008-05-21 リアライズ・アドバンストテクノロジ株式会社 Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
JP5083318B2 (en) * 2007-08-16 2012-11-28 旭硝子株式会社 Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05182945A (en) 1991-12-27 1993-07-23 Hitachi Ltd Treating device
JPH05224167A (en) 1992-02-07 1993-09-03 Canon Inc Washing method for glass substrate for liquid crystal element

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018026251A1 (en) * 2016-08-05 2018-02-08 무진전자 주식회사 Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer
US10622226B2 (en) 2016-10-19 2020-04-14 Semes Co. Ltd. Method and apparatus for cleaning component of substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
TW201534409A (en) 2015-09-16
JPWO2015075922A1 (en) 2017-03-16
CN105637619A (en) 2016-06-01
WO2015075922A1 (en) 2015-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20160088283A (en) Uv-transmitting-substrate cleaning device and cleaning method
CN103008311B (en) A kind of dry-type cleaning method based on ultraviolet light
TW501198B (en) Method and device for processing substrate
TW200725197A (en) Apparatus and methods for mask cleaning
KR101353668B1 (en) Substrate cleaning apparatus and method of cleaning substrate
JP2013510332A5 (en)
JP4337547B2 (en) Ultraviolet light cleaning device and ultraviolet lamp for ultraviolet light cleaning device
JP2000070885A (en) Device and method for cleaning substrate
JP4640421B2 (en) UV irradiation equipment
KR20040091718A (en) Method and device for the decontamination of optical surfaces
JP2018196620A (en) Washing machine
TW200501198A (en) Method of cleaning surface of semiconductor wafer
KR100479004B1 (en) A method and an apparatus for washing
JP2000015196A (en) Washing of substrate and device for washing substrate
KR20170083402A (en) Device for removing dissolved gas in solution
KR101987705B1 (en) Substrate cleaning nozzle using uv light lamp
JP4883133B2 (en) UV light cleaning equipment
KR20110123175A (en) System for cleansing the substrate
JP4318011B2 (en) Substrate processing apparatus and processing method
CN109564886B (en) Substrate cleaning device
JP6357319B2 (en) Method and apparatus for cleaning substrate to be cleaned
JP2014151258A (en) Ozone water decomposition method and washing device
JP2001300455A (en) Method for cleaning material to be cleaned and device therefor
JP2002018432A (en) Device for treating ozonic water and device for washing treatment
JP2002001318A (en) Ozone water treating equipment and washing treatment equipment

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid