KR20150020117A - Material for cu alloy target, cu alloy target, cu alloy film and touch panel - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a material for a Cu alloy target. The material for the Cu alloy target comprising comprises Zn of 0.1-10.0 at%, at least one element selected from a group consisting of Mg, Cr, Ca, Ti, Al, Sn, Ni, and B to be 0.1-6.0 at% in the total content, and the balance being Cu and inevitable impurities (1). And the material for the Cu alloy target is used in a target for forming a Cu alloy to be used in a sensor electrode of a touch panel and/or wiring (2).

Description

Cu합금 타겟용 재료, Cu합금 타겟, Cu합금막 및 터치패널{MATERIAL FOR CU ALLOY TARGET, CU ALLOY TARGET, CU ALLOY FILM AND TOUCH PANEL}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a Cu alloy target, a Cu alloy target, a Cu alloy film, and a touch panel,

본 발명은, Cu합금 타겟용 재료, Cu합금 타겟, Cu합금막 및 터치패널에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 전기비저항이 낮고, 수지 기판과의 밀착성이 우수한 Cu합금막을 제조하기 위한 Cu합금 타겟용 재료 및 Cu합금 타겟, 및 이와 같은 Cu합금 타겟을 사용하여 제조되는 Cu합금막 및 터치패널에 관한 것이다.The present invention relates to a Cu alloy target material, a Cu alloy target, a Cu alloy film and a touch panel, and more particularly, to a Cu alloy target for forming a Cu alloy film having low electrical resistivity and excellent adhesion to a resin substrate A Cu alloy target, and a Cu alloy film and a touch panel manufactured using such a Cu alloy target.

화면 표시 장치의 전면에 배치된 센서에 의해 화상 표시 화면 내에서 입력이 가능한 터치패널은, 사용이 편리하기 때문에 은행의 ATM이나 매표기, 자동차 네비게이션, PDA, 복사기의 조작 화상 등에 더불어, 최근에서는 휴대전화나 태블릿PC에 이르기까지 다양한 화면 장치에서 사용이 확대되고 있다. 그 방식으로서는, 저항막 방식, 정전용량 방식, 광학식, 초음파 표면 탄성파 방식, 압전 방식 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 정전용량 방식은, 멀티터치가 가능하고 응답성이 우수하고, 저비용성 등으로부터 휴대전화나 태블릿PC 등에서 사용된다.Since the touch panel capable of being input in the image display screen by the sensor disposed on the front surface of the screen display device is convenient to use, in addition to the ATM of a bank, a ticket reader, a car navigation system, a PDA, And tablet PCs. Examples of the method include a resistance film method, a capacitance method, an optical method, an ultrasonic surface acoustic wave method, and a piezoelectric method. Among them, the electrostatic capacity type is used in a portable telephone or a tablet PC because of multi-touch capability, excellent response, low cost, and the like.

정전용량 방식의 터치패널의 센서는, 유리 기판, 필름 기판, 유기막, SiO2막 등을 통해 2종류의 투명 도전막(센서)이 직교하는 구조로 되어 있다. 이 중에서도, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 등의 수지계 필름 기판은 취급이 쉬운점에서 우수하다. 손가락을 접근시키는 것으로 센서인 도전막 사이의 정전용량이 변화하고, 터치된 곳이 검지된다. 투명 도전막은, 전기비저항이 높은 것과, 베이스 기판과의 밀착이 문제가 된다.The sensor of the capacitive touch panel has a structure in which two kinds of transparent conductive films (sensors) are orthogonal to each other through a glass substrate, a film substrate, an organic film, and an SiO 2 film. Of these, resin-based film substrates such as polyethylene terephthalate (PET) are excellent in ease of handling. As the finger approaches, the electrostatic capacitance between the conductive films as the sensor changes, and the touched place is detected. The transparent conductive film has a high electrical resistivity and a close contact with the base substrate.

현재 상황의 투명 도전막에서는 전기비저항이 크기 때문에, 화면의 대형화가 곤란하다. 이는, 같은 전기비저항에서는 화면이 대형화됐을 때, 투명 도전막으로부터의 정전용량의 변화를 검지하는 시간이 길어지기 때문이다.In the current state of the transparent conductive film, since the electrical resistivity is large, it is difficult to enlarge the screen. This is because, in the same electrical resistivity, when the screen is enlarged, the time for detecting the change in capacitance from the transparent conductive film becomes longer.

또한, 투명 전극에 의한 센서에서는, 투명 전극층 이외에 밀착층, 도전층, 배리어층의 성막과 에칭을 반복할 필요가 있고, 성막 장치의 제약과 공수의 복잡화가 문제가 되기 때문에, 비용이 높아지고, 또한 제조자에게도 큰 제약이 가해진다. 나아가, ITO는 고가이기 때문에, 저렴한 재료계가 요구되고 있다.Further, in the case of a sensor using a transparent electrode, it is necessary to repeat the deposition and etching of the adhesion layer, the conductive layer, and the barrier layer in addition to the transparent electrode layer, There are also great constraints on the manufacturer. Furthermore, since ITO is expensive, an inexpensive material system is required.

여기서, 센서와 도전층의 역할을 겸할 수 있는 합금막이 주목받고 있다. 이는 투명 도전막 대신에, 합금막을 성막하고, 화상 표시 장치 전면의 부분은 눈에 보이지 않는 정도의 선폭(메쉬·패턴)으로 하는 것에 의해 투명 전극을 대신하는 센서와 도전층으로서의 역할을 동시에 하는 것이다. 기판과의 밀착성이 우수한 합금이면, 밀착층도 불필요해지고, 합금 1층의 성막과 에칭으로 제조가 가능하기 때문에, 제조 공정이 대폭으로 단축될 수 있다.Here, an alloy film capable of serving also as a sensor and a conductive layer has attracted attention. This is because, instead of the transparent conductive film, an alloy film is formed, and a part of the front face of the image display device is made to have a line width (mesh pattern) of an invisible extent to serve as a sensor and a conductive layer instead of the transparent electrode . If the alloy is excellent in adhesion to the substrate, the adhesion layer is also unnecessary, and the manufacturing process can be greatly shortened because the film can be manufactured by film formation and etching of one alloy layer.

메쉬의 금속으로서는, Ag, Al, Cu계의 금속 및 합금을 들 수 있다. Ag는 재료의 비용이 높은 것이 문제가 되고, Al은 전기비저항이 Ag, Cu에 비해 높다. 또한, 열처리에 의한 반사율의 저감이 곤란하다. 나아가, Cu에 관해서는 기판과의 밀착성이 문제가 된다. 또한, Cu합금에서는 첨가 원소에 의한 밀착성의 향상도 어느 정도 가능하지만, Cu에 합금 원소를 첨가하면 전기비저항이 대폭으로 증가한다.Examples of the metal of the mesh include Ag, Al, and Cu-based metals and alloys. Ag has a problem of high cost of materials, and Al has a higher electrical resistivity than Ag and Cu. Further, it is difficult to reduce the reflectance by the heat treatment. Furthermore, the adhesion of Cu to the substrate becomes a problem. Further, in the Cu alloy, the adhesion by the added element can be improved to some extent, but when the alloy element is added to Cu, the electrical resistivity greatly increases.

특허문헌 1~5에서는, 밀착성이 우수한 Cu합금을 제시하고 있다. 그러나, 이들은 유리 기판이나 ITO 등의 산화물, Si 등의 반도체나 세라믹스에 대한 밀착성이며, 수지계 필름(PET 등)에 대한 밀착성의 기재는 전혀 없다.Patent Documents 1 to 5 propose a Cu alloy excellent in adhesion. However, these are adhesion to glass substrates, oxides such as ITO, semiconductors such as Si and ceramics, and there is no description of adhesion to resin films (PET, etc.).

특허문헌 6에서는, 터치패널용 배선막으로서 투명 전극과의 밀착성이 높은 Cu합금을 제시하고 있다. 그러나, Cu합금 1층화를 위해 필요한 수지계 필름(PET 등)에 대한 직접 성막의 기재는 없다. 또한, 특허문헌 6에서는, 전기비저항이 11.0μΩ·cm 이하를 바람직하다고 하고 있지만, 센서 전극으로서 사용하기 위해 10㎛ 이하의 폭까지 세선화하기 위해, 한층 더 저전기비저항을 달성해야 한다. 저전기비저항과 수지계 필름(PET 등)에 대한 밀착성을 양립하는 성분일 필요가 있다.Patent Document 6 discloses a Cu alloy having high adhesion to a transparent electrode as a wiring film for a touch panel. However, there is no description of direct film formation for a resin film (PET or the like) necessary for one layer of a Cu alloy. In Patent Document 6, although it is preferable that the electrical resistivity is 11.0 占 占 cm m or less, further lower electrical resistivity must be achieved in order to thin it to a width of 10 占 퐉 or less for use as a sensor electrode. It is necessary to be a component that combines low electrical resistivity and adhesion to a resin film (such as PET).

또한, 비특허문헌 1에서는, 유리 기판에 대한 밀착성이 높은 Cu합금의 연구를 하고 있지만, 이 또한 수지계 필름(PET 등)과의 밀착성에 대해서는 기재되어 있지 않다.In addition, non-patent reference 1 studies a Cu alloy having high adhesion to a glass substrate, but this does not describe the adhesion with a resin film (PET or the like).

나아가, 터치패널의 화면에 들어오는 자연광이나 전등 등의 빛의 반사에 의한 아물거림을 억제하기 위해, 센서 전극은 제조 공정 내에서 산화시켜 금속 광택을 없애고, 빛의 반사율을 낮출 필요가 있지만, 산화했을 때의 금속 광택에 관한 기재는 없다.Further, in order to suppress the troubles caused by reflection of light such as natural light or a lamp entering the screen of the touch panel, it is necessary to oxidize the sensor electrode in the manufacturing process to eliminate metal luster and to lower the reflectance of light, There is no description about the metallic luster at the time of

일본 출원 공개 공보 2007-017926호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-017926 일본 출원 공개 공보 2008-124450호 공보Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2008-124450 일본 출원 공개 공보 2009-185323호 공보Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2009-185323 일본 출원 공개 공보 2010-248619호 공보Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2010-248619 일본 출원 공개 공보 2010-258346호 공보Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2010-258346 일본 출원 공개 공보 2013-119632호 공보Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2013-119632

J. Japan Inst. Metals, Vol. 72, No. 9(2008), pp. 703-707, Shingo Fujita, Kazuhiro Kato, Shinji TakayamaJ. Japan Inst. Metals, Vol. 72, No. 9 (2008), pp. 703-707, Shingo Fujita, Kazuhiro Kato, Shinji Takayama

본 발명은, 전기비저항을 낮게 유지하면서, 수지계 필름이나 유리 기판 등의 터치패널의 센서 기판과의 밀착성이 우수하고, 빛의 반사율도 낮고, 터치패널의 센서 전극이나 배선으로서 바람직한 Cu합금막을 제공하는 것을 과제로 한다.The present invention provides a Cu alloy film which is excellent in adhesion to a sensor substrate of a touch panel such as a resin film or a glass substrate while keeping electrical resistivity low, reflectivity of light is low, and is suitable as a sensor electrode or wiring of a touch panel .

또한, 본 발명은, 이와 같은 Cu합금막을 제조하기 위한 Cu합금 타겟용 재료 및 Cu합금 타겟을 제공하는 것을 과제로 한다.It is another object of the present invention to provide a Cu alloy target material and a Cu alloy target for producing such a Cu alloy film.

또한, 본 발명은, 이와 같은 Cu합금막을 사용한 터치패널을 제공하는 것을 과제로 한다.It is another object of the present invention to provide a touch panel using such a Cu alloy film.

상기 과제를 해결하기 위해 본 발명에 따른 Cu합금 타겟용 재료는, 이하의 구성을 구비하고 있는 것을 요지로 한다.In order to solve the above-mentioned problems, a material for a Cu alloy target according to the present invention has the following constitution.

(1) 상기 Cu합금 타겟용 재료는,(1) The material for the Cu alloy target is,

Zn을 0.1~10.0at% 포함하고, 나아가,0.1 to 10.0 at% of Zn,

Mg, Cr, Ca, Ti, Al, Sn, Ni 및 B로 이루어지는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 원소를, 그 총함유량이 0.1~6.0at%가 되도록 포함하고, 잔부가 Cu 및 불가피적 불순물로 이루어진다.At least one element selected from the group consisting of Mg, Cr, Ca, Ti, Al, Sn, Ni and B is contained so as to have a total content of 0.1 to 6.0 at%, and the balance of Cu and inevitable impurities .

(2) 상기 Cu합금 타겟용 재료는, 터치패널의 센서 전극 및/또는 배선에 사용되는 Cu합금막을 기판 상에 형성하기 위한 타겟에 사용된다.(2) The Cu alloy target material is used as a target for forming a Cu alloy film used for a sensor electrode and / or wiring of a touch panel on a substrate.

본 발명에 따른 Cu합금 타겟은, 본 발명에 따른 Cu합금 타겟용 재료를 사용하여 제작된다.The Cu alloy target according to the present invention is manufactured using the material for the Cu alloy target according to the present invention.

본 발명에 따른 Cu합금막은, 본 발명에 따른 Cu합금 타겟을 사용하여 상기 기판 상에 형성된다.A Cu alloy film according to the present invention is formed on the substrate using a Cu alloy target according to the present invention.

나아가, 본 발명에 따른 터치패널은, 본 발명에 따른 Cu합금막을 구비하고 있는 것을 요지로 한다.Further, the touch panel according to the present invention includes a Cu alloy film according to the present invention.

소정량의 Zn과, 소정량의 (Mg, Cr, Ca, Ti, Al, Sn, Ni, B)를 포함하는 Cu합금 타겟을 사용하여, Cu합금막을 성막하고, Cu합금막을 소정의 조건하에서 열처리하면, 전기비저항이 상대적으로 작고, 수지 기판(특히, PET 필름 기판)이나 유리 기판과의 밀착성이 우수하면서 반사율도 낮은 Cu합금막이 얻어진다.A Cu alloy film is formed using a predetermined amount of Zn and a Cu alloy target containing a predetermined amount of (Mg, Cr, Ca, Ti, Al, Sn, Ni and B), and the Cu alloy film is subjected to a heat treatment , It is possible to obtain a Cu alloy film having a relatively small electrical resistivity and a low reflectance with excellent adhesion to a resin substrate (particularly, a PET film substrate) or a glass substrate.

밀착성이 향상되는 것은, 열처리에 의해 기판과의 계면 근방에, Zn 및 Mg 등을 더욱 많이 포함하는 농화층(concentrated layer)이 형성되기 때문인 것으로 생각된다.The reason why the adhesion is improved is thought to be that a concentrated layer containing Zn and Mg more in the vicinity of the interface with the substrate is formed by the heat treatment.

전기비저항의 상승이 억제되는 것은, 농화층의 형성에 소비되지 않은 Zn과 Mg 등이 Cu 매트릭스 중에서 금속간 화합물을 형성하여, Cu 매트릭스 중의 고용(固溶) 원소량이 줄어들기 때문인 것으로 생각된다.It is considered that the increase of the electrical resistivity is suppressed because Zn and Mg which are not consumed in the formation of the concentrated layer form an intermetallic compound in the Cu matrix and the amount of the solid solution element in the Cu matrix is reduced.

나아가, 반사율이 저하되는 것은, 열처리에 의해 Cu합금막 표면에 Mg 등을 포함하는 산화막이 형성되기 때문인 것으로 생각된다.Further, it is considered that the reason why the reflectance is lowered is that an oxide film containing Mg or the like is formed on the surface of the Cu alloy film by the heat treatment.

이하에, 본 발명에 일 실시형태에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail.

[1. Cu합금 타겟용 재료 및 Cu합금 타겟][One. Cu alloy target and Cu alloy target]

본 발명에 따른 Cu합금 타겟용 재료 및 이를 사용한 Cu합금 타겟은, 이하와 같은 원소를 포함하고, 잔부가 Cu 및 불가피적 불순물로 이루어진다. 첨가 원소의 종류, 그 성분 범위, 및 그 한정 이유는 아래와 같다.A material for a Cu alloy target and a Cu alloy target using the same according to the present invention include the following elements, the balance being Cu and inevitable impurities. The kind of the added element, the range of the element, and the reasons for the limitation are as follows.

[1.1. 구성 원소][1.1. Constituent element]

(1) 0.1≤Zn≤10.0at%: (1) 0.1? Zn? 10.0 at%:

Zn은, Cu합금막의 전기비저항을 현저하게 증대시키지 않고, 수지계 필름이나 유리 기판 등의 터치패널의 센서의 기판(이하, 그냥 "기판"으로 칭하는 경우가 있다)과의 밀착성을 향상시키는 효과가 있다.Zn has the effect of improving the adhesion with a substrate of a sensor of a touch panel (hereinafter sometimes referred to simply as "substrate ") such as a resin film or a glass substrate without significantly increasing the electrical resistivity of the Cu alloy film .

이와 같은 효과를 얻기 위해서는, Zn 함유량은, 0.1at% 이상일 필요가 있다. Zn 함유량은, 더욱 바람직하게는 0.6at% 이상, 특히 바람직하게는 2.0at% 이상이다.In order to obtain such an effect, the Zn content needs to be 0.1 at% or more. The Zn content is more preferably at least 0.6 at%, particularly preferably at least 2.0 at%.

한편, Zn 함유량이 과잉되면, 전기비저항이 너무 높아진다. 따라서, Zn 함유량은, 10.0at% 이하일 필요가 있다. Zn 함유량은, 더욱 바람직하게는 6.0at% 이하, 특히 바람직하게는 5.0at% 이하이다.On the other hand, if the Zn content is excessive, the electrical resistivity becomes too high. Therefore, the Zn content should be 10.0 at% or less. The Zn content is more preferably 6.0 at% or less, particularly preferably 5.0 at% or less.

Zn 함유량은, 특히, 2.0≤Zn≤6.0at%가 바람직하다.The Zn content is particularly preferably 2.0? Zn? 6.0 at%.

(2) 0.1≤Mg+Cr+Ca+Ti+Al+Sn+Ni+B≤6.0at%: (2) 0.1? Mg + Cr + Ca + Ti + Al + Sn + Ni +

Mg, Cr, Ca, Ti, Al, Sn, Ni 및 B(이하, 이들을 총칭하여 "밀착성 향상 원소 M"이라고도 한다)는, 모두, Cu합금막의 밀착성 향상과 반사율 저감에 기여한다. 이와 같은 효과를 얻기 위해서는, M의 총함유량은, 0.1at% 이상일 필요가 있다. M의 총함유량은, 더욱 바람직하게는 0.5at% 이상이다. 가장 바람직하게는 1.0at% 이상이다.Mg, Cr, Ca, Ti, Al, Sn, Ni and B (hereinafter collectively referred to as "adhesion improving element M") all contribute to the improvement of the adhesion of the Cu alloy film and the reduction of the reflectance. In order to obtain such an effect, the total content of M must be 0.1 at% or more. The total content of M is more preferably 0.5 at% or more. Most preferably at least 1.0 at%.

한편, M의 총함유량이 과잉되면, 전기비저항이 너무 높아지고, 또한, 열간 가공성의 저하를 초래한다. 따라서, M의 총함유량은, 6.0at% 이하일 필요가 있다. M의 총함유량은, 더욱 바람직하게는 4.0at% 이하이다.On the other hand, if the total content of M is excessive, the electrical resistivity is excessively high and the hot workability is deteriorated. Therefore, the total content of M must be 6.0 at% or less. The total content of M is more preferably 4.0 at% or less.

특히, 2.0≤Zn≤6.0at%인 동시에 1.0≤M≤6.0at%가 바람직하다.Particularly, 2.0? Zn? 6.0at% and 1.0? M? 6.0at% are preferable.

한편, Cu합금 타겟 중에는, 이들 중 어느 1종의 밀착성 향상 원소 M이 포함되어 있어도 좋고, 혹은, 2종 이상이 포함되어 있어도 좋다.On the other hand, the Cu alloy target may include any one of the adhesion improving elements M, or may include two or more kinds of adhesion improving elements.

[1.2. 성분 밸런스][1.2. Component balance]

(1) M/Zn비: (1) M / Zn ratio:

밀착성 향상 원소 M은, 열처리시에, 기판과의 계면 근방에 Zn 및 M을 더욱 많이 포함하는 농화층을 형성하는 작용이 있다. 또한, 농화층의 형성에 소비되지 않은 M은, Zn과 화합물을 형성한다.The adhesion improving element M has the function of forming a thickened layer containing Zn and M more in the vicinity of the interface with the substrate during the heat treatment. Further, M not consumed in the formation of the concentrated layer forms a compound with Zn.

M의 총함유량이 Zn 함유량에 비해 과잉되면, 농화층이나 화합물의 형성에 소비되지 않은 M이 Cu 매트릭스 중에 잔류한다. M의 잔류량이 과잉되면, Cu 매트릭스의 전기비저항이 증가한다.If the total content of M is excessive relative to the Zn content, M that is not consumed in the formation of the concentrated layer or the compound remains in the Cu matrix. If the residual amount of M is excessive, the electrical resistivity of the Cu matrix increases.

Cu합금막의 전기비저항의 증대를 억제하기 위해서는, Zn 함유량(at%)에 대한 밀착성 향상 원소 M의 총함유량(at%)의 비(=M/Zn비)는 2.0 이하가 바람직하다. M/Zn비는, 더욱 바람직하게는 0.5 이하이다.In order to suppress the increase of the electrical resistivity of the Cu alloy film, the ratio (= M / Zn ratio) of the total content (at%) of the adhesion improving element M to the Zn content (at%) is preferably 2.0 or less. The M / Zn ratio is more preferably 0.5 or less.

[1.3. 용도][1.3. Usage]

본 발명에 따른 Cu합금 타겟용 재료 및 Cu합금 타겟은, 터치패널의 센서 전극 및/또는 배선에 사용되는 Cu합금막을 형성하기 위해 사용된다. 또한, Cu합금막은, 기판 상에 형성된 것으로 이루어진다.The Cu alloy target material and the Cu alloy target according to the present invention are used for forming a Cu alloy film used for a sensor electrode and / or wiring of a touch panel. Further, the Cu alloy film is formed on the substrate.

본 발명에 따른 Cu합금 타겟을 사용하여 형성되는 Cu합금막은, 기판(특히, PET 필름 기판)에 대한 밀착성이 높다. 그 때문에, 기판과 Cu합금막 사이에, 양자의 밀착성을 향상시키기 위한 금속층(밀착층)을 꼭 형성할 필요가 없고, 기판의 표면에, 직접 Cu합금막을 형성할 수 있다.The Cu alloy film formed using the Cu alloy target according to the present invention has high adhesion to a substrate (particularly, a PET film substrate). Therefore, it is not necessary to completely form a metal layer (adhesion layer) between the substrate and the Cu alloy film for improving the adhesion between the substrate and the Cu alloy film, and a Cu alloy film can be formed directly on the surface of the substrate.

[2. Cu합금 타겟용 재료 및 Cu합금 타겟의 제조 방법][2. Cu alloy target and method for producing Cu alloy target]

본 발명에서는 Cu합금 타겟용 재료 및 Cu합금 타겟의 제조 방법은, 특히 한정되지 않는다.In the present invention, the material for the Cu alloy target and the method for producing the Cu alloy target are not particularly limited.

예를 들면, 타겟 재료는, 소정의 조성이 되도록 원료를 배합하고, 배합물을 용해·주조하는 것에 의해 제조할 수 있다. 배합물의 용해·주조 방법 및 그 조건은, 특히 한정되지 않고, 목적에 따라 다양한 방법 및 조건을 사용할 수 있다.For example, the target material can be produced by blending raw materials so as to have a predetermined composition, and dissolving and casting the blend. The method of dissolving and casting the compound and the conditions thereof are not particularly limited, and various methods and conditions may be used depending on the purpose.

또한, 이와 같이 하여 얻어진 타겟 재료로부터 타겟을 제조하는 경우에는, 주괴에 대해, 열간 가공 및/또는 냉간 가공을 한다. 가공 방법 및 그 조건은, 특히 한정되지 않고, 목적에 따라 다양한 방법 및 조건을 사용할 수 있다.When the target is produced from the target material thus obtained, the ingot is subjected to hot working and / or cold working. The processing method and conditions thereof are not particularly limited, and various methods and conditions may be used depending on the purpose.

[3. Cu합금막][3. Cu alloy film]

본 발명에 따른 Cu합금막은, 본 발명에 따른 Cu합금 타겟을 사용하여 기판 상에 형성된다. Cu합금막의 성막 방법의 상세에 대해서는 후술한다.A Cu alloy film according to the present invention is formed on a substrate using a Cu alloy target according to the present invention. Details of the film forming method of the Cu alloy film will be described later.

[3.1. 농화층][3.1. Thickened layer]

본 발명에 따른 Cu합금막은, 기판과의 계면 근방에 농화층을 구비하고 있는 것이 바람직하다.The Cu alloy film according to the present invention preferably has a concentrated layer in the vicinity of the interface with the substrate.

"농화층"이란, 후술하는 열처리 후에 기판과의 계면 근방에 형성되는 층이며, Zn, 및 밀착성 향상 원소 M의 총함유량이 열처리 전의 1.5배 이상으로 증가되어 있는 영역을 말한다.Is a layer formed near the interface with the substrate after a heat treatment described later and is a region in which the total content of Zn and the adhesion improving element M is increased to 1.5 times or more than that before the heat treatment.

Zn만을 포함하는 Cu합금막에 대해 열처리를 해도, Zn은 거의 확산되지 않고, 계면 근방에 농화층이 형성되지는 않는다. 한편, Zn, 및 M을 포함하는 Cu합금막에 대해 열처리를 하면, M이 계면 근방에서 확산된다. 이와 동시에, Zn도 계면 근방에서 확산된다. 그 결과, 계면 근방에는, 열처리 전에 비해 Zn, 및 M을 더욱 많이 포함하는 농화층이 형성된다.Even if the Cu alloy film containing only Zn is heat-treated, Zn hardly diffuses and a thickened layer is not formed near the interface. On the other hand, when the Cu alloy film containing Zn and M is subjected to heat treatment, M is diffused in the vicinity of the interface. At the same time, Zn is diffused in the vicinity of the interface. As a result, in the vicinity of the interface, a thickened layer containing Zn and M more than before the heat treatment is formed.

[3.2. 밀착성][3.2. Adhesion]

기판과의 계면에 형성되는 농화층은, 산소와의 친화력이 큰 Zn을 다량으로 포함한다. 그 때문에, 농화층이 형성되면, Cu합금막과 기판 사이의 밀착성이 향상된다.The concentrated layer formed at the interface with the substrate contains a large amount of Zn having a high affinity with oxygen. Therefore, when the concentrated layer is formed, the adhesion between the Cu alloy film and the substrate is improved.

첨가 원소의 함유량 및 열처리 조건을 최적화하면, 기판과의 밀착성이 JIS K5600-5-6: 1999에서 규정하는 분류 0~3이 된다. 제조 조건을 더욱 최적화하면, 밀착성은, 상기 규격으로 규정되는 분류 0~2, 혹은 분류 0~1이 된다.When the content of the additive element and the heat treatment conditions are optimized, the adhesiveness to the substrate becomes 0 to 3 as defined by JIS K5600-5-6: 1999. When the manufacturing conditions are further optimized, the adhesiveness is classified into 0 to 2, or 0 to 1, defined by the above standard.

한편, 본 명세서에 있어서, JIS K5600-5-6: 1999의 내용은 참조로서 인용된다.On the other hand, in this specification, the contents of JIS K5600-5-6: 1999 is cited as a reference.

[3.3. 전기비저항]3.3. Electrical resistivity]

Zn은, Cu합금막의 전기비저항을 증대시키는 효과는 작지만, 과잉으로 첨가하면 Cu합금막의 전기비저항을 증대시키는 원인이 된다.Zn has a small effect of increasing the electrical resistivity of the Cu alloy film, but if it is added in excess, it causes the electrical resistivity of the Cu alloy film to increase.

한편, 밀착성 향상 원소 M은, 모두, Cu합금막의 전기비저항을 증대시키는 효과가 크다. 하지만, M과 동시에 Zn을 첨가하면, 열처리시에 농화층이 형성됨과 동시에, 농화층의 형성에 소비되지 않은 M이 Zn과 화합물을 형성하고, Cu 매트릭스 중에서의 이들 원소의 고용량이 감소한다. 그 결과, 높은 밀착성을 유지한 채, Cu합금막의 전기비저항의 증대를 억제할 수 있다.On the other hand, all of the adhesion improving elements M have a large effect of increasing the electrical resistivity of the Cu alloy film. However, when Zn is added at the same time as M, a concentrated layer is formed at the time of heat treatment, and M, which is not consumed in forming the concentrated layer, forms a compound with Zn, and the amount of these elements in the Cu matrix is reduced. As a result, it is possible to suppress the increase in the electrical resistivity of the Cu alloy film while maintaining high adhesiveness.

센서 전극에는, 선폭이 10㎛ 이하여도 응답성이 높고, 동시에, 저항 발열 손실이 낮은 것이 요구된다. 이를 위해서는, 센서 전극인 Cu합금막의 전기비저항은, 8.0μΩ·cm 이하가 바람직하다.The sensor electrode is required to have a high response and a low resistance heating loss even if the line width is 10 μm or less. For this purpose, the electrical resistivity of the Cu alloy film as the sensor electrode is preferably 8.0 mu OMEGA .cm or less.

본 발명에 따른 Cu합금막은, 상대적으로 다량의 첨가 원소를 포함함에도 불구하고, 전기비저항이 작다. 제조 조건을 최적화하면, 열처리 후의 Cu합금막의 전기비저항은, 6.0μΩ·cm 이하, 혹은 5.0μΩ·cm 이하가 된다.The Cu alloy film according to the present invention has a small electrical resistivity although it contains a relatively large amount of additive elements. When the manufacturing conditions are optimized, the electrical resistivity of the Cu alloy film after the heat treatment is 6.0 占 占 cm m or less, or 5.0 占 占 cm m or less.

[3.4. 반사율][3.4. reflectivity]

Cu합금막을 성막한 후, 산화 분위기하에서 열처리하면, 계면 근방에 농화층이 형성됨과 동시에, Cu합금막 표면에 산화막이 형성된다. Cu-Zn막을 후술하는 조건하에서 열처리해도, 산화막은 형성되기 어렵고, 금속 광택이 남는다. 금속 광택이 남은 채로는, 외부로부터의 빛이 센서 전극용의 Cu합금막에서 반사되어, 화면이 잘 보이지 않게 된다.When the Cu alloy film is formed and then heat-treated in an oxidizing atmosphere, a thickened layer is formed in the vicinity of the interface and an oxide film is formed on the surface of the Cu alloy film. Even if the Cu-Zn film is heat-treated under the conditions described later, an oxide film is hardly formed and metallic luster remains. When the metallic luster remains, the light from the outside is reflected by the Cu alloy film for the sensor electrode, and the screen is not visible.

이에 대해, Zn, 및 M을 포함하는 Cu합금막을 산화 분위기하에서 열처리하면, Cu합금막의 표면에 M을 포함하는 산화막이 형성되어, 반사율이 저하된다. 제조 조건을 최적화하면, 열처리 후의 Cu합금막의 반사율은, 50% 이하, 30% 이하, 혹은 15% 이하가 된다.On the other hand, when the Cu alloy film containing Zn and M is heat-treated in an oxidizing atmosphere, an oxide film containing M is formed on the surface of the Cu alloy film, and the reflectance is lowered. When the production conditions are optimized, the reflectance of the Cu alloy film after the heat treatment is 50% or less, 30% or less, or 15% or less.

[3.5. Cu합금막 이외의 금속층][3.5. Metal layer other than the Cu alloy film]

본 발명에 있어서 Cu합금막은, 농화층에 의해 기판과의 밀착성을 확보함과 동시에, 대극(對極)의 표면을 산화시키는 것에 의해 반사율을 줄일 필요가 있다. 한편, 기판측과는 대극에, Cu합금막 이외의 금속층이 존재하면, 표면산화에 의한 반사율의 저감이 방해된다. 따라서, Cu합금막 이외의 금속층은, 10nm 이하인 것이 바람직하다. Cu합금막 이외의 금속층은, 더욱 바람직하게는 1nm 이하이다. 센서 전극이나 배선은, Cu합금막만으로 이루어지는 것이 바람직하다.In the present invention, it is necessary to reduce the reflectance of the Cu alloy film by securing adhesion with the substrate by the concentrated layer and oxidizing the surface of the counter electrode. On the other hand, if a metal layer other than the Cu alloy film is present on the counter electrode to the substrate side, reduction of reflectance due to surface oxidation is hindered. Therefore, the metal layer other than the Cu alloy film is preferably 10 nm or less. The metal layer other than the Cu alloy film is more preferably 1 nm or less. It is preferable that the sensor electrode and the wiring are made of only a Cu alloy film.

[3.6. 기판][3.6. Board]

본 발명에 따른 Cu합금막은 기판 상에 형성된다. 기판의 재료는, 특히 한정되지 않고, 다양한 재료를 사용할 수 있다.A Cu alloy film according to the present invention is formed on a substrate. The material of the substrate is not particularly limited, and various materials can be used.

기판의 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS), 폴리염화비닐(PVC), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드(PI) 등의 수지 기판이 있다.Examples of the material of the substrate include a substrate made of a material such as polyethylene terephthalate (PET), polypropylene (PP), polystyrene (PS), polyvinyl chloride (PVC), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PI) and the like.

수지 기판으로서는, 특히 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름 기판이 바람직하다. 이는, 특히 취급이 용이하기 때문이다.As the resin substrate, a polyethylene terephthalate (PET) film substrate is particularly preferable. This is because it is particularly easy to handle.

유리 기판으로서, 소다라임 유리, TEMPAX 유리(TEMPAX glass), 파이렉스(등록상표) 유리(PYREX glass), 석영 유리 등을 사용할 수 있다.As the glass substrate, soda lime glass, TEMPAX glass, PYREX glass, quartz glass, or the like can be used.

[4. Cu합금막의 제조 방법][4. Method of producing Cu alloy film]

본 발명에 따른 Cu합금막의 제조 방법은, 성막 공정과, 열처리 공정을 포함하고 있다.A method of manufacturing a Cu alloy film according to the present invention includes a film forming step and a heat treatment step.

[4.1. 성막 공정][4.1. Film forming process]

우선, 본 발명에 따른 Cu합금 타겟을 사용하여 기판 상에 Cu합금막을 성막한다(성막 공정).First, a Cu alloy film is formed on a substrate using a Cu alloy target according to the present invention (film forming step).

본 발명에서는 성막 방법은 특히 한정되지 않지만, 스퍼터링법에 의해 성막하는 것이 바람직하다. 스퍼터링법으로서는, DC 스퍼터링법, RF 스퍼터링법, 마그네트론 스퍼터링법, 반응성 스퍼터링법 등의 어느 한 스퍼터링법을 채용해도 좋고, 그 형성 조건은, 적절히 설정하면 된다.In the present invention, the film forming method is not particularly limited, but it is preferable to form the film by the sputtering method. As the sputtering method, any one of sputtering methods such as DC sputtering, RF sputtering, magnetron sputtering and reactive sputtering may be employed, and the forming conditions may be suitably set.

[4.2. 열처리 공정]4.2. Heat treatment process]

다음으로, 성막된 Cu합금막을 산화 분위기하에서 열처리한다(열처리 공정). 이에 의해, Cu합금막과 기판의 계면 근방에 농화층이 형성됨과 동시에, Cu합금막의 표면에 산화막이 형성된다.Next, the deposited Cu alloy film is subjected to heat treatment in an oxidizing atmosphere (heat treatment step). As a result, a concentrated layer is formed in the vicinity of the interface between the Cu alloy film and the substrate, and an oxide film is formed on the surface of the Cu alloy film.

열처리 온도가 너무 낮으면, 농화층의 형성 및 산화막의 형성이 불충분해진다. 따라서, 열처리 온도는 50℃ 이상이 바람직하다. 열처리 온도는, 더욱 바람직하게는 70℃ 이상, 특히 바람직하게는 100℃ 이상이다.If the heat treatment temperature is too low, the formation of the thickened layer and the formation of the oxide film become insufficient. Therefore, the heat treatment temperature is preferably 50 DEG C or higher. The heat treatment temperature is more preferably 70 DEG C or higher, particularly preferably 100 DEG C or higher.

한편, 열처리 온도가 너무 높으면, 기판이 융해한다. 따라서, 열처리 온도는, 기판의 융점 미만일 필요가 있다.On the other hand, if the heat treatment temperature is too high, the substrate melts. Therefore, the heat treatment temperature needs to be less than the melting point of the substrate.

최적의 열처리 온도는, 기판의 재료에 따라 다르다. 예를 들면, PET 필름 기판의 경우, 열처리 온도는 320℃ 이하가 바람직하다. 열처리 온도는, 더욱 바람직하게는 250℃ 이하, 특히 바람직하게는 200℃ 이하이다.The optimum heat treatment temperature differs depending on the material of the substrate. For example, in the case of a PET film substrate, the heat treatment temperature is preferably 320 DEG C or less. The heat treatment temperature is more preferably 250 DEG C or lower, particularly preferably 200 DEG C or lower.

열처리시의 분위기는, 반사율을 줄일 수 있는 정도의 산화막을 형성 가능한 산화 분위기면 된다. 열처리는, 통상, 대기중에서 진행된다.The atmosphere during the heat treatment is an oxidizing atmosphere capable of forming an oxide film to reduce the reflectance. The heat treatment is usually conducted in the atmosphere.

열처리 시간은, 밀착성을 향상할 수 있는 정도의 농화층이 형성되면서 반사율을 줄일 수 있는 정도의 산화막을 형성 가능한 시간이면 된다. 일반적으로, 열처리 온도가 높아질수록, 단시간에 목적으로 하는 농화층 및 산화막을 형성할 수 있다. 최적의 열처리 시간은, Cu합금막의 조성이나 열처리 온도에 따라 다르지만, 통상, 1~600분 정도이다.The time for the heat treatment may be any time for forming an oxide film to such an extent that the reflectivity can be reduced while forming a concentrated layer to such an extent that adhesion can be improved. Generally, the higher the heat treatment temperature is, the more the desired concentrated layer and oxide film can be formed in a short time. The optimum heat treatment time varies depending on the composition of the Cu alloy film and the heat treatment temperature, but is usually about 1 to 600 minutes.

한편, Cu합금막을 터치패널의 센서 전극이나 배선에 사용하는 경우, 통상, 기판의 표면에 Cu합금막을 균일하게 성막한 후, 에칭, 세정 및 건조가 진행된다. 이 때, 건조 조건이 농화층의 형성 및 반사율의 저감에 충분한 조건일 때는, 독립된 열처리 공정을 생략할 수 있다.On the other hand, when a Cu alloy film is used for a sensor electrode or a wiring of a touch panel, generally, a Cu alloy film is uniformly formed on the surface of the substrate, and etching, cleaning, and drying proceed. At this time, when the drying conditions are sufficient for the formation of the concentrated layer and the reduction of the reflectance, the independent heat treatment step can be omitted.

[5. 터치패널][5. Touch panel]

본 발명에 따른 터치패널은, 본 발명에 따른 Cu합금막을 구비하고 있다. Cu합금막은, 구체적으로는, 터치패널의 센서 전극 및/또는 배선에 사용할 수 있다. 또한, 센서 전극 및/또는 배선은 기판 상에 형성된다.The touch panel according to the present invention includes the Cu alloy film according to the present invention. Specifically, the Cu alloy film can be used for sensor electrodes and / or wiring of a touch panel. Further, the sensor electrode and / or the wiring are formed on the substrate.

터치패널의 기타의 구성에 대해서는, 특히 한정되지 않고, 목적에 따라 다양한 구성을 채용할 수 있다.Other configurations of the touch panel are not particularly limited, and various configurations can be adopted depending on the purpose.

[6. 작용][6. Action]

소정량의 Zn을 포함하는 Cu합금 타겟을 사용하여 기판 상에 Cu합금막을 형성하면, 전기비저항이 상대적으로 작으면서 기판에 대한 밀착성도 높은 Cu합금막이 얻어진다. 하지만, Cu에 대해 Zn을 첨가하는 것만으로는, 기판에 대한 밀착성의 향상에 한계가 있다.When a Cu alloy film is formed on a substrate by using a Cu alloy target containing a predetermined amount of Zn, a Cu alloy film having a relatively small electrical resistivity and high adhesion to the substrate is obtained. However, the addition of Zn to Cu has limitations in improving the adhesion to the substrate.

이에 대해, 소정량의 Zn과, 소정량의 (Mg, Cr, Ca, Ti, Al, Sn, Ni, B)을 포함하는 Cu합금 타겟을 사용하여, Cu합금막을 성막하고, Cu합금막을 소정의 조건하에서 열처리하면, 전기비저항이 상대적으로 작고, 기판과의 밀착성이 우수하면서 반사율도 낮은 Cu합금막이 얻어진다.On the other hand, a Cu alloy film is formed using a predetermined amount of Zn and a Cu alloy target containing a predetermined amount of (Mg, Cr, Ca, Ti, Al, Sn, Ni and B) , A Cu alloy film having a relatively small electrical resistivity and a low reflectance with excellent adhesion to a substrate can be obtained.

밀착성이 향상되는 것은, 열처리에 의해 기판과의 계면 근방에, Zn 및 Mg 등을 더욱 많이 포함하는 농화층이 형성되기 때문인 것으로 생각된다.The reason why the adhesion is improved is thought to be that a thickened layer containing Zn and Mg more in the vicinity of the interface with the substrate is formed by the heat treatment.

전기비저항의 상승이 억제되는 것은, 농화층의 형성에 소비되지 않은 Zn과 Mg 등이 Cu 매트릭스 중에서 금속간 화합물을 형성하여, Cu 매트릭스 중의 고용 원소량이 감소되기 때문인 것으로 생각된다.It is considered that the rise of the electrical resistivity is suppressed because Zn and Mg which are not consumed in the formation of the concentrated layer form an intermetallic compound in the Cu matrix and the amount of the employed element in the Cu matrix is reduced.

나아가, 반사율이 저하되는 것은, 열처리에 의해 Cu합금막 표면에 Mg 등을 포함하는 산화막이 형성되기 때문인 것으로 생각된다.Further, it is considered that the reason why the reflectance is lowered is that an oxide film containing Mg or the like is formed on the surface of the Cu alloy film by the heat treatment.

[실시예][Example]

(실시예 1~110, 비교예 1~100)(Examples 1 to 110 and Comparative Examples 1 to 100)

[1. 시료의 제작][One. Preparation of sample]

[1.1. Cu합금 타겟의 제작][1.1. Cu alloy target]

소정의 조성이 되도록 배합된 원료 5kg을 흑연 도가니에 넣고, 고주파 유도로에 의해 용해했다. 용해 후 노냉각하여 잉곳을 얻었다. 이 잉곳을 성형하는 것에 의해, Cu합금 타겟을 제작했다. 또한, 비교재로서 순 Al의 타겟도 제작했다.5 kg of the raw material blended so as to have a predetermined composition was put into a graphite crucible and dissolved by a high frequency induction furnace. After dissolving, it was cooled to obtain an ingot. This ingot was molded to produce a Cu alloy target. A target of pure Al was also produced as a comparative material.

[1.2. Cu합금막의 제작][1.2. Preparation of Cu alloy film]

기판에는, 50mm×50mm의 PET 필름 및 소다라임 유리를 사용했다. RF 스퍼터링법 또는 DC 스퍼터링법을 사용하여, 복수의 기판 표면에 Cu합금막을 성막했다. 막 두께가 300nm 정도가 되도록 성막 조건을 조정했다. 성막 두께, 조성 분석용의 기판을 제외하고, 150℃×1.5시간의 열처리를 진행했다.As the substrate, a 50 mm x 50 mm PET film and soda lime glass were used. A Cu alloy film was formed on the surface of a plurality of substrates by RF sputtering or DC sputtering. The film forming conditions were adjusted so that the film thickness was about 300 nm. Except that the substrate for film thickness and composition analysis was subjected to a heat treatment at 150 占 폚 for 1.5 hours.

[2. 시험 방법][2. Test Methods]

[2.1. 조성 분석][2.1. Composition analysis]

열처리를 하지 않은 기판을 사용하여, ICP 발광 분석에 의해 조성을 분석했다.The composition was analyzed by ICP emission analysis using a substrate not subjected to heat treatment.

[2.2. 농화층][2.2. Thickened layer]

열처리 전후의 Cu합금막에 대해, 농화층을 SIMS에 의해, Cu합금막 표면에서 Cu합금막 내부, Cu합금막/각 기판의 순서로, 깊이 방향의 측정을 실시했다. 측정 시간-농도 프로파일의 그래프를 열처리 전후로 비교하고, 농화층을 확인했다.For the Cu alloy film before and after the heat treatment, the concentrated layer was measured by SIMS in the depth direction in the order of Cu alloy film, Cu alloy film, and each substrate on the surface of the Cu alloy film. A graph of the measurement time-concentration profile was compared before and after the heat treatment, and the concentrated layer was confirmed.

[2.3. 전기비저항][2.3. Electrical resistivity]

Cu합금막의 전기저항을 4탐침법에 의해 막의 5군데에서 측정하고, 그 평균값으로부터 전기비저항(μΩ·cm)을 산출했다.The electrical resistance of the Cu alloy film was measured at five points of the film by the four probe method, and the electrical resistivity (占 占 cm m) was calculated from the average value.

[2.4. 밀착성][2.4. Adhesion]

JIS K5600-5-6: 1999에 준거하여, Cu합금막의 밀착성을 평가했다.The adhesion of the Cu alloy film was evaluated in accordance with JIS K5600-5-6: 1999.

[2.5. 반사율][2.5. reflectivity]

열처리 후의 Cu합금막 중의 1장은, 자외가시분광 광도계를 사용하여, 시험편의 평행 입사 광속에 대한 전반사 광속의 비율을 그 빛의 파장 반사율로 하여, 가시광의 파장 범위(380nm~780nm)에서의 평균값을 그 재료의 반사율로 했다.One of the Cu alloy films after the heat treatment was irradiated with ultraviolet rays using a spectrophotometer and the ratio of the total reflection light flux to the parallel incident light flux of the test piece was defined as the wavelength reflectance of the light flux and the average value in the wavelength range of visible light (380 nm to 780 nm) As the reflectance of the material.

(가시광의 파장 범위에서의 반사율의 합)/(가시광의 파장 범위)(Sum of reflectances in the wavelength range of visible light) / (wavelength range of visible light)

[3. 결과][3. result]

표 1~6에 결과를 나타낸다. 한편, 표1~3은, 기판으로서 PET 필름을 사용한 경우의 결과이다. 또한, 표4~6은, 기판으로서 소다라임 유리를 사용한 경우의 결과이다. 표1~6으로부터 아래와 같은 것을 알 수 있다.The results are shown in Tables 1 to 6. Tables 1 to 3 show the results when a PET film is used as the substrate. Tables 4 to 6 show the results in the case of using soda lime glass as the substrate. The following can be seen from Tables 1 to 6.

Figure pat00001
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Figure pat00002
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Figure pat00003
Figure pat00003

Figure pat00004
Figure pat00004

Figure pat00005
Figure pat00005

Figure pat00006
Figure pat00006

[3.1. 전기비저항][3.1. Electrical resistivity]

Cu합금의 전기비저항을 조사한 결과, Zn이 첨가되어 있는 합금은 전기비저항이 낮다. 또한, Zn량이 적거나 없을 때는, Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni의 첨가에 의한 전기비저항의 상승은 크다. 한편, Zn이 4at% 첨가되어 있고, 더욱이 Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni도 첨가되어 있는 합금은, 전기비저항은 낮았던 채로 유지되어 있었다. 이는, Zn과의 화합물 형성에 의한 효과인 것으로 생각된다.As a result of investigation of electrical resistivity of Cu alloy, the electrical resistivity of Zn alloyed alloy is low. When the amount of Zn is small or not, the increase of electrical resistivity due to the addition of Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn and Ni is large. On the other hand, the alloy having 4 at% of Zn added thereto and further containing Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn and Ni was kept low in electrical resistivity. This is considered to be an effect of compound formation with Zn.

Mn에 관해서는, Zn의 존재 여부에 관계없이, 전기비저항은 상승했다.Regardless of the presence or absence of Zn, the electrical resistivity of Mn was increased.

또한, Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni가 Zn에 비해 2배 이상 들어 있는 성분에서는, 전기비저항이 높았다. 이는, Zn과의 화합물을 형성해도 Cu에 잉여의 첨가 원소가 더욱 고용하기 때문이다.In addition, the electrical resistivity was high in the components containing Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, and Ni more than twice as much as Zn. This is because, even if a compound is formed with Zn, the excess additive element is further added to Cu.

[3.2. 밀착성][3.2. Adhesion]

밀착성은, Zn과 Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni 중의 어느 한 원소가 동시에 들어 있을 때 밀착성이 높았다. 특히, Zn이 0.1at% 이상 첨가되어 있고, 동시에, Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni가 첨가되어 있는 합금에 관해서는, 밀착성이 높다. 더욱이, Zn이 2at% 이상 첨가되어 있고, 동시에, Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni가 첨가되어 있는 합금은, 밀착성이 우수했다. Zn, Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni가 단독으로 들어 있을 때는, 밀착성이 낮다.Adhesiveness was high when Zn, Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, and Ni were contained at the same time. Particularly, with respect to an alloy containing 0.1 at% or more of Zn and at the same time containing Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn and Ni, adhesion is high. Furthermore, alloys containing 2 at.% Or more of Zn and at the same time containing Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn and Ni were excellent in adhesion. When Zn, Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn and Ni are contained singly, adhesion is low.

[3.3. 농화층의 유무]3.3. Presence or absence of concentrated layer]

Zn만 첨가되어 있는 합금에서는, 150℃에서 1.5시간의 열처리에서는 농화층은 관찰되지 않았다. 한편, Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni가 첨가되어 있는 합금에서는, 농화층이 존재했다.In the alloy containing only Zn, no concentrated layer was observed in the heat treatment at 150 ° C for 1.5 hours. On the other hand, in the alloy containing Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, and Ni, a concentrated layer was present.

[3.4. 반사율][3.4. reflectivity]

Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni가 첨가되어 있는 합금에서는, 반사율이 낮고, 양호했다.In the alloy containing Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, and Ni, the reflectance was low and good.

[3.5. 첨가 원소와 특성, 농화층의 관계][3.5. Relation between added elements, properties and thickened layers]

Zn은 산소와의 친화력이 우수하고, PET 필름이나 소다라임 유리와의 밀착성을 향상시킨다. 하지만, 150℃의 저온에 있어서는 확산이 늦기 때문에 PET 필름이나 소다라임 유리 사이에 농화층을 형성하지 않고, 다소 밀착성을 향상시키는 정도였다.Zn has excellent affinity with oxygen and improves adhesion to PET film and soda lime glass. However, since the diffusion is slow at a low temperature of 150 캜, a thickened layer is not formed between the PET film and the soda lime glass, and the adhesiveness is improved to some extent.

한편, Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni를 첨가한 합금에서는, PET 필름이나 소다라임 유리와의 계면 근방에 농화층은 형성하지만, 밀착성은 충분하지 않고, 또한, 전기비저항을 증가시켰다. 이는, Cu합금 중에 이들의 원소가 고용하여 전기비저항을 상승시켰기 때문인 것으로 생각된다.On the other hand, in the case of an alloy containing Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn and Ni added thereto, a thickened layer is formed near the interface with the PET film or the soda lime glass. However, Respectively. This is considered to be due to the fact that these elements are solved in the Cu alloy to increase the electrical resistivity.

Mn에 관해서는, 다소 밀착성을 향상시키지만, PET 필름이나 소다라임 유리와의 계면 근방에 농화층을 형성하지 않고, 전기비저항도 상승했다.With respect to Mn, the electrical resistivity was improved, although the adhesion was somewhat improved, but the thickened layer was not formed near the interface with the PET film or the soda lime glass.

여기서, 저온에서도 PET 필름이나 소다라임 유리와 농화층을 형성하는 Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni와 Zn을 동시에 첨가한 결과, Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al뿐만 아니라, PET 필름이나 소다라임 유리와의 농화층에 Zn도 농화되어 있었다. 이는, 이들의 원소가 Zn과 서로 끌어 당기는 특성을 갖기 때문이다. 이들의 원소에 의해, Zn도 동시에 농화된 것으로 이해된다.As a result of the simultaneous addition of Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni and Zn to form a PET film or soda lime glass and a thickened layer at low temperatures, In addition, Zn was also concentrated in the thickened layer with PET film or soda lime glass. This is because these elements have a characteristic of attracting each other to Zn. By these elements, it is understood that Zn is simultaneously concentrated.

한편, Mn에 관해서는, Zn을 첨가한 합금이여도, 농화층은 관찰되지 않았다.On the other hand, with respect to Mn, even when the alloy was added with Zn, no concentrated layer was observed.

이와 같이, Zn, Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni 단독으로는, 밀착성의 향상은 미미하여, 터치패널의 센서 전극에는 사용할 수 없다. Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni가 어느 정도 첨가되어 있고, 더욱이 Zn을 첨가하고 있는 합금계에서는, PET 필름과의 밀착성이 우수하고, 목적을 달성할 수 있다.As described above, the improvement of the adhesion is insignificant for Zn, Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, and Ni alone. In the alloy system in which Zn, Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn and Ni are added to some extent and furthermore Zn is added, adhesion with the PET film is excellent and the object can be achieved.

[3.6. 첨가 원소량과 특성의 관계][3.6. Relationship between the amount of additive and characteristics]

한편, 전기비저항에 관해서는, Zn에 의한 전기비저항의 상승은 적지만, Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni는 전기비저항을 대폭으로 상승시킨다. 이 때문에, Zn의 농도가 낮고, Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni가 첨가되어 있는 합금에서는, 전기비저항이 대폭으로 상승한다.On the other hand, with respect to the electrical resistivity, the increase of the electrical resistivity due to Zn is small, but Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn and Ni greatly increase the electrical resistivity. Therefore, the electrical resistivity of the alloy having a low Zn concentration and containing Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn and Ni is remarkably increased.

Zn 농도가 높으면, Zn과의 사이에 화합물을 형성하기 때문에, Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni가 첨가되어 있어도 Cu 중의 고용 Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni가 감소되어, 저전기비저항을 유지할 수 있다.Cr, Ca, B, Ti, Al, Al, Sn and Ni are added even if Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn and Ni are added, Sn and Ni are reduced, and the low electrical resistivity can be maintained.

반사율은, 열처리 중에 산소와 결합하는 Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni가 첨가되어 있는 것에 의해, 대폭으로 저하되는 것으로 생각된다.It is considered that the reflectance is largely lowered due to the addition of Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, and Ni which bond with oxygen during the heat treatment.

이상에 의해, Cu합금의 첨가 원소로서, Zn 및 Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn, Ni를 첨가하는 것에 의해, 고밀착성과 고전도율, 빛의 반사율 저감에 우수한 Cu합금을 제공할 수 있다.Thus, by adding Zn, Mg, Cr, Ca, B, Ti, Al, Sn and Ni as the additive element of the Cu alloy, a Cu alloy excellent in high adhesion, high conductivity, can do.

이상, 본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서 다양한 개변이 가능하다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

이 출원은, 2013년 8월 13일에 출원된 일본 특허출원 2013-168392, 2014년 1월 23일에 출원된 일본 특허출원 2014-009985 및 2014년 5월 22일에 출원된 일본 특허출원 2014-106012를 기초로 하는 것이며, 그 내용은 여기에 참조로서 인용된다.This application is related to Japanese Patent Application No. 2013-168392 filed on August 13, 2013, Japanese Patent Application No. 2014-009985 filed on January 23, 2014, and Japanese Patent Application No. 2014-009985 filed on May 22, 106012, the contents of which are incorporated herein by reference.

본 발명에 따른 Cu합금 타겟은, 터치패널의 센서 전극, 터치패널의 배선 등에 사용되는 Cu합금막을 제조하기 위한 타겟으로서 사용할 수 있다.The Cu alloy target according to the present invention can be used as a target for manufacturing a Cu alloy film used for a sensor electrode of a touch panel, a wiring of a touch panel, and the like.

또한, 본 발명에 따른 Cu합금막은, 터치패널의 센서 전극, 터치패널의 배선 등에 사용할 수 있다.Further, the Cu alloy film according to the present invention can be used for sensor electrodes of a touch panel, wiring for a touch panel, and the like.

Claims (11)

이하의 구성을 구비한 Cu합금 타겟용 재료:
(1) 상기 Cu합금 타겟용 재료는, Zn을 0.1~10.0at% 포함하고, 나아가,
Mg, Cr, Ca, Ti, Al, Sn, Ni 및 B로 이루어지는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 원소를, 그 총함유량이 0.1~6.0at%가 되도록 포함하고, 잔부가 Cu 및 불가피적 불순물로 이루어지고; 및
(2) 상기 Cu합금 타겟용 재료는, 터치패널의 센서 전극 및/또는 배선에 사용되는 Cu합금막을 기판 상에 형성하기 위한 타겟에 사용된다.A material for a Cu alloy target having the following composition:
(1) The material for the Cu alloy target contains 0.1 to 10.0 at% of Zn,
At least one element selected from the group consisting of Mg, Cr, Ca, Ti, Al, Sn, Ni and B is contained so as to have a total content of 0.1 to 6.0 at%, the balance being Cu and inevitable impurities under; And
(2) The Cu alloy target material is used as a target for forming a Cu alloy film used for a sensor electrode and / or wiring of a touch panel on a substrate. 제1항에 있어서,
Zn의 함유량이 2.0~6.0at%인 Cu합금 타겟용 재료.The method according to claim 1,
A material for a Cu alloy target having a Zn content of 2.0 to 6.0 at%. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 Zn의 함유량에 대한 상기 Mg, Cr, Ca, Ti, Al, Sn, Ni 및 B로 이루어지는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 원소의 총함유량의 비: (Mg+Cr+Ca+Ti+Al+Sn+Ni+B)/Zn이 2.0 이하인 Cu합금 타겟용 재료.3. The method according to claim 1 or 2,
The ratio of the total content of at least one element selected from the group consisting of Mg, Cr, Ca, Ti, Al, Sn, Ni and B to the content of Zn: (Mg + Cr + Ca + Ti + + Ni + B) / Zn is 2.0 or less. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 Cu합금 타겟용 재료를 사용하여 제작된 Cu합금 타겟.A Cu alloy target produced by using the material for a Cu alloy target according to any one of claims 1 to 3. 제4항에 기재된 Cu합금 타겟을 사용하여 상기 기판 상에 형성된 Cu합금막.A Cu alloy film formed on the substrate using the Cu alloy target according to claim 4. 제5항에 있어서,
상기 기판과의 계면 근방에 농화층을 구비하고 있는 Cu합금막.6. The method of claim 5,
A Cu alloy film having a concentrated layer in the vicinity of the interface with the substrate. 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 기판과의 밀착성이 JIS K5600-5-6: 1999에서 규정하는 분류 0~3인 Cu합금막.The method according to claim 5 or 6,
A Cu alloy film having adhesion to the substrate of 0 to 3 as defined by JIS K5600-5-6: 1999. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
전기비저항이 8.0μΩ·cm 이하인 Cu합금막.8. The method according to any one of claims 5 to 7,
A Cu alloy film having an electrical resistivity of 8.0 占 占 cm m or less. 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
반사율이 50% 이하인 Cu합금막.9. The method according to any one of claims 5 to 8,
A Cu alloy film having a reflectance of 50% or less. 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판은, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름 기판인 Cu합금막.10. The method according to any one of claims 5 to 9,
Wherein the substrate is a polyethylene terephthalate (PET) film substrate. 제5항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 Cu합금막을 구비한 터치패널.A touch panel comprising the Cu alloy film according to any one of claims 5 to 10.
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