KR102009802B1 - Flexible type organic light emitting diode device and fabricating method thereof - Google Patents

Flexible type organic light emitting diode device and fabricating method thereof Download PDF

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Abstract

본 발명은 플렉서블 유기발광 표시장치를 공개한다. 보다 상세하게는, 본 발명은 고저항 특성을 갖는 캐소드 전극의 저항값을 낮춰 표시장치의 구동 신뢰성을 개선한 플렉서블 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 표시장치는, 애노드 전극과 동일물질로 비표시영역까지 연장되어 형성되는 보조전극 패턴과, 그 상부의 캐소드 전극을 요철형상으로 접촉시킴으로서, 두 전극의 접촉면적을 증가시켜 저항값을 낮추도록 구성되는 것을 특징으로 한다. The present invention discloses a flexible organic light emitting display device. More specifically, the present invention relates to a flexible organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, which improves driving reliability of a display device by lowering a resistance value of a cathode having high resistance.
In the flexible organic light emitting display according to the embodiment of the present invention, the contact area between the two electrodes is formed by contacting the auxiliary electrode pattern formed by extending to the non-display area with the same material as the anode electrode and the cathode electrode thereon in the shape of irregularities. It is characterized by being configured to lower the resistance value by increasing.

Description

플렉서블 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법{FLEXIBLE TYPE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}FLEXIBLE TYPE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF

본 발명은 플렉서블 유기발광 표시장치에 관한 것으로, 고저항 특성을 갖는 캐소드 전극의 저항값을 낮춰 표시장치의 구동 신뢰성을 개선한 플렉서블 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flexible organic light emitting display device, and more particularly, to a flexible organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, which improve driving reliability of a display device by lowering a resistance value of a cathode having high resistance.

기존의 음극선관(Cathode Ray Tube) 표시장치를 대체하기 위해 제안된 평판표시장치(Flat Panel Display Device)로는, 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel) 및 유기발광 표시장치(Organic Light-Emitting Diode Display, OLED Display) 등이 있다.The flat panel display device proposed to replace the existing cathode ray tube display device is a liquid crystal display, a field emission display, a plasma display device. (Plasma Display Panel) and Organic Light-Emitting Diode Display (OLED Display).

이중, 유기발광 표시장치는, 표시패널에 구비되는 유기전계 발광다이오드가 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 가지며, 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적인 특성이 있다.Among the organic light emitting display devices, the organic light emitting diodes provided in the display panel have high brightness, low operating voltage characteristics, and emit light by themselves. Therefore, the organic light emitting display device has a high contrast ratio and high contrast ratio. The advantage is that it can be implemented. In addition, the response time is easy to implement a moving picture to a few microseconds (이), there is no restriction on the viewing angle, it is stable even at low temperatures.

도 1은 종래의 유기발광 표시패널의 일 화소에 대한 등가 회로도를 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating an equivalent circuit diagram of one pixel of a conventional organic light emitting display panel.

도시된 바와 같이, 유기발광 표시패널은 스캔배선(SL) 및 데이터배선(DL)이 교차 형성되고, 이와 소정간격 이격되어 형성되는 전원전압 공급배선(VDDL)를 포함하여 하나의 화소(PX)을 정의한다.As illustrated, the organic light emitting display panel includes one pixel PX including a power supply voltage supply line VDDL formed by crossing scan lines SL and data lines DL and spaced apart from each other by a predetermined interval. define.

또한, 스캔신호에 대응하여 데이터 신호를 제1 노드(N1)에 인가하는 스위칭 박막 트랜지스터(SWT)와, 소스전극에 전원전압(ELVDD)을 인가받으며 제1 노드(N1)에 인가된 전압에 따라 게이트-소스간 전압에 따라 드레인 전류를 유기전계 발광다이오드(Organic Light-Emitting Diode)(OLED)에 인가하는 구동 박막트랜지스터(DT)와, 구동 박막트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 인가되는 전압을 1 프레임동안 유지시키는 캐패시터(C1)를 포함한다. In addition, the switching thin film transistor SWT that applies the data signal to the first node N1 in response to the scan signal, and the power supply voltage ELVDD are applied to the source electrode, and according to the voltage applied to the first node N1. According to the gate-source voltage, the driving thin film transistor DT for applying a drain current to the organic light-emitting diode OLED and the voltage applied to the gate electrode of the driving thin film transistor DT are 1. And a capacitor C1 held for the frame.

그리고, 유기전계 발광다이오드(OLED)는 구동 박막트랜지스터(DT)의 드레인전극에 애노드전극이 접속되며, 캐소드전극이 접지(ELVSS)되며, 캐소드전극과 애노드전극사이에 형성되는 유기발광층을 포함한다. 전술한 유기발광층은 정공수송층, 발광층 및 전자수송층으로 구성될 수 있다.The organic light emitting diode OLED includes an organic light emitting layer formed between the anode electrode of the driving thin film transistor DT and the cathode electrode of the organic light emitting diode DT, which is formed between the cathode electrode and the anode electrode. The organic light emitting layer may be composed of a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer.

이러한 구조에서 유기전계 발광다이오드의 캐소드 전극에 접지전압(ELVSS)을 인가하기 위해, 표시장치의 외곽부에 형성된 접지전압 전극과 캐소드 전극을 전기적으로 연결하여야 한다. 이때, 통상적으로 캐소드 전극은 저항값이 높은 투명 금속물질을 이용하여 형성하기 때문에 캐소드 전극을 외곽부의 접지전압 전극까지 연장하여 형성하는 경우, 신호지연에 따른 문제가 발생할 수 있다.In this structure, in order to apply the ground voltage ELVSS to the cathode electrode of the organic light emitting diode, the ground voltage electrode formed on the outer portion of the display device and the cathode electrode must be electrically connected. In this case, the cathode is typically formed using a transparent metal material having a high resistance value, and thus, when the cathode electrode is extended to the ground voltage electrode of the outer portion, a problem due to signal delay may occur.

전술한 문제를 극복하기 위해, 최근에는 캐소드 전극을 저저항 금속물질로 형성되는 애노드 전극을 연장하고 패터닝한 보조전극 패턴에 접촉시키고, 보조전극을 접지전압 전극에 연결하는 구조가 제안되었다. In order to overcome the above-mentioned problem, a structure has recently been proposed in which a cathode electrode is extended to an anode electrode formed of a low resistance metal material and contacted with a patterned auxiliary electrode pattern, and the auxiliary electrode is connected to a ground voltage electrode.

도 2는 종래의 유기발광 표시장치에서 외곽부의 일부분에 대한 단면을 나타내는 도면이다. 2 is a cross-sectional view of a portion of an outer portion of a conventional organic light emitting display device.

도 2를 참조하면, 종래기술에 따른 유기발광 표시장치(10)는 표시영역(A/A) 및 이를 외곽에서 둘러싸는 비표시영역(N/A)이 정의된 기판(11)을 구비하고, 상기 표시영역(/AA)에는 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)의 교차지점에 화소(P)가 형성되어 있으며, 그 화소(P)에는 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있다. 이러한 박막트랜지스터(T)는 하나의 화소(P)에 적어도 두 개가 구비될 수 있다.Referring to FIG. 2, the organic light emitting diode display 10 according to the related art includes a substrate 11 having a display area A / A and a non-display area N / A surrounding the outside. In the display area / AA, a pixel P is formed at an intersection point of a gate line (not shown) and a data line (not shown), and a thin film transistor T is formed in the pixel P. At least two thin film transistors T may be provided in one pixel P. FIG.

여기서, 비표시영역(N/A)에는 다수의 구동회로배선(GIP) 및 접지전극(GND) 등이 형성되어 있다. Here, a plurality of driving circuit wirings GIP and ground electrodes GND are formed in the non-display area N / A.

또한, 박막트랜지스터(T)는, 도면에는 도시하지 않았지만, 반도체층과 게이트 절연막 및, 상기 반도체층 상의 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극과, 이 게이트 전극을 포함한 게이트 절연막 상에 형성되는 층간절연막 상에 형성되고, 서로 이격하며 형성된 소스전극 및 드레인 전극으로 이루어질 수 있다.Although not shown in the figure, the thin film transistor T is formed on the semiconductor layer, the gate insulating film, the gate electrode formed on the gate insulating film on the semiconductor layer, and the interlayer insulating film formed on the gate insulating film including the gate electrode. And source and drain electrodes formed to be spaced apart from each other.

그리고, 박막트랜지스터(T)의 상부에는 박막트랜지스터(T)의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 층간절연막(13) 및 평탄화막(15)이 적층되어 있다.An interlayer insulating film 13 and a planarization film 15 having a drain contact hole exposing the drain electrode of the thin film transistor T are stacked on the thin film transistor T.

또한, 평탄화막(15)의 상부로는 박막트랜지스터(T)의 드레인 전극(미도시)과 드레인 콘택홀(미도시)을 통해 접촉되며, 각 화소(P) 별로 분리된 형태를 가지는 에노드 전극(19)이 형성되어 있다.In addition, the anode electrode of the planarization layer 15 is contacted through a drain electrode (not shown) and a drain contact hole (not shown) of the thin film transistor T and has a shape separated for each pixel P. (19) is formed.

그리고, 애노드 전극(19)의 상부로 각 화소(P)을 분리 형성하는 뱅크(21)가 형성되어 있다. 이때, 뱅크(21)는 인접하는 화소(P)들 사이에 배치되며, 인접하는 화소(P)들 사이와 비표시영역(NA)에도 형성되어 있다. A bank 21 is formed on the anode electrode 19 to separate the pixels P. In this case, the bank 21 is disposed between the adjacent pixels P, and is also formed between the adjacent pixels P and in the non-display area NA.

뱅크(21)로 둘러싸인 각 화소(P)내의 애노드 전극(19) 위로는 각각 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기발광 패턴(미도시)으로 구성된 유기 발광층(23)이 형성되어 있다. On the anode electrode 19 in each pixel P surrounded by the bank 21, an organic light emitting layer 23 composed of an organic light emitting pattern (not shown) that emits red, green, and blue is formed, respectively.

또한, 유기 발광층(23)과 뱅크(21)의 상부에는 표시영역(A/A) 및 비표시영역(N/A) 전면에 캐소드 전극(25)이 형성되어 있다. 여기서, 애노드 전극(19)과 캐소드 전극(25) 및 이들 두 전극(19, 25) 사이에 개재된 유기 발광층(23)은 유기전계 발광다이오드를 이루게 된다.In addition, the cathode electrode 25 is formed over the display area A / A and the non-display area N / A on the organic emission layer 23 and the bank 21. Here, the anode 19, the cathode 25, and the organic light emitting layer 23 interposed between the two electrodes 19 and 25 form an organic light emitting diode.

특히, 캐소드 전극(25)은 비표시영역(N/A)방향으로 뱅크(21)의 상부를 지나 하부의 애노드 전극(17)과 A영역(A)에서 동일 금속층에 형성되는 보조전극(19a)과 접촉되며, 보조 전극패턴(19a)은 비표시영역(N/A)상에 형성된 접지전압(ELVSS) 전극에 연결된다. In particular, the cathode electrode 25 passes through the upper portion of the bank 21 in the non-display area N / A direction, and the auxiliary electrode 19a is formed on the same metal layer in the lower anode electrode 17 and the A area A. FIG. The auxiliary electrode pattern 19a is connected to the ground voltage ELVSS electrode formed on the non-display area N / A.

한편, 상기 제2 전극(25)을 포함한 기판 전면에는 투습을 방지하기 위한 절연막으로 제1 패시베이션막(27)이 형성되어 있다. On the other hand, the first passivation film 27 is formed on the entire surface of the substrate including the second electrode 25 as an insulating film for preventing moisture permeation.

또한, 제1 패시베이션막(27) 상의 표시영역(A/A)에는 폴리머(polymer)와 같은 고분자 유기 물질로 이루어진 유기막(29)이 형성되어 있으며, 유기막(29)을 포함한 제1 패시베이션막(27) 상에는 유기막(29)을 통해 수분이 침투되는 것을 차단하기 위해 제2 패시베이션막(31)이 추가로 형성되어 있다.In addition, an organic film 29 made of a polymer organic material such as a polymer is formed in the display area A / A on the first passivation film 27, and the first passivation film including the organic film 29 is formed. On the 27, a second passivation film 31 is further formed to block moisture from penetrating through the organic film 29.

더욱이, 제2 패시베이션막(31)을 포함한 기판 전면에는 유기전계 발광 다이오드의 인캡슐레이션 및 상부 투습을 방지하기 위한 보호 필름(barrier film)(미도시)이 점착제(미도시)가 공기층 없이 기판(11) 및 보호필름(미도시)과 완전 밀착되어 개재되어 있다. 그리고, 점착제(미도시)에 의해 기판(11)과 보호필름(미도시)이 고정되어 패널 상태를 이룸으로써 종래기술에 따른 유기전계 발광소자(10)가 구성된다.In addition, a barrier film (not shown) for preventing encapsulation and organic permeation of the organic light emitting diode is formed on the entire surface of the substrate including the second passivation layer 31. 11) and a protective film (not shown) are completely interposed. In addition, the substrate 11 and the protective film (not shown) are fixed by an adhesive (not shown) to form a panel state, thereby forming the organic light emitting device 10 according to the related art.

이러한 구조에 따라, 보조 전극패턴(19a)과 캐소트 전극(25)이 접촉되는 A 영역(A)의 면적이 넓을수록 캐소드 전극(25)과 접지전압 전극간의 저항값을 낮출 수 있어 신호지연에 따른 문제를 개선할 수 있으나, 제한된 공간내에서 A영역(A)의 면적을 증가시키는 데는 한계가 있다.According to this structure, the larger the area of the area A where the auxiliary electrode pattern 19a and the cathode electrode 25 are in contact with each other, the lower the resistance value between the cathode electrode 25 and the ground voltage electrode. Problems can be solved, but there is a limit in increasing the area of the A area A in a limited space.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 유기발광 표시장치는 캐소드 전극과, 접지전압 전극과 연결되는 보조전극 패턴과의 접촉영역의 저항을 낮춤으로서 플렉서블 유기발광 표시장치의 구동 신뢰성을 향상시키는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problem, and an object of the present invention is to provide a flexible organic light emitting display by lowering resistance of a contact region between a cathode electrode and an auxiliary electrode pattern connected to a ground voltage electrode. In order to improve the driving reliability of the device.

전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 유기발광표시장치는, 다수의 화소를 포함하는 표시영역 및 상기 표시영역을 외측으로 둘러싸는 비표시영역이 정의된 기판; 상기 기판상의 상기 화소에 형성된 하나이상의 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터를 포함한 상기 표시영역상에 형성되는 평탄화막; 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결된 애노드 전극; 상기 애노드 전극과 동일물질로 상기 비표시영역상에 형성되고, 요철부를 갖는 보조전극 패턴; 상기 애노드 전극 및 보조전극패턴을 포함한 상기 기판의 각 화소영역 주위 및 비표시영역에 형성된 뱅크; 상기 애노드 전극 위로 각 화소영역 별로 분리 형성된 유기 발광층; 상기 유기 발광층을 포함한 기판 전면에 형성되고, 상기 보조전극 패턴과 상기 요철부에서 접촉되는 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극을 포함한 기판 전면에 형성된 제1 패시베이션막; 상기 제1 패시베이션막 상에 형성된 유기막; 상기 유기막 및 제1 패시베이션막 상에 형성된 제2 패시베이션막; 상기 기판과 마주하며 위치한 보호필름; 및 상기 기판과 보호필름 사이에 개재되는 점착제를 포함한다.In order to achieve the above object, a flexible organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, a display area including a plurality of pixels and a non-display area surrounding the display area is defined; One or more thin film transistors formed in the pixel on the substrate; A planarization layer formed on the display area including the thin film transistor; An anode electrode connected to the drain electrode of the thin film transistor; An auxiliary electrode pattern formed on the non-display area of the same material as the anode electrode and having an uneven portion; A bank formed around the pixel area and the non-display area of the substrate including the anode electrode and the auxiliary electrode pattern; An organic emission layer formed on each of the pixel areas above the anode electrode; A cathode electrode formed on an entire surface of the substrate including the organic light emitting layer and in contact with the auxiliary electrode pattern and the uneven portion; A first passivation film formed on an entire surface of the substrate including the cathode electrode; An organic film formed on the first passivation film; A second passivation film formed on the organic film and the first passivation film; A protective film facing the substrate; And an adhesive interposed between the substrate and the protective film.

또한, 전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 표시장치의 제조방법은, 다수의 화소를 포함하는 표시영역 및 상기 표시영역을 외측으로 둘러싸는 비표시영역이 정의된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판상의 상기 화소에 하나이상의 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터를 포함한 상기 표시영역상에 평탄화막을 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 애노드 전극을 형성하는 단계; 상기 애노드 전극과 동일물질로 상기 비표시영역상에 요철부를 갖는 보조전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 애노드 전극 및 보조전극패턴을 포함한 상기 기판의 각 화소영역 주위 및 비표시영역에 뱅크를 형성하는 단계; 상기 애노드 전극 위로 각 화소영역 별로 유기 발광층을 분리 형성하는 단계; 상기 유기 발광층을 포함한 기판 전면에 상기 보조전극 패턴과 상기 요철부에서 접촉되는 캐소드 전극을 형성하는 단계; 상기 캐소드 전극을 포함한 기판 전면에 제1 패시베이션막을 형성하는 단계; 상기 제1 패시베이션막 상에 유기막을 형성하는 단계; 상기 유기막 및 제1 패시베이션막 상에 제2 패시베이션막을 형성하는 단계; 및 상기 기판과 마주하도록 점착제를 이용하여 보호필름을 부착하는 단계를 포함한다. In addition, in order to achieve the above object, in the method of manufacturing a flexible organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, a display area including a plurality of pixels and a non-display area surrounding the display area outside are defined. Preparing a substrate; Forming at least one thin film transistor on the pixel on the substrate; Forming a planarization layer on the display area including the thin film transistor; Forming an anode electrode connected to the drain electrode of the thin film transistor; Forming an auxiliary electrode pattern having an uneven portion on the non-display area of the same material as the anode electrode; Forming a bank around each pixel region and non-display region of the substrate including the anode electrode and the auxiliary electrode pattern; Separating and forming an organic light emitting layer on each of the pixel regions over the anode electrode; Forming a cathode electrode contacting the auxiliary electrode pattern and the uneven portion on the entire surface of the substrate including the organic emission layer; Forming a first passivation film on the entire surface of the substrate including the cathode electrode; Forming an organic film on the first passivation film; Forming a second passivation film on the organic film and the first passivation film; And attaching a protective film using an adhesive to face the substrate.

본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 캐소드 전극과, 접지전압 전극과 연결되는 보조전극 패턴의 접촉영역을 슬릿 또는 요철 형상을 갖도록 형성함으로서, 접촉영역에서의 저항값을 최소화하여 구동 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present invention forms a contact region of the cathode electrode and the auxiliary electrode pattern connected to the ground voltage electrode to have a slit or uneven shape, thereby minimizing the resistance value in the contact region to improve driving reliability. There is an effect that can be improved.

도 1은 종래의 유기발광 표시패널의 일 화소에 대한 등가 회로도를 나타낸 도면이다.
도 2는 종래의 유기발광 표시장치에서 외곽부의 일부분에 대한 단면을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 전체 구조를 개략적 평면을 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ' 부분에 대한 단면을 나타내는 도면이다.
도 5는 도 4의 유기발광 표시장치의 A부분에 형성된 애노드 금속층 및 캐소드 금속층이 접촉되는 단면을 나타낸 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 도 5에 도시된 부분을 평면으로 나타낸 도면이다.
도 7a 내지 7h는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating an equivalent circuit diagram of one pixel of a conventional organic light emitting display panel.
2 is a cross-sectional view of a portion of an outer portion of a conventional organic light emitting display device.
3 is a schematic plan view of an entire structure of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV ′ of FIG. 3.
FIG. 5 is a cross-sectional view of an anode metal layer and a cathode metal layer formed on portion A of the organic light emitting display device of FIG. 4.
6A and 6B are plan views of portions of FIG. 5.
7A to 7H schematically illustrate a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 전체 구조를 개략적 평면을 나타낸 도면이다. 3 is a schematic plan view of an entire structure of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

또한, 도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ' 부분에 대한 단면을 나타내는 도면이고, 도 5는 도 4의 유기발광 표시장치의 A부분에 형성된 애노드 금속층 및 캐소드 금속층이 접촉되는 단면을 나타낸 도면이다.4 is a cross-sectional view of the IV-IV ′ portion of FIG. 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the anode metal layer and the cathode metal layer formed on the A portion of the organic light emitting diode display of FIG. 4.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)는 박막트랜지스터(T)와 유기전계 발광다이오드가 형성된 기판(101)이 보호필름(137)에 의해 인캡슐레이션(encapsulation)되어 있는 구조이다.3 to 5, in the organic light emitting diode display 100 according to an exemplary embodiment of the present invention, a substrate 101 on which a thin film transistor T and an organic light emitting diode is formed is encapsulated by a protective film 137. It is an encapsulated structure.

유기전계 발광소자(100)는 다수의 화소(PX)를 포함하는 표시영역(A/A)과, 이를 외측으로 둘러싸는 비표시영역(N/A)이 정의된 기판(101)과, 기판(101)상의 각 화소(PX)에 형성된 박막트랜지스터(T)와, 박막트랜지스터(T)를 포함한 기판(101) 상에 형성되는 평탄화막(113)과, 평탄화막(113)상에 형성되고, 박막트랜지스터(T)의 드레인 전극(111b)과 연결된 애노드 전극(117)과, 애노드 전극(117)의 일부가 연장되고, 캐소드 전극(127)과 요철형상으로 접촉되는 보조전극패턴(119)과, 애노드 전극(117)을 포함한 기판(101)의 각 화소(PX) 주위 및 비표시영역(N/A)에 형성된 뱅크(123)와, 애노드 전극(117)의 상부로 각 화소(PX) 별로 분리 형성된 유기 발광층(125)과, 유기 발광층(125)을 포함한 기판(101) 전면에 형성된 캐소드 전극(127)과, 캐소드 전극(127)을 포함한 기판(101) 전면에 형성된 제1 패시베이션막(129)과, 제1 패시베이션막(129) 상에 형성된 유기막(131)과, 유기막(131) 및 제1 패시베이션막(129) 상에 형성된 제2 패시베이션막(133)과, 기판(101)과 마주하며 위치한 보호필름(137)과, 기판(101)과 보호필름(137) 사이에 개재되어 기판(101)과 보호필름(137)을 접착하여 패널 상태를 이루도록 하는 점착제(135)를 포함한다. The organic light emitting diode 100 includes a substrate 101 including a display area A / A including a plurality of pixels PX, a non-display area N / A surrounding the outside, and a substrate ( A thin film transistor T formed on each pixel PX on the 101, a planarization film 113 formed on the substrate 101 including the thin film transistor T, and a planarization film 113 formed on the planarization film 113. An anode electrode 117 connected to the drain electrode 111b of the transistor T, a part of the anode electrode 117 extends, and an auxiliary electrode pattern 119 contacting the cathode electrode 127 in an uneven shape, and an anode Banks 123 formed around the pixel PX of the substrate 101 including the electrode 117 and in the non-display area N / A, and formed separately from each pixel PX on the anode electrode 117. The first electrode formed on the entire surface of the substrate 101 including the organic light emitting layer 125 and the substrate 101 including the organic light emitting layer 125 and the cathode 101. The passivation film 129, the organic film 131 formed on the first passivation film 129, the second passivation film 133 formed on the organic film 131 and the first passivation film 129, The adhesive 135 which is interposed between the protective film 137 facing the substrate 101 and the substrate 101 and the protective film 137 to bond the substrate 101 and the protective film 137 to form a panel state. ).

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기발광 표시장치(100)를 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the organic light emitting display device 100 according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 유기발광 표시장치(100)는 기판(101)은 다수의 화소(PX)가 형성되는 표시영역(A/A)과, 표시영역(A/A)의 외곽부에 표시영역(A/A)을 둘러싸는 비표시영역(N/A)이 정의되어 있다. 도시되어 있지는 않지만, 표시영역(A/A)에는 다수의 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)이 교차하는 형태로 형성되며, 그 교차지점에 화소(PX)가 정의된다. 또한, 전원배선(미도시)이 데이터 배선과 평행하게 형성되어 있다.In the organic light emitting display device 100 of the present invention, the substrate 101 includes a display area A / A in which a plurality of pixels PX are formed, and a display area A / A formed at an outer portion of the display area A / A. A non-display area N / A surrounding A) is defined. Although not shown, a plurality of gate lines (not shown) and data lines (not shown) intersect each other in the display area A / A, and pixels PX are defined at the intersections thereof. In addition, a power supply wiring (not shown) is formed in parallel with the data wiring.

여기서, 기판(101)으로는 단단한 재질의 유리기판 또는 표시장치가 종이처럼 휘어져도 표시 성능을 그대로 유지할 수 있도록 플렉서블(flexible)특성을 갖는 플라스틱 기판이 이용될 수 있다.Here, as the substrate 101, a plastic substrate having a flexible characteristic may be used to maintain the display performance even when the glass substrate or the display device of a rigid material is bent like a paper.

또한, 기판(101)상에는 절연물질 예를 들면 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있다. 이러한 버퍼층(미도시)은 후속 공정에서 형성되는 반도체층(103)의 결정화 공정에서 기판(101)의 내부로부터 나오는 알칼리 이온의 방출에 반도체층(103)의 특성 저하를 방지하기 위함이다.In addition, a buffer layer (not shown) made of an insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), which is an inorganic insulating material, may be formed on the substrate 101. This buffer layer (not shown) is for preventing the deterioration of the characteristics of the semiconductor layer 103 due to the release of alkali ions coming from the inside of the substrate 101 in the crystallization process of the semiconductor layer 103 formed in a subsequent step.

버퍼층(미도시)의 상부로 표시영역(A/A)내 각 화소(PX)에는 순수 폴리실리콘으로 이루어지며, 그 중앙부는 채널을 이루는 제1 영역(103a), 제1 영역 (103a) 양 측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제2 영역(103b, 103c)으로 구성된 반도체층(103)이 형성되어 있다.Above the buffer layer (not shown), each pixel PX in the display area A / A is made of pure polysilicon, and a central portion thereof is formed on both sides of the first region 103a and the first region 103a that form a channel. As a result, the semiconductor layer 103 including the second regions 103b and 103c doped with a high concentration of impurities is formed.

반도체층(103)을 포함한 버퍼층 상에는 게이트 절연막(105)이 형성되어 있고, 게이트 절연막(105) 상부로는 반도체층(103)의 제1 영역(103a)에 대응하여 게이트 전극(107)이 형성되어 있다. 그리고, 게이트 절연막(105)의 상부로는 게이트 전극(107)과 연결되며 일 방향으로 연장된 게이트 배선(미도시)이 형성되어 있다. The gate insulating layer 105 is formed on the buffer layer including the semiconductor layer 103, and the gate electrode 107 is formed on the gate insulating layer 105 to correspond to the first region 103a of the semiconductor layer 103. have. In addition, a gate line (not shown) connected to the gate electrode 107 and extending in one direction is formed on the gate insulating layer 105.

또한, 게이트 전극(107) 형성시에, 기판(101)상에는 게이트 구동회로배선(107a) 및 접지전압전극(107b)등이 형성된다.Further, at the time of forming the gate electrode 107, a gate driving circuit wiring 107a, a ground voltage electrode 107b, and the like are formed on the substrate 101.

여기서, 게이트 전극(107), 게이트 배선, 게이트 구동회로배선(107b) 및 접지전압전극(107b)은 저저항 특성을 갖는 제1 금속물질, 예를 들어 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi) 중 어느 하나로 이루어져 단일층 구조를 가질 수도 있으며, 또는 둘 이상의 상기 제1 금속물질로 이루어짐으로써 이중 층 또는 삼중 층 구조를 가질 수도 있다.Here, the gate electrode 107, the gate wiring, the gate driving circuit wiring 107b, and the ground voltage electrode 107b may be formed of a first metal material having low resistance, for example, aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), It may be made of copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), or molybdenum (MoTi) to have a single layer structure, or may be made of two or more of the first metal materials to have a double layer or triple layer structure. have.

게이트 전극(107) 및 접지전압전극(107b)을 포함한 기판(101)의 전면에는 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 층간 절연막(109)이 형성되어 있다. 이때, 층간 절연막(109)과 그 하부의 게이트 절연막(105)에는 반도체층(103)의 제1 영역(103a) 양 측면에 위치한 제2 영역(103b, 103c) 각각을 노출시키는 반도체층 콘택홀이 형성된다. 또한, 반도체층 콘택홀과 동시에, 접지전압 전극(107b)의 상부에는 게이트층 콘택홀이 형성된다. An interlayer insulating film 109 made of an insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), which is formed on an entire surface of the substrate 101 including the gate electrode 107 and the ground voltage electrode 107b. Is formed. In this case, the interlayer insulating layer 109 and the gate insulating layer 105 below the semiconductor layer contact hole exposing each of the second regions 103b and 103c located on both sides of the first region 103a of the semiconductor layer 103. Is formed. In addition, at the same time as the semiconductor layer contact hole, a gate layer contact hole is formed on the ground voltage electrode 107b.

반도체층 및 게이트층 콘택홀을 포함하는 층간 절연막(109) 상부에는 게이트 배선과 교차하여 화소(PX)를 정의하며 제2 금속 물질, 예를 들어 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로서 이루어진 데이터배선(미도시) 및 전원배선(미도시)이 형성되어 있다. A pixel PX is defined on the interlayer insulating layer 109 including the semiconductor layer and the gate layer contact hole to define a pixel PX, and a second metal material, for example, aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), or copper ( Data wiring (not shown) and power wiring (not shown) made of any one or two or more of Cu), a copper alloy, molybdenum (Mo), molybdenum (MoTi), chromium (Cr), and titanium (Ti) are formed. It is.

층간 절연막(109)의 상부로는 상기 반도체층 콘택홀을 통해 노출된 제2 영역(103b, 103c)과 각각 접촉하며 상기 데이터 배선과 동일한 제2 금속물질로 이루어진 소스전극(111a) 및 드레인 전극(111b)이 형성되어 있다. 이때, 상기 구동영역(미도시)에 순차적으로 적층된 반도체층(103)과, 게이트 절연막(105) 및 게이트 전극(107)과, 층간 절연막(109)과 서로 이격하며 형성된 소스전극(111a) 및 드레인 전극(111b)은 박막트랜지스터(T)를 이룬다.The upper portion of the interlayer insulating layer 109 is in contact with the second regions 103b and 103c exposed through the semiconductor layer contact hole, respectively, and includes a source electrode 111a and a drain electrode made of the same second metal material as the data line. 111b) is formed. At this time, the semiconductor layer 103 sequentially stacked in the driving region (not shown), the gate insulating film 105 and the gate electrode 107, the source electrode 111a formed to be spaced apart from each other and the interlayer insulating film 109 and The drain electrode 111b forms a thin film transistor T.

한편, 도면에는 소스전극(111a) 및 드레인전극(111b)은 모두 단일 층 구조를 갖는 것을 일례로 나타내고 있지만, 이들 구성 요소는 이중 층 또는 삼중 층 구조로 형성될 수 있다.In the drawings, the source electrode 111a and the drain electrode 111b both have a single layer structure, but these components may be formed in a double layer or triple layer structure.

전술한 박막트랜지스터(T)는 저온폴리실리콘의 반도체층(103)을 가지며, 탑 게이트 타입(Top gate type)으로 구성된 것을 일례로 나타내고 있지만, 비정질 실리콘의 반도체층을 갖는 바텀 게이트 타입(Bottom gate type)으로도 구성될 수 있다.Although the above-described thin film transistor T has a semiconductor layer 103 of low temperature polysilicon and is configured as a top gate type, the bottom gate type having a semiconductor layer of amorphous silicon is illustrated as an example. It may also consist of).

박막트랜지스터(T)의 상부로는 드레인 전극(111b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(미도시)을 갖는 평탄화막(113)이 형성되어 있다. 이러한 평탄화막(113)으로는 절연물질, 예를 들어 산화실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 무기절연물질 중에서 어느 하나, 또는 포토 아크릴(Photo-Acyl)을 포함하는 유기절연물질 중에서 어느 하나를 선택하여 제조할 수 있다.A planarization film 113 having a drain contact hole (not shown) that exposes the drain electrode 111b is formed on the thin film transistor T. The planarization layer 113 may be an insulating material, for example, an inorganic insulating material including silicon oxide (SiO 2 ) and silicon nitride (SiNx), or an organic insulating material including photo-acyl. Any one of them can be selected and manufactured.

또한, 기판(101)의 표시영역에 대응하는 평탄화막(113)에는 후속 공정에서 형성되는 애노드 전극(117)을 드레인 전극(111b)과 전기적으로 접촉시키기 위한 드레인 콘택홀(미도시)이 형성되어 있다. In addition, a drain contact hole (not shown) is formed in the planarization film 113 corresponding to the display area of the substrate 101 to electrically contact the anode electrode 117 formed in a subsequent process with the drain electrode 111b. have.

평탄화 막(113) 위로는 상기 드레인 콘택홀을 통해 박막트랜지스터(T)의 드레인 전극(111b)과 접촉되며, 각 화소(PX) 별로 분리된 형태를 가지는 애노드 전극(117)이 형성되어 있다. 또한, 평탄화막(113) 위로는 후속 공정에서 형성되는 캐소드 전극(127)의 저항값을 낮추기 위해 보조 전극패턴(119)이 형성되어 있다. 이는 캐소드 전극(127)이 투명 도전물질로 형성되어 있어 저항값이 크기 때문에 일정한 전류를 균일하게 인가함에 있어 효율적이지 못하며, 이러한 캐소드 전극(127)의 저항값을 낮추기 위해 보조전극 패턴(119)을 형성하여 캐소드 전극(127)과 전기적으로 연결시켜 줌으로써 저항값을 낮출 수 있게 된다. 이때, 보조전극 패턴(119)은 캐소드 전극(127)과 전기적으로 연결되어 있다. An anode electrode 117 is formed on the planarization layer 113 to be in contact with the drain electrode 111b of the thin film transistor T through the drain contact hole and have a shape separated for each pixel PX. In addition, the auxiliary electrode pattern 119 is formed on the planarization layer 113 to lower the resistance of the cathode electrode 127 formed in a subsequent process. Since the cathode electrode 127 is formed of a transparent conductive material, the resistance value is large, and thus it is not effective in uniformly applying a constant current. The auxiliary electrode pattern 119 is used to lower the resistance value of the cathode electrode 127. The resistance value can be reduced by forming and electrically connecting the cathode electrode 127. In this case, the auxiliary electrode pattern 119 is electrically connected to the cathode electrode 127.

특히, 본 발명의 실시예에서는 보조전극 패턴(119)과, 보조전극 패턴(119)의 하부로 형성되는 평탄화막(113)과, 보조전극 패턴(119)의 상부로 형성되어 접촉되는 캐소드 전극(127)은 서로 요철형상(凹凸)으로 접촉되어 있는 것을 특징으로 한다(A 영역). 따라서, 보조전극 패턴(119)의 일부는 요철부(119a)를 포함한다. 뿐만 아니라, 상부의 캐소드 전극(127) 또한 요철부(127a)를 포함한다. In particular, in the exemplary embodiment of the present invention, the auxiliary electrode pattern 119, the planarization film 113 formed under the auxiliary electrode pattern 119, and the cathode electrode formed over and in contact with the auxiliary electrode pattern 119 ( 127 is characterized by being in contact with each other in an uneven shape (area A). Therefore, a part of the auxiliary electrode pattern 119 includes the uneven portion 119a. In addition, the upper cathode electrode 127 also includes an uneven portion 127a.

보조전극 패턴(119)은 상기 게이트 콘택홀을 통해 접지전압 전극(107b)과 전기적으로 연결된다. The auxiliary electrode pattern 119 is electrically connected to the ground voltage electrode 107b through the gate contact hole.

애노드 전극(117)의 상부로는 화소(PX)의 경계 및 비표시영역(N/A)상에 절연물질, 특히 벤소사이클로부텐(BCB), 폴리 이미드(Poly -Imide) 또는 포토아크릴(photo acryl) 등으로 이루어진 뱅크(123)가 형성되어 있다. 이때, 뱅크(123)는 화소(PX)을 둘러싸는 형태로 애노드 전극(117)의 테두리와 중첩되도록 형성되어 있으며, 표시영역(A/A) 전체적으로는 다수의 개구부를 갖는 격자 형태를 이루고 있다. 또한, 뱅크(123)는 비표시영역(N/A)에도 형성되어 있다.Above the anode electrode 117 is an insulating material on the boundary of the pixel PX and on the non-display area N / A, in particular, bensocyclobutene (BCB), polyimide, or photoacrylic. A bank 123 made of acryl) or the like is formed. In this case, the bank 123 is formed to overlap the edge of the anode electrode 117 in a shape surrounding the pixel PX, and has a lattice shape having a plurality of openings in the display area A / A. The bank 123 is also formed in the non-display area N / A.

뱅크(123)로 둘러싸인 화소(PX)내의 애노드 전극(117)의 상부에는 각각 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기발광 패턴(미도시)으로 구성된 유기 발광층(125)이 형성되어 있다. 유기 발광층(125)은 유기 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 또는 도면에 나타나지 않았지만 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광 물질층(emitting material layer), 전자 수송층 (electron transporting layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.An organic emission layer 125 including an organic emission pattern (not shown) that emits red, green, and blue light is formed on the anode electrode 117 in the pixel PX surrounded by the bank 123, respectively. The organic light emitting layer 125 may be composed of a single layer made of an organic light emitting material, or although not shown in the drawing, in order to increase the light emitting efficiency, a hole injection layer, a hole transporting layer, a light emitting material layer ( It may be composed of multiple layers of an emitting material layer, an electron transporting layer, and an electron injection layer.

또한, 유기 발광층(125)과 뱅크(123)를 포함한 기판(101)의 표시영역(A/A)에는 캐소드 전극(127)이 형성되어 있다. 이때, 애노드 전극(117)과 캐소드 전극 (127) 및 이들 두 전극(117, 127) 사이에 개재된 유기 발광층(125)은 유기전계 발광다이오드(E)를 이룬다. 전술한 바와 같이 캐소드 전극(127)은 보조 전극패턴(119)과 전기적으로 연결된다.In addition, a cathode electrode 127 is formed in the display area A / A of the substrate 101 including the organic emission layer 125 and the bank 123. In this case, the anode 117 and the cathode 127 and the organic light emitting layer 125 interposed between the two electrodes 117 and 127 form an organic light emitting diode (E). As described above, the cathode electrode 127 is electrically connected to the auxiliary electrode pattern 119.

따라서, 유기전계 발광 다이오드(E)는 선택된 색 신호에 따라 애노드 전극 (117)과 캐소드 전극(127)으로 소정의 전압이 인가되면, 애노드 전극(117)으로부터 주입된 정공과 캐소드 전극(127)으로부터 제공된 전자가 유기발광층(125)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선 형태로 방출된다. 이때, 발광된 빛은 투명한 캐소드 전극(127)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, 유기발광 표시장치(100)는 임의의 화상을 구현하게 된다.Therefore, when a predetermined voltage is applied to the anode electrode 117 and the cathode electrode 127 according to the selected color signal, the organic light emitting diode E may be discharged from the hole and cathode electrode 127 injected from the anode electrode 117. The provided electrons are transported to the organic light emitting layer 125 to form excitons, and when these excitons transition from the excited state to the ground state, light is generated and emitted in the form of visible light. In this case, since the emitted light passes through the transparent cathode electrode 127 to the outside, the organic light emitting diode display 100 may implement an arbitrary image.

한편, 캐소드 전극(127)을 포함한 기판 전면에는 절연물질, 특히 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제1 패시베이션막 (129)이 형성되어 있다.On the other hand, a first passivation film 129 made of an insulating material, especially silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), is formed on the entire surface of the substrate including the cathode electrode 127.

또한, 제1 패시베이션막(129) 상에는 폴리머(polymer)와 같은 고분자 유기 물질로 이루어진 유기막(131)이 형성되어 있다. 이때, 유기막(131)을 구성하는 고분자 박막으로는 올레핀계 고분자(polyethylene, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 에폭시 수지(epoxy resin), 플루오르 수지(fluoro resin), 폴리실록산(polysiloxane) 등이 사용될 수 있다. In addition, an organic film 131 made of a polymer organic material such as a polymer is formed on the first passivation film 129. In this case, the polymer thin film constituting the organic layer 131 may include an olefin-based polymer (polyethylene, polypropylene), polyethylene terephthalate (PET), an epoxy resin, a fluoro resin, a polysiloxane, or the like. Can be used.

그리고, 유기막(131) 및 제1 패시베이션막(129)을 포함한 기판 전면에는 유기막(131)을 통해 수분이 침투되는 것을 차단하기 위해 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제2 패시베이션막(133)이 추가로 형성되어 있다. In addition, an insulating material, for example, an inorganic insulating material, silicon oxide (SiO 2 ) may be disposed on the front surface of the substrate including the organic layer 131 and the first passivation layer 129 to prevent moisture from penetrating through the organic layer 131. ) Or a second passivation film 133 made of silicon nitride (SiNx) is further formed.

제2 패시베이션막(133)을 포함한 기판 전면에는 상기 유기전계 발광다이오드의 인캡슐레이션을 위해 보호 필름(137)이 대향하여 위치하게 되는데, 상기 기판(101)과 보호 필름(137) 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 프릿(frit), 유기절연물질, 고분자 물질 중 어느 하나로 이루어진 점착제(135)가 공기층 없이 상기 기판(101) 및 보호 필름(Barrier film) (137)과 완전 밀착되어 개재되어 있다. 이러한 점착제(135)로는 PSA (Press Sensitive Adhesive)가 이용될 수 있다.A protective film 137 is disposed on the front surface of the substrate including the second passivation layer 133 so as to encapsulate the organic light emitting diode, and is transparent between the substrate 101 and the protective film 137. The pressure-sensitive adhesive 135 made of any one of a frit, an organic insulating material, and a polymer material having adhesive properties is interposed in close contact with the substrate 101 and the barrier film 137 without an air layer. As the adhesive 135, PSA (Press Sensitive Adhesive) may be used.

이렇게 점착제(135)에 의해 기판(101)과 보호필름 (137)이 고정되어 패널 상태를 이룸으로써 본 발명에 따른 유기발광 표시장치(100)가 구성된다. Thus, the substrate 101 and the protective film 137 are fixed by the adhesive 135 to form a panel, thereby forming the organic light emitting display device 100 according to the present invention.

도 5 는 도 4의 A 영역을 확대한 도면이다.FIG. 5 is an enlarged view of area A of FIG. 4.

도 5를 참조하면, 본 발명의 유기발광 표시장치(100)의 평탄화막(113)의 일부분은 요철 형상으로 형성되며, 이에 따라 그 상부에 형성되는 애노드 금속층으로 이루어지는 보조전극 패턴(119) 중, 평탄화막(113)의 요철형상에 대응되는 부분은 요철부(119a)로 형성된다. 또한, 이에 따라 상부에서 요철부(119a)과 접촉되는 캐소드 전극(127)도 요철부(127a)가 형성됨에 따라 일부가 돌출(h)되고, 일부가 함몰(ℓ)되는 형태를 갖는 것을 알 수 있다. Referring to FIG. 5, a portion of the planarization layer 113 of the organic light emitting display device 100 of the present invention is formed in an uneven shape, and thus, among the auxiliary electrode patterns 119 formed of an anode metal layer formed thereon, The portion corresponding to the uneven shape of the planarization film 113 is formed of the uneven portion 119a. In addition, it can be seen that the cathode electrode 127 which is in contact with the uneven portion 119a in the upper portion also has a form in which a portion protrudes (h) and a portion is recessed (ℓ) as the uneven portion 127a is formed. have.

도 6a 및 도 6b는 도 5에 도시된 부분을 평면으로 나타낸 도면으로서, 도 6a는 돌출부분(h)과 함몰부분(ℓ)이 평행하게 배열되는 스프라이트 형상으로 형성되는 일 예를 나타낸 것이며, 도 6b는 돌출부분(h)이 격자형태로 형성되는 일 예를 나타낸 것이다.6A and 6B are views of the portion shown in FIG. 5 in a plan view, and FIG. 6A illustrates an example in which a protrusion portion h and a recessed portion ℓ are formed in a sprite shape in parallel. 6b illustrates an example in which the protrusion h is formed in a lattice shape.

이에 따라, 본 발명의 유기발광 표시장치의 보조전극 패턴과 캐소드 전극은 그 접촉부분에서의 면적이 종래보다 증가되며, 따라서 접촉면에서 저항값이 최소화되는 구조를 갖게 된다. Accordingly, the area of the auxiliary electrode pattern and the cathode of the organic light emitting display device of the present invention is increased in area at the contact portion thereof, and thus the structure of the resistance value is minimized at the contact surface.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 7a 내지 7h는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.7A to 7H schematically illustrate a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention.

도 7a에 도시된 바와 같이, 먼저, 표시영역(A/A)과 그 외측을 둘러싸는 비표시영역(N/A)이 정의된 기판(101)을 준비한다. 여기서, 기판(101)은 단단한 재질의 유리기판이나, 표시장치가 종이처럼 휘어져도 표시 성능을 그대로 유지할 수 있도록 플렉서블(flexible)특성을 갖는 플라스틱 기판이 이용될 수 있다.As shown in FIG. 7A, first, a substrate 101 having a display area A / A and a non-display area N / A surrounding the outside thereof is prepared. Here, the substrate 101 may be a glass substrate made of a hard material or a plastic substrate having a flexible characteristic so that the display performance may be maintained even when the display device is bent like a paper.

다음으로, 표시영역(A/A) 내의 각 화소에 순수 폴리실리콘으로 이루어지며, 그 중앙부는 채널을 이루는 제1 영역(103a) 그리고 제1 영역(103a) 양 측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제2 영역(103b, 103c)으로 구성된 반도체층(103)을 형성한다.Next, each of the pixels in the display area A / A is made of pure polysilicon, and a central portion of the first region 103a and a first region 103a doped with a high concentration of impurities are formed on both sides of the pixel. A semiconductor layer 103 composed of two regions 103b and 103c is formed.

한편, 도시되어 있지는 않지만 전술한 반도체층(103)의 형성 이전에, 기판(101)상에 절연물질 예를 들면 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(미도시)을 형성할 수 있다. 이러한 버퍼층은 반도체층(103)의 결정화시에 기판(101)의 내부로부터 나오는 알칼리 이온의 방출에 의한 반도체층(103)의 특성 저하를 방지하는 역할을 한다. Although not shown, a buffer layer made of an insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), which is an inorganic insulating material, is formed on the substrate 101 prior to the formation of the semiconductor layer 103 described above. May be formed). The buffer layer serves to prevent deterioration of the characteristics of the semiconductor layer 103 due to the release of alkali ions coming from the inside of the substrate 101 during crystallization of the semiconductor layer 103.

다음으로, 반도체층(103)을 포함한 버퍼층 상에 게이트 절연막(105)을 형성하고, 게이트 절연막(105)상에 반도체층(103)의 제1 영역(103a)에 대응하여 게이트 전극(107)을 형성한다. Next, a gate insulating film 105 is formed on the buffer layer including the semiconductor layer 103, and the gate electrode 107 is formed on the gate insulating film 105 corresponding to the first region 103a of the semiconductor layer 103. Form.

또한, 게이트 절연막(105) 위로는 게이트 전극(107)과 연결되며 일 방향으로 연장된 게이트 배선(미도시)을 동시에 형성하며, 비표시영역(N/A)상에는 게이트 구동회로배선(107a)들 및 접지전압 전극(107b)을 동시에 형성한다. In addition, a gate line (not shown) connected to the gate electrode 107 and extending in one direction is simultaneously formed on the gate insulating layer 105, and the gate driving circuit lines 107a are disposed on the non-display area N / A. And the ground voltage electrode 107b at the same time.

이어서, 도 7b에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(107)과 게이트 구동회로배선(107a)들 및 접지전압 전극(107b)을 포함한 기판 전면에 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘 (SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 층간 절연막(109)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 7B, silicon oxide (SiO), which is an insulating material, for example, an inorganic insulating material, is formed on the entire surface of the substrate including the gate electrode 107, the gate driving circuit wirings 107a, and the ground voltage electrode 107b. 2 ) or an interlayer insulating film 109 made of silicon nitride (SiNx).

다음으로, 층간 절연막(109)과 그 하부의 게이트 절연막(105)을 선택적으로 패터닝하여, 반도체층의 제1 영역(103a) 양 측면에 위치한 제2 영역(103b, 103c) 각각을 노출시키는 반도체층 콘택홀을 형성한다. Next, the interlayer insulating film 109 and the gate insulating film 105 below are selectively patterned to expose each of the second regions 103b and 103c located on both sides of the first region 103a of the semiconductor layer. A contact hole is formed.

그리고, 도면에는 도시되어 있지 않지만, 반도체층 콘택홀을 포함하는 층간 절연막(109) 상부에 금속물질층(미도시)을 형성한다. 이때, 상기 금속물질층(미도시)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질을 이용할 수 있다.Although not illustrated, a metal material layer (not shown) is formed on the interlayer insulating layer 109 including the semiconductor layer contact hole. In this case, the metal material layer (not shown) is aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), molybdenum (MoTi), chromium (Cr), titanium (Ti) Any one or two or more materials may be used.

이어서, 상기 금속물질층을 선택적으로 패터닝하여, 상기 게이트 배선과 교차하며, 화소를 정의하는 데이터배선(미도시), 데이터 구동회로배선(미도시) 및 전원배선(미도시)등을 형성한다. Subsequently, the metal material layer is selectively patterned to intersect the gate wiring to form data wirings (not shown), data driving circuit wirings (not shown), and power supply wirings (not shown) defining pixels.

또한, 상기 데이터 배선 형성시에, 층간 절연막(109)의 상부로 상기 반도체층 콘택홀을 통해 노출된 제2 영역(103b, 103c)과 각각 접촉하며 상기 데이터 배선과 동일한 금속물질로 이루어진 소스전극(111a) 및 드레인전극(111b)을 동시에 형성한다. 이에 따라, 반도체층(103)과, 게이트 절연막(105) 및 게이트 전극(107)과, 층간 절연막(109)과, 서로 이격하며 형성된 소스전극(111a) 및 드레인전극(111b)은 하나의 박막트랜지스터(Tr)를 이루게 된다. Further, when the data line is formed, a source electrode contacting the second regions 103b and 103c exposed through the semiconductor layer contact hole to the upper portion of the interlayer insulating layer 109 and made of the same metal material as the data line ( 111a) and the drain electrode 111b are formed at the same time. Accordingly, the semiconductor layer 103, the gate insulating film 105 and the gate electrode 107, the interlayer insulating film 109, and the source electrode 111a and the drain electrode 111b formed to be spaced apart from each other are one thin film transistor. (Tr).

여기서, 박막트랜지스터(Tr)는 폴리실리콘의 반도체층(103)을 가지며, 탑 게이트 타입(Top gate type)으로 구성된 것을 일례로 나타내고 있지만, 비정질 실리콘의 반도체층을 갖는 바텀 게이트 타입 (Bottom gate type)으로 구성할 수도 있다. Here, although the thin film transistor Tr has a semiconductor layer 103 of polysilicon and is configured as a top gate type, the bottom gate type having a semiconductor layer of amorphous silicon is shown as an example. It can also be configured as.

다음으로, 도 7c에 도시된 바와 같이, 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(111b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(115a)를 갖는 평탄화막(113)을 형성한다. 이때, 평탄화막(113)으로는 절연물질, 예를 들어 산화실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 무기절연물질 중에서 어느 하나 또는 포토 아크릴(Photo-Acyl)을 포함하는 유기절연물질 중에서 어느 하나를 선택하여 사용한다. 또한, 유기발광 표시장치(100)의 특성에 따라, 외부로부터 표시영역(A/A)으로의 투습을 방지하기 위해 수분차단부(115b)를 더 형성할 수도 있다. Next, as shown in FIG. 7C, the planarization film 113 having the drain contact hole 115a exposing the drain electrode 111b of the thin film transistor Tr is formed. In this case, the planarization layer 113 may be an insulating material, for example, an inorganic insulating material including silicon oxide (SiO 2 ) and silicon nitride (SiNx), or an organic insulating material including photo-acyl. Use any one of them. In addition, according to the characteristics of the organic light emitting display device 100, a moisture blocking unit 115b may be further formed to prevent moisture permeation from the outside to the display area A / A.

특히, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법에서는, 평탄화막(113)상의 보조전극 패턴(미도시)가 형성되는 영역에 요철부(115d)을 더 형성한다. 이러한 요철부(115d)는 평면에서 보았을 때, 슬릿 또는 격자형으로 형성될 수 있다.In particular, in the manufacturing method of the organic light emitting display device according to the embodiment of the present invention, the uneven portion 115d is further formed in the region where the auxiliary electrode pattern (not shown) on the planarization film 113 is formed. These uneven parts 115d may be formed in a slit or lattice form when viewed in a plan view.

다음으로, 도 7d를 참조하면, 평탄화막(113)을 포함한 기판(101) 전면에 금속 물질층(미도시)을 증착한 후 이 금속 물질층을 선택적으로 패터닝하여, 평탄화막(113)의 상부로 드레인 콘택홀을 통해 박막트랜지스터의 드레인 전극(111b)과 접촉되며, 화소별로 분리된 형태를 가지는 애노드 전극(117)을 형성한다. Next, referring to FIG. 7D, after depositing a metal material layer (not shown) on the entire surface of the substrate 101 including the planarization film 113, the metal material layer is selectively patterned to form an upper portion of the planarization film 113. The anode electrode 117 is formed to be in contact with the drain electrode 111b of the thin film transistor through a row drain contact hole and have a shape separated for each pixel.

이와 동시에, 상기 금속 물질층을 이용하여 표시영역(A/A) 및 비표시영역(N/A)에 걸쳐 보조전극 패턴(119)를 형성한다. 여기서, 보조전극 패턴(119)은 평탄화막(113)의 상부로 후속 공정에서 형성되는 캐소드 전극(미도시)의 저항값을 낮추기 위한 것으로, 평탄화막(113)에 형성된 요철부(115d)에 의해 보조전극 패턴(119)의 일부분도 요철부(119a)를 갖게 된다. At the same time, the auxiliary electrode pattern 119 is formed over the display area A / A and the non-display area N / A by using the metal material layer. Here, the auxiliary electrode pattern 119 is to lower the resistance value of the cathode electrode (not shown) formed on the planarization film 113 in a subsequent process, and is formed by the uneven portion 115d formed in the planarization film 113. A part of the auxiliary electrode pattern 119 also has an uneven portion 119a.

이때, 상기 금속물질층(미도시)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로서 형성할 수 있다.In this case, the metal material layer (not shown) is aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), molybdenum (MoTi), chromium (Cr), titanium (Ti) It can be formed as any one or two or more materials.

이어서, 도 7e에 도시된 바와 같이, 애노드 전극(117) 상부로는 화소의 경계 및 비표시영역(NA)상에 절연물질로 이루어진 뱅크(123)를 형성한다. 이때, 뱅크(123)는 화소를 둘러싸는 형태로 애노드 전극(117)의 테두리와 중첩되도록 형성하되, 표시영역(A/A) 전체적으로는 다수의 개구부를 갖는 격자 형태를 이루도록 한다. 또한, 뱅크(123)는 패널 외곽부인 비표시영역 (N/A)에도 형성한다. Subsequently, as illustrated in FIG. 7E, a bank 123 formed of an insulating material is formed on the anode electrode 117 on the pixel boundary and the non-display area NA. In this case, the bank 123 is formed to overlap the edge of the anode electrode 117 in a form of enclosing the pixel, and to form a lattice having a plurality of openings as a whole of the display area A / A. In addition, the bank 123 is also formed in the non-display area N / A, which is an outer portion of the panel.

다음으로, 도 7f에 도시된 바와 같이 뱅크(123)로 둘러싸인 화소내의 애노드 전극(117)의 상부로는 각각 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기발광 패턴(미도시)으로 구성된 유기 발광층(125)을 형성한다. 유기 발광층(125)은 유기 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 또는 도시되어 있지는 않지만 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광 물질층(emitting material layer), 전자 수송층 (electron transporting layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성할 수 도 있다.Next, as shown in FIG. 7F, the organic light emitting layer 125 including an organic light emitting pattern (not shown) that emits red, green, and blue light is respectively formed on the upper portion of the anode electrode 117 in the pixel surrounded by the bank 123. To form. The organic light emitting layer 125 may be composed of a single layer made of an organic light emitting material or, although not shown, in order to increase the light emitting efficiency, a hole injection layer, a hole transporting layer, and a light emitting material layer ( It may be composed of multiple layers of an emitting material layer, an electron transporting layer, and an electron injection layer.

이어서, 유기 발광층(125)과 뱅크(123)를 포함한 기판 전면에, 예를 들어 ITO 또는 IZO 등을 포함한 투명 도전 물질 중에서 어느 하나로 이루어진 투명 도전물질층(미도시)을 증착한 후, 이를 선택적으로 패터닝하여 유기 발광층(125)과 뱅크 (123)를 포함한 기판의 표시영역(A/A)에 캐소드 전극(127)을 형성한다. 이에 따라, 애노드 전극(117)과 캐소드 전극(127) 및 그 두 전극(117, 127) 사이에 개재된 유기 발광층(125)은 유기전계 발광다이오드를 이루게 된다. 여기서, 캐소드 전극(127)은 보조 전극패턴(119)과 접촉된다. 이때, 캐소드 전극(127) 또한 보조 전극패턴(119)과 접촉되는 부분이 요철부(127a)를 갖게 된다. Subsequently, a transparent conductive material layer (not shown) made of any one of transparent conductive materials including, for example, ITO or IZO is deposited on the entire surface of the substrate including the organic light emitting layer 125 and the bank 123, and then selectively By patterning, the cathode electrode 127 is formed in the display area A / A of the substrate including the organic emission layer 125 and the bank 123. Accordingly, the anode 117, the cathode 127, and the organic light emitting layer 125 interposed between the two electrodes 117 and 127 form an organic light emitting diode. Here, the cathode electrode 127 is in contact with the auxiliary electrode pattern 119. In this case, the portion of the cathode electrode 127 that is in contact with the auxiliary electrode pattern 119 may have the uneven portion 127a.

따라서, 캐소드 전극(127)과 보조전극패턴(119)이 접촉되는 부분에서 면적이 종래대비 증가되어 저항값이 낮아지게 된다. Therefore, the area at the portion where the cathode electrode 127 and the auxiliary electrode pattern 119 are in contact with each other increases, resulting in a lower resistance value.

다음으로, 도 7g에 도시된 바와 같이, 캐소드 전극(127)을 포함한 기판 전면에는 절연물질, 특히 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제1 패시베이션막(129)을 형성한다. Next, as illustrated in FIG. 7G, the first passivation layer 129 made of an insulating material, particularly, an inorganic insulating material, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), may be formed on the entire surface of the substrate including the cathode electrode 127. To form.

이어서, 도 7h에 도시된 바와 같이, 제1 패시베이션막(129)상에 폴리머(polymer)와 같은 고분자 유기 물질로 이루어진 유기막(131)을 형성한다. 이때, 유기막(131)을 구성하는 고분자 박막으로는 올레핀계 고분자 (polyethylene, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 에폭시 수지 (epoxy resin), 플루오르 수지(fluoro resin), 폴리실록산(polysiloxane)등이 사용될 수 있다. Subsequently, as shown in FIG. 7H, an organic film 131 made of a polymer organic material such as a polymer is formed on the first passivation film 129. In this case, the polymer thin film constituting the organic layer 131 may include an olefin polymer (polyethylene, polypropylene), polyethylene terephthalate (PET), an epoxy resin, a fluoro resin, a polysiloxane, or the like. Can be used.

다음으로, 유기막(131) 및 제1 패시베이션막(129)을 포함한 기판(101) 전면에 유기막(131)을 통해 수분이 침투되는 것을 차단하기 위해 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제2 패시베이션막(133)을 추가로 형성한다. Next, in order to block moisture from penetrating through the organic layer 131 on the entire surface of the substrate 101 including the organic layer 131 and the first passivation layer 129, an insulating material, for example, an oxide that is an inorganic insulating material. A second passivation film 133 made of silicon (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) is further formed.

이어서, 제2 패시베이션막(133)을 포함한 기판 전면에 상기 유기발광 다이오드의 인캡슐레이션을 위해 보호 필름(137)을 대향하여 위치시키며, 기판(101)과 보호 필름(137) 사이에 투명하며 접착 특성을 갖는 프릿(frit), 유기절연물질, 고분자 물질 중 어느 하나로 이루어진 점착제(135)를 개재한다. 여기서 점착제(135)는 공기층 없이 기판(101) 및 보호 필름(137)이 완전 밀착되도록 구성한다. 이러한 점착제(135)로는 PSA(Press Sensitive Adhesive)가 이용될 수 있다. Subsequently, the protective film 137 is disposed to face the front surface of the substrate including the second passivation layer 133 for encapsulation of the organic light emitting diode, and is transparent and adhered between the substrate 101 and the protective film 137. The adhesive 135 is formed of any one of a frit, an organic insulating material, and a polymer material having characteristics. The adhesive 135 is configured such that the substrate 101 and the protective film 137 are completely in contact with each other without the air layer. As the adhesive 135, a PSA (Press Sensitive Adhesive) may be used.

이렇게 점착제(135)에 의해 기판(101)과 보호필름(137)이 고정되어 하나의 패널을 형성함으로서 본 발명에 따른 유기발광 표시장치(100)의 제조공정을 완료하게 된다. As such, the substrate 101 and the protective film 137 are fixed by the adhesive 135 to form one panel, thereby completing the manufacturing process of the organic light emitting display device 100 according to the present invention.

따라서, 본 발명의 유기발광 표시장치는, 애노드 전극과 동일한 금속으로 형성되고, 접지전압 전극과 전기적으로 연결되는 보조전극 패턴과 캐소드 전극을 서로 요철형태로 형성함으로서 접촉면적을 증가시켜 저항을 낮춤에 따라 신호지연에 따른 문제점을 개선하고, 유기발광 표시장치의 구동 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. Therefore, the organic light emitting display device of the present invention is formed of the same metal as the anode electrode, and by forming the auxiliary electrode pattern and the cathode electrode which are electrically connected to the ground voltage electrode to each other in an uneven form to increase the contact area to lower the resistance Accordingly, there is an advantage of improving the problems caused by signal delay and improving the driving reliability of the organic light emitting display device.

전술한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서, 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.Many details are set forth in the foregoing description but should be construed as illustrative of preferred embodiments rather than to limit the scope of the invention. Therefore, the invention should not be defined by the described embodiments, but should be defined by the claims and their equivalents.

101: 기판 103: 반도체층
105: 게이트 절연막 107: 게이트 전극
107b : 접지전압 전극 109: 층간 절연막
111a: 소스 전극 111b: 드레인 전극
113: 평탄화 막 117: 애노드 전극
119 : 보조전극패턴 119a : (보조전극 패턴)요철부
123: 뱅크 125: 유기 발광층
127: 캐소드 전극 127 : (캐소드전극)요철부
129: 제1 패시베이션막 131: 유기막
133: 제2 패시베이션막 135: 점착제
137: 보호필름101: substrate 103: semiconductor layer
105: gate insulating film 107: gate electrode
107b: ground voltage electrode 109: interlayer insulating film
111a: source electrode 111b: drain electrode
113: planarization film 117: anode electrode
119: auxiliary electrode pattern 119a: (auxiliary electrode pattern) irregularities
123: bank 125: organic light emitting layer
127: cathode electrode 127: (cathode electrode) irregularities
129: first passivation film 131: organic film
133: second passivation film 135: pressure-sensitive adhesive
137: protective film

Claims (10)

다수의 화소를 포함하는 표시영역 및 상기 표시영역을 외측으로 둘러싸는 비표시영역이 정의된 기판;
상기 기판상의 상기 화소에 배치된 하나 이상의 박막트랜지스터;
상기 비표시 영역에서 함몰부를 포함하는 요철 패턴을 갖도록 배치되는 평탄화막;
상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결된 애노드 전극;
상기 애노드 전극과 동일물질로 상기 비표시영역상에 배치되고, 상기 요철 패턴과 대응하는 요철부를 갖는 보조전극 패턴;
상기 애노드 전극 및 보조전극패턴을 포함한 상기 기판의 각 화소영역 주위 및 비표시영역에 배치된 뱅크;
상기 애노드 전극 위로 각 화소영역 별로 분리 배치된 유기 발광층;
상기 유기 발광층을 포함한 기판 전면에 배치되고, 상기 보조전극 패턴과 상기 요철부에서 접촉되는 캐소드 전극;
상기 캐소드 전극을 포함한 기판 전면에 배치된 제1 패시베이션막;
상기 제1 패시베이션막 상에 배치된 유기막;
상기 유기막 및 제1 패시베이션막 상에 배치된 제2 패시베이션막;
상기 기판과 마주하며 위치한 보호필름; 및
상기 기판과 보호필름 사이에 개재되는 점착제를 포함하며,
상기 함몰부 내에는 상기 캐소드 전극 및 상기 보조 전극 패턴이 배치되며,
상기 함몰부의 깊이는 상기 캐소드 전극 및 상기 보조 전극 패턴의 두께의 합보다 깊은 플렉서블 유기 발광 표시 장치.A display area including a display area including a plurality of pixels and a non-display area surrounding the display area outside;
One or more thin film transistors disposed in the pixel on the substrate;
A planarization layer disposed to have an uneven pattern including a depression in the non-display area;
An anode electrode connected to the drain electrode of the thin film transistor;
An auxiliary electrode pattern disposed on the non-display area of the same material as the anode electrode and having an uneven portion corresponding to the uneven pattern;
A bank disposed around the pixel area and the non-display area of the substrate including the anode electrode and the auxiliary electrode pattern;
An organic emission layer disposed on each of the pixel areas above the anode electrode;
A cathode electrode disposed on a front surface of the substrate including the organic emission layer and in contact with the auxiliary electrode pattern and the uneven portion;
A first passivation film disposed on an entire surface of the substrate including the cathode electrode;
An organic film disposed on the first passivation film;
A second passivation film disposed on the organic film and the first passivation film;
A protective film facing the substrate; And
It includes an adhesive interposed between the substrate and the protective film,
The cathode electrode and the auxiliary electrode pattern are disposed in the depression,
The flexible organic light emitting diode display device has a depth greater than the sum of the thickness of the cathode electrode and the auxiliary electrode pattern. 제 1 항에 있어서,
상기 보조전극 패턴은,
상기 비표시영역까지 연장되어 상기 박막트랜지스터의 게이트 전극과 동일물질로 이루어지는 접지전압전극에 접촉되는 플렉서블 유기발광 표시장치.The method of claim 1,
The auxiliary electrode pattern,
A flexible organic light emitting display device which extends to the non-display area and contacts a ground voltage electrode made of the same material as the gate electrode of the thin film transistor. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 요철부는, 평면에서 보았을 때 슬릿형태 또는 격자형태인 플렉서블 유기발광 표시장치.The method of claim 1,
The uneven part may have a slit shape or a lattice shape when viewed in plan view. 다수의 화소를 포함하는 표시영역 및 상기 표시영역을 외측으로 둘러싸는 비표시영역이 정의된 기판을 준비하는 단계;
상기 기판상의 상기 화소에 하나이상의 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 비표시 영역에서 함몰부를 포함하는 요철 패턴을 갖는 평탄화막을 형성하는 단계;
상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 애노드 전극을 형성하는 단계;
상기 비표시영역상에 상기 요철 패턴과 대응되는 요철부를 갖는 보조전극 패턴을 상기 애노드 전극과 동일물질로 형성하는 단계;
상기 애노드 전극 및 보조전극패턴을 포함한 상기 기판의 각 화소영역 주위 및 비표시영역에 뱅크를 형성하는 단계;
상기 애노드 전극 위로 각 화소영역 별로 유기 발광층을 분리 형성하는 단계;
상기 유기 발광층을 포함한 기판 전면에 상기 보조전극 패턴과 상기 요철부에서 접촉되는 캐소드 전극을 형성하는 단계;
상기 캐소드 전극을 포함한 기판 전면에 제1 패시베이션막을 형성하는 단계;
상기 제1 패시베이션막 상에 유기막을 형성하는 단계;
상기 유기막 및 제1 패시베이션막 상에 제2 패시베이션막을 형성하는 단계; 및
상기 기판과 마주하도록 점착제를 이용하여 보호필름을 부착하는 단계를 포함하며,
상기 함몰부 내에는 상기 캐소드 전극 및 상기 보조 전극 패턴이 배치되며,
상기 함몰부의 깊이는 상기 캐소드 전극 및 상기 보조 전극 패턴의 두께의 합보다 깊은 플렉서블 유기 발광 표시 장치의 제조방법.Preparing a substrate in which a display area including a plurality of pixels and a non-display area surrounding the display area are defined;
Forming at least one thin film transistor on the pixel on the substrate;
Forming a planarization film having a concave-convex pattern including a depression in the non-display area;
Forming an anode electrode connected to the drain electrode of the thin film transistor;
Forming an auxiliary electrode pattern having an uneven portion corresponding to the uneven pattern on the non-display area, using the same material as the anode electrode;
Forming a bank around each pixel region and non-display region of the substrate including the anode electrode and the auxiliary electrode pattern;
Separating and forming an organic light emitting layer on each of the pixel regions over the anode electrode;
Forming a cathode electrode contacting the auxiliary electrode pattern and the uneven portion on the entire surface of the substrate including the organic emission layer;
Forming a first passivation film on the entire surface of the substrate including the cathode electrode;
Forming an organic film on the first passivation film;
Forming a second passivation film on the organic film and the first passivation film; And
Attaching a protective film using an adhesive to face the substrate,
The cathode electrode and the auxiliary electrode pattern are disposed in the depression,
And a depth of the depression is greater than a sum of thicknesses of the cathode electrode and the auxiliary electrode pattern. 제 5 항에 있어서,
상기 보조전극 패턴을 형성하는 단계는,
상기 보조전극 패턴을 상기 박막트랜지스터의 게이트 전극과 동일물질로 이루어지는 접지전압전극에 접촉되도록 상기 비표시영역까지 연장하여 형성하는 단계를 포함하는 플렉서블 유기발광 표시장치의 제조방법.The method of claim 5,
Forming the auxiliary electrode pattern,
And extending the auxiliary electrode pattern to the non-display area so as to contact the ground voltage electrode made of the same material as the gate electrode of the thin film transistor. 삭제delete 제 5 항에 있어서,
상기 요철부는, 평면에서 보았을 때 슬릿형태 또는 격자형태인 플렉서블 유기발광 표시장치의 제조방법.The method of claim 5,
The uneven portion of the flexible organic light emitting display device of the slit or lattice form when viewed in plan view. 제 1 항에 있어서,
상기 비표시 영역에 배치되는 상기 평탄화막을 관통하는 수분 차단부를 더 구비하는 플렉서블 유기 발광 표시 장치.The method of claim 1,
And a moisture blocking unit penetrating the planarization layer disposed in the non-display area. 삭제delete
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