KR20160001227A - 태양 전지 모듈 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 p-n 접합이 형성된 반도체 기판, 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1, 2 전극을 포함하는 복수의 태양 전지; 복수의 태양 전지를 서로 직렬 연결하는 복수 개의 인터커넥터; 및 인터커넥터와 어느 하나의 셀 전극 사이를 서로 접착시키는 도전성 접착제;를 포함하고, 도전성 접착제는 인터커넥터 또는 셀 전극 중 적어도 하나에 포함되는 금속 물질과 동일하거나 동일한 계열의 금속 물질을 포함한다.

Description

태양 전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}
본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.
이와 같이 반도체 기판을 사용하는 태양 전지는 구조에 따라 컨벤셔널 타입, 후면 컨텍 타입 등 다양한 종류로 나눌 수 있다.
여기서, 컨벤셔널 타입은 에미터부가 기판의 전면에 위치하고, 에미터부에 연결된 전극이 기판의 전면에, 기판에 연결되는 전극이 기판의 후면에 위치하며, 후면 컨텍 타입은 에미터부가 기판의 후면에 위치하며, 전극이 모두 기판의 후면에 위치한다.
여기서, 후면 컨텍 타입의 태양 전지는 전극이 모두 기판의 후면에 형성되므로, 기판의 후면에 형성된 전극을 인터커넥터나 별도의 도전성 금속을 통해 인접한 태양 전지의 전극에 직렬 연결하여 태양 전지 모듈을 형성할 수 있다.
본 발명은 태양 전지 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 p-n 접합이 형성된 반도체 기판, 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1, 2 전극을 포함하는 복수의 태양 전지; 복수의 태양 전지 각각에 형성된 복수의 제1, 2 전극 중 어느 하나의 셀 전극에 접속되어, 복수의 태양 전지를 서로 직렬 연결하는 복수 개의 인터커넥터; 및 인터커넥터와 어느 하나의 셀 전극 사이를 서로 접착시키는 도전성 접착제;를 포함하고, 도전성 접착제는 인터커넥터 또는 셀 전극 중 적어도 하나에 포함되는 금속 물질과 동일하거나 동일한 계열의 금속 물질을 포함한다.
여기서, 인터커넥터는 도전성 금속 물질로 형성되는 코어;와 코어의 표면에 제1 금속 물질을 포함하여 형성되는 코팅층;을 포함하고, 도전성 접착제에는 제1 금속 물질 또는 제1 금속 물질이 포함된 금속 합금 물질이 포함될 수 있다. 여기서, 코팅층은 솔더층일 수 있다.
또한, 도전성 접착제는 제1 금속 물질 또는 제1 금속 물질이 포함된 금속 합금 물질이 포함된 솔더 페이스트 또는 절연성 재질의 수지층과 수지층 내에 제1 금속 물질 또는 제1 금속 물질이 포함된 금속 합금 물질이 포함되어 형성된 금속 입자를 포함할 수 있다.
여기서, 제1 금속 물질은 주석(Sn), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는 니켈(Ni) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 복수의 제1, 2 전극에는 제1 금속 물질 또는 제1 금속 물질이 포함된 금속 합금 물질이 포함될 수 있다.
여기서, 복수의 제1, 2 전극 각각은 제1 방향으로 길게 형성되고, 복수의 태양 전지는 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열되고, 복수의 인터커넥터 각각은 제2 방향으로 길게 형성될 수 있다.
또한, 복수의 태양 전지는 제2 방향으로 순차적으로 배열되는 제1, 2, 3 태양 전지를 포함하고, 복수의 인터커넥터는 제1 인터커넥터와 제2 인터커넥터를 포함하고, 제1 인터커넥터는 도전성 접착제를 통해 제2 태양 전지에 구비된 복수의 제1 전극과 제1 태양 전지에 구비된 복수의 제2 전극과 접속되며, 제2 인터커넥터는 도전성 접착제를 통해 제2 태양 전지에 구비된 복수의 제2 전극과 제3 태양 전지에 구비된 복수의 제1 전극과 접속될 수 있다.
일례로, 제2 태양 전지에서, 도전성 접착제의 형성 위치는 제1 인터커넥터와 복수의 제1 전극이 교차하여 접속하는 제1 접속부분과, 제2 인터커넥터와 복수의 제2 전극이 교차하여 접속하는 제2 접속부분을 포함할 수 있고, 제2 태양 전지에서, 도전성 접착제는 제1 접속 부분의 일부 또는 제2 접속 부분의 일부에 형성되는 것도 가능하다.
여기의 제2 태양 전지에서 제1 인터커넥터와 복수의 제2 전극 사이 및 제2 인터커넥터와 복수의 제1 전극 사이에는 절연층이 위치할 수 있다.
또한, 제2 태양 전지에서 절연층은 인터커넥터와 접속되는 어느 하나의 셀 전극의 일부분이 노출되도록 복수의 개구부가 형성될 수 있다.
또한, 절연층은 어느 하나의 셀 전극에서 인터커넥터와 접속되는 부분이 노출되도록 격벽 형태로 형성될 수 있다.
아울러, 복수의 태양 전지 각각에 구비된 반도체 기판에서, 복수의 제1 전극이 위치하는 제1 부분의 두께는 복수의 제2 전극이 위치하는 제2 부분의 두께보다 두껍고, 복수의 제1 전극 각각의 두께는 복수의 제2 전극 각각의 두께보다 얇을 수 있다.
이때, 반도체 기판의 제1 부분의 두께와 제1 전극 두께의 합은 반도체 기판의 제2 부분의 두께와 제2 전극 두께의 합과 오차 범위 내에서 동일할 수 있다. 이때, 오차 범위는 10% 내일 수 있다.
또한, 인터커넥터는 코팅층의 표면에 위치하는 보조 금속층을 더 포함할 수 있다.
이때, 보조 금속층은 코팅층의 표면 이외에 도전성 접착제 또는 절연층의 일부를 덮도록 인터커넥터의 표면에 위치할 수 있다.
여기서, 인터커넥터의 단면은 두께와 폭이 동일한 와이어 형태, 두께보다 폭이 큰 직사각형 형태, 사다리꼴 형태 또는 다각형 형태 중 어느 하나의 형태를 가질 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 도전성 접착제가 인터커넥터와 셀 전극 중 적어도 하나와 서로 동일한 금속 물질이나 동일한 계열의 금속 물질을 포함하도록 함으로써, 도전성 접착제와 인터커넥터 사이 또는 도전성 접착제와 셀 전극 사이의 접촉력과 접촉 저항을 보다 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 도 1에서 CS1-CS1 라인에 따른 단면도이다.
도 3은 도 1에서 CS2-CS2 라인에 따른 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 태양 전지 모듈의 각 태양 전지에 구비된 셀 전극과 인터커넥터를 접속시키는 도전성 접착제에 대해 설명하기 위한 도이다.
도 5 및 도 6은 도 1에 도시된 태양 전지 모듈의 태양 전지 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 7 및 도 8은 도 1 내지 도 4에 도시된 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 절연층의 다양한 실시예에 대해 설명하기 위한 도이다.
도 9는 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에서 각 태양 전지의 반도체 기판이 균일하지 않은 경우를 설명하기 위한 일례이다.
도 10은 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에서 인터커넥터에 보조 금속층(IC-A)이 더 구비된 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 11 내지 도 15는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈을 제조하는 방법의 다양한 일례를 설명하기 위한 도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.
이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판의 반대면일 수 있다.
이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈 및 태양 전지 모듈의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 평면도이고, 도 2는 도 1에서 CS1-CS1 라인에 따른 단면도이고, 도 3은 도 1에서 CS2-CS2 라인에 따른 단면도이고, 도 4는 도 1에 도시된 태양 전지 모듈의 각 태양 전지에 구비된 셀 전극(C141 or C142)과 인터커넥터를 접속시키는 도전성 접착제에 대해 설명하기 위한 도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지(C1 ~ C3), 복수 개의 인터커넥터(IC) 및 도전성 접착제(CA)를 포함한다.
여기서, 복수의 태양 전지(C1 ~ C3)는 일례로, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1, 2, 3 태양 전지(C1 ~ C3)를 포함할 수 있으며, 복수의 태양 전지(C1 ~ C3) 각각은 p-n 접합이 형성된 반도체 기판(110)과 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)을 포함할 수 있다.
일례로, 복수의 제1, 2, 3 태양 전지(C1 ~ C3) 각각에서, 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)은 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있으며, 복수의 태양 전지(C1 ~ C3) 각각은 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 순차적으로 배열될 수 있다.
복수 개의 인터커넥터(IC) 각각은 복수의 복수의 태양 전지(C1 ~ C3) 각각에 형성된 복수의 제1, 2 전극(C141, C142) 중 어느 하나의 셀 전극(C141 or C142)에 접속되어, 복수의 태양 전지(C1 ~ C3)를 서로 직렬 연결하는 기능을 한다.
이와 같은 인터커넥터(IC)는 도전성 접착제(CA)에 의해 복수의 제1, 2 전극(C141, C142) 중 어느 하나의 셀 전극(C141 or C142)에 접착되어 전기적으로 연결될 수 있다.
이와 같은 복수 개의 인터커넥터(IC)는 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 배치되어 형성될 수 있다.
이와 같이, 복수 개의 인터커넥터(IC)가 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)과 교차하는 제2 방향(y)으로 배치되도록 함으로써, 인터커넥터(IC)의 얼라인을 보다 용이하게 할 수 있으며, 복수 개의 인터커넥터(IC)를 어느 하나의 셀 전극(C141 or C142)에 접속할 때에, 열팽창 계수에 따른 인터커넥터(IC)의 수축 방향과 셀 전극(C141 or C142)의 수축 방향이 교차하여 엇갈리도록 함으로써, 각 태양 전지에 구비된 반도체 기판(110)이 밴딩(bending)되는 정도를 최소화할 수 있다.
아울러, 이와 같은 복수 개의 인터커넥터(IC)는 제1 인터커넥터(IC1)와 제2 인터커넥터(IC2)를 포함할 수 있다.
여기서, 제1 인터커넥터(IC1)는 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2)를 서로 직렬 연결 시킬 수 있으며, 제2 인터커넥터(IC2)는 제2 태양 전지(C2)와 제3 태양 전지(C3)를 서로 직렬 연결시킬 수 있다.
보다 구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 인터커넥터(IC1)는 도전성 접착제(CA)를 통해 제2 태양 전지(C2)에 구비된 복수의 제1 전극(C141)과 제1 태양 전지(C1)에 구비된 복수의 제2 전극(C142)과 접속될 수 있다.
아울러, 제2 인터커넥터(IC2)는 도전성 접착제(CA)를 통해 제2 태양 전지(C2)에 구비된 복수의 제2 전극(C142)과 제3 태양 전지(C3)에 구비된 복수의 제1 전극(C141)과 접속될 수 있다.
즉, 일례로, 도전성 접착제(CA)의 형성 위치는 제2 태양 전지(C2)을 일례로 들면, 제1 인터커넥터(IC1)와 복수의 제1 전극(C141)이 교차하여 접속하는 제1 접속 부분과 제2 인터커넥터(IC2)와 복수의 제2 전극(C142)이 교차하여 접속하는 제2 접속 부분을 포함할 수 있고, 이때, 도전성 접착제(CA)는 제1 접속 부분의 일부 또는 제2 접속 부분의 일부에 형성될 수도 있다.
여기서, 도전성 접착제(CA)는 솔더 페이스트 또는 도전성 금속 입자가 절연성 수지 내에 포함되는 도전성 패이스트(conductive paste)나 도전성 접착 필름(conductive adhesive film)과 같은 도전성 재질이 등이 이용될 수 있다.
또한, 제1, 2, 3 태양 전지(C1 ~ C3) 각각에서 인터커넥터(IC)와 접속되지 않는 복수 개의 제1 전극(C141) 또는 제2 전극(C142)과 인터커넥터(IC) 사이에는 절연층(IL)이 위치할 수 있다.
보다 구체적 일례로, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 태양 전지(C2)에서 절연층(IL)은 제1 인터커넥터(IC1)와 복수의 제2 전극(C142) 사이 및 제2 인터커넥터(IC2)와 복수의 제1 전극(C141) 사이에 위치할 수 있다.
이에 따라, 각 태양 전지와 인터커넥터(IC) 사이의 불필요한 단락이나 션트(shunt)를 보다 효과적으로 방지할 수 있다. 이와 같은 절연층(IL)은 에폭시(epoxy)와 같은 절연성 수지를 포함하여 형성될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서, 전술한 도전성 접착제(CA)는 인터커넥터(IC)에 포함되는 금속 물질과 동일하거나 동일한 계열의 금속 물질을 포함할 수 있다.
이는 도전성 접착제(CA)와 인터커넥터(IC) 또는 셀 전극(C141, C142) 중 적어도 하나에 서로 동일하거나 동일한 계열의 금속 물질이 포함되도록 함으로써, 도전성 접착제(CA)와 인터커넥터(IC) 사이의 접촉력과 접촉 저항을 최소화하기 위함이다.
보다 구체적으로 설명하면, 도전성 접착제(CA)와 인터커넥터(IC)에 포함되는 금속 물질이 서로 다른 경우, 도전성 접착제(CA)와 인터커넥터(IC)를 열처리 공정을 통해 서로 접착시킬 때에, 도전성 접착제(CA)와 인터커넥터(IC) 사이에 합금(alloy)이 잘 형성되지 않아 접착력과 접촉 저항을 크게 약화시키는 크랙(crack)이 발생할 가능성이 있다.
이와 같은 크랙이 발생하면, 결국 단락 전류(Isc)가 크게 저하될 수 있고, 결국 필 팩터(F.F)와 신뢰성이 저하될 수 있다.
그러나, 본 발명과 같이, 도전성 접착제(CA)와 인터커넥터(IC)에 서로 동일하거나 동일한 계열의 금속 물질이 포함되도록 하면, 이와 같은 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
일례로, 인터커넥터(IC)가 구리와 같은 하나 금속만으로 형성되는 경우, 도전성 접착제(CA)에는 구리와 같은 금속이나 구리와 동일한 계열의 금속 물질이 포함될 수 있다.
여기서, 동일한 계열의 금속 물질이라 함은 동일한 금속을 포함하는 금속 합금 또는 열팽창 계수가 10% 이내로 동일한 금속을 포함하거나 금속 합금을 포함한 물질일 수 있다.
또한, 이와 다르게, 도 4의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 인터커넥터(IC)는 일례로, 도전성 금속 물질로 형성되는 코어(IC-C)와 코어(IC-C)의 표면에 제1 금속 물질을 포함하여 형성되는 코팅층(IC-S)을 포함하여 형성될 수 있다.
여기서, 제1 금속 물질은 주석(Sn), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는 니켈(Ni) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
여기서, 코팅층(IC-S)의 제1 금속 물질이 주석(Sn)을 포함하는 경우를 예로 들면, 코팅층(IC-S)은 주석(Sn) 계열의 물질을 포함하는 솔더층으로 형성될 수 있고, 구체적으로, SnBiAg, SnBi, SnAg, SnPbAg, SnIn 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
이때, 도전성 접착제(CA)는 제1 금속 물질 또는 제1 금속 물질이 포함된 금속 합금 물질이 포함하여 형성될 수 있다. 즉, 도전성 접착제(CA)의 제1 금속 물질은 주석(Sn)일 수 있고, 제1 금속 물질이 포함된 금속 합금 물질은 주석(Sn)이 포함된 금속 합금 물질일 수 있다.
즉, 도 4의 (a)와 같이, 도전성 접착제(CA)가 솔더 페이스트로 형성된 경우, 솔더 페이스트는 제1 금속 물질인 주석(Sn)이나 제1 금속 물질이 포함된 금속 합금 물질인 SnBiAg, SnBi, SnAg, SnPbAg, SnIn 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
또한, 이와 다르게, 도 4의 (b)와 같이, 도전성 접착제(CA)가 도전성 금속 입자(CA-P)가 절연성 수지(CA-I) 내에 포함되는 도전성 패이스트(conductive paste)로 형성되는 경우, 도전성 접착제(CA)의 도전성 금속 입자(CA-P)는 제1 금속 물질인 주석(Sn)이나 제1 금속 물질이 포함된 금속 합금 물질인 SnBiAg, SnBi, SnAg, SnPbAg, SnIn 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
도 4에서는 일례로, 인터커넥터(IC)의 코팅층(IC-S)이 주석(Sn)을 포함하는 경우를 예로 들었지만, 이 외에도 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는 니켈(Ni) 중 적어도 하나의 제1 금속 물질을 포함하는 경우에도 마찬가지로 도전성 접착제(CA)의 코팅층(IC-S)은 제1 금속 물질을 포함하거나 제1 금속 물질이 포함된 금속 합금 물질을 포함하여 형성될 수 있다.
아울러, 도 4의 (a) 및 (b)에서는 인터커넥터의 단면이 원형 형태를 갖는 경우를 일례로 도시하였으나, 이외에도, 인터커넥터의 단면은 두께와 폭이 동일한 와이어 형태, 두께보다 폭이 큰 직사각형 형태, 사다리꼴 형태 또는 다각형 형태 중 어느 하나의 형태를 가질 수 있다.
지금까지는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 도전성 접착제(CA)에 대해 살펴보았으나, 이하에서는 본 발명의 태양 전지 모듈에 적용 가능한 태양 전지의 일례에 대해 설명한다.
도 5 및 도 6은 도 1에 도시된 태양 전지 모듈의 태양 전지 일례를 설명하기 위한 도로서, 도 5는 태양 전지의 일부 사시도이고, 도 6은 태양 전지의 후면 패턴 일례를 도시한 것이다.
도 5를 참고로 하면, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121), 후면 전계부(back surface field;BSF, 172), 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)을 포함할 수 있다.
여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)는 생략될 수도 있으나, 이하에서는 도 5에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)가 포함된 것을 일례로 설명한다.
반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판(110)일 수 있다. 이와 같은 반도체 기판(110)은 결정질 실리콘 재질로 형성되는 반도체 웨이퍼에 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다.
에미터부(121)는 전면과 마주보고 있는 반도체 기판(110)의 후면 내에 서로 이격되어 위치하며, 서로 나란한 제1 방향(x)으로 뻗어 있다. 이와 같은 에미터부(121)는 복수 개일 수 있으며, 복수의 에미터부(121)는 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 일례로 p형 도전성 타입의 불순물이 포함될 수 있다.
이에 따라 반도체 기판(110)과 에미터부(121)에 의해 p-n 접합이 형성될 수 있다.
후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내부에 복수 개가 위치할 수 있으며, 복수의 에미터부(121)와 나란한 제1 방향(x)으로 뻗어 있다. 따라서, 도 5 및 도 6에 도시한 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)는 교대로 위치할 수 있다.
복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유한 불순물, 예를 들어 n++ 부일 수 있다.
복수의 제1 전극(C141)은 에미터부(121)와 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 에미터부(121)를 따라서 반도체 기판(110)의 후면에 형성될 수 있다.
또한, 복수의 제2 전극(C142)은 복수의 후면 전계부(172)를 따라서 반도체 기판(110)의 후면에 형성되며, 후면 전계부(172)를 통하여 반도체 기판(110)과 각각 물리적 및 전기적으로 연결될 수 있다.
여기서, 복수의 제1 전극(C141)의 각각은 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로 뻗어 있을 수 있으며, 복수의 제1 전극(C141) 각각은 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 서로 이격되어 배열될 수 있다.
아울러, 복수의 제2 전극(C142) 각각도 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로 뻗어 있을 수 있으며, 복수의 제2 전극(C142) 각각은 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 서로 이격되어 배열될 수 있다.
아울러, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)은 서로 이격되어, 전기적으로 격리될 수 있으며, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 서로 교번하여 배치될 수 있다.
여기서, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142) 각각의 두께(TC) 대비 폭(WC)의 비가 1: 200 ~ 1500 사이일 수 있다. 즉, 일례로, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142) 각각의 두께(TC)는 0.2㎛ ~ 1㎛ 사이로 형성될 수 있으며, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142) 각각은 폭(WC)은 200㎛ ~ 300㎛ 사이로 형성될 수 있다.
이와 같이, 제1, 2 전극(C141, C142) 각각의 두께(TC) 대비 폭(WC)의 비가 1: 200 ~ 1500 사이가 되도록 함으로써, 태양 전지의 제조 비용을 최소화할 수 있다.
이와 같은 경우, 제1, 2 전극(C141, C142)의 각 단면적이 과도하게 줄어들어, 제1, 2 전극(C141, C142) 각각의 저항이 문제될 수 있으나, 이와 같은 저항은 제1, 2 전극(C141, C142) 각각에 접속되는 제1, 2 배선(P1, P2)의 개수와 폭을 적절하게 설정함으로써 해소될 수 있다. 이와 같은 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)은 일례로, 스퍼터링 방식으로 제조될 수 있다.
이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 전극(C141)을 통하여 수집된 정공과 제2 전극(C142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용된 태양 전지는 반드시 도 5에만 한정하지 않으며, 태양 전지에 구비되는 제1, 2 전극(C141, C142)이 반도체 기판(110)의 후면에만 형성되는 점을 제외하고 다른 구성 요소는 얼마든지 변경이 가능하다.
한편, 여기서, 본 발명에 따른 태양 전지에서 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)은 전술한 도전성 접착제(CA)에 포함되는 제1 금속 물질 또는 제1 금속 물질이 포함된 금속 합금 물질을 포함할 수 있다.
즉, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)은 일례로, 도전성 접착제(CA)에 포함되는 제1 금속 물질과 동일한 주석(Sn), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는 니켈(Ni) 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
일례로, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)이 은(Ag)나 은(Ag)를 포함하는 금속 합금 물질을 포함하여 형성되는 경우, 제1 전극(C141)이나 제2 전극(C142)을 인터커넥터(IC)와 전기적으로 연결시키는 도전성 접착제(CA) 역시, 은(Ag)나 은(Ag)를 포함하는 금속 합금 물질을 포함하여 형성될 수 있다.
이와 같이, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)과 도전성 접착제(CA)가 제1 금속 물질 또는 제1 금속 물질이 포함된 금속 합금 물질을 공통으로 포함하여 형성함으로써, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)과 도전성 접착제(CA) 사이의 접촉력이나 접촉 저항을 더욱 향상시킬 수 있다.
이와 같은 태양 전지의 후면에는 도 1 내지 3에서 설명한 바와 같은 절연층(IL)이 형성될 수 있다. 이와 같은 절연층(IL)의 구체적인 패턴에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 7 및 도 8은 도 1 내지 도 4에 도시된 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 절연층(IL)의 다양한 실시예에 대해 설명하기 위한 도이다.
여기서, 도 7의 (a) 및 도 8의 (a)는 도 5 및 도 6에 도시된 태양 전지의 구조를 갖는 반도체 기판(110)의 후면에 절연층(IL)이 형성된 경우를 일례로 도시한 것이다.
따라서, 도 7 및 도 8에서는 반도체 기판(110)의 후면에 에미터부(121)와 후면 전계부(172)에 대한 도시가 생략되었으나, 실질적으로는 형성된 경우를 전제로 하고, 아울러, 동일한 구성 요소에 대한 설명은 생략한다.
아울러, 도 7의 (b)는 도 7의 (a)에서 CS3-CS3 라인에 따른 단면의 형상을 도시한 것이고, 도 8의 (b)는 도 8의 (a)에서 CS4-CS4 라인에 따른 단면의 형상을 도시한 것이다.
도 7의 (a) 및 도 8에서 AIC1 영역은 제1 인터커넥터(IC1)와 중첩되는 영역이고, AIC2 영역은 제2 인터커넥터(IC2)와 중첩되는 영역이다.
여기서, 도 7의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 절연층(IL)은 어느 하나의 셀 전극(C141 or C142)의 일부분이 노출되도록 복수의 개구부가 형성될 수 있다.
구체적으로 일례로, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 복수의 제1 전극(C141)이 제1 인터커넥터(IC1)와 접속되고, 복수의 제2 전극(C142)이 제2 인터커넥터(IC2)와 접속되는 경우, 본 발명에 따른 절연층(IL) 중에서 (1) 복수의 제1 전극(C141)과 제1 인터커넥터(IC1)가 중첩되는 영역에는 제1 개구부(OP1)가 형성되어, 제1 전극(C141)의 일부분이 노출될 수 있고, (2) 복수의 제2 전극(C142)과 제2 인터커넥터(IC2)가 중첩되는 영역에는 제2 개구부(OP2)가 형성되어, 제2 전극(C142)의 일부분이 노출될 수 있다.
이에 따라, 절연층(IL)은 전술한 제1 개구부(OP1)와 제2 개구부(OP2)가 형성되는 부분을 제외한 반도체 기판(110)의 후면 대부분의 영역에 형성될 수 있다.
이에 따라, 절연층(IL)에서 제1 개구부(OP1)나 제2 개구부(OP2)가 형성된 부분을 통하여 노출되는 셀 전극(C141 or C142)은 인터커넥터(IC)와 도전성 접착제(CA)를 통해 접속될 수 있고, 또한, 인터커넥터(IC)와 절연되어야 할 셀 전극(C141 or C142)은 절연층(IL)에 의해 덮여 있어, 보다 확실한 절연이 확보될 수 있다.
이와 같은 절연층(IL)의 구조는 셀 전극(C141 or C142)에 인터커넥터(IC)를 접속시키기 위해, 도전성 접착제(CA)를 셀 전극(C141 or C142) 위에 도포할 때에, 제1 개구부(OP1)나 제2 개구부(OP2)로 인하여 도전성 접착제(CA)가 넓게 퍼지는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 도전성 접착제(CA)가 과도하게 넓게 퍼져, 제1 인터커넥터(IC1)와 제2 인터커넥터(IC2) 사이 또는 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이의 원하지 않는 단락을 보다 용이하게 방지할 수 있다.
도 7에서는 절연층(IL)이 제1 개구부(OP1)와 제2 개구부(OP2)가 형성되는 부분을 제외한 반도체 기판(110)의 후면 대부분의 영역에 형성된 경우를 일례로 도시하였다.
그러나, 이와 다르게, 본 발명에 따른 절연층(IL)은 인터커넥터(IC)와 접속되는 어느 하나의 셀 전극(C141 or C142)의 일부분이 노출되도록 격벽 형태로 형성될 수 있다.
즉, 도 8에 도시된 바와 같이, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142) 중 인터커넥터(IC)와 중첩되는 영역 중에서 절연층(IL)은 (1) 인터커넥터(IC)와 셀 전극(C141 or C142) 사이의 절연을 위하여 인터커넥터(IC)와 접속되지 않는 셀 전극(C141 or C142)의 일부분 위에 형성될 수 있으며, 아울러 (2) 셀 전극(C141 or C142)에서 인터커넥터(IC)와 접속되는 부분이 노출되도록 격벽 형태로 형성될 수 있다.
이와 같은 절연층(IL)의 격벽은 둥근 형상의 개구부를 형성할 수 있다. 즉, 도 8의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(OP1)나 제2 개구부(OP2)를 형성하는 격벽 형태로 절연층(IL)이 형성될 수 있다.
절연층(IL)이 반도체 기판(110)의 후면 전체면에 형성되지 않고, 도 8에 도시된 바와 같이 필요한 일부분에만 형성되므로, 절연층(IL)의 사용량을 보다 줄일 수 있어, 제조 비용이 보다 절감될 수 있다.
도 7이나 도 8과 같은 절연층(IL)의 패턴은 프린팅 방식, 잉크 젯에 의한 도포 방식, 스퍼터링 방식 또는 CVD 방식을 통하여 형성될 수 있다.
아울러, 이와 같은 절연층(IL)에 적용되는 재질은 용해 온도가 대략 400℃ 이상이고, 경화 온도가 210℃ ~ 250℃ 사이인 것이 바람직할 수 있다.
따라서, 반도체 기판(110)의 후면에 절연층(IL)을 도포한 이후, 절연층(IL)을 미리 경화시킨 상태에서 도전성 접착제(CA)로 인터커넥터(IC)와 셀 전극(C141 or C142)을 서로 연결하는 것이 태양 전지 모듈의 제조 공정을 보다 용이하게 할 수 있다.
지금까지는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지에서 반도체 기판(110)의 두께가 균일하고, 제1, 2 전극(C141, C142)의 두께가 동일한 경우를 전제로 설명하였으나, 본 발명은 반도체 기판(110)의 두께가 균일하지 않고, 제1, 2 전극(C141, C142)의 두께가 서로 다른 경우에도 앞선 도 1 내지 도 8에서 설명한 내용들이 그대로 적용될 수 있다.
도 9는 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에서 각 태양 전지의 반도체 기판(110)이 균일하지 않은 경우를 설명하기 위한 일례이다.
본 발명에 따른 태양 전지에 적용 가능한 태양 전지의 반도체 기판(110)의 두께는 도 9에 도시된 바와 같이 균일하지 않을 수 있으며, 아울러, 제1, 2 전극(C141, C142)의 두께도 서로 다를 수 있다.
이와 같이, 반도체 기판(110)의 두께가 균일하지 않은 것은, 도 5 및 도 6에서 반도체 기판(110)의 후면에 에미터부(121)와 후면 전계부(172)를 형성하는 공정 중에, 반도체 기판(110)의 후면이 에미터부(121)나 후면 전계부(172)의 길이 방향을 따라 일부 에칭(etching)되기 때문이다.
따라서, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 반도체 기판(110)의 단면 두께는 균일하지 않을 수 있으며, 일례로, 도 9에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)에서 복수의 제1 전극(C141)이 위치하는 제1 부분의 두께(TS1)는 복수의 제2 전극(C142)이 위치하는 제2 부분의 두께(TS2)보다 두껍게 형성될 수 있다.
이와 같은 경우, 반도체 기판(110)의 두께가 균일하지 않으므로, 반도체 기판(110)의 후면에 위치하는 복수의 제1, 2 전극(C141, C142) 두께를 동일하게 형성하는 경우, 인터커넥터(IC)와 셀 전극(C141 or C142) 사이의 전기적 접속이 용이하지 않거나, 접속시키더라도 추후 접속 불량이 발생할 가능 높을 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 전술한 바와 같은 접속 불량을 해소하기 위해, 도 9에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 전극(C141) 각각의 두께(TC1)를 복수의 제2 전극(C142) 각각의 두께(TC2)보다 얇게 형성할 수 있다.
이때, 반도체 기판(110)의 제1 부분의 두께(TS1)와 제1 전극 두께(TC1)의 합(H)은 반도체 기판(110)의 제2 부분의 두께(TS2)와 제2 전극 두께(TC2)의 합(H)과 오차 범위 내에서 동일할 수 있다. 이때, 오차 범위는 10% 이내일 수 있다.
따라서, 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태야 전지 모듈은 반도체 기판(110)의 두께 단차가 제1, 2 전극(C141, C142) 사이의 두께 단차에 의해 보상되므로, 인터커넥터(IC)와 셀 전극(C141 or C142) 사이의 접속이 보다 용이하고, 접속 불량 가능성이 사전에 차단될 수 있다.
지금까지는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 인터커넥터(IC)가 코어(IC-C)와 코팅층(IC-S)으로만 형성된 경우를 일례로 설명하였지만, 본 발명은 인터커넥터(IC)의 저항을 보다 낮추고 인터커넥터(IC)의 접착력을 보다 향상시키기 위해 인터커넥터(IC)의 코팅층(IC-S) 표면에 보조 금속층(미도시)을 더 구비할 수 있다. 이에 대해 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 10은 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에서 인터커넥터(IC)에 보조 금속층(IC-A)이 더 구비된 일례를 설명하기 위한 도이다.
본 발명에 따른 인터커넥터(IC)는 전술한 코어(IC-C)와 코팅층(IC-S) 이외에, 코팅층(IC-S)의 표면에 위치하는 보조 금속층(IC-A)을 더 구비할 수 있다.
여기서, 도 10은 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에서, 인터커넥터(IC)에 보조 금속층(IC-A)이 더 구비된 경우, CS2-CS2 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
이와 같은 보조 금속층(IC-A)은 도시된 바와 같이, 코어(IC-C)의 단면 형태를 따라 두께가 균일하게 형성될 수 있으나, 도시된 바와 다르게, 두께가 균일하지 않고 불균일하게 형성될 수도 있다.
구체적으로, 보조 금속층(IC-A)은 도 10에 도시된 바와 같이, 코팅층(IC-S)의 표면 이외에 절연층(IL)의 일부를 덮도록 인터커넥터(IC)의 표면에 위치할 수 있다.
아울러, 도 10은 도전성 접착제(CA)가 도포된 부분이 인터커넥터(IC)의 폭보다 좁은 경우를 일례로 도시한 것이나, 이와 다르게 도전성 접착제(CA)가 도포된 부분이 인터커넥터(IC)의 폭보다 넓은 경우, 보조 금속층(IC-A)은 도전성 접착제(CA)의 일부분을 덮도록 위치할 수도 있다.
이와 같이, 인터커넥터(IC)의 코팅층(IC-S) 표면에 보조 금속층(IC-A)이 더 형성되는 경우, 인터커넥터(IC)의 단면적을 보다 크게 할 수 있어, 인터커넥터(IC) 자체의 저항을 보다 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 태양 전지 모듈의 단락 전류를 보다 향상시킬 수 있고, 이에 따라 태양 전지 모듈의 필 팩터(F.F)를 보다 향상시킬 수 있다.
아울러, 이와 같은 보조 금속층(IC-A)은 인터커넥터(IC)를 각 태양 전지에 접속시키거나 가접속시킨 상태에서 금속 패이스트를 디스팬서(dispenser)나 잉크-젯(ink-jet) 장비를 활용하여 도포하여 열처리 공정으로 형성되거나 도금 방식으로 형성될 수도 있다.
이에 따라, 각 태양 전지와 인터커넥터(IC) 사이의 결합력을 보다 향상시킬 수 있다.
아울러, 도 10에서는 인터커넥터(IC)가 코어(IC-C)와 코팅층(IC-S)으로 형성된 경우, 인터커넥터(IC)의 표면에 보조 금속층(IC-A)이 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 인터커넥터(IC)가 코어(IC-C)로만 형성된 경우에도 동일하게 보조 금속층(IC-A)이 형성될 수 있다. 이와 같이, 인터커넥터(IC)가 코어(IC-C)로만 형성된 경우에는 보조 금속층(IC-A)이 코어(IC-C)의 표면에 위치할 수 있다.
지금까지는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 구조를 주로 설명하였으나, 이하에서는 이와 같은 태양 전지 모듈을 형성하는 방법의 다양한 예에 대해 설명한다.
도 11 내지 도 15는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈을 제조하는 방법의 다양한 일례를 설명하기 위한 도이다.
이하의 도 13 내지 도 15에서는 도 11의 제조 공정과 중복되는 내용에 대한 설명은 생략한다.
먼저, 도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은 절연층(IL) 도포 단계(S1), 절연층 경화 단계(S2), 도전성 접착제 도포 단계(S3), 인터커넥터 배치 단계(S4), 태빙(tabbing) 단계(S5) 및 라미네이션(lamination) 단계(S6)를 포함할 수 있다.
여기서, 절연층(IL) 도포 단계(S1)에서는 도 5 및 도 6에서 설명한 p-n 접합이 형성된 반도체 기판(110), 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)을 구비하는 복수의 태양 전지를 준비한 상태에서, 각 태양 전지의 반도체 기판(110)의 후면 중 인터커넥터(IC)가 전기적으로 연결되지 않는 일부분 위에 도 7이나 도 8과 같은 패턴으로 제1 개구부(OP1)와 제2 개구부(OP2)가 형성되도록 절연층(IL)을 도포할 수 있다.
절연층(IL)이 도포된 이후, 절연층(IL)을 열처리하여 경화하는 절연층 경화 단계(S2)가 수행될 수 있다.
이때, 절연층 경화 단계(S2)의 열처리 경화 온도는 210℃ ~ 250℃ 사이일 수 있다. 아울러, 이때, 절연층(IL)의 용해 또는 용융 온도는 대략 400℃ 이상일 수 있다.
이에 따라, 도 7이나 도 8에서 설명한 바와 같은 절연층(IL)이 반도체 기판(110)의 후면 위에 형성될 수 있다.
이와 같이, 절연층(IL)이 경화된 이후, 복수의 태양 전지를 서로 직렬연결 하기 위하여, 절연층(IL)이 형성되지 않는 복수의 제1, 2 전극(C141, C142) 중 어느 하나의 셀 전극(C141 or C142) 위에 도전성 접착제(CA)가 도포될 수 있다. 즉, 도 7이나 도 8에서 설명한 절연층(IL)의 제1 개구부(OP1)와 제2 개구부(OP2)에 도전성 접착제(CA)가 도포될 수 있다.
이때, 도전성 접착제(CA)는 도 4의 (a)나 (b)에서 설명한 바와 같이, 도전성 접착제(CA)와 인터커넥터(IC) 사이의 접촉력과 접촉 저항을 향상시키기 위해, 인터커넥터(IC)에 포함되는 금속 물질과 동일하거나 동일한 계열의 금속 물질을 포함할 수 있다. 즉, 인터커넥터(IC)와 도전성 접착제(CA)는 제1 금속 물질 또는 제1 금속 물질이 포함된 금속 합금 물질이 포함할 수 있다.
이때, 도전성 접착제(CA)를 경화시키는 열처리 온도는 절연층(IL)의 용해 또는 용융 온도인 대략 400℃보다 낮으면 특별한 제한이 없으나, 보다 용이한 제조 공정을 위해 140℃ ~ 300℃ 사이일 수 있다.
아울러, 제조 공정을 보다 단순화하기 위해서는 도전성 접착제(CA)를 열처리하여 인터커넥터(IC)를 셀 전극(C141 or C142)에 접속시키는 태빙 단계(S5)과 라미네이션 단계(S6)를 동시에 수행할 수 있는데, 이를 위해서는 경화 온도가 145℃ ~ 165℃ 사이인 도전성 접착제(CA)를 사용할 수도 있다.
이와 같이, 도전성 접착제 도포 단계(S3)를 절연층 경화 단계(S2)를 이후에 수행하는 것은 열처리 공정 중에 절연층(IL)의 재질과 도전성 접착제(CA) 재질이 서로 혼합되어, 원하지 않는 단락이나 션트(shunt)가 발생할 가능성을 사전에 차단하기 위함이다.
즉, 절연층(IL)과 도전성 접착제(CA)가 도포된 상태에서 절연층(IL)과 도전성 접착제(CA)를 한꺼번에 경화시킬 경우, 도전성 접착제(CA)의 일부 재료가 절연층(IL) 재료 사이로 스며들거나 혼합되어, 원하지 않는 단락이 발생할 가능성이 있다.
그러나, 본 발명과 같이, 절연층(IL)을 경화시킨 이후, 도전성 접착제(CA)를 도포하는 경우, 전술한 바와 같은 단락 문제가 발생할 가능성을 사전에 차단할 수 있다.
전술한 도전성 접착제(CA)가 도포된 이후, 복수의 인터커넥터(IC)를 도전성 접착제(CA)가 도포된 반도체 기판(110)의 후면 위에 배치하는 인터커넥터 배치 단계(S4)가 수행될 수 있다.
이와 같은 인터커넥터 배치 단계(S4)에서는 도 1에 도시된 바와 같이, 각각의 태양 전지에 구비된 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)이 제1 방향(x)으로 향하도록 복수의 태양 전지가 제2 방향(y)으로 배열되고, 인터커넥터(IC)가 복수의 태양 전지에 구비된 각 셀 전극(C141 or C142)과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 배치될 수 있다.
이때, 복수의 인터커넥터(IC) 각각은 도전성 접착제(CA)가 도포된 각 태양 전지의 제1, 2 전극(C141, C142) 중 어느 하나의 셀 전극(C141 or C142)과 중첩될 수 있다.
이와 같은 인터커넥터 배치 단계(S4) 이후, 도전성 접착제(CA)를 열처리하여 복수의 태양 전지를 복수의 인터커넥터(IC)로 서로 직렬 연결하는 태빙 단계(S5)가 수행될 수 있다.
이와 같은 태빙 단계(S5)에 의해 도전성 접착제(CA)는 단단하게 경화되어, 복수 개의 인터커넥터(IC)는 각 태양 전지의 셀 전극(C141 or C142)에 단단하게 접착될 수 있다.
이에 따라 복수 개의 태양 전지가 인터커넥터(IC)에 의해 직렬 연결된 스트링(string)이 형성될 수 있다.
이때, 태빙 단계(S5)에서 도전성 접착제(CA)의 열처리 온도는 140℃ ~ 300℃ 사이일 수 있다. 그러나 태빙 단계(S5)의 열처리 온도는 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 전술한 바와 같이 145℃ ~ 165℃ 사이일 수도 있다.
여기서, 태빙 단계(S5)에서의 열처리 공정 온도가 145℃ ~ 165℃ 사이인 경우, 열처리 공정 온도가 상대적으로 낮아, 태빙 단계(S5)시 각 태양 전지에 구비된 반도체 기판(110)이 밴딩(bending)되는 정도를 상당히 극복할 수 있으며, 아울러, 태빙 단계(S5)를 별도로 수행하는 것이 아니라 라미네이션 단계(S6) 시에 태빙 단계(S5)를 함께 수행할 수 있어 태양 전지 제조 공정을 더욱 단순화할 수 있다.
이와 같은 태빙 단계(S5)에 의해 도 1 내지 도 4에서 설명한 태양 전지 모듈이 완성될 수 있다.
이와 같은 태빙 단계(S5) 이후, 라미네이션 단계(S6)가 수행될 수 있다. 이와 같은 라미네이션 단계(S6)에서는 도 12에 도시된 바와 같이, 복수의 태양 전지를 투명 기판(FG) 위에 도포된 제1 봉지재(EC1) 위에 위치시킨 이후, 복수의 태양 전지 위에 제2 봉지재(EC2)와 후면 시트(BS)를 배치한 상태에서 화살표 방향으로 열 압착하는 공정이 수행될 수 있다.
여기서, 투명 기판(FG)은 광투과성의 유리 또는 플라스틱 재질일 수 있으며, 제1, 2 봉지재(EC1, EC2)는 탄성력과 절연성을 구비한 재질로, 일례로, EVA를 포함할 수 있다. 아울러, 후면 시트(BS)는 방습 기능이 있는 절연성 재질로 형성될 수 있다.
또한, 라미네이션 단계(S6)에서의 열처리 온도는 145℃ ~ 165℃ 사이일 수 있다.
따라서, 도 11에서는 태빙 단계(S5)와 라미네이션 단계(S6)가 각각 별개로 수행되는 경우를 일례로 도시하였으나, 이와 다르게 태빙 단계(S5)와 라미네이션 단계(S6)는 제조 공정을 보다 단순화하기 위해 동시에 수행될 수 있고, 이때의 열처리 온도는 145℃ ~ 165℃ 사이일 수 있다.
도 11에서는 열처리 공정을 통하여 도전성 접착제(CA)를 경화시켜 인터커넥터(IC)와 셀 전극(C141 or C142)을 서로 접속시키는 단계가 한 번의 태빙 단계(S5)로 형성되는 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게 수행될 수도 있다.
즉, 도 13에 도시된 바와 같이, 태빙 단계(S5)의 열처리 공정 온도보다 낮은 열처리 공정을 수행하여 복수의 인터커넥터(IC)를 어느 하나의 셀 전극(C141 or C142)에 가접합시키는 가접합 단계(S5’)가 더 수행될 수 있다.
이에 따라, 인터커넥터(IC)와 셀 전극(C141 or C142)은 가접합 단계(S5’)와 태빙 단계(S5)를 통해 서로 접속될 수도 있다. 이와 같은 경우, 가접합 단계(S5’)는 인터커넥터 배치 단계(S4)와 태빙 단계(S5) 사이에 가접합 단계(S5’)가 수행될 수 있다. 이와 같은 가접합 단계(S5’)에서의 열처리 공정 온도는 90℃ ~ 120℃ 사이일 수 있다.
따라서, 복수의 인터커넥터(IC)를 태양 전지 후면 위에 배치시킨 상태에서 가접합 단계(S5’)를 통해 인터커넥터(IC)를 각 태양 전지에 고정시킨 상태에서 본접합에 해당하는 태빙 공정을 수행하여, 인터커넥터(IC)와 태양 전지 사이의 접착력과 접촉 저항을 보다 강하게 확보할 수 있다.
아울러, 이와 같은 경우, 도 13에 도시된 바와 다르게, 태빙 단계(S5)와 라미네이션 단계(S6)를 각각 수행할 수도 있으나, 동시에 라미네이션 단계(S6)시에 태빙 단계(S5)도 동시에 수행될 수 있다.
특히, 인터커넥터(IC)를 셀 전극(C141 or C142)에 가접합시킨 경우, 라미네이션 단계(S6)와 태빙 단계(S5)가 동시에 수행될 때, 인터커넥터(IC)가 흐트러질 염려가 없어, 공정 단순화에 더욱 유리할 수 있다.
아울러, 도 13과 다르게, 가접합 단계(S5’)를 대신하여, 열처리 공정을 수행하지 않고, 복수의 인터커넥터(IC)를 태양 전지 후면 위에 배치시킨 상태에서 별도의 고정용 테이프를 복수의 인터커넥터(IC) 상부와 반도체 기판(110)의 후면에 함께 접착시켜, 복수의 인터커넥터(IC)를 태양 전지 후면에 가고정시키는 방법이 이용될 수도 있다.
또한, 도 11에서 설명한 태양 전지 모듈의 제조 공정에 더하여, 인터커넥터 배치 단계(S4) 이후, 인터커넥터(IC)의 표면에 보조 금속층(IC-A)을 더 형성하는 보조 금속층 형성 단계(S-ICA)가 더 수행될 수 있다.
즉, 일례로, 도 14에 도시된 바와 같이, 보조 금속층 형성 단계(S-ICA)는 태빙 단계(S5)와 라미네이션 단계(S6) 사이에 수행될 수 있다.
이와 같은 보조 금속층 형성 단계(S-ICA)는 인터커넥터(IC)를 각 태양 전지에 접속시킨 상태에서 금속 패이스트를 디스팬서(dispenser)나 잉크-젯(ink-jet) 장비를 활용하여 도포하여 열처리 공정으로 형성되거나 도금 방식으로 형성될 수도 있다. 이에 따라, 도 10에서 설명한 보조 금속층(IC-A)을 인터커넥터(IC)의 표면에 더 형성할 수 있다.
아울러, 태양 전지 모듈의 제조 공정에 도 13에서 설명한 바와 같이, 가접합 단계(S5’)가 수행되는 경우에는, 도 15에 도시된 바와 같이, 보조 금속층 형성 단계(S-ICA)는 가접합 단계(S5’)와 태빙 단계(S5) 사이에 수행될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (19)

  1. p-n 접합이 형성된 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1, 2 전극을 포함하는 복수의 태양 전지;
    상기 복수의 태양 전지 각각에 형성된 상기 복수의 제1, 2 전극 중 어느 하나의 셀 전극에 접속되어, 복수의 태양 전지를 서로 직렬 연결하는 복수 개의 인터커넥터; 및
    상기 인터커넥터와 상기 어느 하나의 셀 전극 사이를 서로 접착시키는 도전성 접착제;를 포함하고,
    상기 도전성 접착제는 상기 인터커넥터 또는 상기 셀 전극 중 적어도 하나에 포함되는 금속 물질과 동일하거나 동일한 계열의 금속 물질을 포함하는 태양 전지 모듈.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 인터커넥터는
    도전성 금속 물질로 형성되는 코어;와
    상기 코어의 표면에 제1 금속 물질을 포함하여 형성되는 코팅층;을 포함하고,
    상기 도전성 접착제에는 상기 제1 금속 물질 또는 상기 제1 금속 물질이 포함된 금속 합금 물질이 포함되어 있는 태양 전지 모듈.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 코팅층은 솔더층인 태양 전지 모듈.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 도전성 접착제는
    상기 제1 금속 물질 또는 상기 제1 금속 물질이 포함된 금속 합금 물질이 포함된 솔더 페이스트 또는 절연성 재질의 수지층과 상기 수지층 내에 상기 제1 금속 물질 또는 상기 제1 금속 물질이 포함된 금속 합금 물질이 포함되어 형성된 금속 입자를 포함하는 태양 전지 모듈.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 금속 물질은 주석(Sn), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는 니켈(Ni) 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지 모듈.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 복수의 제1, 2 전극에는 상기 제1 금속 물질 또는 상기 제1 금속 물질이 포함된 금속 합금 물질이 포함된 태양 전지 모듈.
  7. 제2 항에 있어서,
    상기 복수의 제1, 2 전극 각각은 제1 방향으로 길게 형성되고,
    상기 복수의 태양 전지는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열되고,
    상기 복수의 인터커넥터 각각은 상기 제2 방향으로 길게 형성되는 태양 전지 모듈.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 복수의 태양 전지는 상기 제2 방향으로 순차적으로 배열되는 제1, 2, 3 태양 전지를 포함하고,
    상기 복수의 인터커넥터는 제1 인터커넥터와 제2 인터커넥터를 포함하고,
    상기 제1 인터커넥터는 상기 도전성 접착제를 통해 상기 제2 태양 전지에 구비된 복수의 제1 전극과 상기 제1 태양 전지에 구비된 복수의 제2 전극과 접속되며,
    상기 제2 인터커넥터는 상기 도전성 접착제를 통해 상기 제2 태양 전지에 구비된 복수의 제2 전극과 상기 제3 태양 전지에 구비된 복수의 제1 전극과 접속되는 태양 전지 모듈.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 태양 전지에서,
    상기 도전성 접착제의 형성 위치는 상기 제1 인터커넥터와 상기 복수의 제1 전극이 교차하여 접속하는 제1 접속부분과, 상기 제2 인터커넥터와 상기 복수의 제2 전극이 교차하여 접속하는 제2 접속부분을 포함하는 태양 전지 모듈.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제2 태양 전지에서,
    상기 도전성 접착제는 상기 제1 접속 부분의 일부 또는 상기 제2 접속 부분의 일부에 형성되는 태양 전지 모듈.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 태양 전지에서
    상기 제1 인터커넥터와 상기 복수의 제2 전극 사이 및 상기 제2 인터커넥터와 상기 복수의 제1 전극 사이에는 절연층이 위치하는 태양 전지 모듈.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제2 태양 전지에서
    상기 절연층은 상기 인터커넥터와 접속되는 상기 어느 하나의 셀 전극의 일부분이 노출되도록 복수의 개구부가 형성되는 태양 전지 모듈.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 어느 하나의 셀 전극에서 상기 인터커넥터와 접속되는 부분이 노출되도록 격벽 형태로 형성되는 태양 전지 모듈.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 태양 전지 각각에 구비된 반도체 기판에서
    상기 복수의 제1 전극이 위치하는 제1 부분의 두께는 상기 복수의 제2 전극이 위치하는 제2 부분의 두께보다 두껍고,
    상기 복수의 제1 전극 각각의 두께는 상기 복수의 제2 전극 각각의 두께보다 얇은 태양 전지 모듈.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 반도체 기판의 상기 제1 부분의 두께와 상기 제1 전극 두께의 합은 상기 반도체 기판의 상기 제2 부분의 두께와 상기 제2 전극 두께의 합과 오차 범위 내에서 동일한 태양 전지 모듈.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 오차 범위는 10% 내인 태양 전지 모듈.
  17. 제1 항에 있어서,
    상기 인터커넥터는 상기 코팅층의 표면에 위치하는 보조 금속층을 더 포함하는 태양 전지 모듈.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 보조 금속층은 상기 코팅층의 표면 이외에 상기 도전성 접착제 또는 상기 절연층의 일부를 덮도록 상기 인터커넥터의 표면에 위치하는 태양 전지 모듈.
  19. 제1 항에 있어서,
    상기 인터커넥터의 단면은 두께와 폭이 동일한 와이어 형태, 두께보다 폭이 큰 직사각형 형태, 사다리꼴 형태 또는 다각형 형태 중 어느 하나의 형태를 갖는 태양 전지 모듈.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190014882A (ko) * 2017-08-04 2019-02-13 엘지전자 주식회사 태양 전지 패널 및 이의 제조 방법
WO2024096228A1 (ko) * 2022-11-03 2024-05-10 한화솔루션 주식회사 태양 전지 패널

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10770610B2 (en) * 2015-12-08 2020-09-08 Sunpower Corporation Photovoltaic module interconnect joints
CN107425082B (zh) * 2016-05-03 2022-10-28 Lg电子株式会社 太阳能电池模块
US11227962B2 (en) 2018-03-29 2022-01-18 Sunpower Corporation Wire-based metallization and stringing for solar cells
US11581843B2 (en) * 2018-09-14 2023-02-14 Tesla, Inc. Solar roof tile free of back encapsulant layer
CN110634987A (zh) * 2019-08-05 2019-12-31 湖北工业大学 高效太阳能电池的多主栅焊接及自动封装的方法
DE102020100354A1 (de) * 2020-01-09 2021-07-15 EnBW Energie Baden-Württemberg AG Verfahren zur Herstellung einer rückseitenkontaktierten Solarzelle und rückseitenkontaktierte Solarzelle
DE102020100353B3 (de) * 2020-01-09 2021-06-10 EnBW Energie Baden-Württemberg AG Verfahren zur Herstellung einer rückseitenkontaktierten Solarzelle und rückseitenkontaktierte Solarzelle
JP7483382B2 (ja) * 2020-01-15 2024-05-15 株式会社カネカ 太陽電池モジュール
JPWO2021171953A1 (ko) * 2020-02-26 2021-09-02
CN212303684U (zh) * 2020-05-19 2021-01-05 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种背接触太阳电池组件
WO2021241425A1 (ja) * 2020-05-29 2021-12-02 株式会社カネカ 太陽電池および太陽電池製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080169020A1 (en) * 2004-05-21 2008-07-17 Neomax Materials Co., Ltd. Electrode Wire For Solar Cell
US20110277817A1 (en) * 2008-08-22 2011-11-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell module, solar cell and solar cell module manufacturing method
US20120312358A1 (en) * 2010-02-24 2012-12-13 Kyocera Corporation Solar cell module and method for manufacturing same

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003069055A (ja) * 2001-06-13 2003-03-07 Sharp Corp 太陽電池セルとその製造方法
US20050115602A1 (en) * 2003-11-28 2005-06-02 Kyocera Corporation Photo-electric conversion cell and array, and photo-electric generation system
KR101040002B1 (ko) * 2006-08-29 2011-06-09 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 도전성 접착 필름 및 태양 전지 모듈
WO2008080160A1 (en) * 2006-12-22 2008-07-03 Advent Solar, Inc. Interconnect technologies for back contact solar cells and modules
US20110120530A1 (en) * 2007-08-23 2011-05-26 Takayuki Isaka Back surface contact type solar cell, back surface contact type solar cell with wiring board, solar cell string, and solar cell module
TWI438915B (zh) * 2008-02-21 2014-05-21 Sanyo Electric Co 太陽能電池模組
JP2011003724A (ja) * 2009-06-18 2011-01-06 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
CN102714235B (zh) * 2010-01-22 2015-01-14 夏普株式会社 带布线板的太阳能电池单元及其制造方法
DE102010017180A1 (de) * 2010-06-01 2011-12-01 Solarworld Innovations Gmbh Solarzelle, Solarmodul, und Verfahren zum Verdrahten einer Solarzelle, und Kontaktdraht
US9837572B2 (en) * 2011-01-27 2017-12-05 Hitachi Chemical Company, Ltd. Solar cell module and method of manufacturing thereof
KR101254564B1 (ko) * 2011-05-18 2013-04-19 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
US9490376B2 (en) * 2011-09-29 2016-11-08 Lg Electronics Inc. Solar cell module
JP2013143426A (ja) * 2012-01-10 2013-07-22 Nitto Denko Corp 導電性接着シートおよび太陽電池モジュール
US9293635B2 (en) * 2012-03-19 2016-03-22 Rec Solar Pte. Ltd. Back junction back contact solar cell module and method of manufacturing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080169020A1 (en) * 2004-05-21 2008-07-17 Neomax Materials Co., Ltd. Electrode Wire For Solar Cell
US20110277817A1 (en) * 2008-08-22 2011-11-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell module, solar cell and solar cell module manufacturing method
US20120312358A1 (en) * 2010-02-24 2012-12-13 Kyocera Corporation Solar cell module and method for manufacturing same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190014882A (ko) * 2017-08-04 2019-02-13 엘지전자 주식회사 태양 전지 패널 및 이의 제조 방법
WO2024096228A1 (ko) * 2022-11-03 2024-05-10 한화솔루션 주식회사 태양 전지 패널

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