KR20160031938A - Light emitting diode - Google Patents

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KR20160031938A
KR20160031938A KR1020150009479A KR20150009479A KR20160031938A KR 20160031938 A KR20160031938 A KR 20160031938A KR 1020150009479 A KR1020150009479 A KR 1020150009479A KR 20150009479 A KR20150009479 A KR 20150009479A KR 20160031938 A KR20160031938 A KR 20160031938A
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이섬근
김매이
김경완
윤여진
이금주
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서울바이오시스 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a light emitting diode. The light emitting diode according to an embodiment of the present invention can comprise: a substrate; and two or more light emitting cell groups which are located on the substrate and connect a plurality of light emitting cells in series. The light emitting cell groups are individually driven, are separated at regular intervals to be insulated, and have a different area. The light emitting cell groups comprise: the light emitting cells which include a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer and forms a groove wherein the first semiconductor layer is exposed; a first electrode located on the second semiconductor layer; an insulating layer to cover the light emitting cells to expose a part of the first electrode and the first semiconductor layer; and a connection electrode which is electrically connected to the exposed part of the first electrode and the first semiconductor layer. According to the present invention, the light emitting diode according to an embodiment of the present invention embeds the light emitting cell groups having the different area in a single chip. The lower a forward voltage level driven, the larger area the light emitting cell groups can have, thus, the light emitting cell groups form generally uniform brightness by being arranged closed to the center of the light emitting diode. Moreover, various size of surface light and the intensity of illumination can be formed by the standardized light emitting diode.

Description

발광 다이오드{LIGHT EMITTING DIODE}[0001] LIGHT EMITTING DIODE [0002]

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 하나의 발광 다이오드로 교류전압의 전압레벨에 따른 순차구동이 가능한 발광 다이오드에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode capable of sequentially driving according to the voltage level of an AC voltage with one light emitting diode.

단일의 칩 내에서 복수의 발광셀들을 직렬 연결함으로써, 고전압 하에서 구동할 수 있는 발광 다이오드에 대해 국제공개번호 WO2004/023568(A1)호에 "LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS"라는 제목으로 사카이 등(SAKAI et.al.)에 의해 개시된 바 있다.A light emitting diode capable of driving under a high voltage by serially connecting a plurality of light emitting cells in a single chip is disclosed in International Publication No. WO 2004/023568 (A1) entitled " LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS " Lt; RTI ID = 0.0 > SAKAI et al. ≪ / RTI >

일반적으로 복수의 발광셀들이 직렬 연결된 발광 다이오드는 복수 개가 구비되어 교류구동 조명장치를 구성한다.In general, a plurality of light emitting diodes in which a plurality of light emitting cells are connected in series form an AC driving light device.

그러나 일반적인 교류구동 조명장치는 입력된 교류전압의 크기에 따라 복수의 구동구간 동안 순차 구동됨에 있어서, 각각의 구동구간 동안 적어도 하나 이상의 발광 다이오드를 구비해야 한다. 그리고 비교적 낮은 교류전압에서 구동되는 발광 다이오드는 일정한 구동 전류를 유지해야 하므로 높은 교류전압에서 구동되는 발광 다이오드에 비해 개수가 많아져야 한다. 즉, 일반적은 교류구동 조명장치는 발광 다이오드의 개수를 줄이는데 한계가 있다.
However, in general AC driving lighting devices, at least one light emitting diode must be provided for each driving period in order to be sequentially driven for a plurality of driving periods according to the magnitude of the inputted AC voltage. In addition, the light emitting diodes driven at a relatively low AC voltage must maintain a constant driving current, so that the number of LEDs must be larger than that of light emitting diodes driven at a high AC voltage. That is, a general AC driving illumination device has a limitation in reducing the number of light emitting diodes.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 광 효율을 유지하면서 발광 다이오드 패키지의 개수를 줄일 수 있는 조명장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a lighting device capable of reducing the number of light emitting diode packages while maintaining optical efficiency.

즉, 본 발명은, 조명장치의 전체 제조비용을 줄일 수 있는 조명장치를 제공하는 것이다.That is, the present invention provides a lighting device capable of reducing the overall manufacturing cost of the lighting device.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 높은 구동전압 구간에서 하나의 발광 다이오드 패키지만으로 순차구동할 수 있는 발광 다이오드 및 조명장치를 제공하는 것이다.
Another problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting diode and a lighting device capable of sequentially driving with only one light emitting diode package in a high driving voltage range.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 기판; 및 상기 기판 상에 위치하고, 복수의 발광셀이 직렬 접속된 적어도 둘 이상의 발광셀 그룹을 포함하며, 상기 둘 이상의 발광셀 그룹은 각각 개별 구동되고, 서로 절연되도록 일정 간격 이격되며, 서로 상이한 면적을 갖고, 상기 발광셀 그룹은, 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하고 상기 제1 반도체층이 노출되는 홈이 형성된 복수의 발광셀; 상기 제2 반도체층 상에 위치하는 제1 전극; 상기 제1 전극 및 제1 반도체층의 일부가 노출되도록 상기 복수의 발광셀을 덮는 절연층; 및 상기 노출된 제1 전극 및 제1 반도체층의 일부와 전기적으로 접속된 연결전극을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode comprising: a substrate; And at least two light emitting cell groups disposed on the substrate and having a plurality of light emitting cells connected in series, wherein the two or more light emitting cell groups are individually driven, are spaced apart from each other by a predetermined distance so as to be insulated from each other, The light emitting cell group includes a plurality of light emitting cells including a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer, and having grooves through which the first semiconductor layer is exposed; A first electrode located on the second semiconductor layer; An insulating layer covering the plurality of light emitting cells such that a part of the first electrode and the first semiconductor layer are exposed; And a connection electrode electrically connected to the exposed first electrode and a part of the first semiconductor layer.

여기서, 상기 적어도 둘 이상의 발광셀 그룹은, 복수의 발광셀이 직렬 접속된 제1 발광셀 그룹; 상기 제1 발광셀 그룹과 개별 구동되는 복수의 발광셀이 직렬 접속된 제2 발광셀 그룹; 및 상기 제1 및 제2 발광셀 그룹과 개별 구동되는 복수의 발광셀이 직렬 접속된 제3 발광셀 그룹이고, 상기 제1 발광셀 그룹은 상기 제2 및 제3 발광셀 그룹보다 넓은 면적을 가질 수 있다.Here, the at least two light emitting cell groups include a first light emitting cell group in which a plurality of light emitting cells are connected in series; A second light emitting cell group in which a plurality of light emitting cells independently driven from the first light emitting cell group are connected in series; And a plurality of light emitting cells driven independently of the first and second light emitting cell groups are connected in series, wherein the first light emitting cell group has a larger area than the second and third light emitting cell groups .

이때, 상기 제1 발광셀 그룹은 상기 제2 및 제3 발광셀 그룹 사이에 배치될 수 있고, 상기 제1 및 제2 발광셀 그룹은 서로 인접하게 배열될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 발광셀 그룹은 상기 발광 다이오드의 중심부와 인접하게 배열될 수 있다. 그리고 상기 제2 발광셀 그룹은 상기 제3 발광셀 그룹보다 넓은 면적을 갖을 수 있다.Here, the first light emitting cell group may be disposed between the second and third light emitting cell groups, the first and second light emitting cell groups may be arranged adjacent to each other, and the first and second light emitting cells The cell group may be arranged adjacent to the center of the light emitting diode. The second light emitting cell group may have a larger area than the third light emitting cell group.

또한, 상기 적어도 둘 이상의 발광셀 그룹은, 상기 제1 내지 제3 발광셀 그룹 및 상기 제1 내지 제3 발광셀 그룹과 상이한 면적을 갖는 제4 발광셀 그룹일 수 있다.The at least two light emitting cell groups may be a fourth light emitting cell group having a different area from the first to third light emitting cell groups and the first to third light emitting cell groups.

이때, 상기 제3 및 제4 발광셀 그룹은 상기 발광 다이오드의 양측 가장자리와 인접하게 배열될 수 있고, 상기 제1 내지 제4 발광셀 그룹은 서로 일정 간격 이격될 수 있다.In this case, the third and fourth light emitting cell groups may be arranged adjacent to both side edges of the light emitting diode, and the first to fourth light emitting cell groups may be spaced apart from each other by a predetermined distance.

그리고 상기 제2 발광셀 그룹은 상기 제1 및 제4 발광셀 그룹 사이에 배치될 수 있으며, 상기 제2 발광셀 그룹은 상기 제3 발광셀 그룹보다 넓은 면적을 갖고, 상기 제3 발광셀 그룹은 상기 제4 발광셀 그룹보다 넓은 면적을 가질 수 있다.And the second light emitting cell group may be disposed between the first and fourth light emitting cell groups, the second light emitting cell group may have a larger area than the third light emitting cell group, And may have a larger area than the fourth light emitting cell group.

한편, 상기 제1 발광셀 그룹은 상기 제2 발광셀 그룹보다 긴 발광 구간을 가질 수 있고, 상기 제2 발광셀 그룹은 상기 제3 발광셀 그룹보다 긴 발광 구간을 가질 수 있다. 그리고 상기 제3 발광셀 그룹은 상기 제4 발광셀 그룹보다 긴 발광 구간을 가질 수 있다.Meanwhile, the first light emitting cell group may have a longer light emitting period than the second light emitting cell group, and the second light emitting cell group may have a longer light emitting period than the third light emitting cell group. The third light emitting cell group may have a longer light emitting period than the fourth light emitting cell group.

그리고 상기 발광셀 그룹은 교류전원에 의해 구동되고, 상기 교류전원의 구동전압이 증가하면 상기 둘 이상의 발광셀 그룹 중 발광되는 발광셀 그룹의 수가 증가하며, 상기 교류전원의 구동전압이 감소하면 상기 둘 이상의 발광셀 그룹 중 발광되는 발광셀 그룹의 수가 감소할 수 있다.When the driving voltage of the AC power source is increased, the number of the light emitting cell groups to emit light increases among the two or more light emitting cell groups. When the driving voltage of the AC power source is decreased, The number of light emitting cell groups to be emitted among the light emitting cell groups can be reduced.

또한, 상기 제1 전극은, 상기 제2 반도체층과 오믹 컨택하는 오믹층 및 반사층을 포함할 수 있다.
The first electrode may include an ohmic layer and a reflective layer that are in ohmic contact with the second semiconductor layer.

본 발명에 의하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는 서로 상이한 면적을 갖는 복수의 발광셀 그룹이 단일 칩 상에 내장되고, 구동되는 순방향 전압레벨이 낮을수록 넓은 면적을 갖고, 발광 다이오드의 중심부에 인접하게 배열되어 전체적으로 균일한 휘도를 구현함과 동시에 규격화된 발광 다이오드에 의해 다양한 크기의 면광 및 조도를 구현할 수 있는 효과가 있다.
According to the present invention, a plurality of light emitting cell groups having different areas are embedded on a single chip, the light emitting diodes have a larger area as the forward voltage level to be driven is lower, The light emitting diodes are arranged adjacently to the central portion to realize a uniform luminance as a whole and at the same time, various sizes of surface light and illuminance can be realized by the standardized light emitting diodes.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 구동장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 발광셀들을 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 I-I'라인을 따라 절단한 발광 다이오드를 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 조명장치에서 구동전압에 따른 4단 구동구간에 따른 발광셀들의 구동전류의 관계를 나타낸 파형도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 조명 장치에 적용한 예를 도시한 분해사시도이다.FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a light emitting diode driving apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
2 is a plan view illustrating a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view illustrating light emitting cells of a light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode taken along line I-I 'of FIG.
5 is a waveform diagram showing a relationship of driving currents of light emitting cells according to a driving voltage in a four-stage driving period in the lighting apparatus of the present invention.
6 is an exploded perspective view illustrating an example in which a light emitting diode according to an embodiment of the present invention is applied to a lighting apparatus.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

용어 '제1 순방향 전압 레벨(Vf1)'은 제1 발광셀 그룹을 구동할 수 있는 임계 전압레벨을 의미하며, 용어 '제2 순방향 전압 레벨(Vf2)'은 직렬로 연결된 제1 및 제2 발광셀 그룹을 구동할 수 있는 임계 전압레벨을 의미하고, 용어 '제3 순방향 전압 레벨(Vf3)'은 직렬로 연결된 제1 내지 제3 발광셀 그룹을 구동할 수 있는 임계 전압레벨을 의미한다. 즉, '제n 순방향 전압 레벨(Vfn)'은 직렬로 연결된 제1 내지 제n 발광셀 그룹들을 구동할 수 있는 임계 전압레벨을 의미한다. 한편, 발광소자 그룹별 순방향 전압레벨은 발광셀 그룹을 구성하는 발광소자들의 수/특성에 따라 동일하거나, 또는 상이할 수 있다.The term "first forward voltage level (Vf1)" means a threshold voltage level capable of driving the first light emitting cell group, and the term "second forward voltage level (Vf2)" means a first and a second Refers to a threshold voltage level capable of driving a cell group, and the term 'third forward voltage level Vf3' means a threshold voltage level capable of driving first through third light emitting cell groups connected in series. That is, 'nth forward voltage level (Vfn)' means a threshold voltage level capable of driving first through nth light emitting cell groups connected in series. On the other hand, the forward voltage level of each light emitting element group may be the same or different depending on the number / characteristics of the light emitting elements constituting the light emitting cell group.

또한, 용어 '순차구동 방식'란, 시간에 따라 크기가 변화하는 교류전압(입력전압)을 받아 발광 다이오드를 구동하는 조명장치에 있어서, 교류전압이 정류된 구동전압의 증가에 따라 복수의 발광소자 그룹들을 순차적으로 발광시키고, 입력전압의 감소에 따라 복수의 발광소자 그룹들을 순차적으로 소등시키는 구동방식을 의미한다.The term " sequential driving method " refers to a method of driving a light emitting diode by receiving an alternating voltage (input voltage) whose magnitude changes with time, And sequentially turns off the plurality of light emitting element groups according to the decrease of the input voltage.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 구동장치의 구성을 도시한 도면이다.FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a light emitting diode driving apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 발광 다이오드(100) 구동장치는 교류전원, 정류부, 구동모듈, 발광 다이오드(100)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the LED driving apparatus of the present invention includes an AC power source, a rectifier, a driving module, and a light emitting diode (LED) 100.

발광 다이오드(100)는 복수의 발광셀 그룹을 포함한다. 예컨대, 발광 다이오드(100)는 제1 내지 제4 발광셀 그룹(110, 120, 130, 140)을 포함한다.The light emitting diode 100 includes a plurality of light emitting cell groups. For example, the light emitting diode 100 includes first to fourth light emitting cell groups 110, 120, 130, and 140.

정류부는 교류전원으로부터의 교류전압을 정류하여 구동전압을 생성하고, 생성된 구동전압을 출력한다. 정류부는 특별히 한정되지 않고, 전파 정류회로, 반파 정류회로 등 공지된 다양한 정류회로 중 하나가 이용될 수 있다. 예컨대, 정류부는 4개의 다이오드들로 구성된 브릿지 전파 정류회로일 수 있다.The rectifying section rectifies the AC voltage from the AC power source to generate a driving voltage, and outputs the generated driving voltage. The rectifying portion is not particularly limited, and any one of various known rectifying circuits such as a full-wave rectifying circuit, a half-wave rectifying circuit, and the like can be used. For example, the rectification section may be a bridge full wave rectification circuit composed of four diodes.

구동모듈은 구동전압을 이용하여 발광 다이오드(100)를 제어한다. 예컨대, 제1 구동모듈은 복수의 구간(제1 내지 제7 구간)동안 제1 내지 제4 발광셀 그룹(110, 120, 130, 140)을 순차 구동시킨다. 제1 구간은 정류부로부터 입력된 구동전압의 전압레벨이 제1 순방향 전압레벨과 제2 순방향 전압레벨 사이의 구간으로 정의되고, 제1 구간 동안 제1 전류경로만 연결되어 제1 발광셀 그룹(110)이 발광된다.The driving module controls the light emitting diode 100 using a driving voltage. For example, the first driving module sequentially drives the first to fourth light emitting cell groups 110, 120, 130, and 140 during a plurality of sections (first to seventh sections). In the first period, the voltage level of the driving voltage input from the rectifying unit is defined as a period between the first forward voltage level and the second forward voltage level, and only the first current path is connected during the first period, Is emitted.

또한, 제2 구간은 정류부로부터 입력된 구동전압의 전압레벨이 제2 순방향 전압레벨과 제3 순방향 전압레벨 사이의 구간으로 정의되고, 제2 구간 동안 제2 전류경로가 연결되어 제1 및 제2 발광셀 그룹(110, 120)이 발광된다.In the second period, the voltage level of the driving voltage input from the rectifying section is defined as a section between the second forward voltage level and the third forward voltage level, and the second current path is connected during the second section, The light emitting cell groups 110 and 120 emit light.

그리고 제3 구간은 정류부로부터 입력된 구동전압의 전압레벨이 제3 순방향 전압레벨과 제4 순방향 전압레벨 사이의 구간으로 정의되고, 제3 구간 동안 제3 전류경로가 연결되어 제1 내지 제3 발광셀 그룹(110, 120, 130)이 발광된다.In the third period, the voltage level of the driving voltage input from the rectifying part is defined as a period between the third forward voltage level and the fourth forward voltage level, and the third current path is connected during the third period, The cell groups 110, 120, and 130 emit light.

제4 구간은 정류부로부터 입력된 구동전압의 전압레벨이 제4 순방향 전압레벨 이상의 구간으로 정의되고, 제 4구간 동안 제4 전류경로가 연결되어 제1 내지 제4 발광셀 그룹(110, 120, 130, 140)들이 발광된다.In the fourth period, the voltage level of the driving voltage input from the rectifying unit is defined as a period longer than the fourth forward voltage level, and the fourth current path is connected during the fourth period to form the first to fourth light emitting cell groups 110, 120, , 140 are emitted.

또한, 제5 구간은 정류부로부터 입력된 구동전압의 전압레벨이 제4 순방향 전압레벨과 제3 순방향 전압레벨 사이의 구간으로 정의되고, 제5 구간 동안 제3 전류경로가 연결되어 제1 내지 제3 발광셀 그룹(110, 120, 130)이 발광된다.In the fifth period, the voltage level of the driving voltage inputted from the rectifying portion is defined as a period between the fourth forward voltage level and the third forward voltage level, and the third current path is connected during the fifth period, The light emitting cell groups 110, 120, and 130 emit light.

그리고 제6 구간은 정류부로부터 입력된 구동전압의 전압레벨이 제3 순방향 전압레벨과 제2 순방향 전압레벨 사이의 구간으로 정의되고, 제6 구간 동안 제2 전류경로가 연결되어 제1 및 제2 발광셀 그룹(110, 120)이 발광된다.In the sixth period, the voltage level of the driving voltage inputted from the rectifying portion is defined as a period between the third forward voltage level and the second forward voltage level, and the second current path is connected during the sixth period, The cell groups 110 and 120 emit light.

제7 구간은 정류부로부터 입력된 구동전압의 전압레벨이 제2 순방향 전압레벨과 제1 순방향 전압레벨 사이의 구간으로 정의되고, 제7 구간 동안 제1 전류경로만 연결되어 제1 발광셀 그룹(110)이 발광된다.In the seventh section, the voltage level of the driving voltage inputted from the rectifying section is defined as a section between the second forward voltage level and the first forward voltage level, and only the first current path is connected during the seventh section, Is emitted.

여기서 제1 및 제7 구간은 제1 단 구동구간으로 정의할 수 있고, 제2 및 제6 구간은 제2 단 구동구간으로 정의할 수 있으며, 제3 및 제5 구간은 제3 단 구동구간으로 정의할 수 있다. 그리고 제4 구간은 제4 단 구동구간으로 정의할 수 있다. 이때, 제1 내지 제4 발광셀 그룹(110, 120, 130, 140)은 각각 상이한 순방향 전압 레벨을 가질 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제4 발광셀 그룹(110, 120, 130, 140)들이 각각 상이한 수의 발광셀을 포함하는 경우, 서로 상이한 순방향 전압 레벨을 가진다.Here, the first and seventh sections may be defined as a first section driving section, the second and sixth sections may be defined as a second section driving section, and the third and fifth sections may be defined as a third section driving section Can be defined. And the fourth section may be defined as the fourth section driving section. At this time, the first to fourth light emitting cell groups 110, 120, 130, and 140 may have different forward voltage levels. For example, when the first to fourth light emitting cell groups 110, 120, 130, and 140 each include a different number of light emitting cells, they have different forward voltage levels.

본 발명의 발광 다이오드(100)는 단일 칩 상에 제1 내지 제4 발광셀 그룹(110, 120, 130, 140)을 일체로 내장하여 전체적으로 균일한 휘도를 구현함과 동시에 규격화된 단일 발광 다이오드(100)에 의해 다양한 크기의 면광 및 조도를 구현할 수 있는 장점이 있다.The light emitting diode 100 of the present invention integrates the first to fourth light emitting cell groups 110, 120, 130, and 140 on a single chip to realize a uniform luminance as a whole, 100), it is possible to realize various sizes of plane light and roughness.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드(100)를 도시한 평면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드(100)의 발광셀들을 도시한 평면도이고, 도 4는 도 3의 I-I'라인을 따라 절단한 발광 다이오드(100)를 도시한 단면도이다.2 is a plan view showing a light emitting diode 100 according to an embodiment of the present invention. 3 is a plan view showing light emitting cells of a light emitting diode 100 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode 100 taken along a line I-I 'of FIG. 3 .

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드(100)는 순차구동 방식으로 개별 구동되는 제1 내지 제4 발광셀 그룹(110, 120, 130, 140)을 포함한다. 여기서, 제1 내지 제4 발광셀 그룹(110, 120, 130, 140)은 도 1의 제1 내지 제4 발광셀 그룹(110, 120, 130, 140)과 대응될 수 있다.2, the light emitting diode 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes first through fourth light emitting cell groups 110, 120, 130, and 140 individually driven in a sequential driving manner. Here, the first to fourth light emitting cell groups 110, 120, 130, and 140 may correspond to the first to fourth light emitting cell groups 110, 120, 130, and 140 of FIG.

제1 내지 제4 발광셀 그룹(110, 120, 130, 140)은 서로 상이한 면적을 갖는다. 제1 발광셀 그룹(110)은 제2 발광셀 그룹(120)보다 넓은 면적을 갖고, 제2 발광셀 그룹(120)은 제3 발광셀 그룹(130)보다 넓은 면적을 갖으며, 제3 발광 그룹은 제4 발광셀 그룹(140)보다 넓은 면적을 갖는다.The first to fourth light emitting cell groups 110, 120, 130, and 140 have different areas. The first light emitting cell group 110 has a wider area than the second light emitting cell group 120, the second light emitting cell group 120 has a wider area than the third light emitting cell group 130, Group has a larger area than the fourth light emitting cell group 140.

제1 및 제2 발광셀 그룹(110, 120)은 발광 다이오드(100)의 중심부와 인접하게 배열되고, 제3 및 제4 발광셀 그룹(130, 140)은 발광 다이오드(100)의 가장자리에 인접하게 각각 배열된다. 보다 구체적으로, 제2 및 제3 발광셀 그룹(120, 130) 사이에 제1 발광셀 그룹(110)이 위치하고, 제1 및 제4 발광셀 그룹(110, 140) 사이에 제2 발광셀 그룹(120)이 위치하며, 제1 및 제2 발광셀 그룹(110, 120)은 서로 인접하게 배열된다.The first and second light emitting cell groups 110 and 120 are arranged adjacent to the center of the light emitting diode 100 and the third and fourth light emitting cell groups 130 and 140 are adjacent to the edge of the light emitting diode 100 Respectively. More specifically, the first light emitting cell group 110 is positioned between the second and third light emitting cell groups 120 and 130, and the second light emitting cell group 110 is disposed between the first and fourth light emitting cell groups 110 and 140. And the first and second light emitting cell groups 110 and 120 are arranged adjacent to each other.

발광 다이오드(100)는 제1 발광셀 그룹(110)부터 제4 발광셀 그룹(140)으로 순차적으로 구동될 수 있고, 발광 다이오드(100)의 중심영역부터 광이 발광되므로 외관 품질을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.The light emitting diode 100 can be sequentially driven from the first light emitting cell group 110 to the fourth light emitting cell group 140 and the light is emitted from the central region of the light emitting diode 100, There is an advantage.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드(100)는 서로 상이한 크기의 제1 내지 제4 발광셀 그룹(110, 120, 130, 140)을 포함한다.3 and 4, the light emitting diode 100 according to an embodiment of the present invention includes first through fourth light emitting cell groups 110, 120, 130, and 140 having different sizes.

제1 내지 제4 발광셀 그룹(110, 120, 130, 140)은 서로 상이한 면적을 갖는데, 제1 발광셀 그룹(110)은 제2 발광셀 그룹(120)보다 넓은 면적으로 갖고, 제2 발광셀 그룹(120)은 제3 발광셀 그룹(130)보다 넓은 면적을 갖으며, 제3 발광셀 그룹(130)은 제4 발광셀 그룹(140)보다 넓은 면적을 갖는다.The first to fourth light emitting cell groups 110, 120, 130, and 140 have different areas from each other. The first light emitting cell group 110 has a wider area than the second light emitting cell group 120, The cell group 120 has a wider area than the third light emitting cell group 130 and the third light emitting cell group 130 has a wider area than the fourth light emitting cell group 140.

제1 및 제2 발광셀 그룹(110, 120)은 발광 다이오드(100)의 중심부와 인접하게 배열되고, 제3 및 제4 발광셀 그룹(130, 140)은 발광 다이오드(100)의 가장자리에 인접하게 배열된다. 보다 구체적으로 제2 및 제3 발광셀 그룹(120, 130) 사이에 제1 발광셀 그룹(110)이 위치하고, 제1 및 제4 발광셀 그룹(110, 140) 사이에 제2 발광셀 그룹(120)이 위치하며, 제1 및 제2 발광셀 그룹(110, 120)은 서로 인접하게 배열된다.The first and second light emitting cell groups 110 and 120 are arranged adjacent to the center of the light emitting diode 100 and the third and fourth light emitting cell groups 130 and 140 are adjacent to the edge of the light emitting diode 100 . More specifically, the first light emitting cell group 110 is positioned between the second and third light emitting cell groups 120 and 130, and the second light emitting cell group 110 is disposed between the first and fourth light emitting cell groups 110 and 140. [ 120 are positioned, and the first and second light emitting cell groups 110 and 120 are arranged adjacent to each other.

발광 다이오드(100)는 제1 발광셀 그룹(110)부터 제4 발광셀 그룹(140)으로 순차적으로 구동되도록 구성될 수 있고, 발광 다이오드(100)의 중심영역부터 빛이 발광되므로 발광 다이오드(100)의 외관 품질을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.The light emitting diode 100 may be sequentially driven from the first light emitting cell group 110 to the fourth light emitting cell group 140 and light may be emitted from the central region of the light emitting diode 100, ) Can be improved.

제1 내지 제4 발광셀 그룹(110, 120, 130, 140)은 제1 방향으로 서로 일정 간격만큼 이격될 수 있고, 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 다수의 발광셀들이 전기적으로 연결된 구조를 갖는다. 제1 내지 제4 발광셀 그룹(110, 120, 130, 140) 사이에는 식각공정을 통해 기판이 노출될 수 있고, 제1 내지 제4 발광셀 그룹(110, 120, 130, 140)은 서로 절연된 상태로 제조될 수 있다.The first to fourth light emitting cell groups 110, 120, 130, and 140 may be spaced apart from each other by a predetermined distance in a first direction, and may include a plurality of light emitting cells electrically connected in a second direction perpendicular to the first direction. . The substrate may be exposed through the etching process between the first to fourth light emitting cell groups 110, 120, 130, and 140, and the first to fourth light emitting cell groups 110, 120, 130, As shown in FIG.

일례로, 도 4를 참조하여, 제4 발광셀 그룹(140)에 대해 설명하면, 제3 발광셀 그룹은 기판, 복수의 발광셀, 제1 전극(127), 제1 절연층(131), 제2 절연층(133), 제3 절연층(135), 연결전극(129), 제1 상부전극(171) 및 제2 상부전극(173)을 포함한다.Referring to FIG. 4, the fourth light emitting cell group 140 includes a substrate, a plurality of light emitting cells, a first electrode 127, a first insulating layer 131, A second insulating layer 133, a third insulating layer 135, a connecting electrode 129, a first upper electrode 171, and a second upper electrode 173.

기판은 사파이어, 실리콘 카바이드 또는 GaN의 재질을 가질 수 있으며, 형성되는 박막의 성장을 유도할 수 있는 재질이라면 어느 것이나 사용가능할 것이다.The substrate may have a material of sapphire, silicon carbide, or GaN, and any material capable of inducing growth of the formed thin film may be used.

복수의 발광셀은 기판 위에 형성되고, 제1 도전형 반도체층(124), 활성층(126) 및 제2 도전형 반도체층(125)을 포함한다. 이때, 제1 도전형 반도체층(124)은 n형 도전형을 가질 수 있고, 활성층(126)은 다중 양자 우물 구조를 가질 수 있으며, 활성층(126) 상에 제2 도전형 반도체층(125)이 형성된다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 도전형 반도체층(124)이 n형 도전형을 가지면 제2 도전형 반도체층(125)은 p형 도전형을 가질 수 있다. 도시하지 않았으나, 필요에 따라 기판과 제1 도전형 반도체층(124) 사이에 단결정 성장을 용이하게 하도록 버퍼층(미도시)이 추가로 형성될 수 있다.The plurality of light emitting cells are formed on the substrate and include a first conductivity type semiconductor layer 124, an active layer 126, and a second conductivity type semiconductor layer 125. The active layer 126 may have a multiple quantum well structure. The active layer 126 may include a second conductive semiconductor layer 125 on the active layer 126, . In one embodiment of the present invention, if the first conductivity type semiconductor layer 124 has an n-type conductivity, the second conductivity type semiconductor layer 125 may have a p-type conductivity. Although not shown, a buffer layer (not shown) may be additionally formed to facilitate single crystal growth between the substrate and the first conductivity type semiconductor layer 124, if necessary.

또한, 복수의 발광셀은 일 방향으로 일정 간격 이격된 상태로 서로 분리된 구조를 가지며, 이때, 분리된 구조는 제1 도전형 반도체층(124)까지 식각되어 인접한 발광셀 각각이 서로 이격될 수 있다. 그리고 복수의 발광셀 각각은 식각 공정을 통해 발광셀 중심부에서 제1 도전형 반도체층(124)의 일부가 노출되도록 홈이 형성될 수 있다.In addition, the plurality of light emitting cells may be separated from each other by a predetermined distance in one direction. At this time, the separated structure may be etched to the first conductivity type semiconductor layer 124, have. Each of the plurality of light emitting cells may be etched to expose a portion of the first conductivity type semiconductor layer 124 at the center of the light emitting cell through the etching process.

제1 전극(127)은 제2 도전형 반도체층(125) 상에 형성될 수 있다. 제1 전극(127)은 오믹층과 반사층을 포함할 수 있고, 오믹층은 금속이나 투명전극층으로 형성될 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(125)과의 오믹 컨택할 수 있는 금속은 어느 것이 적용할 수 있다. 그리고 반사층은 Ag나 Al 등의 금속을 포함할 수 있다.The first electrode 127 may be formed on the second conductive semiconductor layer 125. The first electrode 127 may include an ohmic layer and a reflective layer, the ohmic layer may be formed of a metal or a transparent electrode layer, and any metal capable of ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 125 may be used. Can be applied. The reflective layer may include a metal such as Ag or Al.

제1 절연층(131)은 복수의 발광셀 및 노출된 기판을 덮도록 형성된다. 제1 절연층(131)은 제2 도전형 반도체층(125) 상에 오믹층 및 반사층이 형성될 때, 메사 경계면에 오믹층 및 반사층이 증착되지 않도록 보호하는 역할을 한다. 이때, 제1 절연층(131)의 두께는 약 1000Å일 수 있다.The first insulating layer 131 is formed to cover the plurality of light emitting cells and the exposed substrate. The first insulating layer 131 protects the ohmic layer and the reflective layer from being deposited on the mesa interface when the ohmic layer and the reflective layer are formed on the second conductive type semiconductor layer 125. At this time, the thickness of the first insulating layer 131 may be about 1000 Å.

제2 절연층(133)은 제1 절연층(131)을 덮고, 오믹층, 반사층이 포함된 제1 전극(127)의 일부 및 노출된 제1 도전형 반도체층(124)의 일부를 덮는다. 이때, 제1 및 제2 절연층(131, 133)은 노출된 제1 도전형 반도체층(124)의 일부를 덮어, 연결전극(129)이 제1 도전형 반도체층(124)에 접촉할 수 있다.The second insulating layer 133 covers the first insulating layer 131 and covers a part of the first electrode 127 including the ohmic layer and the reflective layer and a part of the exposed first conductive semiconductor layer 124. At this time, the first and second insulating layers 131 and 133 cover a part of the exposed first conductivity type semiconductor layer 124, so that the connection electrode 129 can contact the first conductivity type semiconductor layer 124 have.

연결전극(129)은 인접한 발광셀들을 전기적으로 연결시키는 역할을 한다. 구체적으로 연결전극(129)은 일 측에 위치한 발광셀 상에 노출된 제1 전극(127)과 타 측에 위치한 발광셀의 중심부에 노출된 제1 도전형 반도체층(124)을 전기적으로 연결시킨다. 즉, 연결전극(129)은 발광셀의 중심부에 형성된 홈의 메사 경계면을 덮는 제1 및 제2 절연층(131, 133)이 제1 도전형 반도체층(124)의 일부를 덮지 않는 부분을 연결전극(129)이 메우면서 제1 도전형 반도체층(124)과 접촉된다. 그에 따라 연결전극(129)은 제2 절연층(133), 노출된 제1 전극(127) 및 노출된 제1 도전형 반도체층(124)을 덮는다.The connection electrode 129 electrically connects adjacent light emitting cells. Specifically, the connection electrode 129 electrically connects the first electrode 127 exposed on the light emitting cell located at one side and the first conductive semiconductor layer 124 exposed at the center of the light emitting cell located at the other side . That is, the connection electrode 129 connects the portion where the first and second insulating layers 131 and 133, which cover the mesa interface of the groove formed in the central portion of the light emitting cell, do not cover a part of the first conductivity type semiconductor layer 124 The electrode 129 is contacted with the first conductivity type semiconductor layer 124 while filling up. Accordingly, the connection electrode 129 covers the second insulating layer 133, the exposed first electrode 127, and the exposed first conductive semiconductor layer 124.

제3 절연층(135)은 연결전극(129)을 덮고, 복수의 발광셀 중 일 측에 위치한 제1 전극(127)의 일부를 노출시키고, 타 측에 위치한 연결전극(129)의 일부를 노출시키도록 복수의 발광셀을 덮는다.The third insulating layer 135 covers the connection electrode 129 and exposes a part of the first electrode 127 located on one side of the plurality of light emitting cells and part of the connection electrode 129 located on the other side is exposed A plurality of light emitting cells are covered.

제1 및 제2 상부전극(171, 173)은 제3 절연층(135) 상에 위치하고, 제1 상부전극(171)은 복수의 발광셀 일 측에 노출된 제1 전극(127)과 전기적으로 접속되며, 제2 상부전극(173)은 복수의 발광셀 타 측에 노출된 연결전극(129)과 전기적으로 접속된다.The first and second upper electrodes 171 and 173 are located on the third insulating layer 135 and the first upper electrode 171 is electrically connected to the first electrode 127 exposed on one side of the plurality of light emitting cells And the second upper electrode 173 is electrically connected to the connection electrode 129 exposed on the other side of the plurality of light emitting cells.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드(100)는 서로 상이한 면적을 갖는 제1 내지 제4 발광셀 그룹(110, 120, 130, 140)이 단일 칩 상에 내장되고, 구동되는 순방향 전압레벨이 낮을수록 넓은 면적을 갖으며, 발광 다이오드(100)의 중심부에 인접하게 배열됨에 따라 전체적으로 균일한 휘도를 구현할 뿐만 아니라, 규격화된 발광 다이오드(100)에 의해 다양한 크기의 면광 및 조도를 구현할 수 있는 장점이 있다.The light emitting diode 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes first to fourth light emitting cell groups 110, 120, 130 and 140 having different areas on a single chip, The light emitting diode 100 has a wide area and is arranged adjacent to the central portion of the light emitting diode 100 to realize a uniformly uniform brightness and to realize various sizes of light and illumination by the standardized light emitting diode 100 .

도 5는 본 발명의 조명장치에서 구동전압에 따른 4단 구동구간에 따른 발광셀들의 구동전류의 관계를 나타낸 파형도이다.5 is a waveform diagram showing a relationship of driving currents of light emitting cells according to a driving voltage in a four-stage driving period in the lighting apparatus of the present invention.

발광 다이오드의 제1 발광셀 그룹은 입력된 구동전압(VP)이 제1 순방향 전압 레벨(Vf1)에 도달하는 시점(t1)에서 제1 구동전류(ILED1)에 의해 구동된다.The first light emitting cell group of the light emitting diode is driven by the first driving current I LED1 at a time t1 when the input driving voltage V P reaches the first forward voltage level Vf1.

제2 발광셀 그룹은 구동전압(VP)의 전압레벨이 더 상승하여 제2 순방향 전압레벨(Vf2)에 도달하는 시점(t2)부터 제2 구동전류(ILED2)에 의해 구동된다. 이때, 제1 발광셀 그룹은 구동전압(VP)이 제1 순방향 전압레벨(Vf1) 이상이므로 구동상태를 유지한다.The second light emitting cell group is driven by the second driving current I LED2 from the time point t2 when the voltage level of the driving voltage V P further rises to reach the second forward voltage level Vf2. At this time, the first light emitting cell group maintains the driving state since the driving voltage V P is higher than the first forward voltage level Vf1.

제3 발광셀 그룹은 구동전압(VP)의 전압레벨이 더 상승하여 제3 순방향 전압 레벨(Vf3)에 도달하는 시점(t3)에서 제3 구동전류(ILED3)에 의해 구동된다. 이때, 제1 및 제2 발광셀 그룹은 구동전압(VP)이 제2 순방향 전압레벨(Vf2) 이상이므로 구동상태를 유지한다.The third light emitting cell group is driven by the third driving current I LED3 at the time t3 when the voltage level of the driving voltage V P further rises to reach the third forward voltage level Vf3. At this time, the first and second light emitting cell groups maintain the driving state because the driving voltage V P is equal to or higher than the second forward voltage level Vf2.

제4 발광셀 그룹은 구동전압(VP)의 전압레벨이 더 상승하여 제4 순방향 전압 레벨(Vf4)에 도달하는 시점(t4)부터 제4 구동전류(ILED4)에 의해 구동된다. 이때, 제1 내지 제3 발광셀 그룹은 구동전압(VP)이 제3 순방향 전압레벨(Vf3) 이상이므로 구동상태를 유지한다.The fourth light emitting cell group is driven by the fourth driving current I LED4 from the time point t4 when the voltage level of the driving voltage V P further rises to reach the fourth forward voltage level Vf4. At this time, the first to third light emitting cell groups maintain the driving state since the driving voltage V p is equal to or higher than the third forward voltage level Vf3.

그리고 제4 발광셀 그룹은 시간의 경과에 따라 구동전압(VP)이 최대값에 도달한 후 전압레벨이 하강하여 제4 순방향 전압레벨(Vf4) 미만이 되는 시점(t5)에서 구동이 정지되며, 제1 내지 제3 발광셀 그룹은 구동전압(VP)이 제3 순방향 전압레벨(Vf3) 이상이므로 구동상태를 유지한다.Then, the driving of the fourth light emitting cell group is stopped at time t5 when the driving voltage Vp reaches the maximum value with the lapse of time and then the voltage level falls and becomes less than the fourth forward voltage level Vf4 , The first to third light emitting cell groups maintain the driving state since the driving voltage V P is equal to or higher than the third forward voltage level Vf3.

제3 발광셀 그룹은 시간의 경과에 따라 구동전압(VP)의 전압레벨이 하강하여 제3 순방향 전압레벨(Vf3) 미만이 되는 시점(t6)에서 구동이 정지되며, 제1 및 제2 발광셀 그룹은 구동전압(VP)이 제2 순방향 전압레벨(Vf2) 이상이므로 구동상태를 유지한다.The driving of the third light emitting cell group is stopped at a time t6 when the voltage level of the driving voltage V P falls and becomes less than the third forward voltage level Vf3 with the lapse of time, The cell group maintains the driving state since the driving voltage V P is equal to or higher than the second forward voltage level Vf2.

제2 발광셀 그룹은 시간의 경과에 따라 구동전압(VP)의 전압레벨이 하강하여 제2 순방향 전압레벨(Vf2) 미만이 되는 시점(t7)에서 구동이 정지되며, 제1 발광셀 그룹은 구동전압(VP)이 제1 순방향 전압레벨(Vf2) 이상이므로 구동상태를 유지한다.The driving of the second light emitting cell group is stopped at a time t7 when the voltage level of the driving voltage V P falls and becomes less than the second forward voltage level Vf2 with the lapse of time, Since the driving voltage V P is equal to or higher than the first forward voltage level Vf2, the driving state is maintained.

상기와 같이, 본 발명의 일 실시예에서 4단 구동구간을 일례를 들어 설명한 것이고, 단일 칩에 내장된 제1 내지 제4 발광셀 그룹은 순차 구동되므로 균일한 휘도를 구현할 수 있고, 동시에 규격화된 발광 다이오드에 의해 다양한 크기의 면광 및 조도를 구현할 수 있다.As described above, in the exemplary embodiment of the present invention, the four-stage driving period is described as an example. Since the first through fourth light emitting cell groups included in a single chip are sequentially driven, a uniform luminance can be realized, Light emitting diodes can realize various sizes of surface light and illumination.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 조명 장치에 적용한 예를 도시한 분해사시도이다.6 is an exploded perspective view illustrating an example in which a light emitting diode according to an embodiment of the present invention is applied to a lighting apparatus.

도 6을 참조하면, 본 실시예에 다른 조명장치는 확산커버(1010), 발광 다이오드 모듈(1020) 및 바디부(1030)를 포함한다.Referring to FIG. 6, the illumination device according to the present embodiment includes a diffusion cover 1010, a light emitting diode module 1020, and a body part 1030.

바디부(1030)는 발광 다이오드 모듈(1020)을 수용할 수 있고, 확산커버(1010)는 발광 다이오드 모듈(1020)의 상부를 커버할 수 있도록 바디부(1030) 상에 배치될 수 있다.The body 1030 may receive the light emitting diode module 1020 and the diffusion cover 1010 may be disposed on the body 1030 to cover the upper portion of the light emitting diode module 1020.

바디부(1030)는 발광 다이오드 모듈(1020)을 수용하고 지지하며, 발광 다이오드 모듈(1020)에 전원을 공급할 수 있는 형태이면 어떤 형태이든 제한되지 않는다. 일례로, 도시된 바와 같이, 바디부(1030)는 바디케이스(1031), 전원공급 장치(1033), 전원케이스(1035) 및 전원 접속부(1037)를 포함할 수 있다.The body part 1030 accommodates and supports the light emitting diode module 1020 and is not limited in any form as long as it can supply power to the light emitting diode module 1020. For example, as shown, the body portion 1030 may include a body case 1031, a power supply 1033, a power supply case 1035, and a power connection 1037.

이때, 전원공급 장치(1033)는 전원케이스(1035) 내에 수용되어 발광 다이오드 모듈(1020)과 전기적으로 연결되고, 적어도 하나의 IC 칩을 포함할 수 있다. IC 칩은 발광 다이오드 모듈(1020)로 공급되는 전원의 특성을 조절, 변환 또는 제어할 수 있다.At this time, the power supply unit 1033 may be accommodated in the power supply case 1035 and electrically connected to the light emitting diode module 1020, and may include at least one IC chip. The IC chip can control, convert or control the characteristics of the power supplied to the light emitting diode module 1020.

전원케이스(1035)는 전원공급 장치(1033)를 수용하여 지지할 수 있고, 전원공급 장치(1033)가 내부에 수용된 전원케이스(1035)는 바디케이스(1031) 내부에 위치할 수 있다.The power supply case 1035 can receive and support the power supply device 1033 and the power supply case 1035 in which the power supply device 1033 is housed can be located inside the body case 1031. [

전원 접속부(1037)는 전원케이스(1035)의 하단에 배치되며, 전원케이스(1035)와 결속될 수 있다. 이에 따라 전원 접속부(1037)는 전원케이스(1035) 내부의 전원공급 장치(1033)와 전기적으로 연결되어 외부 전원이 전원공급 장치(1033)에 공급될 수 있는 통로 역할을 할 수 있다.The power connection portion 1037 is disposed at the lower end of the power source case 1035 and can be coupled to the power source case 1035. [ The power connection unit 1037 may be electrically connected to the power supply unit 1033 in the power supply case 1035 so that external power may be supplied to the power supply unit 1033. [

발광 다이오드 모듈(1020)은 기판(1023) 및 기판(1023) 상에 배치된 발광 다이오드(1021)를 포함한다. 발광 다이오드 모듈(1020)은 바디케이tm 상부에 구비되며, 전원공급 장치(1033)와 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting diode module 1020 includes a substrate 1023 and a light emitting diode 1021 disposed on the substrate 1023. The light emitting diode module 1020 is provided on the upper part of the body k and may be electrically connected to the power supply unit 1033.

기판(1023)은 발광 다이오드(1021)를 지지할 수 있는 기판이면 제한되지 않고, 일례로, 배선을 포함하는 인쇄회로기판일 수 있다. 기판(1023)은 바디케이스(1031)에 안정적으로 고정될 수 있게 바디케이스(1031) 상부의 고정부에 대응하는 형태로 형성될 수 있다.The substrate 1023 is not limited as long as it can support the light emitting diode 1021, and may be, for example, a printed circuit board including wiring. The substrate 1023 may be formed in a shape corresponding to the fixed portion of the upper portion of the body case 1031 so as to be stably fixed to the body case 1031. [

확산커버(1010)는 발광 다이오드(1021) 상에 배치되고, 바디케이스(1031)에 고정되어 발광 다이오드(1021)를 커버할 수 있다. 확산커버(1010)는 투광성 재질로 제조될 수 있고, 확산커버(1010)의 형태 및 광 투과성을 조절하여 조명 장치의 지향 특성을 조절할 수 있다. 그에 따라 확산커버(1010)는 조명 장치의 이용 목적 및 적용 형태에 따라 다양한 형태로 변형될 수 있다.
The diffusion cover 1010 may be disposed on the light emitting diode 1021 and may be fixed to the body case 1031 to cover the light emitting diode 1021. [ The diffusion cover 1010 may be made of a light-transmissive material and may control the shape and the light transmittance of the diffusion cover 1010 to control the directivity characteristics of the illumination device. Accordingly, the diffusion cover 1010 can be modified into various forms depending on the purpose and application of the illumination device.

위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It should be understood that the scope of the present invention is to be understood as the scope of the following claims and their equivalents.

100: 발광 다이오드
110: 제1 발광셀 그룹 120: 제2 발광셀 그룹
130: 제3 발광셀 그룹 140: 제4 발광셀 그룹
124: 제1 도전형 반도체층 125: 제2 도전형 반도체층
126: 활성층 127: 제1 전극
129: 연결전극 131: 제1 절연층
133: 제2 절연층 135: 제3 절연층
171: 제1 상부전극 173: 제2 상부전극
1010: 확산커버 1020: 발광 다이오드 모듈
1021: 발광 다이오드 1023: 기판
1030: 바디부 1031: 바디케이스
1033: 전원공급 장치 1035: 전원케이스
1037: 전원 접속부100: Light emitting diode
110: first light emitting cell group 120: second light emitting cell group
130: third light emitting cell group 140: fourth light emitting cell group
124: first conductivity type semiconductor layer 125: second conductivity type semiconductor layer
126: active layer 127: first electrode
129: connecting electrode 131: first insulating layer
133: second insulation layer 135: third insulation layer
171: first upper electrode 173: second upper electrode
1010: diffusion cover 1020: light emitting diode module
1021: light emitting diode 1023: substrate
1030: Body part 1031: Body case
1033: Power supply 1035: Power supply case
1037: Power connection

Claims (16)

기판; 및
상기 기판 상에 위치하고, 복수의 발광셀이 직렬 접속된 적어도 둘 이상의 발광셀 그룹을 포함하며,
상기 둘 이상의 발광셀 그룹은 각각 개별 구동되고, 서로 절연되도록 일정 간격 이격되며, 서로 상이한 면적을 갖고,
상기 발광셀 그룹은,
제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하고 상기 제1 반도체층이 노출되는 홈이 형성된 복수의 발광셀;
상기 제2 반도체층 상에 위치하는 제1 전극;
상기 제1 전극 및 제1 반도체층의 일부가 노출되도록 상기 복수의 발광셀을 덮는 절연층; 및
상기 노출된 제1 전극 및 제1 반도체층의 일부와 전기적으로 접속된 연결전극을 포함하는 발광 다이오드.Board; And
At least two light emitting cell groups located on the substrate and having a plurality of light emitting cells connected in series,
The two or more light emitting cell groups are individually driven, are spaced apart from each other by a predetermined distance so as to be insulated from each other,
The light emitting cell group includes:
A plurality of light emitting cells including a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer and having grooves through which the first semiconductor layer is exposed;
A first electrode located on the second semiconductor layer;
An insulating layer covering the plurality of light emitting cells such that a part of the first electrode and the first semiconductor layer are exposed; And
And a connection electrode electrically connected to the exposed first electrode and a part of the first semiconductor layer. 청구항 1에 있어서,
상기 적어도 둘 이상의 발광셀 그룹은, 복수의 발광셀이 직렬 접속된 제1 발광셀 그룹; 상기 제1 발광셀 그룹과 개별 구동되는 복수의 발광셀이 직렬 접속된 제2 발광셀 그룹; 및 상기 제1 및 제2 발광셀 그룹과 개별 구동되는 복수의 발광셀이 직렬 접속된 제3 발광셀 그룹이고,
상기 제1 발광셀 그룹은 상기 제2 및 제3 발광셀 그룹보다 넓은 면적을 갖는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
The at least two light emitting cell groups include a first light emitting cell group in which a plurality of light emitting cells are connected in series; A second light emitting cell group in which a plurality of light emitting cells independently driven from the first light emitting cell group are connected in series; And a plurality of light emitting cells driven separately from the first and second light emitting cell groups are connected in series,
Wherein the first light emitting cell group has a larger area than the second and third light emitting cell groups. 청구항 2에 있어서,
상기 제1 발광셀 그룹은 상기 제2 및 제3 발광셀 그룹 사이에 배치된 발광 다이오드.The method of claim 2,
And the first light emitting cell group is disposed between the second and third light emitting cell groups. 청구항 2에 있어서,
상기 제1 및 제2 발광셀 그룹은 서로 인접하게 배열된 발광 다이오드.The method of claim 2,
Wherein the first and second light emitting cell groups are arranged adjacent to each other. 청구항 2에 있어서,
상기 제1 및 제2 발광셀 그룹은 상기 발광 다이오드의 중심부와 인접하게 배열된 발광 다이오드.The method of claim 2,
Wherein the first and second light emitting cell groups are arranged adjacent to a central portion of the light emitting diode. 청구항 2에 있어서,
상기 제2 발광셀 그룹은 상기 제3 발광셀 그룹보다 넓은 면적을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 2,
And the second light emitting cell group has a larger area than the third light emitting cell group. 청구항 2에 있어서,
상기 적어도 둘 이상의 발광셀 그룹은, 상기 제1 내지 제3 발광셀 그룹 및 상기 제1 내지 제3 발광셀 그룹과 상이한 면적을 갖는 제4 발광셀 그룹인 발광 다이오드.The method of claim 2,
Wherein the at least two light emitting cell groups are fourth light emitting cell groups having different areas from the first through third light emitting cell groups and the first through third light emitting cell groups. 청구항 7에 있어서,
상기 제3 및 제4 발광셀 그룹은 상기 발광 다이오드의 양측 가장자리와 인접하게 배열된 발광 다이오드.The method of claim 7,
And the third and fourth light emitting cell groups are arranged adjacent to both side edges of the light emitting diode. 청구항 7에 있어서,
상기 제1 내지 제4 발광셀 그룹은 서로 일정 간격 이격된 발광 다이오드.The method of claim 7,
Wherein the first to fourth light emitting cell groups are spaced apart from each other by a predetermined distance. 청구항 7에 있어서,
상기 제2 발광셀 그룹은 상기 제1 및 제4 발광셀 그룹 사이에 배치된 발광 다이오드.The method of claim 7,
And the second light emitting cell group is disposed between the first and fourth light emitting cell groups. 청구항 7에 있어서,
상기 제2 발광셀 그룹은 상기 제3 발광셀 그룹보다 넓은 면적을 갖고,
상기 제3 발광셀 그룹은 상기 제4 발광셀 그룹보다 넓은 면적을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 7,
The second light emitting cell group has a larger area than the third light emitting cell group,
And the third light emitting cell group has a larger area than the fourth light emitting cell group. 청구항 7에 있어서,
상기 제1 발광셀 그룹은 상기 제2 발광셀 그룹보다 긴 발광 구간을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 7,
Wherein the first light emitting cell group has a longer light emitting period than the second light emitting cell group. 청구항 7에 있어서,
상기 제2 발광셀 그룹은 상기 제3 발광셀 그룹보다 긴 발광 구간을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 7,
And the second light emitting cell group has a longer light emitting period than the third light emitting cell group. 청구항 7에 있어서,
상기 제3 발광셀 그룹은 상기 제4 발광셀 그룹보다 긴 발광 구간을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 7,
And the third light emitting cell group has a longer light emitting period than the fourth light emitting cell group. 청구항 1에 있어서,
상기 발광셀 그룹은 교류전원에 의해 구동되고,
상기 교류전원의 구동전압이 증가하면 상기 둘 이상의 발광셀 그룹 중 발광되는 발광셀 그룹의 수가 증가하며, 상기 교류전원의 구동전압이 감소하면 상기 둘 이상의 발광셀 그룹 중 발광되는 발광셀 그룹의 수가 감소하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
Wherein the light emitting cell group is driven by an AC power source,
As the driving voltage of the AC power source increases, the number of light emitting cell groups to emit light increases among the two or more light emitting cell groups. When the driving voltage of the AC power source decreases, the number of light emitting cell groups Lt; / RTI > 청구항 1에 있어서,
상기 제1 전극은, 상기 제2 반도체층과 오믹 컨택하는 오믹층 및 반사층을 포함하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
Wherein the first electrode includes an ohmic layer and a reflective layer which are in ohmic contact with the second semiconductor layer.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101895979B1 (en) * 2018-03-28 2018-09-06 현영길 Led luminaire integrated with led chip substrate
CN110036483A (en) * 2016-11-30 2019-07-19 首尔伟傲世有限公司 Light emitting diode with multiple luminescence units

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101865375B (en) * 2005-06-28 2013-03-13 首尔Opto仪器股份有限公司 Light-emitting device
KR100992743B1 (en) * 2008-12-26 2010-11-05 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device and method for fabricating the same
KR101601624B1 (en) * 2010-02-19 2016-03-09 삼성전자주식회사 Semiconductor light emitting device having a multi-cell array, light emitting module and illumination apparatus
TWI603650B (en) * 2012-07-18 2017-10-21 隆達電子股份有限公司 Light emitting chip and light emitting device having the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110036483A (en) * 2016-11-30 2019-07-19 首尔伟傲世有限公司 Light emitting diode with multiple luminescence units
CN110036483B (en) * 2016-11-30 2024-04-12 首尔伟傲世有限公司 Light emitting diode with multiple light emitting units
KR101895979B1 (en) * 2018-03-28 2018-09-06 현영길 Led luminaire integrated with led chip substrate

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