KR102233882B1 - Solar cell and solar cell module - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양 전지및 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판; 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극; 복수의 제1 전극에 접속되는 제1 도전성 배선; 및 복수의 제2 전극에 접속되는 제2 도전성 배선;을 포함하고, 제1, 2 도전성 배선에는 요철이 형성된다.
또한, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 반도체 기판; 및 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극;을 구비하는 복수의 태양 전지; 복수의 태양 전지 각각에 포함되는 복수의 제1 전극에 접속되는 제1 도전성 배선; 및 복수의 태양 전지 각각에 포함되는 복수의 제2 전극에 접속되는 제2 도전성 배선;을 포함하고, 여기서, 제1, 2 도전성 배선에는 요철이 형성된다.The present invention relates to a solar cell and a solar cell module.
An example of a solar cell according to the present invention is a semiconductor substrate; A plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes formed to be spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate; A first conductive wiring connected to the plurality of first electrodes; And a second conductive wiring connected to the plurality of second electrodes, wherein irregularities are formed in the first and second conductive wirings.
In addition, an example of the solar cell module according to the present invention is a semiconductor substrate; And a plurality of solar cells having a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes formed to be spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate. A first conductive wiring connected to a plurality of first electrodes included in each of the plurality of solar cells; And a second conductive wiring connected to a plurality of second electrodes included in each of the plurality of solar cells, wherein irregularities are formed in the first and second conductive wirings.

Description

태양 전지 및 태양 전지 모듈{SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE}Solar cell and solar cell module {SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE}

본 발명은 태양 전지 및 태양 전지 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell and a solar cell module.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.A typical solar cell includes a substrate made of semiconductors of different conductive types, such as a p-type and an n-type, and an emitter unit, and an electrode connected to the substrate and the emitter unit, respectively. At this time, a p-n junction is formed at the interface between the substrate and the emitter part.

이와 같이 반도체 기판을 사용하는 태양 전지는 구조에 따라 컨벤셔널 타입, 후면 컨텍 타입 등 다양한 종류로 나눌 수 있다. As described above, solar cells using a semiconductor substrate can be classified into various types, such as a conventional type and a rear contact type, depending on the structure.

컨벤셔널 타입은 에미터부가 기판의 전면에 위치하고, 에미터부에 연결된 전극이 기판의 전면에, 기판에 연결되는 전극이 기판의 후면에 위치하며, 후면 컨텍 타입은 에미터부가 기판의 후면에 위치하며, 전극이 모두 기판의 후면에 위치한다.In the conventional type, the emitter part is located on the front side of the board, the electrode connected to the emitter part is located on the front side of the board, the electrode connected to the board is located on the back side of the board, and in the rear contact type, the emitter part is located on the back side of the board. And electrodes are all located on the back side of the substrate

본 발명은 태양 전지 및 태양 전지 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a solar cell and a solar cell module.

본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판; 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극; 복수의 제1 전극에 접속되는 제1 도전성 배선; 및 복수의 제2 전극에 접속되는 제2 도전성 배선;을 포함하고, 제1, 2 도전성 배선에는 요철이 형성된다.An example of a solar cell according to the present invention is a semiconductor substrate; A plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes formed to be spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate; A first conductive wiring connected to the plurality of first electrodes; And a second conductive wiring connected to the plurality of second electrodes, wherein irregularities are formed in the first and second conductive wirings.

여기서, 제1, 2 도전성 배선 각각은 매쉬(mesh) 구조 또는 다공성 구조를 가질 수 있다.Here, each of the first and second conductive wires may have a mesh structure or a porous structure.

또한, 제1 도전성 배선 및 제2 도전성 배선은 하나의 절연성 부재에 구비되며, 반도체 기판과 절연성 부재는 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자를 형성할 수 있다.In addition, the first conductive wiring and the second conductive wiring are provided on one insulating member, and the semiconductor substrate and the insulating member are individually connected to each other to form one individual device.

아울러, 제1 도전성 배선은 제1 전극과 접속되는 복수 개의 제1 접속부와 일단이 복수 개의 제1 접속부의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터가 연결되는 제1 패드부를 포함하고, 제2 도전성 배선은 제2 전극과 접속되는 복수 개의 제2 접속부와 일단이 복수 개의 제2 접속부의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터가 연결되는 제2 패드부를 포함할 수 있다.In addition, the first conductive wiring includes a plurality of first connecting portions connected to the first electrode and one end connected to the ends of the plurality of first connecting portions, and the other end includes a first pad portion to which the interconnector is connected, and a second conductive wiring May include a plurality of second connecting portions connected to the second electrode and one end connected to the ends of the plurality of second connecting portions, and the other end may include a second pad portion to which the interconnector is connected.

여기서, 제1 접속부와 제2 접속부는 각각 복수 개이고, 복수 개의 제1 접속부와 복수 개의 제2 접속부는 제1 방향으로 형성되고, 제1 패드부와 제2 패드부는 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 절연성 부재의 끝단에 배치될 수 있다.Here, the first connection portion and the second connection portion are each a plurality, the plurality of first connection portions and the plurality of second connection portions are formed in a first direction, and the first pad portion and the second pad portion are formed in a second direction crossing the first direction. It may be disposed at the end of the insulating member in the direction.

여기서, 제1 방향으로 형성되는 복수 개의 제1 접속부와 복수 개의 제2 접속부 각각은 매쉬 구조 또는 다공성 구조를 가질 수 있고, 제2 방향으로 형성되는 제1 패드부와 제2 패드부 각각은 매쉬 구조 또는 다공성 구조를 가질 수 있다.Here, each of the plurality of first connecting portions and the plurality of second connecting portions formed in the first direction may have a mesh structure or a porous structure, and each of the first pad portion and the second pad portion formed in the second direction has a mesh structure. Or it may have a porous structure.

여기서, 제1 접속부와 제1 전극 및 제2 접속부와 제2 전극은 도전성 재질의 전극 연결재에 의해 서로 접속되고, 제1 접속부와 제2 전극 사이 및 제2 접속부와 제1 전극 사이는 절연층이 배치될 수 있다. Here, the first connection part and the first electrode, and the second connection part and the second electrode are connected to each other by an electrode connection material made of a conductive material, and an insulating layer is formed between the first connection part and the second electrode, and between the second connection part and the first electrode. Can be placed.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 반도체 기판; 및 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극;을 구비하는 복수의 태양 전지; 복수의 태양 전지 각각에 포함되는 복수의 제1 전극에 접속되는 제1 도전성 배선; 및 복수의 태양 전지 각각에 포함되는 복수의 제2 전극에 접속되는 제2 도전성 배선;을 포함하고, 여기서, 제1, 2 도전성 배선에는 요철이 형성된다.An example of a solar cell module according to the present invention is a semiconductor substrate; And a plurality of solar cells having a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes formed to be spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate. A first conductive wiring connected to a plurality of first electrodes included in each of the plurality of solar cells; And a second conductive wiring connected to a plurality of second electrodes included in each of the plurality of solar cells, wherein irregularities are formed in the first and second conductive wirings.

일례로, 제1, 2 도전성 배선 각각은 매쉬(mesh) 구조 또는 다공성(porous) 구조를 가질 수 있다.For example, each of the first and second conductive wires may have a mesh structure or a porous structure.

여기서, 복수의 태양 전지는 순차적으로 일렬로 배열되는 제1, 2, 3 태양 전지를 포함하며, 제1 도전성 배선 및 제2 도전성 배선 각각은 제1, 2, 3 태양 전지를 전기적으로 직렬로 연결시킬 수 있다.Here, the plurality of solar cells includes first, 2, and 3 solar cells that are sequentially arranged in a row, and each of the first and second conductive wirings electrically connects the first, second, and third solar cells in series. I can make it.

보다 구체적으로, 제2 태양 전지에 구비된 복수의 제1 전극에는 제1 도전성 배선이 접속되고, 제2 태양 전지에 구비된 복수의 제2 전극에는 제2 도전성 배선이 접속되며, 제1 도전성 배선은 제1 태양 전지에 구비된 복수의 제2 전극에 더 접속되고, 제2 도전성 배선은 제3 태양 전지에 구비된 복수의 제1 전극에 더 접속될 수 있다.More specifically, a first conductive wire is connected to the plurality of first electrodes provided in the second solar cell, and a second conductive wire is connected to the plurality of second electrodes provided in the second solar cell, and the first conductive wire Is further connected to the plurality of second electrodes provided in the first solar cell, and the second conductive wiring may be further connected to the plurality of first electrodes provided in the third solar cell.

이때, 제1, 2 도전성 배선은 복수 개의 와이어 형태로 구비될 수 있다.In this case, the first and second conductive wires may be provided in the form of a plurality of wires.

아울러, 제1, 2, 3 태양 전지 각각에 포함되는 복수 개의 제1, 2 전극 각각은 제1 방향으로 길게 형성되며, 제1, 2, 3 태양 전지는 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 일렬로 배열될 수 있으며, 이때, 복수 개의 와이어 형태로 구비된 제1, 2 도전성 배선 각각은 제2 방향으로 길게 위치할 수 있다.In addition, each of the plurality of first and second electrodes included in each of the first, second, and third solar cells is formed to be elongated in the first direction, and the first, second, and third solar cells have a second direction crossing the first direction. Accordingly, they may be arranged in a line, and in this case, each of the first and second conductive wires provided in the form of a plurality of wires may be long positioned in the second direction.

또한, 복수 개의 와이어 형태로 구비된 제1, 2 도전성 배선은 절연성 부재의 전면에 위에 구비되는 것도 가능하다.In addition, the first and second conductive wires provided in the form of a plurality of wires may be provided on the front surface of the insulating member.

이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지 및 태양 전지 모듈은 반도체 기판의 후면에 형성된 제1, 2 전극에 각각 접속되는 제1, 2 도전성 배선에 요철이 형성되도록 하여, 제1, 2 전극과 제1, 2 도전성 배선 사이의 접촉 저항 및 접촉력을 보다 향상시킬 수 있다.As described above, in the solar cell and the solar cell module according to the present invention, irregularities are formed in the first and second conductive wirings respectively connected to the first and second electrodes formed on the rear surface of the semiconductor substrate, 2 It is possible to further improve the contact resistance and contact force between the conductive wires.

아울러, 이에 따라 본 발명은 제1, 2 도전성 배선과 제1, 2 전극 사이의 열팽창 계수 차이를 보다 감소시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, a difference in coefficient of thermal expansion between the first and second conductive wires and the first and second electrodes may be further reduced.

도 1은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지의 일부 사시도의 일례이다.
도 2는 도 1에 도시한 태양 전지를 라인 2-2을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1 및 도 2에서 설명한 태양 전지에서 각각 낱개로 접속될 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)의 전극 패턴에 관한 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 4a 및 도 4b는 도 3의 (c)에서 K 부분에 대한 확대도에 대한 다양한 예를 설명하기 위한 도이다.
도 5은 도 3에 도시된 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 서로 접속된 상태를 설명하기 위한 도이다.
도 6a는 도 5에서 6a-6a 라인의 단면을 도시한 것이다.
도 6b는 도 5에서 6b-6b 라인의 단면을 도시한 것이다.
도 6c는 도 5에서 6c-6c 라인의 단면을 도시한 것이다.
도 7a 내지 도 9는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에 대해 설명하기 위한 도이다.1 is an example of a partial perspective view of a solar cell according to an example of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the solar cell shown in FIG. 1 taken along line 2-2.
3 is a diagram illustrating an example of an electrode pattern of the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 to be individually connected in the solar cells described in FIGS. 1 and 2.
4A and 4B are diagrams for explaining various examples of an enlarged view of a portion K in FIG. 3C.
5 is a diagram illustrating a state in which the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 shown in FIG. 3 are connected to each other.
6A is a cross-sectional view of a line 6a-6a in FIG. 5.
6B is a cross-sectional view of the line 6b-6b in FIG. 5.
6C is a cross-sectional view of the line 6c-6c in FIG. 5.
7A to 9 are diagrams for explaining a solar cell module according to an example of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in various forms and is not limited to the embodiments described herein. In the drawings, parts not related to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and similar reference numerals are assigned to similar parts throughout the specification.

이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면 또는 전면 유리 기판의 일면 일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판 및 전면 유리 기판의 일면의 반대면일 수 있다.Hereinafter, the front surface may be one surface of a semiconductor substrate or a front glass substrate to which direct sunlight is incident, and the rear surface is a semiconductor substrate and a front glass substrate in which direct sunlight is not incident or reflected light other than direct sunlight is incident. It may be the opposite side of one side of.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 대해 설명한다.Hereinafter, a solar cell module according to the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.1 and 2 are diagrams for explaining an example of a solar cell according to the present invention.

도 1은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지의 일부 사시도의 일례이고, 도 2는 도 1에 도시한 태양 전지를 라인 2-2을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 3은 도 1 및 도 2에서 설명한 태양 전지에서 각각 낱개로 접속될 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)의 전극 패턴에 관한 일례를 설명하기 위한 도이다. 1 is an example of a partial perspective view of a solar cell according to an example of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the solar cell shown in FIG. 1 taken along line 2-2, and FIG. 3 is A diagram for explaining an example of an electrode pattern of the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 to be individually connected in the described solar cell.

여기서, 도 3의 (a)는 반도체 기판(110)의 후면에 배치되는 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 패턴 일례 설명하기 위한 도이고, 도 3의 (b)는 도 3의 (a)에서 3(b)-3(b) 라인에 따른 단면도이고, 도 3의 (c)는 절연성 부재(200)의 전면에 배치되는 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142)의 패턴 일례을 설명하기 위한 도이고, 도 3의 (d)는 도 3의 (c)에서 3(d)-3(d) 라인에 따른 단면도이다.Here, FIG. 3A is a view for explaining an example of a pattern of the first electrode C141 and the second electrode C142 disposed on the rear surface of the semiconductor substrate 110, and FIG. 3B is FIG. In (a) to 3(b)-3(b) are cross-sectional views, and FIG. 3(c) is a first conductive wiring P141 and a second conductive wiring disposed on the front surface of the insulating member 200 ( It is a diagram for explaining an example of the pattern of P142), and FIG. 3D is a cross-sectional view taken along lines 3(d)-3(d) in FIG. 3(c).

도 1 및 도 2를 참고로 하면, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121), 후면 전계부(back surface field;BSF, 172), 복수의 제1 전극(C141), 복수의 제2 전극(C142), 제1 도전성 배선(P141) 및 제2 도전성 배선(P142)을 포함할 수 있다.1 and 2, an example of a solar cell according to the present invention is a semiconductor substrate 110, an antireflection film 130, an emitter part 121, a back surface field (BSF, 172), A plurality of first electrodes C141, a plurality of second electrodes C142, a first conductive line P141, and a second conductive line P142 may be included.

여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)는 생략될 수도 있으며, 아울러, 반사 방지막(130)과 빛이 입사되는 반도체 기판(110) 사이에 위치하며, 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 높은 농도로 함유된 불순물부인 전면 전계부(미도시)를 더 구비하는 것도 가능하다.Here, the antireflection film 130 and the rear electric field unit 172 may be omitted, and are located between the antireflection film 130 and the semiconductor substrate 110 to which light is incident, and have the same conductivity as the semiconductor substrate 110. It is also possible to further include a front electric field portion (not shown), which is an impurity portion in which type impurities are contained in a higher concentration than the semiconductor substrate 110.

이하에서는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)가 포함된 것을 일례로 설명한다.Hereinafter, as illustrated in FIGS. 1 and 2, a case in which the anti-reflection film 130 and the rear electric field part 172 are included will be described as an example.

반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 벌크형 반도체 기판(110)일 수 있다. 이와 같은 반도체 기판(110)은 실리콘 재질로 형성되는 웨이퍼에 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다. The semiconductor substrate 110 may be a bulk type semiconductor substrate 110 made of silicon of a first conductivity type, for example, an n-type conductivity type. The semiconductor substrate 110 may be formed by doping a wafer formed of a silicon material with impurities of a first conductivity type.

에미터부(121)는 전면과 마주보고 있는 반도체 기판(110)의 후면 내에 서로 이격되어 위치하며, 서로 나란한 방향으로 뻗어 있다. 이와 같은 에미터부(121)는 복수 개일 수 있으며, 복수의 에미터부(121)는 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입일 수 있다.The emitter unit 121 is positioned to be spaced apart from each other in the rear surface of the semiconductor substrate 110 facing the front surface, and extends in a direction parallel to each other. There may be a plurality of emitter units 121 as described above, and the plurality of emitter units 121 may be of a second conductivity type opposite to that of the semiconductor substrate 110.

이와 같은 복수의 에미터부(121)는 결정질 실리콘 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입인 p형의 불순물이 확산 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다.The plurality of emitter units 121 may be formed by containing p-type impurities of a second conductivity type opposite to that of the crystalline silicon semiconductor substrate 110 in a high concentration through a diffusion process.

복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내부에 복수 개가 위치할 수 있으며, 복수의 에미터부(121)와 나란한 방향으로 이격되어 형성되며 복수의 에미터부(121)와 동일한 방향으로 뻗어 있다. 따라서, 도 1 및 도 2에 도시한 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)는 교대로 위치한다.A plurality of rear electric field units 172 may be located inside the rear surface of the semiconductor substrate 110, are formed to be spaced apart in a direction parallel to the plurality of emitter units 121 and are in the same direction as the plurality of emitter units 121 Is stretched. Accordingly, as shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of emitter units 121 and a plurality of rear electric field units 172 are alternately positioned on the rear surface of the semiconductor substrate 110.

복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유한 불순물, 예를 들어 n++ 부이다. 이와 같은 복수의 후면 전계부(172)는 결정질 실리콘 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물(n++)이 확산 또는 증착 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다. The plurality of rear electric field portions 172 are impurities in which the same conductivity type impurities as the semiconductor substrate 110 are contained in a higher concentration than the semiconductor substrate 110, for example, n++ portions. The plurality of rear electric field units 172 may be formed by containing impurities (n++) of the same conductivity type as those of the crystalline silicon semiconductor substrate 110 in a high concentration through a diffusion or deposition process.

복수의 제1 전극(C141)은 에미터부(121)와 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 에미터부(121)를 따라서 서로 이격되어 연장된다. 따라서, 에미터부(121)가 제1 방향(x)으로 연장된 경우, 제1 전극(C141)도 제1 방향(x)으로 연장될 수 있고, 에미터부(121)가 제2 방향(y)으로 연장된 경우, 제1 전극(C141)도 제2 방향(y)으로 연장될 수 있다.The plurality of first electrodes C141 are physically and electrically connected to the emitter unit 121, respectively, and extend apart from each other along the emitter unit 121. Therefore, when the emitter part 121 extends in the first direction (x), the first electrode C141 may also extend in the first direction (x), and the emitter part 121 is in the second direction (y) When extended to the first electrode C141, the first electrode C141 may also extend in the second direction y.

또한, 복수의 제2 전극(C142)은 후면 전계부(172)를 통하여 반도체 기판(110)과 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 복수의 후면 전계부(172)를 따라서 연장된다. In addition, the plurality of second electrodes C142 are physically and electrically connected to the semiconductor substrate 110 through the rear electric field unit 172, respectively, and extend along the plurality of rear electric field units 172.

따라서, 후면 전계부(172)가 제1 방향(x)으로 연장된 경우, 제2 전극(C142)도 제1 방향(x)으로 연장될 수 있고, 후면 전계부(172)가 제2 방향(y)으로 연장된 경우, 제2 전극(C142)도 제2 방향(y)으로 연장될 수 있다.Therefore, when the rear electric field unit 172 extends in the first direction (x), the second electrode C142 may also extend in the first direction (x), and the rear electric field unit 172 is in the second direction ( When extending in y), the second electrode C142 may also extend in the second direction y.

여기서, 반도체 기판(110)의 후면 상에서 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)은 서로 물리적으로 이격되어, 전기적으로 격리되어 있다.Here, on the rear surface of the semiconductor substrate 110, the first electrode C141 and the second electrode C142 are physically separated from each other and are electrically isolated.

따라서, 에미터부(121) 상에 형성된 제1 전극(C141)은 해당 에미터부(121)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 정공을 수집하고, 후면 전계부(172) 상에 형성된 제2 전극(C142)은 해당 후면 전계부(172)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 전자를 수집할 수 있다. Accordingly, the first electrode C141 formed on the emitter part 121 collects charges, for example, holes, which have moved toward the emitter part 121, and the second electrode formed on the rear electric field part 172 ( C142) may collect charges, for example, electrons that have moved toward the rear electric field unit 172.

제1 도전성 배선(P141)은 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전극과 접속하는 표면에 요철을 포함하는 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141)를 포함하고, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)는 복수의 제1 전극(C141)과 연결되며, 제1 패드부(PP141)는 도 3에 도시된 바와 같이, 일단이 제1 접속부(PC141)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(미도시)와 접속될 수 있다. As shown in FIG. 3, the first conductive wiring P141 includes a first connection part PC141 and a first pad part PP141 including irregularities on a surface connected to the first electrode, and FIGS. As shown in FIG. 2, the first connection part PC141 is connected to the plurality of first electrodes C141, and the first pad part PP141 has one end of the first connection part PC141 as shown in FIG. It is connected to the end of and the other end can be connected to the interconnector (not shown).

이와 같은 제1 접속부(PC141)는 복수 개로 형성되어 각각이 복수 개의 제1 전극(C141)에 접속될 수 있다. A plurality of such first connection parts PC141 may be formed, and each may be connected to the plurality of first electrodes C141.

아울러, 제1 접속부(PC141)가 복수 개로 형성된 경우, 제1 접속부(PC141)는 복수의 제1 전극(C141)과 동일한 방향으로 형성될 수도 있고, 교차하는 방향으로 형성될 수도 있다. 이때, 이와 같은 제1 접속부(PC141)는 제1 전극(C141)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다. In addition, when a plurality of first connection parts PC141 are formed, the first connection parts PC141 may be formed in the same direction as the plurality of first electrodes C141, or may be formed in an intersecting direction. In this case, the first connection part PC141 may be electrically connected to each other at a portion overlapping with the first electrode C141.

제2 도전성 배선(P142)은 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 전극과 접속하는 표면에 요철을 포함하는 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)를 포함할 수 있다. 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)는 복수의 제2 전극(C142)과 연결되며, 제2 패드부(PP142)는 도 3에 도시된 바와 같이, 일단이 제2 접속부(PC142)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(미도시)와 접속될 수 있다. As shown in FIG. 3, the second conductive wiring P142 may include a second connection part PC142 and a second pad part PP142 including irregularities on a surface connected to the second electrode. 1 and 2, the second connection part PC142 is connected to the plurality of second electrodes C142, and the second pad part PP142 has a second end as shown in FIG. 3. It is connected to an end of the connection unit PC142, and the other end may be connected to an interconnector (not shown).

이와 같은 제2 접속부(PC142)도 도시된 바와 같이, 복수 개로 형성되어 각각이 복수 개의 제2 전극(C142)에 접속될 수 있다.As illustrated, a plurality of the second connection units PC142 may be formed so that each may be connected to the plurality of second electrodes C142.

여기서, 제2 접속부(PC142)가 복수 개로 형성된 경우, 제2 접속부(PC142)는 복수의 제2 전극(C142)과 동일한 방향으로 형성될 수도 있고, 교차하는 방향으로 형성될 수도 있다. 이때, 제2 접속부(PC142)는 제2 전극(C142)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다. Here, when a plurality of second connection parts PC142 are formed, the second connection parts PC142 may be formed in the same direction as the plurality of second electrodes C142 or may be formed in an intersecting direction. In this case, the second connector PC142 may be electrically connected to each other at a portion overlapping the second electrode C142.

이와 같은 제1 도전성 배선(P141) 및 제2 도전성 배선(P142)의 재질은 Cu, Au, Ag, Al 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.The material of the first conductive wiring P141 and the second conductive wiring P142 may be formed of at least one of Cu, Au, Ag, and Al.

아울러, 전술한 제1 도전성 배선(P141)은 도전성 재질의 전극 연결재(ECA)를 통하여 제1 전극(C141)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2 도전성 배선(P142)은 도전성 재질의 전극 연결재(ECA)를 통하여 제2 전극(C142)에 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the above-described first conductive wire P141 may be electrically connected to the first electrode C141 through an electrode connector ECA made of a conductive material, and the second conductive wire P142 is an electrode connector made of a conductive material (ECA). ) May be electrically connected to the second electrode C142.

이와 같은 전극 연결재(ECA)의 재질은 전도성 물질이면, 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 낮은 온도인 130℃ ~ 250℃에서도 녹는점이 형성되는 도전성 물질이 더 바람직하고, 일례로, 솔더 페이스트(solder paste), 금속 입자를 포함하는 도전성 접착재, 탄소 나노 튜브(carbon nano tube, CNT), 탄소를 포함하는 전도성 입자, wire, needle 등이 이용될 수 있다. As long as the material of the electrode connector (ECA) is a conductive material, there is no particular limitation, but a conductive material having a melting point formed at a relatively low temperature of 130°C to 250°C is more preferable, for example, a solder paste , A conductive adhesive material including metal particles, a carbon nano tube (CNT), a conductive particle including carbon, a wire, a needle, and the like may be used.

또한, 전술한 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이 및 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142) 사이에는 단락을 방지하는 절연층(IL)이 위치할 수 있다. 이와 같은 절연층(IL)은 에폭시 수지일 수 있다.In addition, an insulating layer IL for preventing a short circuit may be positioned between the above-described first electrode C141 and the second electrode C142 and between the first conductive wiring P141 and the second conductive wiring P142. . The insulating layer IL may be an epoxy resin.

아울러, 도 1 및 도 2에서는 제1 전극(C141)과 제1 도전성 배선(P141)의 제1 접속부(PC141)가 서로 중첩되고, 제2 전극(C142)과 제2 도전성 배선(P142)의 제2 접속부(PC142)가 중첩되는 경우만 도시하고 있으나, 이와 다르게 제1 전극(C141)과 제2 접속부(PC142)가 서로 중첩될 수 있고, 제2 전극(C142)과 제1 접속부(PC141)가 서로 중첩될 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1 전극(C141)과 제2 접속부(PC142) 사이 및 제2 전극(C142)과 제1 접속부(PC141) 사이에는 단락을 방지하기 위하여 절연층(IL)이 위치할 수 있다.In addition, in FIGS. 1 and 2, the first connection portions PC141 of the first electrode C141 and the first conductive line P141 overlap each other, and the second electrode C142 and the second conductive line P142 are 2 Only the case where the connection part PC142 overlaps is shown, but differently, the first electrode C141 and the second connection part PC142 may overlap each other, and the second electrode C142 and the first connection part PC141 are They can also overlap each other. In this case, the insulating layer IL may be positioned between the first electrode C141 and the second connection part PC142 and between the second electrode C142 and the first connection part PC141 to prevent a short circuit.

이와 같은 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142)은 반도체 제조 공정이 이용되지 않고, 전극 연결재(ECA)에 130℃ ~ 250℃ 사이의 열과 압력을 가하는 열처리 공정에 의해 형성될 수 있다. The first conductive wiring P141 and the second conductive wiring P142 are not used in a semiconductor manufacturing process, and may be formed by a heat treatment process in which heat and pressure between 130°C and 250°C are applied to the electrode connector ECA. have.

절연성 부재(200)는 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142)의 후면에 배치될 수 있다. The insulating member 200 may be disposed on the rear surfaces of the first and second conductive lines P141 and P142.

이와 같은 절연성 부재(200)의 재질은 절연성 재질이면 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 녹는점이 전극 연결재(ECA)보다 높은 것이 바람직할 수 있으며, 일례로, 절연성 부재(200)의 녹는점은 300℃ 이상이 되는 절연성 재질로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로 일례로, 고온에 대해 내열성 있는 polyimide, epoxy-glass, polyester, BT(bismaleimide triazine) 레진 중 적어도 하나의 재질을 포함하여 형성될 수 있다.The material of the insulating member 200 is not particularly limited as long as it is an insulating material, but it may be preferable that the melting point is higher than that of the electrode connector (ECA). For example, the melting point of the insulating member 200 is 300°C or higher. It may be formed of an insulating material. More specifically, as an example, it may be formed by including at least one material of polyimide, epoxy-glass, polyester, and BT (bismaleimide triazine) resin having heat resistance to high temperatures.

이와 같은 절연성 부재(200)는 유연한(flexible) 필름 형태로 형성되거나 유연하지 않고 단단한 플레이트(plate) 형태로 형성될 수 있다.The insulating member 200 may be formed in the form of a flexible film or may be formed in the form of a non-flexible and rigid plate.

이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지는 절연성 부재(200)의 전면에 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142)이 미리 형성되고, 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)이 미리 형성된 상태에서, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)이 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성될 수 있다. In the solar cell according to the present invention, a first conductive wiring P141 and a second conductive wiring P142 are formed in advance on the front surface of the insulating member 200, and a plurality of first electrodes are formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110. In a state in which (C141) and the plurality of second electrodes C142 are formed in advance, the insulating member 200 and the semiconductor substrate 110 may be individually connected to each other to form a single individual element.

즉, 하나의 절연성 부재(200)에 부착되어 접속되는 반도체 기판(110)은 하나일 수 있고, 이와 같은 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)은 서로 부착되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성되어 하나의 태양 전지 셀을 형성할 수 있다.That is, the semiconductor substrate 110 attached to and connected to one insulating member 200 may be one, and one insulating member 200 and one semiconductor substrate 110 are attached to each other to form an integral individual It can be formed as a device to form a single solar cell.

보다 구체적으로 설명하면, 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)을 서로 부착하여 하나의 일체형 개별 소자로 형성하는 공정에 의해, 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142) 각각은 하나의 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 도전성 배선(P141) 및 제2 도전성 배선(P142)과 부착되어 전기적으로 서로 연결될 수 있다. More specifically, by a process of attaching one insulating member 200 and one semiconductor substrate 110 to each other to form a single integrated individual device, a plurality of Each of the first electrode C141 and the plurality of second electrodes C142 is attached to the first conductive wire P141 and the second conductive wire P142 formed on the front surface of one insulating member 200 to be electrically connected to each other. I can.

이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지에서, 제1 도전성 배선(P141) 및 제2 도전성 배선(P142) 각각의 두께(T2)는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각의 두께(T1)보다 클 수 있다. In the solar cell according to the present invention, the thickness T2 of each of the first conductive wiring P141 and the second conductive wiring P142 is the thickness T1 of each of the first electrode C141 and the second electrode C142 Can be greater than ).

이와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142) 각각의 두께(T2)를 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각의 두께(T1)보다 크게 함으로써, 태양 전지 제조 공정 시간을 보다 단축할 수 있고, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)을 반도체 기판(110)의 후면에 바로 형성하는 것보다 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 보다 감소시킬 수 있어, 태양 전지의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.In this way, by making the thickness (T2) of each of the first connection portion (PC141) and the second connection portion (PC142) larger than the thickness (T1) of each of the first electrode (C141) and the second electrode (C142), the solar cell manufacturing process The time can be further shortened, and the thermal expansion stress on the semiconductor substrate 110 can be further reduced rather than forming the first electrode C141 and the second electrode C142 directly on the rear surface of the semiconductor substrate 110. , The efficiency of solar cells can be further improved.

보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.More specifically, it is as follows.

반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 에미터부(121), 후면 전계부(172), 에미터부(172)에 연결되는 제1 전극(C141) 및 후면 전계부(172)에 연결되는 제2 전극(C142)은 반도체 공정에 의해 형성될 수 있고, 이와 같은 반도체 공정 중, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)은 반도체 기판(110)의 후면에 직접 접촉되거나 매우 근접하여 주로 도금, PVD 증착 또는 고온의 열처리 과정으로 형성될 수 있다.The emitter unit 121 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110, the rear electric field unit 172, a first electrode C141 connected to the emitter unit 172, and a second electrode connected to the rear electric field unit 172 (C142) may be formed by a semiconductor process, and during such a semiconductor process, the first electrode C141 and the second electrode C142 are in direct contact with or very close to the rear surface of the semiconductor substrate 110 and are mainly plated, It can be formed by PVD deposition or a high-temperature heat treatment process.

이와 같은 경우, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 저항을 충분히 낮게 확보하기 위해서는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 두께를 충분히 두껍게 형성하여야 한다.In this case, in order to ensure the resistance of the first electrode C141 and the second electrode C142 sufficiently low, the thickness of the first electrode C141 and the second electrode C142 must be formed sufficiently thick.

그러나, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 두께를 두껍게 형성하는 경우, 도전성 금속 물질을 포함하는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 열팽창 계수가 반도체 기판(110)의 열팽창 계수보다 과도하게 커질 수 있다.However, when the first electrode C141 and the second electrode C142 are formed to be thick, the coefficient of thermal expansion of the first electrode C141 and the second electrode C142 including a conductive metal material is the semiconductor substrate 110 ) Can be excessively larger than the coefficient of thermal expansion.

따라서, 반도체 기판(110)의 후면에 고온의 열처리 과정으로 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)을 형성하는 공정 중에, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 수축할 때, 반도체 기판(110)이 열팽창 스트레스를 견디지 못하여, 반도체 기판(110)에 균열(fracture)이나 크렉(crack)이 발생할 가능성이 커지고, 이로 인하여 태양 전지 제조 공정의 수율이 저하되거나, 태양 전지의 효율이 저하될 수 있다.Therefore, during the process of forming the first electrode C141 and the second electrode C142 on the rear surface of the semiconductor substrate 110 by a high-temperature heat treatment process, the first electrode C141 and the second electrode C142 may shrink. At this time, since the semiconductor substrate 110 cannot withstand the thermal expansion stress, the possibility of occurrence of cracks or cracks in the semiconductor substrate 110 increases, resulting in a decrease in the yield of the solar cell manufacturing process, or Efficiency may be reduced.

아울러, 제1 전극(C141)이나 제2 전극(C142)을 도금이나 PVD 증착으로 형성할 경우, 제1 전극(C141)이나 제2 전극(C142)의 성장 속도가 매우 작아, 태양 전지의 제조 공정 시간이 과도하게 늘어날 수 있다.In addition, when the first electrode C141 or the second electrode C142 is formed by plating or PVD deposition, the growth rate of the first electrode C141 or the second electrode C142 is very small, and the solar cell manufacturing process Time can be excessive.

그러나, 본원 발명에 따른 태양 전지는 반도체 기판(110)의 후면에 상대적으로 작은 두께(T1)로 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)을 형성한 상태에서, 절연성 부재(200)의 전면에 상대적으로 큰 두께(T2)로 형성된 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142)를 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)과 중첩되도록 위치시킨 이후, 전극 연결재(ECA)에 상대적으로 낮은 130℃ ~ 250℃ 사이의 열과 압력을 가하는 열처리 공정으로 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)을 서로 부착하여 하나의 일체형 개별 소자로 형성할 수 있어, 반도체 기판(110)에 균열(fracture)이나 크렉(crack)이 발생되는 것을 방지할 수 있으며, 동시에 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 전극의 저항을 크게 낮출 수 있다.However, in the solar cell according to the present invention, in the state in which the first electrode C141 and the second electrode C142 are formed with a relatively small thickness T1 on the rear surface of the semiconductor substrate 110, the insulating member 200 is After positioning the first connection portion PC141 and the second connection portion PC142 formed with a relatively large thickness T2 on the front surface to overlap the first electrode C141 and the second electrode C142, the electrode connector ECA It is a heat treatment process that applies heat and pressure between 130°C and 250°C, which is relatively low in the temperature range, so that one insulating member 200 and one semiconductor substrate 110 can be attached to each other to form a single integrated individual device. It is possible to prevent the occurrence of cracks or cracks in the (110), and at the same time, it is possible to greatly reduce the resistance of the electrode formed on the rear surface of the semiconductor substrate (110).

아울러, 본 발명에 따른 태양 전지는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 두께(T1)를 상대적으로 작게 하여 상대적으로 공정 시간이 긴 반도체 제조 공정 시간을 최소로 할 수 있고, 한번의 열처리 공정으로 제1 전극(C141)과 제1 도전성 배선(P141)을, 제2 전극(C142)과 제2 도전성 배선(P142)을 서로 연결시킬 수 있어, 태양 전지의 제조 공정 시간을 보다 단축할 수 있다.In addition, in the solar cell according to the present invention, the thickness T1 of the first electrode C141 and the second electrode C142 is relatively small, so that the semiconductor manufacturing process time, which has a relatively long process time, can be minimized. The first electrode C141 and the first conductive wiring P141, and the second electrode C142 and the second conductive wiring P142 can be connected to each other through the heat treatment process of the solar cell, thereby further reducing the manufacturing process time of the solar cell. can do.

이때, 절연성 부재(200)는 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142)을 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)에 접착시킬 때에, 공정을 보다 용이하게 도와주는 역할을 한다.At this time, when the insulating member 200 adheres the first conductive wiring P141 and the second conductive wiring P142 to the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 In addition, it plays a role in helping the process more easily.

즉, 반도체 제조 공정으로 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 형성된 반도체 기판(110)의 후면에 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142)이 형성된 절연성 부재(200)의 전면을 부착시켜 접속시킬 때에, 절연성 부재(200)는 얼라인 공정이나 접착 공정을 보다 용이하게 도와줄 수 있다.That is, the insulating member 200 in which the first conductive wiring P141 and the second conductive wiring P142 are formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 on which the first electrode C141 and the second electrode C142 are formed in a semiconductor manufacturing process. When connecting by attaching the front surface of ), the insulating member 200 may help the alignment process or the bonding process more easily.

한편, 본 발명에 따른 태양 전지에서, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)에는 요철이 형성될 수 있다.Meanwhile, in the solar cell according to the present invention, as shown in FIGS. 1 and 2, irregularities may be formed in the first and second conductive wirings P141 and P142.

즉, 제1 도전성 배선(P141)의 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141) 및 제2 도전성 배선(P142)의 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)에서 제1, 2 전극(C141, C142)과 접속하는 표면에 요철이 형성되도록 할 수 있다.That is, the first connection part PC141 and the first pad part PP141 of the first conductive wire P141 and the second connection part PC142 and the second pad part PP142 of the second conductive wire P142 are , 2 The unevenness may be formed on the surface connected to the electrodes C141 and C142.

이와 같이 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)에 요철이 형성되도록 함으로써, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)의 접속 표면적을 보다 크게 할 수 있고, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 제1, 2 전극(C141, C142)에 접속될 때에 접촉 저항을 보다 감소시킬 수 있고, 접착력을 보다 강화할 수 있다.By forming the irregularities in the first and second conductive wirings P141 and P142 in this way, the connection surface area of the first and second conductive wirings P141 and P142 can be increased, and the first and second conductive wirings P141 and P142 When P142) is connected to the first and second electrodes C141 and C142, the contact resistance may be further reduced, and the adhesive force may be further strengthened.

일례로, 이와 같은 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)의 표면은 제1, 2 도전성 배선(P141, P142) 각각의 평면 패턴이 매쉬(mesh) 구조 또는 다공성 구조를 갖도록 함으로써, 요철이 형성될 수 있다. 이에 대해서는 도 4a 및 도 4b에서 보다 구체적으로 설명한다.For example, the surfaces of the first and second conductive wires P141 and P142 are formed such that the flat patterns of the first and second conductive wires P141 and P142 have a mesh structure or a porous structure, thereby forming irregularities. Can be. This will be described in more detail in FIGS. 4A and 4B.

이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 도전성 배선(P141)을 통하여 수집된 정공과 제2 도전성 배선(P142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.Holes collected through the first conductive wiring P141 and electrons collected through the second conductive wiring P142 in the solar cell according to the present invention manufactured with such a structure are converted to power of the external device through the external circuit device. Can be used.

지금까지는 반도체 기판(110)이 결정질 실리콘 반도체 기판(110)이고, 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 확산 공정을 통하여 형성된 경우를 예로 설명하였다.Until now, the case where the semiconductor substrate 110 is the crystalline silicon semiconductor substrate 110 and the emitter unit 121 and the rear electric field unit 172 are formed through a diffusion process has been described as an example.

그러나, 이와 다르게 비정질 실리콘 재질로 형성된 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 결정질 반도체 기판(110)과 접합하는 이종 접합 태양 전지나, 에미터부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 반도체 기판(110)에 형성된 복수의 비아홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 연결되는 구조의 태양 전지에서도 본 발명이 동일하게 적용될 수 있다.However, differently, a heterojunction solar cell in which the emitter part 121 and the rear electric field part 172 formed of an amorphous silicon material are bonded to the crystalline semiconductor substrate 110, or the emitter part 121 is on the front surface of the semiconductor substrate 110. The present invention can also be applied to a solar cell having a structure connected to the first electrode C141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 through a plurality of via holes formed in the semiconductor substrate 110.

이와 같은 구조를 갖는 태양 전지는 인터커넥터(미도시)에 의해 서로 인접하는 태양 전지를 연결할 수 있으며, 이에 따라 복수 개의 태양 전지가 직렬로 연결될 수 있다.A solar cell having such a structure may connect adjacent solar cells to each other by an interconnector (not shown), and accordingly, a plurality of solar cells may be connected in series.

한편, 이와 같은 구조에서, 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 패턴과, 절연성 부재(200)의 전면에 형성되는 제1 도전성 배선(P141) 및 제2 도전성 배선(P142)의 패턴에 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, in such a structure, the patterns of the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the first conductive wiring P141 formed on the front surface of the insulating member 200 ) And the pattern of the second conductive wiring P142 will be described in more detail below.

도 3의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같은 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 도 3의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같은 하나의 절연성 부재(200)의 전면이 부착되어 접속됨으로써, 본 발명에 따른 태양 전지는 하나의 일체형 개별 소자를 형성할 수 있다. 즉, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)은 1:1로 결합 또는 부착될 수 있다.On the rear surface of one semiconductor substrate 110 as shown in FIGS. 3A and 3B, the front surface of one insulating member 200 as shown in FIGS. 3C and 3D is By being attached and connected, the solar cell according to the present invention can form one integral individual element. That is, the insulating member 200 and the semiconductor substrate 110 may be coupled or attached in a 1:1 manner.

이때, 도 3의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 도 1 및 도 2에서 설명한 태양 전지의 반도체 기판(110)의 후면에는 복수 개의 제1 전극(C141)과 복수 개의 제2 전극(C142)이 서로 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있다.At this time, as shown in FIGS. 3A and 3B, a plurality of first electrodes C141 and a plurality of second electrodes are provided on the rear surface of the semiconductor substrate 110 of the solar cell described in FIGS. 1 and 2. (C142) may be spaced apart from each other to be elongated in the first direction (x).

아울러, 도 3의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 절연성 부재(200)의 전면에는 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142)이 형성될 수 있다.In addition, as shown in (c) and (d) of FIG. 3, a first conductive wire P141 and a second conductive wire P142 may be formed on the front surface of the insulating member 200 according to the present invention. .

여기서, 전술한 바와 같이, 제1 도전성 배선(P141)은 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141)를 포함하고, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)는 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있으며, 제1 패드부(PP141)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 일단이 제1 접속부(PC141)의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터(미도시)에 접속될 수 있다.Here, as described above, the first conductive wiring P141 includes the first connection part PC141 and the first pad part PP141, and as shown in FIG. 3C, the first connection part PC141 ) May be formed to be elongated in the first direction (x), the first pad portion (PP141) is formed to be elongated in the second direction (y), one end is connected to the end of the first connection (PC141), the other end It can be connected to an interconnector (not shown).

아울러, 제2 도전성 배선(P142)도 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)를 포함하고, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)는 제1 접속부(PC141)와 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있으며, 제2 패드부(PP142)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 일단이 제2 접속부(PC142)의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터(미도시)에 접속될 수 있다.In addition, the second conductive wiring P142 also includes a second connection part PC142 and a second pad part PP142, and as shown in FIG. 3(c), the second connection part PC142 is a first connection part. It is spaced apart from (PC141) and may be formed to be elongated in the first direction (x), the second pad portion (PP142) is formed to be elongated in the second direction (y), and one end is connected to the end of the second connection unit (PC142) And the other end may be connected to an interconnector (not shown).

여기서, 제1 접속부(PC141)와 제2 패드부(PP142)는 서로 이격되고, 제2 접속부(PC142)와 제1 패드부(PP141)도 서로 이격될 수 있다.Here, the first connection part PC141 and the second pad part PP142 may be spaced apart from each other, and the second connection part PC142 and the first pad part PP141 may also be spaced apart from each other.

따라서, 절연성 부재(200)의 전면에서, 제1 방향(x)의 양끝단 중 일단에는 제1 패드부(PP141)가 형성되고, 타단에는 제2 패드부(PP142)가 형성될 수 있다. Accordingly, on the front surface of the insulating member 200, a first pad portion PP141 may be formed at one end of both ends in the first direction x, and a second pad portion PP142 may be formed at the other end.

이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지는 하나의 반도체 기판(110)에 하나의 절연성 부재(200)만 결합되어, 하나의 일체형 개별 소자를 형성함으로써, 태양 전지 모듈 제조 공정을 보다 용이하게 할 수 있으며, 태양 전지 모듈 제조 공정 중에 어느 하나의 태양 전지에 포함된 반도체 기판(110)이 파손되거나 결함이 발생하더라도 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 해당 태양 전지만 교체할 수 있고, 공정 수율을 보다 향상시킬 수 있다. As described above, in the solar cell according to the present invention, only one insulating member 200 is coupled to one semiconductor substrate 110 to form one integrated individual element, thereby making the solar cell module manufacturing process easier, Even if the semiconductor substrate 110 included in any one solar cell is damaged or defective during the solar cell module manufacturing process, only the solar cell formed as an integrated individual element can be replaced, and the process yield can be further improved. have.

아울러, 이와 같이, 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 태양 전지는 제조 공정시 반도체 기판(110)에 가해지는 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.In addition, as described above, the solar cell formed of one integrated individual device may minimize thermal expansion stress applied to the semiconductor substrate 110 during a manufacturing process.

여기서, 절연성 부재(200)의 면적을 반도체 기판(110)의 면적과 동일하거나 크게 함으로써, 태양 전지와 태양 전지를 서로 연결할 때에, 절연성 부재(200)의 전면에 인터커넥터(미도시)가 부착될 수 있는 영역을 충분히 확보할 수 있다. 이를 위해, 절연성 부재(200)의 면적은 반도체 기판(110)의 면적보다 클 수 있다.Here, by making the area of the insulating member 200 equal to or larger than the area of the semiconductor substrate 110, when the solar cell and the solar cell are connected to each other, an interconnector (not shown) is attached to the front surface of the insulating member 200. You can secure enough area to be able to. To this end, the area of the insulating member 200 may be larger than the area of the semiconductor substrate 110.

이를 위해, 절연성 부재(200)의 제1 방향(x)으로의 길이를 반도체 기판(110)의 제1 방향(x)으로의 길이보다 길게 할 수 있다. To this end, the length of the insulating member 200 in the first direction x may be longer than the length of the semiconductor substrate 110 in the first direction x.

이와 같은 반도체 기판(110)의 후면과 절연성 부재(200)의 전면은 서로 부착되어, 제1 전극(C141)과 제1 도전성 배선(P141)이 서로 연결되고, 제2 전극(C142)과 제2 도전성 배선(P142)이 서로 연결될 수 있다. The rear surface of the semiconductor substrate 110 and the front surface of the insulating member 200 are attached to each other, so that the first electrode C141 and the first conductive wiring P141 are connected to each other, and the second electrode C142 and the second electrode are connected to each other. The conductive wirings P142 may be connected to each other.

이하에서는 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)에 형성되는 요철에 대해서 설명한다.Hereinafter, irregularities formed in the first and second conductive wirings P141 and P142 will be described.

도 4a 및 도 4b는 도 3의 (c)에서 K 부분에 대한 확대도에 대한 다양한 예를 설명하기 위한 도이다.4A and 4B are diagrams for explaining various examples of an enlarged view of a portion K in FIG. 3C.

구체적으로 도 4a의 (a)는 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)은 매쉬 구조로 형성된 경우의 평면 패턴을 설명하기 위한 도이고, 도 4a의 (b)는 도 4a의 4a-4a 라인에 대한 단면도이고, 도 4b의 (a)는 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)은 다공성 구조로 형성된 경우의 평면 패턴을 설명하기 위한 도이고, 도 4a의 (b)는 도 4a의 4b-4b 라인에 대한 단면도이다.Specifically, (a) of FIG. 4A is a diagram for explaining a flat pattern when the first and second conductive wirings P141 and P142 are formed in a mesh structure, and FIG. 4A (b) is a line 4a-4a of FIG. 4A 4B, (a) is a diagram for explaining a flat pattern when the first and second conductive wirings P141 and P142 are formed in a porous structure, and FIG. 4A(b) is a 4b of FIG. 4A. It is a cross-sectional view of the -4b line.

도 4a에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)은 매쉬 구조로 형성됨으로써, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)에 요철이 형성될 수 있으며, 도 4b에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 다공성 홈이나 홀을 갖는 구조로 형성됨으로써, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)에 요철이 형성될 수 있다.As shown in FIG. 4A, the first and second conductive wires P141 and P142 are formed in a mesh structure, so that irregularities may be formed in the first and second conductive wires P141 and P142, as shown in FIG. 4B. As described above, since the first and second conductive wires P141 and P142 are formed in a structure having a porous groove or hole, irregularities may be formed in the first and second conductive wires P141 and P142.

여기의 도 4a 및 도 4b는 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)의 제1, 2 접속부(PC141, PC142)가 매쉬 구조나 다공성(porous) 구조를 갖는 경우를 일례로 도시하였으나, 제1, 2 접속부(PC141, PC142)뿐만 아니라, 제1, 2 패드부(PP141, PP142) 역시 매쉬 구조나 다공성 구조를 가질 수 있다.Here, FIGS. 4A and 4B illustrate a case in which the first and second connection portions PC141 and PC142 of the first and second conductive wirings P141 and P142 have a mesh structure or a porous structure, but the first , In addition to the second connection portions PC141 and PC142, the first and second pad portions PP141 and PP142 may also have a mesh structure or a porous structure.

따라서, 본 발명에 따른 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)에서, 제1 방향(x)으로 형성되는 복수 개의 제1 접속부(PC141)와 복수 개의 제2 접속부(PC142) 각각은 매쉬 구조 또는 다공성 구조를 가질 수 있으며, 제2 방향(y)으로 형성되는 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP141) 각각은 매쉬 구조 또는 다공성 구조를 가질 수 있다.Accordingly, in the first and second conductive wirings P141 and P142 according to the present invention, each of the plurality of first connection parts PC141 and the plurality of second connection parts PC142 formed in the first direction x may have a mesh structure or It may have a porous structure, and each of the first pad portion PP141 and the second pad portion PP141 formed in the second direction y may have a mesh structure or a porous structure.

이와 같이, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 매쉬 구조나 다공성 구조를 갖는 경우, 절연성 부재(200)를 반도체 기판의 후면에 접속하기 위한 열처리 공정 중에, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)의 열팽창 계수와 절연성 부재(200)의 열팽창 계수 차이에 의하여, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 절연성 부재(200)로부터 박리된다든지 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)과 제1, 2 전극(C141, C142) 사이의 얼라인이 틀어지는 것을 최소화할 수 있다.As described above, when the first and second conductive wires P141 and P142 have a mesh structure or a porous structure, during the heat treatment process for connecting the insulating member 200 to the rear surface of the semiconductor substrate, the first and second conductive wires P141 , The first and second conductive wirings P141 and P142 are peeled off from the insulating member 200 or the first and second conductive wirings P141 and P142 due to the difference between the thermal expansion coefficient of P142 and the thermal expansion coefficient of the insulating member 200. ) And the misalignment between the first and second electrodes C141 and C142 may be minimized.

아울러, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 매쉬 구조나 다공성 구조를 갖는 경우, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)과 제1, 2 전극(C141, C142) 사이의 열팽창 계수 차이에 의해, 반도체 기판이 받는 스트레스를 최소화할 수 있다.In addition, when the first and second conductive wires P141 and P142 have a mesh structure or a porous structure, the difference in thermal expansion coefficient between the first and second conductive wires P141 and P142 and the first and second electrodes C141 and C142 Thus, it is possible to minimize the stress applied to the semiconductor substrate.

여기서, 도 4a에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 매쉬 구조로 형성된 경우, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 매쉬 구조에서 매쉬의 각 부분은 제1 방향(x) 및 제2 방향(y)으로 형성될 수 있다. 그러나, 이와 다르게, 매쉬의 각 부분이 제1 방향(x) 또는 제2 방향(y)에 사선 방향으로 형성되는 것도 가능하다.Here, as shown in FIG. 4A, when the first and second conductive wirings P141 and P142 are formed in a mesh structure, as shown in FIG. 4A, each portion of the mesh in the mesh structure is It may be formed in a direction (x) and a second direction (y). However, differently, each portion of the mesh may be formed in an oblique direction in the first direction (x) or the second direction (y).

아울러, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 매쉬 구조로 형성된 경우, 도 4a의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 형성되는 영역 내에서도 매쉬 구조 사이로 절연성 부재(200)의 일부분이 노출될 수도 있다.In addition, when the first and second conductive wires P141 and P142 are formed in a mesh structure, as shown in (b) of FIG. 4A, the mesh structure is also within the region where the first and second conductive wires P141 and P142 are formed. A portion of the insulating member 200 may be exposed through the gap.

여기서, 하나의 매쉬를 형성하기 위해 제1 방향(x) 또는 제2 방향(y)으로 형성되는 각 부분(M1, M2)의 폭은 제1, 2 접속부(PC141, PC142)의 폭보다 작을 수 있으며, 일례로, 수십nm ~ 수백㎛ 사이일 수 있다.Here, the width of each part (M1, M2) formed in the first direction (x) or the second direction (y) to form one mesh may be smaller than the width of the first and second connection parts (PC141, PC142). And, for example, it may be between several tens of nanometers and several hundred microns.

아울러, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 다공성 구조로 형성된 경우, 하나의 홈 또는 홀의 직경은 수십nm ~ 수백㎛ 사이일 수 있으며, 도 4b의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 형성되는 영역 내에서도 다공성 구조로 인하여 절연성 부재(200)의 일부분이 노출될 수도 있다.In addition, when the first and second conductive wirings P141 and P142 are formed in a porous structure, the diameter of one groove or hole may be between several tens of nm and several hundreds of μm. A portion of the insulating member 200 may be exposed even within a region in which the first and second conductive wirings P141 and P142 are formed due to the porous structure.

지금까지는 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)의 일례로, 제1, 2 접속부(PC141, PC142)가 복수 개이고, 제1, 2 패드부(PP141, PP142)가 각 제1, 2 접속부(PC141, PC142)의 끝단에 하나로 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 제1, 2 접속부(PC141, PC142)가 도 3의 (c)와 다르게 하나의 매쉬 구조나 다공성 구조를 가지며 전체가 하나의 통전극으로 형성되는 것도 가능하고, 복수 개의 제1, 2 접속부(PC141, PC142) 끝단에 형성되는 제1, 2 패드부(PP141, PP142)도 각각 복수 개로 형성되어 제2 방향(y)으로 이격되어 배열되는 것도 가능하다.Until now, as an example of the first and second conductive wirings P141 and P142, there are a plurality of first and second connection parts PC141 and PC142, and the first and second pad parts PP141 and PP142 are respectively the first and second connection parts ( The case where one is formed at the ends of the PC141 and PC142 has been described as an example, but the first and second connection parts PC141 and PC142 have one mesh structure or a porous structure different from FIG. 3C, and the whole is one conductive electrode. A plurality of first and second pad portions (PP141, PP142) formed at the ends of the plurality of first and second connecting portions (PC141, PC142) are also formed in plural, and are arranged spaced apart in the second direction (y). It is also possible to become.

이하에서는 이와 같은 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 구비된 절연성 부재(200)와 제1, 2 전극(C141, C142)이 형성된 반도체 기판이 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성된 일례를 설명한다.Hereinafter, the insulating member 200 provided with the first and second conductive wires P141 and P142 and the semiconductor substrate on which the first and second electrodes C141 and C142 are formed are individually connected to each other to form one individual element. An example will be described.

도 5은 도 3에 도시된 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 서로 접속된 상태를 설명하기 위한 도이고, 도 6a는 도 5에서 6a-6a 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 6b는 도 5에서 6b-6b 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 6c는 도 5에서 6c-6c 라인의 단면을 도시한 것이다.5 is a diagram for explaining a state in which the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 shown in FIG. 3 are connected to each other, and FIG. 6A is a cross-sectional view of a line 6a-6a in FIG. 5, and FIG. 6B 5 shows a cross-section of the line 6b-6b, and FIG. 6c shows a cross-section of the line 6c-6c in FIG. 5.

도 5에 도시된 바와 같이, 하나의 반도체 기판(110)이 하나의 절연성 부재(200)에 완전히 중첩되어 하나의 태양 전지 개별 소자가 형성될 수 있다.As shown in FIG. 5, one semiconductor substrate 110 may be completely overlapped with one insulating member 200 to form one solar cell individual element.

예를 들어, 도 6a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 접속부(PC141)는 서로 중첩되며, 전극 연결재(ECA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.For example, as shown in FIG. 6A, the first electrode C141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the first connection part PC141 formed on the front surface of the insulating member 200 overlap each other, and the electrode connector They can be electrically connected to each other by (ECA).

아울러, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제2 전극(C142)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제2 접속부(PC142)도 서로 중첩되며, 전극 연결재(ECA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the second electrode C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the second connection part PC142 formed on the front surface of the insulating member 200 are also overlapped with each other, and can be electrically connected to each other by an electrode connector (ECA). have.

또한, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이의 서로 이격된 공간에는 절연층(IL)이 채워질 수 있고, 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.In addition, an insulating layer IL may be filled in a space spaced apart from each other between the first electrode C141 and the second electrode C142, and a spaced apart between the first connection part PC141 and the second connection part PC142 Also, the insulating layer IL may be filled.

아울러, 도 6b에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)와 제1 패드부(PP141) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있으며, 도 6c에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제2 패드부(PP142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.In addition, as shown in FIG. 6B, the insulating layer IL may also be filled in the spaced apart space between the second connection part PC142 and the first pad part PP141, and as shown in FIG. 6C, the first The insulating layer IL may also be filled in a space spaced apart between the connection part PC141 and the second pad part PP142.

아울러, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142) 각각은 반도체 기판(110)과 중첩되는 제1 영역(PP141-S1, PP142-S1)과, 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 노출 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 포함할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 5, each of the first pad portion PP141 and the second pad portion PP142 overlaps the semiconductor substrate 110 with first regions PP141-S1 and PP142-S1, and Exposed regions PP141-S2 and PP142-S2 that do not overlap with the substrate 110 may be included.

이와 같이, 인터커넥터(미도시)와 연결될 수 있는 공간을 확보하기 위하여 마련된 제1 패드부(PP141)의 노출 영역(PP141-S2) 및 제2 패드부(PP142)의 노출 영역(PP142-S2)에 인터커넥터(미도시)가 연결될 수 있다. In this way, the exposed areas PP141-S2 of the first pad part PP141 and the exposed areas PP142-S2 of the second pad part PP142 are provided to secure a space that can be connected to the interconnector (not shown). An interconnector (not shown) may be connected to.

본 발명에 따른 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142) 각각은 노출 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 구비함으로써, 인터커넥터(미도시)를 보다 용이하게 연결할 수 있으며, 아울러, 인터커넥터(미도시)를 연결할 때에, 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.Each of the first pad portion PP141 and the second pad portion PP142 according to the present invention has exposed areas PP141-S2 and PP142-S2, so that an interconnector (not shown) can be more easily connected, In addition, when connecting the interconnector (not shown), it is possible to minimize thermal expansion stress on the semiconductor substrate 110.

아울러, 전술한 바와 같이, 복수의 태양 전지를 연결하기 위해 이와 같은 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142)에 인터커넥터(미도시)가 접속될 수 있다.In addition, as described above, in order to connect a plurality of solar cells, an interconnector (not shown) may be connected to the first pad portion PP141 or the second pad portion PP142.

지금까지는 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 절연성 부재(200)에 형성된 제1 접속부(PC141) 및 제2 접속부(PC142)와 나란한 방향으로 중첩되어 연결되는 경우에 대해 설명하였으나, 이와 다르게, 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 절연성 부재(200)에 형성된 제1 접속부(PC141) 및 제2 접속부(PC142)와 교차하는 방향으로 중첩되어 접속할 수도 있다. Until now, the first electrode (C141) and the second electrode (C142) formed on the semiconductor substrate 110 are overlapped and connected to the first connection part (PC141) and the second connection part (PC142) formed on the insulating member 200 in a parallel direction. A case has been described, but differently, the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the semiconductor substrate 110 are formed on the insulating member 200. ) And can also be connected by overlapping in the direction intersecting.

또한, 도시된 바와 다르게 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142)가 복수 개로 형성되지 않고, 매쉬 구조나 다공성 구조를 가지며 전체가 하나의 통전극으로 형성될 수 있으며, 하나의 통전극에는 복수 개의 제1 전극(C141) 또는 제2 전극(C142)이 접속될 수 있다.In addition, unlike shown, the first connection part PC141 and the second connection part PC142 are not formed in plural, but have a mesh structure or a porous structure, and the whole may be formed as a single conductive electrode. A plurality of first electrodes C141 or second electrodes C142 may be connected.

지금까지는 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142)가 각각 하나로만 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142)가 각각 복수 개로 형성될 수도 있다. 복수 개로 형성된 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142) 각각에 복수 개의 제1 접속부(PC141) 또는 복수 개의 제2 접속부(PC142)가 연결될 수도 있다. Until now, a case in which only one of the first pad portion PP141 and the second pad portion PP142 are formed has been described as an example. It can also be formed of dogs. A plurality of first connection parts PC141 or a plurality of second connection parts PC142 may be connected to each of the first pad part PP141 or the second pad part PP142 formed in plural.

아울러, 도 1 내지 도 6c에서는 본 발명에 따른 태양 전지에서 절연성 부재(200)가 구비된 경우를 일례로 도시하고 설명하였으나, 이와 다르게, 절연성 부재(200)는 반도체 기판(110)의 후면에 절연성 부재(200)가 접속되어, 제1, 2 전극(C141, C142)과 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 서로 접속된 이후 제거될 수 있고, 이와 같이, 절연성 부재(200)가 제거된 상태에서 인터커넥터(미도시)가 도 1 내지 도 5에서 설명한 바와 같이 제1 도전성 배선(P141) 또는 제2 도전성 배선(P142)에 접속될 수 있다.In addition, FIGS. 1 to 6C illustrate and describe a case in which the insulating member 200 is provided in the solar cell according to the present invention as an example, but differently, the insulating member 200 has an insulating property on the rear surface of the semiconductor substrate 110. After the member 200 is connected and the first and second electrodes C141 and C142 and the first and second conductive wires P141 and P142 are connected to each other, the insulating member 200 is removed. In this state, the interconnector (not shown) may be connected to the first conductive wiring P141 or the second conductive wiring P142 as described with reference to FIGS. 1 to 5.

지금까지는 전술한 바와 같은 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 각 태양 전지의 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)에 접속되고, 각 태양 전지는 별도의 인터커넥터를 통해 직렬 연결되는 것으로 설명하였다. Until now, the first and second conductive wires P141 and P142 as described above are connected to the plurality of first and second electrodes C141 and C142 of each solar cell, and each solar cell is connected in series through a separate interconnector. It was described as being.

그러나, 이와 다르게, 별도의 인터커넥터 없이 각 태양 전지의 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)에 접속되는 제1, 2 도전성 배선만으로도 복수의 태양 전지를 직렬 연결할 수도 있다. 즉, 본 발명에 제1, 2 도전성 배선은 전술한 바와 다르게, 인터커넥터로서의 기능도 함께 수행할 수 있다.However, alternatively, a plurality of solar cells may be connected in series using only the first and second conductive wires connected to the plurality of first and second electrodes C141 and C142 of each solar cell without a separate interconnector. In other words, in the present invention, the first and second conductive wirings may function as an interconnector, unlike the above-described ones.

이하에서는 이와 같이, 본 발명에 따라 요철이 형성된 제1, 2 도전성 배선이 복수의 태양 전지를 서로 전기적으로 직렬 연결하는 인터커넥터로 사용된 태양 전지 모듈의 일례에 대해 설명한다.Hereinafter, an example of a solar cell module in which the first and second conductive wirings having irregularities formed in accordance with the present invention are used as interconnectors for electrically connecting a plurality of solar cells in series with each other will be described.

아울러, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 앞선 도 1 내지 도 6c에서 설명한 태양 전지가 적용될 수도 있지만, 이하의 도 7a 내지 도 9에서 설명하는 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선은 인터커넥터로 사용될 수도 있다.In addition, the solar cell module according to the present invention may be applied to the solar cell described in FIGS. 1 to 6C, but as described in FIGS. 7A to 9 below, the first and second conductive wires may be used as interconnectors. have.

도 7a 내지 도 9는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에 대해 설명하기 위한 도이다.7A to 9 are diagrams for explaining a solar cell module according to an example of the present invention.

이하의 도 7a 내지 도 9에서는 도 1 내지 도 6c에서 설명한 바와 동일한 내용에 대해서는 구체적인 설명을 생략하고, 다른 점을 위주로 설명한다.In FIGS. 7A to 9 below, detailed descriptions of the same contents as those described in FIGS. 1 to 6C will be omitted, and different points will be mainly described.

도 7a는 본 발명의 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 다른 일례이고, 도 7b는 도 7a에 도시된 태양 전지의 후면에 형성된 제1, 2 전극(C141, C142)(C141, C142)의 패턴 일례이다.7A is another example of a solar cell applied to the solar cell module of the present invention, and FIG. 7B is a pattern of first and second electrodes C141 and C142 (C141, C142) formed on the rear surface of the solar cell shown in FIG. 7A This is an example.

아울러, 도 8a는 절연성 부재(200) 위에 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2)이 형성된 일례를 도시한 것이고, 도 8b는 도 8a에서 8a-8a 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.In addition, FIG. 8A illustrates an example in which the first and second conductive wires IC1 and IC2 are formed on the insulating member 200, and FIG. 8B illustrates a cross-section along the line 8A-8A in FIG. 8A.

아울러, 도 9는 복수의 태양 전지가 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2)에 의해 전기적으로 직렬 연결되는 일례를 도시한 것이다.In addition, FIG. 9 shows an example in which a plurality of solar cells are electrically connected in series by first and second conductive wirings IC1 and IC2.

본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지, 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2)을 포함할 수 있다. 여기서, 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에 적용 가능한 태양 전지는 앞선 도 1 내지 도 6c에서 설명한 태양 전지 이외에도, 도 7a 및 도 7b에 도시된 태양 전지가 적용될 수 있다.A solar cell module according to an example of the present invention may include a plurality of solar cells and first and second conductive wirings IC1 and IC2. Here, as a solar cell applicable to the solar cell module according to an example of the present invention, in addition to the solar cells described in FIGS. 1 to 6C, the solar cells shown in FIGS. 7A and 7B may be applied.

즉, 도 7a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에 적용 가능한 태양 전지는 반사 방지막(130), 반도체 기판(110), 에미터부(121), 후면 전계부(172), 및 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)을 포함할 수 있다.That is, as shown in FIG. 7A, a solar cell applicable to a solar cell module according to an example of the present invention includes an antireflection film 130, a semiconductor substrate 110, an emitter part 121, a rear electric field part 172, and And a plurality of first and second electrodes C141 and C142.

아울러, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)은 도 7b에 도시된 바와 같이, 서로 교번되어 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 여기서, 반사 방지막(130), 반도체 기판(110), 에미터부(121), 후면 전계부(172) 및 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)에 대한 설명은 앞선 도 1 및 도 2에서 설명한 바와 동일할 수 있다.In addition, the plurality of first and second electrodes C141 and C142 may be formed to extend in a first direction x by alternating each other, as shown in FIG. 7B. Here, the description of the antireflection film 130, the semiconductor substrate 110, the emitter part 121, the rear electric field part 172, and the plurality of first and second electrodes C141 and C142 are provided in FIGS. 1 and 2 above. It may be the same as described.

제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2)은 앞선 도 1 내지 도 6c에서 설명한 바와 다르게, 도 8a에 도시된 바와 같이, 복수 개의 와이어 형태로 구비될 수 있으며, 복수 개의 와이어 형태로 구비된 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2)은 절연성 부재(200)의 전면에 위에 미리 구비될 수 있다.The first and second conductive wires IC1 and IC2 may be provided in the form of a plurality of wires, as shown in FIG. 8A, differently from those described with reference to FIGS. 1 to 6C. , 2 The conductive wirings IC1 and IC2 may be previously provided on the front surface of the insulating member 200.

여기서, 복수 개의 와이어 형태로 구비된 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2) 각각은 도 8a에 도시된 바와 같이, 태양 전지의 후면에 형성되는 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향과 교차하는 방향인, 제2 방향(y)으로 길게 배치되어 형성될 수 있다. 그러나, 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2) 각각의 길이 방향이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.Here, each of the first and second conductive wires IC1 and IC2 provided in the form of a plurality of wires is a longitudinal direction of the first and second electrodes C141 and C142 formed on the rear surface of the solar cell, as shown in FIG. 8A. It may be formed to be elongated in the second direction y, which is a direction intersecting with the. However, the length directions of each of the first and second conductive lines IC1 and IC2 are not necessarily limited thereto.

또한, 절연성 부재(200)는 도 1 내지 도 6c에서 설명한 바와 동일한 재질이 사용될 수도 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 이와 다른 재질이 사용될 수도 있다. In addition, the insulating member 200 may be formed of the same material as described in FIGS. 1 to 6C, but is not limited thereto, and a different material may be used.

또한, 아울러, 이와 같은 절연성 부재(200)는 생략되는 것도 가능하다. 다만, 절연성 부재(200)가 구비된 경우, 모듈의 제조 공정이 보다 용이하므로, 이하에서는 절연성 부재(200)가 구비된 경우를 일례로 설명한다.In addition, in addition, the insulating member 200 may be omitted. However, when the insulating member 200 is provided, the manufacturing process of the module is easier, and thus, the case where the insulating member 200 is provided will be described as an example.

또한, 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2)은 앞선 도 1 내지 도 6c에서 설명한 바와 동일하게, 도 8b에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2)에는 요철이 형성될 수 있다. 즉, 여기서, 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2)의 요철 형상은 매쉬(mesh) 구조 또는 다공성(porous) 구조를 가질 수 있다.In addition, the first and second conductive wires IC1 and IC2 are the same as described in FIGS. 1 to 6C, and as shown in FIG. 8B, irregularities are formed in the first and second conductive wires IC1 and IC2. I can. That is, here, the uneven shape of the first and second conductive wirings IC1 and IC2 may have a mesh structure or a porous structure.

즉, 도 8a에서 L 영역을 확대 도시하면, 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2)의 요철 형상은 도 4a에서 설명한 바와 같은 매쉬(mesh) 구조를 가지거나, 도 4b에서 설명한 바와 같은 다공성(porous) 구조를 가질 수 있다.That is, when the L region is enlarged in FIG. 8A, the uneven shape of the first and second conductive wirings IC1 and IC2 has a mesh structure as described in FIG. 4A, or porous ( porous) structure.

이와 같이 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2)에 매쉬 구조나 다공성 구조 같은 요철이 형성되도록 함으로써, 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2)의 접속 표면적을 보다 크게 할 수 있고, 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2)이 제1, 2 전극(C141, C142)에 접속될 때에 접촉 저항을 보다 감소시킬 수 있으며, 접착력을 보다 강화할 수 있다.In this way, by forming irregularities such as a mesh structure or a porous structure on the first and second conductive wirings IC1 and IC2, the connection surface area of the first and second conductive wirings IC1 and IC2 can be increased, and the first and second conductive wirings IC1 and IC2 When the 2 conductive wirings IC1 and IC2 are connected to the first and second electrodes C141 and C142, the contact resistance can be further reduced, and the adhesive force can be further strengthened.

이와 같이, 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2)이 구비된 절연성 부재(200)에서 AC1 내지 AC4 각 영역 위에는 도 7a 및 도 7b에서 설명한 태양 전지가 배치될 수 있다.In this way, the solar cells described in FIGS. 7A and 7B may be disposed on each region AC1 to AC4 in the insulating member 200 including the first and second conductive wires IC1 and IC2.

예를 들어, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 도 9에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2)이 구비된 절연성 부재(200) 위의 전술한 영역(AC1 내지 AC3)에 제1, 2, 3 태양 전지(CE1~CE3)가 순차적으로 일렬로 배열될 수 있으며, 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2) 각각은 제1, 2, 3 태양 전지(CE1~CE3)를 전기적으로 서로 직렬로 연결시킬 수 있다.For example, the solar cell module according to the present invention is in the above-described regions AC1 to AC3 on the insulating member 200 provided with the first and second conductive wirings IC1 and IC2, as shown in FIG. 9. The first, second, and third solar cells CE1 to CE3 may be sequentially arranged in a line, and each of the first and second conductive wires IC1 and IC2 includes first, second, and third solar cells CE1 to CE3. They can be electrically connected in series with each other.

이때, 예를 들어, 제2 태양 전지(CE2)에 구비된 복수의 제1 전극(C141)에는 제1 도전성 배선(IC1)이 접속되고, 제2 태양 전지(CE2)에 구비된 복수의 제2 전극(C142)에는 제2 도전성 배선(IC2)이 접속될 수 있다.At this time, for example, the first conductive wiring IC1 is connected to the plurality of first electrodes C141 provided in the second solar cell CE2, and the plurality of second electrodes C141 provided in the second solar cell CE2 A second conductive line IC2 may be connected to the electrode C142.

아울러, 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2) 사이의 직렬 연결을 위하여, 제1 도전성 배선(IC1)은 제1 태양 전지(CE1)에 구비된 복수의 제2 전극(C142)에 더 접속될 수 있으며, 제2 태양 전지(CE2)와 제2 태양 전지(CE3) 사이의 직렬 연결을 위하여, 제2 도전성 배선(IC2)은 제2 태양 전지(CE3)에 구비된 복수의 제1 전극(C141)에 더 접속될 수 있다.In addition, for a series connection between the first solar cell CE1 and the second solar cell CE2, the first conductive wiring IC1 is a plurality of second electrodes C142 provided in the first solar cell CE1. May be further connected to, and for a series connection between the second solar cell CE2 and the second solar cell CE3, the second conductive wiring IC2 is It may be further connected to the first electrode C141.

이때, 제1, 2, 3 태양 전지(CE1~CE3) 각각에 포함되는 복수 개의 제1, 2 전극(C141, C142) 각각은 제1 방향(x)으로 길게 형성되며, 제1, 2, 3 태양 전지(CE1~CE3)는 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)을 따라 일렬로 배열될 수 있다. 아울러, 복수 개의 와이어 형태로 구비된 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2) 각각은 제2 방향(y)으로 길게 위치할 수 있다.At this time, each of the plurality of first and second electrodes C141 and C142 included in each of the first, second, and third solar cells CE1 to CE3 is formed to be elongated in the first direction x, and the first, second, and third solar cells CE1 to CE3 The solar cells CE1 to CE3 may be arranged in a line along the second direction y crossing the first direction x. In addition, each of the first and second conductive wires IC1 and IC2 provided in the form of a plurality of wires may be elongated in the second direction y.

따라서, 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2)과 각 제1, 2 전극(C141, C142)은 서로 교차하여 중첩되는 부분 중에서 제1, 2, 3 태양 전지(CE1~CE3)의 직렬 연결을 위하여 필요한 부분에서 서로 접속되거나 절연될 수 있다.Accordingly, the first and second conductive wires IC1 and IC2 and the first and second electrodes C141 and C142 cross each other and connect the first, second, and third solar cells CE1 to CE3 in series. They can be connected or insulated from each other at the required part.

이때, 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2)과 각 제1, 2 전극(C141, C142) 사이의 접속은 인터커넥터 접착제(ICA)에 의해 이루어질 수 있다. 여기서, 인터커넥터 접착제(ICA)의 재질은 도 1 내지 도 6c에서 전술한 전극 연결재(ECA)의 재질과 동일할 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되지는 않고, 다른 재질이 사용될 수도 있다.In this case, the connection between the first and second conductive wires IC1 and IC2 and the respective first and second electrodes C141 and C142 may be made by an interconnector adhesive ICA. Here, the material of the interconnector adhesive ICA may be the same as the material of the electrode connector ECA described above in FIGS. 1 to 6C. However, it is not necessarily limited thereto, and other materials may be used.

아울러, 제1, 2 도전성 배선(IC1, IC2)과 각 제1, 2 전극(C141, C142) 사이는 절연층(IL)에 의해 절연될 수 있다. 여기서, 절연층(IL)은 도 1 내지 도 6c에서 설명한 바와 동일할 수 있다.이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, between the first and second conductive wires IC1 and IC2 and each of the first and second electrodes C141 and C142 may be insulated by the insulating layer IL. Here, the insulating layer IL may be the same as that described with reference to FIGS. 1 to 6C. The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains. As long as it grows, various modifications, changes, and substitutions will be possible without departing from the essential characteristics of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments and the accompanying drawings. . The scope of protection of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

Claims (17)

반도체 기판;
상기 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극;
상기 복수의 제1 전극에 접속되는 제1 도전성 배선; 및
상기 복수의 제2 전극에 접속되는 제2 도전성 배선;을 포함하고,
상기 제1, 2 도전성 배선은 각각 매쉬(mesh) 구조 또는 다공성(porous) 구조로 형성되어, 상기 제1, 2 도전성 배선에는 상기 매쉬 구조 또는 상기 다공성 구조에 의해 형성되는 요철이 구비되고,
상기 제1 도전성 배선 및 제2 도전성 배선은 하나의 절연성 부재에 구비되고,
상기 제1, 2 도전성 배선이 형성되는 영역 내에서 상기 제1, 2 도전성 배선의 상기 매쉬 구조 또는 다공성 구조로 인해 상기 절연성 부재의 일부분이 노출되는 태양 전지.A semiconductor substrate;
A plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes formed to be spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate;
A first conductive wiring connected to the plurality of first electrodes; And
Including; a second conductive wiring connected to the plurality of second electrodes,
The first and second conductive wires are formed in a mesh structure or a porous structure, respectively, and the first and second conductive wires are provided with irregularities formed by the mesh structure or the porous structure,
The first conductive wiring and the second conductive wiring are provided in one insulating member,
A solar cell in which a portion of the insulating member is exposed due to the mesh structure or the porous structure of the first and second conductive wires within a region in which the first and second conductive wires are formed. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 반도체 기판과 상기 절연성 부재는 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자를 형성하는 태양 전지.The method of claim 1,
The semiconductor substrate and the insulating member are individually connected to each other to form one individual element. 제3 항에 있어서,
상기 제1 도전성 배선은
상기 제1 전극과 접속되는 복수 개의 제1 접속부와
일단이 상기 복수 개의 제1 접속부의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터가 연결되는 제1 패드부를 포함하고,
상기 제2 도전성 배선은
상기 제2 전극과 접속되는 복수 개의 제2 접속부와
일단이 상기 복수 개의 제2 접속부의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터가 연결되는 제2 패드부를 포함하는 태양 전지.The method of claim 3,
The first conductive wiring is
A plurality of first connecting portions connected to the first electrode;
One end is connected to the end of the plurality of first connection parts, the other end includes a first pad part to which the interconnector is connected,
The second conductive wiring is
A plurality of second connecting portions connected to the second electrode;
One end is connected to the end of the plurality of second connection parts, the other end of the solar cell comprising a second pad part to which the interconnector is connected. 제4 항에 있어서,
상기 제1 접속부와 상기 제2 접속부는 각각 복수 개이고,
상기 복수 개의 제1 접속부와 상기 복수 개의 제2 접속부는 제1 방향으로 형성되고,
상기 제1 패드부와 상기 제2 패드부는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 상기 절연성 부재의 끝단에 배치되는 태양 전지.The method of claim 4,
A plurality of the first connection portions and the second connection portions, respectively,
The plurality of first connecting portions and the plurality of second connecting portions are formed in a first direction,
The first pad part and the second pad part are disposed at ends of the insulating member in a second direction crossing the first direction. 제5 항에 있어서,
상기 제1 방향으로 형성되는 상기 복수 개의 제1 접속부와 상기 복수 개의 제2 접속부 각각은 매쉬 구조 또는 다공성 구조를 갖는 태양 전지.The method of claim 5,
Each of the plurality of first connecting portions and the plurality of second connecting portions formed in the first direction has a mesh structure or a porous structure. 제5 항에 있어서,
상기 제2 방향으로 형성되는 상기 제1 패드부와 상기 제2 패드부 각각은 매쉬 구조 또는 다공성 구조를 갖는 태양 전지.The method of claim 5,
Each of the first pad portion and the second pad portion formed in the second direction has a mesh structure or a porous structure. 제4 항에 있어서,
상기 제1 접속부와 상기 제1 전극 및 상기 제2 접속부와 상기 제2 전극은 도전성 재질의 전극 연결재에 의해 서로 접속되는 태양 전지.The method of claim 4,
The first connection part and the first electrode, and the second connection part and the second electrode are connected to each other by an electrode connector made of a conductive material. 제4 항에 있어서,
상기 제1 접속부와 상기 제2 전극 사이 및 상기 제2 접속부와 상기 제1 전극 사이는 절연층이 배치되는 태양 전지.The method of claim 4,
An insulating layer is disposed between the first connection part and the second electrode, and between the second connection part and the first electrode. 반도체 기판; 및 상기 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극;을 구비하는 복수의 태양 전지;
상기 복수의 태양 전지 각각에 포함되는 복수의 제1 전극에 접속되는 제1 도전성 배선; 및
상기 복수의 태양 전지 각각에 포함되는 복수의 제2 전극에 접속되는 제2 도전성 배선;을 포함하고,
상기 제1, 2 도전성 배선은 각각 매쉬(mesh) 구조 또는 다공성(porous) 구조로 형성되어, 상기 제1, 2 도전성 배선에는 상기 매쉬 구조 또는 상기 다공성 구조에 의해 형성되는 요철이 구비되고,
상기 제1 도전성 배선 및 제2 도전성 배선은 하나의 절연성 부재에 구비되고,
상기 제1, 2 도전성 배선이 형성되는 영역 내에서 상기 제1, 2 도전성 배선의 상기 매쉬 구조 또는 다공성 구조로 인해 상기 절연성 부재의 일부분이 노출되는 태양 전지 모듈.A semiconductor substrate; And a plurality of solar cells having a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes formed to be spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate.
First conductive wiring connected to a plurality of first electrodes included in each of the plurality of solar cells; And
Including; a second conductive wiring connected to a plurality of second electrodes included in each of the plurality of solar cells,
The first and second conductive wires are formed in a mesh structure or a porous structure, respectively, and the first and second conductive wires are provided with irregularities formed by the mesh structure or the porous structure,
The first conductive wiring and the second conductive wiring are provided in one insulating member,
A solar cell module in which a portion of the insulating member is exposed due to the mesh structure or the porous structure of the first and second conductive wires within a region in which the first and second conductive wires are formed. 삭제delete 제10 항에 있어서,
상기 복수의 태양 전지는 순차적으로 일렬로 배열되는 제1, 2, 3 태양 전지를 포함하며,
상기 제1 도전성 배선 및 상기 제2 도전성 배선 각각은 상기 제1, 2, 3 태양 전지를 전기적으로 직렬로 연결시키는 태양 전지 모듈.The method of claim 10,
The plurality of solar cells includes first, second, and third solar cells that are sequentially arranged in a line,
Each of the first conductive wire and the second conductive wire electrically connects the first, second, and third solar cells in series. 제12 항에 있어서,
상기 제2 태양 전지에 구비된 복수의 제1 전극에는 상기 제1 도전성 배선이 접속되고, 상기 제2 태양 전지에 구비된 복수의 제2 전극에는 상기 제2 도전성 배선이 접속되며,
상기 제1 도전성 배선은 상기 제1 태양 전지에 구비된 복수의 제2 전극에 더 접속되고,
상기 제2 도전성 배선은 상기 제3 태양 전지에 구비된 복수의 제1 전극에 더 접속되는 태양 전지 모듈.The method of claim 12,
The first conductive wire is connected to a plurality of first electrodes provided in the second solar cell, and the second conductive wire is connected to a plurality of second electrodes provided in the second solar cell,
The first conductive wiring is further connected to a plurality of second electrodes provided in the first solar cell,
The solar cell module wherein the second conductive wiring is further connected to a plurality of first electrodes provided in the third solar cell. 제13 항에 있어서,
상기 제1, 2 도전성 배선은 복수 개의 와이어 형태로 구비되는 태양 전지 모듈.The method of claim 13,
The first and second conductive wiring is a solar cell module provided in the form of a plurality of wires. 제14 항에 있어서,
상기 제1, 2, 3 태양 전지 각각에 포함되는 복수 개의 제1, 2 전극 각각은 제1 방향으로 길게 형성되며,
상기 제1, 2, 3 태양 전지는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 일렬로 배열되는 태양 전지 모듈.The method of claim 14,
Each of the plurality of first and second electrodes included in each of the first, second, and third solar cells is formed to be elongated in a first direction,
The first, second, and third solar cells are arranged in a line along a second direction crossing the first direction. 제15 항에 있어서,
복수 개의 와이어 형태로 구비된 상기 제1, 2 도전성 배선 각각은 상기 제2 방향으로 길게 위치하는 태양 전지 모듈.The method of claim 15,
Each of the first and second conductive wires provided in the form of a plurality of wires is a solar cell module positioned elongated in the second direction. 삭제delete
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