JP2012222002A - Dicing die-bonding film and semiconductor device manufacturing method - Google Patents

Dicing die-bonding film and semiconductor device manufacturing method Download PDF

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俊平 田中
Takeshi Matsumura
健 松村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dicing die-bonding film capable of rupturing a die-bonding film and a semiconductor wafer more preferably by a tensile stress.SOLUTION: A dicing die-bonding film comprises a dicing film having an adhesive layer on a base material, and a die-bonding film provided on the adhesive layer, and the dicing die-bonding film is used for stealth dicing (registered). The base material includes a wafer sticking part corresponding to a part to which the wafer is to be stuck. Assuming that a thickness of the semiconductor wafer stuck to the die-bonding film is A (μm), a thickness of the die-bonding film is B (μm) and a thickness of a base material at the wafer sticking part is C (μm), C/A is not less than 0.4 and not more than 20, C/B is not less than 0.8 and not more than 67 and A/B is not less than 0.1 and not more than 67.

Description

本発明は、ダイボンドフィルムとダイシングフィルムとが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムに関する。また、本発明は、当該ダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a dicing die bond film in which a die bond film and a dicing film are laminated. Moreover, this invention relates to the manufacturing method of the semiconductor device using the said dicing die-bonding film.

従来、半導体装置の製造過程に於いてリードフレームや電極部材への半導体チップの固着には、銀ペーストが用いられている。かかる固着処理は、リードフレームのダイパッド等の上にペースト状接着剤を塗工し、それに半導体チップを搭載してペースト状接着剤層を硬化させて行う。   Conventionally, silver paste is used for fixing a semiconductor chip to a lead frame or an electrode member in a manufacturing process of a semiconductor device. The fixing process is performed by applying a paste adhesive on a die pad or the like of the lead frame, mounting a semiconductor chip on the lead adhesive, and curing the paste adhesive layer.

しかしながら、ペースト状接着剤はその粘度挙動や劣化等により塗工量や塗工形状等に大きなバラツキを生じる。その結果、形成されるペースト状接着剤厚は不均一となるため半導体チップに係わる固着強度の信頼性が乏しい。即ち、ペースト状接着剤の塗工量が不足すると半導体チップと電極部材との間の固着強度が低くなり、後続のワイヤーボンディング工程で半導体チップが剥離する。一方、ペースト状接着剤の塗工量が多すぎると半導体チップの上までペースト状接着剤が流延して特性不良を生じ、歩留まりや信頼性が低下する。この様な固着処理に於ける問題は、半導体チップの大型化に伴って特に顕著なものとなっている。そのため、ペースト状接着剤の塗工量の制御を頻繁に行う必要があり、作業性や生産性に支障をきたす。   However, paste adhesives have large variations in coating amount, coating shape, etc. due to their viscosity behavior and deterioration. As a result, the thickness of the paste-like adhesive formed is not uniform, and the reliability of the fixing strength related to the semiconductor chip is poor. That is, when the application amount of the paste adhesive is insufficient, the bonding strength between the semiconductor chip and the electrode member is lowered, and the semiconductor chip is peeled off in the subsequent wire bonding process. On the other hand, when the application amount of the paste adhesive is too large, the paste adhesive is cast onto the semiconductor chip, resulting in poor characteristics, and the yield and reliability are lowered. Such a problem in the adhering process becomes particularly remarkable as the semiconductor chip becomes larger. Therefore, it is necessary to frequently control the amount of paste adhesive applied, which hinders workability and productivity.

このペースト状接着剤の塗工工程に於いて、ペースト状接着剤をリードフレームや形成チップに別途塗布する方法がある。しかし、この方法では、ペースト状接着剤層の均一化が困難であり、またペースト状接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。このため、ダイシング工程で半導体ウェハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシングフィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照）。   In this paste adhesive application step, there is a method in which the paste adhesive is separately applied to a lead frame or a formed chip. However, in this method, it is difficult to make the paste adhesive layer uniform, and a special apparatus and a long time are required for applying the paste adhesive. For this reason, a dicing film has been proposed in which a semiconductor wafer is bonded and held in a dicing process, and an adhesive layer for chip fixation necessary for a mounting process is also provided (see, for example, Patent Document 1).

このダイシングフィルムは、支持基材上に接着剤層を剥離可能に設けてなるものであり、その接着剤層による保持下に半導体ウェハをダイシングしたのち、支持基材を延伸して形成チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収してその接着剤層を介してリードフレーム等の被着体に固着させるようにしたものである。   This dicing film has an adhesive layer that can be peeled off on a support substrate. After dicing the semiconductor wafer under the holding of the adhesive layer, the support substrate is stretched to bond the formed chip. They are peeled off together with the agent layer, collected individually, and fixed to an adherend such as a lead frame through the adhesive layer.

ダイシングフィルム上にダイボンドフィルムが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムを使用し、半導体ウェハをダイボンドフィルムの保持下でダイシングする場合、このダイボンドフィルムを半導体ウェハと同時に切断する必要がある。ところが、ダイヤモンドブレードを用いた一般的なダイシング方法においては、ダイシング時に発生する熱の影響によるダイボンドフィルムとダイシングフィルムとの癒着、切削屑の発生による半導体チップ同士の固着、半導体チップ側面への切削屑の付着等が懸念されるため、切断速度を遅くする必要があり、コストの上昇を招いていた。   When using a dicing die bond film in which a die bond film is laminated on a dicing film and dicing a semiconductor wafer while holding the die bond film, it is necessary to cut the die bond film simultaneously with the semiconductor wafer. However, in a general dicing method using a diamond blade, adhesion between the die bond film and the dicing film due to the influence of heat generated during dicing, adhesion of semiconductor chips due to generation of cutting debris, cutting debris on the side surface of the semiconductor chip Therefore, it is necessary to slow down the cutting speed, which increases the cost.

そこで、近年、半導体ウェハにおける分割予定ラインにレーザー光を照射して改質領域を形成することにより、半導体ウェハを分割予定ラインにて容易に分割可能とした後、引張張力を加えることによりこの半導体ウェハを破断して、個々の半導体チップを得る方法（例えば、特許文献２〜８参照、以下「ステルスダイシング（登録商標）」ともいう）が提案されている。この方法によれば、特に半導体ウェハの厚さが薄い場合にチッピング等の不良が発生することを低減することを可能とするとともに、カーフ幅を従来に比して狭くして半導体チップの収率向上を図ることができる。   Therefore, in recent years, a semiconductor wafer can be easily divided on the planned division line by irradiating a laser beam onto the planned division line of the semiconductor wafer to form a modified region, and then this semiconductor is applied by applying tensile tension. There has been proposed a method of rupturing a wafer to obtain individual semiconductor chips (see, for example, Patent Documents 2 to 8, hereinafter also referred to as “Stealth Dicing (registered trademark)”). According to this method, it is possible to reduce the occurrence of defects such as chipping particularly when the thickness of the semiconductor wafer is thin, and the yield of semiconductor chips can be reduced by making the kerf width narrower than before. Improvements can be made.

ダイボンドフィルムの保持下において、上記方法によりダイボンドフィルム付の個々の半導体チップを得るためには、引張張力によりダイボンドフィルムを破断する必要がある。   In order to obtain individual semiconductor chips with a die bond film by the above method while holding the die bond film, it is necessary to break the die bond film with a tensile tension.

特許文献６には、ダイシングテープ一体型接着シートにおいて、ダイシングテープの厚さＡと接着シートの厚さＢとの比Ａ／Ｂを２〜３０とすることにより、柔らかく伸びやすい接着シートを半導体ウェハと共に破断性よく切断することができることが開示されている。   In Patent Document 6, in a dicing tape integrated adhesive sheet, a ratio of A / B between the thickness A of the dicing tape and the thickness B of the adhesive sheet is set to 2 to 30, whereby an adhesive sheet that is soft and easily stretched is disclosed as a semiconductor wafer. In addition, it is disclosed that it can be cut with good breakability.

しかしながら、接着シートと半導体ウェハとを破断性する際に関与するダイシングテープの物性は、主としてダイシングテープを構成する基材に起因するものである。そのため、特許文献６のように、基材と粘着剤層とから構成されるダイシングテープの全体の厚さ（ダイシングテープの厚さＡ）と接着シートの厚さＢとの比を特定しても、ダイシングテープの厚さＡに占める基材の厚さが厚い場合や薄い場合があるため、接着シートと半導体ウェハとを破断性する際に関与するダイシングテープの物性は一定ではない。そのため、特許文献６のようなダイシングテープ一体型接着シートは、必ずしも接着シートと半導体ウェハとを破断性よく切断することができるとはいえない。   However, the physical properties of the dicing tape involved in breaking the adhesive sheet and the semiconductor wafer are mainly due to the base material constituting the dicing tape. Therefore, as in Patent Document 6, even if the ratio of the total thickness of the dicing tape composed of the base material and the pressure-sensitive adhesive layer (thickness A of the dicing tape) and the thickness B of the adhesive sheet is specified. Since the base material occupying the thickness A of the dicing tape may be thick or thin, the physical properties of the dicing tape involved in breaking the adhesive sheet and the semiconductor wafer are not constant. Therefore, it cannot be said that the dicing tape-integrated adhesive sheet as disclosed in Patent Document 6 can cut the adhesive sheet and the semiconductor wafer with good breakability.

特開昭６０−５７６４２号公報JP-A-60-57642 特開２００２−１９２３７０号公報JP 2002-192370 A 特開２００３−３３８４６７号公報JP 2003-338467 A 国際公開第２００４／１０９７８６号International Publication No. 2004/109786 特開２００７−５３３２５号公報JP 2007-53325 A 特開２００９−２８３９２５号公報JP 2009-283925 A 特開２００９−２３８７７０号公報JP 2009-238770 A 特開２０１０−７４１３５号公報JP 2010-74135 A

本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ダイボンドフィルムと半導体ウェハとを引張張力により好適に破断することが可能なダイシング・ダイボンドフィルムを提供することにある。   This invention is made | formed in view of the subject mentioned above, The objective is to provide the dicing die-bonding film which can fracture | rupture a die-bonding film and a semiconductor wafer suitably by tensile tension.

また、本発明の他の目的は、ダイボンドフィルムと半導体ウェハとを引張張力により好適に破断させることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device, in which a die bond film and a semiconductor wafer can be suitably broken by tensile tension.

本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、ダイシング・ダイボンドフィルムについて検討した。その結果、ステルスダイシングにおいては、ダイボンドフィルムに貼り付けられる半導体ウェハの厚み、ダイボンドフィルムの厚み、及び、ダイシングフィルムを構成する基材の厚みの相互の関係を特定の範囲内とすることにより、ダイボンドフィルムと半導体ウェハとを引張張力により好適に破断することが可能なことを見出して、本発明を完成させるに至った。   The inventors of the present application have studied dicing die-bonding films in order to solve the conventional problems. As a result, in stealth dicing, by making the mutual relationship between the thickness of the semiconductor wafer attached to the die bond film, the thickness of the die bond film, and the thickness of the substrate constituting the dicing film within a specific range, The present invention has been completed by finding that the film and the semiconductor wafer can be suitably broken by tensile tension.

すなわち、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルムは、基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、半導体ウェハにレーザー光を照射して改質領域を形成した後、前記半導体ウェハを前記改質領域にて破断することにより半導体ウェハから半導体素子を得る方法に使用されるものであり、前記基材は、半導体ウェハを貼り付ける部分に対応するウェハ貼付部を有しており、前記ダイボンドフィルムに貼り付けられる半導体ウェハの厚みをＡ（μｍ）、前記ダイボンドフィルムの厚みをＢ（μｍ）、前記基材の前記ウェハ貼付部における厚みをＣ（μｍ）としたとき、Ｃ／Ａが０．４以上２０以下であり、Ｃ／Ｂが０．８以上６７以下であり、且つ、Ａ／Ｂが０．１以上６７以下であることを特徴とする。   That is, the dicing die-bonding film according to the present invention is a dicing die-bonding film having a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer on a base material and a die-bonding film provided on the pressure-sensitive adhesive layer. After forming a modified region by irradiating a laser beam, the semiconductor wafer is used in a method for obtaining a semiconductor element from a semiconductor wafer by breaking the semiconductor wafer at the modified region. A wafer affixing part corresponding to a part to which the wafer is affixed; the thickness of the semiconductor wafer affixed to the die bond film is A (μm); the thickness of the die bond film is B (μm); C / A is 0.4 or more and 20 or less, and C / B is 0.8 or more and 67 when the thickness at the wafer pasting portion is C (μm). It is lower, and, A / B is equal to or less than 0.1 67 or less.

ステルスダイシングにより半導体ウェハから半導体素子（例えば、半導体チップ）を得る際には、基材と粘着剤層とを有するダイシングフィルムに引張張力を加え、ダイシングフィルムを破断させない状態でダイボンドフィルムと半導体ウェハとを破断させる必要がある。   When a semiconductor element (for example, a semiconductor chip) is obtained from a semiconductor wafer by stealth dicing, a tensile bond is applied to the dicing film having a base material and an adhesive layer, and the die bonding film and the semiconductor wafer are not broken. Must be broken.

前記構成によれば、Ｃ／Ａが０．４以上であり、半導体ウェハの厚みに対して、基材のウェハ貼付部における厚みは、一定以上である。従って、基材に加えられた引張応力を、基材を破断させることなく半導体ウエハに伝えることができる。その結果、好適に半導体ウエハを破断することができる。また、Ｃ／Ａが２０以下であり、基材のウェハ貼付部における厚みが厚すぎることはない。従って、ピックアップの際に、突き上げ治具（例えば、ピックアップニードル）により基材側から半導体素子を持ち上げることが容易となる。その結果、ピックアップが容易となる。また、半導体ウエハを破断するために基材に加える力を一定以下とすることができる。   According to the said structure, C / A is 0.4 or more, and the thickness in the wafer sticking part of a base material is more than fixed with respect to the thickness of a semiconductor wafer. Therefore, the tensile stress applied to the base material can be transmitted to the semiconductor wafer without breaking the base material. As a result, the semiconductor wafer can be suitably broken. Moreover, C / A is 20 or less, and the thickness in the wafer sticking part of a base material is not too thick. Therefore, when picking up, it becomes easy to lift the semiconductor element from the substrate side by a pushing jig (for example, a pick-up needle). As a result, pickup becomes easy. Further, the force applied to the base material for breaking the semiconductor wafer can be kept below a certain level.

また、前記構成によれば、Ｃ／Ｂが０．８以上であり、ダイボンドフィルムの厚みに対して、基材のウェハ貼付部における厚みは、一定以上である。従って、基材に加えられた引張応力を、基材を破断させることなくダイボンドフィルムに伝えることができる。その結果、好適に半導体ウエハを破断することができる。また、Ｃ／Ｂが６７以下であり、基材のウェハ貼付部における厚みが厚すぎることはない。従って、ピックアップの際に、突き上げ治具（例えば、ピックアップニードル）により基材側から半導体素子を持ち上げることが容易となる。その結果、ピックアップが容易となる。また、ダイボンドフィルムを破断するために基材に加える力を一定以下とすることができる。   Moreover, according to the said structure, C / B is 0.8 or more, and the thickness in the wafer sticking part of a base material is more than fixed with respect to the thickness of a die-bonding film. Therefore, the tensile stress applied to the base material can be transmitted to the die bond film without breaking the base material. As a result, the semiconductor wafer can be suitably broken. Moreover, C / B is 67 or less, and the thickness in the wafer sticking part of a base material is not too thick. Therefore, when picking up, it becomes easy to lift the semiconductor element from the substrate side by a pushing jig (for example, a pick-up needle). As a result, pickup becomes easy. In addition, the force applied to the base material for breaking the die bond film can be made constant or less.

ダイボンドフィルムは、一般的に厚みが厚いほど破断性が悪い。そこで、前記構成によれば、Ａ／Ｂが０．１以上であり、半導体ウェハの厚みに対して、ダイボンドフィルムの厚みは、一定以下である。従って、ダイボンドフィルムを好適に破断することができる。また、Ａ／Ｂが６７以下であり、ダイボンドフィルムの厚みが薄すぎることはない。従って、半導体ウエハとダイボンドフィルムの間で剥離することを防止することができる。   In general, the die bond film has poorer breakability as the thickness is larger. So, according to the said structure, A / B is 0.1 or more, and the thickness of a die-bonding film is below fixed with respect to the thickness of a semiconductor wafer. Therefore, the die bond film can be suitably broken. Moreover, A / B is 67 or less, and the thickness of a die-bonding film is not too thin. Therefore, peeling between the semiconductor wafer and the die bond film can be prevented.

このように、前記構成によれば、Ｃ／Ａが０．４以上２０以下であり、Ｃ／Ｂが０．８以上６７以下であり、且つ、Ａ／Ｂが０．１以上６７以下であるため、基材を破断させることなく半導体ウエハとダイボンドフィルムとを好適に破断することができる。   Thus, according to the said structure, C / A is 0.4 or more and 20 or less, C / B is 0.8 or more and 67 or less, and A / B is 0.1 or more and 67 or less. Therefore, the semiconductor wafer and the die bond film can be suitably broken without breaking the substrate.

前記構成においては、前記Ａと前記Ｂと前記Ｃとの和が、９０以上５００未満であることが好ましい。前記Ａと前記Ｂと前記Ｃとの和を９０以上とすることにより、ダイシングフィルムの厚みをある程度厚くすることができ、半導体ウエハを破断する際に必要な引張応力を持たせることができる。一方、前記Ａと前記Ｂと前記Ｃとの和を５００未満とすることにより、ダイシングフィルムの厚みが厚くなりすぎないため、ピックアップの際のピックアップ性を維持することができる。すなわち、前記Ａと前記Ｂと前記Ｃとの和を９０以上５００未満とすることにより、半導体ウエハを破断する際に必要な引張応力をダイシングフィルムに持たせることができるとともに、ピックアップ性を維持することができる。   In the said structure, it is preferable that the sum of said A, said B, and said C is 90-500. By setting the sum of A, B, and C to 90 or more, the thickness of the dicing film can be increased to some extent, and a tensile stress necessary for breaking the semiconductor wafer can be provided. On the other hand, by setting the sum of A, B, and C to less than 500, the thickness of the dicing film does not become too thick, so that the pickup property at the time of pickup can be maintained. That is, by setting the sum of A, B, and C to 90 or more and less than 500, the dicing film can have a tensile stress necessary for breaking the semiconductor wafer, and the pickup property is maintained. be able to.

前記構成において、前記ダイシングフィルムの前記基材は、ダイシングリングを貼り付ける部分に対応するリング貼付部を外周部分に有するとともに、前記リング貼付部よりも内側に前記ウェハ貼付部を有しており、さらに、前記リング貼付部と前記ウェハ貼付部との間に、突き上げ治具の外周が接触する接触部を有しており、前記基材の前記接触部における２５℃での引張強度が、１５Ｎ以上８０Ｎ以下であり、且つ、降伏点伸度が８０％以上であることが好ましい。
また、前記構成において、前記基材の前記ウェハ貼付部における２５℃での引張強度が、７０Ｎ以下であり、且つ、降伏点伸度が３０％以上であり、前記ダイボンドフィルムの２５℃での破断伸び率が４０％より大きく５００％以下であることが好ましい。 In the above configuration, the base material of the dicing film has a ring sticking portion corresponding to a portion to which a dicing ring is stuck on the outer peripheral portion, and has the wafer sticking portion inside the ring sticking portion, Furthermore, it has a contact part which the outer periphery of a pushing jig | tool contacts between the said ring sticking part and the said wafer sticking part, and the tensile strength in 25 degreeC in the said contact part of the said base material is 15N or more It is preferable that it is 80 N or less and the yield point elongation is 80% or more.
Moreover, in the said structure, the tensile strength in 25 degreeC in the said wafer sticking part of the said base material is 70 N or less, and a yield point elongation is 30% or more, The fracture | rupture in 25 degreeC of the said die-bonding film It is preferable that the elongation is greater than 40% and 500% or less.

ステルスダイシングにより半導体ウェハから半導体素子（例えば、半導体チップ）を得る場合、半導体ウェハが貼り付けられたダイシングフィルムの基材側から突き上げ治具を突き上げて、ダイシングフィルムに引張張力を加える。   When a semiconductor element (for example, a semiconductor chip) is obtained from a semiconductor wafer by stealth dicing, a pushing jig is pushed up from the base material side of the dicing film to which the semiconductor wafer is attached, and tensile tension is applied to the dicing film.

前記構成によれば、基材の接触部における２５℃での引張強度が、１５Ｎ以上であるため、引張張力を加えた際に接触部で基材が破断したり塑性変形したりすることを防止でき、ダイボンドフィルムと半導体ウェハとに引張応力を伝えることができる。その結果、ダイボンドフィルムと半導体ウェハとを正常に破断することができる。また、前記引張強度が８０Ｎ以下であるため、引張張力を加える装置に過度の負荷を与えることなくダイボンドフィルムと半導体ウェハとを破断することができる。また、基材の接触部における２５℃での降伏点伸度が８０％以上であるため、基材の塑性変形を抑えつつ、拡張することができる。また、ウェハ貼付部における２５℃での引張強度が７０Ｎ以下あるため、引張張力を加えた際に、ウェハ貼付部において適度な拡張が起こり、ダイボンドフィルムと半導体ウェハとを破断することができる。また、ウェハ貼付部の降伏点伸度が３０％以上であるため、引張張力を加えた際にウェハ貼付部において適度な拡張が起こり、ダイボンドフィルムと半導体ウェハとを破断することができる。また、ダイボンドフィルムの破断伸び率が４０％より大きいため、容易に破断するのを防止し、取り扱い性を向上させることができる。また、前記破断伸び率が５００％以下であるため、拡張させた際に過度に伸長するのを防止し、好適に破断することができる。
特に、基材の接触部における２５℃での引張強度が、１５Ｎ以上８０Ｎ以下であり、且つ、降伏点伸度が８０％以上であり、前記ダイシングフィルムの前記ウェハ貼付部における２５℃での引張強度が７０Ｎ以下であり、且つ、降伏点伸度が３０％以上であると、引張張力を加えることにより、基材（ダイシングフィルム）を破断させることなく拡張させることができるとともに、ダイボンドフィルムと半導体ウェハとを破断させることができる。 According to the said structure, since the tensile strength in 25 degreeC in the contact part of a base material is 15N or more, when a tension | tensile_strength is applied, it prevents that a base material fracture | ruptures or plastically deforms in a contact part. The tensile stress can be transmitted to the die bond film and the semiconductor wafer. As a result, the die bond film and the semiconductor wafer can be normally broken. Moreover, since the said tensile strength is 80 N or less, a die-bonding film and a semiconductor wafer can be fractured, without giving an excessive load to the apparatus which applies tensile tension. Moreover, since the yield point elongation at 25 degreeC in the contact part of a base material is 80% or more, it can expand, suppressing the plastic deformation of a base material. Further, since the tensile strength at 25 ° C. at the wafer attaching portion is 70 N or less, when the tensile tension is applied, the wafer attaching portion is appropriately expanded, and the die bond film and the semiconductor wafer can be broken. Moreover, since the yield point elongation of the wafer sticking part is 30% or more, when a tensile tension is applied, the wafer sticking part is appropriately expanded, and the die bond film and the semiconductor wafer can be broken. Moreover, since the elongation at break of the die bond film is larger than 40%, it can be prevented from being easily broken and the handleability can be improved. Moreover, since the said breaking elongation rate is 500% or less, when extended, it can prevent extending | stretching excessively and can fracture | rupture suitably.
In particular, the tensile strength at 25 ° C. at the contact portion of the substrate is 15 N or more and 80 N or less, and the elongation at yield point is 80% or more, and the tensile strength at 25 ° C. at the wafer attaching portion of the dicing film. When the strength is 70 N or less and the yield point elongation is 30% or more, the base material (dicing film) can be expanded without breaking by applying a tensile tension, and the die bond film and the semiconductor The wafer can be broken.

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、前記基材は、半導体ウェハを貼り付けるウェハ貼付部を有しており、前記ダイボンドフィルムに貼り付けられる半導体ウェハの厚みをＡ（μｍ）、前記ダイボンドフィルムの厚みをＢ（μｍ）、前記基材の前記ウェハ貼付部における厚みをＣ（μｍ）としたとき、Ｃ／Ａが０．４以上２０以下であり、Ｃ／Ｂが０．８上６７以下であり、且つ、Ａ／Ｂが０．１以上６７以下であり、前記半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの分割予定ラインにレーザー光を照射して改質領域を形成する工程と、前記ダイシング・ダイボンドフィルムの前記ダイボンドフィルム上に、改質領域形成後の半導体ウェハをマウントする工程と、ダイシング・ダイボンドフィルムに引張張力を加えることによって、半導体ウェハとダイボンドフィルムとを破断し、半導体チップを形成する工程とを具備することを特徴とする。   In addition, a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer on a base material and a dicing film having a die-bonding film provided on the pressure-sensitive adhesive layer. It is a manufacturing method, Comprising: The said base material has a wafer sticking part which affixes a semiconductor wafer, the thickness of the semiconductor wafer affixed on the said die-bonding film is A (micrometer), and the thickness of the said die-bonding film is B ( μm), C / A is 0.4 or more and 20 or less, C / B is 0.8 or more and 67 or less, where C (μm) is the thickness of the substrate on the wafer pasting portion, and A / B is 0.1 or more and 67 or less, and the manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming a modified region by irradiating a laser beam to a division planned line of a semiconductor wafer, and the dicing A step of mounting the semiconductor wafer after forming the modified region on the die bond film of the die bond film, and applying a tensile tension to the dicing die bond film to break the semiconductor wafer and the die bond film to form a semiconductor chip. And a process.

前記構成によれば、Ｃ／Ａが０．４以上であり、半導体ウェハの厚みに対して、基材のウェハ貼付部における厚みは、一定以上である。従って、基材に加えられた引張応力を、基材を破断させることなく半導体ウエハに伝えることができる。その結果、好適に半導体ウエハを破断することができる。また、Ｃ／Ａが２０以下であり、基材のウェハ貼付部における厚みが厚すぎることはない。従って、ピックアップの際に、突き上げ治具（例えば、ピックアップニードル）により基材側から半導体素子を持ち上げることが容易となる。その結果、ピックアップが容易となる。また、半導体ウエハを破断するために基材に加える力を一定以下とすることができる。   According to the said structure, C / A is 0.4 or more, and the thickness in the wafer sticking part of a base material is more than fixed with respect to the thickness of a semiconductor wafer. Therefore, the tensile stress applied to the base material can be transmitted to the semiconductor wafer without breaking the base material. As a result, the semiconductor wafer can be suitably broken. Moreover, C / A is 20 or less, and the thickness in the wafer sticking part of a base material is not too thick. Therefore, when picking up, it becomes easy to lift the semiconductor element from the substrate side by a pushing jig (for example, a pick-up needle). As a result, pickup becomes easy. Further, the force applied to the base material for breaking the semiconductor wafer can be kept below a certain level.

また、前記構成によれば、Ｃ／Ｂが０．８以上であり、ダイボンドフィルムの厚みに対して、基材のウェハ貼付部における厚みは、一定以上である。従って、基材に加えられた引張応力を、基材を破断させることなくダイボンドフィルムに伝えることができる。その結果、好適に半導体ウエハを破断することができる。また、Ｃ／Ｂが６７以下であり、基材のウェハ貼付部における厚みが厚すぎることはない。従って、ピックアップの際に、突き上げ治具（例えば、ピックアップニードル）により基材側から半導体素子を持ち上げることが容易となる。その結果、ピックアップが容易となる。また、ダイボンドフィルムを破断するために基材に加える力を一定以下とすることができる。   Moreover, according to the said structure, C / B is 0.8 or more, and the thickness in the wafer sticking part of a base material is more than fixed with respect to the thickness of a die-bonding film. Therefore, the tensile stress applied to the base material can be transmitted to the die bond film without breaking the base material. As a result, the semiconductor wafer can be suitably broken. Moreover, C / B is 67 or less, and the thickness in the wafer sticking part of a base material is not too thick. Therefore, when picking up, it becomes easy to lift the semiconductor element from the substrate side by a pushing jig (for example, a pick-up needle). As a result, pickup becomes easy. In addition, the force applied to the base material for breaking the die bond film can be made constant or less.

ダイボンドフィルムは、一般的に厚みが厚いほど破断性が悪い。そこで、前記構成によれば、Ａ／Ｂが０．１以上であり、半導体ウェハの厚みに対して、ダイボンドフィルムの厚みは、一定以下である。従って、ダイボンドフィルムを好適に破断することができる。また、Ａ／Ｂが６７以下であり、ダイボンドフィルムの厚みが薄すぎることはない。従って、半導体ウエハとダイボンドフィルムの間で剥離することを防止することができる。   In general, the die bond film has poorer breakability as the thickness is larger. So, according to the said structure, A / B is 0.1 or more, and the thickness of a die-bonding film is below fixed with respect to the thickness of a semiconductor wafer. Therefore, the die bond film can be suitably broken. Moreover, A / B is 67 or less, and the thickness of a die-bonding film is not too thin. Therefore, peeling between the semiconductor wafer and the die bond film can be prevented.

このように、前記構成によれば、Ｃ／Ａが０．４以上２０以下であり、Ｃ／Ｂが０．８以上６７以下であり、且つ、Ａ／Ｂが０．１以上６７以下であるため、基材を破断させることなく半導体ウエハとダイボンドフィルムとを好適に破断することができる。   Thus, according to the said structure, C / A is 0.4 or more and 20 or less, C / B is 0.8 or more and 67 or less, and A / B is 0.1 or more and 67 or less. Therefore, the semiconductor wafer and the die bond film can be suitably broken without breaking the substrate.

（ａ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図であり、（ｂ）は、その平面図である。(A) is a cross-sectional schematic diagram which shows the dicing die-bonding film which concerns on one Embodiment of this invention, (b) is the top view. 本発明の他の実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the dicing die-bonding film which concerns on other embodiment of this invention. （ａ）、（ｂ）は、他の実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。(A), (b) is a cross-sectional schematic diagram which shows the dicing die-bonding film which concerns on other embodiment. 本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating one manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating one manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment. （ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。(A), (b) is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating one manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating one manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment. 動摩擦係数の測定方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the measuring method of a dynamic friction coefficient. 動摩擦係数を測定する際の引張距離と摩擦力との関係を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the relationship between the tensile distance at the time of measuring a dynamic friction coefficient, and frictional force. 動摩擦係数を測定する際の垂直効力と動摩擦力との関係を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the relationship between the vertical effect at the time of measuring a dynamic friction coefficient, and dynamic friction force.

（ダイシング・ダイボンドフィルム）
本実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムについて以下に説明する。図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図であり、図１（ｂ）は、その平面図である。図２は、本発明の他の実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 (Dicing die bond film)
The dicing die-bonding film according to this embodiment will be described below. Fig.1 (a) is a cross-sectional schematic diagram which shows the dicing die-bonding film which concerns on one Embodiment of this invention, FIG.1 (b) is the top view. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a dicing die-bonding film according to another embodiment of the present invention.

ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、ダイシングフィルム１１上にダイボンドフィルム３が積層された構成を有する。ダイシングフィルム１１は基材１上に粘着剤層２を積層して構成されており、ダイボンドフィルム３はその粘着剤層２上に設けられている。ダイボンドフィルム３は、粘着剤層２の半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分２ａにのみ形成されている。なお、本発明においては、図２に示すダイシング・ダイボンドフィルム１２のように、ダイシングフィルム１１の表面全体にダイボンドフィルム３’を形成した構成であってもよい。   The dicing die bond film 10 has a configuration in which the die bond film 3 is laminated on the dicing film 11. The dicing film 11 is configured by laminating the pressure-sensitive adhesive layer 2 on the base material 1, and the die-bonding film 3 is provided on the pressure-sensitive adhesive layer 2. The die bond film 3 is formed only on the portion 2 a corresponding to the semiconductor wafer attaching portion of the pressure-sensitive adhesive layer 2. In the present invention, a configuration in which a die bond film 3 ′ is formed on the entire surface of the dicing film 11 as in the dicing die bond film 12 shown in FIG. 2 may be used.

図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、基材１は、外周部分に、ダイシングリング３１を貼り付ける部分に対応するリング貼付部１３を有するとともに、リング貼付部１３よりも内側に、半導体ウェハ４を貼り付ける部分に対応するウェハ貼付部１５を有している。また、リング貼付部１３とウェハ貼付部１５との間には、突き上げ治具３３の外周が接触する接触部１４を有している。   As shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), the base material 1 has a ring sticking portion 13 corresponding to a portion to which the dicing ring 31 is stuck on the outer peripheral portion, and is further inside than the ring sticking portion 13. In addition, a wafer attaching portion 15 corresponding to a portion to which the semiconductor wafer 4 is attached is provided. Moreover, between the ring sticking part 13 and the wafer sticking part 15, it has the contact part 14 with which the outer periphery of the pushing-up jig | tool 33 contacts.

ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、ダイボンドフィルム３に貼り付けられる半導体ウェハ４の厚みをＡ（μｍ）記ダイボンドフィルム３の厚みをＢ（μｍ）、基材１のウェハ貼付部１５における厚みをＣ（μｍ）としたとき、Ｃ／Ａが０．４以上であり、半導体ウェハ４の厚みに対して、基材１のウェハ貼付部１５における厚みは、一定以上である。従って、基材１に加えられた引張応力を、基材１を破断させることなく半導体ウエハ４に伝えることができる。その結果、好適に半導体ウエハ４を破断することができる。また、Ｃ／Ａが２０以下であり、基材１のウェハ貼付部１５における厚みが厚すぎることはない。従って、ピックアップの際に、突き上げ治具３３により基材１側から半導体チップ５（図６（ｂ）参照）を持ち上げることが容易となる。その結果、ピックアップが容易となる。また、ダイボンドフィルム３を破断するために基材１に加える力を一定以下とすることができる。前記Ｃ／Ａは、０．４以上２０以下であることが好ましく、１以上１５以下であることがより好ましい。   In the dicing die-bonding film 10, the thickness of the semiconductor wafer 4 to be affixed to the die-bonding film 3 is A (μm), the thickness of the die-bonding film 3 is B (μm), and the thickness of the substrate 1 at the wafer attaching portion 15 is C (μm). ), C / A is 0.4 or more, and the thickness of the wafer pasting portion 15 of the substrate 1 is equal to or greater than the thickness of the semiconductor wafer 4. Therefore, the tensile stress applied to the base material 1 can be transmitted to the semiconductor wafer 4 without breaking the base material 1. As a result, the semiconductor wafer 4 can be suitably broken. Moreover, C / A is 20 or less, and the thickness in the wafer sticking part 15 of the base material 1 is not too thick. Therefore, when picking up, it becomes easy to lift the semiconductor chip 5 (see FIG. 6B) from the base material 1 side by the push-up jig 33. As a result, pickup becomes easy. Moreover, the force applied to the base material 1 to break the die bond film 3 can be set to a certain value or less. The C / A is preferably 0.4 or more and 20 or less, and more preferably 1 or more and 15 or less.

また、ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、Ｃ／Ｂが０．８以上であり、ダイボンドフィルム３の厚みに対して、基材１のウェハ貼付部１５における厚みは、一定以上である。従って、基材１に加えられた引張応力を、基材１を破断させることなくダイボンドフィルム３に伝えることができる。その結果、好適に半導体ウエハ４を破断することができる。また、Ｃ／Ｂが６７以下であり、基材１のウェハ貼付部１５における厚みが厚すぎることはない。従って、ピックアップの際に、突き上げ治具３３により基材１側から半導体チップ５（図６（ｂ）参照）を持ち上げることが容易となる。その結果、ピックアップが容易となる。また、ダイボンドフィルム３を破断するために基材１に加える力を一定以下とすることができる。前記Ｃ／Ｂは、０．８以上６７以下であることが好ましく、２以上６０以下であることがより好ましい。   In addition, the dicing die bond film 10 has a C / B of 0.8 or more, and the thickness of the substrate 1 on the wafer attaching portion 15 is a certain value or more with respect to the thickness of the die bond film 3. Therefore, the tensile stress applied to the base material 1 can be transmitted to the die bond film 3 without breaking the base material 1. As a result, the semiconductor wafer 4 can be suitably broken. Moreover, C / B is 67 or less, and the thickness in the wafer sticking part 15 of the base material 1 is not too thick. Therefore, when picking up, it becomes easy to lift the semiconductor chip 5 (see FIG. 6B) from the base material 1 side by the push-up jig 33. As a result, pickup becomes easy. Moreover, the force applied to the base material 1 to break the die bond film 3 can be set to a certain value or less. The C / B is preferably 0.8 or more and 67 or less, and more preferably 2 or more and 60 or less.

ダイボンドフィルムは、一般的に厚みが厚いほど破断性が悪い。そこで、ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、Ａ／Ｂが０．１以上であり、半導体ウェハ４の厚みに対して、ダイボンドフィルム３の厚みは、一定以下である。従って、ダイボンドフィルム３を好適に破断することができる。また、Ａ／Ｂが６７以下であり、ダイボンドフィルム３の厚みが薄すぎることはない。従って、半導体ウエハ４とダイボンドフィルム３の間で剥離することを防止することができる。前記Ａ／Ｂは、０．１以上６７以下であることが好ましく、２以上６０以下であることがより好ましい。   In general, the die bond film has poorer breakability as the thickness is larger. Therefore, the dicing die-bonding film 10 has an A / B of 0.1 or more, and the thickness of the die-bonding film 3 with respect to the thickness of the semiconductor wafer 4 is not more than a certain value. Therefore, the die bond film 3 can be suitably broken. Moreover, A / B is 67 or less, and the thickness of the die-bonding film 3 is not too thin. Therefore, peeling between the semiconductor wafer 4 and the die bond film 3 can be prevented. The A / B is preferably 0.1 or more and 67 or less, and more preferably 2 or more and 60 or less.

このように、ダイシング・ダイボンドフィルム１０によれば、Ｃ／Ａが０．４以上２０以下であり、Ｃ／Ｂが０．８以上６７以下であり、且つ、Ａ／Ｂが０．１以上６７以下であるため、基材１を破断させることなく半導体ウエハ４とダイボンドフィルム３とを好適に破断することができる。   Thus, according to the dicing die-bonding film 10, C / A is 0.4 or more and 20 or less, C / B is 0.8 or more and 67 or less, and A / B is 0.1 or more and 67. Since it is the following, the semiconductor wafer 4 and the die-bonding film 3 can be suitably fractured without breaking the base material 1.

ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、前記Ａと前記Ｂと前記Ｃとの和が、９０以上５００未満であることが好ましい。前記Ａと前記Ｂと前記Ｃとの和を９０以上とすることにより、ダイシングフィルム１１の厚みをある程度厚くすることができ、半導体ウエハ４を破断する際に必要な引張応力を持たせることができる。一方、前記Ａと前記Ｂと前記Ｃとの和を５００未満とすることにより、ダイシングフィルム１１の厚みが厚くなりすぎないため、ピックアップの際のピックアップ性を維持することができる。すなわち、前記Ａと前記Ｂと前記Ｃとの和を９０以上５００未満とすることにより、半導体ウエハ４を破断する際に必要な引張応力をダイシングフィルム１１に持たせることができるとともに、ピックアップ性を維持することができる。前記Ａと前記Ｂと前記Ｃとの和は、９０以上５００未満であることがより好ましく、１００以上４００未満であることがさらに好ましい。   The dicing die-bonding film 10 preferably has a sum of A, B, and C of 90 or more and less than 500. By setting the sum of A, B, and C to 90 or more, the thickness of the dicing film 11 can be increased to some extent, and a tensile stress necessary for breaking the semiconductor wafer 4 can be provided. . On the other hand, when the sum of A, B, and C is less than 500, the thickness of the dicing film 11 does not become too thick, so that the pickup property at the time of pickup can be maintained. That is, by making the sum of A, B, and C 90 or more and less than 500, the dicing film 11 can have a tensile stress necessary for breaking the semiconductor wafer 4, and pickup properties can be increased. Can be maintained. The sum of A, B and C is more preferably 90 or more and less than 500, and further preferably 100 or more and less than 400.

基材１の接触部１４における２５℃の条件下での引張強度は、１５Ｎ以上８０Ｎ以下であることが好ましく、１８Ｎ以上７０Ｎ以下であることがより好ましく、２０Ｎ以上６０Ｎ以下であることがさらに好ましい。基材１の接触部１４における２５℃の条件下での引張強度が、１５Ｎ以上であると、引張張力を加えた際に、接触部１４で基材１（ダイシングフィルム１１）が破断したり塑性変形したりすることを防止でき、ダイボンドフィルム３と半導体ウェハ４とを正常に破断することができる。また、前記引張強度が８０Ｎ以下であると、引張張力を加える装置に過度の負荷を与えることなく、ダイボンドフィルム３と半導体ウェハ４とを破断することができる。   The tensile strength at 25 ° C. in the contact portion 14 of the substrate 1 is preferably 15N or more and 80N or less, more preferably 18N or more and 70N or less, and further preferably 20N or more and 60N or less. . When the tensile strength at 25 ° C. in the contact portion 14 of the substrate 1 is 15 N or more, the substrate 1 (dicing film 11) is broken or plasticized at the contact portion 14 when a tensile tension is applied. It is possible to prevent deformation and the die bond film 3 and the semiconductor wafer 4 can be normally broken. Moreover, the die bond film 3 and the semiconductor wafer 4 can be fractured | ruptured, without giving an excessive load to the apparatus which applies tensile tension as the said tensile strength is 80 N or less.

基材１の接触部１４における２５℃での降伏点伸度は、８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましく、１００％以上であることがさらに好ましい。また、基材１の接触部１４における２５℃での降伏点伸度は、大きいほど好ましいが、例えば、３３０％以下、３００％以下、２９０％以下、２６０％以下、２５０％以下等とすることができる。基材１の接触部１４における２５℃での降伏点伸度が８０％以上であると、基材１（ダイシングフィルム１１）の塑性変形を抑え、基材１（ダイシングフィルム１１）の破断を防止することができる。   The yield point elongation at 25 ° C. in the contact portion 14 of the substrate 1 is preferably 80% or more, more preferably 90% or more, and further preferably 100% or more. Moreover, although the yield point elongation at 25 degreeC in the contact part 14 of the base material 1 is so preferable that it is large, it shall be 330% or less, 300% or less, 290% or less, 260% or less, 250% or less etc., for example. Can do. When the yield point elongation at 25 ° C. in the contact portion 14 of the base material 1 is 80% or more, the plastic deformation of the base material 1 (dicing film 11) is suppressed, and the base material 1 (dicing film 11) is prevented from being broken. can do.

基材１のウェハ貼付部１５における２５℃での引張強度は、７０Ｎ以下であることが好ましく、5０Ｎ以下であることがより好ましく、４０Ｎ以下であることがさらに好ましい。ウェハ貼付部１５における２５℃での引張強度が７０Ｎ以下であると、引張張力を加えた際に、ウェハ貼付部１５において適度な拡張が起こり、ダイボンドフィルム３と半導体ウェハ４とを破断することができる。また、基材１のウェハ貼付部１５における２５℃での引張強度は、１０Ｎ以上であることが好ましく、１１Ｎ以上であることがより好ましく、１２Ｎ以上であることがさらに好ましい。基材１のウェハ貼付部１５における２５℃での引張強度が、１０Ｎ以上であると、引張応力をダイボンドフィルム３に良好に伝えることができる。   The tensile strength at 25 ° C. of the wafer pasting portion 15 of the substrate 1 is preferably 70 N or less, more preferably 50 N or less, and further preferably 40 N or less. When the tensile strength at 25 ° C. in the wafer pasting portion 15 is 70 N or less, when the tensile tension is applied, the wafer pasting portion 15 is appropriately expanded, and the die bond film 3 and the semiconductor wafer 4 may be broken. it can. In addition, the tensile strength at 25 ° C. of the wafer pasting portion 15 of the substrate 1 is preferably 10N or more, more preferably 11N or more, and further preferably 12N or more. When the tensile strength at 25 ° C. in the wafer pasting portion 15 of the substrate 1 is 10 N or more, the tensile stress can be transmitted to the die bond film 3 satisfactorily.

基材１のウェハ貼付部１５における２５℃での降伏点伸度は、３０％以上であることが好ましく、４０％以上であることがより好ましい。また、基材１のウェハ貼付部１５における２５℃での降伏点伸度は、大きいほど好ましいが、例えば、３３０％以下、３００％以下、２９０％以下、２６０％以下、２５０％以下等とすることができる。ウェハ貼付部１５の降伏点伸度が３０％以上であるため、引張張力を加えた際に、ウェハ貼付部１５において適度な拡張が起こり、ダイボンドフィルム３と半導体ウェハ４とを破断することができる。   The yield point elongation at 25 ° C. in the wafer pasting portion 15 of the substrate 1 is preferably 30% or more, and more preferably 40% or more. Moreover, although the yield point elongation at 25 degreeC in the wafer sticking part 15 of the base material 1 is so preferable that it is large, it is set as 330% or less, 300% or less, 290% or less, 260% or less, 250% or less etc., for example. be able to. Since the yield point elongation of the wafer sticking part 15 is 30% or more, when a tensile tension is applied, the wafer sticking part 15 is appropriately expanded, and the die bond film 3 and the semiconductor wafer 4 can be broken. .

ステルスダイシングにより半導体ウェハから半導体素子（例えば、半導体チップ）を得る際には、ダイシングフィルム１１に引張張力を加え、ダイシングフィルム１１を破断させない状態でダイボンドフィルム３と半導体ウェハ４とを破断させる必要がある。そのため、引張張力を加える際、突き上げ治具の接触する接触部１４の方が、突き上げ治具の接触しないウェハ貼付部１５よりも引張強度が少なくとも同じか強い必要がある。そこで、基材１においては、［（接触部１４の引張強度）−（ウェハ貼付部１５の引張強度）］が０Ｎ以上６０Ｎ以下であることが好ましく、０Ｎ以上５８Ｎ以下であることがより好ましく、０Ｎ以上５５Ｎ以下であることがさらに好ましい。   When a semiconductor element (for example, a semiconductor chip) is obtained from a semiconductor wafer by stealth dicing, it is necessary to apply tensile tension to the dicing film 11 and break the die bond film 3 and the semiconductor wafer 4 without breaking the dicing film 11. is there. For this reason, when applying the tensile tension, the contact portion 14 that comes into contact with the push-up jig needs to have at least the same or higher tensile strength than the wafer sticking portion 15 that does not come into contact with the push-up jig. Therefore, in the base material 1, [(tensile strength of the contact portion 14) − (tensile strength of the wafer pasting portion 15)] is preferably 0N or more and 60N or less, more preferably 0N or more and 58N or less, More preferably, it is 0N or more and 55N or less.

前記引張強度は、試料の幅２５ｍｍ、チャック間距離１００ｍｍ、引っ張り速度３００ｍｍ／ｍｉｎでの１０％延び時の強度である。また、前記降伏点伸度は、２５℃の条件下において、試料の幅１０ｍｍ、チャック間距離５０ｍｍ、引っ張り速度３００ｍｍ／ｍｉｎで測定した際に得られる応力−ひずみ曲線の降伏点における伸び率である。なお、本発明では、降伏点を有さないダイシングフィルムについては、破断伸度を降伏点伸度とする。降伏点を有するダイシングフィルムとは、２５℃の条件下で、試料の幅１０ｍｍ、チャック間距離５０ｍｍ、引っ張り速度３００ｍｍ／ｍｉｎで引張試験を行い、歪みをｘ軸、応力をｙ軸にしてプロットした場合に、傾きｄｙ／ｄｘが正の値から０又は負の値に変化するものをいう。   The tensile strength is the strength at 10% elongation when the sample width is 25 mm, the distance between chucks is 100 mm, and the pulling speed is 300 mm / min. The yield point elongation is the elongation at the yield point of the stress-strain curve obtained when measured at 25 ° C. with a sample width of 10 mm, a chuck-to-chuck distance of 50 mm, and a tensile speed of 300 mm / min. . In the present invention, for a dicing film having no yield point, the elongation at break is defined as the yield point elongation. With a dicing film having a yield point, a tensile test was performed with a sample width of 10 mm, a chuck-to-chuck distance of 50 mm, and a pulling speed of 300 mm / min. In this case, the slope dy / dx changes from a positive value to 0 or a negative value.

前記基材１は紫外線透過性を有するものが好ましく、ダイシング・ダイボンドフィルムの強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。   The substrate 1 is preferably one having ultraviolet transparency, and serves as a strength matrix of a dicing die bond film. For example, polyolefins such as low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolyprolene, polybutene, polymethylpentene, ethylene-acetic acid Vinyl copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, Polyester such as polyurethane, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyphenylsulfur De, aramid (paper), glass, glass cloth, fluorine resin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose resin, silicone resin, metal (foil), paper, and the like.

また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２とダイボンドフィルム３、３’との接着面積を低下させて、半導体チップ（半導体素子）の回収の容易化を図ることができる。   Moreover, as a material of the base material 1, polymers, such as the crosslinked body of the said resin, are mentioned. The plastic film may be used unstretched or may be uniaxially or biaxially stretched as necessary. According to the resin sheet to which heat shrinkability is imparted by stretching treatment or the like, the adhesive area between the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die bond films 3 and 3 ′ is reduced by thermally shrinking the base material 1 after dicing, so that the semiconductor chip The collection of the (semiconductor element) can be facilitated.

基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。前記基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材１には、帯電防止能を付与する為、前記の基材１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１は単層あるいは２種以上の複層でもよい。   The surface of the substrate 1 is chemically treated by conventional surface treatments such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high piezoelectric impact exposure, ionizing radiation treatment, etc. in order to improve adhesion and retention with adjacent layers. Alternatively, a physical treatment or a coating treatment with a primer (for example, an adhesive substance described later) can be performed. The base material 1 can be used by appropriately selecting the same kind or different kinds, and a blend of several kinds can be used as necessary. Further, in order to impart antistatic ability to the base material 1, a conductive material vapor deposition layer having a thickness of about 30 to 500 mm made of metal, alloy, oxides thereof, or the like is provided on the base material 1. be able to. The substrate 1 may be a single layer or two or more types.

基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。基材１が厚すぎるとピックアップ性が劣る場合がある。   The thickness of the substrate 1 is not particularly limited and can be appropriately determined, but is generally about 5 to 200 μm. If the substrate 1 is too thick, the pick-up property may be inferior.

ダイシングフィルム１１は、少なくとも接触部１４において、基材１と補強部材とが積層された構造を有してしてもよい。以下この場合について説明する。   The dicing film 11 may have a structure in which the base material 1 and the reinforcing member are laminated at least in the contact portion 14. This case will be described below.

図３（ａ）は、他の実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。
図３（ａ）に示すダイシング・ダイボンドフィルム２０においては、ダイシングフィルム１８は、基材１上に粘着剤層２が積層され、さらに、その上に補強部材１６ａが積層された構造を有している。補強部材１６ａは、ウェハ貼付部１５に対向しない範囲において、接着剤層２上に設けられ、接触部１４とリング貼付部１３との両方に含まれるように設けられている。なお、補強部材１６ａは、接触部１４のみにだけ含まれるように設けられていてもよい。補強部材１６ａが接着剤層２上に設けられる構成とする場合、図３（ａ）に示すように、補強部材１６ａ上にダイシングリングを貼り付けるための接着剤層１７ａを設けた構成とすることができる。 Fig.3 (a) is a cross-sectional schematic diagram which shows the dicing die-bonding film which concerns on other embodiment.
In the dicing die-bonding film 20 shown in FIG. 3 (a), the dicing film 18 has a structure in which the pressure-sensitive adhesive layer 2 is laminated on the substrate 1, and the reinforcing member 16a is further laminated thereon. Yes. The reinforcing member 16 a is provided on the adhesive layer 2 in a range not facing the wafer attaching part 15, and is provided so as to be included in both the contact part 14 and the ring attaching part 13. The reinforcing member 16a may be provided so as to be included only in the contact portion 14. When the reinforcing member 16a is provided on the adhesive layer 2, as shown in FIG. 3A, the adhesive layer 17a for attaching a dicing ring is provided on the reinforcing member 16a. Can do.

図３（ｂ）は、他の実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。
図３（ｂ）に示すダイシング・ダイボンドフィルム２１においては、ダイシングフィルム１９は、基材１上に粘着剤層２が積層され、基材１の裏面には、補強部材１６ｂが積層された構造を有している。補強部材１６ｂは、ウェハ貼付部１５に対向しない範囲において、基材１の裏面に設けられ、接触部１４とリング貼付部１３との両方に含まれるように設けられている。なお、補強部材１６ｂは、接触部１４のみにだけ含まれるように設けられていてもよい。補強部材１６ｂが基材１の裏面に設けられる構成とする場合、図３（ｂ）に示すように、補強部材１６ｂを基材１の裏面に貼り付けるための接着剤層１７ｂが設けられた構成とすることができる。 FIG.3 (b) is a cross-sectional schematic diagram which shows the dicing die-bonding film which concerns on other embodiment.
In the dicing die-bonding film 21 shown in FIG. 3B, the dicing film 19 has a structure in which the pressure-sensitive adhesive layer 2 is laminated on the substrate 1, and the reinforcing member 16b is laminated on the back surface of the substrate 1. Have. The reinforcing member 16 b is provided on the back surface of the substrate 1 in a range not facing the wafer pasting portion 15 and is provided so as to be included in both the contact portion 14 and the ring pasting portion 13. The reinforcing member 16b may be provided so as to be included only in the contact portion 14. When the reinforcing member 16b is configured to be provided on the back surface of the substrate 1, a configuration in which an adhesive layer 17b for attaching the reinforcing member 16b to the back surface of the substrate 1 is provided as shown in FIG. It can be.

補強部材１６（補強部材１６ａ、補強部材１６ｂ）の材質としては、基材１と同様のものを使用することができる。   As the material of the reinforcing member 16 (reinforcing member 16a, reinforcing member 16b), the same material as that of the substrate 1 can be used.

補強部材１６の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、５〜７０μｍが好ましく、８〜４０μｍがより好ましく、１０〜２０μｍがさらに好ましい。
また、補強部材１６の引張強度は、１５Ｎ以上８０Ｎ以下であることが好ましく、２０Ｎ以上６０Ｎ以下であることがより好ましく、２５Ｎ以上５０Ｎ以下であることがさらに好ましい。補強部材１６の引張強度は、ダイシングフィルム１１と同様の方法により測定することができる。 The thickness of the reinforcing member 16 is not particularly limited and can be appropriately determined, but is preferably 5 to 70 μm, more preferably 8 to 40 μm, and further preferably 10 to 20 μm.
Further, the tensile strength of the reinforcing member 16 is preferably 15N or more and 80N or less, more preferably 20N or more and 60N or less, and further preferably 25N or more and 50N or less. The tensile strength of the reinforcing member 16 can be measured by the same method as that for the dicing film 11.

接触部１４の動摩擦係数は、０〜０．０２であることが好ましく、０〜０．０１９であることがより好ましく、０〜０．０１８であることがさらに好ましい。接触部１４の動摩擦係数が、０．０２以下あると、引張張力を加える際の突き上げ治具３３との摩擦を低減させることができ、ダイボンドフィルム１１を正常に破断することができる。なお、図３（ａ）に示すように、基材１が突き上げ治具３３と接触する場合には、基材１の接触部１４における動摩擦係数が、上記数値範囲であることが好ましい。また、図３（ｂ）に示すように、補強部材１６ｂが突き上げ治具３３と接触する場合には、補強部材１６ｂの接触部１４における動摩擦係数が、上記数値範囲であることが好ましい。   The dynamic friction coefficient of the contact portion 14 is preferably 0 to 0.02, more preferably 0 to 0.019, and still more preferably 0 to 0.018. When the dynamic friction coefficient of the contact portion 14 is 0.02 or less, friction with the push-up jig 33 when applying tensile tension can be reduced, and the die bond film 11 can be normally broken. In addition, as shown to Fig.3 (a), when the base material 1 contacts the pushing-up jig | tool 33, it is preferable that the dynamic friction coefficient in the contact part 14 of the base material 1 is the said numerical range. As shown in FIG. 3B, when the reinforcing member 16b comes into contact with the push-up jig 33, the dynamic friction coefficient at the contact portion 14 of the reinforcing member 16b is preferably in the above numerical range.

接触部１４の表面粗さＲａは、０．０３μｍ以上１．５μｍ以下であることが好ましく、０．０５μｍ以上１．４μｍ以下であることがより好ましい。接触部１４の表面粗さＲａが０．０３μｍ以上であると、引張張力を加える際の突き上げ治具３３との摩擦をより好適に低減させることができ、ダイボンドフィルム１１を正常に破断することができる。前記表面粗さＲａは、エンボス処理によりコントロールすることができる。なお、図１（ｂ）、図３（ａ）に示すように、基材１が突き上げ治具３３と接触する場合には、基材１の接触部１４における表面粗さＲａが、上記数値範囲であることが好ましい。また、図３（ｂ）に示すように、補強部材１６ｂが突き上げ治具３３と接触する場合には、補強部材１６ｂの接触部１４における表面粗さＲａが、上記数値範囲であることが好ましい。   The surface roughness Ra of the contact portion 14 is preferably 0.03 μm or more and 1.5 μm or less, and more preferably 0.05 μm or more and 1.4 μm or less. When the surface roughness Ra of the contact portion 14 is 0.03 μm or more, it is possible to more suitably reduce the friction with the push-up jig 33 when applying tensile tension, and the die bond film 11 can be normally broken. it can. The surface roughness Ra can be controlled by embossing. As shown in FIGS. 1B and 3A, when the base material 1 comes into contact with the push-up jig 33, the surface roughness Ra at the contact portion 14 of the base material 1 is within the above numerical range. It is preferable that Further, as shown in FIG. 3B, when the reinforcing member 16b comes into contact with the push-up jig 33, the surface roughness Ra at the contact portion 14 of the reinforcing member 16b is preferably in the above numerical range.

接触部１４は、潤滑剤処理されていることが好ましい。潤滑剤としては、従来公知のものを採用でき、例えば、シリコーン系、フッ素系のものを挙げることができる。接触部１４が潤滑剤処理されていると、引張張力を加える際の突き上げ治具３３との摩擦をより好適に低減させることができ、ダイボンドフィルムを正常に破断することができる。   The contact portion 14 is preferably treated with a lubricant. A conventionally well-known thing can be employ | adopted as a lubricant, For example, a silicone type and a fluorine-type thing can be mentioned. When the contact portion 14 is treated with the lubricant, the friction with the push-up jig 33 when applying the tensile tension can be more suitably reduced, and the die bond film can be normally broken.

基材１は、接触部１４に相当する部分とウェハ貼付部１５に相当する部分とを異なる材料から構成することができる。これにより、接触部１４とウェハ貼付部１５との引張強度や、降伏点伸度に差を設けることができる。接触部１４に相当する部分とウェハ貼付部１５に相当する部分とが異なる材料から構成される基材１の製造方法としては例えば、ウェハ貼付部１５に相当する部分が切り抜かれた基材に、引張強度及び／又は降伏点伸度の異なる基材を嵌め込む方法が挙げられる。また、他の方法としては、基材１を製膜する際に接触部１４に相当する部分とウェハ貼付部１５とを予め塗り分ける方法が挙げられる。   In the base material 1, a portion corresponding to the contact portion 14 and a portion corresponding to the wafer pasting portion 15 can be made of different materials. Thereby, a difference can be provided in the tensile strength of the contact part 14 and the wafer sticking part 15, and a yield point elongation. As a manufacturing method of the base material 1 composed of a material in which a portion corresponding to the contact portion 14 and a portion corresponding to the wafer sticking portion 15 are different, for example, a base material from which a portion corresponding to the wafer sticking portion 15 is cut out, Examples include a method of fitting substrates having different tensile strength and / or yield point elongation. Further, as another method, there is a method in which a portion corresponding to the contact portion 14 and the wafer pasting portion 15 are applied in advance when the substrate 1 is formed into a film.

粘着剤層２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。   It does not restrict | limit especially as an adhesive used for formation of the adhesive layer 2, For example, common pressure sensitive adhesives, such as an acrylic adhesive and a rubber adhesive, can be used. The pressure-sensitive adhesive is an acrylic pressure-sensitive adhesive based on an acrylic polymer from the standpoint of cleanability with an organic solvent such as ultrapure water or alcohol for electronic components that are difficult to contaminate semiconductor wafers and glass. Is preferred.

前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。   Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (for example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, Isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester , Octadecyl esters, eicosyl esters, etc., alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, especially 4 to 18 carbon linear or branched alkyl esters, etc.) and Meth) acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., cyclopentyl ester, acrylic polymers such as one or more was used as a monomer component of the cyclohexyl ester etc.). In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) of the present invention has the same meaning.

前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。   The acrylic polymer contains units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying cohesive force, heat resistance and the like. You may go out. Examples of such monomer components include, for example, carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; maleic anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; Styrene Contains sulfonic acid groups such as phonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Monomers; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; acrylamide, acrylonitrile and the like. One or more of these copolymerizable monomer components can be used. The amount of these copolymerizable monomers used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.

更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。   Furthermore, since the acrylic polymer is crosslinked, a polyfunctional monomer or the like can be included as a monomer component for copolymerization, if necessary. Examples of such polyfunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, urethane (meth) An acrylate etc. are mentioned. These polyfunctional monomers can also be used alone or in combination of two or more. The amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by weight or less of the total monomer components from the viewpoint of adhesive properties and the like.

前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。   The acrylic polymer can be obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. The polymerization can be performed by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like. From the viewpoint of preventing contamination of a clean adherend, the content of the low molecular weight substance is preferably small. From this point, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, more preferably about 400,000 to 3,000,000.

また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。   In addition, an external cross-linking agent can be appropriately employed for the pressure-sensitive adhesive in order to increase the number average molecular weight of an acrylic polymer as a base polymer. Specific examples of the external crosslinking method include a method of adding a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, a melamine crosslinking agent, and reacting them. When using an external cross-linking agent, the amount used is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be cross-linked and further depending on the intended use as an adhesive. Generally, it is preferable to add about 5 parts by weight or less, and further 0.1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer. Furthermore, you may use additives, such as conventionally well-known various tackifier and anti-aging agent, other than the said component as needed to an adhesive.

前記粘着剤層２は紫外線硬化型粘着剤により形成することができる。紫外線硬化型粘着剤は、紫外線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図１に示す粘着剤層２の半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分２ａのみを紫外線照射することにより他の部分２ｂとの粘着力の差を設けることができる。   The pressure-sensitive adhesive layer 2 can be formed of an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive. The UV curable pressure-sensitive adhesive can easily reduce its adhesive strength by increasing the degree of crosslinking by irradiation with ultraviolet light, and only the portion 2a corresponding to the semiconductor wafer attachment portion of the pressure-sensitive adhesive layer 2 shown in FIG. By irradiating with ultraviolet rays, a difference in adhesive strength with the other portion 2b can be provided.

また、図１に示すダイボンドフィルム３に合わせて紫外線硬化型の粘着剤層２を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分２ａにダイボンドフィルム３が貼付けられる為、粘着剤層２の前記部分２ａとダイボンドフィルム３との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、紫外線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分２ｂを形成する。   Further, by curing the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer 2 in accordance with the die bond film 3 shown in FIG. 1, the portion 2 a with significantly reduced adhesive strength can be easily formed. Since the die bond film 3 is affixed to the portion 2a that has been cured and has reduced adhesive strength, the interface between the portion 2a of the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die bond film 3 has a property of being easily peeled off during pickup. On the other hand, the portion not irradiated with ultraviolet rays has a sufficient adhesive force, and forms the portion 2b.

図２に示すダイシング・ダイボンドフィルム１２では、未硬化の紫外線硬化型粘着剤により形成されている前記部分２ｂはダイボンドフィルム３’と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に紫外線硬化型粘着剤は、半導体チップを基板等の被着体にダイボンドする為のダイボンドフィルム３’を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図１に示すダイシング・ダイボンドフィルム１０の粘着剤層２に於いては、前記部分２ｂがウェハリングを固定することができる。   In the dicing die-bonding film 12 shown in FIG. 2, the portion 2b formed of an uncured ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive adheres to the die-bonding film 3 'and can secure a holding force when dicing. Thus, the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive can support the die-bonding film 3 ′ for die-bonding a semiconductor chip to an adherend such as a substrate with a good balance of adhesion and peeling. In the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing die-bonding film 10 shown in FIG. 1, the portion 2b can fix the wafer ring.

前記紫外線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の紫外線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の紫外線硬化型粘着剤を例示できる。   As the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive, those having an ultraviolet curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used without particular limitation. Examples of the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive include an additive-type ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive in which an ultraviolet curable monomer component or an oligomer component is blended with a general pressure-sensitive adhesive such as an acrylic pressure-sensitive adhesive or a rubber-based pressure-sensitive adhesive. Can be illustrated.

前記感圧性接着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。   As the pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive having an acrylic polymer as a base polymer from the viewpoint of cleanability with an organic solvent such as ultrapure water or alcohol of an electronic component that is difficult to contaminate a semiconductor wafer or glass Is preferred.

前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。   Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (for example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, Isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester , Octadecyl esters, eicosyl esters, etc., alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, especially 4 to 18 carbon linear or branched alkyl esters, etc.) and Meth) acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., cyclopentyl ester, acrylic polymers such as one or more was used as a monomer component of the cyclohexyl ester etc.). In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) of the present invention has the same meaning.

前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。   The acrylic polymer contains units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying cohesive force, heat resistance and the like. You may go out. Examples of such monomer components include, for example, carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; maleic anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; Styrene Contains sulfonic acid groups such as phonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Monomers; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; acrylamide, acrylonitrile and the like. One or more of these copolymerizable monomer components can be used. The amount of these copolymerizable monomers used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.

更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。   Furthermore, since the acrylic polymer is crosslinked, a polyfunctional monomer or the like can be included as a monomer component for copolymerization, if necessary. Examples of such polyfunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, urethane (meth) An acrylate etc. are mentioned. These polyfunctional monomers can also be used alone or in combination of two or more. The amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by weight or less of the total monomer components from the viewpoint of adhesive properties and the like.

前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。   The acrylic polymer can be obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. The polymerization can be performed by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like. From the viewpoint of preventing contamination of a clean adherend, the content of the low molecular weight substance is preferably small. From this point, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, more preferably about 400,000 to 3,000,000.

また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部以下が好ましい。また、下限値としては０．１重量部以上であることが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。   In addition, an external cross-linking agent can be appropriately employed for the pressure-sensitive adhesive in order to increase the number average molecular weight of an acrylic polymer as a base polymer. Specific examples of the external crosslinking method include a method of adding a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, a melamine crosslinking agent, and reacting them. When using an external cross-linking agent, the amount used is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be cross-linked and further depending on the intended use as an adhesive. Generally, 5 parts by weight or less is preferable with respect to 100 parts by weight of the base polymer. Moreover, it is preferable that it is 0.1 weight part or more as a lower limit. Furthermore, additives such as various tackifiers and anti-aging agents may be used for the adhesive, if necessary, in addition to the above components.

配合する前記紫外線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また紫外線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは７０〜１５０重量部程度である。   Examples of the ultraviolet curable monomer component to be blended include urethane oligomer, urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethanetetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, and penta. Examples include erythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, and the like. Examples of the ultraviolet curable oligomer component include urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene oligomers, and those having a molecular weight in the range of about 100 to 30000 are suitable. The blending amount of the ultraviolet curable monomer component and oligomer component can be appropriately determined in accordance with the type of the pressure-sensitive adhesive layer, and the amount capable of reducing the pressure-sensitive adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer. Generally, the amount is, for example, about 5 to 500 parts by weight, preferably about 70 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

また、紫外線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の紫外線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の紫外線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の紫外線硬化型粘着剤は、低分子量成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。   In addition to the additive-type UV-curable pressure-sensitive adhesive described above, the UV-curable pressure-sensitive adhesive has a carbon-carbon double bond in the polymer side chain, main chain, or main chain terminal as a base polymer. Intrinsic ultraviolet curable pressure sensitive adhesives using Intrinsic UV curable pressure-sensitive adhesive does not need to contain an oligomer component or the like, which is a low molecular weight component, or does not contain much, so that the oligomer component or the like does not move through the pressure-sensitive adhesive over time and is stable. It is preferable because an adhesive layer having a layer structure can be formed.

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。   As the base polymer having a carbon-carbon double bond, those having a carbon-carbon double bond and having adhesiveness can be used without particular limitation. As such a base polymer, those having an acrylic polymer as a basic skeleton are preferable. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.

前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の紫外線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。   The method for introducing the carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be adopted. However, the carbon-carbon double bond can be easily introduced into the polymer side chain for easy molecular design. . For example, after a monomer having a functional group is previously copolymerized with an acrylic polymer, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is converted into an ultraviolet curable carbon-carbon double bond. A method of performing condensation or addition reaction while maintaining the above.

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。   Examples of combinations of these functional groups include carboxylic acid groups and epoxy groups, carboxylic acid groups and aziridyl groups, hydroxyl groups and isocyanate groups, and the like. Among these combinations of functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferable because of easy tracking of the reaction. Moreover, the functional group may be on either side of the acrylic polymer and the compound as long as the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond is generated by a combination of these functional groups. In the preferable combination, it is preferable that the acrylic polymer has a hydroxyl group and the compound has an isocyanate group. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, and the like. Further, as the acrylic polymer, those obtained by copolymerizing the above-exemplified hydroxy group-containing monomers, ether compounds of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, or the like are used.

前記内在型の紫外線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。紫外線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。   As the intrinsic ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive, the base polymer (particularly acrylic polymer) having the carbon-carbon double bond can be used alone, but the ultraviolet curable monomer does not deteriorate the characteristics. Components and oligomer components can also be blended. The UV-curable oligomer component or the like is usually in the range of 30 parts by weight, preferably in the range of 0 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer.

前記紫外線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。   The ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when cured by ultraviolet rays or the like. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α′-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropio Α-ketol compounds such as phenone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- ( Acetophenone compounds such as methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane-1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether and anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyldimethyl ketal; 2-naphthalenesulfonyl Black Aromatic sulfonyl chloride compounds such as 1; photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3′-dimethyl Benzophenone compounds such as -4-methoxybenzophenone; thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2 Thioxanthone compounds such as 1,4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated ketone; acyl phosphinoxide; acyl phosphonate. The compounding quantity of a photoinitiator is about 0.05-20 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, such as an acryl-type polymer which comprises an adhesive.

また紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。   Examples of the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive include photopolymerizable compounds such as addition polymerizable compounds having two or more unsaturated bonds and alkoxysilanes having an epoxy group disclosed in JP-A-60-196956. And a rubber-based pressure-sensitive adhesive and an acrylic pressure-sensitive adhesive containing a photopolymerization initiator such as a carbonyl compound, an organic sulfur compound, a peroxide, an amine, and an onium salt-based compound.

前記粘着剤層２に前記部分２ａを形成する方法としては、基材１に紫外線硬化型の粘着剤層２を形成した後、前記部分２ａに部分的に紫外線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な紫外線照射は、半導体ウェハ貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。紫外線硬化型の粘着剤層２の形成は、セパレータ上に設けたものを基材１上に転写することにより行うことができる。部分的な紫外線硬化はセパレータ上に設けた紫外線硬化型の粘着剤層２に行うこともできる。   Examples of the method for forming the portion 2a on the pressure-sensitive adhesive layer 2 include a method in which after the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed on the substrate 1, the portion 2a is partially irradiated with ultraviolet rays to be cured. . The partial ultraviolet irradiation can be performed through a photomask on which a pattern corresponding to the portion 3b other than the semiconductor wafer bonding portion 3a is formed. Moreover, the method etc. of irradiating and hardening | curing an ultraviolet-ray spotly are mentioned. The ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer 2 can be formed by transferring what is provided on the separator onto the substrate 1. Partial UV curing can also be performed on the UV curable pressure-sensitive adhesive layer 2 provided on the separator.

ダイシング・ダイボンドフィルム１２の粘着剤層２に於いては、（前記部分２ａの粘着力）＜（その他の部分２ｂの粘着力）、となるように粘着剤層２の一部を紫外線照射してもよい。即ち、基材１の少なくとも片面の、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに紫外線硬化型の粘着剤層２を形成した後に紫外線照射して、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作製することができる。これにより、効率よくダイシング・ダイボンドフィルム１２を製造可能である。   In the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing die-bonding film 12, a part of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is irradiated with ultraviolet rays so that (the adhesive strength of the portion 2a) <(the adhesive strength of the other portion 2b). Also good. That is, after forming the ultraviolet-curing pressure-sensitive adhesive layer 2 on the substrate 1, at least one side of the substrate 1 is shielded from all or part of the portion other than the portion corresponding to the semiconductor wafer pasting portion 3 a. By irradiating with ultraviolet rays, the portion corresponding to the semiconductor wafer pasting portion 3a can be cured to form the portion 2a with reduced adhesive strength. As the light shielding material, a material that can be a photomask on a support film can be produced by printing or vapor deposition. Thereby, the dicing die-bonding film 12 can be manufactured efficiently.

粘着剤層２の厚さは特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点から、１〜５０μｍ程度が好ましく、より好ましくは２〜３０μｍ、更に好ましくは５〜２５μｍである。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 50 μm, more preferably 2 to 30 μm, and still more preferably, from the viewpoint of chipping prevention of the chip cut surface and compatibility of fixing and holding of the adhesive layer. 5 to 25 μm.

粘着剤層２の−１０℃〜３０℃における引張貯蔵弾性率は、１×１０４〜１×１０１０Ｐａであることが好ましい。粘着剤層２の前記引張貯蔵弾性率が前記数値範囲内であると、ウェハ破断する際にチッピングの発生を防止することができるとともに、ダイボンドフィルム付の半導体チップをピックアップする際のチップ飛びやズレの発生を防止することができる。 The tensile storage modulus of the pressure-sensitive adhesive layer 2 at −10 ° C. to 30 ° C. is preferably 1 × 10 4 to 1 × 10 10 Pa. When the tensile storage modulus of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is within the above numerical range, chipping can be prevented when the wafer breaks, and chip skipping and misalignment when picking up a semiconductor chip with a die bond film can be prevented. Can be prevented.

ダイボンドフィルム３、３’は、熱硬化前における２５℃での破断伸び率が４０％より大きく５００％以下であることが好ましい。熱硬化前における２５℃での破断伸び率が４０％より大きいと、ステルスダイシングにより半導体ウェハ４から半導体チップ５を得る際に、ダイシング・ダイボンドフィルム１２に引張張力を加えると、ダイボンドフィルム３、３’と半導体ウェハ４とを同時に破断することが可能となり、ダイボンドフィルム３、３’と半導体ウェハ４とを分割予定ライン４Ｌにて確実に破断することができる。前記破断伸び率は、８０％より大きく４５０％以下であることがより好ましい。なお、ダイボンドフィルム３、３’が長尺の場合、前記破断伸び率は、流れ方向（ＭＤ）又は幅方向（ＴＤ）の少なくとも一方向において、上記数値範囲を満たせばよい。   The die bond films 3 and 3 ′ preferably have a breaking elongation at 25 ° C. of more than 40% and 500% or less before thermosetting. If the elongation at break at 25 ° C. before thermosetting is greater than 40%, when a tensile tension is applied to the dicing die bond film 12 when the semiconductor chip 5 is obtained from the semiconductor wafer 4 by stealth dicing, the die bond films 3, 3 'And the semiconductor wafer 4 can be broken at the same time, and the die-bonding films 3 and 3' and the semiconductor wafer 4 can be surely broken along the planned dividing line 4L. The elongation at break is more preferably greater than 80% and 450% or less. When the die bond films 3 and 3 ′ are long, the elongation at break may satisfy the above numerical range in at least one direction of the flow direction (MD) or the width direction (TD).

ダイシングフィルム１１の粘着剤層２とダイボンドフィルム３との剥離強度（２３℃、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／分）は、０．０２Ｎ／２０ｍｍ〜０．２Ｎ／２０ｍｍの範囲が好ましく、０．０３Ｎ／２０ｍｍ〜０．１５Ｎ／２０ｍｍの範囲がより好ましく、０．０４Ｎ／２０ｍｍ〜０．１Ｎ／２０ｍｍの範囲がさらに好ましい。前記剥離強度を０．０２Ｎ／２０ｍｍ以上にすることにより、引張張力を加えた際に、ダイボンドフィルム３がダイシングフィルム１１から剥離してしまうことを防止することができる。その一方、前記剥離強度を０．２Ｎ／２０ｍｍ以下にすることにより、半導体素子をピックアップする際に、当該半導体素子の剥離が困難になったり、糊残りが発生するのを防止することができる。   The peel strength (23 ° C., peel angle 180 °, peel speed 300 mm / min) between the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die bond film 3 of the dicing film 11 is preferably in the range of 0.02 N / 20 mm to 0.2 N / 20 mm. The range of 0.03 N / 20 mm to 0.15 N / 20 mm is more preferable, and the range of 0.04 N / 20 mm to 0.1 N / 20 mm is more preferable. By making the peel strength 0.02 N / 20 mm or more, it is possible to prevent the die bond film 3 from being peeled from the dicing film 11 when a tensile tension is applied. On the other hand, by setting the peel strength to 0.2 N / 20 mm or less, when picking up a semiconductor element, it is possible to prevent the semiconductor element from becoming difficult to peel or from causing adhesive residue.

一方、ダイボンドフィルム３と半導体ウェハとの剥離強度（２３℃、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／分）は、０．０２Ｎ／２０ｍｍ〜０．５Ｎ／２０ｍｍの範囲が好ましく、０．０３Ｎ／２０ｍｍ〜０．３Ｎ／２０ｍｍの範囲がより好ましく、０．０４Ｎ／２０ｍｍ〜０．２Ｎ／２０ｍｍの範囲がさらに好ましい。   On the other hand, the peel strength (23 ° C., peel angle 180 °, peel speed 300 mm / min) between the die bond film 3 and the semiconductor wafer is preferably in the range of 0.02 N / 20 mm to 0.5 N / 20 mm, and 0.03 N / 20 mm. The range of -0.3N / 20mm is more preferable, and the range of 0.04N / 20mm-0.2N / 20mm is more preferable.

また、ダイボンドフィルム３、３’は、−２０℃〜３０℃での引張貯蔵弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下であることが好ましく、０．２ＧＰａ以上９．５ＧＰａであることがより好ましく、０．５ＧＰａ以上９ＧＰａであることがさらに好ましい。−２０℃〜３０℃での引張貯蔵弾性率を０．１ＧＰａ以上とすることにより、拡張させた際のダイボンドフィルム３、３’の破断性が向上する。また、前記引張貯蔵弾性率を１０ＧＰａ以下とすることにより、半導体ウェハへのダイボンドフィルム３、３’のラミネート性が向上する。   The die bond films 3 and 3 ′ preferably have a tensile storage modulus at −20 ° C. to 30 ° C. of 0.1 GPa or more and 10 GPa or less, more preferably 0.2 GPa or more and 9.5 GPa. More preferably, it is 5 GPa or more and 9 GPa. When the tensile storage modulus at −20 ° C. to 30 ° C. is 0.1 GPa or more, the breakability of the die bond films 3 and 3 ′ when expanded is improved. Further, by setting the tensile storage modulus to 10 GPa or less, the laminating property of the die bond films 3, 3 'to the semiconductor wafer is improved.

ダイボンドフィルムの積層構造は特に限定されず、例えば、ダイボンドフィルム３、３’（図１〜図３参照）のように接着剤層の単層のみからなるものや、コア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造のもの等が挙げられる。前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。ダイボンドフィルムが多層構造のものである場合、多層構造のダイボンドフィルム全体として、前記破断伸び率、前記引貯蔵弾性率、及び、前記損失弾性率等が前記数値範囲内であればよい。   The laminated structure of the die bond film is not particularly limited. For example, the die bond film 3 or 3 ′ (see FIGS. 1 to 3) is composed of only a single layer of the adhesive layer, or is bonded to one or both sides of the core material. The thing of the multilayer structure which formed the agent layer is mentioned. Examples of the core material include a film (for example, a polyimide film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, and a polycarbonate film), a resin substrate reinforced with glass fibers or plastic non-woven fibers, a silicon substrate, a glass substrate, or the like. Is mentioned. When the die bond film has a multilayer structure, the elongation at break, the tensile storage elastic modulus, the loss elastic modulus, and the like may be within the numerical range as the entire die bond film having a multilayer structure.

前記ダイボンドフィルム３、３’を構成する接着剤組成物としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用したものが挙げられる。   Examples of the adhesive composition constituting the die bond films 3 and 3 ′ include a combination of a thermoplastic resin and a thermosetting resin.

前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。   Examples of the thermosetting resin include phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, epoxy resin, polyurethane resin, silicone resin, and thermosetting polyimide resin. These resins can be used alone or in combination of two or more. In particular, an epoxy resin containing a small amount of ionic impurities or the like that corrode semiconductor elements is preferable. Moreover, as a hardening | curing agent of an epoxy resin, a phenol resin is preferable.

前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。   The epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition. For example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type. Biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolak type, orthocresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, etc., bifunctional epoxy resin or polyfunctional epoxy resin, or hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate Type or glycidylamine type epoxy resin is used. These can be used alone or in combination of two or more. Of these epoxy resins, novolac type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type resins or tetraphenylolethane type epoxy resins are particularly preferred. This is because these epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and are excellent in heat resistance and the like.

更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。   Further, the phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin. Examples include resol-type phenolic resins and polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene. These can be used alone or in combination of two or more. Of these phenol resins, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are particularly preferred. This is because the connection reliability of the semiconductor device can be improved.

前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。   The mixing ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably such that, for example, the hydroxyl group in the phenol resin is 0.5 to 2.0 equivalents per 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin component. . More preferred is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, if the blending ratio of both is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the cured epoxy resin are likely to deteriorate.

前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。   Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, heat Examples thereof include plastic polyimide resins, polyamide resins such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resins, acrylic resins, saturated polyester resins such as PET and PBT, polyamideimide resins, and fluorine resins. These thermoplastic resins can be used alone or in combination of two or more. Of these thermoplastic resins, an acrylic resin that has few ionic impurities and high heat resistance and can ensure the reliability of the semiconductor element is particularly preferable.

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。   The acrylic resin is not particularly limited, and includes one or two or more esters of acrylic acid or methacrylic acid having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms. Examples thereof include a polymer (acrylic copolymer) as a component. Examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, t-butyl, isobutyl, amyl, isoamyl, hexyl, heptyl, cyclohexyl, 2- Examples include an ethylhexyl group, an octyl group, an isooctyl group, a nonyl group, an isononyl group, a decyl group, an isodecyl group, an undecyl group, a lauryl group, a tridecyl group, a tetradecyl group, a stearyl group, an octadecyl group, and a dodecyl group.

上記アクリル樹脂のなかでも、凝集力向上の理由で、アクリル共重合体が特に好ましい。上記アクリル共重合体としては、例えば、アクリル酸エチルとメチルメタクリレートとの共重合体、アクリル酸とアクリロニトリルとの共重合体、アクリル酸ブチルとアクリロニトリルとの共重合体を挙げることができる。   Among the acrylic resins, an acrylic copolymer is particularly preferable for the reason of improving cohesion. Examples of the acrylic copolymer include a copolymer of ethyl acrylate and methyl methacrylate, a copolymer of acrylic acid and acrylonitrile, and a copolymer of butyl acrylate and acrylonitrile.

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。   In addition, the other monomer forming the polymer is not particularly limited, and examples thereof include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid. Carboxyl group-containing monomers such as acid anhydride monomers such as maleic anhydride or itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4- (meth) acrylic acid 4- Hydroxybutyl, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4-hydroxymethylcyclohexyl) -Methyla Hydroxyl group-containing monomers such as relate, styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate or (meth) Examples thereof include sulfonic acid group-containing monomers such as acryloyloxynaphthalene sulfonic acid, and phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate.

前記熱硬化性樹脂の配合割合としては、所定条件下で加熱した際にダイボンドフィルム３、３’が熱硬化型としての機能を発揮する程度であれば特に限定されないが、５〜６０重量％の範囲内であることが好ましく、１０〜５０重量％の範囲内であることがより好ましい。   The mixing ratio of the thermosetting resin is not particularly limited as long as the die-bonding films 3 and 3 ′ exhibit a function as a thermosetting type when heated under predetermined conditions. It is preferably within the range, and more preferably within the range of 10 to 50% by weight.

前記ダイボンドフィルム３、３’は、熱硬化前のガラス転移温度（Ｔｇ）が２５〜６０℃であることが好ましく、２５〜５５℃であることがより好ましく、２５〜５０℃であることがさらに好ましい。熱硬化前のガラス転移温度を２５〜６０℃とすることにより、良好にウェハをラミネートすることが可能となる。なお、ガラス転移温度は、動的粘弾性測定装置を用いて、−３０〜２８０℃での損失正接（ｔａｎδ）を周波数１０Ｈｚ、昇温速度５℃／分の条件下にて測定し、その際のｔａｎδのピーク値により得られる値である。
ダイボンドフィルム３、３’の熱硬化前のガラス転移温度を２５〜６０℃とするには、例えば、前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂との少なくとも一方に、融点が５０℃以上の樹脂を１種類以上含ませることにより達成できる。融点が５０℃以上のエポキシ樹脂としては、ＡＥＲ−８０３９（旭化成エポキシ製、融点７８℃）、ＢＲＥＮ−１０５（日本化薬製、融点６４℃）、ＢＲＥＮ−Ｓ（日本化薬製、融点８３℃）、ＣＥＲ−３０００Ｌ（日本化薬製、融点９０℃）、ＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学製、融点８０℃）、ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ（日本化薬製、融点６０℃）、ＥＳＮ−１６５Ｍ（新日鉄化学製、融点７６℃）、ＥＳＮ−１７５Ｌ（新日鉄化学製、融点９０℃）、ＥＳＮ−１７５Ｓ（新日鉄化学製、融点６７℃）、ＥＳＮ−３５５（新日鉄化学製、融点５５℃）、ＥＳＮ−３７５（新日鉄化学製、融点７５℃）、ＥＳＰＤ−２９５（住友化学製、融点６９℃）、ＥＸＡ−７３３５（大日本インキ製、融点９９℃）、ＥＸＡ−７３３７（大日本インキ製、融点７０℃）、ＨＰ−７２００Ｈ（大日本インキ製、融点８２℃）、ＴＥＰＩＣ−ＳＳ（日産化学製、融点１０８℃）、ＹＤＣ−１３１２（東都化成製、融点１４１℃）、ＹＤＣ−１５００（東都化成製、融点１０１℃）、ＹＬ−６１２１ＨＮ（ＪＥＲ製、融点１３０℃）、ＹＳＬＶ−１２０ＴＥ（東都化成製、融点１１３℃）、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（東都化成製、融点８０℃）、ＹＸ−４０００Ｈ（ＪＥＲ製、融点１０５℃）、ＹＸ−４０００Ｋ（ＪＥＲ製、融点１０７℃）、ＺＸ−６５０（東都化成製、融点８５℃）、エピコート１００１（ＪＥＲ製、融点６４℃）、エピコート１００２（ＪＥＲ製、融点７８℃）、エピコート１００３（ＪＥＲ製、融点８９℃）、エピコート１００４（ＪＥＲ製、融点９７℃）、エピコート１００６ＦＳ（ＪＥＲ製、融点１１２℃）を挙げることができる。なかでも、ＡＥＲ−８０３９（旭化成エポキシ製、融点７８℃）、ＢＲＥＮ−１０５（日本化薬製、融点６４℃）、ＢＲＥＮ−Ｓ（日本化薬製、融点８３℃）、ＣＥＲ−３０００Ｌ（日本化薬製、融点９０℃）、ＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学製、融点８０℃）、ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ（日本化薬製、融点６０℃）、ＥＳＮ−１６５Ｍ（新日鉄化学製、融点７６℃）、ＥＳＮ−１７５Ｌ（新日鉄化学製、融点９０℃）、ＥＳＮ−１７５Ｓ（新日鉄化学製、融点６７℃）、ＥＳＮ−３５５（新日鉄化学製、融点５５℃）、ＥＳＮ−３７５（新日鉄化学製、融点７５℃）、ＥＳＰＤ−２９５（住友化学製、融点６９℃）、ＥＸＡ−７３３５（大日本インキ製、融点９９℃）、ＥＸＡ−７３３７（大日本インキ製、融点７０℃）、ＨＰ−７２００Ｈ（大日本インキ製、融点８２℃）、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（東都化成製、融点８０℃）、ＺＸ−６５０（東都化成製、融点８５℃）、エピコート１００１（ＪＥＲ製、融点６４℃）、エピコート１００２（ＪＥＲ製、融点７８℃）、エピコート１００３（ＪＥＲ製、融点８９℃）、エピコート１００４（ＪＥＲ製、融点９７℃）が好ましい。これらのエポキシ樹脂は、融点が高すぎない（１００℃未満である）ため、ダイボンドフィルムに使用した際のウェハラミネート性が良好である。
融点が５０℃以上のフェノール樹脂としては、ＤＬ−６５（明和化成製、融点６５℃）、ＤＬ−９２（明和化成製、融点９２℃）、ＤＰＰ−Ｌ（日本石油製、融点１００℃）、ＧＳ−１８０（群栄化学製、融点８３℃）、ＧＳ−２００（群栄化学製、融点１００℃）、Ｈ−１（明和化成製、融点７９℃）、Ｈ−４（明和化成製、融点７１℃）、ＨＥ−１００Ｃ−１５（住友ケミカル製、融点７３℃）、ＨＥ−５１０−０５（住友ケミカル製、融点７５℃）、ＨＦ−１（明和化成製、融点８４℃）、ＨＦ−３（明和化成製、融点９６℃）、ＭＥＨ−７５００（明和化成製、融点１１１℃）、ＭＥＨ−７５００−３Ｓ（明和化成製、融点８３℃）、ＭＥＨ−７８００−３Ｌ（明和化成製、融点７２℃）、ＭＥＨ−７８５１（明和化成製、融点７８℃）、ＭＥＨ−７８５１−３Ｈ（明和化成製、融点１０５℃）、ＭＥＨ−７８５１−４Ｈ（明和化成製、融点１３０℃）、ＭＥＨ−７８５１Ｓ（明和化成製、融点７３℃）、Ｐ−１０００（荒川化学製、融点６３℃）、Ｐ−１８０（荒川化学製、融点８３℃）、Ｐ−２００（荒川化学製、融点１００℃）、ＶＲ−８２１０（三井化学製、融点６０℃）、ＸＬＣ−３Ｌ（三井化学製、融点７０℃）、ＸＬＣ−４Ｌ（三井化学製、融点６２℃）、ＸＬＣ−ＬＬ（三井化学製、融点７５℃）、を挙げることができる。なかでも、ＤＬ−６５（明和化成製、融点６５℃）、ＤＬ−９２（明和化成製、融点９２℃）、ＧＳ−１８０（群栄化学製、融点８３℃）、Ｈ−１（明和化成製、融点７９℃）、Ｈ−４（明和化成製、融点７１℃）、ＨＥ−１００Ｃ−１５（住友ケミカル製、融点７３℃）、ＨＥ−５１０−０５（住友ケミカル製、融点７５℃）、ＨＦ−１（明和化成製、融点８４℃）、ＨＦ−３（明和化成製、融点９６℃）、ＭＥＨ−７５００−３Ｓ（明和化成製、融点８３℃）、ＭＥＨ−７８００−３Ｌ（明和化成製、融点７２℃）、ＭＥＨ−７８５１（明和化成製、融点７８℃）、ＭＥＨ−７８５１Ｓ（明和化成製、融点７３℃）、Ｐ−１０００（荒川化学製、融点６３℃）、Ｐ−１８０（荒川化学製、融点８３℃）、ＶＲ−８２１０（三井化学製、融点６０℃）、ＸＬＣ−３Ｌ（三井化学製、融点７０℃）、ＸＬＣ−４Ｌ（三井化学製、融点６２℃）、ＸＬＣ−ＬＬ（三井化学製、融点７５℃）、が好ましい。これらのフェノール樹脂は、融点が高すぎない（１００℃未満である）ため、ダイボンドフィルムに使用した際のウェハラミネート性が良好である。 The die bond films 3 and 3 ′ preferably have a glass transition temperature (Tg) before thermosetting of 25 to 60 ° C., more preferably 25 to 55 ° C., and further 25 to 50 ° C. preferable. By setting the glass transition temperature before thermosetting to 25 to 60 ° C., it becomes possible to laminate the wafer satisfactorily. The glass transition temperature was measured by measuring the loss tangent (tan δ) at −30 to 280 ° C. using a dynamic viscoelasticity measuring device under conditions of a frequency of 10 Hz and a heating rate of 5 ° C./min. This is a value obtained from the peak value of tan δ.
In order to set the glass transition temperature before thermosetting of the die bond films 3 and 3 ′ to 25 to 60 ° C., for example, at least one of the epoxy resin and the phenol resin has one or more types of resins having a melting point of 50 ° C. or more. This can be achieved by inclusion. As epoxy resins having a melting point of 50 ° C. or higher, AER-8039 (Asahi Kasei Epoxy, melting point 78 ° C.), BREN-105 (Nippon Kayaku, melting point 64 ° C.), BREN-S (Nippon Kayaku, melting point 83 ° C.) ), CER-3000L (manufactured by Nippon Kayaku, melting point 90 ° C.), EHPE-3150 (manufactured by Daicel Chemical, melting point 80 ° C.), EPPN-501HY (manufactured by Nippon Kayaku, melting point 60 ° C.), ESN-165M (manufactured by Nippon Steel Chemical) , Melting point 76 ° C), ESN-175L (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., melting point 90 ° C), ESN-175S (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., melting point 67 ° C), ESN-355 (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., melting point 55 ° C), ESN-375 (Nippon Steel) Chemical, melting point 75 ° C), ESPD-295 (Sumitomo Chemical, melting point 69 ° C), EXA-7335 (Dainippon Ink, melting point 99 ° C), EXA-7337 (Dainippon Ink) , Melting point 70 ° C), HP-7200H (Dainippon Ink, melting point 82 ° C), TEPIC-SS (Nissan Chemical, melting point 108 ° C), YDC-1312 (manufactured by Tohto Kasei, melting point 141 ° C), YDC-1500 ( Toto Kasei, melting point 101 ° C), YL-6121HN (manufactured by JER, melting point 130 ° C), YSLV-120TE (manufactured by Toto Kasei, melting point 113 ° C), YSLV-80XY (manufactured by Toto Kasei, melting point 80 ° C), YX-4000H (Manufactured by JER, melting point 105 ° C.), YX-4000K (manufactured by JER, melting point 107 ° C.), ZX-650 (manufactured by Tohto Kasei, melting point 85 ° C.), epicoat 1001 (manufactured by JER, melting point 64 ° C.), epicoat 1002 (manufactured by JER) , Melting point 78 ° C.), Epicoat 1003 (manufactured by JER, melting point 89 ° C.), Epicoat 1004 (manufactured by JER, melting point 97 ° C.), Epicoat 100 FS (JER Co., Ltd., melting point 112 ° C.) can be mentioned. Among them, AER-8039 (Asahi Kasei Epoxy, melting point 78 ° C), BREN-105 (Nippon Kayaku, melting point 64 ° C), BREN-S (Nippon Kayaku, melting point 83 ° C), CER-3000L (Nippon Kasei). Medicinal product, melting point 90 ° C), EHPE-3150 (manufactured by Daicel Chemical, melting point 80 ° C), EPPN-501HY (manufactured by Nippon Kayaku, melting point 60 ° C), ESN-165M (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., melting point 76 ° C), ESN- 175L (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., melting point 90 ° C.), ESN-175S (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., melting point 67 ° C.), ESN-355 (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., melting point 55 ° C.), ESN-375 (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., melting point 75 ° C.) ESPD-295 (Sumitomo Chemical, melting point 69 ° C.), EXA-7335 (Dainippon Ink, melting point 99 ° C.), EXA-7337 (Dainippon Ink, melting point 70 ° C.), HP-720 H (Dainippon Ink, melting point 82 ° C.), YSLV-80XY (Toto Kasei, melting point 80 ° C.), ZX-650 (Toto Kasei, melting point 85 ° C.), Epicoat 1001 (JER, melting point 64 ° C.), Epicoat 1002 (manufactured by JER, melting point 78 ° C.), Epicoat 1003 (manufactured by JER, melting point 89 ° C.), and Epicoat 1004 (manufactured by JER, melting point 97 ° C.) are preferable. Since these epoxy resins have a melting point that is not too high (less than 100 ° C.), the wafer laminating properties when used for a die bond film are good.
As a phenol resin having a melting point of 50 ° C. or more, DL-65 (Maywa Kasei, melting point 65 ° C.), DL-92 (Maywa Kasei, melting point 92 ° C.), DPP-L (Nippon Petroleum, melting point 100 ° C.), GS-180 (manufactured by Gunei Chemical Co., melting point 83 ° C), GS-200 (manufactured by Gunei Chemical Co., melting point 100 ° C), H-1 (manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., melting point 79 ° C), H-4 (manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., melting point) 71 ° C), HE-100C-15 (manufactured by Sumitomo Chemical, melting point 73 ° C), HE-510-05 (manufactured by Sumitomo Chemical, melting point 75 ° C), HF-1 (manufactured by Meiwa Kasei, melting point 84 ° C), HF-3 (Maywa Kasei, melting point 96 ° C), MEH-7500 (Maywa Kasei, melting point 111 ° C), MEH-7500-3S (Maywa Kasei, melting point 83 ° C), MEH-7800-3L (Maywa Kasei, melting point 72) ° C), MEH-7851 (Maywa Kasei, melting point 78) ), MEH-7851-3H (Maywa Kasei, melting point 105 ° C.), MEH-7851-4H (Maywa Kasei, melting point 130 ° C.), MEH-7851S (Maywa Kasei, melting point 73 ° C.), P-1000 (Arakawa) Chemical, melting point 63 ° C), P-180 (Arakawa Chemical, melting point 83 ° C), P-200 (Arakawa Chemical, melting point 100 ° C), VR-8210 (Mitsui Chemicals, melting point 60 ° C), XLC-3L (Mitsui Chemicals, melting point 70 ° C.), XLC-4L (Mitsui Chemicals, melting point 62 ° C.), XLC-LL (Mitsui Chemicals, melting point 75 ° C.). Among them, DL-65 (Maywa Kasei, melting point 65 ° C), DL-92 (Maywa Kasei, melting point 92 ° C), GS-180 (Gunei Chemical, melting point 83 ° C), H-1 (Maywa Kasei) , Melting point 79 ° C.), H-4 (Maywa Kasei, melting point 71 ° C.), HE-100C-15 (Sumitomo Chemical, melting point 73 ° C.), HE-510-05 (Sumitomo Chemical, melting point 75 ° C.), HF -1 (Maywa Kasei, melting point 84 ° C), HF-3 (Maywa Kasei, melting point 96 ° C), MEH-7500-3S (Maywa Kasei, melting point 83 ° C), MEH-7800-3L (Maywa Kasei, Melting point 72 ° C.), MEH-7851 (Maywa Kasei, melting point 78 ° C.), MEH-7851S (Maywa Kasei, melting point 73 ° C.), P-1000 (Arakawa Chemical, melting point 63 ° C.), P-180 (Arakawa Chemical) Manufactured, melting point 83 ° C.), VR-8210 (Mitsui Chemicals, melting 60 ℃), XLC-3L (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., melting point 70 ℃), XLC-4L (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., melting point 62 ℃), XLC-LL (from Mitsui Chemicals, melting point 75 ° C.), are preferred. Since these phenol resins have a melting point that is not too high (less than 100 ° C.), the wafer laminating properties when used for a die bond film are good.

前記ダイボンドフィルム３、３’のなかでも、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及び、アクリル樹脂を含有し、前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂との合計重量をＸとし、前記アクリル樹脂の重量をＹとしたとき、Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）が０．３以上０．９未満であることが好ましく、０．３５以上０．８５未満であることがより好ましく、０．４以上０．８未満であることがさらに好ましい。エポキシ樹脂及びフェノール樹脂は、含有量が多くなるにつれて破断され易くなる一方、半導体ウェハ４への接着性が低下する。また、アクリル樹脂は、含有量が多くなるにつれて貼り合わせの際やハンドリングの際にダイボンドフィルム３、３’が割れ難くなり作業性が良好となる一方、破断され難くなる。そこで、Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）を０．３以上とすることにより、ステルスダイシングにより半導体ウェハ４から半導体素子５を得る際に、ダイボンドフィルム３、３’と半導体ウェハ４とを同時に破断することがより容易となる。また、Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）を０．９未満とすることより、作業性を良好とすることができる。   Among the die-bonding films 3, 3 ′, when an epoxy resin, a phenol resin, and an acrylic resin are contained, the total weight of the epoxy resin and the phenol resin is X, and the weight of the acrylic resin is Y X / (X + Y) is preferably 0.3 or more and less than 0.9, more preferably 0.35 or more and less than 0.85, and further preferably 0.4 or more and less than 0.8. . While the epoxy resin and the phenol resin are easily broken as the content increases, the adhesion to the semiconductor wafer 4 decreases. In addition, as the content of the acrylic resin increases, the die-bonding films 3 and 3 ′ are less likely to be broken during bonding and handling, and the workability is improved. Therefore, by setting X / (X + Y) to 0.3 or more, when the semiconductor element 5 is obtained from the semiconductor wafer 4 by stealth dicing, the die bond films 3, 3 ′ and the semiconductor wafer 4 may be broken at the same time. It becomes easy. Moreover, workability | operativity can be made favorable by making X / (X + Y) less than 0.9.

本発明のダイボンドフィルム３、３’を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことができる。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。   When the die-bonding films 3, 3 ′ of the present invention are previously crosslinked to some extent, a polyfunctional compound that reacts with a functional group at the molecular chain end of the polymer is added as a crosslinking agent in the production. Can do. Thereby, the adhesive property under high temperature can be improved and heat resistance can be improved.

前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。   A conventionally well-known thing can be employ | adopted as said crosslinking agent. In particular, polyisocyanate compounds such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, adducts of polyhydric alcohol and diisocyanate are more preferable. The addition amount of the crosslinking agent is usually preferably 0.05 to 7 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer. When the amount of the cross-linking agent is more than 7 parts by weight, the adhesive force is lowered, which is not preferable. On the other hand, if it is less than 0.05 parts by weight, the cohesive force is insufficient, which is not preferable. Moreover, you may make it include other polyfunctional compounds, such as an epoxy resin, together with such a polyisocyanate compound as needed.

また、ダイボンドフィルム３、３’には、その用途に応じてフィラーを適宜配合することができる。フィラーの配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記フィラーとしては、無機フィラー、及び、有機フィラーが挙げられるが、取り扱い性の向上、熱電導性の向上、溶融粘度の調整、チキソトロピック性付与等の特性の観点から、無機フィラーが好ましい。前記無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウィスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。熱電導性の向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカが好ましい。また、上記各特性のバランスがよいという観点からは、結晶質シリカ、又は、非晶質シリカが好ましい。また、導電性の付与、熱電導性の向上等の目的で、無機フィラーとして、導電性物質（導電フィラー）を用いることとしてもよい。導電フィラーとしては、銀、アルミニウム、金、胴、ニッケル、導電性合金等を球状、針状、フレーク状とした金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。   Moreover, a filler can be suitably mix | blended with die-bonding film 3, 3 'according to the use. The blending of the filler enables imparting conductivity, improving thermal conductivity, adjusting the elastic modulus, and the like. Examples of the filler include inorganic fillers and organic fillers, and inorganic fillers are preferable from the viewpoints of characteristics such as improvement in handleability, improvement in thermal conductivity, adjustment of melt viscosity, and imparting thixotropic properties. The inorganic filler is not particularly limited, and examples thereof include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, and aluminum borate whisker. , Boron nitride, crystalline silica, amorphous silica and the like. These can be used alone or in combination of two or more. From the viewpoint of improving thermal conductivity, aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, and amorphous silica are preferable. Further, from the viewpoint that the above properties are well balanced, crystalline silica or amorphous silica is preferable. In addition, a conductive substance (conductive filler) may be used as the inorganic filler for the purpose of imparting conductivity and improving thermal conductivity. Examples of the conductive filler include metal powder in which silver, aluminum, gold, cylinder, nickel, conductive alloy and the like are made into a spherical shape, needle shape and flake shape, metal oxide such as alumina, amorphous carbon black, graphite and the like.

前記フィラーの平均粒径は、０．００５〜１０μｍであることが好ましく、０．００５〜１μｍであることがより好ましい。前記フィラーの平均粒径を０．００５μｍ以上とすることにより、被着体への濡れ性、及び、接着性を良好とすることができるからである。また、１０μｍ以下とすることにより、上記各特性の付与のために加えたフィラーの効果を十分なものとすることができるとともに、耐熱性を確保することができる。なお、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。   The average particle size of the filler is preferably 0.005 to 10 μm, and more preferably 0.005 to 1 μm. This is because when the average particle size of the filler is 0.005 μm or more, the wettability to the adherend and the adhesiveness can be improved. Moreover, by setting it as 10 micrometers or less, while being able to make the effect of the filler added for provision of said each characteristic sufficient, heat resistance can be ensured. In addition, the average particle diameter of a filler is the value calculated | required, for example with the photometric type particle size distribution analyzer (The product made from HORIBA, apparatus name; LA-910).

前記接着剤層は、前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂と前記アクリル樹脂との合計重量をＡとし、前記フィラーの重量をＢとしたとき、Ｂ／（Ａ＋Ｂ）が０．１以上０．７以下であることが好ましく、０．１以上０．６５以下であることがより好ましく、０．１以上０．６以下であることがさらに好ましい。上記値を０．７以下とすることにより、引張貯蔵弾性率が高くなるのを防止することができ、被着体への濡れ性、及び、接着性を良好とすることができる。また、上記値を０．１以上とすることにより、ダイボンドフィルムを引張張力により好適に破断することができる。   In the adhesive layer, when the total weight of the epoxy resin, the phenol resin, and the acrylic resin is A and the weight of the filler is B, B / (A + B) is 0.1 or more and 0.7 or less. Preferably, it is 0.1 to 0.65, more preferably 0.1 to 0.6. By setting the above value to 0.7 or less, it is possible to prevent the tensile storage elastic modulus from increasing, and to improve the wettability and adhesion to the adherend. Moreover, a die-bonding film can be suitably fractured | ruptured by tensile tension by making the said value into 0.1 or more.

尚、ダイボンドフィルム３、３’には、前記フィラー以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。   In addition to the said filler, other additives can be suitably mix | blended with the die-bonding films 3 and 3 'as needed. Examples of other additives include flame retardants, silane coupling agents, ion trapping agents, and the like. Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, brominated epoxy resin, and the like. These can be used alone or in combination of two or more. Examples of the silane coupling agent include β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and the like. These compounds can be used alone or in combination of two or more. Examples of the ion trapping agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. These can be used alone or in combination of two or more.

ダイボンドフィルム３、３’の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、例えば、１〜２００μｍの範囲から選択することができ、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜８０μｍである。   Although the thickness (in the case of a laminated body) of die-bonding films 3 and 3 'is not specifically limited, For example, it can select from the range of 1-200 micrometers, Preferably it is 5-100 micrometers, More preferably, it is 10- 80 μm.

前記ダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２のダイボンドフィルム３、３’は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルム３、３’を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、粘着剤層２にダイボンドフィルム３、３’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンドフィルム３、３’上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。   The die bond films 3, 3 'of the dicing die bond films 10, 12 are preferably protected by a separator (not shown). The separator has a function as a protective material for protecting the die bond films 3 and 3 ′ until they are put into practical use. Further, the separator can be used as a support base material when transferring the die bond films 3 and 3 ′ to the pressure-sensitive adhesive layer 2. The separator is peeled off when a workpiece is stuck on the die bond film 3, 3 'of the dicing die bond film. As the separator, a plastic film or paper surface-coated with a release agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine release agent, or a long-chain alkyl acrylate release agent can be used.

（ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法）
本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。 (Manufacturing method of dicing die bond film)
The dicing die bond films 10 and 12 according to the present embodiment are produced as follows, for example.
First, the base material 1 can be formed by a conventionally known film forming method. Examples of the film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a co-extrusion method, and a dry lamination method.

次に、基材１上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層２を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層２を形成してもよい。その後、基材１上に粘着剤層２をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングフィルム１１が作製される。   Next, after a pressure-sensitive adhesive composition solution is applied onto the substrate 1 to form a coating film, the coating film is dried under predetermined conditions (heat-crosslinked as necessary), and the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed. Form. It does not specifically limit as a coating method, For example, roll coating, screen coating, gravure coating, etc. are mentioned. As drying conditions, for example, the drying temperature is 80 to 150 ° C. and the drying time is 0.5 to 5 minutes. Moreover, after apply | coating an adhesive composition on a separator and forming a coating film, the coating film may be dried on the said drying conditions, and the adhesive layer 2 may be formed. Then, the adhesive layer 2 is bonded together with the separator on the base material 1. Thereby, the dicing film 11 is produced.

ダイボンドフィルム３、３’は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、ダイボンドフィルム３、３’の形成材料である接着剤組成物溶液を作製する。当該接着剤組成物溶液には、前述の通り、前記接着剤組成物やフィラー、その他各種の添加剤等が配合されている。 The die bond films 3 and 3 ′ are produced, for example, as follows.
First, an adhesive composition solution which is a material for forming the die bond films 3 and 3 ′ is prepared. As described above, the adhesive composition solution contains the adhesive composition, filler, and other various additives.

次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、接着剤層を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて接着剤層を形成してもよい。その後、基材セパレータ上に接着剤層をセパレータと共に貼り合わせる。   Next, the adhesive composition solution is applied onto the base separator so as to have a predetermined thickness to form a coating film, and then the coating film is dried under predetermined conditions to form an adhesive layer. It does not specifically limit as a coating method, For example, roll coating, screen coating, gravure coating, etc. are mentioned. As drying conditions, for example, the drying temperature is 70 to 160 ° C. and the drying time is 1 to 5 minutes. Moreover, after apply | coating an adhesive composition solution on a separator and forming a coating film, you may dry an application film on the said drying conditions, and may form an adhesive bond layer. Then, an adhesive bond layer is bonded together with a separator on a base material separator.

続いて、ダイシングフィルム１１及び接着剤層からそれぞれセパレータを剥離し、接着剤層と粘着剤層とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。次に、接着剤層上の基材セパレータを剥離し、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムが得られる。   Subsequently, the separator is peeled off from each of the dicing film 11 and the adhesive layer, and the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer are bonded to each other so as to be a bonding surface. Bonding can be performed by, for example, pressure bonding. At this time, the lamination temperature is not particularly limited, and is preferably 30 to 50 ° C., for example, and more preferably 35 to 45 ° C. Moreover, a linear pressure is not specifically limited, For example, 0.1-20 kgf / cm is preferable and 1-10 kgf / cm is more preferable. Next, the base material separator on the adhesive layer is peeled off, and the dicing die-bonding film according to the present embodiment is obtained.

（半導体装置の製造方法）
次に、図４〜図７を参照しながらダイシング・ダイボンドフィルム１０を用いた半導体装置の製造方法について説明する。図４〜図７は、本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。まず、半導体ウェハ４の分割予定ライン４Ｌにレーザー光を照射して分割予定ライン４Ｌ上に改質領域を形成する。本方法は、半導体ウェハの内部に集光点を合わせ、格子状の分割予定ラインに沿ってレーザー光を照射し、多光子吸収によるアブレーションにより半導体ウェハの内部に改質領域を形成する方法である。レーザー光照射条件としては、以下の条件の範囲内で適宜調整すればよい。
＜レーザー光照射条件＞
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０−８ｃｍ２
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ以下
パルス幅 １μｓ以下
出力 １ｍＪ以下
レーザー光品質 ＴＥＭ００
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 １００倍以下
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 １００％以下
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 ２８０ｍｍ／秒以下
なお、レーザー光を照射して分割予定ライン４Ｌ上に改質領域を形成する方法については、特許第３４０８８０５号公報や、特開２００３−３３８５６７号公報に詳述されているので、ここでの詳細な説明は省略することとする。 (Method for manufacturing semiconductor device)
Next, a method for manufacturing a semiconductor device using the dicing die bond film 10 will be described with reference to FIGS. 4 to 7 are schematic cross-sectional views for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to this embodiment. First, the modified region is formed on the division line 4L by irradiating the division line 4L of the semiconductor wafer 4 with laser light. This method is a method of aligning a condensing point inside a semiconductor wafer, irradiating a laser beam along a grid-like division planned line, and forming a modified region inside the semiconductor wafer by ablation by multiphoton absorption. . What is necessary is just to adjust suitably within the range of the following conditions as laser beam irradiation conditions.
<Laser irradiation conditions>
(A) Laser light
Laser light source Semiconductor laser pumped Nd: YAG laser
Wavelength 1064nm
Laser light spot cross-sectional area 3.14 × 10 −8 cm 2
Oscillation form Q switch pulse
Repeat frequency 100 kHz or less
Pulse width 1μs or less
Output 1mJ or less
Laser light quality TEM00
Polarization characteristics Linearly polarized (B) condensing lens
Magnification 100 times or less
NA 0.55
Transmittance with respect to laser beam wavelength: 100% or less (C) Moving speed of placing table on which semiconductor substrate is placed 280 mm / sec or less Note that a method of forming a modified region on the planned division line 4L by irradiating laser beam Is described in detail in Japanese Patent No. 3408805 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-338567, and detailed description thereof will be omitted here.

次に、図５に示すように、ダイボンドフィルム３上に、改質領域形成後の半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（マウント工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されないが、４０〜８０℃の範囲内であることが好ましい。半導体ウェハ４の反りを効果的に防止することができるとともに、ダイシング・ダイボンドフィルム１０の伸縮の影響を低減することができるからである。   Next, as shown in FIG. 5, the semiconductor wafer 4 after the formation of the modified region is pressure-bonded onto the die bond film 3, and this is adhered and held and fixed (mounting step). This step is performed while pressing with a pressing means such as a pressure roll. The attaching temperature at the time of mounting is not particularly limited, but is preferably in the range of 40 to 80 ° C. This is because warping of the semiconductor wafer 4 can be effectively prevented and the influence of expansion and contraction of the dicing die bond film 10 can be reduced.

次に、ダイシング・ダイボンドフィルム１０（ダイシングフィルム１１）に引張張力を加えることによって、半導体ウェハ４とダイボンドフィルム３とを分割予定ライン４Ｌにて破断し、半導体チップ５を形成する（チップ形成工程）。本工程には、例えば、市販のウェハ拡張装置を用いることができる。具体的には、図１（ａ）、図６（ａ）に示すように、半導体ウェハ４が貼り合わせられたダイシング・ダイボンドフィルム１０のリング貼付部１３に対応する部分にダイシングリング３１を貼り付けた後、ウェハ拡張装置３２に固定する。次に、図６（ｂ）に示すように、突き上げ治具３３を上昇させて、ダイシングフィルム１１に張力をかける。   Next, by applying tensile tension to the dicing die bond film 10 (dicing film 11), the semiconductor wafer 4 and the die bond film 3 are broken at the division line 4L to form the semiconductor chip 5 (chip forming step). . In this step, for example, a commercially available wafer expansion device can be used. Specifically, as shown in FIGS. 1A and 6A, a dicing ring 31 is attached to a portion corresponding to the ring attaching portion 13 of the dicing die bond film 10 to which the semiconductor wafer 4 is bonded. After that, it is fixed to the wafer expansion device 32. Next, as shown in FIG. 6B, the push-up jig 33 is raised to apply tension to the dicing film 11.

このチップ形成工程は、−５０℃〜１０℃の条件下において実行することができ、−２０℃〜３０℃であることがより好ましく、−１０℃〜２５℃であることがさらに好ましい。   This chip forming step can be performed under conditions of −50 ° C. to 10 ° C., more preferably −20 ° C. to 30 ° C., and further preferably −10 ° C. to 25 ° C.

また、チップ形成工程において、エキスパンド速度（突き上げ部が上昇する速度）は１００〜４００ｍｍ／秒であることが好ましく、１００〜３５０ｍｍ／秒であることがより好ましく、１００〜３００ｍｍ／秒であることがさらに好ましい。エキスパンド速度を１００ｍｍ／秒以上とすることにより、半導体ウェハ４とダイボンドフィルム３とを略同時に容易に破断することができる。また、エキスパンド速度を４００ｍｍ／秒以下とすることより、ダイシングフィルム１１が破断することを防止することができる。   Further, in the chip forming step, the expanding speed (speed at which the push-up part rises) is preferably 100 to 400 mm / second, more preferably 100 to 350 mm / second, and 100 to 300 mm / second. Further preferred. By setting the expanding speed to 100 mm / second or more, the semiconductor wafer 4 and the die bond film 3 can be easily broken at substantially the same time. Moreover, it can prevent that the dicing film 11 fractures | ruptures by setting an expanding speed to 400 mm / second or less.

また、チップ形成工程において、エキスパンド量は、６〜１２％であることが好ましい。前記エキスパンド量は、前記数値範囲内において、形成されるチップサイズに応じて適宜調整すればよい。なお、本発明において、エキスパンド量とは、エキスパンド前のダイシングフィルムの表面積を１００％としてエキスパンドにより増加した表面積の値（％）である。エキスパンド量を６％以上とすることにより、半導体ウェハ４、及び、ダイボンドフィルム３の破断を容易とすることができる。また、エキスパンド量を１２％以下とすることより、ダイシングフィルム１１が破断することを防止することができる。   In the chip formation step, the amount of expand is preferably 6 to 12%. The amount of expansion may be adjusted as appropriate according to the chip size to be formed within the numerical range. In addition, in this invention, the amount of expand is the value (%) of the surface area increased by the expand by making the surface area of the dicing film before expansion into 100%. By making the expand amount 6% or more, the semiconductor wafer 4 and the die bond film 3 can be easily broken. Moreover, it can prevent that the dicing film 11 fractures | ruptures by making expand amount into 12% or less.

このように、ダイシング・ダイボンドフィルム１０に引張張力を加えることにより、半導体ウェハ４の改質領域を起点として半導体ウェハ４の厚さ方向に割れを発生させるとともに、半導体ウェハ４と密着するダイボンドフィルム３を破断させることができ、ダイボンドフィルム３付きの半導体チップ５を得ることができる。   In this way, by applying tensile tension to the dicing die bond film 10, cracks are generated in the thickness direction of the semiconductor wafer 4 starting from the modified region of the semiconductor wafer 4, and the die bond film 3 is in close contact with the semiconductor wafer 4. The semiconductor chip 5 with the die bond film 3 can be obtained.

次に、ダイシング・ダイボンドフィルム１０に接着固定された半導体チップ５を剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う（ピックアップ工程）。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシング・ダイボンドフィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。   Next, the semiconductor chip 5 is picked up in order to peel off the semiconductor chip 5 adhered and fixed to the dicing die bond film 10 (pickup process). The pickup method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed. For example, a method of pushing up the individual semiconductor chips 5 from the dicing die bond film 10 side with a needle and picking up the pushed-up semiconductor chips 5 with a pickup device may be mentioned.

ここでピックアップは、粘着剤層２が紫外線硬化型である場合、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２のダイボンドフィルム３に対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。   Here, when the pressure-sensitive adhesive layer 2 is an ultraviolet curable type, the pickup is performed after the pressure-sensitive adhesive layer 2 is irradiated with ultraviolet rays. Thereby, the adhesive force with respect to the die-bonding film 3 of the adhesive layer 2 falls, and peeling of the semiconductor chip 5 becomes easy. As a result, the pickup can be performed without damaging the semiconductor chip 5. Conditions such as irradiation intensity and irradiation time at the time of ultraviolet irradiation are not particularly limited, and may be set as necessary. Moreover, the above-mentioned thing can be used as a light source used for ultraviolet irradiation.

次に、図７に示すように、ピックアップした半導体チップ５を、ダイボンドフィルム３を介して被着体６にダイボンドする（仮固着工程）。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。   Next, as shown in FIG. 7, the picked-up semiconductor chip 5 is die-bonded to the adherend 6 through the die-bonding film 3 (temporary fixing step). Examples of the adherend 6 include a lead frame, a TAB film, a substrate, and a separately manufactured semiconductor chip. The adherend 6 may be, for example, a deformable adherend that can be easily deformed or a non-deformable adherend (such as a semiconductor wafer) that is difficult to deform.

前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子を接着固定し、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。   A conventionally well-known thing can be used as said board | substrate. As the lead frame, a metal lead frame such as a Cu lead frame or a 42 Alloy lead frame, or an organic substrate made of glass epoxy, BT (bismaleimide-triazine), polyimide, or the like can be used. However, the present invention is not limited to this, and includes a circuit board that can be used by bonding and fixing a semiconductor element and electrically connecting the semiconductor element.

ダイボンドフィルム３の仮固着時における２５℃での剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、ワイヤーボンディング工程の際に、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることが少ない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことが少なく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。また、ダイボンドフィルム３’の仮固着時における１７５℃での剪断接着力は、被着体６に対して０．０１ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．０１〜５ＭＰａである。   The shear adhesive strength at 25 ° C. at the time of temporary fixing of the die bond film 3 is preferably 0.2 MPa or more, more preferably 0.2 to 10 MPa with respect to the adherend 6. When the shear bond strength of the die bond film 3 is at least 0.2 MPa or more, the die bond film 3 and the semiconductor chip 5 or the adherend 6 are bonded by ultrasonic vibration or heating in the wire bonding process. Less shear deformation occurs on the adhesive surface. That is, the semiconductor element is less likely to move due to ultrasonic vibration during wire bonding, thereby preventing the success rate of wire bonding from decreasing. Moreover, it is preferable that the shear adhesive force at 175 degreeC at the time of temporary adhering of die-bonding film 3 'is 0.01 Mpa or more with respect to the to-be-adhered body 6, More preferably, it is 0.01-5 Mpa.

次に、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディングを行う（ワイヤーボンディング工程）。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、ダイボンドフィルム３の熱硬化を行うことなく実行することができる。また、本工程の過程でダイボンドフィルム３により半導体チップ５と被着体６とが固着することはない。   Next, wire bonding is performed in which the tip of the terminal portion (inner lead) of the adherend 6 and an electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 5 are electrically connected by the bonding wire 7 (wire bonding step). As the bonding wire 7, for example, a gold wire, an aluminum wire, a copper wire or the like is used. The temperature at the time of wire bonding is 80 to 250 ° C, preferably 80 to 220 ° C. The heating time is several seconds to several minutes. The connection is performed by a combination of vibration energy by ultrasonic waves and crimping energy by applying pressure while being heated so as to be within the temperature range. This step can be performed without thermosetting the die bond film 3. Further, the semiconductor chip 5 and the adherend 6 are not fixed by the die bond film 3 in the process of this step.

次に、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する（封止工程）。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５と被着体６とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンドフィルム３による固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。   Next, the semiconductor chip 5 is sealed with the sealing resin 8 (sealing step). This step is performed to protect the semiconductor chip 5 and the bonding wire 7 mounted on the adherend 6. This step is performed by molding a sealing resin with a mold. As the sealing resin 8, for example, an epoxy resin is used. Although the heating temperature at the time of resin sealing is normally performed at 175 degreeC for 60 to 90 second, this invention is not limited to this, For example, it can cure at 165 to 185 degreeC for several minutes. Thereby, the sealing resin is cured, and the semiconductor chip 5 and the adherend 6 are fixed through the die bond film 3. That is, in the present invention, even when the post-curing step described later is not performed, the die bonding film 3 can be fixed in this step, and the number of manufacturing steps can be reduced and the semiconductor device manufacturing period can be reduced. It can contribute to shortening.

前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる。封止工程に於いてダイボンドフィルム３が完全に熱硬化していない場合でも、本工程に於いて封止樹脂８と共にダイボンドフィルム３の完全な熱硬化が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。   In the post-curing step, the sealing resin 8 that is insufficiently cured in the sealing step is completely cured. Even if the die bond film 3 is not completely thermoset in the sealing step, the die bond film 3 can be completely thermoset together with the sealing resin 8 in this step. Although the heating temperature in this process changes with kinds of sealing resin, it exists in the range of 165-185 degreeC, for example, and heating time is about 0.5 to 8 hours.

上述した実施形態では、ダイボンドフィルム３付き半導体チップ５を被着体６に仮固着した後、ダイボンドフィルム３を完全に熱硬化させることなくワイヤーボンディング工程を行う場合について説明した。しかしながら、本発明においては、被着体６に、ダイボンドフィルム３付き半導体チップ５を仮固着時した後、ダイボンドフィルム３を熱硬化させ、その後、ワイヤーボンディング工程を行う通常のダイボンド工程を行うこととしてもよい。この場合、熱硬化後のダイボンドフィルム３は、１７５℃において０．０１ＭＰａ以上の剪断接着力を有していることが好ましく、０．０１〜５ＭＰａがより好ましい。熱硬化後の１７５℃における剪断接着力を０．０１ＭＰａ以上にすることにより、ワイヤーボンディング工程の際の超音波振動や加熱に起因して、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形が生じるのを防止できるからである。   In the above-described embodiment, the case where the wire bonding step is performed without temporarily curing the die bond film 3 after the semiconductor chip 5 with the die bond film 3 is temporarily fixed to the adherend 6 has been described. However, in the present invention, after temporarily attaching the semiconductor chip 5 with the die bond film 3 to the adherend 6, the die bond film 3 is thermally cured, and then a normal die bonding process is performed in which a wire bonding process is performed. Also good. In this case, it is preferable that the die-bonding film 3 after thermosetting has a shear adhesive force of 0.01 MPa or more at 175 ° C., and more preferably 0.01 to 5 MPa. By setting the shear adhesive strength at 175 ° C. after thermosetting to 0.01 MPa or more, due to the ultrasonic vibration and heating in the wire bonding step, the die bond film 3 and the semiconductor chip 5 or the adherend 6 This is because shear deformation can be prevented from occurring on the bonding surface.

なお、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルムは、上述した実施形態のように、ステルスダイシングに用いられるのみならず、半導体ウェハの表面に溝を形成し、その後、裏面研削を行うことにより、個々の半導体チップを得る方法（ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ法））（例えば、特開２００３−００７６４９号公報参照）に用いてもよい。   In addition, the dicing die-bonding film according to the present invention is used not only for stealth dicing as in the above-described embodiment, but also by forming grooves on the surface of the semiconductor wafer and then performing backside grinding, You may use for the method (DBG (Dicing Before Grinding method)) (For example, refer Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-007649) which obtains a semiconductor chip.

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。なお、以下において、部とあるのは特記がない限り重量部を意味する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in this example are not intended to limit the gist of the present invention only to those unless otherwise limited. In the following description, “part” means “part by weight” unless otherwise specified.

＜ダイシングフィルム用の基材の準備＞
（基材Ａ）
厚さが８０μｍの塩化ビニルフィルム（三菱樹脂（株）社製、アルトロン＃３３００）を基材Ａとして準備した。 <Preparation of base material for dicing film>
(Substrate A)
A vinyl chloride film (Altron # 3300, manufactured by Mitsubishi Plastics, Inc.) having a thickness of 80 μm was prepared as the base material A.

（基材Ｂ）
厚さが２００μｍの塩化ビニルフィルム（三菱樹脂（株）社製、アルトロン＃３３００）を基材Ｂとして準備した。 (Substrate B)
A vinyl chloride film having a thickness of 200 μm (manufactured by Mitsubishi Plastics, Inc., Altron # 3300) was prepared as the base material B.

（基材Ｃ）
厚さが２５０μｍの塩化ビニルフィルム（三菱樹脂（株）社製、アルトロン＃３３００）を基材Ｃとして準備した。 (Substrate C)
A vinyl chloride film (Mitsubishi Resin Co., Ltd., Altron # 3300) having a thickness of 250 μm was prepared as the base material C.

＜基材の引張強度の測定＞
基材Ａ〜Ｃを、それぞれ幅２５ｍｍの試料に加工した。次に、これらの試料について、１０％延び時の引張強度を測定した。測定は、引っ張り試験機（テンシロン、島津製作所社製）を用い、２５℃、チャック間距離１００ｍｍ、引っ張り速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で行った。結果を表１に示す。
なお、本実施例における基材Ａ〜Ｃの引張強度の値は、ウェハ貼付部、接触部、リング貼付部のすべての箇所において同一の値である。すなわち、表１に示す測定結果は、ウェハ貼付部の引張強度であり、接触部の引張強度であり、且つ、リング貼付部の引張強度である。また、測定した引張強度は、ＭＤ（Ｍａｃｈｉｎｅ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）方向の引張強度である。 <Measurement of tensile strength of substrate>
The base materials A to C were each processed into a sample having a width of 25 mm. Next, the tensile strength at 10% elongation was measured for these samples. The measurement was performed using a tensile tester (Tensilon, manufactured by Shimadzu Corporation) under the conditions of 25 ° C., a distance between chucks of 100 mm, and a pulling speed of 300 mm / min. The results are shown in Table 1.
In addition, the value of the tensile strength of the base materials A to C in the present embodiment is the same value in all the locations of the wafer pasting portion, the contact portion, and the ring pasting portion. That is, the measurement results shown in Table 1 are the tensile strength of the wafer attaching portion, the tensile strength of the contact portion, and the tensile strength of the ring attaching portion. The measured tensile strength is the tensile strength in the MD (Machine Direction) direction.

＜基材の降伏点伸度の測定＞
基材Ａ〜Ｃを、それぞれ幅１０ｍｍ、長さ６０ｍｍの試料に加工した。次に、これらの試料について、引っ張り試験機（テンシロン、島津製作所社製）を用いて２５℃、引張速度３００ｍｍ／分、チャック間距離５０ｍｍの条件下で応力−ひずみ曲線を測定し、下記式により降伏点伸度を得た。
降伏点伸度（％）＝（（（降伏時のチャック間長さ（ｍｍ））−５０）／５０）×１００
結果を表１に示す。
なお、本実施例における基材Ａ〜Ｃの降伏点伸度の値は、ウェハ貼付部、接触部、リング貼付部のすべての箇所において同一の値である。すなわち、表１に示す測定結果は、ウェハ貼付部の降伏点伸度であり、接触部の降伏点伸度であり、且つ、リング貼付部の降伏点伸度である。また、測定した降伏点伸度は、ＭＤ（Ｍａｃｈｉｎｅ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）方向の引張強度である。 <Measurement of yield point elongation of substrate>
The substrates A to C were processed into samples each having a width of 10 mm and a length of 60 mm. Next, a stress-strain curve was measured for these samples using a tensile tester (Tensilon, manufactured by Shimadzu Corporation) at 25 ° C., a tensile speed of 300 mm / min, and a distance between chucks of 50 mm. Yield point elongation was obtained.
Yield point elongation (%) = (((length between chucks at yield (mm)) − 50) / 50) × 100
The results are shown in Table 1.
In addition, the value of the yield point elongation of the base materials A to C in the present example is the same value in all the locations of the wafer pasting portion, the contact portion, and the ring pasting portion. That is, the measurement results shown in Table 1 are the yield point elongation of the wafer attaching portion, the yield point elongation of the contact portion, and the yield point elongation of the ring attaching portion. The measured yield point elongation is the tensile strength in the MD (Machine Direction) direction.

Figure 2012222002
Figure 2012222002

＜基材の動摩擦係数の測定＞
基材Ａ〜Ｃの動摩擦係数を測定した。動摩擦係数は以下のようにして測定した。なお、本実施例における基材Ａ〜Ｃの動摩擦係数の値は、ウェハ貼付部、接触部、リング貼付部のすべての箇所において同一の値である。すなわち、測定結果は、ウェハ貼付部の動摩擦係数であり、接触部の動摩擦係数であり、且つ、リング貼付部の動摩擦係数である。 <Measurement of dynamic friction coefficient of substrate>
The dynamic friction coefficients of the substrates A to C were measured. The dynamic friction coefficient was measured as follows. In addition, the value of the dynamic friction coefficient of the base materials A to C in the present embodiment is the same value in all locations of the wafer pasting portion, the contact portion, and the ring pasting portion. That is, the measurement result is the dynamic friction coefficient of the wafer attaching portion, the dynamic friction coefficient of the contact portion, and the dynamic friction coefficient of the ring attaching portion.

図８は、動摩擦係数の測定方法を説明するための図である。まず、図８に示すように、２００ｍｍ×５００ｍｍのステンレス製の板１００を用意し、この板１００と、２００ｍｍ×５００ｍｍの測定対象１１０（ダイシングフィルム）とを、粘着剤層側を貼り合わせ面にして貼り合わせた。一方、５０ｍｍ×５０ｍｍの重り１０１に５０ｍｍ×５０ｍｍのすべり片１０２を貼り付けたものを用意した。なお、重り１０１には、すべり片１０２を貼り付けた状態で１００Ｎ、２００Ｎ、３００Ｎとなる３つを用意した。また、すべり片１０２としては、日東電工社製の製品名「ニトフロン ＮＯ．９０３ＵＬ」を用いた。   FIG. 8 is a diagram for explaining a method of measuring a dynamic friction coefficient. First, as shown in FIG. 8, a 200 mm × 500 mm stainless steel plate 100 is prepared, and this plate 100 and a 200 mm × 500 mm measuring object 110 (dicing film) are bonded to the adhesive layer side. And pasted together. On the other hand, a 50 mm × 50 mm weight 101 was attached to a 50 mm × 50 mm slip piece 102. In addition, three weights 101N, 200N, and 300N were prepared with the sliding piece 102 attached thereto. As the slip piece 102, a product name “Nitoflon NO.903UL” manufactured by Nitto Denko Corporation was used.

次に、すべり片１０２付きの重り１０１を測定対象１１０上に裁置し、引張試験機１０３にて引っ張り、引張試験機１０３のロードセルにかかる力を検出した。このとき、静摩擦力のピークは無視し、接触面間の相対ずれ運動を開始した後の力を動摩擦力（Ｎ／５０ｍｍ）とした（図９参照）。引張試験機１０３には、島津製作所社製の製品名、テンシロンを用い、引張条件は、引張速度３００ｍｍ／分、引張移動距離１００ｍｍとした。上記の測定を、１００Ｎ、２００Ｎ、３００Ｎの重り１０１に対して行い、用いた重りと測定した動摩擦力との関係を図１０に示すようにプロットした。そして、プロットした３点により近似直線を作成し、その傾きを動摩擦係数とした。その結果、基材Ａ〜Ｃのいずれの動摩擦係数も、０．０１７となった。   Next, the weight 101 with the sliding piece 102 was placed on the measurement object 110 and pulled by the tensile tester 103, and the force applied to the load cell of the tensile tester 103 was detected. At this time, the peak of the static friction force was ignored, and the force after starting the relative displacement motion between the contact surfaces was defined as the dynamic friction force (N / 50 mm) (see FIG. 9). As the tensile tester 103, a product name, Tensilon, manufactured by Shimadzu Corporation was used, and the tensile conditions were a tensile speed of 300 mm / min and a tensile movement distance of 100 mm. Said measurement was performed with respect to the weight 101 of 100N, 200N, and 300N, and the relationship between the used weight and the measured dynamic friction force was plotted as shown in FIG. Then, an approximate straight line was created from the three plotted points, and the gradient was used as the dynamic friction coefficient. As a result, all the dynamic friction coefficients of the base materials A to C were 0.017.

＜ダイシングフィルム用の粘着剤層の作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計、及び、撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸−２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」ともいう。）８８．８部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」ともいう。）１１．２部、過酸化ベンゾイル０．２部、及び、トルエン６５部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間重合処理をし、重量平均分子量８５万のアクリル系ポリマーＡを得た。２ＥＨＡとＨＥＡとのモル比は１００ｍｏｌ対２０ｍｏｌとした。 <Preparation of pressure-sensitive adhesive layer for dicing film>
In a reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring device, 88.8 parts of acrylate-2-ethylhexyl acrylate (hereinafter also referred to as “2EHA”), -2-hydroxyethyl acrylate ( Hereinafter, it is also referred to as “HEA”.) 11.2 parts, 0.2 part of benzoyl peroxide, and 65 parts of toluene are added and polymerized in a nitrogen stream at 61 ° C. for 6 hours to obtain a weight average molecular weight of 850,000. Acrylic polymer A was obtained. The molar ratio of 2EHA to HEA was 100 mol to 20 mol.

アクリル系ポリマーＡに２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」ともいう。）１２部（ＨＥＡに対して８０ｍｏｌ％）を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ’を得た。   To acrylic polymer A, 12 parts of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (hereinafter also referred to as “MOI”) (80 mol% with respect to HEA) was added and subjected to an addition reaction treatment at 50 ° C. for 48 hours in an air stream. An acrylic polymer A ′ was obtained.

次に、アクリル系ポリマーＡ’１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）８部、及び、光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）５部を加えて、粘着剤組成物溶液Ａを得た。   Next, 8 parts of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and a photopolymerization initiator (trade name “Irgacure 651”, Ciba 5 parts) (manufactured by Specialty Chemicals) was added to obtain an adhesive composition solution A.

粘着剤組成物溶液Ａを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層Ｘを形成した。その後、５０℃にて２４時間加熱した。   The pressure-sensitive adhesive composition solution A was applied on the surface of the PET release liner that had been subjected to the silicone treatment, and dried by heating at 120 ° C. for 2 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer X having a thickness of 10 μm. Then, it heated at 50 degreeC for 24 hours.

<ダイボンドフィルムの作製>
表２に示す配合にて、下記（ａ）〜（ｅ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００４）
（ｂ）エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２７）
（ｃ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）
（ｄ）アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、ＷＳ−０２３）
（ｅ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ） <Production of die bond film>
In the formulation shown in Table 2, the following (a) to (e) were dissolved in methyl ethyl ketone to obtain an adhesive composition solution having a concentration of 23.6% by weight.
(A) Epoxy resin (Epicoat 1004, manufactured by JER Corporation)
(B) Epoxy resin (manufactured by JER Corporation, Epicoat 827)
(C) Phenolic resin (Mirex XLC-4L, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.)
(D) Acrylic acid ester polymer mainly composed of ethyl acrylate-methyl methacrylate (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, WS-023)
(E) Spherical silica (manufactured by Admatechs, SO-25R)

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、表２に示した通りの厚さを有するダイボンドフィルムＡ〜Ｉを得た。   The adhesive composition solution was applied on a release film (release liner) made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm after the silicone release treatment, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes. Thereby, die bond films A to I having thicknesses shown in Table 2 were obtained.

Figure 2012222002
Figure 2012222002

＜ダイボンドフィルムの破断伸び率の測定＞
ダイボンドフィルムＡ〜Ｉについて、それぞれ幅１０ｍ、長さ３０ｍｍ、厚さ４０μｍの短冊状の測定片となる様に切断した。次に、引っ張り試験機（テンシロン、島津製作所社製）を用いて２５℃の条件下において、引張速度０．５ｍｍ／分、チャック間距離２０ｍｍで延伸し、破断伸び率を下記式により得た。結果を表３に示す。
破断伸び率（％）＝（（（破断時のチャック間長さ（ｍｍ））−２０）／２０）×１００ <Measurement of elongation at break of die bond film>
The die bond films A to I were cut so as to be strip-shaped measurement pieces each having a width of 10 m, a length of 30 mm, and a thickness of 40 μm. Next, using a tensile tester (Tensilon, manufactured by Shimadzu Corporation), the film was stretched at a tensile speed of 0.5 mm / min and a distance between chucks of 20 mm under the condition of 25 ° C., and the elongation at break was obtained by the following formula. The results are shown in Table 3.
Elongation at break (%) = (((length between chucks at break (mm)) − 20) / 20) × 100

Figure 2012222002
Figure 2012222002

＜半導体ウェハの準備＞
半導体ウェハとして、厚さ１０μｍのシリコンウェハＡ（外径８インチ）と、厚さ２００μｍのシリコンウェハＢ（外径８インチ）とを準備した。次に、各シリコンウェハにレーザー光を照射して、シリコンウェハの内部に改質領域を形成した。具体的には、レーザー加工装置として株式会社東京精密製、ＭＬ３００−Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎを用いてシリコンウェハの内部に集光点を合わせ、格子状（１０ｍｍ×１０ｍｍ）の分割予定ラインに沿ってシリコンウェハの表面側からレーザー光を照射し、シリコンウェハの内部に改質領域を形成した。また、レーザー光照射条件は、下記のようにして行った。
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０−８ｃｍ２
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ
パルス幅 ３０ｎｓ
出力 ２０μＪ／パルス
レーザー光品質 ＴＥＭ００ ４０
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 ５０倍
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 ６０％
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 １００ｍｍ／秒 <Preparation of semiconductor wafer>
As a semiconductor wafer, a silicon wafer A (outer diameter 8 inches) having a thickness of 10 μm and a silicon wafer B (outer diameter 8 inches) having a thickness of 200 μm were prepared. Next, each silicon wafer was irradiated with a laser beam to form a modified region inside the silicon wafer. Specifically, using a ML300-Integration manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd. as a laser processing apparatus, the focusing point is aligned with the inside of the silicon wafer, and the surface of the silicon wafer along a grid-like (10 mm × 10 mm) division line A laser beam was irradiated from the side to form a modified region inside the silicon wafer. The laser light irradiation conditions were as follows.
(A) Laser light
Laser light source Semiconductor laser pumped Nd: YAG laser
Wavelength 1064nm
Laser light spot cross-sectional area 3.14 × 10 −8 cm 2
Oscillation form Q switch pulse
Repetition frequency 100kHz
Pulse width 30ns
Output 20μJ / pulse
Laser light quality TEM00 40
Polarization characteristics Linearly polarized (B) condensing lens
50 times magnification
NA 0.55
60% transmittance for laser wavelength
(C) Moving speed of the table on which the semiconductor substrate is placed 100 mm / second

＜実施例、及び、比較例に係るサンプル作製＞
粘着剤層を基材に貼り合わせた。次に、ウェハ貼付部にのみ紫外線照射装置（日東精機製、商品名「ＵＭ−８１０」）にて３００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を基材側から照射し、ダイシングフィルムを得た。このダイシングフィルムにダイボンドフィルムを貼り合わせ、ダイシング・ダイボンドフィルムを得た。このダイシング・ダイボンドフィルムに、改質領域を形成したシリコンウェハを貼り付け、実施例、及び、比較例に係るサンプルを得た。基材Ａ〜基材Ｃ、ダイボンドフィルムＡ〜Ｉ、及び、シリコンウェハＡ〜Ｂの組合せは、下記表４に示す通りである。なお、粘着剤層には、粘着剤層Ｘを用いた。また、表４には、基材の厚さ、ダイボンドフィルムの厚さ、及び、シリコンウェハの厚さも合わせて記載した。また、表５には、シリコンウェハの厚みをＡ（μｍ）、ダイボンドフィルムの厚みをＢ（μｍ）、基材の厚み（基材のウェハ貼付部における厚み）をＣ（μｍ）としたときのＣ／Ａ、Ｃ／Ｂ、及び、Ａ／Ｂの値を示した。 <Sample preparation according to examples and comparative examples>
The pressure-sensitive adhesive layer was bonded to the substrate. Next, 300 mJ / cm 2 of ultraviolet rays were irradiated from the substrate side only with the ultraviolet irradiation device (product name “UM-810”, manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd.), to obtain a dicing film. A die bond film was bonded to this dicing film to obtain a dicing die bond film. A silicon wafer on which a modified region was formed was attached to this dicing die bond film, and samples according to examples and comparative examples were obtained. The combinations of the base materials A to C, the die bond films A to I, and the silicon wafers A to B are as shown in Table 4 below. In addition, the adhesive layer X was used for the adhesive layer. Table 4 also shows the thickness of the base material, the thickness of the die bond film, and the thickness of the silicon wafer. Also, in Table 5, when the thickness of the silicon wafer is A (μm), the thickness of the die bond film is B (μm), and the thickness of the base material (the thickness of the base material at the wafer attaching portion) is C (μm). The values of C / A, C / B, and A / B are shown.

Figure 2012222002
Figure 2012222002

Figure 2012222002
Figure 2012222002

（破断性）
実施例、及び、比較例に係るサンプルについて、破断試験を行った。破断試験におけるエキスパンド条件は、エキスパンド条件は、室温（２５℃）、エキスパンド速度４００ｍｍ／秒、エキスパンド量２０ｍｍとした。破断試験の結果、破断不良の箇所がなかった場合を○、破断不良の箇所があった場合を×とした。結果を表６に示す。 (Breakability)
A break test was performed on the samples according to Examples and Comparative Examples. The expanding conditions in the break test were room temperature (25 ° C.), expanding speed 400 mm / second, and expanding amount 20 mm. As a result of the rupture test, the case where there was no rupture failure portion was marked with ◯, and the case where there was a breakage failure location was marked with x. The results are shown in Table 6.

（ピックアップ性）
前記破断試験の後、ダイシングフィルム側からニードルで突き上げて、破断により得られた半導体チップをダイボンドフィルムとともに粘着剤層からピックアップした。ピックアップ条件は、下記のとおりである。下記条件にて、すべての半導体チップをピックアップできたものを○、できなかったものを×とした。結果を表６に示す。
［ピックアップ条件］
ピックアップ装置：商品名「ＳＰＡ−３００」株式会社新川社製
ピックアップニードル本数：９本
ニードル突き上げ速度：５ｍｍ／ｓ
ニードル突き上げ量 ： ６００μｍ
ピックアップ時間：１秒
エキスパンド量 : １２．５ｍｍ
ニードル型： Ｆ０．７＊１５ｄｅｇ＊１０ｌ＊３５０μｍ
コレット： ＭＩＣＲＯ−ＭＥＣＨＡＮＩＣＳ社製、製品名「ＲＵＢＢＥＲ ＴＩＰ」、品番１３−０３４−１２６ (Pickup property)
After the breaking test, the semiconductor chip was picked up from the pressure-sensitive adhesive layer together with the die bond film by pushing up from the dicing film side with a needle. The pickup conditions are as follows. Under the conditions below, all semiconductor chips could be picked up, and those that could not be picked up as x. The results are shown in Table 6.
[Pickup conditions]
Pickup device: Brand name “SPA-300” manufactured by Shinkawa Co., Ltd. Number of pickup needles: 9 Needle push-up speed: 5 mm / s
Needle push-up amount: 600 μm
Pickup time: 1 second Expanding amount: 12.5 mm
Needle type: F0.7 * 15deg * 10l * 350μm
Collet: manufactured by MICRO-MECHANSICS, product name “RUBBER TIP”, product number 13-034-126

Figure 2012222002
Figure 2012222002

（結果）
実施例１〜８では、Ｃ／Ａが０．４以上２０以下であり、Ｃ／Ｂが０．８上６７以下であり、且つ、Ａ／Ｂが０．１以上６７以下であるため、基材を破断させることなく半導体ウエハとダイボンドフィルムとを好適に破断することができた。一方、比較例１では、Ｃ／Ａが２５、Ｃ／Ｂが８３．３であり、基材の厚みが厚いため、ピックアップの際に、突き上げ治具により基材側から半導体素子を持ち上げることができなかった。また、比較例２では、Ｃ／Ｂが０．５３であり、基材の厚みが薄いため、基材に引張応力を加えた際に、破断してしまった。 (result)
In Examples 1 to 8, C / A is 0.4 or more and 20 or less, C / B is 0.8 and 67 or less, and A / B is 0.1 or more and 67 or less. The semiconductor wafer and the die bond film could be suitably broken without breaking the material. On the other hand, in Comparative Example 1, C / A is 25, C / B is 83.3, and the thickness of the base material is thick. Therefore, when picking up, the semiconductor element can be lifted from the base material side by a push-up jig. could not. Moreover, in Comparative Example 2, C / B was 0.53, and the thickness of the base material was thin. Therefore, when tensile stress was applied to the base material, it broke.

（実施例９〜１３）
まず、以下のようにしてダイボンドフィルムＢ−１、Ｃ−１、Ｄ−１、E−１を作製した。
＜ダイボンドフィルムの作製＞
（ダイボンドフィルムＢ−１）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００４）
１１３重量部
（ｂ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）
１２１重量部
（ｃ）アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、ＷＳ−０２３） １００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ） ２２２重量部 (Examples 9 to 13)
First, die bond films B-1, C-1, D-1, and E-1 were produced as follows.
<Production of die bond film>
(Die bond film B-1)
The following (a) to (d) were dissolved in methyl ethyl ketone to obtain an adhesive composition solution having a concentration of 23.6% by weight.
(A) Epoxy resin (Epicoat 1004, manufactured by JER Corporation)
113 parts by weight (b) phenol resin (Mitsui Chemicals Co., Ltd., Milex XLC-4L)
121 parts by weight (c) Acrylic acid ester polymer mainly composed of ethyl acrylate-methyl methacrylate (manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd., WS-023) 100 parts by weight (d) spherical silica (manufactured by Admatechs Co., Ltd.) , SO-25R) 222 parts by weight

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＢ−１を作製した。   The adhesive composition solution was applied on a release film (release liner) made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm after the silicone release treatment, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes. Thus, a die bond film B-1 having a thickness of 25 μm was produced.

（ダイボンドフィルムＣ−１）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００４）
１１３重量部
（ｂ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）
１２１重量部
（ｃ）アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、ＷＳ−０２３） １００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ） ３７重量部 (Die bond film C-1)
The following (a) to (d) were dissolved in methyl ethyl ketone to obtain an adhesive composition solution having a concentration of 23.6% by weight.
(A) Epoxy resin (Epicoat 1004, manufactured by JER Corporation)
113 parts by weight (b) phenol resin (Mitsui Chemicals Co., Ltd., Milex XLC-4L)
121 parts by weight (c) Acrylic acid ester polymer mainly composed of ethyl acrylate-methyl methacrylate (manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd., WS-023) 100 parts by weight (d) spherical silica (manufactured by Admatechs Co., Ltd.) , SO-25R) 37 parts by weight

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＣ−１を作製した。   The adhesive composition solution was applied on a release film (release liner) made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm after the silicone release treatment, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes. Thus, a die bond film C-1 having a thickness of 25 μm was produced.

（ダイボンドフィルムＤ−１）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００１）
３２重量部
（ｂ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ＭＥＨ７８５１）
３４重量部
（ｃ）アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、ＷＳ−０２３） １００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ） １１０重量部 (Die bond film D-1)
The following (a) to (d) were dissolved in methyl ethyl ketone to obtain an adhesive composition solution having a concentration of 23.6% by weight.
(A) Epoxy resin (JERO Co., Ltd., Epicoat 1001)
32 parts by weight (b) phenol resin (Mitsui Chemicals, MEH7851)
34 parts by weight (c) Acrylic ester polymer based on ethyl acrylate-methyl methacrylate (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, WS-023) 100 parts by weight (d) Spherical silica (manufactured by Admatechs Co., Ltd.) , SO-25R) 110 parts by weight

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＤ−１を作製した。   The adhesive composition solution was applied on a release film (release liner) made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm after the silicone release treatment, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes. Thus, a die bond film D-1 having a thickness of 25 μm was produced.

（ダイボンドフィルムＥ−１）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００１）
３２重量部
（ｂ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）
３４重量部
（ｃ）アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、ＷＳ−０２３） １００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ） １８重量部 (Die bond film E-1)
The following (a) to (d) were dissolved in methyl ethyl ketone to obtain an adhesive composition solution having a concentration of 23.6% by weight.
(A) Epoxy resin (JERO Co., Ltd., Epicoat 1001)
32 parts by weight (b) phenol resin (Mitsui Chemicals, Millex XLC-4L)
34 parts by weight (c) Acrylic ester polymer based on ethyl acrylate-methyl methacrylate (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, WS-023) 100 parts by weight (d) Spherical silica (manufactured by Admatechs Co., Ltd.) , SO-25R) 18 parts by weight

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＥ−１を作製した。   The adhesive composition solution was applied on a release film (release liner) made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm after the silicone release treatment, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes. Thus, a die bond film E-1 having a thickness of 25 μm was produced.

次に、以下のようにしてダイシングフィルム用の基材Ａ−１、Ｂ−１、Ｃ−１、Ｄ−１、Ｊ−１を準備した。
＜ダイシングフィルム用の基材の準備＞
（基材Ａ−１）
ポリプロピレンとエチレン−プロピレンラバーとの混合樹脂からなる層（厚み８０μｍ）と、ＬＬＤＰＥ（直鎖状低密度ポリエチレン）からなる層（厚み２０μｍ）とを積層させたオレフィン系多層フィルム（厚み１００μｍ、背面（ＬＬＤＰＥ層側）にエンボス処理あり）を準備した。このオレフィン系多層フィルムの接触部に相当する部分に表面から生ペットフィルム（帝人デュポン社製、製品名「テイジンテトロンフィルム」、厚さ１６μｍ）を貼り合わせた。 Next, base materials A-1, B-1, C-1, D-1, and J-1 for a dicing film were prepared as follows.
<Preparation of base material for dicing film>
(Substrate A-1)
An olefin-based multilayer film (thickness 100 μm, back surface (layer thickness: 80 μm) and a layer (thickness: 20 μm) composed of a mixed resin of polypropylene and ethylene-propylene rubber and a layer (thickness 20 μm) made of LLDPE (linear low density polyethylene) The LLDPE layer side) was prepared with an embossing treatment). A raw pet film (manufactured by Teijin DuPont, product name “Teijin Tetron Film”, thickness 16 μm) was bonded to the portion corresponding to the contact portion of the olefin-based multilayer film from the surface.

（基材Ｂ−１）
ＳＥＢＳ（スチレン系エラストマー）及びＭＢＳ（メタクリル酸エステル‐ブタジエン‐スチレンからなる共重合体樹脂）からなる層（厚さ１０５μｍ）と、ＳＥＢＳからなる層（厚さ３０μｍ）と、ＰＥ（ポリエチレン）からなる層（厚さ１５μｍ）とをこの順に積層させた多層フィルム（厚さ１５０μｍ、背面（ＰＥ層側）にエンボス処理あり）を準備した。 (Substrate B-1)
SEBS (styrene elastomer) and MBS (methacrylic ester-butadiene-styrene copolymer resin) (thickness 105 μm), SEBS layer (thickness 30 μm), and PE (polyethylene) A multilayer film (thickness 150 μm, embossed on the back side (PE layer side)) was prepared by laminating layers (thickness 15 μm) in this order.

（基材Ｃ−１）
塩化ビニルフィルム（三菱樹脂社製、製品名「アルトロン＃２８００」、厚さ１００μｍ）の背面にエンボス処理を行ったものを準備した。 (Substrate C-1)
A vinyl chloride film (manufactured by Mitsubishi Plastics Co., Ltd., product name “Altron # 2800”, thickness 100 μm) was prepared by embossing the back surface.

（基材Ｄ−１）
塩化ビニルフィルム（三菱樹脂社製、製品名「アルトロン＃２８００」、厚さ１００μｍ）を準備した（エンボス処理なし）。 (Substrate D-1)
A vinyl chloride film (manufactured by Mitsubishi Plastics, product name “Altron # 2800”, thickness 100 μm) was prepared (no embossing treatment).

（基材Ｊ−１）
基材Ａ−１（オレフィン系多層フィルム）を準備した。このオレフィン系多層フィルムの接触部に相当する部分に背面から、片面がシリコーン処理されたペットフィルム（帝人デュポン社製、製品名「テイジンテトロンフィルム」、厚さ１６μｍ）を、シリコーン処理面が背面となるように貼り合わせた。なお、基材Ａ−１の背面とペットフィルムとの貼り合わせには、下記の粘着剤層Ｘ−１（厚さ１０μｍ）を用いた。 (Substrate J-1)
Base material A-1 (olefin type multilayer film) was prepared. A pet film (made by Teijin DuPont, product name “Teijin Tetron Film”, thickness: 16 μm) on one side of which is equivalent to the contact portion of the olefin-based multilayer film is treated with a silicone-treated surface on the back side. They were pasted together. In addition, the following adhesive layer X-1 (10 micrometers in thickness) was used for bonding of the back surface of base material A-1, and a pet film.

＜ダイシングフィルム用の粘着剤層＞
冷却管、窒素導入管、温度計、及び、撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸−２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」ともいう。）８８．８部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」ともいう。）１１．２部、過酸化ベンゾイル０．２部、及び、トルエン６５部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間重合処理をし、重量平均分子量８５万のアクリル系ポリマーＡ−１を得た。２ＥＨＡとＨＥＡとのモル比は１００ｍｏｌ対２０ｍｏｌとした。 <Adhesive layer for dicing film>
In a reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring device, 88.8 parts of acrylate-2-ethylhexyl acrylate (hereinafter also referred to as “2EHA”), -2-hydroxyethyl acrylate ( Hereinafter, it is also referred to as “HEA”.) 11.2 parts, 0.2 part of benzoyl peroxide, and 65 parts of toluene are added and polymerized in a nitrogen stream at 61 ° C. for 6 hours to obtain a weight average molecular weight of 850,000. Acrylic polymer A-1 was obtained. The molar ratio of 2EHA to HEA was 100 mol to 20 mol.

アクリル系ポリマーＡ−１に２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」ともいう。）１２部（ＨＥＡに対して８０ｍｏｌ％）を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ’−１を得た。   To acrylic polymer A-1, 12 parts of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (hereinafter also referred to as “MOI”) (80 mol% with respect to HEA) was added, and an addition reaction treatment was performed at 50 ° C. for 48 hours in an air stream. As a result, an acrylic polymer A′-1 was obtained.

次に、アクリル系ポリマーＡ’−１の１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）８部、及び、光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）５部を加えて、粘着剤組成物溶液Ａ−１を得た。   Next, for 100 parts of the acrylic polymer A′-1, 8 parts of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and a photopolymerization initiator (trade name “Irgacure 651”) 5 parts of Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.) was added to obtain an adhesive composition solution A-1.

粘着剤組成物溶液Ａ−１を、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層Ｘ−１を形成した。その後、５０℃にて２４時間加熱した。   The pressure-sensitive adhesive composition solution A-1 was applied onto the silicone-treated surface of the PET release liner and dried by heating at 120 ° C. for 2 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer X-1 having a thickness of 10 μm. Then, it heated at 50 degreeC for 24 hours.

＜実施例・比較例サンプルの作製＞
粘着剤層Ｘ−１を基材Ａ−１、Ｂ−１、Ｃ−１、Ｄ−１、Ｊ−１にそれぞれ貼り合わせ、ウェハ貼付部にのみ紫外線照射装置（日東精機製、商品名「ＵＭ−８１０」）にて３００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を基材側から照射し、ダイシングフィルムを得た。このダイシングフィルムにダイボンドフィルムＢ−１、Ｃ−１、Ｄ−１、E−１を貼り合わせ、ダイシング・ダイボンドフィルムを得た。このダイシング・ダイボンドフィルムに、改質領域を形成したシリコンウェハを貼り付け、実施例９〜１３に係るサンプルを得た。基材Ａ−１、Ｂ−１、Ｃ−１、Ｄ−１、Ｊ−１とダイボンドフィルムＢ−１、Ｃ−１、Ｄ−１、E−１との組合せは、下記表７に示す通りである。また、シリコンウェハは、厚さ２５μｍのものを用いた。また、表７には、には、シリコンウェハの厚みをＡ（μｍ）、ダイボンドフィルムの厚みをＢ（μｍ）、基材の厚み（基材のウェハ貼付部における厚み）をＣ（μｍ）としたときのＣ／Ａ、Ｃ／Ｂ、及び、Ａ／Ｂの値を示した。 <Preparation of Example / Comparative Sample>
Adhesive layer X-1 was bonded to each of base materials A-1, B-1, C-1, D-1, and J-1, and an ultraviolet irradiation device (manufactured by Nitto Seiki, trade name “UM” was applied only to the wafer bonding portion. -810 ") was irradiated with 300 mJ / cm 2 of ultraviolet light from the substrate side to obtain a dicing film. Die bond films B-1, C-1, D-1, and E-1 were bonded to this dicing film to obtain a dicing die bond film. A silicon wafer on which a modified region was formed was attached to this dicing die bond film, and samples according to Examples 9 to 13 were obtained. Combinations of the base materials A-1, B-1, C-1, D-1, J-1 and the die bond films B-1, C-1, D-1, E-1 are as shown in Table 7 below. It is. A silicon wafer having a thickness of 25 μm was used. Table 7 also shows that the thickness of the silicon wafer is A (μm), the thickness of the die bond film is B (μm), and the thickness of the base material (the thickness of the base material at the wafer attaching portion) is C (μm). The values of C / A, C / B, and A / B were shown.

＜ダイボンドフィルムの破断伸び率の測定＞
ダイボンドフィルムＢ−１、Ｃ−１、Ｄ−１、E−１について、それぞれ幅１０ｍ、長さ３０ｍｍ、厚さ４０μｍの短冊状の測定片となる様に切断した。次に、引っ張り試験機（テンシロン、島津製作所社製）を用いて２５℃の条件下において、引張速度０．５ｍｍ／分、チャック間距離２０ｍｍで延伸し、破断伸び率を下記式により得た。結果を表７に示す。
破断伸び率（％）＝（（（破断時のチャック間長さ（ｍｍ））−２０）／２０）×１００ <Measurement of elongation at break of die bond film>
About die-bonding film B-1, C-1, D-1, and E-1, it cut | disconnected so that it might become a strip-shaped measurement piece of width 10m, length 30mm, and thickness 40micrometer, respectively. Next, using a tensile tester (Tensilon, manufactured by Shimadzu Corporation), the film was stretched at a tensile speed of 0.5 mm / min and a distance between chucks of 20 mm under the condition of 25 ° C., and the elongation at break was obtained by the following formula. The results are shown in Table 7.
Elongation at break (%) = (((length between chucks at break (mm)) − 20) / 20) × 100

＜引張貯蔵弾性率の測定＞
ダイボンドフィルムＢ−１、Ｃ−１、Ｄ−１、E−１について、それぞれ厚さ２００μｍ、幅１０ｍｍの短冊状とした。次に、固体粘弾性測定装置（ＲＳＡ（ＩＩＩ）、レオメトリックサイエンティフィック社製）を用いて、−５０〜３００℃での引張貯蔵弾性率を周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件下にて測定した。その際の、２５℃における引張貯蔵弾性率を表７に示す。 <Measurement of tensile storage modulus>
The die bond films B-1, C-1, D-1, and E-1 were each formed in a strip shape having a thickness of 200 μm and a width of 10 mm. Next, using a solid viscoelasticity measuring device (RSA (III), manufactured by Rheometric Scientific), the tensile storage elastic modulus at -50 to 300 ° C. was set to a frequency of 1 Hz and a temperature rising rate of 10 ° C./min. Measured below. Table 7 shows the tensile storage modulus at 25 ° C.

＜ダイシングフィルムの基材の降伏点伸度の測定＞
基材のウェハ貼付部と、基材の接触部を含む部分とをそれぞれ幅１０ｍｍ、長さ６０ｍｍの試料に作製した。次に、これらの試料について、引っ張り試験機（テンシロン、島津製作所社製）を用いて２５℃、引張速度３００ｍｍ／分、チャック間距離５０ｍｍの条件下で応力−ひずみ曲線を測定し、降伏点伸度を得た。
降伏点伸度（％）＝（（（降伏時のチャック間長さ（ｍｍ））−５０）／５０）×１００ <Measurement of yield point elongation of base material of dicing film>
The wafer sticking part of the base material and the part including the contact part of the base material were each prepared as a sample having a width of 10 mm and a length of 60 mm. Next, with respect to these samples, a stress-strain curve was measured using a tensile tester (Tensilon, manufactured by Shimadzu Corporation) at 25 ° C., a tensile speed of 300 mm / min, and a distance between chucks of 50 mm. Got the degree.
Yield point elongation (%) = (((length between chucks at yield (mm)) − 50) / 50) × 100

＜ダイシングフィルムの基材の引張強度の測定＞
基材のウェハ貼付部と基材の接触部を含む部分とを、それぞれ幅２５ｍｍの試料に作製した。次に、この試料について、引っ張り試験機（テンシロン、島津製作所社製）を用いて２５℃、チャック間距離１００ｍｍ、引っ張り速度３００ｍｍ／ｍｉｎでの１０％延び時の引張強度を得た。なお、測定した引張強度は、ＭＤ（Ｍａｃｈｉｎｅ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）方向の引張強度である。結果を表７に示す。 <Measurement of tensile strength of substrate of dicing film>
The wafer sticking part of the base material and the part including the contact part of the base material were each prepared in a sample having a width of 25 mm. Next, with respect to this sample, a tensile strength at 10% elongation at 25 ° C., a distance between chucks of 100 mm, and a pulling speed of 300 mm / min was obtained using a tensile tester (Tensilon, manufactured by Shimadzu Corporation). The measured tensile strength is the tensile strength in the MD (Machine Direction) direction. The results are shown in Table 7.

＜引張強度の差の算出＞
［基材（接触部）の引張強度］−［基材（ウェハ貼付部）の引張強度］を算出した。結果を表７に示す。 <Calculation of difference in tensile strength>
[Tensile strength of substrate (contact portion)]-[Tensile strength of substrate (wafer affixed portion)] was calculated. The results are shown in Table 7.

＜動摩擦係数の測定＞
得られたダイシングフィルムの接触部の動摩擦係数を測定した。なお、測定方法は、実施例１〜８と同様とした。結果を表７に示す。 <Measurement of dynamic friction coefficient>
The dynamic friction coefficient of the contact part of the obtained dicing film was measured. The measurement method was the same as in Examples 1-8. The results are shown in Table 7.

＜表面粗さＲａの測定＞
得られたダイシングフィルムを平滑なミラーウェハに貼り合わせて固定し、接触部の表面粗さＲａを表面粗さ測定機（ミツトヨ社製、製品名「サーフテストＳＪ−３０１」）を用いてＭＤ方向に測定して求めた。結果を表７に示す。 <Measurement of surface roughness Ra>
The obtained dicing film is bonded to a smooth mirror wafer and fixed, and the surface roughness Ra of the contact portion is measured in the MD direction using a surface roughness measuring machine (product name “Surf Test SJ-301” manufactured by Mitutoyo Corporation). Measured to obtain. The results are shown in Table 7.

＜ダイボンドフィルムとダイシングフィルムとの剥離強度の測定＞
ダイシング・ダイボンドフィルムのウェハ貼付部を１００ｍｍ×１００ｍｍの大きさに切り出し、ダイボンドフィルムの表面側にペットフィルム（日東電工社製、製品名「ＢＴ−３１５」、厚さ７０μｍ）を貼り合わせた。その後、引っ張り試験機（テンシロン、島津製作所社製）を用いて、ダイシングフィルム側から剥離し、そのときの剥離強度を測定した。そして、得られた値を５で除することにより、２０ｍｍ幅での剥離強度を算出した。測定条件は、２３℃、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／分とした。結果を表７に示す。 <Measurement of peel strength between die bond film and dicing film>
The wafer pasting part of the dicing die bond film was cut into a size of 100 mm × 100 mm, and a pet film (manufactured by Nitto Denko Corporation, product name “BT-315”, thickness 70 μm) was stuck to the surface side of the die bond film. Then, it peeled from the dicing film side using the tensile testing machine (Tensilon, Shimadzu Corporation Corp.), and the peeling strength at that time was measured. Then, the peel strength at 20 mm width was calculated by dividing the obtained value by 5. The measurement conditions were 23 ° C., a peeling angle of 180 degrees, and a peeling speed of 300 mm / min. The results are shown in Table 7.

（破断性）
実施例９〜１３に係るサンプルについて、破断試験を行った。破断試験は、実施例１〜８と同様とした。結果を表７に示す。 (Breakability)
The break test was done about the sample which concerns on Examples 9-13. The break test was the same as in Examples 1-8. The results are shown in Table 7.

（ピックアップ性）
実施例９〜１３に係るサンプルについて、前記破断試験の後、ピックアップ性の評価を行った。ピックアップ性の評価は、実施例１〜８と同様とした。結果を表７に示す。 (Pickup property)
The samples according to Examples 9 to 13 were evaluated for pickup properties after the break test. Evaluation of the pickup property was the same as in Examples 1-8. The results are shown in Table 7.

Figure 2012222002
Figure 2012222002

１ 基材
２ 粘着剤層
３ ダイボンドフィルム
４ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
１０、１２、２０、２１ ダイシング・ダイボンドフィルム
１１、１８、１９ ダイシングフィルム
１３ リング貼付部
１４ 接触部
１５ ウェハ貼付部
３１ ダイシングリング
３３ 突き上げ治具 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base material 2 Adhesive layer 3 Die bond film 4 Semiconductor wafer 5 Semiconductor chip 6 Substrate 7 Bonding wire 8 Sealing resin 10, 12, 20, 21 Dicing die bond films 11, 18, 19 Dicing film 13 Ring sticking part 14 Contact part 15 Wafer sticking part 31 Dicing ring 33 Push-up jig

Claims (5)

基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、
半導体ウェハにレーザー光を照射して改質領域を形成した後、前記半導体ウェハを前記改質領域にて破断することにより半導体ウェハから半導体素子を得る方法に使用されるものであり、
前記基材は、半導体ウェハを貼り付ける部分に対応するウェハ貼付部を有しており、
前記ダイボンドフィルムに貼り付けられる半導体ウェハの厚みをＡ（μｍ）、前記ダイボンドフィルムの厚みをＢ（μｍ）、前記基材の前記ウェハ貼付部における厚みをＣ（μｍ）としたとき、Ｃ／Ａが０．４以上２０以下であり、Ｃ／Ｂが０．８以上６７以下であり、且つ、Ａ／Ｂが０．１以上６７以下であることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。 A dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate, and a dicing film having a die-bonding film provided on the pressure-sensitive adhesive layer,
After forming a modified region by irradiating a semiconductor wafer with laser light, the semiconductor wafer is used in a method of obtaining a semiconductor element from a semiconductor wafer by breaking the modified wafer at the modified region,
The base material has a wafer pasting portion corresponding to a portion to which a semiconductor wafer is pasted,
When the thickness of the semiconductor wafer to be attached to the die bond film is A (μm), the thickness of the die bond film is B (μm), and the thickness of the substrate at the wafer attaching portion is C (μm), C / A Is a dicing die-bonding film, wherein C / B is 0.8 or more and 67 or less, and A / B is 0.1 or more and 67 or less. 前記Ａと前記Ｂと前記Ｃとの和が、９０以上５００未満であることを特徴とする請求項１に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。   2. The dicing die-bonding film according to claim 1, wherein the sum of the A, the B, and the C is 90 or more and less than 500. 3. 前記ダイシングフィルムの前記基材は、ダイシングリングを貼り付ける部分に対応するリング貼付部を外周部分に有するとともに、前記リング貼付部よりも内側に前記ウェハ貼付部を有しており、さらに、前記リング貼付部と前記ウェハ貼付部との間に、突き上げ治具の外周が接触する接触部を有しており、
前記基材の前記接触部における２５℃での引張強度が、１５Ｎ以上８０Ｎ以下であり、且つ、降伏点伸度が８０％以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。 The base material of the dicing film has a ring sticking portion corresponding to a portion to which a dicing ring is attached at an outer peripheral portion, and has the wafer sticking portion inside the ring sticking portion, and further the ring Between the affixing part and the wafer affixing part, it has a contact part that the outer periphery of the push-up jig contacts,
3. The dicing / claim according to claim 1, wherein a tensile strength at 25 ° C. in the contact portion of the base material is 15 N or more and 80 N or less, and a yield point elongation is 80% or more. Die bond film. 前記基材の前記ウェハ貼付部における２５℃での引張強度が、７０Ｎ以下であり、且つ、降伏点伸度が３０％以上であり、
前記ダイボンドフィルムの２５℃での破断伸び率が４０％より大きく５００％以下であることを特徴とする請求項３に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。 The tensile strength at 25 ° C. in the wafer pasting portion of the base material is 70 N or less, and the yield point elongation is 30% or more,
The dicing die-bonding film according to claim 3, wherein the elongation at break at 25 ° C of the die-bonding film is greater than 40% and 500% or less. 基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記基材は、半導体ウェハを貼り付けるウェハ貼付部を有しており、
前記ダイボンドフィルムに貼り付けられる半導体ウェハの厚みをＡ（μｍ）、前記ダイボンドフィルムの厚みをＢ（μｍ）、前記基材の前記ウェハ貼付部における厚みをＣ（μｍ）としたとき、Ｃ／Ａが０．４以上２０以下であり、Ｃ／Ｂが０．８上６７以下であり、且つ、Ａ／Ｂが０．１以上６７以下であり、
前記半導体装置の製造方法は、
半導体ウェハの分割予定ラインにレーザー光を照射して改質領域を形成する工程と、
前記ダイシング・ダイボンドフィルムの前記ダイボンドフィルム上に、改質領域形成後の半導体ウェハをマウントする工程と、
ダイシング・ダイボンドフィルムに引張張力を加えることによって、半導体ウェハとダイボンドフィルムとを破断し、半導体チップを形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A manufacturing method of a semiconductor device using a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate and a dicing film having a die-bonding film provided on the pressure-sensitive adhesive layer,
The base material has a wafer attaching part for attaching a semiconductor wafer;
When the thickness of the semiconductor wafer to be attached to the die bond film is A (μm), the thickness of the die bond film is B (μm), and the thickness of the substrate at the wafer attaching portion is C (μm), C / A Is 0.4 or more and 20 or less, C / B is 0.8 and 67 or less, and A / B is 0.1 or more and 67 or less,
The method for manufacturing the semiconductor device includes:
Irradiating a laser beam to the division line of the semiconductor wafer to form a modified region;
Mounting the semiconductor wafer after forming the modified region on the die bond film of the dicing die bond film;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of breaking a semiconductor wafer and a die bond film by applying a tensile tension to the dicing die bond film to form a semiconductor chip.
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