KR20150108805A - 인비져블 세팅에 의한 장식편 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 복수의 스톤 (2) 및 스톤들 (2) 을 서로에 대해 고정하기 위한 고정 장치 (7, 7') 를 포함하는 장식편 (1, 3, 5) 으로서, 상기 고정 장치 (7, 7') 는 스톤들의 면들중의 하나의 면에 의해 모든 스톤들 (2) 을 서로에 대해 부착시킬 수 있는 제 1 재료로 제조된 단일 베이스 (9, 9') 를 포함하고, 상기 스톤들 (2) 의 카이트들 (kites; 6) 은 상기 단일 베이스가 마스킹되도록 서로에 대해 에지와 에지를 맞대어 장착되고, 상기 제 1 재료는 적어도 부분적으로 비정질의 합금인 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5) 에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 그러한 장식편 (1, 3, 5) 의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 장신구, 보석 물품 또는 시계에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 그러한 장식편 (1, 3, 5) 의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 장신구, 보석 물품 또는 시계에 관한 것이다.
Description
본 발명은 인비져블 세팅에 의한 장식편, 더 정확하게는 특히 표면을 장식할 수 있는 스톤들의 페이브 세팅 (paved setting) 을 형성하는 장신구 또는 보석 물품용의 장식편에 관한 것이다.
클로 (claws), 비드 (beads) 또는 레일 (rails) 의 도움으로 보석의 (precious), 준보석의 (semi-precious) 또는 합성의 스톤을 세팅하는 것이 공지되어 있다. 또한, 스톤들의 큘렛 (culet) 또는 스톤들의 크라운에 의해 스톤들과 일체화된 인비져블 타입의 세팅이 존재한다. 현재의 최신의 인비져블 세팅에서는 여러 가지의 방법들 (밀링, 주조, 클립핑, 스크류잉 등) 이 있는데, 이 방법들은, 알기 쉬운 시스템에 따라, 스톤들의 성질, 기하학적 구조 및 크기가 종종 제한되고, 언더컷들의 높이, 깊이 및 각도가 종종 제한되고, 스톤들의 스크래치, 커트 및 크랙이 작업중에 존재하고, 심지어 스톤을 변경하는 때의 수리로 인해 인접한 스톤들에 커트가 유발되는 등의 다수의 단점들을 갖는다. 또한 이들 방법의 대부분은 세팅 작업중에 세터의 수동 개입을 필요로 한다. 후자가 매우 적격이라고 하여도, 스톤들의 손실, 스크래칭, 크랙킹 또는 커팅의 위험은 영구적이다. 특허 EP 2 327 323 A1 에 기재된 갈바닉 루트 (galvanic route) 에 의한 또 다른 인비져블 세팅 방법이 존재한다. 스톤들상의 제 1 도전 층의 디포지션 (deposition) 을 필요로 하는 이 방법은, 디포짓팅되는 층의 성질 및 두께에 따라, 기대하는 미적 효과를 붕괴시킬 수 있고, 스톤들의 "코팅" 개념을 고려할 필요가 있는데, 이는 귀보석에 의한 인비져블 세팅의 경우에 최종 제품의 귀중성을 떨어뜨린다. 또한, 이 방법은 충분한 전기화학 지식을 필요로 한다.
본 발명의 목적은 전술한 단점들의 모두 또는 일부를 개선하여, 스톤들의 균질한 장착, 형상 변화, 개선된 정밀성, 저렴한 더 양질의 고정 및 보석 규정의 레벨에서의 구속이 덜한 미적 품질을 얻을 수 있는 산업상의 제조 방법을 제안하는 것이다.
이를 위해, 본 발명은 복수의 스톤 및 스톤들을 서로에 대해 고정하기 위한 고정 장치를 포함하는 장식편에 관한 것이다. 고정 장치는 스톤들의 면들중의 하나의 면에 의해 모든 스톤들을 서로에 대해 부착시킬 수 있는 제 1 재료로 제조된 단일 베이스를 포함하고, 스톤들의 카이트들 (kites) 은 단일 베이스가 마스킹되도록 서로에 대해 에지와 에지를 맞대어 장착되고, 제 1 재료는 적어도 부분적으로 비정질의 합금인 것을 특징으로 한다.
다른 유리한 실시형태에서, 단일 베이스는 스톤들의 큘렛에 의해 모든 스톤들을 서로에 대해 부착시킬 수 있다.
다른 유리한 실시형태에서, 단일 베이스는 스톤들의 큘렛의 전부를 덮는다.
다른 유리한 실시형태에서, 단일 베이스는 스톤들의 큘렛의 일부를 덮지 않은 채로 남겨 둔다.
다른 유리한 실시형태에서, 단일 베이스는 스톤들의 크라운에 의해 모든 스톤들을 서로에 대해 부착시킬 수 있다.
다른 유리한 실시형태에서, 단일 베이스는 스톤들의 크라운의 전부를 덮는다.
다른 유리한 실시형태에서, 단일 베이스는 스톤들의 크라운의 일부를 덮지 않은 채로 남겨 둔다.
다른 유리한 실시형태에서, 단일 베이스는, 소정의 스톤들이 스톤들의 큘렛에 의해 고정되고 소정의 스톤들이 스톤들의 크라운에 의해 고정되도록, 복수의 스톤을 부착시킬 수 있다.
다른 유리한 실시형태에서, 단일 베이스는 소정 스톤들의 큘렛의 전부를 덮고 다른 소정 스톤들의 크라운의 전부를 덮는다.
다른 유리한 실시형태에서, 단일 베이스는 소정 스톤들의 큘렛의 일부를 덮지 않은 채로 남겨 두고 다른 소정 스톤들의 크라운의 일부를 덮지 않은 채로 남겨 둔다.
다른 유리한 실시형태에서, 고정 장치는 스톤들의 큘렛의 레벨에서 스톤들 중의 적어도 하나의 스톤에 형성된 적어도 하나의 언더컷을 포함하여서, 각각의 큘렛에 적어도 부분적으로 대응하는 형상의 단일 베이스가 스톤들 중의 상기 적어도 하나의 스톤의 각각을 위한 적어도 하나의 후크 (hook) 를 형성한다.
다른 유리한 실시형태에서, 고정 장치는 스톤들의 크라운의 레벨에서 스톤들 중의 적어도 하나의 스톤에 형성된 적어도 하나의 언더컷을 포함하여서, 각각의 크라운에 적어도 부분적으로 대응하는 형상의 단일 베이스가 스톤들 중의 상기 적어도 하나의 스톤의 각각을 위한 적어도 하나의 후크를 형성한다.
다른 유리한 실시형태에서, 적어도 하나의 언더컷은 큘렛의 2 개의 면에서 2 개의 그루브를 형성한다.
다른 유리한 실시형태에서, 적어도 하나의 언더컷은 크라운의 2 개의 면에서 2 개의 그루브를 형성한다.
다른 유리한 실시형태에서, 제 1 재료는 전부가 비정질의 금속 재료이다.
다른 유리한 실시형태에서, 제 1 재료는, 금, 백금, 팔라듐, 레늄, 루테늄, 로듐, 은, 이리듐 또는 오스뮴을 포함하는 리스트에 포함되는 귀중한 타입의 적어도 하나의 원소를 포함한다.
다른 유리한 실시형태에서, 제 1 재료는 450 ℃ 이하의 유리 전이 온도를 가지는 비정질 합금이다.
본 발명은 또한, 본 발명에 따른 박아넣은 (set-in) 적어도 하나의 장식편을 포함하는 것을 특징으로 하는 시계에 관한 것이다.
본 발명은 또한, 본 발명에 따른 박아넣은 적어도 하나의 장식편을 포함하는 것을 특징으로 하는 장신구 또는 보석 물품에 관한 것이다.
본 발명은 또한,
a) 복수의 스톤들을 제공하는 단계,
b) 각각의 스톤의 제 1 면을 지지체에 대해 일체화하는 단계로서, 스톤들의 카이트들은 스톤들의 페이브 세팅을 형성하도록 서로에 대해 에지와 에지를 맞대어 장착되는, 상기 일체화하는 단계,
c) 단일 베이스를 형성하도록 스톤의 제 2 면의 적어도 하나의 부분을, 비정질이 될 수 있는 금속 합금인 제 1 재료로 덮는 단계,
d) 지지체에 대해서 제 1 면들의 각각의 면을 분리시킴으로써, 형성된 장식편을 빼는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 장식편의 제조 방법에 관한 것이다.
유리한 실시형태에서, 상기 방법은, 단계 a) 와 단계 b) 사이에 이하의 단계:
e) 단계 c) 중에 형성된 단일 베이스가 적어도 하나의 언더컷의 각각의 언더컷을 충전하는 한편으로 고정 후크를 형성하도록, 스톤들의 큘렛 및/또는 크라운에 적어도 하나의 언더컷을 새기는 단계를 포함한다.
다른 유리한 실시형태에서, 상기 방법은, 단계 c) 와 단계 d) 사이에 이하의 단계:
g) 스톤들의 큘렛 및/또는 크라운 위에서 단계 c) 의 디포짓 (deposit) 을 에워싸도록 상기 페이브 세팅 주위에 프레임을 형성하는 단계를 포함한다.
다른 유리한 실시형태에서, 제 1 면은 스톤의 테이블이고, 제 2 면은 스톤의 큘렛이다.
다른 유리한 실시형태에서, 제 1 면은 스톤의 큘렛이고, 제 2 면은 스톤의 테이블이다.
다른 유리한 실시형태에서, 제 1 면은 스톤의 큘렛 또는 스톤의 테이블이고, 제 2 면은 스톤의 테이블 또는 스톤의 큘렛이다.
본 발명은 또한,
1) 하우징을 구비한 지지체를 제공하는 단계,
2) 하우징을, 비정질이 될 수 있는 금속 합금인 제 1 재료로 적어도 부분적으로 덮는 단계,
3) 제 1 재료에서, 고정 수단을 구비한 적어도 하나의 구멍을 형성하는 단계,
4) 고정 수단이 적어도 하나의 언더컷에 대향하여 위치하는 때에 탄성 레실리엔스 (elastic resilience) 가 가해지기 까지 고정 수단의 탄성 변형을 유도하도록, 적어도 하나의 언더컷을 구비한 적어도 하나의 스톤을 적어도 하나의 구멍 내에 세팅하는 단계,
5) 지지체에 대해서 스톤들의 세팅된 제 1 재료를 분리시킴으로써, 형성된 장식편을 빼는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 장식편의 제조 방법에 관한 것이다.
다른 유리한 실시형태에서, 덮는 단계 c) 또는 2) 는 열간 성형에 의해 제 1 재료를 도포하는 것으로 이루어진다.
다른 유리한 실시형태에서, 덮는 단계 c) 또는 2) 는 주조 또는 사출에 의해 제 1 재료를 도포하는 것으로 이루어진다.
다른 유리한 실시형태에서, 덮는 단계 c) 또는 2) 는 분말 소결에 의해 제 1 재료를 도포하는 것으로 이루어진다.
다른 유리한 실시형태에서, 제 1 재료는 전부가 비정질이다.
다른 유리한 실시형태에서, 제 1 재료는, 금, 백금, 팔라듐, 레늄, 루테늄, 로듐, 은, 이리듐 또는 오스뮴을 포함하는 리스트에 포함되는 귀중한 타입의 적어도 하나의 원소를 포함한다.
다른 유리한 실시형태에서, 제 1 재료는 450 ℃ 이하의 Tg 를 가지는 비정질 합금이다.
다른 유리한 실시형태에서, 상기 방법은 제 1 재료를 결정화하는 것으로 이루어지는 최종 단계를 추가로 포함한다.
다른 유리한 실시형태에서, 제 1 재료는 100.000 ℃/sec 미만의 냉각 속도에서 비정질이 될 수 있는 금속 합금이다.
다른 상세한 내용 및 이점은 첨부도면을 참조한 이하의 설명으로부터 명확하게 드러날 것이며, 이하의 설명은 설명을 위한 것이며 제한적인 것이 아니다.
본 발명에 따르면, 스톤들의 균질한 장착, 형상 변화, 개선된 정밀성, 저렴한 더 양질의 고정 및 보석 규정의 레벨에서의 구속이 덜한 미적 품질을 얻을 수 있는 산업상의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1 은 본 발명에 따른 스톤의 고정 단계의 사시도이다.
도 2 는 본 발명에 따른 고정 단계의 종료의 단면도이다.
도 3 은 도 2 의 부분 확대도이다.
도 4 는 본 발명의 대안예에 따른 도 3 에 해당하는 도면이다.
도 5 및 도 7 은 본 발명에 따른 재료 디포지션의 도 3 에 유사한 도면이다.
도 6 은 본 발명에 따른 제 2 디포지션 단계의 사시도이다.
도 8 은 본 발명에 따른 장식편의 단면도이다.
도 9 는 본 발명의 다른 대안예에 따른 장식편의 단면도이다.
도 10 은 본 발명에 따른 장식편을 상방에서 바라본 도면이다.
도 11 은 본 발명의 변형예에 따른 장식편을 상방에서 바라본 도면이다.
도 12 는 본 발명의 다른 변형예에 따른 장식편을 상방에서 바라본 도면이다.
도 13 ~ 16 은 본 발명에 따른 방법의 가능성을 보여주는 도면이다.
도 17 ~ 20 은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 방법의 가능성을 보여주는 도면이다.
도 21 은 스톤이 무작위로 위치된 작업편을 상방에서 바라본 도면이다.
도 2 는 본 발명에 따른 고정 단계의 종료의 단면도이다.
도 3 은 도 2 의 부분 확대도이다.
도 4 는 본 발명의 대안예에 따른 도 3 에 해당하는 도면이다.
도 5 및 도 7 은 본 발명에 따른 재료 디포지션의 도 3 에 유사한 도면이다.
도 6 은 본 발명에 따른 제 2 디포지션 단계의 사시도이다.
도 8 은 본 발명에 따른 장식편의 단면도이다.
도 9 는 본 발명의 다른 대안예에 따른 장식편의 단면도이다.
도 10 은 본 발명에 따른 장식편을 상방에서 바라본 도면이다.
도 11 은 본 발명의 변형예에 따른 장식편을 상방에서 바라본 도면이다.
도 12 는 본 발명의 다른 변형예에 따른 장식편을 상방에서 바라본 도면이다.
도 13 ~ 16 은 본 발명에 따른 방법의 가능성을 보여주는 도면이다.
도 17 ~ 20 은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 방법의 가능성을 보여주는 도면이다.
도 21 은 스톤이 무작위로 위치된 작업편을 상방에서 바라본 도면이다.
도 8 ~ 12 에 도시된 바와 같이, 본 발명은 특히 장신구 또는 보석 물품 및 시계 (특히, 시계 표면 및 케이싱의 레벨에) 에 박아넣어질 수 있는 장식편 (1, 3, 5) 에 관한 것이다. 그렇지만, 이 장식편 (1, 3, 5) 은 상기한 적용으로 제한되지 않는다. 유사하게, 일례로, 장식편 (1, 3, 5) 은 예컨대 안경과 같은 다른 물건에 박아넣어질 수 있다.
더 구체적으로, 본 발명은, 복수의 보석의, 준보석의 또는 합성의 스톤 (2) 의 카이트 (6) (유사하게 거들이라 칭함) 가 에지와 에지를 맞대어 설치되도록 상기 스톤 (2) 을 그의 큘렛 (4) 및/또는 그의 크라운과 같은 그의 면에 의해 부착할 수 있게 하여서, 상기 스톤들 (2) 의 테이블들 (8) 이 실질적으로 평행하거나 또는 심지어 동일평면상에 있게 하는 인비져블 세팅 타입의 고정 장치 (7, 7') 에 관한 것이다.
따라서, 예컨대 도 10 내지 도 12 에 도시된 바와 같이, 사용되는 스톤들 (2) 의 분포 및/또는 형상에 상관없이, 고정 장치 (7, 7') 는 스톤들 (2) 을 매우 정확한 방식으로 서로에 대해 부착시키는 단일 베이스 (9, 9') 를 포함한다. 유리하게 본 발명에 따르면 그리고 인비져블 세팅에 보통 시행되는 것에 반해, 베이스 (9, 9') 의 재료는 도포되고, 제거되지 않고, 따라서 필요에 따라 변형된다.
그러므로, 단일 베이스 (9, 9') 가 스톤에 전달되는 최소한의 기계적 응력으로 스톤 (2) 의 큘렛 (4) 을 완전히 덮을 수 있게 한다는 것이 즉시 이해된다. 물론, 스톤들 (2) 이 그의 크라운에 의해 부착되고, 즉 단일 베이스 (9, 9') 가 스톤들 (2) 의 크라운을 완전히 덮을 수 있게 한다는 것을 생각할 수 있다. 유사하게, 인비져블 세팅 타입의 고정 장치 (7, 7') 가 복수의 스톤 (2) 을 부착시킬 수 있게 하여서, 특정 스톤들이 그의 큘렛 (4) 에 의해 단일 베이스 (9, 9') 에 고정되고 특정 스톤들이 그의 크라운에 의해 단일 베이스 (9, 9') 에 고정되는 것도 가능하다. 크라운 또는 큘렛에 의한 이러한 교호식 고정은 무작위일 수 있다. 나머지 설명에서, 고정 장치 (7, 7') 가 스톤들 (2) 을 그의 큘렛 (4) 에 의해 서로에 대해 부착시키는 단일 베이스 (9, 9') 를 포함하는 것만 설명할 것이다.
그러므로, 유리하게 본 발명에 따라, 베이스 (9, 9') 는 당연히, 스톤들의 분산에 상관없이 스톤들 (2) 의 큘렛들 (4) 에 대응하는 형상을 갖는다. 이는 이하에서 설명하는 본 발명에 따른 제조 방법을 이용함으로써 가능하게 되고, 본 방법은 특히 재료-커버링 단계를 포함한다.
도 8 에 나타낸 제 1 실시형태에서, 고정 장치 (7) 는 스톤 (2) 의 큘렛 (4) 의 전부를 덮는 단일 베이스 (9) 를 포함한다. 이 제 1 실시형태는 장식편 (1, 3, 5) 에 매우 균질한 미적 특질 (homogeneous aesthetic) 을 형성한다.
도 9 에 도시된 제 2 실시형태에서, 고정 장치 (7') 는 스톤 (2) 의 큘렛 (4) 의 전부를 덮지 않는 단일 베이스를 포함한다. 따라서, 도 9 에 도시된 것처럼, 단일 베이스 (9') 는 스톤 (2) 의 카이트 (6) 를 따르는 메시를 형성한다. 이 제 2 실시형태는 장식편 (1, 3, 5) 에 사용되는 스톤들 (2) 의 내부 전반사를 향상시킬 수 있게 한다. 또한, 기계적 루트에 의해, 예컨대 세팅 공구의 도움으로 단일 베이스를 개방할 필요가 없게 할 수 있고, 따라서 스톤의 긁힘을 회피할 수 있다.
따라서 형성된 장식편 (1, 3, 5) 은, 예컨대 도 11 에 나타낸 언듈레이팅 형상 (3), 도 12 에 나타낸 특별한 대칭이 없는 형상 (5), 또는 도 10 에 나타낸 전체적으로 대칭인 형상 (1) 과 같이 심지어 다소 복잡한 형상에 따르더라도, 결국 단일 베이스 (9, 9') 에 의해 최종 제품에 용이하게 박아넣어질 수 있다.
도 3, 8 및 9 에서 볼 수 있는 본 발명의 대안예에 따르면, 고정 장치 (7, 7') 의 부착력을 향상시킬 목적으로, 스톤 (2) 의 큘렛 (4) 각각은 적어도 하나의 언더컷 (10) 을 포함한다. 베이스 (9, 9') 가 스톤 (2) 의 큘렛 (4) 의 형상에 완전히 대응한다는 사실 때문에, 베이스 (9, 9') 가 각 스톤 (2) 을 그의 큘렛 (4) 에 의해 더 단단히 유지하는 후크를 형성한다는 것이 이해된다. 바람직하게는, 각각의 스톤 (2) 은 2 개의 대향 패싯 (facets) 에 2 개의 언더컷 (10) 을 포함한다. 그렇지만, 각 언더컷은 고정 장치 (7, 7') 의 기계적 부착력을 최대로 하기 위해 각 큘렛 (4) 에 주변 그루브를 형성할 수 있다. 물론, 스톤 (2) 이 그의 크라운에 의해 단일 베이스 (9, 9') 에 고정되면, 상기 적어도 하나의 언더컷 (10) 은 상기 크라운에 위치된다.
본 발명의 다른 대안예에 따르면, 단일 베이스 (9, 9') 는 최종 제품의 보디를 직접 형성할 수 있고, 이로써 장식편 (1, 3, 5) 을 다른 보디에 박아넣을 필요가 없게 된다.
유리하게는, 제 1 재료라 불리는 도포된 재료가 비정질 또는 부분적으로 비정질 재료이다. 이 재료는 바람직하게는 금속 합금이다. 부분적으로 비정질이라는 용어는, 재료 한 덩어리에 있어서, 상기 덩어리의 재료의 백분율 양이 그 덩어리 자체가 금속 및 비정질 금속 합금에 특유한 특성을 가지기에 충분하다는 것을 나타낸다. 비정질 재료는 유리 전이 온도 (Tg) 초과에서 용이하게 성형될 수 있다는 이점을 갖는다. 유사하게, 비정질 재료는 응고 동안 치수 수축이 매우 적다 (이는 결정화의 부존재 때문이다) 는 이점을 갖는다. 유사하게, 상기 장식편에 중요한 특징을 부여하기 위해, 귀금속 또는 이 합금들 중 하나를 사용하는 것이 가능할 수도 있다. 그러므로, 귀금속 또는 이 합금들 중 하나가 금, 백금, 팔라듐, 레늄, 루테늄, 로듐, 은, 이리듐 또는 오스뮴을 포함하는 리스트에 포함된다.
이제, 도 1 ~ 9 및 도 13 을 참조하여 본 발명의 방법을 설명한다. 제 1 단계에서, 본 방법은 스톤들 (2) 을 제공하는 단계로 구성되고, 상기 스톤의 카이트 (6) 는 예컨대 도 10, 11 및 12 의 변형예, 즉 스톤들 (2) 의 균질한 평면을 획득하도록 에지와 에지를 맞댄 조립을 가능하게 한다.
제 2 단계에서, 스톤들 (2) 은 지지체 (12) 상에 차례로 일체화된다. 더욱이, 도 2 에서 더 잘 볼 수 있는 것처럼, 스톤들 (2) 이 박아넣어지는 면 (15) 은 양호한 평면성을 수반해야 한다. 바람직하게는, 각 스톤 (2) 의 제 1 면은 금속의 도포 동안 사용되는 온도를 견디는 에폭시 타입의 접착제에 의한 테이블 (8) 의 접착에 의해 지지체 (12) 의 면 (15) 에 일체화된다. 물론, 본 방법의 나머지 단계들과 양립가능한 다른 타입의 일체화 또는 심지어 다른 타입의 접착제를 생각할 수 있다. 더욱이, 지지체 (12) 가 각 스톤 (2) 의 테이블 (8) 이 삽입될 수 있도록 형성된 중공부 (hollows) 를 포함하는 것을 상정할 수 있다. 그러므로, 스톤들 (2) 은 하나의 중공부 내에 모두 위치되고, 이는 상기 스톤들 (2) 의 이동의 자유를 제한한다.
도 3 및 도 4 는 전술한 본 발명의 2 개의 대안예에 따른 스톤 (2) 의 카이트 (6) 에 중점을 둔 확대도이다. 그러므로, 스톤 (2) 의 카이트 (6) 또는 거들의 커팅에서의 정밀도가 극히 매우 중요하다는 것이 즉시 이해된다. 실제로, 본 발명에 따르면, 카이트 (6) 는 스톤들 사이의 간극 (interstices) 의 크기를 제한하도록 에지와 에지를 맞대어 설치되어야 한다. 에지와 에지를 맞대어 설치된 이 카이트들은 중공부 (4) 의 외관을 제공한다.
그러므로, 위에서 설명한 바와 같이, 고정 장치 (7, 7') 의 부착력을 향상시키려고 하지 않는 경우, 스톤 (2) 은 언더컷 (10) 을 포함하지 않고, 도 1 및 도 4 에 도시된 바와 같이 카이트 (6) 의 레벨에서 서로 맞대어 위치된다. 이 경우, 재료들 사이의 화학적 작용만이 스톤들의 고정을 보장하는 것으로 이해된다.
고정 장치 (7, 7') 의 부착력을 향상시키고자 하는 경우, 제 1 접합 (joining) 단계와 제 2 접합 단계 사이의 중간 단계가 필요하다. 중간 단계는 스톤 (2) 의 큘렛 (4) 의 적어도 일부에 적어도 하나의 언더컷 (10) 을 새기려는 것이다. 그러므로, 제 2 단계 또는 접합 단계 동안, 스톤 (2) 은 도 1 및 도 5 에 도시된 것처럼 카이트 (6) 의 레벨에서 서로 맞닿게 된다. 도 5 의 실시형태에서, 2 개의 스톤 (2) 의 언더컷들 (10) 이 서로 대향하게 되어 있는 것을 볼 수 있다.
도 1 에 도시된 예에서, 지지체 (12) 가 스톤 (2) 의 면의 시작을 보조하기 위한 전용 형상의 템플릿 (template; 14) 을 포함할 수 있다는 것을 볼 수 있다. 그러므로, 이 템플릿 (14) 은 대칭의 장식편 (1) 을 형성하기 위해 또는 장식편 (3) 을 웨이브로 형성하기 위해 도 1 에서처럼 세트 스퀘어를 형성할 수 있다. 그러므로, 제 2 단계의 종료시에, 도 1 에 도시된 것처럼, 테이블 (8) 에 의해 지지체 (12) 의 면 (15) 에 일체로 된 스톤 (2) 의 페이브 세팅이 획득된다. 물론, 지지체 (12) 및 템플릿 (14) 이 단지 하나의 동일한 피이스를 형성하는 것을 생각할 수 있다. 그렇지만, 바람직하게는 템플릿은, 도 6 및 도 7 에서 볼 수 있는 것처럼, 스톤 (2) 의 상기 큘렛 위에서 비정질 합금을 둘러싸도록 설계된 프레임 (16) 을 형성하는 복수의 부재들로 구성된다.
방법 (21) 은 스톤 (2) 의 제 2 면에 단일 베이스 (9, 9') 를 형성하려는 단계로 계속된다.
베이스 (9, 9') 를 형성하는 재료를 디포짓팅시키는 방법 중 하나는 열간 성형을 이용하는 것이다.
도 13 ~ 16 은 이 단일 베이스 (9, 9') 를 형성할 수 있게 하는 단계들을 간략히 보여준다.
먼저, 비정질 금속 합금으로 이루어진 프리폼을 형성하는 것이 필요하다. 이 프리폼 (6a) 은 예컨대, 주조용 몰드에의 주입, Tg 초과의 열간 성형, 스트립으로부터의 스탬핑, 또는 심지어 기계가공과 같은 다양한 기술에 의해 형성될 수 있다. 일단 이 프리폼이 형성되고 나면, 스톤 (2) 위에 위치되고, 도 14 에서 볼 수 있는 것처럼, 템플릿 (14) 또는 프레임 (16) 에 접할 수 있다.
그리고 나서, 조립체는 유리 전이 온도 (Tg) 보다 더 높은 온도로 가열되고, 따라서 프리폼의 점성을 감소시킬 수 있고, 그 후 압력이 가해진다. 일단 이러한 조건이 획득되고 나면, 점성의 프리폼에 가해진 압력에 의해 점성의 비정질 합금이 스톤 (2) 의 전체 표면을 덮을 수 있고, 따라서 도 15 에서 볼 수 있는 것처럼, 에지와 에지가 맞대어진 카이트에 의해 형성된 중공부 (6a) 를 충전할 수 있다. 그리고 나서, 중공부 (6a) 가 충전되는 때, 합금의 비정질 상태를 유지하기 위해 조립체는 냉각된다.
이 타입의 재료는, 그의 유리 전이 온도 (Tg) 초과로 가열되는 때에 그의 점성의 큰 감소가 비정질 금속 합금으로의 중공부 (6a) 의 충전을 보장하기 위해 가해지는 응력의 감소를 수반하기 때문에 매우 적합하다. 이런 이유로, 스톤은 심지어 프레싱 작업이 행해지는 때에도 파괴될 위험이 없다. 반면, 이러한 점성의 감소는 스톤들 (2) 의 이 조립체의 각 릴리프 (relief) 에 비정질 금속 합금이 삽입될 수 있게 하고, 그러므로 그의 윤곽을 전부 취할 수 있게 한다. 이 실시형태의 다른 이점은 비교적 낮은 온도에서 제조될 수 있고, 이로써 열 충격으로 인한 스톤의 열화를 회피할 수 있고 또한 스톤의 파열 위험을 낮출 수 있다는 것이다. 이를 위해, 100 ~ 450 ℃ 의 유리 전이 온도 (Tg) 를 갖는 비정질 금속 합금이 바람직하게 사용될 것이다.
물론, 주조 또는 사출에 의한 성형과 같은 다른 타입의 성형이 가능하다. 이 방법은 금속 프리폼을 그의 융점 초과로 가열하는 것, 그리고 그에 따라 얻어지는 액체를 스톤들 (2) 위에서 주조 또는 사출하는 것으로 구성된다. 이러한 현재의 경우에, 프레임 (16) 이 스톤 (2) 의 높이와 적어도 동일한 높이를 갖는 것으로 상상할 수 있다. 그러므로, 용융 합금으로 충전될 공간 (17) 을 형성한다. 일단 공간 (17) 이 충전되고 나면, 합금의 결정화를 방지하기 위해, Tg 보다 더 낮은 온도로의 냉각 단계가 행해지고, 결국, 비정질 또는 부분적으로 비정질의 금속 합금으로 충전되는 중공부 (6a) 가 획득된다. 결정질 금속과 달리, 비정질 금속 합금은 2 개의 주된 이유로 이러한 실시형태를 허용한다. 첫 번째로, 비정질 금속 합금은 결정질 금속에 비해 매우 적은 양의 응고 수축만을 갖기 때문이다 (각각 대략 0.5 % 및 4 ~ 7 %). 이로써, 스톤과 비정질 금속 사이의 매우 양호한 결합, 따라서 매우 양호한 유지를 보장하는 것이 가능해진다. 두 번째로, 주어진 족 (family) 의 합금들에 있어서, 비정질 금속의 용융 온도가 결정질 금속의 용융 온도보다 훨씬 더 낮기 때문이다. 예컨대, 백금의 결정질 합금은 대략 1,600 ~ 1,700 ℃ 의 융점을 갖는 반면, 조성이 PtCuNiP 인 백금의 비정질 합금은 약 600 ℃ 의 융점을 갖는다. 그러므로, 이는 사용되는 공구세공 (tooling) 장비를 훨씬 단순화시키는 것과, 특히, 공기 중에서 600 ~ 800 ℃ 를 향해 분해되는 스톤들, 특히 다이아몬드들의 무결성을 유지하는 것을 가능하게 한다.
물론 분말 소결을 생각할 수 있다. 분말 소결법은, 100.000 ℃/sec 이하의 냉각 속도에서 비정질로 되는 능력을 갖는 금속 분말을 지지체 (12) 및 프레임 (16) 에 의해 형성되는 공간 (17) 에 도입한 후, 노 (furnace), 레이저 빔, 이온 빔 또는 임의의 다른 열적 수단과 같이 에너지를 가하여 응고시키는 것으로 구성된다.
물론, 제 1 재료, 즉 비정질 금속 합금의 양은 단 하나의 층만을 형성하도록 산출될 수 있고, 그 층의 두께는 도 7 에서 볼 수 있는 것처럼 스톤 (2) 의 두께 미만이거나 또는 심지어 스톤 (2) 의 높이의 절반 미만이다. 이 층은 스톤 (2) 의 형상으로 몰딩될 수 있다.
단일 베이스 (9') 가 스톤 (2) 의 카이트 (6) 를 따르는 메시를 형성하는 도 9 에 도시된 대안예에서, 스텐실 (stencil) 부재가 사용된다. 이 스텐실 부재는, 스톤 (2) 의 카이트 (6) 를 따르는 메시의 형상을 갖는 오리피스들을 포함하는 플레이트의 형상을 갖는다. 이 스텐실은 열간 성형, 주조 또는 소결의 단계가 이루어지기 전에 스톤 (2) 상에 미리 위치된다. 이 스텐실은 화학적으로 용해될 수 있도록 형성되는 것이 바람직하다. 대안적으로, 열간 성형의 경우, 프리폼은 스톤 (2) 의 카이트 (6) 를 따르는 메시의 형상을 갖도록 형성된다. 그러므로, 이 프리폼을 스톤 (2) 의 카이트 (6) 의 레벨에서 스톤 상에 위치시키고 열간 성형 작업을 행하는 것으로 충분하다. 스톤의 카이트 (6) 를 따르는 메시의 레벨에서 용융 금속을 붓는 기계에 의해 주조 작업이 이루어지는 것을 또한 생각할 수도 있다.
유사하게, 본 발명의 다른 대안예에 따르면, 단일 베이스 (9, 9') 는 최종 제품의 보디를 직접 형성할 수 있고, 이로써 다른 보디에 장식편 (1, 3, 5) 을 박아넣을 필요가 없다.
나중에, 분리 단계가 이루어진다. 이 분리 단계는 도 16 의 장식편을 획득하기 위해 지지체 (12) 로부터 그리고 템플릿 (14) 으로부터 스톤들 (2) 및 단일 베이스 (9, 9') 에 의해 형성된 조립체를 분리하는 것으로 구성된다. 이를 위해, 여러 해법들이 제공될 수 있다.
제 1 해법은 스톤들 (2) 및 단일 베이스 (9, 9') 에 의해 형성된 조립체로부터 지지체 및 템플릿을 단순히 해체하는 것으로 구성된다. 스톤들 (2) 이 지지체 (12) 의 테이블 (15) 에 접착되어 있는 경우, 접착제를 용해시키는데 화학 작용제 (chemical agent) 가 사용될 수 있다.
제 2 해법은 상기 템플릿 및 지지체 (12) 를 용해시키는 것으로 구성된다. 실제로, 템플릿 (14) 및 지지체 (12) 는 용해될 수 있는 재료로 형성된다.
도 17 ~ 20 에서 볼 수 있는 다른 실시형태가 사용될 수 있다. 이 실시형태는 0.5 % 로부터 소성 변형하는 결정질 합금에 비해 비정질 합금의 큰 탄성 변형 (전형적으로 2 %) 의 이점을 취하는 것으로 구성된다.
이를 위해, 제 1 단계는 하우징 (121) 을 갖는 지지체 (120) 를 제공하는 것으로 구성된다.
지지체 (120) 의 하우징 (121) 내에, 비정질 또는 부분적으로 비정질의 금속 재료인 제 1 재료의 디포짓 (22) 이 도 18 에서 볼 수 있는 것처럼 디포짓팅된다. 비정질 금속 재료의 이 디포짓 (22) 은 전술한 열간 성형 또는 주조 또는 사출 또는 분말 소결의 방법에 의해 형성될 수 있다.
그 후, 후속 단계는 도 19 에서 볼 수 있는 것처럼 스톤 (2) 이 세팅될 구멍 (23) 을 형성하도록 이 디포짓 (22) 을 기계가공하는 것으로 구성된다. 이 도면은 스톤이 그의 큘렛에 의해 박아넣어진 버전을 보여주지만, 크라운에 의해 박아넣어진 스톤을 갖거나 또는 심지어 스톤이 크라운 또는 큘렛에 의해 박아넣어진 임의의 장치를 갖는 것을 매우 쉽게 생각할 수 있다. 이 기계가공은 여러 방식으로 행해질 수 있다. 한편, 레이저에 의해 또는 드릴링에 의해 재료를 제거함으로써 달성될 수 있다.
유사하게, 이 기계가공은 비정질 금속의 특성을 이용함으로써 달성될 수 있다. 실제로, 비정질 금속은 그의 유리 전이 온도 (Tg) 와 그의 결정화 온도 (Tx) 사이의 온도로 가열되는 때 점성이 감소된다. 구멍의 네거티브 형상 (negative geometry) 을 갖는 공구가 중공부를 충전하는 비정질 금속에 특정 힘으로 적용된다. 따라서, 사용되는 비정질 합금에 따라 곤란할 수 있는 기계가공 단계를 피하는 것이 가능하다.
유리하게 본 실시형태에 따르면, 각 구멍 (23) 의 플랭크 (23a) 의 레벨에 고정 수단 (24) 이 제공된다. 고정 수단 (24) 은 디포짓 (22) 과 일체인 적어도 하나의 돌기 (protuberance) 로 구성된다.
그러므로, 세팅 방법은 스톤 (2) 을 구멍에 압입하는 것으로 구성된다. 탄성 변형에 의해, 고정 수단이 변형되고, 이로써 상기 스톤 (2) 의 삽입이 가능하다. 돌기가 스톤 (2) 의 언더컷 (10) 의 반대편에 위치되는 때, 탄성 레실리엔스가 가해져서, 도 20 에서 볼 수 있는 것처럼 돌기가 언더컷 (10) 에 삽입되고 최종적으로 언더컷을 유지할 수 있게 한다.
바람직하게는, 하우징 (121) 의 치수는 하우징의 높이가 스톤 (2) 의 높이와 적어도 동일하도록 그리고 폭 및/또는 길이가 에지와 에지가 맞닿게 세팅된 스톤들 (2) 의 조립체의 폭 및/또는 길이와 적어도 동일하도록 산출된다.
본 기술분야의 통상의 기술자에게 자명한 다양한 수정 및/또는 개선 및/또는 조합이 첨부된 청구항들에 의해 규정되는 본 발명의 범위로부터 벗어남이 없이 전술한 본 발명의 다양한 실시형태에 적용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
Claims (36)
- 복수의 스톤들 (2) 및 스톤들 (2) 을 서로에 대해 고정하기 위한 고정 장치 (7, 7') 를 포함하는 장식편 (1, 3, 5) 으로서,
상기 고정 장치 (7, 7') 는 스톤들의 면들중의 하나의 면에 의해 모든 스톤들 (2) 을 서로에 대해 부착시킬 수 있는 제 1 재료로 제조된 단일 베이스 (9, 9') 를 포함하고,
상기 스톤들 (2) 의 카이트들 (kites; 6) 은 상기 단일 베이스가 마스킹되도록 서로에 대해 에지와 에지를 맞대어 장착되고,
상기 제 1 재료는 상기 스톤들을 덮도록 형성되고,
상기 제 1 재료는 적어도 부분적으로 비정질의 합금인 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 복수의 스톤들 (2) 및 스톤들 (2) 을 서로에 대해 고정하기 위한 고정 장치 (7, 7') 를 포함하는 장식편 (1, 3, 5) 으로서,
상기 고정 장치 (7, 7') 는 스톤들의 면들중의 하나의 면에 의해 모든 스톤들 (2) 을 서로에 대해 부착시킬 수 있는 제 1 재료로 제조된 단일 베이스 (9, 9') 를 포함하고,
상기 단일 베이스는 구멍 (23) 을 포함하도록 형성되고,
상기 스톤들은 세팅되고, 상기 구멍은 상기 스톤들 (2) 의 카이트들 (kites; 6) 이 상기 단일 베이스가 마스킹되기 위해 서로에 대해 에지와 에지를 맞대어 장착되도록 배열되고,
상기 제 1 재료는 적어도 부분적으로 비정질의 합금인 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 1 항에 있어서,
상기 단일 베이스 (9) 는 스톤들의 큘렛 (culet; 4) 에 의해 모든 스톤들 (2) 을 서로에 대해 부착시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 2 항에 있어서,
상기 단일 베이스 (9) 는 스톤들의 큘렛 (culet; 4) 에 의해 모든 스톤들 (2) 을 서로에 대해 부착시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 1 항에 있어서,
상기 단일 베이스 (9) 는 스톤들의 크라운에 의해 모든 스톤들 (2) 을 서로에 대해 부착시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 2 항에 있어서,
상기 단일 베이스 (9) 는 스톤들의 크라운에 의해 모든 스톤들 (2) 을 서로에 대해 부착시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 1 항에 있어서,
상기 단일 베이스 (9) 는, 소정의 스톤들 (2) 이 스톤들의 큘렛에 의해 고정되고 소정의 스톤들 (2) 이 스톤들의 크라운에 의해 고정되도록, 복수의 스톤 (2) 을 부착시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 2 항에 있어서,
상기 단일 베이스 (9) 는, 소정의 스톤들 (2) 이 스톤들의 큘렛에 의해 고정되고 소정의 스톤들 (2) 이 스톤들의 크라운에 의해 고정되도록, 복수의 스톤 (2) 을 부착시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 3 항에 있어서,
상기 단일 베이스 (9) 는 상기 스톤들의 상기 큘렛 (4) 의 전부를 덮는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 4 항에 있어서,
상기 단일 베이스 (9) 는 상기 스톤들의 상기 큘렛 (4) 의 전부를 덮는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 3 항에 있어서,
상기 단일 베이스 (9') 는 상기 스톤들의 상기 큘렛 (4) 의 일부를 덮지 않은 채로 남겨 두는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 4 항에 있어서,
상기 단일 베이스 (9') 는 상기 스톤들의 상기 큘렛 (4) 의 일부를 덮지 않은 채로 남겨 두는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 5 항에 있어서,
상기 단일 베이스 (9) 는 상기 스톤들의 상기 크라운의 전부를 덮는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 6 항에 있어서,
상기 단일 베이스 (9) 는 상기 스톤들의 상기 크라운의 전부를 덮는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 5 항에 있어서,
상기 단일 베이스 (9') 는 상기 스톤들의 상기 크라운 (4) 의 일부를 덮지 않은 채로 남겨 두는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 6 항에 있어서,
상기 단일 베이스 (9') 는 상기 스톤들의 상기 크라운 (4) 의 일부를 덮지 않은 채로 남겨 두는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 3 항에 있어서,
상기 고정 장치 (7, 7') 는 스톤들의 큘렛 (4) 의 레벨에서 스톤들 (2) 중의 적어도 하나의 스톤에 형성된 적어도 하나의 언더컷 (10) 을 포함하여서, 각각의 큘렛 (4) 에 적어도 부분적으로 대응하는 형상의 단일 베이스 (9, 9') 가 스톤들 (2) 중의 상기 적어도 하나의 스톤의 각각을 위한 적어도 하나의 후크 (hook) 를 형성하는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 4 항에 있어서,
상기 고정 장치 (7, 7') 는 스톤들의 큘렛 (4) 의 레벨에서 스톤들 (2) 중의 적어도 하나의 스톤에 형성된 적어도 하나의 언더컷 (10) 을 포함하여서, 각각의 큘렛 (4) 에 적어도 부분적으로 대응하는 형상의 단일 베이스 (9, 9') 가 스톤들 (2) 중의 상기 적어도 하나의 스톤의 각각을 위한 적어도 하나의 후크 (hook) 를 형성하는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 5 항에 있어서,
상기 고정 장치 (7, 7') 는 스톤들의 크라운의 레벨에서 스톤들 (2) 중의 적어도 하나의 스톤에 형성된 적어도 하나의 언더컷 (10) 을 포함하여서, 각각의 크라운에 적어도 부분적으로 대응하는 형상의 단일 베이스 (9, 9') 가 스톤들 (2) 중의 상기 적어도 하나의 스톤의 각각을 위한 적어도 하나의 후크를 형성하는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 6 항에 있어서,
상기 고정 장치 (7, 7') 는 스톤들의 크라운의 레벨에서 스톤들 (2) 중의 적어도 하나의 스톤에 형성된 적어도 하나의 언더컷 (10) 을 포함하여서, 각각의 크라운에 적어도 부분적으로 대응하는 형상의 단일 베이스 (9, 9') 가 스톤들 (2) 중의 상기 적어도 하나의 스톤의 각각을 위한 적어도 하나의 후크를 형성하는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 17 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 언더컷 (10) 은 상기 큘렛 (4) 의 2 개의 면에서 2 개의 그루브를 형성하는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 18 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 언더컷 (10) 은 상기 큘렛 (4) 의 2 개의 면에서 2 개의 그루브를 형성하는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 19 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 언더컷 (10) 은 상기 크라운의 2 개의 면에서 2 개의 그루브를 형성하는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 20 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 언더컷 (10) 은 상기 크라운의 2 개의 면에서 2 개의 그루브를 형성하는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 재료는 전부가 비정질의 금속 재료인 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 재료는 전부가 비정질의 금속 재료인 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 재료는, 금, 백금, 팔라듐, 레늄, 루테늄, 로듐, 은, 이리듐 또는 오스뮴을 포함하는 리스트에 포함되는 귀중한 타입의 적어도 하나의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 재료는, 금, 백금, 팔라듐, 레늄, 루테늄, 로듐, 은, 이리듐 또는 오스뮴을 포함하는 리스트에 포함되는 귀중한 타입의 적어도 하나의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 25 항에 있어서,
상기 제 1 재료는, 금, 백금, 팔라듐, 레늄, 루테늄, 로듐, 은, 이리듐 또는 오스뮴을 포함하는 리스트에 포함되는 귀중한 타입의 적어도 하나의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 26 항에 있어서,
상기 제 1 재료는, 금, 백금, 팔라듐, 레늄, 루테늄, 로듐, 은, 이리듐 또는 오스뮴을 포함하는 리스트에 포함되는 귀중한 타입의 적어도 하나의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 재료는 450 ℃ 이하의 유리 전이 온도를 가지는 비정질 합금인 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 재료는 450 ℃ 이하의 유리 전이 온도를 가지는 비정질 합금인 것을 특징으로 하는 장식편 (1, 3, 5). - 제 1 항에 따른 박아넣은 (set-in) 적어도 하나의 장식편 (1, 3, 5) 을 포함하는 것을 특징으로 하는 시계.
- 제 2 항에 따른 박아넣은 (set-in) 적어도 하나의 장식편 (1, 3, 5) 을 포함하는 것을 특징으로 하는 시계.
- 제 1 항에 따른 박아넣은 적어도 하나의 장식편 (1, 3, 5) 을 포함하는 것을 특징으로 하는 장신구 또는 보석 물품.
- 제 2 항에 따른 박아넣은 적어도 하나의 장식편 (1, 3, 5) 을 포함하는 것을 특징으로 하는 장신구 또는 보석 물품.
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