KR20160035798A - 전지 보호 회로, 전지 보호 장치 및 전지팩 및 전지 보호 방법 - Google Patents

전지 보호 회로, 전지 보호 장치 및 전지팩 및 전지 보호 방법 Download PDF

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Abstract

[과제] 셀이 복수 병렬로 접속된 2차전지의 보호 기능을 강화할 수 있는 전지 보호 회로를 제공하는 것.
[해결 수단] 셀이 복수 병렬로 접속된 2차전지를 보호하는 전지 보호 회로로서, 상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀의 과충전을 검출했을 때, 대응하는 셀의 충전을 금지하는 과충전 검출부와, 상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀의 과방전을 검출했을 때, 대응하는 셀의 방전을 금지하는 과방전 검출부와, 상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀에 충전 전류가 흐르고 있는 기간에 상기 충전 전류가 소정의 충전 전류값을 초과하는 것을 제한하는 충전 전류 제한부와, 상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀에 방전 전류가 흐르고 있는 기간에 상기 방전 전류가 소정의 방전 전류값을 초과하는 것을 제한하는 방전 전류 제한부를 구비하는 것을 특징으로 하는 전지 보호 회로.

Description

전지 보호 회로, 전지 보호 장치 및 전지팩 및 전지 보호 방법{BATTERY PROTECTION CIRCUIT, BATTERY PROTECTION APPARATUS, AND BATTERY PACK, AND BATTERY PROTECTION MATHOD}
본 발명은 셀이 복수 병렬로 접속된 2차전지를 보호하는 기술에 관한 것이다.
셀이 복수 병렬로 접속된 2차전지를 보호하는 기술은, 예를 들면, 특허문헌 1에 개시되어 있다. 본 문헌에 개시된 기술은 전위차가 높은 셀로부터 전위차의 낮은 셀에 흐르는 돌입 전류로부터 셀을 보호하는 기술이다.
일본 특개 2006-345660호 공보
(발명의 개요)
(발명이 해결하고자 하는 과제)
그렇지만, 상기의 종래기술은 전위차가 높은 셀로부터 전위차가 낮은 셀로의 일방향만의 과전류로부터 셀을 보호하는 기술이기 때문에, 셀이 복수 병렬로 접속된 2차전지를 충분히 보호할 수 없는 경우가 있다. 그래서, 셀이 복수 병렬로 접속된 2차전지의 보호 기능을 강화할 수 있는 전지 보호 회로, 전지 보호 장치 및 전지팩, 및 전지 보호 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 1 태양에 의하면,
셀이 복수 병렬로 접속된 2차전지를 보호하는 전지 보호 회로로서,
상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀의 과충전을 검출했을 때, 대응하는 셀의 충전을 금지하는 과충전 검출부와,
상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀의 과방전을 검출했을 때, 대응하는 셀의 방전을 금지하는 과방전 검출부와,
상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀에 충전 전류가 흐르고 있는 기간에 상기 충전 전류가 소정의 충전 전류값을 초과하는 것을 제한하는 충전 전류 제한부와,
상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀에 방전 전류가 흐르고 있는 기간에 상기 방전 전류가 소정의 방전 전류값을 초과하는 것을 제한하는 방전 전류 제한부를 구비하는 것을 특징으로 하는 전지 보호 회로가 제공된다.
1 태양에 의하면 셀이 복수 병렬로 접속된 2차전지의 보호 기능을 강화할 수 있다.
도 1은 전지 보호 회로의 구성예를 도시한 도면.
도 2는 전지 보호 방법의 1 예를 도시한 도면.
도 3은 전지 보호 회로의 구성예를 도시한 도면.
도 4는 전지 보호 회로의 구성예를 도시한 도면.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하, 도면을 참조하면서 본 발명을 실시하기 위한 형태의 설명을 행한다.
도 1은 본 발명의 1실시형태인 전지팩(100)의 구성도이다. 전지팩(100)은 부하 접속 단자(5, 6)에 접속되는 도시하지 않은 외부 부하에 전력을 공급 가능한 2차전지(200)와, 2차전지(200)를 보호하는 보호 모듈(80)을 내장하여 구비하고 있다. 전지팩(100)은 외부 부하에 내장되어도 되고, 외장되어도 된다. 외부 부하의 구체적인 예로서 휴대 단말(휴대 전화, 휴대 게임기, PDA, 모바일 퍼스널 컴퓨터, 스마트폰, 태블릿 단말, 음악이나 영상의 휴대 플레이어 등), 컴퓨터, 헤드셋, 카메라 등의 전자 기기를 들 수 있다.
2차전지(200)는 부하 접속 단자(5, 6)에 접속되는 도시하지 않은 충전기에 의해 충전 가능하다. 2차전지(200)의 구체예로서 리튬이온 전지나 니켈수소 전지 등을 들 수 있다. 2차전지(200)는 2개의 셀(201, 202)이 서로 병렬로 접속되어 구성된다.
보호 모듈(80)은 부하 접속 단자(5)와, 부하 접속 단자(6)와, 셀 접속 단자(3, 17, 27)를 구비하고, 셀 접속 단자(3, 17, 27)에 접속된 2차전지(200)를 과전류로부터 보호하는 전지 보호 장치이다. 셀 접속 단자(3)는 부하 접속 단자(5)에 전원 경로(8)를 통하여 연결된다. 셀 접속 단자(17)는 부하 접속 단자(6)에 전원 경로(16)를 통하여 연결되고, 셀 접속 단자(27)는 부하 접속 단자(6)에 전원 경로(26)를 통하여 연결된다. 셀 접속 단자(3)는 셀(201)과 셀(201)의 양쪽의 정극에 접속된다. 셀 접속 단자(17)는 셀(202)의 부극에 접속되지 않고, 셀(201)의 부극에 접속된다. 셀 접속 단자(27)는 셀(201)의 부극에 접속되지 않고, 셀(202)의 부극에 접속된다.
보호 모듈(80)은 트랜지스터(11, 12, 21, 22)를 구비하고 있다. 트랜지스터(11)는 셀(201)의 충전 경로를 차단 가능한 충전 경로 차단부이며, 트랜지스터(12)는 셀(201)의 방전 경로를 차단 가능한 방전 경로 차단부이다. 트랜지스터(21)는 셀(202)의 충전 경로를 차단 가능한 충전 경로 차단부이며, 트랜지스터(22)는 셀(202)의 방전 경로를 차단 가능한 방전 경로 차단부이다. 도시된 것에서는, 트랜지스터(11)는 셀(201)의 충전 전류가 흐르는 전원 경로(16)를 차단할 수 있고, 트랜지스터(12)를 셀(201)의 방전 전류가 흐르는 전원 경로(16)를 차단할 수 있다. 트랜지스터(21)는 셀(202)의 충전 전류가 흐르는 전원 경로(26)를 차단할 수 있고, 트랜지스터(22)는 셀(202)의 방전 전류가 흐르는 전원 경로(26)를 차단할 수 있다.
트랜지스터(11, 12)는 전원 경로(16)의 도통/차단을 전환 가능한 스위칭 소자이며, 전원 경로(16)에 직렬로 삽입되어 있다. 트랜지스터(21, 22)는 전원 경로(26)의 도통/차단을 전환 가능한 스위칭 소자이며, 전원 경로(26)에 직렬로 삽입되어 있다.
트랜지스터(11, 12, 21, 22)는, 예를 들면, MOSFET이다. 트랜지스터(11)는 트랜지스터(11)의 기생 다이오드의 순방향이 셀(201)의 방전 방향에 일치하도록 전원 경로(16)에 삽입되어 있다. 트랜지스터(12)는 트랜지스터(12)의 기생 다이오드의 순방향이 셀(201)의 충전 방향에 일치하도록 전원 경로(16)에 삽입되어 있다. 트랜지스터(21)는 트랜지스터(21)의 기생 다이오드의 순방향이 셀(202)의 방전 방향에 일치하도록 전원 경로(16)에 삽입되어 있다. 트랜지스터(22)는 트랜지스터(22)의 기생 다이오드의 순방향이 셀(202)의 충전 방향에 일치하도록 전원 경로(26)에 삽입되어 있다.
또한, 트랜지스터(11, 12, 21, 22)는 IGBT나 바이폴라 트랜지스터 등의 다른 반도체 소자이어도 된다. 또한 트랜지스터(11, 12, 21, 22)의 드레인-소스 간(또는 콜렉터-에미터 간)에 다이오드가 추가될 수 있다.
보호 모듈(80)은 저항(13, 23)을 구비하고 있다. 저항(13)은 셀(201)에 흐르는 방전 전류 또는 충전 전류의 전류값을 검출하기 위한 검출 저항이며, 셀 접속 단자(17)와 트랜지스터(11, 12) 사이에서의 전원 경로(16)에 직렬로 삽입되어 있다. 저항(23)은 셀(202)에 흐르는 방전 전류 또는 충전 전류의 전류값을 검출하기 위한 검출 저항이며, 셀 접속 단자(27)와 트랜지스터(21, 22) 사이에서의 전원 경로(26)에 직렬로 삽입되어 있다.
보호 모듈(80)은 캐패시터(14, 24)를 구비하고 있다. 캐패시터(14)는 저항(13)에 병렬로 접속된다. 캐패시터(14)를 저항(13)에 병렬로 접속함으로써, 저항(13)을 사용한 전류 검출의 정밀도가 향상된다. 캐패시터(24)는 저항(23)에 병렬로 접속된다. 캐패시터(24)를 저항(23)에 병렬로 접속함으로써, 저항(23)을 사용한 전류 검출의 정밀도가 향상된다.
보호 모듈(80)은 보호 IC(90)를 구비하고 있다. 보호 IC(90)는 2차전지(200)로부터 급전되어 2차전지(200)를 보호하는 집적 회로이다. 보호 IC(90)는 하나의 칩으로 구성되어 있다.
보호 IC(90)는 VDD 단자와, VSS1 단자와, VSS2 단자를 구비하고 있다. VDD 단자는 저항(1)을 통하여, 셀 접속 단자(3) 또는 전원 경로(8)에 접속되는 정측 전원 단자이다. VSS1 단자는 셀 접속 단자(17)와 저항(13) 사이에서 전원 경로(16)에 접속되는 부측 전원 단자이다. VSS2 단자는 셀 접속 단자(27)와 저항(23) 사이에서 전원 경로(26)에 접속되는 부측 전원 단자이다.
저항(1)은 VDD 단자에 과전류가 흐르는 것을 방지하는 전류 제한 저항이다. 캐패시터(2)는 저항(R1)과 VDD 단자 사이에 접속된 일단과, 셀 접속 단자(17)와 저항(13) 사이에서 전원 경로(16)에 접속되는 타단을 가지고 있다. 저항(1)과 캐패시터(2)로 구성된 RC 로 패스 필터는 VDD 단자와 VSS1 단자 사이의 전원 전압을 평활하게 할 수 있다.
보호 IC(90)는 보호 IC(90)의 COUT1 단자로부터 하이 레벨의 신호를 출력함으로써 트랜지스터(11)를 온 할 수 있고, 로 레벨의 신호를 출력함으로써 트랜지스터(11)를 오프 할 수 있는 충전 제어 회로(34)를 가진다. 충전 제어 회로(34)는 트랜지스터(11)를 온 함으로써, 셀(201)을 충전하는 방향의 전류가 전원 경로(16)에 흐르는 것을 허가할 수 있고, 트랜지스터(11)를 오프 함으로써, 셀(202)을 충전하는 방향의 전류가 전원 경로(16)에 흐르는 것을 금지할 수 있다.
또한 보호 IC(90)는 보호 IC(90)의 DOUT1 단자로부터 하이 레벨의 신호를 출력함으로써 트랜지스터(12)를 온 할 수 있고, 로 레벨의 신호를 출력함으로써 트랜지스터(12)를 오프 할 수 있는 방전 제어 회로(37)를 가지고 있다. 방전 제어 회로(37)는 트랜지스터(12)를 온 함으로써 셀(201)을 방전하는 방향의 전류가 전원 경로(16)에 흐르는 것을 허가할 수 있고, 트랜지스터(12)를 오프 함으로써 셀(201)을 방전하는 방향의 전류가 전원 경로(16)에 흐르는 것을 금지할 수 있다.
마찬가지로, 보호 IC(90)는 보호 IC(90)의 COUT2 단자로부터, 하이 레벨의 신호를 출력함으로써 트랜지스터(21)를 온 할 수 있고, 로 레벨의 신호를 출력함으로써 트랜지스터(21)를 오플 할 수 있는 충전 제어 회로(44)를 가진다. 충전 제어 회로(44)는 트랜지스터(21)를 온 함으로써 셀(202)을 충전하는 방향의 전류가 전원 경로(26)에 흐르는 것을 허가할 수 있고, 트랜지스터(21)를 오프 함으로써 셀(202)을 충전하는 방향의 전류가 전원 경로(26)에 흐르는 것을 금지할 수 있다.
또한 보호 IC(90)는 보호 IC(90)의 DOUT2 단자로부터 하이 레벨의 신호를 출력함으로써 트랜지스터(22)를 온 할 수 있고, 로 레벨의 신호를 출력함으로써 트랜지스터(22)를 오플 할 수 있는 방전 제어 회로(47)을 가진다. 방전 제어 회로(47)는 트랜지스터(22)를 온 함으로써 셀(202)을 방전하는 방향의 전류가 전원 경로(26)에 흐르는 것을 허가할 수 있고, 트랜지스터(22)를 오프 함으로써 셀(202)을 방전하는 방향의 전류가 전원 경로(26)에 흐르는 것을 금지할 수 있다.
보호 모듈(80)은 셀이 복수 병렬로 접속된 2차전지를 보호하는 전지 보호 장치의 일례이다. 보호 모듈(80)은 보호 제어부를 갖는 보호 IC(90)를 구비하고 있다. 보호 제어부는 2차전지에 구성된 복수의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀의 보호를 제어한다. 보호 제어 회로(30)는 셀(201)에 대하여 설치되고, 셀(201)의 보호를 제어하는 보호 제어부의 일례이며, 보호 제어 회로(40)는 셀(202)에 대하여 설치되고, 셀(202)의 보호를 제어하는 보호 제어부의 일례이다.
보호 제어 회로(30)는 전류 검출 회로(31)과, 충전 과전류 검출 회로(32)와, 충전 전류 제한 회로(33)와, 충전 제어 회로(34)와, 방전 과전류 검출 회로(35)와, 방전 전류 제한 회로(36)와, 방전 제어 회로(37)와, 과충전 검출 회로(38)와, 과방전 검출 회로(39)를 구비한다. 보호 제어 회로(40)는 전류 검출 회로(41)와, 충전 과전류 검출 회로(42)와, 충전 전류 제한 회로(43)와, 충전 제어 회로(44)와, 방전 과전류 검출 회로(45)와, 방전 전류 제한 회로(46)와, 방전 제어 회로(47)와, 과충전 검출 회로(48)와, 과방전 검출 회로(49)를 구비한다.
보호 모듈(80)은 2차전지에 구성된 복수의 셀 각각에 대하여 설치된 충전 전류 제한부와, 2차전지에 구성된 복수의 셀 각각에 대하여 설치된 방전 전류 제한부를 갖는 보호 IC(90)를 구비한다.
충전 전류 제한 회로(33)는 셀(201)에 대하여 설치된 충전 전류 제한부의 일례이며, 방전 전류 제한 회로(36)는 셀(201)에 대하여 설치된 방전 전류 제한부의 일례이다. 충전 전류 제한 회로(33) 및 방전 전류 제한 회로(36)는 VDD 단자와 VSS1 단자 또는 CS1 단자 사이의 전압을 전원 전압으로 하여 동작한다. 마찬가지로, 충전 전류 제한 회로(43)는 셀(202)에 대하여 설치된 충전 전류 제한부의 일례이며, 방전 전류 제한 회로(46)는 셀(202)에 대하여 설치된 방전 전류 제한부의 일례이다. 충전 전류 제한 회로(43) 및 방전 전류 제한 회로(46)는 VDD 단자와 VSS2 단자 또는 CS2 단자 사이의 전압을 전원 전압으로 하여 동작한다.
또한 보호 모듈(80)은 2차전지에 구성된 복수의 셀 각각의 충전 경로에 설치된 충전 제어 소자와, 2차전지에 구성된 복수의 셀 각각의 방전 경로에 설치된 방전 제어 소자를 구비한다.
트랜지스터(11)는 셀(201)의 충전 경로인 전원 경로(16)에 설치된 충전 제어 소자의 일례이며, 트랜지스터(12)는 셀(201)의 방전 경로인 전원 경로(16)에 설치된 방전 제어 소자의 일례이다. 마찬가지로, 트랜지스터(21)는 셀(202)의 충전 경로인 전원 경로(26)에 설치된 충전 제어 소자의 일례이며, 트랜지스터(22)는 셀(202)의 방전 경로인 전원 경로(26)에 설치된 방전 제어 소자의 일례이다.
충전 전류 제한 회로(33)는 충전 전류 제한 회로(33)에 대응하는 셀(201)에 충전 전류(I1)가 흐르고 있는 충전 기간에 충전 전류(I1)가 소정의 충전 전류값(Icth1)을 초과하는 것을 트랜지스터(11)의 온 상태를 제어함으로써 제한하는 충전 전류 제한 제어를 행한다. 트랜지스터(11)는 충전 전류(I1)가 흐르고 있는 충전 기간에 충전 전류(I1)가 충전 전류값(Icth1)을 초과하는 것을 충전 전류 제한 회로(33)의 충전 전류 제한 제어에 의해 제한하는 충전 전류 제한 소자이다. 트랜지스터(11)는 셀(201)의 충전 방향에 흐르는 충전 전류(I1)의 흐름을 제한할 수 있고, 충전 전류 제한 회로(33)는 충전 전류(I1)의 흐름이 제한되도록 트랜지스터(11)를 온 동작시킨다.
따라서, 충전 전류 제한 회로(33)는 충전 전류(I1)가 충전 전류값(Icth1)으로 상승하여 도달해도, 충전 전류(I1)가 충전 전류값(Icth1)을 초과하지 않도록 충전 전류(I1)의 흐름을 줄이면서, 충전 전류(I1)을 0보다도 큰 전류값으로 계속해서 흘릴 수 있다.
마찬가지로, 충전 전류 제한 회로(43)는 충전 전류 제한 회로(43)에 대응하는 셀(202)에 충전 전류(I2)가 흐르고 있는 충전 기간에 충전 전류(I2)가 소정의 충전 전류값(Icth2)을 초과하는 것을 트랜지스터(21)의 온 상태를 제어함으로써 제한하는 충전 전류 제한 제어를 행한다. 트랜지스터(21)는 충전 전류(I2)가 흐르고 있는 충전 기간에 충전 전류(I2)가 충전 전류값(Icth2)을 초과하는 것을 충전 전류 제한 회로(43)의 충전 전류 제한 제어에 의해 제한하는 충전 전류 제한 소자이다. 트랜지스터(21)는 셀(202)의 충전 방향에 흐르는 충전 전류(I2)의 흐름을 제한할 수 있고, 충전 전류 제한 회로(43)는 충전 전류(I2)의 흐름이 제한되도록 트랜지스터(21)를 온 동작시킨다.
따라서, 충전 전류 제한 회로(43)는 충전 전류(I2)가 충전 전류값(Icth2)으로 상승하여 도달해도, 충전 전류(I2)가 충전 전류값(Icth2)을 초과하지 않도록 충전 전류(I2)의 흐름을 줄이면서, 충전 전류(I2)를 0보다도 큰 전류값으로 계속해서 흘릴 수 있다.
또한, 전원 경로(8)에 흐르는 충전 전류(I)는 셀(201) 및 전원 경로(16)를 흐르는 충전 전류(I1)와, 셀(202) 및 전원 경로(26)를 흐르는 충전 전류(I2)의 합이다. 또한 충전 전류값(Icth1)과 방전 전류값(Icth2)은 동일한 값이어도 되고, 상이한 값이어도 된다.
이와 같이, 충전 전류(I1 또는I2)가 소정의 충전 전류값으로 제한됨으로써, 셀(201)과 셀(202)의 용량이 서로 상이해도, 양쪽 셀 간에 과잉의 충방전 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 서로 상이한 용량을 갖는 복수의 셀을 병렬로 접속할 수 있기 때문에, 한정된 실장 면적을 효율적으로 사용할 수 있다. 예를 들면, 용량이 작아질수록 셀의 체적은 작아지므로, 복수의 셀이 실장되는 기판에 존재하는 간극 스페이스에 그들 복수의 셀 중 상대적으로 작은 용량을 갖는 셀을 실장할 수 있다.
또한 이와 같이 충전 전류(I1 또는 I2)가 소정의 충전 전류값으로 제한됨으로써, 셀(201)과 셀(202)의 접속시에 양쪽 셀 간의 전압차가 커도, 양쪽 셀 간에 과잉의 충방전 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다. 또한 충전 전류(I1 또는 I2)가 소정의 충전 전류값으로 제한됨으로써, 어느 셀이 만충전이 되어도, 나머지 셀에 과잉의 충전 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다. 또한 충전 전류(I1 또는 I2)가 소정의 충전 전류값으로 제한됨으로써, 어느 셀의 내부 임피던스가 셀의 열화 등에 의해 증가해도, 나머지 셀에 과잉의 충전 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다.
또한, 충전 전류 제한 회로(33)는 보호 IC(90)의 COUT1 단자와 V-1 단자 사이의 전압값을 제어함으로써, 트랜지스터(11)의 게이트-소스 간의 전압값을 조정할 수 있으므로, 충전 전류(I1)의 전류값을 증감하면서 제한할 수 있다. COUT1 단자는 트랜지스터(11)의 게이트에 접속되고, V-1 단자는 저항(15)을 통하여, 트랜지스터(11)의 소스에 접속된다. 마찬가지로, 충전 전류 제한 회로(43)는 보호 IC(90)의 COUT2 단자와 V-2 단자 사이의 전압값을 제어함으로써, 트랜지스터(21)의 게이트-소스 간의 전압값을 조정할 수 있으므로, 충전 전류(I2)의 전류값을 증감하면서 제한할 수 있다. COUT2 단자는 트랜지스터(21)의 게이트에 접속되고, V-2 단자는 저항(25)을 통하여 트랜지스터(21)의 소스에 접속된다.
한편, 방전 전류 제한 회로(36)는 방전 전류 제한 회로(36)에 대응하는 셀(201)에 방전 전류(I1)(도시된 화살표와는 반대 방향의 전류)가 흐르고 있는 방전 기간에 방전 전류(I1)가 소정의 방전 전류값(Idth1)을 초과하는 것을 트랜지스터(12)의 온 상태를 제어함으로써 제한하는 방전 전류 제한 제어를 행한다. 트랜지스터(12)는 방전 전류(I1)가 흐르고 있는 방전 기간에 방전 전류(I1)가 방전 전류값(Idth1)을 초과하는 것을 방전 전류 제한 회로(36)의 방전 전류 제한 제어에 의해 제한하는 방전 전류 제한 소자이다. 트랜지스터(12)는 셀(201)의 방전 방향으로 흐르는 방전 전류(I1)의 흐름을 제한할 수 있고, 방전 전류 제한 회로(36)는 방전 전류(I1)의 흐름이 제한되도록 트랜지스터(12)를 온 동작시킨다.
따라서, 방전 전류 제한 회로(36)는 방전 전류(I1)가 방전 전류값(Idth1)으로 상승하여 도달해도, 방전 전류(I1)가 방전 전류값(Idth1)을 초과하지 않도록 방전 전류(I1)의 흐름을 줄이면서, 방전 전류(I1)를 0보다도 큰 전류값으로 계속해서 흘릴 수 있다.
마찬가지로, 방전 전류 제한 회로(46)는 방전 전류 제한 회로(46)에 대응하는 셀(202)에 방전 전류(I2)(도시된 화살표와는 반대 방향의 전류)가 흐르고 있는 방전 기간에 방전 전류(I2)가 소정의 방전 전류값(Idth2)을 초과하는 것을 트랜지스터(22)의 온 상태를 제어함으로써 제한하는 방전 전류 제한 제어를 행한다. 트랜지스터(22)는 방전 전류(I2)가 흐르고 있는 방전 기간에 방전 전류(I2)가 방전 전류값(Idth2)을 초과하는 것을 방전 전류 제한 회로(46)의 방전 전류 제한 제어에 의해 제한하는 방전 전류 제한 소자이다. 트랜지스터(22)는 셀(202)의 방전 방향으로 흐르는 방전 전류(I2)의 흐름을 제한할 수 있고, 방전 전류 제한 회로(46)는 방전 전류(I2)의 흐름이 제한되도록 트랜지스터(22)를 온 동작시킨다.
따라서, 방전 전류 제한 회로(46)는 방전 전류(I2)가 방전 전류값(Idth2)으로 상승하여 도달해도, 방전 전류(I2)가 방전 전류값(Idth2)을 초과하지 않도록 방전 전류(I2)의 흐름을 줄이면서, 방전 전류(I2)를 0보다도 큰 전류값으로 계속해서 흘릴 수 있다.
또한, 전원 경로(8)에 흐르는 방전 전류(I)(도시된 화살표와는 반대 방향의 전류)는 셀(201) 및 전원 경로(16)를 흐르는 방전 전류(I1)와, 셀(202) 및 전원 경로(26)를 흐르는 방전 전류(I2)의 합이다. 또한 방전 전류값(Idth1)과 방전 전류값(Idth2)은 동일한 값이어도 되고, 상이한 값이어도 된다.
이와 같이, 방전 전류(I1 또는 I2)가 소정의 방전 전류값으로 제한됨으로써, 셀(201)과 셀(202)의 용량이 서로 상이해도, 양쪽 셀 간에 과잉의 충방전 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 서로 상이한 용량을 갖는 복수의 셀을 병렬로 접속할 수 있기 때문에, 한정된 실장 면적을 효율적으로 사용할 수 있다. 예를 들면, 용량이 작을수록 셀의 체적은 작아지므로, 복수의 셀이 실장되는 기판에 존재하는 간극 스페이스에, 그들 복수의 셀 중 상대적으로 작은 용량을 갖는 셀을 실장할 수 있다.
또한 이와 같이, 방전 전류(I1 또는 I2)가 소정의 방전 전류값으로 제한됨으로써, 셀(201)과 셀(202)의 접속시에 양쪽 셀 간의 전압차가 커도, 양쪽 셀 사이에서 과잉의 충방전 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다. 특히, 충전 전류(I1 또는 I2)가 소정의 충전 전류값으로 제한되는 상기의 기능과 조합됨으로써, 양쪽 셀 간에 과잉의 충방전 전류가 흐르는 것을 더욱 신속하게 방지할 수 있다.
또한 방전 전류(I1 또는 I2)가 소정의 방전 전류값으로 제한됨으로써, 전원 경로(8)를 통하여 부하 접속 단자(5)에 접속되는 부하에 대하여 과잉의 부하 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다.
또한, 방전 전류 제한 회로(36)는 보호 IC(90)의 DOUT1 단자와 VSS1 단자 또는 CS1 단자 간의 전압값을 제어함으로써, 트랜지스터(12)의 게이트-소스 간의 전압값을 조정할 수 있으므로, 방전 전류(I1)의 전류값을 증감하면서 제한할 수 있다. DOUT1 단자는 트랜지스터(12)의 게이트에 접속되고, VSS1 단자는 저항(13)을 통하여 트랜지스터(12)의 소스에 접속되고, CS1 단자는 저항(13)을 통하지 않고 트랜지스터(12)의 소스에 접속된다. 마찬가지로, 방전 전류 제한 회로(46)는 보호 IC(90)의 DOUT2 단자와 VSS2 단자 또는 CS2 단자 간의 전압값을 제어함으로써 트랜지스터(22)의 게이트-소스 간의 전압값을 조정할 수 있으므로, 방전 전류(I2)의 전류값을 증감하면서 제한할 수 있다. DOUT2 단자는 트랜지스터(22)의 게이트에 접속되고, VSS2 단자는 저항(23)을 통하여 트랜지스터(22)의 소스에 접속되고, CS2 단자는 저항(23)을 통하지 않고 트랜지스터(22)의 소스에 접속된다.
충전 전류 제한 회로(33)는, 충전 전류(I1)의 검출값이 충전 전류값(Icth1)보다도 작은 경우, 충전 전류(I1)가 충전 전류값(Icth1)보다도 낮은 값까지 상승하는 것을 트랜지스터(11)의 제어 전압을 높게 변경함으로써 허용하는 충전 전류 상승 제어를 행한다. 반대로, 충전 전류 제한 회로(33)는, 충전 전류(I1)의 검출값이 충전 전류값(Icth1)보다도 큰 경우, 충전 전류(I1)의 전류값을 트랜지스터(11)의 제어 전압을 낮게 변경함으로써 저하시키는 충전 전류 저하 제어를 행한다. 트랜지스터(11)가 MOSFET인 경우, 트랜지스터(11)의 제어 전압은 트랜지스터(11)의 게이트-소스 간의 전압에 상당한다.
충전 전류 제한 회로(33)는 충전 전류 상승 제어 및 충전 전류 저하 제어를 함으로써, 충전 전류(I1)이 상승해도 충전 전류(I1)의 전류값을 충전 전류값(Icth1)에 안정적으로 근접시킬 수 있다. 특히, 충전 전류 제한 회로(33)는 충전 전류 상승 제어 및 충전 전류 저하 제어를 주기적으로 함으로써, 충전 전류(I1)가 상승해도, 충전 전류(I1)의 전류값을 충전 전류값(Icth1)에 더한층 안정적으로 수렴시킬 수 있다.
충전 전류 제한 회로(43)도 동일한 제어를 행함으로써, 충전 전류(I2)의 전류값을 충전 전류값(Icth2)에 안정적으로 근접시킬 수 있다.
방전 전류 제한 회로(36)는, 방전 전류(I1)의 검출값이 방전 전류값(Idth1)보다도 작은 경우, 방전 전류(I1)가 충전 전류값(Idth1)보다도 낮은 값까지 상승하는 것을 트랜지스터(12)의 제어 전압을 높게 변경함으로써 허용하는 방전 전류 상승 제어를 행한다. 반대로, 방전 전류 제한 회로(36)는, 방전 전류(I1)의 검출값이 방전 전류값(Idth1)보다도 큰 경우, 방전 전류(I1)의 전류값을 트랜지스터(12)의 제어 전압을 낮게 변경함으로써 저하시키는 방전 전류 저하 제어를 행한다. 트랜지스터(12)가 MOSFET인 경우, 트랜지스터(12)의 제어 전압은 트랜지스터(12)의 게이트-소스 간의 전압에 상당한다.
방전 전류 제한 회로(36)는 방전 전류 상승 제어 및 방전 전류 저하 제어를 함으로써, 방전 전류(I1)이 상승해도 방전 전류(I1)의 전류값을 방전 전류값(Idth1)에 안정적으로 근접시킬 수 있다. 특히, 방전 전류 제한 회로(36)는 방전 전류 상승 제어 및 방전 전류 저하 제어를 주기적으로 행함으로써, 방전 전류(I1)가 상승해도, 방전 전류(I1)의 전류값을 방전 전류값(Idth1)에 더한층 안정적으로 수렴시킬 수 있다.
방전 전류 제한 회로(46)도 동일한 제어를 행함으로써, 방전 전류(I2)의 전류값을 방전 전류값(Idth2)에 안정적으로 근접시킬 수 있다.
충전 전류(I1)의 검출값 또는 방전 전류(I1)의 검출값은 보호 IC(90)의 전류 검출 회로(31)가 보호 IC(90)의 VSS1 단자와 CS1 단자 사이의 전압을 검출함으로써 취득할 수 있다. 전류 검출 회로(31)은, 예를 들면, 저항(13)의 양단 전압과 저항(13)에 흐르는 전류의 방향을 측정함으로써, 충전 전류(I1)의 검출값 또는 방전 전류(I1)의 검출값을 취득할 수 있다. VSS1 단자는 셀 접속 단자(17)와 저항(13)의 일단 사이에서의 전원 경로(16)에 접속되고, CS1 단자는 저항(13)의 타단과 트랜지스터(11, 12) 사이에서의 전원 경로(16)에 접속된다.
마찬가지로, 충전 전류(I2)의 검출값 또는 방전 전류(I2)의 검출값은 보호 IC(90)의 전류 검출 회로(41)가 보호 IC(90)의 VSS2 단자와 CS2 단자 사이의 전압을 검출함으로써 취득할 수 있다. 전류 검출 회로(41)는, 예를 들면, 저항(23)의 양단전압과 저항(23)에 흐르는 전류의 방향을 측정함으로써, 충전 전류(I2)의 검출값 또는 방전 전류(I2)의 검출값을 취득할 수 있다. VSS2 단자는 셀 접속 단자(27)와 저항(23)의 일단 사이에서의 전원 경로(26)에 접속되고, CS2 단자는 저항(23)의 타단과 트랜지스터(21, 22) 사이에서의 전원 경로(26)에 접속된다.
전류 검출 회로(31)는 셀(201)에 대하여 설치된 전류 검출부의 일례이다. 전류 검출 회로(31)는 VDD 단자와 VSS1 단자 또는 CS1 단자 사이의 전압을 전원 전압으로 하여 동작한다. 마찬가지로, 전류 검출 회로(41)는 셀(202)에 대하여 설치된 전류 검출부의 일례이다. 전류 검출 회로(41)는 VDD 단자와 VSS2 단자 또는 CS2 단자 사이의 전압을 전원 전압으로 하여 동작한다.
보호 모듈(80)은 2차전지에 구성된 복수의 셀 각각에 대하여 설치된 충전 과전류 검출부를 갖는 보호 IC(90)를 구비한다. 충전 과전류 검출 회로(32)는 셀(201)에 대하여 설치된 충전 과전류 검출부의 일례이며, 충전 과전류 검출 회로(42)는 셀(202)에 대하여 설치된 충전 과전류 검출부의 일례이다.
충전 과전류 검출 회로(32)는 소정의 제 1 충전 과전류 검출 임계값 이상의 충전 전류(I1)의 검출값을 전류 검출 회로(31)로부터 취득한 경우, 셀(201)을 충전하는 방향의 과전류(충전 과전류)가 검출되었다고 판단한다. 충전 과전류 검출 회로(32)는, 셀(201)의 충전 과전류가 검출된 경우, 셀(201)에 충전 전류(I1)가 흐르는 것을 금지한다. 충전 과전류 검출 회로(32)는 셀(201)에 충전 전류(I1)가 흐르는 것을 금지하는 경우, 충전 금지 신호를 출력한다.
충전 과전류 검출 회로(42)도 충전 과전류 검출 회로(32)와 동일한 회로이다. 충전 과전류 검출 회로(42)는, 소정의 제 2 충전 과전류 검출 임계값 이상의 충전 전류(I2)의 검출값을 전류 검출 회로(41)로부터 취득한 경우, 셀(202)에 충전 전류(I2)가 흐르는 것을 금지하는 충전 금지 신호를 출력한다.
또한, 제 1 충전 과전류 검출 임계값과 제 2 충전 과전류 검출 임계값은 동일한 값이어도 상이한 값이어도 된다.
보호 모듈(80)은 2차전지에 구성된 복수의 셀 각각에 대하여 설치된 방전 과전류 검출부를 갖는 보호 IC(90)를 구비하고 있다. 방전 과전류 검출 회로(35)는 셀(201)에 대하여 설치된 방전 과전류 검출부의 일례이며, 방전 과전류 검출 회로(45)는 셀(202)에 대하여 설치된 방전 과전류 검출부의 일례이다.
방전 과전류 검출 회로(35)는, 소정의 제 1 방전 과전류 검출 임계값 이상의 방전 전류(I1)의 검출값을 전류 검출 회로(31)로부터 취득한 경우, 셀(201)을 방전하는 방향의 과전류(방전 과전류)가 검출되었다고 판단한다. 방전 과전류 검출 회로(35)는, 셀(201)의 방전 과전류가 검출된 경우, 셀(201)에 방전 전류(I1)가 흐르는 것을 금지한다. 방전 과전류 검출 회로(35)는, 셀(201)에 방전 전류(I1)가 흐르는 것을 금지하는 경우, 방전 금지 신호를 출력한다.
방전 과전류 검출 회로(45)도 방전 과전류 검출 회로(35)와 동일한 회로이다. 방전 과전류 검출 회로(45)는, 소정의 제 2 방전 과전류 검출 임계값 이상의 방전 전류(I2)의 검출값을 전류 검출 회로(41)로부터 취득한 경우, 셀(202)에 방전 전류(I2)가 흐르는 것을 금지하는 방전 금지 신호를 출력한다.
또한, 제 1 방전 과전류 검출 임계값과 제 2 방전 과전류 검출 임계값은 동일한 값이어도 상이한 값이어도 된다.
보호 모듈(80)은 2차전지에 구성된 복수의 셀 각각에 대하여 설치된 과충전 검출부를 갖는 보호 IC(90)를 구비한다. 과충전 검출 회로(38)는 셀(201)에 대하여 설치된 과충전 검출부의 일례이며, 과충전 검출 회로(48)는 셀(202)에 대하여 설치된 과충전 검출부의 일례이다.
과충전 검출 회로(38)는 소정의 제 1 과충전 검출 임계값 이상의 셀 전압을 셀(201)에 대하여 검출함으로써, 셀(201)에 과충전이 검출되었다고 판단하는 충전 과전압 검출 회로이다. 과충전 검출 회로(38)는, 셀(201)에 과충전이 검출된 경우, 셀(201)을 충전하는 것을 금지한다. 과충전 검출 회로(38)는, 셀(201)을 충전하는 것을 금지한 경우, 충전 금지 신호를 출력한다.
과충전 검출 회로(48)도 과충전 검출 회로(38)와 동일한 회로이다. 과충전 검출 회로(48)는, 소정의 제 2 과충전 검출 임계값 이상의 셀 전압을 셀(202)에 대하여 검출한 경우, 셀(202)을 충전하는 것을 금지하고, 충전 금지 신호를 출력한다.
또한, 제 1 과충전 검출 임계값과 제 2 과충전 검출 임계값은 동일한 값이어도 상이한 값이어도 된다.
보호 모듈(80)은 2차전지에 구성된 복수의 셀 각각에 대하여 설치된 과방전 검출부를 갖는 보호 IC(90)를 구비한다. 과방전 검출 회로(39)는 셀(201)에 대하여 설치된 과방전 검출부의 일례이며, 과방전 검출 회로(49)는 셀(202)에 대하여 설치된 과방전 검출부의 일례이다.
과방전 검출 회로(39)는 소정의 제 1 과방전 검출 임계값 이하의 셀 전압을 셀(201)에 대하여 검출함으로써, 셀(201)에 과방전이 검출되었다고 판단하는 방전 과전압 검출 회로이다. 과방전 검출 회로(39)는, 셀(201)에 과방전이 검출된 경우, 셀(201)을 방전하는 것을 금지한다. 과방전 검출 회로(39)는, 셀(201)을 방전하는 것을 금지한 경우, 방전 금지 신호를 출력한다.
과방전 검출 회로(49)도 과방전 검출 회로(39)와 동일한 회로이다. 과방전 검출 회로(49)는, 소정의 제 2 과방전 검출 임계값 이상의 셀 전압을 셀(202)에 대하여 검출한 경우, 셀(202)을 방전하는 것을 금지하는 방전 금지 신호를 출력한다.
또한, 제 1 과방전 검출 임계값과 제 2 과방전 검출 임계값은 동일한 값이어도 상이한 값이어도 된다.
충전 제어 회로(34)는 과충전 검출 회로(38)와 충전 과전류 검출 회로(32) 중 적어도 하나의 검출 회로로부터 충전 금지 신호가 출력되었을 때, 트랜지스터(11)를 오프 한다. 트랜지스터(11)의 오프에 의해, 셀(201)의 충전 전류가 흐르는 전원 경로(16)를 차단할 수 있으므로, 셀(201)에 흐르는 충전 전류를 정지할 수 있어, 셀(201)을 과충전 또는 충전 과전류로부터 보호할 수 있다. 마찬가지로, 충전 제어 회로(44)는 과충전 검출 회로(48)와 충전 과전류 검출 회로(42) 중 적어도 하나의 검출 회로로부터 충전 금지 신호가 출력되었을 때, 트랜지스터(21)를 오프 한다. 트랜지스터(21)의 오프에 의해, 셀(202)의 충전 전류가 흐르는 전원 경로(26)를 차단할 수 있으므로, 셀(202)에 흐르는 충전 전류를 정지할 수 있어, 셀(202)을 과충전 또는 충전 과전류로부터 보호할 수 있다.
방전 제어 회로(37)는 과방전 검출 회로(39)와 방전 과전류 검출 회로(35) 중 적어도 하나의 검출 회로로부터 방전 금지 신호가 출력되었을 때, 트랜지스터(12)를 오프 한다. 트랜지스터(12)의 오프에 의해, 셀(201)의 방전 전류가 흐르는 전원 경로(16)을 차단할 수 있으므로, 셀(201)에 흐르는 방전 전류를 정지할 수 있어, 셀(201)을 과방전 또는 방전 과전류로 보호할 수 있다. 마찬가지로, 방전 제어 회로(47)는 과방전 검출 회로(49)와 방전 과전류 검출 회로(45) 중 적어도 하나의 검출 회로로부터 방전 금지 신호가 출력되었을 때, 트랜지스터(22)를 오프 한다. 트랜지스터(22)의 오프에 의해, 셀(202)의 방전 전류가 흐르는 전원 경로(26)을 차단할 수 있으므로, 셀(202)에 흐르는 방전 전류를 정지할 수 있어, 셀(202)을 과방전 또는 방전 과전류로 보호할 수 있다.
충전 제어 회로(34)는 셀(201)과 셀(202) 간의 동극 간(도시의 경우, 셀(201)의 부극과 셀(202)의 부극 간)의 전위차(ΔV) 및/또는 전류(I1과 I2)에 따라, 충전 전류 제한 회로(33)에 의해 전류 제한할 것인지 충전 과전류 검출 회로(32)에 의해 전류 정지할 것인지 전환한다. 충전 제어 회로(34)는, 예를 들면, 충전 방향을 정의 방향으로 했을 때의 전위차(ΔV)가 0 또는 0보다도 큰 설정 임계값(Vth) 미만인 경우, 충전 전류 제한 회로(33)가 충전 전류(I1)의 흐름을 제한하는 것을 금지하고, 충전 과전류 검출 회로(32)가 충전 전류(I1)의 흐름을 정지하는 것을 허가한다. 반대로, 충전 제어 회로(34)는, 예를 들면, 충전 방향을 정의 방향으로 했을 때의 전위차(ΔV)가 설정 임계값(Vth) 이상인 경우, 충전 전류 제한 회로(33)가 충전 전류(I1)의 흐름을 제한하는 것을 허가하고, 충전 과전류 검출 회로(32)가 충전 전류(I1)의 흐름을 정지하는 것을 금지한다.
충전 제어 회로(34)는, 전위차(ΔV)가 설정 임계값(Vth) 이상인지의 여부를 판정함으로써, 셀(201)과 셀(202) 사이에서 과잉의 충방전 전류가 흐르는지 아닌지를 판단할 수 있다. 충전 방향을 정의 방향으로고 했을 때의 전위차(ΔV)가 설정 임계값(Vth) 이상인 상태는 셀(201)과 셀(202) 사이에서 과잉의 충방전 전류가 흐르는 상태이다. 그러한 상태에서는, 충전 과전류가 충전 과전류 검출 회로(32)에 의해 검출되어도, 충전 전류 제한 회로(33)가 충전 전류(I1)의 흐름을 제한함으로써, 충전 전류(I1)을 0보다도 큰 전류값으로 계속해서 흘릴 수 있다. 반대로, 충전 방향을 정의 방향으로 했을 때의 전위차(ΔV)가 설정 임계값(Vth) 미만인 상태는 셀(201)과 셀(202) 사이에서 과잉한 충방전 전류가 흐르지 않고 있는 상태이다. 그러한 상태에서는, 충전 과전류가 충전 과전류 검출 회로(32)에 의해 검출되면, 충전 전류(I1)의 흐름을 정지할 수 있다.
충전 제어 회로(44)도, 전위차(ΔV) 및/또는 전류(I1과 I2)에 따라, 충전 전류 제한 회로(43)에 의해 전류 제한할 것인지 충전 과전류 검출 회로(42)에 의해 전류 정지할 것인지 전환한다. 충전 제어 회로(44)도 충전 제어 회로(34)와 상기한 동일한 회로이어도 되므로, 그 상세 설명을 생략하지만, 충전류(I2)에 대하여, 충전 제어 회로(34)와 상기 동일한 효과가 얻어진다.
방전 제어 회로(37)는, 전위차(ΔV) 및/또는 전류(I1)이라고 I2에 따라, 방전 전류 제한 회로(36)에 의해 전류 제한할 것인지 방전 과전류 검출 회로(35)에 의해 전류 정지할 것인지 전환한다. 방전 제어 회로(37)는, 예를 들면, 방전 방향을 정의 방향으로 했을 때의 전위차(ΔV)가 0 또는 0보다도 큰 설정 임계값(Vth) 미만인 경우, 방전 전류 제한 회로(36)가 방전 전류(I1)의 흐름을 제한하는 것을 금지하고, 방전 과전류 검출 회로(35)가 방전 전류(I1)의 흐름을 정지하는 것을 허가한다. 반대로, 방전 제어 회로(37)는, 예를 들면, 방전 방향을 정의 방향으로 했을 때의 전위차(ΔV)가 설정 임계값(Vth) 이상인 경우, 방전 전류 제한 회로(36)가 방전 전류(I1)의 흐름을 제한하는 것을 허가하고, 방전 과전류 검출 회로(35)가 방전 전류(I1)의 흐름을 정지하는 것을 금지한다.
방전 제어 회로(37)는 전위차(ΔV)가 설정 임계값(Vth) 이상인지의 여부를 판정함으로써, 셀(201)과 셀(202) 사이에서 과잉의 충방전 전류가 흐르는지 아닌지를 판단할 수 있다. 방전 방향을 정의 방향으로 했을 때의 전위차(ΔV)가 설정 임계값(Vth) 이상인 상태는 셀(201)과 셀(202) 사이에서 과잉의 충방전 전류가 흐르는 상태이다. 그러한 상태에서는, 방전 과전류가 방전 과전류 검출 회로(35)에 의해 검출되어도, 방전 전류 제한 회로(36)가 방전 전류(I1)의 흐름을 제한함으로써, 방전 전류(I1)를 0보다도 큰 전류값으로 계속해서 흘릴 수 있다. 반대로, 방전 방향을 정의 방향으로 했을 때의 전위차(ΔV)가 설정 임계값(Vth) 미만인 상태는 셀(201)과 셀(202) 사이에서 과잉의 충방전 전류가 흐르지 않고 있는 상태이다. 그러한 상태에서는, 방전 과전류가 방전 과전류 검출 회로(35)에 의해 검출되면, 방전 전류(I1)의 흐름을 정지할 수 있다.
방전 제어 회로(47)도, 전위차(ΔV) 및/또는 전류(I1과 I2)에 따라, 방전 전류 제한 회로(46)에 의해 전류 제한할 것인지 방전 과전류 검출 회로(45)에 의해 전류 정지할 것인지 전환한다. 방전 제어 회로(47)도 방전 제어 회로(37)와 상기한 것과 동일한 회로이어도 되므로, 그 상세 설명을 생략하지만, 방전류(I2)에 대하여 방전 제어 회로(37)와 상기 동일한 효과가 얻어진다.
또한, 전위차(ΔV)는 VSS1 단자와 VSS2 단자 사이의 전압(또는, 셀 접속 단자(17)와 셀 접속 단자(27) 사이의 전압)이 검출됨으로써 취득할 수 있다. 또한 전류(I1)는 저항(13)의 양단 전압이 검출됨으로써 취득할 수 있고, 전류(I2)는 저항(23)의 양단 전압이 검출됨으로써 취득할 수 있다.
충전 과전류 검출 회로(32)와 충전 전류 제한 회로(33)는 서로 병렬로 접속되고, 전류 검출 회로(31)로부터 공급되는 전류 검출값은 충전 과전류 검출 회로(32)와 충전 전류 제한 회로(33)의 각각에 입력된다.
충전 과전류 검출 회로(32)는, 예를 들면, 전류 검출 회로(31)로부터 공급되는 충전 전류(I1)의 검출값이 소정의 제 1 충전 과전류 검출 임계값 이상인지의 여부를 판정하기 위한 컴퍼레이터(32a)를 갖는다. 충전 과전류 검출 회로(32)는 충전 전류(I1)의 검출값이 소정의 제 1 충전 과전류 검출 임계값 이상이라고 컴퍼레이터(32a)에 의해 판단된 경우, 셀(201)에 충전 전류(I1)가 흐르는 것을 금지하는 충전 금지 신호를 충전 제어 회로(34)에 대하여 출력한다.
충전 전류 제한 회로(33)는, 예를 들면, 전류 검출 회로(31)로부터 공급되는 충전 전류(I1)의 검출값이 충전 전류값(Icth1)보다도 작은지 큰지를 판정하기 위한 컴퍼레이터(33a)를 갖는다. 충전 전류 제한 회로(33)는, 컴퍼레이터(33a)에 의해 판정된 충전 전류(I1)의 검출값과 충전 전류값(Icth1)과의 대소 관계에 따라, 트랜지스터(11)에 입력되는 제어 전압값을 조정하기 위한 아날로그 조정 신호를 충전 제어 회로(34)에 대하여 출력한다.
마찬가지로, 충전 과전류 검출 회로(42)와 충전 전류 제한 회로(43)는 서로 병렬로 접속되고, 전류 검출 회로(41)로부터 공급되는 전류 검출값은 충전 과전류 검출 회로(42)와 충전 전류 제한 회로(43)의 각각에 입력된다. 충전 과전류 검출 회로(42)와 충전 전류 제한 회로(43)가 각각 컴퍼레이터를 갖고 컴퍼레이터의 판단 결과에 따른 아날로그 조정 신호를 출력하는 점에 대해서는, 충전 과전류 검출 회로(32) 및 충전 전류 제한 회로(33)의 경우와 동일하기 때문에, 설명을 생략한다. 방전 과전류 검출 회로(35) 및 방전 전류 제한 회로(36)의 경우, 방전 과전류 검출 회로(45) 및 방전 전류 제한 회로(46)의 경우에 대해서도 동일하기 때문에, 설명을 생략한다.
도 2는 충전 전류 제한 회로(33)에서 행해지는 전지 보호 방법에 포함되는 각 제어 공정의 흐름을 나타낸 상태 천이도이다. S0∼S6은 충전 전류 제한 회로(33)의 제어 상태를 나타낸다. 또한, 충전 전류 제한 회로(43)와 방전 전류 제한 회로(36)와 방전 전류 제한 회로(46)에서 행해지는 전지 보호 방법도 도 2와 동일한 흐름이다. 그 때문에 이하에서는, 대표하여 충전 전류 제한 회로(33)의 동작에 대하여 설명하고, 그 밖의 제어 회로의 동작에 대한 설명은 생략하거나 간략하게 한다.
VGS1은 트랜지스터(11)의 게이트-소스 간 전압(게이트 전압)을 나타낸다. V1∼V6은 게이트 전압(VGS1)의 전압값을 나타내고, 모두 트랜지스터(11)의 온 임계값 이상의 전압값이다. 즉, 상태 S1 내지 S6에서는, 트랜지스터(11)가 온 하고 있음으로써 충전 전류(I1)가 흐르고 있는 상태이다. 게이트 전압(VGS1)의 전압값은 「0<V1<V2<V3<V4<V5<V6」의 관계가 성립한다.
임계값(Ith)은 상기의 충전 전류값(Icth1)에 상당한다. 충전 전류 제한 회로(33)는, 충전 전류(I1)가 임계값(Ith)보다도 작은 경우(I1<Ith), 충전 전류(I1)는 정상이라고 판정한다. 한편, 충전 전류 제한 회로(33)는, 충전 전류(I1)가 임계값(Ith)보다도 큰 경우(I1>Ith), 충전 전류(I1)가 과대한 충전 전류라고 판정한다.
우선, 충전 전류 제한 회로(33)는, 충전 전류 제한 회로(33)의 전원 투입시의 초기 상태(상태 S0)에서는, 트랜지스터(11)가 오프의 상태로부터 시작되도록, 트랜지스터(11)의 게이트 전압값을 0으로 설정한다. 이것에 의해, 전원 투입시에 셀(201)에 과대한 충전 전류(I1)가 흐르는 것을 방지할 수 있다.
충전 전류 제한 회로(33)는 트랜지스터(11)를 온 하여 충전 전류(I1)가 셀(201)에 흐르는 것을 허용하기 위하여, 게이트 전압값을 V1로 설정한다. 게이트 전압값(V1)이 트랜지스터(11)의 온 임계값보다도 약간 큰 값임으로써, 트랜지스터(11)를 하프 온 시킬 수 있다. 이것에 의해 충전 전류(I1)의 전류값을 줄여서 트랜지스터(11)에 흘릴 수 있다.
충전 전류 제한 회로(33)는, 트랜지스터(11)의 게이트 전압을 단계적으로 올릴 때마다 또는 내릴 때마다, 충전 전류(I1)의 검출값이 충전 전류값(Ith)보다도 작은지 아닌지를 판정하는 것을 반복한다.
충전 전류 제한 회로(33)는, 충전 전류(I1)의 검출값이 충전 전류값(Ith)보다도 작다고 판정한 경우, 충전 전류(I1)가 충전 전류값(Ith)보다도 낮은 값까지 상승하는 것을 트랜지스터(11)의 게이트 전압을 높게 변경함으로써 허용하는 충전 전류 상승 제어를 행한다. 트랜지스터(11)의 게이트 전압을 높게 변경함으로써, 충전 전류(I1)의 허용 상한값을 올릴 수 있다. 충전 전류(I1)의 허용 상한값이란 충전 전류(I1)가 취할 수 있는 최대의 전류값이다.
한편, 충전 전류 제한 회로(33)는, 충전 전류(I1)의 검출값이 충전 전류값(Ith)보다도 크다고 판정한 경우, 충전 전류(I1)의 전류값을 트랜지스터(11)의 게이트 전압을 낮게 변경함으로써 저하시키는 충전 전류 저하 제어를 행한다. 트랜지스터(11)의 게이트 전압을 낮게 변경함으로써, 충전 전류(I1)의 허용 상한값을 내릴 수 있다.
이러한 제어를 반복함으로써, 충전 전류(I1)가 과잉으로 증가하려고 해도, 충전 전류(I1)를 충전 전류값(Ith) 부근에서 계속해서 흘릴 수 있다.
예를 들면, 충전 전류 제한 회로(33)는, 상태 S1에서, 충전 전류(I1)의 검출값이 소정의 충전 전류값(Ith)보다도 작은지 아닌지를 판정한다. 충전 전류 제한 회로(33)는, 충전 전류(I1)의 검출값이 충전 전류값(Ith)보다도 작은 경우, 트랜지스터(11)의 게이트 전압값을 V1로부터 V2로 크게 한다(S1로부터 S2로 천이). 전압값(V2)은 전압값(V1)보다도 약간 큰 값이다. 이것에 의해 트랜지스터(11)가 흘릴 수 있는 전류값이 약간 상승하기 때문에, 충전 전류(I1)의 허용 상한값을 올릴 수 있다. 충전 전류 제한 회로(33)는, 상태 S2에서, 트랜지스터(11)를 하프 온 시킴으로써, 충전 전류(I1)의 전류값을 줄여서 트랜지스터(11)에 흘릴 수 있다.
충전 전류 제한 회로(33)는, 상태 S2에서, 충전 전류(I1)의 검출값이 소정의 충전 전류값(Ith)보다도 작은지 아닌지를 판정한다.
충전 전류 제한 회로(33)는, 상태 S2에서, 충전 전류(I1)의 검출값이 충전 전류값(Ith)보다도 작은 경우, 트랜지스터(11)의 게이트 전압값을 V2로부터 V3으로 크게 한다(S2로부터 S3으로 천이). 전압값(V3)은 전압값(V2)보다도 약간 큰 값이다. 이것에 의해 트랜지스터(11)가 흘릴 수 있는 전류값이 약간 상승하기 때문에, 충전 전류(I1)의 허용 상한값을 더욱 올릴 수 있다. 충전 전류 제한 회로(33)는, 상태 S3에서, 트랜지스터(11)를 하프 온 시킴으로써, 충전 전류(I1)의 전류값을 줄여서 트랜지스터(11)에 흘릴 수 있다.
충전 전류 제한 회로(33)는, 충전 전류(I1)의 허용 상한값을 각 상태에서 트랜지스터(11)에 의해 서서히 올려도, 충전 전류(I1)의 검출값이 충전 전류값(Ith)보다도 작다고 상태 S5에서 판정한 경우, 충전 전류(I1)의 허용 상한값의 인상폭을 트랜지스터(11)에 의해 크게 한다. 예를 들면, 충전 전류 제한 회로(33)는, 트랜지스터(11)의 게이트 전압을 트랜지스터(11)의 온 임계값보다도 소정값 이상 크게 함으로써, 충전 전류(I1)의 허용 상한값의 인상폭을 크게 한다. 충전 전류 제한 회로(33)는, 예를 들면, 트랜지스터(11)의 게이트 전압의 S5로부터 S6까지의 인상폭을, 트랜지스터(11)의 게이트 전압의 그것까지의 인상폭(예를 들면, S4로부터 S5까지의 인상폭)보다도 크게 한다. 이것에 의해, 트랜지스터(11)가 풀 온 하기 때문에, 트랜지스터(11)의 온 저항이 떨어져, 트랜지스터(11)의 발열 상승을 억제할 수 있다.
반대로, 충전 전류 제한 회로(33)는, 충전 전류(I1)의 허용 상한값을 각 상태에서 트랜지스터(11)에 의해 서서히 내려도, 충전 전류(I1)의 검출값이 충전 전류값(Ith)보다도 크다고 상태 S1에서 판정한 경우, 충전 전류(I1)의 허용 상한값의 인하폭을 트랜지스터(11)에 의해 크게 한다. 예를 들면, 충전 전류 제한 회로(33)는, 트랜지스터(11)의 게이트 전압을 트랜지스터(11)의 온 임계값보다도 소정값 이상 작게 함으로써, 충전 전류(I1)의 허용 상한값의 인하폭을 크게 한다. 충전 전류 제한 회로(33)는, 예를 들면, 트랜지스터(11)의 게이트 전압의 S1부터 S0까지의 인하폭을, 트랜지스터(11)의 게이트 전압의 그것까지의 인하폭(예를 들면, S3부터 S2까지의 인하폭)보다도 크게 한다. 이것에 의해 트랜지스터(11)가 오프 하기 때문에, 셀(201)에 과잉한 충전 전류(I1)가 계속 흐르는 것을 방지할 수 있다.
또한, 충전 전류 제한 회로(33, 43) 및 방전 전류 제한 회로(36, 46)의 4개의 제한 회로는 상기와 동일한 제어를 서로 독립적으로 행한다. 예를 들면, 방전 전류 제한 회로(46)도, 트랜지스터(22)의 게이트 전압을 올릴 때마다 또는 내릴 때마다, 방전 전류(I2)의 검출값이 방전 전류값(Ith)보다도 작은지 아닌지를 판정하는 것을 반복한다.
방전 전류 제한 회로(46)는, 방전 전류(I2)의 검출값이 방전 전류값(Ith)보다도 작다고 판정한 경우, 방전 전류(I2)가 방전 전류값(Ith)보다도 낮은 값까지 상승하는 것을 트랜지스터(22)의 게이트 전압을 높게 변경함으로써 허용하는 방전 전류 상승 제어를 행한다. 트랜지스터(22)의 게이트 전압을 높게 변경함으로써, 방전 전류(I2)의 허용 상한값을 올릴 수 있다. 방전 전류(I2)의 허용 상한값은 방전 전류(I2)가 취할 수 있는 최대의 전류값이다.
한편, 방전 전류 제한 회로(46)는, 방전 전류(I2)의 검출값이 방전 전류값(Ith)보다도 크다고 판정한 경우, 방전 전류(I2)의 전류값을 트랜지스터(22)의 게이트 전압을 낮게 변경함으로써 저하시키는 방전 전류 저하 제어를 행한다. 트랜지스터(22)의 게이트 전압을 낮게 변경함으로써, 방전 전류(I2)의 허용 상한값을 내릴 수 있다.
이러한 제어를 반복함으로써, 방전 전류(I2)가 과잉으로 증가하려고 해도, 방전 전류(I2)를 방전 전류값(Ith) 부근에서 계속해서 흘릴 수 있다.
예를 들면, 방전 전류 제한 회로(46)는, 상태 S1에서, 방전 전류(I2)의 검출값이 소정의 방전 전류값(Ith)보다도 작은지 아닌지를 판정한다. 방전 전류 제한 회로(46)는, 방전 전류(I2)의 검출값이 방전 전류값(Ith)보다도 작은 경우, 트랜지스터(22)의 게이트 전압값을 V1로부터 V2로 크게 한다(S1로부터 S2로 천이). 전압값(V2)은, 전압값(V1)보다도 약간 큰 값이다. 이것에 의해, 트랜지스터(22)가 흘릴 수 있는 전류값이 약간 상승하기 때문에, 방전 전류(I2)의 허용 상한값을 올릴 수 있다. 방전 전류 제한 회로(46)는, 상태 S2에서, 트랜지스터(22)를 하프 온 시킴으로써, 방전 전류(I2)의 전류값을 줄여 트랜지스터(22)에 흘릴 수 있다.
또한 상기와 같은, 방전 전류 제한 회로(46)는 방전 전류(I2)의 허용 상한값을 각 상태에서 트랜지스터(22)에 의해 서서히 올려도, 방전 전류(I2)의 검출값이 방전 전류값(Ith)보다도 작다고 상태 S5에서 판정한 경우, 방전 전류(I2)의 허용 상한값의 인상폭을 트랜지스터(22)에 의해 크게 한다. 예를 들면, 방전 전류 제한 회로(46)는, 트랜지스터(22)의 게이트 전압을 트랜지스터(22)의 온 임계값보다도 소정값 이상 크게 함으로써, 방전 전류(I2)의 허용 상한값의 인상폭을 크게 한다. 방전 전류 제한 회로(46)는, 예를 들면, 트랜지스터(22)의 게이트 전압의 S5로부터 S6까지의 인상폭을, 트랜지스터(22)의 게이트 전압의 그것까지의 인상폭(예를 들면, S4로부터 S5까지의 인상폭)보다도 크게 한다. 이것에 의해 트랜지스터(22)가 풀 온 하기 때문에, 트랜지스터(22)의 온 저항이 떨어져, 트랜지스터(22)의 발열 상승을 억제할 수 있다.
반대로, 방전 전류 제한 회로(46)는, 방전 전류(I2)의 허용 상한값을 각 상태에서 트랜지스터(22)에 의해 서서히 내려도, 방전 전류(I2)의 검출값이 방전 전류값(Ith)보다도 크다고 상태 S1에서 판정한 경우, 방전 전류(I2)의 허용 상한값의 인하폭을 트랜지스터(22)에 의해 크게 한다. 예를 들면, 방전 전류 제한 회로(46)는, 트랜지스터(22)의 게이트 전압을 트랜지스터(22)의 온 임계값보다도 소정값 이상 작게 함으로써, 방전 전류(I2)의 허용 상한값의 인하폭을 크게 한다. 방전 전류 제한 회로(46)는, 예를 들면, 트랜지스터(22)의 게이트 전압의 S1부터 S0까지의 인하폭을 트랜지스터(22)의 게이트 전압의 그것까지의 인하폭(예를 들면, S3부터 S2까지의 인하폭)보다도 크게 한다. 이것에 의해 트랜지스터(22)가 오프 하기 때문에, 셀(202)에 과잉의 방전 전류(I2)이 계속 흐르는 것을 방지할 수 있다.
충전 전류 제한 회로(43) 및 방전 전류 제한 회로(36)의 동작도 마찬가지이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시형태인 전지팩(101)의 제 1 구성예를 도시한 도면이다. 상기의 실시형태와 동일한 구성 및 효과에 대한 설명은 생략 또는 간략한다. 전지팩(101)은 보호 모듈(81)을 구비한다.
보호 모듈(81)은 셀이 복수 병렬로 접속된 2차전지를 보호하는 전지 보호 장치의 일례이다. 보호 모듈(81)은 보호 제어부를 갖는 보호 IC(91)를 구비하고 있다. 보호 제어부는 2차전지에 구성된 복수의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀의 보호를 제어한다. 보호 제어 회로(50)는 셀(201)에 대하여 설치되고, 셀(201)의 보호를 제어하는 보호 제어부의 일례이며, 보호 제어 회로(60)는 셀(202)에 대하여 설치되고, 셀(202)의 보호를 제어하는 보호 제어부의 일례이다.
보호 제어 회로(50)는 전류 검출 회로(51)와, 충전 전류 제한 회로(53)와, 충전 제어 회로(54)와, 방전 전류 제한 회로(56)와, 방전 제어 회로(57)와, 과충전 검출 회로(58)와, 과방전 검출 회로(59)를 구비하고 있다. 보호 제어 회로(60)는 전류 검출 회로(61)와, 충전 전류 제한 회로(63)와, 충전 제어 회로(64)와, 방전 전류 제한 회로(66)와, 방전 제어 회로(67)와, 과충전 검출 회로(68)와, 과방전 검출 회로(69)를 구비한다.
전류 검출 회로(51), 충전 제어 회로(54), 방전 제어 회로(57), 과충전 검출 회로(58), 과방전 검출 회로(59)는 각각 도 1에서의 전류 검출 회로(31), 충전 제어 회로(34), 방전 제어 회로(37), 과충전 검출 회로(38), 과방전 검출 회로(39)와 동일한 회로이다. 전류 검출 회로(61), 충전 제어 회로(64), 방전 제어 회로(67), 과충전 검출 회로(68), 과방전 검출 회로(69)는 각각 도 1에 있어서의 전류 검출 회로(41), 충전 제어 회로(44), 방전 제어 회로(47), 과충전 검출 회로(48), 과방전 검출 회로(49)와 동일한 회로이다.
충전 전류 제한 회로(53)는 도 1에서의 충전 전류 제한 회로(33)의 전류 제한기능과 충전 과전류 검출 회로(32)의 전류 정지 기능을 포함한 회로이다. 충전 전류 제한 회로(63)는 도 1에서의 충전 전류 제한 회로(43)의 전류 제한 기능과 충전 과전류 검출 회로(42)의 전류 정지 기능을 포함한 회로이다. 방전 전류 제한 회로(56)는 도 1에서의 방전 전류 제한 회로(36)의 전류 제한 기능과 방전 과전류 검출 회로(35)의 전류 정지 기능을 포함한 회로이다. 방전 전류 제한 회로(66)는 도 1에서의 방전 전류 제한 회로(46)의 전류 제한 기능과 방전 과전류 검출 회로(45)의 전류 정지 기능을 포함한 회로이다.
충전 전류 제한 회로(53)의 전류 제한 기능과 전류 정지 기능은 전류 검출 회로(51)에 의해 취득된 충전 전류(I1) 또는 방전 전류(I1)의 검출값을 공용한다. 이것에 의해, 충전 전류(I1) 또는 방전 전류(I1)의 검출값이 입력되는 컴퍼레이터를 양쪽 기능에서 공통화할 수 있다. 충전 전류 제한 회로(53)는 셀(201과 202) 사이에서의 동극 간의 전위차(ΔV) 및/또는 전류(I1과 I2)에 따라, 전류 제한 기능과 전류 정지 기능 중 일방의 기능이 작동하는 것을 허가하고 타방의 기능이 작동하는 것을 금지한다.
충전 전류 제한 회로(63), 방전 전류 제한 회로(56) 및 방전 전류 제한 회로(66)도, 충전 전류 제한 회로(53)와 동일한 기능을 가지므로, 충전 전류 제한 회로(53)와 동일한 효과가 얻어진다.
도 4는 본 발명의 다른 실시형태인 전지팩(101)의 제 2 구성예를 도시한 도면이다. 상기의 실시형태와 동일한 구성 및 효과에 대한 설명은 생략하거나 간략하게 한다.
도 4에서, 충전 과전류 검출 회로(52, 62)는 각각 도 1에서의 충전 과전류 검출 회로(32, 42)의 전류 정지 기능을 포함한 회로이며, 충전 전류 제한 회로(53, 63)는 각각 도 1에서의 충전 전류 제한 회로(33, 43)의 전류 제한 기능을 포함한 회로이다. 마찬가지로, 방전 과전류 검출 회로(55, 65)는 각각 도 1에서의 방전 과전류 검출 회로(35, 45)의 전류 정지 기능을 포함한 회로이며, 방전 전류 제한 회로(56, 66)는 각각 도 1에서의 방전 전류 제한 회로(36, 46)의 전류 제한 기능을 포함한 회로이다.
충전 전류 제한 회로(53)와 충전 과전류 검출 회로(52)는 직렬로 접속되어 있다. 도 4의 경우, 전류 검출 회로(51)로부터 공급되는 전류 검출값은 충전 전류 제한 회로(53)를 경유하여, 충전 과전류 검출 회로(52)에 입력되고, 충전 전류 제한 회로(53)의 출력이 충전 과전류 검출 회로(52)에 입력된다.
충전 전류 제한 회로(53)는, 예를 들면, 아날로그 스위치(71)를 통하여, 트랜지스터(11)에 입력되는 제어 전압값을 조정하기 위한 아날로그 조정 신호를 충전 제어 회로(54)에 대하여 출력한다. 아날로그 스위치(71)는 충전 과전류 검출 회로(52)로부터 출력되는 신호에 따라 온 오프 제어 된다.
충전 과전류 검출 회로(52)는, 충전 과전류가 검출되지 않은 경우, 아날로그 스위치(71)를 온 함으로써, 충전 전류 제한 회로(53)가 아날로그 조정 신호를 충전 제어 회로(54)에 대하여 출력하는 것을 허가한다. 충전 제어 회로(54)는 충전 전류 제한 회로(53)에 의해 전류 제한하는 것이 허가되어 있는 경우, 아날로그 조정 신호에 따라 트랜지스터(11)의 온 상태를 제어한다.
한편, 충전 과전류 검출 회로(52)는 충전 과전류가 검출된 경우, 아날로그 스위치(71)를 오프 함으로써, 충전 전류 제한 회로(53)가 아날로그 조정 신호를 충전 제어 회로(54)에 대하여 출력하는 것을 금지한다. 충전 과전류 검출 회로(52)는, 충전 과전류가 검출된 경우, 셀(201)에 충전 전류(I1)가 흐르는 것을 금지하는 충전 금지 신호를 충전 제어 회로(54)에 대하여 출력한다. 충전 제어 회로(54)는, 충전 금지 신호가 출력되었을 때, 트랜지스터(11)를 오프 한다.
충전 전류 제한 회로(63)와 충전 과전류 검출 회로(62)의 직렬 구성, 아날로그 스위치(73) 및 충전 제어 회로(64)도 충전 전류 제한 회로(53) 및 충전 과전류 검출 회로(52)와의 직렬 구성, 아날로그 스위치(71) 및 충전 제어 회로(54)와 동일한 기능을 갖는다. 방전 전류 제한 회로(56)와 방전 과전류 검출 회로(55)와의 직렬 구성, 아날로그 스위치(72) 및 방전 제어 회로(57)도 충전 전류 제한 회로(53) 및 충전 과전류 검출 회로(52)와의 직렬 구성, 아날로그 스위치(71) 및 충전 제어 회로(54)와 동일한 기능을 갖는다. 방전 전류 제한 회로(66)와 방전 과전류 검출 회로(65)와의 직렬 구성, 아날로그 스위치(74) 및 방전 제어 회로(67)도 충전 전류 제한 회로(53) 및 충전 과전류 검출 회로(52)와의 직렬 구성, 아날로그 스위치(71) 및 충전 제어 회로(54)와 동일한 기능을 갖는다. 그 때문에 이들 설명에 대해서는 생략한다.
이상, 전지 보호 회로, 전지 보호 장치 및 전지팩 및 전지 보호 방법을 실시형태예에 의해 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태예에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시형태예의 일부 또는 전부와의 조합이나 치환 등의 여러 변형 및 개량이 본 발명의 범위 내에서 가능하다.
예를 들면, 2차전지(200)에 구성되는 셀의 병렬수가 2개인 경우를 예시했지만, 3개 이상의 경우도 마찬가지로 생각할 수 있다. 또한 트랜지스터(11)와 트랜지스터(12)는 도시된 배치 위치를 서로 치환해도 된다. 또한 트랜지스터(21)와 트랜지스터(22)는 도시된 배치 위치를 서로 치환해도 된다.
또한 충전 제어용 트랜지스터(11, 21) 및 방전 제어용 트랜지스터(12, 22) 및 저항(13, 23)이 부측의 전원 경로(16, 26)에 삽입되어 있는 경우를 예시했다. 그러나, 충전 제어용 트랜지스터(11, 21) 및 방전 제어용 트랜지스터(12, 22) 및 저항(13, 23)이 정측의 전원 경로(8)에 삽입되어도 된다.
또한 2차전지에 구성되는 각 셀은 단수의 셀이어도 되고, 복수의 셀이 직렬 또는 병렬로 접속되어 구성된 셀이어도 된다. 또한 각 셀의 용량은 서로 동일한 값이어도 되고, 상이한 값이어도 된다.
또한 충전 전류를 제한하는 소자 및 방전 전류를 제한하는 소자는 N 채널형의 MOSFET에 한하지 않고, 다른 형태의 소자이어도 된다. 예를 들면, P 채널형의 MOSFET, 바이폴라 트랜지스터, 포토 커플러, 센서 등이어도 된다.
또한 보호 IC(90) 또는 보호 모듈(80)은 전지팩에 내장되지 않는 구성이어도 되고, 2차전지로부터의 전력 공급을 받는 전자 기기 등의 전기 부하에 부착되는 구성이어도 된다.
3 정측 셀 접속 단자
5 정측 부하 접속 단자
6 부측 부하 접속 단자
8 정측 전원 경로
11, 21 충전 제어용 트랜지스터(충전 제어 소자의 예)
12, 22 방전 제어용 트랜지스터(방전 제어 소자의 예)
16, 26 부측 전원 경로
17, 27 부측 셀 접속 단자
30, 40, 50, 60 보호 제어 회로
31, 41, 51, 61 전류 검출 회로
32, 42, 52, 62 충전 과전류 검출 회로
33, 43, 53, 63 충전 전류 제한 회로(충전 전류 제한부의 예)
34, 44, 54, 64 충전 제어 회로(충전 제어부의 예)
35, 45, 55, 65 방전 과전류 검출 회로
36, 46, 56, 66 방전 전류 제한 회로(방전 전류 제한부의 예)
37, 47, 57, 67 방전 제어 회로(방전 제어부의 예)
38, 48, 58, 68 과충전 검출 회로(과충전 검출부의 예)
39, 49, 59, 69 과방전 검출 회로(과방전 검출부의 예)
71, 72, 73, 74 아날로그 스위치
80 보호 모듈
90, 91 보호 IC
100, 101 전지팩
200 2차전지
201, 202 셀

Claims (20)

  1. 셀이 복수 병렬로 접속된 2차전지를 보호하는 전지 보호 회로로서,
    상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀의 과충전을 검출했을 때, 대응하는 셀의 충전을 금지하는 과충전 검출부와,
    상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀의 과방전을 검출했을 때, 대응하는 셀의 방전을 금지하는 과방전 검출부와,
    상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀에 충전 전류가 흐르고 있는 기간에 상기 충전 전류가 소정의 충전 전류값을 초과하는 것을 제한하는 충전 전류 제한부와,
    상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀에 방전 전류가 흐르고 있는 기간에 상기 방전 전류가 소정의 방전 전류값을 초과하는 것을 제한하는 방전 전류 제한부를 구비하는 것을 특징으로 하는 전지 보호 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 충전 전류 제한부는, 상기 충전 전류의 검출값이 상기 소정의 충전 전류값보다도 작은 경우, 상기 충전 전류가 상기 소정의 충전 전류값보다도 낮은 값까지 상승하는 것을 허용하고, 상기 충전 전류의 검출값이 상기 소정의 충전 전류값보다도 큰 경우, 상기 충전 전류의 전류값을 저하시키고,
    상기 방전 전류 제한부는, 상기 방전 전류의 검출값이 상기 소정의 방전 전류값보다도 작은 경우, 상기 방전 전류가 상기 소정의 방전 전류값보다도 낮은 값까지 상승하는 것을 허용하고, 상기 방전 전류의 검출값이 상기 소정의 방전 전류값보다도 큰 경우, 상기 방전 전류의 전류값을 저하시키는 것을 특징으로 하는 전지 보호 회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 충전 전류 제한부는, 상기 충전 전류의 검출값이 상기 소정의 충전 전류값보다도 작은 경우, 상기 충전 전류의 허용 상한값을 올리고,
    상기 방전 전류 제한부는, 상기 방전 전류의 검출값이 상기 소정의 방전 전류값보다도 작은 경우, 상기 방전 전류의 허용 상한값을 올리는 것을 특징으로 하는 전지 보호 회로.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 충전 전류 제한부는, 상기 충전 전류의 허용 상한값을 서서히 올려도, 상기 충전 전류의 검출값이 상기 소정의 충전 전류값보다도 작은 경우, 상기 충전 전류의 허용 상한값의 인상폭을 크게 하고,
    상기 방전 전류 제한부는, 상기 방전 전류의 허용 상한값을 서서히 올려도, 상기 방전 전류의 검출값이 상기 소정의 방전 전류값보다도 작은 경우, 상기 방전 전류의 허용 상한값의 인상폭을 크게 하는 것을 특징으로 하는 전지 보호 회로.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 충전 전류 제한부는, 상기 충전 전류의 검출값이 상기 소정의 충전 전류값보다도 큰 경우, 상기 충전 전류의 허용 상한값을 내리고,
    상기 방전 전류 제한부는, 상기 방전 전류의 검출값이 상기 소정의 방전 전류값보다도 큰 경우, 상기 방전 전류의 허용 상한값을 내리는 것을 특징으로 하는 전지 보호 회로.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 충전 전류 제한부는, 상기 충전 전류의 허용 상한값을 서서히 내려도, 상기 충전 전류의 검출값이 상기 소정의 충전 전류값보다도 큰 경우, 상기 충전 전류의 허용 상한값의 인하폭을 크게 하고,
    상기 방전 전류 제한부는, 상기 방전 전류의 허용 상한값을 서서히 내려도, 상기 방전 전류의 검출값이 상기 소정의 방전 전류값보다도 큰 경우, 상기 방전 전류의 허용 상한값의 인하폭을 크게 하는 것을 특징으로 하는 전지 보호 회로.
  7. 셀이 복수 병렬로 접속된 2차전지를 보호하는 전지 보호 장치로서,
    상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀의 과충전을 검출했을 때, 대응하는 셀의 충전을 금지하는 과충전 검출부와,
    상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀의 과방전을 검출했을 때, 대응하는 셀의 방전을 금지하는 과방전 검출부와,
    상기 2차전지의 셀 각각의 충전 경로에 설치되고, 대응하는 셀의 충전이 상기 과충전 검출부에 의해 금지된 경우, 대응하는 셀의 충전 경로를 차단하는 충전 제어 소자와,
    상기 2차전지의 셀 각각의 방전 경로에 설치되고, 대응하는 셀의 방전이 상기 과방전 검출부에 의해 금지된 경우, 대응하는 셀의 방전 경로를 차단하는 방전 제어 소자와,
    상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀에 충전 전류가 흐르고 있는 충전 기간에 상기 충전 전류가 소정의 충전 전류값을 초과하는 것을 상기 충전 제어 소자에 의해 제한하는 충전 전류 제한부와,
    상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀에 방전 전류가 흐르고 있는 방전 기간에 상기 방전 전류가 소정의 방전 전류값을 초과하는 것을 상기 방전 제어 소자에 의해 제한하는 방전 전류 제한부를 구비하는 것을 특징으로 하는 전지 보호 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 충전 전류 제한부는, 상기 충전 전류의 검출값이 상기 소정의 충전 전류값보다도 작은 경우, 상기 충전 전류가 상기 소정의 충전 전류값보다도 낮은 값까지 상승하는 것을 상기 충전 제어 소자에 의해 허용하고, 상기 충전 전류의 검출값이 상기 소정의 충전 전류값보다도 큰 경우, 상기 충전 전류의 전류값을 상기 충전 제어 소자에 의해 저하시키고,
    상기 방전 전류 제한부는, 상기 방전 전류의 검출값이 상기 소정의 방전 전류값보다도 작은 경우, 상기 방전 전류가 상기 소정의 방전 전류값보다도 낮은 값까지 상승하는 것을 상기 방전 제어 소자에 의해 허용하고, 상기 방전 전류의 검출값이 상기 소정의 방전 전류값보다도 큰 경우, 상기 방전 전류의 전류값을 상기 방전 제어 소자에 의해 저하시키는 것을 특징으로 하는 전지 보호 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 충전 전류 제한부는, 상기 충전 전류의 검출값이 상기 소정의 충전 전류값보다도 작은 경우, 상기 충전 전류의 허용 상한값을 상기 충전 제어 소자에 의해 올리고,
    상기 방전 전류 제한부는, 상기 방전 전류의 검출값이 상기 소정의 방전 전류값보다도 작은 경우, 상기 방전 전류의 허용 상한값을 상기 방전 제어 소자에 의해 올리는 것을 특징으로 하는 전지 보호 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 충전 전류 제한부는, 상기 충전 전류의 허용 상한값을 상기 충전 제어 소자에 의해 서서히 올려도, 상기 충전 전류의 검출값이 상기 소정의 충전 전류값보다도 작은 경우, 상기 충전 전류의 허용 상한값의 인상폭을 상기 충전 제어 소자에 의해 크게 하고,
    상기 방전 전류 제한부는, 상기 방전 전류의 허용 상한값을 상기 방전 제어 소자에 의해 서서히 올려도, 상기 방전 전류의 검출값이 상기 소정의 방전 전류값보다도 작은 경우, 상기 방전 전류의 허용 상한값의 인상폭을 상기 방전 제어 소자에 의해 크게 하는 것을 특징으로 하는 전지 보호 장치.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 충전 전류 제한부는, 상기 충전 전류의 검출값이 상기 소정의 충전 전류값보다도 큰 경우, 상기 충전 전류의 허용 상한값을 상기 충전 제어 소자에 의해 내리고,
    상기 방전 전류 제한부는, 상기 방전 전류의 검출값이 상기 소정의 방전 전류값보다도 큰 경우, 상기 방전 전류의 허용 상한값을 상기 방전 제어 소자에 의해 내리는 것을 특징으로 하는 전지 보호 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 충전 전류 제한부는, 상기 충전 전류의 허용 상한값을 상기 충전 제어 소자에 의해 서서히 내려도, 상기 충전 전류의 검출값이 상기 소정의 충전 전류값보다도 큰 경우, 상기 충전 전류의 허용 상한값의 인하폭을 상기 충전 제어 소자에 의해 크게 하고,
    상기 방전 전류 제한부는, 상기 방전 전류의 허용 상한값을 상기 방전 제어 소자에 의해 서서히 내려도, 상기 방전 전류의 검출값이 상기 소정의 방전 전류값보다도 큰 경우, 상기 방전 전류의 허용 상한값의 인하폭을 상기 방전 제어 소자에 의해 크게 하는 것을 특징으로 하는 전지 보호 장치.
  13. 제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 충전 제어 소자는 상기 충전 전류를 제어하는 충전 제어 트랜지스터이고
    상기 방전 제어 소자는 상기 방전 전류를 제어하는 방전 제어 트랜지스터이고,
    상기 충전 전류 제한부는 상기 충전 제어 트랜지스터의 제어 전압을 제어함으로써 상기 충전 전류의 허용 상한값을 변경하고,
    상기 방전 전류 제한부는 상기 방전 제어 트랜지스터의 제어 전압을 제어함으로써 상기 방전 전류의 허용 상한값을 변경하는 것을 특징으로 하는 전지 보호 장치.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 충전 제어 소자는 상기 충전 전류를 제어하는 충전 제어 트랜지스터이고,
    상기 방전 제어 소자는 상기 방전 전류를 제어하는 방전 제어 트랜지스터이고,
    상기 충전 전류 제한부는 상기 충전 제어 트랜지스터의 제어 전압을 상기 충전 제어 트랜지스터의 온 임계값보다도 소정값 이상 크게 함으로써, 상기 충전 전류의 허용 상한값의 인상폭을 크게 하고,
    상기 방전 전류 제한부는 상기 방전 제어 트랜지스터의 제어 전압을 상기 방전 제어 트랜지스터의 온 임계값보다도 소정값 이상 크게 함으로써, 상기 방전 전류의 허용 상한값의 인상폭을 크게 하는 것을 특징으로 하는 전지 보호 장치.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 충전 제어 소자는 상기 충전 전류를 제어하는 충전 제어 트랜지스터이고,
    상기 방전 제어 소자는 상기 방전 전류를 제어하는 방전 제어 트랜지스터고,
    상기 충전 전류 제한부는 상기 충전 제어 트랜지스터의 제어 전압을 상기 충전 제어 트랜지스터의 온 임계값보다도 소정값 이상 작게 함으로써, 상기 충전 전류의 허용 상한값의 인하폭을 크게 하고,
    상기 방전 전류 제한부는 상기 방전 제어 트랜지스터의 제어 전압을 상기 방전 제어 트랜지스터의 온 임계값보다도 소정값 이상 작게 함으로써, 상기 방전 전류의 허용 상한값의 인하폭을 크게 하는 것을 특징으로 하는 전지 보호 장치.
  16. 제 7 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 기재된 전지 보호 장치와 상기 2차전지를 구비하는 전지팩.
  17. 셀이 복수 병렬로 접속된 2차전지를 보호하는 전지 보호 방법으로서,
    과충전이 검출된 셀의 충전을 금지하는 것을 상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 행하는 과충전 검출 공정과,
    과방전이 검출된 셀의 방전을 금지하는 것을 상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 행하는 과방전 검출 공정과,
    셀에 충전 전류가 흐르고 있는 기간에 상기 충전 전류가 소정의 충전 전류값을 초과하는 것을 제한하는 제어를 상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 행하는 충전 전류 제한 공정과,
    셀에 방전 전류가 흐르고 있는 기간에 상기 방전 전류가 소정의 방전 전류값을 초과하는 것을 제한하는 제어를 상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 행하는 방전 전류 제한 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 전지 보호 방법.
  18. 셀이 복수 병렬로 접속된 2차전지를 보호하는 전지 보호 장치로서,
    상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀에 충전 전류가 흐르고 있는 기간에 상기 충전 전류가 소정의 충전 전류값을 초과하는 것을 제한하는 충전 전류 제한부와,
    상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀의 충전 과전류가 검출된 경우, 대응하는 셀의 충전을 금지하는 충전 과전류 검출부와,
    상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀에 방전 전류가 흐르고 있는 기간에 상기 방전 전류가 소정의 방전 전류값을 초과하는 것을 제한하는 방전 전류 제한부와,
    상기 2차전지의 셀 각각에 대하여 설치되고, 대응하는 셀의 방전 과전류가 검출된 경우, 대응하는 셀의 방전을 금지하는 방전 과전류 검출부와,
    상기 2차전지의 셀 각각의 사이에서의 동극 간의 전위차에 따라, 상기 충전 전류 제한부에 의해 전류 제한할 것인지 상기 충전 과전류 검출부에 의해 전류 정지할 것인지 전환하는 충전 제어부와,
    상기 2차전지의 셀 각각의 사이에서의 동극 간의 전위차에 따라, 상기 방전 전류 제한부에 의해 전류 제한할 것인지 상기 방전 과전류 검출부에 의해 전류 정지할 것인지 전환하는 방전 제어부를 구비하는 전지 보호 회로.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 충전 전류 제한부와 상기 충전 과전류 검출부가 병렬로 접속되고,
    상기 방전 전류 제한부와 상기 방전 과전류 검출부가 병렬로 된 것을 특징으로 하는 전지 보호 회로.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 충전 전류 제한부와 상기 충전 과전류 검출부가 직렬로 접속되고,
    상기 방전 전류 제한부와 상기 방전 과전류 검출부가 직렬로 된 것을 특징으로 하는 전지 보호 회로.

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180016299A (ko) * 2016-08-04 2018-02-14 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤 충방전 제어 회로 및 이것을 구비한 배터리 장치
KR20180047178A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 주식회사 엘지화학 Csr 지원 ic 소자 공용화를 위한 배터리 보호회로
CN111384746A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 株式会社牧田 蓄电池***

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060088394A (ko) * 2005-02-01 2006-08-04 엘지전자 주식회사 이동통신단말기의 배터리 충전전류 자가보상장치 및 이를이용한 보상방법
JP2006345660A (ja) 2005-06-09 2006-12-21 Sony Corp 電源装置
JP2013059212A (ja) * 2011-09-08 2013-03-28 Mitsumi Electric Co Ltd 電池保護回路及び電池保護装置、並びに電池パック

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060088394A (ko) * 2005-02-01 2006-08-04 엘지전자 주식회사 이동통신단말기의 배터리 충전전류 자가보상장치 및 이를이용한 보상방법
JP2006345660A (ja) 2005-06-09 2006-12-21 Sony Corp 電源装置
JP2013059212A (ja) * 2011-09-08 2013-03-28 Mitsumi Electric Co Ltd 電池保護回路及び電池保護装置、並びに電池パック

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180016299A (ko) * 2016-08-04 2018-02-14 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤 충방전 제어 회로 및 이것을 구비한 배터리 장치
KR20180047178A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 주식회사 엘지화학 Csr 지원 ic 소자 공용화를 위한 배터리 보호회로
CN111384746A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 株式会社牧田 蓄电池***

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