KR20160051310A - 센서 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 제조가 용이하고 휩을 최소화할 수 있는 센서 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 실시예에 따른 센서 패키지는, 기판, 상기 기판의 일면에 실장되는 적어도 하나의 센서 칩, 상기 기판의 타면에 실장되는 전자 소자, 및 상기 전자 소자를 관통하며 형성되어 상기 기판과 외부를 전기적으로 연결하는 접속 도체를 포함할 수 있다.

Description

센서 패키지 및 그 제조 방법{SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 센서 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

로봇, 각종 정밀 기기 등, 산업상의 다양한 분야에 있어서 가속도 센서가 넓게 이용되고 있으며, 최근에는 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기술을 이용한 반도체 가속도 센서의 수요가 급증하고 있다.

반도체 가속도 센서는 일반적으로 세라믹 제의 패키지 내부 수납 공간에 센서부분을 이루는 질량체가 수납되는 구성을 가진다. 또한, 질량체의 보호를 위해, 캡(cap)을 이용하여 수납 공간을 밀폐한다.

종래의 반도체 가속도 센서는 일반적으로 금속 계열의 접합제나　에폭시 계열의 접합제를(Die-attach Film) 이용하여 캡을 패키지 몸체에 접합한다. (그런데 이러한 종래의 센서 패키지는 EMC와 같은 수지재에 의해 밀봉되는데, EMC의 수축으로 인해 센서 패키지가 휘는 문제가 발생되고 있다.

한국공개특허공보 제 1999-0036491호

본 발명의 목적은 제조가 용이하고 휩을 최소화할 수 있는 센서 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 데에 있다.

본 발명의 실시예에 따른 센서 패키지는, 기판, 상기 기판의 일면에 실장되는 적어도 하나의 센서 칩, 상기 기판의 타면에 실장되는 전자 소자, 및 상기 전자 소자를 관통하며 형성되어 상기 기판과 외부를 전기적으로 연결하는 접속 도체를 포함할 수 있다.

또한 본 발명의 실시예에 따른 센서 패키지 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판의 일면에 센서 칩을 실장하는 단계, 상기 기판의 타면에 전자 소자를 실장하는 단계, 및 상기 전자 소자를 관통하는 접속 도체를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명에 따른 센서 패키지는 기판의 양면에 센서 칩과 전자 소자가 분산 배치된다. 이로 인해 몰드부도 기판의 양면으로 분산 배치된다.

따라서, 기판의 일면에 형성되는 몰드부의 양을 최소화할 수 있으므로 몰드부의 열수축으로 인해 기판 또는 패키지가 휘어지는 것을 최소화할 수 있다.

또한, 기판의 양면에 센서 칩과 전자 소자가 분산 배치되므로, 전자 소자에서 발생되는 열이 센서 칩으로 유입되는 것을 최소화할 수 있다. 따라서 센서 소자 특성을 개선할 수 있으며 방열 특성을 높일 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 센서 패키지를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 2는 도 1에 도시된 센서 칩을 개략적으로 도시한 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 센서 칩의 분해사시도.
도 4 내지 도 10은 본 실시예에 따른 센서 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 센서 패키지를 개략적으로 도시한 단면도.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 더하여 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 센서 패키지를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 센서 패키지의 분해사시도이다.

본 실시예에 따른 센서 패키지(100)는, 센서 칩(1), 기판(10), 및 전자 소자(20)를 포함할 수 있다.

센서 칩(1)은 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 공정을 통해 제조할 수 있는 센서 칩(1)일 수 있다. 따라서, 웨이퍼와 같은 반도체 기판을 기반으로 형성된다.

본 실시예에 따른 센서 패키지(100)는 2개의 센서 칩(1a, 1b)을 포함할 수 있다. 여기서 2개의 센서 칩(1a, 1b)은 각각 가속도 센서 칩(1a)과 자이로 센서 칩(1b)일 수 있다.

본 실시예에 따른 센서 칩들(1a, 1b)은 각각 도 2에 도시된 바와 같이 베이스(5)와, 베이스(5)의 내부 공간(6)에 설치되는 질량체(8)를 포함한다. 질량체(8)와 베이스(5)는 적어도 하나의 연결부(9)에 의해 연결된다.

연결부(9)는 일단이 질량체(8)에 연결되고, 타단이 베이스(5)에 연결되며, 외력에 따른 가속도에 비례하여 진동하는 질량체(8)에 대해 스프링 역할을 수행한다.

또한 베이스(5)의 상부와 하부에는 베이스(5)의 내부 공간(6)을 밀폐하기 위해, 각각 커버 형태의 캡(2, 3)이 결합된다.

하부 캡(2)은 베이스(5)의 하부면에 결합되며 상부 캡(3)은 베이스(5)의 상부면에 결합된다. 여기서 베이스(5)의 내부 공간(6)이 관통 구멍 형태가 아닌 홈의 형태로 형성되는 경우, 하부 캡(2)은 생략될 수 있다.

베이스(5)의 상부면에는 적어도 하나의 전극(5a)과 배선 패턴(5b)이 형성될 수 있다. 전극(5a)은 베이스(5)의 상부면 일측에 형성될 수 있으며, 내부 공간(6)과 최대한 이격 배치될 수 있다.

따라서 상부 캡(3)은 전극(5a)이 외부로 노출되도록 전극(5a)이 형성된 부분을 제외한 나머지 베이스(5)의 상부면을 덮도록 형성될 수 있다.

배선 패턴(5b)은 베이스(5) 상에 회로를 형성하며, 전극(5a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 배선 패턴(5b)의 형성 위치는 베이스(5)의 상부면으로 한정되지 않으며, 필요에 따라 다양한 위치에 형성될 수 있다.

본 실시예에 따른 베이스(5)와 상부 캡(3), 하부 캡(2)은 모두 동일한 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어 실리콘(Silicon) 재질로 형성될 수 있다. 그러나 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다.

또한 상부 캡(3)과 하부 캡(2)은 접착 부재(4)에 의해 베이스(5)에 접합된다.

이와 같이 구성되는 센서 칩(1)은 전극(5a)이 형성되어 있는 활성면이 기판(10)을 향하도록 배치되어 페이스 다운 본딩(face down bonding) 방식으로 기판(10)의 일면에 접합된다.

이때, 센서 칩들(1)은 전극(5a)이 기판(10)의 외측을 향하도록 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.

기판(10)과 센서 칩(1)의 전극(5a) 사이에는 도전성 부재(50)가 개재되어 상호 간을 전기적으로 연결한다. 또한 센서 칩(1)의 상부 캡(2)과 기판(10) 사이에는 접착 테이프와 같은 접합 부재(60)가 개재되어 상호 간을 견고하게 접합한다.

기판(10)은 당 기술분야에서 잘 알려진 다양한 종류의 기판(예를 들어, 세라믹 기판, 인쇄 회로 기판, 유연성 기판 등)이 이용될 수 있다. 또한 기판(10)의 양면에는 센서 칩(1)이나 전자 소자(20)가 전기적으로 연결되는 실장용 전극들(13)과, 실장용 전극들(13) 상호간을 전기적으로 연결하는 배선 패턴(미도시)이 형성될 수 있다.

본 실시예에 따른 기판(10)은 단층 기판이거나, 복수의 층으로 형성된 다층 기판일 수 있으며, 이 경우 각 층 사이에는 전기적 연결을 형성하기 위한 회로 패턴(15)이 형성될 수 있다.

또한, 본 실시예에 따른 기판(10)은 양면에 형성되는 실장용 전극(13)과 기판(10)의 내부에 형성되는 회로 패턴(17)들을 전기적으로 연결하는 도전성 비아(14)를 포함할 수 있다.

또한 본 실시예에 따른 기판(10)은 하면에 외부 접속용 패드(16)가 형성될 수 있다. 외부 접속용 패드(16)는 후술되는 제2 접속 도체(25)와 전기적으로 연결되기 위해 구비되며, 제2 접속 도체(25)를 통해 외부 단자(28)와 연결된다.

여기서, 기판(10)의 하면에 형성되는 실장용 전극들(13)은 외부 접속용 패드(16)의 외측에 배치된다.

또한 기판(10)의 내부에는 다수의 제1 접속 도체(15)가 형성된다. 제1 접속 도체(15)는 기판(10)을 관통하는 형태로 배치되며, 일단은 기판(10)의 일면에 형성된 실장용 전극(13)과 연결되고 타단은 기판(10)의 타면에 형성된 외부 접속용 전극(16)과 연결된다.

제1 접속 도체(15)는 도전성 재질로 형성될 수 있으며 예를 들어 구리나, 금, 은, 알루미늄 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.

한편, 본 실시예에 따른 접속 도체(25)는 기판(10)의 일면에 형성된 실장용 전극(13)과 타면에 형성된 외부 접속용 전극(16)을 전기적으로 연결하기 위해 구비된다. 따라서, 기판(10)에 형성된 배선 패턴이나 도전성 비아(14), 회로 패턴(17) 등을 통해 상기한 실장용 전극(13)과 외부 접속용 전극(16)이 전기적으로 연결된다면, 제1 접속 도체(15)는 생략될 수 있다.

전자 소자(20)는 주문형 전자 소자(ASIC, application-specific integrated circuit)일 수 있다. 그러나 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 일반적인 능동 소자나 수동 소자, 반도체 소자들을 포함할 수 있다.

전자 소자(20)는 기판(10)의 타면인 하부면에 접합된다. 이를 위해 기판(10)과 전자 소자(20) 사이에는 접착 테이프와 같은 접합 부재(70)가 개재될 수 있다.

전자 소자(20)에는 다수의 전극(20a)이 형성되며, 본딩 와이어(110)를 통해 기판(10)의 타면에 형성된 실장용 전극(13)에 전기적으로 연결될 수 있다.

또한 본 실시예에 따른 전자 소자(20)는 기판(10)의 크기와 유사한 크기로 형성된다. 예를 들어 본 실시예에 따른 전자 소자(20)의 면적은 기판(10)의 면적보다 작게 형성되되, 기판(10) 면적의 70% 이상으로 형성될 수 있다.

이로 인해 전자 소자(20)와 기판(10)의 접합면은 기판(10) 면적 70% 이상으로 형성되므로, 전자 소자(20)와 기판(10) 사이에는 매우 큰 접합력이 발생하며, 이러한 접합력은 기판(10)이 제1 몰드부(31)에 의해 휘는 것을 억제하는 힘으로 작용될 수 있다.

몰드부(30)는 기판(10)의 상면에 형성되는 제1 몰드부(31)와, 기판(10)의 하면에 형성되는 제2 몰드부(35)를 포함할 수 있다.

몰드부(30)는 기판(10)의 양면에 실장된 센서 칩(1)과 전자 소자(20)를 밀봉한다. 또한 소자들(1, 20)의 외부를 둘러싸며 소자들(1, 20)을 기판(10) 상에 고정시켜 외부의 충격으로부터 소자들(1, 20)을 안전하게 보호한다.

본 실시예에 따른 몰드부(30)는 EMC(Epoxy Molding Compound)와 같이 수지재를 포함하는 절연성의 재료로 형성된다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.

본 실시예에 따른 제1 몰드부(31)는 기판(10)의 일면 전체를 덮는 형태로 형성된다. 또한 본 실시예에서는 모든 센서 칩들(1)이 제1 몰드부(31)의 내부에 매립되는 경우를 예로 들고 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 몰드부(31)의 내부에 매립되는 센서 칩들(1) 중 적어도 하나는 일부가 제1 몰드부(31)의 외부로 노출되도록 구성하는 등 다양한 응용이 가능하다.

제2 몰드부(35)는, 기판(10)의 하면에 형성되며, 전자 소자(20)와 본딩 와이어(80)를 내부에 매립한다.

제2 몰드부(35)는 제1 몰드부(31)와 마찬4가지로 전자 소자(20)를 완전히 매립하는 형태로 형성될 수 있으나, 필요에 따라 전자 소자(20)를 부분적으로 노출하도록 형성될 수도 있다.

한편, 본 실시예에 따른 제2 몰드부(35)는 도 11에 도시된 바와 같이 전자 소자(20)의 구조나 실장 방식에 따라 생략될 수도 있다.

또한 본 실시예에 따른 전자 소자(20)에는 제2 접속 도체(25)가 형성된다. 제2 접속 도체(25)는 제2 몰드부(35)와 전자 소자(20)를 관통하는 형태로 형성되며, 일단이 기판(10)의 타면에 형성된 외부 접속용 전극(16)에 연결되고 타단은 전자 소자(20)와 제2 몰드부(35)를 관통하여 외부 단자(28)와 접합된다.

제2 접속 도체(25)는 도전성 재질로 형성될 수 있으며 예를 들어 구리나, 금, 은, 알루미늄 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.

제1 접속 도체(15)와 마찬가지로, 본 실시예에 따른 제2 접속 도체(25)는 외부 접속용 전극(16)과 외부 단자(28)를 전기적으로 연결하기 위해 구비된다. 따라서, 전자 소자(20) 내에 형성된 내부 회로를 통해 상기한 외부 접속용 전극(16)과 외부 단자(28)가 전기적으로 연결된다면, 제2 접속 도체(25)도 생략될 수 있다.

제2 접속 도체(25)의 타단에는 외부 단자(28)가 접합된다. 외부 단자(28)는 센서 패키지(100)와, 센서 패키지(100)가 실장되는 메인 기판(도시되지 않음)을 전기적, 물리적으로 연결한다. 이러한 외부 단자(28)는 범프나 솔더 볼, 패드 등과 같은 다양한 형태로 형성될 수 있다.

이상과 같이 구성되는 본 실시예에 따른 센서 패키지(100)는 센서 칩(1)과 전자 소자(20)가 기판(10)의 양면으로 분산 배치된다. 이로 인해 몰드부(31, 35)도 기판(10)의 양면으로 분산 배치된다.

따라서, 기판(10)의 일면에 형성되는 제1 몰드부(31)의 양을 최소화할 수 있으므로 몰드부(30)의 열수축으로 인해 기판(10) 또는 센서 패키지(100)가 휘어지는 것을 최소화할 수 있다.

또한, 기판(10)의 양면으로 센서 칩(1)과 전자 소자(20)가 분산 배치되므로, 전자 소자(20)에서 발생되는 열이 센서 칩(1)으로 유입되는 것을 최소화할 수 있다. 따라서 방열 특성을 높일 수 있다.

이어서, 본 실시예에 따른 센서 패키지의 제조 방법을 설명한다.

도 4 내지 도 10은 본 실시예에 따른 센서 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.

먼저 도 4에 도시된 바와 같이 기판(10)을 준비하는 단계가 수행된다.

전술한 바와 같이 기판(10)은 다층 기판일 수 있으며, 양면에 실장용 전극(13)이 형성될 수 있다. 또한 기판의 하부면에는 외부 접속용 전극(16)이 적어도 하나 형성될 수 있다. 그리고 기판(10)의 내부에는 전술한 제1 접속 도체(15)가 형성될 수 있다.

기판(10)의 일면(또는 상부면)에 형성된 실장용 전극(13)에는 솔더 범프나 솔더 볼과 같은 도전성 부재(50)가 배치된다. 그리고 센서 칩(1)의 일면이 부착되는 부분에는 접착 테이프나 점착 시트와 같은 접합 부재(60)가 부착된다.

여기서, 도전성 부재(50)는 실장용 전극(13) 상에 스크린 프린팅 방식 등을 통해 솔더 페이스트(solder paste)를 인쇄하여 형성하거나, 별도로 제조된 솔더 볼을 실장용 전극(13) 상에 배치하여 형성할 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.

이어서, 도 5에 도시된 바와 같이 기판(10)의 상부면에 센서 칩들(1)을 실장하는 단계가 수행된다. 본 단계에서, 센서 칩(1)은 도전성 부재(50)에 전극(도 2의 5a)이 접합되며, 상부 캡(도 2의 2)의 외부면은 접합 부재(60)에 부착되도록 기판(10)에 실장된다. 즉, 센서 칩(1)은 전극(5a)이 형성된 활성면이 기판(10) 측을 향하는 페이스 다운 본딩(face down bonding) 방식으로 기판(10)에 실장된다.

이어서 도 6에 도시된 바와 같이 기판(10)의 상부면에 제1 몰드부(31)를 형성하는 단계가 수행된다.

본 단계는 금형(미도시) 내에 센서 들이 실장된 기판(10)을 배치한 후, 금형 내부에 성형 수지를 주입함으로써 제1 몰드부(31)를 형성할 수 있다. 이에 기판(10)의 일면 즉 상부면에 실장된 센서 칩들(1)은 제1 몰드부(31)에 의해 외부로부터 보호될 수 있다.

이어서 도 7에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 하부면 상에 전자 소자(20)를 실장하는 단계가 수행된다. 먼저 기판(10) 하부면에 접합 부재(70)를 부착한 후, 접합 부재(70) 상에 전자 소자(20)를 배치한다. 그리고 본딩 와이어(80)를 통해 전자 소자(20)와 기판(10)을 전기적으로 연결한다.

한편 본 실시예에 따른 접합 부재(60, 80)는 접착성을 갖는 절연 재질 또는 도전성 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 에폭시 수지, 아크릴 수지, PHS(Polyhydroxy Styrene), 실리콘(Silicone), 및 페놀 수지 중 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 솔더와 같은 도전성 접착제를 이용하는 등 다양한 재질이 이용될 수 있다.

다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이 기판(10)의 하부면에 제2 몰드부(35)를 형성하는 단계가 수행된다. 본 단계 역시 금형(미도시) 내에 기판(10)을 배치한 후, 금형 내부에 성형 수지를 주입함에 따라 수행될 수 있다.

이어서, 도 9에 도시된 바와 같이 제2 몰드부(35)와 전자 소자(20)를 관통하는 비아 홀(24)을 형성한다. 비아 홀(24)은 레이저 드릴(Laser drill) 방식을 통해 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며 기계적 드릴 방식이나, 식각 등의 방법이 이용될 수도 있다.

이어서 도 10에 도시된 바와 같이, 비아 홀(24) 내에 제2 접속 도체(25)를 형성한다. 제2 접속 도체(25)는 도금 공정을 통해 형성될 수 있다.

본 실시예에 따른 도금 공정은 무전해 도금과 전해 도금에 의해 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 무전해 도금 없이 전해 도금만으로 형성하는 것도 가능하다. 이 경우, 기판(10)에는 전해 도금을 위한 도금 패턴(미도시)이 형성될 수 있다.

한편 제2 접속 도체(25)의 제조 방법은 상기한 방법으로 한정되지 않는다. 예를 들어 비아 홀(24)에 솔더 페이스트와 같은 도전성 물질을 채운 후, 이를 경화시켜 형성하는 등 다양한 변형이 가능하다.

이어서, 접속 도체(25)의 끝단에 외부 단자(도 1의 28)를 형성하는 단계가 수행될 수 있다. 여기서 외부 단자(28)는 범프나 솔더 볼, 패드 등의 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 필요에 따라 생략될 수도 있다.

이상과 같은 과정을 통해 도 1에 도시된 본 실시예에 따른 센서 패키지(100)를 완성할 수 있다.

이상에서 설명한 본 실시예에 따른 센서 패키지 제조 방법은 기판(10)의 양면에 센서 칩(1)과 전자 소자(20)가 각각 실장한 후, 전자 소자(20)를 관통하는 제2 접속 도체(25)를 형성한다. 따라서 제2 접속 도체(25)의 제조가 용이하다.

또한 전자 소자(20)가 기판(10)의 크기와 유사하게 형성되므로, 전자 소자(20)와 기판(10)의 접합력을 통해 기판(10)의 휘는 것을 최소화할 수 있다.

한편, 본 발명에 따른 센서 패키지는 전술한 실시예에 한정되지 않으며 다양한 변형이 가능하다.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 센서 패키지를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 센서 패키지(200)는 전자 소자(20)가 본딩 와이어에 의해 기판(10)과 전기적으로 연결되지 않고, 플립 칩 본딩 방식으로 기판(10)에 실장된다.

그리고 기판(10)과 전자 소자(20) 사이에는 언더필 수지와 같은 접착층(90)이 형성되어 상호 간의 접합력을 확보한다.

또한 본 실시예에 따른 센서 패키지(200)는 센서 칩(1)의 일면이 제1 몰드부(31)의 외부로 노출된다. 그리고 제2 몰드부(35)는 생략된다.

이에 따라, 본 실시예에 따른 센서 패키지(200)는 높이(또는 두께)를 최소할 수 있다. 또한 플립칩 본딩 방식으로 전자 소자(20)를 기판에 실장한 후, 제2 몰드부를 형성하지 않고 제2 접속 도체(25)를 형성하므로, 제조 비용과 제조 시간을 줄일 수 있다.

이상에서 본 발명의 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.

100, 200: 센서 패키지
1: 센서 칩
10: 기판
20: 전자 소자(ASIC)
25: 접속 도체
30: 몰드부

Claims (20)

1. 기판;
   상기 기판의 일면에 실장되는 적어도 하나의 센서 칩;
   상기 기판의 타면에 실장되는 전자 소자; 및
   상기 전자 소자를 관통하며 형성되어 상기 기판과 외부를 전기적으로 연결하는 접속 도체;
   를 포함하는 센서 패키지.
   
2. 제1항에 있어서,
   상기 기판의 일면에서 상기 센서 칩을 매립하며 형성되는 제1 몰드부를 더 포함하는 센서 패키지.
   
3. 제1항에 있어서, 상기 센서 칩은,
   일부가 상기 제1 몰드부의 외부로 노출되는 센서 패키지.
   
4. 제1항에 있어서, 상기 센서 칩은,
   페이스 다운 본딩(face down bonding) 방식으로 상기 기판에 실장되는 센서 패키지.
   
5. 제1항에 있어서, 상기 기판은,
   타면에 다수의 외부 접속용 단자가 형성되며,
   상기 접속 도체는 일단이 상기 외부 접속용 단자에 접합되는 센서 패키지.
   
6. 제1항에 있어서, 상기 전자 소자가 상기 기판에 접합되는 접합면은,
   상기 기판 면적과 동일하거나, 상기 기판 면적의 70% 이상의 면적으로 형성되는 센서 패키지.
   
7. 제1항에 있어서, 상기 전자 소자는,
   본딩 와이어에 의해 상기 기판과 전기적으로 연결되는 센서 패키지.
   
8. 제1항에 있어서,
   상기 기판의 타면에서 상기 전자 소자를 매립하며 형성되는 제2 몰드부를 더 포함하는 센서 패키지.
   
9. 제8항에 있어서, 상기 접속 도체는,
   상기 기판과 상기 제2 몰드부를 함께 관통하며 형성되는 센서 패키지.
   
10. 제1항에 있어서, 상기 전자 소자는,
    플립 칩 본딩(Flip chip bonding) 방식으로 상기 기판에 실장되는 센서 패키지.
    
11. 제10항에 있어서,
    상기 전자 소자와 상기 기판 사이에 충진되는 접합층을 더 포함하는 센서 패키지.
    
12. 제1항에 있어서, 상기 센서 칩은,
    내부에 형성된 공간에 질량체가 배치되고 일면에 적어도 하나의 전극이 형성된 베이스와, 상기 베이스를 일면에 결합되어 상기 전극이 노출되도록 상기 질량체가 배치된 공간을 밀봉하는 상부 캡을 포함하며,
    상기 상부 캡의 외부면이 상기 기판의 일면에 접합되는 센서 패키지.
    
13. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판의 일면에 센서 칩을 실장하는 단계;
    상기 기판의 타면에 전자 소자를 실장하는 단계; 및
    상기 전자 소자를 관통하는 접속 도체를 형성하는 단계;
    를 포함하는 센서 패키지 제조 방법.
    
14. 제13항에 있어서, 상기 센서 칩을 실장하는 단계는,
    도전성 부재를 매개로 상기 센서 칩의 전극이 상기 기판에 전기적으로 연결되도록 상기 센서 칩을 페이스 다운 본딩 방식으로 상기 기판에 접합하는 단계를 포함하는 센서 패키지 제조 방법.
    
15. 제13항에 있어서, 상기 전자 소자를 실장하는 단계는,
    상기 기판의 타면에 상기 전자 소자를 접합하는 단계; 및
    본딩 와이어를 이용하여 상기 전자 소자와 상기 기판을 전기적으로 연결하는 단계;
    를 포함하는 센서 패키지 제조 방법.
    
16. 제13항에 있어서, 상기 전자 소자를 실장하는 단계는,
    플립칩 본딩 방식으로 상기 기판의 타면에 상기 전자 소자를 접합하는 단계를 포함하는 센서 패키지 제조 방법.
    
17. 제13항에 있어서, 상기 센서 칩을 실장하는 단계 이후,
    상기 기판의 일면에 상기 센서 칩을 매립하는 제1 몰드부를 형성하는 단계를 더 포함하는 센서 패키지 제조 방법.
    
18. 제13항에 있어서, 상기 전자 소자를 실장하는 단계 이후,
    상기 기판의 타면에 상기 전자 소자를 매립하는 제2 몰드부를 형성하는 단계를 더 포함하는 센서 패키지 제조 방법.
    
19. 제13항에 있어서, 상기 접속 도체를 형성하는 단계는,
    상기 전자 소자에 비아 홀을 형성하는 단계; 및
    상기 비아 홀에 도전성 물질을 채워 상기 접속 도체를 형성하는 단계;
    를 포함하는 센서 패키지 제조 방법.
    
20. 제13항에 있어서, 상기 접속 도체를 형성하는 단계는,
    상기 전자 소자에 비아 홀을 형성한 후, 도금 방식으로 상기 비아 홀에 상기 접속 도체를 형성하는 단계인 센서 패키지 제조 방법.

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