KR20150111928A - Production method and production device for semiconductor devices - Google Patents
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Abstract
이 방법은, 밀봉 시트에 의해 반도체 소자를 밀봉함으로써 얻어지는 반도체 장치의 제조 방법이다. 반도체 장치의 제조 방법은, 밀봉 시트 및 복수의 반도체 소자를 준비하는 준비 공정, 준비 공정 후에 밀봉 시트에 의해 복수의 반도체 소자를 일괄하여 밀봉하는 밀봉 공정, 및 밀봉 공정 후에 밀봉 시트 및 복수의 반도체 소자를 회수하는 회수 공정을 구비한다.This method is a method of manufacturing a semiconductor device obtained by sealing a semiconductor element with a sealing sheet. A method of manufacturing a semiconductor device includes a step of preparing a sealing sheet and a plurality of semiconductor elements, a sealing step of collectively sealing the plurality of semiconductor elements with the sealing sheet after the preparation step, And a recovery step of recovering the liquid.
Description
본 발명은 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치, 상세하게는, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device manufacturing method and apparatus, and more particularly, to a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor device manufacturing apparatus.
종래, 반도체 소자를 밀봉 시트에 의해 밀봉함으로써, 반도체 밀봉 장치를 제조하는 것이 알려져 있다.BACKGROUND ART Conventionally, it has been known to manufacture a semiconductor sealing apparatus by sealing a semiconductor element with a sealing sheet.
예를 들어, 필름 캐리어에 실장된 1개의 집적 회로 칩에 대하여 에폭시 수지를 함유하는 프리프레그를 부착한 후, 그것을 금형에 투입하고, 압축 성형함으로써 수지 밀봉형 반도체 장치를 제작하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 1 참조.).For example, a method has been proposed in which a resin-sealed semiconductor device is manufactured by attaching a prepreg containing an epoxy resin to one integrated circuit chip mounted on a film carrier, putting the prepreg into a mold, and compression molding (See, for example,
최근 들어, 용도 및 목적에 따라, 복수의 반도체 소자를 밀봉한 반도체 장치가 요구되고 있다. 그러나, 특허문헌 1의 방법은, 1개의 집적 회로 칩을 밀봉하여 1개의 집적 회로 칩을 갖는 수지 밀봉형 반도체 장치를 얻는 것으로서, 상기 요구를 충족할 수 없다.2. Description of the Related Art In recent years, a semiconductor device in which a plurality of semiconductor elements are sealed has been required depending on applications and purposes. However, the method of
본 발명의 목적은, 복수의 반도체 소자를 일괄하여 밀봉할 수 있고, 반도체 장치를 간단하게 제조할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a manufacturing method and a manufacturing apparatus for a semiconductor device that can seal a plurality of semiconductor elements collectively and can easily manufacture a semiconductor device.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 밀봉 시트에 의해 반도체 소자를 밀봉함으로써 얻어지는 반도체 장치의 제조 방법이며, 상기 밀봉 시트 및 복수의 상기 반도체 소자를 준비하는 준비 공정, 상기 준비 공정 후에 상기 밀봉 시트에 의해 복수의 상기 반도체 소자를 일괄하여 밀봉하는 밀봉 공정, 및 상기 밀봉 공정 후에 상기 밀봉 시트 및 복수의 상기 반도체 소자를 회수하는 회수 공정을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.A manufacturing method of a semiconductor device of the present invention is a manufacturing method of a semiconductor device obtained by sealing a semiconductor element with a sealing sheet, comprising the steps of: preparing the sealing sheet and a plurality of the semiconductor elements; A sealing step of collectively sealing a plurality of the semiconductor elements by the sealing step, and a collecting step of collecting the sealing sheet and the plurality of semiconductor elements after the sealing step.
이 제조 방법에 의하면, 밀봉 시트 및 복수의 반도체 소자를 준비하고, 그 후, 밀봉 시트에 의해 복수의 반도체 소자를 일괄하여 밀봉하고, 그 후, 밀봉 시트 및 복수의 반도체 소자를 회수하므로, 복수의 반도체 소자를 일괄하여 밀봉하여, 그들을 구비하는 반도체 장치를 간단하게 제조할 수 있다. 그로 인해, 복수의 반도체 소자가 밀봉 시트에 의해 밀봉된 반도체 장치를, 여러 목적 및 용도에 따라 사용할 수 있다.According to this manufacturing method, the sealing sheet and the plurality of semiconductor elements are prepared, and then the plurality of semiconductor elements are collectively sealed by the sealing sheet, and thereafter, the sealing sheet and the plurality of semiconductor elements are recovered. The semiconductor device can be collectively sealed and the semiconductor device having the semiconductor device can be simply manufactured. As a result, a semiconductor device in which a plurality of semiconductor elements are sealed by a sealing sheet can be used for various purposes and applications.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 상기 밀봉 시트의 잉여 부분을 제거하는 제거 공정을 더 구비하는 것이 적합하다.Further, in the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, it is preferable to further include a removing step of removing an excess portion of the sealing sheet.
이 제조 방법에 의하면, 밀봉 시트의 잉여 부분을 제거하므로, 원하는 형상의 반도체 장치를 얻을 수 있다.According to this manufacturing method, since the surplus portion of the sealing sheet is removed, a semiconductor device having a desired shape can be obtained.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에서는, 상기 준비 공정은, 상기 밀봉 시트를 복수의 상기 반도체 소자에 대하여 위치 결정하는 위치 결정 공정을 구비하는 것이 적합하다.In the semiconductor device manufacturing method of the present invention, it is preferable that the preparing step includes a positioning step of positioning the sealing sheet with respect to the plurality of semiconductor elements.
이 제조 방법에 의하면, 복수의 반도체 소자에 대하여 위치 결정하는 위치 결정 공정에 의해, 복수의 반도체 소자를 우수한 정밀도로 밀봉할 수 있다. 그로 인해, 우수한 정밀도로 반도체 장치를 제조할 수 있다.According to this manufacturing method, a plurality of semiconductor elements can be sealed with excellent precision by a positioning step of positioning the semiconductor elements. As a result, the semiconductor device can be manufactured with high accuracy.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에서는, 상기 회수 공정은, 상기 밀봉 시트의 온도를 제어하는 밀봉 시트 온도 제어 공정을 구비하는 것이 적합하다.In the semiconductor device manufacturing method of the present invention, it is preferable that the recovery step includes a sealing sheet temperature control step of controlling the temperature of the sealing sheet.
이 제조 방법에 의하면, 밀봉 시트의 온도를 제어하는 밀봉 시트 온도 제어 공정에 의해, 복수의 반도체 소자를 밀봉한 후의 밀봉 시트의 변형을 유효하게 방지할 수 있다. 그로 인해, 원하는 형상의 반도체 장치를 제조할 수 있다.According to this manufacturing method, deformation of the sealing sheet after sealing a plurality of semiconductor elements can be effectively prevented by a sealing sheet temperature control step of controlling the temperature of the sealing sheet. As a result, a semiconductor device having a desired shape can be manufactured.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에서는, 상기 밀봉 공정은, 상기 밀봉 시트를 미리 가열하는 예비 가열 공정, 및 상기 예비 가열 공정 후에 상기 밀봉 시트를 가열하여 복수의 상기 반도체 소자를 밀봉하는 본 가열 공정을 구비하는 것이 적합하다.In the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, the sealing step may include a preliminary heating step of preliminarily heating the sealing sheet, and a main heating step of sealing the plurality of semiconductor elements by heating the sealing sheet after the preliminary heating step It is preferable to have a process.
이 제조 방법에 의하면, 예비 가열 공정에 의해, 밀봉 시트를 유연하게 하고, 그 후, 본 가열 공정에 의해 반도체 소자를 확실하게 밀봉할 수 있다. 그로 인해, 밀봉 시트를 원하는 형상으로 용이하게 정형하면서, 이러한 밀봉 시트에 의해 반도체 소자를 밀봉할 수 있다. 그 결과, 원하는 형상의 반도체 장치를 제조할 수 있다.According to this manufacturing method, the sealing sheet can be made flexible by the preheating step, and then the semiconductor element can be reliably sealed by the main heating step. Thereby, the semiconductor element can be sealed by such a sealing sheet while easily shaping the sealing sheet into a desired shape. As a result, a semiconductor device having a desired shape can be manufactured.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에서는, 상기 준비 공정은, 상기 밀봉 시트의 분위기 온도 및/또는 습도를 제어하는 분위기 온도/습도 제어 공정을 구비하는 것이 적합하다.In the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, it is preferable that the preparing step includes an atmospheric temperature / humidity control step of controlling the atmospheric temperature and / or humidity of the sealing sheet.
이 제조 방법에 의하면, 밀봉 시트의 분위기 온도 및/또는 습도를 제어하므로, 반도체 소자를 밀봉하기 전의 밀봉 시트를 일정한 품질로 유지하면서, 보관할 수 있다. 그로 인해, 밀봉 시트에 의한 반도체 소자의 밀봉 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to this manufacturing method, since the atmosphere temperature and / or the humidity of the sealing sheet are controlled, the sealing sheet can be stored while keeping the sealing sheet at a constant quality before sealing the semiconductor element. As a result, the sealing accuracy of the semiconductor element by the sealing sheet can be improved.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 상기 준비 공정에 있어서, 상기 밀봉 시트의 잉여 부분을 제거함과 함께, 상기 밀봉 시트의 외형 형상을 정형하는 정형 공정을 구비하는 것이 적합하다.It is preferable that the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention further comprises a shaping step of removing the surplus portion of the sealing sheet and shaping the outer shape of the sealing sheet in the preparing step.
이 제조 방법에 의하면, 준비 공정에 있어서, 밀봉 시트의 잉여 부분을 제거함과 함께, 밀봉 시트의 외형 형상을 정형하므로, 정형된 밀봉 시트에 의해 우수한 취급성으로 반도체 소자를 밀봉할 수 있다.According to this manufacturing method, in the preparation step, the surplus portion of the sealing sheet is removed, and the outer shape of the sealing sheet is shaped, so that the semiconductor element can be sealed with excellent handling property by the shaped sealing sheet.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에서는, 상기 밀봉 시트가 보호 부재에 의해 보호되고 있고, 상기 준비 공정 및/또는 상기 회수 공정은, 상기 보호 부재를 상기 밀봉 시트로부터 박리하는 박리 공정을 구비하는 것이 적합하다.In the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, the sealing sheet is protected by a protective member, and the preparing step and / or the collecting step include a peeling step of peeling the protective member from the sealing sheet Is suitable.
이 제조 방법에 의하면, 밀봉 시트를 보호 부재에 의해 보호할 수 있으면서, 박리 공정에 의해, 반도체 소자의 밀봉에 불필요한 보호 부재를 밀봉 시트로부터 박리할 수 있다.According to this manufacturing method, the sealing sheet can be protected by the protective member, and the protective member unnecessary for sealing the semiconductor element can be separated from the sealing sheet by the peeling step.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 장치는, 밀봉 시트에 의해 반도체 소자를 밀봉하는 반도체 장치의 제조 장치이며, 상기 밀봉 시트 및 복수의 상기 반도체 소자를 준비하는 준비 장치, 준비된 상기 밀봉 시트에 의해 복수의 상기 반도체 소자를 일괄하여 밀봉하는 밀봉 장치, 및 상기 밀봉 시트에 의해 밀봉된 복수의 상기 반도체 소자를 회수하는 회수 장치를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.A semiconductor device manufacturing apparatus of the present invention is an apparatus for manufacturing a semiconductor device that seals a semiconductor element with a sealing sheet, the apparatus comprising: a preparation device for preparing the sealing sheet and a plurality of the semiconductor elements; And a collecting device for collecting a plurality of the semiconductor elements sealed by the sealing sheet.
이 제조 장치에 의하면, 준비 장치에 의해, 밀봉 시트 및 복수의 반도체 소자를 준비하고, 밀봉 장치에 의해, 준비된 밀봉 시트에 의해 복수의 반도체 소자를 일괄하여 밀봉하고, 회수 장치에 의해, 밀봉 시트에 의해 밀봉된 복수의 반도체 소자를 회수하므로, 복수의 반도체 소자를 일괄하여 밀봉하여, 그들을 구비하는 반도체 장치를 간단하게 제조할 수 있다. 그로 인해, 복수의 반도체 소자가 밀봉 시트에 의해 밀봉된 반도체 장치를, 여러가지 목적 및 용도에 따라 사용할 수 있다.According to this manufacturing apparatus, a sealing sheet and a plurality of semiconductor elements are prepared by a preparation apparatus, and a plurality of semiconductor elements are collectively sealed by a sealing sheet prepared by a sealing apparatus, A plurality of semiconductor elements sealed by the plurality of semiconductor elements can be collected, and a plurality of semiconductor elements can be collectively sealed to easily manufacture a semiconductor device including them. Therefore, a semiconductor device in which a plurality of semiconductor elements are sealed by a sealing sheet can be used for various purposes and uses.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 장치는, 상기 밀봉 시트의 잉여 부분을 제거하는 제거 장치를 더 구비하는 것이 적합하다.In addition, the apparatus for manufacturing a semiconductor device of the present invention preferably further includes a removing device for removing an excess portion of the sealing sheet.
이 제조 장치에 의하면, 제거 장치에 의해, 밀봉 시트의 잉여 부분을 제거할 수 있으므로, 원하는 형상의 반도체 장치를 얻을 수 있다.According to this manufacturing apparatus, since the surplus portion of the sealing sheet can be removed by the removing apparatus, a semiconductor device having a desired shape can be obtained.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 장치에서는, 상기 준비 장치는, 상기 밀봉 시트를 복수의 상기 반도체 소자에 대하여 위치 결정하는 위치 결정 장치를 구비하는 것이 적합하다.In the semiconductor device manufacturing apparatus of the present invention, it is preferable that the preparation apparatus includes a positioning device for positioning the sealing sheet with respect to the plurality of semiconductor elements.
이 제조 장치에 의하면, 위치 결정 장치에 의해, 밀봉 시트를 복수의 반도체 소자에 대하여 위치 결정함으로써, 복수의 반도체 소자를 우수한 정밀도로 밀봉할 수 있다. 그로 인해, 우수한 정밀도로 반도체 장치를 제조할 수 있다.According to this manufacturing apparatus, by positioning the sealing sheet with respect to a plurality of semiconductor elements by the positioning apparatus, it is possible to seal the plurality of semiconductor elements with excellent precision. As a result, the semiconductor device can be manufactured with high accuracy.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 장치에서는, 상기 회수 장치는, 상기 밀봉 시트의 온도를 제어하는 밀봉 시트 온도 제어 장치를 구비하는 것이 적합하다.In the semiconductor device manufacturing apparatus of the present invention, it is preferable that the recovery apparatus is provided with a sealing sheet temperature control device for controlling the temperature of the sealing sheet.
이 제조 장치에 의하면, 밀봉 시트 온도 제어 장치에 의해, 밀봉 시트의 온도를 제어함으로써, 복수의 반도체 소자를 밀봉한 후의 밀봉 시트의 변형을 유효하게 방지할 수 있다. 그로 인해, 원하는 형상의 반도체 장치를 제조할 수 있다.According to this manufacturing apparatus, by controlling the temperature of the sealing sheet by the sealing sheet temperature control device, deformation of the sealing sheet after sealing a plurality of semiconductor elements can be effectively prevented. As a result, a semiconductor device having a desired shape can be manufactured.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 장치에서는, 상기 밀봉 장치는, 상기 밀봉 시트를 미리 가열하는 예비 가열 장치, 및 예비 가열된 상기 밀봉 시트를 가열하여 복수의 상기 반도체 소자를 밀봉하는 본 가열 장치를 구비하는 것이 적합하다.Further, in the semiconductor device manufacturing apparatus of the present invention, the sealing apparatus may include a preheating apparatus for heating the sealing sheet in advance, and a main heating apparatus for sealing the plurality of semiconductor elements by heating the preheated sealing sheet .
이 제조 장치에 의하면, 예비 가열 장치에 의해, 밀봉 시트를 유연하고, 그 후, 본 가열 장치에 의해, 반도체 소자를 확실하게 밀봉할 수 있다. 그로 인해, 밀봉 시트를 원하는 형상으로 용이하게 정형하면서, 이러한 밀봉 시트에 의해 반도체 소자를 밀봉할 수 있다. 그 결과, 원하는 형상의 반도체 장치를 제조할 수 있다.According to this manufacturing apparatus, the sealing sheet is made flexible by the preheating apparatus, and thereafter, the semiconductor element can be reliably sealed by the present heating apparatus. Thereby, the semiconductor element can be sealed by such a sealing sheet while easily shaping the sealing sheet into a desired shape. As a result, a semiconductor device having a desired shape can be manufactured.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 장치에서는, 상기 준비 장치는, 상기 밀봉 시트의 분위기 온도 및/또는 습도를 제어하는 분위기 온도/습도 제어 장치를 구비하는 것이 적합하다.In the apparatus for manufacturing a semiconductor device of the present invention, it is preferable that the preparation apparatus includes an atmosphere temperature / humidity control device for controlling the atmosphere temperature and / or humidity of the sealing sheet.
이 제조 장치에 의하면, 분위기 온도/습도 제어 장치에 의해, 밀봉 시트의 분위기 온도 및/또는 습도를 제어할 수 있으므로, 반도체 소자를 밀봉하기 전의 밀봉 시트를 일정한 품질로 유지하면서 보관할 수 있다. 그로 인해, 밀봉 시트에 의한 반도체 소자의 밀봉 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to this manufacturing apparatus, since the atmosphere temperature and / or humidity of the sealing sheet can be controlled by the atmosphere temperature / humidity control apparatus, the sealing sheet before the sealing of the semiconductor element can be stored while being maintained at a constant quality. As a result, the sealing accuracy of the semiconductor element by the sealing sheet can be improved.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 장치에서는, 상기 준비 장치는, 상기 밀봉 시트의 잉여 부분을 제거함과 함께, 상기 밀봉 시트의 외형 형상을 정형하는 정형 장치를 구비하는 것이 적합하다.In the apparatus for manufacturing a semiconductor device of the present invention, it is preferable that the preparation apparatus includes a shaping apparatus for removing an excess portion of the sealing sheet and shaping the outer shape of the sealing sheet.
이 제조 장치에 의하면, 준비 장치에 있어서, 정형 장치에 의해, 밀봉 시트의 잉여 부분을 제거하고, 밀봉 시트의 외형 형상을 정형할 수 있으므로, 정형된 밀봉 시트에 의해 우수한 취급성으로 반도체 소자를 밀봉할 수 있다.According to this manufacturing apparatus, in the preparation apparatus, since the surplus portion of the sealing sheet can be removed by the shaping apparatus and the outer shape of the sealing sheet can be shaped, the semiconductor element can be sealed can do.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 장치에서는, 상기 밀봉 시트가 보호 부재에 의해 보호되고 있고, 상기 준비 장치 및/또는 상기 회수 장치는, 상기 보호 부재를 상기 밀봉 시트로부터 박리하는 박리 장치를 구비하는 것이 적합하다.In the apparatus for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the sealing sheet is protected by a protecting member, and the preparing apparatus and / or the collecting apparatus includes a peeling apparatus for peeling the protective member from the sealing sheet Is suitable.
이 제조 장치에 의하면, 밀봉 시트를 보호 부재에 의해 보호할 수 있으면서, 박리 장치에 있어서, 반도체 소자의 밀봉에 불필요한 보호 부재를 밀봉 시트로부터 박리할 수 있다.According to this manufacturing apparatus, the sealing sheet can be protected by the protective member, and the protective member unnecessary for sealing the semiconductor element in the peeling apparatus can be peeled from the sealing sheet.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치에 의하면, 복수의 반도체 소자를 일괄하여 밀봉하여, 그들을 구비하는 반도체 장치를 간단하게 제조하고, 여러 목적 및 용도에 따라 사용할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the method and apparatus for manufacturing a semiconductor device of the present invention, a plurality of semiconductor elements can be collectively sealed and a semiconductor device having them can be simply manufactured and used for various purposes and applications.
도 1은 본 발명의 반도체 장치의 제조 장치의 일 실시 형태의 개략 평면도를 도시한다.
도 2는 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 일 실시 형태의 각 제조 공정을 도시하는 단면도로서, (a)는 송출 장치에 의해 밀봉 시트를 송출하는 공정, (b)는 제1 제거/정형 공정, (c)는 제1 박리 공정, (d)는 밀봉 시트를 복수의 반도체 소자의 상면에 적재하는 공정을 도시한다.
도 3은 도 2에 이어서, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 일 실시 형태의 각 제조 공정을 도시하는 단면도로서, (e)는 밀봉 공정, (f)는 제2 박리 공정, (g)는 제2 제거/정형 공정, (h)는 반도체 장치를 회수하는 공정을 도시한다.
도 4는 긴 밀봉 시트를 송출 장치로부터 송출하는 공정, 및 제1 제거 장치에 의해 밀봉 시트를 원 형상으로 절단하는 공정을 설명하는 사시도이다.Fig. 1 shows a schematic plan view of an embodiment of an apparatus for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
Fig. 2 is a cross-sectional view showing each manufacturing step in the method of manufacturing the semiconductor device of the present invention, in which (a) is a step of feeding a sealing sheet by a delivery device, (b) (c) shows a first peeling step, and (d) shows a step of stacking a sealing sheet on the upper surface of a plurality of semiconductor elements.
(E) is a sealing step, (f) is a second peeling step, (g) is a second peeling step, and FIG. 3 A second removing / shaping step, and (h) shows a process of recovering the semiconductor device.
4 is a perspective view for explaining a step of feeding a long sealing sheet from the delivery device and a step of cutting the sealing sheet into a circular shape by the first removal device.
도 1에 있어서, 지면 좌우 방향을 전후 방향(제1 방향), 지면 상하 방향을 좌우 방향(제2 방향), 지면 깊이 방향을 상하 방향(제3 방향)이라 한다. 도 2 내지 도 4의 방향은, 도 1에 있어서 화살표로 나타내어지는 방향에 준거한다. 또한, 전방측은, 후술하는 밀봉 시트의 반송 방향 하류측이며, 후방측은, 밀봉 시트의 반송 방향 상류측이다.1, the left and right direction of the paper is referred to as a forward / backward direction (first direction), the paper top / bottom direction is referred to as a left / right direction (second direction), and the paper surface depth direction is referred to as a top / The directions of Figs. 2 to 4 correspond to the directions indicated by arrows in Fig. The front side is the downstream side in the conveying direction of the sealing sheet described later, and the rear side is the upstream side in the conveying direction of the sealing sheet.
도 1에 도시한 바와 같이, 반도체 장치의 제조 장치(10)(이하, 간단히 제조 장치(10)라고 하는 경우가 있음)는 밀봉 시트(4)에 의해 반도체 소자(2)를 밀봉하는 반도체 장치(1)(도 3의 (h) 참조)를 제조하기 위한 제조 장치이다.1, a semiconductor device manufacturing apparatus 10 (hereinafter, simply referred to as a manufacturing apparatus 10) may be a semiconductor device (hereinafter, simply referred to as a manufacturing apparatus 10) for sealing a
이 반도체 장치의 제조 장치(10)는 준비 장치(11)와, 준비 장치(11)의 전방측에 배치되는 밀봉 장치(12)와, 밀봉 장치(12)의 전방측에 배치되는 회수 장치(13)를 일체적으로 구비하고 있다. 제조 장치(10)에서는, 준비 장치(11), 밀봉 장치(12) 및 회수 장치(13)가 전후 방향으로 정렬 배치되어 있고, 준비 장치(11), 밀봉 장치(12) 및 회수 장치(13)의 상기 배치에 의해, 제조 장치(10)는 평면에서 보아, 전후 방향으로 연장하도록 구성되어 있다. 이 제조 장치(10)에서는, 밀봉 시트(4)가 준비 장치(11), 밀봉 장치(12) 및 회수 장치(13)에 있어서, 후방으로부터 전방으로 향하여 반송되면서, 복수의 반도체 소자(2)를 밀봉하고, 회수된다.This semiconductor
준비 장치(11)는 제조 장치(10)의 후부에 배치되어 있다. 준비 장치(11)는 송출 장치(8)와, 송출 장치(8)의 전방측에 배치되는 제거 장치로서의 제1 제거 장치(17)와, 제1 제거 장치(17)의 전방측에 배치되는 박리 장치로서의 제1 박리 장치(49)와, 제1 박리 장치(49)의 전방측에 배치되는 적재 장치(51)와, 적재 장치(51)의 좌측(반송 방향에 직교하는 방향의 일방측)에 배치되는 기판 준비 장치(24)를 구비하고 있다. 송출 장치(8), 제1 제거 장치(17), 제1 박리 장치(49), 적재 장치(51) 및 기판 준비 장치(24)의 상기 배치에 의해, 준비 장치(11)는 평면에서 보아 대략 L자 형상으로 설치되어 있다.The
송출 장치(8)는 도 2의 (a) 및 도 4에 도시한 바와 같이, 축이 좌우 방향을 따르도록 배치되는 송출 롤(29)을 구비한다. 송출 장치(8)에서는, 송출 롤(29)에 후술하는 긴 밀봉 시트(4)가 권회되어 있고, 이에 의해, 송출 장치(8)는 밀봉 시트(4)를 긴 상태에서 전방을 향하여 송출하도록 구성되어 있다. 또한, 송출 롤(29)은 지지층(43)이 하측을 향하고, 제1 박리층(33)이 상측을 향하여 밀봉 시트(4)를 송출하도록 구성되어 있다.As shown in Fig. 2 (a) and Fig. 4, the
제1 제거 장치(17)는 밀봉 시트(4)의 마진 부분(36)(후술)을 제거하도록 구성되어 있고, 구체적으로는, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 정형 장치로서의 프리커터(44)와, 마진 부분 박리 장치(도시하지 않음)와, 제1 반송 장치(14)를 구비한다.The first removing
프리커터(44)로서는, 예를 들어, 톰슨 칼날 등을 들 수 있다. 프리커터(44)는, 밀봉 시트(4) 중, 밀봉층(31) 및 박리층(32)을 두께 방향으로 절단하는 한편, 지지층(43)을 두께 방향으로 절단하지 않도록 구성되어 있다.The pre-cutter 44 may be, for example, a Thomson blade. The pre-cutter 44 is configured to cut the
마진 부분 박리 장치(도시하지 않음)는 프리커터(44)에 의해 절단되어, 복수의 반도체 소자(2)의 밀봉에 제공되지 않는 잉여 부분으로서의 마진 부분(36)을 지지층(43)으로부터 박리하는 기구이며, 예를 들어, 공지된 박리 기구를 들 수 있다.The marginal portion peeling device (not shown) is cut by the pre-cutter 44 to form a
또한, 프리커터(44) 및 마진 부분 박리 장치는, 복수의 반도체 소자(2)의 밀봉에 제공되는 밀봉 부분(55)을 밀봉 시트(4)의 마진 부분(36)으로부터 분리하여 얻을 수 있기 때문에, 밀봉 시트(4)의 마진 부분(36)을 제거하는 제거 장치를 구성한다.Since the pre-cutter 44 and the margin portion peeling apparatus can be obtained by separating the sealing
제1 반송 장치(14)는 레일(38)과, 레일(38)에 지지되는 아암(37)과, 아암(37)의 하단부에 설치되는 흡착 장치(39)와, 흡착 장치(39)에 내장되는 밀봉 시트 온도 제어 장치로서의 반송 히터(16)를 구비한다.The
레일(38)은 도 1에 도시한 바와 같이, 제조 장치(10)의 상부에 있어서 전후 방향으로 연장하도록 설치되어 있고, 예를 들어, 준비 장치(11)와, 밀봉 장치(12)와, 회수 장치(13)에 연속하여 설치되고, 보다 상세하게는, 준비 장치(11)의 제1 제거 장치(17), 제1 박리 장치(49) 및 적재 장치(51)와, 밀봉 장치(12)와, 회수 장치(13)의 제2 박리 장치(50)에 연속하여 설치되어 있다. 레일(38)은 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 아암(37)을 전후 방향으로 이동 가능하게 지지하도록 구성되어 있다. 보다 상세하게는, 레일(38)은 도 1이 참조되는 바와 같이, 아암(37)을 준비 장치(11)와 밀봉 장치(12)와 회수 장치(13)에 이동 가능하게 지지하도록 구성되어 있다.1, the
아암(37)은 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 상하 방향으로 연장되도록 형성되어 있고, 그 상단부가 레일(38)에 지지되어 있다. 또한, 아암(37)은 상하 방향으로 신축 가능하도록 구성되어 있고, 구체적으로는, 하단부가 하방을 향하여 이동, 즉, 신장하고, 또한, 상방을 향하여 이동, 즉, 단축하도록 구성되어 있다. 또한, 아암(37)은 그 하단부를 좌우 방향으로 조금 이동시킬 수 있도록 구성되어 있다.As shown in Figs. 2 and 3, the
흡착 장치(39)는 흡인 작동에 의해, 밀봉 시트(4)를 흡착할 수 있고, 또한, 흡인 작동의 정지에 의해, 밀봉 시트(4)를 해방하도록 구성되어 있다. 구체적으로는, 흡착 장치(39)는 전후 방향 및 좌우 방향으로 연장되는 대략 평판형으로 형성되어 있고, 평면에서 보아, 낱장의 밀봉 시트(4)와 동일 치수 또는 그것보다 약간 큰 치수로 형성되어 있다.The
반송 히터(16)는 흡착 장치(39)에 내장되어 있고 또한, 반송 히터(16)의 가열 온도는, 각 제조 장치, 구체적으로는, 제1 제거 장치(17), 제1 박리 장치(49), 적재 장치(51), 밀봉 장치(12) 및 제2 박리 장치(50)의 각각의 원하는 온도에 대응하는 각 공정에 따라서 변경하여 설정된다.The conveying
또한, 제1 제거 장치(17)에는, 지지층(43)을 인취하기 위한 도시하지 않은 인취 롤이 설치되어 있다.Further, the first removing
제1 박리 장치(49)에는, 도 1에 도시한 바와 같이, 제1 제거 장치(17)에 연속하는 제1 반송 장치(14)가 설치되고, 또한, 제1 박리 장치(49)는 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 제1 반송 장치(14)의 하방에 설치되는 박리 기구를 구비하고 있다. 박리 기구는, 제2 박리층(34)을 밀봉층(31)으로부터 박리할 수 있도록 구성되어 있고, 예를 들어, 점착 테이프(52) 및 그것이 권회되는 롤(53)을 구비하는 박리 기구, 예를 들어, 공지된 박리 기구를 들 수 있다.1, the
적재 장치(51)에는, 도 1에 도시한 바와 같이, 제1 박리 장치(49)에 연속하는 제1 반송 장치(14)가 설치되고, 또한, 적재 장치(51)는 도 2의 (d)에 도시한 바와 같이, 예비 가열 장치로서의 적재 히터(61)를 내장한 적재판(56)과, 도시하지 않은 위치 결정 장치를 구비한다.As shown in Fig. 1, the
적재판(56)은 면 방향으로 연장되는 대략 평판형으로 형성되어 있다. 이에 의해, 적재 장치(51)는 기판 준비 장치(24)(도 1 참조)로부터 공급되는 기판(3)을 수납 가능하도록 구성된다. 또한, 적재판(56)에는, 적재 히터(61)가 내장되기 때문에 적재판(56)은 기판(3)에 적재되는 밀봉 시트(4)를 예비 가열 가능하도록 구성된다.The
도시하지 않은 위치 결정 장치는, 예를 들어, 밀봉 시트(4)의, 기판(3)에 실장되는 복수의 반도체 소자(2)에 대한 위치를 검출하기 위한 카메라와, 카메라에 의해 검출된 밀봉 시트(4)의 위치에 기초하여, 아암(37)(의 하단부)을 전후 방향 및 좌우 방향의 위치를 조정하는 제어 장치(CPU 등)를 구비한다.The positioning device (not shown) includes, for example, a camera for detecting the position of the sealing
또한, 적재 장치(51) 및 다음에 설명하는 밀봉 장치(12)에는, 적재판(56)에 적재된 기판(3)을 적재 장치(51)로부터 밀봉 장치(12)에 반송하기 위한 도시하지 않은 제2 반송 장치가 설치되어 있다. 또한, 적재 장치(51)는 후술하는 밀봉 공정의 일부(예비 가열 공정)를 실시하기 위한 장치를 구성한다.The
기판 준비 장치(24)는 도 2의 (d)에 도시하는 복수의 반도체 소자(2)가 실장된 낱장의 기판(3)을 준비 가능하며, 이러한 기판(3)을 적재 장치(51)에 공급(송출함)하도록 구성되어 있다.The
또한, 준비 장치(11)는 분위기 온도/습도 제어 장치(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 분위기 온도/습도 제어 장치는, 준비 장치(11)에서 준비되는 밀봉 시트(4)의 분위기 온도 및/또는 습도를 제어하는 장치이며, 예를 들어, 공지된 분위기 온도/습도 제어 장치를 들 수 있다. 또한, 준비 장치(11)의 주위에는, 도시하지 않은 케이스가 설치되어 있고, 케이스에 의해 준비 장치(11)가 피복되고, 이에 의해, 준비 장치(11)와, 외기가 구획된다. 케이스에 의해, 외기가 준비 장치(11)에 유입하는 것을 방지하여, 케이스 내의 온도 및/또는 습도를 보다 확실하게 제어한다.The
도 1에 도시한 바와 같이, 밀봉 장치(12)에는, 준비 장치(11)에 연속하는 제1 반송 장치(14)가 설치되어 있고, 또한, 밀봉 장치(12)는 도 3의 (e)에 도시한 바와 같이, 본 가열 장치로서의 열 프레스 장치(26)를 구비한다. 열 프레스 장치(26)는 서로 상하 방향으로 간격을 두고 대향 배치되는 2개의 프레스 부재로서의 제1 프레스판(27) 및 제2 프레스판(28)을 구비한다.As shown in Fig. 1, the sealing
제1 프레스판(27)은 전후 방향 및 좌우 방향으로 연장되는 평판 형상을 이루고, 열 프레스 장치(26)의 하부에 배치되어 있다. 제2 프레스판(28)은 제1 프레스판(27)의 상측에 간격을 두고 대향 배치되어 있다. 또한, 제2 프레스판(28)은 제1 프레스판(27)에 대하여 실질적으로 평행해지도록 배치된다.The
제2 프레스판(28)은 제1 프레스판(27)과 동일 형상을 이루고, 제1 프레스판(27)에 대하여 상대적으로 상하 이동 가능하도록 구성되어 있고, 구체적으로는, 제2 프레스판(28)은 제1 프레스판(27) 및 제2 프레스판(28)의 사이에 끼워지는 밀봉 시트(4)에 대하여 가압 가능하도록 구성되어 있다.The
또한, 제1 프레스판(27) 및 제2 프레스판(28) 각각에는, 도시하지 않은 히터가 내장되어 있다.A heater (not shown) is incorporated in each of the
밀봉 장치(12)는 상기한 열 프레스 장치(26)를 구비하므로, 준비된 밀봉 시트(4)에 의해 복수의 반도체 소자(2)를 일괄하여 밀봉하도록 구성되어 있다.Since the sealing
회수 장치(13)는 도 1에 도시한 바와 같이, 밀봉 장치(12)의 전방측에 접속되는 박리 장치로서의 제2 박리 장치(50)와, 제2 박리 장치(50)의 전방측에 배치되는 제거 장치로서의 제2 제거 장치(18)와, 제2 제거 장치(18)의 전방측에 배치되는 반도체 장치 회수 장치(40)를 구비하고 있다. 제2 박리 장치(50), 제2 제거 장치(18) 및 반도체 장치 회수 장치(40)가 상기한 배치에 의해, 회수 장치(13)는 평면에서 보아, 밀봉 장치(12)로부터 전방으로 연장하는 평면에서 보아 대략 직선 형상으로 설치되어 있다.1, the
도 3의 (f)에 도시한 바와 같이, 제2 박리 장치(50)는 박리 기구 및 지지판(54)을 구비한다.As shown in FIG. 3 (f), the
박리 기구는, 제1 박리층(33)을 밀봉층(31)으로부터 박리할 수 있도록 구성되어 있고, 예를 들어, 상기한 제1 박리 장치(49)의 박리 기구와 동일한 박리 기구(구체적으로는, 점착 테이프(52) 및 롤(53)을 구비하는 박리 기구)를 들 수 있다.The peeling mechanism is configured to allow the
지지판(54)은 제2 박리 장치(50)의 하부, 구체적으로는, 박리 기구의 하측에 배치되어 있고, 또한, 이 지지판(54)에는, 밀봉 시트 온도 제어 장치로서의 지지 히터(62)가 내장되어 있다. 제2 박리 장치(50)는 지지 히터(62)에 의해, 지지판(54)의 상면에 적재되는 반도체 장치(1)를 가열 가능하도록 구성되어 있다.The
또한, 제2 박리 장치(50)에는, 도 3의 (f)의 가상선으로 나타낸 바와 같이, 준비 장치(11) 및 밀봉 장치(12)에 연속하는 제1 반송 장치(14)가 설치되어 있다.3 (f), the
도 3의 (g)에 도시한 바와 같이, 제2 제거 장치(18)는 반도체 장치(1)를 수용하기 위한 케이스(22)와, 제1 절단 부재로서의 절삭 부재(45)를 구비하고 있다.3 (g), the second removing
케이스(22)는 상방이 개방되는 바닥이 있는 상자 형상으로 형성되어 있고, 저벽과, 저벽의 둘레단부로부터 상방을 향하여 연장하는 4개의 측벽을 일체적으로 구비하고 있다. 또한, 케이스(22)의 각 측벽에는, 그 두께 방향을 관통하는 흡인구(23)가 형성되어 있고, 흡인구(23)에는, 도시하지 않은 흡인 장치가 접속되어 있다.The
또한, 케이스(22)의 상부에는, 반도체 장치(1)에 대하여 기체를 분사할 수 있는 분사구(도시하지 않음)가 설치되어 있다.An injection port (not shown) capable of injecting a gas to the
절삭 부재(45)는 상하 방향으로 연장되고, 전후 방향 및 좌우 방향으로 자유자재로 이동할 수 있는 주축과, 주축의 하단부에 설치되고, 주축에 대하여 회전 가능하게 형성되는 회전날을 구비한다. 구체적으로는, 절삭 부재(45)로서는, 회전날로서 플레인 밀링커터를 구비하는 밀링머신(바람직하게는 수평 밀링머신 등) 등을 들 수 있다. 절삭 부재(45)는 주축이 반도체 장치(1)에 대하여 주회 이동하면서, 밀봉 시트(4)의 잉여 부분(35)(후술)을 제거(절단)하도록 구성되어 있다.The cutting
반도체 장치 회수 장치(40)에는, 도시하지 않은 카세트가 반도체 장치 회수 장치(40)에 대하여 착탈 가능하게 설치되어 있고, 이에 의해, 반도체 장치 회수 장치(40)는 얻어진 반도체 장치(1)가 카세트에 수용되어서, 반도체 장치(1)가 카세트마다 회수되도록 구성되어 있다.A cassette (not shown) is detachably mounted on the semiconductor
이에 의해, 반도체 장치 회수 장치(40)는 밀봉 시트(4)에 의해 밀봉된 복수의 반도체 소자(2)를 회수하도록 구성되어 있다.Thereby, the semiconductor
또한, 회수 장치(13)에는, 도시하지 않은 제3 반송 장치가 설치되어 있다. 구체적으로는, 제3 반송 장치는, 회수 장치(13)에 있어서의 제2 박리 장치(50), 제2 제거 장치(18) 및 반도체 장치 회수 장치(40)에 걸쳐 배치되어 있다. 제3 반송 장치로서는, 예를 들어, 공지된 반송 장치를 들 수 있고, 예를 들어, 제2 박리 장치(50)에 의해 제1 박리층(33)이 박리된 반도체 장치(1)를 반도체 장치(1)의 하측으로부터 지지하면서(들어올리면서) 전방측으로 반송하는 반송 장치 등을 들 수 있다.Further, the
이어서, 이 제조 장치(10)를 사용하여, 반도체 장치(1)를 제조하는 제조 방법에 대하여 설명한다.Next, a manufacturing method for manufacturing the
이 방법은, 밀봉 시트(4)에 의해 반도체 소자(2)를 밀봉함으로써 반도체 장치(1)를 얻는 방법이며, 구체적으로는, 밀봉 시트(4) 및 복수의 반도체 소자(2)를 준비하는 준비 공정, 준비 공정 후에 밀봉 시트(4)에 의해 복수의 반도체 소자(2)를 일괄하여 밀봉하는 밀봉 공정, 및 밀봉 공정 후에 밀봉 시트(4) 및 복수의 반도체 소자(2)를 회수하는 회수 공정을 구비한다.This method is a method for obtaining the
이 방법에서는, 먼저, 준비 공정을, 제조 장치(10)의 준비 장치(11)에 의해 실시한다.In this method, first, the preparation step is carried out by the
구체적으로는, 도 2의 (a) 및 도 4에 도시한 바와 같이, 먼저, 긴 밀봉 시트(4)를 송출 장치(8)의 송출 롤(29)에 권회한다.Specifically, as shown in FIG. 2A and FIG. 4, first, the
밀봉 시트(4)는 도 4에 도시한 바와 같이, 긴 시트로서 준비되고, 그 후, 그것이, 기판(3)에 대응하는 평면에서 보아 대략 원 형상의 낱장 시트로 정형되어서, 반도체 소자(2)(후술)의 밀봉에 제공된다.The sealing
밀봉 시트(4)는 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 밀봉층(31)과, 밀봉층(31)의 상면 및 하면에 적층되는 보호 부재로서의 박리층(32)을 구비하는 적층 시트로서 준비된다.2 (a), the sealing
밀봉층(31)은 밀봉 재료로부터 시트 형상으로 형성되어 있다. 밀봉 재료로서는, 예를 들어, 열경화성 실리콘 수지, 에폭시 수지, 열경화성 폴리이미드 수지, 페놀 수지, 우레아수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 디알릴프탈레이트 수지, 열경화성 우레탄 수지 등의 열경화성 수지를 들 수 있다. 또한, 밀봉 재료로서, 상기한 열경화성 수지와, 첨가제를 적당한 비율로 함유하는 열경화성 수지 조성물을 들 수도 있다.The
첨가제로서는, 예를 들어, 충전제, 형광체 등을 들 수 있다. 충전제로서는, 예를 들어, 실리카, 티타니아, 탈크, 알루미나, 질화알루미늄, 질화규소 등의 무기 미립자, 예를 들어, 실리콘 입자 등의 유기 미립자 등을 들 수 있다. 형광체는, 파장 변환 기능을 갖고 있으며, 예를 들어, 청색광을 황색광으로 변환할 수 있는 황색 형광체, 청색광을 적색광으로 변환할 수 있는 적색 형광체 등을 들 수 있다. 황색 형광체로서는, 예를 들어, Y3Al5O12:Ce(YAG(이트륨·알루미늄·가닛:Ce) 등의 가닛형 형광체를 들 수 있다. 적색 형광체로서는, 예를 들어, CaAlSiN3:Eu, CaSiN2:Eu 등의 질화물 형광체 등을 들 수 있다.Examples of the additive include fillers, phosphors, and the like. Examples of the filler include inorganic fine particles such as silica, titania, talc, alumina, aluminum nitride and silicon nitride, and organic fine particles such as silicon particles. The phosphor has a wavelength converting function, and includes, for example, a yellow phosphor capable of converting blue light into yellow light, and a red phosphor capable of converting blue light into red light. Examples of the yellow phosphor include garnet type fluorescent materials such as Y 3 Al 5 O 12 : Ce (YAG (yttrium aluminum garnet: Ce). Examples of the red fluorescent material include CaAlSiN 3 : Eu, And a nitride phosphor such as CaSiN 2 : Eu.
밀봉층(31)은 반도체 소자(2)를 밀봉하기 전에 반고형상으로 제조되어 있고, 구체적으로는, 밀봉 재료가 열경화성 수지를 함유하는 경우에는, 예를 들어, 완전 경화(C 스테이지화)하기 전, 즉, 반경화(B 스테이지) 상태로 제조되어 있다.The
밀봉층(31)의 치수는, 반도체 소자(2) 및 기판(3)의 치수에 따라서 적절히 설정되어 있고, 구체적으로는, 밀봉 시트(4)가 긴 시트로서 준비되는 경우에 있어서의 밀봉층(31)의 좌우 방향 길이, 즉, 폭은, 예를 들어, 100mm 이상, 바람직하게는 200mm 이상이며, 또한, 예를 들어, 1500mm 이하, 바람직하게는 700mm 이하이다. 또한, 밀봉층(31)의 두께는, 반도체 소자(2)의 치수에 대응하여 적절히 설정되어, 예를 들어, 30㎛ 이상, 바람직하게는 100㎛ 이상이며, 또한, 예를 들어, 3000㎛ 이하, 바람직하게는 1000㎛ 이하이다.The dimensions of the
박리층(32)은 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 반도체 소자(2)를 밀봉하기 전에 밀봉층(31)의 상면 및 하면(양면)을 보호하는 보호 시트이다. 박리층(32)은 밀봉층(31)의 상면 전체면에 적층되는 제1 박리층(33)과, 밀봉층(31)의 하면 전체면에 적층되는 제2 박리층(34)을 구비한다.The
제1 박리층(33)은 반도체 소자(2)를 밀봉하기 전 및 밀봉하는 때에 있어서, 밀봉층(31)의 상면(편면)을 보호하는 보호 시트로서, 구체적으로는, 예를 들어, 폴리에틸렌 시트, 폴리에스테르 시트(PET 등), 폴리스티렌 시트, 폴리카르보네이트 시트, 폴리이미드 시트 등의 중합체 시트, 예를 들어, 세라믹스 시트, 예를 들어, 금속박 등을 들 수 있다. 제1 박리층(33)에 있어서, 밀봉층(31)과 접촉하는 접촉면에는, 불소 처리 등의 박리 처리를 실시할 수도 있다. 제1 박리층(33)의 치수는, 후술하는 제2 박리 장치(50)(도 3의 (f) 참조)의 박리 조건에 따라서 적절히 설정되어, 두께가, 예를 들어, 15㎛ 이상, 바람직하게는 25㎛ 이상이며, 또한, 예를 들어, 125㎛ 이하, 바람직하게는 75㎛ 이하이다.The
제2 박리층(34)은 반도체 소자(2)를 밀봉하기 전, 밀봉할 때 및 밀봉한 후에 있어서, 밀봉층(31) 하면(편면)을 보호하는 보호 시트이며, 그 재료 및 치수는, 후술하는 제1 박리 장치(49)(도 2의 (c) 참조)의 박리 조건에 따라서 적절히 설정되고, 구체적으로는, 제1 박리층(33)의 그것과 동일하다.The
또한, 밀봉 시트(4)에는, 밀봉 시트(4)를 지지하는 지지층(43)이 설치되어 있다.Further, the sealing
지지층(43)은 반도체 소자(2)를 밀봉하기 전에 밀봉 시트(4)의 이면을 형성하고 있고, 구체적으로는, 제2 박리층(34)의 하면 전체면에 적층되어 있다. 지지층(43)을 형성하는 지지 재료로서는, 제2 박리층(34)을 지지하는 재료라면 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 폴리에틸렌 시트, 폴리에스테르 시트(PET 등), 폴리스티렌 시트, 폴리카르보네이트 시트, 폴리이미드 시트 등의 중합체 시트, 예를 들어, 세라믹스 시트, 예를 들어, 금속박 등을 들 수 있다. 지지층(43)의 두께는, 예를 들어, 15㎛ 이상, 바람직하게는 25㎛ 이상이며, 또한, 예를 들어, 125㎛ 이하, 바람직하게는 75㎛ 이하이다.The
또한, 준비 장치(11)의 분위기 온도/습도 제어 장치를 작동시켜서, 케이스 내의 준비 장치(11)의 분위기(즉, 밀봉 시트(4)의 분위기)의 온도 및/또는 습도를 미리 제어한다. 구체적으로는, 온도를, 예를 들어, 15 내지 40℃, 습도를 25 내지 60％RH로 제어한다(분위기 온도/습도 제어 공정).The temperature and humidity control device of the
또한, 도 2에 도시하는 흡착 장치(39)의 반송 히터(16)와, 적재 히터(61)와, 도 3에 도시하는 제1 프레스판(27) 및 제2 프레스판(28)의 히터와, 지지 히터(62)를 소정 온도로 미리 설정한다. 구체적으로는, 반송 히터(16)를 제1 제거 장치(17)에 대응하는 온도, 예를 들어, 40 내지 100℃로 가열하고, 적재 히터(61)를 예를 들어, 50 내지 90℃로 가열하고, 제1 프레스판(27) 및 제2 프레스판(28)의 히터를, 예를 들어, 밀봉 재료가 열경화성 수지일 경우에는, 필요에 따라, 그것이 완전 경화(C 스테이지화)하는 온도 또는 그 이상의 온도로 가열하고, 또한, 적재 히터(61)의 온도보다 높게 설정하고 있고, 구체적으로는, 적재 히터(61)의 온도보다, 예를 들어, 10℃ 이상, 바람직하게는 20℃ 이상, 또한, 예를 들어, 120℃ 이하, 바람직하게는 80℃ 이하 높게 설정한다. 제1 프레스판(27) 및 제2 프레스판(28)의 히터를, 예를 들어, 60 내지 210℃로 가열한다. 또한, 지지 히터(62)를 밀봉층(31)의 휨을 방지할 수 있는 온도로 가열하고, 예를 들어, 제1 프레스판(27) 및 제2 프레스판(28)의 온도와 상이한 온도, 예를 들어, 10℃ 이상, 바람직하게는 20℃ 이상, 또는, 예를 들어, 20℃ 이하, 바람직하게는 10℃ 이하 낮게 설정하고, 구체적으로는, 50 내지 200℃로 가열한다.The conveying
또한, 반송 히터(16)를 준비 장치(11)의 제1 제거 장치(17) 및 제1 박리 장치(49)(및 적재 장치(51))에 있어서, 제조 장치(10)의 각 장치(공정)에 대응하는 온도로 제어한다.The conveying
계속해서, 도 2의 (a) 및 도 4의 화살표로 나타낸 바와 같이, 밀봉 시트(4)를 송출 장치(8)의 송출 롤(29)로부터 전방을 향하여 송출한다.Subsequently, as shown by the arrows in Fig. 2A and Fig. 4, the sealing
계속해서, 도 2의 (b) 및 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 제거 장치(17)에 있어서, 밀봉 시트(4)를, 먼저, 프리커터(44)에 의해 복수의 반도체 소자(2)의 밀봉에 제공되는 밀봉 부분(55)과, 밀봉 부분(55)을 둘러싸는 마진 부분(36)으로 분단한다. 밀봉 부분(55)은 예를 들어, 평면에서 보아 대략 원 형상으로 형성되어 있고, 긴 밀봉 시트(4)에 있어서, 전후 방향으로 서로 간격을 두고 정렬 배치된다. 또한, 밀봉 부분(55)을 기판(3)의 외형 형상과 동일 형상 및 동일 치수가 되도록 설정한다. 마진 부분(36)은 각 밀봉 부분(55)의 좌우 방향 양측의 폭 방향 양단부와, 전후 방향으로 인접하는 밀봉 부분(55)의 사이에 있어서, 상기 폭 방향 양단부를 연결하는 연결 부분으로부터 일체적으로 형성된다. 또한, 프리커터(44)는, 밀봉층(31) 및 박리층(32)을 두께 방향으로 절단하는 한편, 지지층(43)을 두께 방향으로 절단하지 않는다.2 (b) and Fig. 4, in the first removing
계속해서, 도 2의 (b)의 1점 파선 화살표로 나타낸 바와 같이, 준비 장치(11)에 있어서, 도시하지 않은 마진 부분 박리 장치에 의해, 마진 부분(36)을 지지층(43)으로부터 박리한다. 이에 의해, 밀봉 시트(4)의 마진 부분(36)을 제거한다(준비 공정에서의 제거 공정인 정형 공정으로서의 제1 제거/정형 공정).2 (b), the
계속해서, 도 2의 (b)가 참조되는 바와 같이, 아암(37)의 하단부를 신장시켜서, 즉, 아암(37)의 하단부를 강하시켜서, 흡착 장치(39)의 하단부면을 밀봉 시트(4)(밀봉 부분(55)의 제1 박리층(33))의 상면에 접촉시킨다. 계속해서, 흡착 장치(39)의 흡인 작동에 의해, 낱장의 밀봉 시트(4)를 흡착한다. 즉, 밀봉 시트(4)를 아암(37)의 하단부에 흡착시킨다.2 (b), the lower end of the
계속해서, 도 2의 (b)의 화살표 및 가상선으로 나타낸 바와 같이, 아암(37)의 하단부를 단축시켜서, 즉, 아암(37)의 하단부를 상승시켜서, 밀봉 시트(4), 구체적으로는, 밀봉층(31) 및 박리층(32)을 지지층(43)으로부터 박리한다. 이에 의해, 밀봉 시트(4)의 밀봉 부분(55)을 지지층(43)으로부터 이격시킨다. 즉, 낱장의 밀봉 시트(4)의 밀봉 부분(55)을 지지층(43)으로부터 인상한다.2 (b), the lower end of the
또한, 밀봉 부분(55)이 박리된 지지층(43)은 제1 제거 장치(17)에 있어서, 도시하지 않은 인취 롤에 인취된다.The supporting
계속해서, 도 1이 참조되는 바와 같이, 아암(37)을 레일(38)을 따라 전방으로 이동시켜서, 낱장의 밀봉 시트(4)를 제1 박리 장치(49)에 반송한다.Subsequently, as shown in Fig. 1, the
도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 제1 박리 장치(49)에 있어서, 박리 기구에 의해, 제2 박리층(34)을 밀봉층(31)으로부터 박리한다(준비 공정에서의 박리 공정으로서의 제1 박리 공정).The
제1 박리 공정에 있어서, 반송 히터(16)의 온도를, 박리 기구에 의한 제2 박리층(34)의 박리에 대응하는 온도로 제어할 수 있다.In the first peeling step, the temperature of the conveying
계속해서, 아암(37)을 레일(38)을 따라 전방으로 이동시켜서, 낱장의 밀봉 시트(4)를 적재 장치(51)에 반송한다.Subsequently, the
별도, 도 1에 도시하는 기판 준비 장치(24)에서는, 복수의 반도체 소자(2)가 실장된 낱장의 기판(3)을 준비한다.Separately, in the
기판(3)은 반도체 소자(2)를 실장하는 실장용 기판이라면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 실리콘 기판, 세라믹 기판, 폴리이미드 수지 기판, 금속 기판에 절연층이 적층된 적층 기판 등의 절연 기판을 포함한다. 기판(3)의 외형 형상, 즉, 평면에서 본 형상은, 얻어지는 반도체 장치(1)의 외형 형상과 실질적으로 동일 형상으로 형성되어 있고, 예를 들어, 평면에서 보아 대략 원 형상의 낱장의 평판으로서 형성되어 있다. 기판(3)의 치수는, 반도체 장치(1)의 용도 및 목적에 따라서 적절히 설정되어, 예를 들어, 50mm 이상, 바람직하게는 100mm 이상이며, 또한, 예를 들어, 1500mm 이하, 바람직하게는 700mm 이하이다.The
반도체 소자(2)는 1개의 기판(3)에 대하여 복수 설치되어 있다. 복수의 반도체 소자(2)는 전후 방향 및 좌우 방향으로 서로 간격을 두고 정렬 배치되어 있다. 또한, 각 반도체 소자(2)는 기판(3)의 표면에 예를 들어, 와이어 본딩 접속, 또는, 플립 칩 실장에 의해 탑재되어 있다. 각 반도체 소자(2)는 두께(상하 방향 길이)가 면 방향(전후 방향 및 좌우 방향을 따르는 방향)의 최대 길이보다 짧은 단면에서 보아 대략 직사각 형상으로 형성되어 있다.A plurality of
반도체 소자(2)로서는, 예를 들어, 광 반도체 소자, 전자 소자 등을 들 수 있다.Examples of the
광 반도체 소자로서는, 예를 들어, LED(발광 다이오드 소자), LD(레이저 다이오드 소자) 등을 들 수 있고, 그것들은 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하는 반도체 소자이다.Examples of the optical semiconductor element include LED (light emitting diode element) and LD (laser diode element), and they are semiconductor elements that convert electric energy into light energy.
전자 소자는, 전기 에너지를, 광 이외의 에너지, 구체적으로는, 신호 에너지 등으로 변환하는 반도체 소자로서, 구체적으로는, 트랜지스터, 다이오드 등을 들 수 있다.An electronic device is a semiconductor device that converts electric energy into energy other than light, specifically, signal energy or the like. Specifically, a transistor, a diode, and the like can be given.
반도체 소자(2)의 치수 및 배치는, 반도체 장치(1)의 용도 및 목적에 따라서 적절히 설정되어 있고, 각 반도체 소자(2)의 두께는, 예를 들어, 50㎛ 이상, 바람직하게는 100㎛ 이상이며, 또한, 예를 들어, 1000㎛ 이하, 바람직하게는 700㎛ 이하이다. 각 반도체 소자(2)의 면 방향의 최대 길이는, 예를 들어, 1mm 이상, 바람직하게는 3mm 이상이며, 또한, 예를 들어, 50mm 이하, 바람직하게는 30mm 이하이다. 인접하는 반도체 소자(2) 사이의 간격(전후 방향 또는 좌우 방향에 있어서의 간격)은 예를 들어, 0.01mm 이상, 바람직하게는 0.05mm 이상이며, 또한, 예를 들어, 30mm 이하, 바람직하게는 10mm 이하이다.The dimensions and the arrangement of the
그 후, 복수의 반도체 소자(2)가 실장된 기판(3)을 기판 준비 장치(24)로부터 적재 장치(51)에 예를 들어, 벨트 컨베이어 등의 공지된 공급 장치(반송 장치)에 의해 공급(반송)한다.Thereafter, the
그 후, 도 2의 (d)에 도시한 바와 같이, 적재 장치(51)에 있어서, 복수의 반도체 소자(2)가 실장된 기판(3) 상에 밀봉 시트(4)를 적재한다.2 (d), the sealing
구체적으로는, 도 2의 (d)의 화살표로 나타낸 바와 같이, 아암(37)의 하단부를 강하시켜서, 밀봉 시트(4)의 밀봉층(31)의 하면을, 복수의 반도체 소자(2)의 상면에 접촉시킨다. 계속해서, 흡착 장치(39)의 흡인 작동의 정지에 의해, 밀봉 시트(4)를 아암(37)의 하단부로부터 탈리시킨다(분리함).2 (d), the lower end of the
이에 의해, 밀봉 시트(4)를 복수의 반도체 소자(2)의 상면에 적재한다.As a result, the sealing
이때, 도시하지 않은 위치 결정 장치의 카메라에 의해, 밀봉 시트(4)의, 복수의 반도체 소자(2)에 대한 위치를 검출하고, 카메라에 의해 검출된 밀봉 시트(4)의 위치에 기초하여, 아암(37)의 하단부 전후 방향 및 좌우 방향의 위치를 조정한다(위치 결정 공정). 구체적으로는, 평면에서 보아, 밀봉 시트(4)의 둘레단부가, 기판(3)의 둘레단부와 동일 위치가 되도록 밀봉 시트(4)를 기판(3)에 대하여 위치 결정한다.At this time, the position of the sealing
이에 의해, 기판(3), 복수의 반도체 소자(2) 및 밀봉 시트(4)를 준비한다(준비 공정).Thus, the
상기 적재와 함께, 밀봉 공정의 일부 공정을 개시한다.Along with the loading, some processes of the sealing process are initiated.
구체적으로는, 밀봉 공정의 예비 가열 공정을 적재 장치(51)에서 실시한다.More specifically, the preliminary heating step of the sealing step is carried out in the
적재 장치(51)에서는, 반송 히터(16)의 온도를 제1 박리 장치(49)에서 설정한 온도와 상이한 온도로 제어할 수 있다.In the
또한, 적재 장치(51)에 있어서, 적재 히터(61)가 상기 온도로 가열되어 있기 때문에, 밀봉 시트(4)가 미리 가열, 즉, 다음 열 프레스 장치(26)에 있어서의 본 가열 전에 가열된다. 즉, 예비 가열 공정에 있어서, 밀봉 시트(4)가 예비 가열된다. 예비 가열 공정에 의해, 밀봉 시트(4)의 밀봉층(31)은 유연하게 된다.Since the stacking
계속해서, 도 1이 참조되는 바와 같이, 도시하지 않은 제2 반송 장치에 의해, 밀봉 시트(4)가 적재된 기판(3)을 적재 장치(51)로부터 밀봉 장치(12)에 반송한다. 구체적으로는, 도 3의 (e)에 도시한 바와 같이, 기판(3)을 제1 프레스판(27)의 상면에 적재한다.Subsequently, as shown in Fig. 1, the
계속해서, 밀봉 장치(12)에 있어서, 열 프레스 장치(26)에 의해, 기판(3), 반도체 소자(2) 및 밀봉 시트(4)(제1 박리층(33)을 포함함)를 열 프레스한다(본 가열 공정).Subsequently, the
구체적으로는, 제1 프레스판(27) 및 제2 프레스판(28)의 사이에 끼워지는 밀봉 시트(4)를 열 프레스한다. 보다 상세하게는, 제2 프레스판(28)을 제1 프레스판(27)에 대하여 밀봉 시트(4)의 유연한 밀봉층(31)이 반도체 소자(2)의 전체 표면(상면 및 측면)을 확실하게 피복할 수 있고, 또한, 서로 인접하는 반도체 소자(2) 사이의 간극에 밀봉층(31)이 충전되도록 압입한다(열 압착함). 열 압착에서는, 상기한 간극에 보이드가 발생하지 않도록, 밀봉층(31)을 상기한 간극에 충전한다.More specifically, the sealing
상기한 열 프레스에 의해, 밀봉층(31)의 둘레단부(전후 방향 양단부 및 좌우 방향 양단부)가 제1 박리층(33) 및 밀봉 시트(4)의 둘레단부(전후 방향 양단부 및 좌우 방향 양단부)로부터, 외측(전후 방향 양 외측 및 좌우 방향 양 외측, 즉, 열 프레스 장치(26)의 프레스 방향에 대한 직교 방향)으로 비어져 나온다. 즉, 밀봉 시트(4)를 열 프레스하면서, 밀봉 시트(4)의 잉여 부분(35)이 발생한다(잉여 부분 발생 공정).The peripheral edge portions of the
열 프레스의 프레스압은, 예를 들어, 0.01MPa 이상, 바람직하게는 0.1MPa 이상, 보다 바람직하게는 1MPa 이상이며, 또한, 예를 들어, 10MPa 이하이다.The press pressure of the hot press is, for example, 0.01 MPa or higher, preferably 0.1 MPa or higher, more preferably 1 MPa or higher and, for example, 10 MPa or lower.
또한, 제2 프레스판(28)의 제1 프레스판(27)에 대한 평행도를, 100㎛ 이하가 되도록 열 프레스 장치(26)를 제어한다.The
또한, 제1 프레스판(27) 및 제2 프레스판(28)의 프레스압의 분포를, 10％ 이내가 되도록 열 프레스 장치(26)를 제어한다.The
또한, 제1 프레스판(27) 및 제2 프레스판(28)의 온도 분포를, 10℃ 이내가 되도록 열 프레스 장치(26)를 제어한다.The
또한, 상기한 열 프레스에 의해, 밀봉 시트(4)의 밀봉층(31)을 밀봉 재료가 열경화성 수지일 경우에는, 완전 경화(C 스테이지화)시킬 수 있다. 또는, 반도체 장치의 제조 장치(10)에 있어서, 밀봉 시트(4)의 밀봉층(31)을 완전 경화(C 스테이지화)시키지 않고, 반도체 장치의 제조 장치(10)로부터 다음에 설명하는 반도체 장치(1)를 취출하고, 그 후, 예를 들어, 오븐 등에 의해, 밀봉 시트(4)의 밀봉층(31)을 완전 경화(C 스테이지화)시킬 수도 있다.In addition, the above-mentioned thermal press enables the
따라서, 밀봉 시트(4)에 의해, 복수의 반도체 소자(2)가 밀봉된다. 이에 의해, 반도체 장치(1)가 얻어진다.Therefore, the plurality of
그 후, 회수 공정을 회수 장치(13)에 의해 실시한다.Thereafter, the recovery process is performed by the
즉, 도 1이 참조되는 바와 같이, 먼저, 밀봉 장치(12)의 제1 반송 장치(14)에 의해, 반도체 장치(1)를 제2 박리 장치(50)에 반송한다. 구체적으로는, 도 3의 (e)가 참조되는 바와 같이, 아암(37)의 하단부를 신장시켜서, 즉, 아암(37)의 하단부를 강하시켜서, 흡착 장치(39)의 하단부면을 반도체 장치(1)의 제1 박리층(33)의 상면에 접촉시킨다. 계속해서, 흡착 장치(39)의 흡인 작동에 의해 반도체 장치(1)를 흡착한다. 즉, 반도체 장치(1)를 아암(37)의 하단부에 흡착시킨다.1, first, the
계속해서, 아암(37)의 하단부를 단축시켜서, 즉, 아암(37)의 하단부를 상승시키고, 반도체 장치(1)를 제1 프레스판(27)으로부터 인상한다.Subsequently, the lower end of the
그 후, 제1 반송 장치(14)의 아암(37)을 레일(38)을 따라 전방으로 이동시켜서, 반도체 장치(1)를 제2 박리 장치(50)에 반송한다.Thereafter, the
제1 반송 장치(14)에 의한 반도체 장치(1)의 반송에 있어서, 반송 히터(16)를 복수의 반도체 소자(2)를 밀봉하는 밀봉층(31)의 휨 등의 변형을 억제할 수 있는 온도로 제어할 수 있다(회수 공정에서의 밀봉 시트 온도 제어 공정).It is possible to prevent the conveying
제2 박리 장치(50)에 있어서, 박리 기구에 의해, 제1 박리층(33)을 밀봉층(31)으로부터 박리한다(회수 공정에서의 박리 공정으로서의 제2 박리 공정).In the
제2 박리 공정에 있어서, 반송 히터(16)를 밀봉층(31)의 휨 등의 변형을 억제할 수 있는 온도로 가열하고, 구체적으로는, 제1 프레스판(27) 및 제2 프레스판(28)과 상이한 온도로 제어할 수 있다.The conveying
계속해서, 도시하지 않은 제3 반송 장치에 의해, 제1 박리층(33)이 박리된 반도체 장치(1)를 제2 박리 장치(50)로부터 제2 제거 장치(18)로 반송한다. 구체적으로는, 반도체 장치(1)를 케이스(22)에 수용한다. 상세하게는, 도시하지 않은 제3 반송 장치에 의해, 반도체 장치(1)의 기판(3)을 그 하측으로부터 들어올리면서 전방측으로 반송하고, 도 3의 (g)에 도시한 바와 같이, 반도체 장치(1)의 기판(3)을 케이스(22)의 저벽의 상면에 적재한다.Subsequently, the
계속해서, 제2 제거 장치(18)에 있어서, 절삭 부재(45)에 의해 잉여 부분(35)을 절단함과 함께, 밀봉 시트(4)의 외형 형상을 정형한다(회수 공정에서의 제거 공정인 정형 공정으로서의 제2 제거/정형 공정).Subsequently, in the second removing
제2 제거/정형 공정에서는, 반도체 장치(1)에 대하여 주회 이동하는 절삭 부재(45)에 의해 잉여 부분(35)을 절단하면서, 밀봉 시트(4)의 밀봉층(31)의 외형 형상을 정형한다. 구체적으로는, 절삭 부재(45)의 주축을 반도체 장치(1)에 대하여 주회 이동시키면서, 회전날을 주축에 대하여 회전시켜서, 잉여 부분(35)을 절삭하여 제거한다.In the second removing / shaping step, the outer shape of the
또한, 도시하지 않은 분사구로부터, 예를 들어, 공기 등의 기체를 반도체 장치(1)에 대하여 분사함과 함께 흡인구(23)에 접속되는 흡인 장치를 작동시킨다.A gas such as air is jetted from the jetting port (not shown) to the
잉여 부분(35)의 절삭에 의해 발생하는 절삭 칩은, 분사구로부터 분사되는 기체에 의해, 반도체 장치(1)로부터 불어서 날리고, 흡인구(23)로부터 흡인됨으로써, 케이스(22)로부터 배출된다.The cutting chips generated by the cutting of the
절삭 부재(45)에 의해 잉여 부분(35)을 절단하면서, 밀봉 시트(4)의 밀봉층(31)을 평면에서 보아, 기판(3)과 동일 형상으로 형성한다. 이에 의해, 반도체 장치(1)의 외형 형상이 정형된다.The
그 후, 도 3의 (h)에 도시한 바와 같이, 제3 반송 장치에 의해, 정형된 반도체 장치(1)를 제2 제거 장치(18)로부터 반도체 장치 회수 장치(40)에 반송한다.Thereafter, as shown in FIG. 3 (h), the shaped
구체적으로는, 반도체 장치 회수 장치(40)에 있어서, 제3 반송 장치에 의해, 도시하지 않은 반도체 장치(1)를 수용한다. 이에 의해, 반도체 장치(1)가 수용된 카세트를 회수한다.Specifically, in the semiconductor
그리고, 상기한 제조 장치(10)를 사용하여 실시하는 반도체 장치(1)의 제조 방법에 의하면, 밀봉 시트(4) 및 복수의 반도체 소자(2)를 준비하고, 그 후, 밀봉 시트(4)에 의해 복수의 반도체 소자(2)를 일괄하여 밀봉하고, 그 후, 밀봉 시트(4) 및 복수의 반도체 소자(2)를 회수하므로, 복수의 반도체 소자(2)를 일괄하여 밀봉하여, 그들을 구비하는 반도체 장치(1)를 간단하게 제조할 수 있다. 그로 인해, 복수의 반도체 소자(2)가 밀봉 시트(4)에 의해 밀봉된 반도체 장치(1)를 여러 목적 및 용도에 따라 사용할 수 있다.The sealing
또한, 이 제조 방법에 의하면, 밀봉 시트(4)의 마진 부분(36)(도 2의 (b)의 1점 파선 및 도 4 참조) 및 잉여 부분(35)(도 3의 (g) 참조)을 제거하므로, 원하는 형상의 반도체 장치(1)를 얻을 수 있다.3) and the excess portion 35 (see Fig. 3 (g)) of the sealing
즉, 도 2의 (b)의 1점 파선으로 나타낸 바와 같이, 밀봉 시트(4)의 마진 부분(36)을 제거함으로써, 도 2의 (d)에 도시하는 위치 결정 공정에 있어서, 밀봉 부분(55)의 기판(3) 및 복수의 반도체 소자(2)에 대한 위치 결정 정밀도를 향상시킬 수 있다.That is, by removing the
또한, 도 3의 (g)에 도시한 바와 같이, 밀봉층(31)의 잉여 부분(35)을 제거함으로써, 도 3의 (f)에 도시한 바와 같이, 반도체 장치(1)의 외형 형상을 정형하여, 치수 정밀도가 우수한 반도체 장치(1)를 얻을 수 있다.3 (g), by removing the
또한, 이 제조 방법에 의하면, 도시하지 않은 위치 결정 장치에 의해 실시되는, 복수의 반도체 소자(2)에 대하여 위치 결정하는 위치 결정 공정에 의해, 복수의 반도체 소자(2)를 우수한 정밀도로 밀봉할 수 있다. 그로 인해, 우수한 정밀도로 반도체 장치(1)를 제조할 수 있다.According to this manufacturing method, a plurality of
또한, 이 제조 방법에 의하면, 밀봉 장치(12) 및 제2 박리 장치(50)의 반송 히터(16)와, 제2 박리 장치(50)의 지지 히터(62)에 의해 실시되는, 밀봉 시트(4)의 온도를 제어하는 밀봉 시트 온도 제어 공정에 의해, 복수의 반도체 소자(2)를 밀봉한 후의 밀봉 시트(4)의 변형을 유효하게 방지할 수 있다. 그로 인해, 원하는 형상의 반도체 장치(1)를 제조할 수 있다.According to this manufacturing method, the conveying
또한, 이 제조 방법에 의하면, 적재 장치(51)의 반송 히터(16) 및 적재 히터(61)에 의해 실시되는 예비 가열 공정에 의해, 밀봉 시트(4)를 유연하게 하고, 그 후, 열 프레스 장치(26)에 의해 실시되는 본 가열 공정에 의해 반도체 소자(2)를 확실하게 밀봉할 수 있다. 그로 인해, 밀봉 시트(4)를 원하는 형상으로 용이하게 정형하면서, 이러한 밀봉 시트(4)에 의해 반도체 소자(2)를 밀봉할 수 있다. 그 결과, 원하는 형상의 반도체 장치(1)를 제조할 수 있다.According to this manufacturing method, the sealing
또한, 이 제조 방법에 의하면, 준비 장치(11)의 분위기 온도/습도 제어 장치(도시하지 않음)에 의해, 준비 장치(11)에 있어서의 밀봉 시트(4)의 분위기 온도 및/또는 습도를 제어하므로, 반도체 소자(2)를 밀봉하기 전의 밀봉 시트(4)의 컨디션을 조절하여, 반도체 장치(1)를 일정한 품질로 유지하면서 보관 및 반송할 수 있다. 그로 인해, 밀봉 시트(4)에 의한 반도체 소자(2)의 밀봉 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to this manufacturing method, the atmosphere temperature and / or humidity of the sealing
이 제조 방법에 의하면, 준비 장치(11)에 의해 실시되는 준비 공정에 있어서, 밀봉 시트(4)의 잉여 부분(35)을 제거하여, 밀봉 시트(4)의 외형 형상을 정형하므로, 정형된 밀봉 시트(4)에 의해 우수한 취급성으로 반도체 소자(2)를 밀봉할 수 있다.According to this manufacturing method, the
또한, 이 제조 방법에 의하면, 밀봉 시트(4)를 박리층(32)에 의해 보호할 수 있으면서, 제1 박리 공정 및 제2 박리 공정에 의해, 반도체 소자(2)의 밀봉에 불필요한 박리층(32)을 밀봉 시트(4)로부터 박리할 수 있다. 구체적으로는, 제1 박리 장치(49)에 의해 실시되는 제1 박리 공정에 의해, 밀봉층(31)의 하면에 적층되는 제2 박리층(34)을 밀봉층(31)으로부터 박리할 수 있다. 또한, 제2 박리 장치(50)에 의해 실시되는 제2 박리 공정에 의해, 밀봉층(31)의 상면에 적층되는 제1 박리층(33)을 밀봉층(31)으로부터 박리할 수 있다.According to this manufacturing method, the sealing
또한, 예를 들어, 열 프레스 장치(26)의 제1 프레스판(27) 및 제2 프레스판(28) 각각에 밀봉 후의 밀봉 시트(4) 및 반도체 소자(2)에 대응하는 오목부가 형성되는 경우(평판 형상으로 형성되지 않는 경우)에는, 밀봉 시트(4)가 적재된 기판(3)을 제1 프레스판(27)의 오목부에 대응하는 위치에 위치 정렬한 후, 기판(3)을 오목부에 꽂을 필요가 있다.The sealing
이에 비해, 도 2의 실시 형태에서는, 열 프레스 장치(26)의 제1 프레스판(27) 및 제2 프레스판(28)이 평판 형상으로 형성되어 있으므로, 밀봉 시트(4)가 적재된 기판(3)을 제1 프레스판(27)의 상면의 임의의 위치에 적재할 수 있다. 그로 인해, 밀봉 공정을, 적은 공정으로 신속하고 또한 간이하게 실시할 수 있다.2, since the
<변형예><Modifications>
밀봉 시트(4)에 있어서, 밀봉 시트(4)의 위치 결정 공정에 사용되는 기준 구멍(도시하지 않음)을, 예를 들어, 반도체 소자(2)와 전후 방향 또는 좌우 방향으로 이격하는 부분에 대응하는 위치(바람직하게는 좌우 방향 양쪽 측단부)에 형성할 수도 있다. 기준 구멍을, 예를 들어, 프리커터(44)에 의해 밀봉 시트(4)에 형성한다.A reference hole (not shown) used in the positioning process of the sealing
한편, 기판(3)에도, 밀봉 시트(4)의 기준 구멍에 대응하는 기준 마크를 형성할 수도 있다.On the other hand, a reference mark corresponding to the reference hole of the sealing
그리고, 위치 결정 장치를 사용하는 위치 결정 공정에 있어서, 카메라에 의해, 밀봉 시트(4)의 기준 구멍의 위치와, 기판(3)의 기준 마크의 위치가 평면에서 보아 일치하는 것을 확인함으로써, 밀봉 시트(4)를 반도체 소자(2)가 실장되는 기판(3)에 대하여 위치 결정할 수도 있다.By confirming that the position of the reference hole of the sealing
또한, 기준 구멍은, 제1 박리층(33), 밀봉층(31) 및 제2 박리층(34)을 관통하도록 형성할 수 있고, 또는, 제1 박리층(33)에만 형성할 수도 있다.The reference hole may be formed so as to pass through the
또한, 적재판(56)에 상하 방향으로 승강하는 승강 기능을 구비할 수도 있다. 이에 의해, 위치 결정 공정에 있어서 밀봉 시트(4)의 밀봉층(31)이 열에 의해 변형되는 것을 방지할 수 있다.It is also possible to provide an elevating function for elevating the elevating
또한, 적재 장치(51)의 반송 히터(16) 및 적재 히터(61)에 의해 실시되는 예비 가열 공정을, 밀봉 시트(4)가 상측, 기판(3)이 하측이 되도록 그들을 배치하고 있지만, 예를 들어, 도시하지 않지만, 그 역의 배치, 즉, 밀봉 시트(4)가 하측, 기판(3)이 상측이 되도록 그들을 배치할 수도 있다. 이에 의해, 예비 가열 공정에 의해 유연하게 되는 밀봉 시트(4)를 예비 가열에 의한 열 늘어뜨림을 방지하면서, 예를 들어, 적재판(56) 등에 의해, 밀봉 시트(4)의 하측으로부터 지지할 수 있다. 그로 인해, 밀봉 시트(4)의 밀봉층(31)의 형상을 유지하면서, 우수한 취급성으로 밀봉 시트(4)와 반도체 소자(2)를 적층할 수 있다.The preheating process performed by the conveying
또한, 도 4의 실시 형태에서는, 밀봉 부분(55) 및 기판(3)(도 4에서는 도시되지 않음)을 원형 형상으로 형성하고 있지만, 밀봉 부분(55) 및/또는 기판(3)의 형상은 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 평면에서 보아 대략 직사각 형상(평면에서 보아 대략 직사각 형상을 포함하는) 등, 적당한 형상으로 형성할 수도 있다.Although the sealing
또한, 도 1의 실시 형태에서는, 준비 장치(11) 및 회수 장치(13) 각각에 제1 제거 장치(17) 및 제2 제거 장치(18) 각각을 설치하고, 제1 제거/정형 공정 및 제2 제거/정형 공정의 양쪽을 실시하고 있지만, 예를 들어, 제1 제거/정형 공정 및 제2 제거/정형 공정 중, 어느 한쪽만을 실시할 수도 있다. 그 경우에는, 도시하지 않지만, 반도체 장치(1)에 제1 제거 장치(17) 및 제2 제거 장치(18) 중 어느 한쪽만을 설치할 수도 있다.In the embodiment of Fig. 1, the first removing
또한, 제1 제거/정형 공정 및 제2 제거/정형 공정의 양쪽을 실시하지 않고, 반도체 장치(1)를 얻을 수도 있다. 그 경우에는, 준비 장치(11) 및 회수 장치(13) 각각에 대응하는 제1 제거 장치(17) 및 제2 제거 장치(18) 각각을 설치하지 않고, 준비 장치(11) 및 회수 장치(13) 각각을 구성할 수도 있다.Further, the
또한, 도 1의 적재 장치(51)에 도시하지 않은 위치 결정 장치를 설치하고, 위치 결정 공정을 실시하고 있지만, 예를 들어, 위치 결정 공정을 실시하지 않고 밀봉 시트(4)를 복수의 반도체 소자(2)에 적재할 수도 있다. 그 경우에는, 반도체 장치(1)에 위치 결정 장치를 설치하지 않고, 적재 장치(51)를 구성할 수도 있다.Although a positioning device (not shown) is provided in the
또한, 도 3의 (e) 및 도 3의 (f)의 회수 장치(13)에 있어서의 제1 반송 장치(14)에 반송 히터(16)를 설치하고, 밀봉 시트 온도 제어 공정을 실시하고 있지만, 예를 들어, 밀봉 시트 온도 제어 공정을 실시하지 않고, 반도체 장치(1)를 회수할 수도 있다. 그 경우에는, 예를 들어, 도시하지 않지만, 회수 장치(13)에 있어서의 제1 반송 장치(14)에 반송 히터(16)를 설치하지 않고, 회수 장치(13)의 제1 반송 장치(14)를 구성할 수도 있다.Although the conveying
또한, 도 2의 (d)의 실시 형태에서는, 준비 장치(11)에 있어서의 적재 장치(51)에 적재 히터(61)를 설치하고, 예비 가열 공정을 실시하고 있지만, 예를 들어, 예비 가열 공정을 실시하지 않고, 본 가열 공정을 실시할 수도 있다. 그 경우에는, 준비 장치(11)에 있어서의 적재 장치(51)에 적재 히터(61)를 설치하지 않고, 적재 장치(51)를 구성할 수도 있다.2 (d), the
또한, 도 1의 실시 형태에서는, 준비 장치(11)에 도시하지 않은 분위기 온도/습도 제어 장치를 설치하고, 분위기 온도/습도 제어 공정을 실시하고 있지만, 예를 들어, 분위기 온도/습도 제어 공정을 실시하지 않고, 준비 공정을 실시할 수도 있다. 그 경우에는, 분위기 온도/습도 제어 장치를 설치하지 않고, 준비 장치(11)를 구성할 수도 있다.1, an atmosphere temperature / humidity control device (not shown) is provided in the
또한, 도 1의 실시 형태에서는, 준비 장치(11)에 제1 제거 장치(17)를 설치하고, 제1 제거/정형 공정을 실시하고 있지만, 예를 들어, 제1 제거/정형 공정을 실시하지 않고 밀봉 시트(4)를 준비할 수도 있다. 그 경우에는, 송출 장치(8)에 송출 롤(29)을 반도체 장치(1)에 설치하지 않고, 낱장 형상으로 미리 정형된 밀봉 시트(4)를 준비하고, 이와 함께, 기판(3)에 실장된 복수의 반도체 소자(2)를 준비하고, 준비 공정을 실시한다.In the embodiment of Fig. 1, the first removing
또한, 도 1의 실시 형태에서는, 제1 박리층(33) 및 제2 박리층(34)에 의해 밀봉층(31)을 보호하고 있지만, 밀봉 시트(4)에 제1 박리층(33) 및 제2 박리층(34) 중 어느 한쪽, 또는, 양쪽을 적층하지 않고, 밀봉 시트(4)를 구성할 수도 있다.Although the
그 경우에는, 반도체 장치(1)에 제1 박리 장치(49) 및 제2 박리 장치(50) 중 어느 한쪽, 또는, 양쪽을 설치하지 않고, 반도체 장치(1)를 구성할 수도 있다.In this case, the
또한, 도 2의 (d)의 실시 형태에서는, 밀봉 시트(4)를 적재 장치(51)에 있어서의 반도체 소자(2)가 실장된 기판(3) 상에 적재하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들어, 도 2의 (d)에 도시하는 적재 장치(51)를 도 3의 (e)에 도시하는 밀봉 장치(12)에 겸용시켜 두고, 밀봉 장치(12)에 있어서, 반도체 소자(2)가 실장된 기판(3)을 열 프레스 장치(26)의 제1 프레스판(27) 상에 설치하고, 계속해서, 밀봉 시트(4)를 반도체 소자(2)가 실장된 기판(3)에 적재할 수도 있다.2 (d), the sealing
또한, 밀봉 시트(4)의 적재에 있어서, 적재 장치(51) 내의 분위기(공간), 및/또는, 적재 장치(51)를 수용하는 케이스 내의 분위기(공간)를 도시하지 않은 감압 장치에 의해 감압(진공)으로 할 수도 있다. 구체적으로는, 미리, 상기한 분위기(공간)를 감압하고, 계속해서, 밀봉 시트(4)를 반도체 소자(2)가 실장된 기판(3)에 적재한다.The atmosphere (space) in the stacking
또는, 먼저, 밀봉 시트(4)를 반도체 소자(2)가 실장된 기판(3)에 적재하고, 그 후, 상기한 분위기(공간)를 감압할 수도 있다.Alternatively, the sealing
또한, 도 2의 (d)의 실시 형태에서는, 기판(3)을 평탄면을 갖는 평판 형상으로서 설명하고 있지만, 기판(3)의 형상은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 기판(3)의 상면에 오목부나, 기판(3)에 관통 구멍을 형성할 수도 있다. 오목부 및 관통 구멍은, 기준 오목부 및 기준 구멍 등이 상기한 기준 마크를 포함하고 있고, 예를 들어, 서로 인접하는 반도체 소자(2)의 사이에 형성되어 있다. 오목부로서는, 예를 들어, 기판(3)의 상측 부분이 대략 V자 형상으로 절결된 V자 홈이나, 기판(3)의 상측 부분이 대략 직사각 형상으로 절결된 직사각형 홈 등을 들 수 있다. 관통 구멍은, 예를 들어, 기판(3)의 두께 방향을 관통하도록 형성되어 있다. 오목부 및 관통 구멍의 평면에서 본 형상은, 적당한 형상으로 형성되어 있고, 특별히 한정되지 않는다.2 (d), the
또한, 상기 발명은, 본 발명의 예시 실시 형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석하면 안된다. 그 기술분야의 당업자에 의해 명확한 본 발명의 변형예는, 후기된 청구범위에 포함된다.The above-mentioned invention is provided as an example of the present invention, but this is merely an example and should not be construed restrictively. Modifications of the invention that are obvious to those skilled in the art are included in the later claims.
본 발명은 여러 반도체 장치의 제조에 사용된다.The present invention is used in the manufacture of various semiconductor devices.
1: 반도체 장치
2: 반도체 소자
3: 기판
4: 밀봉 시트
10: 제조 장치
11: 준비 장치
12: 밀봉 장치
13: 회수 장치
14: 반송 장치
16: 반송 히터
17: 제1 제거 장치
18: 제2 제거 장치
32: 박리층
33: 제1 박리층
34: 제2 박리층
35: 잉여 부분
36: 마진 부분
41: 제1 정형 장치
43: 지지층
44: 프리커터
45: 절삭 부재
49: 제1 박리 장치
50: 제2 박리 장치
61: 적재 히터
62: 지지 히터1: Semiconductor device
2: Semiconductor device
3: substrate
4: Sealing sheet
10: Manufacturing apparatus
11: Preparation device
12: Sealing device
13: Collecting device
14:
16: Transfer heater
17: First removal device
18: Second removal device
32: Release layer
33: First peel layer
34: Second release layer
35: surplus portion
36: margin portion
41: First shaping apparatus
43: Support layer
44: Pre-cutter
45: cutting member
49: First peeling device
50: second peeling device
61: Heated heater
62: Support heater
Claims (16)
상기 밀봉 시트 및 복수의 상기 반도체 소자를 준비하는 준비 공정,
상기 준비 공정 후에 상기 밀봉 시트에 의해 복수의 상기 반도체 소자를 일괄하여 밀봉하는 밀봉 공정, 및
상기 밀봉 공정 후에 상기 밀봉 시트 및 복수의 상기 반도체 소자를 회수하는 회수 공정
을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device obtained by sealing a semiconductor element with a sealing sheet,
A preparation step of preparing the sealing sheet and the plurality of semiconductor elements,
A sealing step of collectively sealing the plurality of semiconductor elements with the sealing sheet after the preparing step, and
A step of collecting the sealing sheet and a plurality of the semiconductor elements after the sealing step
And forming a second insulating film on the semiconductor substrate.
상기 밀봉 시트를 미리 가열하는 예비 가열 공정, 및
상기 예비 가열 공정 후에 상기 밀봉 시트를 가열하여 복수의 상기 반도체 소자를 밀봉하는 본 가열 공정
을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The method according to claim 1,
A preliminary heating step of previously heating the sealing sheet, and
A main heating step of sealing the plurality of semiconductor elements by heating the sealing sheet after the preliminary heating step
And forming a second insulating film on the semiconductor substrate.
상기 준비 공정 및/또는 상기 회수 공정은, 상기 보호 부재를 상기 밀봉 시트로부터 박리하는 박리 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.2. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the sealing sheet is protected by a protective member,
Wherein the preparing step and / or the collecting step comprise a peeling step of peeling the protective member from the sealing sheet.
상기 밀봉 시트 및 복수의 상기 반도체 소자를 준비하는 준비 장치,
준비된 상기 밀봉 시트에 의해 복수의 상기 반도체 소자를 일괄하여 밀봉하는 밀봉 장치, 및
상기 밀봉 시트에 의해 밀봉된 복수의 상기 반도체 소자를 회수하는 회수 장치
를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 장치.An apparatus for manufacturing a semiconductor device which seals a semiconductor element with a sealing sheet,
A preparation device for preparing the sealing sheet and the plurality of semiconductor elements,
A sealing device for collectively sealing a plurality of the semiconductor elements by the prepared sealing sheet, and
A plurality of semiconductor elements sealed by the sealing sheet;
Wherein the semiconductor device is a semiconductor device.
상기 밀봉 시트를 미리 가열하는 예비 가열 장치, 및
예비 가열된 상기 밀봉 시트를 가열하여 복수의 상기 반도체 소자를 밀봉하는 본 가열 장치
를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.10. The sealing apparatus according to claim 9,
A preliminary heating device for previously heating the sealing sheet, and
And the main heating device for sealing the plurality of semiconductor elements by heating the preliminarily heated sealing sheet
And a step of forming the semiconductor device.
상기 준비 장치 및/또는 상기 회수 장치는, 상기 보호 부재를 상기 밀봉 시트로부터 박리하는 박리 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 장치.10. The apparatus according to claim 9, wherein the sealing sheet is protected by a protective member,
Wherein the preparation apparatus and / or the recovery apparatus includes a peeling apparatus for peeling the protective member from the sealing sheet.
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