KR20150078857A - 메모리 보호회로 및 이를 포함하는 액정표시장치 - Google Patents

메모리 보호회로 및 이를 포함하는 액정표시장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것이다.
본 발명에 의한 액정표시장치는 액정패널; 구동정보 및 영상 데이터 변조 정보 등을 저장하고, 저장된 상기 구동정보 및 영상 데이터 변조 정보 등을 타이밍 콘트롤러로 공급하는 메모리; 상기 메모리의 쓰기 보호 기능을 강화하기 위한 것으로서, 상기 메모리의 쓰기 보호 단자를 전원전압으로 풀업시키는 풀업저항 및 상기 쓰기 보호 단자와 연결되어 상기 쓰기 보호 단자에 저전위전압을 인가하기 위한 패드를 포함하는 메모리 보호회로; 상기 메모리에 저장된 데이타를 읽어서 상기 액정패널을 구동하기 위한 각종 제어신호들을 출력하는 타이밍 콘트롤러; 상기 타이밍 콘트롤러의 동작 신호에 따라 게이트 저전압 신호(VGL) 및 게이트 고전압 신호(VGH)를 출력하는 직류-직류 변환기; 상기 타이밍 콘트롤러의 동작 신호를 바탕으로 스캔펄스를 생성하며, 상기 스캔펄스를 상기 액정패널의 각 게이트 라인에 순차적으로 공급하는 게이트 드라이버; 및 상기 타이밍 콘트롤러로부터 비디오 신호를 입력받아서 아날로그 신호인 데이터 신호로 변환하고, 상기 데이터 신호를 상기 액정패널의 각 데이터 라인에 공급하는 데이터 드라이버;를 구비한다.

Description

메모리 보호회로 및 이를 포함하는 액정표시장치{Protecting Curcuit of Memory and LCD having the Same}
본 발명은 메모리 보호회로 및 이를 포함하는 액정표시장치에 관한 것이다.
액정표시장치는 현재 가장 널리 사용되는 평판 표시 장치 중 하나이며, 화소전극과 공통전극 등이 형성되는 두 기판과, 두 기판 사이의 액정층을 포함한다. 이러한 액정표시장치는 전극에 인가된 전압에 의해 생성된 전기장에 따라 액정층의 액정분자들의 배향을 결정하고, 입사광의 편광을 제어하여 영상을 표시한다. 액정표시장치는 동화상 표시에 유리하고 높은 콘트라스트비(contrast ratio)로 인하여 기존의 음극선관(Cathode Ray Tube)을 대체하면서 이동 단말기의 표시장치(노트북 모니터 등)뿐만 아니라 컴퓨터의 모니터, 텔레비전 등으로 다양하게 이용되고 있다.
액정표시장치는 시스템 부팅시에 해상도, 타이밍과 같은 모델 정보를 시스템에서 리드하여 액정 구동회로부에 전달하기 위한 프로그램이 가능한 EEPROM을 포함한다. EEPROM은 읽기 및 쓰기가 가능한 메모리이지만, 액정표시장치의 제조과정에서 액정패널과 구동회로 및 케이스 등을 조립한 액정모듈(Liquid Crystal Module;LCM) 상태에서는 EEPROM의 쓰기 보호 기능(Write Protection)이 활성화되어서 쓰기 기능은 억제된다. 다시 말해서 액정모듈을 제작하기 이전까지는 EEPROM의 쓰기 보호 기능이 활성화되지 않기 때문에 외부의 전기적 충격 등에 의해서 EEPROM의 데이터가 손상되거나 변형되는 경우가 발생한다.
* 관련선행기술
국내공개 제10-2012-0108438호, 명칭:리셋 회로 및 이를 포함하는 액정표시장치
본 발명은 액정표시모듈을 제작하기 이전에도 메모리의 데이터가 손상되거나 변형되는 것을 방지할 수 있는 메모리 보호회로를 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 의한 액정표시장치는 액정패널; 구동정보 및 영상 데이터 변조 정보 등을 저장하고, 저장된 상기 구동정보 및 영상 데이터 변조 정보 등을 타이밍 콘트롤러로 공급하는 메모리; 상기 메모리의 쓰기 보호 기능을 강화하기 위한 것으로서, 상기 메모리의 쓰기 보호 단자를 전원전압으로 풀업시키는 풀업저항 및 상기 쓰기 보호 단자와 연결되어 상기 쓰기 보호 단자에 저전위전압을 인가하기 위한 패드를 포함하는 메모리 보호회로; 상기 메모리에 저장된 데이타를 읽어서 상기 액정패널을 구동하기 위한 각종 제어신호들을 출력하는 타이밍 콘트롤러; 상기 타이밍 콘트롤러의 동작 신호에 따라 게이트 저전압 신호(VGL) 및 게이트 고전압 신호(VGH)를 출력하는 직류-직류 변환기; 상기 타이밍 콘트롤러의 동작 신호를 바탕으로 스캔펄스를 생성하며, 상기 스캔펄스를 상기 액정패널의 각 게이트 라인에 순차적으로 공급하는 게이트 드라이버; 및 상기 타이밍 콘트롤러로부터 비디오 신호를 입력받아서 아날로그 신호인 데이터 신호로 변환하고, 상기 데이터 신호를 상기 액정패널의 각 데이터 라인에 공급하는 데이터 드라이버;를 구비한다.
본 발명은 메모리의 쓰기 보호 기능을 항시 활성화시켜서 메모리의 데이터가 손상되거나 변형되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 메모리의 쓰기 동작을 수행할 때에는 메모리 보호회로의 패드를 통해서 저전위전압을 인가할 수 있어서, 필요시에는 메모리의 쓰기 동작을 수행할 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 액정표시장치를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명에 의한 메모리 및 메모리 보호회로를 나타내는 도면.
도 3은 롬-라이터의 실시 예를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명에 의한 메모리의 쓰기 보호 기능을 제어하는 방법을 나타내는 순서도.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 액정표시장치를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 의한 액정표시장치는 액정패널(11), 게이트 드라이버(11a), 데이터 드라이버(11b), 타이밍 콘트롤러(23), 메모리(25) 및 메모리 보호회로(30)를 구비한다.
액정패널(11)은 다수개의 게이트 라인(G)과 데이터 라인(D)이 서로 수직한 방향으로 배열되어 매트릭스 형태의 화소영역을 갖고, 각 화소영역에는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor;이하 TFT) 및 TFT와 접속된 액정 커패시터(Clc)를 구비한다. 액정 커패시터(Clc)는 TFT와 접속된 화소전극, 화소전극과 액정을 사이에 두고 구성된 공통전극으로 구성된다. TFT는 각각의 게이트 라인(G)으로부터의 스캔펄스에 응답하여 각각의 데이터 라인(D)으로부터의 데이터 전압을 화소전극에 공급한다. 액정 커패시터(Clc)는 화소전극에 공급된 데이터 전압과 공통전극에 공급된 기준 공통전압의 차 전압을 충전하고, 그 차 전압에 따라 액정 분자들의 배열을 가변시켜 광 투과율을 조절함으로써 휘도를 표현한다. 그리고 액정 커패시터(Clc)에는 스토리지 커패시터(Cst)가 병렬로 접속되어 액정 커패시터(Clc)에 충전된 전압이 다음 데이터 신호가 공급될 때까지 유지되도록 한다.
타이밍 콘트롤러(23)는 메모리(25)에 저장된 데이타를 읽어서 직류-직류 변환기(24)의 동작을 위한 동작 신호 및 액정 표시 패널을 구동하기 위한 각종 제어신호들을 출력한다. 이때, 타이밍 콘트롤러(23)는 입/출력 제어클럭(CLK)을 메모리(25)에 입력하여 액정패널(11)의 구동 정보 및 영상 데이터 변조 정보들을 공급받고, 구동 정보 및 영상 데이터변조 정보들을 바탕으로 게이트 드라이버(11a) 및 데이터 드라이버(11b)를 제어한다.
직류-직류 변환기(24)는 커넥터(22)를 통해 시스템으로 전압을 제공받아서 구동전압(Vcc, Vdd)을 출력하고 타이밍 콘트롤러(23)의 동작 신호에 따라 게이트 저전압 신호(VGL) 및 게이트 고전압 신호(VGH)를 출력한다.
게이트 드라이버(11a)는 타이밍 콘트롤러(23)의 동작 신호에 의해 직류-직류 변환기(24)로부터 게이트 고전압 신호(VGH) 및 게이트 저전압 신호(VGL)를 입력받아서 스캔펄스를 생성하며, 스캔펄스를 액정패널(11)의 각 게이트 라인(G)에 순차적으로 공급한다.
데이터 드라이버(11b)는 타이밍 콘트롤러(23)로부터 디지털 신호인 보정된 비디오 신호(Do)를 입력받아서 아날로그 신호인 보정된 데이터 신호로 변환하고, 보정된 데이터 신호를 액정 표시 패널(11)의 각 데이터 라인(D)에 공급한다.
메모리(25)는 액정패널(11)의 크기, 해상도 변환정보, 영상 데이터 변환 정보, 타이밍 콘트롤러(23)의 구동 주파수 및 구동 타이밍 정보 등을 저장한다. 그리고 메모리(25)는 입/출력 제어클럭이 입력되면, 저장된 구동정보 및 영상 데이터 변조 정보등을 타이밍 콘트롤러(23)로 공급한다.
이러한 메모리(25)는 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) 등을 이용할 수 있다. EEPROM은 전원이 꺼져도 데이터가 기억되는 메모리 소자이고, I2C버스(Bus)의 시리얼 통신 수단을 통해서 타이밍 콘트롤러(23)와 데이터를 송수신한다. I2C는 2와이어(wire) 직렬 통신 인터페이스로서, 시리얼 데이터라인(SDA)과 시리얼 클럭 라인(SCL)으로 구성된 집적회로 간의 데이터 통신방법이다.
메모리(25)는 복수 개의 단자를 포함하고, 각 단자의 연결관계를 살펴보면 다음과 같다. A0 단자(1), A1 단자(2) 및 A2 단자(3)는 I2C 통신을 위한 EEPROM Address 설정을 위한 것이다. GND 단자(4)는 접지전압에 연결된다. SDA 단자(8) 및 SCL 단자(7)는 I2C 통신을 위한 클럭신호(CLK)와 데이터신호(DATA) 신호를 인가받는다. WP 단자(6)는 쓰기 보호(Write Protect) 단자로, 하이레벨 전압이 인가될 때에는 쓰기 보호 기능이 활성화되어서 읽기 기능만이 동작한다. 그리고 로우레벨 전압이 인가될 때에는 읽기 및 쓰기 기능이 가능하다. VCC 단자(5)는 전원소스로서 입력전압을 제공받는다.
메모리 보호회로(30)는 메모리(25)의 쓰기 보호 기능을 강화하기 위한 것으로서, 풀업저항(R1) 및 패드(31)를 포함한다.
풀업저항(R1)은 일단이 WP 단자(6)와 연결되고, 타단은 전원전압(VCC)과 연결된다. 즉, 풀업저항(R1)은 메모리(25)의 WP 단자(6) 전위를 전원전압(VCC)으로 풀-업(Pull-UP)시킨다. 메모리(25)의 WP 단자(6)는 고전위전압을 유지하고 있기 때문에, 메모리(25)는 쓰기 보호 기능이 활성화된 상태가 지속된다.
패드(31)는 WP 단자(6)와 연결되며, 롬-라이터(ROM Writer)(50)를 통해서 저전위전압을 제공받는다. 즉, 패드(31)는 롬-라이터(50)로부터 제공받는 저전위전압을 WP 단자(6)에 제공하여, 메모리(25)의 쓰기 보호 기능을 해제시킨다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 메모리 보호회로(30)는 일반적인 상태에서 메모리(25)의 쓰기 보호 기능을 활성화시켜서 메모리(25)의 데이터가 손상되는 것을 방지한다. 그리고 메모리 보호회로(30)는 패드(31)를 통해서 저전위전압을 선택적으로 제공받아서 메모리(25)의 쓰기 보호 기능을 해제시킨다.
도 3은 메모리(25)의 쓰기 보호 기능을 해제하고, 메모리(25)의 읽기 및 쓰기 기능을 수행하기 위한 롬-라이터(50)를 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 롬-라이터(50)는 VCC핀(51), GND핀(52), SCL핀(53), SDA핀(54) 및 WP핀(55)을 포함한다.
VCC핀(51)은 메모리(25)의 VCC단자(5)로 동작전압을 제공하기 위한 것이다. 즉, 롬-라이터(50)는 VCC핀(51)을 통해서 메모리(25)를 동작시켜서, 롬-라이터(50)와 메모리(25)가 I2C 통신이 가능한 상태가 되도록 한다.
GND핀(52)은 메모리(25)의 GND 단자와 연결된다.
SDA핀(54) 및 SCL핀(53)은 각각 메모리(25)의 SDA단자(8) 및 SCL단자(7)와 연결되어서 메모리(25)로 클럭신호(CLK)와 데이터신호(DATA) 신호를 제공한다.
WP핀(55)은 GND핀(52)으로부터 분기되어서 저전위전압을 메모리(25)의 WP 단자(6)에 공급한다.
위와 같은 메모리 보호회로(30) 및 롬-라이터(50)를 이용하여 메모리(25)의 읽기 및 쓰기 동작을 수행하는 방법을 도 4의 순서도를 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
< WP 단자를 고전위전압 상태로 유지 : S401 >
메모리(25)의 WP 단자(6)는 고전위전압 상태를 유지한다. 메모리(25)의 WP단자(6)는 풀업저항(R1)을 통해서 전원전압(VCC)과 연결된 상태이기 때문에, 메모리(25)의 WP 단자(6)는 고전위전압인 전원전압(VCC)이 인가되는 상태를 유지한다. 따라서, 메모리(25)는 WP 단자(6)를 통해서 고전위전압을 제공받기 때문에 쓰기 보호 기능이 활성화된다.
< WP 단자에 롬-라이터를 이용하여 저전위전압 제공 : S403 >
메모리(25)의 데이터를 변경할 때에는 롬-라이터(50)를 이용하여 메모리(25)의 WP 단자(6)에 저전위전압을 인가한다. 롬-라이터(50)는 메모리(25)의 WP 단자(6)로 저전위전압을 제공하기 위해서 WP핀(55)을 포함한다. WP핀(55)은 GND 핀(52)과 연결된다. 즉, 메모리(25)의 패드(31)는 롬-라이터(50)의 WP핀(55)을 통해서 저전위전압을 제공받고, 이에 따라서 메모리(25)는 쓰기 보호 기능이 활성화되지 않는다.
< 메모리의 읽기 및 쓰기 동작 수행 : S405 >
S303 단계에서 WP 단자(6)는 저전위전압을 제공받는 동시에, VCC 단자(5)는 롬-라이터(50)의 VCC핀(51)을 통해서 전원전압을 제공받는다. 이에 따라서 메모리(25)의 회로는 동작하며, 읽기 및 쓰기 동작이 가능해진다.
본 발명은 액정표시장치에 대한 실시 예로 설명하고 있지만, 메모리 보호회로는 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Display, OLED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전기영동 표시소자(Electrophoresis, EPD) 등의 디스플레이장치에도 적용될 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
11 : 액정패널 11a : 게이트 드라이버
11b : 데이터 드라이버 22 : 커넥터
23 : 타이밍 콘트롤러 24 : 직류-직류 변환기
25 : 메모리 30 : 메모리 보호회로

Claims (4)

  1. 일단이 읽기 및 쓰기 기능이 가능한 메모리의 쓰기 보호 단자와 연결되며, 타단은 전원전압에 연결되는 풀업저항; 및
    상기 쓰기 보호 단자와 연결된 패드를 구비하고,
    상기 패드는 상기 메모리의 쓰기 기능을 활성화시킬 때에, 상기 쓰기 보호 단자를 저전위전압원과 연결시키는 것을 특징으로 하는 메모리의 보호회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 메모리는 표시장치의 타이밍콘트롤러와 연결되는 EEPROM인 것을 특징으로 하는 메모리의 보호회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 풀업저항은 상기 쓰기 단자 및 상기 메모리의 VCC 단자와 연결되는 것을 특징으로 하는 메모리의 보호회로.
  4. 액정패널;
    구동정보 및 영상 데이터 변조 정보 등을 저장하고, 저장된 상기 구동정보 및 영상 데이터 변조 정보 등을 타이밍 콘트롤러로 공급하는 메모리;
    상기 메모리의 쓰기 보호 기능을 강화하기 위한 것으로서, 상기 메모리의 쓰기 보호 단자를 전원전압으로 풀업시키는 풀업저항 및 상기 쓰기 보호 단자와 연결되어 상기 쓰기 보호 단자에 저전위전압을 인가하기 위한 패드를 포함하는 메모리 보호회로;
    상기 메모리에 저장된 데이타를 읽어서 상기 액정패널을 구동하기 위한 각종 제어신호들을 출력하는 타이밍 콘트롤러;
    상기 타이밍 콘트롤러의 동작 신호에 따라 게이트 저전압 신호(VGL) 및 게이트 고전압 신호(VGH)를 출력하는 직류-직류 변환기;
    상기 타이밍 콘트롤러의 동작 신호를 바탕으로 스캔펄스를 생성하며, 상기 스캔펄스를 상기 액정패널의 각 게이트 라인에 순차적으로 공급하는 게이트 드라이버; 및
    상기 타이밍 콘트롤러로부터 비디오 신호를 입력받아서 아날로그 신호인 데이터 신호로 변환하고, 상기 데이터 신호를 상기 액정패널의 각 데이터 라인에 공급하는 데이터 드라이버;를 구비하는 액정표시장치.
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