KR20150087881A - 단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 초크랄스키법으로 육성한 단결정 구리 타깃을 사용하여 고주파 스퍼터링 방식으로 사파이어 디스크 기판에 증착시킴으로써 결정성 측면에서 품질이 우수한 구리 박막을 제조하는 단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법에 관한 것이다.
이러한 본 발명은, 초크랄스키법으로 육성한 원통 형상의 단결정 구리를 절단한 원판형 단결정 구리 타깃을 사용하여 사파이어 디스크 기판에 고주파 스퍼터링 방식으로 증착시켜 구리 박막을 형성 제조하는 것을 특징으로 하는 단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법을 기술적 요지로 한다.

Description

단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법{Manufacturing method of copper thin film using the Cu single crystal}
본 발명은 단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 초크랄스키법으로 육성한 단결정 구리 타깃을 사용하여 고주파 스퍼터링 방식으로 사파이어 디스크 기판에 증착시킴으로써 결정성 측면에서 품질이 우수한 구리 박막을 제조하는 단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 고주파 스퍼터링(high-frequency sputtering) 증착 방식은 진공 상태에서 타깃 물질에 고주파를 가함으로써 타깃 물질을 이온화시켜 그 원자와 분자를 그 부근에 위치한 기판 표면에 증착시켜 박막을 형성하는 것이다.
상기 고주파 스퍼터링 증착 방식은 기판 표면에 구리 박막을 형성할 때 주로 많이 사용하고 있다. 즉, 기판과 구리 타깃을 진공 공간에 두고 구리 타깃에 고주파를 가하면 기판 표면에 얇은 구리 박막이 형성된다.
여기서 고주파 스퍼터링 증착 방식을 이용하여 구리 박막을 형성할 때 사용되는 종래의 구리 타깃은 다결정 혹은 비정질 구리 타깃으로 기판 표면에 형성되는 구리 박막의 품질이 좋지 않을 뿐 아니라 기판으로부터 쉽게 떨어지는 문제점이 있다. 이로 인해 구리 박막에 대한 수요가 많은데도 불구하고 쉽게 사용하지 못하는 한계가 있다.
국내 등록특허공보 제10-0327685호, 2002.02.25.자 등록.
본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위해 발명된 것으로서, 기판 표면에 고주파 스퍼터링 증착 방식으로 구리 박막을 형성시킬 때 종래의 구리 타깃으로 인한 구리 박막의 품질 저하를 막을 수 있도록, 초크랄스키법으로 육성한 단결정 구리 타깃을 사용하여 사파이어 디스크 기판 표면에 고품질의 구리 박막을 증착시켜 제조하는 단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법은, 초크랄스키법으로 육성한 원통 형상의 단결정 구리를 절단한 원판형 단결정 구리 타깃을 사용하여 사파이어 디스크 기판에 고주파 스퍼터링 방식으로 증착시켜 구리 박막을 형성 제조하는 것을 특징으로 한다.
상기 구리 박막은, XRD 회절 패턴 상에서 피크(111)가 상기 사파이어 디스크 기판의 피크(0001)보다 적어도 1배 이상 높은 것을 특징으로 한다.
상기 구리 박막은, 실온에서 200℃의 사이에서 비저항 평균보다 상대적으로 낮은 비저항 강하가 발생하는 것을 특징으로 한다.
상기 고주파 스퍼터링은, 100~200℃에서 2~3시간 동안 30~60Ｗ의 고주파전원을 가하여 실시되는 것을 특징으로 한다.
상기한 구성에 의한 본 발명은, 초크랄스키법으로 육성한 원판형의 단결정 구리 타깃을 사용하여 공정이 단순한 고주파 스퍼터링 방식으로 사파이어 디스크 기판 표면에 구리 박막을 증착시켜 고품질의 구리 박막을 제공함으로써 구리 박막에 대한 높은 수요에 부응할 수 있을 뿐만 아니라 구리 박막의 적용 범위도 더욱 확대시킬 수 있을 효과가 기대된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 구리 박막과 종래의 방법에 의해 제조된 구리 박막을 비교 제시한 XRD 데이터.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 구리 박막과 종래의 방법에 의해 제조된 구리 박막을 비교 제시한 AFM 데이터.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 구리 박막과 종래의 방법에 의해 제조된 구리 박막을 비교 제시한 TEM 이미지.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 구리 박막과 종래의 방법에 의해 제조된 구리 박막을 비교 제시한 EBSD 이미지.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 구리 박막과 종래의 방법에 의해 제조된 구리 박막을 비교 제시한 Hall 데이터.
본 발명은 태양전지 등에 사용되는 구리 박막을 기판 표면에 형성 제조하기 위한 단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법이다.
특히, 본 발명에 따른 단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법은, 구리 박막에 대한 높아진 수요에 대응할 수 있도록 종래의 방식과 비교하여 상대적으로 간편한 공정을 통해 고품질의 구리 박막의 제조가 가능한 것이 특징이다.
이러한 특징은, 구리 타깃은 초크랄스키법으로 육성한 원통 형상의 단결정 구리를 절단한 원판형 단결정 구리 타깃로 구성하고, 기판은 사파이어 디스크 형태의 기판으로 구성하며, 증착 방식은 고주파 스터퍼링 방식으로 구성하는 것에 의해 달성된다.
즉, 잉곳 전체를 하나의 단결정으로 제조하는 초크랄스키법(Czochralski method)으로 육성한 원판형 단결정 구리 잉곳을 고주파 스터퍼링 방식으로 사파이어 디스크 기판 표면에 증착시켜 고품질의 구리 박막을 제조하는 것이다.
상기와 같이 제조된 구리 박막은 XRD 회절 패턴 상에서 피크(111)가 사파이어 디스크 기판의 피크(0001)보다 적어도 1배 이상 높게 나타나는 특성이 있다. 그리고 구리 박막은 실온에서 200℃의 사이에서 비저항 평균보다 상대적으로 급격하게 비저항이 낮아지는 비저항 강하가 발생하는 특성도 있다.
이때 증착 방식인 고주파 스퍼터링은 진공 상태에서 100~200℃에서 1~3시간 동안 30~60Ｗ의 고주파전원을 인가하는 조건에서 실시하는데, 상기 조건을 벗어나게 되면 상기 구리 박막의 특성이 제대로 나타나지 않을 뿐만 아니라 구리 박막의 품질이 떨어질 수 있으므로 상기 조건 범위에서 적절하게 선택하여 실시하는 것으로 가장 바람직하다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법 및 이에 의해 제조된 구리 박막의 특성을 상세하게 설명하면 다음과 같다.
먼저, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법을 설명한다.
1. 초크랄스키법을 사용하여 원통 형상의 단결정 구리 잉곳을 육성시킨다.
2. 상기 원통 형상의 단결정 구리 잉곳을 디스크 형상이 되도록 수직으로 기립시킨 상태에서 수평 방향으로 절단하여 디스크 형상의 단결정 구리 타깃을 만든다.
3. 상기 디스크 형상의 단결정 구리 타깃을 사용하여 150℃에서 2시간 동안 40Ｗ의 고주파전원을 인가하는 조건의 고주파 스퍼터링 방식으로 디스크 형상의 사파이어 기판 표면에 증착시켜 구리 박막의 제조를 완료한다.
디음으로, 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 구리 박막의 특성을 다양한 실험 데이터를 통해 상세하게 설명한다.
1. XRD 데이터.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 구리 박막(SCu/Al2O3)과 일반적인 구리 타깃을 사용한 종래의 방법에 의해 제조된 구리 박막(Cu/Al2O3)을 비교 제시한 XRD 데이터이다.
도 1의 좌측 데이터에 따르면 본 발명에 의한 구리 박막(SCu/Al2O3)은 일반적으로 구리 타각을 종래의 구리 박막(Cu/Al2O3)에 비하여 구리(111)면의 결정성 측면에서 우수하다는 것을 확인할 수 있다.
도 1의 우측 데이터에 따르면 본 발명에 의한 구리 박막(SCu/Al2O3)은 구리(Cu(111))의 피크가 사파이어 기판(Al2O3(0001))의 피크보다 훨씬 더 높게 나타남을 알 수 있다. 이에 반하여 종래의 구리 박막(Cu/Al2O3)의 경우에는 박막의 피크가 기판의 피크보다 높지 않다. 즉, 구리 박막(SCu/Al2O3)의 피크 강도가 106CPS(count per second) 이상의 피크를 확보함에 따라 양질의 구리 박막 성장이 가능하다는 것을 확인할 수 있다.
2. AFM 데이터
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 구리 박막(SCu/Al2O3)과 일반적인 구리 타깃을 사용한 종래의 방법에 의해 제조된 구리 박막(Cu/Al2O3)을 비교 제시한 AFM 데이터이다.
도 2의 AFM 데이터에 따르면, 본 발명에 의한 구리 박막(SCu/Al2O3)의 모폴로지가 균일한 반면에 종래의 구리 박막의 모폴로지는 불균일한 것을 확인할 수 있다. 그리고 본 발명에 의한 구리 박막(SCu/Al2O3)의 RMS값(9.11nm)도 종래의 구리 박막(Cu/Al2O3)의 RMS값(45.09nm)보다 낮은 것을 확인할 수 있다.
3. TEM 이미지
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 구리 박막(SCu/Al2O3)과 일반적인 구리 타깃을 사용한 종래의 방법에 의해 제조된 구리 박막(Cu/Al2O3)을 비교 제시한 TEM 이미지이다.
도 3의 TEM 이미지에 따르면, 본 발명에 의한 구리 박막(SCu/Al2O3)에서는 기판과 구리 박막 간의 경계 영역에서 격자가 단결정과 같이 균일하게 형성되어 있고, SAED(Selected Area Electron Diffraction) 삽도에서도 기판 표면에 대하여 효과적으로 구리 박막이 형성되는 것을 확인할 수 있다.
이에 반하여 종래의 구리 박막(Cu/Al2O3)에서는 기판 간의 경계 영역에서 다수의 적층 결함과 결정 어긋남(dislocation: 전위 결함)이 형성되어 있고, 삽도 TEM 이미지에서 주상 구조(colummar structure) 성장이 이루어지고 있는 것을 확인할 수 있다.
4. EBSD 이미지
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 구리 박막(SCu/Al2O3)과 일반적인 구리 타깃을 사용한 종래의 방법에 의해 제조된 구리 박막(Cu/Al2O3)을 비교 제시한 EBSD(electron back scatter diffraction) 이미지이다.
도 4의 EBSD 이미지에 따르면, 본 발명에 의한 구리 박막에서는 EBSD 이미지 영역 전체에 걸쳐서 그레인이 발견되지 않고 동일한 (111) 방향으로 성장되어 있는 것을 확인할 수 있다.
5. Hall 데이터
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 구리 박막(SCu/Al2O3)과 일반적인 구리 타깃을 사용한 종래의 방법에 의해 제조된 구리 박막(Cu/Al2O3)를 비교 제시한 Hall 데이터이다. (van der Pauw's 법 사용)
도 5의 Hall 데이터에 따르면, 본 발명에 의한 구리 박막(SCu/Al2O3)은 (a)와 같이 비저항이 150℃ 부근에서 급격하게 떨어지는 비저항 강하 현상이 발생하는 반면에, 종래의 구리 박막(Cu/Al2O3)은 (b)와 같이 비저항의 변화가 일정한 범위 내에 있음을 확인할 수 있다. 그리고 본 발명에 의한 구리 박막(SCu/Al2O3)은 (c)와 같이 케리어 농도와 이동도가 150℃ 부근에서 급격하게 올라가는 반면에, 종래의 구리 박막(Cu/Al2O3)은 (d)와 같이 케리어 농도와 이동도가 온도에 따라 서서히 감소 또는 증가하는 것을 확인할 수 있다.
즉, 본 발명에 의한 구리 박막(SCu/Al2O3)의 표면효과와 그레인 바운더리의 기여에 의해 낮은 비저항 특성을 가짐에 따라 ULSI(ultra-large scale integration) 기술에 응용성이 높다는 것을 확인할 수 있다.
이상과 같이 본 발명에 따른 단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법은, 단결정 구리 타깃을 이용하여 사파이어 기판 표면에 고주파 스퍼터링 방식으로 증착시켜 종래의 구리 박막과 달리 결정성 면에서 우수하고 모폴로지가 균일하며 그레인 분포도 균일하며 비저항 특성을 갖는 고품질의 구리 박막을 제조할 수 있게 된다.
상기한 실시예는 예시적인 것에 불과한 것으로, 당해 기술분야에 대한 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양하게 변형된 다른 실시예가 가능하다.
따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위에는 하기의 특허청구범위에 기재된 발명의 기술적 사상에 의해 상기의 실시예뿐만 아니라 다양하게 변형된 다른 실시예가 포함되어야 한다.

Claims (4)

  1. 초크랄스키법으로 육성한 원통 형상의 단결정 구리를 절단한 원판형 단결정 구리 타깃을 사용하여 사파이어 디스크 기판에 고주파 스퍼터링 방식으로 증착시켜 구리 박막을 형성 제조하는 것을 특징으로 하는 단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구리 박막은,
    XRD 회절 패턴 상에서 피크(111)가 상기 사파이어 디스크 기판의 피크(0001)보다 적어도 1배 이상 높은 것을 특징으로 하는 단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 구리 박막은,
    실온에서 200℃의 사이에서 비저항 평균보다 상대적으로 낮은 비저항 강하가 발생하는 것을 특징으로 하는 단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 고주파 스퍼터링은,
    100~200℃에서 2~3시간 동안 30~60Ｗ의 고주파전원을 가하여 실시되는 것을 특징으로 하는 단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220049366A (ko) * 2020-10-14 2022-04-21 부산대학교 산학협력단 박막의 원자층 제어를 위한 rf 스퍼터링 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2976329B2 (ja) * 1988-01-11 1999-11-10 忠弘 大見 薄膜形成装置のシール機構
KR100327685B1 (ko) 1995-09-22 2002-06-28 순페이 야마자끼 스퍼터링을통한박막제조방법및스퍼터링장치
JP2006124753A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Bridgestone Corp Ｃｕ２Ｏ膜、その成膜方法及び太陽電池
KR100749833B1 (ko) * 2004-09-21 2007-08-16 부산대학교 산학협력단 단결정 와이어 및 그 제조방법
KR20130020351A (ko) * 2011-08-19 2013-02-27 한국전기연구원 그래핀 박막의 형성방법 및 그 방법에 의해 제조된 그래핀

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2976329B2 (ja) * 1988-01-11 1999-11-10 忠弘 大見 薄膜形成装置のシール機構
KR100327685B1 (ko) 1995-09-22 2002-06-28 순페이 야마자끼 스퍼터링을통한박막제조방법및스퍼터링장치
KR100749833B1 (ko) * 2004-09-21 2007-08-16 부산대학교 산학협력단 단결정 와이어 및 그 제조방법
JP2006124753A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Bridgestone Corp Ｃｕ２Ｏ膜、その成膜方法及び太陽電池
KR20130020351A (ko) * 2011-08-19 2013-02-27 한국전기연구원 그래핀 박막의 형성방법 및 그 방법에 의해 제조된 그래핀

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220049366A (ko) * 2020-10-14 2022-04-21 부산대학교 산학협력단 박막의 원자층 제어를 위한 rf 스퍼터링 장치

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