KR20160047192A - Light emittng device - Google Patents

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KR20160047192A
KR20160047192A KR1020140143268A KR20140143268A KR20160047192A KR 20160047192 A KR20160047192 A KR 20160047192A KR 1020140143268 A KR1020140143268 A KR 1020140143268A KR 20140143268 A KR20140143268 A KR 20140143268A KR 20160047192 A KR20160047192 A KR 20160047192A
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강유환
김태기
이은형
김원호
노승원
문효정
전용한
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

According to an embodiment of the present invention, provided is a light emitting device, comprising: a conductive substrate; a plurality of protrusion structures arranged on the conductive substrate and including a first conductivity-type semiconductor layer; a second conductivity-type semiconductor layer and an active layer arranged on each of a side surface and an upper surface of the protrusion structure; and a gap filling layer filling a gap between reflection layers. The present invention provides a light emitting device capable of improving quality of an active layer and a p-type semiconductor layer.

Description

발광소자{LIGHT EMITTNG DEVICE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE [0002]

실시예는 발광소자에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting element.

GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다.GaN, and AlGaN are widely used for optoelectronics and electronic devices due to their advantages such as wide and easy bandgap energy.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.Particularly, a light emitting device such as a light emitting diode (Ligit Emitting Diode) or a laser diode using a semiconductor material of a 3-5 group or a 2-6 group compound semiconductor has been widely used in various fields such as red, green, blue and ultraviolet It can realize various colors, and it can realize efficient white light by using fluorescent material or color combination. It has low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environment compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps Affinity.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

종래의 발광소자는 사파이어 등으로 이루어진 기판 위에 n형 반도체층과 활성층 및 p형 반체층을 포함하는 발광구조물이 형성되고, n형 반도체층을 통해서 주입되는 전자와 p형 반도체층을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출한다.In a conventional light emitting device, a light emitting structure including an n-type semiconductor layer, an active layer and a p-type semiconductor layer is formed on a substrate made of sapphire or the like, and electrons injected through the n-type semiconductor layer and holes injected through the p- And emits light having energy determined by the energy band inherent in the material forming the active layer.

이때, 활성층에서 방출되는 빛은 활성층을 이루는 물질의 조성에 따라 다를 수 있으며, 청색광이나 자외선(UV) 또는 심자외선(Deep UV) 또는 다른 파장 영역의 광일 수 있다.At this time, the light emitted from the active layer may be different depending on the composition of the material forming the active layer, and may be blue light, ultraviolet (UV) light, deep UV or other wavelength light.

상술한 종래의 발광소자는 다음과 같은 문제점이 있다.The above-described conventional light emitting device has the following problems.

기판과 발광 구조물은 이종의 재료이므로 격자 상수 부정합(lattice mismatch)이 매우 크고 이들 사이에 열 팽창 계수 차이도 매우 크기 때문에, 결정성을 악화시키는 전위(dislocation), 멜트 백(melt-back), 크랙(crack), 피트(pit), 표면 모폴로지(surface morphology) 불량 등이 발생할 수 있다.Since the substrate and the light emitting structure are different materials, the lattice mismatch is very large and the thermal expansion coefficient difference between them is very large. Therefore, dislocations, melt-backs, cracks, cracks, pits, surface morphology defects and the like may occur.

그리고, 상술한 전위의 형성에 따라 발광 구조물의 품질을 악화시킬 수도 있으며, 활성층에서 빛에너지가 아닌 발광 구조물에서 열에너지가 방출되어 발광소자 자체의 효율을 저하시킬 수 있다.In addition, the quality of the light emitting structure may deteriorate due to the formation of the dislocation described above, and thermal energy may be emitted from the light emitting structure rather than light energy in the active layer, thereby reducing the efficiency of the light emitting device itself.

이러한 문제점을 해결하고자 나노 로드 형상의 발광 구조물을 포함하는 발광소자가 제시되었다. 도 1은 종래의 발광소자를 나타낸 도면이며, 나노 로드 형상의 발광 소자를 제시하고 있다.In order to solve such a problem, a light emitting device including a nano-rod-shaped light emitting structure has been proposed. FIG. 1 is a view showing a conventional light emitting device, and shows a light emitting device having a nano-rod shape.

도 1의 발광소자(100)는 절연성의 기판(110) 상에 n형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 p형 반도체층(126)을 포함하는 발광 구조물(120)이 배치되는데, 기판(110) 상에 마스크(130)가 선택적으로 배치되어 n형 반도체층(122)이 마스크(130) 위로 돌출되어 나노 로드(nano rod) 형상으로 형성된다.1, a light emitting structure 120 including an n-type semiconductor layer 122, an active layer 124, and a p-type semiconductor layer 126 is disposed on an insulating substrate 110, A mask 130 is selectively disposed on the substrate 110 and an n-type semiconductor layer 122 is formed on the mask 130 in a nano rod shape.

도 1의 발광소자는 발광 구조물이 나노 로드 형상으로 형성되므로 나노 로드 내에서 전위 등이 성장하지 않아서 발광 구조물의 품질이 향상될 수 있다.In the light emitting device of FIG. 1, because the light emitting structure is formed in the shape of a nano rod, the potential of the light emitting structure does not grow in the nano rod, and the quality of the light emitting structure can be improved.

그러나, 도 1의 발광소자는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the light emitting device of Fig. 1 has the following problems.

발광 구조물의 성장 온도는 통상적으로 n형 반도체층의 성장 온도가 가장 높고 활성층의 성장 온도가 가장 낮다.The growth temperature of the light emitting structure is usually the highest growth temperature of the n-type semiconductor layer and the lowest growth temperature of the active layer.

이때, 다중 양자 우물 구조 등의 활성층의 성장 이후에 p형 반도체층이 활성층의 성장 온도보다 높은 온도에서 성장될 경우, 활성층의 열화 문제가 발생할 수 있다. 이러한 문제점을 해결하고자 p형 반도체층을 활성층보다 낮은 온도에서 성장시킬 수도 있으나, p형 반도체층이 저온에서 성장될 때는 p형 도펀트의 도핑이 제대로 이루어지지 않은 단점이 있다.At this time, if the p-type semiconductor layer is grown at a temperature higher than the growth temperature of the active layer after the growth of the active layer such as the multiple quantum well structure, the deterioration of the active layer may occur. To solve this problem, the p-type semiconductor layer may be grown at a lower temperature than the active layer. However, when the p-type semiconductor layer is grown at a low temperature, the p-type dopant is not doped properly.

실시예는 활성층과 p형 반도체층의 품질이 향상되고, 나노 로드의 전 영역에 전류가 고루 공급되는 발광소자를 제공하고자 한다.The embodiment attempts to provide a light emitting device in which the quality of the active layer and the p-type semiconductor layer is improved and current is uniformly supplied to the entire region of the nano-rod.

실시예는 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 배치되고 제1 도전형 반도체층을 포함하는 복수 개의 돌출 구조물; 상기 각각의 돌출 구조물의 측면과 상부면에 배치된 활성층 및 제2 도전형 반도체층; 및 상기 반사층들의 사이의 갭(gap)을 채우는 갭 필링(gap filling)층을 포함하는 발광소자를 제공한다.An embodiment includes a conductive substrate; A plurality of protruding structures disposed on the conductive substrate and including a first conductive type semiconductor layer; An active layer and a second conductivity type semiconductor layer disposed on side surfaces and an upper surface of each of the protruding structures; And a gap filling layer filling a gap between the reflective layers.

제1 도전형 반도체층은 p형 도펀트로 도핑되고, 상기 제2 도전형 반도체층은 n형 도펀트로 도핑될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer may be doped with a p-type dopant, and the second conductivity type semiconductor layer may be doped with an n-type dopant.

도전성 기판 상의 제1 전극과 상기 제2 도전형 반도체층 상의 제1 전극을 더 포함할 수 있다.And a first electrode on the conductive substrate and a first electrode on the second conductive type semiconductor layer.

제2 도전형 반도체층은 ZnO를 포함할 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer may include ZnO.

제2 도전형 반도체층은, Al, Fe 및 Ga 중 적어도 하나가 도핑될 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer may be doped with at least one of Al, Fe, and Ga.

제1 도전형 반도체층은 상기 활성층보다 고온에서 성장될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer may be grown at a higher temperature than the active layer.

활성층은 상기 제2 도전형 반도체층보다 고온에서 성장될 수 있다.The active layer may be grown at a higher temperature than the second conductivity type semiconductor layer.

도전성 기판은, 금속으로 이루어질 수 있다.The conductive substrate may be made of metal.

발광소자는 도전성 기판 상에 배치되고, 상기 복수 개의 돌출 구조물을 나누는 마스크를 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a mask disposed on the conductive substrate and dividing the plurality of protruding structures.

갭 필링층은 도전성 물질 또는 절연성 물질을 포함할 수 있다.The gap-filling layer may comprise a conductive material or an insulating material.

본 실시예에 따른 발광소자는 p형 반도체층이 고온에서 성장되어 도펀트의 도핑이 충분히 이루어져서 제1 도전형 반도체층의 품질이 향상될 수 있다. 그리고, 활성층의 성장 이후에 제2 도전형 반도체층이 GaN이 아닌 ZnO 등의 재료로 활성층보다 저온에서 성장되어 InGaN 등으로 이루어진 활성층의 열화를 방지할 수 있다.In the light emitting device according to the present embodiment, the p-type semiconductor layer is grown at a high temperature, so that the doping of the dopant is sufficiently performed, so that the quality of the first conductivity type semiconductor layer can be improved. Then, after the growth of the active layer, the second conductivity type semiconductor layer is grown at a temperature lower than that of the active layer by a material such as ZnO instead of GaN, thereby preventing deterioration of the active layer made of InGaN or the like.

그리고, ZnO의 전기 전도성이 GaN보다 우수하여, 발광 구조물 내에서 전자 공급이 향상되고 저항이 감소할 수 있어서, 나노 로드 형상의 발광 구조물에서 상부와 하부에 고루 전류가 공급될 수 있다.Further, the electrical conductivity of ZnO is better than that of GaN, the electron supply in the light emitting structure can be improved, and the resistance can be reduced, so that the even current can be supplied to the upper and lower portions in the light emitting structure having the nano rod shape.

또한, 금속 등으로 기판을 구성하여 발광 구조물에서 발생하는 열을 기판 방향으로 방출할 수 있고, 금속 기판은 사파이어 기판에 비하여 저렴하고 플렉서블(flexible) 기판을 사용할 수도 있어서 플렉서블 발광소자의 구현도 가능할 수 있으며, 활성층에 제1 전극과 제2 전극으로부터 서로 수직 방향으로 전류가 공급되어 수직형 나노 로드 발광소자가 구현될 수 있다.In addition, since the substrate can be made of metal or the like and the heat generated in the light emitting structure can be emitted toward the substrate, the metal substrate can be used inexpensively as compared with the sapphire substrate and a flexible substrate can be used, And a current is supplied to the active layer in the vertical direction from the first electrode and the second electrode to realize a vertical nano rod light emitting device.

도 1은 종래의 발광소자를 나타낸 도면이고,
도 2는 발광소자의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 3a 내지 도 3g는 발광소자의 제조방법의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 4는 발광소자가 배치된 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 5는 발광소자가 배치된 영상표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 6은 발광소자가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional light emitting device,
2 is a view showing an embodiment of a light emitting device,
3A to 3G are views showing an embodiment of a method of manufacturing a light emitting device,
4 is a view showing an embodiment of a light emitting device package in which a light emitting device is disposed,
5 is a view showing an embodiment of a video display device in which a light emitting device is disposed,
6 is a view showing an embodiment of a lighting apparatus in which a light emitting element is disposed.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will be more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of embodiments according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도 2는 발광소자의 일실시예를 나타낸 도면이다.2 is a view showing an embodiment of a light emitting device.

실시예에 따른 발광소자(200)는 기판(210), 기판(210) 상의 버퍼층(215)과 발광 구조물(220), 각각의 발광 구조물(220) 사이의 갭(gap)을 채우는 갭 필링층(filling layer, 240), 및 갭 필링층(240) 상에 배치되는 투광성 도전층(250)과, 제1 전극(264)과 제2 전극(262)을 포함할 수 있다.The light emitting device 200 according to the embodiment includes a substrate 210, a buffer layer 215 on the substrate 210 and a light emitting structure 220, and a gap filling layer (not shown) filling a gap between the light emitting structures 220 a filling layer 240 and a transmissive conductive layer 250 disposed on the gap filling layer 240 and first and second electrodes 264 and 262.

기판(210)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있으며, 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있고, 전도성 물질 예를 들면 금속으로 이루어질 수 있고, 보다 상세하게는 몰리브덴(Mo)이나 티타늄(Ti)으로 이루어질 수 있다.The substrate 210 may be formed of a material suitable for semiconductor material growth or a carrier wafer, may be formed of a material having excellent thermal conductivity, may be made of a conductive material, for example, a metal, and more specifically, may be formed of molybdenum (Mo) Or titanium (Ti).

몰리브덴 등의 전도성 물질로 이루어진 기판(210) 상에 GaN이나 AlGaN 등을 포함하는 발광구조물(220)을 성장시킬 때, GaN이나 AlGaN과 기판(210) 사이의 격자 부정합(lattice mismatch)이 매우 크고 이들 사이에 열 팽창 계수 차이도 매우 크기 때문에, 결정성을 악화시키는 전위(dislocation), 멜트 백(melt-back), 크랙(crack), 피트(pit), 표면 모폴로지(surface morphology) 불량 등이 발생할 수 있으므로, AlN 등으로 버퍼층(215)을 형성할 수도 있다.The lattice mismatch between GaN and AlGaN and the substrate 210 is very large when the light emitting structure 220 including GaN or AlGaN is grown on the substrate 210 made of a conductive material such as molybdenum The dislocation, melt-back, crack, pit, and surface morphology defects that degrade the crystallinity can occur. Therefore, the buffer layer 215 may be formed of AlN or the like.

발광 구조물(220)은 제1 도전형 반도체층(222)과 활성층(224) 및 제2 도전형 반도체층(226)을 포함하여 이루어진다. 발광 구조물(220)은 복수 개의 나노 로드(nano rod) 형상을 포함할 수 있다.The light emitting structure 220 includes a first conductive semiconductor layer 222, an active layer 224, and a second conductive semiconductor layer 226. The light emitting structure 220 may include a plurality of nano rod shapes.

보다 상세하게는, 제1 도전형 반도체층(222)은 베이스층(222a)과 돌출 구조물(222b)을 포함하는데, 베이스층(222a)은 기판(210) 또는 버퍼층(215)의 전면 상에 얇은 박막으로 형성될 수 있고, 돌출 구조물(222b)은 베이스층(222a) 상에 복수 개의 돌출 구조물이 성장되어 이루어진다.More specifically, the first conductive semiconductor layer 222 includes a base layer 222a and a protruding structure 222b. The base layer 222a is formed on the front surface of the substrate 210 or the buffer layer 215, And the protruding structure 222b is formed by growing a plurality of protruding structures on the base layer 222a.

돌출 구조물(222b)은 도시된 바와 같이 베이스층(222a)으로부터 수직한 방향으로 측면이 배치되고, 상부면은 상기 측면과 둔각을 이루며 배치되고 있다. 또한, 돌출 구조물(222b)의 상부면은 플랫하여 상기 측면과 직각으로 구비될 수도 있다.The protruding structure 222b is laterally disposed in the vertical direction from the base layer 222a as shown, and the upper surface is disposed at an obtuse angle with the side surface. In addition, the upper surface of the protruding structure 222b may be flat and provided at a right angle to the side surface.

돌출 구조물(222b)은 수평 방향의 크기(R)이 나노 스케일이나, 경우에 따라서 10 마이크로 미터 내외의 스케일을 가질 수 있다. 돌출 구조물(222b)의 수평 방향의 크기(R)은 인접한 마스크(280) 사이의 거리(d)보다 클 수 있으며, 예를 들면 R은 d의 2배 이상일 수 있다. 상술한 거리(d)는 베이스층(222a)으로부터 돌출 구조물(222b)이 성장될 수 있는, 인접한 마스크(230) 사이의 개구부의 직경일 수 있다.The protruding structure 222b may have a scale in the horizontal direction R in nanoscale, but occasionally a scale of about 10 micrometers or less. The horizontal size R of the protruding structure 222b may be greater than the distance d between the adjacent masks 280. For example, R may be at least twice as large as d. The distance d described above may be the diameter of the opening between the adjacent masks 230 from which the protruding structure 222b may be grown from the base layer 222a.

제1 도전형 반도체층(222)에서 베이스층(222a)의 높이(h1)는 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터일 수 있는데, 100 나노미터보다 작으면 제1 도전형 반도체층(222)의 성장에 충분하지 않을 수 있고, 10 마이크로 미터보다 크면 발광 구조물(220)의 두께가 너무 증가할 수 있다.The height h 1 of the base layer 222a in the first conductivity type semiconductor layer 222 may be in the range of 100 nanometers to 10 micrometers. If the thickness is less than 100 nanometers, the growth of the first conductivity type semiconductor layer 222 And if it is larger than 10 micrometers, the thickness of the light emitting structure 220 may be excessively increased.

돌출 구조물(222b)의 높이(h2)와 돌출 구조물(222b) 사이의 피치(pitch. P)은, 발광 구조물(220)에서 방출되는 빛의 파장과 광량에 따라 다를 수 있다.The height h 2 of the protruding structure 222b and the pitch P between the protruding structures 222b may be different depending on the wavelength and amount of light emitted from the light emitting structure 220.

돌출 구조물은 단면이 6각 기둥이거나 원형 또는 다각형일 수 있고, 각각의 돌출 구조물은 규칙적인 배열 외에 불규칙하게도 배치될 수 있으며, 각각의 돌출 구조물의 크기나 형상은 서로 같을 수 있으나 다를 수도 있다.The protruding structure may have a hexagonal cross section or a circular or polygonal cross section, and each protruding structure may be irregularly arranged in addition to the regular arrangement, and the size or shape of each protruding structure may be equal to or different from each other.

도 2에서, 베이스층(222a)과 돌출 구조물(222b)을 점선으로 구획하고 있으나 동일한 재료로 이루어질 수 있고, 마스크(230)를 사용하기 이전과 이후에 각각 성장될 수 있다. 마스크(230)는 베이스층(222a)과 돌출 구조물(222b)를 나눌 수 있고, 또한 각각의 돌출 구조물(222b)을 나눌 수도 있다.In FIG. 2, the base layer 222a and the protruding structure 222b are divided into dotted lines, but they may be formed of the same material, and may be grown before and after using the mask 230, respectively. The mask 230 can divide the base layer 222a and the protruding structure 222b and also divide each protruding structure 222b.

제1 도전형 반도체층(222)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(222)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(222)은 예컨대, InxAlyGa1 -x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 222 may be formed of a semiconductor compound. The first conductive semiconductor layer 222 may be formed of a compound semiconductor such as Group III-V or Group II-VI, and may be doped with a first conductive dopant. The first conductive semiconductor layer 222 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) , GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP.

제1 도전형 반도체층(222)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제1 도전형 반도체층(222)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the first conductive semiconductor layer 222 is a p-type semiconductor layer, the second conductive dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba. The first conductive semiconductor layer 222 may be formed as a single layer or a multilayer, but the present invention is not limited thereto.

활성층(224)은 제1 도전형 반도체층(222)과 제2 도전형 반도체층(226) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조(Double Hetero Structure), 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The active layer 224 is disposed between the first conductivity type semiconductor layer 222 and the second conductivity type semiconductor layer 226 and includes a single well structure, a multiple well structure, a single quantum well structure, A multi quantum well (MQW) structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure.

활성층(224)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaN / GaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs), and AlGaN / AlGaN / InGaN / GaN, / AlGaAs, GaP (InGaP) / AlGaP, but is not limited thereto.

우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있고, 우물층은 제1 도전형의 도펀트를 포함할 수도 있다.The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer, and the well layer may include a dopant of the first conductivity type.

제2 도전형 반도체층(226)은 제1 도전형 반도체층(222)과 활성층(224)보다 저온에서 성장될 수 있는 물질로 이루어질 수 있으며, 상세하게는 산화물로 이루어질 수 있으며, 보다 상세하게는 ZnO로 이루어질 수 있다.The second conductive type semiconductor layer 226 may be made of a material that can be grown at a lower temperature than the first conductive type semiconductor layer 222 and the active layer 224 and may be made of an oxide, ZnO.

제2 도전형 반도체층(226)은 n형 도펀트가 도핑될 수 있으며, 예를 들면 Si, Ge, Sn, Se, Te 등이 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(226)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second conductivity type semiconductor layer 226 may be doped with an n-type dopant, for example, Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like. The second conductivity type semiconductor layer 226 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

제2 도전형 반도체층(226)을 ZnO로 구성할 경우 GaN계 재료로 구성할 경우보다 전기 전도성이 우수하고 전류 확산(current spreading)이 향상되고 저항이 감소할 수 있다. 이때, ZnO에는 Al, Fe 및 Ga 등을 첨가할 수도 있다.When the second conductivity type semiconductor layer 226 is made of ZnO, the current conduction is improved, the current spreading is improved, and the resistance can be reduced, as compared with the case where the second conductivity type semiconductor layer 226 is formed of a GaN-based material. At this time, Al, Fe, Ga and the like may be added to ZnO.

활성층(224)과 제2 도전형 반도체층(226)은 돌출 구조물(222b)의 둘레,즉 측면과 상부면과, 마스크(230) 상에 얇은 박막으로 각각 형성될 수 있다.The active layer 224 and the second conductivity type semiconductor layer 226 may be formed as a thin film on the periphery of the protruding structure 222b, that is, the side surface and the top surface, and the mask 230, respectively.

마스크(230)는 절연성 물질 예를 들면 SiO2 등으로 이루어질 수 있으며, 제1 도전형 반도체층(222)의 성장시에 베이스층(222a)으로부터 돌출 구조물(222b)이 선택적인 영역에서만 성장되어 나노 로드(nano rod) 내지 유사한 형상을 이룰 수 있도록 할 수 있다.The mask 230 may be formed of an insulating material such as SiO 2 and the protruding structure 222b may be grown only in the selective region from the base layer 222a during the growth of the first conductivity type semiconductor layer 222, A nano rod or similar shape can be achieved.

도 2에서 활성층(224)과 제2 도전형 반도체층(226)이 형성된 각각의 돌출 구조물(222b) 사이에는 갭(gap)이 존재하고, 각각의 갭에는 갭 필링층(gap filling layer, 240)이 형성될 수 있다.2, there is a gap between each of the protruding structures 222b formed with the active layer 224 and the second conductivity type semiconductor layer 226, and a gap filling layer 240 is formed in each gap. Can be formed.

갭 필링층(240)은 전도성 물질 또는 절연물질로 이루어질 수 있으며, 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있고, 보다 상세하게는 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어지거나, SOG(Spin on glass), SOH(Spin on hardmask), SOD(Spin on dielectric) 등의 습식 물질 또는 CVD-SiO2, HDP-SiO2, TEOS와 같은 건식 물질로 형성될 수 있다.The gap filling layer 240 may be made of a conductive material or an insulating material, and the insulating material may be made of a non-conductive oxide or nitride. More specifically, the gap filling layer 240 may include a silicon oxide (SiO 2 ) layer, an oxynitride layer, Or a dry material such as CVD-SiO2, HDP-SiO2, or TEOS, or a wet material such as spin on glass (SOG), spin on hardmask (SOG), or spin on dielectric (SOD)

갭 필링층(240) 상에는 도전층(250)이 배치될 수 있는데, 갭 필링층(240)과, 갭 필립층(240) 사이에서 노출된 제2 도전형 반도체층(226)의 위에 배치될 수 있다.A conductive layer 250 may be disposed on the gap-filling layer 240 and may be disposed over the second conductive type semiconductor layer 226 exposed between the gap-filling layer 240 and the gap- have.

도전층(250)은 투명 전도성 산화물 또는 혼합 금속 산화물을 포함할 수 있고, 상세하게는 오믹 특성을 가지면서 광 투과율이 높은 ITO(Indium tin oxide), IZO(Indium zinc oxide), AZO(Aluminium zinc oxide), SnOx과 같은 투명 도전성 물질(TCO) 또는 RuOx, IrOx, PtOx와 같은 혼합 금속성 물질(MMO)일 수 있으며, 제2 전극(262)을 통하여 공급된 전류를 제2 도전형 반도체층(226)에 전달할 수 있다.The conductive layer 250 may include a transparent conductive oxide or a mixed metal oxide. Specifically, the conductive layer 250 may include at least one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and aluminum zinc oxide ), A transparent conductive material (TCO) such as SnO x , or a mixed metallic material (MMO) such as RuO x , IrO x , or PtO x, and the current supplied through the second electrode 262 may be a second conductive semiconductor Layer 226 as shown in FIG.

미세한 크기의 돌출 구조물(222b) 사이에 갭 필링층(240)이 형성되어 나노 구조체를 안정적으로 지지할 수 있다.A gap filling layer 240 is formed between the protruding structures 222b having a small size to stably support the nanostructure.

제2 전극(262)은 도전층(250) 중 일부 상에 형성될 수 있고, 제1 전극(264)은 기판(210)의 하부에 형성될 수 있다. 제1 전극(264)과 제2 전극(262)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The second electrode 262 may be formed on a part of the conductive layer 250 and the first electrode 264 may be formed on the lower part of the substrate 210. The first electrode 264 and the second electrode 262 may include at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chrome (Cr), nickel (Ni), copper (Cu) Or a multi-layer structure.

나노 구조체에 전극을 형성할 때 나노 구조체의 종횡비로 인하여 안정적인 전극의 배치가 어렵고, 나노 구조체의 상부면에 전극이 형성되면 나노 구조체의 전면적에 전류를 공급하기 어려울 수 있다. 그러나, 본 실시예에서는, 제1 전극(264)은 기판(210)의 하부의 전면적에 형성될 수 있고, 제2 전극(262)은 도전층(250)의 일부 상에 형성되어도 제2 도전형 반도체층(226)의 전면적에 고르게 전기적으로 연결될 수 있다.When electrodes are formed on the nanostructure, it is difficult to arrange the electrodes stably due to the aspect ratio of the nanostructure. If electrodes are formed on the upper surface of the nanostructure, it may be difficult to supply current to the entire surface of the nanostructure. However, in the present embodiment, the first electrode 264 may be formed on the entire lower surface of the substrate 210, and the second electrode 262 may be formed on a part of the conductive layer 250, And may be uniformly electrically connected to the entire surface of the semiconductor layer 226.

본 실시예에 따른 발광소자는 미세한 크기의 돌출 구조물 사이에 절연물질로 갭 필링층으로 형성되어 나노 구조체를 안정적으로 지지하고, 도전층을 통하여 제2 도전형 반도체층의 상부 영역으로 전류가 공급될 수 있다.The light emitting device according to the present embodiment is formed as a gap filling layer of insulating material between protruding structures of small size to stably support the nanostructure and supply current to the upper region of the second conductivity type semiconductor layer through the conductive layer .

그리고, 제2 전극과 제2 도전형 반도체층이 사이에 투명 전도성 산화물 등의 도전층이 배치되어, 낮은 비접촉 저항을 나타낼 수 있다.A conductive layer of a transparent conductive oxide or the like is disposed between the second electrode and the second conductivity type semiconductor layer, so that a low noncontact resistance can be exhibited.

도 3a 내지 도 3g는 발광소자의 제조방법의 일실시예를 나타낸 도면이다.3A to 3G are views showing an embodiment of a method of manufacturing a light emitting device.

도 3a와 도 3b에 도시된 바와 같이 기판(210) 상에 제1 도전형 반도체층(222a)을 성장시킬 수 있다. 그리고, 제1 도전형 반도체층(222a)의 성장 이전에 상술한 버퍼층(215)을 성장시킬 수 있다. 제1 도전형 반도체층(222)의 성장을 상세히 설명하면 다음과 같다.The first conductivity type semiconductor layer 222a may be grown on the substrate 210 as shown in FIGS. 3A and 3B. The buffer layer 215 may be grown before the growth of the first conductivity type semiconductor layer 222a. The growth of the first conductivity type semiconductor layer 222 will be described in detail as follows.

도 3a에 도시된 바와 같이 기판(210) 상에 제1 도전형 반도체층(222) 중 베이스층(222a)을 성장시키고, 마스크(230)를 선택적으로 배치한다. 마스크(230)의 사이로 노출된 베이스층(222a)이 도시되고 있으며, 노출된 각각의 베이스층(222a)의 거리(d)는 도 2에 도시된 바와 같다.The base layer 222a of the first conductivity type semiconductor layer 222 is grown on the substrate 210 as shown in FIG. 3A, and the mask 230 is selectively disposed. The base layer 222a exposed through the mask 230 is shown and the distance d of each exposed base layer 222a is as shown in FIG.

도 3a에서 노출된 베이스층(222a)의 단면은 사각형으로 도시되나, 원형이나 기타 다각형일 수도 있다.The cross-section of the exposed base layer 222a in FIG. 3A is shown as a square, but may be circular or other polygonal.

도 3b에 도시된 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(222) 중 돌출 구조물(222b)을 성장시키는데, 돌출 구조물(222b)은 마스크(230)의 사이의 영역에 선택적으로 성장된다.As shown in FIG. 3B, the protruding structure 222b of the first conductive type semiconductor layer 222 is grown, and the protruded structure 222b is selectively grown in a region between the masks 230.

제1 도전형 반도체층(222)이 도시된 바와 같이 돌출 구조물 형상으로 성장되어, 기판(210)과의 경계면에서 성장된 전위(dislocation)들이 도면의 윗 방향으로 성장하지 못하고 차단될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 222 is grown in the shape of a protruding structure as shown in the figure so that the dislocations grown at the interface with the substrate 210 can be blocked without growing in the upward direction of the drawing.

제1 도전형 반도체층(222)은 화학증착방법(CVD) 혹은 분자선 에피택시 (MBE) 혹은 스퍼터링 혹은 수산화물 증기상 에피택시(HVPE) 등의 방법으로 성장시킬 수 있다. 제2 도전형 반도체층(222)의 조성은 상술한 바와 동일하며, 약 1000℃의 온도에서챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 마그네슘(Mg)과 같은 p형 불순물을 포함하는 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}가 주입되어 p형 GaN층이 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The first conductive semiconductor layer 222 may be grown by chemical vapor deposition (CVD), molecular beam epitaxy (MBE), sputtering, or vapor phase epitaxy (HVPE). (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and magnesium (N 2 ) are introduced into the chamber at a temperature of about 1000 ° C. The composition of the second conductive semiconductor layer 222 is the same as described above. Mg) and Bisei butyl cyclopentadienyl magnesium (EtCp 2 Mg) {Mg ( C 2 H 5 C 5 H 4) 2} it is injected may be a p-type GaN layer formed, but including a p-type impurity such as limited It is not.

그리고, 도 3b에 도시된 바와 같이 돌출 구조물(222b)의 둘레에 활성층(224)을 성장시킨다. 활성층(224)은, 약 700℃ 내지 800℃의 온도에서 예를 들어 상기 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Then, the active layer 224 is grown around the protruding structure 222b as shown in FIG. 3B. The active layer 224 is doped with trimethyl gallium gas (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and trimethyl indium gas (TMIn) at a temperature of about 700 ° C. to 800 ° C. Multiple quantum well structures may be formed, but are not limited thereto.

그리고, 도 3d에 도시된 바와 같이, 활성층(224)의 둘레에 제2 도전형 반도체층(226)을 성장시킨다. 제2 도전형 반도체층(226) 등의 조성은 상술한 바와 동일할 수 있다.Then, as shown in FIG. 3D, the second conductive type semiconductor layer 226 is grown around the active layer 224. The composition of the second conductivity type semiconductor layer 226 and the like may be the same as described above.

제2 도전형 반도체층(226)은 약 500℃의 온도에서 Zn와 O2를 공급하여 성장시키되, n형 도펀트를 도핑할 수 있으며, 예를 들면 Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 도핑할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(226)은 MOCVD법이나, PECVD법 또는 스퍼터링법 등으로 형성될 수 있으며, Al, Fe 및 Ga 등을 첨가될 수도 있다.The second conductive semiconductor layer 226 may be doped with an n-type dopant by supplying Zn and O 2 at a temperature of about 500 ° C., for example, doping Si, Ge, Sn, Se, Te, can do. The second conductive semiconductor layer 226 may be formed by MOCVD, PECVD, sputtering, or the like, and Al, Fe, Ga, or the like may be added.

그리고, 도 3e에 도시된 바와 같이 활성층(224)과 제2 도전형 반도체층(226)이 형성된 각각의 돌출 구조물(222b) 사이의 갭(gap)에 갭 필링층(gap filling layer, 240)을 형성할 수 있다. 갭 필링층(240)은 상술한 재료들을 스핀코팅이나 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition) 방법 등으로 형성할 수 있다.3E, a gap filling layer 240 is formed in a gap between each of the protruding structures 222b in which the active layer 224 and the second conductivity type semiconductor layer 226 are formed, . The gap filling layer 240 may be formed by spin coating, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), or the like.

그리고, 도 3f에 도시된 바와 같이 갭 필링층(240)과 노출된 제2 도전형 반도체층(226)의 위에 도전층(250)을 형성할 수 있다.The conductive layer 250 may be formed on the gap filling layer 240 and the exposed second conductive semiconductor layer 226 as shown in FIG. 3F.

그리고, 제1 전극(264)과 제2 전극(262)을 형성하면, 도 2의 발광소자(200)가 완성된다. 상술한 공정에서 도 3b에서 제1 전극(264)가 형성되고 있으나, 도 3e의 공정 후에 제1 전극(264)이 형성될 수도 있다.When the first electrode 264 and the second electrode 262 are formed, the light emitting device 200 of FIG. 2 is completed. In the above-described process, the first electrode 264 is formed in FIG. 3B, but the first electrode 264 may be formed after the process of FIG. 3E.

도 3g에 완성된 발광소자(200)가 도시되고 있다.A completed light emitting device 200 is shown in Fig. 3G.

상술한 공정으로 제조된 발광소자는, p형 반도체층이 고온에서 성장되어 도펀트의 도핑이 충분히 이루어져서 제1 도전형 반도체층의 품질이 향상될 수 있다. 그리고, 활성층의 성장 이후에 제2 도전형 반도체층이 GaN이 아닌 ZnO 등의 재료로 활성층보다 저온에서 성장되어 InGaN 등으로 이루어진 활성층의 열화를 방지할 수 있다.In the light emitting device manufactured by the above-described process, the p-type semiconductor layer is grown at a high temperature, and the doping of the dopant is sufficiently performed, so that the quality of the first conductivity type semiconductor layer can be improved. Then, after the growth of the active layer, the second conductivity type semiconductor layer is grown at a temperature lower than that of the active layer by a material such as ZnO instead of GaN, thereby preventing deterioration of the active layer made of InGaN or the like.

그리고, ZnO의 전기 전도성이 GaN보다 우수하여, 발광 구조물 내에서 전자 공급이 향상되고 저항이 감소할 수 있어서, 나노 로드 형상의 발광 구조물에서 상부와 하부에 고루 전류가 공급될 수 있다.Further, the electrical conductivity of ZnO is better than that of GaN, the electron supply in the light emitting structure can be improved, and the resistance can be reduced, so that the even current can be supplied to the upper and lower portions in the light emitting structure having the nano rod shape.

또한, 금속 등으로 기판을 구성하여 발광 구조물에서 발생하는 열을 기판 방향으로 방출할 수 있고, 금속 기판은 사파이어 기판에 비하여 저렴하고 플렉서블(flexible) 기판을 사용할 수도 있어서 플렉서블 발광소자의 구현도 가능할 수 있으며, 활성층에 제1 전극과 제2 전극으로부터 서로 수직 방향으로 전류가 공급되어 수직형 나노 로드 발광소자가 구현될 수 있다.In addition, since the substrate can be made of metal or the like and the heat generated in the light emitting structure can be emitted toward the substrate, the metal substrate can be used inexpensively as compared with the sapphire substrate and a flexible substrate can be used, And a current is supplied to the active layer in the vertical direction from the first electrode and the second electrode to realize a vertical nano rod light emitting device.

제1 도전형 반도체층(222)은 베이스층(222a)과 돌출 구조물(222b)을 포함하는데, 베이스층(222a)은 얇은 박막으로 형성될 수 있고, 돌출 구조물(222b)은 베이스층(222a) 상에 복수 개의 돌출 구조물이 성장되어 이루어진다.The first conductive semiconductor layer 222 includes a base layer 222a and a protruding structure 222b. The base layer 222a may be formed as a thin film. The protruding structure 222b may include a base layer 222a, And a plurality of protruding structures are grown on the substrate.

돌출 구조물(222b)은 도시된 바와 같이 베이스층(222a)으로부터 수직한 방향으로 측면이 배치되고, 상부면은 상기 측면과 둔각을 이루며 배치되고 있으나 플랫하여 상술한 측면과 직각으로 구비될 수도 있다.The protruding structure 222b is disposed at a side surface in the vertical direction from the base layer 222a and the upper surface is disposed at an obtuse angle with the side surface as shown in FIG.

돌출 구조물(222b)은 수평 방향의 크기(R)이 나노 스케일이나, 경우에 따라서 10 마이크로 미터 내외의 스케일을 가질 수 있다. 돌출 구조물(222b)의 수평 방향의 크기(R)는 인접한 마스크(280) 사이의 거리(d)보다 클 수 있으며, 예를 들면 R은 d의 2배 이상일 수 있다. 즉, 돌출 구조물(222b)의 수평 방향의 크기(R)는 10 마이크로 미터 내외이나, 인접한 마스크(280) 사이의 거리(d)는 5 마이크로 미터 내외일 수 있다. 상술한 거리(d)는 베이스층(222a)으로부터 돌출 구조물(222b)이 성장될 수 있는, 인접한 마스크(230) 사이의 개구부의 직경일 수 있다.The protruding structure 222b may have a scale in the horizontal direction R in nanoscale, but occasionally a scale of about 10 micrometers or less. The horizontal size R of the protruding structure 222b may be greater than the distance d between the adjacent masks 280. For example, R may be at least twice as large as d. That is, the horizontal dimension R of the protruding structure 222b is about 10 micrometers, but the distance d between adjacent masks 280 may be about 5 micrometers. The distance d described above may be the diameter of the opening between the adjacent masks 230 from which the protruding structure 222b may be grown from the base layer 222a.

인접한 마스크(280) 사이의 거리(d)가 너무 크면 돌출 구조물(222b)의 수평 방향의 크기(R)가 너무 커져서, 따라서 돌출 구조물(222b)의 내부에 전위(dislocation)이 성장될 수 있다.If the distance d between the adjacent masks 280 is too large, the horizontal size R of the protruding structure 222b becomes too large, and thus a dislocation can be grown inside the protruding structure 222b.

제1 도전형 반도체층(222)에서 베이스층(222a)의 높이(h1)는 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터일 수 있는데, 100 나노미터보다 작으면 제1 도전형 반도체층(222)의 성장에 충분하지 않을 수 있고, 10 마이크로 미터보다 크면 발광 구조물(220)의 두께가 너무 증가할 수 있다.The height h 1 of the base layer 222a in the first conductivity type semiconductor layer 222 may be in the range of 100 nanometers to 10 micrometers. If the thickness is less than 100 nanometers, the growth of the first conductivity type semiconductor layer 222 And if it is larger than 10 micrometers, the thickness of the light emitting structure 220 may be excessively increased.

돌출 구조물(222b)의 높이(h2)와 돌출 구조물(222b) 사이의 피치(pitch. P)는, 발광 구조물(220)에서 방출되는 빛의 파장과 광량에 따라 다를 수 있다. 돌출 구조물(222b) 사이의 피치(pitch. P)는, 인접한 돌출 구조물(222b)의 최고점 사이의 거리일 수 있다.The pitch h between the height h 2 of the protruding structure 222b and the pitch 222 between the protruding structures 222b may vary depending on the wavelength and the amount of light emitted from the light emitting structure 220. The pitch P between the protruding structures 222b may be the distance between the peaks of the adjacent protruding structures 222b.

돌출 구조물은 단면이 6각 기둥이거나 원형 또는 다각형일 수 있고, 각각의 돌출 구조물은 규칙적인 배열 외에 불규칙하게도 배치될 수 있으며, 각각의 돌출 구조물의 크기나 형상은 서로 같을 수 있으나 다를 수도 있다.The protruding structure may have a hexagonal cross section or a circular or polygonal cross section, and each protruding structure may be irregularly arranged in addition to the regular arrangement, and the size or shape of each protruding structure may be equal to or different from each other.

도 4는 발광소자가 배치된 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이다.4 is a view showing an embodiment of a light emitting device package in which a light emitting device is disposed.

실시예에 따른 발광소자 패키지(400)는 캐비티를 포함하는 몸체(450)와, 상기 몸체(450)에 설치된 제1 리드 프레임(Lead Frame, 421) 및 제2 리드 프레임(422)과, 상기 몸체(450)에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)과 전기적으로 연결되는 발광소자(200a)와, 상기 캐비티에 형성된 몰딩부(470)를 포함한다.The light emitting device package 400 according to the embodiment includes a body 450 including a cavity, a first lead frame 421 and a second lead frame 422 provided on the body 450, A light emitting device 200a provided in the cavity 450 and electrically connected to the first lead frame 421 and the second lead frame 422 and a molding part 470 formed in the cavity.

몸체(450)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 몸체(450)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 상기 몸체(450)의 표면에 절연층이 코팅되어 상기 제1,2 리드 프레임(421, 422) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다.The body 450 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. When the body 450 is made of a conductive material such as a metal material, an insulating layer is coated on the surface of the body 450 to prevent electrical shorting between the first and second lead frames 421 and 422 .

제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(200a)에 전류를 공급한다. 또한, 제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)은 발광소자(200a)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광소자(200a)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다. 발광소자(200a)는 상술한 실시예에 따를 수 있다.The first lead frame 421 and the second lead frame 422 are electrically separated from each other and supply current to the light emitting device 200a. The first lead frame 421 and the second lead frame 422 can reflect the light generated from the light emitting device 200a to increase the light efficiency and reduce the heat generated from the light emitting device 200a to the outside It may be discharged. The light emitting device 200a may be in accordance with the above-described embodiment.

발광소자(200a)는 제1 리드 프레임(421)에 페이스트(미도시) 등으로 고정될 수 있고, 전극은 제1 리드 프레임(421)과 제2 리드 프레임(422)에 와이어(450)로 본딩될 수 있다.The light emitting device 200a may be fixed to the first lead frame 421 with a paste or the like and the electrode may be bonded to the first lead frame 421 and the second lead frame 422 with wires 450 .

상기 몰딩부(470)는 상기 발광소자(200a)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(470) 상에는 형광체(480)가 포함될 수 있다. 이러한 구조는 형광체(480)가 분포되어, 발광소자(200a)로부터 방출되는 빛의 파장을 발광소자 패키지(400)의 빛이 출사되는 전 영역에서 변환시킬 수 있다.The molding part 470 can surround and protect the light emitting device 200a. In addition, the phosphor 480 may be included on the molding part 470. In this structure, the phosphor 480 is distributed so that the wavelength of the light emitted from the light emitting device 200a can be changed in the entire region where the light of the light emitting device package 400 is emitted.

발광소자 패키지(400)는 상술한 실시예들에 따른 발광소자 중 하나 또는 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device package 400 may be mounted on one or a plurality of light emitting devices according to the above-described embodiments, but the present invention is not limited thereto.

이하에서는 상술한 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 영상표시장치와 조명장치를 설명한다.Hereinafter, an image display apparatus and a lighting apparatus will be described as an embodiment of an illumination system in which the above-described light emitting device package is disposed.

도 5는 발광소자 패키지를 포함하는 영상표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.5 is a view showing an embodiment of an image display device including a light emitting device package.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 영상표시장치(500)는 광원 모듈과, 바텀 커버(510) 상의 반사판(520)과, 상기 반사판(520)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 영상표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(540)과, 상기 도광판(540)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(550)와 제2 프리즘시트(560)와, 상기 제2 프리즘시트(560)의 전방에 배치되는 패널(570)과 상기 패널(570)의 전반에 배치되는 컬러필터(580)를 포함하여 이루어진다.As shown in the drawing, the image display apparatus 500 according to the present embodiment includes a light source module, a reflection plate 520 on the bottom cover 510, and a reflection plate 520 disposed in front of the reflection plate 520, A first prism sheet 550 and a second prism sheet 560 disposed in front of the light guide plate 540 and a second prism sheet 560 disposed between the first prism sheet 560 and the second prism sheet 560, A panel 570 disposed in front of the panel 570 and a color filter 580 disposed in the front of the panel 570.

광원 모듈은 회로 기판(530) 상의 발광소자 패키지(535)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(530)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(535)의 발광소자는 상술한 바와 같다.The light source module comprises a light emitting device package 535 on a circuit board 530. Here, the circuit board 530 may be a PCB or the like, and the light emitting device of the light emitting device package 535 is as described above.

바텀 커버(510)는 영상표시장치(500) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 반사판(520)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(540)의 후면이나, 상기 바텀 커버(510)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 510 can house the components in the image display apparatus 500. The reflective plate 520 may be formed as a separate component as shown in the drawing, or may be provided on the rear surface of the light guide plate 540 or on the front surface of the bottom cover 510 with a highly reflective material.

반사판(520)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.The reflector 520 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and a polyethylene terephthalate (PET) can be used.

도광판(540)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(530)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 도광판(540)이 생략되면 에어 가이드 방식의 표시장치가 구현될 수 있다.The light guide plate 540 scatters the light emitted from the light emitting device package module so that the light is uniformly distributed over the entire screen area of the LCD. Accordingly, the light guide plate 530 is made of a material having a good refractive index and transmittance. The light guide plate 530 may be formed of poly methylmethacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE). Also, if the light guide plate 540 is omitted, an air guide display device can be realized.

상기 제1 프리즘 시트(550)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 550 is formed on one side of the support film with a translucent and elastic polymer material. The polymer may have a prism layer in which a plurality of steric structures are repeatedly formed. As shown in the drawings, the plurality of patterns may be repeatedly provided with a stripe pattern.

상기 제2 프리즘 시트(560)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(550) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(570)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 560, a direction of a floor and a valley of one side of the supporting film may be perpendicular to a direction of a floor and a valley of one side of the supporting film in the first prism sheet 550. This is for evenly distributing the light transmitted from the light source module and the reflective sheet in all directions of the panel 570.

본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(550)과 제2 프리즘시트(560)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In this embodiment, the first prism sheet 550 and the second prism sheet 560 constitute an optical sheet, which may be made of other combinations, for example, a microlens array or a combination of a diffusion sheet and a microlens array Or a combination of one prism sheet and a microlens array, or the like.

상기 패널(570)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(560) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.A liquid crystal display (LCD) panel may be disposed on the panel 570. In addition to the liquid crystal display panel 560, other types of display devices requiring a light source may be provided.

상기 패널(570)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.In the panel 570, a liquid crystal is positioned between glass bodies, and a polarizing plate is placed on both glass bodies to utilize the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate property between a liquid and a solid, and liquid crystals, which are organic molecules having fluidity like a liquid, are regularly arranged like crystals. The liquid crystal has a structure in which the molecular arrangement is changed by an external electric field And displays an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and a transistor is used as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.

상기 패널(570)의 전면에는 컬러 필터(580)가 구비되어 상기 패널(570)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A color filter 580 is provided on the front surface of the panel 570 so that only the red, green, and blue light is transmitted through the panel 570 for each pixel.

도 6은 발광소자가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.6 is a view showing an embodiment of a lighting apparatus in which a light emitting element is disposed.

본 실시예에 따른 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있고, 광원 모듈(1200)은 상술한 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting apparatus according to the present embodiment may include a cover 1100, a light source module 1200, a heat discharger 1400, a power supply unit 1600, an inner case 1700, and a socket 1800. In addition, the illumination device according to the embodiment may further include at least one of the member 1300 and the holder 1500, and the light source module 1200 may include the light emitting device package according to the above-described embodiments .

커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.The cover 1100 may have a shape of a bulb or a hemisphere and may be provided in a shape in which the hollow is hollow and a part is opened. The cover 1100 may be optically coupled to the light source module 1200. For example, the cover 1100 can diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 1200. The cover 1100 may be a kind of optical member. The cover 1100 may be coupled to the heat discharging body 1400. The cover 1100 may have an engaging portion that engages with the heat discharging body 1400.

커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.The inner surface of the cover 1100 may be coated with a milky white paint. Milky white paints may contain a diffusing agent to diffuse light. The surface roughness of the inner surface of the cover 1100 may be formed larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 1100. This is for sufficiently diffusing and diffusing light from the light source module 1200 and emitting it to the outside.

커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(1100)는 외부에서 상기 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 1100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance and strength. The cover 1100 may be transparent so that the light source module 1200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 1100 may be formed by blow molding.

광원 모듈(1200)은 상기 방열체(1400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 광원 모듈(1200)로부터의 열은 상기 방열체(1400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(1200)은 발광소자 패키지(1210), 연결 플레이트(1230), 커넥터(1250)를 포함할 수 있다.The light source module 1200 may be disposed on one side of the heat discharger 1400. Accordingly, the heat from the light source module 1200 is conducted to the heat discharging body 1400. The light source module 1200 may include a light emitting device package 1210, a connection plate 1230, and a connector 1250.

부재(1300)는 상기 방열체(1400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광소자 패키지(1210)들과 커넥터(1250)이 삽입되는 가이드홈(1310)들을 갖는다. 가이드홈(1310)은 상기 발광소자 패키지(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응된다.The member 1300 is disposed on the upper surface of the heat discharging body 1400 and has guide grooves 1310 into which the plurality of light emitting device packages 1210 and the connector 1250 are inserted. The guide groove 1310 corresponds to the substrate of the light emitting device package 1210 and the connector 1250.

부재(1300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(1300)는 상기 커버(1100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(1200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(1100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 1300 may be coated or coated with a light reflecting material. For example, the surface of the member 1300 may be coated or coated with a white paint. The member 1300 reflects the light reflected by the inner surface of the cover 1100 and returns toward the light source module 1200 toward the cover 1100. Therefore, the light efficiency of the illumination device according to the embodiment can be improved.

부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(1400)와 상기 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(1230)와 상기 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(1400)는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 1300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 1230 of the light source module 1200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact can be made between the heat discharging body 1400 and the connecting plate 1230. The member 1300 may be made of an insulating material to prevent an electrical short between the connection plate 1230 and the heat discharger 1400. The heat discharger 1400 receives heat from the light source module 1200 and heat from the power supply unit 1600 to dissipate heat.

홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(1700)의 상기 절연부(1710)에 수납되는 상기 전원 제공부(1600)는 밀폐된다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 갖는다. 가이드 돌출부(1510)는 상기 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 갖는다.The holder 1500 closes the receiving groove 1719 of the insulating portion 1710 of the inner case 1700. Therefore, the power supply unit 1600 housed in the insulating portion 1710 of the inner case 1700 is sealed. The holder 1500 has a guide protrusion 1510. The guide protrusion 1510 has a hole through which the projection 1610 of the power supply unit 1600 passes.

전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 상기 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납되고, 상기 홀더(1500)에 의해 상기 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 1600 processes or converts an electric signal provided from the outside and provides the electric signal to the light source module 1200. The power supply unit 1600 is housed in the receiving groove 1719 of the inner case 1700 and is sealed inside the inner case 1700 by the holder 1500. The power supply unit 1600 may include a protrusion 1610, a guide unit 1630, a base 1650, and an extension unit 1670.

상기 가이드부(1630)는 상기 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(1630)는 상기 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(1650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 1630 has a shape protruding outward from one side of the base 1650. The guide portion 1630 may be inserted into the holder 1500. A plurality of components may be disposed on one side of the base 1650. The plurality of components may include, for example, a DC converter for converting an AC power supplied from an external power source to a DC power source, a driving chip for controlling driving of the light source module 1200, an ESD (ElectroStatic discharge) protective device, and the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 연장부(1670)는 상기 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension 1670 has a shape protruding outward from the other side of the base 1650. The extension portion 1670 is inserted into the connection portion 1750 of the inner case 1700 and receives an external electrical signal. For example, the extension portion 1670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection portion 1750 of the inner case 1700. One end of each of the positive wire and the negative wire is electrically connected to the extension portion 1670 and the other end of the positive wire and the negative wire are electrically connected to the socket 1800 .

내부 케이스(1700)는 내부에 상기 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(1600)가 상기 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 1700 may include a molding part together with the power supply unit 1600 in the inner case 1700. The molding part is a hardened portion of the molding liquid so that the power supply providing part 1600 can be fixed inside the inner case 1700.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100, 200: 발광소자 110, 210: 기판
215: 버퍼층 120, 220: 발광 구조물
122, 222: 제1 도전형 반도체층 124, 224: 활성층
126, 226: 제2 도전형 반도체층 130, 230: 마스크
222a: 베이스층 222b: 돌출 구조물
240: 갭 필링층 250: 도전층
262: 제2 전극 264: 제1 전극
400: 발광소자 패키지 500: 영상표시장치100, 200: light emitting device 110, 210:
215: buffer layer 120, 220: light emitting structure
122, 222: first conductivity type semiconductor layers 124, 224: active layer
126, 226: second conductivity type semiconductor layer 130, 230: mask
222a: base layer 222b: protruding structure
240: gap filling layer 250: conductive layer
262: second electrode 264: first electrode
400: light emitting device package 500: video display device

Claims (10)

도전성 기판;
상기 도전성 기판 상에 배치되고 제1 도전형 반도체층을 포함하는 복수 개의 돌출 구조물;
상기 각각의 돌출 구조물의 측면과 상부면에 배치된 활성층 및 제2 도전형 반도체층; 및
상기 반사층들의 사이의 갭(gap)을 채우는 갭 필링(gap filling)층을 포함하는 발광소자.A conductive substrate;
A plurality of protruding structures disposed on the conductive substrate and including a first conductive type semiconductor layer;
An active layer and a second conductivity type semiconductor layer disposed on side surfaces and an upper surface of each of the protruding structures; And
And a gap filling layer filling a gap between the reflective layers. 제1 항에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층은 p형 도펀트로 도핑되고, 상기 제2 도전형 반도체층은 n형 도펀트로 도핑된 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first conductivity type semiconductor layer is doped with a p-type dopant, and the second conductivity type semiconductor layer is doped with an n-type dopant. 제1 항에 있어서,
상기 도전성 기판 상의 제1 전극과 상기 제2 도전형 반도체층 상의 제1 전극을 더 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
And a first electrode on the conductive substrate and a first electrode on the second conductive type semiconductor layer. 제1 항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층은 ZnO를 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
And the second conductive semiconductor layer includes ZnO. 제4 항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층은, Al, Fe 및 Ga 중 적어도 하나가 도핑된 발광소자.5. The method of claim 4,
Wherein the second conductivity type semiconductor layer is doped with at least one of Al, Fe and Ga. 제1 항에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층은 상기 활성층보다 고온에서 성장된 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first conductivity type semiconductor layer is grown at a higher temperature than the active layer. 제4 항에 있어서,
상기 활성층은 상기 제2 도전형 반도체층보다 고온에서 성장된 발광소자.5. The method of claim 4,
Wherein the active layer is grown at a higher temperature than the second conductivity type semiconductor layer. 제1 항에 있어서,
상기 도전성 기판은, 금속으로 이루어진 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the conductive substrate is made of a metal. 제1 항에 있어서,
상기 도전성 기판 상에 배치되고, 상기 복수 개의 돌출 구조물을 나누는 마스크를 더 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
And a mask disposed on the conductive substrate and dividing the plurality of protruding structures. 제1 항에 있어서,
상기 갭 필링층은 도전성 물질 또는 절연성 물질을 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the gap filling layer comprises a conductive material or an insulating material.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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