KR101547548B1 - Phosphor encapsulation type light emitting device package, backlight unit, illumination device and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 조명이나 디스플레이 장치 등에 적용할 수 있는 형광체 봉지형 발광 소자 패키지와, 백라이트 유닛과, 조명 장치 및 형광체 봉지형 발광 소자 패키지의 제조 방법에 관한 것으로서, 발광 소자; 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되는 리드; 및 상기 리드와 상기 발광 소자의 둘레를 둘러싸는 형광체;를 포함하고, 상기 리드는, 제 1 리드; 및 상기 제 1 리드와 이격 공간을 두고 설치되는 제 2 리드;를 포함하고, 상기 제 1 리드 및 상기 제 2 리드는, 내부에 발광 소자 수용 공간이 형성될 수 있도록 각각 1차 절곡된 형상이며, 상기 형광체는, 상기 발광 소자 수용 공간에 수용되어 상기 리드와 전기적으로 연결된 상기 발광 소자 및 상기 리드의 둘레를 일체형으로 둘러싸는 형상일 수 있다.The present invention relates to a phosphor encapsulation type light emitting device package, a backlight unit, a lighting device, and a method of manufacturing a phosphor encapsulation type light emitting device package that can be applied to an illumination or display device. A lead electrically connected to the light emitting element; And a phosphor surrounding the lead and the periphery of the light emitting element, wherein the lead includes: a first lead; And a second lead provided so as to be spaced apart from the first lead, wherein the first lead and the second lead have a shape that is first bent to form a space for accommodating the light emitting element therein, The phosphor may be configured to integrally surround the periphery of the light emitting element and the lead, which are accommodated in the light emitting element accommodating space and are electrically connected to the lead.
Description
본 발명은 형광체 봉지형 발광 소자 패키지와, 백라이트 유닛과, 조명 장치 및 형광체 봉지형 발광 소자 패키지의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 조명이나 디스플레이 장치 등에 적용할 수 있는 형광체 봉지형 발광 소자 패키지와, 백라이트 유닛과, 조명 장치 및 형광체 봉지형 발광 소자 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN 다이오드 형성을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 파장의 광을 구현할 수 있는 일종의 반도체 소자를 말한다. 이러한 발광 소자는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 광의 지향성이 강하여 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 이러한 LED는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 패키징할 수 있어, 여러 가지 용도로 모듈화하여 각종 조명 장치나 디스플레이 장치 등에 적용할 수 있다.Light emitting diodes (LEDs) are semiconductor devices that can emit light of various wavelengths by forming a light emitting source through the formation of PN diodes of compound semiconductors. Such a light emitting device has a long lifetime, can be reduced in size and weight, has a strong directivity of light, and can be driven at a low voltage. Further, such an LED is resistant to impact and vibration, does not require preheating time and complicated driving, can be packaged in various forms, can be modularized for various purposes, and can be applied to various lighting devices and display devices.
그러나, 종래의 발광 소자 패키지는, 형광체 이외에도 빛을 일방향으로 반사시키고 외관 구조를 형성하는 화이트 몰드(white mold)나 골드 와이어(gold wire)를 사용하여 제품의 전체적인 두께가 증대되고, 원가가 낭비되며, 패키지의 일방향으로만 빛이 방출되어 발광 효율이 떨어지는 문제점이 있었다.However, in the conventional light emitting device package, white mold or gold wire, which reflects light in one direction and forms an external structure, is used in addition to the phosphor, the overall thickness of the product is increased and the cost is wasted , There is a problem that light is emitted only in one direction of the package, and the luminous efficiency is lowered.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 화이트 몰드 대신 리드와 발광 소자를 둘러싸는 일체형 형광체를 이용하여 제품의 두께를 획기적으로 줄이고, 원가를 절약하며, 패키지의 양방향으로 빛을 방출할 수 있어서 발광 효율을 높일 수 있게 하는 형광체 봉지형 발광 소자 패키지와, 백라이트 유닛과, 조명 장치 및 형광체 봉지형 발광 소자 패키지의 제조 방법을 제공하는 목적을 포함한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.SUMMARY OF THE INVENTION [0008] The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide an integrated phosphor which surrounds a lid and a light emitting element instead of a white mold to reduce the thickness of the product, The present invention also provides a phosphor encapsulation type light emitting device package, a backlight unit, an illuminating device, and a method of manufacturing a phosphor encapsulation type light emitting device package that can emit light to increase the luminous efficiency. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지는, 발광 소자; 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되는 리드; 및 상기 리드와 상기 발광 소자의 둘레를 둘러싸는 형광체;를 포함하고, 상기 리드는, 제 1 리드; 및 상기 제 1 리드와 이격 공간을 두고 설치되는 제 2 리드;를 포함하고, 상기 제 1 리드 및 상기 제 2 리드는, 내부에 발광 소자 수용 공간이 형성될 수 있도록 각각 1차 절곡된 형상이며, 상기 형광체는, 상기 발광 소자 수용 공간에 수용되어 상기 리드와 전기적으로 연결된 상기 발광 소자 및 상기 리드의 둘레를 일체형으로 둘러싸는 형상일 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a phosphor encapsulation type light emitting device package including: a light emitting element; A lead electrically connected to the light emitting element; And a phosphor surrounding the lead and the periphery of the light emitting element, wherein the lead includes: a first lead; And a second lead provided so as to be spaced apart from the first lead, wherein the first lead and the second lead have a shape that is first bent to form a space for accommodating the light emitting element therein, The phosphor may be configured to integrally surround the periphery of the light emitting element and the lead, which are accommodated in the light emitting element accommodating space and are electrically connected to the lead.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 발광 소자는, 상기 이격 공간을 통해서 빛을 방출할 수 있도록 제 1 출광면이 상기 이격 공간을 향하고, 상기 제 1 출광면의 양단부에 제 1 전극 및 제 2 전극이 형성되는 플립칩 또는 수평형 형태의 LED일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the light emitting device includes a first light emitting surface facing the spaced space so as to emit light through the spacing space, and a first electrode and a second electrode on both ends of the first light emitting surface, A flip chip in which electrodes are formed, or a horizontal type LED.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 발광 소자는, 상기 제 1 출광면의 반대면에 제 2 출광면이 형성되는 양방향 발광 소자일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the light emitting device may be a bidirectional light emitting device in which a second light emitting surface is formed on a surface opposite to the first light emitting surface.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 리드는, 상기 발광 소자의 제 1 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 발광 소자의 길이 방향으로 연장되는 제 1 연장 리드; 및 상기 제 1 연장 리드와 연결되고, 상기 제 1 연장 리드를 기준으로 1차 절곡된 형상의 제 1 절곡 리드;를 포함하고, 상기 제 2 리드는, 상기 발광 소자의 제 2 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 발광 소자의 길이 방향으로 연장되는 제 2 연장 리드; 및 상기 제 2 연장 리드와 연결되고, 상기 제 2 연장 리드를 기준으로 1차 절곡된 형상의 제 2 절곡 리드;를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the first lead may include: a first elongated lead electrically connected to the first electrode of the light emitting element and extending in the longitudinal direction of the light emitting element; And a first bent lead connected to the first extended lead and having a first bent shape with respect to the first extended lead, wherein the second lead is electrically connected to the second electrode of the light emitting element A second extension lead extending in the longitudinal direction of the light emitting element; And a second bent lead connected to the second extended lead and having a first bent shape with respect to the second extended lead.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 리드는, 상기 제 1 절곡 리드와 연결되고, 상기 형광체의 외부로 노출되며, 상기 제 1 절곡 리드를 기준으로 2차 절곡된 형상의 제 1 노출 리드;를 더 포함하고, 상기 제 2 리드는, 상기 제 2 절곡 리드와 연결되고, 상기 형광체의 외부로 노출되며, 상기 제 2 절곡 리드를 기준으로 2차 절곡된 형상의 제 2 노출 리드;를 더 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the first lead is connected to the first bending lead, is exposed to the outside of the phosphor, and the first exposed lead, which is secondarily bent on the basis of the first bending lead, And a second exposed lead connected to the second bent lead and exposed to the outside of the phosphor and having a second bent shape with respect to the second bent lead, .
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 노출 리드 및 상기 제 2 노출 리드는, 상기 형광체의 하면 방향 또는 상기 형광체의 외측 방향으로 절곡되는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the first exposed lead and the second exposed lead may be bent in the lower direction of the phosphor or in an outward direction of the phosphor.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 백라이트 유닛은, 발광 소자; 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되는 리드; 상기 리드와 상기 발광 소자의 둘레를 둘러싸는 형광체; 및 상기 발광 소자의 광 경로에 설치되는 도광판;을 포함하고, 상기 리드는, 제 1 리드; 및 상기 제 1 리드와 이격 공간을 두고 설치되는 제 2 리드;를 포함하고, 상기 제 1 리드 및 상기 제 2 리드는, 내부에 발광 소자 수용 공간이 형성될 수 있도록 각각 1차 절곡된 형상이며, 상기 형광체는, 상기 발광 소자 수용 공간에 수용되어 상기 리드와 전기적으로 연결된 상기 발광 소자 및 상기 리드의 둘레를 일체형으로 둘러싸는 형상일 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a backlight unit including: a light emitting element; A lead electrically connected to the light emitting element; A phosphor surrounding the lead and the periphery of the light emitting element; And a light guide plate installed in an optical path of the light emitting element, wherein the lead includes: a first lead; And a second lead provided so as to be spaced apart from the first lead, wherein the first lead and the second lead have a shape that is first bent to form a space for accommodating the light emitting element therein, The phosphor may be configured to integrally surround the periphery of the light emitting element and the lead, which are accommodated in the light emitting element accommodating space and are electrically connected to the lead.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 조명 장치는, 발광 소자; 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되는 리드; 및 상기 리드와 상기 발광 소자의 둘레를 둘러싸는 형광체;를 포함하고, 상기 리드는, 제 1 리드; 및 상기 제 1 리드와 이격 공간을 두고 설치되는 제 2 리드;를 포함하고, 상기 제 1 리드 및 상기 제 2 리드는, 내부에 발광 소자 수용 공간이 형성될 수 있도록 각각 1차 절곡된 형상이며, 상기 형광체는, 상기 발광 소자 수용 공간에 수용되어 상기 리드와 전기적으로 연결된 상기 발광 소자 및 상기 리드의 둘레를 일체형으로 둘러싸는 형상일 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided an illumination device including: a light emitting element; A lead electrically connected to the light emitting element; And a phosphor surrounding the lead and the periphery of the light emitting element, wherein the lead includes: a first lead; And a second lead provided so as to be spaced apart from the first lead, wherein the first lead and the second lead have a shape that is first bent to form a space for accommodating the light emitting element therein, The phosphor may be configured to integrally surround the periphery of the light emitting element and the lead, which are accommodated in the light emitting element accommodating space and are electrically connected to the lead.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지의 제조 방법은, 내부에 발광 소자 수용 공간이 형성될 수 있도록 제 1 리드 및 제 2 리드를 절곡하고, 이격 공간을 두고 상기 제 1 리드 및 상기 제 2 리드를 배치하여 리드를 준비하는 단계; 상기 발광 소자 수용 공간에 상기 발광 소자를 안착시키고, 상기 발광 소자와 상기 리드를 전기적으로 연결하는 단계; 및 상기 리드와 상기 발광 소자의 둘레에 형광체를 설치하는 단계;를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a phosphor-encapsulated light emitting device package, the method comprising: bending a first lead and a second lead to form a space for accommodating a light emitting element therein; And arranging the first lead and the second lead to prepare a lead; Placing the light emitting element in the light emitting element accommodating space, and electrically connecting the light emitting element and the lead; And providing a phosphor around the lead and the light emitting device.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 발광 소자 수용 공간에 상기 발광 소자를 안착시키고, 상기 발광 소자와 상기 리드를 전기적으로 연결하는 단계는, 상기 발광 소자에 도전성 패이스트를 도포하여 상기 리드와 전기적으로 연결하고, 상기 리드와 상기 발광 소자의 둘레에 형광체를 설치하는 단계는, 상기 리드와 상기 발광 소자를 금형 내부의 캐비티에 삽입하고, 상기 금형의 캐비티에 형광체 소재를 몰딩 성형하는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the step of placing the light emitting element in the light emitting element accommodating space and electrically connecting the light emitting element and the lead may include applying a conductive paste to the light emitting element, The step of providing the phosphor around the lead and the light emitting element may include inserting the lead and the light emitting element into a cavity inside the mold and molding a phosphor material into the cavity of the mold.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 발광 소자 수용 공간을 형성하도록 1차 및 2차 절곡된 리드를 이용하여 구조적으로 매우 견고하고, 화이트 몰드 대신 리드와 발광 소자를 둘러싸는 일체형 형광체를 이용하여 제품의 두께를 획기적으로 줄이고, 도전성 패이스트가 도포된 플립칩을 이용하여 원가를 절약하며, 패키지의 양방향으로 빛을 방출할 수 있어서 발광 효율을 크게 높일 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to some embodiments of the present invention as described above, it is possible to provide a light emitting device that is structurally very rigid using first and second bent leads to form a space for accommodating a light emitting element, The thickness of the product can be remarkably reduced by using the phosphor, the cost can be saved by using the flip chip coated with the conductive paste, and the light can be emitted in both directions of the package. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 형광체 봉지형 발광 소자 패키지의 II-II 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 형광체 봉지형 발광 소자 패키지의 III-III 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지의 제조 과정을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.
도 9는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.1 is a perspective view showing a phosphor encapsulation type light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a II-II cross section of the phosphor-encapsulated light emitting device package of FIG. 1; FIG.
3 is a cross-sectional view showing a III-III cross section of the phosphor encapsulation type light emitting device package of FIG.
4 is a cross-sectional view illustrating a phosphor encapsulation type light emitting device package according to some other embodiments of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating a phosphor encapsulation type light emitting device package according to still another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating a phosphor encapsulation type light emitting device package according to still another embodiment of the present invention.
FIGS. 7 and 8 are cross-sectional views illustrating steps of fabricating a phosphor-encapsulated light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
9 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to some embodiments of the present invention.
10 is a flowchart showing a method of manufacturing a phosphor encapsulation type light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, The present invention is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of explanation.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.It is to be understood that throughout the specification, when an element such as a film, region or substrate is referred to as being "on", "connected to", "laminated" or "coupled to" another element, It will be appreciated that elements may be directly "on", "connected", "laminated" or "coupled" to another element, or there may be other elements intervening therebetween. On the other hand, when one element is referred to as being "directly on", "directly connected", or "directly coupled" to another element, it is interpreted that there are no other components intervening therebetween do. Like numbers refer to like elements. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items.
본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, components, regions, layers and / or portions, these members, components, regions, layers and / It is obvious that no. These terms are only used to distinguish one member, component, region, layer or section from another region, layer or section. Thus, a first member, component, region, layer or section described below may refer to a second member, component, region, layer or section without departing from the teachings of the present invention.
또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면(turned over), 다른 요소들의 상부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.Also, relative terms such as "top" or "above" and "under" or "below" can be used herein to describe the relationship of certain elements to other elements as illustrated in the Figures. Relative terms are intended to include different orientations of the device in addition to those depicted in the Figures. For example, in the figures the elements are turned over so that the elements depicted as being on the top surface of the other elements are oriented on the bottom surface of the other elements. Thus, the example "top" may include both "under" and "top" directions depending on the particular orientation of the figure. If the elements are oriented in different directions (rotated 90 degrees with respect to the other direction), the relative descriptions used herein can be interpreted accordingly.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise "and / or" comprising "when used herein should be interpreted as specifying the presence of stated shapes, numbers, steps, operations, elements, elements, and / And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, elements, elements, and / or groups.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the figures, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as limited to the particular shapes of the regions shown herein, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(100)를 나타내는 사시도이고, 도 2는 도 1의 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(100)의 II-II 절단면을 나타내는 단면도이고, 도 3은 도 1의 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(100)의 III-III 절단면을 나타내는 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view showing a phosphor encapsulation type light
먼저, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(100)는, 크게 발광 소자(10)와, 리드(20)(lead) 및 형광체(30)를 포함할 수 있다.1 to 3, a phosphor encapsulation type light
여기서, 상기 발광 소자(10)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상면에 제 1 전극(11) 및 제 2 전극(12)이 설치되는 플립칩 형태의 LED(Light Emitting Diode)일 수 있다.1 to 3, the
여기서, 상기 제 1 전극(11) 및 상기 제 2 전극(12)은 상기 발광 소자(10)의 칩 위에 도전성 패이스트로 도포되거나 디스펜싱 될 수 있다. 이외에도, 상기 제 1 전극(11) 및 상기 제 2 전극(12)은, 도전성 패이스트를 상기 발광 소자(10)에 도포하는 방법으로 이루어질 수 있고, 도전성 패이스트를 이용하는 도포 방법은, 예컨데, 스템핑(stamping) 방식, 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 방식, 스텐실 프린팅(stencil printing) 방식, 스퀴즈 프린팅(squeeze printing) 방식 등 각종 프린트 방식이 적용될 수 있다.Here, the
또한, 상기 제 1 전극(11) 및 상기 제 2 전극(12)은 전류의 확산성을 향상시킬 수 있도록 다양한 형태의 핑거(F)를 형성할 수 있다.In addition, the
이러한, 상기 발광 소자(10)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체로 이루어질 수 있다. 예를 들어서, 질화물 반도체로 이루어지는 청색, 녹색, 적색, 황색 발광의 LED, 자외 발광의 LED, 적외 발광의 LED 등이 적용될 수 있다. 질화물 반도체는, 일반식이 AlxGayInzN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1)으로 나타내진다.The
또한, 상기 발광 소자(10)는, 예를 들면, MOCVD법 등의 기상성장법에 의해, 성장용 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드 기판 상에 InN, AlN, InGaN, AlGaN, InGaAlN 등의 질화물 반도체를 에피택셜 성장시켜 구성할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(10)는, 질화물 반도체 이외에도 ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP 등의 반도체를 이용해서 형성할 수 있다. 이들 반도체는, n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층의 순으로 형성한 적층체를 이용할 수 있다. 상기 발광층(활성층)은, 다중 양자웰 구조나 단일 양자웰 구조를 한 적층 반도체 또는 더블 헤테로 구조의 적층 반도체를 이용할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(10)는, 디스플레이 용도나 조명 용도 등 용도에 따라 임의의 파장의 것을 선택할 수 있다.The
여기서, 상기 성장용 기판으로는 필요에 따라 절연성, 도전성 또는 반도체 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 성장용 기판은 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. GaN 물질의 에피성장을 위해서는 동종 기판인 GaN 기판이 좋으나, GaN 기판은 그 제조상의 어려움으로 생산단가가 높은 문제가 있다.Here, as the growth substrate, an insulating, conductive or semiconductor substrate may be used if necessary. For example, the growth substrate may be sapphire, SiC, Si, MgAl 2 O 4, MgO,
이종 기판으로는 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등이 주로 사용되고 있으며. 가격이 비싼 실리콘 카바이드 기판에 비해 사파이어 기판이 더 많이 활용되고 있다. 이종 기판을 사용할 때는 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자상수의 차이로 인해 전위(dislocation) 등 결함이 증가한다. 또한, 기판 물질과 박막 물질 사이의 열팽창계수의 차이로 인해 온도 변화시 휨이 발생하고, 휨은 박막의 균열(crack)의 원인이 된다. 기판과 GaN계인 발광 적층체 사이의 버퍼층을 이용해 이러한 문제를 감소시킬 수도 있다.Sapphire and silicon carbide (SiC) substrates are mainly used as the different substrates. Sapphire substrates are more utilized than expensive silicon carbide substrates. When using a heterogeneous substrate, defects such as dislocation are increased due to the difference in lattice constant between the substrate material and the thin film material. Also, due to the difference in the thermal expansion coefficient between the substrate material and the thin film material, warping occurs at a temperature change, and warping causes a crack in the thin film. This problem may be reduced by using a buffer layer between the substrate and the GaN-based light emitting laminate.
또한, 상기 성장용 기판은 LED 구조 성장 전 또는 후에 LED 칩의 광 또는 전기적 특성을 향상시키기 위해 칩 제조 과정에서 완전히 또는 부분적으로 제거되거나 패터닝하는 경우도 있다.In addition, the substrate for growth may be completely or partially removed or patterned in order to improve the optical or electrical characteristics of the LED chip before or after the growth of the LED structure.
예를 들어, 사파이어 기판인 경우는 레이저를 기판을 통해 반도체층과의 계면에 조사하여 기판을 분리할 수 있으며, 실리콘이나 실리콘 카바이드 기판은 연마/에칭 등의 방법에 의해 제거할 수 있다.For example, in the case of a sapphire substrate, the substrate can be separated by irradiating the laser to the interface with the semiconductor layer through the substrate, and the silicon or silicon carbide substrate can be removed by a method such as polishing / etching.
또한, 상기 성장용 기판 제거 시에는 다른 지지 기판을 사용하는 경우가 있으며 지지 기판은 원 성장 기판의 반대쪽에 LED 칩의 광효율을 향상시키게 위해서, 반사 금속을 사용하여 접합하거나 반사구조를 접합층의 중간에 삽입할 수 있다.Another supporting substrate may be used for removing the growth substrate. In order to improve the light efficiency of the LED chip on the opposite side of the growth substrate, the supporting substrate may be bonded using a reflective metal, As shown in FIG.
또한, 상기 성장용 기판 패터닝은 기판의 주면(표면 또는 양쪽면) 또는 측면에 LED 구조 성장 전 또는 후에 요철 또는 경사면을 형성하여 광 추출 효율을 향상시킨다. 패턴의 크기는 5nm ~ 500㎛ 범위에서 선택될 수 있으며 규칙 또는 불규칙적인 패턴으로 광 추출 효율을 좋게 하기 위한 구조면 가능하다. 모양도 기둥, 산, 반구형, 다각형 등의 다양한 형태를 채용할 수 있다.In addition, patterning of the growth substrate improves the light extraction efficiency by forming irregularities or slopes before or after the LED structure growth on the main surface (front surface or both sides) or side surfaces of the substrate. The size of the pattern can be selected from the range of 5 nm to 500 μm and it is possible to make a structure for improving the light extraction efficiency with a rule or an irregular pattern. Various shapes such as a shape, a column, a mountain, a hemisphere, and a polygon can be adopted.
상기 사파이어 기판의 경우, 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001과 4.758 이며, C면, A면, R면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.In the case of the sapphire substrate, the crystals having a hexagonal-rhombo-cubic (Hexa-Rhombo R3c) symmetry have lattice constants of 13.001 and 4.758 in the c-axis direction and the a-axis direction, respectively, and have C plane, A plane and R plane. In this case, the C-plane is relatively easy to grow the nitride film, and is stable at high temperature, and thus is mainly used as a substrate for nitride growth.
또한, 상기 성장용 기판의 다른 물질로는 Si 기판을 들 수 있으며, 대구경화에 보다 적합하고 상대적으로 가격이 낮아 양산성이 향상될 수 있다.Another material of the growth substrate is a Si substrate, which is more suitable for large-scale curing and relatively low in cost, so that mass productivity can be improved.
또한, 상기 실리콘(Si) 기판은 GaN계 반도체에서 발생하는 빛을 흡수하여 발광소자의 외부 양자 효율이 낮아지므로, 필요에 따라 상기 기판을 제거하고 반사층이 포함된 Si, Ge, SiAl, 세라믹, 또는 금속 기판 등의 지지기판을 추가로 형성하여 사용한다.In addition, since the silicon (Si) substrate absorbs light generated from the GaN-based semiconductor and the external quantum efficiency of the light emitting device is lowered, the substrate may be removed as necessary, and Si, Ge, SiAl, A support substrate such as a metal substrate is further formed and used.
상기 Si 기판과 같이 이종 기판상에 GaN 박막을 성장시킬 때, 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자 상수의 불일치로 인해 전위(dislocation) 밀도가 증가하고, 열팽창 계수 차이로 인해 균열(crack) 및 휨이 발생할 수 있다. 발광 적층체의 전위 및 균열을 방지하기 위한 목적으로 성장용 기판과 발광적층체 사이에 버퍼층을 배치시킬 수 있다. 상기 버퍼층은 활성층 성장시 기판의 휘는 정도를 조절해 웨이퍼의 파장 산포를 줄이는 기능도 한다.When a GaN thin film is grown on a different substrate such as the Si substrate, the dislocation density increases due to the lattice constant mismatch between the substrate material and the thin film material, and cracks and warpage Lt; / RTI > The buffer layer may be disposed between the growth substrate and the light emitting stack for the purpose of preventing dislocation and cracking of the light emitting stack. The buffer layer also functions to reduce the scattering of the wavelength of the wafer by adjusting the degree of warping of the substrate during the growth of the active layer.
여기서, 상기 버퍼층은 AlxInyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1), 특히 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, 또는 InGaNAlN를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 ZrB2, HfB2, ZrN, HfN, TiN 등의 물질도 사용할 수 있다. 또한, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.Here, the buffer layer may be made of Al x In y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, x + y? 1), in particular GaN, AlN, AlGaN, InGaN or InGaNAlN. Materials such as ZrB2, HfB2, ZrN, HfN and TiN can also be used as needed. Further, a plurality of layers may be combined, or the composition may be gradually changed.
또한, 상기 발광 소자(10)는, 플립칩 형태 이외에도 와이어나 범프나 패드나 솔더 등의 신호전달매체를 갖는 수평형 또는 수직형 칩들이 적용될 수 있다.The
또한, 상기 발광 소자(10)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 리드(20)의 하면에 설치될 수도 있고, 이외에도 상기 리드(20)에 복수개가 설치되는 것도 가능하다.1, the
또한, 상기 리드(20)는, 상기 발광 소자(10)와 전기적으로 연결되는 것으로서, 예를 들어서, 상기 리드(20)는, 절연 처리된 알루미늄, 구리, 아연, 주석, 납, 금, 은 등의 금속 리드 프레임 형태나 금속 기판이나 플레이트 형태의 기판들이 적용될 수 있다.The
여기서, 상기 리드(20)은, 예컨데, 도 1에 도시된 바와 같이, 제 1 리드(21) 및 상기 제 1 리드(21)와 이격 공간(A1)을 두고 설치되는 제 2 리드(22)를 포함할 수 있다. 이러한, 상기 이격 공간(A1)을 전극 분리선이라고도 할 수 있다.1, the
또한, 상기 제 1 리드(21) 및 상기 제 2 리드(22)는, 내부에 발광 소자 수용 공간(A2)이 형성될 수 있도록 각각 1차 절곡된 형상일 수 있다.The
여기서, 상기 이격 공간(A1)은 상방으로 향하는 빛의 출광 경로가 될 수 있고, 상기 발광 소자 수용 공간(A2)은 상기 발광 소자(10)의 일부 또는 전부를 수용할 수 있도록 적어도 상기 발광 소자(10)의 길이 보다 넓은 길이를 갖고, 상기 발광 소자(10)의 폭 보다 넓은 폭을 갖으며, 상기 발광 소자(10)의 두께 보다 두꺼운 높이를 갖는 공간일 수 있다.Here, the spacing space A1 may be an outgoing path of light directed upward, and the light emitting element accommodation space A2 may include at least the
또한, 상기 리드(20)의 절곡 과정은, 평평한 리드를 부분적으로 프레스나 펀치를 이용하여 절곡하거나 기타 다이캐스팅이나 금형에 의해서 성형하는 등 다양한 방법으로 절곡된 형태를 구현할 수 있다. The bending process of the
따라서, 상기 리드(20)는 상기 이격 공간(A1)을 이용하여 상기 발광 소자(10)에서 방출된 빛을 상방으로 유도할 수 있고, 1차 절곡된 상기 제 1 리드(21) 및 상기 제 2 리드(22)를 이용하여 내부에 상기 발광 소자 수용 공간(A2)을 형성함으로써 상기 발광 소자(10)를 외부의 충격이나 각종 스트레스로부터 견고하고 안전하게 보호할 수 있다. Accordingly, the
이를 위하여, 상기 리드(20)는, 상기 발광 소자(10)를 지지할 수 있도록 적당한 기계적 강도와 절연성을 갖는 재료나 전도성 재료로 제작될 수 있다.For this, the
이외에도, 상기 리드(20)는, 에폭시계 수지 시트를 다층 형성시킨 인쇄 회로 기판(PCB: Printed Circuit Board)일 수 있다. 또한, 상기 리드(20), 연성 재질의 플랙서블 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible Printed Circuit Board)일 수 있다.In addition, the
또한, 상기 리드(20)는, 레진, 글래스 에폭시 등의 합성 수지 기판이나, 열전도율을 고려하여 세라믹(ceramic) 기판이 적용될 수 있다.The
또한, 상기 리드(20)는, 가공성을 향상시키기 위해서 부분적 또는 전체적으로 적어도 EMC(Epoxy Mold Compound), PI(polyimide), 세라믹, 그래핀, 유리합성섬유 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 기판일 수 있다.The
한편, 상기 형광체(30)는, 상기 리드(20)와 상기 발광 소자(10)의 둘레를 둘러싸는 것으로서, 상기 발광 소자 수용 공간(A2)에 수용되어 상기 리드(20)와 전기적으로 연결된 상기 발광 소자(10) 및 상기 리드(20)의 둘레를 일체형으로 둘러싸는 형상일 수 있다.The
여기서, 상기 형광체(30)는, 상기 리드(20)와 함께 상기 발광 소자(10)를 견고하게 지지하고 보호할 수 있도록 적당한 기계적 강도와 절연성을 갖는 몰딩 수지 재료를 포함하여 이루어질 수 있다.The
더욱 구체적으로는, 상기 형광체(30)는, 형광 입자와 에폭시 등의 수지 재질인 바인더로 이루어질 수 있다.More specifically, the
여기서, 상기 형광체(30)의 형광 입자는 아래와 같은 조성식 및 컬러를 가질 수 있다.Here, the fluorescent particles of the
산화물계: 황색 및 녹색 Y3Al5O12:Ce, Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:CeOxide system: yellow and green Y3Al5O12: Ce, Tb3Al5O12: Ce, Lu3Al5O12: Ce
실리케이트계: 황색 및 녹색 (Ba,Sr)2SiO4:Eu, 황색 및 등색 (Ba,Sr)3SiO5:Ce(Ba, Sr) 2SiO4: Eu, yellow and orange (Ba, Sr) 3SiO5: Ce
질화물계: 녹색 β-SiAlON:Eu, 황색 L3Si6O11:Ce, 등색 α-SiAlON:Eu, 적색 CaAlSiN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, SrSiAl4N7:EuEu, Sr2Si5N8: Eu, SrSiAl4N7: Eu, Eu3O3: Eu, Eu3O3: Eu,
이러한, 상기 형광 입자의 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들 내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y은 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다, 또한 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제등이 추가로 적용될 수 있다.The composition of the fluorescent particles should basically correspond to stoichiometry, and each element may be substituted with another element in each group on the periodic table. For example, Sr can be substituted with Ba, Ca, Mg, etc. of the alkaline earth (II) group, and Y can be replaced with lanthanum series of Tb, Lu, Sc, Gd and the like. Ce, Tb, Pr, Er, Yb and the like, and the active agent may be used alone or as a negative active agent for the characteristic modification.
또한, 상기 형광 입자의 대체 물질로 양자점(Quantum Dot) 등의 물질들이 적용될 수 있으며, LED에 형광체와 QD를 혼합 또는 단독으로 사용될 수 있다.In addition, as a substitute for the fluorescent particles, materials such as a quantum dot can be applied, and a fluorescent material and QD can be mixed with LEDs or used alone.
QD는 CdSe, InP 등의 코어(3 ~ 10nm)와 ZnS, ZnSe 등의 쉘(0.5 ~ 2nm)및 코어, 쉘의 안정화를 위한 리간드(Ligand)의 구조로 구성될 수 있으며, 크기에 따라 다양한 칼라를 구현할 수 있다.QD can be composed of a core (3 to 10 nm) such as CdSe and InP, a shell (0.5 to 2 nm) such as ZnS and ZnSe, and a ligand for stabilizing the core and the shell. Can be implemented.
또한, 상기 형광체(30)는, 상기 바인더와 결합하여 금형 내에서 몰딩 성형될 수 있다. 이외에도, 상기 형광체(30) 또는 양자점(Quantum Dot)의 도포 방식도 가능하다.In addition, the
이러한, 도포 방식은 크게 LED 칩 또는 발광소자에 뿌리는 방식, 또는 막 형태로 덮는 방식, 필름 또는 세라믹 형광체 등의 시트 형태를 부착하는 방식 중 적어도 하나를 사용 할 수 있다.Such a coating method may use at least one of a method of being applied to an LED chip or a light emitting element, a method of covering a film form, a method of attaching a sheet form such as a film or a ceramic fluorescent substance, or the like.
뿌리는 방식으로는 디스펜싱, 스프레이 코팅 등이 일반적이며 디스펜싱은 공압방식과 스크류(Screw), 리니어 타입(Linear type) 등의 기계적 방식을 포함한다. 제팅(Jetting) 방식으로 미량 토출을 통한 도팅량 제어 및 이를 통한 색좌표 제어도 가능하다. 웨이퍼 레벨 또는 발광 소자 기판상에 스프레이 방식으로 형광체를 일괄 도포하는 방식은 생산성 및 두께 제어가 용이할 수 있다. Dispensing and spray coating are common methods of spraying, and dispensing includes mechanical methods such as pneumatic method and screw, linear type. It is also possible to control the amount of dyeing through a small amount of jetting by means of a jetting method and control the color coordinates thereof. The method of collectively applying the phosphor on the wafer level or the light emitting device substrate by the spray method can easily control productivity and thickness.
상기 발광 소자(10) 또는 LED 칩 위에 막 형태로 직접 덮는 방식은 전기영동, 스크린 프린팅 또는 형광체의 몰딩 방식으로 적용될 수 있으며 LED 칩 측면의 도포 유무 필요에 따라 해당 방식의 차이점을 가질 수 있다.The method of directly covering the
발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체 중 단파장에서 발광하는 광을 재 흡수하는 장파장 발광 형광체의 효율을 제어하기 위하여 발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체층을 구분할 수 있으며, LED 칩과 형광체 2종 이상의 파장 재흡수 및 간섭을 최소화하기 위하여 각 층 사이에 DBR(ODR)층을 포함 할 수 있다.In order to control the efficiency of the long-wavelength light-emitting phosphor that reabsers light emitted from a short wavelength among two or more kinds of phosphors having different emission wavelengths, two or more kinds of phosphor layers having different emission wavelengths can be distinguished. A DBR (ODR) layer may be included between each layer to minimize absorption and interference.
균일 도포막을 형성하기 위하여 형광체를 필름 또는 세라믹 형태로 제작 후 LED 칩 또는 발광 소자 위에 부착할 수 있다. In order to form a uniform coating film, the phosphor may be formed into a film or ceramic form and then attached onto the LED chip or the light emitting device.
광 효율, 배광 특성에 차이점을 주기 위하여 리모트 형식으로 광변환 물질을 위치할 수 있으며, 이 때 광변환 물질은 내구성, 내열성에 따라 투광성 고분자, 유리등의 물질 등과 함께 위치한다.In order to make a difference in light efficiency and light distribution characteristics, a photoelectric conversion material may be located in a remote format. In this case, the photoelectric conversion material is located together with a transparent polymer, glass, or the like depending on its durability and heat resistance.
이러한, 상기 형광체 도포 기술은 발광 소자에서 광특성을 결정하는 가장 큰 역할을 하게 되므로, 형광체 도포층의 두께, 형광체 균일 분산 등의 제어 기술들이 다양하게 연구되고 있다. QD 또한 형광체와 동일한 방식으로 LED 칩 또는 발광 소자에 위치할 수 있으며, 유리 또는 투광성 고분자 물질 사이에 위치하여 광 변환을 할 수 있다.Since the phosphor coating technique plays a major role in determining the optical characteristics in the light emitting device, control techniques such as the thickness of the phosphor coating layer and the uniform dispersion of the phosphor have been studied variously. QD can also be placed in the LED chip or the light emitting element in the same manner as the phosphor, and can be positioned between the glass or translucent polymer material for light conversion.
또한, 예를 들어서, 상기 형광체(30)의 상기 바인더는, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.Further, for example, the binder of the
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자(10)는, 상기 이격 공간(A1)을 통해서 빛을 방출할 수 있도록 제 1 출광면(10-1)이 상기 이격 공간(A1)을 향하고, 상기 제 1 출광면(10-1)의 양단부에 제 1 전극(11) 및 제 2 전극(12)이 형성되는 플립칩 또는 수평형 형태의 LED일 수 있다.2, the
여기서, 상기 발광 소자(10)는, 상기 제 1 출광면(10-1)의 반대면에 제 2 출광면(10-2)이 형성되는 양방향 발광 소자일 수 있다.Here, the
이외에도, 상기 발광 소자(10)는, 상기 제 1 출광면(10-1) 및 상기 제 2 출광면(10-2)과 함께, 4개의 측면에서도 빛이 방출되는 전방향 발광 소자일 수 있다.In addition, the
더욱 구체적으로 예를 들면, 이러한 상기 양방향 발광 소자는 성장 기판인 사파이어 기판을 절삭하거나 절단한 형태의 플립칩 LED일 수 있다.More specifically, for example, the bi-directional light emitting device may be a flip-chip LED in which a sapphire substrate as a growth substrate is cut or cut.
따라서, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛의 일부는 상기 제 1 출광면(10-1)을 통해서 상방으로 방출되고, 상기 이격 공간(A1)에 설치된 상기 형광체(30)에 의해서 백색광으로 변환되어 외부로 발산될 수 있다.Therefore, a part of the light generated in the
동시에 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛의 다른 일부는 상기 제 2 출광면(10-2)을 통해서 하방으로 방출되고, 상기 발광 소자 수용 공간(A2)에 설치된 상기 형광체(30)에 의해서 백색광으로 변환되어 외부로 발산될 수 있다.At the same time, another part of the light emitted from the
이 때, 예를 들면, 상기 발광 소자(10)가 청색 LED이고, 상기 형광체(30)에 포함된 형광 입자가 청색 파장의 빛을 황색으로 변환할 수 있는 옐로우 형광 입자인 경우, 상기 발광 소자(10)에서 발생되는 청색 파장의 빛의 일부는 상기 형광체(20)를 그대로 통과하여 청색 파장의 빛으로 방출되고, 동시에 상기 발광 소자(10)에서 발생되는 청색 파장의 빛의 다른 일부는 상기 형광체(20)의 형광 입자와 반응하여 황색 파장의 빛으로 변환되어 방출되기 때문에 상기 청색 파장의 빛과 상기 황색 파장의 빛이 혼합되어 백색광이 형성될 수 있다. 물론, 상기 발광 소자(10)는 청색 LED에 국한되지 않고, 적색 LED나 녹색 LED일 수 있고, 상기 형광체(30)에 포함된 형광 입자 역시, 옐로우 형광 입자는 물론, 적색 형광 입자, 녹색 형광 입자, 청색 형광 입자 등 다양한 형태의 형광 입자일 수 있다.In this case, for example, when the
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 리드(21)는, 제 1 연장 리드(21-1)와, 제 1 절곡 리드(21-2) 및 제 1 노출 리드(21-3)를 포함할 수 있다.2, the
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 제 1 연장 리드(21-1)는, 상기 발광 소자(10)의 제 1 전극(11)과 전기적으로 연결되고, 상기 발광 소자(10)의 길이 방향으로 연장되는 부재일 수 있다.More specifically, for example, the first extension lead 21-1 is electrically connected to the
또한, 상기 제 1 절곡 리드(21-2)는, 제 1 연장 리드(21-1) 및 상기 제 1 연장 리드(21-1)와 연결되고, 상기 제 1 연장 리드(21-1)를 기준으로 1차 절곡된 형상의 부재일 수 있다.The first bent lead 21-2 is connected to the first extended lead 21-1 and the first extended lead 21-1 and the first extended lead 21-1 is connected to the reference As shown in Fig.
또한, 상기 제 1 노출 리드(21-3)는, 상기 제 1 절곡 리드(21-2)와 연결되고, 상기 형광체(30)의 외부로 노출되며, 상기 제 1 절곡 리드(21-2)를 기준으로 2차 절곡된 형상의 부재일 수 있다.The first exposed leads 21-3 are connected to the first bending leads 21-2 and are exposed to the outside of the
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 리드(22)는, 제 2 연장 리드(22-1)와, 제 2 절곡 리드(22-2) 및 제 2 노출 리드(22-3)를 포함할 수 있다.2, the
이러한, 상기 제 2 연장 리드(22-1)는, 상기 발광 소자(10)의 제 2 전극(12)과 전기적으로 연결되고, 상기 발광 소자(10)의 길이 방향으로 연장되는 부재일 수 있다.The second extension lead 22-1 may be a member electrically connected to the
또한, 상기 제 2 절곡 리드(22-2)는, 제 2 연장 리드(22-1) 및 상기 제 2 연장 리드(22-1)와 연결되고, 상기 제 2 연장 리드(22-1)를 기준으로 1차 절곡된 형상의 부재일 수 있다.The second bent lead 22-2 is connected to the second extended lead 22-1 and the second extended lead 22-1 and the second extended lead 22-1 is connected to the reference As shown in Fig.
또한, 상기 제 2 노출 리드(22-3)는, 상기 제 2 절곡 리드(22-2)와 연결되고, 상기 형광체(30)의 외부로 노출되며, 상기 제 2 절곡 리드(22-2)를 기준으로 2차 절곡된 형상의 부재일 수 있다.The second exposed lead 22-3 is connected to the second bent lead 22-2 and is exposed to the outside of the
따라서, 상기 제 1 연장 리드(21-1)와, 상기 제 1 절곡 리드(21-2)와, 상기 제 2 연장 리드(22-1) 및 상기 제 2 절곡 리드(22-2)는 상기 발광 소자(10)를 보호할 수 있도록 상기 발광 소자(10)의 주변을 둘러싸는 형상이고, 여기에 상기 형광체(30)가 상기 제 1 연장 리드(21-1)와, 상기 제 1 절곡 리드(21-2)와, 상기 제 2 연장 리드(22-1)와 상기 제 2 절곡 리드(22-2) 및 상기 발광 소자(10)의 둘레를 둘러싸는 형상이기 때문에 별도의 화이트 몰딩재가 없더라도 상기 발광 소자(10)를 견고하게 지지할 수 있고, 상기 형광체(30)가 상기 발광 소자(10)의 모든 방향에 형성되기 때문에 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛을 효율적으로 변환하여 고품질, 고휘도, 고광량의 백색광을 모든 방향에서 구현할 수 있다. Therefore, the first extension lead 21-1, the first bending lead 21-2, the second extension lead 22-1, and the second bending lead 22-2 are electrically connected to the light emission The
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 노출 리드(21-3) 및 상기 제 2 노출 리드(22-3)는, 외부의 단자들과 연결될 수 있도록 상기 형광체(30)의 하면 방향으로 절곡될 수 있다.2, the first exposed lead 21-3 and the second exposed lead 22-3 are connected to external terminals in a direction of the bottom surface of the
도 4는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(200)를 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a phosphor encapsulation type light emitting
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(200)는, 상기 제 1 노출 리드(21-3) 및 상기 제 2 노출 리드(22-3)가, 외부의 단자들과 연결될 수 있도록 상기 형광체(30)의 외측 방향으로 절곡될 수 있다. 이러한, 상기 제 1 노출 리드(21-3) 및 상기 제 2 노출 리드(22-3)의 절곡 방향은 외부의 단자들의 형태나 종류나 위치 등에 따라 달라질 수 있다.4, the phosphor encapsulation type light emitting
도 5는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(300)를 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a phosphor encapsulation type light emitting
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(300)는, 상기 제 1 리드(21) 및 상기 제 2 리드(22) 사이에 복수개의 발광 소자(40)(50)(60)들이 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 상기 발광 소자(40)(50)(60)들은 서로 다른 파장의 빛을 발생시킬 수 있고, 도시하지 않았지만, 상기 발광 소자(40)(50)(60)들은 복수개의 상기 제 1 리드(21) 및 복수개의 상기 제 2 리드(22)들과 각각 개별적으로 연결될 수 있다. 5, a phosphor encapsulation type light emitting
따라서, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(300)는 멀티칩 형태의 패키지를 구현할 수 있다. 그러므로, 다양한 조합으로 다양한 파장 및 다양한 광량의 빛을 재생할 수 있다.Accordingly, the phosphor encapsulation type light emitting
도 6은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(400)를 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a phosphor encapsulation type light emitting
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(400)는, 상기 형광체(30)를 둘러싸는 투광체(70)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 투광체(70)는 몰딩 또는 다양한 방식으로 도포될 수 있고, 투명한 재질의 유리나, 아크릴이나, 실리콘이나, 에폭시 수지나, 실리콘 수지나, 폴리이미드 수지, 폴리프로필렌 수지 등의 수지가 적용될 수 있다.6, the phosphor encapsulation type light emitting
따라서, 상기 투광체(70)를 이용하여 상기 형광체(30)를 보호할 수 있고, 상기 형광체(30)의 변성이나 변형을 방지할 수 있다.Therefore, the
도 7 및 도 8은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.FIGS. 7 and 8 are cross-sectional views illustrating steps of manufacturing a phosphor-encapsulated light emitting
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정을 설명하면, 먼저, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 리드(20)와 상기 발광 소자(10)를 금형(1)(2) 내부의 캐비티(C)에 삽입할 수 있다. 여기서, 상기 금형(1)(2)은, 성형 대상물의 하부에 설치되는 제 1 금형(1) 및 상기 제 1 금형(1)과 형폐될 수 있고, 상기 성형 대상물의 상부에 설치되는 제 2 금형(2)을 포함할 수 있다.7 and 8, a manufacturing process of the phosphor encapsulation type light emitting
이어서, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 금형(1)(2)을 형폐하고, 상기 금형(1)(2)의 캐비티(C)에 형광체 소재(M)를 몰딩 성형할 수 있다.Next, as shown in Fig. 8, the
따라서, 한번의 몰딩 작업만으로도 상기 형광체(30)를 상기 발광 소자(10)의 전면에 몰딩하여 패키지의 전체 외관을 성형할 수 있어서, 작업 공수 및 시간을 줄여서 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.Therefore, the entire appearance of the package can be formed by molding the
이러한, 상기 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(100)는, 상술된 인서트 사출 성형 방법 이외에도 형광체 도포 방법이나, 디스펜싱 방법이나, 도팅 방법이나, 프린팅 방법 등 다양한 방법으로 제조될 수 있다.The phosphor encapsulation type light emitting
도 9는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛을 나타내는 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to some embodiments of the present invention.
도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛은, 발광 소자(10)와, 상기 발광 소자(10)와 전기적으로 연결되는 리드(20)와, 상기 리드(20)와 상기 발광 소자(10)의 둘레를 둘러싸는 형광체(30) 및 상기 발광 소자(10)의 광 경로에 설치되는 도광판(80)을 포함하고, 상기 리드(20)는, 제 1 리드(21) 및 상기 제 1 리드(21)와 이격 공간(A1)을 두고 설치되는 제 2 리드(22)를 포함하고, 상기 제 1 리드(21) 및 상기 제 2 리드(22)는, 내부에 상기 발광 소자 수용 공간(A2)이 형성될 수 있도록 각각 1차 절곡된 형상이며, 상기 형광체(30)는, 상기 발광 소자 수용 공간(A2)에 수용되어 상기 리드(20)와 전기적으로 연결된 상기 발광 소자(10) 및 상기 리드(20)의 둘레를 일체형으로 둘러싸는 형상일 수 있다.9, the backlight unit according to some embodiments of the present invention includes a
여기서, 상기 발광 소자(10)와, 상기 리드(20) 및 상기 형광체(30)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상술된 본 발명의 일부 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(100)의 구성 요소들과 그 역할 및 구성이 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.1, the
또한, 상기 도광판(80)은, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛을 유도할 수 있도록 투광성 재질로 제작될 수 있는 광학 부재일 수 있다.In addition, the
이러한, 상기 도광판(80)은, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛의 경로에 설치되어, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛을 보다 넓은 면적으로 전달할 수 있다.The
이러한, 상기 도광판(80)은, 그 재질이 폴리카보네이트 계열, 폴리술폰계열, 폴리아크릴레이트 계열, 폴리스틸렌계, 폴리비닐클로라이드계, 폴리비닐알코올계, 폴리노르보넨 계열, 폴리에스테르 등이 적용될 수 있고, 이외에도 각종 투광성 수지 계열의 재질이 적용될 수 있다. 또한, 상기 도광판(80)은, 표면에 미세 패턴이나 미세 돌기나 확산막등을 형성하거나, 내부에 미세 기포를 형성하는 등 다양한 방법으로 이루어질 수 있다.The
여기서, 도시하지 않았지만, 상기 도광판(80)의 상방에는 각종 확산 시트, 프리즘 시트, 필터 등이 추가로 설치될 수 있다. 또한, 상기 도광판(80)의 상방에는 LCD 패널 등 각종 디스플레이 패널이 설치될 수 있다.Although not shown, various diffusion sheets, prism sheets, filters, and the like may be additionally provided above the
한편, 도시하지 않았지만, 본 발명은 상술된 상기 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(100)를 포함하는 조명 장치를 포함할 수 있다. 여기서, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 상기 조명 장치의 구성 요소들은 상술된 본 발명의 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(100)의 그것들과 구성과 역할이 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.Although not shown, the present invention may include a lighting device including the above-mentioned phosphor-sealed light emitting
도 10은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(100)의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.10 is a flowchart showing a method of manufacturing a phosphor-encapsulated light emitting
도 1 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 형광체 봉지형 발광 소자 패키지(100)의 제조 방법은, 내부에 발광 소자 수용 공간(A2)이 형성될 수 있도록 제 1 리드(21) 및 제 2 리드(22)를 절곡하고, 이격 공간(A1)을 두고 상기 제 1 리드(21) 및 상기 제 2 리드(22)를 배치하여 리드(10)를 준비하는 단계(S1)과, 이어서, 상기 발광 소자 수용 공간(A2)에 상기 발광 소자(10)를 안착시키고, 상기 발광 소자(10)와 상기 리드(20)를 전기적으로 연결하는 단계(S2) 및 상기 리드(20)와 상기 발광 소자(10)의 둘레에 형광체(30)를 설치하는 단계(S3)를 포함할 수 있다.1 to 10, a method of manufacturing a phosphor-encapsulated light emitting
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 발광 소자(10)를 안착시키는 단계(S2)는, 상기 발광 소자(10)에 도전성 패이스트를 도포하여 상기 리드(20)와 전기적으로 연결할 수 있다.More specifically, for example, the step S2 of mounting the
또한, 상기 형광체(30)를 설치하는 단계(S3)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 리드(20)와 상기 발광 소자(10)를 금형(1)(2) 내부의 캐비티(C)에 삽입하고, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 금형(1)(2)의 캐비티(C)에 형광체 소재(M)를 몰딩 성형하는 것일 수 있다.7, the
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
1, 2: 금형
C: 캐비티
M: 형광체 소재
10, 40, 50, 60: 발광 소자
20: 리드
21: 제 1 리드
22: 제 2 리드
30: 형광체
A1: 이격 공간
A2: 발광 소자 수용 공간
70: 투광체
80: 도광판
100: 형광체 봉지형 발광 소자 패키지1, 2: Mold
C: cavity
M: phosphor material
10, 40, 50, 60: light emitting element
20: Lead
21: first lead
22: second lead
30: Phosphor
A1: Spacing space
A2: Space for accommodating the light emitting element
70: Transparent body
80: light guide plate
100: Phosphor encapsulant type light emitting device package
Claims (10)
상기 발광 소자와 전기적으로 연결되는 리드; 및
상기 리드와 상기 발광 소자의 둘레를 둘러싸는 형광체;
를 포함하고,
상기 리드는,
제 1 리드; 및 상기 제 1 리드와 이격 공간을 두고 설치되는 제 2 리드;를 포함하고,
상기 제 1 리드 및 상기 제 2 리드는, 내부에 발광 소자 수용 공간이 형성될 수 있도록 각각 1차 절곡된 형상이며,
상기 형광체는, 상기 발광 소자 수용 공간에 수용되어 상기 리드와 전기적으로 연결된 상기 발광 소자 및 상기 리드의 둘레를 일체형으로 둘러싸는 형상이고,
상기 제 1 리드는,
상기 발광 소자의 제 1 전극과 전기적으로 연결되고 상기 발광 소자의 길이 방향으로 연장되되 상기 형광체에 매립되는 제 1 연장 리드; 및
상기 제 1 연장 리드와 연결되고, 상기 제 1 연장 리드를 기준으로 1차 절곡된 형상의 제 1 절곡 리드;를 포함하고,
상기 제 2 리드는,
상기 발광 소자의 제 2 전극과 전기적으로 연결되고 상기 발광 소자의 길이 방향으로 연장되되 상기 형광체에 매립되는 제 2 연장 리드; 및
상기 제 2 연장 리드와 연결되고, 상기 제 2 연장 리드를 기준으로 1차 절곡된 형상의 제 2 절곡 리드;를 포함하는, 형광체 봉지형 발광 소자 패키지.A light emitting element;
A lead electrically connected to the light emitting element; And
A phosphor surrounding the lead and the periphery of the light emitting element;
Lt; / RTI >
The lead includes:
A first lead; And a second lead installed with a space between the first lead and the first lead,
The first lead and the second lead are each in a shape that is first bent to form a light emitting element accommodating space therein,
Wherein the phosphor has a shape that integrally surrounds the periphery of the light emitting element and the lead which are housed in the light emitting element accommodating space and are electrically connected to the lead,
The first lead may be formed,
A first elongated lead electrically connected to the first electrode of the light emitting element and extending in the longitudinal direction of the light emitting element, the first elongated lead being embedded in the phosphor; And
And a first bent lead connected to the first extended lead and having a first bent shape with respect to the first extended lead,
And the second lead has,
A second elongated lead electrically connected to the second electrode of the light emitting element and extending in the longitudinal direction of the light emitting element, the second elongated lead being embedded in the phosphor; And
And a second bending lead connected to the second extension lead and having a first bent shape with respect to the second extension lead.
상기 발광 소자는, 상기 이격 공간을 통해서 빛을 방출할 수 있도록 제 1 출광면이 상기 이격 공간을 향하고, 상기 제 1 출광면의 양단부에 제 1 전극 및 제 2 전극이 형성되는 플립칩 또는 수평형 형태의 LED인, 형광체 봉지형 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
The light emitting device may include a flip chip having a first light emitting surface facing the spacing space to emit light through the spacing space and a first electrode and a second electrode formed on both ends of the first light emitting surface, Wherein the light emitting device package comprises a light emitting diode package.
상기 발광 소자는, 상기 제 1 출광면의 반대면에 제 2 출광면이 형성되는 양방향 발광 소자인, 형광체 봉지형 발광 소자 패키지.3. The method of claim 2,
Wherein the light emitting device is a bidirectional light emitting device in which a second light emitting surface is formed on a surface opposite to the first light emitting surface.
상기 제 1 리드는,
상기 제 1 절곡 리드와 연결되고, 상기 형광체의 외부로 노출되며, 상기 제 1 절곡 리드를 기준으로 2차 절곡된 형상의 제 1 노출 리드;를 더 포함하고,
상기 제 2 리드는,
상기 제 2 절곡 리드와 연결되고, 상기 형광체의 외부로 노출되며, 상기 제 2 절곡 리드를 기준으로 2차 절곡된 형상의 제 2 노출 리드;를 더 포함하는, 형광체 봉지형 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
The first lead may be formed,
And a first exposed lead connected to the first bent lead and exposed to the outside of the phosphor and having a second bent shape with respect to the first bent lead,
And the second lead has,
And a second exposed lead connected to the second bent lead and exposed to the outside of the phosphor and having a second bent shape with respect to the second bent lead.
상기 제 1 노출 리드 및 상기 제 2 노출 리드는, 상기 형광체의 하면 방향 또는 상기 형광체의 외측 방향으로 절곡되는 것인, 형광체 봉지형 발광 소자 패키지.6. The method of claim 5,
Wherein the first exposed lead and the second exposed lead are bent in the lower direction of the phosphor or in an outward direction of the phosphor.
상기 발광 소자와 전기적으로 연결되는 리드;
상기 리드와 상기 발광 소자의 둘레를 둘러싸는 형광체; 및
상기 발광 소자의 광 경로에 설치되는 도광판;
을 포함하고,
상기 리드는,
제 1 리드; 및 상기 제 1 리드와 이격 공간을 두고 설치되는 제 2 리드;를 포함하고,
상기 제 1 리드 및 상기 제 2 리드는, 내부에 발광 소자 수용 공간이 형성될 수 있도록 각각 1차 절곡된 형상이며,
상기 형광체는, 상기 발광 소자 수용 공간에 수용되어 상기 리드와 전기적으로 연결된 상기 발광 소자 및 상기 리드의 둘레를 일체형으로 둘러싸는 형상이고,
상기 제 1 리드는,
상기 발광 소자의 제 1 전극과 전기적으로 연결되고 상기 발광 소자의 길이 방향으로 연장되되 상기 형광체에 매립되는 제 1 연장 리드; 및
상기 제 1 연장 리드와 연결되고, 상기 제 1 연장 리드를 기준으로 1차 절곡된 형상의 제 1 절곡 리드;를 포함하고,
상기 제 2 리드는,
상기 발광 소자의 제 2 전극과 전기적으로 연결되고 상기 발광 소자의 길이 방향으로 연장되되 상기 형광체에 매립되는 제 2 연장 리드; 및
상기 제 2 연장 리드와 연결되고, 상기 제 2 연장 리드를 기준으로 1차 절곡된 형상의 제 2 절곡 리드;를 포함하는, 백라이트 유닛.A light emitting element;
A lead electrically connected to the light emitting element;
A phosphor surrounding the lead and the periphery of the light emitting element; And
A light guide plate installed in an optical path of the light emitting element;
/ RTI >
The lead includes:
A first lead; And a second lead installed with a space between the first lead and the first lead,
The first lead and the second lead are each in a shape that is first bent to form a light emitting element accommodating space therein,
Wherein the phosphor has a shape that integrally surrounds the periphery of the light emitting element and the lead which are housed in the light emitting element accommodating space and are electrically connected to the lead,
The first lead may be formed,
A first elongated lead electrically connected to the first electrode of the light emitting element and extending in the longitudinal direction of the light emitting element, the first elongated lead being embedded in the phosphor; And
And a first bent lead connected to the first extended lead and having a first bent shape with respect to the first extended lead,
And the second lead has,
A second elongated lead electrically connected to the second electrode of the light emitting element and extending in the longitudinal direction of the light emitting element, the second elongated lead being embedded in the phosphor; And
And a second bent lead connected to the second extended lead and having a first bent shape with respect to the second extended lead.
상기 발광 소자와 전기적으로 연결되는 리드; 및
상기 리드와 상기 발광 소자의 둘레를 둘러싸는 형광체;
를 포함하고,
상기 리드는,
제 1 리드; 및 상기 제 1 리드와 이격 공간을 두고 설치되는 제 2 리드;를 포함하고,
상기 제 1 리드 및 상기 제 2 리드는, 내부에 발광 소자 수용 공간이 형성될 수 있도록 각각 1차 절곡된 형상이며,
상기 형광체는, 상기 발광 소자 수용 공간에 수용되어 상기 리드와 전기적으로 연결된 상기 발광 소자 및 상기 리드의 둘레를 일체형으로 둘러싸는 형상이고,
상기 제 1 리드는,
상기 발광 소자의 제 1 전극과 전기적으로 연결되고 상기 발광 소자의 길이 방향으로 연장되되 상기 형광체에 매립되는 제 1 연장 리드; 및
상기 제 1 연장 리드와 연결되고, 상기 제 1 연장 리드를 기준으로 1차 절곡된 형상의 제 1 절곡 리드;를 포함하고,
상기 제 2 리드는,
상기 발광 소자의 제 2 전극과 전기적으로 연결되고 상기 발광 소자의 길이 방향으로 연장되되 상기 형광체에 매립되는 제 2 연장 리드; 및
상기 제 2 연장 리드와 연결되고, 상기 제 2 연장 리드를 기준으로 1차 절곡된 형상의 제 2 절곡 리드;를 포함하는, 조명 장치.A light emitting element;
A lead electrically connected to the light emitting element; And
A phosphor surrounding the lead and the periphery of the light emitting element;
Lt; / RTI >
The lead includes:
A first lead; And a second lead installed with a space between the first lead and the first lead,
The first lead and the second lead are each in a shape that is first bent to form a light emitting element accommodating space therein,
Wherein the phosphor has a shape that integrally surrounds the periphery of the light emitting element and the lead which are housed in the light emitting element accommodating space and are electrically connected to the lead,
The first lead may be formed,
A first elongated lead electrically connected to the first electrode of the light emitting element and extending in the longitudinal direction of the light emitting element, the first elongated lead being embedded in the phosphor; And
And a first bent lead connected to the first extended lead and having a first bent shape with respect to the first extended lead,
And the second lead has,
A second elongated lead electrically connected to the second electrode of the light emitting element and extending in the longitudinal direction of the light emitting element, the second elongated lead being embedded in the phosphor; And
And a second bent lead connected to the second extended lead and having a first bent shape with respect to the second extended lead.
상기 발광 소자 수용 공간에 상기 발광 소자를 안착시키고, 상기 발광 소자와 상기 리드를 전기적으로 연결하는 단계; 및
상기 리드와 상기 발광 소자의 둘레에 형광체를 설치하는 단계;
를 포함하고,
상기 제 1 리드는,
상기 발광 소자의 제 1 전극과 전기적으로 연결되고 상기 발광 소자의 길이 방향으로 연장되되 상기 형광체에 매립되는 제 1 연장 리드; 및
상기 제 1 연장 리드와 연결되고, 상기 제 1 연장 리드를 기준으로 1차 절곡된 형상의 제 1 절곡 리드;를 포함하고,
상기 제 2 리드는,
상기 발광 소자의 제 2 전극과 전기적으로 연결되고 상기 발광 소자의 길이 방향으로 연장되되 상기 형광체에 매립되는 제 2 연장 리드; 및
상기 제 2 연장 리드와 연결되고, 상기 제 2 연장 리드를 기준으로 1차 절곡된 형상의 제 2 절곡 리드;를 포함하는, 형광체 봉지형 발광 소자 패키지의 제조 방법.Bending the first lead and the second lead so that the light emitting element accommodating space can be formed therein, and arranging the first lead and the second lead with a spacing space to prepare a lead;
Placing the light emitting element in the light emitting element accommodating space, and electrically connecting the light emitting element and the lead; And
Providing a phosphor around the lead and the light emitting element;
Lt; / RTI >
The first lead may be formed,
A first elongated lead electrically connected to the first electrode of the light emitting element and extending in the longitudinal direction of the light emitting element, the first elongated lead being embedded in the phosphor; And
And a first bent lead connected to the first extended lead and having a first bent shape with respect to the first extended lead,
And the second lead has,
A second elongated lead electrically connected to the second electrode of the light emitting element and extending in the longitudinal direction of the light emitting element, the second elongated lead being embedded in the phosphor; And
And a second bending lead connected to the second extension lead and having a first bent shape with respect to the second extension lead.
상기 발광 소자 수용 공간에 상기 발광 소자를 안착시키고, 상기 발광 소자와 상기 리드를 전기적으로 연결하는 단계는,
상기 발광 소자에 도전성 패이스트를 도포하여 상기 리드와 전기적으로 연결하고,
상기 리드와 상기 발광 소자의 둘레에 형광체를 설치하는 단계는,
상기 리드와 상기 발광 소자를 금형 내부의 캐비티에 삽입하고, 상기 금형의 캐비티에 형광체 소재를 몰딩 성형하는 것인, 형광체 봉지형 발광 소자 패키지의 제조 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the step of placing the light emitting element in the light emitting element accommodating space and electrically connecting the light emitting element and the lead includes:
A conductive paste is applied to the light emitting element and electrically connected to the lead,
The step of providing the phosphor around the lead and the light emitting element may include:
Wherein the lead and the light emitting element are inserted into a cavity inside a mold, and a phosphor material is molded in a cavity of the mold.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |