KR20150113877A - Thermosetting die bond film, dicing·die bond film and manufacturing method for semiconductor device - Google Patents

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Abstract

Provided are a thermosetting die bond film properly fractured by a tensile strength at low temperatures, and a purpose for use thereof. Before thermosetting, a storage modulus A at 0°C is 1 GPa or greater, and a loss modulus B at 0°C is 500 MPa or less. A loss tangent C at 0°C is 0.1 or less, and a glass transition temperature D exceeds 0°C. Moreover, a ratio E of a modulus of the glass transition temperature D to a modulus of the loss tangent C is 600 or greater.

Description

열경화형 다이본드 필름, 다이싱·다이본드 필름 및 반도체 장치의 제조 방법{THERMOSETTING DIE BOND FILM, DICING·DIE BOND FILM AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a thermosetting die-bonding film, a dicing die-bonding film, and a method of manufacturing a semiconductor device,

본 발명은 열경화형 다이본드 필름, 다이싱·다이본드 필름 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thermosetting die-bonding film, a dicing die-bonding film and a method of manufacturing a semiconductor device.

종래, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서, 다이싱 공정에서 반도체 웨이퍼를 접착 보유 지지함과 함께, 마운트 공정에 필요한 칩 고착용의 접착제층도 부여하는 다이싱·다이본드 필름이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이 다이싱·다이본드 필름은, 지지 기재와 점착제층을 구비하는 다이싱 필름 상에 접착제층을 설치하여 이루어지는 것이며, 그 접착제층에 의한 보유 지지 하에 반도체 웨이퍼를 블레이드에 의해 다이싱(소위 블레이드 다이싱)한 뒤, 익스팬드 공정에서 다이싱 필름을 연신하고, 계속하여 개편화된 칩을 접착제층과 함께 픽업하고, 이것을 개별적으로 회수하여 그 접착제층을 통하여 리드 프레임 등의 피착체에 고착시키도록 한 것이다.BACKGROUND ART A dicing die-bonding film has been proposed in the past in which a semiconductor wafer is adhered and held in a dicing step in a manufacturing process of a semiconductor device, and an adhesive layer for chip mounting necessary for a mounting process is also provided For example, see Patent Document 1). This dicing die-bonding film is formed by providing an adhesive layer on a dicing film having a supporting substrate and a pressure-sensitive adhesive layer, and by dicing the semiconductor wafer with a blade under the holding by the adhesive layer (a so- After the dicing film is stretched in the expanding process, the discrete chips are picked up together with the adhesive layer, and these chips are individually collected and fixed to the adherend such as the lead frame through the adhesive layer It is.

블레이드 다이싱의 경우에는, 반도체 웨이퍼와 함께 다이본드 필름을 절단할 필요가 있다. 그런데, 다이아몬드 블레이드를 사용한 일반적인 다이싱 방법에 있어서는, 다이싱 시에 발생하는 열의 영향에 의한 다이본드 필름과 다이싱 필름의 유착, 절삭 칩의 발생에 의한 반도체칩끼리의 고착, 반도체칩 측면에의 절삭 칩의 부착, 얇은 반도체 웨이퍼의 경우에는 칩핑 등이 우려되기 때문에, 절단 속도를 느리게 할 필요가 있어, 비용의 상승을 초래하고 있었다.In the case of blade dicing, it is necessary to cut the die-bonding film together with the semiconductor wafer. However, in a general dicing method using a diamond blade, adhesion between the die-bonding film and the dicing film due to the influence of heat generated during dicing, adhesion between the semiconductor chips due to generation of cutting chips, It is necessary to reduce the cutting speed because the attachment of cutting chips and chipping in the case of thin semiconductor wafers are concerned and the cost is increased.

따라서, 최근 들어, 반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하고, 그 후, 이면 연삭을 행함으로써 개개의 반도체칩을 얻는 방법(이하, 「DBG(Dicing Before Grinding)법」이라고도 하며; 예를 들어, 특허문헌 2 참조)이나, 반도체 웨이퍼에 있어서의 분할 예정 라인에 레이저광을 조사하여 개질 영역을 형성함으로써, 반도체 웨이퍼를 분할 예정 라인에서 용이하게 분할 가능하게 한 후, 인장 응력을 가함으로써 이 반도체 웨이퍼를 파단하여 개개의 반도체칩을 얻는 방법(이하 「스텔스 다이싱(등록 상표)」이라고도 함)이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 3 및 특허문헌 4 참조). 이들 방법에 의하면, 특히 반도체 웨이퍼의 두께가 얇은 경우에 칩핑 등의 불량이 발생하는 것을 저감하는 것을 가능하게 함과 함께, 커프폭(절단 여유부)을 종래에 비하여 좁게 하여 반도체칩의 수율 향상을 도모할 수 있다고 되어 있다.Therefore, recently, a method of obtaining individual semiconductor chips (hereinafter referred to as " DBG (Dicing Before Grinding) method ") by forming grooves on the surface of a semiconductor wafer and then performing backgrinding, And a modified region is formed by irradiating a laser beam on the line to be divided in the semiconductor wafer so that the semiconductor wafer can be easily divided at the line to be divided and then tensile stress is applied to the semiconductor wafer (Hereinafter also referred to as " stealth dicing (registered trademark) ") has been proposed (see, for example, Patent Document 3 and Patent Document 4). According to these methods, it is possible to reduce the occurrence of defects such as chipping when the thickness of the semiconductor wafer is small, and to narrow the cuff width (cutting margin) It is said that it can plan.

일본 특허 공개 제2008-218571호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-218571 일본 특허 공개 제2003-007649호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-007649 일본 특허 공개 제2002-192370호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-192370 일본 특허 공개 제2003-338467호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-338467

다이본드 필름의 보유 지지 하에 있어서, DBG법이나 스텔스 다이싱에 의해 다이본드 필름이 부착된 개개의 반도체칩을 얻기 위해서는, 익스팬드 공정에서의 인장 응력에 의해 반도체 웨이퍼와 함께 다이본드 필름을 파단할 필요가 있다. 따라서, DBG법이나 스텔스 다이싱에서는, 다이본드 필름의 파단성을 높이기 위해서, 저온 하(예를 들어, 0℃)에서 익스팬드한다는 방법이 제안되어 있다. 그러나, 종래의 다이본드 필름을 저온 하에서 익스팬드하면, 부분적으로 반도체 웨이퍼나 다이본드 필름이 파단되지 않는다고 하는 문제가 발생하고 있어, 반도체 장치의 제조 수율이 저하되는 결과로 되고 있다.In order to obtain individual semiconductor chips to which the die-bonding film is attached by the DBG method or stealth dicing under the retention of the die-bonding film, the die-bonding film is broken together with the semiconductor wafer by tensile stress in the expanding step There is a need. Therefore, in the DBG method or stealth dicing, a method of expanding at a low temperature (for example, 0 占 폚) is proposed in order to increase the breaking property of the die-bonding film. However, if the conventional die-bonding film is expanded at a low temperature, there arises a problem that the semiconductor wafer or the die-bonding film is not partially broken, and the yield of the semiconductor device is lowered.

본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적은, 저온 하에 있어서 인장 응력에 의해 적합하게 파단되는 열경화형 다이본드 필름 및 그 용도를 제공하는 데 있다.The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a thermosetting die-bonding film which is suitably broken by a tensile stress at a low temperature and its use.

본원 발명자 등은, 상기 문제점을 해결하기 위해 다이본드 필름의 저온 하에서의 특성에 착안하여 예의 검토한 결과, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.In order to solve the above problems, the inventors of the present invention have studied the diabond film under the low temperature, and have completed the present invention.

즉, 본 발명은 열경화 전에 있어서,That is, according to the present invention,

0℃에서의 저장 탄성률 A가 1GPa 이상이며,The storage elastic modulus A at 0 DEG C is 1 GPa or more,

0℃에서의 손실 탄성률 B가 500MPa 이하이고,A loss elastic modulus B at 0 DEG C of 500 MPa or less,

0℃에서의 손실 정접 C(=B/A)가 0.1 이하이고,The loss tangent C (= B / A) at 0 DEG C is 0.1 or less,

유리 전이 온도 D가 0℃를 초과하고, 또한When the glass transition temperature D exceeds 0 캜 and the glass transition temperature

상기 유리 전이 온도 D의 절댓값의 상기 손실 정접 C의 절댓값에 대한 비 E(=D/C)가 600 이상인 열경화형 다이본드 필름에 관한 것이다.And a ratio E (= D / C) of the absolute value of the loss tangent C to an absolute value of the glass transition temperature D of not less than 600.

상기 열경화형 다이본드 필름(이하, 간단히 「다이본드 필름」이라고도 함)은, 열경화 전의 저온 하(0℃)에서의 각 특성을 소정 범위로 하여 파단성을 향상시키고 있으므로, 저온 하에서의 인장 응력의 부하에 의해 적합하게 파단할 수 있다. 저장 탄성률 A가 너무 낮거나, 손실 탄성률 B가 너무 높거나, 손실 정접 C가 너무 높거나, 유리 전이 온도 D가 너무 낮거나, 또는 상기 비 E가 너무 낮거나 하는 경우에는, 저온 하에서의 다이본드 필름의 유연성 내지 점성이 높아져버리고, 그로 인해 파단성으로서는 저하되게 된다. 또한, 각 특성의 측정 방법은 실시예의 기재에 의한다.The thermosetting die-bonding film (hereinafter, simply referred to as a "die-bonding film") improves the breaking property by setting each characteristic at a low temperature (0 ° C.) before heat setting to a predetermined range. It can be suitably broken by the load. When the storage elastic modulus A is too low, the loss elastic modulus B is too high, the loss tangent C is too high, the glass transition temperature D is too low, or the ratio E is too low, The flexibility or viscosity of the film becomes high, and as a result, the film is deteriorated in breaking performance. The measuring method of each characteristic is based on the description of the embodiment.

상기 열경화형 다이본드 필름에 있어서는, 열경화 전에 있어서의 0℃에서의 파단 신장률이 100％ 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 다이본드 필름을 익스팬드시켰을 때에 과도하게 신장하는 것을 방지하여, 적절하게 파단할 수 있다. 또한, 파단 신장률의 측정 방법은 실시예의 기재에 의한다.In the thermosetting die-bonding film, it is preferable that the elongation at break at 0 DEG C before heat curing is 100% or less. As a result, it is possible to prevent the die-bonding film from being excessively stretched when the die-bonding film is expanded, and to properly break the die-bonding film. The method of measuring the elongation at break is based on the description of the examples.

상기 열경화형 다이본드 필름은 무기 필러를 포함하고, 그 무기 필러의 함유량이 10중량％ 이상 90중량％ 이하인 것이 바람직하다. 무기 필러를 소정량 포함함으로써, 다이본드 필름의 각 저온 특성을 소정 범위로 하는 것이 용이하게 된다.It is preferable that the thermosetting die-bonding film contains an inorganic filler and the content of the inorganic filler is 10 wt% or more and 90 wt% or less. By including a predetermined amount of the inorganic filler, it becomes easy to set each low-temperature characteristic of the die-bonding film to a predetermined range.

상기 열경화형 다이본드 필름은 23℃에서 고형의 열경화형 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해 저온 하에서의 유연성을 억제하여 파단성을 향상시킬 수 있다.The thermosetting die-bonding film preferably contains a thermosetting resin solid at 23 占 폚. As a result, the flexibility at low temperature can be suppressed and the breaking performance can be improved.

본 발명에는, 상기 열경화형 다이본드 필름이, 기재 상에 점착제층이 적층된 다이싱 필름 상에 적층되어 있는 다이싱·다이본드 필름도 포함된다.The present invention also includes a dicing die-bonding film in which the thermosetting die-bonding film is laminated on a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer laminated on a substrate.

또한, 본 발명에는, 상기 다이싱·다이본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법으로서,The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor device using the dicing die-bonding film,

반도체 웨이퍼의 분할 예정 라인에 레이저광을 조사하여 상기 분할 예정 라인 상에 개질 영역을 형성하는 공정과,A step of irradiating a laser beam to a line to be divided of the semiconductor wafer to form a modified region on the line to be divided,

개질 영역 형성 후의 반도체 웨이퍼를 상기 다이싱·다이본드 필름에 접합하는 공정과,Bonding the semiconductor wafer after the modified region is formed to the dicing die-bonding film,

-30℃ 내지 20℃의 조건 하에서, 상기 다이싱·다이본드 필름에 인장 응력을 가함으로써, 상기 반도체 웨이퍼와 상기 다이싱·다이본드 필름을 구성하는 다이본드 필름을 상기 분할 예정 라인에서 파단하여 반도체 소자를 형성하는 공정과,The die bonding film constituting the semiconductor wafer and the dicing die-bonding film is broken at the line to be divided by applying a tensile stress to the dicing die-bonding film under the condition of -30 占 폚 to 20 占 폚, A step of forming an element,

상기 반도체 소자를 상기 다이본드 필름과 함께 픽업하는 공정과,A step of picking up the semiconductor element together with the die-bonding film,

픽업한 상기 반도체 소자를, 상기 다이본드 필름을 통하여 피착체에 다이본딩하는 공정Bonding the semiconductor element picked up to an adherend through the die bond film

을 갖는 반도체 장치의 제조 방법도 포함된다.And a method of manufacturing the semiconductor device.

본 발명에는, 상기 다이싱·다이본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법으로서,According to the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device using the dicing die-

반도체 웨이퍼의 표면에 이면까지 달하지 않는 홈을 형성하는 공정과,A step of forming a groove not reaching the back surface on the surface of the semiconductor wafer,

상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 행하고, 상기 이면으로부터 상기 홈을 표출시키는 공정과,Grinding the back surface of the semiconductor wafer to expose the groove from the back surface;

상기 이면으로부터 상기 홈이 표출된 상기 반도체 웨이퍼를 상기 다이싱·다이본드 필름에 접합하는 공정과,Bonding the semiconductor wafer exposed with the grooves to the dicing die-bonding film from the back surface;

-30℃ 내지 20℃의 조건 하에서, 상기 다이싱·다이본드 필름에 인장 응력을 가함으로써, 상기 다이싱·다이본드 필름을 구성하는 다이본드 필름을 파단하여 반도체 소자를 형성하는 공정과,A step of applying a tensile stress to the dicing die-bonding film under the condition of -30 占 폚 to 20 占 폚 to form a semiconductor element by breaking the die-bonding film constituting the dicing die-bonding film;

상기 반도체 소자를 상기 다이본드 필름과 함께 픽업하는 공정과,A step of picking up the semiconductor element together with the die-bonding film,

픽업한 상기 반도체 소자를, 상기 다이본드 필름을 통하여 피착체에 다이본딩하는 공정Bonding the semiconductor element picked up to an adherend through the die bond film

을 갖는 반도체 장치의 제조 방법도 포함된다.And a method of manufacturing the semiconductor device.

상기 제조 방법의 어느 것에 있어서도, 저온 파단성이 양호한 다이본드 필름을 구비하는 다이싱·다이본드 필름을 사용하고 있으므로, 저온 하에서의 인장 응력의 부하로도 다이본드 필름을 적절하게 파단할 수 있어, 제조 효율을 향상시킬 수 있다.In any of the above-mentioned manufacturing methods, since the dicing die-bonding film having the die-bonding film having a good low-temperature breaking performance is used, the die-bonding film can be adequately broken even under the load of tensile stress at low temperature, The efficiency can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱·다이본드 필름을 도시하는 단면 모식도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이싱·다이본드 필름을 도시하는 단면 모식도이다.
도 3은 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 일 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 4는 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 일 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 5의 (a), (b)는 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 일 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 6은 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 일 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 7의 (a) 및 (b)는 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 다른 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 8은 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 다른 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a dicing die-bonding film according to an embodiment of the present invention. FIG.
2 is a schematic cross-sectional view showing a dicing die-bonding film according to another embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view for explaining one manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment.
4 is a schematic cross-sectional view for explaining one manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment.
5 (a) and 5 (b) are cross-sectional schematic diagrams for explaining one manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment.
6 is a schematic cross-sectional view for explaining one manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment.
7A and 7B are cross-sectional schematic diagrams for explaining another manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment.
8 is a schematic cross-sectional view for explaining another manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment.

본 발명의 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 단, 도면의 일부 또는 전부에 있어서, 설명에 불필요한 부분은 생략하고, 또한 설명을 용이하게 하기 위하여 확대 또는 축소 등 하여 도시한 부분이 있다. 상하 등의 위치 관계를 나타내는 용어는, 특별한 언급이 없는 한, 단지 설명을 용이하게 하기 위하여 사용되고 있으며, 본 발명의 구성을 한정할 의도는 전혀 없다.Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that in some or all of the drawings, portions unnecessary for the description are omitted, and portions for enlarging or reducing are shown for ease of explanation. The terms indicating the positional relationship such as the up and down directions are used for ease of explanation only, unless otherwise specified, and there is no intention to limit the constitution of the present invention at all.

《제1 실시 형태》&Quot; First Embodiment &

<다이싱·다이본드 필름>&Lt; Dicing die-bonding film &

본 발명의 다이싱·다이본드 필름에 대하여 이하에 설명한다. 도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱·다이본드 필름을 도시하는 단면 모식도이다. 도 2는, 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이싱·다이본드 필름을 도시하는 단면 모식도이다. 단, 도면의 일부 또는 전부에 있어서, 설명에 불필요한 부분은 생략하고, 또한 설명을 용이하게 하기 위하여 확대 또는 축소 등 하여 도시한 부분이 있다.The dicing die-bonding film of the present invention will be described below. BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a dicing die-bonding film according to an embodiment of the present invention; FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a dicing die-bonding film according to another embodiment of the present invention. It should be noted that in some or all of the drawings, portions unnecessary for the description are omitted, and portions for enlarging or reducing are shown for ease of explanation.

도 1에 도시한 바와 같이, 다이싱·다이본드 필름(10)은 다이싱 필름(11) 상에 다이본드 필름(3)이 적층된 구성을 갖는다. 다이싱 필름(11)은 기재(1) 상에 점착제층(2)을 적층하여 구성되어 있고, 다이본드 필름(3)은 그 점착제층(2) 상에 설치되어 있다. 또한 본 발명은 도 2에 도시하는 다이싱·다이본드 필름(12)과 같이, 반도체 웨이퍼 부착 부분에만 다이본드 필름(3')을 형성한 구성이어도 된다.As shown in Fig. 1, the dicing die-bonding film 10 has a structure in which the die-bonding film 3 is laminated on the dicing film 11. Fig. The dicing film 11 is formed by laminating a pressure sensitive adhesive layer 2 on a substrate 1 and the die bonding film 3 is provided on the pressure sensitive adhesive layer 2. [ Further, the present invention may be configured such that the die bonding film 3 'is formed only on the semiconductor wafer mounting portion like the dicing die-bonding film 12 shown in Fig.

(다이싱 필름)(Dicing film)

상기 기재(1)는 자외선 투과성을 갖는 것이 바람직하고, 다이싱·다이본드 필름(10, 12)의 강도 모체가 되는 것이다. 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드, 폴리페닐술피드, 아라미드(지), 유리, 유리 섬유, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다.The base material 1 preferably has ultraviolet transmittance and becomes a matrix of the dicing die-bonding films 10 and 12. For example, polyolefins such as low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymerized polypropylene, homopolypropylene, polybutene, polymethylpentene, (Meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, an ethylene-butene copolymer, an ethylene-hexene copolymer, a polyurethane, a polyethylene terephthalate , Polyesters such as polyethylene naphthalate, polycarbonates, polyimides, polyetheretherketones, polyimides, polyetherimides, polyamides, wholly aromatic polyamides, polyphenylsulfides, Fiber, fluororesin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose-based resin, There may be mentioned a resin, metal (foil), paper or the like.

또한 기재(1)의 재료로서는, 상기 수지의 가교체 등의 중합체를 들 수 있다. 상기 플라스틱 필름은, 비연신으로 사용해도 되고, 필요에 따라 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시한 것을 사용해도 된다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 수지 시트에 의하면, 다이싱 후에 그 기재(1)를 열수축시킴으로써 점착제층(2)과 다이본드 필름(3, 3')의 접착 면적을 저하시켜서, 반도체칩(반도체 소자)의 회수의 용이화를 도모할 수 있다.As the material of the substrate 1, a polymer such as a crosslinked product of the resin may be mentioned. The above plastic film may be used in a non-stretched state, or may be subjected to a single-axis or biaxial stretching treatment if necessary. The resin sheet to which heat-shrinkability is imparted by stretching treatment or the like reduces the bonding area between the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die-bonding films 3 and 3 'by heat shrinking the base material 1 after dicing, Device) can be easily recovered.

기재(1)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 보유 지지성 등을 높이기 위해서, 관용의 표면 처리, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(예를 들어, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다. 상기 기재(1)는 동종 또는 이종의 것을 적절하게 선택하여 사용할 수 있고, 필요에 따라 수종을 블렌드한 것을 사용할 수 있다. 또한, 기재(1)에는, 대전 방지능을 부여하기 위해서, 상기한 기재(1) 상에 금속, 합금, 이 산화물 등을 포함하는 두께가 30 내지 500Å 정도인 도전성 물질의 증착층을 형성할 수 있다. 기재(1)는 단층 또는 2종 이상의 복층이어도 된다.The surface of the substrate 1 is subjected to chemical treatment such as chemical treatment such as chromate treatment, ozone exposure, flame exposure, high voltage exposure, ionizing radiation treatment, and the like for the purpose of enhancing the adhesion with the adjacent layer, Or a physical treatment or a coating treatment with a primer (for example, an adhesive material described below) can be carried out. The base material (1) may be selected from homogeneous or heterogeneous materials suitably and used, and if necessary, a blend of several species may be used. In order to impart antistatic ability to the base material 1, a vapor-deposited layer of a conductive material having a thickness of about 30 to 500 Å, which contains a metal, an alloy, oxides, etc., can be formed on the base material 1 have. The base material 1 may be a single layer or two or more layers.

기재(1)의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적절하게 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5 내지 200㎛ 정도이다.The thickness of the substrate 1 is not particularly limited and can be appropriately determined, but is generally about 5 to 200 mu m.

상기 점착제층(2)은 자외선 경화형 점착제를 포함하여 구성되어 있는 것이 바람직하다. 자외선 경화형 점착제는, 자외선의 조사에 의해 가교도를 증대시켜서 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있고, 도 2에 도시하는 점착제층(2)의 반도체 웨이퍼 부착 부분에 대응하는 부분(2a)만을 자외선 조사함으로써 다른 부분(2b)과의 점착력의 차를 형성할 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer (2) preferably comprises an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive. The ultraviolet ray hardening type pressure sensitive adhesive can increase the degree of crosslinking by irradiation with ultraviolet rays to easily lower the adhesive force and can irradiate only the portion 2a corresponding to the semiconductor wafer mounting portion of the pressure sensitive adhesive layer 2 shown in Fig. It is possible to form a difference in adhesive force with the other portion 2b.

또한, 도 2에 도시하는 다이본드 필름(3')에 맞춰서 자외선 경화형의 점착제층(2)을 경화시킴으로써, 점착력이 현저하게 저하된 상기 부분(2a)을 용이하게 형성할 수 있다. 경화하고, 점착력이 저하된 상기 부분(2a)에 다이본드 필름(3')이 부착되기 때문에, 점착제층(2)의 상기 부분(2a)과 다이본드 필름(3')의 계면은, 픽업 시에 용이하게 박리되는 성질을 갖는다. 한편, 자외선을 조사하지 않은 부분은 충분한 점착력을 갖고 있으며, 상기 부분(2b)을 형성한다.Further, by hardening the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer 2 in accordance with the die-bonding film 3 'shown in Fig. 2, it is possible to easily form the portion 2a in which the adhesive force is remarkably decreased. The interface between the portion 2a of the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die-bonding film 3 'is set at the time of picking-up, because the die-bonding film 3' As shown in Fig. On the other hand, the portion not irradiated with ultraviolet rays has a sufficient adhesive force and forms the portion 2b.

전술한 바와 같이, 도 1에 도시하는 다이싱·다이본드 필름(10)의 점착제층(2)에 있어서, 미경화의 자외선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분(2b)은 다이본드 필름(3)과 점착하여, 다이싱할 때의 보유 지지력을 확보할 수 있다. 이와 같이 자외선 경화형 점착제는, 반도체칩을 기판 등의 피착체에 다이본딩하기 위한 다이본드 필름(3)을 접착·박리의 밸런스 좋게 지지할 수 있다. 도 2에 도시하는 다이싱·다이본드 필름(12)의 점착제층(2)에 있어서는, 상기 부분(2b)이 웨이퍼 링을 고정할 수 있다.As described above, in the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing die-bonding film 10 shown in Fig. 1, the portion 2b formed by the uncured ultraviolet-curable pressure- So that the holding force when dicing can be secured. As described above, the ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive can support the die bonding film 3 for die-bonding the semiconductor chip to an adherend such as a substrate with good balance of adhesion and peeling. In the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing die-bonding film 12 shown in Fig. 2, the portion 2b can fix the wafer ring.

상기 자외선 경화형 점착제는, 탄소-탄소 이중 결합 등의 자외선 경화성의 관능기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 자외선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 자외선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 자외선 경화형 점착제를 예시할 수 있다.The ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive can be used without particular limitation, which has a UV-curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibits adhesiveness. As the ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive, for example, an addition type ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive in which an ultraviolet curable monomer component or an oligomer component is blended with a common pressure-sensitive adhesive such as an acrylic pressure sensitive adhesive and a rubber pressure sensitive adhesive can be exemplified.

상기 감압성 접착제로서는, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 싫어하는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.As the above-mentioned pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive using an acrylic polymer as a base polymer is preferable from the viewpoints of ultrapure water of an electronic part that is not susceptible to contamination such as a semiconductor wafer or glass, and clean cleaning property by an organic solvent such as alcohol.

상기 아크릴계 중합체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르(예를 들어, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬에스테르 등) 및 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르(예를 들어, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등)의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 중합체 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산에스테르란 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 말하며, 본 발명의 (메트)란 모두 동일한 의미이다.Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (e.g., methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t- And examples thereof include esters, isopentyl esters, hexyl esters, heptyl esters, octyl esters, 2-ethylhexyl esters, isooctyl esters, nonyl esters, decyl esters, isodecyl esters, undecyl esters, dodecyl esters, tridecyl esters, , Straight chain or branched alkyl esters having 1 to 30 carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms, of alkyl groups such as hexadecyl ester, octadecyl ester and eicosyl ester) and (meth) acrylic acid cycloalkyl esters (for example, Cyclopentyl ester, cyclohexyl ester, etc.) may be used as monomers As there may be mentioned acrylic polymers used. The (meth) acrylic acid ester is an acrylic acid ester and / or a methacrylic acid ester, and the term (meth) in the present invention is all synonymous.

상기 아크릴계 중합체는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 단량체 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 단량체; (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체 성분은, 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체의 사용량은, 전체 단량체 성분의 40중량％ 이하가 바람직하다.The acrylic polymer may contain units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or the cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying the cohesive force, heat resistance and the like. Examples of such monomer components include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and crotonic acid; Acid anhydride monomers such as maleic anhydride and itaconic anhydride; Acrylate such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, Hydroxy group-containing monomers such as (meth) acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth) acrylic acid 12-hydroxylauryl and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; Containing sulfonic acid group such as styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, and (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Monomers; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; Acrylamide, acrylonitrile, and the like. These copolymerizable monomer components may be used alone or in combination of two or more. The amount of these copolymerizable monomers to be used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.

또한, 상기 아크릴계 중합체는, 가교시키기 위해서, 다관능성 단량체 등도 필요에 따라 공중합용 단량체 성분으로서 포함할 수 있다. 이와 같은 다관능성 단량체로서, 예를 들어 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이 다관능성 단량체도 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 다관능성 단량체의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서, 전체 단량체 성분의 30중량％ 이하가 바람직하다.Further, in order to crosslink the acrylic polymer, a polyfunctional monomer or the like may be included as a monomer component for copolymerization, if necessary. Examples of such polyfunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di Acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri , Polyester (meth) acrylate, and urethane (meth) acrylate. These polyfunctional monomers may be used alone or in combination of two or more. The amount of the multifunctional monomer to be used is preferably 30% by weight or less based on the total amount of the monomer components from the viewpoint of adhesion properties and the like.

상기 아크릴계 중합체는, 단일 단량체 또는 2종 이상의 단량체 혼합물을 중합에 가함으로써 얻어진다. 중합은, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등 중의 어느 방식으로 행할 수도 있다. 청정한 피착체에 대한 오염 방지 등의 점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이 점으로부터, 아크릴계 중합체의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 30만 이상, 더욱 바람직하게는 40만 내지 300만 정도이다.The acrylic polymer is obtained by adding a single monomer or a mixture of two or more monomers to the polymerization. The polymerization may be carried out by any of the solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like. It is preferable that the content of the low molecular weight substance is small in view of prevention of contamination to a clean adherend. From this point of view, the number-average molecular weight of the acrylic polymer is preferably about 300,000 or more, and more preferably about 400,000 to 3,000,000.

또한, 상기 점착제에는, 베이스 중합체인 아크릴계 중합체 등의 수 평균 분자량을 높이기 위해서, 외부 가교제를 적절하게 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 소위 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 가교해야 할 베이스 중합체와의 밸런스에 따라, 나아가, 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절히 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 중합체 100중량부에 대하여 5중량부 이하가 바람직하다. 또한, 하한값으로서는 0.1 중량부 이상인 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는, 필요에 따라, 상기 성분 외에, 각종 점착 부여제, 노화 예방제 등의 첨가제를 사용해도 된다.In order to increase the number average molecular weight of the acrylic polymer or the like as the base polymer, an external crosslinking agent may be suitably employed in the pressure-sensitive adhesive. Specific examples of the external crosslinking method include a method in which a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, or a melamine crosslinking agent is added and reacted. When an external crosslinking agent is used, the amount thereof to be used is appropriately determined according to the balance with the base polymer to be crosslinked, and further, depending on the intended use as a pressure-sensitive adhesive. Generally, it is preferably 5 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the base polymer. The lower limit value is preferably 0.1 part by weight or more. In addition to these components, additives such as various tackifiers and anti-aging agents may be used for the pressure-sensitive adhesive, if necessary.

배합하는 상기 자외선 경화성의 단량체 성분으로서는, 예를 들어 우레탄올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 자외선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 여러가지의 올리고머를 들 수 있고, 그 분자량이 100 내지 30000 정도의 범위의 것이 적당하다. 자외선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하할 수 있는 양을 적절하게 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여 예를 들어 5 내지 500중량부, 바람직하게는 70 내지 150중량부 정도이다.Examples of the ultraviolet curable monomer component to be blended include urethane oligomer, urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri Acrylate, dipentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di And the like. The ultraviolet-curable oligomer component may include various oligomers such as urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene. The molecular weight of the oligomer is suitably in the range of about 100 to 30,000. The amount of the ultraviolet curable monomer component or the oligomer component can be appropriately determined depending on the type of the pressure-sensitive adhesive layer so that the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer can be lowered. Generally, it is, for example, about 5 to 500 parts by weight, preferably about 70 to 150 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

또한, 자외선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형의 자외선 경화형 점착제 외에, 베이스 중합체로서, 탄소-탄소 이중 결합을 중합체 측쇄 또는 주쇄 중 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 사용한 내재형의 자외선 경화형 점착제를 들 수 있다. 내재형의 자외선 경화형 점착제는, 저분자량 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없고, 또는 많이는 포함하지 않기 때문에, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착제 내에서 이동하지 않고, 안정된 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.Examples of the ultraviolet curable pressure sensitive adhesive include an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive of the internal type using a base polymer having a carbon-carbon double bond at the polymer side chain, main chain or main chain terminal in addition to the addition type ultraviolet curable pressure sensitive adhesive described above. The built-in ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive does not need to contain an oligomer component or the like, which is a low-molecular-weight component, and does not contain much, so that the oligomer component or the like does not move over time in the pressure- Can be formed.

상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 이와 같은 베이스 중합체로서는, 아크릴계 중합체를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 중합체의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 중합체를 들 수 있다.The above-mentioned base polymer having a carbon-carbon double bond may have a carbon-carbon double bond and have a sticking property without particular limitation. As such a base polymer, an acrylic polymer is preferably used as a basic skeleton. As the basic skeleton of the acrylic polymer, there may be mentioned the acrylic polymer exemplified above.

상기 아크릴계 중합체에의 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 여러가지 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 중합체 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예를 들어, 미리, 아크릴계 중합체에 관능기를 갖는 단량체를 공중합한 후, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 자외선 경화성을 유지한 채 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.There are no particular limitations on the method for introducing a carbon-carbon double bond into the acrylic polymer, and various methods can be employed, but molecular design is easy to introduce a carbon-carbon double bond into the side chain of the polymer. For example, after a monomer having a functional group is copolymerized with an acrylic polymer in advance, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond can be obtained by condensation of a compound having a carbon- Or an addition reaction is carried out.

이들 관능기의 조합의 예로서는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이함의 점에서, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 적합하다. 또한, 이들 관능기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 중합체를 생성하는 조합이라면, 관능기는 아크릴계 중합체와 상기 화합물의 어느 측에 있어도 되지만, 상기한 바람직한 조합에서는, 아크릴계 중합체가 히드록실기를 갖고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 적합하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 중합체로서는, 상기 예시된 히드록시기 함유 단량체나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.Examples of combinations of these functional groups include a carboxylic acid group and an epoxy group, a carboxylic acid group and an aziridyl group, and a hydroxyl group and an isocyanate group. Among the combinations of these functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferable in terms of easiness in tracking the reaction. When a combination of these functional groups is used to produce an acrylic polymer having the carbon-carbon double bond, the functional group may be present either on the acrylic polymer or on either side of the compound. In the preferred combination described above, The compound having an actual group and having an isocyanate group is suitable. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl- ?,? -Dimethylbenzyl isocyanate and the like have. As the acrylic polymer, a copolymer obtained by copolymerizing the above-exemplified hydroxyl group-containing monomer, 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, and ether compound of diethylene glycol monovinyl ether may be used.

상기 내재형의 자외선 경화형 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체(특히 아크릴계 중합체)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 자외선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 자외선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상 베이스 중합체 100중량부에 대하여 30중량부의 범위 내이며, 바람직하게는 0 내지 10중량부의 범위이다.The above internal-type ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive can use the above-mentioned base polymer having a carbon-carbon double bond (particularly acrylic polymer) alone, but it is also possible to mix the ultraviolet curable monomer component or oligomer component have. The ultraviolet curable oligomer component and the like are usually within a range of 30 parts by weight, preferably from 0 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer.

상기 자외선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시킨 경우에는 광중합 개시제를 함유시킨다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여 예를 들어 0.05 내지 20중량부 정도이다.When the ultraviolet curable pressure sensitive adhesive is cured by ultraviolet rays or the like, a photopolymerization initiator is contained. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone,? -Hydroxy- ?,? '- dimethylacetophenone, ? -Ketol compounds such as hydroxypropiophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone and the like; Methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -1; Benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and anisoin methyl ether; Ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; Aromatic sulfonyl chloride-based compounds such as 2-naphthalenesulfonyl chloride; A photoactive oxime-based compound such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; Benzophenone compounds such as benzophenone, benzoylbenzoic acid and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone; Thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4- Thioxanthone-based compounds such as thionone, 2,4-diisopropylthioxanthone and the like; Camphorquinone; Halogenated ketones; Acylphosphine oxide; Acylphosphonates, and the like. The blending amount of the photopolymerization initiator is, for example, about 0.05 to 20 parts by weight relative to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

또한 자외선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 소60-196956호 공보에 개시되어 있는, 불포화 결합을 2개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실란 등의 광중합성 화합물과, 카르보닐 화합물, 유기 황 화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제나 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.As the ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive, there can be mentioned, for example, a photopolymerizable compound such as an addition polymerizable compound having two or more unsaturated bonds, alkoxysilane having an epoxy group, and the like, which are disclosed in JP 60-196956 A, , An organic sulfur compound, a peroxide, an amine, and an onium salt-based compound, and an acrylic pressure-sensitive adhesive.

상기 점착제층(2)에 상기 부분(2a)을 형성하는 방법으로서는, 기재(1)에 자외선 경화형의 점착제층(2)을 형성한 후, 상기 부분(2a)에 부분적으로 자외선을 조사하여 경화시키는 방법을 들 수 있다. 부분적인 자외선 조사는, 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a) 이외의 부분(3b) 등에 대응하는 패턴을 형성한 포토마스크를 통하여 행할 수 있다. 또한, 스폿적으로 자외선을 조사하여 경화시키는 방법 등을 들 수 있다. 자외선 경화형의 점착제층(2)의 형성은, 세퍼레이터 상에 설치한 것을 기재(1) 상에 전사함으로써 행할 수 있다. 부분적인 자외선 경화는 세퍼레이터 상에 설치한 자외선 경화형의 점착제층(2)에 행할 수도 있다.As a method of forming the portion 2a on the pressure-sensitive adhesive layer 2, after the ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed on the substrate 1, the portion 2a is partially cured by ultraviolet light irradiation Method. The partial ultraviolet ray irradiation can be performed through a photomask in which a pattern corresponding to the portion 3b or the like other than the semiconductor wafer attaching portion 3a is formed. In addition, a method of irradiating ultraviolet rays in a spot manner to cure them may be used. The ultraviolet curable pressure sensitive adhesive layer 2 can be formed by transferring the ultraviolet curable pressure sensitive adhesive layer 2 provided on the separator onto the base material 1. Partial ultraviolet curing may be performed on the ultraviolet curable pressure sensitive adhesive layer 2 provided on the separator.

다이싱·다이본드 필름(10)의 점착제층(2)에 있어서는, (상기 부분(2a)의 점착력)<(기타의 부분(2b)의 점착력)이 되도록 점착제층(2)의 일부를 자외선 조사해도 된다. 즉, 기재(1)의 적어도 편면의, 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)에 대응하는 부분 이외의 부분의 전부 또는 일부가 차광된 것을 사용하여, 이것에 자외선 경화형의 점착제층(2)을 형성한 후에 자외선 조사하여, 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)에 대응하는 부분을 경화시켜, 점착력을 저하시킨 상기 부분(2a)을 형성할 수 있다. 차광 재료로서는, 지지 필름 상에서 포토마스크로 될 수 있는 것을 인쇄나 증착 등으로 제작할 수 있다. 이에 의해, 효율적으로 본 발명의 다이싱·다이본드 필름(10)을 제조 가능하다.In the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing die-bonding film 10, a part of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is irradiated with ultraviolet rays so that the pressure-sensitive adhesive layer 2 becomes (the pressure-sensitive adhesive force of the portion 2a) . That is, after at least one surface of the substrate 1 except for the portion corresponding to the semiconductor wafer attaching portion 3a is shielded from all or a part thereof, an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive layer 2 is formed thereon The portion corresponding to the semiconductor wafer attaching portion 3a can be cured by irradiating ultraviolet rays to form the portion 2a in which the adhesive force is lowered. As the light-shielding material, what can be a photomask on a support film can be produced by printing, vapor deposition or the like. Thereby, it is possible to efficiently manufacture the dicing die-bonding film 10 of the present invention.

점착제층(2)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 결함 방지나 접착층의 고정 보유 지지의 양립성 등의 점에서, 1 내지 50㎛ 정도가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 내지 30㎛, 더욱 바람직하게는 5 내지 25㎛이다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (2) is not particularly limited, but is preferably 1 to 50 占 퐉, more preferably 2 to 30 占 퐉, and more preferably 2 to 30 占 퐉, from the viewpoints of prevention of defect on the chip cutting surface, Preferably 5 to 25 mu m.

(다이본드 필름)(Die bond film)

다이본드 필름(3, 3')에서는, 0℃에서의 저장 탄성률 A가 1GPa 이상이다. 0℃에서의 저장 탄성률 A는 1.5GPa 이상이 바람직하고, 2GPa 이상이 보다 바람직하다. 저장 탄성률 A를 상기 범위로 함으로써, 다이본드 필름의 결정화도 내지 분자쇄의 응집도를 높여서 저온 하에서의 익스팬드 시의 파단성을 향상시킬 수 있다. 0℃에서의 저장 탄성률 A의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 다이본드 필름의 웨이퍼 라미네이트성의 점으로부터 30GPa 이하가 바람직하고, 20GPa 이하가 보다 바람직하다.In the die-bonding films 3 and 3 ', the storage elastic modulus A at 0 ° C is 1 GPa or more. The storage elastic modulus A at 0 캜 is preferably 1.5 GPa or more, more preferably 2 GPa or more. By setting the storage elastic modulus A in the above range, the degree of crystallization of the die-bonding film or the degree of cohesion of the molecular chains can be increased, and the breaking performance at the time of expanding can be improved. The upper limit of the storage elastic modulus A at 0 DEG C is not particularly limited, but is preferably 30 GPa or less, more preferably 20 GPa or less, from the viewpoint of wafer lamination property of the die bond film.

다이본드 필름(3, 3')에서는, 0℃에서의 손실 탄성률 B가 500MPa 이하이다. 0℃에서의 손실 탄성률 B는 300MPa 이하가 바람직하고, 200MPa 이하가 보다 바람직하다. 손실 탄성률 B를 상기 범위로 함으로써, 다이본드 필름의 점성 상승을 억제하여 저온 하에서의 익스팬드 시의 파단성을 향상시킬 수 있다. 0℃에서의 저장 탄성률 A의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 다이본드 필름의 웨이퍼 라미네이트성의 점으로부터 10MPa 이상이 바람직하고, 20MPa 이상이 보다 바람직하다.In the die-bonding films 3 and 3 ', the loss elastic modulus B at 0 ° C is 500 MPa or less. The loss elastic modulus B at 0 DEG C is preferably 300 MPa or less, and more preferably 200 MPa or less. By setting the loss elastic modulus B within the above range, it is possible to suppress the viscosity increase of the die-bonding film and to improve the breaking property at the time of expanding at low temperatures. The lower limit of the storage elastic modulus A at 0 DEG C is not particularly limited, but is preferably 10 MPa or more, more preferably 20 MPa or more from the viewpoint of wafer lamination property of the die-bonding film.

다이본드 필름(3, 3')에서는, 0℃에서의 손실 정접 C(=B/A)가 0.1 이하이다. 0℃에서의 손실 정접 C는 0.08 이하가 바람직하고, 0.05 이하가 보다 바람직하다. 손실 정접 C를 상기 범위로 함으로써, 다이본드 필름의 점성을 억제하면서 탄성을 높여서 저온 하에서의 익스팬드 시의 파단성을 향상시킬 수 있다. 0℃에서의 손실 정접 C의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 다이본드 필름의 웨이퍼 라미네이트성의 관점에서, 0.005 이상이 바람직하고, 0.01 이상이 보다 바람직하다.In the die-bonding films 3 and 3 ', the loss tangent C (= B / A) at 0 ° C is 0.1 or less. The loss tangent C at 0 캜 is preferably 0.08 or less, more preferably 0.05 or less. By setting the loss tangent C within the above range, the elasticity can be increased while suppressing the viscosity of the die-bonding film, and the breaking performance at the time of expansion can be improved. The lower limit of the loss tangent C at 0 占 폚 is not particularly limited, but is preferably 0.005 or more, more preferably 0.01 or more, from the viewpoint of wafer lamination property of the die-bonding film.

다이본드 필름(3, 3')에서는, 유리 전이 온도 D가 0℃를 초과하고 있다. 유리 전이 온도 D는 20℃ 이상이 바람직하고, 30℃ 이상이 보다 바람직하다. 유리 전이 온도 D를 상기 범위로 함으로써, 다이본드 필름의 결정화도 내지 분자쇄의 응집도를 높여서 저온 하에서의 익스팬드 시의 파단성을 향상시킬 수 있다. 유리 전이 온도 D의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 다이본드 필름의 웨이퍼 라미네이트성의 점으로부터 70℃ 이하가 바람직하고, 60℃ 이하가 보다 바람직하다.In the die-bonding films 3 and 3 ', the glass transition temperature D exceeds 0 占 폚. The glass transition temperature D is preferably 20 DEG C or higher, more preferably 30 DEG C or higher. By setting the glass transition temperature D within the above range, the crystallinity of the die-bonding film or the degree of cohesion of the molecular chains can be increased to improve the breaking performance at the time of expanding at low temperatures. The upper limit of the glass transition temperature D is not particularly limited, but is preferably 70 占 폚 or lower, more preferably 60 占 폚 or lower from the viewpoint of wafer lamination property of the die bond film.

다이본드 필름(3, 3')에서는, 상기 유리 전이 온도 D의 절댓값의 상기 손실 정접 C의 절댓값에 대한 비 E(=D/C)가 600 이상이다. 상기 비 E는 800 이상이 바람직하고, 1000 이상이 보다 바람직하다. 상기 비 E를 상기 범위로 함으로써, 다이본드 필름의 결정화도 내지 분자쇄의 응집도를 높여서 저온 하에서의 익스팬드 시의 파단성을 향상시킬 수 있다. 상기 비 E의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 다이본드 필름의 웨이퍼 라미네이트성의 점으로부터 6000 이하가 바람직하고, 5000 이하가 보다 바람직하다.In the die-bonding films 3 and 3 ', the ratio E (= D / C) to the absolute value of the loss tangent C of the absolute value of the glass transition temperature D is 600 or more. The ratio E is preferably 800 or more, more preferably 1000 or more. By setting the ratio E within the above range, the crystallinity of the die-bonding film or the degree of cohesion of the molecular chains can be increased to improve the breaking performance at the time of expanding at low temperatures. The upper limit of the ratio E is not particularly limited, but is preferably 6000 or less, more preferably 5000 or less, from the viewpoint of wafer lamination property of the die-bonding film.

다이본드 필름(3, 3')의 열경화 전에 있어서의 0℃에서의 파단 신장률은 100％ 이하인 것이 바람직하고, 80％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 다이본드 필름을 익스팬드시켰을 때에 과도하게 신장하는 것을 방지하고, 적절하게 파단할 수 있다. 또한, 상기 파단 신장률의 하한은 특별히 한정되지 않기는 하지만, 과도한 신장의 방지 관점에서는 0％, 즉 전혀 신장하지 않아도 된다.The elongation at break at 0 캜 before thermosetting of the die-bonding films 3 and 3 'is preferably 100% or less, more preferably 80% or less. As a result, it is possible to prevent the die-bonding film from being excessively stretched when the die-bonding film is expanded, and to properly break the die-bonding film. The lower limit of the elongation at break is not particularly limited, but may be 0%, that is, no elongation at all from the viewpoint of preventing excessive elongation.

다이본드 필름의 층 구조는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 다이본드 필름(3, 3')(도 1, 도 2 참조)과 같이 접착제층의 단층만으로 이루어지는 것이나 단층의 접착제층을 적층한 것, 코어 재료의 편면 또는 양면에 접착제층을 형성한 다층 구조의 것 등을 들 수 있다. 상기 코어 재료로서는, 필름(예를 들어 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리카르보네이트 필름 등), 유리 섬유나 플라스틱제 부직 섬유로 강화된 수지 기판, 실리콘 기판 또는 유리 기판 등을 들 수 있다. 다이본드 필름이 다층 구조의 것인 경우, 다층 구조의 다이본드 필름 전체로서, 각 특성이 소정 수치 범위 내이면 된다.The layer structure of the die-bonding film is not particularly limited and may be, for example, a single layer of an adhesive layer such as the die-bonding films 3 and 3 '(see Figs. 1 and 2) And a multilayer structure in which an adhesive layer is formed on one or both sides of the core material. The core material may be a film (for example, a polyimide film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polycarbonate film or the like), a resin substrate reinforced with glass fiber or non- A substrate or a glass substrate. When the die-bonding film has a multi-layer structure, it is sufficient that each property of the multi-layered die-bonding film is within a predetermined numerical range.

상기 다이본드 필름(3, 3')을 구성하는 접착제 조성물로서는, 열가소성 수지와 열경화성 수지를 병용한 것을 적절하게 들 수 있다.As the adhesive composition constituting the die-bonding film (3, 3 '), a combination of a thermoplastic resin and a thermosetting resin is suitably used.

상기 열경화성 수지로서는, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 또는 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이 수지는, 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 특히, 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등의 함유가 적은 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다.Examples of the thermosetting resin include a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, an epoxy resin, a polyurethane resin, a silicone resin, and a thermosetting polyimide resin. These resins may be used alone or in combination of two or more. Particularly, an epoxy resin containing less ionic impurities or the like which corrodes semiconductor elements is preferable. As the curing agent of the epoxy resin, a phenol resin is preferable.

상기 에폭시 수지는, 접착제 조성물로서 일반적으로 사용되는 것이라면 특별히 한정은 없고, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루올렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 또는 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고, 내열성 등이 우수하기 때문이다.The epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition. Examples of the epoxy resin include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl Bifunctional epoxy resins or polyfunctional epoxy resins such as phenol novolac type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolac type, orthocresol novolak type, trishydroxyphenyl methane type and tetraphenylol ethane type, An epoxy resin such as glycidyl isocyanurate type or glycidyl amine type is used. These may be used alone or in combination of two or more. Of these epoxy resins, novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type resins and tetraphenylolethane type epoxy resins are particularly preferable. This epoxy resin is rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and has excellent heat resistance.

또한, 상기 페놀 수지는, 상기 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.The phenolic resin acts as a curing agent for the epoxy resin. Examples of the phenolic resin include phenol novolak resins, phenol aralkyl resins, cresol novolac resins, tert-butylphenol novolac resins, and nonylphenol novolak resins Novolak type phenol resins, resole type phenol resins, and polyoxystyrenes such as polyparaxyxystyrene. These may be used alone or in combination of two or more. Of these phenolic resins, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are particularly preferable. This is because connection reliability of the semiconductor device can be improved.

열경화성 수지로서는, 23℃에서 고형의 열경화형 수지가 바람직하다. 이에 의해 저온 하에서의 다이본드 필름의 유연성을 억제하여 파단성을 향상시킬 수 있다. 23℃에서 고형의 열경화형 수지로서는 시판품을 적절하게 사용할 수 있는데, 예를 들어, 에폭시 수지로서는, AER-8039(아사히 가세이 에폭시 제조, 융점 78℃), BREN-105(닛본 가야꾸 제조, 융점 64℃), BREN-S(닛본 가야꾸 제조, 융점 83℃), CER-3000L(닛본 가야꾸 제조, 융점 90℃), EHPE-3150(다이셀 가가꾸 제조, 융점 80℃), EPPN-501HY(닛본 가야꾸 제조, 융점 60℃), ESN-165M(신닛떼쯔 가가꾸 제조, 융점 76℃), ESN-175L(신닛떼쯔 가가꾸 제조, 융점 90℃), ESN-175S(신닛떼쯔 가가꾸 제조, 융점 67℃), ESN-355(신닛떼쯔 가가꾸 제조, 융점 55℃), ESN-375(신닛떼쯔 가가꾸 제조, 융점 75℃), ESPD-295(스미토모 가가꾸 제조, 융점 69℃), EXA-7335(다이닛본 잉크 제조, 융점 99℃), EXA-7337(다이닛본 잉크 제조, 융점 70℃), HP-7200H(다이닛본 잉크 제조, 융점 82℃), TEPIC-SS(닛산 가가꾸 제조, 융점 108℃), KI-3000(도또 가세이 제조, 융점 64℃), YDC-1312(도또 가세이 제조, 융점 141℃), YDC-1500(도또 가세이 제조, 융점 101℃), YL-6121HN(JER 제조, 융점 130℃), YSLV-120TE(도또 가세이 제조, 융점 113℃), YSLV-80XY(도또 가세이 제조, 융점 80℃), YX-4000H(JER 제조, 융점 105℃), YX-4000K(JER 제조, 융점 107℃), ZX-650(도또 가세이 제조, 융점 85℃), 에피코트(1001)(JER 제조, 융점 64℃), 에피코트1002(JER 제조, 융점 78℃), 에피코트1003(JER 제조, 융점 89℃), 에피코트1004(JER 제조, 융점 97℃), 에피코트1006FS(JER 제조, 융점 112℃)를 들 수 있다.As the thermosetting resin, a solid thermosetting resin is preferable at 23 占 폚. As a result, the flexibility of the die-bonding film under low temperature can be suppressed and the breaking performance can be improved. As the epoxy resin, for example, AER-8039 (manufactured by Asahi Kasei Epoxy Co., Ltd., melting point: 78 캜), BREN-105 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., melting point: 64 EHPE-3150 (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., melting point 80 占 폚), EPPN-501HY (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., melting point 83 占 폚), CER- (Melting point: 60 占 폚), ESN-165M (manufactured by Shinnitetsu Kagaku; melting point: 76 占 폚), ESN-175L (Melting point: 67 占 폚), ESN-355 (Cinnittsugaku; melting point: 55 占 폚), ESN-375 (Manufactured by Dainippon Ink and having a melting point of 99 占 폚), EXA-7337 (manufactured by Dainippon Ink and having a melting point of 70 占 폚), HP-7200H Melting point 108 DEG C), KI-3000 ( YL-6121HN (manufactured by JER, melting point 130 ° C), YSLV-120TE (manufactured by Kasei Kogyo Co., Ltd., melting point 64 ° C), YDC-1312 YX-4000K (manufactured by JER, melting point: 107 占 폚), ZX-650 (trade name, manufactured by Toyobo Co., Ltd., melting point: 113 占 폚), YSLV-80XY Epicote 1003 (manufactured by JER, melting point: 64 占 폚), Epikote 1002 (manufactured by JER, melting point: 78 占 폚), Epikote 1003 1004 (manufactured by JER, melting point: 97 占 폚) and Epikote 1006FS (manufactured by JER, melting point: 112 占 폚).

또한, 페놀 수지로서는, DL-65(메이와 가세이 제조, 융점 65℃), DL-92(메이와 가세이 제조, 융점 92℃), DPP-L(닛본 세끼유 제조, 융점 100℃), GS-180(군에이 가가꾸 제조, 융점 83℃), GS-200(군에이 가가꾸 제조, 융점 100℃), H-1(메이와 가세이 제조, 융점 79℃), H-4(메이와 가세이 제조, 융점 71℃), HE-100C-15(스미토모 케미컬 제조, 융점 73℃), HE-510-05(스미토모 케미컬 제조, 융점 75℃), HF-1(메이와 가세이 제조, 융점 84℃), HF-3(메이와 가세이 제조, 융점 96℃), MEH-7500(메이와 가세이 제조, 융점 111℃), MEH-7500-3S(메이와 가세이 제조, 융점 83℃), MEH-7800H(메이와 가세이 제조, 융점 86.5℃), MEH-7800-3L(메이와 가세이 제조, 융점 72℃), MEH-7851(메이와 가세이 제조, 융점 78℃), MEH-7851-3H(메이와 가세이 제조, 융점 105℃), MEH-7851-4H(메이와 가세이 제조, 융점 130℃), MEH-7851SS(메이와 가세이 제조, 융점 66.5℃), MEH-7851S(메이와 가세이 제조, 융점 73℃), P-1000(아라까와 가가꾸 제조, 융점 63℃), P-180(아라까와 가가꾸 제조, 융점 83℃), P-200(아라까와 가가꾸 제조, 융점 100℃), VR-8210(미쯔이 가가꾸 제조, 융점 60℃), XLC-3L(미쯔이 가가꾸 제조, 융점 70℃), XLC-4L(미쯔이 가가꾸 제조, 융점 62℃), XLC-LL(미쯔이 가가꾸 제조, 융점 75℃) 등을 들 수 있다.As the phenol resin, DL-65 (melting point 65 ° C, manufactured by Meiwa Kasei K.K.), DL-92 (melting point 92 ° C, manufactured by Meiwa Kasei K.K.), DPP-L H-4 (manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.), H-1 (manufactured by Meiwa Kasei K.K., a melting point of 79 占 폚), GS-200 , Melting point: 71 占 폚), HE-100C-15 (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., melting point: 73 占 폚), HE-510-05 MEH-7500-3S (manufactured by Meiwa Kasei K.K., melting point 83 占 폚), MEH-7800H (manufactured by Meiwa Kasei K.K., melting point 96 占 폚), MEH-7500 MEH-7851-3H (manufactured by Meiwa Kasei K.K., melting point: 72 캜), MEH-7851 (manufactured by Meiwa Kasei K.K., melting point: 78 캜), MEH-7851-3H MEH-7851-4H (manufactured by Meiwa Kasei K. K., melting point 130 ° C), MEH-7851SS (manufactured by Meiwa Kasei K.K.) (Melting point: 66.5 ° C), MEH-7851S (manufactured by Meiwa Kasei K.K., melting point: 73 ° C), P-1000 XLC-3L (manufactured by Mitsui Mining Co., Ltd., melting point: 70 占 폚), XLC-4L (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., melting point: Melting point: 62 占 폚, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) and XLC-LL (melting point: 75 占 폚, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.).

상기 에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 상기 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은, 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않고, 에폭시 수지 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.The mixing ratio of the epoxy resin to the phenol resin is preferably such that the hydroxyl group in the phenol resin is equivalent to 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of the epoxy group in the epoxy resin component. More suitable is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, if the mixing ratio of the two is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the epoxy resin cured product tend to deteriorate.

상기 열가소성 수지로서는, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 이 열가소성 수지는 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이 열가소성 수지 중, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높고, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있는 아크릴 수지가 특히 바람직하다.Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide Resin, a polyamide resin such as 6-nylon or 6,6-nylon, a phenoxy resin, an acrylic resin, a saturated polyester resin such as PET or PBT, a polyamideimide resin, or a fluororesin. These thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more. Among these thermoplastic resins, an acrylic resin which is low in ionic impurities and high in heat resistance and can secure the reliability of a semiconductor element is particularly preferable.

상기 아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체(아크릴 공중합체) 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 도데실기 등을 들 수 있다.The acrylic resin is not particularly limited, and a polymer comprising one or more kinds of esters of acrylic acid or methacrylic acid having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms Coalescence), and the like. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, a hexyl group, a heptyl group, An ethylhexyl group, an octyl group, an isooctyl group, a nonyl group, an isononyl group, a decyl group, an isodecyl group, an undecyl group, a lauryl group, a tridecyl group, a tetradecyl group, a stearyl group, And practical training.

상기 아크릴 수지 중에서도 응집력 향상의 이유에서, 아크릴 공중합체가 특히 바람직하다. 상기 아크릴 공중합체로서는, 예를 들어 아크릴산에틸과 메틸메타크릴레이트의 공중합체, 아크릴산과 아크릴로니트릴의 공중합체, 아크릴산부틸과 아크릴로니트릴의 공중합체를 들 수 있다.Among the above-mentioned acrylic resins, acrylic copolymers are particularly preferable for reasons of improving the cohesive strength. As the acrylic copolymer, for example, a copolymer of ethyl acrylate and methyl methacrylate, a copolymer of acrylic acid and acrylonitrile, and a copolymer of butyl acrylate and acrylonitrile.

상기 아크릴 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 -30℃ 이상 30℃ 이하가 바람직하고, -20 이상 15℃가 보다 바람직하다. 상기 아크릴 수지의 유리 전이 온도를 -30℃ 이상으로 함으로써, 다이본드 필름이 단단해져, 파단성이 향상되고, 30℃ 이하로 함으로써, 저온에서의 웨이퍼 라미네이트성이 향상된다. 유리 전이 온도가 -30℃ 이상 30℃ 이하인 아크릴 수지로서는, 예를 들어 나가세 켐텍스(주) 제조: SG-708-6(유리 전이 온도: 4℃), SG-790(유리 전이 온도: -25℃), WS-023(유리 전이 온도: -5℃), SG-70L(유리 전이 온도: -13℃), SG-80H(유리 전이 온도: 7.5℃), SG-P3(유리 전이 온도: 12℃)를 들 수 있다.The glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin is preferably -30 ° C to 30 ° C, more preferably -20 ° C to 15 ° C. By setting the glass transition temperature of the acrylic resin to -30 占 폚 or higher, the die bond film is hardened and the breaking property is improved. By setting the glass transition temperature to 30 占 폚 or less, the wafer laminate property at low temperature is improved. SG-708-6 (glass transition temperature: 4 占 폚) and SG-790 (glass transition temperature: -25 占 폚), which are commercially available from Nagase Chemtex Co., (Glass transition temperature: -5 占 폚), SG-70L (glass transition temperature: -13 占 폚), SG-80H Lt; 0 &gt; C).

또한, 상기 중합체를 형성하는 다른 단량체로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 또는 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 단량체, (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴 또는 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 단량체, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 단량체, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 단량체를 들 수 있다.The other monomer forming the polymer is not particularly limited and includes, for example, a carboxyl group-containing monomer such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, (Meth) acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth) acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth) acrylic acid 4-hydroxybutyl, (meth) acrylic acid 6 -Hydroxyhexyl, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4-hydroxymethylcyclohexyl) (Meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylamide, ) Acrylate or (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid, or a phosphate group-containing monomer such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate or the like.

상기 열경화성 수지의 배합 비율로서는, 소정 조건 하에서 가열했을 때에 다이본드 필름(3, 3')이 열경화형으로서의 기능을 발휘하는 정도라면 특별히 한정되지 않지만, 5 내지 60중량％의 범위 내인 것이 바람직하고, 10 내지 50중량％의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.The compounding ratio of the thermosetting resin is not particularly limited as long as the die-bonding films 3 and 3 'exhibit a function as a thermosetting type when heated under a predetermined condition, but is preferably within a range of 5 to 60 wt% And more preferably in the range of 10 to 50% by weight.

상기 다이본드 필름(3, 3') 중에서도 에폭시 수지, 페놀 수지 및 아크릴 수지를 함유하고, 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계 중량을 X라고 하고, 상기 아크릴 수지의 중량을 Y라고 했을 때, X/(X+Y)가 0.3 이상 0.9 미만인 것이 바람직하고, 0.35 이상 0.85 미만인 것이 보다 바람직하고, 0.4 이상 0.8 미만인 것이 더욱 바람직하다. 에폭시 수지 및 페놀 수지는, 함유량이 많아짐에 따라서 파단되기 쉬워지는 한편, 반도체 웨이퍼(4)에의 접착성이 저하된다. 또한, 아크릴 수지는, 함유량이 많아짐에 따라서 접합 시나 핸들링 시에 다이본드 필름(3, 3')이 깨지기 어려워져 작업성이 양호해지는 한편, 파단되기 어려워진다. 따라서, X/(X+Y)를 0.3 이상으로 함으로써, 스텔스 다이싱에 의해 반도체 웨이퍼(4)로부터 반도체 소자(5)를 얻을 때에, 다이본드 필름(3, 3')과 반도체 웨이퍼(4)를 동시에 파단하는 것이 보다 용이하게 된다. 또한, X/(X+Y)를 0.9 미만으로 함으로써, 작업성을 양호하게 할 수 있다.Wherein when the total weight of the epoxy resin and the phenolic resin is X and the weight of the acrylic resin is Y, X is an epoxy resin, a phenol resin and an acrylic resin among the die-bonding films 3 and 3 ' / (X + Y) is preferably 0.3 or more and less than 0.9, more preferably 0.35 or less and less than 0.85, and still more preferably 0.4 or more and less than 0.8. As the content of the epoxy resin and the phenol resin increases, the resin tends to break, while the adhesiveness to the semiconductor wafer 4 decreases. In addition, as the content of the acrylic resin increases, the die-bonding films 3 and 3 'are less likely to be broken at the time of bonding or handling, so that workability is improved, and the acrylic resin is hardly broken. Therefore, when the semiconductor element 5 is obtained from the semiconductor wafer 4 by stealth dicing, the die bonding films 3 and 3 'and the semiconductor wafer 4 can be obtained by X / (X + Y) It is easier to break at the same time. Further, when X / (X + Y) is less than 0.9, workability can be improved.

본 발명의 다이본드 필름(3, 3')을 미리 어느 정도 가교를 시켜 둔 경우에는, 제작 시에, 중합체의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하는 다관능성 화합물을 가교제로서 첨가시켜 둘 수 있다. 이에 의해, 고온 하에서의 접착 특성을 향상시켜, 내열성의 개선을 도모할 수 있다.When the die-bonding films (3, 3 ') of the present invention are previously crosslinked to some extent, a polyfunctional compound capable of reacting with functional groups at the molecular chain terminals of the polymer can be added as a crosslinking agent at the time of production. As a result, it is possible to improve the adhesive property under high temperature and to improve the heat resistance.

상기 가교제로서는, 종래 공지된 것을 채용할 수 있다. 특히, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 다가 알코올과 디이소시아네이트의 부가물 등의 폴리이소시아네이트 화합물이 보다 바람직하다. 가교제의 첨가량으로서는, 상기한 중합체 100중량부에 대하여 통상 0.05 내지 7중량부로 하는 것이 바람직하다. 가교제의 양이 7중량부보다 많으면, 접착력이 저하되므로 바람직하지 않다. 그 한편, 0.05중량부 보다 적으면 응집력이 부족하므로 바람직하지 않다. 또한, 이와 같은 폴리이소시아네이트 화합물과 함께, 필요에 따라, 에폭시 수지 등의 다른 다관능성 화합물을 함께 포함시키도록 해도 된다.As the crosslinking agent, conventionally known ones can be employed. Particularly, polyisocyanate compounds such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, p-phenylenediisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, and adducts of polyhydric alcohol and diisocyanate are more preferable. The amount of the crosslinking agent to be added is usually 0.05 to 7 parts by weight based on 100 parts by weight of the polymer. If the amount of the cross-linking agent is more than 7 parts by weight, the adhesive strength is lowered, which is not preferable. On the other hand, if it is less than 0.05 part by weight, the cohesive force is insufficient. If necessary, other polyfunctional compounds such as an epoxy resin may be included together with such a polyisocyanate compound.

또한, 다이본드 필름(3, 3')에는, 그 용도에 따라서 필러를 적절히 배합할 수 있다. 필러의 배합은, 도전성의 부여나 열전도성의 향상, 탄성률의 조절 등을 가능하게 한다. 상기 필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있는데, 취급성의 향상, 열전도성의 향상, 용융 점도의 조정, 틱소트로픽성 부여 등의 특성의 관점에서, 무기 필러가 바람직하다. 상기 무기 필러로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 열전도성의 향상의 관점에서는, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카가 바람직하다. 또한, 상기 각 특성의 밸런스가 좋다는 관점에서는, 결정질 실리카, 또는, 비정질 실리카가 바람직하다. 또한, 도전성의 부여, 열전도성의 향상 등의 목적에서, 무기 필러로서, 도전성 물질(도전 필러)을 사용하는 것으로 해도 된다. 도전 필러로서는, 은, 알루미늄, 금, 동, 니켈, 도전성 합금 등을 구 형상, 바늘 형상, 플레이크 형상으로 한 금속 분말, 알루미나 등의 금속 산화물, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트 등을 들 수 있다.In addition, the die-bonding films 3 and 3 'can appropriately formulate a filler according to the use thereof. The compounding of the filler makes it possible to impart conductivity, improve thermal conductivity, and control the modulus of elasticity. Examples of the filler include an inorganic filler and an organic filler. An inorganic filler is preferable from the viewpoints of improvement in handling properties, improvement in thermal conductivity, adjustment of melt viscosity, and impartation of thixotropic properties. The inorganic filler is not particularly limited and includes, for example, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, Crystalline silica, amorphous silica, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. From the viewpoint of improving the thermal conductivity, aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica and amorphous silica are preferable. Further, from the viewpoint of good balance among the above characteristics, crystalline silica or amorphous silica is preferable. In addition, for the purpose of imparting conductivity and improving thermal conductivity, a conductive material (conductive filler) may be used as the inorganic filler. Examples of the conductive filler include metal powder such as silver, aluminum, gold, copper, nickel, and conductive alloys in the form of spheres, needles, flakes, metal oxides such as alumina, amorphous carbon black and graphite.

상기 필러의 평균 입경은, 0.005 내지 10㎛인 것이 바람직하고, 0.005 내지 1㎛인 것이 보다 바람직하다. 상기 필러의 평균 입경을 0.005㎛ 이상으로 함으로써, 피착체에의 습윤성 및 접착성을 양호하게 할 수 있기 때문이다. 또한, 10㎛ 이하로 함으로써, 상기 각 특성의 부여를 위하여 첨가한 필러의 효과를 충분한 것으로 할 수 있음과 함께, 내열성을 확보할 수 있다. 또한, 필러의 평균 입경은, 예를 들어 광도식의 입도 분포계(호리바 제조, 장치명; LA-910)에 의해 구한 값이다.The average particle diameter of the filler is preferably 0.005 to 10 mu m, more preferably 0.005 to 1 mu m. When the average particle diameter of the filler is 0.005 占 퐉 or more, wettability and adhesiveness to an adherend can be improved. In addition, by setting the thickness to 10 탆 or less, the effect of the filler added for imparting each of the above characteristics can be made sufficient, and the heat resistance can be ensured. The average particle diameter of the filler is, for example, a value obtained by a particle size distribution meter (manufactured by Horiba, Ltd., LA-910) of a photometric system.

다이본드 필름이 무기 필러를 포함하는 경우의 함유량으로서는, 다이본드 필름을 형성하기 위한 접착제 조성물의 전량에 대하여 10중량％ 이상 90중량％ 이하인 것이 바람직하고, 20중량％ 이상 70중량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 30중량％ 이상 60중량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 상기 상한 이하로 함으로써, 인장 저장 탄성률이 높아지는 것을 방지할 수 있고, 피착체에의 습윤성 및 접착성을 양호하게 할 수 있다. 또한, 상기 하한 이상으로 함으로써, 다이본드 필름을 인장 응력에 의해 적합하게 파단할 수 있다.The content of the inorganic filler in the die-bonding film is preferably 10% by weight or more and 90% by weight or less, more preferably 20% by weight or more and 70% by weight or less based on the total amount of the adhesive composition for forming the die- By weight, and more preferably 30% by weight or more and 60% by weight or less. By setting the content at or below the upper limit, the tensile storage elastic modulus can be prevented from being increased, and the wettability and adhesive property to the adherend can be improved. In addition, by making the above-mentioned lower limit or more, the die-bonding film can be suitably broken by the tensile stress.

또한, 다이본드 필름(3, 3')에는, 상기 필러 이외에, 필요에 따라서 다른 첨가제를 적절하게 배합할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제 또는 이온 트랩제 등을 들 수 있다. 상기 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 실란 커플링제로서는, 예를 들어β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화비스무트 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.In addition to the filler, other additives may be appropriately added to the die-bonding films 3 and 3 ', if necessary. Other additives include, for example, flame retardants, silane coupling agents, and ion trap agents. Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, brominated epoxy resin, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Examples of the silane coupling agent include, for example,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, . These compounds may be used alone or in combination of two or more. Examples of the ion trap agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. These may be used alone or in combination of two or more.

다이본드 필름의 구성 재료로서 열경화 촉매를 사용해도 된다. 그 함유량으로서는, 다이본드 필름이 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 포함하는 경우, 아크릴 수지 성분 100중량부에 대하여 0.01 내지 5중량부가 바람직하고, 0.1 내지 3중량부가 보다 바람직하다. 함유량을 상기 하한 이상으로 함으로써, 다이 본딩 시에 있어서는 미반응이었던 에폭시기끼리를, 후속 공정에 있어서 중합시켜, 그 미반응된 에폭시기를 저감내지는 소실시킬 수 있다. 그 결과, 피착체 상에 반도체 소자를 접착 고정시켜 박리가 없는 반도체 장치의 제조가 가능해진다. 그 한편, 배합 비율을 상기 상한 이하로 함으로써, 경화 저해의 발생을 방지할 수 있다.A thermosetting catalyst may be used as a constituent material of the die-bonding film. When the die bond film contains an acrylic resin, an epoxy resin and a phenol resin, the content is preferably 0.01 to 5 parts by weight, more preferably 0.1 to 3 parts by weight, per 100 parts by weight of the acrylic resin component. By making the content above the lower limit described above, epoxy groups which have not been reacted at the time of die bonding can be polymerized in a subsequent step to reduce or eliminate the unreacted epoxy groups. As a result, it becomes possible to manufacture a semiconductor device without peeling by adhering and fixing a semiconductor element on an adherend. On the other hand, by setting the blending ratio to be not more than the upper limit, the occurrence of curing inhibition can be prevented.

상기 열경화 촉매로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 이미다졸계 화합물, 트리페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물, 트리페닐보란계 화합물, 트리할로겐보란계 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.The thermosetting catalyst is not particularly limited, and examples thereof include imidazole-based compounds, triphenylphosphine-based compounds, amine-based compounds, triphenylborane-based compounds, and trihalogenborane-based compounds. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 이미다졸계 화합물로서는, 2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ), 2-운데실이미다졸(상품명; C11Z), 2-헵타데실이미다졸(상품명; C17Z), 1,2-디메틸이미다졸(상품명; 1.2DMZ), 2-에틸-4-메틸이미다졸(상품명; 2E4MZ), 2-페닐이미다졸(상품명; 2PZ), 2-페닐-4-메틸이미다졸(상품명; 2P4MZ), 1-벤질-2-메틸이미다졸(상품명; 1B2MZ), 1-벤질-2-페닐이미다졸(상품명; 1B2PZ), 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ-CN), 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸(상품명; C11Z-CN), 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨 트리멜리테이트(상품명; 2PZCNS-PW), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; 2MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; C11Z-A), 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; 2E4MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물(상품명; 2MA-OK), 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(상품명; 2PHZ-PW), 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸(상품명; 2P4MHZ-PW) 등을 들 수 있다(모두 시꼬꾸 가세이(주) 제조).Examples of the imidazole compound include 2-methylimidazole (trade name: 2MZ), 2-undecylimidazole (trade name: C11Z), 2-heptadecylimidazole (trade name: C17Z) 2-phenylimidazole (trade name: 2PZ), 2-phenyl-4-methylimidazole (trade name: 1.2MZ), 2-ethyl-4-methylimidazole , 1-benzyl-2-methylimidazole (trade name: 1B2MZ), 1-benzyl-2-phenylimidazole 2MZ-CN), 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole (trade name: C11Z-CN), 1-cyanoethyl- (2'-methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine (trade name: 2MZ-A), 2,4-diamino- (1 ')] - ethyl-s-triazine (trade name C11Z-A), 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine (trade name 2E4MZ-A), 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- Phenyl-4-methyl-imidazole (product name: 2PHZ-PW), 2-phenyl-4-methyl- 5-hydroxymethylimidazole (trade name: 2P4MHZ-PW) and the like (all available from Shikoku Chemicals Co., Ltd.).

상기 트리페닐포스핀계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀, 디페닐톨릴포스핀 등의 트리오르가노포스핀, 테트라페닐포스포늄브로마이드(상품명; TPP-PB), 메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MB), 메틸트리페닐포스포늄클로라이드(상품명; TPP-MC), 메톡시메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MOC), 벤질트리페닐포스포늄클로라이드(상품명; TPP-ZC) 등을 들 수 있다(모두 혹꼬 가가꾸사 제조). 또한, 상기 트리페닐포스핀계 화합물로서는, 에폭시 수지에 대하여 실질적으로 비용해성을 나타내는 것인 것이 바람직하다. 에폭시 수지에 대하여 비용해성이라면, 열경화가 과도하게 진행하는 것을 억제할 수 있다. 트리페닐포스핀 구조를 갖고, 또한 에폭시 수지에 대하여 실질적으로 비용해성을 나타내는 열경화 촉매로서는, 예를 들어 메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MB) 등을 예시할 수 있다. 또한, 상기 「비용해성」이란, 트리페닐포스핀계 화합물을 포함하는 열경화 촉매가 에폭시 수지를 포함하는 용매에 대하여 불용성인 것을 의미하고, 보다 상세하게는, 온도 10 내지 40℃의 범위에서 10중량％ 이상 용해되지 않는 것을 의미한다.Examples of the triphenylphosphine compound include, but are not limited to, triphenylphosphine compounds such as triphenylphosphine, tributylphosphine, tri (p-methylphenyl) phosphine, tri (nonylphenyl) phosphine, diphenyltolylphosphine, TPP-MB), methyltriphenylphosphonium chloride (trade name: TPP-MC), methoxymethyltriphenylphosphine (trade name: TPP-MB) (Trade name: TPP-MOC), benzyltriphenylphosphonium chloride (trade name: TPP-ZC), and the like (all available from Takeko Chemical Co., Ltd.). The triphenylphosphine-based compound is preferably one which exhibits substantially no decomposition to the epoxy resin. If the epoxy resin is insoluble, it is possible to suppress the excessive progress of the thermosetting. Examples of the thermal curing catalyst having a triphenylphosphine structure and exhibiting substantially no solubility in the epoxy resin include methyltriphenylphosphonium (trade name: TPP-MB) and the like. Means that the thermosetting catalyst comprising a triphenylphosphine-based compound is insoluble in a solvent containing an epoxy resin. In more detail, the term &quot; insoluble in water &quot; &Lt; / RTI &gt;

상기 트리페닐보란계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 트리(p-메틸페닐)포스핀 등을 들 수 있다. 또한, 트리페닐보란계 화합물로서는, 또한 트리페닐포스핀 구조를 갖는 것도 포함된다. 상기 트리페닐포스핀 구조 및 트리페닐보란 구조를 갖는 화합물로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트(상품명; TPP-K), 테트라페닐포스포늄테트라-p-트리보레이트(상품명; TPP-MK), 벤질트리페닐포스포늄테트라페닐보레이트(상품명; TPP-ZK), 트리페닐포스핀트리페닐보란(상품명; TPP-S) 등을 들 수 있다(모두 혹꼬 가가꾸사 제조).The triphenylborane compound is not particularly restricted but includes, for example, tri (p-methylphenyl) phosphine. The triphenylborane compound also includes those having a triphenylphosphine structure. The compound having a triphenylphosphine structure and a triphenylborane structure is not particularly limited and includes, for example, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name: TPP-K), tetraphenylphosphonium tetra-p-triborate ; TPP-MK), benzyltriphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name: TPP-ZK), and triphenylphosphine triphenylborane (trade name: TPP-S).

상기 아미노계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 모노에탄올아민트리플루오로보레이트(스텔라 케미파(주) 제조), 디시안디아미드(나카라이테스크(주) 제조) 등을 들 수 있다.Examples of the amino compound include, but are not limited to, monoethanolamine trifluoro borate (manufactured by Stellar Chemical Co.), dicyandiamide (manufactured by Nacalai Tesque), and the like.

상기 트리할로겐보란계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 트리클로로보란 등을 들 수 있다.The trihalogen borane compound is not particularly limited, and examples thereof include trichloroboran.

다이본드 필름(3, 3')의 두께(적층체의 경우에는, 총 두께)는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1 내지 200㎛의 범위로부터 선택할 수 있고, 바람직하게는 5 내지 100㎛, 보다 바람직하게는 10 내지 80㎛이다.The thickness of the die-bonding films 3 and 3 '(total thickness in the case of a laminate) is not particularly limited, but may be selected from the range of, for example, 1 to 200 탆, preferably 5 to 100 탆, Preferably 10 to 80 mu m.

상기 다이싱·다이본드 필름(10, 12)의 다이본드 필름(3, 3')은, 세퍼레이터에 의해 보호되어 있는 것이 바람직하다(도시하지 않음). 세퍼레이터는, 실용에 제공할 때까지 다이본드 필름(3, 3')을 보호하는 보호재로서의 기능을 갖고 있다. 또한, 세퍼레이터는, 또한, 점착제층(2)에 다이본드 필름(3, 3')을 전사할 때의 지지 기재로서 사용할 수 있다. 세퍼레이터는 다이싱·다이본드 필름의 다이본드 필름(3, 3') 상에 워크를 부착할 때에 박리된다. 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등도 사용 가능하다.The die-bonding films 3 and 3 'of the dicing die-bonding films 10 and 12 are preferably protected by a separator (not shown). The separator has a function as a protective material for protecting the die-bonding films 3 and 3 'until it is provided for practical use. Further, the separator can also be used as a supporting substrate for transferring the die-bonding films 3 and 3 'to the pressure-sensitive adhesive layer 2. The separator is peeled off when the workpiece is stuck on the die-bonding films 3 and 3 'of the dicing die-bonding film. As the separator, a plastic film or paper surface-coated with a releasing agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine-based releasing agent, or a long-chain alkyl acrylate-based releasing agent can be used.

<다이싱·다이본드 필름의 제조 방법>&Lt; Method of producing dicing die-bonding film >

본 실시 형태에 따른 다이싱·다이본드 필름(10, 12)은, 예를 들어 다음과 같이 하여 제작된다.The dicing die-bonding films 10, 12 according to the present embodiment are manufactured, for example, as follows.

우선, 기재(1)는 종래 공지된 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 상기 제막 방법으로서는, 예를 들어 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 예시할 수 있다.First, the base material 1 can be formed by a conventionally known film-forming method. Examples of the film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T die extrusion method, a co-extrusion method, a dry lamination method and the like.

이어서, 기재(1) 상에 점착제 조성물 용액을 도포하여 도포막을 형성한 후, 그 도포막을 소정 조건 하에서 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜) 점착제층(2)을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들어 건조 온도 80 내지 150℃, 건조 시간 0.5 내지 5분간의 범위 내에서 행하여진다. 또한, 세퍼레이터 상에 점착제 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건에서 도포막을 건조시켜서 점착제층(2)을 형성해도 된다. 그 후, 기재(1) 상에 점착제층(2)을 세퍼레이터와 함께 접합한다. 이에 의해, 다이싱 필름(11)이 제작된다. 이때, 다이싱 필름에 있어서의 다이본드 필름과의 접합면에 대하여 미리 자외선 조사해 두어도 된다.Subsequently, a pressure-sensitive adhesive composition solution is applied onto the base material 1 to form a coating film, and the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed by drying the coating film under predetermined conditions (heating crosslinking if necessary). The coating method is not particularly limited, and examples thereof include roll coating, screen coating, gravure coating and the like. The drying conditions are, for example, a drying temperature of 80 to 150 ° C and a drying time of 0.5 to 5 minutes. Further, the pressure-sensitive adhesive composition may be applied on the separator to form a coating film, and then the coating film may be dried under the above drying conditions to form the pressure-sensitive adhesive layer (2). Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer 2 is bonded to the substrate 1 together with the separator. Thereby, the dicing film 11 is produced. At this time, ultraviolet rays may be irradiated to the bonding surface of the dicing film and the die bonding film in advance.

다이본드 필름(3, 3')은, 예를 들어 다음과 같이 하여 제작된다.The die-bonding films 3 and 3 'are produced, for example, in the following manner.

우선, 다이본드 필름(3, 3')의 형성 재료인 접착제 조성물 용액을 제작한다. 상기 접착제 조성물 용액에는, 전술한 바와 같이, 상기 접착제 조성물이나 필러, 기타 각종 첨가제 등이 배합되어 있다.First, an adhesive composition solution which is a material for forming the die-bonding films 3 and 3 'is prepared. As described above, the adhesive composition, the filler, and various other additives are mixed in the adhesive composition solution.

이어서, 접착제 조성물 용액을 기재 세퍼레이터 상에 소정 두께가 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 그 도포막을 소정 조건 하에서 건조시켜, 접착제층을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들어 건조 온도 70 내지 160℃, 건조 시간 1 내지 5분간의 범위 내에서 행하여진다. 또한, 세퍼레이터 상에 점착제 조성물 용액을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건에서 도포막을 건조시켜서 접착제층을 형성해도 된다. 그 후, 기재 세퍼레이터 상에 접착제층을 세퍼레이터와 함께 접합한다.Subsequently, a solution of the adhesive composition is coated on the substrate separator to a predetermined thickness to form a coating film, and the coating film is dried under predetermined conditions to form an adhesive layer. The coating method is not particularly limited, and examples thereof include roll coating, screen coating, gravure coating and the like. The drying conditions include, for example, a drying temperature of 70 to 160 DEG C and a drying time of 1 to 5 minutes. The adhesive layer may be formed by applying a solution of the pressure-sensitive adhesive composition on the separator to form a coating film, and then drying the coating film under the drying conditions. Thereafter, the adhesive layer is bonded to the substrate separator together with the separator.

계속해서, 다이싱 필름(11) 및 접착제층으로부터 각각 세퍼레이터를 박리하고, 접착제층과 점착제층이 접합면이 되도록 하여 양자를 접합한다. 접합은, 예를 들어 압착에 의해 행할 수 있다. 이때, 라미네이트 온도는 특별히 한정되지 않고 예를 들어 30 내지 70℃가 바람직하고, 40 내지 60℃가 보다 바람직하다. 또한, 선압은 특별히 한정되지 않고 예를 들어 0.1 내지 20kgf/cm가 바람직하고, 1 내지 10kgf/cm가 보다 바람직하다. 이어서, 접착제층 상의 기재 세퍼레이터를 박리하여, 본 실시 형태에 따른 다이싱·다이본드 필름이 얻어진다.Subsequently, the separator is peeled from the dicing film 11 and the adhesive layer, respectively, and the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer are bonded to each other so as to bond them. The bonding can be performed by, for example, compression bonding. At this time, the temperature of the laminate is not particularly limited, and is preferably 30 to 70 캜, for example, and more preferably 40 to 60 캜. The line pressure is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 20 kgf / cm, more preferably 1 to 10 kgf / cm, for example. Subsequently, the base separator on the adhesive layer is peeled off to obtain the dicing die-bonding film according to the present embodiment.

(반도체 장치의 제조 방법)(Manufacturing Method of Semiconductor Device)

이어서, 다이싱·다이본드 필름(12)을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 3 내지 도 6은, 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 일 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다. 먼저, 반도체 웨이퍼(4)의 분할 예정 라인(4L)에 레이저광을 조사하여 분할 예정 라인(4L) 상에 개질 영역을 형성한다. 본 방법은, 반도체 웨이퍼의 내부에 집광점을 맞추고, 격자 형상의 분할 예정 라인을 따라 레이저광을 조사하여, 다광자 흡수에 의한 어블레이션에 의해 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 방법이다. 레이저광 조사 조건으로서는, 이하의 조건의 범위 내에서 적절히 조정하면 된다.Next, a method of manufacturing a semiconductor device using the dicing die-bonding film 12 will be described. 3 to 6 are schematic cross-sectional views for explaining one manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment. First, a modified region is formed on the line (4L) to be divided by irradiating a laser beam to the line (4L) to be divided of the semiconductor wafer (4). This method is a method of forming a modified region inside a semiconductor wafer by aligning a light-converging point inside a semiconductor wafer and irradiating a laser beam along a line to be divided in a lattice shape by ablation by multiphoton absorption. The laser light irradiation conditions may be appropriately adjusted within the range of the following conditions.

<레이저광 조사 조건>&Lt; Laser irradiation condition >

(A) 레이저광(A) Laser light

레이저광원 반도체 레이저 여기 Nd:YAG 레이저 Laser light source Semiconductor laser excitation Nd: YAG laser

파장 1064nm wavelength 1064 nm

레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠Laser light spot cross-sectional area 3.14 x 10 &lt; -8 &gt;

발진 형태 Q 스위치 펄스 Rash type Q switch pulse

반복 주파수 100kHz 이하 Repetition frequency 100kHz or less

펄스폭 1μs 이하 Pulse width 1μs or less

출력 1mJ 이하 Print 1mJ or less

레이저광 품질 TEM00 Laser light quality TEM00

편광 특성 직선 편광 Polarization characteristic Linear polarization

(B) 집광용 렌즈(B) a condenser lens

배율 100배 이하 Magnification 100 times or less

NA 0.55 NA 0.55

레이저광 파장에 대한 투과율 100％ 이하 Transmittance to laser light wavelength 100% or less

(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 280mm/초 이하(C) Moving speed of the loading table on which the semiconductor substrate is loaded 280 mm / sec or less

또한, 레이저광을 조사하여 분할 예정 라인(4L) 상에 개질 영역을 형성하는 방법에 대해서는, 일본 특허 제3408805호 공보나, 일본 특허 공개 제2003-338567호 공보에 상세하게 설명되어 있으므로, 여기에서의 상세한 설명은 생략하기로 한다.The method of forming the modified region on the line to be divided 4L by irradiating the laser beam is described in detail in Japanese Patent No. 3408805 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-338567, Will not be described in detail.

이어서, 도 4에 도시한 바와 같이, 다이본드 필름(3') 상에 개질 영역 형성 후의 반도체 웨이퍼(4)를 압착하고, 이것을 접착 보유 지지시켜서 고정한다(마운트 공정). 본 공정은, 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행한다. 마운트 시의 부착 온도는 특별히 한정되지 않지만, 40 내지 80℃의 범위 내인 것이 바람직하다. 반도체 웨이퍼(4)의 휨을 효과적으로 방지할 수 있음과 함께, 다이싱·다이본드 필름의 신축의 영향을 저감할 수 있기 때문이다.Then, as shown in Fig. 4, the semiconductor wafer 4 after the modified region is formed on the die-bonding film 3 'is pressed and fixed by adhesion (mounting step). This step is carried out while being pressed by a pressing means such as a pressing roll. The attachment temperature at the time of mounting is not particularly limited, but is preferably within the range of 40 to 80 캜. The warpage of the semiconductor wafer 4 can be effectively prevented and the influence of elongation and shrinkage of the dicing die-bonding film can be reduced.

이어서, 다이싱·다이본드 필름(12)에 인장 응력을 가함으로써, 반도체 웨이퍼(4)와 다이본드 필름(3')을 분할 예정 라인(4L)에서 파단하여 반도체칩(5)을 형성한다(칩 형성 공정). 본 공정에는, 예를 들어 시판되는 웨이퍼 확장 장치를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)가 접합된 다이싱·다이본드 필름(12)의 점착제층(2)의 주변부에 다이싱 링(31)을 부착한 후, 웨이퍼 확장 장치(32)에 고정한다. 이어서, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 밀어 올리기부(33)를 상승시켜서, 다이싱·다이본드 필름(12)에 장력을 가한다.Subsequently, tensile stress is applied to the dicing die-bonding film 12 so that the semiconductor wafer 4 and the die-bonding film 3 'are broken at the line to be divided 4L to form the semiconductor chip 5 Chip forming process). In this process, for example, a commercially available wafer expanding apparatus can be used. Specifically, as shown in FIG. 5A, the dicing ring 31 is attached to the peripheral portion of the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing die-bonding film 12 to which the semiconductor wafer 4 is bonded And then fixed to the wafer expanding device 32. Subsequently, as shown in Fig. 5 (b), the push-up portion 33 is raised so as to apply tension to the dicing die-bonding film 12.

이 칩 형성 공정은, -30℃ 내지 20℃의 조건 하에서 실행되는 것이 바람직하고, -25 내지 15℃의 조건 하에서 실행되는 것이 바람직하고, -15 내지 5℃의 조건 하에서 실행되는 것이 보다 바람직하다. 칩 형성 공정이 상기 온도 조건 하에서 실행함으로써, 다이본드 필름(3')의 결정화도를 높일 수 있고, 양호한 파단성을 얻을 수 있다.The chip forming step is preferably carried out under the condition of -30 캜 to 20 캜, preferably in the range of -25 캜 to 15 캜, and more preferably in the range of -15 캜 to 5 캜. By performing the chip forming process under the above-described temperature condition, the degree of crystallization of the die-bonding film 3 'can be increased, and favorable breaking performance can be obtained.

또한, 칩 형성 공정에 있어서, 익스팬드 속도(밀어 올리기부가 상승하는 속도)는 100 내지 400mm/초가 바람직하고, 100 내지 350mm/초인 것이 보다 바람직하고, 100 내지 300mm/초인 것이 더욱 바람직하다. 익스팬드 속도를 100mm/초 이상으로 함으로써, 반도체 웨이퍼(4)와 다이본드 필름(3')을 대략 동시에 용이하게 파단할 수 있다. 또한, 익스팬드 속도를 400mm/초 이하로 함으로써, 다이싱 필름(11)이 파단되는 것을 방지할 수 있다.Further, in the chip forming step, the expand speed (speed at which the push-up portion is lifted) is preferably 100 to 400 mm / sec, more preferably 100 to 350 mm / sec, and further preferably 100 to 300 mm / sec. By making the expand speed 100 mm / second or more, the semiconductor wafer 4 and the die-bonding film 3 'can be easily broken at the same time. In addition, by setting the expand speed to 400 mm / second or less, the dicing film 11 can be prevented from being broken.

또한, 칩 형성 공정에 있어서, 익스팬드량은 6 내지 12％인 것이 바람직하다. 상기 익스팬드량은, 상기 수치 범위 내에 있어서, 형성되는 칩 사이즈에 따라서 적절히 조정하면 된다. 또한, 본 명세서에 있어서, 익스팬드량이란, 익스팬드 전의 다이싱 필름의 표면적을 100％로 하여 익스팬드에 의해 증가한 표면적의 값(％)이다. 익스팬드량을 6％ 이상으로 함으로써, 반도체 웨이퍼(4) 및 다이본드 필름(3)의 파단을 용이하게 할 수 있다. 또한, 익스팬드량을 12％ 이하로 함으로써, 다이싱 필름(11)이 파단되는 것을 방지할 수 있다.Further, in the chip forming step, the amount of expansions is preferably 6 to 12%. The expanded amount may be appropriately adjusted in accordance with the formed chip size within the above numerical range. In the present specification, the amount of expanded is the value (%) of the surface area increased by Expand, assuming that the surface area of the dicing film before expansion is 100%. By making the expense amount 6% or more, the semiconductor wafer 4 and the die-bonding film 3 can be easily broken. In addition, by setting the expense amount to 12% or less, it is possible to prevent the dicing film 11 from being broken.

이와 같이, 다이싱·다이본드 필름(12)에 인장 응력을 가함으로써, 반도체 웨이퍼(4)의 개질 영역을 기점으로 하여 반도체 웨이퍼(4)의 두께 방향으로 깨짐을 발생시킴과 함께, 반도체 웨이퍼(4)와 밀착하는 다이본드 필름(3')을 파단시킬 수 있어, 다이본드 필름(3') 부착 반도체칩(5)을 얻을 수 있다.By applying the tensile stress to the dicing die-bonding film 12 as described above, cracks are generated in the thickness direction of the semiconductor wafer 4 starting from the modified region of the semiconductor wafer 4, The die-bonding film 3 'in close contact with the die-bonding film 4' can be broken, and the semiconductor chip 5 with the die-bonding film 3 'can be obtained.

이어서, 다이싱·다이본드 필름(12)에 접착 고정된 반도체칩(5)을 박리하기 위해서, 반도체칩(5)의 픽업을 행한다(픽업 공정). 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고 종래 공지된 다양한 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 개개의 반도체칩(5)을 다이싱·다이본드 필름(12)측으로부터 니들에 의해 밀어 올리고, 밀어 올려진 반도체칩(5)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.Then, in order to peel off the semiconductor chip 5 adhered and fixed to the dicing die-bonding film 12, the semiconductor chip 5 is picked up (pickup step). The pick-up method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed. For example, there is a method in which individual semiconductor chips 5 are pushed up by the needles from the side of the dicing die-bonding film 12, and the picked-up semiconductor chips 5 are picked up by a pickup device .

여기서 픽업은, 점착제층(2)이 자외선 경화형이기 때문에, 그 점착제층(2)에 자외선을 조사한 후에 행한다. 이에 의해, 점착제층(2)의 다이본드 필름(3')에 대한 점착력이 저하되어, 반도체칩(5)의 박리가 용이해진다. 그 결과, 반도체칩(5)을 손상시키지 않고 픽업이 가능하게 된다. 자외선 조사 시의 조사 강도, 조사 시간 등의 조건은 특별히 한정되지 않고 적절히 필요에 따라 설정하면 된다. 또한, 자외선 경화된 다이싱 필름에 다이본드 필름이 접합된 다이싱·다이본드 필름을 사용하고 있는 경우에는, 여기에서의 자외선 조사는 불필요하다.Here, since the pressure sensitive adhesive layer 2 is of the ultraviolet curing type, the pickup is performed after irradiating the pressure sensitive adhesive layer 2 with ultraviolet rays. As a result, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 2 to the die-bonding film 3 'is lowered, and the semiconductor chip 5 is easily peeled off. As a result, the semiconductor chip 5 can be picked up without damaging it. The conditions such as the irradiation intensity at the time of ultraviolet irradiation, the irradiation time and the like are not particularly limited and may be appropriately set according to necessity. Further, in the case of using a dicing die-bonding film in which a die-bonding film is bonded to an ultraviolet-curing dicing film, ultraviolet irradiation here is unnecessary.

이어서, 도 6에 도시한 바와 같이, 픽업한 반도체칩(5)을 다이본드 필름(3')을 통하여 피착체(6)에 다이본드한다(임시 고착 공정). 피착체(6)로서는, 리드 프레임, TAB 필름, 기판 또는 별도 제작한 반도체칩 등을 들 수 있다. 피착체(6)는 예를 들어 용이하게 변형되는 변형형 피착체여도 되고, 변형되는 것이 곤란한 비변형형 피착체(반도체 웨이퍼 등)여도 된다.Subsequently, as shown in Fig. 6, the picked-up semiconductor chips 5 are die-bonded to the adherend 6 via the die-bonding film 3 '(temporary fixing step). Examples of the adherend 6 include a lead frame, a TAB film, a substrate, or a separately manufactured semiconductor chip. The adherend 6 may be, for example, a deformable adherend which is easily deformed, or a non-deformable adherend (semiconductor wafer or the like) which is difficult to deform.

상기 기판으로서는, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 상기 리드 프레임으로서는, Cu 리드 프레임, 42Alloy 리드 프레임 등의 금속 리드 프레임이나 유리 에폭시, BT(비스말레이미드-트리아진), 폴리이미드 등을 포함하는 유기 기판을 사용할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니라, 반도체 소자를 접착 고정하고, 반도체 소자와 전기적으로 접속하여 사용 가능한 회로 기판도 포함된다.As the substrate, conventionally known ones can be used. As the lead frame, an organic substrate including a metal lead frame such as a Cu lead frame and a 42 Alloy lead frame, a glass epoxy, BT (bismaleimide-triazine), polyimide, or the like can be used. However, the present invention is not limited to this, but includes a circuit board that can be used by bonding and fixing a semiconductor element and electrically connecting with a semiconductor element.

다이본드 필름(3')의 임시 고착 시에 있어서의 25℃에서의 전단 접착력은, 피착체(6)에 대하여 0.2MPa 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2 내지 10MPa이다. 다이본드 필름(3)의 전단 접착력이 적어도 0.2MPa 이상이면 와이어 본딩 공정 시에, 상기 공정에 있어서의 초음파 진동이나 가열에 의해, 다이본드 필름(3)과 반도체칩(5) 또는 피착체(6)와의 접착면에서 전단 변형을 발생하는 경우가 적다. 즉, 와이어 본딩 시의 초음파 진동에 의해 반도체 소자가 움직이는 경우가 적고, 이에 의해 와이어 본딩의 성공률이 저하되는 것을 방지한다. 또한, 다이본드 필름(3')의 임시 고착 시에 있어서의 175℃에서의 전단 접착력은, 피착체(6)에 대하여 0.01MPa 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01 내지 5MPa이다.The shear adhesive force at 25 캜 at the time of temporary fixing of the die-bonding film 3 'is preferably 0.2 MPa or more, more preferably 0.2 to 10 MPa with respect to the adherend 6. When the die bonding film 3 has a shear adhesive strength of at least 0.2 MPa or more, the die bonding film 3 and the semiconductor chip 5 or the adherend 6 The shear deformation is less likely to occur in the bonding surface. That is, the semiconductor element is less likely to move due to the ultrasonic vibration at the time of wire bonding, thereby preventing a decrease in the success rate of wire bonding. The shear adhesive force at 175 캜 at the time of temporary fixing of the die-bonding film 3 'is preferably 0.01 MPa or more, more preferably 0.01 to 5 MPa with respect to the adherend 6.

이어서, 피착체(6)의 단자부(이너 리드)의 선단과 반도체칩(5) 상의 전극 패드(도시 생략)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩을 행한다(와이어 본딩 공정). 상기 본딩 와이어(7)로서는, 예를 들어 금선, 알루미늄선 또는 동선 등이 사용된다. 와이어 본딩을 행할 때의 온도는, 80 내지 250℃, 바람직하게는 80 내지 220℃의 범위 내에서 행하여진다. 또한, 그 가열 시간은 몇초 내지 몇분간 행하여진다. 결선은, 상기 온도 범위 내가 되도록 가열된 상태에서, 초음파에 의한 진동 에너지와 인가 가압에 의한 압착 에너지의 병용에 의해 행하여진다. 본 공정은, 다이본드 필름(3a)의 열경화를 행하지 않고 실행할 수 있다. 또한, 본 공정의 과정에서 다이본드 필름(3a)에 의해 반도체칩(5)과 피착체(6)가 고착되는 일은 없다. Next, wire bonding is performed to electrically connect the tip of the terminal portion (inner lead) of the adherend 6 and the electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 5 with the bonding wire 7 (wire bonding step). As the bonding wire 7, for example, a gold wire, an aluminum wire, a copper wire, or the like is used. The temperature at which wire bonding is carried out is performed within a range of 80 to 250 占 폚, preferably 80 to 220 占 폚. Further, the heating time is from several seconds to several minutes. The connection is carried out by the combination of the vibration energy by the ultrasonic wave and the pressing energy by the applied pressure while being heated to be within the above-mentioned temperature range. This step can be carried out without thermally curing the die-bonding film 3a. In addition, in the process of the present step, the semiconductor die 5 and the adherend 6 are not fixed by the die-bonding film 3a.

이어서, 밀봉 수지(8)에 의해 반도체칩(5)을 밀봉한다(밀봉 공정). 본 공정은, 피착체(6)에 탑재된 반도체칩(5)이나 본딩 와이어(7)를 보호하기 위하여 행하여진다. 본 공정은, 밀봉용의 수지를 금형으로 성형함으로써 행한다. 밀봉 수지(8)로서는, 예를 들어 에폭시계의 수지를 사용한다. 수지 밀봉 시의 가열 온도는, 통상 175℃에서 60 내지 90초간 행하여지지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 165 내지 185℃에서, 몇분간 큐어할 수 있다. 이에 의해, 밀봉 수지를 경화시킴과 함께, 다이본드 필름(3)을 통하여 반도체칩(5)과 피착체(6)를 고착시킨다. 즉, 본 발명에 있어서는, 후술하는 후경화 공정이 행해지지 않는 경우에 있어서도, 본 공정에 있어서 다이본드 필름(3)에 의한 고착이 가능하여, 제조 공정수의 감소 및 반도체 장치의 제조 기간의 단축에 기여할 수 있다.Then, the semiconductor chip 5 is sealed with the sealing resin 8 (sealing step). This step is carried out to protect the semiconductor chip 5 and the bonding wire 7 mounted on the adherend 6. This step is carried out by molding a resin for sealing into a metal mold. As the sealing resin 8, for example, an epoxy resin is used. The heating temperature at the time of resin sealing is usually 60 to 90 seconds at 175 DEG C, but the present invention is not limited to this and can be cured for several minutes, for example, at 165 to 185 DEG C. As a result, the sealing resin is cured and the semiconductor chip 5 and the adherend 6 are fixed via the die-bonding film 3. That is, in the present invention, even in the case where the post-curing step to be described later is not carried out, it is possible to fix the die-bonding film 3 in this step, thereby reducing the number of manufacturing steps and shortening the manufacturing period of the semiconductor device . &Lt; / RTI &gt;

상기 후경화 공정에 있어서는, 상기 밀봉 공정에서 경화 부족의 밀봉 수지(8)를 완전히 경화시킨다. 밀봉 공정에 있어서 다이본드 필름(3a)이 완전히 열경화되지 않은 경우에도, 본 공정에 있어서 밀봉 수지(8)와 함께 다이본드 필름(3a)의 완전한 열경화가 가능하게 된다. 본 공정에 있어서의 가열 온도는, 밀봉 수지의 종류에 따라 상이한데, 예를 들어 165 내지 185℃의 범위 내이며, 가열 시간은 0.5 내지 8시간 정도이다.In the post-curing step, the sealing resin (8) which is insufficiently cured in the sealing step is completely cured. The die bonding film 3a can be completely thermally cured together with the sealing resin 8 in this step even when the die bonding film 3a is not completely thermally cured in the sealing step. The heating temperature in this step differs depending on the type of the sealing resin, for example, in the range of 165 to 185 占 폚, and the heating time is about 0.5 to 8 hours.

상술한 실시 형태에서는, 다이본드 필름(3') 부착 반도체칩(5)을 피착체(6)에 임시 고착한 후, 다이본드 필름(3')을 완전히 열경화시키지 않고 와이어 본딩 공정을 행하는 경우에 대하여 설명하였다. 그러나, 본 발명에 있어서는, 피착체(6)에, 다이본드 필름(3') 부착 반도체칩(5)을 임시 고착한 후, 다이본드 필름(3')을 열경화시키고, 그 후, 와이어 본딩 공정을 행하는 통상의 다이본드 공정을 행하는 것으로 해도 된다. 이 경우, 열경화 후의 다이본드 필름(3')은, 175℃에서 0.01MPa 이상의 전단 접착력을 갖고 있는 것이 바람직하고, 0.01 내지 5MPa가 보다 바람직하다. 열경화 후에 175℃에서의 전단 접착력을 0.01MPa 이상으로 함으로써, 와이어 본딩 공정 시의 초음파 진동이나 가열에 기인하여 다이본드 필름(3')과 반도체칩(5) 또는 피착체(6)와의 접착면에서 전단 변형이 발생하는 것을 방지할 수 있기 때문이다.In the above-described embodiment, when the wire bonding process is performed without completely thermally curing the die-bonding film 3 'after the semiconductor chip 5 with the die-bonding film 3' is temporarily fixed to the adherend 6 Respectively. However, in the present invention, after the semiconductor chip 5 with the die-bonding film 3 'is temporarily fixed to the adherend 6, the die-bonding film 3' is thermally cured, The die bonding process may be performed. In this case, the die-bonding film 3 'after heat curing preferably has a shear adhesive strength of at least 0.01 MPa at 175 캜, more preferably 0.01 to 5 MPa. The adhesive bonding strength between the die bonding film 3 'and the semiconductor chip 5 or the adherend 6 due to the ultrasonic vibration or heating during the wire bonding process can be increased by setting the shear adhesive strength at 175 캜 to at least 0.01 MPa after the heat curing, It is possible to prevent the occurrence of shear deformation in the sheath.

또한, 본 발명의 다이싱·다이본드 필름은, 복수의 반도체칩을 적층하여 3차원 실장을 할 경우에도 적절하게 사용할 수 있다. 이때, 반도체칩 사이에 다이본드 필름과 스페이서를 적층시켜도 되고, 스페이서를 적층하지 않고, 다이본드 필름만을 반도체칩 사이에 적층시켜도 되고, 제조 조건이나 용도 등에 따라서 적절히 변경 가능하다.Further, the dicing die-bonding film of the present invention can be suitably used in the case of stacking a plurality of semiconductor chips and performing three-dimensional mounting. At this time, the die bonding film and the spacer may be laminated between the semiconductor chips, or only the die bonding film may be laminated between the semiconductor chips without stacking the spacers, and it may be appropriately changed according to the manufacturing conditions and applications.

《제2 실시 형태》&Quot; Second Embodiment &

제1 실시 형태에서는, 미리 개질 영역을 형성한 반도체 웨이퍼(4)를 다이본드 필름(3') 상에 압착한다. 제2 실시 형태에서는, 다이본드 필름(3')에 반도체 웨이퍼를 압착하고, 계속해서, 다이본드 필름(3') 상에 배치된 반도체 웨이퍼에 레이저광을 조사하여 내부에 개질 영역을 형성한다. 압착 조건 및 레이저광 조사 조건은 제1 실시 형태의 조건을 적절하게 채용할 수 있다.In the first embodiment, the semiconductor wafer 4 on which the modified region has been formed in advance is pressed onto the die-bonding film 3 '. In the second embodiment, a semiconductor wafer is pressed onto the die-bonding film 3 ', and then the semiconductor wafer disposed on the die-bonding film 3' is irradiated with laser light to form a modified region therein. The pressing conditions and the laser light irradiation conditions can appropriately employ the conditions of the first embodiment.

《제3 실시 형태》&Quot; Third Embodiment &

이어서, 반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하고, 그 후, 이면 연삭을 행하는 공정을 채용한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 이하에 설명하기로 한다.Next, a method of manufacturing a semiconductor device employing a step of forming grooves on the surface of a semiconductor wafer and then performing back-grinding will be described.

도 7, 도 8은, 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 다른 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다. 먼저, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 회전 블레이드(41)로 반도체 웨이퍼(4)의 표면(4F)에 이면(4R)까지 달하지 않는 홈(4S)을 형성한다. 또한, 홈(4S)의 형성 시에는, 반도체 웨이퍼(4)는 도시하지 않은 지지 기재로 지지된다. 홈(4S)의 깊이는 반도체 웨이퍼(4)의 두께나 익스팬드의 조건에 따라서 적절히 설정 가능하다. 이어서, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 표면(4F)이 접촉하도록 반도체 웨이퍼(4)를 보호 기재(42)에 지지시킨다. 그 후, 연삭 숫돌(45)로 이면 연삭을 행하여, 이면(4R)으로부터 홈(4S)을 표출시킨다. 또한, 반도체 웨이퍼에의 보호 기재(42)의 부착은, 종래 공지된 부착 장치를 사용할 수 있고, 이면 연삭도, 종래 공지된 연삭 장치를 사용할 수 있다.7 and 8 are cross-sectional schematic diagrams for explaining another manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment. First, as shown in Fig. 7A, a groove 4S not reaching the back surface 4R is formed on the front surface 4F of the semiconductor wafer 4 with the rotating blade 41. Then, as shown in Fig. Further, at the time of forming the grooves 4S, the semiconductor wafer 4 is supported by a supporting substrate (not shown). The depth of the groove 4S can be appropriately set in accordance with the thickness of the semiconductor wafer 4 and the condition of the expander. Subsequently, as shown in Fig. 7 (b), the semiconductor wafer 4 is supported on the protective substrate 42 so that the surface 4F is brought into contact. Thereafter, the back grinding is performed with the grindstone 45 to expose the grooves 4S from the back surface 4R. The attachment of the protective substrate 42 to the semiconductor wafer can be carried out by using a conventionally known attachment device, or by grinding the back surface, a conventionally known grinding apparatus can be used.

이어서, 도 8에 도시한 바와 같이, 다이싱·다이본드 필름(12) 상에 홈(4S)이 표출한 반도체 웨이퍼(4)를 압착하고, 이것을 접착 보유 지지시켜서 고정한다(임시 고착 공정). 그 후, 보호 기재(42)를 박리하고, 웨이퍼 확장 장치(32)에 의해 다이싱·다이본드 필름(12)에 장력을 가한다. 이에 의해, 다이본드 필름(3')을 파단하여 반도체칩(5)을 형성한다(칩 형성 공정). 또한, 칩 형성 공정에 있어서의 온도, 익스팬드 속도, 익스팬드량은, 레이저광을 조사하여 분할 예정 라인(4L) 상에 개질 영역을 형성하는 경우와 마찬가지이다. 이후의 공정은, 레이저광을 조사하여 분할 예정 라인(4L) 상에 개질 영역을 형성하는 경우와 마찬가지이기 때문에 여기에서의 설명은 생략하기로 한다.Subsequently, as shown in Fig. 8, the semiconductor wafer 4 having the groove 4S exposed on the dicing die-bonding film 12 is pressed, fixed and adhered and held (temporary fixing step). Thereafter, the protective substrate 42 is peeled off, and the dicing die-bonding film 12 is tensioned by the wafer expanding device 32. Thus, the semiconductor die 5 is formed by breaking the die-bonding film 3 '(chip forming step). The temperature, expand speed, and exponent amount in the chip forming step are the same as those in the case of forming the modified region on the line to be divided 4L by irradiating the laser beam. The subsequent steps are the same as those in the case of forming the modified region on the line to be divided 4L by irradiating the laser beam, and therefore, the description thereof will be omitted.

[실시예][Example]

이하에, 본 발명이 적합한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 이 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 요지를 그것에만 한정하는 취지의 것이 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in this embodiment are not intended to limit the gist of the present invention to them, unless otherwise specified.

[실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 3][Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3]

(다이본드 필름의 제작)(Production of die bond film)

표 1에 나타낸 비율로 아크릴 수지 A, 아크릴 수지 B, 아크릴 수지 C, 에폭시 수지 A, 에폭시 수지 B, 페놀 수지 A, 페놀 수지 B, 무기 필러(실리카) 및 열경화 촉매를 메틸에틸케톤에 용해하여 농도 40 내지 50중량％의 접착제 조성물 용액을 제조하였다.The acrylic resin A, the acrylic resin B, the acrylic resin C, the epoxy resin A, the epoxy resin B, the phenol resin A, the phenol resin B, the inorganic filler (silica) and the thermosetting catalyst were dissolved in methyl ethyl ketone To prepare an adhesive composition solution having a concentration of 40 to 50% by weight.

이 접착제 조성물 용액을, 박리 라이너로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께 20㎛의 다이본드 필름을 제작하였다.This adhesive composition solution was coated on a mold releasing film including a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 占 퐉 which was subjected to a silicon release treatment as a release liner and then dried at 130 占 폚 for 2 minutes to obtain a die bond film having a thickness of 20 占 퐉 Respectively.

또한, 하기 표 1 중의 약호 및 성분의 상세는 이하와 같다.Details of the abbreviations and components in the following Table 1 are as follows.

아크릴 수지 A: 나가세 켐텍스사 제조 SG-708-6(유리 전이 온도: 4℃)Acrylic resin A: SG-708-6 (glass transition temperature: 4 캜) manufactured by Nagase Chemtex Co.,

아크릴 수지 B: 나가세 켐텍스사 제조 SG-70L(유리 전이 온도: -13℃)Acrylic resin B: SG-70L (glass transition temperature: -13 DEG C) manufactured by Nagase Chemtex Co.,

아크릴 수지 C: 나가세 켐텍스사 제조 SG-P3(유리 전이 온도: 12℃)Acrylic resin C: SG-P3 (glass transition temperature: 12 占 폚) manufactured by Nagase Chemtex Co.,

에폭시 수지 A: 도또 가세이 가부시끼가이샤 제조 KI-3000Epoxy resin A: KI-3000 manufactured by Tohto Kasei Kabushiki Kaisha

에폭시 수지 B: 미쯔비시 가가꾸 가부시끼가이샤 제조 JER YL980Epoxy resin B: JER YL980 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation

페놀 수지 A: 메이와 가세이 가부시끼가이샤 제조 MEH-7800HPhenol resin A: MEH-7800H manufactured by Meiwa Kasei Kabushiki Kaisha

페놀 수지 B: 메이와 가세이 가부시끼가이샤 제조 MEH-7851SSPhenol resin B: MEH-7851SS manufactured by Meiwa Kasei Kabushiki Kaisha

필러: 애드마텍스 가부시끼가이샤 제조 SE-2050MC(실리카, 평균 입경: 0.5㎛)Filler: SE-2050MC (silica, average particle diameter: 0.5 mu m) manufactured by Admatechs Kabushiki Kaisha,

열경화 촉매: 혹꼬 가가꾸 가부시끼가이샤 제조 TPP-KThermal curing catalyst: TPP-K manufactured by Kakogawa Chemical Co., Ltd.

Figure pat00001
Figure pat00001

(저장 탄성률 A, 손실 탄성률 B 및 손실 정접 C의 평가, 및 열경화 전의 유리 전이 온도의 측정)(Evaluation of storage elastic modulus A, loss elastic modulus B and loss tangent C, and measurement of glass transition temperature before thermal curing)

각 다이본드 필름에 대해서, 60℃의 조건 하에서 두께 400㎛가 될 때까지 중첩시킨 후, 각각 길이 30mm, 폭 10mm의 직사각형으로 하였다. 이어서, 동적 점탄성 측정 장치(RSA(II), 레오메트릭 사이언티픽사 제조)를 사용하여, -30 내지 280℃에서의 저장 탄성률 및 손실 탄성률을 척간 거리 22.5mm, 주파수 1Hz, 승온 속도 10℃/분의 조건 하에서 측정하였다. 그 때의, 0℃에서의 저장 탄성률 A 및 0℃에서의 손실 탄성률 B, 손실 정접 C(=B/A)를 표 2에 나타내었다. 아울러, 그 때의 tanδ의 피크값에 의해 얻어진 유리 전이 온도 D를 표 2에 나타내었다.Each of the die-bonding films was superimposed to a thickness of 400 mu m under a condition of 60 DEG C, and then formed into a rectangle having a length of 30 mm and a width of 10 mm. Then, using a dynamic viscoelasticity measuring device (RSA (II) manufactured by Rheometric Scientific Company), the storage elastic modulus and the loss elastic modulus at -30 to 280 ° C were measured with a chuck distance of 22.5 mm, a frequency of 1 Hz, Lt; / RTI &gt; The storage elastic modulus A at 0 ° C and the loss elastic modulus B at 0 ° C and the loss tangent C (= B / A) at that time are shown in Table 2. The glass transition temperature D obtained by the peak value of tan? At that time is shown in Table 2.

(파단 신장률)(Breaking elongation)

제작한 다이본드 필름에 대해서, 각각 길이 30mm, 두께 20㎛, 폭 10m의 직사각형의 측정편이 되도록 절단하였다. 이어서, 인장 시험기(오토그래프, 시마즈 세이사꾸쇼사 제조)를 사용하여 온도 0℃, 인장 속도 50mm/분, 척간 거리 10mm의 조건 하에서 연신하여 파단 시의 척간 거리 x(mm)를 구하고, 파단 신장률을 하기 식에 의해 얻었다. 결과를 표 2에 나타내었다.The die-bond film thus produced was cut into rectangular measuring pieces each having a length of 30 mm, a thickness of 20 m and a width of 10 m. Subsequently, the distance between the chucks at the time of fracture x (mm) was determined using a tensile tester (Autograph, manufactured by Shimadzu Corporation) at a temperature of 0 ° C, a tensile speed of 50 mm / min and a chuck distance of 10 mm, Was obtained by the following formula. The results are shown in Table 2.

파단 신장률(％)={(x-10)/10}×100Elongation at break (%) = {(x-10) / 10} x 100

(파단성의 평가)(Evaluation of fracture property)

레이저 가공 장치로서 가부시끼가이샤 도쿄 세이미쯔 제조, ML300-Integration을 사용하여 반도체 웨이퍼의 내부에 집광점을 맞추고, 격자 형상(10mm×10mm)의 분할 예정 라인을 따라 반도체 웨이퍼의 표면측으로부터 레이저광을 조사하여, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하였다. 반도체 웨이퍼는, 실리콘 웨이퍼(두께 75㎛, 외경 12인치)를 사용하였다. 또한, 레이저광 조사 조건은 하기와 같이 행하였다.As a laser processing apparatus, a light-converging point was set inside a semiconductor wafer using ML300-Integration manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd., and laser light was emitted from the surface side of the semiconductor wafer along a line to be divided with a lattice shape (10 mm x 10 mm) Thereby forming a modified region inside the semiconductor wafer. As the semiconductor wafer, a silicon wafer (thickness: 75 mu m, outer diameter: 12 inches) was used. The laser light irradiation conditions were as follows.

(A) 레이저광(A) Laser light

레이저광원 반도체 레이저 여기 Nd:YAG 레이저 Laser light source Semiconductor laser excitation Nd: YAG laser

파장 1064nm wavelength 1064 nm

레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠Laser light spot cross-sectional area 3.14 x 10 &lt; -8 &gt;

발진 형태 Q 스위치 펄스 Rash type Q switch pulse

반복 주파수 100kHz Repetition frequency 100kHz

펄스폭 30ns Pulse width 30ns

출력 20μJ/펄스 Print 20 μJ / pulse

레이저광 품질 TEM00 40 Laser light quality TEM00 40

편광 특성 직선 편광 Polarization characteristic Linear polarization

(B) 집광용 렌즈(B) a condenser lens

배율 50배 Magnification 50 times

NA 0.55 NA 0.55

레이저광 파장에 대한 투과율 60％ Transmittance to laser light wavelength 60%

(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 100mm/초(C) The moving speed of the loading table on which the semiconductor substrate is loaded 100 mm / sec

다이본드 필름 각각에, 레이저광에 의한 전처리를 행한 반도체 웨이퍼를 접합한 후, 파단 시험을 행하였다. 파단 시험은, 익스팬드 온도 0℃의 조건 하에서 행하였다. 익스팬드 속도는 400mm/초, 익스팬드량은 6％로 하였다. 파단 시험의 결과, 반도체 웨이퍼의 중앙부(100) 칩에 대해서, 분할 예정 라인에서 칩과 다이본드 필름이 양호하게 파단된 칩수를 카운트하였다. 모든 칩과 그것에 부수되는 다이본드 필름이 파단된 경우를 「○」, 칩과 그것에 부수되는 다이본드 필름이 파단되지 않은 개소가 1개소인 경우를 「×」라고 평가하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.Each of the die-bond films was subjected to a fracture test after bonding semiconductor wafers pretreated with laser light. The fracture test was carried out under the conditions of an Expand temperature of 0 ° C. The expanded speed was 400 mm / sec, and the exponential amount was 6%. As a result of the fracture test, the number of chips in which the chip and the die-bonding film were satisfactorily broken in the line to be divided with respect to the center chip (100) of the semiconductor wafer was counted. The case where all the chips and the die-bonding film attached thereto were broken was evaluated as &quot; &quot;, and the case where the die and the die-bonding film attached to the chip were not broken at one point was evaluated as &quot; The results are shown in Table 2.

<반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하고, 그 후, 이면 연삭을 행하는 공정을 채용한 경우>&Lt; Case in which grooves are formed on the surface of a semiconductor wafer and then backgrinding is employed.

반도체 웨이퍼(두께 500㎛)에 블레이드 다이싱 가공에 의해 격자 형상(10mm×10mm)의 절입홈을 형성하였다. 절입홈의 깊이는 100㎛로 하였다.(10 mm x 10 mm) grooves were formed in the semiconductor wafer (thickness 500 mu m) by blade dicing. The depth of the grooves was set to 100 탆.

이어서, 이 반도체 웨이퍼의 표면을 보호 테이프로 보호하고, 두께가 75㎛가 될 때까지 이면 연삭을 행하여, 분할된 개개의 반도체칩(10mm×10mm×75㎛)을 얻었다. 이것을 다이본드 필름 각각에 접합한 후, 파단 시험을 행하였다. 파단 시험은, 익스팬드 온도 0℃, 10℃, 25℃의 각각의 조건 하에서 행하였다. 익스팬드 속도는 400mm/초, 익스팬드량은 6％로 하였다. 파단 시험의 결과, 반도체 웨이퍼의 중앙부(100) 칩에 대해서, 다이본드 필름이 양호하게 파단된 칩수를 카운트하였다. 모든 칩과 그것에 부수되는 다이본드 필름이 파단된 경우를 「○」, 칩과 그것에 부수되는 다이본드 필름이 파단되지 않은 개소가 1개소인 경우를 「×」라고 평가하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.Then, the surface of the semiconductor wafer was protected with a protective tape, and backgrinding was performed until the thickness became 75 mu m to obtain individual semiconductor chips (10 mm x 10 mm x 75 mu m). This was bonded to each of the die bond films, and then fracture test was performed. The fracture test was carried out under the conditions of Expand temperatures of 0 캜, 10 캜 and 25 캜. The expanded speed was 400 mm / sec, and the exponential amount was 6%. As a result of the fracture test, the number of chips in which the die-bonding film was satisfactorily broken was counted for the center portion (100) of the semiconductor wafer. The case where all the chips and the die-bonding film attached thereto were broken was evaluated as &quot; &quot;, and the case where the die and the die-bonding film attached to the chip were not broken at one point was evaluated as &quot; The results are shown in Table 2.

Figure pat00002
Figure pat00002

실시예 1 내지 5의 다이본드 필름에서는, 0℃에서의 칩 및 다이본드 필름의 파단성은 양호하였다. 이에 비해, 비교예 1 내지 3의 다이본드 필름 파단성은 떨어진 결과가 되었다. 비교예 1 내지 3에서는 손실 정접 C가 높고, 비교예 3에서는 손실 탄성률 B가 높아지는 한편, 유리 전이 온도 D의 손실 정접 C에 대한 비 E는 작게 되어 있어서, 다이본드 필름에 있어서는 탄성보다도 점성의 영향이 강해져, 그것에 의해 다이본드 필름의 파단이 불충분해졌다고 생각된다.In the die-bond films of Examples 1 to 5, the chip and die-bond films at 0 캜 had good fracture toughness. In contrast, the die bond film breakability of Comparative Examples 1 to 3 was deteriorated. In Comparative Examples 1 to 3, the loss tangent C was high, and in Comparative Example 3, the loss elastic modulus B was high. On the other hand, the ratio E to the loss tangent C of the glass transition temperature D was small, And the breakage of the die-bonding film is considered to be insufficient.

또한, 본 실시예에서는 스텔스 다이싱에 의한 평가를 행하기는 했지만, DBG법에 의한 평가에서도 마찬가지의 결과가 얻어진다고 생각된다.In this embodiment, evaluation by stealth dicing is performed, but it is considered that the same result is obtained in the evaluation by the DBG method.

1: 기재
2: 점착제층
3, 3': 다이본드 필름(열경화형 다이본드 필름)
4: 반도체 웨이퍼
5: 반도체칩
6: 피착체
7: 본딩 와이어
8: 밀봉 수지
10, 12: 다이싱·다이본드 필름
11: 다이싱 필름1: substrate
2: Pressure-sensitive adhesive layer
3, 3 ': die-bonding film (heat-curing die-bonding film)
4: Semiconductor wafer
5: Semiconductor chip
6: adherend
7: Bonding wire
8: Sealing resin
10, 12: Dicing die-bonding film
11: Dicing film

Claims (7)

열경화 전에 있어서,
0℃에서의 저장 탄성률 A가 1GPa 이상이며,
0℃에서의 손실 탄성률 B가 500MPa 이하이고,
0℃에서의 손실 정접 C가 0.1 이하이고,
유리 전이 온도 D가 0℃를 초과하고, 또한
상기 유리 전이 온도 D의 절댓값의 상기 손실 정접 C의 절댓값에 대한 비 E가 600 이상인 열경화형 다이본드 필름.Before thermal curing,
The storage elastic modulus A at 0 DEG C is 1 GPa or more,
A loss elastic modulus B at 0 DEG C of 500 MPa or less,
The loss tangent C at 0 DEG C is 0.1 or less,
When the glass transition temperature D exceeds 0 캜 and the glass transition temperature
And a ratio E to an absolute value of the loss tangent C of an absolute value of the glass transition temperature D is not less than 600. The thermosetting die- 제1항에 있어서, 열경화 전에 있어서의 0℃에서의 파단 신장률이 100％ 이하인 열경화형 다이본드 필름.The thermosetting die-bonding film according to claim 1, wherein the elongation at break at 0 캜 before thermosetting is 100% or less. 제1항에 있어서, 무기 필러를 포함하고, 그 무기 필러의 함유량이 10중량％ 이상 90중량％ 이하인 열경화형 다이본드 필름.The thermosetting die-bonding film according to claim 1, wherein the inorganic filler is contained in an amount of 10 wt% or more and 90 wt% or less. 제1항에 있어서, 23℃에서 고형의 열경화형 수지를 포함하는 열경화형 다이본드 필름.The thermosetting die-bonding film according to claim 1, comprising a thermosetting resin solid at 23 占 폚. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 열경화형 다이본드 필름이, 기재 상에 점착제층이 적층된 다이싱 필름 상에 적층되어 있는 다이싱·다이본드 필름.A dicing die-bonding film in which the thermosetting die-bonding film according to any one of claims 1 to 4 is laminated on a dicing film on which a pressure-sensitive adhesive layer is laminated. 제5항에 기재된 다이싱·다이본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법으로서,
반도체 웨이퍼의 분할 예정 라인에 레이저광을 조사하여 상기 분할 예정 라인 상에 개질 영역을 형성하는 공정과,
개질 영역 형성 후의 반도체 웨이퍼를 상기 다이싱·다이본드 필름에 접합하는 공정과,
-30℃ 내지 20℃의 조건 하에서, 상기 다이싱·다이본드 필름에 인장 응력을 가함으로써, 상기 반도체 웨이퍼와 상기 다이싱·다이본드 필름을 구성하는 다이본드 필름을 상기 분할 예정 라인에서 파단하여 반도체 소자를 형성하는 공정과,
상기 반도체 소자를 상기 다이본드 필름과 함께 픽업하는 공정과,
픽업한 상기 반도체 소자를, 상기 다이본드 필름을 통하여 피착체에 다이본딩하는 공정
을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.A manufacturing method of a semiconductor device using the dicing die-bonding film according to claim 5,
A step of irradiating a laser beam to a line to be divided of the semiconductor wafer to form a modified region on the line to be divided,
Bonding the semiconductor wafer after the modified region is formed to the dicing die-bonding film,
The die bonding film constituting the semiconductor wafer and the dicing die-bonding film is broken at the line to be divided by applying a tensile stress to the dicing die-bonding film under the condition of -30 占 폚 to 20 占 폚, A step of forming an element,
A step of picking up the semiconductor element together with the die-bonding film,
Bonding the semiconductor element picked up to an adherend through the die bond film
Wherein the semiconductor device is a semiconductor device. 제5항에 기재된 다이싱·다이본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법으로서,
반도체 웨이퍼의 표면에 이면까지 달하지 않는 홈을 형성하는 공정과,
상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 행하고, 상기 이면으로부터 상기 홈을 표출시키는 공정과,
상기 이면으로부터 상기 홈이 표출된 상기 반도체 웨이퍼를 상기 다이싱·다이본드 필름에 접합하는 공정과,
-30℃ 내지 20℃의 조건 하에서, 상기 다이싱·다이본드 필름에 인장 응력을 가함으로써, 상기 다이싱·다이본드 필름을 구성하는 다이본드 필름을 파단하여 반도체 소자를 형성하는 공정과,
상기 반도체 소자를 상기 다이본드 필름과 함께 픽업하는 공정과,
픽업한 상기 반도체 소자를, 상기 다이본드 필름을 통하여 피착체에 다이본딩하는 공정
을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.A manufacturing method of a semiconductor device using the dicing die-bonding film according to claim 5,
A step of forming a groove not reaching the back surface on the surface of the semiconductor wafer,
Grinding the back surface of the semiconductor wafer to expose the groove from the back surface;
Bonding the semiconductor wafer exposed with the grooves to the dicing die-bonding film from the back surface;
A step of applying a tensile stress to the dicing die-bonding film under the condition of -30 占 폚 to 20 占 폚 to form a semiconductor element by breaking the die-bonding film constituting the dicing die-bonding film;
A step of picking up the semiconductor element together with the die-bonding film,
Bonding the semiconductor element picked up to an adherend through the die bond film
Wherein the semiconductor device is a semiconductor device.
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