KR20150078089A - v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150078089A
KR20150078089A KR1020130167179A KR20130167179A KR20150078089A KR 20150078089 A KR20150078089 A KR 20150078089A KR 1020130167179 A KR1020130167179 A KR 1020130167179A KR 20130167179 A KR20130167179 A KR 20130167179A KR 20150078089 A KR20150078089 A KR 20150078089A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
nitride semiconductor
side intermediate
intermediate layer
type nitride
Prior art date
Application number
KR1020130167179A
Other languages
English (en)
Inventor
이성학
이용석
권태완
Original Assignee
일진엘이디(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 일진엘이디(주) filed Critical 일진엘이디(주)
Priority to KR1020130167179A priority Critical patent/KR20150078089A/ko
Publication of KR20150078089A publication Critical patent/KR20150078089A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성되며, 복수의 v-피트가 형성된 표면을 갖는 활성층; 상기 활성층 상에 형성되며, 평탄한 표면을 갖는 p측 중간층; 상기 p측 중간층 상에 형성되며, 평탄한 표면을 갖는 전자차단층; 및 상기 전자차단층 상에 형성되는 p형 질화물 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 {NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE WITH V-PIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 질화물 반도체 발광소자 제조 기술에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
질화물 반도체 발광소자는 실리콘과 같은 n형 불순물이 도핑된 n형 질화물 반도체층과 마그네슘과 같은 p형 불순물이 도핑된 p형 질화물 반도체층 사이에 활성층이 형성된 구조를 갖는다. 이러한 질화물 반도체 발광소자의 경우, n형 질화물 반도체층으로부터 공급되는 전자와 p형 질화물 반도체층으로부터 공급되는 정공이 활성층에서 재결합하면서 광을 발생시킨다.
한편, 질화물 반도체 발광소자가 v-피트(v-pit) 구조로 형성되어 있을 경우, 광 추출 효율이 향상될 수 있다고 알려져 있다.
도 1은 종래의 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자의 일부분을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, 표면에 초기 v-피트가 형성된 n형 질화물 반도체층(110) 상에 활성층(120) 및 전자차단층(130)이 초기 v-피트 경사면과 동일한 구조로 순차적으로 형성된 구조를 갖는다. 초기 v-피트는 n형 질화물 반도체층(110)의 성장 온도 조절이나 화학적 에칭을 통하여 형성될 수 있다. 전자차단층(130) 상에는 p형 질화물 반도체층(미도시)이 형성되고, 상기 p형 질화물 반도체층의 표면은 평탄화되는 것이 일반적이다.
전자차단층(130)은 일반적으로 p-AlGaN 혹은 p-InAlGaN으로 형성된다. 또한, 전자차단층은 도 1에 도시된 예와 같이 v-피트 경사면과 동일한 구조로 성장된다. 그 이유는 전자차단층의 경우 수십 nm 정도로 상대적으로 얇게 형성되어야 p형 질화물 반도체층에서 공급된 정공이 활성층으로 원할하게 수송될 수 있기 때문이다. 이러한 이유로 종래의 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자의 경우, 얇게 형성되고 v-피트를 유지하는 구조의 전자차단층이 전위에 이한 누설전류 경로(path)가 되어, 결국 역전압 특성이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명에 관련된 배경기술로는 대한민국 공개특허공보 제10-2010-0093872호(2010.08.26. 공개)에 개시된 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법이 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 v-피트를 구비하는 구조를 가지면서 역전압 특성이 우수한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성되며, 복수의 v-피트가 형성된 표면을 갖는 활성층; 상기 활성층 상에 형성되며, 평탄한 표면을 갖는 p측 중간층; 상기 p측 중간층 상에 형성되며, 평탄한 표면을 갖는 전자차단층; 및 상기 전자차단층 상에 형성되는 p형 질화물 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 p측 중간층은 p형 질화물 반도체 또는 비도핑 질화물 반도체로 형성될 수 있다.
또한, 상기 p측 중간층은 3~2000nm 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 n형 질화물 반도체층과 상기 활성층 사이에 형성되며, 초기 v-피트가 형성된 표면을 갖는 n측 중간층을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 n측 중간층은 인듐 농도가 3족 원소 전체의 6원자% 이하인 InGaN이나, 초격자(super lattice) 구조, 혹은 GaN으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 n측 중간층은 두께가 0.1~2㎛인 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자 제조 방법은 기판 상에, n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 초기 v-피트가 형성된 표면을 갖는 n측 중간층을 형성하는 단계; 상기 n측 중간층 상에, 복수의 v-피트가 형성된 표면을 갖는 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 평탄한 표면을 갖는 p측 중간층을 형성하는 단계; 상기 p측 중간층 상에, 평탄한 표면을 갖는 전자차단층을 형성하는 단계; 및 상기 전자차단층 상에 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 p측 중간층은 수소 및 질소 중 1종 이상을 포함하는 분위기에서 형성될 수 있다. 또한, 상기 전자차단층 및 p형 질화물 반도체층은 수소 분위기에서 형성되며, 상기 활성층은 질소 분위기에서 형성될 수 있다.
또한, 상기 p측 중간층은 p형 질화물 반도체 또는 비도핑 질화물 반도체로 형성될 수 있다.
또한, 상기 p측 중간층은 3~2000nm 두께로 형성될 수 있다.
또한, 상기 n형 질화물 반도체층과 상기 활성층 사이에, 초기 v-피트가 형성된 표면을 갖는 n측 중간층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 n측 중간층은 인듐 농도가 3족 원소 전체의 6원자% 이하인 InGaN, 초격자 구조 또는 GaN으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 n측 중간층은 700~1000℃에서 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 n측 중간층은 두께가 0.1~2㎛인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자 제조 방법에 의하면, v-피트가 형성된 표면을 갖는 활성층 상에 바로 전자차단층을 형성하지 않고, p측 중간층을 형성한 결과 v-피트가 머징(merging)되어 p측 중간층 표면이 평탄화 될 수 있었으며, 이에 따라 전자차단층 역시 평탄하게 형성될 수 있어, 역방향 전압특성이 우수한 질화물 반도체 발광소자를 제조할 수 있다.
도 1은 종래의 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자의 일부분을 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자의 일부분을 나타낸 것이다.
도 3은 도 2에 도시된 p측 중간층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 것이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법에 관하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자의 일부분을 나타낸 것이고, 도 3은 도 2에 도시된 p측 중간층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물 반도체층(110), 활성층(120), p측 중간층(210), 전자차단층(130) 및 p형 질화물 반도체층(140)을 포함한다. 각각의 질화물 반도체층은 사파이어 기판과 같은 성장 기판(101) 상에 형성될 수 있으며, n형 질화물 반도체층 형성 이전에 결정 품질 향상 등을 목적으로 비도핑 질화물 반도체층(102), 버퍼층 등이 더 형성되어 있을 수 있다.
n형 질화물 반도체층(110)은 Si와 같은 n형 불순물이 도핑된 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 활성층(120)은 예를 들어, GaN 양자장벽층과 InGaN 양자우물층이 교대로 적층된 형태의 다중양자우물(MQW) 구조로 형성될 수 있다. 전자차단층(130)은 Mg와 같은 p형 불순물이 도핑된 AlGaN 혹은 InAlGaN으로 형성될 수 있다. p형 질화물 반도체층(140)은 Mg와 같은 p형 불순물이 도핑된 질화물 반도체로 형성될 수 있다.
본 발명의 경우, 활성층(120)이 복수의 v-피트가 형성된 표면을 갖는 형태로 형성된다. 전술한 바와 같이, 활성층(120) 바로 위에 전자차단층이 형성되어 있는 경우, 전자차단층의 두께를 고려할 때 도 1과 같이 v-피트의 경사면 형성되어 v-피트가 그대로 유지된다. 이 경우, 전자차단층이 전위에 의한 누설전류 경로가 되어 역전압 특성이 저하되는 문제점이 있었다.
이에 본 발명의 발명자는 오랜 연구 결과, 전자차단층을 형성하기 이전에 v-피트를 머징(merging)할 수 있는 중간층을 형성하는 경우, 전자차단층이 평탄화될 수 있고, 이에 따라 역전압 특성이 향상됨을 알아내었다. 이하에서는 이러한 활성층(120)과 전자차단층(130) 사이에 형성된 중간층을 p측 중간층(210)이라 한다.
p측 중간층(210)을 형성할 경우, 그 표면은 평탄한 표면을 갖는다. 이에 의해, p측 중간층(210) 상에 형성되는 전자차단층(130)은 평탄한 표면을 가질 수 있다.
이때, p측 중간층(210)은 p형 질화물 반도체로 형성될 수 있으며, 비도핑 질화물 반도체로 형성되어도 된다.
또한, p측 중간층(210)은 3nm~2000nm 두께로 형성되는 것이 바람직하다. p측 중간층의 두께가 3nm 미만의 두께로 형성되는 경우, v-피트 머징 효과가 불충분하다. 반대로, p측 중간층의 두께가 2000nm를 초과하는 경우, p측 중간층(210)에서 전자-정공 재결합이 발생할 가능성이 높아질 수 있다.
한편, 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물 반도체층(110)과 활성층(120) 사이에 형성되며, 초기 v-피트가 형성된 표면을 갖는 n측 중간층(230)을 더 포함할 수 있다.
n측 중간층(230)은 인듐 농도가 3족 원소 전체의 6원자% 이하인 InGaN, 초격자(super lattice) 구조 또는 GaN으로 형성될 수 있으며, 성장 온도를 700~1000℃로 조절할 경우에 관통 전위 상에 초기 v-피트가 형성될 수 있다. 이때, n측 중간층은 두께가 0.1~2㎛인 것이 바람직하다. n측 중간층의 두께가 0.1㎛ 미만일 경우, v-피트 형성이 거의 불가능하며, n측 중간층의 두께가 2㎛를 초과하는 경우, v-피트의 과도한 성장으로 상부층을 형성할 수 있는 성장면이 지나치게 감소하여 발광 효율이 감소할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법에 대하여 설명하기로 한다.
우선, 기판(101) 상에, n형 질화물 반도체층(110)을 형성한다. n형 질화물 반도체층을 형성하기 이전에 비도핑 질화물 반도체층(102), 전류차단층, 버퍼층 등 다양한 기능층을 더 형성할 수 있다.
이후, n형 질화물 반도체층 상에 초기 v-피트가 형성된 표면을 갖는 n측 중간층(230)을 형성한다. 전술한 바와 같이, n측 중간층(230)은 인듐 농도가 3족 원소 전체의 6원자% 이하인 InGaN, 초격자 구조 또는 GaN으로 형성될 수 있다. 이 경우, n측 중간층(230)은 700~1000℃에서 0.1~2㎛의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. n측 중간층(230)의 성장 온도가 700℃ 미만일 경우, 결정 품질이 크게 저하될 수 있고, 1000℃를 초과하는 경우, 형성되는 초기 v-피트 수가 불충분할 수 있다. 또한, n측 중간층은 두께가 0.1㎛ 미만일 경우, 초기 v-피트가 형성될 가능성이 낮고, n측 중간층의 두께가 2㎛를 초과하면 초기 v-피트가 지나치게 성장하여 상부층을 형성할 수 있는 성장면이 지나치게 감소할 수 있다.
다음으로, n측 중간층(230) 상에, 복수의 v-피트가 형성된 표면을 갖는 활성층(120)을 형성한다. 활성층(120)은 초기 v-피트의 경사면과 초기 v-피트 사이의 평탄면 상에 형성된다. 활성층(120)은 질소 분위기에서 형성될 수 있다.
다음으로, 활성층(120) 상에, p측 중간층(210)을 형성하여 평탄한 표면을 형성한다. p측 중간층(210)은 p형 질화물 반도체 또는 비도핑 질화물 반도체로 형성될 수 있으며, 또한 3~2000nm 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, p측 중간층(210)의 경우, 질소 분위기 및 수소 분위기 어느 분위기에서도 형성될 수 있다.
다음으로, p측 중간층(210) 상에, 평탄한 표면을 갖는 전자차단층(130)을 형성한다. 그리고, 전자차단층(130) 상에 p형 질화물 반도체층(140)을 형성한다.
상기 전자차단층 및 p형 질화물 반도체층은 수소 분위기에서 형성될 수 있다.
표 1은 v-피트가 형성된 표면을 갖는 활성층 상에 바로 p-AlGaN 전자차단층을 50nm 두께로 형성한 질화물 반도체 발광소자(비교예)와, 활성층 상에 p측 중간층으로 두께 10nm의 p-GaN을 형성한 후에 p-AlGaN 전자차단층을 50nm 두께로 형성한 질화물 반도체 발광소자(실시예)의 역전압 특성을 나타낸 것이다. 비교예 및 실시예 각각의 질화물 반도체 발광소자의 경우, 상기 조건 이외에는 동일한 조건이 적용되었다.
역전압 특성 평가를 위하여 10uA에서 역전압 강하(Vr(V))를 측정하여, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
[표 1]
Figure pat00001
표 1을 참조하면, 비교예에 비하여 실시예의 경우, 우수한 역전압 특성을 발휘하는 것을 알 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형은 본 발명이 제공하는 기술 사상의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
101 : 기판
102 : 비도핑 질화물 반도체층
110 : n형 질화물 반도체층
120 : 활성층
130 : 전자차단층
140 : p형 질화물 반도체층
210 : p측 중간층
230 : n측 중간층

Claims (14)

  1. n형 질화물 반도체층;
    상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성되며, 복수의 v-피트가 형성된 표면을 갖는 활성층;
    상기 활성층 상에 형성되며, 평탄한 표면을 갖는 p측 중간층;
    상기 p측 중간층 상에 형성되며, 평탄한 표면을 갖는 전자차단층; 및
    상기 전자차단층 상에 형성되는 p형 질화물 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 p측 중간층은 p형 질화물 반도체 또는 비도핑 질화물 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 p측 중간층은 3nm~2000nm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 n형 질화물 반도체층과 상기 활성층 사이에 형성되며, 초기 v-피트가 형성된 표면을 갖는 n측 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 n측 중간층은 상기 n측 중간층은 인듐 농도가 3족 원소 전체의 6원자% 이하인 InGaN, 초격자(super lattice) 구조 또는 GaN으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 n측 중간층은 두께가 0.1~2㎛인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  7. 기판 상에, n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 n형 질화물 반도체층 상에 초기 v-피트가 형성된 표면을 갖는 n측 중간층을 형성하는 단계;
    상기 n측 중간층 상에, 복수의 v-피트가 형성된 표면을 갖는 활성층을 형성하는 단계;
    상기 활성층 상에 평탄한 표면을 갖는 p측 중간층을 형성하는 단계;
    상기 p측 중간층 상에, 평탄한 표면을 갖는 전자차단층을 형성하는 단계; 및
    상기 전자차단층 상에 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 p측 중간층은 수소 및 질소 중 1종 이상을 포함하는 분위기에서 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 전자차단층 및 p형 질화물 반도체층은 수소 분위기에서 형성되며,
    상기 활성층은 질소 분위기에서 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 p측 중간층은 p형 질화물 반도체 또는 비도핑 질화물 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 p측 중간층은 3~2000nm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 n측 중간층은 인듐 농도가 3족 원소 전체의 6원자% 이하인 InGaN, 초격자 구조 또는 GaN으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 n측 중간층은 700~1000℃에서 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 n측 중간층은 두께가 0.1~2㎛인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
KR1020130167179A 2013-12-30 2013-12-30 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 KR20150078089A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130167179A KR20150078089A (ko) 2013-12-30 2013-12-30 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130167179A KR20150078089A (ko) 2013-12-30 2013-12-30 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150078089A true KR20150078089A (ko) 2015-07-08

Family

ID=53790708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130167179A KR20150078089A (ko) 2013-12-30 2013-12-30 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20150078089A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017195213A (ja) * 2016-04-18 2017-10-26 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
WO2023043146A1 (ko) * 2021-09-14 2023-03-23 서울바이오시스주식회사 백색광을 구현하기 위한 발광 다이오드

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017195213A (ja) * 2016-04-18 2017-10-26 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
WO2023043146A1 (ko) * 2021-09-14 2023-03-23 서울바이오시스주식회사 백색광을 구현하기 위한 발광 다이오드

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5737111B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JP5533744B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
CN106098882B (zh) 一种发光二极管外延片及其制备方法
EP2843714B1 (en) Semiconductor light emitting device including hole injection layer and method of fabricating the same.
US8507891B2 (en) Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor
US8525203B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP6789570B2 (ja) 活性領域がＩｎＮの層を含む発光ダイオード
KR100784065B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101199677B1 (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
US9269868B2 (en) Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element
US8759815B2 (en) Nitride based semiconductor light emitting device
KR101393884B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US20150349199A1 (en) Semiconductor light emitting device and wafer
KR101903361B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US9331237B2 (en) Semiconductor light emitting device, including a plurality of barrier layers and a plurality of well layers, and method for manufacturing the same
WO2018163824A1 (ja) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
KR20150078089A (ko) v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR100907510B1 (ko) 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP7481618B2 (ja) 窒化物半導体素子の製造方法
JP5800251B2 (ja) Ｌｅｄ素子
KR101373804B1 (ko) 백색 발광다이오드 및 그 제조방법
KR20090002195A (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20160072914A (ko) 질화물 반도체 발광소자
JP6482388B2 (ja) 窒化物半導体発光素子
JP2007201146A (ja) 発光素子及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination