KR20140142382A - Method for patterning graphene using laser - Google Patents

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배아현
남재도
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    • H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers

Abstract

Suggested is a method for patterning graphene using laser, capable of forming a graphene circuit without an additional reduction process using laser patterning. An environmental problem, processing time, and equipment investment are reduced by forming the graphene circuit with high quality without additional patterning and reduction processes using the laser. Also, a fine circuit is advantageously formed using the laser in comparison with an existing pad print method and an existing inkjet print method.

Description

레이저를 이용한 그래핀 패터닝 방법{METHOD FOR PATTERNING GRAPHENE USING LASER}[0001] METHOD FOR PATTERNING GRAPHENE USING LASER [0002]

본 발명은 레이저를 이용하여 그래핀 회로를 인쇄하는 그래핀 패터닝 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a graphene patterning method for printing a graphene circuit using a laser.

그래핀(graphene)은 그 전기적, 광학적, 열적, 기계적 성질 때문에 투명 전극이나 센서 등 전자 제품에 많은 연구가 진행되어 왔다. 특히, 그래핀(graphene)에 기반한 회로 구현의 방법으로는 PDMS(Polydimethylsiloxane)라고 불리는 패드를 이용한 전사 인쇄 후 환원시키는 방법, 잉크젯 인쇄 후 환원시키는 방법, 마스크 등을 이용하여 복잡한 공정을 거치는 방법 등이 주로 사용되고 있다. Due to its electrical, optical, thermal and mechanical properties, graphene has been studied in electronic devices such as transparent electrodes and sensors. Particularly, as a method of implementing a circuit based on graphene, there are a method of reducing after transfer printing using a pad called PDMS (Polydimethylsiloxane), a method of reducing after inkjet printing, a method of complicated processing using a mask, and the like It is mainly used.

그러나, 이러한 방법들은 인쇄 후 환원 공정을 필요로 하는 공정으로서, 인쇄의 정확성과 긴 공정 시간이 요구되며, 또한 환원 공정의 경우 대부분 화학 처리를 하기 때문에 환경적인 문제를 야기시킬 수 있다. However, these methods are processes requiring a post-printing reduction process, which require printing accuracy and a long process time, and may cause environmental problems because most of the reduction processes are chemical processes.

이에, 보다 간단한 방법으로 그래핀(graphene)을 이용하여 인쇄하는 방법이 필요하다.Therefore, a method of printing using graphene in a simpler manner is needed.

레이저 패터닝을 이용하여 추가적인 환원 공정없이 그래핀 회로의 구현이 가능한 레이저를 이용한 그래핀 패터닝 방법을 제안하고자 한다.We propose a graphene patterning method using laser which can realize graphene circuit without additional reduction process by using laser patterning.

이를 위해 본 발명의 일 측면에 의한 레이저를 이용한 그래핀 패터닝 방법은, 기판 상에 그래핀 산화물을 필름 형태로 코팅하고; 필름 형태로 코팅된 그래핀 산화물 위에 투명 필름을 적층하고; 페트 필름 방향에서 레이저를 조사하여 그래핀 산화물의 환원 및 패터닝을 동시에 수행하는 것을 포함한다.To this end, a method of patterning graphene using a laser according to an aspect of the present invention includes: coating a graphene oxide film on a substrate; Laminating a transparent film on the graphene oxide coated in film form; And irradiating the laser in the direction of the PET film to simultaneously perform reduction and patterning of the graphene oxide.

그래핀 산화물의 환원 및 패터닝을 동시에 수행하는 것은, 투명 필름 방향에서 레이저를 조사하여 그래핀을 환원하고; 레이저 조사 후, 투명 필름을 제거하고; 투명 필름 쪽에 환원된 그래핀 패턴을 형성하는 것을 더 포함한다.Simultaneously performing reduction and patterning of graphene oxide can be achieved by irradiating a laser in the direction of the transparent film to reduce graphene; After laser irradiation, the transparent film is removed; And forming a reduced graphene pattern on the transparent film side.

그래핀 패턴은 중심부와 끝 단 사이의 저항값이 약 90Ω인 것을 포함한다.The graphene pattern includes a resistance value between the center portion and the end portion of about 90 OMEGA.

또한, 본 발명의 일 측면에 의한 레이저를 이용한 그래핀 패터닝 방법은, 그래핀을 이용하여 패터닝된 그래핀 인쇄 회로를 구현하는 것을 더 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a laser-based graphene patterning method, which further includes implementing a patterned graphene print circuit using graphene.

투명 필름은 페트(PET) 필름을 포함한다.The transparent film includes a PET film.

또한, 제안된 레이저를 이용한 그래핀 패터닝 방법에 의하면, 레이저를 이용하여 추가적인 패터닝 공정 및 환원 공정없이 우수한 품질의 그래핀 회로 구현이 가능하므로 환경 문제 및 공정 시간, 장비 투자 면에서 매우 유용하다. 또한, 레이저를 이용하기 때문에 미세 회로 구현에도 기존의 패드 인쇄 방법 및 잉크젯 인쇄 방법에 비해 매우 유리하다.Also, according to the proposed laser-based graphene patterning method, it is possible to realize a high-quality graphene circuit without additional patterning process and reduction process by using a laser, which is very useful in terms of environmental problems, process time, and equipment investment. In addition, since a laser is used, the implementation of a microcircuit is very advantageous as compared with the conventional pad printing method and inkjet printing method.

도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 일 실시예에 의한 레이저를 이용한 그래핀의 선택적 전사 패터닝 방법을 설명하는 공정도이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 의한 레이저를 이용한 그래핀의 선택적 전사 패터닝 방법을 설명하는 공정 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 의한 레이저를 이용한 그래핀 패터닝 방법을 통해 패터닝된 그래핀 패턴을 나타낸 도면이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일 실시예에 의한 레이저를 이용한 그래핀 패터닝 방법을 통해 패터닝된 그래핀 패턴의 SEM 사진을 나타낸 도면이다.FIGS. 1A to 1D are process diagrams for explaining a selective transfer patterning method of graphene using a laser according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2A to 2D are process cross-sectional views illustrating a selective transfer patterning method of graphene using a laser according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 3A to 3C are views showing a patterned graphene pattern through a laser-based graphene patterning method according to an embodiment of the present invention.
4A to 4C are SEM photographs of a patterned graphene pattern through a laser-based graphene patterning method according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명에 의한 일 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

그래핀(graphene)은 탄소 원자가 육각형 벌집 모양으로 결합하고 있는 단원자층을 기본 단위로 하여 대략 1~10층 이내로 적층된 얇은 박막을 통칭하는 단어이며, 상온에서 200,000cm2/Vs에 달하는 높은 전하 이동도와 높은 기계적 강도, 유연성, 가시 광선에 대해 높은 투과율을 가지는 등의 우수한 특성으로 인해 초고속 나노 반도체, 투명 전극 소재, 각종 센서용 소재로서 매우 유망한 신소재이다.Graphene is a word collectively referred to as a thin film laminated within a layer of about 1 to 10 layers of a monolayer having carbon atoms bonded in a hexagonal honeycomb shape and having a high charge transfer at room temperature of 200,000 cm 2 / It is a very promising new material for ultra high-speed nano semiconductors, transparent electrode materials and various sensors due to its high mechanical strength, flexibility and high transmittance to visible light.

그래핀(graphene)은 그 자체로는 기판에 코팅이 불가능하기 때문에 다양한 방법으로 용액에 분산을 하여 사용한다. 일반적으로는 그래핀을 산화시킨 후에 물 또는 알콜류에 분산하고, 이를 기판에 전사시키는 방법을 이용한다. Since graphene itself can not be coated on a substrate, it is dispersed in a solution by various methods and used. Generally, graphenes are oxidized and then dispersed in water or alcohols and transferred to a substrate.

그러나, 그래핀(graphene)을 산화시키게 되면, 그래핀(graphene) 특유의 전기적 성질을 잃게 되기 때문에 이 경우 전사 후, 환원시키는 공정을 필요로 하게 된다. 또한 그 목적에 따라 회로를 형성해야 할 경우 추가적인 에칭 공정이 필요하게 되므로 공정성 또는 장비 투자 측면에서 불리하게 된다.However, if the graphene is oxidized, the electrical properties inherent to the graphene are lost. In this case, a step of reducing after transferring is required. Also, if a circuit is formed according to the purpose, an additional etching process is required, which is disadvantageous in view of fairness or equipment investment.

이에, 본 발명의 일 실시예에서는 레이저 패터닝(laser patterning)을 이용하여 추가적인 환원 공정없이 우수한 품질의 그래핀 회로 구현이 가능한 LDSTP(Laser-directed Selective Transfer Patterning) 방법을 제시한다.Accordingly, in one embodiment of the present invention, a laser-directed selective transfer patterning (LDSTP) method capable of realizing a high-quality graphene circuit without additional reduction process using laser patterning is proposed.

LDSTP(Laser-directed Selective Transfer Patterning) 방법의 그래핀 회로 구현은 아래의 실험을 통하여 그 가능성을 증명하였다.The graphene circuit implementation of LDSTP (Laser-directed Selective Transfer Patterning) method proved its possibility through the following experiment.

실험을 위하여, 먼저, 분산된 산화된 그래핀 서스펜션(oxidized graphene suspension)을 준비하였다. 그 준비는 다음과 같다.For the experiment, first, an oxidized graphene suspension was prepared. The preparation is as follows.

(1) graphite flake 10g과 KMnO4 40g을 H2SO4 360ml와 H3PO4 40ml 혼합 용액에 넣은 후 천천히 교반시킨다.(1) 10 g of graphite flake and 40 g of KMnO 4 are added to a mixed solution of 360 ml of H 2 SO 4 and 40 ml of H 3 PO 4 and stirred slowly.

(2) 교반 중인 용액을 50도에서 3시간 동안 추가로 교반한다(graphene oxidation).(2) The stirring solution is further stirred at 50 ° C for 3 hours (graphene oxidation).

(3) 불순물을 제거하기 위해, Deionized water 2000ml와 H2O2 100ml를 혼합한 용액에 (2)에서 추가로 교반한 용액을 넣은 후, 30분간 교반한다.(3) In order to remove impurities, add a further stirred solution to 2000 ml of Deionized water and 100 ml of H2O2 in (2), and stir for 30 minutes.

(4) 필터(filter)를 이용하여 산화된 그래핀(oxidized graphene)을 걸러 내고, 10% HCl 용액으로 몇 차례 세척한다.(4) Filter the oxidized graphene using a filter and wash several times with 10% HCl solution.

(5) 충분히 건조시킨다.(5) Dry thoroughly.

(6) 위의 실험에서 얻어진 산화된 그래핀(oxidized graphene) 0.05g을 deionized water 50ml에 넣은 후, 4시간 동안 초음파 분산을 하고, 이를 다시 원심 분리기를 이용하여 3000rpm에서 20분간 처리하여 분산된 그래핀 산화물(graphene oxide)을 분리해 내면, 안정화된 그래핀 산화물(graphene oxide) 분산액을 얻을 수 있다.(6) 0.05 g of the oxidized graphene obtained in the above experiment was placed in 50 ml of deionized water, and then ultrasonically dispersed for 4 hours. The resultant was treated again with a centrifuge at 3000 rpm for 20 minutes, By separating the graphene oxide, a stabilized graphene oxide dispersion can be obtained.

(7) 얻어진 그래핀 산화물(graphene oxide) 분산액은 200nm의 pore size를 가지는 필터(filter)를 이용하여 필터링하여 필름(film) 형태로 그래핀 산화물(graphene oxide)로 얻거나 수전사 방법을 통하여 다른 기판 위에 코팅된 필름 형태로 얻을 수 있다.(7) The resulting graphene oxide dispersion was filtered using a filter having a pore size of 200 nm to obtain graphene oxide in the form of a film, In the form of a film coated on a substrate.

위의 실험에서 얻어진 필름 형태의 그래핀 산화물(graphene oxide)은 LDSTP(Laser-directed Selective Transfer Patterning) 방법을 이용하여 패터닝(patterning) 할 수 있다. 이를 도 1a 내지 도 1d 및 도 2a 내지 도 2d를 참조하여 상세히 설명한다.The film-shaped graphene oxide obtained in the above experiment can be patterned using a laser-directed selective transfer patterning (LDSTP) method. This will be described in detail with reference to Figs. 1A to 1D and 2A to 2D.

도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 일 실시예에 의한 레이저를 이용한 그래핀의 선택적 전사 패터닝 방법을 설명하는 공정도이고, 도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 의한 레이저를 이용한 그래핀의 선택적 전사 패터닝 방법을 설명하는 공정 단면도이다.FIGS. 1A to 1D are views illustrating a method of selectively patterning a graphene using a laser according to an exemplary embodiment of the present invention. FIGS. 2A to 2D illustrate a method of patterning a graphene using a laser according to an exemplary embodiment of the present invention. Sectional view illustrating a selective transfer patterning method.

도 1a 및 도 2a에서, 기판(10) 상에 필름 형태의 그래핀 산화물(20; 이하, 그래핀 필름이라 한다)을 코팅한다.1A and 2A, a graphene oxide 20 (hereinafter referred to as a graphene film) in the form of a film is coated on a substrate 10.

기판(10)은 통상의 반도체 공정이 진행될 수 있는 임의의 모든 기판이 될 수 있으며, 실리콘(Si), 실리카(SiO2), 유리 및 그래핀 산화물(graphene oxide) 종이로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 단층 또는 복층 구조로 구성할 수 있다.The substrate 10 may be any substrate on which a conventional semiconductor process may be conducted and may be any one selected from the group consisting of silicon (Si), silica (SiO2), glass, and graphene oxide Or a single-layer or multi-layer structure as described above.

예를 들어, 기판(10)은 실리콘(Si) 기판이거나 실리카(SiO2)와 실리콘(Si)의 복층 구조(SiO2/Si)일 수 있으며, 메탈이 증착된 실리콘 기판, 구리 호일(Cu foil) 등도 사용될 수 있다.For example, the substrate 10 may be a silicon (Si) substrate, a multilayer structure of SiO 2 and Si (SiO 2 / Si), a silicon substrate on which a metal is deposited, a copper foil Can be used.

다음, 코팅된 그래핀 필름(20) 위에 투명한 페트(PET; 폴리에스터) 필름(30)을 적층한다.Next, a transparent PET (polyester) film 30 is laminated on the coated graphene film 20.

그래핀(graphene) 패턴화를 위해서 레이저(40)를 조사하는 과정에서, 레이저(40)에 의해 그래핀 산화물(graphene oxide)의 표면이 손상을 받을 가능성이 있다. 레이저(40) 조사에 의해 발생하는 순간 온도가 매우 높기 때문에 이러한 고온에서 그래핀 산화물(graphene oxide)의 표면에 열화 등에 의한 손상이 발생될 수 있다. In the process of irradiating the laser 40 for graphene patterning, there is a possibility that the surface of the graphene oxide is damaged by the laser 40. Since the instantaneous temperature generated by the irradiation of the laser 40 is very high, damage to the surface of the graphene oxide due to deterioration may occur at such a high temperature.

이와 같은, 레이저(40) 조사에 의한 표면 손상을 방지하기 위해서 그래핀 산화물(graphene oxide) 상에 PET(폴리에스터) 필름(30)을 적층하는 것이다.The PET (polyester) film 30 is laminated on the graphene oxide in order to prevent the surface damage caused by the laser 40 irradiation.

PET(폴리에스터) 필름(30)은 레이저(40)에 의한 표면 손상을 방지할 수 있다면 어떤 재질을 사용하여도 무방하며, 예를 들어, 유리 및 물로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 단층 또는 복층 구조일 수 있다. The PET (polyester) film 30 may be any material as long as it can prevent surface damage by the laser 40, and may include any one or more selected from the group consisting of, for example, glass and water Or a multi-layer structure.

이와 같이, 필름 형태로 코팅된 그래핀 산화물(graphene oxide)의 표면에 PET 필름(30)을 적층한 후 레이저(40)를 조사하게 되면, 레이저(40)가 그래핀 산화물(graphene oxide)로 직접 전사되는 것을 방지할 수 있게 된다.As described above, when the PET film 30 is laminated on the surface of the graphene oxide coated with a film and then the laser 40 is irradiated, the laser 40 is directly irradiated with graphene oxide It is possible to prevent transfer.

또한, 레이저(40)에 의해 발생되는 순간 온도는 1000℃ 이상으로 인가될 수 있으므로, PET 필름(30)에 의한 열전달 감소로 인해 그래핀 산화물(graphene oxide)의 표면 패턴화가 저해되지는 않는다.In addition, since the instantaneous temperature generated by the laser 40 can be applied at 1000 deg. C or higher, the surface patterning of the graphene oxide is not hindered by the heat transfer reduction by the PET film 30. [

도 1b 및 도 2b에서, PET(폴리에스터) 필름(30) 방향에서 레이저(40)를 조사한다.1B and 2B, the laser 40 is irradiated in the direction of the PET (polyester) film 30.

레이저(40)를 이용하여 PET 필름(30)이 적층된 그래핀 필름(20)의 표면에 열을 가함으로써 레이저(40)가 조사된 영역만 -O-, -OH 또는 -COOH 작용기가 제거되면서 그래핀(graphene)으로 환원된다. 레이저(40)가 조사된 영역만 그래핀(graphene)으로 환원되기 때문에 그래핀(graphene) 환원 및 패턴화의 두 가지 공정을 한 번에 수행할 수 있다.By applying heat to the surface of the graphene film 20 on which the PET film 30 is laminated by using the laser 40, only the -O-, -OH or -COOH functional group is removed in the region irradiated with the laser 40 It is reduced to graphene. Since only the irradiated region of the laser 40 is reduced to graphene, two processes of graphene reduction and patterning can be performed at one time.

본 발명의 일 실시예에서, 레이저(40)가 조사되는 부위의 그래핀 산화물(graphene oxide)의 온도는 100 내지 500℃, 보다 구체적으로는 150 내지 250℃ 범위일 수 있다. 이 범위보다 온도가 낮은 경우에는 충분한 환원이 일어나지 못하게 되고, 반대로 이 범위보다 온도가 높은 경우에는 열에너지가 과도하게 공급되어 표면에 손상이 가해질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the temperature of the graphene oxide at the site irradiated with the laser 40 may be in the range of 100 to 500 占 폚, more specifically 150 to 250 占 폚. If the temperature is lower than this range, sufficient reduction will not occur. Conversely, if the temperature is higher than this range, heat energy may be excessively supplied and the surface may be damaged.

레이저(40)의 조사 에너지, 펄스 및 빔 직경 등은 특별히 제한되지 않으며, 그래핀 산화물(graphene oxide)의 두께, 상태 및 패턴의 형상 등에 따라 달라질 수 있다. The irradiation energy, pulse, beam diameter, etc. of the laser 40 are not particularly limited and may vary depending on the thickness, the state of the graphene oxide, the shape of the pattern, and the like.

본 발명의 일 실시예에서 조사되는 레이저(40)의 에너지는 300 내지 500 mJ 범위일 수 있다. 레이저(40)의 에너지가 이 범위보다 낮은 경우에는 반응 온도가 낮아져 충분한 환원이 일어나지 못하게 되며, 반대로 이 범위보다 에너지가 높은 경우에는 그래핀 산화물(graphene oxide)의 표면이 손상될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the energy of the laser 40 irradiated may range from 300 to 500 mJ. If the energy of the laser 40 is lower than this range, the reaction temperature will be lowered and sufficient reduction will not occur. Conversely, if the energy is higher than this range, the surface of the graphene oxide may be damaged.

도 1c 및 도 2c에서, 위와 같이 레이저(40)를 조사하게 되면, 레이저(40)가 조사된 영역만 그래핀(graphene)으로 환원되어 PET 필름(30) 쪽에 원하는 그래핀 패턴(50)이 형성된다.1C and 2C, when the laser 40 is irradiated as described above, only the area irradiated with the laser 40 is reduced to graphene, and a desired graphene pattern 50 is formed on the PET film 30 side do.

도 1d 및 도 2d에서, 레이저(40) 처리 후에 위쪽의 PET 필름(30)을 제거하면 즉, 떼어 내면, 떼어 낸 PET 필름(30) 쪽에 환원된 그래핀 패턴(50)이 남는다.1D and 2D, when the upper PET film 30 is removed after the laser 40 treatment, that is, when the PET film 30 is removed, the reduced graphene pattern 50 is left on the removed PET film 30.

이외에도, 레이저(40)를 조사하여 그래핀 패턴(50)을 형성하는 공정 이후에, PET 필름(30)을 제거하는 공정을 더 포함할 수 있다. PET 필름(30)은 패턴화된 그래핀(graphene) 회로의 용도에 따라 레이저(40) 조사 후에 제거될 수 있으며, 경우에 따라서는 PET 필름(30)을 제거하지 않고 이를 포함하는 소자 형태로 구성할 수도 있다.In addition, the method may further include a step of removing the PET film 30 after the step of forming the graphene pattern 50 by irradiating the laser 40. The PET film 30 can be removed after the laser 40 irradiation, depending on the use of the patterned graphene circuit, and in some cases, without removing the PET film 30, You may.

이렇게 해서 얻어진 PET 필름(30)에 패터닝된 그래핀(graphene) 패턴을 도 3a 내지 도 3c에 나타내었다.A graphene pattern patterned on the thus obtained PET film 30 is shown in Figs. 3A to 3C.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 의한 레이저를 이용한 그래핀 패터닝 방법을 통해 패터닝된 그래핀 패턴을 나타낸 도면이다.FIGS. 3A to 3C are views showing a patterned graphene pattern through a laser-based graphene patterning method according to an embodiment of the present invention.

도 3a는 PET 필름(30) 위에 패터닝된 그래핀 패턴(50)을 나타낸 도면이다.3A is a diagram showing a graphene pattern 50 patterned on a PET film 30. FIG.

도 3b는 그래핀 패턴(50)을 떼어 내는 모습을 나타낸 도면이다.3B is a view showing a state in which the graphene pattern 50 is removed.

도 3c는 PET 필름(30)을 떼어 내고 난 기재(10; 예를 들어, PET 필름)를 나타낸 도면이다.3C is a view showing the base material 10 (for example, a PET film) on which the PET film 30 is removed.

이와 같이, LDSTP(Laser-directed Selective Transfer Patterning) 방법을 이용하면, 도 4a 내지 도 4c와 같은 미세 패턴(fine pattern)의 그래핀 회로를 얻을 수 있다.As described above, by using the laser-directed selective transfer patterning (LDSTP) method, a graphen circuit of a fine pattern as shown in Figs. 4A to 4C can be obtained.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일 실시예에 의한 레이저를 이용한 그래핀 패터닝 방법을 통해 패터닝된 그래핀 패턴의 SEM 사진을 나타낸 도면이다.4A to 4C are SEM photographs of a patterned graphene pattern through a laser-based graphene patterning method according to an embodiment of the present invention.

도 4a에 보듯이, 그래핀 패턴(50)의 중심부와 끝 단 사이의 저항 측정 시 90Ω 정도로 매우 양호한 수준의 회로를 얻을 수 있었다. 이는 레이저(40)로 인해 그래핀 산화물(graphene oxide)이 패터닝됨과 동시에 부도체인 그래핀 산화물(graphene oxide)이 그래핀(graphene)으로 환원되었음을 의미한다.As shown in FIG. 4A, when the resistance between the center portion and the end portion of the graphene pattern 50 was measured, a circuit of a very good level of about 90? Was obtained. This means that the graphene oxide is patterned by the laser 40, and at the same time, the nonconductive graphene oxide is reduced to graphene.

도 4b 및 도 4c는 도 4a의 "a"부분을 확대한 도면이다.4B and 4C are enlarged views of the portion "a" of Fig. 4A.

도 4b 및 도 4c에서, 그래핀 패턴(50)의 선폭은 40 ~ 290㎛ 범위일 수 있다. 그래핀 패턴(50)의 선폭은 조사되는 레이저 빔의 사이즈(size)에 따라 결정될 수 있으며, 이러한 패턴 폭을 가지는 그래핀(graphene)은 미세 패턴(fine pattern)의 구현이 가능하다는 장점이 있다.4B and 4C, the line width of the graphene pattern 50 may range from 40 to 290 mu m. The line width of the graphene pattern 50 can be determined according to the size of the laser beam to be irradiated. The graphene having such a pattern width has an advantage that a fine pattern can be realized.

10 : 기판 20 : 그래핀 필름
30 : PET 필름 40 : 레이저
50 : 그래핀 패턴10: substrate 20: graphene film
30: PET film 40: laser
50: Graphene pattern

Claims (5)

기판 상에 그래핀 산화물을 필름 형태로 코팅하고;
상기 필름 형태로 코팅된 그래핀 산화물 위에 투명 필름을 적층하고;
상기 페트 필름 방향에서 레이저를 조사하여 상기 그래핀 산화물의 환원 및 패터닝을 동시에 수행하는 레이저를 이용한 그래핀 패터닝 방법.Coating a graphene oxide film on the substrate;
Laminating a transparent film on the graphene oxide coated in the film form;
And a laser is irradiated in the direction of the PET film to simultaneously perform reduction and patterning of the graphene oxide. 제1항에 있어서,
상기 그래핀 산화물의 환원 및 패터닝을 동시에 수행하는 것은,
상기 투명 필름 방향에서 레이저를 조사하여 그래핀을 환원하고;
상기 레이저 조사 후, 상기 투명 필름을 제거하고;
상기 투명 필름 쪽에 환원된 그래핀 패턴을 형성하는 것을 포함하는 레이저를 이용한 그래핀 패터닝 방법.The method according to claim 1,
Simultaneously performing the reduction and patterning of the graphene oxide,
Irradiating a laser in the direction of the transparent film to reduce graphene;
Removing the transparent film after the laser irradiation;
And forming a reduced graphene pattern on the transparent film side. 제1항에 있어서,
상기 그래핀 패턴은 중심부와 끝 단 사이의 저항값이 약 90Ω인 레이저를 이용한 그래핀 패터닝 방법.The method according to claim 1,
Wherein the graphene pattern has a resistance value between a center portion and an end portion of about 90 OMEGA. 제2항에 있어서,
상기 그래핀을 이용하여 패터닝된 그래핀 인쇄 회로를 구현하는 레이저를 이용한 그래핀 패터닝 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the graphene pattern is patterned using the graphene. 제1항에 있어서,
상기 투명 필름은 페트(PET) 필름을 포함하는 레이저를 이용한 그래핀 패터닝 방법.The method according to claim 1,
Wherein the transparent film comprises a PET film.
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