KR20160003714U - Wafer carrier having a multi-pocket configuration - Google Patents

Wafer carrier having a multi-pocket configuration Download PDF

Info

Publication number
KR20160003714U
KR20160003714U KR2020150006770U KR20150006770U KR20160003714U KR 20160003714 U KR20160003714 U KR 20160003714U KR 2020150006770 U KR2020150006770 U KR 2020150006770U KR 20150006770 U KR20150006770 U KR 20150006770U KR 20160003714 U KR20160003714 U KR 20160003714U
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pockets
wafer carrier
wafer
circles
arranged along
Prior art date
Application number
KR2020150006770U
Other languages
Korean (ko)
Inventor
그레리 알렉산더
데쉬판드 만다
파렉 아니루드
라스코브스키 율리
Original Assignee
비코 인스트루먼츠 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 filed Critical 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드
Publication of KR20160003714U publication Critical patent/KR20160003714U/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67383—Closed carriers characterised by substrate supports
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/205—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Abstract

34 개 내지 36개의 포켓들이 상부 표면에 배열된 웨이퍼 캐리어가 개시된다.A wafer carrier is disclosed wherein 34 to 36 pockets are arranged on the upper surface.

Description

멀티 포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어{WAFER CARRIER HAVING A MULTI-POCKET CONFIGURATION}[0001] WAFER CARRIER HAVING A MULTI-POCKET CONFIGURATION WITH MULTI-POCKET CONFIGURATION [0002]

본 고안은 반도체 제조 기술에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 고안은 공정이 진행되는 동안 반도체 웨이퍼를 유지하기 위한 화학적 기상 증착 공정 및 관련 장치에 관한 것이다.This invention relates to semiconductor manufacturing technology. More particularly, the present invention relates to a chemical vapor deposition process and related apparatus for holding a semiconductor wafer during a process.

발광 다이오드(Light-Emitting Diodes; LEDs) 또는 레이저 다이오드, 광학 검출기 및 전계 효과 트랜지스터와 같은 다른 고성능 디바이스의 제조에 있어서, 화학적 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD) 공정이 사파이어 기판 또는 실리콘 기판 상에 질화 갈륨과 같은 물질을 이용하여 박막 적층 구조를 성장시키기 위하여 일반적으로 이용되고 있다. CVD 장치는 밀폐 환경으로 공급된 가스가 기판 (일반적으로 웨이퍼의 형태임) 상에서 반응하여 박막들을 성장시키는 공정 챔버를 포함한다. 상기 제조 장치에 관한 현재의 생산 라인의 예로서, 미국 뉴욕주 플레인뷰에 위치한 비코 인스트루먼트(Veeco Instrument)社에서 제조되는 금속 유기 화학적 기상 증착(MOCVD) 시스템의 TurboDisck® 및 EPIK 패밀리를 들 수 있다.In the fabrication of other high performance devices such as light-emitting diodes (LEDs) or laser diodes, optical detectors and field effect transistors, a chemical vapor deposition (CVD) process is performed on a sapphire or silicon substrate And is generally used for growing a thin film laminated structure using a material such as gallium. A CVD apparatus includes a process chamber in which gases supplied in an enclosed environment react on a substrate (typically in the form of a wafer) to grow thin films. An example of a current production line for the manufacturing apparatus is TurboDisck (R) and EPIK family of metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) systems manufactured by Veeco Instrument, Plainview, New York, USA.

온도, 압력 및 가스 유량과 같은 수많은 공정 변수들이 제어되어 원하는 결정 성장을 이룰 수 있다. 서로 다른 박막들은 물질 및 공정 변수를 변화시킴으로써 성장될 수 있다. 예를 들면, Ⅲ-Ⅴ반도체 물질들과 같은 화합물 반도체로부터 형성된 소자들은 MOCVD를 이용한 화합물 반도체의 연속 박막들을 성장시킴으로써 형성될 수 있다. 상기 공정에 있어서, 웨이퍼들은, 상승한 온도에서 유지되는 동안, 웨이퍼의 표면 상으로 흐르는 Ⅲ족 금속의 소스로서 금속 유기 화합물을 전형적으로 포함하고 Ⅴ족 원소의 소스를 포함하는 가스들의 조합에 노출된다. 일반적으로 금속 유기 화합물 및 Ⅴ족 소스는 예를 들면 질소와 같은 반응에서 참가하지 않는 캐리어 가스와 함께 혼합된다. Ⅲ-Ⅴ반도체의 일 예인 질화 갈륨(gallium nitride)은, 예를 들면 사파이어 웨이퍼와 같은 적절한 결정 격자 간격을 갖는 기판 상에 유기 갈륨 화합물 및 암모니아의 반응에 의하여 형성될 수 있다. 상기 웨이퍼는 질화 갈륨 및 관련 화합물의 증착 공정 동안 1,000 내지 1,100°C의 범위의 온도로 흔히 유지된다.Numerous process parameters such as temperature, pressure and gas flow rate can be controlled to achieve the desired crystal growth. Different thin films can be grown by changing material and process parameters. For example, devices formed from compound semiconductors such as III-V semiconductor materials can be formed by growing continuous thin films of compound semiconductors using MOCVD. In this process, the wafers are exposed to a combination of gases, typically containing a metal organic compound as a source of Group III metal flowing over the surface of the wafer and containing a source of Group V elements, while being held at elevated temperatures. In general, the metal organic compound and the Group V source are mixed together with a carrier gas not participating in a reaction such as, for example, nitrogen. Gallium nitride, an example of a III-V semiconductor, can be formed by reaction of an organic gallium compound and ammonia on a substrate having an appropriate crystal lattice spacing such as a sapphire wafer. The wafer is often kept at a temperature ranging from 1,000 to 1,100 ° C during the deposition of gallium nitride and related compounds.

MOCVD 공정에서, 결정 성장은 기판 표면 상에 화학 반응에 의하여 발생하며, 공정 변수들은 특별한 주의를 통하여 제어되어야 요구 조건 하에서 화학 반응이 진행되는 것을 확보할 수 있다. 상기 공정 조건에서 아주 작은 변화가 소자의 특성 및 생산 효율에 악영향을 줄 수 있다. 예를 들면, 질화 갈륨 및 질화 인듐 박막이 형성될 경우, 반도체 표면 온도의 변화가 조성 및 증착막의 밴드갭의 변화를 야기할 수 있다. 인듐은 상대적으로 높은 기압을 가짐에 따라, 증착막의 경우 표면온도가 높은 웨이퍼의 영역들에서는 낮은 인듐의 비율 및 높은 밴드갭을 가질 수 있다. 만약 증착막이 활성막, 엘이디 구조의 발광막일 경우, 상기 웨이퍼 상에 형성되는 엘이디의 발광 파장 또한 받아들이기 어려울 정도로 변할 수 있다.In the MOCVD process, crystal growth is caused by a chemical reaction on the substrate surface, and process parameters must be controlled with special care to ensure that the chemical reaction proceeds under the required conditions. Very small changes in the process conditions can adversely affect device characteristics and production efficiency. For example, when gallium nitride and indium nitride thin films are formed, a change in the semiconductor surface temperature may cause a change in the composition and the band gap of the deposited film. As indium has a relatively high atmospheric pressure, it can have a low indium content and a high band gap in regions of the wafer where the surface temperature is high for the vapor-deposited film. If the evaporation film is an active film or a light emitting film having an LED structure, the emission wavelength of the LED formed on the wafer may also vary to such an extent that it is difficult to accept the emission wavelength.

MOCVD 공정 챔버에 있어서, 박막의 여러 막들이 성장하는 반도체 기판이 빠르게 회전하는 캐로절(carousel, 웨이퍼 캐리어라 함) 상에 위치함으로써 반도체 물질의 층착을 위한 반응 챔버 내에 분위기 하에 반도체 기판의 표면을 균일하게 노출시킬 수 있다. 회전 속도는 1,000 rpm 의 정도이다. 웨이퍼 캐리어는 그라파이트와 같은 높은 열전도성 물질로 일반적으로 이루어지며, 실리콘 카바이드와 같은 보호층 물질로 종종 코팅될 수 있다. 각각의 웨이퍼 캐리어는 일련의 원형 오목 자국(circular indentation) 또는 포켓을 가짐으로써, 각각의 웨이퍼들이 그 상부 표면에 위치할 수 있다. 일반적으로 웨이퍼들은 웨이퍼의 에지 주면에 가스 플로어가 생길 수 있도록 각 포켓의 바닥 표면에 이격된 상태로 지지될 수 있다. 관련 기술의 예로는 미국특허공개번호 제2012/0040097호, 미국특허번호 제8,092,599호, 미국특허번호 제8,021,487호, 미국특허공개번호 제2007/0186853호, 미국특허번호 제6,902,623호, 미국특허번호 제6,506,252호 및 미국특허번호 제6,492,625호를 여기서 참고문헌으로 개시되어 있다.In a MOCVD process chamber, a semiconductor substrate on which various films of a thin film are grown is placed on a carousel (hereinafter referred to as a wafer carrier) in which the semiconductor substrate is rapidly rotated, . The rotation speed is about 1,000 rpm. The wafer carrier is typically made of a highly thermally conductive material, such as graphite, and can often be coated with a protective layer material such as silicon carbide. Each wafer carrier has a series of circular indentations or pockets so that each wafer can be located on its upper surface. In general, the wafers may be spaced apart from the bottom surface of each pocket so that a gas floor may be created on the edge of the wafer. Examples of related technologies are disclosed in U.S. Patent Publication No. 2012/0040097, U.S. Patent No. 8,092,599, U.S. Patent No. 8,021,487, U.S. Patent Publication No. 2007/0186853, U.S. Patent No. 6,902,623, U.S. Patent No. 6,506,252 and U.S. Patent No. 6,492,625, which are hereby incorporated by reference.

웨이퍼 캐리어는 반응 챔버 내의 스핀들 상에 지지되어, 웨이퍼의 노출된 표면을 갖는 웨이퍼 캐리어의 상부 표면은 가스 분배 장치를 향하여 상방으로 향한다. 스핀들이 회전하는 동안, 가스는 웨이퍼 캐리어의 상부 표면으로 하방으로 유도되어 웨이퍼 캐리어의 주변을 향하여 상부 표면을 가로질러서 흐른다. 사용된 가스는 웨이퍼 캐리어 아래에 배치된 포트를 통하여 반응 챔버로부터 배기된다. 웨이퍼 캐리어는 웨이퍼 캐리어의 하부 표면 아래에 배치된 전기 저항성 가열 소자와 같은 가열 소자들에 의하여 특정 상승 온도에서 유지된다. 상기 가열 소자들은 상기 웨이퍼의 표면의 요구 온도 이상의 온도로 유지되는 반면에, 가스 분배 장치는 소정 챔버 온도 이하의 온도로 유지됨에 따라 가스들 간의 예기치 않은 반응을 억제할 수 있다. 따라서, 열은 상기 히팅 소자로부터 웨이퍼 캐리어의 하부 표면으로 전달되어 상기 웨이퍼 캐리어를 통하여 개별 웨이퍼들을 향하여 상방으로 흐르게 된다.The wafer carrier is supported on the spindle within the reaction chamber such that the upper surface of the wafer carrier with the exposed surface of the wafer faces upwardly toward the gas distribution device. While the spindle is rotating, gas is directed downwardly to the upper surface of the wafer carrier and flows across the upper surface toward the periphery of the wafer carrier. The gas used is evacuated from the reaction chamber through a port disposed under the wafer carrier. The wafer carrier is maintained at a certain elevated temperature by heating elements such as an electrically resistive heating element disposed below the lower surface of the wafer carrier. The heating elements are maintained at a temperature above the required temperature of the surface of the wafer while the gas distribution device is maintained at a temperature below a predetermined chamber temperature to suppress unexpected reactions between the gases. Thus, heat is transferred from the heating element to the lower surface of the wafer carrier and flows upwardly through the wafer carrier toward the individual wafers.

상기 웨이퍼 상의 가스 흐름은 각 웨이퍼의 방사 방향의 위치에 따라 변화하여, 최외각 웨이퍼는 회전 중 더 높은 속도로 인하여 더 높은 유속(flow rate)에 노출된다. 심지어 각 개별 웨이퍼에 있어서도 열점(hot spot) 및 냉점(cold spot)과 같은 온도 불균일성이 이다. 상기 온도 불균일성의 형성에 영향을 미치는 변수들 중 하나는 웨이퍼 캐리어 내에 형성되는 포켓들의 형상이다. 일반적으로 포켓 형상은 웨이퍼 캐리어의 표면에 원형 형상으로 형성된다. 상기 웨이퍼가 회전함에 따라 웨이퍼는 최외각 에지(즉, 회전축으로부터 가장 멀리 떨어진 에지)에서 실질적으로 구심력에 영향을 받음으로서, 웨이퍼가 상기 웨이퍼 캐리어 내의 각 포켓의 내벽에 대하여 가압할 수 있다. 이런 조건하에서, 상기 웨이퍼의 최외각 에지 및 포켓 에지 사이에 직접적인 컨택이 발생할 수 있다. 상기 웨이퍼들의 이들 최외각부들에 증가하는 열전도는 온도 불균일성을 초래함으로써, 상술한 문제들을 더욱 악화시킨다. 에지부가 평탄한 웨이퍼(즉, 플랫 웨이퍼)를 고안하는 것과 같이 상기 웨이퍼의 에지 및 포켓의 내벽 사이의 갭을 증가시켜 온도 불균일성을 최소화하려는 노력이 있어 왔다. 상기 웨이퍼의 평탄부는 갭을 만들고 상기 포켓의 내벽과 컨택하는 포인트들을 감소시켜, 온도 불균일성을 완화시키고 있다. 상기 웨이퍼 캐리어에 의하여 유지되는 웨이퍼를 통하여 열 균일도에 영향을 미치는 다른 요소들로는 웨이퍼 포켓의 배치와 함께, 웨이퍼 캐리어의 열 전달 및 열 방출 특성을 들 수 있다. The gas flow on the wafer varies with the radial position of each wafer such that the outermost wafer is exposed to a higher flow rate due to the higher velocity during rotation. Even for each individual wafer there is a temperature non-uniformity such as a hot spot and a cold spot. One of the parameters affecting the formation of the temperature non-uniformity is the shape of the pockets formed in the wafer carrier. Generally, the pocket shape is formed in a circular shape on the surface of the wafer carrier. As the wafer rotates, the wafer is substantially centripetally influenced at the outermost edge (i.e., the edge furthest away from the rotational axis) so that the wafer can press against the inner wall of each pocket in the wafer carrier. Under these conditions, a direct contact may occur between the outermost edge of the wafer and the pocket edge. Increasing thermal conduction to these outermost portions of the wafers causes temperature non-uniformity, thereby exacerbating the problems described above. Efforts have been made to increase the gap between the edges of the wafer and the inner walls of the pockets, such as devising flat wafers (i.e., flat wafers), to minimize temperature non-uniformities. The flat portion of the wafer creates a gap and reduces points of contact with the inner wall of the pocket, thereby alleviating the temperature non-uniformity. Other factors affecting thermal uniformity through the wafer held by the wafer carrier include heat transfer and heat release characteristics of the wafer carrier along with placement of the wafer pocket.

온도 균일도가 요구되는 한편, 웨이퍼 캐리어의 다른 요구되는 특성은 CVD 공정의 생산성을 개선하는 것이다. 상기 생산성을 개선하는 데 있어서의 웨이퍼 캐리어의 역할은 더 많은 개별 웨이퍼들을 유지하는 것이다. 더 많은 웨이퍼들을 보유할 수 있는 웨이퍼 캐리어의 배열을 제공을 통하여 열적 모델에 영향을 초래할 수 있다. 예를 들면, 에지에 인접한 웨이퍼 캐리어의 부분들은 상기 웨이퍼 캐리어 에지들로부터의 방사열 손실에 의하여 다른 부분에 비하여 낮은 온도를 갖는 경향이 있다. While temperature uniformity is required, another desirable property of the wafer carrier is to improve the productivity of the CVD process. The role of the wafer carrier in improving the productivity is to retain more individual wafers. And can affect the thermal model through providing an array of wafer carriers that can hold more wafers. For example, portions of the wafer carrier adjacent to the edge tend to have a lower temperature than other portions due to radiation heat losses from the wafer carrier edges.

따라서, 고밀도 레이아웃에서 온도 균일도 및 기계적인 스트레스에 대한 실질적인 해결책에 대한 연구가 진행되고 있다. Therefore, research is underway on practical solutions to temperature uniformity and mechanical stress in high density layouts.

본 고안은 포켓의 새로운 배열을 포함한다. 여기서 기술되는 배열은 원형 웨이퍼의 성장을 위하여 포켓의 높은 팩킹 밀도 뿐만 아니라 열전달을 용이하게 하기 위한 것이다.The present design includes a new arrangement of pockets. The arrangement described herein is intended to facilitate heat transfer as well as high packing density of pockets for growth of circular wafers.

본 고안의 일 실시예에 따른 화학적 기상 증착 장치에 이용되도록 구성된 웨이퍼 캐리어는, 서로 대향하도록 구비된 상부 표면 및 하부 표면을 갖는 몸체 및 상기 웨이퍼 캐리어의 상기 상부 표면에 정의되는 복수의 포켓들을 포함하고, 상기 복수의 포켓들은 전체적으로 34개 내지 36개의 포켓으로 구성되며, 상기 포켓들 각각은 3개의 원들 중 하나를 따라 배열되며, 상기 3개의 원들은 상호 동심원을 이루며 상기 상부 표면의 주변에 의하여 형성된 원형 외곽선과도 동심원을 이룬다.A wafer carrier configured for use in a chemical vapor deposition apparatus according to one embodiment of the present invention includes a body having an upper surface and a lower surface opposite to each other and a plurality of pockets defined on the upper surface of the wafer carrier , The plurality of pockets being comprised entirely of 34 to 36 pockets, each of the pockets being arranged along one of the three circles, the three circles being concentric with each other, It is also concentric with the outline.

본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 복수의 포켓들 중 6개는 상기 3개의 원들 중 제1 원을 따라 배열되고, 상기 복수의 포켓들 중 12개는 상기 3개의 원들 중 제2 원을 따라 배열되고, 상기 복수의 포켓들 중 18개는 상기 3개의 원들 중 제3 원을 따라 배열될 수 있다.In one embodiment of the present invention, six of the plurality of pockets are arranged along a first one of the three circles, twelve of the plurality of pockets are arranged along a second one of the three circles And eighteen of the plurality of pockets may be arranged along a third one of the three circles.

본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 복수의 포켓들 중 5개는 상기 3개의 원들 중 제1 원을 따라 배열되고, 상기 복수의 포켓들 중 12개는 상기 3개의 원들 중 제2 원을 따라 배열되고, 상기 복수의 포켓들 중 18개는 상기 3개의 원들 중 제3 원을 따라 배열될 수 있다.In one embodiment of the present invention, five of the plurality of pockets are arranged along a first one of the three circles, twelve of the plurality of pockets are arranged along a second one of the three circles And eighteen of the plurality of pockets may be arranged along a third one of the three circles.

본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 복수의 포켓들 중 5개는 상기 3개의 원들 중 제1 원을 따라 배열되고, 상기 복수의 포켓들 중 11개는 상기 3개의 원들 중 제2 원을 따라 배열되고, 상기 복수의 포켓들 중 18개는 상기 3개의 원들 중 제3 원을 따라 배열될 수 있다.In one embodiment of the present invention, five of the plurality of pockets are arranged along a first one of the three circles, eleven of the plurality of pockets are arranged along a second one of the three circles And eighteen of the plurality of pockets may be arranged along a third one of the three circles.

여기서, 상기 제1 원은 상기 제2 원에 의하여 둘러싸여지고, 상기 제2 원은 상기 제3원에 의하여 둘러싸여질 수 있다. Here, the first circle may be surrounded by the second circle, and the second circle may be surrounded by the third circle.

본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 복수의 포켓들 각각은 50 mm의 포켓 직경을 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, each of the plurality of pockets may have a pocket diameter of 50 mm.

본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 복수의 포켓들 각각은 430 ㎛의 깊이를 갖는 원주형 벽(radial wall)을 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, each of the plurality of pockets may have a radial wall having a depth of 430 [mu] m.

본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 하부 표면에 배열된 잠금 구조가 추가적으로 구비될 수 있다.In one embodiment of the present invention, a locking structure arranged on the lower surface may additionally be provided.

여기서, 상기 잠금 구조는 상기 하부 표면의 기하학적 중심에 배열될 수 있다. 또한, 상기 잠금 구조는 스플라인, 척 또는 절삭된 피팅(keyed fitting)로부터 선택될 수 있다.Here, the locking structure may be arranged in the geometric center of the lower surface. In addition, the locking structure may be selected from splines, chucks, or keyed fittings.

본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 상부 표면 및 상기 하부 표면 각각은 직경을 가지며, 상기 상부 표면의 직경이 상기 하부 표면의 직경보다 클 수 있다.In one embodiment of the present invention, each of the upper surface and the lower surface has a diameter, and the diameter of the upper surface may be greater than the diameter of the lower surface.

본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 웨이퍼 캐리어는 금속 산화물 화학 기상 증착 장치에 이용되도록 구비될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the wafer carrier may be adapted for use in a metal oxide chemical vapor deposition apparatus.

본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 포켓들은 삽입 공간을 통하여 상호 연결될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the pockets may be interconnected through an insertion space.

본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 포켓들 각각은 공통되는 링 내에 포켓들 상호간을 서로 인접하게 배열되도록 평탄부를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, each of the pockets may include a flat portion so that the pockets in the common ring are arranged adjacent to each other.

멀티 포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어에 포함된 복수의 포켓들은 전체적으로 34개 내지 36개의 포켓으로 구성되며, 상기 포켓들 각각은 3개의 원들 중 하나를 따라 배열되며, 상기 3개의 원들은 상호 동심원을 이루며 상기 상부 표면의 주변에 의하여 형성된 원형 외곽선과도 동심원을 이룬다. 이로써, 웨이퍼 캐리어가 보다 많은 웨이퍼를 수용할 수 있는 고밀도 레이아웃을 이루는 동시에 전체적으로 개선된 온도 균일도를 이룰 수 있다.A plurality of pockets included in a wafer carrier having a multi-pocket configuration are generally comprised of 34 to 36 pockets, each of the pockets being arranged along one of the three circles, the three circles being concentric with each other, It is also concentric with the circular outline formed by the periphery of the upper surface. This allows the wafer carrier to achieve a high density layout that can accommodate more wafers while at the same time achieving an overall improved temperature uniformity.

도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 MOCVD 공정 챔버를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 고안의 일 실시예에 따른 14 포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어를 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 고안의 일 실시예에 따른 14 포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어를 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 고안의 일 실시예에 따른 14 포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어를 나타내는 측면도이다.
도 5는 본 고안의 일 실시예에 따른 14 포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어를 나타내는 저면도이다.
도 6은 본 고안의 일 실시예에 따른 14 포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어의 일부를 나타내며, 사시도로부터 하나의 포켓을 보여주는 상세도이다.
도 7 내지 도 9는 35개의 포켓들을 갖는 웨이퍼 캐리어의 일 예를 나타낸다.
도 10 내지 도 12는 34개의 포켓들을 갖는 웨이퍼 캐리어의 일 예를 나타낸다.1 is a schematic diagram illustrating a MOCVD process chamber in accordance with one embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing a wafer carrier having a 14 pocket configuration according to one embodiment of the present invention;
3 is a plan view showing a wafer carrier having a 14 pocket configuration according to one embodiment of the present invention;
4 is a side view of a wafer carrier having a 14 pocket configuration according to one embodiment of the present invention;
5 is a bottom view of a wafer carrier having a 14 pocket configuration according to one embodiment of the present invention;
6 shows a portion of a wafer carrier with a 14 pocket configuration according to one embodiment of the present invention and is a detail view showing one pocket from a perspective view.
Figures 7-9 illustrate an example of a wafer carrier having 35 pockets.
Figures 10-12 illustrate an example of a wafer carrier having 34 pockets.

이하, 본 고안은 본 고안의 실시예들을 보여주는 첨부 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명된다. 그러나, 본 고안은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 고안이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 고안의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 고안의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings showing embodiments of the present invention. However, the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below, but may be embodied in various other forms. The following examples are provided to fully convey the scope of the present invention to those skilled in the art of the present invention, rather than being provided so that this disclosure will be thorough and complete.

하나의 요소가 다른 하나의 요소 또는 층 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로서 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들 또는 층들이 이들 사이에 게재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결되는 것으로서 설명되는 경우, 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.When an element is described as being placed on or connected to another element or layer, the element may be directly disposed or connected to the other element, and other elements or layers may be placed therebetween It is possible. Alternatively, if one element is described as being placed directly on or connected to another element, there can be no other element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and / or portions, but the items are not limited by these terms .

하기에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 고안을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 고안의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 고안의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Furthermore, all terms including technical and scientific terms have the same meaning as will be understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs, unless otherwise specified. These terms, such as those defined in conventional dictionaries, shall be construed as having a meaning consistent with their meaning in the context of the description of the relevant art and the present invention, and are to be interpreted as being ideally or externally grossly intuitive It will not be interpreted.

본 고안의 실시예들은 본 고안의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들인 단면 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화들은 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 고안의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되는 것은 아니라 형상들에서의 편차들을 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 영역들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상들은 영역의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 고안의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the present invention are described with reference to cross-sectional illustrations that are schematic illustrations of ideal embodiments of the present invention. Accordingly, changes from the shapes of the illustrations, such as changes in manufacturing methods and / or tolerances, are those that can be expected. Accordingly, the embodiments of the present invention are not to be construed as being limited to the specific shapes of the regions illustrated by way of illustration, but rather to include deviations in shapes, the regions described in the Figures being entirely schematic and their shapes It is not intended to be exhaustive or to limit the scope of the invention.

이하에서는 본 고안에 의한 바람직한 실시예를 첨부도면을 기준으로 하여, 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 MOCVD 공정 챔버를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram illustrating a MOCVD process chamber in accordance with one embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 공정 챔버(10)는 공정이 진행되는 환경 공간을 정의한다. 가스 분배 장치(12)는 챔버의 일 단에 배열된다. 상기 가스 분배 장치(12)가 배열된 일 단은 상기 공정 챔버(10)의 상단으로 여기에서는 정의된다. 반드시 필요하지 않으나 상기 챔버의 일단은 일반적인 중력 프레임에서는 챔버의 상부에 배치된다. 따라서, 여기서 사용되는 하방은 가스 분배 장치(12)로부터 멀어지는 방향을 의미한다. 반면에, 상방은 챔버 내에서 가스 분배 장치(12)를 향하는 방향을 의미한다. 나아가, 이들 방향들은 중력에 따른 상방 및 하방에 배열되는 것과는 무관한다. 유사하게, 소자의 상부(top) 및 하부(bottom) 표면들은 반응 챔버(10) 및 가스 분배 장치(12)의 기본적인 표준(frame of reference)에 기초하여 기술된다.Referring to FIG. 1, the process chamber 10 defines an environmental space in which the process proceeds. The gas distribution device 12 is arranged at one end of the chamber. One end in which the gas distribution device 12 is arranged is defined here as the top of the process chamber 10. One end of the chamber is disposed at the top of the chamber in a typical gravity frame, although this is not absolutely necessary. Thus, the downward direction used herein refers to the direction away from the gas distribution device 12. On the other hand, the upper side means the direction toward the gas distribution device 12 in the chamber. Further, these directions are independent of being arranged above and below the gravity. Similarly, the top and bottom surfaces of the device are described on the basis of a frame of reference of the reaction chamber 10 and the gas distribution device 12.

가스 분배 장치(12)는 소스(14, 16 및 18)에 연결되어, 웨이퍼 처리 공정에서 이용되는 공정 가스, 예를 들면 캐리어 가스 및 금속 유기 화합물과 Ⅴ족 금속의 소스와 같은 공정 가스를 제공한다. 가스 분배 장치(12)는, 여러 가지 가스들을 공급받아 일반적으로 하방으로 공정 가스의 흐름을 유도한다. 바람직하게 가스 분배 장치(12)는 동작 중 특정 온도에서 가스 분배 장치(12)의 온도를 유지시키기 위하여 가스 분배 장치(12)를 통하여 액체를 순환시킬 수 있도록 배열된 쿨런트 시스템(coolant system)에 연결된다. 도시되어 있지 않지만 유사한 쿨런트 시스템이 상기 반응 챔버(10)의 벽을 냉각시키기 위하여 제공될 수 있다. 반응 챔버에는, 상기 가스 분배 장치(12)로부터 하방으로 가스의 연속적인 흐름을 가능하게 하도록 챔버의 바닥부에 또는 바닥부와 인접하게 포트(미도시)를 통하여 챔버(10) 내부로부터 소비된 가스를 제거하기 위하여 배열된 배기 시스템(22)이 구비된다.Gas distribution device 12 is connected to sources 14, 16 and 18 to provide process gases such as source gases of process gases, such as carrier gases and metal organic compounds, and Group V metals used in the wafer processing process . The gas distribution device 12 receives a variety of gases and generally directs the process gas flow downward. Preferably, the gas distribution device 12 is a coolant system arranged to circulate liquid through the gas distribution device 12 to maintain the temperature of the gas distribution device 12 at a certain temperature during operation . A similar coolant system, not shown, may be provided to cool the walls of the reaction chamber 10. The reaction chamber is provided with a gas exhaust gas (not shown) from the inside of the chamber 10 through a port (not shown) at or near the bottom of the chamber to allow continuous flow of gas downwardly from the gas distribution apparatus 12. [ The exhaust system 22 is arranged to remove the exhaust gas.

스핀들(24)은 챔버(10) 내에 배열되어 스핀들(24)의 중심축(26)이 상방 및 하방으로 연장된다. 스핀들(24)은 베어링 및 밀봉재(미도시)를 이용하는 종래의 회전식 관통 장치(rotary pass-through device)에 의하여 챔버에 장착되어 스핀들(24)이 중심축(26)을 중심으로 회전하면서, 스핀들(24) 및 반응 챔버(10)의 벽 사이의 밀봉이 유지된다. 상기 스핀들(24)은 탑, 즉 가스 분배 장치(12)에 인접하는 스핀들의 단부에 피팅(fitting; 30)을 포함한다. 아래와 설명한 것과 같이, 피팅(30)은 상기 웨이퍼 캐리어에 이탈가능하게 개재되도록 적용된 웨이퍼 캐리어 유지 구조의 일 예이다. 기술된 특정 실시예에 있어서, 피팅(30)은 스핀들의 상단부(top end)를 향하여 테이퍼링되고 평탄한 탑 상부 표면에서 종단되는 절단된 원뿔 형상 소자에 해당한다. 상기 절단된 원뿔 소자는 원뿔의 절두체(frustum) 형상을 갖는 소자이다. 스핀들(24)은 전기 모터 드라이버와 같은 회전 드라이브 구조(32)에 연결되어 상기 중심축(26)에 대하여 스핀들(24)을 회전시키도록 구비된다.The spindle 24 is arranged in the chamber 10 so that the central axis 26 of the spindle 24 extends upward and downward. The spindle 24 is mounted to the chamber by a conventional rotary pass-through device using bearings and sealing material (not shown) such that the spindle 24 rotates about the central axis 26, 24 and the walls of the reaction chamber 10 are maintained. The spindle 24 includes a fitting 30 at the end of the spindle adjacent to the tower or gas distribution device 12. As described below, the fitting 30 is an example of a wafer carrier holding structure that is detachably interposed in the wafer carrier. In the particular embodiment described, the fitting 30 corresponds to a truncated conical element tapered toward the top end of the spindle and terminated at a flat top surface. The cut conical element is a conical frustum element. The spindle 24 is coupled to a rotary drive structure 32 such as an electric motor driver to rotate the spindle 24 about the center axis 26.

히팅 소자(34)는 챔버 내에 장착되어 피팅(30) 아래의 스핀들(24)을 감싸도록 구비된다. 반응 챔버(10)는 또한 곁방(antichamber; 38)으로 이르는 출입구(36) 및 상기 출입구를 개폐하는 도어(40)를 포함한다. 도어(40)는 도 1에서 단지 개략적으로 도시되어 있으며, 도어가 곁방(38)로부터 상기 반응 챔버(10)의 내부를 격리시키도록 실선으로 도시된 폐쇄 위치 및 파선(40')으로 도시된 개방 위치 사이세 이동가능하게 구비된다. 도어(40)는 적당한 컨트롤 및 액츄에이션 구조를 구비함으로써 상기 개방 위치 및 폐쇄 위치 사이에서 이동 가능하다. 실제로, 도어는 상방 및 하방으로 이동가능하게 구비된 셔터를 포함할 수 있으며, 이는, 예를 들면, 미국특허 제7,276,124호에서 참고적으로 개시되어 있다. 도1에 도시된 장치는 곁방(38)에서부터 챔버로 웨이퍼 캐리어를 이동시키고 구동 조건에서 웨이퍼 캐리어를 스핀들(24)에 장착시킬 수 있으며 나아가 스핀들(24)로부터 해제된 웨이퍼 캐리어를 곁방(38)으로 이동시킬 수 있는 로딩 구조(미도시)를 더 포함할 수 있다. A heating element 34 is mounted in the chamber and is provided to enclose the spindle 24 below the fitting 30. [ The reaction chamber 10 also includes an entrance 36 leading to an antichamber 38 and a door 40 opening and closing the entrance. The door 40 is shown only schematically in Figure 1 and includes a closed position shown in solid line and a closed position shown in dashed line 40 'to isolate the interior of the reaction chamber 10 from the door side 38 And a position. The door 40 is movable between the open position and the closed position by having a suitable control and actuation structure. In practice, the door may include a shutter which is movably provided in an upward and downward direction, which is disclosed, for example, in U.S. Patent No. 7,276,124. The apparatus shown in Figure 1 can move the wafer carrier from the side chamber 38 to the chamber and mount the wafer carrier on the spindle 24 under driving conditions and further move the wafer carrier released from the spindle 24 to the side chamber 38 A loading structure (not shown) that can be moved.

또한, 장치는 복수의 웨이퍼 캐리어를 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 구동 조건에서, 제1 웨이퍼 캐리어(42)는 구동 조건에서 반응 챔버(10) 내부에 배치되는 반면에, 제2 웨이퍼 캐리어(44)는 곁방(38) 내에 위치한다. 각각의 웨이퍼 캐리어는 중심축을 갖는 원형 디스크의 형태인 바디(46)를 포함한다(도 2 참조). 바디(46)는 축에 대하여 대칭으로 형성된다. 구동 조건에서, 상기 웨이퍼 캐리어 바디의 축은 스핀들(24)의 중심축(26)과 일치한다. 바디(46)는 단일 조각 또는 복수의 조각이 결합된 형태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 본원의 참조 문헌으로서 미국특허공개번호 제2009/0155028호에 개시된 것과 같이, 웨이퍼 캐리어 바디는 중심축을 둘러싸는 바디의 작은 영역(small region) 및 디스크 형상의 바디의 나머지로 정의되는 넓은 영역(large region)을 포함한다. 바디(46)는 공정을 오염시키지 않으면서 공정에서 적용되는 온도를 견딜 수 있는 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 디스크의 넓은 영역은 그라파이트, 실리콘 카바이드 또는 다른 내화성 물질과 같은 물질로 대략적으로 도는 전체적으로 형성될 수 있다. 바디(46)는 상호 평행하게 연장되며, 디스크의 중심축에 대하여 전체적으로 수직한 평탄한 상부면(48)을 포함한다. 바디(46)는, 복수의 웨이퍼들을 유지하도록 채택된 단수 또는 복수의 웨이퍼-홀딩 기능을 가진다.Further, the apparatus may comprise a plurality of wafer carriers. 1, the first wafer carrier 42 is placed inside the reaction chamber 10 in the driving condition, while the second wafer carrier 44 is located in the side chamber 38. [ Each wafer carrier includes a body 46 in the form of a circular disk having a central axis (see FIG. 2). The body 46 is formed symmetrically with respect to the axis. In the drive condition, the axis of the wafer carrier body coincides with the central axis 26 of the spindle 24. The body 46 may be formed as a single piece or a combination of plural pieces. For example, as disclosed in U.S. Patent Application Publication No. 2009/0155028, which is incorporated herein by reference, a wafer carrier body is defined by a small region of the body surrounding the central axis and a wide region defined by the remainder of the disk- And a large region. The body 46 can be formed of a material that can withstand the temperatures applied in the process without contaminating the process. For example, a large area of the disc may be formed approximately or entirely of a material such as graphite, silicon carbide or other refractory material. The body 46 extends parallel to one another and includes a flat upper surface 48 which is generally perpendicular to the central axis of the disk. The body 46 has a single or a plurality of wafer-holding functions adapted to hold a plurality of wafers.

구동 중에, 사파이어, 실리콘 카바이드 또는 다른 결정성 기판으로부터 형성된 디스크 형상의 웨이퍼(54)는 각 웨이퍼 캐리어의 각 포켓(56) 내에 배치된다. 일반적으로, 웨이퍼(54)는 주 표면(major surfaces)의 크기에 비교하여 작은 두께를 가진다. 예를 들면, 직경이 약 2인치(50 mm)의 원형 웨이퍼는 430㎛ 이하의 두께를 가진다. 도 1에 도시된 바와 같이 웨이퍼(54)는 상방으로 향하는 상부 표면과 함께 배치되어 상부 표면은 웨이퍼 캐리어의 상부에서 노출된다. 여러 실시예들에 있어서 웨이퍼 캐리어(42)는 서로 다른 개수의 웨이퍼들을 운반할 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에 있어서, 웨이퍼 캐리는 6개의 웨이퍼를 유지하도록 채택될 수 있으며, 도 2에 도시된 것과 같이 다른 실시예에 있어서, 웨이퍼 캐리어는 25개의 웨이퍼를 유지한다.During operation, a disk-shaped wafer 54 formed from sapphire, silicon carbide, or other crystalline substrate is disposed within each pocket 56 of each wafer carrier. Generally, the wafer 54 has a small thickness compared to the size of the major surfaces. For example, a circular wafer having a diameter of about 2 inches (50 mm) has a thickness of 430 μm or less. As shown in FIG. 1, the wafer 54 is disposed with an upwardly facing top surface, with the top surface exposed at the top of the wafer carrier. In various embodiments, the wafer carrier 42 may carry a different number of wafers. For example, in one embodiment, the wafer carrier may be adapted to hold six wafers, and in another embodiment as shown in Fig. 2, the wafer carrier holds 25 wafers.

일반적인 MOCVD 공정에 있어서, 웨이퍼가 로딩된 웨이퍼 캐리어는 곁방(38)에서부터 반응 챔버(10)로 로딩되어 도1에 도시된 바와 같이 구동 위치에 위치하게 된다. 상기 상태에서, 웨이퍼의 상부 표면은 상방으로, 가스 분배 장치(12)를 향하고 있다. 히팅 소자(34)가 구동하고 회전 드라이버 구조(32)가 구동하여 스핀들(24) 및 웨이퍼 캐리어(42)를 축(26) 주위를 따라 회전시킨다. 일반적으로 스핀들(24)은 분당 50-1,500 회전수(rpm)를 갖는 회전 속도로 회전한다. 공정 가스 공급 유닛들(14, 16 및 18)이 구동하여 가스 분배 장치(12)를 통하여 가스를 공급한다. 가스는 웨이퍼 캐리어(42)를 향하고, 웨이퍼 캐리어(42) 및 웨이퍼(54)의 상부 표면의 위 및 웨이퍼 캐리어의 주변을 지나서 출구 및 배기 시스템(22)에 이르기 까지 하방으로 흐른다. 따라서, 웨이퍼 캐리어의 상부 표면 및 웨이퍼(54)의 상부 표면은 복수의 공정 가스 공급 유닛들에 의하여 공급되는 여러 가스들의 혼합물을 포함하는 공정 가스에 노출된다. 특히, 상부 표면에서 공정 가스는 캐리어 가스 공급 유닛(16)에 의하여 공급되는 캐리어 가스로 대부분 이루어진다. 특정한 화학적 기상 증착 공정에서, 캐리어 가스는 질소로 이루어져서, 웨이퍼 캐리어의 상부 표면에서의 공정 가스는 일정량의 반응 가스 성분과 함께 질소로 대부분 이루어진다.In a general MOCVD process, the wafer carrier loaded with wafers is loaded into the reaction chamber 10 from the side chambers 38 and placed in the driving position as shown in Fig. In this state, the upper surface of the wafer is directed upwardly to the gas distribution device 12. The heating element 34 is driven and the rotary driver structure 32 is driven to rotate the spindle 24 and the wafer carrier 42 about the axis 26. Generally, the spindle 24 rotates at a rotational speed of 50-1,500 revolutions per minute (rpm). Process gas supply units 14, 16 and 18 are driven to supply gas through gas distribution unit 12. Gas is directed to the wafer carrier 42 and flows down the wafer carrier 42 and the upper surface of the wafer 54 and past the periphery of the wafer carrier to the outlet and exhaust system 22. Thus, the upper surface of the wafer carrier and the upper surface of the wafer 54 are exposed to a process gas comprising a mixture of various gases supplied by a plurality of process gas supply units. In particular, at the top surface, the process gas is mostly carried by the carrier gas supplied by the carrier gas supply unit 16. In a particular chemical vapor deposition process, the carrier gas is comprised of nitrogen, so that the process gas at the upper surface of the wafer carrier is mostly nitrogen with a certain amount of reactant gas component.

히팅 소자(34)는 열을 웨이퍼 캐리어(42)의 하부 표면(52)에 복사 열전달에 의하여 전달한다. 웨이퍼 캐리어(42)의 하부 표면(52)에 인가되는 열은 웨이퍼 캐리어의 바디(46)를 통하여 웨이퍼 캐리어의 상부 표면(48)에 이르기까지 전달된다. 바디를 지나 상방으로 전달되는 열은 갭을 지나서 각 웨이퍼(54)의 하부 표면을 상방으로 지나게 된다. 열은 웨이퍼 캐리어(42)의 상부 표면(48)으로부터 또한 웨이퍼(54)의 상부 표면으로부터 공정 챔버의 차가운 소자들, 예를 들면 공정 챔버의 벽 및 가스 분배 장치(12)로 방출된다. 열은 웨이퍼 캐리어(42)의 상부 표면(48) 및 웨이퍼의 상부 표면으로부터 상기 표면들 상에 흐르는 공정 가스에 전달될 수 있다.The heating element 34 transfers heat to the lower surface 52 of the wafer carrier 42 by radiation heat transfer. The heat applied to the lower surface 52 of the wafer carrier 42 is transmitted through the body 46 of the wafer carrier to the upper surface 48 of the wafer carrier. The heat that is passed upward through the body passes over the lower surface of each wafer 54 past the gap. Heat is also emitted from the top surface 48 of the wafer carrier 42 and from the top surface of the wafer 54 to the cold components of the process chamber, e.g., the walls of the process chamber and the gas distribution device 12. Heat can be transferred to the process gas flowing on the surfaces from the top surface 48 of the wafer carrier 42 and the top surface of the wafer.

기술된 실시예에 있어서, 시스템은 각 웨이퍼(54)의 표면의 히팅 균일도를 결정할 수 있는 여러 가지 구성들을 포함한다. 본 실시예에 있어서, 온도 프로파일링 시스템(58)은 온도 모니터(60)로부터 온도 및 온도 모니텅링 위치 정보를 포함하는 온도 과련 정보를 수집한다. 또한, 온도 프로파일링 시스셈(58)은 로터리 드라이버 구성(32)로부터 전달되는 웨이퍼 캐리어 위치 정보를 수집한다. 본 정보와 함께 온도 프로파일링 시스템(58)은 웨이퍼 캐리어(42)상의 포켓(56)의 온도 프로파일을 구성한다. 온도 프로파일은 각 포켓(56) 또는 포켓에 유지되는 웨이퍼(54)의 표면상의 온도 분포를 나타낸다.In the described embodiment, the system includes various configurations that can determine the heating uniformity of the surface of each wafer 54. In this embodiment, the temperature profiling system 58 collects temperature extrapolation information from the temperature monitor 60, including temperature and temperature monitoring location information. The temperature profiling system 58 also collects the wafer carrier position information transmitted from the rotary driver configuration 32. The temperature profiling system 58 with this information constitutes the temperature profile of the pocket 56 on the wafer carrier 42. The temperature profile represents the temperature distribution on the surface of the wafer 54 held in each pocket 56 or pocket.

도 2 및 도 3을 참고하면, 도 2는 본 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어(142)의 사시도에 해당하며, 도 3은 같은 웨이퍼 캐리어(142)의 평면도에 해당한다. 웨이퍼 캐리어(142)는 상부 표면(148)을 갖는 바디(146) 및 그 내부에 36개의 포켓들(162)을 포함한다. 도 2 및 도 3에 도시된 실시예에서, 포켓들(162)은 3개의 원(R1, R2 및 R3)에 따라 배열되며, 이들은 바디(146)의 외각 에지에 의하여 정의되는 원과 동심축이다. 방사 방향으로 내부 원(R1)에 있어서, 6개의 포켓들(162)이 방사각으로 균일하게 이격되어 있다. 이와 유사하게, 방사 방향으로 중간원(R2)에 있어서, 12개의 포켓들(162)이 방사각으로 균일하게 이격되어 있다. 방사 방향으로 외각원(R3)에 있어서, 18개의 포켓들(162)이 방사각으로 균일하게 이격되어 있다. 각 포켓들은 상부 표면(148)이 배열된 평면에 실질적으로 수직하게 연장되도록 바디(146)에 형성된 개구(aperture)에 해당한다.Referring to FIGS. 2 and 3, FIG. 2 corresponds to a perspective view of the wafer carrier 142 according to the present embodiment, and FIG. 3 corresponds to a plan view of the same wafer carrier 142. The wafer carrier 142 includes a body 146 having a top surface 148 and 36 pockets 162 therein. In the embodiment shown in FIGS. 2 and 3, the pockets 162 are arranged according to three circles R1, R2 and R3, which are concentric with the circle defined by the outer edge of the body 146. In the inner circle R1 in the radial direction, six pockets 162 are uniformly spaced at a radiation angle. Similarly, for the middle circle R2 in the radial direction, the twelve pockets 162 are evenly spaced at a radiation angle. In the outer circle R3 in the radial direction, 18 pockets 162 are uniformly spaced at a radiation angle. Each pocket corresponds to an aperture formed in the body 146 such that the upper surface 148 extends substantially perpendicular to the plane in which the upper surface 148 is arranged.

도 2 및 도3에서 도시된 포켓들은 배열은 상부 표면(148) 상에 상대적으로 높은 포켓(162)의 밀도를 유지한 상태에서, 원하는 정도의 열 균일성을 제공하는 데 이점이 있다. 실시예에 있어서, 상부 표면(148)은 약 300mm의 직경을 가질 수 있다. 포켓들(162)은 이 크기에 적합하게 크기가 조절된다. 예를 들면, 포켓(162)은 약 50mm 의 직경을 가질 수 있다. The pockets shown in Figures 2 and 3 have the advantage that the arrangement provides a desired degree of thermal uniformity while maintaining the density of the relatively high pockets 162 on the top surface 148. In an embodiment, the top surface 148 may have a diameter of about 300 mm. The pockets 162 are sized to fit this size. For example, the pocket 162 may have a diameter of about 50 mm.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 포켓들(162)은 상호 중첩되어 상기 포켓들(162)에서 성장된 웨이퍼는 해당 포켓들(162) 중 하나에 인접한 것과 각 원(R1, R2 및 R3)에서 연결된다. 완전히 성장될 경우, 포켓들(162)에 성장한 모든 웨이퍼들은 같은 원의 모든 포켓들(162)에서 성장된 다른 웨이퍼들 각각과 기계적으로 상호 연결된다. 웨이퍼들은 이후, 분리된다. 상기 웨이퍼들이 상호 기계적으로 연결되도록 성장됨에 따라 각 개별 포켓(162)에서 성장한 웨이퍼들은, 바디(146)가 회전할 때 회전할 수 없다. 이는 전술한 바와 같이 그들의 에지들 따라 성장하는 웨이퍼에 충격을 야기할 수 있다.As shown in Figures 2 and 3, the pockets 162 overlap one another such that the wafers grown in the pockets 162 are adjacent one of the corresponding pockets 162 and each of the circles R1, R2 and R3 ). When fully grown, all wafers grown in the pockets 162 are mechanically interconnected with each of the other wafers grown in all the pockets 162 of the same circle. The wafers are then separated. As the wafers are grown to be mutually mechanically connected, the wafers grown in each individual pocket 162 can not rotate as the body 146 rotates. This can cause a shock to the wafer growing along their edges as described above.

도 4를 참고하면, 도 4는 도 2 및 도 3의 웨이퍼 캐리어(142)의 측면도이다. 도 4에 도시된 바와 같이 상부 표면(148) 및 하부 표면(152)의 상대적인 크기 차이가 있다. 특히, 상부 표면(148)은 도4에 도시된 바와 같이 페이지의 상부 및 하부를 향하거나, 도 2 및 도3에 도시된 도면에서 방사 방향으로 추가적으로 연장된다. 이전에 도 2 및 도 3에서 도시된 각 포켓들(162)은 상부 표면(148)로부터 하부 표면(152)을 향하여 연장된다. 하부 표면(152)은 웨이퍼 캐리어(142)에서 웨이퍼가 성장할 수 있도록 단단한 베이스를 제공한다.Referring to FIG. 4, FIG. 4 is a side view of the wafer carrier 142 of FIGS. 2 and 3. There is a relative size difference between the top surface 148 and the bottom surface 152 as shown in FIG. In particular, the top surface 148 extends upwardly and downwardly of the page as shown in Fig. 4, or additionally in the radial direction in the views shown in Figs. Each of the pockets 162 previously shown in Figures 2 and 3 extend from the top surface 148 toward the bottom surface 152. The lower surface 152 provides a rigid base for the wafer to grow in the wafer carrier 142.

도 5는 도 2 내지 도 4를 참고로 전술한 웨이퍼 캐리어(142)의 저면도이다. 도 5에 도시된 바와 같이 웨이퍼 캐리어(142)는 바닥면(152)의 중심에서 잠금 구조(164)를 포함한다. 잠금 구조(164)는 도1에 전술한 스핀들(24)의 피팅(30)과 같은 다른 구성과 결합하도록 구비된다. 여러 실시예에 있어서, 잠금 구조(164)는 예를 들면, 스플라인, 척 또는 절삭된 피팅(keyed fitting)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 본 고안이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 여러 가지 구조들이 인접하는 구성으로부터 웨이퍼 캐리어에 회전 모멘텀을 부가할 수 있음을 알 수 있을 것이다.5 is a bottom view of the wafer carrier 142 described above with reference to Figs. 2-4. As shown in FIG. 5, the wafer carrier 142 includes a locking structure 164 at the center of the bottom surface 152. The locking structure 164 is adapted to engage another configuration, such as the fitting 30 of the spindle 24 described above with respect to FIG. In various embodiments, the locking structure 164 may include, for example, splines, chucks, or keyed fittings. For example, those of ordinary skill in the art to which this invention belongs will recognize that various structures may add rotational momentum to the wafer carrier from adjacent configurations.

하부 표면(152)은 열전달이 가능하게 고안된 모든 물질일 수 있다. 전술한 바와 같이 실시예에 있어서 인접하는 열 소자(도1에 도시된 히팅 소자(34)와 같이)로부터 하부 표면(152)에 열을 전달하도록 구비된다. 여기서, 하부 표면(152)은 상대적으로 낮은 반사도를 갖는 물질일 수 있으며, 이러한 물질로 코팅될 수 있다.The lower surface 152 may be any material designed to allow heat transfer. (Such as the heating element 34 shown in FIG. 1) to the lower surface 152 in the embodiment as described above. Here, the lower surface 152 may be a material having a relatively low reflectivity and may be coated with such a material.

웨이퍼 캐리어(142)는 그라파이트 또는 그라파이트-코팅 물질과 같이 에피택셜 성장에 적합한 물질로 이루어질 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 웨이퍼 캐리어(142)를 이루는 물질은 원하는 결정격자 배열 또는 크기에 부합하도록 선택될 수 있다. 이와 유사하게 성장시키고자 하는 웨이퍼에 따라, 포켓들(162)이 서로 다른 크기를 가질 수 있다.The wafer carrier 142 may be made of a material suitable for epitaxial growth, such as a graphite or graphite-coating material. In another embodiment, the material forming wafer carrier 142 may be selected to match the desired crystal lattice arrangement or size. Similarly, depending on the wafer to be grown, the pockets 162 may have different sizes.

도 6은 포켓들(162) 중 하나를 나타내는 부분 사시도이다. 포켓들(162) 각각은 삽입 공간(170)을 제외하고는 실질적으로 실린더 형상을 갖는 측벽(166)을 포함한다. 여기서, 포켓(162)은 같은 원에서 인접하는 포켓(162A, 162B)에 중첩된다. 상기 측벽(166)에 의하여 형성되는 실린더의 바닥은 물질(168)에 해당한다. 본 실시예에 있어서, 측벽(166)은 약 430 ㎛의 깊이를 가질 수 있다.6 is a partial perspective view showing one of the pockets 162. Fig. Each of the pockets 162 includes a sidewall 166 having a substantially cylindrical shape except for the insertion space 170. Here, the pockets 162 overlap the adjacent pockets 162A and 162B in the same circle. The bottom of the cylinder formed by the side wall 166 corresponds to a material 168. In this embodiment, the sidewalls 166 may have a depth of about 430 [mu] m.

도 7 내지 도 9는 35개의 포켓들(262)을 갖는 웨이퍼 캐리어(242)의 다른 실시예를 나타낸다. Figures 7-9 illustrate another embodiment of a wafer carrier 242 having 35 pockets 262. [

도 7 내지 도 9에 도시된 각 구성들은 도 2 내지 도 6을 참고로 전술한 실시예의 참조번호로 표시된 구성에 실질적으로 유사하다. 보다 명확하게는, 도 7 내지 도 11에 도시된 유사한 구성들은 도 2 내지 도 6에 도시된 대응 구성에 대응되도록 참조 번호로 기술되며, 100 값으로 반복된다(즉, 예를 들면, 웨이퍼 캐리어(142)는 웨이퍼 캐리어(242)와 실질적으로 유사하며, 포켓(162)은 포켓(262)과 실질적으로 유사하다). 예를 들면, 웨이퍼 캐리어(242) 상에 포켓(262)의 다른 배열에 의하여 삽입 공간(270)의 크기와 같이 상기 구성들 중 부분적으로 다른 반면에, 도 2 내지 도 6을 참고로 전술한 배열의 효과는 도 7 내지 도 9를 참조로 도시된 실시예에서도 유효하다.7 to 9 are substantially similar to those shown by reference numerals in the above-described embodiments with reference to Figs. 2 to 6. Fig. More precisely, similar arrangements shown in Figs. 7 to 11 are described by reference numerals to correspond to the corresponding arrangements shown in Figs. 2 to 6 and are repeated with a value of 100 (i.e., for example, a wafer carrier 142 are substantially similar to wafer carrier 242, and pocket 162 is substantially similar to pocket 262). For example, while the wafer carrier 242 is partially different from the above arrangements, such as the size of the insertion space 270 by another arrangement of the pockets 262, the arrangement described above with reference to Figures 2-6 Is effective in the embodiment shown with reference to Figs.

도 10 내지 도 12는 34개의 포켓들을 갖는 웨이퍼 캐리어(342)의 다른 실시예를 나타낸다. 도 10 내지 도 12에 도시된 각 구성들은 도 2 내지 도 6 또는 도 7 내지 도 9을 참고로 전술한 실시예의 참조번호로 표시된 구성에 실질적으로 유사하며, 100 값으로 반복된다(즉, 예를 들면 웨이퍼 캐리어(142, 242)는 웨이퍼 캐리어(342)와 실질적으로 유사하며, 포켓(162, 262)은 포켓(362)과 실질적으로 유사하다). 하나의 예외로서, 포켓(362)과 상기 원에서의 이웃들 사이의 가장 가까운 위치에 배열되는 평탄부(372A, 372B)가 있다. 평탄부(372A, 372B)에 의하여 인접하는 포켓들(362) 사이의 충분한 간격이 가능하게 된다. 따라서, 도 10 내지 도 12에 도시된 실시예에 있어서, 포켓들(362)들은, 도 2 내지 도 6 및 도 7 내지 도 9를 참고로 도시된 실시예와 같이 상호 연결되지 않다. 평탄부(372A, 372B)는 에피택셜 성장 중에서 각 포켓(362) 내에 성장되는 웨이퍼의 회전을 억제할 수 있다.10-12 illustrate another embodiment of a wafer carrier 342 having 34 pockets. 10 to 12 are substantially similar to the configurations indicated by reference numerals of the above-described embodiments with reference to Figs. 2 to 6 or 7 to 9, and are repeated with a value of 100 (i.e., The wafer carriers 142 and 242 are substantially similar to the wafer carrier 342 and the pockets 162 and 262 are substantially similar to the pockets 362). As one exception, there are planar portions 372A, 372B arranged at the closest location between the pocket 362 and the neighbors in the circle. Sufficient spacing between adjacent pockets 362 by the flat portions 372A, 372B is possible. Thus, in the embodiment shown in Figures 10-12, the pockets 362 are not interconnected as in the embodiment shown with reference to Figures 2-6 and 7-9. The flat portions 372A and 372B can suppress rotation of the wafer grown in each pocket 362 during epitaxial growth.

지금까지는 본 고안의 바람직한 실시예를 기준으로 본 고안의 기술적 사상을 설명하였으나, 본 고안의 기술적 사상은 상술한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 실용신안등록청구범위에 구체화된 본 고안의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범주에서 다양한 형태로 변형되어 구현될 수 있다.Although the technical idea of the present invention has been described based on the preferred embodiment of the present invention so far, the technical idea of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the technical idea of the present invention, And can be modified and implemented in various forms without departing from the scope.

Claims (14)

화학적 기상 증착 장치에 이용되도록 구성된 웨이퍼 캐리어로서,
서로 대향하도록 구비된 상부 표면 및 하부 표면을 갖는 몸체; 및
상기 웨이퍼 캐리어의 상기 상부 표면에 정의되는 복수의 포켓들을 포함하고,
상기 복수의 포켓들은 전체적으로 34개 내지 36개의 포켓으로 구성되며, 상기 포켓들 각각은 3개의 원들 중 하나를 따라 배열되며, 상기 3개의 원들은 상호 동심원을 이루며 상기 상부 표면의 주변에 의하여 형성된 원형 외곽선과도 동심원을 이루는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.A wafer carrier configured for use in a chemical vapor deposition apparatus,
A body having an upper surface and a lower surface facing each other; And
A plurality of pockets defined on the upper surface of the wafer carrier,
Wherein the plurality of pockets are comprised entirely of 34 to 36 pockets, each of the pockets being arranged along one of the three circles, the three circles being concentric with each other and having a circular contour Wherein the wafer carrier has a transverse concentric circle. 제1항에 있어서,
상기 복수의 포켓들 중 6개는 상기 3개의 원들 중 제1 원을 따라 배열되고,
상기 복수의 포켓들 중 12개는 상기 3개의 원들 중 제2 원을 따라 배열되고,
상기 복수의 포켓들 중 18개는 상기 3개의 원들 중 제3 원을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.The method according to claim 1,
Six of the plurality of pockets are arranged along a first one of the three circles,
Twelve of the plurality of pockets are arranged along a second one of the three circles,
And eighteen of the plurality of pockets are arranged along a third one of the three circles. 제1항에 있어서,
상기 복수의 포켓들 중 5개는 상기 3개의 원들 중 제1 원을 따라 배열되고,
상기 복수의 포켓들 중 12개는 상기 3개의 원들 중 제2 원을 따라 배열되고,
상기 복수의 포켓들 중 18개는 상기 3개의 원들 중 제3 원을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.The method according to claim 1,
Five of the plurality of pockets are arranged along a first one of the three circles,
Twelve of the plurality of pockets are arranged along a second one of the three circles,
And eighteen of the plurality of pockets are arranged along a third one of the three circles. 제1항에 있어서,
상기 복수의 포켓들 중 5개는 상기 3개의 원들 중 제1 원을 따라 배열되고,
상기 복수의 포켓들 중 11개는 상기 3개의 원들 중 제2 원을 따라 배열되고,
상기 복수의 포켓들 중 18개는 상기 3개의 원들 중 제3 원을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.The method according to claim 1,
Five of the plurality of pockets are arranged along a first one of the three circles,
Eleven of the plurality of pockets are arranged along a second one of the three circles,
And eighteen of the plurality of pockets are arranged along a third one of the three circles. 제2항 내지 제4항 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1 원은 상기 제2 원에 의하여 둘러싸여지고, 상기 제2 원은 상기 제3원에 의하여 둘러싸여지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.5. The wafer carrier as claimed in any one of claims 2 to 4, wherein the first circle is surrounded by the second circle and the second circle is surrounded by the third circle. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 복수의 포켓들 각각은 50 mm의 포켓 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.5. The wafer carrier as claimed in any one of claims 1 to 4, wherein each of the plurality of pockets has a pocket diameter of 50 mm. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 복수의 포켓들 각각은 430 ㎛의 깊이를 갖는 원주형 벽(radial wall)을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.5. The wafer carrier as claimed in any one of claims 1 to 4, wherein each of the plurality of pockets has a radial wall having a depth of 430 mu m. 제1항에 있어서, 상기 하부 표면에 배열된 잠금 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.2. The wafer carrier of claim 1, further comprising a locking structure arranged on the lower surface. 제8항에 있어서, 상기 잠금 구조는 상기 하부 표면의 기하학적 중심에 배열된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.9. The wafer carrier of claim 8, wherein the locking structure is arranged in the geometric center of the lower surface. 제8항 및 제9항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 잠금 구조는 스플라인, 척 또는 절삭된 피팅(keyed fitting)로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.10. A wafer carrier as claimed in any one of claims 8 to 9, wherein the locking structure is selected from splines, chucks or keyed fittings. 제1항에 있어서, 상기 상부 표면 및 상기 하부 표면 각각은 직경을 가지며, 상기 상부 표면의 직경이 상기 하부 표면의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.2. The wafer carrier of claim 1, wherein each of the upper surface and the lower surface has a diameter and the diameter of the upper surface is greater than the diameter of the lower surface. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 캐리어는 금속 산화물 화학 기상 증착 장치에 이용되도록 구비된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.2. The wafer carrier of claim 1, wherein the wafer carrier is adapted for use in a metal oxide chemical vapor deposition apparatus. 제2항 및 제3항 중 어느 하나에 있어서, 상기 포켓들은 삽입 공간을 통하여 상호 연결된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.The wafer carrier as claimed in any one of claims 2 and 3, wherein the pockets are interconnected through an insertion space. 제4항에 있어서, 상기 포켓들 각각은 공통되는 링 내에 포켓들 상호간을 서로 인접하게 배열되도록 평탄부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.
5. The wafer carrier of claim 4, wherein each of the pockets includes a flat portion such that the pockets in the common ring are arranged adjacent to one another.
KR2020150006770U 2015-04-16 2015-10-16 Wafer carrier having a multi-pocket configuration KR20160003714U (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US29/524,104 USD778247S1 (en) 2015-04-16 2015-04-16 Wafer carrier with a multi-pocket configuration
US29/524,104 2015-04-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160003714U true KR20160003714U (en) 2016-10-26

Family

ID=55358780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020150006770U KR20160003714U (en) 2015-04-16 2015-10-16 Wafer carrier having a multi-pocket configuration

Country Status (4)

Country Link
US (2) USD778247S1 (en)
KR (1) KR20160003714U (en)
DE (1) DE202015007242U1 (en)
TW (6) TWD181304S (en)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD793971S1 (en) 2015-03-27 2017-08-08 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a 14-pocket configuration
USD793972S1 (en) * 2015-03-27 2017-08-08 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a 31-pocket configuration
USD778247S1 (en) * 2015-04-16 2017-02-07 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a multi-pocket configuration
USD860146S1 (en) * 2017-11-30 2019-09-17 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a 33-pocket configuration
USD854506S1 (en) * 2018-03-26 2019-07-23 Veeco Instruments Inc. Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover
USD860147S1 (en) * 2018-03-26 2019-09-17 Veeco Instruments Inc. Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover
USD858469S1 (en) * 2018-03-26 2019-09-03 Veeco Instruments Inc. Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover
USD866491S1 (en) * 2018-03-26 2019-11-12 Veeco Instruments Inc. Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover
USD863239S1 (en) * 2018-03-26 2019-10-15 Veeco Instruments Inc. Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover
USD893682S1 (en) * 2018-05-31 2020-08-18 Smith Industries Inc. Floor drain grate
USD1002915S1 (en) * 2022-05-18 2023-10-24 Chen Wu Lens

Family Cites Families (265)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1448769A (en) * 1922-02-10 1923-03-20 American Foundry & Mfg Company Floor drain
DE1427772A1 (en) 1965-11-23 1968-12-12 Telefunken Patent Method for cutting a semiconductor wafer into individual semiconductor chips
US3409138A (en) * 1967-09-15 1968-11-05 Lawrence Robert Eaves-box strainer
US3731435A (en) * 1971-02-09 1973-05-08 Speedfam Corp Polishing machine load plate
US3783822A (en) * 1972-05-10 1974-01-08 J Wollam Apparatus for use in deposition of films from a vapor phase
US3845738A (en) * 1973-09-12 1974-11-05 Rca Corp Vapor deposition apparatus with pyrolytic graphite heat shield
US4165584A (en) * 1977-01-27 1979-08-28 International Telephone And Telegraph Corporation Apparatus for lapping or polishing materials
IL56224A (en) 1978-01-16 1982-08-31 Veeco Instr Inc Substrate clamp for use in semiconductor fabrication
USD265069S (en) * 1979-07-16 1982-06-22 Corning Glass Works Tray for flower pots or the like
USD280803S (en) * 1982-09-20 1985-10-01 Peterson Robert T Dial face for electronic timepiece
USD296029S (en) * 1985-08-27 1988-05-31 Mag-Nif Incorporated Coin bank
USD302204S (en) * 1986-11-05 1989-07-11 Gatton James W Portable outdoor fireplace
USD310874S (en) * 1988-09-14 1990-09-25 Utley Jr James E Solar powered roof vent fan
US5191738A (en) * 1989-06-16 1993-03-09 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of polishing semiconductor wafer
USD325934S (en) * 1990-04-20 1992-05-05 Vinko Ramljak Holder for crayons, markers, pencils and the like
USD344788S (en) * 1991-03-22 1994-03-01 Castro Marco G Combined ventilated toilet seat and cover
US5152842A (en) 1991-12-05 1992-10-06 Rohm Co., Ltd. Reactor for epitaxial growth
USD365541S (en) * 1993-05-25 1995-12-26 Hirsch Jeffrey G Terracotta pot insert
JP2849533B2 (en) * 1993-08-18 1999-01-20 長野電子工業株式会社 Wafer polishing method
JP2716653B2 (en) * 1993-11-01 1998-02-18 不二越機械工業株式会社 Wafer polishing apparatus and polishing method
US5422316A (en) * 1994-03-18 1995-06-06 Memc Electronic Materials, Inc. Semiconductor wafer polisher and method
JPH0878347A (en) * 1994-09-06 1996-03-22 Komatsu Electron Metals Co Ltd Susceptor for epitaxial growth apparatus
US5674107A (en) * 1995-04-25 1997-10-07 Lucent Technologies Inc. Diamond polishing method and apparatus employing oxygen-emitting medium
USD388123S (en) * 1995-04-28 1997-12-23 Copal Company Limited Light-emitting diode indicator
JPH0936049A (en) * 1995-07-21 1997-02-07 Mitsubishi Electric Corp Vapor phase growth device and compound semiconductor device manufactured with said device
USD398997S (en) * 1995-11-22 1998-09-29 Strix Limited Base part for a liquid heating vessel
JPH09201765A (en) 1996-01-25 1997-08-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd Packing pad, and method of plishing semiconductor wafer
USD383377S (en) * 1996-05-03 1997-09-09 Sellers Kathleen R Cushioned furniture protector
US5840124A (en) * 1997-06-30 1998-11-24 Emcore Corporation Wafer carrier with flexible wafer flat holder
US6080042A (en) * 1997-10-31 2000-06-27 Virginia Semiconductor, Inc. Flatness and throughput of single side polishing of wafers
USD410408S (en) * 1998-05-18 1999-06-01 Green Richard D Flower vase
JP3983387B2 (en) * 1998-09-29 2007-09-26 日本碍子株式会社 Electrostatic chuck
US6439986B1 (en) 1999-10-12 2002-08-27 Hunatech Co., Ltd. Conditioner for polishing pad and method for manufacturing the same
USD428133S (en) * 1999-12-14 2000-07-11 Shu-Chin Chen Ceiling fan motor housing
US6331136B1 (en) 2000-01-25 2001-12-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. (Kpenv) CMP pad conditioner arrangement and method therefor
US7066800B2 (en) * 2000-02-17 2006-06-27 Applied Materials Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
DE10023002B4 (en) * 2000-05-11 2006-10-26 Siltronic Ag Set of carriers and its use
US6454635B1 (en) 2000-08-08 2002-09-24 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for a wafer carrier having an insert
US6709981B2 (en) * 2000-08-16 2004-03-23 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for processing a semiconductor wafer using novel final polishing method
US6492625B1 (en) * 2000-09-27 2002-12-10 Emcore Corporation Apparatus and method for controlling temperature uniformity of substrates
US7204887B2 (en) 2000-10-16 2007-04-17 Nippon Steel Corporation Wafer holding, wafer support member, wafer boat and heat treatment furnace
USD466597S1 (en) * 2000-11-10 2002-12-03 Bricmont, Inc. Roller hearth reheat furnace tire
US6500059B2 (en) 2000-12-01 2002-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Apparatus and method for mounting a wafer in a polishing machine
US6528124B1 (en) * 2000-12-01 2003-03-04 Komag, Inc. Disk carrier
US6506252B2 (en) 2001-02-07 2003-01-14 Emcore Corporation Susceptorless reactor for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition
US6666948B2 (en) * 2001-04-23 2003-12-23 Phuong Van Nguyen Silicon wafer polisher
US6645049B2 (en) * 2001-04-23 2003-11-11 Phuong Van Nguyen Polishing holder for silicon wafers and method of use thereof
US6902623B2 (en) * 2001-06-07 2005-06-07 Veeco Instruments Inc. Reactor having a movable shutter
USD464420S1 (en) * 2002-01-03 2002-10-15 Rochelle Tolar Portable battery-powered neck fan
JP4791693B2 (en) 2002-04-11 2011-10-12 積水化学工業株式会社 Manufacturing method of semiconductor chip
US6710611B2 (en) 2002-04-19 2004-03-23 Ceramic Component Technologies, Inc. Test plate for ceramic surface mount devices and other electronic components
US7119351B2 (en) 2002-05-17 2006-10-10 Gsi Group Corporation Method and system for machine vision-based feature detection and mark verification in a workpiece or wafer marking system
USD475023S1 (en) * 2002-06-06 2003-05-27 Caterpillar Inc Piezoelectric actuator device
US7044083B2 (en) 2002-06-12 2006-05-16 United Pet Group, Inc. Pet enclosure
USD490511S1 (en) * 2002-06-29 2004-05-25 Hunter Fan Company Ceiling fan motor housing
JP2004207606A (en) 2002-12-26 2004-07-22 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer support plate
USD485613S1 (en) * 2003-01-29 2004-01-20 Delta Electronics Inc. Fan housing
USD486906S1 (en) * 2003-01-29 2004-02-17 Delta Electronics Inc. Fan housing
US7008308B2 (en) * 2003-05-20 2006-03-07 Memc Electronic Materials, Inc. Wafer carrier
US7052371B2 (en) 2003-05-29 2006-05-30 Tbw Industries Inc. Vacuum-assisted pad conditioning system and method utilizing an apertured conditioning disk
USD493246S1 (en) * 2003-07-28 2004-07-20 Lusa Lighting, Inc. Lighting fixture
USD490183S1 (en) * 2003-07-28 2004-05-18 Lusa Lighting, Inc. Lighting fixture
USD491098S1 (en) * 2003-09-24 2004-06-08 Wilton Industries, Inc. Tiered floral centerpiece
US7235139B2 (en) * 2003-10-28 2007-06-26 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier for growing GaN wafers
USD502990S1 (en) * 2003-12-09 2005-03-15 Ground Control Systems, Inc. Airflow screen
USD510988S1 (en) * 2004-03-24 2005-10-25 Frank Blateri Heater fan
US7570368B2 (en) * 2004-05-12 2009-08-04 Veeco Instruments Inc. Method and apparatus for measuring the curvature of reflective surfaces
USD512500S1 (en) * 2004-05-20 2005-12-06 Lasko Holdings, Inc. Body of a horizontal blower fan
USD577159S1 (en) * 2004-06-08 2008-09-16 Nicholas Steven Hasapoglou Seed catcher for birdfeeders
USD517073S1 (en) * 2004-07-14 2006-03-14 Capital One Financial Corporation Data card
USD511827S1 (en) * 2004-07-28 2005-11-22 Lasko Holdings, Inc. Body of a vertical blower fan
USD512501S1 (en) * 2004-07-28 2005-12-06 Lasko Holdings, Inc. Body of a horizontal blower fan
USD504666S1 (en) * 2004-08-26 2005-05-03 Emtelle (Uk) Limited Closure for conduits for cables
JP2006092722A (en) * 2004-08-27 2006-04-06 Showa Denko Kk Magnetic disk substrate and production method of magnetic disk
USD523825S1 (en) 2004-10-14 2006-06-27 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting diode module
USD551923S1 (en) 2005-03-03 2007-10-02 Robert Bosch Gmbh Saw blade
US8083041B2 (en) 2005-08-11 2011-12-27 American Axle & Manufacturing, Inc. Electrohydraulic torque transfer device
USD552565S1 (en) * 2005-09-08 2007-10-09 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Supporting plate
USD544452S1 (en) * 2005-09-08 2007-06-12 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Supporting plate
JP2007075949A (en) * 2005-09-14 2007-03-29 Ebara Corp Polishing platen and polishing device
TWI327761B (en) 2005-10-07 2010-07-21 Rohm & Haas Elect Mat Method for making semiconductor wafer and wafer holding article
ITMN20060032A1 (en) 2006-04-21 2007-10-22 Luciano Pinotti SYSTEM AND EQUIPMENT FOR SELF-TANNING
USD570075S1 (en) * 2006-06-08 2008-05-27 Gary Wood Coin display folder
CA117839S (en) * 2006-10-11 2007-08-02 Beta Calco Inc Light fixture
US20080102199A1 (en) * 2006-10-26 2008-05-01 Veeco Instruments Inc. Multi-wafer rotating disc reactor with wafer planetary motion induced by vibration
US8177993B2 (en) * 2006-11-05 2012-05-15 Globalfoundries Singapore Pte Ltd Apparatus and methods for cleaning and drying of wafers
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
USD556880S1 (en) 2007-03-27 2007-12-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Air conditioner
DE102007023970A1 (en) 2007-05-23 2008-12-04 Aixtron Ag Apparatus for coating a plurality of densely packed substrates on a susceptor
USD571436S1 (en) * 2007-06-14 2008-06-17 Alsons Corporation Showerhead
US8092599B2 (en) 2007-07-10 2012-01-10 Veeco Instruments Inc. Movable injectors in rotating disc gas reactors
USD591695S1 (en) * 2007-07-11 2009-05-05 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light-emitting diode module
USD629547S1 (en) * 2007-09-20 2010-12-21 Glp German Light Products Gmbh Lights
JP2009088088A (en) 2007-09-28 2009-04-23 Sharp Corp Substrate treating device and method
USD597639S1 (en) * 2007-11-19 2009-08-04 Yeh Chen Lee Fan forced heater
US8021487B2 (en) * 2007-12-12 2011-09-20 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with hub
US20110114022A1 (en) * 2007-12-12 2011-05-19 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with hub
US20090194026A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Burrows Brian H Processing system for fabricating compound nitride semiconductor devices
US8022372B2 (en) * 2008-02-15 2011-09-20 Veeco Instruments Inc. Apparatus and method for batch non-contact material characterization
US8182315B2 (en) * 2008-03-24 2012-05-22 Phuong Van Nguyen Chemical mechanical polishing pad and dresser
US20090276333A1 (en) 2008-05-05 2009-11-05 Cortes Ricardo D Electronic submission and management of digital products for network-based distribution
JP2009283551A (en) 2008-05-20 2009-12-03 Showa Denko Kk Semiconductor light emitting element, method for manufacturing thereof, and lamp
USD610290S1 (en) * 2008-05-26 2010-02-16 Toshiba Lighting & Technology Corporation Recessed lighting fixture
US8821214B2 (en) * 2008-06-26 2014-09-02 3M Innovative Properties Company Polishing pad with porous elements and method of making and using the same
USD614593S1 (en) 2008-07-21 2010-04-27 Asm Genitech Korea Ltd Substrate support for a semiconductor deposition apparatus
USD609655S1 (en) 2008-10-03 2010-02-09 Ngk Insulators, Ltd. Electrostatic chuck
US9000605B2 (en) * 2008-10-15 2015-04-07 Altaeros Energies, Inc. Lighter-than-air craft for energy-producing turbines
USD649126S1 (en) 2008-10-20 2011-11-22 Ebara Corporation Vacuum contact pad
USD606952S1 (en) 2009-01-16 2009-12-29 Asm Genitech Korea Ltd. Plasma inducing plate for semiconductor deposition apparatus
JP2010194704A (en) * 2009-01-27 2010-09-09 Shinano Denki Seiren Kk Grinding wheel for correcting surface plate, polishing device for correcting surface plate, and method for correcting polishing surface plate
US8216379B2 (en) 2009-04-23 2012-07-10 Applied Materials, Inc. Non-circular substrate holders
USD611042S1 (en) * 2009-06-24 2010-03-02 Research In Motion Limited Handheld electronic device skin
USD621804S1 (en) * 2009-08-07 2010-08-17 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. PCB for arranging LED lights
USD633452S1 (en) 2009-08-27 2011-03-01 Ebara Corporation Elastic membrane for semiconductor wafer polishing apparatus
US9581756B2 (en) * 2009-10-05 2017-02-28 Lighting Science Group Corporation Light guide for low profile luminaire
KR20110006715U (en) 2009-12-29 2011-07-06 이태호 fingerring Holder
KR20110006718U (en) 2009-12-29 2011-07-06 인택 김 PH test instrument
KR20110006716U (en) 2009-12-29 2011-07-06 이태호 .finger ring Holder
USD618328S1 (en) * 2010-01-20 2010-06-22 C.C. & L Company Limited Air cleaner
TWM392431U (en) 2010-02-04 2010-11-11 Epistar Corp Systems for epitaxial growth
EP2536974B1 (en) * 2010-02-16 2015-01-21 Martin Professional ApS Illumination device with interlocked yoke shell parts
CN102859645B (en) * 2010-02-24 2016-05-04 威科仪器有限公司 Processing method with Temperature Distribution control and device
USD624692S1 (en) * 2010-04-21 2010-09-28 Tri-Lite, Inc. LED dock light head
TWI398545B (en) 2010-04-29 2013-06-11 Chi Mei Lighting Tech Corp Metal-organic chemical vapor deposition apparatus
TWI390074B (en) 2010-04-29 2013-03-21 Chi Mei Lighting Tech Corp Metal-organic chemical vapor deposition apparatus
KR20110136583A (en) 2010-06-15 2011-12-21 삼성엘이디 주식회사 Susceptor and chemical vapor deposition apparatus comprising the same
USD668577S1 (en) * 2010-06-18 2012-10-09 Blueink.com LLC Interactive artwork display
US8795480B2 (en) 2010-07-02 2014-08-05 Novellus Systems, Inc. Control of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating
ES2679321T3 (en) * 2010-07-28 2018-08-23 Corporació Sanitària Parc Taulí Laminar air flow ceiling for an operating room
US8460466B2 (en) * 2010-08-02 2013-06-11 Veeco Instruments Inc. Exhaust for CVD reactor
US8414361B2 (en) 2010-08-13 2013-04-09 Phuong Van Nguyen Silicon carbide, sapphire, germanium, silicon and pattern wafer polishing templates holder
US8535445B2 (en) * 2010-08-13 2013-09-17 Veeco Instruments Inc. Enhanced wafer carrier
TWM397030U (en) 2010-08-16 2011-01-21 Liang Meng Plastic Share Co Ltd LED packaging structure
USD674759S1 (en) * 2010-08-19 2013-01-22 Epistar Corporation Wafer carrier
USD668211S1 (en) * 2010-09-10 2012-10-02 Novellus Systems, Inc. Segmented electroplating anode and anode segment
USD648289S1 (en) 2010-10-21 2011-11-08 Novellus Systems, Inc. Electroplating flow shaping plate having offset spiral hole pattern
CN201942749U (en) 2010-11-16 2011-08-24 璨圆光电股份有限公司 Carrying disc structure for vapor phase deposition equipment
US8562746B2 (en) * 2010-12-15 2013-10-22 Veeco Instruments Inc. Sectional wafer carrier
USD675171S1 (en) * 2010-12-16 2013-01-29 Tecella Llc Multi-electrode holder
US20120171377A1 (en) * 2010-12-30 2012-07-05 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with selective control of emissivity
EP2894399B1 (en) * 2011-02-21 2016-09-21 LG Innotek Co., Ltd. Lighting module and lighting device
USD677376S1 (en) * 2011-03-02 2013-03-05 Gary Wolff Bird and large insect vent cap for exhaust pipes for high efficiency furnaces
USD681867S1 (en) * 2011-03-11 2013-05-07 GE Lighting Solutions, LLC Suspended luminaire
TW201239124A (en) 2011-03-22 2012-10-01 Chi Mei Lighting Tech Corp Wafer susceptor and chemical vapor deposition apparatus
US20120272892A1 (en) * 2011-04-07 2012-11-01 Veeco Instruments Inc. Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy System and Process
US9653340B2 (en) * 2011-05-31 2017-05-16 Veeco Instruments Inc. Heated wafer carrier profiling
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
TWM420823U (en) 2011-07-29 2012-01-11 Hermes Epitek Corp Multi-wafer susceptor
USD690841S1 (en) * 2011-08-02 2013-10-01 Acolyte Technologies Corporation Lighting device
USD686354S1 (en) * 2011-08-02 2013-07-16 Acolyte Technologies Corporation Lighting device
USD690840S1 (en) * 2011-08-02 2013-10-01 Acolyte Technologies Corporation Lighting device
US20130043493A1 (en) 2011-08-18 2013-02-21 Richard Ta-Chung Wang Light-emitting diode structure
USD700987S1 (en) * 2011-08-30 2014-03-11 Cooper Technologies Company Trapezoidal luminaire
JP1438745S (en) 2011-09-20 2015-04-06
USD699199S1 (en) * 2011-09-30 2014-02-11 Tokyo Electron Limited Electrode plate for a plasma processing apparatus
USD674961S1 (en) * 2011-10-10 2013-01-22 Hella Kgaa Hueck & Co. LED approach light
WO2013065666A1 (en) * 2011-10-31 2013-05-10 京セラ株式会社 Gas nozzle, plasma device using same, and method for manufacturing gas nozzle
USD679446S1 (en) * 2011-11-17 2013-04-02 Myotek Pacific Corp. LED spot lamp
USD720309S1 (en) * 2011-11-18 2014-12-30 Tokyo Electron Limited Inner tube for process tube for manufacturing semiconductor wafers
USD672915S1 (en) * 2011-12-09 2012-12-18 Martin Professional A/S Lens of a lighting fixture
USD748593S1 (en) * 2014-03-05 2016-02-02 Hzo, Inc. Boat for use in a material deposition apparatus
USD760180S1 (en) * 2014-02-21 2016-06-28 Hzo, Inc. Hexcell channel arrangement for use in a boat for a deposition apparatus
USD687788S1 (en) * 2012-01-20 2013-08-13 Lextar Electronics Corp. Light emitting diode module
JP5999807B2 (en) 2012-03-07 2016-09-28 東洋炭素株式会社 Susceptor
USD686582S1 (en) 2012-03-20 2013-07-23 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having pockets
USD690671S1 (en) 2012-03-20 2013-10-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having pockets
USD686175S1 (en) 2012-03-20 2013-07-16 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having pockets
US9816184B2 (en) * 2012-03-20 2017-11-14 Veeco Instruments Inc. Keyed wafer carrier
USD687790S1 (en) 2012-03-20 2013-08-13 Veeco Instruments Inc. Keyed wafer carrier
USD687791S1 (en) 2012-03-20 2013-08-13 Veeco Instruments Inc. Multi-keyed wafer carrier
USD695241S1 (en) 2012-03-20 2013-12-10 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having pockets
USD695242S1 (en) 2012-03-20 2013-12-10 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having pockets
USD678294S1 (en) * 2012-04-13 2013-03-19 3M Innovative Properties Company Case for a tablet electronic device
US10316412B2 (en) * 2012-04-18 2019-06-11 Veeco Instruments Inc. Wafter carrier for chemical vapor deposition systems
USD673113S1 (en) * 2012-04-19 2012-12-25 Better Energy Systems Inc. Portable energy storage and power supply device
USD677422S1 (en) * 2012-05-01 2013-03-05 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. Lens cover for LED lamp
USD769432S1 (en) * 2012-05-14 2016-10-18 Technologies Holdings Corp. Vapor compression dehumidifier
USD697581S1 (en) * 2012-09-13 2014-01-14 Canada Pipeline Accessories, Co. Ltd. Flow conditioner
USD713492S1 (en) * 2012-09-13 2014-09-16 Canada Pipeline Accessories, Co. Ltd. Flow conditioner with internal vanes
USD686713S1 (en) * 2012-09-19 2013-07-23 Shizuoka Seiki Co., Ltd. Infrared oil heater
USD699201S1 (en) * 2012-10-01 2014-02-11 Gemalto M2M Gmbh Pad arrangement of a circuit module
USD722150S1 (en) * 2012-10-11 2015-02-03 ResMed Humidification Technologies GmbH Passover humidifier
USD703162S1 (en) 2012-10-17 2014-04-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Wafer holder for stepper
USD682028S1 (en) * 2012-11-06 2013-05-14 Victor Preisler Gas burner
USD693782S1 (en) 2012-11-19 2013-11-19 Epicrew Corporation Lid for epitaxial growing device
CN102983093B (en) 2012-12-03 2016-04-20 安徽三安光电有限公司 A kind of graphite carrier for LED epitaxial wafer processing procedure
CN203007414U (en) 2012-12-26 2013-06-19 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 Chemical vapor deposition device and tray thereof
USD751999S1 (en) * 2012-12-31 2016-03-22 Soraa, Inc. Array of triangular semiconductor dice
US9388493B2 (en) * 2013-01-08 2016-07-12 Veeco Instruments Inc. Self-cleaning shutter for CVD reactor
USD701939S1 (en) * 2013-01-11 2014-04-01 Canada Pipeline Accessories, Co. Ltd Flow conditioner
USD708728S1 (en) * 2013-02-13 2014-07-08 Lg Electronics Inc. Air cleaner
USD714488S1 (en) * 2013-02-26 2014-09-30 Shanghai Sansi Electronics Engineering Co., Ltd. Chessboard shaped LED lamp
USD699691S1 (en) 2013-03-06 2014-02-18 Posco Led Company Ltd. Light emitting diode module for LED lighting
USD736941S1 (en) * 2013-03-08 2015-08-18 Egerton Roy Nicholson Gel pack
US9273413B2 (en) * 2013-03-14 2016-03-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with temperature distribution control
USD702357S1 (en) * 2013-03-15 2014-04-08 Tesseract Sensors, LLC Electrode patch array
USD732647S1 (en) * 2013-03-15 2015-06-23 Illinois Tool Works Inc. Air filtration device
US10167571B2 (en) * 2013-03-15 2019-01-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems
USD702356S1 (en) * 2013-03-15 2014-04-08 Tesseract Sensors, LLC Electrode patch array
USD721417S1 (en) * 2013-04-11 2015-01-20 Canada Pipeline Accessories, Co., Ltd. Flow conditioner
USD778423S1 (en) 2013-04-15 2017-02-07 Integrated Global Services, Inc. High surface area ash removal screen
US9328908B2 (en) 2013-04-16 2016-05-03 Checkers Industrial Products, Llc LED strobe light with integrated magnet and heat sink chimney
USD751773S1 (en) * 2013-04-26 2016-03-15 Robert Gailen Feeding platter for pets
TWI609991B (en) * 2013-06-05 2018-01-01 維克儀器公司 Improved wafer carrier having thermal uniformity-enhancing features
USD760883S1 (en) 2013-08-05 2016-07-05 Oransi, Llc Air purifier
USD752202S1 (en) * 2013-08-08 2016-03-22 Homewerks Worldwide, LLC Fan grille
USD716742S1 (en) 2013-09-13 2014-11-04 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporter for semiconductor deposition apparatus
USD724553S1 (en) 2013-09-13 2015-03-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporter for semiconductor deposition apparatus
USD708346S1 (en) * 2013-09-18 2014-07-01 Lmi Ip, Llc Laminar flow swim spa jet
US10015868B2 (en) * 2014-11-03 2018-07-03 Osram Sylvania Inc. Solid-state lamps with electronically adjustable light beam distribution
USD723077S1 (en) * 2013-12-03 2015-02-24 Applied Materials, Inc. Chuck carrier film
TWI650832B (en) * 2013-12-26 2019-02-11 維克儀器公司 Wafer carrier having thermal cover for chemical vapor deposition systems
TW201526287A (en) 2013-12-30 2015-07-01 Lextar Electronics Corp Method of manufacturing semiconductor device
DE102014100024A1 (en) 2014-01-02 2015-07-02 Aixtron Se Device for the arrangement of substrates, in particular susceptor of a CVD reactor
USD742770S1 (en) 2014-01-06 2015-11-10 Greenwave Systems Pte. Ltd. Enclosure for electronic device
JP1518059S (en) * 2014-01-09 2015-02-23
USD754785S1 (en) 2014-01-22 2016-04-26 Karen Theresa Gibson Musical steel pan with drum sticks
USD766850S1 (en) * 2014-03-28 2016-09-20 Tokyo Electron Limited Wafer holder for manufacturing semiconductor
USD717086S1 (en) * 2014-04-28 2014-11-11 Pendleton Safe Company, Inc. Shelf
USD764424S1 (en) * 2014-05-15 2016-08-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate for an electronic circuit
DE102014114947A1 (en) 2014-05-16 2015-11-19 Aixtron Se Device for depositing semiconductor layers and a susceptor for use in such a device
US9500341B2 (en) * 2014-05-16 2016-11-22 The Boeing Company Optical filtering system for solar cell testing
USD746437S1 (en) * 2014-05-22 2015-12-29 3M Innovative Properties Company Respirator mask having a communication grille
USD785575S1 (en) * 2014-05-28 2017-05-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Flexible printed wiring board
USD720313S1 (en) * 2014-06-16 2014-12-30 Emcore Solar Power, Inc. Semiconductor wafer with dicing positions for solar cell fabrication
USD731409S1 (en) * 2014-06-26 2015-06-09 Water Technology Llc Surface ornamentation for a passive solar heating article
USD764957S1 (en) 2014-07-14 2016-08-30 Vivint, Inc. Mobile personal device
USD752199S1 (en) * 2014-09-22 2016-03-22 Homewerks Worldwide, LLC Bath fan with speaker
JP1529977S (en) 2014-11-04 2015-07-27
USD778422S1 (en) 2014-12-10 2017-02-07 Minka Lighting, Inc. Combination ceiling fan and light fixture
USD779052S1 (en) * 2014-12-10 2017-02-14 Minka Lighting, Inc. Ceiling fan housing with light fixture
US20160169503A1 (en) * 2014-12-14 2016-06-16 Shih-Yun Chen Led lamp for ceiling fan and ceiling fan having the same
USD778416S1 (en) 2014-12-15 2017-02-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Air conditioner
USD785678S1 (en) * 2014-12-24 2017-05-02 Ngk Insulators, Ltd. Catalyst carrier for exhaust gas purification
USD753269S1 (en) * 2015-01-09 2016-04-05 Asm Ip Holding B.V. Top plate
USD789924S1 (en) 2015-01-16 2017-06-20 Apple Inc. Electronic device
USD751380S1 (en) * 2015-01-26 2016-03-15 G3 Enterprises, Inc. Carbonated beverage cap liner
USD751381S1 (en) * 2015-01-26 2016-03-15 G3 Enterprises, Inc. Carbonated beverage cap liner
USD751382S1 (en) * 2015-01-26 2016-03-15 G3 Enterprises, Inc. Carbonated beverage cap liner
USD751384S1 (en) * 2015-01-26 2016-03-15 G3 Enterprises, Inc. Carbonated beverage cap liner
USD751383S1 (en) * 2015-01-26 2016-03-15 G3 Enterprises, Inc. Carbonated beverage cap liner
USD765608S1 (en) 2015-02-03 2016-09-06 Lg Electronics Inc. Smart key for automobiles
USD778651S1 (en) 2015-02-16 2017-02-14 Home Depot Product Authority, Llc Magnetic drawer divider piece
USD758905S1 (en) 2015-03-11 2016-06-14 BleepBleeps Limited Motion alarm
USD774128S1 (en) 2015-03-12 2016-12-13 Matthew Pinner Young Metal tongue drum
USD780763S1 (en) * 2015-03-20 2017-03-07 Nagrastar Llc Smart card interface
AU362435S (en) 2015-03-26 2015-07-07 Tronac Pty Ltd Thermostat/hub for climate control and monitoring
USD808063S1 (en) * 2015-04-07 2018-01-16 Flos S.P.A. Table lamp
USD778247S1 (en) * 2015-04-16 2017-02-07 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a multi-pocket configuration
USD768538S1 (en) 2015-05-12 2016-10-11 Viicii Llc Cufflink
US20160341400A1 (en) * 2015-05-22 2016-11-24 Posco Led Company Ltd. Optical semiconductor lighting apparatus
USD780821S1 (en) * 2015-06-02 2017-03-07 Transitions Optical, Inc. Lens holder
US20160370019A1 (en) * 2015-06-18 2016-12-22 Technologies Holdings Corp. Heating and cooling system for hazardous environments
US10438795B2 (en) * 2015-06-22 2019-10-08 Veeco Instruments, Inc. Self-centering wafer carrier system for chemical vapor deposition
KR101737364B1 (en) * 2015-08-31 2017-05-18 엘지전자 주식회사 Air conditioner including the same
US20170076972A1 (en) * 2015-09-15 2017-03-16 Veeco Instruments Inc. Planetary wafer carriers
USD771785S1 (en) * 2015-09-22 2016-11-15 Hao-Yu Huang Essential oil diffuser
USD756907S1 (en) 2015-10-01 2016-05-24 Joe Secard Floating solar heating device
USD781165S1 (en) * 2015-10-01 2017-03-14 Htc Corporation Weight scale
US10081295B2 (en) * 2015-10-13 2018-09-25 Ford Global Technologies, Llc Illuminated badge for a vehicle
USD787357S1 (en) 2015-10-21 2017-05-23 Apple Inc. Security attachment
US20170122506A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Dale Collins Personal Safety Light
USD772334S1 (en) 2015-10-30 2016-11-22 Roland Corporation Electronic percussion instrument
USD784429S1 (en) * 2015-11-04 2017-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Condenser for refrigerator
KR102419890B1 (en) * 2015-11-05 2022-07-13 삼성전자주식회사 Light emitting apparatus and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
DE202015007242U1 (en) 2016-02-02
TWD181305S (en) 2017-02-11
USD806046S1 (en) 2017-12-26
TWM531054U (en) 2016-10-21
TWD181306S (en) 2017-02-11
USD778247S1 (en) 2017-02-07
TWM531055U (en) 2016-10-21
TWD181304S (en) 2017-02-11
TWM531049U (en) 2016-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20160003714U (en) Wafer carrier having a multi-pocket configuration
US20190157125A1 (en) Wafer carrier having thermal cover for chemical vapor deposition systems
TWI619843B (en) Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems
KR20160003441U (en) Wafer carrier with a 31-pocket configuration
KR20160003442U (en) Wafer carrier with a 14-pocket configuration
KR101794852B1 (en) Exhaust for cvd reactor
US11248295B2 (en) Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems
TWI488258B (en) Enhanced wafer carrier
US20120156374A1 (en) Sectional wafer carrier
US10316412B2 (en) Wafter carrier for chemical vapor deposition systems
KR20130007594A (en) Wafer carrier with sloped edge
US20190295880A1 (en) Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover
KR20190001370U (en) Wafer carrier with a 33-pocket configuration
TWM538238U (en) Wafer carrier with a multi-pocket configuration
KR20190001371U (en) Wafer carrier with a 33-pocket configuration
TWM538237U (en) Wafer carrier with a 31-pocket configuration
CN205335232U (en) Wafer carrier
CN208980795U (en) Chip carrier
TWM571587U (en) Wafer carrier

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application