KR20160043453A - 전류저항층을 포함하는 포토컨덕터를 가진 엑스선 검출기 - Google Patents
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Abstract
전류저항층을 포함하는 포토컨덕터를 가진 엑스선 검출기가 개시된다. 개시된 엑스선 검출기는 기판 상에 배치된 복수의 픽셀전극과, 상기 복수의 픽셀전극을 덮는 포토컨덕터와, 상기 포토컨덕터 상의 공통전극을 포함한다. 상기 포토컨덕터는 적어도 2개의 포토컨덕터층과 상기 적어도 2개의 포토컨덕터층 사이의 전류 흐름을 감소시키는 전류저항층을 포함한다.
Description
전류저항층을 포함하는 포토컨덕터를 가진 엑스선 검출기에 관한 것이다.
진단용 엑스선 검출기로서 박막 트랜지스터를 이용한 엑스선 검출기가 주목받고 있다. 엑스선 검출기는 엑스선으로 촬영한 엑스선 화상 또는 엑스선 투시 화상을 디지털 신호로 출력한다. 이러한 엑스선 검출기는 직접 방식과 간접 방식으로 나뉜다.
직접방식은 포토컨덕터(photoconductor)로 엑스선을 직접 전하로 변환하며, 간접방식은 신틸레이터(scintillator)로 엑스선을 가시광선으로 변환한 후, 변환된 가시광선을 포토다이오드와 같은 광전변환소자로 전하로 변환하는 방식이다.
직접방식의 엑스선 검출기는 엑스선 조사에 의해 전자-홀 쌍을 생성하는 포토컨덕터와, 포토컨덕터로부터의 전하를 전달받는 픽셀전극을 포함한다.
포토컨덕터로 사용되는 물질, 예컨대 HgI2는 원자량이 커서 얇은 두께로 엑스선 등을 잘 흡수할 뿐 아니라, 엑스선에 의한 이온화 에너지가 작아 매우 우수한 포토컨덕터 물질로 사용된다. 그러나, HgI2는 전기 전도성이 양호하여 엑스선 측정시 발생되는 전류의 누설(leakage)이 일어날 수 있으며, 엑스선 검출전 바이어스 전압을 인가시 흐르는 전류량이 많아서 엑스선 검출시 생성되는 측정전류의 양이 상대적으로 작아 엑스선 검출 효율이 저하될 수 있다.
본 개시는 포토컨덕터에 전류저항층을 형성하여 포토컨덕터의 엑스선 검출 효율을 증대시킨 전류저항층을 포함하는 포토컨덕터를 가진 엑스선 검출기를 제공한다.
실시예에 따른 전류저항층을 포함하는 포토컨덕터를 가진 엑스선 검출기는:
기판 상에 배치된 복수의 픽셀전극;
상기 복수의 픽셀전극을 덮는 포토컨덕터; 및
상기 포토컨덕터 상의 공통전극;을 구비하며,
상기 포토컨덕터는 적어도 2개의 포토컨덕터층과 상기 적어도 2개의 포토컨덕터층 사이의 전류 흐름을 감소시키는 전류저항층을 포함한다.
일 국면에 따르면, 상기 적어도 2개의 포토컨덕터층은 상기 복수의 픽셀전극을 덮는 제1 포토컨덕터층과 상기 전류저항층 상의 제2 포토컨덕터층을 포함한다.
상기 전류저항층은 상기 적어도 한 쌍의 포토컨덕터층의 전기 전도도 보다 낮은 전기 전도도를 가지는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 전류저항층은 알루미나, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 패릴린, 도전성 폴리머를 포함할 수 있다.
상기 제1 포토컨덕터층 및 상기 제2 포토컨덕터층은 각각 비정질 셀레늄(amorphous selenium: a-Se), HgI2, PbI2, CdTe, CdZnTe, PbO 를 포함할 수 있다.
상기 제1 포토컨덕터층 및 상기 제2 포토컨덕터층은 서로 다른 물질로 이루어질 수 있다.
상기 전류저항층은 상기 제1 포토컨덕터층과 상기 제2 포토컨덕터층의 접촉을 방지할 수 있다.
다른 국면에 따르면, 상기 적어도 2개의 포토컨덕터층은 적층된 3~15개의 포토컨덕터층과, 상기 포토컨덕터층들 사이의 인접한 포토컨덕터층 사이에 각각 형성된 2~14개의 전류저항층을 포함할 수 있다.
상기 엑스선 검출기는 상기 공통전극과 상기 포토컨덕터의 측면을 덮는 보호층을 더 구비할 수 있다.
상기 엑스선 검출기는 상기 기판 하부에 배치되며 상기 복수의 픽셀전극과 전기적으로 연결되는 콘택을 포함하는 복수의 칩; 및
상기 복수의 칩이 상부에 배치되며, 상기 칩 하부에 형성된 콘택과 전기적으로 연결되는 인쇄회로기판을 더 구비할 수 있다.
실시예에 따른 전류저항층을 포함하는 포토컨덕터를 가진 엑스선 검출기는 포토컨덕터 내에서의 암전류를 감소시키며 이에 따라 SNR 비가 증가한다.
또한, 복수의 포토컨덕터층과 그 사이의 전류저항층을 순차적으로 균일하게 형성할 수 있으므로, 엑스선 검출특성이 향상될 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 전류저항층을 포함하는 포토컨덕터를 가진 엑스선 검출기의 개략적 단면도다.
도 2는 도 1의 기판의 변형예를 도시한 단면도다.
도 3은 실시예에 따른 전류저항층을 포함하는 포토컨덕터를 가진 엑스선 검출기의 개략적 단면도다.
도 4는 실시예에 따른 전류저항층을 포함하는 포토컨덕터를 가진 엑스선 검출기의 개략적 단면도다.
도 2는 도 1의 기판의 변형예를 도시한 단면도다.
도 3은 실시예에 따른 전류저항층을 포함하는 포토컨덕터를 가진 엑스선 검출기의 개략적 단면도다.
도 4는 실시예에 따른 전류저항층을 포함하는 포토컨덕터를 가진 엑스선 검출기의 개략적 단면도다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다. 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다. 이하에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 것은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다. 명세서를 통하여 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 실시예에 따른 전류저항층을 포함하는 포토컨덕터를 가진 엑스선 검출기(100)의 개략적 단면도다.
도 1을 참조하면, 엑스선 검출기(100)는 인쇄회로기판(110) 상에 순차적으로 형성된 복수의 칩(120), 기판(130), 복수의 픽셀전극(150), 포토컨덕터(170), 공통전극(180) 및 보호막(190)을 포함한다.
인쇄회로기판(110) 상에는 어레이 형태로 칩들(120)이 배치된다. 도 1에서는 편의상 하나의 칩(120)을 도시하였다. 복수의 제1 콘택(112)이 형성되어 있다.
칩(120)은 주문형 반도체(ASIC)일 수 있다. 칩(120)의 하부에는 복수의 제2 콘택(122)이 형성되어 있으며, 칩(120)의 상부에는 복수의 제3 콘택(124)이 형성되어 있다. 칩(120)의 제2 콘택(122)과 인쇄회로기판(110)의 제1 콘택(112) 사이에는 제1 범프(114)가 배치되어서 이들을 전기적으로 연결한다.
칩(120)은 단결정 실리콘으로 제작될 수 있다. 단결정 실리콘에 회로가 형성된 칩(120)은 동작 속도가 빠르며, 노이즈가 적다. 또한, 포토컨덕터(170)로부터의 전기적 신호를 1차적으로 처리하는 속도를 증가시킬 수 있으며, 인쇄회로기판(110)으로 처리된 전기적 신호를 전달한다.
반도체 공정에서 사용되는 마스크의 한계로 칩(120)은 대략 최대 2 ㎝ x 2 ㎝ 크기로 제작될 수 있다. 하나의 칩(120)에는 대략 수만 - 수십만 개의 픽셀영역이 형성될 수 있다.
인쇄회로기판(110)에서는 입력된 전기적 신호를 가지고 측정 대상물체의 엑스선 투과도를 계랑화하여 영상신호로 구현한다. 칩(120)은 픽셀전극(150)으로부터의 전기적 신호를 빠른 속도로 처리하여 인쇄회로기판(210)으로 필요한 정보를 제공하며, 결과적으로 인쇄회로기판(210)에서의 신호처리 시간을 감소시킬 수 있다.
인쇄회로기판(110) 및 칩들(120) 사이에는 이들을 고정하는 수지(116), 일 예로 에폭시 수지가 형성될 수 있다.
기판(130)은 픽셀전극(150)의 하부에 배치된다. 기판(130)에는 관통홀들(131)이 형성되며, 각 관통홀(131)에는 도전성 금속이 채워진 제1 비아(132)가 형성될 수 있다. 제1 비아(132)는 픽셀전극(150)과 연결되도록 형성될 수 있다. 제1 비아(132)는 구리 또는 알루미늄으로 형성될 수 있다.
기판(130)은 비도전성 기판일 수 있다. 본 실시예는 이에 한정되지 않는다. 기판(130)은 도전성 기판, 예컨대 실리콘 기판일 수 있다. 기판(130)이 도전성 기판일 경우, 제1 비아(132)는 기판(130)으로부터 절연되도록 형성된다. 예컨대, 도 2와 같이, 실리콘 기판을 산화시켜서 형성된 실리콘 옥사이드층(143)이 관통홀(131)과 기판(130)의 표면에 형성된다. 관통홀(131)에서 실리콘 옥사이드층(143) 상에 제1 비아(132)가 형성된다.
기판(130)의 하부에는 복수의 픽셀패드(134)가 형성된다. 픽셀패드(134)는 제1 비아(132)와 전기적으로 연결되도록 형성된다. 기판(130)과 칩(120) 사이는 절연층(미도시)으로 채워질 수 있다.
기판(130) 상에는 복수의 픽셀 전극(150)이 형성된다. 픽셀전극(150)은 제1 비아(132)와 전기적으로 연결된다.
기판(130) 상에는 픽셀 전극들(150)을 덮는 포토컨덕터(170)가 형성된다. 포토컨덕터(170)는 픽셀전극들(150)을 덮는 제1 포토컨덕터층(171)과, 제1 포토컨덕터층(171) 상에 순차적으로 형성된 전류 저항층(172) 및 제2 포토컨덕터층(173)을 포함한다. 전류저항층(172)은 제1 포토컨덕터층(171)과 제2 포토컨덕터층(173)이 접촉하는 것을 방지한다.
제1 포토컨덕터층(171) 및 제2 포토컨덕터층(173)은 비정질 셀레늄(amorphous selenium: a-Se), HgI2, PbI2, CdTe, CdZnTe, PbO를 포함할 수 있다. 제1 포토컨덕터층(171) 및 제2 포토컨덕터층(173)은 반드시 동일 물질로 형성되는 것은 아니다. 예컨대, 제1 포토컨덕터층(171)과 제2 포토컨덕터층(173)은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다.
제1 포토컨덕터층(171) 및 제2 포토컨덕터층(173)은 각각 대략 수십 ㎛ 두께로 형성될 수 있다.
전류 저항층(172)은 제1 포토컨덕터층(171) 및 제2 포토컨덕터층(173) 보다 낮은 전기 전도도를 가진 물질로 형성된다. 전류 저항층(172)은 알루미나, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드와 같은 무기물질, 패릴린(Parylene), 도전성 폴리머 등으로 형성될 수 있다. 전류 저항층(172)의 두께는 전류 저항층(172)의 유전율에 따라 달라질 수 있다. 예컨대, 전류 저항층(172)이 무기물질, 패릴린 등으로 형성될 경우, 수 nm~ 20nm 두께로 형성될 수 있다. 전류 저항층(172)이 도전성 폴리머로 형성된 경우 수 ㎛ ~ 수십 ㎛ 두께로 형성될 수 있다.
공통전극(180)은 포토컨덕터(170)를 덮도록 형성된다. 공통전극(180)은 ITO 또는 매우 얇은 금속 전극물질, 예컨대 알루미늄, 구리, 루테늄, 팔라듐 등으로 형성될 수 있다.
보호층(180)은 공통전극(180) 상부를 덮는다. 도 1에는 도시되지 않았지만, 보호층(180)은 포토컨덕터(170)의 측면을 덮도록 형성된다. 보호층(180)은 패릴린으로 형성될 수 있다.
이하에서는 상술한 실시예에 따른 엑스선 검출기의 작용을 도 1을 참조하여 설명한다.
공통전극(180)에 인가되는 직류전압에 따라서 포토컨덕터(170)에는 전계가 형성된다. 포토컨덕터(170)는 그 상면으로부터 입사된 엑스선의 강도에 따라서 전하를 생성한다. 포토컨덕터(170)는 복수의 픽셀 영역을 포함한다. 각 픽셀영역의 하부에는 픽셀전극(150)이 형성될 수 있다. 포토컨덕터(170)에서 생성된 전하는 해당 픽셀전극(150)으로 모인다. 즉, 해당 픽셀 영역의 전기적 신호는 제1 비아(132)를 통해서 칩(120)의 제3 콘택(124)으로 전달된다. 칩(120)에서는 픽셀 전극(150)으로부터 입력된 전기적 신호를 빠른 속도로 처리하여 인쇄회로기판(210)으로 필요한 정보를 제공할 수 있다. 인쇄회로기판(110)에서는 입력된 전기적 신호를 가지고 측정 대상물체의 엑스선 투과도를 계랑화하여 영상신호로 구현한다.
한편, 전류 저항층(172)은 포토컨덕터(170)에서 바이어스 전압을 인가시 과도하게 흐르는 전류(암전류라 칭함)를 제한함으로써 포토컨덕터(170)에서 엑스선 검출시 측정된 전기적 신호를 정확하게 측정되게 한다. 즉, 실시예에 따른 엑스선 검출기(100)는 암전류 대비 측정 전류 비가 증가하며, 따라서 signlal-to-noise(SNR) 비가 개선된다.
도 3은 실시예에 따른 전류저항층을 포함하는 포토컨덕터를 가진 엑스선 검출기(200)의 개략적 단면도다. 도 1의 엑스선 검출기(100)와 실질적으로 동일한 구성요소에은 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 3을 참조하면, 엑스선 검출기(200)는 도 1의 엑스선 검출기(100)의 기판(130)이 없는 구조다. 인쇄회로기판(110) 상에는 칩들(120)을 덮는 평탄화막(230)이 형성되어 있다. 평탄화막(230)은 폴리머, 예컨대 SU-8 포토레지스트 또는 폴리이미드로 형성될 수 있다. 평탄화막(230)은 이하에서 기판으로도 칭할 수 있다.
평탄화막(230)에는 칩(120)의 제3 콘택(124)을 노출시키는 비아홀(231)이 형성된다. 각 비아홀(231)에는 비아 메탈(232)이 채워진다. 비아 메탈(232)은 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등으로 형성될 수 있다.
픽셀전극(150)으로부터의 전기적 신호는 비아메탈(232)을 통해서 칩(120)에 전달된다.
도 3의 다른 구조 및 작용은 상술한 설명으로부터 잘 알 수 있으므로 상세한 설명은 생략한다.
도 4는 실시예에 따른 전류저항층을 포함하는 포토컨덕터를 가진 엑스선 검출기(300)의 개략적 단면도다. 도 1의 엑스선 검출기(100)와 실질적으로 동일한 구성요소에은 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
기판(130) 상에는 픽셀 전극들(150)을 덮는 포토컨덕터(370)이 형성된다. 포토컨덕터(370)은 픽셀전극(150)들을 덮는 제1 포토컨덕터층(371)과, 제1 포토컨덕터층(371) 상에 순차적으로 형성된 제1 전류저항층(372), 제2 포토컨덕터층(373), 제2 전류저항층(374), 제3 포토컨덕터층(375)을 포함한다. 제1 전류저항층(372)은 제1 포토컨덕터층(371)과 제2 포토컨덕터층(373)이 접촉하는 것을 방지하며, 제2 전류저항층(374)은 제2 포토컨덕터층(373) 및 제3 포토컨덕터층(375)이 접촉하는 것을 방지한다.
제1 포토컨덕터층(371), 제2 포토컨덕터층(373) 및 제3 포토컨덕터층(375)은 비정질 셀레늄(amorphous selenium: a-Se), HgI2, PbI2, CdTe, CdZnTe, PbO를 포함할 수 있다. 제1 포토컨덕터층(371), 제2 포토컨덕터층(373) 및 제3 포토컨덕터층(375)은 반드시 동일 물질로 형성되는 것은 아니다. 예컨대, 제1 포토컨덕터층(371), 제2 포토컨덕터층(373) 및 제3 포토컨덕터층(375)은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다.
제1 포토컨덕터층(371), 제2 포토컨덕터층(373) 및 제3 포토컨덕터층(375)은 각각 대략 수 ㎛ ~ 수십 ㎛ 두께로 형성될 수 있다.
제1 전류 저항층(372) 및 제2 전류 저항층(374)은 제1 포토컨덕터층(371) 내지 제3 포토컨덕터층(375) 보다 낮은 전기 전도도를 가진 물질로 형성된다. 제1 전류 저항층(372) 및 제2 전류 저항층(374)은 알루미나, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드와 같은 무기물질, 패릴린(parylene), 도전성 폴리머 등으로 형성될 수 있다. 제1 전류 저항층(372) 및 제2 전류 저항층(374)은 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다.
제1 전류 저항층(372) 및 제2 전류 저항층(374)의 두께는 제1 전류 저항층(372) 및 제2 전류 저항층(374)의 유전율에 따라 달라질 수 있다. 예컨대, 제1 전류 저항층(372) 및 제2 전류 저항층(374)이 무기물질, 패릴린 등으로 형성될 경우, 수 nm~ 20nm 두께로 형성될 수 있다. 제1 전류 저항층(372) 및 제2 전류 저항층(374)이 도전성 폴리머로 형성된 경우 수 ㎛ ~ 수십 ㎛ 두께로 형성될 수 있다.
공통전극(180)은 포토컨덕터(370)을 덮도록 형성된다. 공통전극(180)은 ITO 또는 매우 얇은 금속 전극물질, 예컨대 알루미늄, 구리, 루테늄, 팔라듐 등으로 형성될 수 있다.
보호층(180)은 공통전극(180) 상부를 덮는다. 도 3에는 도시되지 않았지만, 보호층(180)은 포토컨덕터(370)의 측면을 덮도록 형성된다. 보호층(180)은 패릴린으로 형성될 수 있다.
포토컨덕터(370)의 각 층들(371-375)은 진공 증착 방법으로 순차적으로 형성될 수 있다. 진공증착방법은 스퍼터링, 증발법, 원자층 증착, 화학증기증착 방법 등을 포함한다.
상술한 엑스선 검출기(300)에 따르면, 포토컨덕터층들이 균일하게 형성될 수 있으며, 따라서 엑스선 검출 특성이 개선될 수 있다.
상기 실시예에서는 포토컨덕터(370)는 3개의 포토컨덕터층과 2개의 전류저항층으로 이루어진 경우를 예로 들었으나, 본 실시예는 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 포토컨덕터는 4~15개의 포토컨덕터층과 그 사이의 3~14개의 전류저항층을 포함할 수 있으며, 상기 3~14개의 전류저항층 중 적어도 하나의 전류저항층은 다른 전류저항층과 다른 물질로 형성될 수 있다.
실시예에 따른 전류저항층을 포함하는 포토컨덕터를 가진 엑스선 검출기는 포토컨덕터 내에서의 암전류를 감소시키며 이에 따라 SNR 비가 증가한다.
또한, 복수의 포토컨덕터층과 그 사이의 전류저항층을 순차적으로 균일하게 형성할 수 있으므로, 엑스선 검출특성이 향상될 수 있다 .
이상에서 첨부된 도면을 참조하여 설명된 본 발명의 실시예들은 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
100: 엑스선 검출기 110: 인쇄회로기판
120: 칩 130: 기판
150: 픽셀전극 170: 포토컨덕터
171: 제1 포토컨덕터층 172: 전류저항층
173: 제2 포토컨덕터층 180: 공통전극
190: 보호막
120: 칩 130: 기판
150: 픽셀전극 170: 포토컨덕터
171: 제1 포토컨덕터층 172: 전류저항층
173: 제2 포토컨덕터층 180: 공통전극
190: 보호막
Claims (20)
- 기판 상에 배치된 복수의 픽셀전극;
상기 복수의 픽셀전극을 덮는 포토컨덕터; 및
상기 포토컨덕터 상의 공통전극;을 구비하며,
상기 포토컨덕터는 적어도 2개의 포토컨덕터층과 상기 적어도 2개의 포토컨덕터층 사이의 전류 흐름을 감소시키는 전류저항층을 포함하는 엑스선 검출기. - 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 2개의 포토컨덕터층은 상기 복수의 픽셀전극을 덮는 제1 포토컨덕터층과 상기 전류저항층 상의 제2 포토컨덕터층을 포함하는 엑스선 검출기. - 제 2 항에 있어서,
상기 전류저항층은 상기 적어도 한 쌍의 포토컨덕터층의 전기 전도도 보다 낮은 전기 전도도를 가지는 물질로 이루어진 엑스선 검출기. - 제 3 항에 있어서,
상기 전류저항층은 알루미나, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 패릴린, 도전성 폴리머를 포함하는 엑스선 검출기. - 제 2 항에 있어서,
상기 제1 포토컨덕터층 및 상기 제2 포토컨덕터층은 각각 비정질 셀레늄(amorphous selenium: a-Se), HgI2, PbI2, CdTe, CdZnTe, PbO 를 포함하는 엑스선 검출기. - 제 5 항에 있어서,
상기 제1 포토컨덕터층 및 상기 제2 포토컨덕터층은 서로 다른 물질로 이루어진 엑스선 검출기. - 제 5 항에 있어서,
상기 전류저항층은 상기 제1 포토컨덕터층과 상기 제2 포토컨덕터층의 접촉을 방지하는 엑스선 검출기. - 제 2 항에 있어서,
상기 적어도 2개의 포토컨덕터층은 적층된 3~15개의 포토컨덕터층과, 상기 포토컨덕터층들 사이의 인접한 포토컨덕터층 사이에 각각 형성된 2~14개의 전류저항층을 포함하는 엑스선 검출기. - 제 8 항에 있어서,
상기 전류저항층은 상기 3~15개의 포토컨덕터층의 전기 전도도 보다 낮은 전기 전도도를 가지는 물질로 이루어진 엑스선 검출기. - 제 9 항에 있어서,
상기 전류저항층은 알루미나, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 패릴린, 도전성 폴리머를 포함하는 엑스선 검출기. - 제 10 항에 있어서,
상기 2~14개의 전류저항층 중 적어도 하나는 다른 전류저항층과 다른 물질로 이루어진 엑스선 검출기. - 제 8 항에 있어서,
상기 각 포토컨덕터층은 비정질 셀레늄(amorphous selenium: a-Se), HgI2, PbI2, CdTe, CdZnTe, PbO 를 포함하는 엑스선 검출기. - 제 12 항에 있어서,
상기 각 전류저항층은 양면에 배치된 포토컨덕터층들의 접촉을 방지하는 엑스선 검출기. - 제 1 항에 있어서,
상기 공통전극과 상기 포토컨덕터의 측면을 덮는 보호층을 더 구비하는 엑스선 검출기. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판 하부에 배치되며 상기 복수의 픽셀전극과 전기적으로 연결되는 콘택을 포함하는 복수의 칩; 및
상기 복수의 칩이 상부에 배치되며, 상기 칩 하부에 형성된 콘택과 전기적으로 연결되는 인쇄회로기판을 더 구비하는 엑스선 검출기. - 복수의 포토컨덕터층; 및
상기 복수의 포토컨덕터층 사이에 배치되어 인접한 포토컨덕터층 사이의 전류 흐름을 감소시키는 전류저항층;을 포함하는 엑스선 검출기의 포토컨덕터. - 제 16 항에 있어서,
상기 전류저항층은 상기 복수의 포토컨덕터층의 전기 전도도 보다 낮은 전기 전도도를 가지는 물질로 이루어진 엑스선 검출기. - 제 16 항에 있어서,
상기 전류저항층은 알루미나, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 패릴린, 도전성 폴리머를 포함하는 엑스선 검출기. - 제 16 항에 있어서,
상기 복수의 포토컨덕터층은 각각 비정질 셀레늄(amorphous selenium: a-Se), HgI2, PbI2, CdTe, CdZnTe, PbO 를 포함하는 엑스선 검출기. - 제 16 항에 있어서,
상기 복수의 포토컨덕터층은 2~15개의 포토컨덕터층인 엑스선 검출기.
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