KR20160076836A - Transparent gas barrier film and method for manufacturing transparent gas barrier film - Google Patents

Transparent gas barrier film and method for manufacturing transparent gas barrier film Download PDF

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KR20160076836A
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Abstract

Disclosed are a transparent gas blocking film, and a method for manufacturing the same. According to an aspect of the present invention, the transparent gas blocking film comprises: a base substrate; a first stress relieving layer composed of an organic film, and relieving stresses, wherein the first stress relieving layer is positioned on an upper part of the base substrate; a main barrier layer composed of an organic film, and relieving stresses, wherein the main barrier layer is positioned on an upper part of the first stress relieving layer; and a second stress relieving layer composed of an organic film, and relieving stresses, wherein the second stress relieving layer is positioned on an upper part of the main barrier layer. The transparent gas blocking film has excellent characteristics of preventing permeation of moisture, and can reduce possibility of generating cracks.

Description

투명 가스 배리어성 필름 및 이를 제조하는 방법{TRANSPARENT GAS BARRIER FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING TRANSPARENT GAS BARRIER FILM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a transparent gas barrier film and a method of manufacturing the same. BACKGROUND ART < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 가스 배리어성 필름 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 투명 가스 배리어성 필름 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a gas barrier film and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a transparent gas barrier film and a method of manufacturing the same.

다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상표시장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판표시장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기전계발광 표시장치(OLED) 등이 각광받고 있다. 상기 유기전계발광 표시장치는 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자로 종이와 같이 박막화가 가능하다는 장점이 있다. The image display device that realizes various information on the screen is a core technology of the information communication age and it is becoming thinner, lighter, more portable and higher performance. An organic light emitting display (OLED) for displaying an image by controlling the amount of light emitted from the organic light emitting layer by using a flat panel display capable of reducing weight and volume, which is a disadvantage of a cathode ray tube (CRT) The organic light emitting display device is a self-luminous device using a thin light emitting layer between electrodes, and has an advantage that it can be made as thin as paper.

일반적인 유기전계발광 표시장치는 기판에 서브화소 구동부 어레이와 유기전계발광 어레이가 형성된 구조로, 유기전계발광 어레이의 유기발광소자에서 방출된 빛이 기판 또는 배리어층을 통과하면서 화상을 표시하게 된다.A general organic light emitting display has a structure in which a sub-pixel driver array and an organic electroluminescent array are formed on a substrate, and light emitted from the organic electroluminescent array of the organic electroluminescent array passes through the substrate or the barrier layer to display an image.

유기발광소자는 산소에 의한 전극 및 발광층의 열화, 발광층-계면간의 반응에 의한 열화 등 내적 요인에 의한 열화가 있는 동시에 외부의 수분, 산소, 자외선 및 소자의 제작 조건 등 외적 요인에 의해 쉽게 열화가 일어나는 단점이 있다. 특히 외부의 산소와 수분은 소자의 수명에 치명적인 영향을 주므로 유기전계발광 표시장치에 있어, 상기 산소와 수분의 침투를 방지하는 것은 매우 중요하다.The organic light emitting device has deterioration due to internal factors such as deterioration of the electrode and the light emitting layer caused by oxygen, deterioration due to reaction between the light emitting layer and the interface, and deterioration easily due to external factors such as moisture, oxygen, ultraviolet rays, There are disadvantages that occur. In particular, it is very important to prevent penetration of oxygen and moisture in the organic electroluminescent display device because external oxygen and moisture have a critical effect on the lifetime of the device.

종래에는 수분 침투 방지를 위한 배리어성 필름을 형성함에 있어서, 무기박막을 단일로 형성하거나 멀티 레이어로 형성하여 사용하였다. 하지만, 이러한 구조는 플렉서블 디스플레이 구조에서 무기박막의 두께를 증가시키고 이에 따라 응력이 증가하여 크랙이 발생하는 문제점이 있다. 또한, 상기 크랙이 발생함에 따라 배리어성 필름의 수분 투과 방지 특성이 저하되는 문제점이 발생한다.Conventionally, in forming a barrier film for moisture permeation prevention, an inorganic thin film is formed as a single layer or formed into a multilayer. However, such a structure increases the thickness of the inorganic thin film in the flexible display structure, and accordingly, there is a problem that cracks are generated due to an increase in stress. In addition, as the cracks are generated, the water-barrier property of the barrier film is deteriorated.

한국등록특허 제10-1389222호(2014.04.24 공고)Korean Patent No. 10-1389222 (published on Apr. 24, 2014)

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 무기막의 양면에 유기막을 샌드위치 구조로 형성하여 응력을 낮춤으로써, 크랙 발생 가능성을 줄임과 동시에 수분투과방지 특성이 우수한 투명 가스 배리어성 필름 및 이를 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and an object of the present invention is to provide a transparent gas barrier film and a transparent gas barrier film, And a method for manufacturing the same.

본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있으며, 본 발명의 실시 예에 의해 보다 분명하게 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허청구범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.Other objects and advantages of the present invention will become apparent from the following description, and it will be understood by those skilled in the art that the present invention is not limited thereto. It will also be readily apparent that the objects and advantages of the invention may be realized and attained by means of the instrumentalities and combinations particularly pointed out in the appended claims.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 투명 가스 배리어성 필름은, 베이스 기재; 상기 베이스 기재의 상부에 위치하여 응력을 완화하는 역할을 하는 유기막으로 이루어진 제 1 응력 완화층; 상기 제 1 응력 완화층의 상부에 위치하여 주 배리어층 역할을 하는 무기막으로 이루어진 메인 배리어층; 및 상기 메인 배리어층의 상부에 위치하여 응력을 완화하는 역할을 하는 유기막으로 이루어진 제 2 응력 완화층;을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a transparent gas barrier film comprising: a base substrate; A first stress relieving layer made of an organic film positioned above the base substrate and serving to relieve stress; A main barrier layer formed on the first stress relieving layer and made of an inorganic film serving as a main barrier layer; And a second stress relieving layer made of an organic layer positioned above the main barrier layer and serving to relieve stress.

상기 제 2 응력 완화층의 상부에는 무기층, 유기층 순으로 쌍을 이루어는 층이 1층 이상 더 포함할 수 있다.The upper portion of the second stress relieving layer may further include one or more layers of an inorganic layer and a pair of organic layers in this order.

상기 메인 배리어층은 SiOx, SiNx, SiOxNy, AlxOy, AlxNy, NiOx, CoOx, MgO 중 어느 하나 이상의 무기막으로 이루어지며, 상기 응력 완화층은 SiOxCyHz의 유기막일 수 있다.The main barrier layer may be made of at least one inorganic film selected from the group consisting of SiOx, SiNx, SiOxNy, AlxOy, AlxNy, NiOx, CoOx and MgO, and the stress relieving layer may be an organic film of SiOxCyHz.

상기 메인 배리어층의 밀도는 8.1X1017atmos/㎝2 이상이고, 상기 응력은 30Mpa 이하일 수 있다.The density of the main barrier layer may be 8.1 x 10 17 atmos / cm 2 or more, and the stress may be 30 MPa or less.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 투명 가스 배리어성 필름의 제조 방법은, 베이스 기재의 상부에 응력을 완화하는 유기막으로 이루어진 제 1 응력 완화층을 형성하는 단계; 상기 제 1 응력 완화층의 상부에 주 배리어층 역할을 하는 무기막으로 이루어진 메인 배리어층을 형성하는 단계; 및 상기 메인 배리어층의 상부에 응력을 완화하는 유기막으로 이루어진 제 2 응력 완화층을 형성하는 단계;를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for fabricating a transparent gas barrier film, including: forming a first stress relieving layer made of an organic film for relieving stress on a base substrate; Forming a main barrier layer made of an inorganic film serving as a main barrier layer on the first stress relaxation layer; And forming a second stress relieving layer made of an organic film for relieving stress on the main barrier layer.

상기 메인 배리어층은 SiOx, SiNx, SiOxNy, AlxOy, AlxNy, NiOx, CoOx, MgO 중 어느 하나 이상의 무기막으로 이루어지며, 상기 제 1 응력 완화층 및 상기 제 2 응력 완화층은 SiOxCyHz의 유기막일 수 있다.Wherein the main barrier layer is made of at least one inorganic film selected from the group consisting of SiOx, SiNx, SiOxNy, AlxOy, AlxNy, NiOx, CoOx and MgO, and the first stress relieving layer and the second stress relieving layer may be SiOxCyHz organic films .

상기 메인 배리어층의 밀도는 8.1X1017atmos/㎝2 이상이고, 상기 응력은 30Mpa 이하일 수 있다.The density of the main barrier layer may be 8.1 x 10 17 atmos / cm 2 or more, and the stress may be 30 MPa or less.

본 발명의 일 측면에 따르면, 무기막의 양면에 유기막을 샌드위치 구조로 형성하여 수분 침투 방지 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, an organic film is formed on both surfaces of an inorganic film in a sandwich structure, thereby improving moisture permeation prevention characteristics.

또한, 베이스 기재 상에 유기막과 무기막의 증착을 한 챔버내에서 수행하여 비용을 절감할 수 있다.Further, it is possible to reduce the cost by performing the deposition in the chamber in which the organic film and the inorganic film are deposited on the base substrate.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 것이며, 후술되는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 가스 배리어성 필름의 적층 구성을 나타낸 도면,
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 가스 배리어성 필름을 제조하는 방법에 대한 흐름도,
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 가스 배리어성 필름의 실험 결과를 나타낸 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are incorporated in and constitute a part of the specification, illustrate preferred embodiments of the invention and, together with the description of the invention given below, serve to further the understanding of the technical idea of the invention. And should not be construed as limiting.
1 is a view showing a lamination structure of a transparent gas barrier film according to an embodiment of the present invention,
2 is a flow chart of a method for producing a transparent gas barrier film according to an embodiment of the present invention,
3 is a graph showing experimental results of a transparent gas barrier film according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시 예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms and words used in the present specification and claims are to be construed in accordance with the technical idea of the present invention based on the principle that the concept of a term can be properly defined in order to describe its own invention in the best way It must be interpreted as meaning and concept. Therefore, the embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings are merely the most preferred embodiments of the present invention and do not represent all the technical ideas of the present invention. Therefore, It is to be understood that equivalents and modifications are possible.

또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 가스 배리어성 필름의 적층 구성을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a lamination structure of a transparent gas barrier film according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시 예에 따른 투명 가스 배리어성 필름은 베이스 기재(100), 메인 배리어층(300) 및 응력 완화층(200)(400)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the transparent gas barrier film according to the present embodiment may include a base substrate 100, a main barrier layer 300, and a stress relieving layer 200 (400).

베이스 기재(100)는 고분자 플라스틱 필름일 수 있으며, 바람직하게 PET(polyethylene terephthalate), COP(Cyclo Olefin Polymer), PC(polycarbonate) 등 일 수 있다. 하지만, 상기 베이스 기재(100)는 이에 한하지 않으며, OLED 봉지제, OPV 봉지제 등을 제조할 수 있으면 관계없다. 일반적으로, 상기 베이스 기재(100)는 50~200㎛ 두께로 형성될 수 있다.The base substrate 100 may be a polymer plastic film, and may preferably be PET (polyethylene terephthalate), COP (Cyclo Olefin Polymer), PC (polycarbonate), or the like. However, the base substrate 100 is not limited thereto, and it is not necessary to be able to manufacture an OLED encapsulant, an OPV encapsulant, or the like. Generally, the base substrate 100 may have a thickness of 50 to 200 탆.

메인 배리어층(300)은 상기 베이스 기재(100)의 상부에 형성되어 주 배리어층 역할을 할 수 있으며, 후술할 제 1 응력 완화층(200) 및 제 2 응력 완화층(400)의 사이에 샌드위치 구조로 형성될 수 있다.The main barrier layer 300 may be formed on the base substrate 100 to serve as a main barrier layer and may be sandwiched between the first stress relieving layer 200 and the second stress relieving layer 400, Structure.

상기 메인 배리어층(300)은 상기 제 1 응력 완화층(200) 및 제 2 응력 완화층(400) 사이에 샌드위치 구조로 형성함으로써, 응력(stress)을 낮춰 크랙 발생 가능성을 줄임과 동시에 수분 투과 방지 특성을 보다 우수하게 할 수 있다.The main barrier layer 300 is sandwiched between the first stress relieving layer 200 and the second stress relieving layer 400 to reduce the stress and reduce the possibility of cracking, The characteristics can be made more excellent.

이때, 상기 메인 배리어층(300)은 무기막일 수 있으며, 바람직하게 SiOx, SiNx, SiOxNy, AlxOy, AlxNy, NiOx, CoOx, MgO 중 어느 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다.At this time, the main barrier layer 300 may be an inorganic film, and may be formed of at least one of SiOx, SiNx, SiOxNy, AlxOy, AlxNy, NiOx, CoOx, and MgO.

상기 메인 배리어층(300)은 후술할 제 1 응력 완화층(200)이 형성된 상부에 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)을 이용하여 형성될 수 있다. 이때, 상기 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)은 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 화학기상증착법 또는 ICP(Inductively Coupled Plasma) 화학기상 증착법 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 상기 메인 배리어층(300)은 스퍼터링 공정과 같은 진공증착법을 통해 형성될 수도 있다.The main barrier layer 300 may be formed on the upper portion of the first stress relieving layer 200, which will be described later, by using a chemical vapor deposition (CVD) method. In this case, the chemical vapor deposition (CVD) may be any one of CCP (Capacitively Coupled Plasma) chemical vapor deposition and ICP (Inductively Coupled Plasma) chemical vapor deposition. Also, the main barrier layer 300 may be formed by a vacuum deposition method such as a sputtering process.

상기 메인 배리어층(300)은 밀도가 낮을 경우 내부 기공이 많아져 수분 투과 방지 특성이 나빠진다. 따라서, 상기 메인 배리어층(300)의 밀도는 8.1X1017atmos/㎝2 이상인 것이 바람직하다.When the density of the main barrier layer 300 is low, the inner pores become large and the moisture permeation preventing property is deteriorated. Therefore, the density of the main barrier layer 300 is preferably 8.1 × 10 17 atmos / cm 2 or more.

응력 완화층(200)(400)은 상기 메인 배리어층(300)의 양면에 형성할 수 있으며, 본 실시 예에서는 상기 베이스 기재(100)와 메인 배리어층(300)의 사이에 형성되는 응력 완화층을 제 1 응력 완화층(200), 상기 메인 배리어층(300)의 상부에 형성되는 응력 완화층을 제 2 응력 완화층(400)으로 설명하기로 한다.The stress relieving layer 200 and 400 may be formed on both sides of the main barrier layer 300. In this embodiment, the stress relieving layer 200 and the stress relieving layer 400 are formed between the base substrate 100 and the main barrier layer 300, The stress relieving layer formed on the first barrier layer 300 and the stress relieving layer formed on the main barrier layer 300 will be described as the second stress relieving layer 400. [

상기 응력 완화층(200)(400)은 배리어층 역할을 함과 동시에 응력을 완화 시켜 크랙이 발생을 방지하여 수분 침투를 방지할 수 있다. 또한, 상기 응력 완화층(200)(400)은 필름의 플렉서블을 증가시키며, 필름의 표면을 평탄하게 하는 역할을 할 수 있다.The stress relieving layer (200) (400) serves as a barrier layer and alleviates stress, thereby preventing cracks from occurring and preventing moisture infiltration. In addition, the stress relieving layer 200 (400) increases the flexibility of the film and can smooth the surface of the film.

이때, 상기 응력 완화층(200)(400)은 유기막일 수 있으며, 바람직하게 SiOxCyHz일 수 있다.At this time, the stress relieving layer 200 (400) may be an organic film, preferably SiOxCyHz.

상기 응력 완화층(200)(400)은 베이스 기재(100)의 상부 및 메인 배리어층(300)의 상부에 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)을 이용하여 형성될 수 있다. 보다 자세하게, 제 1 응력 완화층(200)은 상기 베이스 기재(100)의 상부에 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)을 이용하여 형성할 수 있으며, 제 2 응력 완화층(400)은 상기 메인 배리어층(300)의 상부에 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)을 이용하여 형성할 수 있다.The stress relieving layer 200 may be formed on the upper portion of the base substrate 100 and the upper portion of the main barrier layer 300 using chemical vapor deposition (CVD). More specifically, the first stress relieving layer 200 may be formed on the base substrate 100 by using chemical vapor deposition (CVD), and the second stress relieving layer 400 may be formed on the main substrate 100, May be formed on the barrier layer 300 by using a chemical vapor deposition (CVD) method.

이때, 상기 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)은 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 화학기상증착법 또는 ICP(Inductively Coupled Plasma) 화학기상증착법 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 상기 제 1 응력 완화층(200) 및 제 2 응력 완화층(400)은 스퍼터링 공정과 같은 진공증착법을 통해 형성될 수도 있다. 또한, 상기 샌드위치 구조로 형성된 응력 완화층(200)(400) 및 메인 배리어층(300)은 응력이 높을 경우 내부 크랙이 발생하여 수분 투과 방지 특성이 나빠진다. 따라서, 상기 샌드위치 구조로 형성된 응력 완화층(200)(400) 및 메인 배리어층(300)의 응력은 30Mpa 이하인 것이 바람직하다. 한편, 본 실시 예에서는 베이스 기재(100) 상에 무기막을 사이에 두고 유기막이 샌드위치 구조로 형성되며, 상기 샌드위치 구조는 한개인 것으로 설명한다. 하지만, 이에 한하지 않으며, 상기 샌드위치 구조는 두개 이상 다층으로 형성할 수 있다.In this case, the chemical vapor deposition (CVD) may be any one of CCP (Capacitively Coupled Plasma) chemical vapor deposition and ICP (Inductively Coupled Plasma) chemical vapor deposition. In addition, the first stress relieving layer 200 and the second stress relieving layer 400 may be formed through a vacuum deposition method such as a sputtering process. In addition, the stress relieving layer (200) (400) and the main barrier layer (300) formed of the sandwich structure have an internal crack when the stress is high, thereby deteriorating the moisture permeation preventing property. Therefore, the stress of the stress relieving layer 200 and the main barrier layer 300 formed in the sandwich structure is preferably 30 MPa or less. On the other hand, in the present embodiment, it is explained that the organic film is formed in a sandwich structure on the base substrate 100 with the inorganic film therebetween, and the sandwich structure is one. However, the present invention is not limited thereto, and the sandwich structure may be formed of two or more layers.

상술한 투명 배리어성 필름을 형성하는 각 층은 베이스 기재(100)의 상부에 유기막, 무기막, 유기막을 한 챔버 내에서 연속적인 공정을 통해 형성하므로 공정 비용을 절감할 수 있다.Each of the layers forming the above-mentioned transparent barrier film can be formed by a continuous process in one chamber of the organic film, the inorganic film, and the organic film on the base substrate 100, thereby reducing the processing cost.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 가스 배리어성 필름을 제조하는 방법에 대한 흐름도이다.2 is a flow chart of a method for producing a transparent gas barrier film according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 우선 준비된 베이스 기재(100)의 상부에 제 1 응력 완화층(200)을 형성한다. 이때, 베이스 기재(100)는 고분자 플라스틱 필름일 수 있으며, 바람직하게 PET(polyethylene terephthalate), COP(Cyclo Olefin Polymer), PC(polycarbonate) 등 일 수 있다.Referring to FIG. 2, first stress relieving layer 200 is formed on top of prepared base substrate 100. In this case, the base substrate 100 may be a polymer plastic film, preferably PET (polyethylene terephthalate), COP (Cyclo Olefin Polymer), PC (polycarbonate), or the like.

일반적으로, 상기 베이스 기재(100)는 50~200㎛ 두께로 형성될 수 있다.Generally, the base substrate 100 may have a thickness of 50 to 200 탆.

상기 제 1 응력 완화층(200)은 상기 베이스 기재(100)의 상부에 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)을 이용하여 형성될 수 있다. 이때, 상기 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)은 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 화학기상증착법 또는 ICP(Inductively Coupled Plasma) 화학기상 증착법 중 어느 하나일 수 있다.The first stress relieving layer 200 may be formed on the base substrate 100 by using a chemical vapor deposition (CVD) method. In this case, the chemical vapor deposition (CVD) may be any one of CCP (Capacitively Coupled Plasma) chemical vapor deposition and ICP (Inductively Coupled Plasma) chemical vapor deposition.

상기 제 1 응력 완화층(200)은 배리어층 역할을 함과 동시에 응력을 완화 시켜 크랙이 발생을 방지하여 수분 침투를 방지할 수 있다. 또한, 상기 제 1 응력 완화층(200)은 필름의 플렉서블을 증가시키며, 필름의 표면을 평탄하게 하는 역할을 할 수 있다. 이때, 상기 제 1 응력 완화층(200)은 유기막일 수 있으며, 바람직하게 SiOxCyHz일 수 있다.The first stress relieving layer 200 serves as a barrier layer and at the same time relaxes the stress to prevent the occurrence of cracks, thereby preventing moisture penetration. In addition, the first stress relieving layer 200 can increase the flexibility of the film and can smooth the surface of the film. At this time, the first stress relieving layer 200 may be an organic film, and preferably SiOxCyHz.

이후, 메인 배리어층(300)은 상기 제 1 응력 완화층(200)의 상부에 형성한다.Then, the main barrier layer 300 is formed on the first stress relieving layer 200.

상기 메인 배리어층(300)은 상기 제 1 응력 완화층(200)의 상부에 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)을 이용하여 형성될 수 있다. 이때, 상기 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)은 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 화학기상증착법 또는 ICP(Inductively Coupled Plasma) 화학기상증착법 중 어느 하나일 수 있다.The main barrier layer 300 may be formed on the first stress relieving layer 200 by using chemical vapor deposition (CVD). In this case, the chemical vapor deposition (CVD) may be any one of CCP (Capacitively Coupled Plasma) chemical vapor deposition and ICP (Inductively Coupled Plasma) chemical vapor deposition.

상기 메인 배리어층(300)은 상기 베이스 기재(100)의 상부에 형성되어 주 배리어층 역할을 할 수 있으며, 제 1 응력 완화층(200) 및 제 2 응력 완화층(400)의 사이에 샌드위치 구조로 형성될 수 있다.The main barrier layer 300 may be formed on the base substrate 100 to serve as a main barrier layer and may be sandwiched between the first stress relieving layer 200 and the second stress relieving layer 400. [ As shown in FIG.

상기 메인 배리어층(300)은 상기 제 1 응력 완화층(200) 및 제 2 응력 완화층(400) 사이에 샌드위치 구조로 형성함으로써, 응력(stress)을 낮춰 크랙 발생 가능성을 줄임과 동시에 수분 투과 방지 특성을 보다 우수하게 할 수 있다.The main barrier layer 300 is sandwiched between the first stress relieving layer 200 and the second stress relieving layer 400 to reduce the stress and reduce the possibility of cracking, The characteristics can be made more excellent.

이때, 상기 메인 배리어층(300)은 무기막일 수 있으며, 바람직하게 SiOx, SiNx, SiOxNy, AlxOy, AlxNy, NiOx, CoOx, MgO 중 어느 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다.At this time, the main barrier layer 300 may be an inorganic film, and may be formed of at least one of SiOx, SiNx, SiOxNy, AlxOy, AlxNy, NiOx, CoOx, and MgO.

상기 메인 배리어층(300)은 밀도가 낮을 경우 내부 기공이 많아져 수분 투과 방지 특성이 나빠진다. 따라서, 상기 메인 배리어층(300)의 밀도는 8.1X1017atmos/㎝2 이상인 것이 바람직하다.When the density of the main barrier layer 300 is low, the inner pores become large and the moisture permeation preventing property is deteriorated. Therefore, the density of the main barrier layer 300 is preferably 8.1 × 10 17 atmos / cm 2 or more.

마지막으로, 제 2 응력 완화층(400)은 상기 메인 배리어층(300)의 상부에 형성한다.Finally, a second stress relieving layer 400 is formed on top of the main barrier layer 300.

상기 제 2 응력 완화층(400)은 상기 메인 배리어층(300)의 상부에 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)을 이용하여 형성될 수 있다. 이때, 상기 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)은 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 화학기상증착법 또는 ICP(Inductively Coupled Plasma) 화학기상증착법 중 어느 하나일 수 있다.The second stress relieving layer 400 may be formed on the main barrier layer 300 by using chemical vapor deposition (CVD). In this case, the chemical vapor deposition (CVD) may be any one of CCP (Capacitively Coupled Plasma) chemical vapor deposition and ICP (Inductively Coupled Plasma) chemical vapor deposition.

상기 제 2 응력 완화층(400)은 배리어층 역할을 함과 동시에 응력을 완화 시켜 크랙이 발생을 방지하여 수분 침투를 방지할 수 있다. 또한, 상기 제 2 응력 완화층(400)은 필름의 플렉서블을 증가시키며, 필름의 표면을 평탄하게 하는 역할을 할 수 있다. 이때, 상기 제 2 응력 완화층(400)은 유기막일 수 있으며, 바람직하게 SiOxCyHz일 수 있다.The second stress relieving layer 400 serves as a barrier layer and at the same time relaxes stress so as to prevent the occurrence of cracks, thereby preventing moisture infiltration. In addition, the second stress relieving layer 400 can increase the flexibility of the film and can smooth the surface of the film. At this time, the second stress relieving layer 400 may be an organic film, and preferably SiOxCyHz.

또한, 상기 샌드위치 구조로 형성된 제 1 응력 완화층(200), 메인 배리어층(300) 및 제 2 응력 완화층(400)은 응력이 높을 경우 내부 크랙이 발생하여 수분 투과 방지 특성이 나빠진다. 따라서, 상기 샌드위치 구조로 형성된 제 1 응력 완화층(200), 메인 배리어층(300) 및 제 2 응력 완화층(400)의 응력은 30Mpa 이하인 것이 바람직하다. 한편, 본 실시 예에서는 베이스 기재(100) 상에 무기막을 사이에 두고 유기막이 샌드위치 구조로 형성되며, 상기 샌드위치 구조는 한개인 것으로 설명한다. 하지만, 이에 한하지 않으며, 상기 샌드위치 구조는 두개 이상 다층으로 형성할 수 있다.In addition, when the first stress relieving layer 200, the main barrier layer 300, and the second stress relieving layer 400 formed of the sandwich structure have high stresses, internal cracks are generated to deteriorate the moisture permeation preventing property. Therefore, the stress of the first stress relieving layer 200, the main barrier layer 300, and the second stress relieving layer 400 formed in the sandwich structure is preferably 30 MPa or less. On the other hand, in the present embodiment, it is explained that the organic film is formed in a sandwich structure on the base substrate 100 with the inorganic film therebetween, and the sandwich structure is one. However, the present invention is not limited thereto, and the sandwich structure may be formed of two or more layers.

이하, 본 발명을 하기 실험예를 들어 더욱 상세하게 설명하기로 한다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following experimental examples.

평가시료 준비Evaluation sample preparation

1. 베이스 기재(100)(예컨대, 고분자 플라스틱 필름) 상에 진공 증착법을 활용하여 무기막과 유기막을 증착하였다. 이때, 상기 증착은 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)을 이용하여 이루어질 수 있다. 상기 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)은 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 화학기상증착법 또는 ICP(Inductively Coupled Plasma) 화학기상증착법 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 증착은 스퍼터링 공정과 같은 진공증착법을 통해 형성될 수도 있다. 즉, 상기 베이스 기재(100) 상에 유기막, 무기막, 유기막을 차례로 증착하였다. 스퍼터링의 경우 소스는 RF, MP의 평판 또는 원통형 전극을 이용하며, 사용되어지는 가스는 아르곤, 산소, 질소 등일 수 있다. 상기 가스는 혼합 또는 단독으로 사용하였다. CVD의 경우 Silane, HMDSO, 질소, 산소, 암모니아 가스 등을 사용하였으며 소스는 RF를 사용하였다. 상기 증착한 무기막은 그 두께를 100 내지 200 nm, 제 1 응력 완화층(200) 및 제 2 응력 완화층(400)으로 이루어진 유기막은 각각 그 두께를 100 내지 300nm를 가지도록 하였다.
1. An inorganic film and an organic film were deposited on a base substrate 100 (for example, a polymer plastic film) by vacuum deposition. At this time, the deposition may be performed using chemical vapor deposition (CVD). The chemical vapor deposition (CVD) may be any one of capacitively coupled plasma (CCP) chemical vapor deposition and inductively coupled plasma (ICP) chemical vapor deposition. In addition, the deposition may be performed by a vacuum deposition method such as a sputtering process. That is, an organic film, an inorganic film, and an organic film are sequentially deposited on the base substrate 100. In the case of sputtering, the source is RF, MP flat plate or cylindrical electrode, and the gas used may be argon, oxygen, nitrogen, or the like. The gases were mixed or used alone. Silane, HMDSO, nitrogen, oxygen and ammonia gas were used for CVD, and RF was used as the source. The deposited inorganic film has a thickness of 100 to 200 nm, and the organic film made of the first stress relieving layer (200) and the second stress relieving layer (400) has a thickness of 100 to 300 nm.

테스트Test

1. 밀도 측정1. Density measurement

: RBS(Rutherfold Backscattering Spectrometer) 방법을 이용하여 2X2cm 영역내 He+ 이온을 고속으로 가속하여 샘플에 조사 후, 튕겨져 나오는 입자의 에너지 측정을 통해 박막의 밀도를 측정한다.: The RBS (Rutherfold Backscattering Spectrometer) method is used to accelerate the He + ions in the 2 × 2 cm region at high speed, irradiate the sample, and measure the density of the thin film by measuring the energy of the repelled particles.

2. 응력 측정2. Stress measurement

: 2X2cm 샘플영역 내 레이저를 활용하여 박막의 휨정도를 측정하여 박막 전후의 곡률변화를 측정, 박막 잔류 응력을 측정한다.(laser profilometer, Tencor FLX.-2320): Measurement of the curvature change before and after the thin film by measuring the bending degree of the thin film by using the laser in the sample area of 2 × 2 cm, and measuring the thin film residual stress (laser profilometer, Tencor FLX.-2320)

3.수분 투과율(Water Vapor Transmission Rate : WVTR) 측정3. Measurement of Water Vapor Transmission Rate (WVTR)

: 10X10cm 샘플영역에 있어 챔버 진공상태 유지 후 일정량의 수분을 샘플에 흘려주어 샘플을 투과한 아래쪽 챔버 수분량을 측정하여 수분투과도를 측정한다.(Techmoloc社 deltaperm)
: 10X10cm Hold the chamber in a vacuum state in the sample area, and then measure a water permeability by measuring a water content of the lower chamber which permeates the sample through a certain amount of water (Techmoloc deltaperm)

결과result

상기 테스트에 대한 결과는 도 3에 도시된 바와 같다.The results for the test are as shown in FIG.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 가스 배리어성 필름의 실험 결과를 나타낸 도면이다.3 is a graph showing experimental results of a transparent gas barrier film according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하여 본 실시 예에 따른 투명 배리어성 필름의 우수성을 설명하면 다음과 같다.The superiority of the transparent barrier film according to this embodiment will be described with reference to FIG.

무기막의 양면에 유기막을 증착하여 샌드위치 구조로 형성한 본 실시 예에 따른 실시예 1(샌드위치 구조가 단일층) 및 실시예 2(샌드위치 구조가 복수층)는 베이스 기재(100) 상에 무기막이 단일 또는 다층으로 형성되어 있는 비교예 1 및 비교예 4와 비교했을 경우, 응력(stress)과 수분 투과율(WVTR)이 뛰어남을 알 수 있다. 특히, 샌드위치 구조가 복수층으로 형성된 실시예 2를 보면 응력(stress)과 수분 투과율(WVTR)이 더 좋아짐을 확인할 수 있다. 이때, 상기 수분 투과율(WVTR)은 수분이 투과되는 정도를 나타내는 인자 값으로 값이 낮을수록 좋은 특성을 나타내며 10-3 단위 이하로 나타나야 배리어 특성을 가질 수 있다.Example 1 (sandwich structure of a single layer) and Example 2 (sandwich structure of plural layers) according to the present embodiment formed by depositing an organic film on both surfaces of an inorganic film were sandwiched between a base material 100 and a single Compared with Comparative Example 1 and Comparative Example 4 which are formed in a multi-layered structure, it can be seen that the stress and moisture permeability (WVTR) are excellent. Particularly, it can be seen that stress and moisture permeability (WVTR) are better in Example 2 in which the sandwich structure is formed in a plurality of layers. At this time, the water permeability (WVTR) is a factor showing the degree of permeation of moisture, and the lower the value, the better the property. The WVTR should be less than 10 < -3 >

또한, 무기막의 양면에 유기막을 증착하여 샌드위치 구조로 형성한 본 실시 예에 따른 실시예 1 및 실시예 2는 베이스 기재(100) 상에 유기막이 단일로 형성되어 있는 비교예 2에 비해 응력과 수분 투과율(WVTR)이 뛰어남을 알 수 있다.In Examples 1 and 2 according to the present example in which an organic film was formed on both sides of an inorganic film by sandwich structure, the stress and moisture (moisture content) were lower than those in Comparative Example 2 in which an organic film was formed singly on the base substrate 100 It can be seen that the transmittance (WVTR) is excellent.

그리고, 무기막의 양면에 유기막을 증착하여 샌드위치 구조로 형성한 본 실시 예에 따른 실시예 1 및 실시예 2는 베이스 기재(100) 상에 유기막이 아닌 무기막을 먼저 증착한 후 그 상부에 유기막을 증착한 비교예 3에 비해 응력(stress)과 수분 투과율(WVTR)이 뛰어남을 알 수 있다.In the first and second embodiments of the present invention, an organic film is deposited on both sides of an inorganic film to form a sandwich structure. An inorganic film, not an organic film, is first deposited on the base substrate 100, It can be seen that stress and moisture permeability (WVTR) are superior to those of Comparative Example 3.

본 실시 예에 있어서, 응력은 30Mpa 이하이고, 밀도는 8.1X1017atmos/㎝2 이상인 것이 바람직하다.In the present embodiment, the stress is preferably 30 MPa or less, and the density is preferably 8.1 × 10 17 atmos / cm 2 or more.

즉, 응력은 그 값이 높을 경우 내부 크랙을 발생시켜 수분 투과 방지 특성이 나빠지는 경향이 있다. 이와 같은 결과는 실시예 1, 실시예2와 비교예 2의 비교를 통해 알 수 있다. 또한, 밀도는 그 값이 낮을수록 내부 기공이 많아 수분 투과 방지 특성이 나빠지는 경향이 있다. 이와 같은 결과는 실시예 1, 실시예 2와 비교예 3 내지 5의 비교를 통해 알 수 있다.That is, when the stress is high, internal cracks are generated, and the moisture permeation preventing property tends to deteriorate. These results can be seen from the comparison of Example 1, Example 2 and Comparative Example 2. [ Also, as the density is lower, there is a tendency that the moisture permeation prevention characteristics are deteriorated due to a large number of internal pores. These results can be seen from the comparison of Example 1, Example 2 and Comparative Examples 3 to 5.

즉, 상술한 실험예를 통해 보면 밀도가 높고, 응력(stress)이 낮은 경우 수분 투과율(WVTR) 특성이 좋아지는 경향이 있음을 알 수 있으며, 상기 밀도와 응력(stress)의 조합이 일정 조건을 만족하는 경우 우수한 수분 투과율(WVTR)을 보임을 알 수 있다.That is, it can be seen from the above-mentioned experimental examples that when the density is high and the stress is low, the water permeability (WVTR) characteristic tends to be improved, and when the combination of the density and the stress satisfies a certain condition (WVTR) in the case of the water vapor permeability.

이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will be understood that various modifications and changes may be made without departing from the scope of the appended claims.

100 : 베이스 기재
200 : 제 1 응력 완화층
300 : 메인 배리어층
400 : 제 2 응력 완화층100: base substrate
200: first stress relieving layer
300: main barrier layer
400: second stress relieving layer

Claims (7)

베이스 기재;
상기 베이스 기재의 상부에 위치하여 응력을 완화하는 역할을 하는 유기막으로 이루어진 제 1 응력 완화층;
상기 제 1 응력 완화층의 상부에 위치하여 주 배리어층 역할을 하는 무기막으로 이루어진 메인 배리어층; 및
상기 메인 배리어층의 상부에 위치하여 응력을 완화하는 역할을 하는 유기막으로 이루어진 제 2 응력 완화층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 가스 배리어성 필름.A base substrate;
A first stress relieving layer made of an organic film positioned above the base substrate and serving to relieve stress;
A main barrier layer formed on the first stress relieving layer and made of an inorganic film serving as a main barrier layer; And
And a second stress relieving layer formed on the main barrier layer and composed of an organic layer serving to relieve stress. 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 응력 완화층의 상부에는 무기층, 유기층 순으로 쌍을 이루어는 층이 1층 이상 더 포함되는 것을 특징으로 하는 투명 가스 배리어성 필름.The method according to claim 1,
Wherein the second stress relieving layer further comprises one or more layers of an inorganic layer and a pair of organic layers in this order. 제 1 항에 있어서,
상기 메인 배리어층은 SiOx, SiNx, SiOxNy, AlxOy, AlxNy, NiOx, CoOx, MgO 중 어느 하나 이상의 무기막으로 이루어지며,
상기 응력 완화층은 SiOxCyHz의 유기막인 것을 특징으로 하는 투명 가스 배리어성 필름.The method according to claim 1,
Wherein the main barrier layer is made of at least one of SiOx, SiNx, SiOxNy, AlxOy, AlxNy, NiOx, CoOx, and MgO,
Wherein the stress relieving layer is an organic film of SiOxCyHz. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 한에 있어서,
상기 메인 배리어층의 밀도는 8.1X1017atmos/㎝2 이상이고, 상기 응력은 30Mpa 이하인 것을 특징으로 하는 투명 가스 배리어성 필름. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the density of the main barrier layer is 8.1 x 10 17 atmos / cm 2 or more, and the stress is 30 MPa or less. 투명 가스 배리어성 필름의 제조 방법에 있어서,
베이스 기재의 상부에 응력을 완화하는 유기막으로 이루어진 제 1 응력 완화층을 형성하는 단계;
상기 제 1 응력 완화층의 상부에 주 배리어층 역할을 하는 무기막으로 이루어진 메인 배리어층을 형성하는 단계; 및
상기 메인 배리어층의 상부에 응력을 완화하는 유기막으로 이루어진 제 2 응력 완화층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 가스 배리어성 필름의 제조 방법.A method for producing a transparent gas barrier film,
Forming a first stress relieving layer made of an organic film for relieving stress on an upper portion of the base substrate;
Forming a main barrier layer made of an inorganic film serving as a main barrier layer on the first stress relaxation layer; And
And forming a second stress relieving layer made of an organic film for relieving stress on the upper portion of the main barrier layer. 제 5 항에 있어서,
상기 메인 배리어층은 SiOx, SiNx, SiOxNy, AlxOy, AlxNy, NiOx, CoOx, MgO 중 어느 하나 이상의 무기막으로 이루어지며,
상기 제 1 응력 완화층 및 상기 제 2 응력 완화층은 SiOxCyHz의 유기막인 것을 특징으로 하는 투명 가스 배리어성 필름의 제조 방법. 6. The method of claim 5,
Wherein the main barrier layer is made of at least one of SiOx, SiNx, SiOxNy, AlxOy, AlxNy, NiOx, CoOx, and MgO,
Wherein the first stress relieving layer and the second stress relieving layer are organic films of SiOxCyHz. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 메인 배리어층의 밀도는 8.1X1017atmos/㎝2 이상이고, 상기 응력은 30Mpa 이하인 것을 특징으로 하는 투명 가스 배리어성 필름의 제조 방법.The method according to claim 5 or 6,
Wherein the density of the main barrier layer is 8.1 x 10 17 atmos / cm 2 or more, and the stress is 30 MPa or less.
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