KR20160032409A - 고온 열처리를 통한 고전도성 페이스트 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 고전도성 페이스트 조성물 - Google Patents

고온 열처리를 통한 고전도성 페이스트 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 고전도성 페이스트 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고온 열처리를 통한 고전도성 페이스트 제조방법에 관한 것으로, 나노탄소(nano-sized carbon) 기반의 전도성 충진제를 진공 상태에서 1,500℃ 내지 1,750℃의 온도로 열처리하는 A단계; 상기 열처리된 나노탄소 기반의 전도성 충진제, 바인더 및 용매제를 혼합하는 B단계; 상기 B단계에서 혼합된 조성물에 초음파 처리를 실행하는 C단계; 상기 초음파 처리된 조성물을 분산용 임펠러(impeller)를 통해 교반하는 D단계; 및 상기 D단계에서 교반된 조성물을 3롤밀(3 Roll mill)을 통해 밀링하는 E단계;를 포함한다.
여기서, 본 발명에 의하면 나노탄소(nano-sized carbon) 기반의 전도성 충진제를 진공상태에서 고온 열처리하는 단계를 통해 충진제로 사용되는 탄소구조체의 손상정도를 회복시킴으로써, 낮은 저항 및 높은 전기전도성의 특성을 가지는 고전도성 페이스트를 제조할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 고온 열처리를 통해 높은 결정성을 가지는 나노탄소(nano-sized carbon) 기반의 전도성 충진제를 이용함으로써, 금속물질의 이용 및 고함량의 충진제의 이용 없이도 낮은 저항을 형성하는 고전도성 페이스트를 제조할 수 있다.

Description

고온 열처리를 통한 고전도성 페이스트 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 고전도성 페이스트 조성물 {High conductive Paste composition and producing Method thereof using high temperature heat treatment}
본 발명은 고온 열처리를 통한 고전도성 페이스트 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 고전도성 페이스트에 관한 것이다.
다양한 형태 및 구조로 형성되는 탄소동소체에 대한 연구가 진행됨에 따라, 다이아몬드, 흑연, 플러렌, 탄소나노튜브 등의 탄소동소체가 발견되었으며 이러한 탄소동소체들은 우수한 주형성과 더불어 촉매, 열전달, 에너지 저장, 전기화학반응, 전자기반응 등의 화학적, 물리적 성질을 가짐으로써 여러 가지의 응용분야에서 이용되고 있다.
특히, 탄소나노튜브의 우수한 전기전도성 및 열전도성은 나노복합재료를 통한 나노복합체 형태로 마련되는 기능성 재료에 응용되어, 탄소나노튜브의 화학적, 물리적 특성을 포함하는 에너지 저장용 소재 및 전계방출용 소재, 고기능성 복합체 등으로 마련되는 고분자 수지를 만들어 낸다.
여기서, 고기능성 복합체의 다양한 종류들 중 전기전도성 및 열전도성을 가지는 고기능성 복합체의 경우, 전기전도성 및 열전도성을 가지는 탄소나노튜브, 카본블랙, 카본파이버 등이 전도성 충진제로 고분자에 분산되어 전기적 경로를 형성함으로써, 고분자의 일반적 특성에 전기전도 및 열전도의 특성을 부가한다.
이러한 탄소동소체를 이용한 기능성 고분자 생성에 관련된 종래기술의 선행문헌에는 대한민국 등록특허공보 제10-1294596호의 "탄소나노튜브를 포함하는 면상 발열체 페이스트 조성물 및 제조방법"(이하, '종래기술'이라고 함)이 있다.
이러한 종래기술의 경우, 탄소나노튜브를 포함하는 발열체 페이스트를 제조하여 기판에 도포 및 건조함으로써 면상 발열체를 만들어낼 수 있다.
하지만 종래기술은 탄소나노튜브와 함께 금속물질을 포함하는 발열체 페이스를 제조하여 도포된 기판 내에서 시간이 지남에 따라 산화과정이 계속하여 발생함으로써 발생하는 저항이 변화하고, 전기전도성 및 열전도성이 낮아지는 문제점이 있었다.
또한, 종래기술은 페이스트 제조에 마련되는 탄소동소체의 손상 정도에 따라 구조적 결정성이 달라짐으로써, 일정하고 높은 전기전도성 및 열전도성의 유지가 어렵다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로써, 본 발명의 목적은 탄소동소체의 손상정도와 무관하게 탄소가 형성하고 있는 결합 구조의 결정성을 향상시킨 고전도성 페이스트를 제조할 수 있는 기술을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 고온 열처리를 통한 고전도성 페이스트 제조방법은, 나노탄소(nano-sized carbon) 기반의 전도성 충진제를 진공 상태에서 1,500℃ 내지 1,750℃의 온도로 열처리하는 A단계; 상기 열처리된 나노탄소 기반의 전도성 충진제, 바인더 및 용매제를 혼합하는 B단계; 상기 B단계에서 혼합된 조성물에 초음파 처리를 실행하는 C단계; 상기 초음파 처리된 조성물을 분산용 임펠러(impeller)를 통해 교반하는 D단계; 및 상기 D단계에서 교반된 조성물을 3롤밀(3 Roll mill)을 통해 밀링하는 E단계;를 포함한다.
여기서, 상기 B단계에서 혼합되는 조성물은, 상기 열처리된 나노탄소 기반의 전도성 충진제 1 내지 10 중량부; 상기 바인더 1 내지 40 중량부; 및 상기 용매제 1 내지 40 중량부;를 포함한다.
또한, 상기 나노탄소 기반의 전도성 충진제는 단일벽 탄소나노튜브(Single wall Carbon nanotube), 이중벽 탄소나노튜브(Double wall Carbon nanotube), 다중벽 탄소나노튜브(Multi wall Carbon nanotube), 그라파이트(Graphite), 풀러렌(Fullerene), 카본 블랙(Carbon Black), 탄소섬유(Carbon fiber) 중에서 적어도 하나로 마련된다.
또한, 상기 바인더는 폴리에스테르계로 이루어진 고분자 물질로 마련된다.
아울러, 용매제는 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트(Diethylene glycol monoethyl ether Acetate), 다이클로로에테인(Dichloroethene), 톨루엔(Toluene), N, N-디메틸포름아미드(N, N-dimethylformamide), N-메틸피롤리돈(N- Methylpyrrolidone) 중에서 하나로 마련된다.
그리고, 상기 D단계에서 상기 분산용 임펠라는 500RPM 내지 600RPM의 속도로 30분 내지 60분 동안 교반하여 상기 조성물을 균일하게 혼합시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 태양으로 고전도성 페이스트 조성물은, 나노탄소(nano-sized carbon) 기반의 전도성 충진제 1 내지 10 중량부; 바인더 1 내지 40 중량부; 및 용매제 1 내지 40 중량부;를 포함하며, 상기 나노탄소 기반의 전도성 충진제는 진공 상태에서 1500℃ 내지 1750℃의 온도로 열처리되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 나노탄소 기반의 전도성 충진제는 단일벽 탄소나노튜브(Single wall Carbon nanotube), 이중벽 탄소나노튜브(Double wall Carbon nanotube), 다중벽 탄소나노튜브(Multi wall Carbon nanotube), 그라파이트(Graphite), 풀러렌(Fullerene), 카본 블랙(Carbon Black), 탄소섬유(Carbon fiber) 중에서 적어도 하나로 마련된다.
또한, 상기 바인더는 폴리에스테르계로 이루어진 고분자 물질로 마련된다.
아울러, 상기 용매제는 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트(Diethylene glycol monoethyl ether Acetate), 다이클로로에테인(Dichloroethene), 톨루엔(Toluene), N, N-디메틸포름아미드(N, N-dimethylformamide), N-메틸피롤리돈(N- Methylpyrrolidone) 중에서 하나로 마련된다.
본 발명에 의해, 나노탄소(nano-sized carbon) 기반의 전도성 충진제를 진공상태에서 고온 열처리하는 단계를 통해 충진제로 사용되는 탄소구조체의 손상정도를 회복시킴으로써, 낮은 저항 및 높은 전기전도성의 특성을 가지는 고전도성 페이스트를 제조할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 고온 열처리를 통해 높은 결정성을 가지는 나노탄소(nano-sized carbon) 기반의 전도성 충진제를 이용함으로써, 금속물질의 이용 및 고함량의 충진제의 이용 없이도 낮은 저항을 형성하는 고전도성 페이스트를 제조할 수 있다.
도1은 본 발명에 따른 고온 열처리를 통한 고전도성 페이스트 제조방법을 도시한 흐름도이다.
도2 및 도3은 본 발명의 실시예에 따른 라만 스펙트럼(Raman spectrum) 결과를 나타낸 그래프이다.
도4는 본 발명의 실시예에 따른 면저항성 실험 결과를 나타낸 그래프이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명하되, 이미 주지된 기술적 부분에 대해서는 설명의 간결함을 위해 생략하거나 압축하기로 한다.
<고온 열처리를 통한 고전도성 페이스트 제조방법에 관한 설명>
본 발명의 고온 열처리를 통한 고전도성 페이스트 제조방법이 어떠한 과정으로 이루어지는지에 대해 이하에서 도1의 흐름도 및 도2 내지 도4의 실험결과를 참조하여 상세하게 설명한다.
1.고온 열처리 단계<S100>
본 단계에서는 실험자가 고전도성 페이스트의 제조에 사용될 나노탄소(nano-sized carbon) 기반의 전도성 충진제를 진공상태에서 고온 열처리한다. 이 과정에서 열처리 온도는 1,500℃ 내지 1,750℃로 설정되며, 열처리 시간은 2시간 내지 4시간동안으로 설정된다.
여기서, 나노탄소 기반의 전도성 충진제는 단일벽 탄소나노튜브(Single wall Carbon nanotube), 이중벽 탄소나노튜브(Double wall Carbon nanotube), 다중벽 탄소나노튜브(Multi wall Carbon nanotube), 그라파이트(Graphite), 풀러렌(Fullerene), 카본 블랙(Carbon Black), 탄소섬유(Carbon fiber) 중에서 적어도 하나로 마련된다.
또한, 고온 열처리 단계(S100)는 진공상태에서 고온 열처리과정을 수행함으로써 열적 안전성을 높여 나노탄소(nano-sized carbon) 기반의 전도성 충진제의 열처리로 인한 탄소구조 손상을 방지하고, 1,500℃이상의 고온에서 노출시킴으로써 나노탄소(nano-sized carbon) 기반의 전도성 충진제에 포함되어 있던 비탄소계열의 분자를 열분해를 통해 제거하고, 비정질탄소를 산화시켜 무정형 구조의 탄소가 감소하도록 한다.
이를 통해, 진공상태에서 고온 열처리된 나노탄소(nano-sized carbon) 기반의 전도성 충진제는 탄소구조의 결정성 및 배향성이 향상되고, 결과적으로 매우 낮은 전기저항성 및 매우 높은 전기전도성을 가지게 된다. 이는 곧 탄소 구조간의 간격이 좁아지게 하여 전하의 이동 밀도 및 운동성을 증가시키게 된다.
즉, 전도성 페이스트의 조성물에 사용되는 나노탄소(nano-sized carbon) 기반의 전도성 충진제의 손상정도와 무관하게 고온 열처리 단계(S100)을 통해 탄소의 경정질 분자구조를 증가시켜 손상을 복구시킬 수 있다.
도2 및 도3은 나노탄소(nano-sized carbon) 기반의 전도성 충진제로 사용되는 탄소나노튜브의 라만 스펙트럼(Raman spectrum) 결과를 나타낸 그래프로서, 탄소나노튜브의 화학적, 물리적 구조의 안정성 및 순도를 판단하는 기준이 된다.
여기서, 라만 스펙트럼은 탄소구조체의 기계적, 광학적 성질 및 전자행동을 결정하는 구조의 모양 및 크기의 순도를 확인하는데 널리 사용되는 방법으로, 도2 및 도3에 표현된 그래프는 x축이 파장의 역수를 나타내는 파수(단위: nm)를, y축이 강도(Intensity)를 나타내는 임계값(Arbitrary unit)을 타나낸다.
도2에 도시된 바와 같이, 1300nm 파장 부근에서 형성되는 피크를 D-band라 하고, 1550nm 파장 부근에서 형성되는 피크를 G-band라 하며, D-band 높이의 정도는 물질의 손상성을 나타내고 G-band 높이의 정도는 결정성을 나타낸다.
즉, D-band는 구조 구성물 외의 불순물이나 구조적 결함에 의해 나타나는 피크로, 낮을수록 순도가 높고 손상의 정도가 적다는 것을 나타낸다.
표1은 본 발명의 일실시예에 따른 라만 스펙트럼(Raman spectrum) 결과를 나타낸 것이다.
구분 열처리 전 1500℃로 열처리
D-band 1.11 0.95
G-band 1 1
D/G ratio 1 0.95
여기서, 도2의 결과 그래프 및 표1에 확인할 수 있듯이, 고온 열처리를 한 탄소나노튜브의 결정성을 확인을 위해 D/G의 비율을 비교해보면 고온 열처리를 단계(S100)를 통해 탄소 구조의 손상을 줄어들어 결정성이 높아지고 있음을 확인할 수 있다.
이와 관련하여, 도3에는 열처리 온도를 달리함에 따라 탄소나노튜브의 라만 스펙트럼(Raman spectrum) 결과가 어떻게 달라지는지를 나타낸 그래프로서, 고온 열처리의 온도 조건이 높아질수록 D-band의 감소를 확인할 수 있다.
그럼에도 불구하고, 고온 열처리를 단계(S100)의 온도조건을 1,500℃ 내지 1,750℃로 설정하여 수행하는 이유는 높은 고온을 오랜 시간 처리하여 열처리조건을 유지하기 위해 사용되는 비용과 관련하여 고전도성 페이스트 제작 시 들어가는 비용 대비 최적의 전기전도성을 구현하기 위한 온도로 판단되기 때문이다.
2.조성물 혼합 단계<S200>
본 단계에서는 고온 열처리 단계(S100)를 통해 열처리된 나노탄소 기반의 전도성 충진제, 바인더 및 용매제를 혼합하는 과정이 이루어진다.
여기서, 혼합되는 조성물의 조성비는, 열처리된 나노탄소 기반의 전도성 충진제 1 내지 10 중량부, 바인더 1 내지 40 중량부, 및 용매제 1 내지 40 중량부의 비율로 마련된다.
또한, 고전도성 페이스트의 실질적 특성을 가지는 나노탄소 기반의 전도성 충진제에 분산을 용이하게 하고, 제조 후 페이스트가 도포될 물질에 안정적으로 위치하여 막을 형성하도록 부착력을 제공하기 위해 혼합되는 바인더는 폴리에스테르계로 이루어진 고분자 물질로 마련될 수 있지만 이에 제한되지는 않는다.
아울러, 용매제는 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트(Diethylene glycol monoethyl ether Acetate), 다이클로로에테인(Dichloroethene), 톨루엔(Toluene), N, N-디메틸포름아미드(N, N-dimethylformamide), N-메틸피롤리돈(N- Methylpyrrolidone) 중에서 하나로 마련될 수 있지만, 분산용매로서 기능하며 바인더를 녹일 수 있는 것이라면 제한되지 않고 선택될 수 있다.
3.초음파 처리 단계<S300>
본 단계에서는 조성물 혼합 단계(S200)를 통해 혼합된 조성물에 초음파 처리를 실행하는 과정이 이루어진다. 이 과정은 혼합된 조성물 내 나노탄소 기반의 전도성 충진제의 분산을 더욱 활성화시키기 위해 이루어지며, 초음파는 40Hz의 주파수에서 350W의 최대출력으로 4시간동안 처리되어진다.
4.교반 단계<S400>
본 단계에서는 초음파 처리 단계(S300)를 통해 초음파 처리된 조성물을 분상용 임펠러(impeller)를 통해 500RPM 내지 600RPM의 속도로 30분 내지 60분 동안 교반하는 과정이 이루어진다. 여기서 교반 속도를 500RPM 내지 600RPM으로, 교반 시간을 30분 내지 60분으로 설정하여 분산이 부족하여 나노탄소 기반의 전도성 충진제의 구성 탄소구조체가 서로 응집되어 얽히거나, 분산이 과하여 나노탄소 기반의 전도성 충진제의 탄소구조에 손상이 발생하여 전기적 특성이 줄어들지 않도록 해야 한다.
이 과정은 각 조성물들이 복수개의 날개가 자전공정하는 분산용 임펠러를 통해 균일하게 혼합되도록 하며, 제조하고자 하는 고전도용 페이스트의 점도 및 조성물의 종류에 따라 적합한 엠펠러 형태를 선정해서 이루어져야할 것이다.
5.밀링 단계<S500>
본 단계에서는 교반 단계(S400)를 통해 균일하게 혼합된 조성물을 3롤밀(3 Roll Mill)을 통해 밀링하는 과정이 이루어진다. 여기서, 밀링에 이용되는 롤의 압력 및 롤간의 회전비율에 따라 분산정도가 결정된다.
고전도성 페이스트의 조성물 중 나노탄소 기반의 전도성 충진제는 탄소를 기본단위로 하는 구조체로서, 이러한 구조체들은 강한 반데르발스 힘에 의해 상호 작용하여 쉽게 응집되는 현상을 보인다.
이렇게 응집되어 있는 나노탄소 기반의 전도성 충진제는 고전도성 페이스트가 도포된 물체 내에서 기계적, 전기적, 열적 물성을 나타내기 위한 충진제로서의 기능을 기대할 수 없으므로 응집되어있는 탄소구조체들을 분산시키기 위해 상기 초음파 처리단계(S300), 교반 단계(S400) 및 밀링 단계(S500)가 이루어진다.
이와 같은 과정을 통해, 제조된 고전도성 페이스트는 적은 함량의 나노탄소 기반의 전도성 충진제만으로도 충분히 고전도성의 특성을 나타낼 수 있으며, 금속물질이 포함되지 않아 고전도성 페이스트의 도포 후 발생하는 산화를 근본적으로 방지하고, 고온 열처리 단계(S100)를 통해 결정성을 회복 및 향상시킴으로써, 나노탄소 기반의 전도성 충진제의 탄소구조 손상에 무관하게 고전도성 페이스트의 제조가 가능하게 된다.
일반적으로 전도성 페이스트는 면상발열체 형성에 이용되고, 이러한 면상발열체의 면저항 범위를 측정하여 면상발열체의 온도상승 유도를 위한 전기적 환경을 비교할 수 있으며, 이러한 전기적 환경은 결과적으로 사용된 전도성 페이스트의 전기저항성 및 전기전도성을 판단할 수 있는 기준이 된다.
도4 및 표2는 본 발명의 고전도성 페이스트를 이용하여 제조된 면상발열체의 면저항성 실험 결과를 나타낸 그래프로서, 나노탄소(nano-sized carbon) 기반의 전도성 충진제로 사용되는 탄소나노튜브를 이용하여 제조한 고전도성 페이스트가 도포된 면상발열체의 면저항성을 확인 할 수 있다.
처리온도(℃) 면저항(ohm/sq) 오차율
0 28.18 5.0086
1,500 24.37 0.7148
1,750 22.3 0.71
2,000 21.5 0.75
2,500 21.2 0.7
2,800 21 0.4
도4 및 표2에 도시된 바와 같이 열처리가 되지 않은 탄소나노튜를 이용하여 제조된 종래의 페이스트에 비해 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고전도성 페이스트의 경우, 면상발열체에 도포되어 측정된 면저항이 22.3ohm/sq까지 감소하는 것을 확인할 수 있다.
또한, 도4 및 표2에 도시된 바와 같이 열처리 온도가 높아짐에 따라 면저항 및 면저항의 오차율이 급격하게 감소하고 있음을 확인할 수 있는데, 열처리 온도가 1,750℃를 지남에 따라 점점 면저항의 감소율이 줄어들기 시작하여 2,000℃ 이상이 되면 거의 면저항의 변화가 보이지 않는다는 것을 알 수 있다.
즉, 나노탄소 기반의 전도성 충진제의 고온 열처리 단계(S100)의 온도 조건이 1,750이상에서 적용되는 경우는 나노탄소 구조의 재결정화, 비탄소계열 분자의 열분해 및 비정질탄소의 산화 등을 통한 고전도성을 가지는 특성의 향상 대비 고온의 조건 구현을 위한 비용 및 시간이 상당히 비효율적이다.
또한 1,500℃ 이하에서 고온 열처리 단계(S100)를 적용하는 경우는 금속물질의 첨가 없이 1 내지 10 중량부의 나노탄소 기반의 전도성 충진제만으로도 충분한 고전도성의 특성을 구현하기 위한 나노탄소 구조의 재결정화, 비탄소계열 분자의 열분해 및 비정질탄소의 산화 등이 충분히 이루어지지 않는다.
종래의 경우, 제조된 고전도성 페이스트의 전기적 저항을 낮추고 전기전도성을 높이기 위해 탄소나노튜브와 같은 나노탄소 기반의 전도성 충진제의 함량을 매우 높여서 혼합하거나 조성물에 금속물질을 첨가하여 전도성 페이스트를 제조하였다.
이 경우, 고함량의 탄소나노튜브는 페이스트 내부의 비정질탄소에 의한 저항성이 크게 증가하고 제조된 페이스트 자체의 점성을 변화시켜 점도가 낮아지는 결과를 나을 수 있다. 또한 금속물질의 첨가는 금속의 산화로 인한 저항성의 변화 등의 다양한 문제점을 유발시킬 수 있다.
하지만 본 발명의 경우, 금속물질의 첨가를 배제하여 전도성 페이스트가 특정 물질에 도포된 후에도 금속 산화에 의한 저항 변화가 발생하지 않도록 하며, 나노탄소 기반의 전도성 충진제를 고온 열처리하여 탄소 결정성을 높임으로써, 1 내지 10 중량부의 함량만으로도 낮은 전기적 저항을 가질 수 있어 고전도성 페이스트 제조 시 사용되는 충진제의 비용적 효율을 높일 수 있을 뿐만 아니라 상기 기재된 종래의 문제점들을 모두 해결할 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 고전도성 페이스트를 이용하여 제조된 면상발열체는 24V의 저전압 환경에서 발열을 구현할 수 있도록 형성된다. 종래의 페이스트로 제조된 면상발열체들은 10ohm(면저항 30ohm/sq)의 저항을 형성함으로써, 1A 미만의 전류를 통한 승온 시간이 10분 이상 소요되었다. 하지만 본 발명의 고전도성 페이스트를 이용하여 제조된 면상발열체는 4ohm(면저항 25ohm/sq)의 저항을 형성함으로써, 1.5A 이상의 전류를 통해 다양한 승온 속도를 나타낼 수 있다.
본 발명에 개시된 실시예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의해서 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 보호범위는 아래 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 나노탄소(nano-sized carbon) 기반의 전도성 충진제를 진공 상태에서 1,500℃ 내지 1,750℃의 온도로 열처리하는 A단계;
    상기 열처리된 나노탄소 기반의 전도성 충진제, 바인더 및 용매제를 혼합하는 B단계;
    상기 B단계에서 혼합된 조성물에 초음파 처리를 실행하는 C단계;
    상기 초음파 처리된 조성물을 분산용 임펠러(impeller)를 통해 교반하는 D단계; 및
    상기 D단계에서 교반된 조성물을 3롤밀(3 Roll mill)을 통해 밀링하는 E단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는
    고온 열처리를 통한 고전도성 페이스트 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 B단계에서 혼합되는 조성물은,
    상기 열처리된 나노탄소 기반의 전도성 충진제 1 내지 10 중량부;
    상기 바인더 1 내지 40 중량부; 및
    상기 용매제 1 내지 40 중량부;를 포함하는 것을 특징으로 하는
    고온 열처리를 통한 고전도성 페이스트 제조방법.
  3. 제2항에 있어서.
    상기 나노탄소 기반의 전도성 충진제는 단일벽 탄소나노튜브(Single wall Carbon nanotube), 이중벽 탄소나노튜브(Double wall Carbon nanotube), 다중벽 탄소나노튜브(Multi wall Carbon nanotube), 그라파이트(Graphite), 풀러렌(Fullerene), 카본 블랙(Carbon Black), 탄소섬유(Carbon fiber) 중에서 적어도 하나로 마련되는 것을 특징으로 하는
    고온 열처리를 통한 고전도성 페이스트 제조방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 바인더는 폴리에스테르계로 이루어진 고분자 물질로 마련되는 것을 특징으로 하는
    고온 열처리를 통한 고전도성 페이스트 제조방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 용매제는 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트(Diethylene glycol monoethyl ether Acetate), 다이클로로에테인(Dichloroethene), 톨루엔(Toluene), N, N-디메틸포름아미드(N, N-dimethylformamide), N-메틸피롤리돈(N- Methylpyrrolidone) 중에서 하나로 마련되는 것을 특징으로 하는
    고온 열처리를 통한 고전도성 페이스트 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 D단계에서 상기 분산용 임펠라는 500RPM 내지 600RPM의 속도로 30분 내지 60분 동안 교반하여 상기 조성물을 균일하게 혼합시키는 것을 특징으로 하는
    고온 열처리를 통한 고전도성 페이스트 제조방법.
  7. 나노탄소(nano-sized carbon) 기반의 전도성 충진제 1 내지 10 중량부;
    바인더 1 내지 40 중량부; 및
    용매제 1 내지 40 중량부;를 포함하며,
    상기 나노탄소 기반의 전도성 충진제는 진공 상태에서 1,500℃ 내지 1,750℃의 온도로 열처리되는 것을 특징으로 하는
    고전도성 페이스트 조성물.
  8. 제7항에 있어서.
    상기 나노탄소 기반의 전도성 충진제는 단일벽 탄소나노튜브(Single wall Carbon nanotube), 이중벽 탄소나노튜브(Double wall Carbon nanotube), 다중벽 탄소나노튜브(Multi wall Carbon nanotube), 그라파이트(Graphite), 풀러렌(Fullerene), 카본 블랙(Carbon Black), 탄소섬유(Carbon fiber) 중에서 적어도 하나로 마련되는 것을 특징으로 하는
    고전도성 페이스트 조성물.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 바인더는 폴리에스테르계로 이루어진 고분자 물질로 마련되는 것을 특징으로 하는
    고전도성 페이스트 조성물.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 용매제는 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트(Diethylene glycol monoethyl ether Acetate), 다이클로로에테인(Dichloroethene), 톨루엔(Toluene), N, N-디메틸포름아미드(N, N-dimethylformamide), N-메틸피롤리돈(N- Methylpyrrolidone) 중에서 하나로 마련되는 것을 특징으로 하는 고전도성 페이스트 조성물.
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