KR20160032327A - 원장 검사 방법 및 이를 이용한 원장 검사 장치 - Google Patents

원장 검사 방법 및 이를 이용한 원장 검사 장치 Download PDF

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Abstract

실시 예에 따른 제1 커패시터, 제1 스위칭 트랜지스터, 제1 구동 트랜지스터를 포함하는 제1 화소 및 제2 커패시터, 제2 스위칭 트랜지스터, 제2 구동 트랜지스터를 포함하는 제2 화소로 형성된 원장을 검사하는 원장 검사 방법은, 단수 검사프레임 동안 상기 제1 화소 및 제2 화소를 순차적으로 검사하는 단수 검사 단계, 복수 검사프레임 동안 상기 제1 화소 및 제2 화소를 순차적으로 검사하는 복수 검사 단계를 포함하고, 상기 단수 검사 단계 및 상기 복수 검사 단계는, 상기 제1 커패시터 및 상기 제2 커패시터에 제1 전원전압을 인가하는 단계; 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 입력단에 제1 테스트 전압을 인가하는 단계; 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 상기 입력단 전압을 측정하는 제1 측정 단계; 상기 제2 스위칭 트랜지스터의 입력단에 제2 테스트 전압을 인가하는 단계; 및 상기 제2스위칭 트랜지스터 상기 입력단 전압을 측정하는 제2 측정 단계를 포함하고, 상기 제1 전원 전압의 레벨은 상기 단수검사 단계와 상기 복수검사 단계에서 다르고, 상기 단수검사 단계와 상기 복수검사 단계가 이어서 실시된다.

Description

원장 검사 방법 및 이를 이용한 원장 검사 장치{TEST METHOD FOR ONE SHEET AND ONE SHEET TEST APPARUTUS USING THE SAME}
원장 검사 방법 및 이를 이용한 원장 검사 장치에 관한 기술에 관한 것이다.
일반적으로, 다수의 유기 발광표시장치(Organic Light Emitting Display)의 패널들은 하나의 기판(이하, 원장 기판) 상에서 형성된 후 스크라이빙(scribing)되어 개개의 패널들로 분리된다. 이러한 패널들은 원장기판에서 절단, 분리되기 전에, 원장기판 상태에서 패널 단위의 점등이나 패널 단위의 검사공정 또는 에이징(aging) 공정 등을 진행한다. 위와 같은 공정에서 각각의 패널을 구동시키기 위하여 원장기판의 측면에서 공통배선을 사용하여 원장기판으로 신호를 공급한다.
그런데, 종래 초기화 배선이 존재하는 경우 초기 커패시터 값을 일정하게 유지한 상태에서 원장 검사가 가능했지만, 픽셀 크기가 작아지는 등의 이유로 초기화 배선 공간이 없어서 회로 공정이 끝난 후 후단에 초기화 배선을 구성해야 하는 경우 초기화 배선을 이용한 원장 검사가 불가능 하다는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 초기화 배선이 없는 원장 패널 상태의 화소를 검사하는 기술을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 본 발명의 기재로부터 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
제1 커패시터, 제1 스위칭 트랜지스터, 제1 구동 트랜지스터를 포함하는 제1 화소 및 제2 커패시터, 제2 스위칭 트랜지스터, 제2 구동 트랜지스터를 포함하는 제2 화소로 형성된 원장을 검사하는 원장 검사 방법에 있어서, 상기 원장 검사방법은 단수 검사프레임 동안 상기 제1 화소 및 제2 화소를 순차적으로 검사하는 단수 검사 단계, 복수 검사프레임 동안 상기 제1 화소 및 제2 화소를 순차적으로 검사하는 복수 검사 단계를 포함하고, 상기 단수 검사 단계 및 상기 복수 검사 단계는, 상기 제1 커패시터 및 상기 제2 커패시터에 제1 전원전압을 인가하는 단계; 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 입력단에 제1 테스트 전압을 인가하는 단계; 상기 제 1스위칭 트랜지스터의 상기 입력단 전압을 측정하는 제1 측정 단계; 상기 제2 스위칭 트랜지스터의 입력단에 제2 테스트 전압을 인가하는 단계; 및 상기 제2스위칭 트랜지스터 상기 입력단 전압을 측정하는 제2 측정 단계를 포함하고, 상기 제1 전원 전압의 레벨은 상기 단수검사 단계와 상기 복수검사 단계에서 다르고, 상기 단수검사 단계와 상기 복수검사 단계가 이어서 실시된다.
또한, 실시 예에 따른 원장 검사방법의 제1 화소는 제1 구동 트랜지스터의 제어단을 초기화하는 제1 초기화 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 화소는 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어단을 초기화하는 제2 초기화 트랜지스터를 포함하며, 상기 단수 검사 단계는, 상기 제1 초기화 트랜지스터 및 상기 제2 초기화 트랜지스터를 이용하여 상기 제1 구동 트랜지스터의 제어단 및 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어단에 초기화 전압을 인가하는 초기화 단계를 더 포함한다.
또한, 실시 예에 따른 원장 검사방법의 초기화 전압은 상기 제1 구동 트랜지스터 및 상기 제2 구동 트랜지스터의 문턱 전압보다 낮다.
또한, 실시 예에 따른 원장 검사방법의 단수 검사 단계는, 상기 제1 구동 트랜지스터의 제어단과 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어단이 연결되는 제1 공유 단계를 더 포함한다.
또한, 실시 예에 따른 원장 검사방법의 복수 검사 단계는, 상기 제1 구동 트랜지스터의 제어단과 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어단이 연결되는 제2 공유 단계를 더 포함한다.
또한, 실시 예에 따른 원장 검사방법의 제1 전원전압은 상기 제2 전원전압보다 높은 값을 갖는다.
또한, 실시 예에 따른 원장 검사방법의 제1 테스트 전압은 상기 제2 테스트 전압보다 낮다.
또한, 실시 예에 따른 원장 검사장치는 제1 화소 및 제2화소를 포함한 패널; 상기 제1 화소에 제1 테스트전압을 인가하고, 상기 제2 화소에 제2 테스트전압을 인가하는 데이터 분배부 및 상기 제1 화소의 제1 측정 노드의 전압을 측정하고, 상기 제2화소의 제2 측정 노드의 전압을 측정하는 연결부를 포함하고, 상기 연결부는 단수 검사프레임 동안 상기 제1측정 노드의 상기 제1 테스트전압 및 상기 제2측정 노드의 상기 제 2 테스트전압을 순차적으로 측정하고, 복수 검사프레임 동안 상기 제1측정 노드의 상기 제1 테스트전압 및 상기 제2측정 노드의 상기 제 2 테스트전압을 순차적으로 측정하고, 상기 제1 전원 전압의 레벨은 상기 단수검사 단계와 상기 복수검사 단계에서 다르며, 상기 단수검사 단계와 상기 복수검사 단계가 이어서 실시된다.
또한, 실시 예에 따른 원장 검사장치의 제1 화소는 제1 커패시터, 제1 스위칭 트랜지스터, 제1 구동 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 화소는 제2 커패시터, 제2 스위칭 트랜지스터, 제2 구동 트랜지스터를 포함하며, 상기 제1 스위칭 트랜지스터의 입력단은 상기 제1 측정 노드에 연결되어 있고, 상기 제2 스위칭 트랜지스터의 입력단은 상기 제2 측정 노드에 연결되어 있다.
또한, 실시 예에 따른 원장 검사장치의 제1 테스트 전압은 상기 제2 테스트 전압보다 낮다.
또한, 실시 예에 따른 원장 검사장치의 제1 커패시터의 일단 및 상기 제2 커패시터의 일단은 제1 전원 전압선에 연결되어 있고, 상기 단수 검사프레임 동안 상기 전원 전압선에 제1전원전압이 인가되고, 상기 복수 검사프레임 동안 상기 전원 전압선에 제2 전원전압이 인가된다.
또한, 실시 예에 따른 원장 검사장치의 제1 전원 전압은 상기 제2 전원 전압보다 높다.
또한, 실시 예에 따른 원장 검사장치의 제1 화소는, 상기 제1 구동 트랜지스터의 제어단을 초기화하는 제1 초기화 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 화소는, 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어단을 초기화하는 제2 초기화 트랜지스터를 포함하며, 상기 제1 초기화 트랜지스터의 일단과 상기 제2 초기화 트랜지스터의 일단이 연결된다.
또한, 실시 예에 따른 원장 검사장치의 제1 화소는, 상기 제1 구동 트랜지스터의 제어단과 출력단 사이에 연결된 제1 보상 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 화소는, 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어단과 출력단 사이에 연결된 제2 보상 트랜지스터를 포함하며, 턴-온 된 상기 제1 보상 트랜지스터에 의해 상기 제1 구동 트랜지스터가 다이오드 연결되고, 턴-온 된 상기 제2 보상 트랜지스터에 의해 상기 제2 구동 트랜지스터가 다이오드 연결된다.
또한, 실시 예에 따른 원장 검사장치의 단수 검사기간에 상기 제1 구동 트랜지스터의 제어단 및 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어단에 초기화 전압이 인가된다.
또한, 실시 예에 따른 원장 검사장치의 초기화 전압은, 상기 제1 구동 트랜지스터 및 상기 제2 구동 트랜지스터의 문턱 전압보다 낮은 전압이다.
또한, 실시 예에 따른 원장 검사장치의 단수 검사기간에 상기 제1 구동 트랜지스터의 제어단과 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어단이 연결된다.
또한, 실시 예에 따른 원장 검사장치의 복수 검사기간에 상기 제1 구동 랜지스터의 제어단과 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어단이 연결된다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 특징에 따르면, 초기화 배선이 없는 원장 패널 상태의 화소 회로의 불량 여부를 검사할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 원장 검사 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 원장을 나타낸 도면이다.
도 3은 표시 패널을 나타낸 도면이다.
도 4는 화소를 나타낸 도면이다.
도 5는 원장 검사 타이밍도를 나타낸 도면이다.
도 6은 제1 부화소의 검사 동작을 나타내는 도면이다.
도 7은 제2 부화소의 검사 동작을 나타내는 도면이다.
도 8 은 실시 예에 따른 원장 검사 방법을 나타낸 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 동일하거나 유사한 구성요소에는 동일, 유사한 도면 부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 원장 검사 장치를 나타낸 도면이다.
이하, 도 1을 참조하여 실시 예에 따른 원장 검사 장치(1)를 설명한다.
원장 검사장치(1)는 신호 공급부(10), 제어부(20) 및 연결부(30)를 포함하고, 원장 기판(100)의 대상 패널(101)을 검사할 수 있다.
원장 기판(100)은 복수의 대상 패널(101)을 포함하고, 복수의 대상 패널(101) 각각은 연결 보드(140)를 포함한다.
신호 공급부(10)는 입력 데이터(InD) 및 동기 신호를 생성한다. 입력 데이터(InD)는 각 화소(PX)의 휘도(luminance) 정보를 담고 있으며, 휘도는 정해진 수효, 1024(=210), 256(=28) 또는 64(=26) 개의 계조(gray)를 가지고 있다. 동기 신호는 수평 동기 신호(Hsync), 수직 동기 신호(Vsync) 메인 클록 신호(MCLK)를 포함한다.
제어부(20)는 입력 데이터(InD) 및 동기 신호를 입력 받고, 주사 구동 제어신호(SCS), 데이터 구동 제어신호(DCS) 및 연결 제어신호(CCS), 제1 내지 클록신호(CLA) 및 제2 클록 신호(CLB)를 생성한다. 제어부(20)는 수직 동기 신호(Vsync)에 따라 프레임 단위로 외부 입력 데이터(InD)를 구분한다. 그리고, 신호 제어부(150)는 수평 동기 신호(Hsync)에 따라 주사 라인 단위로 외부 입력 데이터(InD)를 구분하여 영상 데이터(DAT)를 생성한다. 제어부(20)는 원장 기판(100) 검사 알고리즘을 포함하고, 검사 알고리즘에 따라 패널 연결부(30)를 제어하는 연결 제어신호(SCS)와 패널 검사를 위한 구동용 전압을 제어하는 전압 제어신호(VCS)를 생성한다. 제어부(20)는 연결부(30)에서 측정한 전압을 이용하여 대상 패널(101)의 이상 유무를 판단할 수 있다.
연결부(30)는 연결 제어신호(CCS)에 따라 원장 기판(100) 중 검사 대상 패널(101)에 위치하고, 검사 대상 패널(101)의 패널 연결부(140)에 연결된다. 패널 연결부(30)를 통해 주사 구동 제어신호(SCS), 데이터 구동 제어신호(DCS), 영상 데이터 신호(DAT) 및 제1 클록신호(CLA), 제2 클록 신호(CLB) 및 전압 제어신호(VCS)가 패널 연결부(140)에 인가된다.
도 2는 원장을 나타낸 도면이다.
이하, 도 2를 참조하여 실시 예에 따른 패널(101)을 설명한다.
원장 기판(100)은 복수의 패널(101)로 형성되어 있다.
복수의 패널(101) 각각은 제1 방향(행 방향)으로 뻗어 있는 복수의 주사선(S1~Sn) 및 제2 방향(열 방향)으로 뻗어 있는 복수의 데이터 선(D1~Dm), 복수의 데이터 출력선(DO1-Dok) 표시부(110), 주사 구동부(120). 데이터 구동부(130) 패널 연결부(140) 및 데이터 분배부(150)를 포함한다.
표시부(110)는 복수의 주사선(S1~Sn) 중 대응되는 주사선 및 데이터 출력선(DO1-Dok) 중 대응되는 데이터 출력선에 연결된 복수의 화소(PX)를 포함한다.
주사 구동부(120)는 복수의 주사 신호선(S1-Sn)과 연결되어 있으며, 주사 제어 신호(SCS)에 따라 복수의 주사선(S1-Sn)에 복수의 주사 신호(S[1]-S[n])를 공급한다.
데이터 구동부(130)는 복수의 데이터선(D1-Dm)과 연결되어 있으며, 데이터 구동 제어신호(DCS)에 따라 입력된 영상 데이터에 대응하는 복수의 데이터 신호(예를 들어, 테스트 데이터 전압)를 생성하고, 생성된 데이터 신호(D[1]-D[n])를 데이터 분배부(150)에 공급한다.
패널 연결부(140)는 주사구동부(120)에 주사 제어신호(SCS)를 전달하고, 데이터 구동부(130)에 데이터 구동 제어신호(DCS)를 전달하며, 데이터 분배부(150)에 제1 내지 클록신호(CLA) 및 제2 클록 신호(CLB)를 전달할 수 있다. 패널 연결부(140)는 전압 제어 신호(VCS)에 따라 복수의 화소(PX) 각각에 제1 전원(ELVDD) 및 제2 전원(ELVSS)을 공급할 수 있다. 제1 전원(ELVDD) 및 제2 전원(ELVSS)은 서로로 상이하다.
데이터 분배부(150)는 복수의 데이터 선(D1~Dm)과 복수의 데이터 출력선(DO1~DOk) 사이에 연결되어 있다. 데이터 분배부(150)는 대응하는 주사신호(S[1]-S[n])에 동기 되도록 제1 내지 클록신호(CLA) 및 제2 클록 신호(CLB)에 따라 복수의 데이터 신호(D[1]~D[m])를 분배하여 대응하는 복수의 데이터 출력선(DO1~DOk)에 공급한다.
이상에서, 데이터 구동부(130)와 데이터 분배부(150)를 분리해서 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 데이터 구동부(130)에 데이터 분배부(150)가 포함될 수 있다. 또한, 복수의 패널(101)을 4개로 도시하였으나 이는 설명의 편의를 위한 것으로 실시 예는 이에 제한되지 않는다.
도 3은 패널을 나타낸 도면이다.
도 4는 따른 화소를 나타낸 도면이다.
이하, 도 3 및 도 4를 이용하여 실시 예에 따른 데이터 분배부(150) 및 화소(PX)를 설명한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 실시 예에 따른 데이터 분배부(150)는 복수의 화소(PX) 각각에 대응하는 복수의 디멀티플렉서(DEMUX, 1501)를 포함한다.
복수의 화소(PX) 각각은 제1 부화소(PX_1) 및 제2 부화소(PX_2)를 포함한다. 제1 부화소(PX_1)는 n번째 주사선(Sn) k-1번째 데이터 출력선(Dk-1)에 연결되어 있다. 제2 부화소(PX_2)는 n번째 주사선(Sn) 및 k번째 데이터 출력선D(k)에 연결되어 있다.
디멀티플렉서(1501)는 제1 스위칭 소자(M1) 및 제2 스위칭 소자(M2)를 포함한다. 디멀티플렉서(1501)는 제1 클록 신호(CLA)에 따라 데이터 출력 선(DOk-1)을 통해 제1 부화소(PX_1)와 데이터선(Dm)을 연결하고, 제2 클록 (CLB)에 따라 데이터 출력 선(DOk)을 통해 제2 부화소(PX_2)와 데이터 선(Dm)을 연결한다.
제1 스위칭 소자(M1)는 제1 클록 신호(CLA)가 인가되는 제어단, 데이터선(Dm)과 연결된 입력단 및 제1 부화소(PX_1)의 제1 스위칭 트랜지스터(T11)의 입력단과 연결된 출력단을 포함한다.
제2 스위칭 소자(M2)는 제2 클록 신호(CLB)가 인가되는 제어단, 데이터선(Dm)과 연결된 입력단 및 제2 부화소(PX_2)의 제1 스위칭 트랜지스터(T12)의 입력단과 연결된 출력단을 포함한다.
제1 부화소(PX_1)는 스위칭 트랜지스터(T11), 구동 트랜지스터(T21), 스토리지 커패시터(C11), 초기화 트랜지스터(T31), 부스트 커패시터(C21), 보상 트랜지스터(T41), 발광 트랜지스터(T51), 발광 트랜지스터(T61) 및 및 발광소자(OLED2)를 포함한다.
스위칭 트랜지스터(T11)는 주사선(Sn)에 연결된 제어단, 데이터 출력선선(DOk-1)에 연결되어 입력단 및 구동 트랜지스터(T21)의 입력단에 연결된 출력단을 포함할 수 있다.
구동 트랜지스터(T21)는 스위칭 트랜지스터(T11)가 턴-온 된 기간 동안 데이터 신호가 전달되는 입력단, 스토리지 커패시터(C11)의 제1단에 연결된 제어단 및 발광 트랜지스터(T61)의 입력단에 연결된 출력단을 포함할 수 있다.
스토리지 커패시터(C11)의 제1 단은 구동 트랜지스터(T11)의 제어단에 연결되어 있고, 제2단은 전원 전압원(ELVDD)에 연결되어 있다.
보상 트랜지스터(T31)는 주사선(Sn)에 연결된 제어단, 제2 부화소(PX_2)의 초기화 트랜지스터(T42)의 출력단과 연결된 출력단, 구동 트랜지스터(T11)의 제어단에 연결된 입력단을 포함할 수 있다. 보상 트랜지스터(T41)는 주사선(Sn)에 인가되는 주사 신호에 의해 턴-온 되어 구동 트랜지스터(T21)를 다이오드 연결할 수 있다.
부스트 커패시터(C21)의 제1 단은 주사선(Sn)에 연결되어 있고, 제2 단은 구동 트랜지스터(T21)의 제어단에 연결되어 있다.
초기화 트랜지스터(T41)는 주사선(Sn-1)에 연결된 제어단, 구동 트랜지스터(T21)의 제어단에 연결된 출력단 및 제1 부화소 (PX_1)의 초기화 트랜지스터(T42)의 입력단에 연결된 입력단을 포함할 수 있다.
발광 트랜지스터(M51)는 발광 제어선(En)에 연결된 제어단, 전원 전압선(ELVDD)에 연결된 입력단 및 구동 트랜지스터(T21)의 입력단에 연결된 출력단을 포함할 수 있다.
발광 트랜지스터(T61)는 발광 제어선(En)에 연결된 제어단, 구동 트랜지스터(T21)의 출력 전극에 연결된 입력 전극 및 발광소자(OLED1)의 애노드에 연결된 출력단을 포함할 수 있다.
발광소자(OLED1)는 발광 트랜지스터(T62)의 출력단에 연결된 애노드, 전원전압선(ELVSS)에 연결된 캐소드를 포함한다.
제2 부화소(PX_2)는, 스위칭 트랜지스터(T12), 구동 트랜지스터(T22), 스토리지 커패시터(C12), 초기화 트랜지스터(T32), 부스트 커패시터(C22), 보상 트랜지스터(T42), 발광 트랜지스터(T52), 발광 트랜지스터(T61) 및 발광소자(OLED2)를 포함한다.
스위칭 트랜지스터(T12)는 주사선(Sn)에 연결된 제어단, 데이터 출력선(DOk)에 연결된 입력단 및 구동 트랜지스터(T21)의 입력단에 연결된 출력단을 포함할 수 있다.
구동 트랜지스터(T22)는 스위칭 트랜지스터(T12)가 턴-온 된 기간 동안 데이터 신호가 전달되는 입력단, 스토리지 커패시터(C12)의 제1단에 연결된 제어단 및 발광 트랜지스터(T62)의 입력단에 연결된 출력단을 포함할 수 있다.
스토리지 커패시터(C12)의 제1 단은 구동 트랜지스터(T11)의 제어단에 연결되어 있고, 제2단은 전원 전압원(ELVDD)에 연결되어 있다.
보상 트랜지스터(T32)는 주사선(Sn)에 연결된 제어단, 구동 트랜지스터(T21)의 출력단에 연결된 입력단 및 구동 트랜지스터(T21)의 제어단에 연결된 출력단을 포함할 수 있다. 보상 트랜지스터(T31)는 주사선(Sn)에 인가되는 주사 신호에 의해 턴-온 되어 구동 트랜지스터(T21)를 다이오드 연결할 수 있다.
초기화 트랜지스터(T42)는 주사선(Sn-1)에 연결된 제어단, 구동 트랜지스터(T11)의 제어단에 연결된 출력단 및 제2 부화소(PX_1)의 초기화 트랜지스터(T41)의 입력단에 연결된 입력단을 포함할 수 있다.
부스트 커패시터(C22)의 제1 단은 주사선(Sn)에 연결되어 있고, 제2 단은 구동 트랜지스터(T21)의 제어단에 연결되어 있다.
발광 트랜지스터(T52)는 발광 제어선(En)에 연결된 제어단, 전원 전압선(ELVDD) 에 연결된 입력단 및 에 연결된 출력단을 포함할 수 있다.
발광 트랜지스터(T62)는 발광 제어선(En)에 연결된 제어단, 구동 트랜지스터(T21)의 출력단에 연결된 입력단 및 발광소자(OLED2)의 애노드에 연결된 출력단을 포함할 수 있다.
발광소자(OLED2)는 발광 트랜지스터(T62)의 출력단에 연결된 애노드, 전원전압선(ELVSS)에 연결된 캐소드를 포함한다.
도 5는 원장 검사 타이밍도를 나타낸 도면이다.
도 6은 제1 부화소의 검사 동작을 나타내는 도면이다.
도 7은 제2 부화소의 검사 동작을 나타내는 도면이다.
이하, 도 5 내지 도 7을 이용하여 실시 예에 따른 패널(101)의 검사동작에 대하여 설명한다. 도 5에는 단수검사 프레임(ST) 및 복수검사 프레임(DT)으로 형성된 검사 프레임(1F) 동안의 신호들이 도시되어 있다.
검시 프레임(1F)동안 제어부(20)는 발광 제어 트랜지스터(T51, T52, T61, T62)의 제어단에 디스에이블 신호를 인가하여 발광 제어 트랜지스터(T51, T52, T61, T62)가 턴-오프 되게 한다.
먼저, 단수검사(ST)에 대해서 설명한다.
도 5를 참조하면, 시점(t1)에서, 제어부(20)는 제1 전원전압(V1, 예를 들면 -2V)을 전원전압(ELVDD)선에 인가한다. 제1 전원전압(V1)에 의해 커패시터(C11, C12)의 타단에 제1 전원전압(V1)에 대응하는 전위차가 발생한다. 또한, 제어부(20)는 인에이블 레벨의 주사 신호(S[n-1])를 주사선(Sn-1)에 인가한다.
시점(t2)에서, 제어부(20)는 인에이블 레벨의 주사신호(S[n])를 주사선(Sn)에 인가한다. 인에이블 레벨의 주사신호(S[n])에 따라 스위칭 트랜지스터(T11, T12) 및 보상 트랜지스터(T31, T32)가 턴-온 된다. 보상 트랜지스터(T31, T32)가 턴-온 되어 구동 트랜지스터(T11, T12)가 다이오드 연결된다. 제어부(20)는 인에이블 레벨의 제1 클록 신호(CLA) 및 인에이블 레벨의 제2 클록 신호(CLB)를 생성한다. 인에이블 레벨의 제1 클록 신호(CLA)에 의해 스위칭 소자(M1)가 턴-온 되고, 출력 선(DOk-1)과 데이터 선(Dm)이 연결된다. 또한, 인에이블 레벨의 제2 클록 신호(CLB)에 의해 스위칭 소자(M2)가 턴-온 되고, 출력 선(DOk)과 데이터 선(Dm)이 연결된다. 이때, 데이터 구동부(130)는 데이터 선(Dm)에 통해 초기화 신호(V3, 예를 들어 0V)를 인가한다. 따라서, 초기화 전압(V3)이 출력 선(DOk-1) 및 출력 선(DOk)에 인가되어 구동 트랜지스터(T11, T12)의 제어단이 초기화된다. 초기화 전압(V3)은 구동 트랜지스터(T21, T22)의 문턱 전압보다 낮은 전압 일 수 있다.
시점(t3)에서, 제어부(20)는 인에이블 레벨의 주사신호(S[n-1])를 주사선(Sn-1)에 인가한다. 인에이블 레벨의 주사신호(S[n-1])에 따라 초기화 트랜지스터(T41, T42)가 턴-온되고 턴-온된 초기화 트랜지스터(T41, T42)를 통해 구동 트랜지스터(T21)의 제어단과 구동 트랜지스터(T22)의 제어단이 연결된다.
시점(t4)에서, 제어부(20)는 인에이블 레벨의 주사신호(S[n])를 주사선(Sn)에 인가한다. 인에이블 레벨의 주사신호(S[n])에 따라 스위칭 트랜지스터(T12, T22) 및 보상 트랜지스터(T32, T32)가 턴-온 된다. 보상 트랜지스터(T32, T32)가 턴-온 되어 구동 트랜지스터(T11, T12)가 다이오드 연결된다. 제어부(20)는 인에이블 레벨의 제1 클록 신호(CLA)를 생성하고, 인에이블 레벨의 제1 클록 신호(CLA)에 의해 턴-온 된 스위칭 소자(M1)를 통해 출력선(DOk-1)과 데이터 선(Dm)이 연결된다. 이때, 데이터 구동부(130)는 제1부화소 테스트 신호(V4, 예를 들어 4V)를 데이터선(Dm)에 인가한다. 따라서, 구동 트랜지스터(T21)의 제어단에는 제1 부화소 테스트 신호(V4)가 인가되고, 구동 트랜지스터(T22)의 제어단에는 초기화 신호(V3)가 인가된다. 도 6을 참조하면, 시점(t4)에서 턴-온 된 스위칭 트랜지스터(T11), 구동 트랜지스터(T21) 및 보상 트랜지스터(T31)로 이루어진 화살표의 경로가 형성된다. 연결부(30)는 연결 제어신호(CCS)에 따라 제1 측정 노드(N1)에서의 제1 부화소 테스트 신호(V4)의 크기를 측정하여 제1 부화소(PX_1)의 이상 여부를 판단할 수 있다.
시점(t5)에서, 제어부(20)는 인에이블 레벨의 주사신호(S[n-1])를 주사선(Sn-1)에 인가한다. 인에이블 레벨의 주사신호(S[n-1])에 따라 초기화 트랜지스터(T41, T42)가 턴-온되고, 초기화 트랜지스터(T41, T42)를 통해 구동 트랜지스터(T21)의 제어단과 구동 트랜지스터(T22)의 제어단이 연결된다. 이때, 구동 트랜지스터(T21)의 제어단에 인가된 제1 부화소 테스트신호(V4)가 구동 트랜지스터(T21)의 제어단과 구동 트랜지스터(T22)의 제어단에 공유된다. 따라서, 구동 트랜지스터(T21, T22)의 제어단은 제1 부화소 테스트신호(V4)의 1/2 레벨(예를 들어, 2V)이 각각 인가된다.
시점(t6)에서, 제어부(20)는 인에이블 레벨의 주사신호(S[n])를 주사선(Sn)에 인가한다. 인에이블 레벨의 주사신호(S[n])에 따라 스위칭 트랜지스터(T12, T22) 및 보상 트랜지스터(T32, T32)가 턴-온 된다. 보상 트랜지스터(T32, T32)가 턴-온 되어 구동 트랜지스터(T11, T12)가 다이오드 연결된다. 제어부(20)는 인에이블 레벨의 제2 클록 신호(CLB)를 생성하고, 인에이블 레벨의 제2 클록 신호(CLB)에 의해 턴-온 된 스위칭 소자(M2)를 통해 출력선(DOk)과 데이터 선(Dm)이 연결된다. 이때, 데이터 구동부(130)는 제1 부화소 테스트 신호(V4)보다 소정 레벨(예를 들어, 2V) 높은 제2부화소 테스트 신호(V5, 예를 들어 6V)를 데이터선(Dm)에 인가한다. 따라서, 구동 트랜지스터(T22)의 제어단에는 제2 부화소 테스트 신호(V5)가 인가되고, 구동 트랜지스터(T21)의 제어단에는 제1 부화소 테스트 신호(V4)가 인가된다. 도 7을 참조하면, 시점(t4)에서 턴-온 된 스위칭 트랜지스터(T12), 구동 트랜지스터(T22) 및 보상 트랜지스터(T32)로 이루어진 화살표의 경로가 형성된다. 연결부(30)는 연결 제어신호(CCS)에 따라 제2 측정 노드(N2)에서의 제2 부화소 테스트 신호(V5)의 크기를 측정하여 제2부화소(PX_2)의 이상 여부를 판단할 수 있다.
이하, 복수검사(DT)에 대해서 설명한다.
시점(t7)에서, 제어부(20)는 제2 전원전압(V2, 예를 들면 -4V)을 전원전압(ELVDD)선에 인가한다. 또한, 제어부(20)는 인에이블 레벨의 주사 신호(S[n-1])를 주사선(Sn-1)에 인가한다. 인에이블 레벨의 주사신호(S[n-1])에 따라 초기화 트랜지스터(T41, T42)가 턴-온되고, 초기화 트랜지스터(T41, T42)를 통해 구동 트랜지스터(T21)의 제어단과 구동 트랜지스터(T22)의 제어단이 연결된다. 이때, 구동 트랜지스터(T21)의 제어단에 인가된 제2 부화소 테스트신호(V5)가 구동 트랜지스터(T21)의 제어단과 구동 트랜지스터(T22)의 제어단에 공유된다. 따라서, 구동 트랜지스터(T21, T22)의 제어단은 제2 부화소 테스트신호(V5)의 1/2 레벨(예를 들어, 2V)이 각각 인가된다.
시점(t8)에서, 제어부(20)는 인에이블 레벨의 주사신호(S[n])를 주사선(Sn)에 인가한다. 인에이블 레벨의 주사신호(S[n])에 따라 스위칭 트랜지스터(T12, T22) 및 보상 트랜지스터(T32, T32)가 턴-온 된다. 보상 트랜지스터(T32, T32)가 턴-온 되어 구동 트랜지스터(T11, T12)가 다이오드 연결된다. 제어부(20)는 인에이블 레벨의 제1 클록 신호(CLA)를 생성하고, 인에이블 레벨의 제1 클록 신호(CLA)에 의해 턴-온 된 스위칭 소자(M1)를 통해 출력선(DOk-1)과 데이터 선(Dm)이 연결된다. 이때, 데이터 구동부(130)는 제1부화소 테스트 신호(V4, 예를 들어 4V)를 데이터선(Dm)에 인가한다. 따라서, 구동 트랜지스터(T21)의 제어단에는 제1 부화소 테스트 신호(V4)가 인가되고, 구동 트랜지스터(T22)의 제어단에는 초기화 신호(V3)가 인가된다. 도 6을 참조하면, 시점(t4)에서 턴-온 된 스위칭 트랜지스터(T11), 구동 트랜지스터(T21) 및 보상 트랜지스터(T31)로 이루어진 화살표의 경로가 형성된다. 연결부(30)는 연결 제어신호(CCS)에 따라 제1 측정 노드(N1)에서의 제1 부화소 테스트 신호(V4)의 크기를 측정하여 제1 부화소(PX_1)의 이상 여부를 판단할 수 있다.
시점(t9)에서, 제어부(20)는 인에이블 레벨의 주사신호(S[n-1])를 주사선(Sn-1)에 인가한다. 인에이블 레벨의 주사신호(S[n-1])에 따라 초기화 트랜지스터(T41, T42)가 턴-온되고, 초기화 트랜지스터(T41, T42)를 통해 구동 트랜지스터(T21)의 제어단과 구동 트랜지스터(T22)의 제어단이 연결된다. 이때, 구동 트랜지스터(T21)의 제어단에 인가된 제1 부화소 테스트신호(V4)가 구동 트랜지스터(T21)의 제어단과 구동 트랜지스터(T22)의 제어단에 공유된다. 따라서, 구동 트랜지스터(T21, T22)의 제어단은 제1 부화소 테스트신호(V4)의 1/2 레벨(예를 들어, 2V)이 각각 인가된다.
시점(t10)에서, 제어부(20)는 인에이블 레벨의 주사신호(S[n])를 주사선(Sn)에 인가한다. 인에이블 레벨의 주사신호(S[n])에 따라 스위칭 트랜지스터(T12, T22) 및 보상 트랜지스터(T32, T32)가 턴-온 된다. 보상 트랜지스터(T32, T32)가 턴-온 되어 구동 트랜지스터(T11, T12)가 다이오드 연결된다. 제어부(20)는 인에이블 레벨의 제2 클록 신호(CLB)를 생성하고, 인에이블 레벨의 제2 클록 신호(CLB)에 의해 턴-온 된 스위칭 소자(M2)를 통해 출력선(DOk)과 데이터 선(Dm)이 연결된다. 이때, 데이터 구동부(130)는 제1 부화소 테스트 신호(V4)보다 소정 레벨(예를 들어, 2V) 높은 제2부화소 테스트 신호(V5, 예를 들어 6V)를 데이터선(Dm)에 인가한다. 따라서, 구동 트랜지스터(T22)의 제어단에는 제2 부화소 테스트 신호(V5)가 인가되고, 구동 트랜지스터(T21)의 제어단에는 제1 부화소 테스트 신호(V4)가 인가된다. 도 7을 참조하면, 시점(t4)에서 턴-온 된 스위칭 트랜지스터(T12), 구동 트랜지스터(T22) 및 보상 트랜지스터(T32)로 이루어진 화살표의 경로가 형성된다. 연결부(30)는 연결 제어신호(CCS)에 따라 제2 측정 노드(N2)에서의 제2 부화소 테스트 신호(V5)의 크기를 측정하여 제2부화소(PX_2)의 이상 여부를 판단할 수 있다.
따라서, 초기화 배선이 없는 원장 패널 상태의 화소 회로를 2중으로 검사할 수 있는 효과가 있다.
실시 예에서는, 트랜지스터(T11, T12, T21, T32, T42, T51, T61, T12, T22, T32, T42, T52, T62)가 p 채널 타입의 트랜지스터이므로, 인에이블 레벨이 로우 레벨이지만, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 트랜지스터의 채널 타입에 따라 인에이블 레벨은 변경된다.
도 8 은 실시 예에 따른 원장 검사 방법을 나타낸 흐름도이다.
이하, 도 8을 이용하여 실시 예에 따른 원장 검사 방법을 설명한다.
제1 전원전압 인가 단계(S10)에서, 제어부(20)는 제1 전원전압(V1, 예를 들면 -2V)을 전원전압(ELVDD)선에 인가한다.
초기화 단계(S20)에서, 데이터 구동부(130)는 데이터 선(Dm)에 통해 초기화 신호(V3, 예를 들어 0V)를 인가한다. 따라서, 초기화 전압(V3)이 출력 선(DOk-1) 및 출력 선(DOk)에 인가되어 구동 트랜지스터(T11, T12)의 제어단이 초기화된다.
제1 측정 단계(S30)에서, 데이터 구동부(130)는 제1부화소 테스트 신호(V4, 예를 들어 4V)를 데이터선(Dm)에 인가한다. 따라서, 구동 트랜지스터(T21)의 제어단에는 제1 부화소 테스트 신호(V4)가 인가되고, 구동 트랜지스터(T22)의 제어단에는 초기화 신호(V3)이 인가된다. 연결부(30)는 연결 제어신호(CCS)에 따라 제1 측정 노드(N1)에서의 제1 부화소 테스트 신호(V4)의 크기를 측정하여 제1 부화소(PX_1)의 이상 여부를 판단할 수 있다.
제2 측정 단계(S40)에서, 데이터 구동부(130)는 제1 부화소 테스트 신호(V4)보다 소정 레벨(예를 들어, 2V) 높은 제2부화소 테스트 신호(V5, 예를 들어 6V)를 데이터선(Dm)에 인가한다. 따라서, 구동 트랜지스터(T22)의 제어단에는 제2 부화소 테스트 신호(V5)가 인가되고, 구동 트랜지스터(T21)의 제어단에는 제1 부화소 테스트 신호(V4)가 인가된다. 연결부(30)는 연결 제어신호(CCS)에 따라 제2 측정 노드(N2)에서의 제2 부화소 테스트 신호(V5)의 크기를 측정하여 제2부화소(PX_2)의 이상 여부를 판단할 수 있다.
제2 전원전압 인가 단계(S50)에서, 제어부(20)는 제2 전원전압(V2, 예를 들면 -4V)을 전원전압(ELVDD)선에 인가한다.
제3 측정 단계(S60)에서, 데이터 구동부(130)는 제1부화소 테스트 신호(V4, 예를 들어 4V)를 데이터선(Dm)에 인가한다. 따라서, 구동 트랜지스터(T21)의 제어단에는 제1 부화소 테스트 신호(V4)가 인가되고, 구동 트랜지스터(T22)의 제어단에는 초기화 신호(V3)이 인가된다. 연결부(30)는 연결 제어신호(CCS)에 따라 제1 측정 노드(N1)에서의 제1 부화소 테스트 신호(V4)의 크기를 측정하여 제1 부화소(PX_1)의 이상 여부를 판단할 수 있다.
제4 측정 단계(S70)에서, 2V) 높은 제2부화소 테스트 신호(V5, 예를 들어 6V)를 데이터선(Dm)에 인가한다. 따라서, 구동 트랜지스터(T22)의 제어단에는 제2 부화소 테스트 신호(V5)가 인가되고, 구동 트랜지스터(T21)의 제어단에는 제1 부화소 테스트 신호(V4)가 인가된다. 연결부(30)는 연결 제어신호(CCS)에 따라 제2 측정 노드(N2)에서의 제2 부화소 테스트 신호(V5)의 크기를 측정하여 제2부화소(PX_2)의 이상 여부를 판단할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. 따라서, 상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니 되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.
1: 원장 검사장치
10: 신호 공급부
20: 제어부
30: 연결부
100: 원장기판
101: 대상 패널
110: 표시부
120: 주사 구동부
130: 데이터 구동부
140: 연결보드

Claims (18)

  1. 제1 커패시터, 제1 스위칭 트랜지스터, 제1 구동 트랜지스터를 포함하는 제1 화소 및 제2 커패시터, 제2 스위칭 트랜지스터, 제2 구동 트랜지스터를 포함하는 제2 화소로 형성된 원장을 검사하는 원장 검사 방법에 있어서,
    상기 원장 검사방법은 단수 검사프레임 동안 상기 제1 화소 및 제2 화소를 순차적으로 검사하는 단수 검사 단계, 복수 검사프레임 동안 상기 제1 화소 및 제2 화소를 순차적으로 검사하는 복수 검사 단계를 포함하고,
    상기 단수 검사 단계 및 상기 복수 검사 단계는,
    상기 제1 커패시터 및 상기 제2 커패시터에 제1 전원전압을 인가하는 단계;
    상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 입력단에 제1 테스트 전압을 인가하는 단계;
    상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 상기 입력단 전압을 측정하는 제1 측정 단계;
    상기 제2 스위칭 트랜지스터의 입력단에 제2 테스트 전압을 인가하는 단계; 및
    상기 제2스위칭 트랜지스터 상기 입력단 전압을 측정하는 제2 측정 단계를 포함하고,
    상기 제1 전원 전압의 레벨은 상기 단수검사 단계와 상기 복수검사 단계에서 다르고, 상기 단수검사 단계와 상기 복수검사 단계가 이어서 실시되는 원장 검사방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 화소는 제1 구동 트랜지스터의 제어단을 초기화 하는 제1 초기화 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 화소는 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어단을 초기화 하는 제2 초기화 트랜지스터를 포함하며,
    상기 단수 검사 단계는,
    상기 제1 초기화 트랜지스터 및 상기 제2 초기화 트랜지스터를 이용하여 상기 제1 구동 트랜지스터의 제어단 및 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어단에 초기화 전압을 인가하는 초기화 단계를 더 포함하는 원장 검사방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 초기화 전압은 상기 제1 구동 트랜지스터 및 상기 제2 구동 트랜지스터의 문턱 전압보다 낮은 원장 검사 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 단수 검사 단계는,
    상기 제1 구동 트랜지스터의 제어단과 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어단이 연결되는 제1 공유 단계를 더 포함하는 원장 검사방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 복수 검사 단계는,
    상기 제1 구동 트랜지스터의 제어단과 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어단이 연결되는 제2 공유 단계를 더 포함하는 원장 검사 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 전원전압은 상기 제2 전원전압보다 높은 값을 갖는 원장 검사 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 테스트 전압은 상기 제2 테스트 전압보다 낮은 원장 검사방법.
  8. 제1 화소 및 제2화소를 포함한 패널;
    상기 제1 화소에 제1 테스트전압을 인가하고, 상기 제2 화소에 제2 테스트전압을 인가하는 데이터 분배부 및
    상기 제1 화소의 제1 측정노드의 전압을 측정하고, 상기 제2화소의 제2 측정 노드의 전압을 측정하는 연결부를 포함하고,
    상기 연결부는 단수 검사프레임 동안 상기 제1측정 노드의 상기 제1 테스트전압 및 상기 제2측정 노드의 상기 제 2 테스트전압을 순차적으로 측정하고, 복수 검사프레임 동안 상기 제1측정 노드의 상기 제1 테스트전압 및 상기 제2측정 노드의 상기 제 2 테스트전압을 순차적으로 측정하고,
    상기 제1 전원 전압의 레벨은 상기 단수검사 단계와 상기 복수검사 단계에서 다르며, 상기 단수검사 단계와 상기 복수검사 단계가 이어서 실시되는 원장 검사장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제1 화소는 제1 커패시터, 제1 스위칭 트랜지스터, 제1 구동 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제2 화소는 제2 커패시터, 제2 스위칭 트랜지스터, 제2 구동 트랜지스터를 포함하며,
    상기 제1 스위칭 트랜지스터의 입력단은 상기 제1 측정노드에 연결되어 있고,
    상기 제2 스위칭 트랜지스터의 입력단은 상기 제2 측정 노드에 연결되어 있는 원장 검사 장치.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 제1 테스트 전압은 상기 제2 테스트 전압보다 낮은 원장 검사방법.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 제1 커패시터의 일단 및 상기 제2 커패시터의 일단은 제1 전원 전압선에 연결되어 있고,
    상기 단수 검사프레임 동안 상기 전원 전압선에 제1전원전압이 인가되고,
    상기 복수 검사프레임 동안 상기 전원 전압선에 제2전원전압이 인가되는 원장검사장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 제1 전원 전압은 상기 제2 전원 전압보다 높은 원장 검사 장치.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 제1 화소는, 상기 제1 구동 트랜지스터의 제어단을 초기화하는 제1 초기화 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제2 화소는, 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어단을 초기화하는 제2 초기화 트랜지스터를 포함하며,
    상기 제1 초기화 트랜지스터의 일단과 상기 제2 초기화 트랜지스터의 일단이 연결된 원장 검사장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제1 화소는, 상기 제1 구동 트랜지스터의 제어단과 출력단 사이에 연결된 제1 보상 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제2 화소는, 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어단과 출력단 사이에 연결된 제2 보상 트랜지스터를 포함하며,
    턴-온 된 상기 제1 보상 트랜지스터에 의해 상기 제1 구동 트랜지스터가 다이오드 연결되고, 턴-온 된 상기 제2 보상 트랜지스터에 의해 상기 제2 구동 트랜지스터가 다이오드 연결되는 원장 검사장치.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 단수 검사기간에 상기 제1 구동 트랜지스터의 제어단 및 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어단에 초기화 전압이 인가되는 원장 검사 장치.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 초기화 전압은, 상기 제1 구동 트랜지스터 및 상기 제2 구동 트랜지스터의 문턱 전압보다 낮은 전압인 원장 검사 장치.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 단수 검사기간에 상기 제1 구동 트랜지스터의 제어단과 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어단이 연결되는 원장 검사 장치.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 복수 검사기간에 상기 제1 구동 트랜지스터의 제어단과 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어단이 연결되는 원장 검사 장치.
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