KR20140148098A - 발광 다이오드 칩 - Google Patents

발광 다이오드 칩 Download PDF

Info

Publication number
KR20140148098A
KR20140148098A KR1020130071583A KR20130071583A KR20140148098A KR 20140148098 A KR20140148098 A KR 20140148098A KR 1020130071583 A KR1020130071583 A KR 1020130071583A KR 20130071583 A KR20130071583 A KR 20130071583A KR 20140148098 A KR20140148098 A KR 20140148098A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
protruding
semiconductor layer
emitting diode
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020130071583A
Other languages
English (en)
Inventor
김예슬
김경완
류용우
이진웅
임형진
Original Assignee
서울바이오시스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울바이오시스 주식회사 filed Critical 서울바이오시스 주식회사
Priority to KR1020130071583A priority Critical patent/KR20140148098A/ko
Priority to TW103120945A priority patent/TWI624080B/zh
Priority to PCT/KR2014/005482 priority patent/WO2014204271A1/en
Publication of KR20140148098A publication Critical patent/KR20140148098A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 칩이 개시된다.
개시된 본 발명의 발광 다이오드 칩은 기판; 상기 기판 상에 형성된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 적층부; 및 상기 반도체 적층부는 제1 및 제2 측면을 포함하고, 상기 제1 측면은 상기 반도체 적층부의 외측면으로 정의되고, 상기 제2 측면은 상기 제1 도전형 반도체층의 외측면으로 정의되고, 상기 제1 및 제2 측면 중 적어도 어느 하나는 돌출 패턴을 갖는다. 따라서, 본 발명은 상기 돌출 패턴에 의해 발광 다이오드 칩의 측면 광 추출을 향상시킬 수 있다.

Description

발광 다이오드 칩{LIGHT EMITTING DIODE CHIP}
본 발명은 발광 다이오드 칩에 관한 것으로, 특히 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 칩에 관한 것이다.
일반적인 발광 다이오드 칩은 사파이어와 같은 기판상에 반도체 적층부가 형성되고, 상기 반도체 적층부 상에 전극이 형성된다. 일반적인 발광 다이오드 칩은 활성층에서 발광된 광이 반도체 적층부 내부에서 전반사되어 손실되는 문제를 개선하기 위해 기판상에 요철 패턴 등이 형성된 기술이 제안되었으나, 여전히 전반사에 의해 광 효율이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 칩을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 칩은 기판; 상기 기판 상에 형성된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 적층부; 및 상기 반도체 적층부는 제1 및 제2 측면을 포함하고, 상기 제1 측면은 상기 반도체 적층부의 외측면으로 정의되고, 상기 제2 측면은 상기 제1 도전형 반도체층의 외측면으로 정의되고, 상기 제1 및 제2 측면 중 적어도 어느 하나는 돌출 패턴을 갖는다. 따라서, 본 발명은 상기 돌출 패턴에 의해 발광 다이오드 칩의 측면 광 추출을 향상시킬 수 있다.
상기 제1 및 제2 측면 중 적어도 어느 하나는 평면 패턴을 더 포함하고, 상기 평면 패턴 및 상기 돌출 패턴은 교번될 수 있다.
상기 제1 및 제2 측면은 평면 패턴을 더 포함하고, 상기 평면 패턴 및 상기 돌출 패턴은 교번될 수 있다.
상기 제1 및 제2 측면 중 적어도 어느 하나에는 마이크로 패턴을 포함하고, 상기 마이크로 패턴 및 상기 돌출 패턴은 교번될 수 있다.
상기 돌출 패턴은 돌출된 라운드 패턴, 돌출된 삼각 패턴 및 돌출된 사각 패턴 중 적어도 2 이상이 교번될 수 있다.
상기 제1 및 제2 측면 중 적어도 어느 하나에는 오목 패턴을 더 포함하고, 상기 돌출 패턴 및 상기 오목 패턴은 교번될 수 있다.
상기 제1 및 제2 측면은 일정한 경사각을 갖는다.
상기 도전형 반도체층의 외측면에는 상기 제2 측면 상에 형성된 제3 측면을 더 포함한다.
상기 돌출 패턴은, 상기 제1 측면에 위치한 제1 돌출 패턴; 상기 제2 측면에 위치한 제2 돌출 패턴; 및 상기 제3 측면에 위치한 제3 돌출 패턴을 포함한다.
상기 제1 측면에는 상기 제1 돌출 패턴과 교번되는 제1 평면 패턴을 포함하고, 상기 제2 측면에는 상기 제2 돌출 패턴과 교번되는 제2 평면 패턴을 포함하고, 상기 제3 측면에는 상기 제3 돌출 패턴과 교번되는 제3 평면 패턴을 포함한다.
상기 제2 도전형 반도체층 상에는 투명 전극층을 더 포함하고, 상기 투명 전극층의 외측면은 상기 제1 측면에 포함된다.
상기 제1 측면은 메사(mesa) 공정에 의해 상기 투명 전극층 및 상기 반도체 적층부가 식각된 영역이다.
상기 제1 측면의 형상은 상기 메사 공정에서 사용되는 마스크의 가장자리와 대응되는 형상을 갖는다.
상기 제2 측면은 단위 셀 분리 공정에 의해 상기 제1 도전성 반도체층의 식각된 영역이다.
상기 제2 측면의 형상은 상기 단위 셀 분리 공정에서 사용되는 마스크의 가장자리와 대응되는 형상을 갖는다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 발광 다이오드 칩은 메사 식각된 투명 전극층 및 반도체 적층부의 제1 측면과, 단위 셀 절단공저에 의해 식각된 제1 도전형 반도체층의 제2 측면 중 적어도 어느 하나에 돌출 패턴이 형성되어 발광 다이오드 칩의 측면에서 전반사되는 광을 줄여 광 추출이 우수한 장점을 갖는다.
또한, 본 발명은 상기 제1 및 제2 측면 중 적어도 하나에 돌출 패턴 및 평면 패턴이 교번되게 형성되거나, 돌출 패턴 및 오목 패턴이 교번되게 형성되거나, 돌출 패턴 및 마이크로 렌즈 패턴이 교번되게 형성되거나, 돌출 패턴 및 삼각 패턴이 교번되게 형성되어 광 추출이 우수한 장점을 갖는다.
따라서, 본 발명은 상기 제1 및 제2 측면의 구조에 의해 발광 다이오드 칩의 측면 광 추출을 향상시켜, 발광 다이오드 칩의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광 다이오드 칩을 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광 다이오드 칩을 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6은 도 5의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광 다이오드 칩을 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 8은 도 7의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광 다이오드 칩을 도시한 단면도이다.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예들의 발광 다이오드 칩을 도시한 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광 다이오드 칩을 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 칩(100)은 기판(110), 반도체 적층부, 투명 전극층(150), 제1 전극(180) 및 제2 전극(190)을 포함한다.
상기 기판(110)은, 사파이어 기판, 스피넬 기판, 질화갈륨 기판, 탄화실리콘 기판 또는 실리콘 기판과 같이 질화갈륨계 화합물 반도체층을 성장시키기 위한 성장기판일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 기판(110)은 상부면에 요철 패턴(111)을 포함한다. 상기 요철 패턴(111)은 광 효율을 향상시키는 기능을 갖는다. 상기 요철 패턴(111)은 상기 기판(110)의 표면으로 진행하는 광을 외부로 굴절시킨다. 상기 요철 패턴(111)은 돌출된 스트라이프 타입의 반원통 형상으로 형성된다.
상기 요철 패턴(111)은 스트라이프 타입의 반원통 형상으로 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 아일랜드 타입의 반구 형상일 수도 있고, 다각 형상일 수도 있다.
상기 반도체 적층부는 제1 도전형 반도체층(120), 활성층(130) 및 제2 도전형 반도체층(140)을 포함한다.
상기 활성층(130)은 상기 제1 도전형 반도체층(120)과 제2 도전형 반도체층(140) 사이에 위치하며, 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자우물 구조로 형성될 수 있다. 상기 활성층(130)은 요구되는 파장의 광, 예컨대 자외선 또는 가시광을 방출하도록 조성 원소 및 조성비가 결정된다.
상기 제1 도전형 반도체층(120)은 n형 GaN을 포함할 수 있고, 상기 제2 도전형 반도체층(140)은 p형 GaN를 포함할 수 있다. 여기서, n형 및 p형은 서로 뒤바뀔 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(120, 140)은 단일층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 활성층(130), 제1 및 제2 도전형 반도체층(120, 140)은 MOCVD 또는 MBE 기술을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 투명 전극층(150)은 상기 제2 도전형 반도체층(140) 상에 형성된다. 상기 투명 전극층(150)은 ITO, ZnO, FTO, AZO, GZO와 같은 투명 산화물 또는 Graphene,CNT, Ni/Au 등으로 형성될 수 있으며, 상기 제2 도전형 반도체층(140)에 오믹콘택된다. 도면에는 도시하지 않았지만, 위해 상기 투명 전극층(150)과 상기 제2 도전형 반도체층(140) 사이에는 전류 블록층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 전류 차단층은 상기 투명 전극층(150) 및 상기 제2 도전형 반도체층(140) 사이의 전류 분산을 향상시키는 기능을 갖는다.
상기 발광 다이오드 칩(100)은 메사(mesa) 식각 공정에 의해서 상기 투명 전극층(150), 제2 도전형 반도체층(140), 활성층(130)을 포함하여 상기 제1 도전형 반도체층(120)의 일부가 식각되어 상기 제1 도전형 반도체층(120)이 노출된다. 메사 식각된 상기 투명 전극층(150) 및 반도체 적층부의 외측면은 제1 측면(170)으로 정의하고, 상기 제1 측면(170)에는 발광 다이오드 칩(100)의 측면 광 추출을 향상시키는 돌출 패턴(173) 및 평면 패턴(171)이 형성된다.
상기 돌출 패턴(173) 및 평면 패턴(171)은 상기 제1 측면(170)을 따라 교번되게 형성되고, 상기 돌출 패턴(173)은 돌출된 라운드 형상을 갖는다. 상기 돌출 패턴(173) 및 상기 평면 패턴(171)은 포토 레지스트를 이용한 마스크 공정 시에 형성될 수 있다. 즉, 상기 마스크(미도시)의 외측면은 상기 돌출 패턴(173) 및 평면 패턴(171)과 동일한 형상을 갖는다.
상기 발광 다이오드 칩(100)은 기판(110) 상에서 단위 셀로 분리되고, 스크라이빙 공정을 통해서 단위 셀마다 분리되어 도 1 및 도 2에서와 같이, 하나의 발광 다이오드 칩(100)으로 제조가 완료된다.
여기서, 상기 발광 다이오드 칩(100)은 단위 셀로 분리하는 공정을 통해서 상기 기판(110) 상에서 제1 도전형 반도체층(120)이 단위 셀로 식각되어 상기 기판(110)의 상부면 가장자리가 노출될 수 있다.
상기 단위 셀로 분리된 상기 제1 도전형 반도체층(120)의 외측면은 제2 측면(160)으로 정의하고, 상기 제2 측면(160)은 평면 구조를 갖는다.
이상에서 설명한 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 칩(100)은 메사 식각된 투명 전극층(150) 및 반도체 적층부의 제1 측면(170)에 돌출 패턴(173) 및 평면 패턴(171)이 교번되게 형성되어 발광 다이오드 칩(100)의 측면에서 전반사되는 광을 줄여 광 추출이 우수한 장점을 갖는다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광 다이오드 칩을 도시한 단면도이다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 칩(200)은 제2 측면(260)을 제외한 모든 구성이 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 칩(도1의 100)과 동일하므로 동일한 부호를 병기하고 상세한 설명은 생략하기로 한다.
제1 측면(170)에는 제1 돌출 패턴(173) 및 제1 평면 패턴(171)을 포함하고, 상기 제1 돌출 패턴(173) 및 상기 제1 평면 패턴(171)은 상기 제1 측면(170)을 따라 교번되게 형성된다.
상기 제2 측면(260)은 제1 도전형 반도체층(120)의 외측면으로 정의되고, 상기 제2 측면(260)은 제2 돌출 패턴(263) 및 제2 평면 패턴(261)을 포함하고, 상기 제2 돌출 패턴(263) 및 상기 제2 평면 패턴(261)은 상기 제2 측면(260)을 따라 교번되게 형성된다. 상기 제2 돌출 패턴(263) 및 상기 제2 평면 패턴(261)은 발광 다이오드 칩(200)의 측면 광 추출을 향상시키는 기능을 갖는다. 상기 제2 돌출 패턴(263)은 돌출된 라운드 형상을 갖는다. 상기 제2 돌출 패턴(263) 및 상기 제2 평면 패턴(261)은 포토 레지스트를 이용한 마스크 공정 시에 형성될 수 있다. 즉, 상기 마스크(미도시)의 외측면은 상기 제2 돌출 패턴(263) 및 상기 제2 평면 패턴(261)과 동일한 형상을 갖는다. 상기 제2 돌출 패턴(263) 및 상기 제2 평면 패턴(261)은 단위 셀로 분리하는 공정을 통해서 형성된다.
이상에서 설명한 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 칩(200)은 메사 식각된 투명 전극층(150) 및 반도체 적층부의 상기 제1 측면(170)에 제1 돌출 패턴(173) 및 제1 평면 패턴(171)이 교번되게 형성되고, 단위 셀 분리공정을 통해 식각된 제1 도전형 반도체층(120)의 제2 측면(260)에 제2 돌출 패턴(263) 및 제2 평면 패턴(261)이 교번되게 형성되어 발광 다이오드 칩(200)의 측면에서 전반사되는 광을 줄여 광 추출이 우수한 장점을 갖는다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 6은 도 5의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광 다이오드 칩을 도시한 단면도이다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 칩(300)은 제2 및 제3 측면(260, 360)을 제외한 모든 구성이 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 칩(도1의 100)과 동일하므로 동일한 부호를 병기하고 상세한 설명은 생략하기로 한다.
제1 측면(170)에는 제1 돌출 패턴(173) 및 제1 평면 패턴(171)을 포함하고, 상기 제1 돌출 패턴(173) 및 상기 제1 평면 패턴(171)은 상기 제1 측면(170)을 따라 교번되게 형성된다.
상기 제2 측면(260)은 제1 도전형 반도체층(120)의 외측면으로 정의되고, 상기 제2 측면(260)은 제2 돌출 패턴(263) 및 제2 평면 패턴(261)을 포함하고, 상기 제2 돌출 패턴(263) 및 상기 제2 평면 패턴(261)은 상기 제2 측면(260)을 따라 교번되게 형성된다. 상기 제2 돌출 패턴(263) 및 상기 제2 평면 패턴(261)은 발광 다이오드 칩(300)의 측면 광 추출을 향상시키는 기능을 갖는다. 상기 제2 돌출 패턴(263)은 돌출된 라운드 형상을 갖는다.
상기 제3 측면(360)은 제1 도전형 반도체층(120)의 외측면으로 정의되고, 상기 제2 측면(260) 상에 위치한다. 상기 제3 측면(360)은 제3 돌출 패턴(363) 및 제3 평면 패턴(361)을 포함하고, 상기 제3 돌출 패턴(363) 및 상기 제3 평면 패턴(361)은 상기 제3 측면(360)을 따라 교번되게 형성된다. 상기 제3 돌출 패턴(363) 및 상기 제3 평면 패턴(361)은 발광 다이오드 칩(300)의 측면 광 추출을 향상시키는 기능을 갖는다. 상기 제3 돌출 패턴(363)은 돌출된 라운드 형상을 갖는다.
상기 제2 돌출 패턴(263) 및 제2 평면 패턴(261)과, 상기 제3 돌출 패턴(363) 및 제3 평면 패턴(361)은 포토 레지스트를 이용한 마스크 공정 시에 형성될 수 있다. 즉, 상기 마스크(미도시)의 외측면은 상기 제2 돌출 패턴(263) 및 제2 평면 패턴(261)과, 상기 제3 돌출 패턴(363) 및 제3 평면 패턴(361)과 동일한 형상을 갖는다. 상기 제2 돌출 패턴(263) 및 제2 평면 패턴(261)과, 상기 제3 돌출 패턴(363) 및 제3 평면 패턴(361)은 단위 셀로 분리하는 공정을 통해서 형성된다. 여기서, 상기 제2 돌출 패턴(263) 및 제2 평면 패턴(261)과, 상기 제3 돌출 패턴(363) 및 제3 평면 패턴(361)은 한번의 마스크 공정을 통해 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2 돌출 패턴(263) 및 제2 평면 패턴(261)과, 상기 제3 돌출 패턴(363) 및 제3 평면 패턴(361)은 회절 마스크 또는 하프톤 마스크를 이용하여 형성될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 칩(300)은 메사 식각된 투명 전극층(150) 및 반도체 적층부의 상기 제1 측면(170)에 제1 돌출 패턴(173) 및 제1 평면 패턴(171)이 교번되게 형성되고, 단위 셀 분리공정을 통해 식각된 제1 도전형 반도체층(120)의 제2 측면(260)에 상기 제2 돌출 패턴(263) 및 제2 평면 패턴(261)과, 제3 측면(360)에 상기 제3 돌출 패턴(363) 및 제3 평면 패턴(361)이 교번되게 형성되어 발광 다이오드 칩(300)의 측면에서 전반사되는 광을 줄여 광 추출이 우수한 장점을 갖는다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 8은 도 7의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광 다이오드 칩을 도시한 단면도이다.
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 칩(400)은 제1 및 제2 측면(470, 460)을 제외한 모든 구성이 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 칩(도3의 200)과 동일하므로 동일한 부호를 병기하고 상세한 설명은 생략하기로 한다.
상기 제1 측면(470)은 제1 돌출 패턴(473) 및 제1 평면 패턴(471)을 포함하고, 상기 제1 돌출 패턴(473) 및 상기 제1 평면 패턴(471)은 상기 제1 측면(470)을 따라 교번되게 형성된다. 상기 제1 측면(470)은 일정한 경사각을 갖는다.
상기 제2 측면(460)은 제2 돌출 패턴(463) 및 제2 평면 패턴(461)을 포함하고, 상기 제2 돌출 패턴(463) 및 상기 제2 평면 패턴(461)은 상기 제2 측면(460)을 따라 교번되게 형성된다. 상기 제2 측면(460)은 일정한 경사각을 갖는다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 칩(400)은 메사 식각된 투명 전극층(150) 및 반도체 적층부의 상기 제1 측면(470)에 제1 돌출 패턴(473) 및 제1 평면 패턴(471)이 교번되게 형성되고, 단위 셀 분리공정을 통해 식각된 제1 도전형 반도체층(120)의 제2 측면(460)에 제2 돌출 패턴(463) 및 제2 평면 패턴(461)이 교번되게 형성되며, 상기 제1 및 제2 측면(470, 460)은 일정한 경사각을 포함하여 발광 다이오드 칩(400)의 측면 광 추출을 보다 더 향상시킬 수 있다.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예들의 발광 다이오드 칩을 도시한 도면이다.
도 9를 참조하면, 투명 전극층 및 반도체 적층부의 제1 측면(570)은 제1 돌출 패턴(573) 및 제1 오목 패턴(571)을 포함하고, 단위 셀 분리공정을 통해 식각된 제1 도전형 반도체층의 제2 측면(560)은 제2 돌출 패턴(563) 및 제2 오목 패턴(561)을 포함한다.
상기 제1 및 제2 돌출 패턴(573, 563)은 돌출된 라운드 형상을 갖고, 상기 제1 및 제2 오목 패턴(571, 561)은 홈 형태의 라운드 형상을 갖는다. 즉, 상기 제1 및 제2 측면(570, 560)은 물결 패턴을 갖는다.
상기 제1 및 제2 측면(570, 560)은 물결 패턴에 의해 발광 다이오드 칩의 측면 광 추출을 향상시킬 수 있다.
여기서, 상기 물결 패턴은 상기 제1 및 제2 측면(570, 560)에 형성된 구조를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 측면(570, 560) 중 어느 하나에만 형성될 수도 있다.
도 10을 참조하면, 투명 전극층 및 반도체 적층부의 제1 측면(670)은 제1 돌출 패턴(673) 및 제1 마이크로 렌즈 패턴(671)을 포함하고, 단위 셀 분리공정을 통해 식각된 제1 도전형 반도체층의 제2 측면(660)은 제2 돌출 패턴(663) 및 제2 마이크로 렌즈 패턴(661)을 포함한다.
상기 제1 및 제2 측면(670, 660)은 제1 돌출 패턴(673) 및 제1 마이크로 렌즈 패턴(671)과, 제2 돌출 패턴(663) 및 제2 마이크로 렌즈 패턴(661)에 의해 발광 다이오드 칩의 측면 광 추출을 향상시킬 수 있다.
여기서, 상기 제1 돌출 패턴(673) 및 제1 마이크로 렌즈 패턴(671)과, 제2 돌출 패턴(663) 및 제2 마이크로 렌즈 패턴(661)은 각각 상기 제1 및 제2 측면(670, 660)에 형성된 구조를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 측면(670, 660) 중 어느 하나에만 형성될 수도 있다.
도 11을 참조하면, 투명 전극층 및 반도체 적층부의 제1 측면(770)은 제1 및 제2 돌출 패턴(773, 771)을 포함하고, 단위 셀 분리공정을 통해 식각된 제1 도전형 반도체층의 제2 측면(760)은 제3 및 제4 돌출 패턴(763, 761)을 포함한다.
상기 제1 및 제3 돌출 패턴(773, 763)은 돌출된 라운드 형상을 갖고, 상기 제2 및 제4 돌출 패턴(771, 761)은 돌출된 삼각 형상을 갖는다.
상기 제1 및 제2 측면(770, 760)은 제1 및 제2 돌출 패턴(773, 771)과, 제3 및 제4 돌출 패턴(763, 761)에 의해 발광 다이오드 칩의 측면 광 추출을 향상시킬 수 있다.
여기서, 상기 제1 및 제2 돌출 패턴(773, 771)과, 제3 및 제4 돌출 패턴(763, 761)은 각각 상기 제1 및 제2 측면(770, 760)에 형성된 구조를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 측면(770, 760) 중 어느 하나에만 형성될 수도 있다. 또한, 본 발명에서는 돌출 패턴의 형상에 있어서, 라운드 형상 또는 삼각 형상으로 한정하여 설명하고 있지만, 특별히 한정하지 않고, 광 추출을 위한 기능을 갖는다면, 다각 형상 등으로 다양하게 변경될 수 있다.
이상에서, 본 발명의 다양한 실시예들 및 특징들에 대해 설명하였지만, 본 발명은 위에서 설명한 실시예들 및 특징들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형될 수 있다.
170, 470, 570, 670, 770: 제1 측면
160, 260, 460, 560, 660, 760: 제2 측면
360: 제3 측면
171, 471: 제1 평면 패턴
261, 461: 제2 평면 패턴
173, 473, 573, 673, 773: 제1 돌출 패턴
263, 463, 563, 663, 771: 제2 돌출 패턴
773: 제3 돌출 패턴 771: 제4 돌출 패턴

Claims (15)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 적층부; 및
    상기 반도체 적층부는 제1 및 제2 측면을 포함하고,
    상기 제1 측면은 상기 반도체 적층부의 외측면으로 정의되고, 상기 제2 측면은 상기 제1 도전형 반도체층의 외측면으로 정의되고,
    상기 제1 및 제2 측면 중 적어도 어느 하나는 돌출 패턴을 갖는 발광 다이오드 칩.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 및 제2 측면 중 적어도 어느 하나는 평면 패턴을 더 포함하고, 상기 평면 패턴 및 상기 돌출 패턴은 교번되는 발광 다이오드 칩.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 및 제2 측면은 평면 패턴을 더 포함하고, 상기 평면 패턴 및 상기 돌출 패턴은 교번되는 발광 다이오드 칩.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 및 제2 측면 중 적어도 어느 하나에는 마이크로 패턴을 포함하고, 상기 마이크로 패턴 및 상기 돌출 패턴은 교번되는 발광 다이오드 칩.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 돌출 패턴은 돌출된 라운드 패턴, 돌출된 삼각 패턴 및 돌출된 사각 패턴 중 적어도 2 이상이 교번되는 발광 다이오드 칩.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 및 제2 측면 중 적어도 어느 하나에는 오목 패턴을 더 포함하고, 상기 돌출 패턴 및 상기 오목 패턴은 교번되는 발광 다이오드 칩.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 및 제2 측면은 일정한 경사각을 갖는 발광 다이오드 칩.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 도전형 반도체층의 외측면에는 상기 제2 측면 상에 형성된 제3 측면을 더 포함하는 발광 다이오드 칩.
  9. 청구항 7에 있어서, 상기 돌출 패턴은,
    상기 제1 측면에 위치한 제1 돌출 패턴;
    상기 제2 측면에 위치한 제2 돌출 패턴; 및
    상기 제3 측면에 위치한 제3 돌출 패턴을 포함하는 발광 다이오드 칩.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제1 측면에는 상기 제1 돌출 패턴과 교번되는 제1 평면 패턴을 포함하고, 상기 제2 측면에는 상기 제2 돌출 패턴과 교번되는 제2 평면 패턴을 포함하고, 상기 제3 측면에는 상기 제3 돌출 패턴과 교번되는 제3 평면 패턴을 포함하는 발광 다이오드 칩.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 도전형 반도체층 상에는 투명 전극층을 더 포함하고, 상기 투명 전극층의 외측면은 상기 제1 측면에 포함되는 발광 다이오드 칩.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 측면은 메사(mesa) 공정에 의해 상기 투명 전극층 및 상기 반도체 적층부가 식각된 영역인 발광 다이오드 칩.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제1 측면의 형상은 상기 메사 공정에서 사용되는 마스크의 가장자리와 대응되는 형상을 갖는 발광 다이오드 칩.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 측면은 단위 셀 분리 공정에 의해 상기 제1 도전성 반도체층의 식각된 영역인 발광 다이오드 칩.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 제2 측면의 형상은 상기 단위 셀 분리 공정에서 사용되는 마스크의 가장자리와 대응되는 형상을 갖는 발광 다이오드 칩.
KR1020130071583A 2013-06-21 2013-06-21 발광 다이오드 칩 KR20140148098A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130071583A KR20140148098A (ko) 2013-06-21 2013-06-21 발광 다이오드 칩
TW103120945A TWI624080B (zh) 2013-06-21 2014-06-18 發光二極體晶片
PCT/KR2014/005482 WO2014204271A1 (en) 2013-06-21 2014-06-20 Light emitting diode chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130071583A KR20140148098A (ko) 2013-06-21 2013-06-21 발광 다이오드 칩

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140148098A true KR20140148098A (ko) 2014-12-31

Family

ID=52104921

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130071583A KR20140148098A (ko) 2013-06-21 2013-06-21 발광 다이오드 칩

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20140148098A (ko)
TW (1) TWI624080B (ko)
WO (1) WO2014204271A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108987425B (zh) * 2018-07-19 2020-09-18 豪威半导体（上海）有限责任公司 微led显示器及其制造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007258338A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
KR20100095134A (ko) * 2009-02-20 2010-08-30 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
KR101081135B1 (ko) * 2010-03-15 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101729263B1 (ko) * 2010-05-24 2017-04-21 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자의 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR20120005662A (ko) * 2010-07-09 2012-01-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
TW201513393A (zh) 2015-04-01
WO2014204271A1 (en) 2014-12-24
TWI624080B (zh) 2018-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6858112B2 (ja) 発光ダイオード及びそれを製造する方法
US9520536B2 (en) Light emitting diode chip having electrode pad
TWI464914B (zh) 發光二極體
US10084112B2 (en) Light emitting diode and method of fabricating the same
KR102022659B1 (ko) 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
US11437427B2 (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
KR20140118654A (ko) 발광 다이오드 칩
TWI585941B (zh) 發光二極體及其製造方法
KR20130098760A (ko) 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR100832070B1 (ko) 질화갈륨계 발광 다이오드 소자
KR20140148098A (ko) 발광 다이오드 칩
KR20120039811A (ko) 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR20170136348A (ko) 복수 n 콘택 구조가 구비된 발광 다이오드 소자
KR101773582B1 (ko) 고효율 발광 다이오드
KR101654342B1 (ko) 고효율 발광 다이오드
US9548420B2 (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
KR20200111323A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR101138978B1 (ko) 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
TWI786276B (zh) 發光元件之製造方法
KR101154510B1 (ko) 고효율 발광 다이오드
KR20150004565A (ko) 발광 다이오드 칩
KR100787361B1 (ko) 발광 다이오드
KR100756842B1 (ko) 광추출용 컬럼들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법
KR20150121968A (ko) 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR20140057425A (ko) 측면 내에 요철을 갖는 발광다이오드 및 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid