KR20160083588A - Organic light emitting display device and method for manufacturing thereof - Google Patents

Abstract

The present invention discloses an organic light emitting display device and a manufacturing method thereof. The disclosed organic light emitting display device of the present invention comprises: a substrate wherein a display area including a plurality of pixels and a non-display area for surrounding the display area at the outer side are defined; one or more thin film transistors formed in the pixel on the substrate; an organic light emitting diode which is formed on the thin film transistors, and is composed of an anode electrode, an organic light emitting layer, and a cathode electrode; a wire arranged on the non-display area; and first and second shielding patterns arranged to overlap the wire. Therefore, the corrosion of wires due to permeation of external moisture can be prevented.

Description

유기발광표시장치 및 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device and a method of manufacturing the same,

본 발명은 유기발광표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표시패널 외곽부의 배선 부식을 방지한 유기발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device, and more particularly, to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same.

기존의 음극선관(Cathode Ray Tube) 표시장치를 대체하기 위해 제안된 평판표시장치(Flat Panel Display Device)로는, 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel) 및 유기발광표시장치(Organic Light-Emitting Diode Display, OLED Display) 등이 있다.A flat panel display device proposed to replace a conventional cathode ray tube display device includes a liquid crystal display device, a field emission display device, a plasma display device, (Plasma Display Panel) and an organic light-emitting diode (OLED) display.

이중, 유기발광표시장치는, 표시패널에 구비되는 유기전계 발광다이오드가 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 가지며, 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적인 특성이 있다.In the organic light emitting display, the organic light emitting diode provided in the display panel has a high luminance and low operating voltage characteristics, and is self-emitting type that emits light by itself. Therefore, the organic light emitting display has a high contrast ratio, It has the advantage that it can be implemented. In addition, the response time is as small as several microseconds (μs), the moving image is easy to implement, the viewing angle is not limited, and the characteristic is stable even at low temperatures.

도 1은 종래 유기발광 표시패널의 평면도이고, 도 2는 종래의 유기발광 표시패널의 일 화소에 대한 등가 회로도이며, 도 3은 상기 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선의 단면도이다.FIG. 1 is a plan view of a conventional organic light emitting display panel, FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a conventional organic light emitting display panel, and FIG. 3 is a sectional view taken along line I-I 'of FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 유기전계 발광소자는 다수의 화소(PX)를 포함하는 표시영역(A/A)과, 이를 외측으로 둘러싸는 비표시영역(N/A)이 정의된 표시패널을 구비한다.1 to 3, an organic electroluminescent device includes a display region A / A including a plurality of pixels PX and a display panel N / A defining a non-display region N / Respectively.

상기 표시영역(A/A)의 각 화소(PX)에는 박막트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor)와, 유기전계 발광다이오드가 배치되고, 상기 비표시영역(N/A)에는 스캔 라인(SL)과 데이터 라인(DL)의 패드부들, 전원전압 공급라인(VDDL) 및 전원전압 공급라인의 패드부들이 배치된다.A thin film transistor (TFT) and an organic light emitting diode are arranged in each pixel PX of the display area A / A and a scan line SL and a scan line SL are formed in the non- Pad portions of the data line DL, power supply voltage supply line VDDL and pad portions of the power supply voltage supply line are disposed.

상기 각 화소(PX)는 스캔 라인(SL) 및 데이터 라인(DL)이 교차 형성되고, 이와 소정간격 이격되어 형성되는 전원전압 공급라인(VDDL)를 포함하여 정의한다.Each of the pixels PX includes a power supply voltage supply line VDDL formed to intersect the scan lines SL and the data lines DL and spaced apart from the scan lines SL and the data lines DL.

또한, 스캔신호에 대응하여 데이터 신호를 제1 노드(N1)에 인가하는 스위칭 박막 트랜지스터(SWT)와, 소스전극에 전원전압(ELVDD)을 인가 받으며 제1 노드(N1)에 인가된 전압에 따라 게이트-소스간 전압에 따라 드레인 전류를 유기전계 발광다이오드(Organic Light-Emitting Diode)(OLED)에 인가하는 구동 박막트랜지스터(DT)와, 구동박막트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 인가되는 전압을 1 프레임동안 유지시키는 캐패시터(C1)를 포함한다.The switching TFT SWT applies a data signal corresponding to the scan signal to the first node N1. The switching TFT SWT applies a power supply voltage ELVDD to the source electrode of the switching TFT SWT according to the voltage applied to the first node N1. A driving thin film transistor DT for applying a drain current to an organic light emitting diode (OLED) in accordance with a voltage between the gate and the source, and a driving thin film transistor DT for applying a voltage applied to the gate electrode of the driving thin film transistor DT to 1 Lt; RTI ID = 0.0 > C1 < / RTI >

상기 표시패널의 표시영역(A/A)과 비표시영역(N/A)의 경계 영역을 보면, 기판(10) 상에 제1 절연막(11)이 형성되어 있고, 상기 제1 절연막(11) 상에는 제1 배선(20), 제2 절연막(12) 및 제2 배선(30)이 배치되어 있다.A first insulating film 11 is formed on the substrate 10 in the boundary region between the display area A / A and the non-display area N / A of the display panel, The first wiring 20, the second insulating film 12, and the second wiring 30 are disposed on the first wiring 20.

상기 제2 배선(30)은 표시영역(A/A)에서 형성된 유기전계 발광다이오드의 제1 전극 형성시 형성된 보조 전극패턴(17)과 전기적으로 연결되고, 상기 보조 전극패턴(17)은 유기전계 발광다이오드의 제2 전극의 확장부(16)와 전기적으로 연결된다. 또한, 화소(PX)를 구획하는 뱅크(22) 상에는 제1 보호막(25), 유기막, 제2 보호막(26) 및 점착제(35)가 형성된다.The second wiring 30 is electrically connected to the auxiliary electrode pattern 17 formed when the first electrode of the organic light emitting diode formed in the display area A / A is formed, and the auxiliary electrode pattern 17 is electrically connected to the organic electric field And is electrically connected to the extension portion 16 of the second electrode of the light emitting diode. The first protective film 25, the organic film, the second protective film 26 and the adhesive 35 are formed on the bank 22 for partitioning the pixel PX.

특히, 상기 제1 및 제2 배선(20, 30)이 형성된 표시영역(A/A)의 외곽 영역에는 제1 및 제2 보호막(25, 26)이 적층되어 있다. Particularly, the first and second protective films 25 and 26 are laminated on the outer area of the display area A / A where the first and second wirings 20 and 30 are formed.

하지만, 상기 제1 및 제2 배선(20, 30) 영역에서는 제1 및 제2 보호막(25, 26)으로 투습이 발생되어, 제1 및 제2 배선(20, 30)의 부식 불량이 발생하는 문제가 있다. 왜냐하면, 상기 제1 및 제2 보호막(25, 26)은 저온 증착 공정에 의해 형성되기 때문에 투습에 강한 막으로 형성하기 어렵기 때문이다.However, in the regions of the first and second wirings 20 and 30, moisture permeation occurs in the first and second protective films 25 and 26, and corrosion failure of the first and second wirings 20 and 30 occurs there is a problem. This is because the first and second protective films 25 and 26 are formed by a low-temperature deposition process, and therefore, it is difficult to form a film resistant to moisture permeation.

또한, 상기 제1 및 제2 보호막(25, 26) 형성시 상기 제2 배선(30)과의 표면 에너지 차이로 인하여 얼룩 불량이 발생하는 문제가 있다.In addition, when forming the first and second protective films 25 and 26, there is a problem that unevenness is caused due to a difference in surface energy with respect to the second wiring 30.

도 4는 상기 도 3의 A영역의 현미경 사진으로서, 도면에 도시된 바와 같이, 상기 제2 배선(30)이 투습에 의해 부식이 발생되었고, 이러한 부식이 인접한 화소 영역 방향으로 확대되는 것을 볼 수 있다.FIG. 4 is a microscope photograph of the area A of FIG. 3. As shown in the figure, the second wiring 30 is corroded by moisture permeation, and the corrosion is enlarged toward the adjacent pixel area. have.

이와 같이, 종래 유기전계 발광표시장치는 표시영역(A/A) 외곽을 따라 투습에 취약한 문제가 있다.
Thus, the conventional organic electroluminescent display device is vulnerable to moisture permeation along the periphery of the display area A / A.

본 발명은, 표시패널의 표시영역 외곽 둘레를 따라 배선들과 중첩되는 제1 및 제2 차단패턴을 배치하여, 외부 투습에 의한 배선들의 부식을 방지한 유기발광표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention provides an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same that prevent corrosion of wirings due to external moisture by disposing first and second blocking patterns overlapping wirings along the periphery of a display region of a display panel It has its purpose.

또한, 본 발명은, 표시패널의 표시영역 외곽 둘레를 따라 배선들과 중첩되도록 금속물질로된 제1 차단패턴과 유기물로된 제2 차단패턴을 형성하여, 보호막 형성시 얼룩 불량을 방지하고, 배선들의 부식을 방지한 유기발광표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.
The present invention also provides a method of manufacturing a display panel in which a first cutoff pattern made of a metal material and a second cutoff pattern made of an organic material are formed so as to overlap wirings along the periphery of a display region of a display panel, The present invention also provides an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same.

상기와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 유기발광 표시장치는, 다수의 화소를 포함하는 표시영역 및 상기 표시영역을 외측으로 둘러싸는 비표시영역이 정의된 기판을 포함하고, 상기 기판상의 상기 화소에 형성된 하나이상의 박막트랜지스터를 포함하며, 상기 박막트랜지스터 상에 애노드 전극, 유기 발광층 및 캐소드 전극으로 구성된 유기발광 다이오드를 포함하고, 상기 비표시영역 상에 배치된 배선을 포함하며, 상기 배선과 중첩되도록 배치된 제1 및 제2 차단패턴을 포함함으로써, 외부 투습에 의한 배선들의 부식을 방지한 효과가 있다.
According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display including a substrate having a display region including a plurality of pixels and a non-display region surrounding the display region, And an organic light emitting diode comprising an anode electrode, an organic light emitting layer, and a cathode electrode on the thin film transistor, wherein the organic light emitting diode includes at least one wiring disposed on the non-display region, It is possible to prevent the corrosion of the wirings by the external moisture permeation.

또한, 본 발명의 유기발광 표시장치 제조방법은, 다수의 화소를 포함하는 표시영역 및 상기 표시영역을 외측으로 둘러싸는 비표시영역이 정의된 기판을 준비하는 단계를 포함하고, 상기 기판 상의 상기 화소에 하나이상의 박막트랜지스터를 형성하고, 상기 비표시영역에 배선을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 박막트랜지스터를 포함한 상기 표시영역상에 평탄화막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 애노드 전극을 형성하고, 상기 비표시영역의 배선 일부와 중첩되는 제1 차단패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 애노드 전극과 제1 차단패턴을 포함한 기판의 각 화소영역 주위 및 비표시영역에 뱅크를 형성하고, 상기 제1 차단패턴과 중첩되는 제2 차단패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 애노드 전극 위로 각 화소영역 별로 유기 발광층을 분리 형성하는 단계를 포함하며, 상기 유기 발광층을 포함한 상기 기판 전면에 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함함으로써, 부식 방지와 표시패널의 외관 불량을 방지한 효과가 있다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display device, comprising: preparing a substrate on which a display region including a plurality of pixels and a non-display region surrounding the display region are defined; Forming a flattening film on the display region including the thin film transistor, the method comprising: forming at least one thin film transistor on the thin film transistor and forming a wiring in the non-display region, And forming a first blocking pattern overlapping a part of the wiring of the non-display region, wherein the step of forming the first blocking pattern includes the step of forming a first blocking pattern around the pixel region of the substrate including the anode electrode and the first blocking pattern, Forming a bank and forming a second blocking pattern overlapping the first blocking pattern, Up and forming separate the organic light emitting layer in each pixel region, by including the step of forming a cathode electrode on the substrate surface including the organic light-emitting layer, there is a one to prevent bad appearance of the corrosion protection and the display panel effects.

본 발명에 따른 유기발광표시장치 및 그 제조방법은, 표시패널의 표시영역 외곽 둘레를 따라 배선들과 중첩되는 제1 및 제2 차단패턴을 배치하여, 외부 투습에 의한 배선들의 부식을 방지한 효과가 있다.The organic light emitting display device and the method of manufacturing the same according to the present invention are characterized in that the first and second blocking patterns overlapping the wirings are arranged along the periphery of the display region of the display panel to prevent corrosion of the wirings by external moisture permeation .

또한, 본 발명에 따른 유기발광표시장치 및 그 제조방법은, 표시패널의 표시영역 외곽 둘레를 따라 배선들과 중첩되도록 금속물질로된 제1 차단패턴과 유기물로된 제2 차단패턴을 형성하여, 보호막 형성시 얼룩 불량을 방지하고, 배선들의 부식을 방지한 효과가 있다.
According to another aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode (OLED) display device and a method of manufacturing the same, comprising: forming a first blocking pattern made of a metal material and a second blocking pattern made of an organic material so as to overlap wirings along a periphery of a display region of a display panel, It is possible to prevent unevenness in the formation of a protective film and to prevent corrosion of wirings.

도 1은 종래 유기발광 표시패널의 평면도이다.
도 2는 종래의 유기발광 표시패널의 일 화소에 대한 등가 회로도이다.
도 3은 상기 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선의 단면도이다.
도 4는 상기 도 3의 A영역의 현미경 사진이다.
도 5는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 평면도이다.
도 6은 상기 도 5의 Ⅱ-Ⅱ'선의 단면도이다.
도 7a는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 차단패턴 영역을 확대한 도면이다.
도 7b는 상기 도 7a의 차단패턴 영역의 현미경 사진이다.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a plan view of a conventional organic light emitting display panel.
2 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a conventional OLED display panel.
3 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG.
4 is a micrograph of the region A of FIG.
5 is a plan view of an OLED display according to the present invention.
6 is a cross-sectional view taken along line II-II 'of FIG.
7A is an enlarged view of a blocking pattern region of the organic light emitting diode display according to the present invention.
FIG. 7B is a photomicrograph of the cut-off pattern region of FIG. 7A.
8A to 8D are views schematically showing a method of manufacturing an organic light emitting display according to the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.

본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.In the case where the word 'includes', 'having', 'done', etc. are used in this specification, other parts can be added unless '~ only' is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간 적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if a temporal posterior relationship is described by 'after', 'after', 'after', 'before', etc., 'May not be contiguous unless it is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the size and thickness of the device may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 5는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 평면도이고, 도 6은 상기 도 5의 Ⅱ-Ⅱ'선의 단면도이다.FIG. 5 is a plan view of an OLED display according to the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line II-II 'of FIG.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 유기발광 표시장치(100)는, 유기전계 발광다이오드와 스위칭 소자를 구비한 표시패널을 포함한다. 상기 표시패널은 표시영역(A/A)과, 그 외측을 둘러싸는 비표시영역(N/A)이 정의된다.Referring to FIGS. 5 and 6, the organic light emitting diode display 100 of the present invention includes a display panel including an organic light emitting diode and a switching element. The display panel is defined by a display area A / A and a non-display area N / A surrounding the display area A / A.

본 발명에서는 상기 표시영역(A/A) 외측 둘레를 따라 배치되어 있는 배선 영역에 제1 및 제2 차단패턴(202, 203)으로 구성된 차단패턴영역(Blocking Pattern Area: BPA)을 배치하여, 외부 투습으로부터 표시패널을 보호하도록 하였다.In the present invention, a blocking pattern area (BPA) composed of the first and second blocking patterns 202 and 203 is disposed in the wiring region disposed along the outer circumference of the display area A / A, The display panel was protected from moisture permeation.

도면에 도시된 바와 같이, 투명성 절연물질로 형성된 기판(101)의 표시영역(A/A)에는 복수개의 화소(PX)가 정의되어 있고, 각각의 화소(PX) 영역에는 제1 영역(103a) 및 제2 영역(103b)으로 구성된 반도체층(103), 상기 반도체층(103) 상에 배치된 게이트 절연막(105), 상기 반도체층(103)과 대응되도록 상기 게이트 절연막(105) 상에 배치된 게이트 전극(107), 층간 절연막(109)을 사이에 두고 배치된 소스전극(111a) 및 드레인전극(111b)으로 구성된 박막 트랜지스터가 배치된다.As shown in the figure, a plurality of pixels PX are defined in a display area A / A of a substrate 101 formed of a transparent insulating material, and a first area 103a is formed in each pixel PX area. And a second region 103b; a gate insulating film 105 disposed on the semiconductor layer 103; and a second region 103b disposed on the gate insulating film 105 to correspond to the semiconductor layer 103 A thin film transistor composed of a gate electrode 107 and a source electrode 111a and a drain electrode 111b interposed between the interlayer insulating film 109 is disposed.

상기 박막 트랜지스터는 화소(PX) 영역에서 스위칭 소자 또는 구동 스위칭 소자로 역할을 한다.The thin film transistor serves as a switching element or a driving switching element in a pixel (PX) region.

또한, 상기 박막 트랜지스터 상에는 평탄화막(113)을 사이에 두고 애노드 전극(117), 유기 발광층(125) 및 캐소드 전극(127)로 구성된 유기전계 발광다이오드가 배치되어 있다.An organic light emitting diode including an anode electrode 117, an organic light emitting layer 125, and a cathode electrode 127 is disposed on the thin film transistor with a planarizing film 113 interposed therebetween.

상기 비표시영역(N/A)에는 게이트 절연막(105), 제1 배선(108), 층간 절연막(105), 제2 배선(201)이 배치되어 있고, 상기 제2 배선(201)은 상기 평탄화막(113) 상에 배치되어 상기 제2 배선(201)과 전기적으로 연결된 보조 전극패턴(119)가 배치되어 있다.A gate insulating film 105, a first wiring 108, an interlayer insulating film 105, and a second wiring 201 are disposed in the non-display area N / A, and the second wiring 201 is planarized An auxiliary electrode pattern 119, which is disposed on the film 113 and is electrically connected to the second wiring 201, is disposed.

상기 보조 전극패턴(119)는 박막 트랜지스터의 애노드 전극(117)과 동일한 물질로 형성되며, 상기 평탄화막(113) 상에서 상기 캐소드 전극(127)으로부터 확장된 확장부(127a)와 전기적으로 연결된다.The auxiliary electrode pattern 119 is formed of the same material as the anode electrode 117 of the thin film transistor and electrically connected to the extended portion 127a extending from the cathode electrode 127 on the planarization layer 113. [

상기 제1 및 제2 배선(108, 201)은 전원공급 배선 또는 그라운드(Ground) 배선일 수 있다.The first and second wirings 108 and 201 may be a power supply wiring or a ground wiring.

상기 표시영역(A/A)의 유기전계 발광다이오드와 뱅크(123) 상에는 제1 보호막(129), 유기막(131), 제2 보호막(133) 및 점착제(135)가 적층되어 있다.A first protective layer 129, an organic layer 131, a second protective layer 133 and an adhesive 135 are stacked on the organic light emitting diode and the bank 123 of the display area A / A.

또한, 상기 제1 및 제2 배선(108, 201) 영역에는 상기 유기발광 다이오드의 애노드 전극(117)과 동일한 물질로 형성되는 제1 차단패턴(202)이 상기 제2 배선(201)의 외측 방향을 따라 중첩되게 배치되어 있다.A first blocking pattern 202 formed of the same material as the anode electrode 117 of the organic light emitting diode is formed in the first and second wirings 108 and 201 in the outer direction of the second wiring 201 As shown in FIG.

또한, 상기 제2 배선(201)과 제1 차단패턴(202) 상에는 상기 뱅크(123)와 동일 물질로 형성되는 제2 차단패턴(203)이 배치되어 있다.A second blocking pattern 203 formed of the same material as the bank 123 is disposed on the second wiring line 201 and the first blocking pattern 202.

상기 제1 및 제2 차단패턴(203)은 서로 중첩하고, 차단패턴영역(BPA)을 이룬다. 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 차단패턴영역(BPA)은 표시패널의 좌우측에서 상기 제2 배선(201)을 따라 형성되지만, 이는 고정된 것이 아니다.The first and second blocking patterns 203 overlap each other and form a blocking pattern region BPA. As shown in FIG. 5, the blocking pattern region BPA of the present invention is formed along the second wiring 201 on the right and left sides of the display panel, but is not fixed.

따라서, 상기 표시패널의 표시영역(A/A) 외곽 둘레를 따라 형성될 수 있다.Therefore, it can be formed along the periphery of the display area A / A of the display panel.

상기 제1 차단패턴(202)은 상기 제2 배선(201)의 중앙을 기준으로 표시패널의 외측 방향으로 상기 제2 배선(201)과 중첩되어 있다. 즉, 상기 제1 차단패턴(202)은 상기 제2 배선(201)의 외측 가장자리를 따라 상기 제2 배선(201)의 일부와 상기 제2 배선(201)의 바닥면과 접촉하는 층간 절연막(109)의 상면을 덮도록 배치된다.The first cutoff pattern 202 overlaps with the second wiring 201 in the outward direction of the display panel with respect to the center of the second wiring 201. That is, the first cutoff pattern 202 is formed along the outer edge of the second interconnection 201 and the interlayer insulating film 109 (not shown) that is in contact with a part of the second interconnection 201 and the bottom surface of the second interconnection 201 As shown in Fig.

이는 상기 제2 배선(201)과 층간 절연막(109) 사이 영역에 제1 차단패턴(202)을 배치함으로써, 보호막 형성시 외관 불량 및 외부 습기를 차단하여 부식 방지를 하기 위함이다.This is because the first shielding pattern 202 is disposed in the region between the second wiring 201 and the interlayer insulating film 109 so as to prevent the appearance defects and the external moisture when the protective film is formed to prevent corrosion.

또한, 상기 제1 차단패턴(202) 상에는 제2 차단패턴(203)이 배치되어 있는데, 상기 제2 차단패턴은 상기 제1 차단패턴(202)을 덮는 구조로 배치된다. In addition, a second blocking pattern 203 is disposed on the first blocking pattern 202, and the second blocking pattern is disposed to cover the first blocking pattern 202.

따라서, 상기 제2 차단패턴(203)은 상기 제1 차단패턴(202)의 상면, 상기 제1 차단패턴(202)의 좌우측에 노출된 제2 배선(201)의 상면 일부 및 상기 층간 절연막(109)의 상면 일부를 덮도록 배치된다.The second intercepting pattern 203 is formed on the upper surface of the first intercepting pattern 202 and the upper surface of the second interconnection 201 exposed on the right and left sides of the first intercepting pattern 202, As shown in Fig.

상기 제2 차단패턴(203) 역시, 보호막 형성시 외관 불량 및 외부 투습 방지를 위함이다.The second blocking pattern 203 is also used for preventing defective appearance and preventing external moisture permeation when forming a protective film.

또한, 상기 제1, 2 차단패턴(202, 203) 및 제2 배선(201) 상에는 제1 및 제2 보호막(129, 133)이 적층되어 외부 투습을 방지하도록 하였다.Also, first and second protective films 129 and 133 are stacked on the first and second blocking patterns 202 and 203 and the second wiring 201 to prevent external moisture.

특히, 본 발명에서는 제2 차단패턴(203)이 유기막인 뱅크(123)로 형성되기 때문에 이후 형성되는 제1 및 제2 보호막(129, 133)이 금속보다는 표면 에너지 차이가 작아 코팅 얼룩 불량을 방지할 수 있는 이점이 있다.
Particularly, in the present invention, since the second blocking pattern 203 is formed of the bank 123, which is an organic film, the first and second protective films 129 and 133 formed thereafter have smaller surface energy difference than metal, There is an advantage that it can be prevented.

이와 같이, 종래기술에서는 제1 및 제2 보호막(129, 133) 만으로는 제1 및 제2 배선(108, 201)의 투습에 의한 부식을 차단할 수 없어, 본 발명에서는 보호막과 배선 사이에 제1 및 제2 차단패턴들(202, 203)을 적층하여, 외부 투습에 의한 배선 부식을 방지하였다.As described above, in the prior art, the first and second protective films 129 and 133 can not prevent the corrosion caused by the moisture permeation of the first and second wirings 108 and 201. In the present invention, The second blocking patterns 202 and 203 are laminated to prevent wiring corrosion due to external moisture permeation.

또한, 본 발명은 상기 표시영역 외곽 둘레를 따라 배치된 배선들의 부식으로 인하여 화면 얼룩 불량을 방지한 효과가 있다.In addition, the present invention has an effect of preventing screen unevenness due to corrosion of wirings disposed along the periphery of the display area.

도 7a는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 차단패턴 영역을 확대한 도면이고, 도 7b는 상기 도 7a의 차단패턴 영역의 현미경 사진이다.FIG. 7A is an enlarged view of a cutoff pattern region of the organic light emitting diode display according to the present invention, and FIG. 7B is a microphotograph of the cutoff pattern region of FIG. 7A.

도 6과 함께 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 비표시영역(N/A)에는 제1 및 제2 배선(108, 201)들이 배치되어 있고, 상기 제2 배선(201)에는 화소영역과 반대방향으로 차단패턴영역(BPA)이 형성되어 있다.Referring to FIGS. 7A and 7B together with FIG. 6, first and second wirings 108 and 201 are disposed in a non-display area N / A of the OLED display according to the present invention, In the wiring 201, a blocking pattern region BPA is formed in a direction opposite to the pixel region.

상기 차단패턴영역(BPA)은 제1 및 제2 차단패턴(202, 203)으로 구성되고, 이들의 폭(D1)은 상기 제2 배선(201)의 외측 가장자리로부터 화소영역 방향으로 100~300㎛ 범위를 갖는다.The cutoff pattern region BPA is composed of first and second cutoff patterns 202 and 203. The width D1 of the cutout pattern region BPA is 100 to 300 占 퐉 in the direction of the pixel region from the outer edge of the second wiring 201 Lt; / RTI >

따라서, 상기 화소영역의 전극 가장자리와 상기 제2 배선(201) 상에 위치한 차단패턴영역(BPA)의 가장자리 폭(D2)은 400~500㎛ 범위를 갖는다.Accordingly, the edge width D2 of the electrode edge of the pixel region and the barrier pattern region BPA located on the second wiring 201 is in the range of 400 to 500 mu m.

왜냐하면, 상기 차단패턴영역(BPA)과 화소영역의 전극은 일정 거리 이상 이격되어야 투습 방지에 유리하기 때문이다. This is because the shielding pattern region BPA and the electrodes of the pixel region must be separated from each other by a predetermined distance or more to prevent moisture permeation.

도 7b에 도시한 바와 같이, 본 발명의 유기발광 표시장치는 상기 도 4와 달리 표시패널의 외곽 영역을 따라 배치된 배선들 영역에서 부식 또는 얼룩 불량이 발생되지 않음을 볼 수 있다.As shown in FIG. 7B, unlike FIG. 4, the organic light emitting display according to the present invention does not suffer from corrosion or unevenness in the area of the wirings disposed along the outer area of the display panel.

이와 같이, 본 발명에 따른 유기발광표시장치 및 그 제조방법은, 표시패널의 표시영역 외곽 둘레를 따라 배선들과 중첩되는 제1 및 제2 차단패턴을 배치하여, 외부 투습에 의한 배선들의 부식을 방지한 효과가 있다.As described above, the organic light emitting diode display and the method of manufacturing the same according to the present invention are characterized in that the first and second blocking patterns overlapping the wirings are arranged along the periphery of the display region of the display panel, There is an effect to prevent.

또한, 본 발명에 따른 유기발광표시장치 및 그 제조방법은, 표시패널의 표시영역 외곽 둘레를 따라 배선들과 중첩되도록 금속물질로된 제1 차단패턴과 유기물로된 제2 차단패턴을 형성하여, 부식 방지와 표시패널의 외관 불량을 방지한 효과가 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode (OLED) display device and a method of manufacturing the same, comprising: forming a first blocking pattern made of a metal material and a second blocking pattern made of an organic material so as to overlap wirings along a periphery of a display region of a display panel, It has an effect of preventing corrosion and preventing appearance defects of the display panel.

도 8a 내지 도 8d는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.8A to 8D are views schematically showing a method of manufacturing an organic light emitting display according to the present invention.

도 5와 함께 도 8a 내지 도 8d를 참조하면, 본 발명의 유기발광 표시장치(100) 제조방법은, 표시영역(A/A)과, 그 외측을 둘러싸는 비표시영역(N/A)이 정의된 기판(101)을 준비한다. 여기서, 기판(101)으로는 단단한 재질의 유리기판 또는 표시장치가 종이처럼 휘어져도 표시 성능을 그대로 유지할 수 있도록 플렉서블(flexible) 특성을 갖는 플라스틱 기판이 이용될 수 있다.8A to 8D, a method of manufacturing an OLED display 100 according to the present invention includes a display area A / A and a non-display area N / A surrounding the outside of the display area A / The substrate 101 is prepared. Here, as the substrate 101, a plastic substrate having a flexible property can be used so that the display performance can be maintained even if the glass substrate or the display device of a rigid material is warped like paper.

다음으로, 표시영역(A/A) 내의 각 화소에 순수 폴리실리콘으로 이루어지며, 그 중앙부는 채널을 이루는 제1 영역(103a) 그리고 제1 영역(103a) 양 측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제2 영역(103b, 103b)으로 구성된 반도체층(103)을 형성한다.Next, each pixel in the display area A / A is made of pure polysilicon. The central part of the pixel is a first region 103a forming the channel and a first region 103a doped with a high concentration of impurities The semiconductor layer 103 composed of the two regions 103b and 103b is formed.

하지만, 상기 반도체층(103)은 산화물 반도체층으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 산화물 반도체층은 인듐(In), 아연(Zn), 갈륨(Ga) 또는 하프늄(Hf) 중 적어도 하나를 포함하는 비정질 산화물로 이루어질 수 있다. 예컨대 스퍼터링 (sputtering) 공정으로 Ga-In-Zn-O 산화물 반도체를 형성할 경우, In2O3, Ga2O3 및 ZnO 로 형성된 각각의 타겟을 이용하거나, Ga-In-Zn 산화물의 단일 타겟을 이용할 수 있다. 또한, 스퍼터링 (sputtering) 공정으로 hf-In-Zn-O 산화물 반도체를 형성할 경우, HfO2, In2O3 및 ZnO로 형성된 각각의 타겟을 이용하거나, Hf-In-Zn 산화물의 단일 타겟을 이용할 수 있다.However, the semiconductor layer 103 may be an oxide semiconductor layer. For example, the oxide semiconductor layer may be formed of an amorphous oxide including at least one of indium (In), zinc (Zn), gallium (Ga), and hafnium (Hf). For example, when a Ga-In-Zn-O oxide semiconductor is formed by a sputtering process, each target formed of In2O3, Ga2O3, and ZnO may be used, or a single target of Ga-In-Zn oxide may be used. When the hf-In-Zn-O oxide semiconductor is formed by a sputtering process, each target formed of HfO 2, In 2 O 3, and ZnO may be used, or a single target of Hf-In-Zn oxide may be used.

한편, 도시되어 있지는 않지만 전술한 반도체층(103)의 형성 이전에, 기판(101)상에 절연물질 예를 들면 무기절연 물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(미도시)을 형성할 수 있다. 이러한 버퍼층은 반도체층(103)의 결정화시에 기판(101)의 내부로부터 나오는 알칼리 이온의 방출에 의한 반도체층(103)의 특성 저하를 방지하는 역할을 한다.On the other hand, a buffer layer (not shown) made of silicon oxide (SiO2) or silicon nitride (SiNx), which is an inorganic insulating material, is formed on the substrate 101 before forming the semiconductor layer 103, ) Can be formed. This buffer layer serves to prevent the deterioration of the characteristics of the semiconductor layer 103 due to the release of the alkali ions from the inside of the substrate 101 when the semiconductor layer 103 is crystallized.

다음으로, 반도체층(103)을 포함한 버퍼층 상에 게이트 절연막(105)을 형성하고, 게이트 절연막(105)상에 반도체층(103)의 제1 영역(103a)에 대응하여 게이트 전극(107)을 형성한다.Next, a gate insulating film 105 is formed on the buffer layer including the semiconductor layer 103 and a gate electrode 107 is formed on the gate insulating film 105 in correspondence with the first region 103a of the semiconductor layer 103 .

상기 게이트 전극(107)은 알루미늄(aluminium; Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(tungsten; W), 구리(copper; Cu), 니켈(nickel; Ni), 크롬(chromium; Cr), 몰리브덴(molybdenum; Mo), 티타늄(titanium; Ti), 백금(platinum; Pt), 탄탈(tantalum; Ta) 등과 같은 저저항 불투명 도전물질중 어느 하나의 금속막 또는 이들 물질의 합금을 포함한 이중막 구조 또는 적어도 2개 이상의 금속막이 적층된 구조로 형성될 수 있다.The gate electrode 107 may be formed of a metal such as aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W), copper (Cu), nickel (Ni), chromium (Cr) resistant opaque conductive material such as molybdenum (Mo), titanium (Ti), platinum (Pt), tantalum (Ta), or the like, or an alloy of these materials, or At least two or more metal films may be stacked.

또한, 게이트 절연막(105) 위로는 게이트 전극(107)과 연결되며 일 방향으로 연장된 게이트 라인(미도시)을 동시에 형성하며, 특히 비표시영역(N/A) 상에는 게이트 구동회로를 위한 배선 또는 제1 배선(108)을 동시에 형성한다. A gate line (not shown) connected to the gate electrode 107 and extended in one direction is formed on the gate insulating film 105 at the same time. Particularly, The first wiring 108 is formed at the same time.

이어서, 게이트 전극(107)과 제1 배선(108)이 형성된 기판(101) 전면에 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘 (SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 층간 절연막(109)을 형성한다.An interlayer insulating film 109 made of silicon oxide (SiO2) or silicon nitride (SiNx), which is an inorganic insulating material, is formed on the entire surface of the substrate 101 on which the gate electrode 107 and the first wiring 108 are formed, .

다음으로, 층간 절연막(109)과 그 하부의 게이트 절연막(105)을 선택적으로 패터닝하여, 반도체층의 제1 영역(103a) 양 측면에 위치한 제2 영역(103b, 103b) 각각을 노출시키는 반도체층 콘택홀(미도시)을 형성한다.Next, the interlayer insulating film 109 and the gate insulating film 105 under the gate insulating film 105 are selectively patterned to expose each of the second regions 103b and 103b located on both sides of the first region 103a of the semiconductor layer, Thereby forming a contact hole (not shown).

그리고, 도면에는 도시되어 있지 않지만, 반도체층 콘택홀(미도시)을 포함하는 층간 절연막(109) 상부에 금속물질층(미도시)을 형성한다. 이때, 상기 금속물질층(미도시)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로서 이루어진다.Although not shown in the drawing, a metal material layer (not shown) is formed on the interlayer insulating film 109 including the semiconductor layer contact hole (not shown). At this time, the metal material layer (not shown) may be formed of aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), copper alloy, molybdenum, molybdenum, molybdenum, chromium, Or a combination thereof.

이어서, 상기 금속물질층을 선택적으로 패터닝하여, 상기 게이트 라인과 교차하며, 화소(PX)를 정의하는 데이터라인(미도시) 및 전원라인(미도시) 등을 형성한다.Then, the metal material layer is selectively patterned to form a data line (not shown) and a power supply line (not shown) which intersect the gate line and define the pixel PX.

또한, 상기 데이터 라인 형성시에, 층간 절연막(109)의 상부로 상기 반도체층 콘택홀을 통해 노출된 제2 영역(103b)과 각각 접촉하며 상기 데이터 라인과 동일한 금속물질로 이루어진 소스전극(111a) 및 드레인전극(111b)을 동시에 형성한다. 이에 따라, 반도체층(103)과, 게이트 절연막(105) 및 게이트 전극(107)과, 층간 절연막(109)과, 서로 이격하며 형성된 소스전극(111a) 및 드레인전극(111b)은 하나의 박막트랜지스터를 이루게 된다.A source electrode 111a made of the same metal material as that of the data line, which is in contact with the second region 103b exposed through the semiconductor layer contact hole above the interlayer insulating film 109, And the drain electrode 111b are simultaneously formed. Thus, the semiconductor layer 103, the gate insulating film 105, the gate electrode 107, the interlayer insulating film 109, and the source electrode 111a and the drain electrode 111b, which are formed apart from each other, .

이와 동시에, 상기 비표시영역(N/A)에는 상기 제1 배선(108)과 중첩되도록 제2 배선(201)이 형성된다. 상기 제1 및 제2 배선(108, 201)은 경우에 따라서는 전원라인의 일부일 수 있다.At the same time, the second wiring 201 is formed in the non-display area N / A so as to overlap with the first wiring 108. The first and second wirings 108 and 201 may be part of a power supply line in some cases.

한편, 박막트랜지스터는 폴리실리콘의 반도체층(103)을 가지며, 탑 게이트 타입(Top gate type)으로 구성된 것을 일례로 나타내고 있지만, 비정질 실리콘의 반도체층을 갖는 바텀 게이트 타입 (Bottom gate type)으로 구성할 수도 있다.Meanwhile, although the thin film transistor has the polysilicon semiconductor layer 103 and is configured as a top gate type, it may be a bottom gate type having a semiconductor layer of an amorphous silicon It is possible.

다음으로, 도 8b에 도시한 바와 같이, 박막트랜지스터의 드레인 전극(111b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(미도시)을 갖는 평탄화막(113)을 형성한다. 이때, 평탄화막(113)으로는 절연물질, 예를 들어 산화실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 무기절연물질 중에서 어느 하나 또는 포토 아크릴(Photo-Acyl)을 포함하는 유기절연물질 중에서 어느 하나를 선택하여 사용한다.Next, as shown in Fig. 8B, a planarizing film 113 having drain contact holes (not shown) for exposing the drain electrodes 111b of the thin film transistors is formed. At this time, the planarization layer 113 may be formed of an insulating material, for example, an inorganic insulating material containing silicon oxide (SiO2) and silicon nitride (SiNx) or an organic insulating material containing photo- Choose either one.

이어서, 상기 평탄화막(113)을 노광 및 현상 공정을 거친 후 선택적으로 패터닝하여, 기판(101)의 표시영역에 대응하는 평탄화막(113)에 후속 공정에서 형성되는 애노드 전극(117)이 드레인 전극(111b)과 전기적으로 접촉시키기 위한 드레인 콘택홀을 형성한다.The planarization layer 113 is exposed and developed and then selectively patterned to form an anode electrode 117 formed in a subsequent process on the planarization layer 113 corresponding to the display region of the substrate 101, And a drain contact hole for electrically contacting the first contact hole 111b.

이때, 상기 비표시영역(N/A)의 제2 배선(201) 영역의 평탄화막(113)은 제거되어, 상기 제2 배선(201)이 외부로 노출된다.At this time, the planarization film 113 of the second wiring 201 region of the non-display region N / A is removed, and the second wiring 201 is exposed to the outside.

다음으로, 평탄화막(113)을 포함한 기판(101) 전면에 금속 물질층(미도시)을 증착한 후 이 금속 물질층을 선택적으로 패터닝하여, 평탄화막(113)의 상부로 드레인 콘택홀을 통해 박막트랜지스터의 드레인 전극(111b)과 접촉되며, 화소별로 분리된 형태를 가지는 애노드 전극(117)을 형성한다.Next, a metal material layer (not shown) is deposited on the entire surface of the substrate 101 including the planarization layer 113, and then the metal material layer is selectively patterned to be transferred to the upper portion of the planarization layer 113 through the drain contact hole The anode electrode 117 is formed in contact with the drain electrode 111b of the thin film transistor and has a shape separated for each pixel.

이와 동시에, 상기 금속 물질층을 이용하여 표시영역(A/A) 및 비표시영역(N/A)에 걸쳐 보조전극패턴(119)을 형성한다. 여기서, 보조전극 패턴(119)은 평탄화막(113)의 상부로 후속 공정에서 형성되는 캐소드 전극(127)의 저항값을 낮추기 위한 것으로, 보조 전극패턴 (119)은 캐소드 전극(127)과 접촉되도록 한다.At the same time, the auxiliary electrode pattern 119 is formed over the display area A / A and the non-display area N / A using the metal material layer. The auxiliary electrode pattern 119 is formed on the flattening film 113 to reduce the resistance of the cathode electrode 127 formed in the subsequent process and the auxiliary electrode pattern 119 is formed to be in contact with the cathode electrode 127 do.

아울러, 본 발명에서는 상기 비표시영역(N/A)의 제1 및 제2 배선(108, 201) 영역으로 투습 방지를 위해 상기 애노드 전극(117)과 동시에 제1 차단패턴(202)을 상기 제2 배선(201)의 외곽 가장자리 일부를 덮도록 형성한다.In addition, in the present invention, a first blocking pattern 202 is formed simultaneously with the anode electrode 117 to prevent moisture permeation into the first and second wirings 108 and 201 of the non-display area N / A, 2 wirings 201 are formed.

따라서, 상기 제1 차단패턴(202)은 상기 애노드 전극(117)과 동일한 물질로 형성되고, 상기 제2 배선(201)의 일부와 상기 제2 배선(201)이 높여 있는 상기 층간 절연막(109) 일부를 덮는다.The first intercepting pattern 202 is formed of the same material as the anode electrode 117 and the interlayer insulating film 109 having a part of the second interconnection 201 and the second interconnection 201 elevated, Cover part.

즉, 상기 제1 차단패턴(202)은 상기 제1 배선(201)을 따라 형성되고, 상기 제1 배선(201)의 중심을 기준으로 상기 비표시영역(N/A) 방향으로 중첩되도록 형성된다.That is, the first blocking pattern 202 is formed along the first wiring 201 and is formed to overlap the non-display region N / A with respect to the center of the first wiring 201 .

따라서, 유기발광 표시장치(100)의 표시영역(A/A) 외곽둘레를 따라 상기 제1 차단패턴(202)이 형성되어 있어, 비표시영역(N/A)에서 표시영역(A/A)으로 침투하는 습기 등을 차단하여 부식 및 얼룩 발생을 방지하였다.Therefore, the first blocking pattern 202 is formed along the periphery of the display area A / A of the OLED display 100, and the display area A / A in the non-display area N / And moisture and the like penetrating into the substrate are blocked to prevent corrosion and staining.

이때, 상기 애노드 전극(117), 보조전극패턴(119) 및 제1 차단패턴(202)을 형성하기 위해 기판(101) 상에 형성되는 금속물질층(미도시)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로서 형성할 수 있다.At this time, a metal material layer (not shown) formed on the substrate 101 to form the anode electrode 117, the auxiliary electrode pattern 119, and the first shielding pattern 202 may be formed of aluminum (Al) (AlNd), copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), molybdenum (MoTi), chrome (Cr), titanium (Ti)

이어서, 도 8c에 도시한 바와 같이, 상기 애노드 전극(117)이 형성된 기판(101) 전면에 상부로는 화소의 경계 및 비표시영역(NA)상에 절연물질, 특히 폴리 이미드 (Poly -Imide)로 이루어진 뱅크(123)를 형성한다. 이때, 뱅크(123)는 화소를 둘러싸는 형태로 애노드 전극(117)의 테두리와 중첩되도록 형성하되, 표시영역(A/A) 전체적으로는 다수의 개구부를 갖는 격자 형태를 이루도록 한다. 또한, 뱅크(123)는 패널 외곽부인 비표시영역 (N/A)에도 형성한다.Next, as shown in FIG. 8C, on the front surface of the substrate 101 on which the anode electrode 117 is formed, an insulating material, specifically, a polyimide (polyimide) The bank 123 is formed. At this time, the bank 123 is formed so as to overlap with the rim of the anode electrode 117 in the form of surrounding the pixel, and has a lattice shape having a plurality of openings as a whole in the display region A / A. Further, the bank 123 is also formed in the non-display area N / A, which is the panel outer frame.

또한, 본 발명에서는 상기 뱅크(123)를 이용하여, 상기 제1 차단패턴(202)과 중첩되도록 제2 차단패턴(203)을 형성한다. 따라서, 상기 제2 배선(201), 제1 차단패턴(202) 및 제2 차단패턴(203)은 서로 중첩한다.In the present invention, a second blocking pattern 203 is formed to overlap the first blocking pattern 202 by using the bank 123. Therefore, the second wiring 201, the first blocking pattern 202, and the second blocking pattern 203 overlap each other.

본 발명에서는 상기 표시영역(A/A) 외곽 둘레를 따라 상기 제1 배선(201) 상에 제1 및 제2 차단패턴(202, 203)으로 이루어진 차단패턴 영역(BPA) 형성하여, 외부 투습에 의한 배선 손상 및 얼룰 불량을 방지하도록 하였다.In the present invention, a blocking pattern region BPA composed of the first and second blocking patterns 202 and 203 is formed on the first wiring 201 along the periphery of the display region A / Thereby preventing wiring damage and malfunctioning caused by the wiring.

특히, 본 발명에서는 제2 차단패턴(203)이 유기막인 뱅크(123)로 형성되기 때문에 이후 형성되는 제1 및 제2 보호막(129, 133)이 금속보다는 표면 에너지 차이가 작아 코팅 얼룩 불량을 방지할 수 있는 이점이 있다.Particularly, in the present invention, since the second blocking pattern 203 is formed of the bank 123, which is an organic film, the first and second protective films 129 and 133 formed thereafter have smaller surface energy difference than metal, There is an advantage that it can be prevented.

다음으로, 상기 뱅크(123)로 둘러싸인 화소내의 애노드 전극(117)의 상부로는 각각 적, 녹 및 청색 또는 백색을 발광하는 유기발광층(125)을 형성한다. 유기 발광층(125)은 유기 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 또는 도시되어 있지는 않지만 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광 물질층(emitting material layer), 전자 수송층 (electron transporting layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성할 수 도 있다.Next, organic light emitting layers 125 which emit red, green, and blue or white light are formed on the anode electrodes 117 in the pixels surrounded by the banks 123, respectively. The organic light emitting layer 125 may be a single layer made of an organic light emitting material or may include a hole injection layer, a hole transporting layer, a light emitting material layer emitting material layer, an electron transporting layer, and an electron injection layer.

이어서, 유기 발광층(125)과 뱅크 (123)를 포함한 기판 전면에, 금속막을 형성한 다음, 이를 선택적으로 패터닝하여 유기 발광층(125)과 뱅크 (123)를 포함한 기판의 표시영역(A/A)에 캐소드 전극(127)을 형성한다. 이에 따라, 애노드 전극(117)과 캐소드 전극(127) 및 그 두 전극 (117, 127) 사이에 개재된 유기 발광층(125)은 유기전계 발광다이오드를 이루게 된다. 여기서 상기 캐소드 전극(127)의 외곽에는 확장부(127a)가 형성되어, 상기 보조 전극패턴(119)과 전기적으로 연결된다.A metal film is formed on the entire surface of the substrate including the organic light emitting layer 125 and the bank 123 and then selectively patterned to form a display area A / A of the substrate including the organic light emitting layer 125 and the banks 123. [ The cathode electrode 127 is formed. Accordingly, the organic light emitting layer 125 interposed between the anode electrode 117, the cathode electrode 127, and the two electrodes 117 and 127 forms an organic light emitting diode. An extension part 127a is formed on the outer surface of the cathode electrode 127 to be electrically connected to the auxiliary electrode pattern 119.

다음으로, 상기 캐소드 전극(127)을 포함한 기판 전면에는 절연물질, 특히 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제1 보호막(129: passivation layer)을 형성한다.Next, a passivation layer 129 is formed on the entire surface of the substrate including the cathode electrode 127, which is made of silicon oxide (SiO 2) or silicon nitride (SiN x), which is an inorganic insulating material.

상기 제1 보호막(129)은 비표시영역(N/A)에 배치되어 있는 제2 배선(201), 제1 차단패턴(202) 및 제2 차단패턴(203)을 완전히 덮도록 형성된다.The first protective film 129 is formed to completely cover the second wiring 201, the first blocking pattern 202 and the second blocking pattern 203 disposed in the non-display area N / A.

이어서, 도 도 8d에 도시된 바와 같이, 제1 보호막(129)상에 폴리머(polymer)와 같은 고분자 유기 물질로 이루어진 유기막(131)을 형성한다. 이때, 유기막(131)을 구성하는 고분자 박막으로는 올레핀계 고분자 (polyethylene, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 에폭시 수지 (epoxy resin), 플루오르 수지(fluoro resin), 폴리실록산(polysiloxane) 등이 사용될 수 있다.Next, as shown in FIG. 8D, an organic layer 131 made of a polymer organic material such as a polymer is formed on the first protective layer 129. As the polymer thin film constituting the organic film 131, an olefin polymer (polyethylene, polypropylene), polyethylene terephthalate (PET), epoxy resin, fluoro resin, polysiloxane, Can be used.

상기 비표시영역(N/A)에 배치된 차단패턴영역(BPA)에서는 상기 유기막(131)이 제거되어, 상기 제1 보호막(129)이 외부로 노출된다.In the blocking pattern region BPA disposed in the non-display region N / A, the organic layer 131 is removed, and the first protective layer 129 is exposed to the outside.

다음으로, 상기 유기막(131) 및 제1 보호막(129)을 포함한 기판(101) 전면에 유기막(131)을 통해 수분이 침투되는 것을 차단하기 위해 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제2 보호막(133)을 추가로 형성한다.Next, in order to prevent water from penetrating through the organic film 131 on the entire surface of the substrate 101 including the organic film 131 and the first protective film 129, an insulating material, for example, an inorganic insulating material, A second protective film 133 made of silicon (SiO2) or silicon nitride (SiNx) is further formed.

이어서, 제2 보호막(133)을 포함한 기판(101) 전면에 상기 유기발광 다이오드의 인캡슐레이션을 위해 보호 필름(미도시)을 대향하여 위치시키며, 기판(101)과 보호 필름 사이에 투명하며 접착 특성을 갖는 프릿 (frit), 유기절연물질, 고분자 물질 중 어느 하나로 이루어진 점착제(135)를 개재한다. 여기서 점착제(135)는 공기층 없이 기판(101) 및 보호 필름이 완전 밀착되도록 구성한다. 이러한 점착제(135)로는 PSA(Press Sensitive Adhesive)가 이용될 수 있다.Next, a protective film (not shown) is placed opposite to the entire surface of the substrate 101 including the second protective film 133 for encapsulation of the organic light emitting diode, And a pressure sensitive adhesive (135) made of any one of frit, organic insulating material and high molecular material. Here, the pressure sensitive adhesive 135 is configured so that the substrate 101 and the protective film are completely sealed without an air layer. As the pressure sensitive adhesive 135, PSA (Press Sensitive Adhesive) may be used.

이렇게 점착제(135)에 의해 기판(101)과 보호필름이 고정되어 패널 상태를 이루도록 함으로써 본 발명에 따른 유기발광 표시장치(100)의 제조공정을 완료한다.The substrate 101 and the protective film are fixed by the adhesive 135 to form a panel state, thereby completing the manufacturing process of the OLED display 100 according to the present invention.

이와 같이, 본 발명에 따른 유기발광표시장치 및 그 제조방법은, 표시패널의 표시영역 외곽 둘레를 따라 배선들과 중첩되는 제1 및 제2 차단패턴을 배치하여, 외부 투습에 의한 배선들의 부식을 방지한 효과가 있다.As described above, the organic light emitting diode display and the method of manufacturing the same according to the present invention are characterized in that the first and second blocking patterns overlapping the wirings are arranged along the periphery of the display region of the display panel, There is an effect to prevent.

또한, 본 발명에 따른 유기발광표시장치 및 그 제조방법은, 표시패널의 표시영역 외곽 둘레를 따라 배선들과 중첩되도록 금속물질로된 제1 차단패턴과 유기물로된 제2 차단패턴을 형성하여, 보호막 형성시 얼룩 불량을 방지하고, 배선들의 부식을 방지한 효과가 있다.
According to another aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode (OLED) display device and a method of manufacturing the same, comprising: forming a first blocking pattern made of a metal material and a second blocking pattern made of an organic material so as to overlap wirings along a periphery of a display region of a display panel, It is possible to prevent unevenness in the formation of a protective film and to prevent corrosion of wirings.

101: 기판
103: 반도체층
105: 게이트 절연막
107: 게이트 전극
111a: 소스 전극
111b: 드레인 전극
113: 평탄화막
117: 애노드 전극
125: 유기 발광층
127: 캐소드 전극
202: 제1 차단패턴
203: 제2 차단패턴
BPA: 차단패턴영역101: substrate
103: Semiconductor layer
105: gate insulating film
107: gate electrode
111a: source electrode
111b: drain electrode
113: planarization film
117: anode electrode
125: organic light emitting layer
127: cathode electrode
202: first blocking pattern
203: second blocking pattern
BPA: Blocking pattern area

Claims (12)

다수의 화소를 포함하는 표시영역 및 상기 표시영역을 외측으로 둘러싸는 비표시영역이 정의된 기판;
상기 기판상의 상기 화소에 형성된 하나이상의 박막트랜지스터;
상기 박막트랜지스터 상에 애노드 전극, 유기 발광층 및 캐소드 전극으로 구성된 유기발광 다이오드;
상기 비표시영역 상에 배치된 배선; 및
상기 배선과 중첩되도록 배치된 제1 및 제2 차단패턴을 포함하는 유기발광 표시장치.
A substrate on which a display region including a plurality of pixels and a non-display region surrounding the display region are defined;
At least one thin film transistor formed in the pixel on the substrate;
An organic light emitting diode comprising an anode electrode, an organic light emitting layer and a cathode electrode on the thin film transistor;
A wiring disposed on the non-display area; And
And the first and second blocking patterns are disposed so as to overlap with the wiring.
제1항에 있어서, 상기 기판의 각 화소영역 주위 및 비표시영역에 배치된 뱅크를 더 포함하는 유기발광 표시장치.
The organic light emitting diode display according to claim 1, further comprising a bank disposed around each pixel region and a non-display region of the substrate.
제1항에 있어서, 상기 배선과 상기 제1 및 제2 차단패턴 상에 적층된 제1 보호막 및 제2 보호막을 더 포함하는 유기발광 표시장치.
The OLED display of claim 1, further comprising a first protective layer and a second protective layer stacked on the wiring and the first and second blocking patterns.
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 차단패턴은 상기 비표시영역과 인접한 상기 배선의 가장자리를 따라 배치된 유기발광 표시장치.
The organic light emitting display according to claim 1, wherein the first and second blocking patterns are disposed along edges of the wiring adjacent to the non-display region.
제4항에 있어서, 상기 제1 차단패턴은 상기 배선의 일부 및 상기 배선 하측과 접촉하는 층간절연막의 일부를 덮는 유기발광 표시장치.The organic light emitting display according to claim 4, wherein the first blocking pattern covers a part of the wiring and a part of the interlayer insulating film which is in contact with the lower side of the wiring. 제4항에 있어서, 상기 제2 차단패턴은 상기 제1 차단패턴과 상기 배선의 일부를 덮는 유기발광 표시장치.
The organic light emitting display according to claim 4, wherein the second blocking pattern covers a part of the first blocking pattern and the wiring.
다수의 화소를 포함하는 표시영역 및 상기 표시영역을 외측으로 둘러싸는 비표시영역이 정의된 기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상의 상기 화소에 하나이상의 박막트랜지스터를 형성하고, 상기 비표시영역에 배선을 형성하는 단계;
상기 박막트랜지스터를 포함한 상기 표시영역상에 평탄화막을 형성하는 단계;
상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 애노드 전극을 형성하고, 상기 비표시영역의 배선 일부와 중첩되는 제1 차단패턴을 형성하는 단계;
상기 애노드 전극과 제1 차단패턴을 포함한 기판의 각 화소영역 주위 및 비표시영역에 뱅크를 형성하고, 상기 제1 차단패턴과 중첩되는 제2 차단패턴을 형성하는 단계;
상기 애노드 전극 위로 각 화소영역 별로 유기 발광층을 분리 형성하는 단계; 및
상기 유기 발광층을 포함한 상기 기판 전면에 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치 제조방법.
Preparing a substrate on which a display region including a plurality of pixels and a non-display region surrounding the display region are defined;
Forming at least one thin film transistor in the pixel on the substrate and forming a wiring in the non-display area;
Forming a planarization film on the display region including the thin film transistor;
Forming an anode electrode connected to a drain electrode of the thin film transistor and forming a first blocking pattern overlapping a part of the wiring of the non-display region;
Forming banks in the periphery of each pixel region of the substrate including the anode electrode and the first blocking pattern and in the non-display region, and forming a second blocking pattern overlapping the first blocking pattern;
Separating and forming an organic light emitting layer for each pixel region on the anode electrode; And
And forming a cathode electrode on the entire surface of the substrate including the organic light emitting layer.
제7항에 있어서, 상기 캐소드 전극을 포함한 기판 전면에 제1 보호막을 형성하는 단계;
상기 제1 보호막 상에 유기막을 형성하는 단계; 및
상기 유기막 및 제1 보호막 상에 제2 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
The method of claim 7, further comprising: forming a first protective layer over the entire surface of the substrate including the cathode electrode;
Forming an organic film on the first protective film; And
And forming a second passivation layer on the organic layer and the first passivation layer.
제8항에 있어서, 상기 제2 차단패턴과 배선 상에는 제1 및 제2 보호막이 적층되어 형성되는 유기발광 표시장치의 제조방법.
The manufacturing method of an organic light emitting display according to claim 8, wherein first and second protective films are stacked on the second cutoff pattern and the wiring.
제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 차단패턴은 상기 비표시영역과 인접한 상기 배선의 가장자리를 따라 형성되는 유기발광 표시장치 제조방법.
8. The method of claim 7, wherein the first and second blocking patterns are formed along edges of the wiring adjacent to the non-display area.
제7항에 있어서, 상기 제1 차단패턴은 상기 애노드 전극과 동일 물질인 유기발광 표시장치 제조방법.
8. The method of claim 7, wherein the first blocking pattern is the same material as the anode electrode.
제7항에 있어서, 상기 제2 차단패턴은 상기 뱅크와 동일 물질인 유기발광 표시장치 제조방법.
8. The method of claim 7, wherein the second blocking pattern is the same material as the bank.

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