KR20160047192A - 발광소자 - Google Patents
발광소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160047192A KR20160047192A KR1020140143268A KR20140143268A KR20160047192A KR 20160047192 A KR20160047192 A KR 20160047192A KR 1020140143268 A KR1020140143268 A KR 1020140143268A KR 20140143268 A KR20140143268 A KR 20140143268A KR 20160047192 A KR20160047192 A KR 20160047192A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- light emitting
- layer
- type semiconductor
- conductive
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 166
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 11
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- QDHLJDJDCBRUOC-UHFFFAOYSA-N C(CCC)[Mg]C1C=CC=C1 Chemical compound C(CCC)[Mg]C1C=CC=C1 QDHLJDJDCBRUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000071 blow moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
실시예는 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 배치되고 제1 도전형 반도체층을 포함하는 복수 개의 돌출 구조물; 상기 각각의 돌출 구조물의 측면과 상부면에 배치된 활성층 및 제2 도전형 반도체층; 및 상기 반사층들의 사이의 갭(gap)을 채우는 갭 필링(gap filling)층을 포함하는 발광소자를 제공한다.
Description
실시예는 발광소자에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다.
특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
종래의 발광소자는 사파이어 등으로 이루어진 기판 위에 n형 반도체층과 활성층 및 p형 반체층을 포함하는 발광구조물이 형성되고, n형 반도체층을 통해서 주입되는 전자와 p형 반도체층을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출한다.
이때, 활성층에서 방출되는 빛은 활성층을 이루는 물질의 조성에 따라 다를 수 있으며, 청색광이나 자외선(UV) 또는 심자외선(Deep UV) 또는 다른 파장 영역의 광일 수 있다.
상술한 종래의 발광소자는 다음과 같은 문제점이 있다.
기판과 발광 구조물은 이종의 재료이므로 격자 상수 부정합(lattice mismatch)이 매우 크고 이들 사이에 열 팽창 계수 차이도 매우 크기 때문에, 결정성을 악화시키는 전위(dislocation), 멜트 백(melt-back), 크랙(crack), 피트(pit), 표면 모폴로지(surface morphology) 불량 등이 발생할 수 있다.
그리고, 상술한 전위의 형성에 따라 발광 구조물의 품질을 악화시킬 수도 있으며, 활성층에서 빛에너지가 아닌 발광 구조물에서 열에너지가 방출되어 발광소자 자체의 효율을 저하시킬 수 있다.
이러한 문제점을 해결하고자 나노 로드 형상의 발광 구조물을 포함하는 발광소자가 제시되었다. 도 1은 종래의 발광소자를 나타낸 도면이며, 나노 로드 형상의 발광 소자를 제시하고 있다.
도 1의 발광소자(100)는 절연성의 기판(110) 상에 n형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 p형 반도체층(126)을 포함하는 발광 구조물(120)이 배치되는데, 기판(110) 상에 마스크(130)가 선택적으로 배치되어 n형 반도체층(122)이 마스크(130) 위로 돌출되어 나노 로드(nano rod) 형상으로 형성된다.
도 1의 발광소자는 발광 구조물이 나노 로드 형상으로 형성되므로 나노 로드 내에서 전위 등이 성장하지 않아서 발광 구조물의 품질이 향상될 수 있다.
그러나, 도 1의 발광소자는 다음과 같은 문제점이 있다.
발광 구조물의 성장 온도는 통상적으로 n형 반도체층의 성장 온도가 가장 높고 활성층의 성장 온도가 가장 낮다.
이때, 다중 양자 우물 구조 등의 활성층의 성장 이후에 p형 반도체층이 활성층의 성장 온도보다 높은 온도에서 성장될 경우, 활성층의 열화 문제가 발생할 수 있다. 이러한 문제점을 해결하고자 p형 반도체층을 활성층보다 낮은 온도에서 성장시킬 수도 있으나, p형 반도체층이 저온에서 성장될 때는 p형 도펀트의 도핑이 제대로 이루어지지 않은 단점이 있다.
실시예는 활성층과 p형 반도체층의 품질이 향상되고, 나노 로드의 전 영역에 전류가 고루 공급되는 발광소자를 제공하고자 한다.
실시예는 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 배치되고 제1 도전형 반도체층을 포함하는 복수 개의 돌출 구조물; 상기 각각의 돌출 구조물의 측면과 상부면에 배치된 활성층 및 제2 도전형 반도체층; 및 상기 반사층들의 사이의 갭(gap)을 채우는 갭 필링(gap filling)층을 포함하는 발광소자를 제공한다.
제1 도전형 반도체층은 p형 도펀트로 도핑되고, 상기 제2 도전형 반도체층은 n형 도펀트로 도핑될 수 있다.
도전성 기판 상의 제1 전극과 상기 제2 도전형 반도체층 상의 제1 전극을 더 포함할 수 있다.
제2 도전형 반도체층은 ZnO를 포함할 수 있다.
제2 도전형 반도체층은, Al, Fe 및 Ga 중 적어도 하나가 도핑될 수 있다.
제1 도전형 반도체층은 상기 활성층보다 고온에서 성장될 수 있다.
활성층은 상기 제2 도전형 반도체층보다 고온에서 성장될 수 있다.
도전성 기판은, 금속으로 이루어질 수 있다.
발광소자는 도전성 기판 상에 배치되고, 상기 복수 개의 돌출 구조물을 나누는 마스크를 더 포함할 수 있다.
갭 필링층은 도전성 물질 또는 절연성 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 발광소자는 p형 반도체층이 고온에서 성장되어 도펀트의 도핑이 충분히 이루어져서 제1 도전형 반도체층의 품질이 향상될 수 있다. 그리고, 활성층의 성장 이후에 제2 도전형 반도체층이 GaN이 아닌 ZnO 등의 재료로 활성층보다 저온에서 성장되어 InGaN 등으로 이루어진 활성층의 열화를 방지할 수 있다.
그리고, ZnO의 전기 전도성이 GaN보다 우수하여, 발광 구조물 내에서 전자 공급이 향상되고 저항이 감소할 수 있어서, 나노 로드 형상의 발광 구조물에서 상부와 하부에 고루 전류가 공급될 수 있다.
또한, 금속 등으로 기판을 구성하여 발광 구조물에서 발생하는 열을 기판 방향으로 방출할 수 있고, 금속 기판은 사파이어 기판에 비하여 저렴하고 플렉서블(flexible) 기판을 사용할 수도 있어서 플렉서블 발광소자의 구현도 가능할 수 있으며, 활성층에 제1 전극과 제2 전극으로부터 서로 수직 방향으로 전류가 공급되어 수직형 나노 로드 발광소자가 구현될 수 있다.
도 1은 종래의 발광소자를 나타낸 도면이고,
도 2는 발광소자의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 3a 내지 도 3g는 발광소자의 제조방법의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 4는 발광소자가 배치된 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 5는 발광소자가 배치된 영상표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 6은 발광소자가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.
도 2는 발광소자의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 3a 내지 도 3g는 발광소자의 제조방법의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 4는 발광소자가 배치된 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 5는 발광소자가 배치된 영상표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 6은 발광소자가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도 2는 발광소자의 일실시예를 나타낸 도면이다.
실시예에 따른 발광소자(200)는 기판(210), 기판(210) 상의 버퍼층(215)과 발광 구조물(220), 각각의 발광 구조물(220) 사이의 갭(gap)을 채우는 갭 필링층(filling layer, 240), 및 갭 필링층(240) 상에 배치되는 투광성 도전층(250)과, 제1 전극(264)과 제2 전극(262)을 포함할 수 있다.
기판(210)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있으며, 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있고, 전도성 물질 예를 들면 금속으로 이루어질 수 있고, 보다 상세하게는 몰리브덴(Mo)이나 티타늄(Ti)으로 이루어질 수 있다.
몰리브덴 등의 전도성 물질로 이루어진 기판(210) 상에 GaN이나 AlGaN 등을 포함하는 발광구조물(220)을 성장시킬 때, GaN이나 AlGaN과 기판(210) 사이의 격자 부정합(lattice mismatch)이 매우 크고 이들 사이에 열 팽창 계수 차이도 매우 크기 때문에, 결정성을 악화시키는 전위(dislocation), 멜트 백(melt-back), 크랙(crack), 피트(pit), 표면 모폴로지(surface morphology) 불량 등이 발생할 수 있으므로, AlN 등으로 버퍼층(215)을 형성할 수도 있다.
발광 구조물(220)은 제1 도전형 반도체층(222)과 활성층(224) 및 제2 도전형 반도체층(226)을 포함하여 이루어진다. 발광 구조물(220)은 복수 개의 나노 로드(nano rod) 형상을 포함할 수 있다.
보다 상세하게는, 제1 도전형 반도체층(222)은 베이스층(222a)과 돌출 구조물(222b)을 포함하는데, 베이스층(222a)은 기판(210) 또는 버퍼층(215)의 전면 상에 얇은 박막으로 형성될 수 있고, 돌출 구조물(222b)은 베이스층(222a) 상에 복수 개의 돌출 구조물이 성장되어 이루어진다.
돌출 구조물(222b)은 도시된 바와 같이 베이스층(222a)으로부터 수직한 방향으로 측면이 배치되고, 상부면은 상기 측면과 둔각을 이루며 배치되고 있다. 또한, 돌출 구조물(222b)의 상부면은 플랫하여 상기 측면과 직각으로 구비될 수도 있다.
돌출 구조물(222b)은 수평 방향의 크기(R)이 나노 스케일이나, 경우에 따라서 10 마이크로 미터 내외의 스케일을 가질 수 있다. 돌출 구조물(222b)의 수평 방향의 크기(R)은 인접한 마스크(280) 사이의 거리(d)보다 클 수 있으며, 예를 들면 R은 d의 2배 이상일 수 있다. 상술한 거리(d)는 베이스층(222a)으로부터 돌출 구조물(222b)이 성장될 수 있는, 인접한 마스크(230) 사이의 개구부의 직경일 수 있다.
제1 도전형 반도체층(222)에서 베이스층(222a)의 높이(h1)는 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터일 수 있는데, 100 나노미터보다 작으면 제1 도전형 반도체층(222)의 성장에 충분하지 않을 수 있고, 10 마이크로 미터보다 크면 발광 구조물(220)의 두께가 너무 증가할 수 있다.
돌출 구조물(222b)의 높이(h2)와 돌출 구조물(222b) 사이의 피치(pitch. P)은, 발광 구조물(220)에서 방출되는 빛의 파장과 광량에 따라 다를 수 있다.
돌출 구조물은 단면이 6각 기둥이거나 원형 또는 다각형일 수 있고, 각각의 돌출 구조물은 규칙적인 배열 외에 불규칙하게도 배치될 수 있으며, 각각의 돌출 구조물의 크기나 형상은 서로 같을 수 있으나 다를 수도 있다.
도 2에서, 베이스층(222a)과 돌출 구조물(222b)을 점선으로 구획하고 있으나 동일한 재료로 이루어질 수 있고, 마스크(230)를 사용하기 이전과 이후에 각각 성장될 수 있다. 마스크(230)는 베이스층(222a)과 돌출 구조물(222b)를 나눌 수 있고, 또한 각각의 돌출 구조물(222b)을 나눌 수도 있다.
제1 도전형 반도체층(222)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(222)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(222)은 예컨대, InxAlyGa1 -x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(222)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제1 도전형 반도체층(222)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
활성층(224)은 제1 도전형 반도체층(222)과 제2 도전형 반도체층(226) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조(Double Hetero Structure), 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
활성층(224)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.
우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있고, 우물층은 제1 도전형의 도펀트를 포함할 수도 있다.
제2 도전형 반도체층(226)은 제1 도전형 반도체층(222)과 활성층(224)보다 저온에서 성장될 수 있는 물질로 이루어질 수 있으며, 상세하게는 산화물로 이루어질 수 있으며, 보다 상세하게는 ZnO로 이루어질 수 있다.
제2 도전형 반도체층(226)은 n형 도펀트가 도핑될 수 있으며, 예를 들면 Si, Ge, Sn, Se, Te 등이 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(226)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
제2 도전형 반도체층(226)을 ZnO로 구성할 경우 GaN계 재료로 구성할 경우보다 전기 전도성이 우수하고 전류 확산(current spreading)이 향상되고 저항이 감소할 수 있다. 이때, ZnO에는 Al, Fe 및 Ga 등을 첨가할 수도 있다.
활성층(224)과 제2 도전형 반도체층(226)은 돌출 구조물(222b)의 둘레,즉 측면과 상부면과, 마스크(230) 상에 얇은 박막으로 각각 형성될 수 있다.
마스크(230)는 절연성 물질 예를 들면 SiO2 등으로 이루어질 수 있으며, 제1 도전형 반도체층(222)의 성장시에 베이스층(222a)으로부터 돌출 구조물(222b)이 선택적인 영역에서만 성장되어 나노 로드(nano rod) 내지 유사한 형상을 이룰 수 있도록 할 수 있다.
도 2에서 활성층(224)과 제2 도전형 반도체층(226)이 형성된 각각의 돌출 구조물(222b) 사이에는 갭(gap)이 존재하고, 각각의 갭에는 갭 필링층(gap filling layer, 240)이 형성될 수 있다.
갭 필링층(240)은 전도성 물질 또는 절연물질로 이루어질 수 있으며, 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있고, 보다 상세하게는 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어지거나, SOG(Spin on glass), SOH(Spin on hardmask), SOD(Spin on dielectric) 등의 습식 물질 또는 CVD-SiO2, HDP-SiO2, TEOS와 같은 건식 물질로 형성될 수 있다.
갭 필링층(240) 상에는 도전층(250)이 배치될 수 있는데, 갭 필링층(240)과, 갭 필립층(240) 사이에서 노출된 제2 도전형 반도체층(226)의 위에 배치될 수 있다.
도전층(250)은 투명 전도성 산화물 또는 혼합 금속 산화물을 포함할 수 있고, 상세하게는 오믹 특성을 가지면서 광 투과율이 높은 ITO(Indium tin oxide), IZO(Indium zinc oxide), AZO(Aluminium zinc oxide), SnOx과 같은 투명 도전성 물질(TCO) 또는 RuOx, IrOx, PtOx와 같은 혼합 금속성 물질(MMO)일 수 있으며, 제2 전극(262)을 통하여 공급된 전류를 제2 도전형 반도체층(226)에 전달할 수 있다.
미세한 크기의 돌출 구조물(222b) 사이에 갭 필링층(240)이 형성되어 나노 구조체를 안정적으로 지지할 수 있다.
제2 전극(262)은 도전층(250) 중 일부 상에 형성될 수 있고, 제1 전극(264)은 기판(210)의 하부에 형성될 수 있다. 제1 전극(264)과 제2 전극(262)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
나노 구조체에 전극을 형성할 때 나노 구조체의 종횡비로 인하여 안정적인 전극의 배치가 어렵고, 나노 구조체의 상부면에 전극이 형성되면 나노 구조체의 전면적에 전류를 공급하기 어려울 수 있다. 그러나, 본 실시예에서는, 제1 전극(264)은 기판(210)의 하부의 전면적에 형성될 수 있고, 제2 전극(262)은 도전층(250)의 일부 상에 형성되어도 제2 도전형 반도체층(226)의 전면적에 고르게 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에 따른 발광소자는 미세한 크기의 돌출 구조물 사이에 절연물질로 갭 필링층으로 형성되어 나노 구조체를 안정적으로 지지하고, 도전층을 통하여 제2 도전형 반도체층의 상부 영역으로 전류가 공급될 수 있다.
그리고, 제2 전극과 제2 도전형 반도체층이 사이에 투명 전도성 산화물 등의 도전층이 배치되어, 낮은 비접촉 저항을 나타낼 수 있다.
도 3a 내지 도 3g는 발광소자의 제조방법의 일실시예를 나타낸 도면이다.
도 3a와 도 3b에 도시된 바와 같이 기판(210) 상에 제1 도전형 반도체층(222a)을 성장시킬 수 있다. 그리고, 제1 도전형 반도체층(222a)의 성장 이전에 상술한 버퍼층(215)을 성장시킬 수 있다. 제1 도전형 반도체층(222)의 성장을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3a에 도시된 바와 같이 기판(210) 상에 제1 도전형 반도체층(222) 중 베이스층(222a)을 성장시키고, 마스크(230)를 선택적으로 배치한다. 마스크(230)의 사이로 노출된 베이스층(222a)이 도시되고 있으며, 노출된 각각의 베이스층(222a)의 거리(d)는 도 2에 도시된 바와 같다.
도 3a에서 노출된 베이스층(222a)의 단면은 사각형으로 도시되나, 원형이나 기타 다각형일 수도 있다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(222) 중 돌출 구조물(222b)을 성장시키는데, 돌출 구조물(222b)은 마스크(230)의 사이의 영역에 선택적으로 성장된다.
제1 도전형 반도체층(222)이 도시된 바와 같이 돌출 구조물 형상으로 성장되어, 기판(210)과의 경계면에서 성장된 전위(dislocation)들이 도면의 윗 방향으로 성장하지 못하고 차단될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(222)은 화학증착방법(CVD) 혹은 분자선 에피택시 (MBE) 혹은 스퍼터링 혹은 수산화물 증기상 에피택시(HVPE) 등의 방법으로 성장시킬 수 있다. 제2 도전형 반도체층(222)의 조성은 상술한 바와 동일하며, 약 1000℃의 온도에서챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 마그네슘(Mg)과 같은 p형 불순물을 포함하는 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}가 주입되어 p형 GaN층이 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고, 도 3b에 도시된 바와 같이 돌출 구조물(222b)의 둘레에 활성층(224)을 성장시킨다. 활성층(224)은, 약 700℃ 내지 800℃의 온도에서 예를 들어 상기 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고, 도 3d에 도시된 바와 같이, 활성층(224)의 둘레에 제2 도전형 반도체층(226)을 성장시킨다. 제2 도전형 반도체층(226) 등의 조성은 상술한 바와 동일할 수 있다.
제2 도전형 반도체층(226)은 약 500℃의 온도에서 Zn와 O2를 공급하여 성장시키되, n형 도펀트를 도핑할 수 있으며, 예를 들면 Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 도핑할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(226)은 MOCVD법이나, PECVD법 또는 스퍼터링법 등으로 형성될 수 있으며, Al, Fe 및 Ga 등을 첨가될 수도 있다.
그리고, 도 3e에 도시된 바와 같이 활성층(224)과 제2 도전형 반도체층(226)이 형성된 각각의 돌출 구조물(222b) 사이의 갭(gap)에 갭 필링층(gap filling layer, 240)을 형성할 수 있다. 갭 필링층(240)은 상술한 재료들을 스핀코팅이나 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition) 방법 등으로 형성할 수 있다.
그리고, 도 3f에 도시된 바와 같이 갭 필링층(240)과 노출된 제2 도전형 반도체층(226)의 위에 도전층(250)을 형성할 수 있다.
그리고, 제1 전극(264)과 제2 전극(262)을 형성하면, 도 2의 발광소자(200)가 완성된다. 상술한 공정에서 도 3b에서 제1 전극(264)가 형성되고 있으나, 도 3e의 공정 후에 제1 전극(264)이 형성될 수도 있다.
도 3g에 완성된 발광소자(200)가 도시되고 있다.
상술한 공정으로 제조된 발광소자는, p형 반도체층이 고온에서 성장되어 도펀트의 도핑이 충분히 이루어져서 제1 도전형 반도체층의 품질이 향상될 수 있다. 그리고, 활성층의 성장 이후에 제2 도전형 반도체층이 GaN이 아닌 ZnO 등의 재료로 활성층보다 저온에서 성장되어 InGaN 등으로 이루어진 활성층의 열화를 방지할 수 있다.
그리고, ZnO의 전기 전도성이 GaN보다 우수하여, 발광 구조물 내에서 전자 공급이 향상되고 저항이 감소할 수 있어서, 나노 로드 형상의 발광 구조물에서 상부와 하부에 고루 전류가 공급될 수 있다.
또한, 금속 등으로 기판을 구성하여 발광 구조물에서 발생하는 열을 기판 방향으로 방출할 수 있고, 금속 기판은 사파이어 기판에 비하여 저렴하고 플렉서블(flexible) 기판을 사용할 수도 있어서 플렉서블 발광소자의 구현도 가능할 수 있으며, 활성층에 제1 전극과 제2 전극으로부터 서로 수직 방향으로 전류가 공급되어 수직형 나노 로드 발광소자가 구현될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(222)은 베이스층(222a)과 돌출 구조물(222b)을 포함하는데, 베이스층(222a)은 얇은 박막으로 형성될 수 있고, 돌출 구조물(222b)은 베이스층(222a) 상에 복수 개의 돌출 구조물이 성장되어 이루어진다.
돌출 구조물(222b)은 도시된 바와 같이 베이스층(222a)으로부터 수직한 방향으로 측면이 배치되고, 상부면은 상기 측면과 둔각을 이루며 배치되고 있으나 플랫하여 상술한 측면과 직각으로 구비될 수도 있다.
돌출 구조물(222b)은 수평 방향의 크기(R)이 나노 스케일이나, 경우에 따라서 10 마이크로 미터 내외의 스케일을 가질 수 있다. 돌출 구조물(222b)의 수평 방향의 크기(R)는 인접한 마스크(280) 사이의 거리(d)보다 클 수 있으며, 예를 들면 R은 d의 2배 이상일 수 있다. 즉, 돌출 구조물(222b)의 수평 방향의 크기(R)는 10 마이크로 미터 내외이나, 인접한 마스크(280) 사이의 거리(d)는 5 마이크로 미터 내외일 수 있다. 상술한 거리(d)는 베이스층(222a)으로부터 돌출 구조물(222b)이 성장될 수 있는, 인접한 마스크(230) 사이의 개구부의 직경일 수 있다.
인접한 마스크(280) 사이의 거리(d)가 너무 크면 돌출 구조물(222b)의 수평 방향의 크기(R)가 너무 커져서, 따라서 돌출 구조물(222b)의 내부에 전위(dislocation)이 성장될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(222)에서 베이스층(222a)의 높이(h1)는 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터일 수 있는데, 100 나노미터보다 작으면 제1 도전형 반도체층(222)의 성장에 충분하지 않을 수 있고, 10 마이크로 미터보다 크면 발광 구조물(220)의 두께가 너무 증가할 수 있다.
돌출 구조물(222b)의 높이(h2)와 돌출 구조물(222b) 사이의 피치(pitch. P)는, 발광 구조물(220)에서 방출되는 빛의 파장과 광량에 따라 다를 수 있다. 돌출 구조물(222b) 사이의 피치(pitch. P)는, 인접한 돌출 구조물(222b)의 최고점 사이의 거리일 수 있다.
돌출 구조물은 단면이 6각 기둥이거나 원형 또는 다각형일 수 있고, 각각의 돌출 구조물은 규칙적인 배열 외에 불규칙하게도 배치될 수 있으며, 각각의 돌출 구조물의 크기나 형상은 서로 같을 수 있으나 다를 수도 있다.
도 4는 발광소자가 배치된 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지(400)는 캐비티를 포함하는 몸체(450)와, 상기 몸체(450)에 설치된 제1 리드 프레임(Lead Frame, 421) 및 제2 리드 프레임(422)과, 상기 몸체(450)에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)과 전기적으로 연결되는 발광소자(200a)와, 상기 캐비티에 형성된 몰딩부(470)를 포함한다.
몸체(450)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 몸체(450)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 상기 몸체(450)의 표면에 절연층이 코팅되어 상기 제1,2 리드 프레임(421, 422) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다.
제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(200a)에 전류를 공급한다. 또한, 제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)은 발광소자(200a)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광소자(200a)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다. 발광소자(200a)는 상술한 실시예에 따를 수 있다.
발광소자(200a)는 제1 리드 프레임(421)에 페이스트(미도시) 등으로 고정될 수 있고, 전극은 제1 리드 프레임(421)과 제2 리드 프레임(422)에 와이어(450)로 본딩될 수 있다.
상기 몰딩부(470)는 상기 발광소자(200a)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(470) 상에는 형광체(480)가 포함될 수 있다. 이러한 구조는 형광체(480)가 분포되어, 발광소자(200a)로부터 방출되는 빛의 파장을 발광소자 패키지(400)의 빛이 출사되는 전 영역에서 변환시킬 수 있다.
발광소자 패키지(400)는 상술한 실시예들에 따른 발광소자 중 하나 또는 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
이하에서는 상술한 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 영상표시장치와 조명장치를 설명한다.
도 5는 발광소자 패키지를 포함하는 영상표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 영상표시장치(500)는 광원 모듈과, 바텀 커버(510) 상의 반사판(520)과, 상기 반사판(520)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 영상표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(540)과, 상기 도광판(540)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(550)와 제2 프리즘시트(560)와, 상기 제2 프리즘시트(560)의 전방에 배치되는 패널(570)과 상기 패널(570)의 전반에 배치되는 컬러필터(580)를 포함하여 이루어진다.
광원 모듈은 회로 기판(530) 상의 발광소자 패키지(535)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(530)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(535)의 발광소자는 상술한 바와 같다.
바텀 커버(510)는 영상표시장치(500) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 반사판(520)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(540)의 후면이나, 상기 바텀 커버(510)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
반사판(520)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
도광판(540)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(530)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 도광판(540)이 생략되면 에어 가이드 방식의 표시장치가 구현될 수 있다.
상기 제1 프리즘 시트(550)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.
상기 제2 프리즘 시트(560)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(550) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(570)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.
본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(550)과 제2 프리즘시트(560)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
상기 패널(570)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(560) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.
상기 패널(570)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.
표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.
상기 패널(570)의 전면에는 컬러 필터(580)가 구비되어 상기 패널(570)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.
도 6은 발광소자가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.
본 실시예에 따른 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있고, 광원 모듈(1200)은 상술한 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.
커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(1100)는 외부에서 상기 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
광원 모듈(1200)은 상기 방열체(1400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 광원 모듈(1200)로부터의 열은 상기 방열체(1400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(1200)은 발광소자 패키지(1210), 연결 플레이트(1230), 커넥터(1250)를 포함할 수 있다.
부재(1300)는 상기 방열체(1400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광소자 패키지(1210)들과 커넥터(1250)이 삽입되는 가이드홈(1310)들을 갖는다. 가이드홈(1310)은 상기 발광소자 패키지(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응된다.
부재(1300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(1300)는 상기 커버(1100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(1200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(1100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(1400)와 상기 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(1230)와 상기 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(1400)는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.
홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(1700)의 상기 절연부(1710)에 수납되는 상기 전원 제공부(1600)는 밀폐된다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 갖는다. 가이드 돌출부(1510)는 상기 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 갖는다.
전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 상기 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납되고, 상기 홀더(1500)에 의해 상기 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.
상기 가이드부(1630)는 상기 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(1630)는 상기 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(1650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 연장부(1670)는 상기 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
내부 케이스(1700)는 내부에 상기 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(1600)가 상기 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 200: 발광소자 110, 210: 기판
215: 버퍼층 120, 220: 발광 구조물
122, 222: 제1 도전형 반도체층 124, 224: 활성층
126, 226: 제2 도전형 반도체층 130, 230: 마스크
222a: 베이스층 222b: 돌출 구조물
240: 갭 필링층 250: 도전층
262: 제2 전극 264: 제1 전극
400: 발광소자 패키지 500: 영상표시장치
215: 버퍼층 120, 220: 발광 구조물
122, 222: 제1 도전형 반도체층 124, 224: 활성층
126, 226: 제2 도전형 반도체층 130, 230: 마스크
222a: 베이스층 222b: 돌출 구조물
240: 갭 필링층 250: 도전층
262: 제2 전극 264: 제1 전극
400: 발광소자 패키지 500: 영상표시장치
Claims (10)
- 도전성 기판;
상기 도전성 기판 상에 배치되고 제1 도전형 반도체층을 포함하는 복수 개의 돌출 구조물;
상기 각각의 돌출 구조물의 측면과 상부면에 배치된 활성층 및 제2 도전형 반도체층; 및
상기 반사층들의 사이의 갭(gap)을 채우는 갭 필링(gap filling)층을 포함하는 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층은 p형 도펀트로 도핑되고, 상기 제2 도전형 반도체층은 n형 도펀트로 도핑된 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 도전성 기판 상의 제1 전극과 상기 제2 도전형 반도체층 상의 제1 전극을 더 포함하는 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층은 ZnO를 포함하는 발광소자. - 제4 항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층은, Al, Fe 및 Ga 중 적어도 하나가 도핑된 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층은 상기 활성층보다 고온에서 성장된 발광소자. - 제4 항에 있어서,
상기 활성층은 상기 제2 도전형 반도체층보다 고온에서 성장된 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 도전성 기판은, 금속으로 이루어진 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 도전성 기판 상에 배치되고, 상기 복수 개의 돌출 구조물을 나누는 마스크를 더 포함하는 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 갭 필링층은 도전성 물질 또는 절연성 물질을 포함하는 발광소자.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140143268A KR20160047192A (ko) | 2014-10-22 | 2014-10-22 | 발광소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140143268A KR20160047192A (ko) | 2014-10-22 | 2014-10-22 | 발광소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160047192A true KR20160047192A (ko) | 2016-05-02 |
Family
ID=56021502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140143268A KR20160047192A (ko) | 2014-10-22 | 2014-10-22 | 발광소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20160047192A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101898658B1 (ko) * | 2017-07-05 | 2018-09-13 | 세종대학교산학협력단 | 백색 발광 소자 및 그 제조 방법 |
-
2014
- 2014-10-22 KR KR1020140143268A patent/KR20160047192A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101898658B1 (ko) * | 2017-07-05 | 2018-09-13 | 세종대학교산학협력단 | 백색 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102239625B1 (ko) | 발광 소자 | |
| KR101998763B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR20160059144A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101827973B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR20150039926A (ko) | 발광소자 | |
| KR20160016346A (ko) | 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 | |
| KR20150094308A (ko) | 발광소자 모듈 | |
| KR102170212B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR20160047192A (ko) | 발광소자 | |
| KR20150087623A (ko) | 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 | |
| KR102346720B1 (ko) | 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 | |
| KR102182018B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR102114937B1 (ko) | 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 | |
| KR102140274B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR102137745B1 (ko) | 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 | |
| KR102252472B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR102252474B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR102007408B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR20150142481A (ko) | 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 | |
| KR20150141407A (ko) | 발광소자 | |
| KR20150097952A (ko) | 발광소자 | |
| KR102189131B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR102252473B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR20150138606A (ko) | 발광 소자 모듈 | |
| KR102182021B1 (ko) | 발광소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |