KR20150053631A - 유기 발광 표시 장치, 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치, 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예는 활성 영역에 열 및 행 방향으로 배치되고, 적어도 하나의 서브 발광 화소를 포함하는 복수의 발광 화소들; 더미 영역에 구비된 복수의 더미 화소들; 및 상기 복수의 서브 발광 화소들 중 적어도 하나와 상기 더미 화소들 중 적어도 하나를 연결하는 복수의 리페어선;을 포함하고, 상기 복수의 서브 발광 화소들 중 열 또는 행 방향으로 연속 배치된 적어도 두 개의 서브 발광 화소들은 서로 다른 두 개의 리페어선에 교번하여 연결되는 유기 발광 표시 장치를 개시한다.

Description

유기 발광 표시 장치, 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법 {Organic light emitting display, and method of repairing the same and the method of driving the same}
본 발명의 실시예들은 유기 발광 표시 장치, 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법에 관한 것이다.
특정 화소에서 불량이 발생하는 경우, 특정 화소는 주사 신호 및 데이터 신호와 무관하게 항상 빛을 발생할 수 있다. 이와 같이 화소에서 항상 빛이 발생되는 화소는 관찰자에게 명점(또는 휘점)으로 인식되고, 이 명점은 시인성이 높아 관찰자에게 쉽게 관측된다. 따라서, 종래에는 시인성이 높은 명점화된 불량 화소를 암점화되도록 리페어함으로써 불량 화소에 대한 인식은 낮추도록 하였다.
본 발명의 실시예들은 유기 발광 표시 장치, 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 활성 영역에 열 및 행 방향으로 배치되고, 적어도 하나의 서브 발광 화소를 포함하는 복수의 발광 화소들; 더미 영역에 구비된 복수의 더미 화소들; 및 상기 복수의 서브 발광 화소들 중 적어도 하나와 상기 더미 화소들 중 적어도 하나를 연결하는 복수의 리페어선;을 포함하고, 상기 복수의 서브 발광 화소들 중 열 또는 행 방향으로 연속 배치된 적어도 두 개의 서브 발광 화소들은 서로 다른 두 개의 리페어선에 교번하여 연결되는 유기 발광 표시 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서 상기 더미 화소는 각 열마다 적어도 하나 형성되고, 상기 리페어선은 각 열마다 적어도 하나 배치되고, 상기 더미 영역에 구비되고 더미 화소와 연결되는 적어도 하나의 더미 주사선;을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 복수의 리페어선은 제1 열에 대응하는 상기 제1 리페어선 및 상기 제1 열에 인접하는 제2 열에 대응하는 상기 제2 리페어선을 포함하고, 상기 제1 열에 구비된 서브 발광 화소들 중 연속 배치된 적어도 두 개의 서브 발광 화소들은 상기 제1 리페어선 및 상기 제2 리페어선에 교번하여 연결될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 더미 화소는 상기 서브 발광 화소의 열 개수보다 적어도 하나 더 많이 구비되고, 상기 리페어 선은 상기 더미 화소마다 적어도 하나 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 서브 발광 화소는 주사선과 데이터선에 연결되고, 상기 더미 화소는 더미 주사선과 상기 데이터선에 연결될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 더미 주사선은 상기 더미 영역에 구비되어 각 열의 더미화소와 연결되고, 상기 활성 영역에 구비된 복수의 발광 화소들로 인가되는 주사 신호와 소정의 시간 차를 두고, 상기 더미 화소로 더미 주사 신호를 인가할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 데이터선은 상기 더미 주사 신호가 상기 더미 화소에 인가되는 타이밍에, 리페어선에 의해 상기 더미 화소에 연결된 상기 서브 발광 화소에 공급되는 데이터 신호와 동일한 데이터 신호를, 상기 더미 화소로 인가할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 더미 화소 중 최외곽에 구비된 적어도 하나의 최외곽 더미 화소는, 더미 데이터선에 연결되고 상기 더미 데이터선으로부터 데이터 신호를 공급받을 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 최외곽 더미 화소에 연결된 더미 데이터선은 더미 주사 신호가 상기 최외곽 더미 화소에 인가되는 타이밍에, 상기 더미 화소에 연결된 상기 서브 발광 화소에 공급되는 데이터 신호와 동일한 데이터 신호를, 상기 최외곽 더미 화소로 인가할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 서브 발광 화소는 발광 소자 및 상기 발광 소자와 연결된 발광 화소 회로를 구비하고, 상기 더미 화소는 더미 화소 회로를 구비하며, 상기 리페어선은 발광 화소 회로와 발광 소자가 분리된 서브 발광 화소의 발광 소자를 상기 더미 화소의 더미 화소 회로와 연결할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 발광 화소 회로는, 주사 신호에 응답하여 데이터 신호를 전달하는 제1 트랜지스터; 상기 전달된 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전하는 커패시터; 및 상기 커패시터에 충전된 전압에 대응하는 구동 전류를 상기 발광 소자로 전달하는 제2 트랜지스터;를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 더미 화소 회로는 상기 발광 화소 회로와 동일한 회로일 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 발광 소자는 애노드 전극, 캐소드 전극 및 상기 애노드 전극과 캐소드 전극 사이의 발광층을 포함하고, 상기 리페어선에 연결된 서브 발광 화소는 발광 소자의 애노드 전극과 연결된 발광 화소 회로의 배선이 단선될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 더미 화소 각각은 적어도 하나의 서브 더미 화소를 포함하고, 상기 리페어선은 복수의 서브 발광 화소 중 하나와 복수의 서브 더미 화소 중 하나를 연결할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 더미 화소 각각은 상기 발광 화소 각각에 포함된 서브 발광화소와 동일한 개수의 서브 더미 화소를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 더미 영역은 상기 활성 영역의 상측 및 하측 중 적어도 하나의 영역에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 복수의 발광 화소는 동시에 발광할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 리페어선에 연결된 서브 발광 화소의 발광 소자를 구성하는 애노드 전극과 접촉하는 제1 도전부와 상기 리페어선 사이, 및 상기 리페어선에 연결된 더미 화소의 더미 화소 회로와 접촉하는 제2 도전부와 상기 리페어선 사이에 구비되는 적어도 한 층의 절연막;을 더 포함하고, 상기 제1 도전부와 상기 리페어선이 전기적으로 연결되고, 상기 제2 도전부와 상기 리페어선이 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치는 활성 영역에 열 및 행 방향으로 배치되고, 적어도 하나의 서브 발광 화소를 포함하는 복수의 발광 화소들; 더미 영역에 구비된 복수의 더미 화소들; 및 각 열마다 형성된 리페어선;을 포함하고, 상기 리페어 방법은 상기 복수의 서브 발광 화소 중 제1 열에서 서로 인접하는 제1 불량 화소 및 제2 불량 화소의 발광 소자와 발광 화소 회로를 단선하는 단계; 상기 제1 열에 대응하여 배치된 제1 리페어선과 상기 제1 불량 화소의 발광 소자를 연결하는 단계; 상기 제1 열에 인접하는 제2 열에 대응하여 배치된 제2 리페어선과 상기 제2 불량 화소의 발광 소자를 연결하는 단계; 및 상기 리페어선에 연결된 불량 화소와 더미 화소에 동일한 데이터 신호가 인가되어, 상기 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 상기 리페어 선을 통해 상기 불량 화소의 발광 소자로 공급하도록, 상기 더미 화소의 더미 화소 회로를 상기 리페어선과 연결하는 단계;를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법을 개시한다.
본 실시예에 있어서 각 서브 발광 화소는, 상기 서브 발광 화소와 연결되고 적어도 한 층의 절연층을 사이에 두고 상기 리페어 선과 중첩하는 도전부를 포함하고 상기 복수의 서브 발광 화소들 중 열 또는 행 방향으로 연속 배치된 적어도 두 개의 서브 발광 화소들의 도전부는 서로 다른 두 개의 리페어선에 교번하여 중첩될 수 있다.
본 실시예에 있어서 각 서브 발광 화소마다 구비되는 상기 도전부는 상기 서브 발광 화소의 발광 소자를 구성하는 애노드 전극과 연결되고, 상기 제1 불량 화소의 연결 단계는, 상기 제1 불량 화소의 도전부와 상기 제1 리페어선을 전기적으로 연결하는 단계;를 포함하고, 상기 제2 불량 화소의 연결 단계는, 상기 제2 불량 화소의 도전부와 상기 제2 리페어선을 전기적으로 연결하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 각 더미 화소는, 상기 더미 화소와 연결되고 적어도 한 층의 절연층을 사이에 두고 상기 리페어 선과 중첩하는 도전부를 포함하고, 상기 더미 화소의 연결 단계는, 상기 더미 화소의 도전부와 상기 리페어선을 전기적으로 연결하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 도전부와 리페어선의 연결 단계들은, 상기 도전부와 상기 리페어선 사이에 개재된 절연층의 일부를 파괴함으로써 상기 도전부와 상기 리페어선을 전기적으로 연결할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 관한 표시 장치는 더미 화소를 이용하여 불량 화소를 리페어함으로써, 명점을 암점으로 바꾸지 않고 정상 구동시킬 수 있다.
본 발명의 실시예들에 관한 표시 장치는 동일 열의 불량 화소가 인접하여 발생했을 때에도 복수의 더미 화소를 이용하여 불량 화소를 리페어함으로써, 복수의 불량 화소를 정상 구동시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 패널의 일 예를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 표시 패널의 다른 예를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 구동을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 불량 화소 리페어 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 방법으로 화소 리페어된 표시 패널의 주사 구동부에서 공급되는 주사 신호 및 데이터 신호를 나타내는 파형도이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 불량 화소 리페어 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 도 8 및 도 9에 도시된 방법으로 화소 리페어된 표시 패널의 주사 구동부에서 공급되는 주사 신호 및 데이터 신호를 나타내는 파형도이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 불량 화소 리페어 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 도 11 및 도 12에 도시된 방법으로 화소 리페어된 표시 패널의 주사 구동부에서 공급되는 주사 신호 및 데이터 신호를 나타내는 파형도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 화소의 회로도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 화소를 더미 화소를 이용하여 리페어하는 방법을 개략적으로 설명하는 도면이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 발광 화소의 리페어를 설명하는 단면도이다. 도 17는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 더미 화소의 연결을 설명하는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 표시 패널(110), 주사 구동부(120), 데이터 구동부(130), 및 제어부(140)를 포함할 수 있다. 주사 구동부(120), 데이터 구동부(130), 및 제어부(140)는 각각 별개의 반도체 칩에 형성될 수도 있고, 하나의 반도체 칩에 집적될 수도 있다. 또한, 주사 구동부(120)는 표시 패널(110)과 동일한 기판 상에 형성될 수도 있다.
표시 패널(110)에는 활성 영역(AA)과 활성 영역(AA) 주변의 더미 영역(DA)이 형성될 수 있다. 더미 영역(DA)은 활성 영역(AA)의 상측 및 하측 중 적어도 하나의 영역에 형성될 수 있다. 활성 영역(AA)에는 발광 화소(P)가 복수 배열되고, 더미 영역(DA)에는 적어도 하나의 더미 화소(DP)가 배열된다. 발광 화소(P)는 주사선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결되고, 더미 화소(DP)는 더미 주사선(DSL) 및 데이터선(DL)에 연결된다. 발광 화소(P)는 열 및 행 방향으로 배치된다.
발광 화소(P)는 적어도 하나의 서브 발광 화소를 포함할 수 있다. 표시 패널(110)은 각 열마다 데이터선(DL)과 평행하게 적어도 하나의 리페어선(RL)을 구비할 수 있다. 리페어선(RL)은 발광 화소(P)와 더미 화소(DP)를 연결할 수 있다. 리페어선(RL)은 서브 발광 화소와 더미 화소(DP)를 연결할 수 있다.
주사 구동부(120)는 복수의 주사선(SL)을 통하여 발광 화소(P) 및 더미 화소(DP)에 주사 신호를 생성하여 공급할 수 있다. 예를 들어, 주사 구동부(120)는 복수의 주사선(SL)을 통하여 발광 화소(P) 및 더미 화소(DP)에 주사 신호를 생성하여 순차적으로 공급할 수 있다. 주사선(SL)은 더미 주사선(DSL)을 포함한다. 더미 주사선(DSL)은 더미 영역(DA)에 구비되고, 더미 화소(DP)와 연결된다. 더미 주사선(DSL)은 더미 화소(DP)에 주사 신호를 공급한다.
데이터 구동부(130)는 복수의 데이터선(DL)을 통하여 발광 화소(P) 및 더미 화소(DP)에 데이터 신호를 공급할 수 있다. 예를 들어 데이터 구동부(130)는 복수의 데이터선(DL)을 통하여 발광 화소(P) 및 더미 화소(DP)에 데이터 신호를 순차적으로 공급할 수 있다. 데이터 구동부(130)는 제어부(140)로부터 입력되는 계조를 가지는 입력 영상 데이터(DATA)를 전압 또는 전류 형태의 데이터 신호로 변환한다.
제어부(140)는 주사 제어 신호와 데이터 제어 신호를 생성하여 주사 구동부(120)와 데이터 구동부(130)로 각각 전달한다. 이에 따라 주사 구동부(120)는 주사선(SL)에 대하여 차례로 주사 신호를 인가하고, 데이터 구동부(130)는 각 화소(P)에 데이터 신호를 인가한다. 더미 주사선(DSL)에 더미 주사 신호가 인가되는 타이밍은 발광 화소(P)의 주사선(SL)에 주사 신호가 인가되는 타이밍과 구별될 수 있다. 예를 들어, 더미 주사 신호는 발광 화소(P)에 인가되는 주사 신호와 소정의 시간 차를 두고 공급될 수 있다.
데이터 구동부(130)는 더미 화소(DP)에 제공하는 데이터 신호를 더미 주사 신호와 동기화하여 제공할 수 있다. 이에 따라 더미 화소(DP)는 데이터 구동부(130)로부터 리페어된 발광 화소(P)에 인가되는 데이터 신호와 동일한 데이터 신호를 공급받을 수 있다.
도 1에서는 화소(P)에 대해 우측에 데이터선(DL), 좌측에 리페어선(RL)이 배치되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 데이터선(DL)과 리페어선(RL)의 위치는 서로 바뀔 수 있다. 또한, 리페어선(RL)은 화소의 설계에 따라 주사선(SL)과 평행하게 형성될 수도 있고, 각 화소 열마다 하나 이상 형성될 수 있다.
도 1에 도시되지 않았으나, 표시 패널(110)에는 발광 제어 신호를 공급하는 복수의 발광 제어선, 초기화 전압을 공급하는 초기화 전압선, 전원 전압을 공급하는 구동 전압선 등이 추가로 형성될 수 있다. 제1전원전압(ELVDD), 제2전원전압(ELVSS), 발광 제어 신호(EM), 초기화 전압(Vint) 등이 제어부(140)의 제어하에 각 화소(P)에 인가될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 발광 방법은, 구동 방법에 따라 복수의 발광 화소가 동시에 발광하는 동시발광 방법과 복수의 발광 화소가 순차적으로 발광하는 순차발광 방법을 포함한다. 이하에서는 동시발광 방식으로 구동되는 유기 발광 표시 장치를 기준으로 본 발명의 실시예들을 설명하기로 한다. 그러나, 이하에서 설명되는 본 발명의 실시예들은, 더미 영역(AA)의 배선 설계 및 제어부(140)의 제어에 따라 순차발광 방식으로 구동되는 유기 발광 표시 장치에도 적용할 수 있음은 물론이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 패널의 일 예를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 표시 패널(110)은 발광에 의해 영상을 표시하는 활성 영역(AA) 및 활성 영역(AA) 주변의 더미 영역(DA)을 포함한다. 도 2에는 더미 영역(DA)이 활성 영역의 하부에 형성된 것으로 도시되었으나, 더미 영역(DP)의 위치는 이에 한정하지 않는다. 더미 영역(DP)에 배열된 더미 화소(DP)는 각 열마다 적어도 하나 형성된다.
활성 영역(AA)에는 복수의 주사선(SL1 내지 SLn) 및 복수의 데이터선(DL1 내지 DLm)이 배열되고, 이들의 교차부에 대략 행렬 형태로 배열된 복수의 발광 화소(P)가 형성된다. 발광 화소(P)는 적어도 하나의 서브 발광 화소를 구비할 수 있다, 도 2에서는 발광 화소(P)가 하나의 서브 발광 화소를 구비하는 예, 즉 발광 화소(P)가 곧 서브 발광화소인 예를 나타내었다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
발광 화소(P)는 발광 화소 회로(C) 및 발광 화소 회로(C)로부터 구동 전류를 공급받아 발광하는 발광 소자(E)를 구비한다. 발광 화소 회로(C)는 하나 이상의 박막 트랜지스터 및 커패시터를 포함할 수 있다. 발광 소자(E)는 애노드 전극, 캐소드 전극, 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 구비된 발광층을 포함하는 유기 발광 소자(OLED)일 수 있다.
발광 화소(P)는 하나의 색을 방출하며, 예를 들어, 적색, 청색, 녹색, 백색 중 하나의 색을 방출할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 발광 화소(P)는 적색, 청색, 녹색, 백색 외의 다른 색을 방출할 수도 있다.
각 열에는 데이터선(DL1 내지 DLm)과 평행하며 이격 형성된 복수의 리페어선(RL1 내지 RLm)이 배열된다. 발광 화소(P)의 발광 소자(E)는 동일 열의 리페어선(RL)과 절연되고, 추후 리페어 시, 리페어선(RL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(E)는 제1연결부재(11)와 전기적으로 연결되고, 제1연결부재(11)는 절연막을 사이에 두고 리페어선(RL)과 일부 중첩되도록 형성될 수 있다. 제1연결부재(11)는 도전성 물질로 형성된 하나 이상의 도전층을 포함할 수 있다. 추후 리페어 시, 제1연결부재(11)와 리페어선(RL)의 중첩 영역으로 레이저가 조사되면, 절연막이 파괴되면서 제1연결부재(11)와 리페어선(RL)이 쇼트되어 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 발광 소자(E)는 리페어선(RL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
더미 영역(DA)은 활성 영역(AA)의 상측 및 하측 중 적어도 일 측에 형성될 수 있고, 더미 화소(DP)는 화소 열마다 하나 이상 형성될 수 있다. 도 2에서는 활성 영역(AA)의 하측에 더미 영역(DA)이 형성되고, 각 화소 열에 하나의 더미 화소(DP)가 형성된 예를 도시하고 있다.
더미 영역(DA)에는 적어도 하나의 더미 주사선(DSL) 및 복수의 데이터선(DL1 내지 DLm)이 배열되고, 이들과 연결된 더미 화소(DP)가 구비된다. 더미 주사선(DSL)은 더미 화소(DP)에 연결된다. 각 열에는 활성 영역(AA)의 리페어선(RL1 내지 RLm)과 데이터선(DL1 내지 DLm)이 연장되어 배열된다. 동일 열의 더미 화소(DP)와 발광 화소(P)는 동일 열의 데이터선(DL) 및 리페어선(RL)을 공유한다.
더미 화소(DP)는 더미 화소 회로(DC)를 구비한다. 더미 화소(DP)는 본 발명의 실시예들의 설계에 따라서 발광 소자를 더 구비할 수 있다. 더미 화소(DP)가 발광 소자를 포함하는 경우, 더미 화소(DP)에 포함된 발광 소자는 실제로 발광하지 않고 회로 소자로써 기능할 수 있다. 예컨대, 발광 소자는 커패시터를 포함하는 회로 소자로써 기능할 수 있다. 이하에서는 더미 화소(DP)가 더미 화소 회로(DC)만을 구비하는 예를 기준으로 하여 본 발명의 실시예들을 설명하나, 본 발명의 실시예들에 있어서 더미 화소(DP)가 특정 구조에 한정되지 않는다.
더미 화소 회로(DC)는 하나 이상의 박막 트랜지스터 및 커패시터를 포함할 수 있다. 더미 화소 회로(DC)는 발광 화소 회로(C)와 동일 또는 상이할 수 있다. 예를 들어, j(j=1, …, m, m=자연수)번째 열에 대응되는 더미 화소(DPj)의 더미 화소 회로(DC)는 j번째 열에 포함된 발광 화소(P)의 화소 회로(C)와 동일할 수 있다.
또는, 더미 화소 회로(DC)는 발광 화소 회로(C)의 트랜지스터 및/또는 커패시터가 생략 및/또는 추가되거나, 트랜지스터와 커패시터의 사이즈 및 특성이 상이할 수 있다.
더미 화소 회로(DC)는 동일 열의 리페어선(RL)과 절연되고, 추후 리페어 시, 리페어선(RL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 더미 화소 회로(DC)는 제2연결부재(12)와 전기적으로 연결되고, 제2연결부재(12)는 절연막을 사이에 두고 리페어선(RL)과 일부 중첩되도록 형성될 수 있다. 제2연결부재(12)는 제1연결부재(11)와 유사하게, 도전성 물질로 형성된 하나 이상의 도전층을 포함할 수 있다. 추후 리페어 시, 제2연결부재(12)와 리페어선(RL)의 중첩 영역으로 레이저가 조사되면, 절연막이 파괴되면서 제2연결부재(12)와 리페어선(RL)이 쇼트되어 전기적으로 연결된다. 이에 따라, 더미 화소 회로(DC)는 리페어선(RL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 2를 참조하면, 열 방향으로 연속 배치된 복수의 발광 화소(P)들은 서로 다른 두 개의 리페어선(RL)에 교번하여 연결될 수 있다. 예를 들어, j(j=1, …, m, m은 자연수)번째 열에 배치된 발광 화소(P)들은, 순차적으로 j열에 대응하는 제1 리페어선(RLj)과 j+1열에 대응하는 제2 리페어선(RLj+1)에 교번하여 연결된다. 이에 따라, 동일 열에 배치된 발광 화소(P)이더라도, 인접하는 발광 화소(P)는 서로 다른 리페어선(RL)에 연결될 수 있다. 예를 들어, j열의 발광 화소(P)들 중, i(i=1, …, n, n은 자연수)번째 주사선(SLi)에 연결된 발광화소(Pij)는 제1 리페어선(RLj)에 연결되고, i+1번째 주사선(SLi+1)에 연결된 발광화소(Pi+1,j)는 제2 리페어선(RLj+1)에 연결된다.
도 2에서는 리페어선(RL)이 열 방향으로 형성된 예를 도시하였으나, 리페어선(RL)은 본 실시예의 설계에 따라 행 방향으로 형성될 수도 있다. 이 경우에는, 행 방향으로 연속 배치된 복수의 발광 화소(P)들은, 행마다 구비된 서로 다른 두 개의 리페어선에 교번하여 연결될 수 있다.
한편, 상기와 같은 실시예에 따르면, 하나의 열에 포함된 발광 화소(P)는 두 개의 리페어 선에 연결될 수 있다. 발광 화소(P)가 m개의 열에 형성되고 리페어 선(RL)이 m개인 경우에는, 도 2에 도시된 바와 같이 어느 하나의 열에 포함된 발광 화소(P)는 하나의 리페어 선(RL)에 모두 연결될 수 있다.
도 2를 참조하면, m번째 열에 포함된 발광 화소(P)들은 m번째 리페어선(RLm)에 모두 연결될 수 있다. 한편 본 실시예의 변형예에 따라 첫번째 열에 포함된 발광 화소(P)들이 첫번째 리페어선(RL1)에 모두 연결되도록 설계할 수도 있음은 물론이다. 한편, 본 실시예의 다른 구현예를 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 도 1에 도시된 표시 패널의 다른 예를 개략적으로 나타낸 도면이다.
일 구현예에 따르면, 최초 열(1열) 또는 마지막 열(m열) 중 적어도 하나의 열의 외곽에는 적어도 하나의 더미 화소(DP)를 포함하는 더미 열이 구비될 수 있다. 도 3을 참조하면, m번째 열의 외곽에 더미 열(m+1열)이 구비되고, 더미 열(m+1)에 대응되는 더미 화소(DPm+1)가 구비된다. 이에 따라 더미 화소(DP)는 서브 발광 화소의 열 개수(m)보다 적어도 하나 더 많이 구비될 수 있다. 예컨대 m+1개의 더미 화소(DP)가 구비될 수 있다. 본 구현예에 따르면 각 열마다 구비되는 더미 화소 이외에, 최외곽 열(1열 또는 m열)의 바깥 방향으로 하나의 더미 화소(DPm+1)가 더 구비된다.
리페어선(RL)은 더미 화소(DP)마다 적어도 하나 배치된다. 더미화소(DPm+1)에는 리페어선(RLm+1)이 배치된다.
도 3을 참조하면, 더미 영역(DA)에는 더미 화소(DPm+1)가 더 구비될 수 있다. 활성 영역(AA) 또는 활성 영역(AA)의 외부에는 더미 화소(DPm+1)에 대응되는 리페어선(RLm+1)이 더 구비될 수 있다. 이에 따라 발광 화소(P)가 m개의 열에 형성되고, 리페어선은 m+1개 구비될 수 있다. 또한, 활성 영역(AA) 또는 활성 영역(AA)의 외부에는 더미 화소(DPm+1)에 데이터 신호를 공급하는 더미 데이터선(DLm+1)이 더 구비될 수 있다. 더미 데이터선(DLm+1)은 발광 화소(P)와 연결되지 않고, 데이터 구동부(130)로부터 데이터 신호를 공급받는다.
이후에, 더미 화소(DPm+1)가 소정의 서브 발광 화소의 리페어에 사용되는 경우, 더미 데이터선(DLm+1)은 더미 화소(DPm+1)에 인가되는 주사 신호의 타이밍에 맞추어, 더미 화소(DPm+1)에 연결된 서브 발광 화소에 공급되는 데이터 신호와 동일한 데이터 신호를 더미 화소(DPm+1)에 공급할 수 있다.
도 3에 도시된 일 구현예에 따르면, 각 열의 발광 화소(P)들은 서로 다른 두 개의 리페어선(RL)에 교번하여 연결될 수 있다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 구동을 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 표시 장치(100)는 1 프레임 동안 주사 구간(1) 및 발광 구간(2)으로 구동한다. 주사 구간(1)에서는 첫번째 주사선 내지 마지막 주사선으로 주사 신호가 순차적으로 공급되며, 각 발광 화소(P) 의 커패시터에 데이터 신호에 대응하는 전압이 충전된다. 발광 구간(2)에서는 모든 발광 화소(P)의 발광 소자(E)가 충전된 전압에 대응하는 전류를 공급받고, 공급된 전류에 대응하는 휘도로 동시에 발광한다.
발광 화소(P) 중 불량 화소가 발생하여 동일 열의 더미 화소(DP)가 이용되는 경우, 주사 구간(1)에서는 더미 화소(DP)가 연결된 주사선(DSL)을 포함한 각 주사선으로 주사 신호와 데이터 신호가 순차적으로 공급된다. 이때 불량 화소에 공급되는 데이터 신호와 동일한 데이터 신호가 더미 화소(DP)에 공급된다. 발광 구간(2)에서는 불량 화소를 포함하는 모든 발광 화소(P)의 발광 소자(E)가 충전된 전압에 대응하는 전류를 각각 공급받고, 공급된 전류에 대응하는 휘도로 동시에 발광한다. 불량 화소의 발광 소자(E)는 더미 화소(DP)로부터 전류를 공급받고, 공급된 전류에 대응하는 휘도로 발광한다.
주사 구간(1)은 발광 구간(2)에 앞서 수행된다. 주사 구간(1)에서 각 발광 화소(P)와 더미 화소(DP)에 N 프레임의 데이터 신호에 대응하는 전압이 충전되고, 발광 구간(2)에서 모든 발광 화소(EP)의 유기 발광 소자(OLED)가 N 프레임의 데이터 신호에 대응하는 전류에 따라 발광할 수 있다.
한편, 복수의 프레임에 대하여 주사와 발광이 반복되는 경우에, 주사 구간(1)과 발광 구간(2)의 적어도 일부는 겹칠 수 있다. 예를 들어, N-1번째 프레임의 발광 구간(2)의 적어도 일부는 N번째 프레임의 주사 구간(1)과 겹칠 수 있다. 이에 대하여 도 5를 참조하여 설명한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 표시 장치(100)는 1 프레임 동안 주사 구간과 발광 구간이 함께 구현되는 주사 및 발광 구간(3)으로 구동한다. 주사 및 발광 구간(3)에서는 첫번째 주사선 내지 마지막 주사선으로 주사 신호가 순차적으로 공급되며 각 발광 화소(P)의 커패시터에 N 프레임의 데이터 신호에 대응하는 전압이 충전된다. 동시에, 주사 및 발광 구간(3)에서는 모든 발광 화소(P)의 발광 소자(E)가 N-1 프레임의 데이터 신호에 대응하여 충전된 전압에 대응하는 전류를 공급받고, 공급된 전류에 대응하는 휘도로 동시에 발광한다. 주사 및 발광 구간(3)에서 발광 구간은 주사 구간과 동일하거나, 주사 구간과 동시에 시작하고 주사 구간보다 짧게 설정될 수 있다.
발광 화소(P) 중 불량 화소가 발생하여 동일 열의 더미 화소(DP)가 이용되는 경우, 주사 및 발광 구간(3)에서는 더미 화소(DP)가 연결된 주사선(DSL)을 포함한 각 주사선으로 주사 신호와 N 프레임의 데이터 신호가 순차적으로 공급된다. 이때 불량 화소에 공급되는 데이터 신호와 동일한 데이터 신호가 더미 화소(DP)에 공급된다. 동시에, 주사 및 발광 구간(3)에서는 불량 화소를 포함하는 모든 발광 화소(P)의 발광 소자(E)가 N-1 프레임의 데이터 신호에 대응하여 충전된 전압에 대응하는 전류를 공급받고, 공급된 전류에 대응하는 휘도로 동시에 발광한다. 이때 불량 화소의 발광 소자(E)는 더미 화소(DP)로부터 전류를 공급받고, 공급된 전류에 대응하는 휘도로 발광한다.
도 4 및 도 5에서는 1 프레임 동안 주사 구간 및 발광 구간 만을 도시하고 있으나, 초기화 구간, 문턱 전압 보상을 위한 보상 구간, 발광 오프 구간 등이 1 프레임 동안 추가 수행될 수 있다.
도 4 및 도 5에서는 발광 화소(P)의 발광 소자가 동시에 발광하는 ?옙첫薩?의 예를 도시하고 있으나, 본 발명의 실시예들은 발광 화소(P)의 발광 소자가 순차로 발광하는 ?枰蕩薩?의 구동 방식에도 적용 가능함을 본 발명이 속하는 분야의 기술자라면 알 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예들은 발광 화소(P)에 공급되는 신호의 타이밍을 제어함으로써 ?枰蕩薩?의 구동 방식에 적용될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 불량 화소 리페어 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 6에 도시된 실시예는 도 2에 도시된 표시 패널(10a)과 같이 더미 화소(DP)가 복수의 주사선(SL1 내지 SLn+1) 중에서 마지막 주사선(SLn+1)에 연결된 경우이다. 도 6에서는 편의상 j열만을 도시하였으며, 발광 소자(E)로서 유기 발광 소자(OLED)를 도시하였다.
도 6을 참조하면, i번째 주사선과 j번째 데이터선에 연결된 발광 화소(Pij)의 화소 회로(Cij)가 불량인 경우, 화소 회로(Cij)와 연결된 유기 발광 소자(OLED)를 화소 회로(Cij)와 단절시킨다. 이를 위해 화소 회로(Cij)와 유기 발광 소자(OLED)를 전기적으로 분리시킨다. 예를 들어 불량 발광 화소(Pij)의 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 전극과 화소 회로(Cij)를 절단부(130)에서 절단하여 분리시킬 수 있다. 분리는 예컨대, 레이저 빔 등에 의해 수행될 수 있으나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다.
이어서, 제1 연결부(140a)에서 불량 발광 화소(Pij)의 유기 발광 소자(OLED)를 리페어선(RLj)과 연결하고, 제2 연결부(140b)에서 더미 화소(DPj)의 더미 화소 회로(DCj)를 리페어선(RLj)과 연결한다. 예를 들어, 불량 발광 화소(Pij)의 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 전극을 리페어선(RLj)과 연결하고, 더미 화소(DPj)의 더미 화소 회로(DCj) 내 박막 트랜지스터(TFT)의 일 전극과 리페어선(RLj)을 연결할 수 있다. 이에 따라 불량 발광 화소(Pij)의 유기 발광 소자(OLED)는 불량 발광 화소(Pij)의 화소 회로(Cij)와 단선되고, 리페어선(RLj)을 통해 더미 화소(DPj)의 화소 회로(DCj)와 전기적으로 연결된다.
도 7은 도 6에 도시된 방법으로 화소 리페어된 표시 패널의 주사 구동부에서 공급되는 주사 신호 및 데이터 신호를 나타내는 파형도이다.
도 7을 참조하면, 주사 구간에서 첫번째 주사선 내지 마지막 주사선(SL1 내지 SLn+1)으로 주사 신호 (S1 내지 Sn+1)가 순차적으로 인가된다. 주사 신호(S1 내지 Sn+1)에 동기되어 데이터 신호(D1j 내지 Dnj)가 데이터선(DLj)으로 순차적으로 인가된다. 이때 불량 발광 화소(Pij)에 인가된 데이터 신호(Dij)와 동일한 데이터 신호(Dij)가, 주사 신호(Sn+1)에 동기되어 더미 화소(DPj)에 다시 인가된다.
이에 따라, 불량 발광 화소(Pij)의 유기 발광 소자(OLED)는 더미 화소(DPj)의 화소 회로(DCj)와 리페어선(RLj)을 통해 데이터 신호(Dij)에 대응하는 전류를 공급받을 수 있다. 이에 따라 발광 구간에서 불량 발광 화소(Pij)를 포함한 모든 발광 화소가 정상적으로 동시 발광할 수 있어 명점 또는 암점 발생을 억제할 수 있다.
한편, 도 7에 도시된 파형도는 본 발명의 일 실시예에 따라 동시 발광 방식으로 구동되는 주사 신호 및 데이터 신호의 예이다. 따라서 본 발명의 다른 실시예에 따라 주사 신호 및 데이터 신호가 순차 발광 방식으로 구동되는 경우에는, 도 7과 상이한 방법으로 구동될 수 있다.
예를 들어, 본 발명의 다른 실시예에 따라 유기 발광 표시 장치가 순차 발광 방식으로 구동되는 경우에는, 더미 주사선(SLn+1)은 불량 발광 화소(Pij)에 인가되는 주사 신호(Si)와 동일한 주사 신호(Si)를 더미 화소(DPj)에 공급할 수 있다. 또한, 더미 화소(DPj)에 데이터 신호를 인가하는 데이터선(DLj)은 더미 주사선(SLn+1)으로부터 공급되는 주사 신호(Si)의 온(on) 레벨 신호에 대응하여 더미 화소(DPj)에 데이터 신호(Dij)를 공급할 수 있다.
또는, 더미 주사선(SLn+1)은 별도의 주사 신호(Sn+1)를 더미 화소(DPj)에 공급할 수 있다. 또한, 더미 화소(DPj)에 데이터 신호를 인가하는 데이터선(DLj)은 더미 주사선(SLn+1)으로부터 공급되는 주사 신호(Sn+1)의 온(on) 레벨 신호에 대응하여 더미 화소(DPj)에 데이터 신호(Dij)를 공급할 수 있다.
더미 주사선(SLn+1)에 의해 더미 화소(DPj)에 인가되는 주사 신호는, 본 발명의 실시예들의 설계에 따라 변형 가능할 것이다. 한편, 도면에서는 주사 신호의 온 레벨 신호가 로우(low) 신호인 예를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 주사 신호는 화소 회로의 설계에 따라 하이(high) 신호일 수도 있다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 불량 화소 리페어 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 8 및 도 9에서는 편의상 j열과 j+1열만을 도시하였으며, 발광 소자(E)로서 유기 발광 소자(OLED)를 도시하였다.
도 8을 참조하면, i번째 주사선과 j번째 데이터선에 연결된 발광 화소(Pij)의 화소 회로(Cij)가 불량이고, i+1번째 주사선과 j번째 데이터선에 연결된 발광 화소(Pi+1,j)의 화소 회로(Ci+1,j)가 불량인 경우, 화소 회로(Cij)와 유기 발광 소자(OLED)를 화소 회로(Cij)와 단절시키고, 화소 회로(Ci+1,j)와 유기 발광 소자(OLED)를 화소 회로(Ci+1,j)와 단절시킨다. 이를 위해, 화소 회로(Cij)와 유기 발광 소자(OLED)를 전기적으로 분리시키고, 화소 회로(Ci+1,j)와 유기 발광 소자(OLED)를 전기적으로 분리시킨다. 예를 들어, 제1 불량 발광 화소(Pij)의 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 전극과 화소 회로(Cij)를 절단부(130)에서 절단하여 분리시키고, 제2 불량 발광 화소(Pi+1,j)의 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 전극과 화소 회로(Ci+1,j)를 절단부(130)에서 절단하여 분리시킬 수 있다. 분리는 예컨대, 레이저 빔 등에 의해 수행될 수 있으나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다.
이어서, 도 9를 참조하면 제1 연결부(140a)에서 제1 불량 발광 화소(Pij)의 유기 발광 소자(OLED)를 리페어선(RLj)과 연결하고, 제2 연결부(140b)에서 더미 화소(DPj)의 더미 화소 회로(DCj)를 리페어선(RLj)과 연결한다. 예를 들어, 제1 불량 발광 화소(Pij)의 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 전극을 리페어선(RLj)과 연결하고, 더미 화소(DPj)의 더미 화소 회로(DCj) 내 박막 트랜지스터(TFT)의 일 전극과 리페어선(RLj)을 연결할 수 있다. 이에 따라 제1 불량 발광 화소(Pij)의 유기 발광 소자(OLED)는 제1 불량 발광 화소(Pij)의 화소 회로(Cij)와 단선되고, 리페어선(RLj)을 통해 더미 화소(DPj)의 화소 회로(DCj)와 전기적으로 연결된다.
또한, 도 9를 참조하면 제3 연결부(140c)에서 제2 불량 발광 화소(Pi+1,j)의 유기 발광 소자(OLED)를 리페어선(RLj+1)과 연결하고, 제4 연결부(140d)에서 더미 화소(DPj+1)의 더미 화소 회로(DCj+1)를 리페어선(RLj+1)과 연결한다. 예를 들어, 제2 불량 발광 화소(Pi+1,j)의 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 전극을 리페어선(RLj+1)과 연결하고, 더미 화소(DPj+1)의 더미 화소 회로(DCj+1) 내 박막 트랜지스터(TFT)의 일 전극과 리페어선(RLj+1)을 연결할 수 있다. 이에 따라 제2 불량 발광 화소(Pi+1,j)의 유기 발광 소자(OLED)는 제2 불량 발광 화소(Pi+1,j)의 화소 회로(Ci+1,j)와 단선되고, 리페어선(RLj+1)을 통해 더미 화소(DPj+1)의 화소 회로(DCj+1)와 전기적으로 연결된다.
도 8 및 도 9에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따르면, 하나의 열에는 하나의 더미 화소가 구비되고 하나의 열에서 두 개의 불량 발광 화소가 발생하는 경우, 다른 열의 더미 화소를 이용하여 두 개의 불량 발광 화소를 모두 리페어할 수 있다. 불량 발광 화소는 이물질에 의해 발생하거나 공정 과정의 다양한 문제로 인해 발생할 수 있다. 이 때 파티클이 인접하는 여러 발광 화소에 영향을 미치는 등의 여러 이유로, 인접하는 발광 화소가 함께 불량이 되는 경우가 있다. 본 발명의 일 실시에에 따르면, 인접하는 불량 화소를 리페어할 수 있다.
도 10은 도 8 및 도 9에 도시된 방법으로 화소 리페어된 표시 패널의 주사 구동부에서 공급되는 주사 신호 및 데이터 신호를 나타내는 파형도이다.
도 10을 참조하면, 주사 구간에서 첫번째 주사선 내지 마지막 주사선(SL1 내지 SLn+1)으로 주사 신호 (S1 내지 Sn+1)가 순차적으로 인가된다. 도 10을 참조하면, j열의 2개의 인접하는 불량 화소(Pij, Pi+1,j)가 j열의 더미화소(DPj) 및 j+1열의 더미화소(DPj+1)로 리페어된다.
데이터선(DLj)에는 주사 신호(S1 내지 Sn+1)에 동기되어 데이터 신호(D1j 내지 Dnj)가 데이터선(DLj)으로 순차적으로 인가된다. 이 때, j열의 제1 불량 발광 화소(Pij)에 인가된 데이터 신호(Dij)와 동일한 데이터 신호(Dij)가 j열의 더미 화소(DPj)에 다시 인가된다. 이에 따라, j열의 제1 불량 발광 화소(Pij)의 유기 발광 소자(OLED)는 j열의 더미 화소(DPj)의 화소 회로(DCj)와 리페어선(RLj)을 통해 데이터 신호(Dij)에 대응하는 전류를 공급받을 수 있다.
데이터선(DLj+1)에는 주사 신호(S1 내지 Sn+1)에 동기되어 데이터 신호(D1,j+1 내지 Dn,j+1)가 순차적으로 인가된다. 이 때, j열의 제2 불량 발광 화소(Pi+1,j)에 인가된 데이터 신호(Di+1,j)와 동일한 데이터 신호(Di+1,j)가 j+1열의 더미 화소(DPj+1)에 인가된다. 이에 따라, j열의 제2 불량 발광 화소(Pi+1,j)의 유기 발광 소자(OLED)는 j+1열의 더미 화소(DPj+1)의 화소 회로(DCj+1)와 리페어선(RLj+1)을 통해 데이터 신호(Di+1,j)에 대응하는 전류를 공급받을 수 있다.
이에 따라 발광 구간에서 제1 불량 발광 화소(Pij) 및 제2 불량 발광 화소(Pi+1,j)를 포함한 모든 발광 화소가 정상적으로 동시 발광할 수 있어 명점 또는 암점 발생을 억제할 수 있다.
한편, 도 7과 관련하여 전술한 바와 같이 도 10에 도시된 파형도 역시, 본 발명의 다른 실시예에 따라 유기 발광 표시 장치가 순차 발광 방식으로 구동되는 경우에는, 순차 발광 방식에 맞추어 변형될 수 있다.
예를 들어, 더미 화소(DPj) 및 더미 화소(DPj+1)에 인가되는 주사 신호와 데이터 신호의 타이밍이 순차 발광 방식에 맞게 제어부(140)에 의해 제어될 수 있다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 불량 화소 리페어 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 11 및 도 12에서는 편의상 j열과 j+1열만을 도시하였으며, 발광 소자(E)로서 유기 발광 소자(OLED)를 도시하였다.
본 실시예에 따르면, 발광 화소(P)는 복수의 서브 발광 화소를 포함한다. 예를 들어, i번째 주사선(SLi)에 연결되고 j번째 데이터선(DLj)에 연결된 발광 화소(Pij)는 복수의 서브 발광 화소(RPij, GPij, BPij)를 포함한다. 서브 발광 화소들 각각은 하나의 색을 방출하며, 예를 들어, 적색, 청색, 녹색, 백색 중 하나의 색을 방출할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 서브 발광 화소는 적색, 청색, 녹색, 백색 외의 다른 색을 방출할 수도 있다.
발광 화소(Pij)에 포함된 복수의 서브 발광 화소(RPij, GPij, BPij)에 연결된 주사선(SLi)은 각 서브 발광 화소에 동일한 주사 신호(Si)를 공급한다. 발광 화소(Pij)에 포함된 복수의 서브 발광 화소(RPij, GPij, BPij)는 각각 별도의 데이터선으로부터 데이터 신호를 공급받는다. 예를 들어, 서브 발광 화소(RPij)는 데이터선(RDLj)으로부터, 서브 발광 화소(GPij)는 데이터선 (GDLj)로부터, 서브 발광 화소(BPij)는 데이터선(BDLj)으로부터 각각 데이터 신호를 공급받는다. 데이터선(RDLj), 데이터선(GDLj), 및 데이터선(BDLj)은 서로 다른 데이터 신호를 공급할 수 있다.
본 실시예에 따른 더미 화소(DP)는 복수의 서브 더미 화소(RDPj, GDPj, BDPj)를 포함할 수 있다. 각 서브 더미 화소(RDPj, GDPj, BDPj)는 데이터선(RDLj), 데이터선(GDLj), 및 데이터선(BDLj)에 각각 연결될 수 있다. 각 서브 더미 화소(RDPj, GDPj, BDPj)에 연결된 주사선(SLn+1)은 각 서브 더미 화소(RDPj, GDPj, BDPj)에 동일한 주사 신호(Sn+1)를 공급할 수 있다.
그러나, 이는 본 실시예의 일 구현예일뿐이므로 본 발명이 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 본 실시예의 변형에 따라 각 서브 더미 화소(RDPj, GDPj, BDPj)에는 서로 다른 더미 주사선이 연결될 수 있고, 각 더미 주사선은 각 서브 더미 화소(RDPj, GDPj, BDPj)에 서로 다른 주사 신호를 공급할 수 있음은 물론이다.
도 11 및 도 12에서는 복수의 서브 더미 화소(RDPj, GDPj, BDPj)에 동일한 주사선(SLn+1)이 연결된 예를 도시하였다. 일 실시예에 따르면 주사 선(SLn+1)은 서브 더미 화소(RDPj, GDPj, BDPj)에 연결되어 각 서브 더미 화소(RDPj, GDPj, BDPj)에 동일한 주사 신호(Sn+1)를 공급할 수 있다.
그러나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 다른 실시예에 따르면 서로 다른 주사선(SLn+1, SLn+2, SLn+3)들 각각은 서브 더미 화소(RDPj, GDPj, BDPj)에 연결되어 각 서브 더미 화소(RDPj, GDPj, BDPj)에 서로 다른 주사 신호(SLn+1, SLn+2, SLn+3)를 공급할 수 있다.
서브 더미 화소(RDPj, GDPj, BDPj)에 공급되는 주사 신호는 도 1의 주사 구동부(120)에 의해 제어될 수 있다.
도 11을 참조하면, i번째 주사선과 j번째 데이터선에 연결된 2개의 인접하는 서브 발광 화소(RPij, GPij)의 화소 회로(RCij, GCij)가 불량인 경우, 화소 회로(RCij)와 유기 발광 소자(OLED)를 화소 회로(RCij)와 단절시키고, 화소 회로(GCij)와 유기 발광 소자(OLED)를 화소 회로(GCij)와 단절시킨다.
이를 위해, 화소 회로(RCij)와 유기 발광 소자(OLED)를 전기적으로 분리시키고, 화소 회로(GCij)와 유기 발광 소자(OLED)를 전기적으로 분리시킨다. 예를 들어, 제1 불량 발광 화소(RPij)의 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 전극과 화소 회로(RCij)를 절단부(130)에서 절단하여 분리시키고, 제2 불량 발광 화소(GPij)의 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 전극과 화소 회로(GCij)를 절단부(130)에서 절단하여 분리시킬 수 있다. 분리는 예컨대, 레이저 빔 등에 의해 수행될 수 있으나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다.
이어서, 도 12를 참조하면 제1 연결부(140a)에서 제1 불량 발광 화소(RPij)의 유기 발광 소자(OLED)를 리페어선(RLj)과 연결하고, 제2 연결부(140b)에서 서브 더미 화소(RDPj)의 더미 화소 회로(RDCj)를 리페어선(RLj)과 연결한다. 예를 들어, 제1 불량 발광 화소(RPij)의 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 전극을 리페어선(RLj)과 연결하고, 서브 더미 화소(RDPj)의 더미 화소 회로(RDCj) 내 박막 트랜지스터(TFT)의 일 전극과 리페어선(RLj)을 연결할 수 있다. 이에 따라 제1 불량 발광 화소(RPij)의 유기 발광 소자(OLED)는 제1 불량 발광 화소(RPij)의 화소 회로(RCij)와 단선되고, 리페어선(RLj)을 통해 서브 더미 화소(RDPj)의 화소 회로(RDCj)와 전기적으로 연결된다.
도 12를 참조하면 제3 연결부(140c)에서 제2 불량 발광 화소(GPij)의 유기 발광 소자(OLED)를 리페어선(RLj+1)과 연결하고, 제4 연결부(140d)에서 서브 더미 화소(GDPj+1)의 더미 화소 회로(GDCj+1)를 리페어선(RLj+1)과 연결한다. 예를 들어, 제2 불량 발광 화소(GPij)의 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 전극을 리페어선(RLj+1)과 연결하고, 서브 더미 화소(GDPj+1)의 더미 화소 회로(GDCj+1) 내 박막 트랜지스터(TFT)의 일 전극과 리페어선(RLj+1)을 연결할 수 있다. 이에 따라 제2 불량 발광 화소(GPij)의 유기 발광 소자(OLED)는 제2 불량 발광 화소(GPij)의 화소 회로(GCij)와 단선되고, 리페어선(RLj+1)을 통해 더미 화소(GDPj+1)의 화소 회로(GDCj+1)와 전기적으로 연결된다.
도 11 및 도 12에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따르면, 하나의 열에서 두 개의 불량 발광 화소가 발생하는 경우, 하나의 열마다 하나의 리페어선(RLj)만 구비되더라도 다른 열의 리페어선(RLj+1)을 이용하여 두 개의 불량 발광 화소를 모두 리페어할 수 있다.
도 11 및 도 12에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따르면, 주사선(SLn+1)에 연결된 서브 더미 화소들이 리페어에 사용되었다. 또한, 불량이 발생한 서브 발광 화소에 대응하는 서브 더미 화소들이 리페어에 사용되었다. 발광 화소에 포함되는 복수의 서브 발광 화소 각각은, 회로 내 트랜지스터의 종류, 설계, 소자 값, 크기(size) 등이 다르게 설계될 수 있으므로, 각 서브 발광 화소의 리페어 시 각 서브 발광 화소에 대응하는 서브 더미 화소를 이용함으로써 고품질의 리페어가 가능하다.
그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고, 리페어에 사용되는 서브 더미 화소는 다양한 방법에 의해 선택될 수 있다. 예를 들어, 제2 불량 발광 화소(GPij)의 리페어를 위하여 더미 화소(RDPj+1)의 더미 화소 회로(RDCj+1)가 사용될 수도 있다. 이 경우, 서브 더미 화소의 선택에 따라 각 서브 더미 화소에 인가되는 주사 신호 역시 다양하게 제어된다. 도 13은 도 11 및 도 12에 도시된 방법으로 화소 리페어된 표시 패널의 주사 구동부에서 공급되는 주사 신호 및 데이터 신호를 나타내는 파형도이다. 도 13을 참조하면, j열의 인접하는 2개의 불량 화소(RPij, GPij)가 j열의 더미화소(RDPj) 및 j+1열의 더미화소(GPj+1)로 리페어되고, 불량 화소에 인가되는 데이터 신호가 더미 화소의 데이터 신호로써 인가된다. 각 데이터 신호의 타이밍에 대하여 이하에서 도 13을 참조하여 설명한다.
도 13을 참조하면, 주사 구간에서 첫번째 주사선 내지 마지막 주사선(SL1 내지 SLn+1)으로 주사 신호 (S1 내지 Sn+1)가 순차적으로 인가된다. 도 13의 파형도에서는 서브 더미 화소들이 주사선(SLn+1)으로부터 주사 신호를 받는 경우의 예를 도시하였다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
데이터선(RDLj)에는 주사 신호(S1 내지 Sn)에 동기되어 데이터 신호(RD1j 내지 RDnj)가 데이터선(RDLj)으로 순차적으로 인가된다. 또한, 주사 신호(Sn+1)에 동기되어 j열의 제1 불량 발광 화소(RPij)에 인가된 데이터 신호(RDij)와 동일한 데이터 신호(RDij)가 j열의 더미 화소(RDPj)에 다시 인가된다. 이에 따라, j열의 제1 불량 발광 화소(RPij)의 유기 발광 소자(OLED)는 j열의 더미 화소(RDPj)의 화소 회로(RDCj)와 리페어선(RLj)을 통해 데이터 신호(RDij)에 대응하는 전류를 공급받을 수 있다. 상세히, 제1 불량 발광 화소(RPij)의 유기 발광 소자(OLED)는 주사 신호(Sn+1)가 온 레벨 상태가 되는 타이밍에, 데이터 신호(RDij)에 대응하는 전류를 리페어선(RLj)을 통해 공급받을 수 있다.
데이터선(GDLj+1)에는 주사 신호(S1 내지 Sn)에 동기되어 데이터 신호(GDj)가 데이터선(GDLj)으로 순차적으로 인가된다. 또한, 주사 신호(Sn+1)에 동기되어 j열의 제2 불량 발광 화소(GPij)에 인가된 데이터 신호(GDij)와 동일한 데이터 신호(GDij)가 j+1열의 더미 화소(GDPj+1)에 인가된다. 이에 따라, j열의 제2 불량 발광 화소(GPij)의 유기 발광 소자(OLED)는 j+1열의 더미 화소(GDPj+1)의 화소 회로(GDCj+1)와 리페어선(RLj+1)을 통해 데이터 신호(GDij)에 대응하는 전류를 공급받을 수 있다. 상세히, 제2 불량 발광 화소(GPij)의 유기 발광 소자(OLED)는 주사 신호(Sn+1)가 온 레벨 상태가 되는 타이밍에, 데이터 신호(GDij)에 대응하는 전류를 리페어선(RLj+1)을 통해 공급받을 수 있다.
이에 따라 발광 구간에서 동일 열의 인접하는 제1 불량 발광 화소(RPij) 및 제2 불량 발광 화소(GPij)를 포함한 모든 발광 화소가 정상적으로 동시 발광할 수 있어 명점 또는 암점 발생을 억제할 수 있다.
한편, 도 7과 관련하여 전술한 바와 같이 도 13에 도시된 파형도 역시, 본 발명의 다른 실시예에 따라 유기 발광 표시 장치가 순차 발광 방식으로 구동되는 경우에는, 순차 발광 방식에 맞추어 변형될 수 있다.
예를 들어, 더미 화소(RDPj) 및 더미 화소(RDPj+1)에 인가되는 주사 신호와 데이터 신호의 타이밍이 순차 발광 방식에 맞게 제어부(140)에 의해 제어될 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 화소의 회로도이다.
도 14를 참조하면, 발광 화소(P)는 발광 소자(E)와, 발광 소자(E)로 전류를 공급하기 위한 발광 화소 회로(C)를 구비한다. 발광 소자(E)는 제1전극, 제1전극에 대향하는 제2전극, 제1전극과 제2전극 사이의 발광층을 포함하는 유기 발광 다이오드(OLED)일 수 있다. 제1전극과 제2전극은 각각 애노드 전극 및 캐소드 전극일 수 있다. 발광 화소 회로(C)는 2개의 트랜지스터(T1 및 T2) 및 1개의 커패시터(C)를 구비할 수 있다.
제1트랜지스터(T1)는 게이트 전극이 주사선에 연결되고, 제1전극이 데이터선에 연결되고, 제2전극이 제1노드(N1)에 연결된다.
제2트랜지스터(T2)는 게이트 전극이 제1노드(N1)에 연결되고, 제1전극이 제1전원으로부터 제1전원전압(ELVDD)을 인가받고, 제2전극이 발광소자(E)의 화소 전극에 연결된다.
커패시터(Cst)는 제1전극이 제1노드(N1)에 연결되고, 제2전극이 제1전원으로부터 제1전원전압(ELVDD)을 인가받는다.
제1트랜지스터(T1)는 주사선(SL)으로부터 주사 신호(S)가 공급될 때 데이터선(DL)으로부터 공급되는 데이터 신호(D)를 커패시터(Cst)의 제1전극으로 전달한다. 이에 따라 커패시터(Cst)에는 데이터 신호(D)에 대응하는 전압이 충전되고, 커패시터(Cst)에 충전된 전압에 대응하는 구동전류가 제2트랜지스터(T2)를 통해 발광소자(E)로 전달되어, 발광소자(E)가 발광한다.
도 14에서는, 하나의 화소에 2개의 트랜지스터와 1개의 커패시터를 구비하는 2Tr-1Cap 구조를 도시하고 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 하나의 화소에 2개 이상의 복수의 박막 트랜지스터와 하나 이상의 커패시터를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되거나 기존의 배선이 생략되어 다양한 구조를 갖도록 형성될 수도 있다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 화소를 더미 화소를 이용하여 리페어하는 방법을 개략적으로 설명하는 도면이다.
도 15를 참조하면, 발광 화소(P)는 발광소자(E)와, 발광소자(E)로 전류를 공급하기 위한 발광 화소 회로(C)를 구비한다. 도 15의 발광 화소(P)는 도 14의 발광 화소(P)와 동일한 것일 수 있다. 따라서, 이하에서 발광 화소(P)와 관련하여 생략된 내용이라 하더라도, 도 14에서 도시된 발광 화소(P)에 관하여 이상에서 기술된 내용은 도 15에 도시된 발광 화소(P)에도 동일하게 적용 가능함을 알 수 있다.
더미 화소(DP)는 발광 화소(P)와 동일 열 또는 동일 행에 배치될 수 있고, 더미 화소 회로(DC)만을 구비한다. 그러나, 더미 화소(DP)는 본 발명의 실시예의 설계에 따라 발광 소자를 포함할 수도 있다. 더미 화소 회로(DC)는 발광 화소 회로(C)와 동일 또는 상이할 수 있다.
더미 화소 회로(DC)는 더미 스캔 라인(DSL)과 더미 데이터(DDL)에 연결된 제1더미트랜지스터(DT1), 제1전원전압(ELVDD)과 제1더미트랜지스터(DT1) 사이에 연결된 제2더미트랜지스터(DT2), 제1전원전압(ELVDD)과 제1더미트랜지스터(DT1) 사이에 연결된 더미커패시터(DCst)를 포함할 수 있다. 도 15는 예시적인 더미 화소 회로(DC)를 도시한 것으로, 더미 화소 회로(DC)는 이에 한정되지 않고, 하나 이상의 박막 트랜지스터 및 커패시터를 구비할 수 있으며, 또는 커패시터를 생략하는 등 다양한 구조를 갖도록 형성될 수도 있다.
더미 스캔 라인(DSL)은 발광 화소 회로(C)에 배치된 스캔 라인(SL)과 동일 또는 별개의 스캔 라인일 수 있고, 더미 데이터 라인(DDL)은 발광 화소 회로(C)에 배치된 데이터 라인(DL)과 동일 또는 별개의 데이터 라인일 수 있다.
발광 화소 회로(C)가 불량인 경우, 발광 화소 회로(C)와 발광 소자(E)를 분리한다. 그리고, 리페어선(RL)을 통해 발광 소자(E)를 동일 열 또는 동일 행의 더미 화소 회로(DC)와 연결한다. 이로써 발광 화소(P)의 발광 소자(E)는 더미 화소 회로(DC)로부터 구동 전류를 공급받고 정상적으로 발광할 수 있다. 소자 간 분리 및 연결은 레이저를 이용한 컷팅 및 레이저를 이용한 웰딩 공정에 의해 수행될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
본 발명의 실시예들은 전술된 특정 화소 구조에 한정되지 않으며, 다양한 화소에 적용되어, 화소 회로 불량에 의한 불량 화소의 명점 또는 암점을 리페어하여 휘도 손실 없이 발광할 수 있도록 할 수 있다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 발광 화소의 리페어를 설명하는 단면도이다. 도 17는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 더미 화소의 연결을 설명하는 단면도이다. 도 16 및 도 17에서는 설명의 편의를 위해 발광 화소와 더미 화소의 화소 회로 중 리페어선(RL)과 연결되는 박막트랜지스터(TFT)만을 도시한다. 도 16 및 도 17에 도시된 실시예는 표시 패널의 비전(vision) 검사 이후 리페어를 수행하는 경우이다.
도 16 및 도 17을 함께 참조하면, 기판(111) 상부에 발광 화소(P)의 박막트랜지스터(TFT)의 활성층(21)과 더미 화소(DP)의 박막트랜지스터(TFT)의 활성층(51)을 형성한다. 도시되지 않았으나, 기판(111) 상면에 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하기 위한 베리어층, 블록킹층, 및/또는 버퍼층과 같은 보조층이 더 구비될 수 있다.
활성층(21, 51)은 반도체를 포함할 수 있고, 도핑에 의해 이온 불순물을 포함할 수 있다. 또한 활성층(21, 51)은 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 활성층(21, 51)은 소스 및 드레인 영역과 채널 영역을 포함한다. 활성층(21, 51)이 형성된 기판(111) 상부에 게이트 절연막(GI)을 형성한다.
게이트 절연막(GI) 상부에는 발광 화소(P)의 게이트 전극(24)과 더미 화소(DP)의 게이트 전극(54)이 형성된다. 게이트 전극(24, 54)은 활성층(21, 51)의 채널 영역에 대응하도록 형성된다. 게이트 전극(24, 54)은 제1도전층 및 제2도전층을 게이트 절연막(GI) 상에 차례로 적층한 후 에칭함으로써 형성된다. 게이트 전극(54)은 제1도전층의 일부로 형성된 제1 게이트 전극(22, 52)과 제2도전층의 일부로 형성된 제2 게이트 전극(23, 53)을 포함할 수 있다.
또한 게이트 절연막(GI) 상부에는 발광 화소(P)의 화소 전극(31)과 제1 연결부재(41)가 형성되고, 더미 화소(DP)의 제2 연결부재(61)가 형성된다. 화소 전극(31)은 제2도전층의 일부가 제거되며 노출된 제1도전층의 일부로 형성된다. 제1 연결부재(41)는 화소 전극(31)에서 연장된 연장부일 수 있으며, 제1도전층과 제2도전층의 일부일 수 있다. 제2 연결부재(61)는 제1도전층의 일부로 형성된 제1층(62)과 제2도전층의 일부로 형성된 제2층(63)을 포함할 수 있다. 게이트 전극(24, 54) 및 제1 및 제2연결부재(41, 61)가 형성된 기판(111) 상부에 층간 절연막(ILD)이 형성된다.
층간 절연막(ILD) 상에는 컨택홀을 통해 활성층(21, 51)의 소스 및 드레인 영역과 접촉하는 소스 및 드레인 전극(25/26, 55/56)이 형성된다. 그리고, 층간 절연막(ILD) 상에는 리페어선(RL)이 제1 및 제2 연결부재(41, 61)와 적어도 일부 중첩하게 형성된다. 소스 및 드레인 전극(25/26, 55/56), 및 리페어선(RL)이 형성된 기판(111) 상부에 화소 정의막(PDL)을 형성한다.
비전 검사 후 불량 화소로 검출된 발광 화소(P)에서, 화소 전극(31)과 연결된 소스 및 드레인 전극(25, 26) 중 하나의 전극과 화소 전극(31)을 연결하는 절단부(130)를 컷팅함으로써 발광 화소(P)의 박막트랜지스터(TFT)와 화소 전극(31)을 전기적으로 분리한다. 이에 따라 불량인 발광 화소의 화소 회로와 화소 전극(31)이 전기적으로 분리된다. 한편, 절단부(130)의 컷팅을 수행하기 위하여 레이저 빔을 조사할 수 있으나, 컷팅의 방법은 이에 한정하지 않는다.
발광 화소(P)의 제1 연결부(140a)에는 절연막을 파괴하여 숏팅(shorting)을 수행할 수 있다. 이에 따라, 리페어선(RL)과 제1 연결부재(41) 사이의 절연막이 파괴되며 리페어선(RL)과 제1 연결부재(41)가 전기적으로 연결된다. 또한, 더미 화소 (DP)의 제2 연결부(140b)에 숏팅을 수행한다. 이에 따라, 리페어선(RL)과 제2 연결부재(61) 사이의 절연막이 파괴되며 리페어선(RL)과 제2 연결부재(61)가 전기적으로 연결된다. 한편, 연결부(140a, 140b)의 숏팅을 수행하기 위하여 레이저 빔을 조사하여 레이저 웰딩을 수행할 수 있으나, 숏팅의 방법은 상기 레이저 웰딩에 한정되지 않는다.
한편, 도 16 및 도 17에 있어서, 레이저 빔을 조사하여 컷팅 및 숏팅을 수행하는 경우, 레이저 빔은 기판의 상부 또는 하부로부터 조사될 수 있다.
비전 검사 전, 화소 전극(31) 상에는 발광층을 포함하는 유기막 및 대향 전극이 차례로 형성된다. 유기막이 적색, 녹색, 청색의 빛을 각각 방출하는 경우, 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 각각 패터닝될 수 있다. 한편, 유기막이 백색광을 방출하는 경우, 발광층은 백색광을 방출할 수 있도록 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층이 적층된 다층 구조를 갖거나, 적색 발광 물질, 녹색 발광 물질 및 청색 발광 물질을 포함한 단일층 구조를 가질 수 있다. 대향 전극은 기판(111) 전면에 증착되어 공통 전극으로 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 화소 전극(31)이 애노드 전극으로 사용되고, 대향 전극은 캐소드 전극으로 사용된다. 그러나 전극의 극성은 반대로 적용될 수 있음은 물론이다.
전술된 본 발명의 실시예들은 화소 회로의 불량시 리페어선을 이용하여 간단하게 리페어(repair)를 수행함으로써, 표시장치의 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
전술된 본 발명의 실시예들에 따라 더미 화소(DP)를 이용하여 발광 화소(P)의 불량을 리페어함으로써 불량 화소가 정상 타이밍에 발광할 수 있다.
전술된 본 발명의 실시예들에 따르면, 각 열마다 하나의 리페어선만 형성된 경우에라도 하나의 열에서 인접하는 복수의 불량 화소를 리페어할 수 있다. 리페어선을 많이 형성할수록 표시 패널(110) 내에서 배선이 차지하는 면적이 증가하므로 개구율이나 안정성이 문제될 수 있다. 그러나 본 발명의 일 실시예에 따르면 최소한의 리페어선을 이용하여 불량 화소를 리페어하므로, 개구율과 안정성을 확보하면서도 불량 화소를 효과적으로 리페어할 수 있다.
불량 발광 화소는 이물질에 의해 발생하거나 공정 과정의 다양한 문제로 인해 발생할 수 있다. 이 때 파티클이 인접하는 여러 발광 화소에 영향을 미치는 등의 여러 이유로, 인접하는 발광 화소가 함께 불량이 되는 경우가 많다. 본 발명의 전술된 실시예들에 따르면 동일 열 또는 동일 행에서 인접하는 불량 발광 화소를 리페어할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 표시 장치
110: 표시 패널
120: 주사 구동부
130: 데이터 구동부
140: 제어부
SL1, SL2, ...: 주사선
DL1, DL2, ...: 데이터선
RL1, RL2, ...: 리페어선
P: 발광 화소
C: 발광 화소 회로
E: 발광 소자
DP: 더미 화소
DC: 더미 화소 회로
AA: 활성 영역
DA: 더미 영역

Claims (23)

  1. 활성 영역에 열 및 행 방향으로 배치되고, 적어도 하나의 서브 발광 화소를 포함하는 복수의 발광 화소들;
    더미 영역에 구비된 복수의 더미 화소들; 및
    상기 복수의 서브 발광 화소들 중 적어도 하나와 상기 더미 화소들 중 적어도 하나를 연결하는 복수의 리페어선;을 포함하고,
    상기 복수의 서브 발광 화소들 중 열 또는 행 방향으로 연속 배치된 적어도 두 개의 서브 발광 화소들은 서로 다른 두 개의 리페어선에 교번하여 연결되는
    유기 발광 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 더미 화소는 각 열마다 적어도 하나 형성되고,
    상기 리페어선은 각 열마다 적어도 하나 배치되고,
    상기 더미 영역에 구비되고 상기 더미 화소와 연결되는 적어도 하나의 더미 주사선;을 더 포함하는
    유기 발광 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 복수의 리페어선은 제1 열에 대응하는 제1 리페어선 및 상기 제1 열에 인접하는 제2 열에 대응하는 제2 리페어선을 포함하고,
    상기 제1 열에 구비된 서브 발광 화소들 중 연속 배치된 적어도 두 개의 서브 발광 화소들은 상기 제1 리페어선 및 상기 제2 리페어선에 교번하여 연결되는
    유기 발광 표시 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 더미 화소는 상기 서브 발광 화소의 열 개수보다 적어도 하나 더 많이 구비되고,
    상기 리페어 선은 상기 더미 화소마다 적어도 하나 배치되는
    유기 발광 표시 장치
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 서브 발광 화소는 주사선과 데이터선에 연결되고,
    상기 더미 화소는 더미 주사선과 상기 데이터선에 연결된, 유기 발광 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 더미 주사선은 상기 더미 영역에 구비되어 각 열의 더미화소와 연결되고, 상기 활성 영역에 구비된 복수의 발광 화소들로 인가되는 주사 신호와 소정의 시간 차를 두고, 상기 더미 화소로 더미 주사 신호를 인가하는
    유기 발광 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 데이터선은 상기 더미 주사 신호가 상기 더미 화소에 인가되는 타이밍에, 리페어선에 의해 상기 더미 화소에 연결된 상기 서브 발광 화소에 공급되는 데이터 신호와 동일한 데이터 신호를, 상기 더미 화소로 인가하는
    유기 발광 표시 장치.
  8. 제5 항에 있어서,
    상기 더미 화소 중 최외곽에 구비된 적어도 하나의 최외곽 더미 화소는, 더미 데이터선에 연결되고 상기 더미 데이터선으로부터 데이터 신호를 공급받는,
    유기 발광 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 최외곽 더미 화소에 연결된 더미 데이터선은 더미 주사 신호가 상기 최외곽 더미 화소에 인가되는 타이밍에, 상기 더미 화소에 연결된 상기 서브 발광 화소에 공급되는 데이터 신호와 동일한 데이터 신호를, 상기 최외곽 더미 화소로 인가하는
    유기 발광 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 서브 발광 화소는 발광 소자 및 상기 발광 소자와 연결된 발광 화소 회로를 구비하고, 상기 더미 화소는 더미 화소 회로를 구비하며,
    상기 리페어선은 발광 화소 회로와 발광 소자가 분리된 서브 발광 화소의 발광 소자를 상기 더미 화소의 더미 화소 회로와 연결하는,
    유기 발광 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 발광 화소 회로는,
    주사 신호에 응답하여 데이터 신호를 전달하는 제1 트랜지스터;
    상기 전달된 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전하는 커패시터; 및
    상기 커패시터에 충전된 전압에 대응하는 구동 전류를 상기 발광 소자로 전달하는 제2 트랜지스터;를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 더미 화소 회로는 상기 발광 화소 회로와 동일한, 유기 발광 표시 장치.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 발광 소자는 애노드 전극, 캐소드 전극 및 상기 애노드 전극과 캐소드 전극 사이의 발광층을 포함하고,
    상기 리페어선에 연결된 서브 발광 화소는 발광 소자의 애노드 전극과 연결된 발광 화소 회로의 배선이 단선된
    유기 발광 표시 장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 더미 화소 각각은 적어도 하나의 서브 더미 화소를 포함하고,
    상기 리페어선은 복수의 서브 발광 화소 중 하나와 복수의 서브 더미 화소 중 하나를 연결하는,
    유기 발광 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 더미 화소 각각은 상기 발광 화소 각각에 포함된 서브 발광화소와 동일한 개수의 서브 더미 화소를 포함하는
    유기 발광 표시 장치.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 더미 영역은 상기 활성 영역의 상측 및 하측 중 적어도 하나의 영역에 배치된,
    유기 발광 표시 장치.
  17. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 화소는 동시에 발광하는
    유기 발광 표시 장치.
  18. 제1 항에 있어서,
    상기 리페어선에 연결된 서브 발광 화소의 발광 소자를 구성하는 애노드 전극과 접촉하는 제1 도전부와 상기 리페어선 사이, 및 상기 리페어선에 연결된 더미 화소의 더미 화소 회로와 접촉하는 제2 도전부와 상기 리페어선 사이에 구비되는 적어도 한 층의 절연막;을 더 포함하고,
    상기 제1 도전부와 상기 리페어선이 전기적으로 연결되고, 상기 제2 도전부와 상기 리페어선이 전기적으로 연결된
    유기 발광 표시 장치.
  19. 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법에 있어서,
    상기 유기 발광 표시 장치는
    활성 영역에 열 및 행 방향으로 배치되고, 적어도 하나의 서브 발광 화소를 포함하는 복수의 발광 화소들;
    더미 영역에 구비된 복수의 더미 화소들; 및
    각 열마다 형성된 리페어선;을 포함하고,
    상기 리페어 방법은
    상기 복수의 서브 발광 화소 중 제1 열에서 서로 인접하는 제1 불량 화소 및 제2 불량 화소의 발광 소자와 발광 화소 회로를 단선하는 단계;
    상기 제1 열에 대응하여 배치된 제1 리페어선과 상기 제1 불량 화소의 발광 소자를 연결하는 단계;
    상기 제1 열에 인접하는 제2 열에 대응하여 배치된 제2 리페어선과 상기 제2 불량 화소의 발광 소자를 연결하는 단계; 및
    상기 리페어선에 연결된 불량 화소와 더미 화소에 동일한 데이터 신호가 인가되어, 상기 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 상기 리페어 선을 통해 상기 불량 화소의 발광 소자로 공급하도록, 상기 더미 화소의 더미 화소 회로를 상기 리페어선과 연결하는 단계;를 포함하는
    유기 발광 표시 장치의 리페어 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    각 서브 발광 화소는, 상기 서브 발광 화소와 연결되고 적어도 한 층의 절연층을 사이에 두고 상기 리페어 선과 중첩하는 도전부를 포함하고
    상기 복수의 서브 발광 화소들 중 열 또는 행 방향으로 연속 배치된 적어도 두 개의 서브 발광 화소들의 도전부는 서로 다른 두 개의 리페어선에 교번하여 중첩되는
    유기 발광 표시 장치의 리페어 방법.
  21. 제20 항에 있어서,
    각 서브 발광 화소마다 구비되는 상기 도전부는 상기 서브 발광 화소의 발광 소자를 구성하는 애노드 전극과 연결되고,
    상기 제1 불량 화소의 연결 단계는, 상기 제1 불량 화소의 도전부와 상기 제1 리페어선을 전기적으로 연결하는 단계;를 포함하고,
    상기 제2 불량 화소의 연결 단계는, 상기 제2 불량 화소의 도전부와 상기 제2 리페어선을 전기적으로 연결하는 단계;를 포함하는
    유기 발광 표시 장치의 리페어 방법.
  22. 제19 항에 있어서,
    각 더미 화소는, 상기 더미 화소와 연결되고 적어도 한 층의 절연층을 사이에 두고 상기 리페어 선과 중첩하는 도전부를 포함하고,
    상기 더미 화소의 연결 단계는,
    상기 더미 화소의 도전부와 상기 리페어선을 전기적으로 연결하는 단계;를 포함하는
    유기 발광 표시 장치의 리페어 방법.
  23. 제21항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전부와 리페어선의 연결 단계들은,
    상기 도전부와 상기 리페어선 사이에 개재된 절연층의 일부를 파괴함으로써 상기 도전부와 상기 리페어선을 전기적으로 연결하는
    유기 발광 표시 장치의 리페어 방법.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150102788A (ko) * 2014-02-28 2015-09-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102177216B1 (ko) * 2014-10-10 2020-11-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제어 방법
KR102414707B1 (ko) * 2015-06-29 2022-06-30 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 그 수리 방법
KR102401983B1 (ko) * 2015-09-30 2022-05-25 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치 및 투명표시패널
KR20180030314A (ko) * 2016-09-12 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2018151449A (ja) * 2017-03-10 2018-09-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器
US10769991B2 (en) 2017-11-02 2020-09-08 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN107946320B (zh) * 2017-11-28 2020-12-11 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN107808634B (zh) * 2017-11-30 2020-03-10 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
KR102656012B1 (ko) * 2019-03-19 2024-04-11 삼성전자주식회사 Led 디스플레이 패널 및 수리 방법.
US11783739B2 (en) * 2020-09-10 2023-10-10 Apple Inc. On-chip testing architecture for display system
US11645957B1 (en) * 2020-09-10 2023-05-09 Apple Inc. Defective display source driver screening and repair
KR102675457B1 (ko) * 2020-10-21 2024-06-13 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20220169286A (ko) 2021-06-18 2022-12-27 삼성전자주식회사 셀 매트릭스를 포함하는 디스플레이 장치
CN113990254A (zh) * 2021-12-03 2022-01-28 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板、显示装置及像素修复的方法
KR20230167180A (ko) * 2022-05-30 2023-12-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20240018716A (ko) * 2022-08-02 2024-02-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100666639B1 (ko) * 2005-09-13 2007-01-09 삼성에스디아이 주식회사 더미 셀을 구비하는 평판표시장치 및 그의 제조방법
US20090231255A1 (en) * 2006-08-31 2009-09-17 Kazunori Tanimoto Display panel and display device having the panel
KR101162853B1 (ko) * 2010-06-01 2012-07-06 삼성모바일디스플레이주식회사 화소를 포함하는 유기전계발광 표시장치 및 이를 이용한 구동방법

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100375599B1 (ko) 1999-06-30 2003-03-15 주식회사 하이닉스반도체 로오 리던던시 회로
KR100363085B1 (ko) 1999-11-05 2002-12-05 삼성전자 주식회사 리던던시 효율을 향상시키는 로우 리던던시 스킴을 갖는반도체장치
JP2004191752A (ja) * 2002-12-12 2004-07-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
KR100698048B1 (ko) * 2003-06-26 2007-03-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
JP4281765B2 (ja) * 2006-08-09 2009-06-17 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型発光装置、電子機器およびアクティブマトリクス型発光装置の画素駆動方法
KR101347846B1 (ko) * 2006-12-27 2014-01-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 액정표시장치 및이의 리페어 방법
JP2009211039A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機電界発光表示装置
KR100932989B1 (ko) 2008-08-20 2009-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
EP2256544A1 (en) * 2009-05-27 2010-12-01 Polymer Vision Limited A method for manufacturing a display panel and a display panel provided with repairable elements.
TW201216233A (en) * 2010-10-15 2012-04-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd Display device and repair method thereof
JP2012128407A (ja) * 2010-11-24 2012-07-05 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置
KR101878333B1 (ko) * 2012-01-09 2018-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법
KR101993334B1 (ko) * 2013-04-01 2019-06-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법 및 유기 발광 표시 장치의 구동 방법
US9911799B2 (en) * 2013-05-22 2018-03-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of repairing the same
KR102051633B1 (ko) * 2013-05-27 2019-12-04 삼성디스플레이 주식회사 화소, 이를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법
KR102054851B1 (ko) * 2013-07-17 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법 및 유기 발광 표시 장치의 구동 방법
KR102059943B1 (ko) * 2013-10-16 2019-12-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102208918B1 (ko) * 2013-10-22 2021-01-29 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR102096056B1 (ko) * 2013-10-23 2020-04-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20150052666A (ko) * 2013-11-06 2015-05-14 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR20150065422A (ko) * 2013-12-05 2015-06-15 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR20150069921A (ko) * 2013-12-16 2015-06-24 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그의 화소
KR102151755B1 (ko) * 2014-02-25 2020-09-04 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 그 리페어 방법
KR102148487B1 (ko) * 2014-05-08 2020-08-26 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 리페어 방법
KR102368772B1 (ko) * 2014-12-05 2022-03-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100666639B1 (ko) * 2005-09-13 2007-01-09 삼성에스디아이 주식회사 더미 셀을 구비하는 평판표시장치 및 그의 제조방법
US20090231255A1 (en) * 2006-08-31 2009-09-17 Kazunori Tanimoto Display panel and display device having the panel
KR101162853B1 (ko) * 2010-06-01 2012-07-06 삼성모바일디스플레이주식회사 화소를 포함하는 유기전계발광 표시장치 및 이를 이용한 구동방법

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