KR20160087089A - Composition for removing silicone polymer and manufacturing method of thin film substrate using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 실리콘계 수지 제거용 조성물 및 이를 이용한 박막 기판 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 극성 비양성자성 용매 및 불소 화합물을 포함하는 실리콘계 수지 제거용 조성물 및 이를 이용한 박막 기판 제조 방법에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a composition for removing a silicone resin containing a polar aprotic solvent and a fluorine compound, and a method for manufacturing a thin film substrate using the same.
반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고도 함)의 표면에 전자 회로 등을 형성한 후, 웨이퍼의 두께를 얇게 하기 위해 웨이퍼의 이면 연삭(소위, 백 그라인딩)을 행하는 경우가 있다. 이 경우, 웨이퍼 회로면의 보호, 웨이퍼의 고정 등을 위하여 통상적으로 웨이퍼의 회로면에 실리콘계 수지를 개재하여 지지체를 부착한다. 지지체를 웨이퍼의 회로면에 부착하면, 웨이퍼의 이면 연삭 후 두께가 얇아진 웨이퍼를 보강할 수 있고, 웨이퍼의 연삭면에 이면 전극 등을 형성할 수도 있다. BACKGROUND ART [0002] In an electronic device manufacturing process, an electronic circuit or the like is formed on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a " wafer ") and then subjected to back grinding (so-called back grinding) There is a case. In this case, for the purpose of protecting the wafer circuit surface and securing the wafer, a support body is usually attached to the circuit surface of the wafer via a silicone resin. When the support is attached to the circuit surface of the wafer, it is possible to reinforce the wafer having a reduced thickness after the back grinding of the wafer, and to form the back electrode or the like on the grinding surface of the wafer.
상기 웨이퍼의 이면 연삭, 이면 전극 형성 등의 공정이 완료되면, 웨이퍼의 회로면으로부터 지지체를 제거하고 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 박리하여 제거하고, 웨이퍼를 절단하여 칩을 제작한다.After the back grinding of the wafer and the formation of the back electrode are completed, the support is removed from the circuit surface of the wafer, the silicon resin attached to the electronic component is peeled and removed, and the wafer is cut to manufacture chips.
한편, 최근에는 웨이퍼를 관통하여 설치하는 관통 전극(예를 들어, 실리콘 관통 전극)을 이용한 칩 적층 기술이 개발되어 있다. 이 칩 적층 기술에 따르면, 종래의 와이어 대신 관통 전극을 이용하여 복수의 칩의 전자 회로를 전기적으로 접속하므로, 칩의 고집적화, 동작의 고속화를 도모할 수 있다. 이 칩 적층 기술을 이용하는 경우, 복수의 칩이 적층된 집합체의 두께를 얇게 하기 위해 웨이퍼의 이면 연삭을 행하는 경우가 많으며, 그로 인해, 지지체나 전자부품에 실리콘계 수지를 이용할 경우가 증가한다.On the other hand, in recent years, a chip stacking technique using a penetrating electrode (for example, a silicon penetrating electrode) that penetrates a wafer has been developed. According to this chip stacking technique, since electronic circuits of a plurality of chips are electrically connected to each other by using a through electrode instead of a conventional wire, high integration of chips and high operation speed can be achieved. In the case of using this chip stacking technique, back grinding of the wafer is often performed in order to reduce the thickness of the aggregate in which a plurality of chips are stacked, thereby increasing the number of cases in which a silicon resin is used for a support or an electronic component.
그런데, 통상적으로 웨이퍼의 회로면에 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 개재하여 지지체를 부착한 후, 상기 웨이퍼와 지지체의 견고한 부착을 위하여 열경화를 실시하기 때문에 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 박리하는 경우, 경화된 전자부품에 부착된 실리콘계 수지가 지지체 및 웨이퍼의 회로면에 잔존하는 경우가 발생한다. 그러므로, 상기 지지체 및 웨이퍼 회로면에 잔존하는 경화된 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 효율적으로 제거하는 수단이 필요하다.Conventionally, after attaching a support to a circuit surface of a wafer via a silicone-based resin attached to an electronic component and then thermally curing the wafer and the support for firm attachment, the silicone resin adhered to the electronic component is peeled off , A silicone resin adhered to the cured electronic component may remain on the circuit surface of the support and the wafer. Therefore, a means for efficiently removing the silicon-based resin adhered to the support and the cured electronic component remaining on the wafer circuit surface is needed.
대한민국 공개특허 제10-2014-0060389호는 전자부품에 부착된 실리콘계 수지 제거용 조성물을 개시하고 있으나, 상기 선행기술은 실리콘계 수지의 제거속도 면에서 개선의 여지가 있는 것으로 보인다.Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2014-0060389 discloses a composition for removing a silicone resin adhered to an electronic component, but the prior art seems to have room for improvement in the removal rate of the silicone resin.
또한, 대한민국 공개특허 제10-2013-0008695호 및 제10-2013-0008692호는 웨이퍼의 두께를 얇게하는 기판 가공 방법을 개시하고 있으나, 공정이 복잡하며, 기판에 잔존하는 실리콘계 수지를 제거하는 것이 용이하지 못한 문제점이 있다.Korean Patent Laid-Open Nos. 10-2013-0008695 and 10-2013-0008692 disclose a substrate processing method for reducing the thickness of a wafer, but the process is complicated and the removal of the silicon-based resin remaining on the substrate There is a problem that is not easy.
본 발명은 실리콘계 수지의 제거 속도가 우수한 실리콘계 수지 제거용 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a composition for removing a silicone resin which is excellent in the removal rate of a silicone resin.
또한, 본 발명은 기판 및 캐리어 웨이퍼 사이에 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제를 도포하여 기판을 얇게 제조할 수 있는 박막 기판 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a thin film substrate manufacturing method capable of thinly manufacturing a substrate by applying a silicone release layer and a silicone adhesive between a substrate and a carrier wafer.
또한, 본 발명은 상기 박막 기판 제조 단계 중 기판 및 캐리어 웨이퍼를 분리한 후, 상기 실리콘계 수지 제거용 조성물을 사용하여 기판 및 캐리어 웨이퍼에 남아있는 실리콘계 잔류물을 제거하는 것을 목적으로 한다.Further, the present invention aims to remove the silicon-based residue remaining on the substrate and the carrier wafer by using the silicone-based resin removing composition after separating the substrate and the carrier wafer from the thin film substrate manufacturing step.
상기 목적을 달성하기 위하여, In order to achieve the above object,
본 발명은 극성 비양성자성 용매 및 불소 화합물을 포함하는 실리콘계 수지 제거용 조성물을 제공한다.The present invention provides a composition for removing a silicone resin comprising a polar aprotic solvent and a fluorine compound.
또한, 본 발명은 (1)기판과 캐리어 웨이퍼 사이에 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제를 도포하여 상기 기판과 캐리어 웨이퍼를 접착하는 단계;(1) bonding a substrate and a carrier wafer by applying a silicone release layer and a silicone adhesive between the substrate and the carrier wafer;
(2)상기 기판을 박형화하는 단계;(2) thinning the substrate;
(3)상기 박형화된 기판에 보호 테이프를 부착하는 단계;(3) attaching a protective tape to the thinned substrate;
(4)상기 보호 테이프가 부착된 박형화된 기판 및 캐리어 웨이퍼를 분리하는 단계; 및(4) separating the carrier wafer and the thinned substrate to which the protective tape is attached; And
(5)상기 분리된 기판 및 캐리어 웨이퍼를 상기 실리콘계 수지 제거용 조성물로 세정하는 단계를 포함하는 박막 기판 제조 방법을 제공한다.(5) cleaning the separated substrate and the carrier wafer with the silicone-based resin removing composition.
본 발명의 실리콘계 수지 제거용 조성물은 실리콘계 수지의 분해 속도가 우수하여 반도체 기판의 이면 연삭, 이면 전극 형성 등의 공정에서 캐리어 웨이퍼 및 기판에 잔존하는 실리콘계 수지를 효과적으로 제거할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The composition for removing a silicone resin of the present invention is excellent in decomposition speed of a silicone resin, and can effectively remove a silicon wafer remaining on a carrier wafer and a substrate in processes such as back grinding and back electrode formation of a semiconductor substrate.
또한, 본 발명의 박막 기판 제조 방법은 기판 및 캐리어 웨이퍼 사이에 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제를 형성함으로써, 기판을 박막화할 수 있으며, 기판의 파손을 방지할 수 있다.Further, in the method of manufacturing a thin film substrate of the present invention, the silicon release layer and the silicon adhesive are formed between the substrate and the carrier wafer, the substrate can be thinned, and the substrate can be prevented from being broken.
도 1은 본 발명의 박막 기판 제조 방법을 나타낸 모식도이다.
도 2는 실험예 1-1의 방법으로 제조된 박막 기판의 단면을 나타낸 모식도이다.
도 3은 실험예 1-2의 방법으로 제조된 박막 기판의 단면을 나타낸 모식도이다.1 is a schematic view showing a method of manufacturing a thin film substrate of the present invention.
2 is a schematic view showing a cross section of a thin film substrate manufactured by the method of Experimental Example 1-1.
3 is a schematic view showing a cross section of a thin film substrate manufactured by the method of Experimental Example 1-2.
이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
본 발명은 극성 비양성자성 용매 및 불소 화합물을 포함하는 실리콘계 수지 제거용 조성물에 관한 것이다.
The present invention relates to a composition for removing a silicone resin containing a polar aprotic solvent and a fluorine compound.
상기 극성 비양성자성 용매는 경화 실리콘계 수지를 팽창시키고, 불소 화합물을 용해시키는 역할을 한다. 또한, 극성이어서 불소 화합물 및 실리콘계 수지를 잘 용해시키며, 비양성자성이므로 불소 이온과 실리콘계 수지의 반응 중간체를 잘 안정화시켜서 실리콘계 수지의 분해반응을 촉진시킬 수 있다.The polar aprotic solvent serves to expand the cured silicone resin and to dissolve the fluorine compound. In addition, since the fluorine compound and the silicone resin are polarized well, and the fluorine compound and the silicone resin are nonpolar, the reaction intermediate between the fluorine ion and the silicone resin can be well stabilized and the decomposition reaction of the silicone resin can be promoted.
본 발명에서 상기 극성 비양성자성 용매는 케톤계, 아세테이트계, 아마이드계, 피리딘계, 몰폴린계, 피페라진계, 피롤리돈계, 우레아계, 옥사졸리디논계, 포스페이트계, 설폭사이드계, 나이트릴계 및 카보네이트계 용매로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용한다.
In the present invention, the polar aprotic solvent may be a ketone, acetate, amide, pyridine, morpholine, piperazine, pyrrolidone, urea, oxazolidinone, phosphate, sulfoxide, Based solvent and a carbonate-based solvent.
상기 케톤계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 하기 화학식 1을 포함하는 것이 바람직하다.The kind of the ketone-based solvent is not particularly limited, but it is preferable that the ketone-based solvent includes the following formula (1).
[화학식 1][Chemical Formula 1]
상기 R1 및 R2는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 18의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소이며,R 1 and R 2 are the same or different and each is a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 18 carbon atoms,
상기 R1 및 R2의 탄소수의 합은 2 이상 30 미만이다.
The sum of the carbon numbers of R 1 and R 2 is 2 or more and less than 30.
상기 아세테이트계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 프로필아세테이트, 이소프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 이소부틸아세테이트, sec-부틸아세테이트, 아밀아세테이트, 펜틸아세테이트, 이소펜틸아세테이트, 옥틸아세테이트, 벤질아세테이트, 페닐아세테이트, 에톡시에틸아세테이트, 메톡시부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 비닐아세테이트 및 에틸에톡시프로피오네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
The above-mentioned acetate-based solvent is not particularly limited in kind but may be selected from the group consisting of methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, isopropyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, sec-butyl acetate, amyl acetate, pentyl acetate, isopentyl acetate, It is preferable to use at least one selected from the group consisting of benzyl acetate, phenylacetate, ethoxyethyl acetate, methoxybutyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, vinyl acetate and ethyl ethoxypropionate.
상기 아마이드계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 디메틸포름아마이드, 디메틸프로판아마이드 및 디메틸부탄아마이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
The kind of the amide-based solvent is not particularly limited, but it is preferable to use at least one selected from the group consisting of dimethylformamide, dimethylpropanamide and dimethylbutanamide.
상기 피리단계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 하기 화학식 2를 포함하는 것이 바람직하다.The type of the above-mentioned flame-retarding solvent is not particularly limited, but preferably includes the following formula (2).
[화학식 2](2)
상기 R3 내지 R5는 각각 같거나 상이하게, 수소, 탄소수 1 내지 10의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐, 알데히드기, 아세트알데히드기, 시아나이드기 또는 메틸설파이드기이다.R 3 to R 5 are the same or different and each represents hydrogen, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen, an aldehyde group, an acetaldehyde group, a cyanide group or a methylsulfide group to be.
따라서, 상기 피리딘계 용매는 피리딘, 2-메틸피리딘, 3-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 4-에틸피리딘, 4-프로필피리딘, 4-이소프로필피리딘, 4-아밀피리딘, 2,3-루티딘, 2,4-루티딘, 2,5-루티딘, 3,4-루티딘, 3,5-루티딘 및 2,4,6-트리메틸피리딘으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.
Accordingly, the pyridine-based solvent may be at least one selected from the group consisting of pyridine, 2-methylpyridine, 3-methylpyridine, 4-methylpyridine, 4-ethylpyridine, 4-propylpyridine, 4-isopropylpyridine, And may be at least one member selected from the group consisting of 2,4,6-trimethylpyridine, 2,4-lutidine, 2,5-lutidine, 3,4-lutidine, 3,5-lutidine and 2,4,6-trimethylpyridine.
상기 몰폴린계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 3을 포함하는 것이 바람직하다.The type of the molybdenum-based solvent is not particularly limited, but it is preferable to include the following formula (3).
[화학식 3](3)
상기 R6은 수소, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 시아나이드기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소를 포함하는 3차 아민, R 6 represents hydrogen, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a cyanide group, a tertiary amine containing an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms,
탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 페닐, 또는An aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl substituted with halogen, a cyanide group or an aldehyde group, or
탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 피리딘이다.
An aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, a halogen, a cyanide group or an aldehyde group.
상기 피페라진계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 4를 포함하는 것이 바람직하다.The piperazine type solvent is not particularly limited, but it preferably contains the following formula (4).
[화학식 4][Chemical Formula 4]
상기 R7 및 R8은 각각 같거나 상이하게, 수소, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 시아나이드기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소를 포함하는 3차 아민, The R 7 And R 8 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a cyanide group, a tertiary amine containing an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms,
탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 페닐, 또는An aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl substituted with halogen, a cyanide group or an aldehyde group, or
탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 피리딘이다.
An aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, a halogen, a cyanide group or an aldehyde group.
상기 피롤리돈계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 메틸피롤리돈, 에틸피롤리돈 및 비닐피롤리돈으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
The kind of the pyrrolidone type solvent is not particularly limited, but it is preferable to use at least one selected from the group consisting of methyl pyrrolidone, ethyl pyrrolidone and vinyl pyrrolidone.
상기 우레아계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 5를 포함하는 것이 바람직하다.The type of the urea-based solvent is not particularly limited, but it preferably includes the following chemical formula (5).
[화학식 5][Chemical Formula 5]
상기 R9 및 R10은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 6의 지방족 탄화수소, 페닐기, 또는The R 9 And R < 10 > are the same or different and each represents an aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or
메톡시기 또는 디메틸아미노기가 치환된 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소이다.
Or an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms substituted with a methoxy group or a dimethylamino group.
상기 옥사졸리디논계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 6을 포함하는 것이 바람직하다.Although the kind of the oxazolidinone solvent is not particularly limited, it is preferable that the oxazolidinone solvent includes the following chemical formula (6).
[화학식 6][Chemical Formula 6]
상기 R11은 탄소수 1 내지 6의 지방족 탄화수소, 페닐기, 또는R 11 is an aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or
메톡시기 또는 디메틸아미노기가 치환된 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소이다.
Or an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms substituted with a methoxy group or a dimethylamino group.
상기 포스페이트계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 7을 포함하는 것이 바람직하다.The type of the phosphate-based solvent is not particularly limited, but it is preferable that the phosphate-based solvent includes the following formula (7).
[화학식 7](7)
상기 R12 내지 R14는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 8의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 탄소수 3 내지 8의 알콕시기, 페닐기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소로 치환된 페닐기 또는 할로겐으로 치환된 탄소수 2 내지 4의 지방족 탄화수소이다.
R 12 to R 14 are the same or different and each represents a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxy group having 3 to 8 carbon atoms, a phenyl group, a phenyl group substituted with an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, Substituted aliphatic hydrocarbon having 2 to 4 carbon atoms.
상기 설폭사이드계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 디메틸설폭사이드, 디부틸설폭사이드, 디페닐설폭사이드, 디벤질설폭사이드 및 메틸페닐설폭사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
The sulfoxide-based solvent is not particularly limited in its kind, but it is preferable to use at least one selected from the group consisting of dimethylsulfoxide, dibutylsulfoxide, diphenylsulfoxide, dibenzylsulfoxide and methylphenylsulfoxide .
상기 나이트릴계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 프로피오나이트릴, 부티로나이트릴, 이소부티로나이트릴, 아세토나이트릴, 트리메틸아세토나이트릴 및 페닐아세토나이트릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
The nitrile-based solvent is not particularly limited, but may be at least one selected from the group consisting of propionitrile, butyronitrile, isobutyronitrile, acetonitrile, trimethylacetonitrile, and phenylacetonitrile .
또한, 상기 카보네이트계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 디페닐카보네이트, 디벤질카보네이트, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트 및 비닐렌카보네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
In addition, the kind of the carbonate solvent is not particularly limited, but at least one selected from the group consisting of dimethyl carbonate, diethyl carbonate, diphenyl carbonate, dibenzyl carbonate, ethylene carbonate, propylene carbonate and vinylene carbonate is used .
상기 극성 비양성자성 용매는 상기 실리콘계 수지 제거용 조성물 총 중량에 대하여 70 내지 99.9 중량%로 포함되며, 바람직하게는 80 내지 99 중량%로 포함된다. 상기 극성 비양성자성 용매가 70 중량% 미만으로 포함되면 기판 회로면의 금속 부위가 부식되는 문제가 발생될 수 있으며, 99.9 중량%를 초과하는 경우는 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 효과적으로 제거하지 못하는 문제가 발생될 수 있다.
The polar aprotic solvent is contained in an amount of 70 to 99.9% by weight, preferably 80 to 99% by weight, based on the total weight of the composition for removing the silicone-based resin. If the polar aprotic solvent is contained in an amount less than 70% by weight, corrosion of the metal part of the substrate circuit surface may occur. If the polar aprotic solvent is contained in an amount exceeding 99.9% by weight, the silicon- Problems can arise.
또한, 상기 불소 화합물은 전자부품 등에 부착된 실리콘계 수지의 분자량을 감소시키는 역할을 한다.Further, the fluorine compound serves to reduce the molecular weight of the silicone resin adhered to electronic parts and the like.
상기 불소 화합물은 불화알킬암모늄, 불화알킬포스포늄 및 불화알킬설포늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
The fluorine compound is preferably at least one selected from the group consisting of alkylammonium fluoride, alkyl fluorophosphonium fluoride, and alkylsulfonium fluoride.
상기 불화알킬암모늄은 하기 화학식 8을 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the alkyl ammonium fluoride includes the following formula (8).
[화학식 8][Chemical Formula 8]
상기 m은 0 내지 15의 정수이고,M is an integer of 0 to 15,
상기 n은 2 내지 21의 정수이다.And n is an integer of 2 to 21.
또한, 상기 화학식 8은 바람직하게는 하기 화학식 9 내지 14로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이다.The above formula (8) is preferably at least one selected from the group consisting of the following formulas (9) to (14).
[화학식 9][Chemical Formula 9]
[화학식 10][Chemical formula 10]
[화학식 11](11)
[화학식 12][Chemical Formula 12]
[화학식 13][Chemical Formula 13]
[화학식 14][Chemical Formula 14]
상기 화학식 9 내지 14에서 상기 p 및 q는 각각 0 내지 4의 정수일 수 있다.In Formulas (9) to (14), p and q may each be an integer of 0 to 4.
상기 불화알킬암모늄은 구체적으로 예를 들어, 테트라부틸암모늄플루오라이드, 테트라부틸암모늄바이플루오라이드, 테트라메틸암모늄플루오라이드, 테트라에틸암모늄플루오라이드, 벤질트리메틸암모늄플루오라이드 및 테트라옥틸암모늄플루오라이드일 수 있다.
The alkyl ammonium fluoride may specifically be, for example, tetrabutylammonium fluoride, tetrabutylammonium bifluoride, tetramethylammonium fluoride, tetraethylammonium fluoride, benzyltrimethylammonium fluoride and tetraoctylammonium fluoride .
상기 불화알킬포스포늄은 하기 화학식 15을 포함하는 것이 바람직하다.The fluorinated alkylphosphonium preferably has the following general formula (15).
[화학식 15][Chemical Formula 15]
상기 R15 내지 R18은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 22의 지방족 탄화수소 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소이다.
Each of R 15 to R 18 is the same or different and is an aliphatic hydrocarbon having 1 to 22 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon having 6 to 20 carbon atoms.
또한, 상기 불화알킬설포늄은 하기 화학식 16을 포함하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the alkylsulfonium fluoride includes the following chemical formula (16).
[화학식 16][Chemical Formula 16]
상기 R19 내지 R21은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 22의 지방족 탄화수소 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소이다.
Each of R 19 to R 21 is the same or different and is an aliphatic hydrocarbon having 1 to 22 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon having 6 to 20 carbon atoms.
상기 불소 화합물은 상기 실리콘계 수지 제거용 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 30 중량%로 포함되며, 바람직하게는 1 내지 20 중량%로 포함된다. 상기 불소 화합물이 0.1 중량% 미만으로 포함되는 경우, 전자부품 등에 부착된 실리콘계 수지를 효과적으로 제거하지 못하는 문제가 발생될 수 있으며, 30 중량%를 초과하는 경우는, 가격이 비싸지며, 경시에 따른 수분함량이 증가되어, 오히려 실리콘 수지의 제거성능의 저하가 우려되며, 기판 회로면의 금속 부위가 부식되는 문제가 발생될 수 있다.
The fluorine compound is contained in an amount of 0.1 to 30% by weight, preferably 1 to 20% by weight based on the total weight of the composition for removing the silicone resin. When the amount of the fluorine compound is less than 0.1% by weight, the silicone resin adhered to electronic parts or the like may not be effectively removed. If the fluorine compound is contained in an amount exceeding 30% by weight, The content is increased, and the removal performance of the silicone resin is rather lowered, and the metal part of the substrate circuit surface may be corroded.
본 발명의 실리콘계 수지 제거용 조성물은 상기 성분 이외에 이 분야에서 통상적으로 사용되는 부식방지제, 계면활성제 등의 성분들을 더 포함할 수 있다.
The silicone-based resin removing composition of the present invention may further contain ingredients such as a corrosion inhibitor, a surfactant and the like commonly used in this field in addition to the above components.
또한, 본 발명은 박막 기판 제조 방법을 제공한다.The present invention also provides a method for manufacturing a thin film substrate.
본 발명의 박막 기판 제조 방법은 기판을 박막화하여 얇은 두께의 박막 기판을 제조하는 방법으로, 상기 기판을 얇게 만들기 위하여 지지층 역할을 하는 캐리어 웨이퍼를 사용하며, 상기 캐리어 웨이퍼와 기판 사이에 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제를 형성하여 박막 기판을 제조할 수 있다.A method of manufacturing a thin film substrate of the present invention is a method of manufacturing a thin film substrate by thinning a substrate, wherein a carrier wafer serving as a support layer is used to thin the substrate, and a silicon release layer A thin film substrate can be manufactured by forming a silicone adhesive.
보다 자세하게는, More specifically,
(1)기판과 캐리어 웨이퍼 사이에 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제를 도포하여 상기 기판과 캐리어 웨이퍼를 접착하는 단계;(1) bonding a substrate and a carrier wafer by applying a silicone release layer and a silicone adhesive between the substrate and the carrier wafer;
(2)상기 기판을 박형화하는 단계;(2) thinning the substrate;
(3)상기 박형화된 기판에 보호 테이프를 부착하는 단계;(3) attaching a protective tape to the thinned substrate;
(4)상기 보호 테이프가 부착된 박형화된 기판 및 캐리어 웨이퍼를 분리하는 단계; 및(4) separating the carrier wafer and the thinned substrate to which the protective tape is attached; And
(5)상기 분리된 기판 및 캐리어 웨이퍼를 상기 본 발명의 실리콘계 수지 제거용 조성물로 세정하는 단계를 포함하여 박막 기판을 제조할 수 있다.
(5) cleaning the separated substrate and the carrier wafer with the composition for removing a silicone resin of the present invention.
본 발명에서 상기 실리콘 이형층은 실리콘 고분자라면 그 종류를 특별히 한정하지 않는다.In the present invention, the type of the silicone release layer is not particularly limited as long as it is a silicone polymer.
또한, 실리콘 접착제는 실리콘 모노머 또는 올리고머로 이루어져 있는 접착용도로 사용되는 고분자를 의미하며, 그 종류를 특별히 한정하지 않는다. Further, the silicone adhesive means a polymer used for bonding, which is composed of a silicon monomer or an oligomer, and the kind thereof is not particularly limited.
상기 실리콘 접착제는 도포 및 경화 후에 접착 성능을 가지므로, 상기 실리콘 접착제를 경화 후, 기판과 캐리어 웨이퍼를 접착시킬 수 있다.
Since the silicone adhesive has an adhesive property after application and curing, the substrate and the carrier wafer can be bonded after the silicone adhesive is cured.
상기 (1)단계는 기판과 캐리어 웨이퍼 사이에 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제를 도포하여 상기 기판과 캐리어 웨이퍼를 접착하는 단계이다.In the step (1), a silicon release layer and a silicone adhesive are applied between the substrate and the carrier wafer, and the substrate and the carrier wafer are adhered to each other.
구체적으로, 기판과 캐리어 웨이퍼를 접착하는 방법은 두 가지 방법으로 나뉠 수 있다.Specifically, the method of bonding the substrate and the carrier wafer can be divided into two methods.
첫 번째 방법은 기판 상부에 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제를 순차적으로 도포한 후, 캐리어 웨이퍼를 접착하는 방법이다.The first method is a method in which a silicon release layer and a silicone adhesive are sequentially applied on the substrate, and then the carrier wafer is bonded.
상기 방법은 기판, 실리콘 이형층, 실리콘 접착제 및 캐리어 웨이퍼 순으로 순차적으로 적층이 되며, 상기 (4)단계에서 기판과 캐리어 웨이퍼를 분리할 때, 기판 상부에 소량의 실리콘 잔류물이 남아있어 세정에 용이한 장점을 지니고 있다.The method comprises laminating a substrate, a silicon release layer, a silicone adhesive, and a carrier wafer sequentially in that order. In separating the substrate from the carrier wafer in the step (4), a small amount of silicon residue remains on the substrate, It has easy advantages.
두 번째 방법은 기판 상부에 실리콘 접착제를 도포하고, 캐리어 웨이퍼 일면에 실리콘 이형층을 도포한 후, 상기 기판 상부에 도포된 실리콘 접착제에 캐리어 웨이퍼 일면에 도포된 실리콘 이형층을 접착시켜 기판과 캐리어 웨이퍼를 접착시키는 방법이다. In the second method, a silicon adhesive is applied to the upper part of the substrate, a silicone release layer is coated on one side of the carrier wafer, and a silicone release layer applied to one surface of the carrier wafer is adhered to the silicone adhesive applied on the upper part of the substrate, .
상기 방법은 상기 (2)단계의 기판을 박형화하는 과정과 상기 (4)단계의 기판과 캐리어 웨이퍼를 분리하는 과정에서 발생할 수 있는 기판의 파손을 최소화할 수 있는 장점을 지니고 있다.
The above method has the advantage of minimizing damage to the substrate during the process of thinning the substrate in the step (2) and the process of separating the substrate and the carrier wafer in the step (4).
상기 (2)단계는 캐리어 웨이퍼가 접착된 기판을 박형화하는 단계로, 화학 기계적 연마, 습식 에칭, 건식 에칭, 스핀 에칭 또는 그라인딩 휠 등을 이용하여 기판을 원하는 두께로 얇게 박형화할 수 있다. The step (2) is a step of thinning the substrate to which the carrier wafer is adhered. The substrate may be thinned to a desired thickness using chemical mechanical polishing, wet etching, dry etching, spin etching or grinding wheel.
본 발명에서는 상기 기판은 최대한 얇게 박형화하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 50μm 이하의 두께로 박형화한다.
In the present invention, the substrate is preferably as thin as possible, more preferably as thin as 50 탆 or less.
상기 (3)단계는 박형화된 기판에 보호 테이프를 부착하는 단계로, 기판에 보호 테이프를 부착함으로써, 박막 기판 제조 후, 상기 박막 기판을 칩 단위로 절단하는 과정을 용이하게 진행할 수 있다.
The step (3) is a step of attaching a protective tape to a thinned substrate. By attaching a protective tape to the substrate, the process of cutting the thin film substrate into chips after manufacturing the thin film substrate can be facilitated.
상기 (4)단계는 보호 테이프가 부착된 박형화된 기판 및 캐리어 웨이퍼를 분리하는 단계로, 캐리어 웨이퍼를 분리하여 박형화된 박막 기판을 얻을 수 있다.The step (4) is a step of separating the carrier wafer from the thinned substrate to which the protective tape is attached, and the carrier wafer may be separated to obtain a thinned substrate.
상기 분리 방법은 특별히 한정되어 있는 것은 아니며, 물리적인 방법 또는 열을 가하는 방법 등 다양한 방법을 이용할 수 있다.The separation method is not particularly limited, and various methods such as a physical method or a method of applying heat can be used.
물리적인 방법으로 예를 들어, 기판 및 캐리어 웨이퍼 사이에 형성된 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제 사이에 크랙(crack)을 가하여 분리할 수 있으며, 크랙은 블레이드 또는 이니시에이터 등으로 충격을 가하여 형성할 수 있다.
For example, cracks may be applied between the silicon release layer formed between the substrate and the carrier wafer and the silicon adhesive by a physical method, and the cracks may be formed by applying an impact with a blade or an initiator.
상기 (5)단계는 분리된 기판 및 캐리어 웨이퍼를 본 발명의 실리콘계 수지 제거용 조성물로 세정하여 최종적으로 박막 기판을 얻는 단계이다.In the step (5), the separated substrate and the carrier wafer are cleaned with the composition for removing a silicone resin of the present invention to finally obtain a thin film substrate.
상기 (1) 내지 (3)단계에서는 기판 및 캐리어 웨이퍼 사이에 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제가 형성되어 있으므로, 기판 및 캐리어 웨이퍼 분리 과정에서 상기 표면에 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제, 즉 실리콘계 수지가 잔존할 수 있다. 따라서, 상기 실리콘계 수지를 세정하는 단계가 필요하며, 본 발명의 실리콘계 수지 제거용 조성물을 사용하여 세정할 수 있다. In the above steps (1) to (3), since the silicone release layer and the silicone adhesive are formed between the substrate and the carrier wafer, the silicon release layer and the silicone adhesive, that is, the silicone- . Therefore, a step of cleaning the silicone resin is necessary, and the silicone resin can be cleaned using the composition for removing the silicone resin of the present invention.
상기 세정은 상기 분리된 기판 및 캐리어 웨이퍼를 실리콘계 수지 제거용 조성물에 침치하여 세정할 수 있으며, 또 다른 방법으로는 분리된 기판 및 캐리어 웨이퍼에 실리콘계 수지 제거용 조성물을 토출하여 세정할 수 있다.The cleaning may be performed by immersing the separated substrate and the carrier wafer in a composition for removing a silicone resin, and cleaning the separated substrate and the carrier wafer by discharging the composition for removing the silicone resin.
세정 완료 후, 얇아진 박막 기판을 얻을 수 있으며, 상기 박막 기판에는 실리콘계 수지가 잔존해 있지 않으며, 제조 과정에서 기판의 파손이 발생하지 않는 것을 확인할 수 있다.
After the completion of the cleaning, a thinned thin film substrate can be obtained, and it can be confirmed that no silicone resin remains in the thin film substrate and no breakage of the substrate occurs in the manufacturing process.
또한, 상기 기판은 반도체 기판이며, 구체적으로 상기 기판 위에 반도체 장치들이 형성된 반도체 기판이다.The substrate is a semiconductor substrate, specifically a semiconductor substrate on which semiconductor devices are formed.
또한, 상기 캐리어 웨이퍼는 유리 기판 또는 실리콘 기판일 수 있다.
The carrier wafer may be a glass substrate or a silicon substrate.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. However, the following examples are intended to further illustrate the present invention, and the scope of the present invention is not limited by the following examples. The following examples can be appropriately modified and changed by those skilled in the art within the scope of the present invention.
<실리콘계 수지 제거용 조성물 제조>≪ Preparation of composition for removing silicone resin &
실시예Example 1 내지 8 및 1 to 8 and 비교예Comparative Example 1 내지 6. 1 to 6.
하기 표 1에 기재된 성분을 해당 조성비로 혼합하여 실시예 1 내지 8의 실리콘계 수지 제거용 조성물을 제조하였다.
The components shown in the following Table 1 were mixed at the composition ratios to prepare the silicone-based resin removing compositions of Examples 1 to 8.
암모늄Alkyl fluoride
ammonium
포스포늄Alkyl fluoride
Phosphonium
불화알킬암모늄 : 테트라부틸암모늄플루오라이드(TCI)Alkyl ammonium fluoride: tetrabutylammonium fluoride (TCI)
불화알킬포스포늄 : 테트라부틸포스포늄플루오라이드(합성품)Fluoroalkylphosphonium: tetrabutylphosphonium fluoride (synthetic)
케톤계 용매 : 2-헵타논 (TCI)Ketone solvent: 2-heptanone (TCI)
피리딘계 용매 : 4-메틸피리딘 (TCI)Pyridine-based solvent: 4-methylpyridine (TCI)
몰폴린계 용매 : N-에틸몰폴린 (TCI)A morpholine solvent: N-ethylmorpholine (TCI)
피롤리돈계 용매 : N-에틸피롤리돈 (TCI)Pyrrolidone solvent: N-ethylpyrrolidone (TCI)
우레아계 용매 : 1,1,3,3-테트라메틸우레아 (TCI)Urea-based solvent: 1,1,3,3-tetramethylurea (TCI)
알코올계 용매 : 이소프로필알코올 (TCI)
Alcohol solvent: Isopropyl alcohol (TCI)
또한, 하기 표 2에 기재된 성분을 해당 조성비로 혼합하여 비교예 1 내지 6의 실리콘계 수지 제거용 조성물을 제조하였다.In addition, the components shown in Table 2 below were mixed at the composition ratios to prepare compositions for removing the silicone-based resin of Comparative Examples 1 to 6.
비교예 1 내지 4의 실리콘계 수지 제거용 조성물은 극성 비양성자성 용매를 단독으로 사용한 것이며, 비교예 5 내지 6의 실리콘계 수지 제거용 조성물은 극성 양성자성 용매(알코올계) 및 불소 화합물을 함께 사용한 것이다.The compositions for removing silicon based resins of Comparative Examples 1 to 4 each used a polar aprotic solvent alone and the compositions for removing silicone based resins of Comparative Examples 5 to 6 used a polar protic solvent (alcohol type) and a fluorine compound together .
암모늄Alkyl fluoride
ammonium
실험예Experimental Example 1. 박막 기판의 제조 및 실리콘계 수지 제거용 조성물의 성능 테스트 1. Preparation of thin film substrate and performance test of composition for removing silicone resin
1-1. 박막 기판 제조1-1. Thin Film Substrate Manufacturing
반도체 공정을 진행하여 디바이스가 형성된 반도체 기판 상부에 실리콘 이형층인 폴리실록산을 도포하였다. 그 후, 실리콘 접착제인 실록산 모노머와 개시제의 조성물을 도포 후, 200℃의 온도로 열경화시켜 접착 성능을 갖게 하였다. 상기 실리콘 이형층 및 실리콘 접착 수지의 두께의 합은 80μm가 되게 하였다. 상기 실리콘 접착제 위에 캐리어 웨이퍼인 실리콘 웨이퍼를 부착하여 기판과 실리콘 웨이퍼를 접착하였다.The semiconductor process was carried out to apply a polysiloxane as a silicone release layer to the upper part of the semiconductor substrate on which the device was formed. Thereafter, a composition of a siloxane monomer, which is a silicone adhesive, and an initiator was applied, and then thermally cured at a temperature of 200 캜 to give adhesive performance. The total thickness of the silicone release layer and the silicone adhesive resin was 80 mu m. A silicon wafer, which is a carrier wafer, was adhered on the silicon adhesive to bond the substrate and the silicon wafer.
그 후, 상기 기판을 그라인딩 휠을 이용하여 50μm의 두께로 가공하였으며, 상기 기판에 다이싱 테이프를 부착하여 기판을 보호하였다.Thereafter, the substrate was processed to a thickness of 50 mu m using a grinding wheel, and a dicing tape was attached to the substrate to protect the substrate.
블레이드를 사용하여 상기 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제 사이에 물리적 힘을 가하여 크랙이 발생하게 하여, 반도체 기판 및 캐리어 웨이퍼를 분리하여 박막 기판을 제조하였다(도 2).A physical force was applied between the silicon release layer and the silicone adhesive by using a blade to cause a crack, and the semiconductor substrate and the carrier wafer were separated to produce a thin film substrate (FIG. 2).
분리된 반도체 기판을 2 X 2㎠의 크기로 잘라서 실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 6의 실리콘계 수지 제거용 조성물에 1분간 침지시켰다. 상기 침지시 상기 조성물의 온도는 25℃로 조절하였으며, 교반기를 350rpm의 속도로 회전시켜 교반하였다. 상기 침지시킨 반도체 기판을 꺼내어 IPA로 세정하고 건조시킨 후, SEM으로 반도체 기판에 잔존하는 실리콘계 수지의 막두께를 측정하여 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다. 또한, 상기 조성물을 상온에서 30일 보관한 후, 동일하게 반도체 기판에 잔존하는 실리콘계 수지의 제거 속도를 측정하여 경시 변화를 확인하여 하기 표 3에 기재하였다.
The separated semiconductor substrate was cut into a size of 2 X 2 cm 2 and immersed in the silicone-based resin removing compositions of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 6 for 1 minute. During the immersion, the temperature of the composition was adjusted to 25 ° C, and the agitator was rotated at a speed of 350 rpm and stirred. The immersed semiconductor substrate was taken out, washed with IPA, dried, and then the thickness of the silicone resin remaining on the semiconductor substrate was measured by SEM. The results are shown in Table 3 below. Further, after the composition was stored at room temperature for 30 days, the removal rate of the silicone resin remaining on the semiconductor substrate was similarly measured, and the change with time was confirmed.
1-2. 박막 기판 제조1-2. Thin Film Substrate Manufacturing
반도체 공정을 진행하여 디바이스가 형성된 반도체 기판 상부에 실리콘 접착제인 실록산 모노머와 개시제의 조성물을 도포 후, 200℃의 온도로 열경화시켜 접착 성능을 갖게 하였다.The semiconductor process was carried out to apply the composition of the siloxane monomer and the initiator, which is a silicone adhesive, on the semiconductor substrate on which the device was formed, and then thermally cured at a temperature of 200 캜 to have adhesive performance.
또한, 캐리어 웨이퍼인 실리콘 웨이퍼 일면에 실리콘 이형층인 폴리실록산을 도포하였다.Further, polysiloxane which is a silicon release layer was coated on one side of a silicon wafer as a carrier wafer.
상기 실리콘 접착제와 실리콘 이형층을 부착하여 반도체 기판 및 캐리어 웨이퍼를 접착시켰다.The silicon adhesive and the silicone release layer were adhered to bond the semiconductor substrate and the carrier wafer.
그 후의 과정은 상기 1-1과 동일하게 진행하여 박막 기판을 제조(도 3)하였으며, 실험 결과를 하기 표 3에 기재하였다.
The subsequent process was the same as that described in 1-1 above to prepare a thin film substrate (FIG. 3). The experimental results are shown in Table 3 below.
제거시간
(sec)Cured silicon remaining on the substrate
Removal time
(sec)
상기 표 2의 결과에서, 본 발명의 실리콘계 수지 제거용 조성물은 우수한 세정 능력을 가진 것을 알 수 있었다.From the results shown in Table 2, it was found that the silicone-based resin removing composition of the present invention had excellent cleaning ability.
반면, 극성 비양성자성 용매만을 포함한 비교예 1 내지 4 및 극성 양성자성 용매와 불소 화합물을 포함한 비교예 5 내지 6의 실리콘계 수지 제거용 조성물은 기판에 잔존하는 실리콘계 수지가 제거되지 않아 측정이 불가하였다.On the other hand, the compositions for removing silicon-based resin of Comparative Examples 1 to 4 containing only a polar aprotic solvent and the polar protic solvents and the fluorinated compounds of Comparative Examples 5 to 6 did not remove the silicon-based resin remaining on the substrate, .
또한, 1-1의 방법으로 제조된 박막 기판은 1-2의 방법으로 제조된 박막 기판보다 경화 실리콘을 제거하는 시간이 짧아 세정에 더욱 유리한 것을 알 수 있었다. 그러나 1-2의 방법으로 제조된 박막 기판은 1-1의 방법으로 제조된 박막 기판보다 제조 과정에서 발생할 수 있는 기판의 파손을 최소화할 수 있는 장점이 있다.In addition, it was found that the thin film substrate manufactured by the method 1-1 was more advantageous in cleaning than the thin film substrate manufactured by the method 1-2 by shortening the time for removing the cured silicon. However, the thin film substrate manufactured by the method 1-2 has an advantage of minimizing the damage of the substrate which may occur during the manufacturing process, compared with the thin film substrate manufactured by the method 1-1.
Claims (21)
[화학식 1]
상기 R1 및 R2는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 18의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소이며,
상기 R1 및 R2의 탄소수의 합은 2 이상 30 미만이다.[4] The composition for removing a silicone resin according to claim 3, wherein the ketone-based solvent comprises the following formula (1).
[Chemical Formula 1]
R 1 and R 2 are the same or different and each is a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 18 carbon atoms,
The sum of the carbon numbers of R 1 and R 2 is 2 or more and less than 30.
[화학식 2]
상기 R3 내지 R5는 각각 같거나 상이하게, 수소, 탄소수 1 내지 10의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐, 알데히드기, 아세트알데히드기, 시아나이드기 또는 메틸설파이드기이다.4. The composition for removing a silicone resin according to claim 3, wherein the pyridine-based solvent comprises the following formula (2).
(2)
R 3 to R 5 are the same or different and each represents hydrogen, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen, an aldehyde group, an acetaldehyde group, a cyanide group or a methylsulfide group to be.
[화학식 3]
상기 R6은 수소, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 시아나이드기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소를 포함하는 3차 아민,
탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 페닐, 또는
탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 피리딘이다.[4] The composition for removing silicone resin according to claim 3, wherein the molybdenum-based solvent comprises the following formula (3).
(3)
R 6 represents hydrogen, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a cyanide group, a tertiary amine containing an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms,
An aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl substituted with halogen, a cyanide group or an aldehyde group, or
An aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, a halogen, a cyanide group or an aldehyde group.
[화학식 4]
상기 R7 및 R8은 각각 같거나 상이하게, 수소, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 시아나이드기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소를 포함하는 3차 아민,
탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 페닐, 또는
탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 피리딘이다.[4] The composition for removing silicone resin according to claim 3, wherein the piperazine-based solvent comprises the following formula (4).
[Chemical Formula 4]
The R 7 And R 8 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a cyanide group, a tertiary amine containing an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms,
An aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl substituted with halogen, a cyanide group or an aldehyde group, or
An aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, a halogen, a cyanide group or an aldehyde group.
[화학식 5]
상기 R9 및 R10은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 6의 지방족 탄화수소, 페닐기, 또는
메톡시기 또는 디메틸아미노기가 치환된 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소이다.The silicone resin-removing composition according to claim 3, wherein the urea-based solvent comprises the following formula (5).
[Chemical Formula 5]
The R 9 And R < 10 > are the same or different and each represents an aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or
Or an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms substituted with a methoxy group or a dimethylamino group.
[화학식 6]
상기 R11은 탄소수 1 내지 6의 지방족 탄화수소, 페닐기, 또는
메톡시기 또는 디메틸아미노기가 치환된 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소이다.The silicone resin-removing composition according to claim 3, wherein the oxazolidinone-based solvent comprises the following formula (6).
[Chemical Formula 6]
R 11 is an aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or
Or an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms substituted with a methoxy group or a dimethylamino group.
[화학식 7]
상기 R12 내지 R14는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 8의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 탄소수 3 내지 8의 알콕시기, 페닐기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소로 치환된 페닐기 또는 할로겐으로 치환된 탄소수 2 내지 4의 지방족 탄화수소이다.The silicone resin-removing composition according to claim 3, wherein the phosphate-based solvent comprises the following formula (7).
(7)
R 12 to R 14 are the same or different and each represents a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxy group having 3 to 8 carbon atoms, a phenyl group, a phenyl group substituted with an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, Substituted aliphatic hydrocarbon having 2 to 4 carbon atoms.
[화학식 8]
상기 m은 0 내지 15의 정수이고,
상기 n은 2 내지 21의 정수이다.12. The composition for removing a silicone resin according to claim 11, wherein the alkyl ammonium fluoride comprises the following formula (8).
[Chemical Formula 8]
M is an integer of 0 to 15,
And n is an integer of 2 to 21.
[화학식 15]
상기 R15 내지 R18은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 22의 지방족 탄화수소 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소이다.12. The composition for removing silicone resin according to claim 11, wherein the fluorinated alkylphosphonium has the following general formula (15).
[Chemical Formula 15]
Each of R 15 to R 18 is the same or different and is an aliphatic hydrocarbon having 1 to 22 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon having 6 to 20 carbon atoms.
[화학식 16]
상기 R19 내지 R21는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 22의 지방족 탄화수소 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소이다.The composition for removing a silicone resin according to claim 11, wherein the fluorinated alkylsulfonium has the following general formula (16).
[Chemical Formula 16]
Each of R 19 to R 21 is the same or different and is an aliphatic hydrocarbon having 1 to 22 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon having 6 to 20 carbon atoms.
(2)상기 기판을 박형화하는 단계;
(3)상기 박형화된 기판에 보호 테이프를 부착하는 단계;
(4)상기 보호 테이프가 부착된 박형화된 기판 및 캐리어 웨이퍼를 분리하는 단계; 및
(5)상기 분리된 기판 및 캐리어 웨이퍼를 청구항 1 내지 15 중 어느 한 항의 실리콘계 수지 제거용 조성물로 세정하는 단계를 포함하는 박막 기판 제조 방법.(1) bonding a substrate and a carrier wafer by applying a silicone release layer and a silicone adhesive between the substrate and the carrier wafer;
(2) thinning the substrate;
(3) attaching a protective tape to the thinned substrate;
(4) separating the carrier wafer and the thinned substrate to which the protective tape is attached; And
(5) cleaning the separated substrate and the carrier wafer with the composition for removing a silicone resin according to any one of claims 1 to 15.
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102033359B1 (en) * | 2019-05-24 | 2019-10-17 | 재원산업 주식회사 | Composition for removing styrene-acrylonitrile resin and recovering method of organic solvent contained in the same |
| WO2020166704A1 (en) * | 2019-02-15 | 2020-08-20 | 日産化学株式会社 | Cleaning agent composition and cleaning method |
| WO2020166703A1 (en) * | 2019-02-15 | 2020-08-20 | 日産化学株式会社 | Cleaning agent composition and cleaning method |
| WO2020166702A1 (en) * | 2019-02-15 | 2020-08-20 | 日産化学株式会社 | Cleaning agent composition and cleaning method |
| KR102160380B1 (en) * | 2020-05-14 | 2020-09-25 | 한국과학기술원 | Method for separating polymer layer containing silicon from polymer-polymer composite |
| KR20210008519A (en) | 2018-10-16 | 2021-01-22 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | Composition, method for cleaning adhesive polymer, method for manufacturing device wafer, and method for regenerating support wafer |
| KR20210082233A (en) | 2019-01-15 | 2021-07-02 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | Disassembled cleaning composition, method for cleaning adhesive polymer, and method for manufacturing device wafer |
| KR20210146515A (en) | 2020-05-27 | 2021-12-06 | 김재성 | Y-type pepper supportr main body and its manufacturing method |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040104519A (en) * | 2002-03-25 | 2004-12-10 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | pH Buffered Compositions for Cleaning Semiconductor Substrates |
| JP2008537326A (en) * | 2005-03-22 | 2008-09-11 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | Vapor phase processing of dielectric materials |
| KR20090072546A (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-02 | 삼성전자주식회사 | Composition for removing photoresist and method of manufacturing array substrate using the same |
| KR20130000211A (en) * | 2011-06-22 | 2013-01-02 | 삼성전자주식회사 | Methods for processing substrates |
| KR20130008695A (en) | 2011-07-13 | 2013-01-23 | 와이엠씨 주식회사 | Anodizing bath of suscetptor |
| KR20130008692A (en) | 2011-07-13 | 2013-01-23 | 주식회사 비즈모델라인 | Method and system for authenticating user's input data |
| KR20130088896A (en) * | 2010-12-28 | 2013-08-08 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | Wafer washing method |
| KR20140060389A (en) | 2012-11-09 | 2014-05-20 | 동우 화인켐 주식회사 | Composition for removing an adhesive polymer |
| KR20140060910A (en) * | 2012-11-13 | 2014-05-21 | 동우 화인켐 주식회사 | A resist stripper composition for preventing unevenness |
-
2015
- 2015-01-13 KR KR1020150004625A patent/KR102180284B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040104519A (en) * | 2002-03-25 | 2004-12-10 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | pH Buffered Compositions for Cleaning Semiconductor Substrates |
| JP2008537326A (en) * | 2005-03-22 | 2008-09-11 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | Vapor phase processing of dielectric materials |
| KR20090072546A (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-02 | 삼성전자주식회사 | Composition for removing photoresist and method of manufacturing array substrate using the same |
| KR20130088896A (en) * | 2010-12-28 | 2013-08-08 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | Wafer washing method |
| KR20130000211A (en) * | 2011-06-22 | 2013-01-02 | 삼성전자주식회사 | Methods for processing substrates |
| KR20130008695A (en) | 2011-07-13 | 2013-01-23 | 와이엠씨 주식회사 | Anodizing bath of suscetptor |
| KR20130008692A (en) | 2011-07-13 | 2013-01-23 | 주식회사 비즈모델라인 | Method and system for authenticating user's input data |
| KR20140060389A (en) | 2012-11-09 | 2014-05-20 | 동우 화인켐 주식회사 | Composition for removing an adhesive polymer |
| KR20140060910A (en) * | 2012-11-13 | 2014-05-21 | 동우 화인켐 주식회사 | A resist stripper composition for preventing unevenness |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210008519A (en) | 2018-10-16 | 2021-01-22 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | Composition, method for cleaning adhesive polymer, method for manufacturing device wafer, and method for regenerating support wafer |
| US11807837B2 (en) | 2018-10-16 | 2023-11-07 | Resonac Corporation | Composition, method for cleaning adhesive polymer, method for producing device wafer, and method for regenerating support wafer |
| KR20210082233A (en) | 2019-01-15 | 2021-07-02 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | Disassembled cleaning composition, method for cleaning adhesive polymer, and method for manufacturing device wafer |
| WO2020166702A1 (en) * | 2019-02-15 | 2020-08-20 | 日産化学株式会社 | Cleaning agent composition and cleaning method |
| WO2020166703A1 (en) * | 2019-02-15 | 2020-08-20 | 日産化学株式会社 | Cleaning agent composition and cleaning method |
| KR20210126666A (en) * | 2019-02-15 | 2021-10-20 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | Detergent compositions and cleaning methods |
| JPWO2020166702A1 (en) * | 2019-02-15 | 2021-12-16 | 日産化学株式会社 | Detergent composition and cleaning method |
| WO2020166704A1 (en) * | 2019-02-15 | 2020-08-20 | 日産化学株式会社 | Cleaning agent composition and cleaning method |
| US11866676B2 (en) | 2019-02-15 | 2024-01-09 | Nissan Chemical Corporation | Cleaning agent composition and cleaning method |
| TWI831922B (en) * | 2019-02-15 | 2024-02-11 | 日商日產化學股份有限公司 | Detergent composition and cleaning method |
| TWI831921B (en) * | 2019-02-15 | 2024-02-11 | 日商日產化學股份有限公司 | Detergent composition and cleaning method |
| KR102033359B1 (en) * | 2019-05-24 | 2019-10-17 | 재원산업 주식회사 | Composition for removing styrene-acrylonitrile resin and recovering method of organic solvent contained in the same |
| KR102160380B1 (en) * | 2020-05-14 | 2020-09-25 | 한국과학기술원 | Method for separating polymer layer containing silicon from polymer-polymer composite |
| KR20210146515A (en) | 2020-05-27 | 2021-12-06 | 김재성 | Y-type pepper supportr main body and its manufacturing method |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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