KR20140139285A - Organic light emitting device with dummy electrode - Google Patents

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KR20140139285A KR1020130059759A KR20130059759A KR20140139285A KR 20140139285 A KR20140139285 A KR 20140139285A KR 1020130059759 A KR1020130059759 A KR 1020130059759A KR 20130059759 A KR20130059759 A KR 20130059759A KR 20140139285 A KR20140139285 A KR 20140139285A
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최규하
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Abstract

The present invention is provided to compensate for nonuniformity of a transmission factor of light of an organic electroluminescence light emitting device, comprising: a dummy electrode (22) sequentially stacked on a substrate (21); an insulation layer (23); a first electrode (24), an organic light emitting layer (25); and a second electrode (26). An area of a surface of the first electrode is smaller than that of a surface of the organic light emitting layer, and the dummy electrode is formed on an overall surface of the substrate.

Description

더미 전극을 갖는 유기전계 발광소자{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE WITH DUMMY ELECTRODE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED)

본 발명은 유기전계 발광소자(이하, 간단히 「OLED」라고 하는 경우도 있다)에 관한 것으로, 특히 시인성 개선을 위한 더미 전극을 갖는 유기전계 발광소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device (hereinafter sometimes simply referred to as " OLED "), and more particularly to an organic electroluminescent device having a dummy electrode for improving visibility.

OLED는 유리 등의 투명한 기판상에 형성된 양극과 음극으로 이루어지는 한 쌍의 전극 사이에 유기화합물을 포함하는 유기발광 층을 삽입 형성한 구조를 가지며, 상기 한 쌍의 전극으로부터 유기발광 층에 정공(hole) 및 전자(electron)를 주입하여 재결합시킴으로써 여기자(exciton)를 생성시켜서, 이 여기자의 활성이 상실될 때의 광의 방출을 이용하여 표시 등을 하는 발광소자이다.The OLED has a structure in which an organic light emitting layer including an organic compound is interposed between a pair of electrodes formed of a positive electrode and a negative electrode formed on a transparent substrate such as glass, ) And electrons are injected and recombined to generate an exciton, and light emission when light of the exciton is lost is used as a light emitting element.

OLED는 광의 방출방향에 따라서 전면 발광형(Top mission type), 배면 발광형(bottom mission type) 및 양면 발광형(Transparent mission type, 투명 OLED라고도 함)으로 구분되며, 이들은 모두 광이 방출되는 방향의 전극을 예를 들어 ITO(indium tin oxide) 등으로 이루어지는 투명전극으로 하고 있다.OLEDs are divided into a top emission type, a bottom emission type, and a transparent emission type (also referred to as a transparent OLED) depending on the direction of light emission. And the electrode is a transparent electrode made of ITO (indium tin oxide) or the like.

도 1은 종래의 배면 발광형 OLED 표시소자의 개략적인 구조를 나타내는 사시도, 도 2는 도 1의 A-A선 방향에서 절단한 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view showing a schematic structure of a conventional bottom emission OLED display device, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.

도 1, 2에서 보는 것과 같이 종래의 OLED(10)는 유리기판 등의 투명 기판(11) 상에 적층 형성된 ITO 등의 투명전극으로 이루어지는 제 1 전극(12)과, 제 1 전극(12) 상에 적층 형성된 유기발광 층(13)과, 유기발광 층(13) 상에 적층 형성된 제 2 전극(14)을 포함한다.1 and 2, a conventional OLED 10 includes a first electrode 12 formed of a transparent electrode such as ITO and formed on a transparent substrate 11 such as a glass substrate, And a second electrode 14 formed on the organic light emitting layer 13. The second electrode 14 is formed on the organic light emitting layer 13,

도 1, 2에서는 설명의 편의상 4개의 발광소자에 의해 형성된 표시장치의 구성을 나타내고 있고, 개개의 OLED(10)는 소자분리 층(15)에 의해 분리되어 있다.1 and 2 show the structure of a display device formed by four light emitting elements for convenience of explanation, and the individual OLEDs 10 are separated by an element isolation layer 15. FIG.

도 1, 2에서 보는 것과 같이 종래의 OLED에서는 유기발광 층(13)의 폭에 비해 제 1 전극(12)인 ITO 전극의 폭이 좁다. 따라서 발광 면인 유기발광 층(13) 표면의 면적에 비해 이에 대응하는 제 1 전극(12)의 표면의 면적이 작으므로 유기발광 층(13)에서 발생하여 기판(11) 측으로 방출되는 광의 일부는 제 1 전극(12)을 투과하여 기판(11)의 외부로 방출되고, 나머지 일부는 제 1 전극(12)을 투과하지 않고 직접 기판(11)의 외부로 방출되므로 외부로 인출되는 광의 투과율에 불균일이 발생한다.1 and 2, the width of the ITO electrode which is the first electrode 12 is narrower than the width of the organic light emitting layer 13 in the conventional OLED. The area of the surface of the first electrode 12 corresponding to the area of the organic light emitting layer 13 is smaller than the area of the surface of the organic light emitting layer 13 which is the light emitting surface, The first electrode 12 and the remaining part of the first electrode 12 are exposed to the outside of the substrate 11 without being transmitted through the first electrode 12 so that the transmittance of the light emitted to the outside is not uniform Occurs.

도 3은 종래의 OLED의 광학적 특성을 시뮬레이션한 결과를 나타내는 그래프로, X축은 파장을, Y축은 투과율 및 반사율을 나타내며, 흑색 실선은 ITO 전극(제 1 전극) 없이 기판(11)만 있는 경우의 광의 투과율 특성을 나타내고, 적색 실선은 도 1, 2의 구조의 OLED, 즉 유리로 이루어지는 기판(11)에 ITO로 이루어지는 제 1 전극(12)이 형성된 경우, 제 1 전극(12)과 기판(11)을 투과하여 외부로 인출되는 광의 투과율 특성을 나타내며, 흑색 점선은 ITO 전극(제 1 전극) 없이 기판(11)만 있는 경우의 기판(11)에서의 광의 반사율 특성을 나타내고, 적색 점선은 도 1, 2의 구조의 OLED, 즉 유리로 이루어지는 기판(11)상에 ITO로 이루어지는 제 1 전극(12)이 형성된 경우의 기판(11)에서의 광의 반사율 특성을 나타낸다.FIG. 3 is a graph showing the results of simulation of optical characteristics of a conventional OLED. In FIG. 3, the X axis represents the wavelength, the Y axis represents the transmittance and the reflectance, and the solid black line represents the case where only the substrate 11 is provided without the ITO electrode When the first electrode 12 made of ITO is formed on the OLED having the structure of FIGS. 1 and 2, that is, the substrate 11 made of glass, the red line indicates the transmittance characteristic of the first electrode 12 and the substrate 11 The black dotted line represents the reflectance characteristic of the light in the substrate 11 when the substrate 11 is only provided without the ITO electrode (first electrode), and the red dotted line represents the reflectance characteristic of the light emitted from the light- 2 shows the reflectance characteristic of light in the substrate 11 when the first electrode 12 made of ITO is formed on the substrate 11 made of an OLED having a structure of 2,

도 3에서 보는 것과 같이, ITO 전극으로 이루어지는 제 1 전극(12)이 없는 경우에는 기판(11)에서의 광의 반사율은 모든 파장영역에서 균일하게 대략 10% 정도로, 유기발광 층(13)에서 발생한 광 중 약 90% 정도는 기판(11)을 투과하여 외부로 방출된다. 그러나 ITO 전극인 제 1 전극(12)이 도 1, 2와 같이 기판(11) 상의 일부 영역에만 형성되어 있는 경우에는 400㎚ 전후의 파장영역에서 광의 흡수율이 증가하며, 이에 따라 400㎚ 전후의 파장영역에서 기판(11)을 투과하여 외부로 방출되는 광의 투과율은 현저하게 감소한다.3, when there is no first electrode 12 made of an ITO electrode, the reflectivity of light on the substrate 11 is uniformly about 10% in all wavelength regions, and the light emitted from the organic light emitting layer 13 About 90% of the substrate 11 passes through the substrate 11 and is emitted to the outside. However, when the first electrode 12, which is an ITO electrode, is formed only on a part of the surface of the substrate 11 as shown in Figs. 1 and 2, the absorption rate of light increases in the wavelength region around 400 nm, The transmittance of the light transmitted through the substrate 11 in the region to the outside is significantly reduced.

파장이 400㎚ 대역의 광은 청색 광이므로 400㎚ 전후의 파장영역에서 광의 투과율이 저하한다는 것은 달리 표현하면 도 1, 2의 구조를 갖는 종래의 OLED를 표시장치로 이용하는 경우에는 RGB 3색 중 특히 청색영역의 광 인출효율이 다른 색에 비해 현저하게 저하한다는 의미가 된다.When the conventional OLED having the structure of FIGS. 1 and 2 is used as a display device, the transmittance of light in the wavelength region of about 400 nm is reduced because the light having a wavelength of 400 nm is blue light. The light extraction efficiency of the blue region is remarkably lower than that of the other colors.

본 발명은 종래의 OLED 구조에서 OLED의 외부로 방출되는 광의 인출효율의 불균일, 특히 파장 400 내지 500㎜의 청색영역에서 광 인출효율이 다른 파장영역에 비해 저하한다는 상기 문제를 개선하기 위한 것으로. 종래의 OLED의 ITO 전극의 배치형태 및 구조를 개선함으로써 파장 400 내지 500㎜의 청색영역에서의 광 인출효율을 향상시켜서 OLED의 시인성을 개선하는 것을 목적으로 한다.The present invention is intended to solve the above problem that the drawing efficiency of light emitted to the outside of the OLED in the conventional OLED structure, in particular, the light extraction efficiency in the blue region of 400 to 500 mm in wavelength is lower than that in other wavelength regions. It is an object of the present invention to improve the light extraction efficiency in a blue region of 400 to 500 mm in wavelength by improving the arrangement and structure of ITO electrodes of a conventional OLED, thereby improving the visibility of the OLED.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 유기전계 발광소자는, 기판과, 상기 기판상에 적층 형성된 더미 전극과, 상기 더미 전극 상에 적층 형성된 절연 층과, 상기 절연 층상에 적층 형성된 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상에 적층 형성된 유기발광 층과, 상기 유기발광 층상에 적층 형성된 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 전극의 표면의 면적은 상기 유기발광 층의 표면의 면적보다 작고, 상기 더미 전극은 상기 기판의 전체 면에 형성된다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescent device including a substrate, a dummy electrode formed on the substrate, an insulating layer laminated on the dummy electrode, a first electrode laminated on the insulating layer, And a second electrode formed on the organic light emitting layer, wherein an area of a surface of the first electrode is smaller than an area of a surface of the organic light emitting layer, Is formed on the entire surface of the substrate.

또, 본 발명의 다른 형태의 유기전계 발광소자는, 기판과, 상기 기판상에 적층 형성된 더미 전극과, 상기 더미 전극 상에 적층 형성된 절연 층과, 상기 절연 층상에 적층 형성된 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상에 적층 형성된 유기발광 층과, 상기 유기발광 층상에 적층 형성된 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 전극의 표면의 면적은 상기 유기발광 층의 표면의 면적보다 작고, 상기 더미 전극은 상기 기판상의 상기 제 1 전극과 대응하는 영역 이외의 영역에만 형성된다.According to another aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescent device comprising a substrate, a dummy electrode formed on the substrate, an insulating layer laminated on the dummy electrode, a first electrode laminated on the insulating layer, And a second electrode formed on the organic light emitting layer, wherein an area of a surface of the first electrode is smaller than an area of a surface of the organic light emitting layer, Is formed only in an area other than a region corresponding to the first electrode on the substrate.

본 발명의 유기전계 발광소자에 의하면 적어도 유기발광 층의 전체 영역에 대응하는 영역에 더미 전극이 형성되어 있으므로 제 1 전극이 형성된 영역과 형성되지 않은 영역에서 유기전계 발광소자의 외부로 인출되는 광의 인출효율의 불균일을 해소할 수 있고, 특히 청색영역에서의 광 인출효율의 불균일을 해소할 수 있다. 따라서 유기전계 발광소자의 시인성을 향상시킬 수 있다.According to the organic electroluminescent device of the present invention, at least the dummy electrode is formed in the region corresponding to the entire region of the organic light emitting layer, so that the light emitted to the outside of the organic electroluminescent device in the region where the first electrode is formed and the region where the first electrode is not formed It is possible to eliminate the unevenness of the efficiency, and in particular, the unevenness of the light extraction efficiency in the blue region can be solved. Therefore, the visibility of the organic electroluminescent device can be improved.

도 1은 종래의 배면 발광형 OLED 표시소자의 개략적인 구조를 나타내는 사시도,
도 2는 도 1의 A-A선 방향에서 절단한 단면도,
도 3은 종래의 OLED의 광학적 특성을 시뮬레이션한 결과를 나타내는 그래프,
도 4는 본 발명의 실시형태 1의 배면 발광형 OLED 표시소자의 개략적인 구조를 나타내는 사시도,
도 5는 도 4의 A-A선 방향에서 절단한 단면도,
도 6은 실시형태 1의 OLED의 광학적 특성을 시뮬레이션한 그래프,
도 7은 본 발명의 실시형태 2의 배면 발광형 OLED 표시소자의 단면도,
도 8은 실시형태 2의 OLED의 광학적 특성을 시뮬레이션한 그래프,
도 9는 본 발명의 실시형태 3의 배면 발광형 OLED 표시소자의 단면도,
도 10은 실시형태 3의 OLED의 광학적 특성을 시뮬레이션한 그래프이다.FIG. 1 is a perspective view showing a schematic structure of a conventional bottom emission OLED display device,
Fig. 2 is a sectional view taken along the line AA in Fig. 1,
3 is a graph showing the results of simulating the optical characteristics of a conventional OLED,
4 is a perspective view showing a schematic structure of a bottom emission type OLED display device according to Embodiment 1 of the present invention,
Fig. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of Fig. 4,
6 is a graph simulating the optical characteristics of the OLED of Embodiment 1,
7 is a cross-sectional view of a bottom emission OLED display device according to Embodiment 2 of the present invention,
8 is a graph simulating the optical characteristics of the OLED of Embodiment 2,
9 is a sectional view of a bottom emission type OLED display device according to Embodiment 3 of the present invention,
10 is a graph simulating the optical characteristics of the OLED according to the third embodiment.

이하, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

<실시형태 1>&Lt; Embodiment 1 >

도 4는 본 발명의 실시형태 1의 배면 발광형 OLED 표시소자의 개략적인 구조를 나타내는 사시도, 도 5는 도 4의 A-A선 방향에서 절단한 단면도이다.FIG. 4 is a perspective view showing a schematic structure of a bottom emission type OLED display device according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 5 is a sectional view taken along the line A-A of FIG.

도 4, 5에 도시하는 것과 같이, 본 실시형태의 배면 발광형 OLED는 기본적으로는 종래의 배면 발광형 OLED와 같으며, 종래의 OLED에 비해 더미 전극을 더 갖는다는 점에서 차이가 있다.As shown in FIGS. 4 and 5, the bottom emission type OLED of this embodiment is basically the same as the conventional back emission type OLED, and differs from the conventional OLED in that it has a dummy electrode.

도 4, 5와 같이 본 실시형태 1의 OLED(20)는 절연성 및 광 투과성을 갖는 유리 등의 재질로 이루어지는 기판(21) 상에 기판(21)의 전체 면에 걸쳐서 적층 형성된 더미 전극(22)과, 더미 전극(22) 상부의 전체 면에 걸쳐서 적층 형성된 절연 층(23)과, 절연 층(23) 상에 적층 형성되며 ITO 등의 투명한 재질로 이루어지는 제 1 전극(24)과, 제 1 전극(24) 상에 적층 형성된 유기발광 층(25)과, 유기발광 층(25) 상에 적층 형성된 제 2 전극(26)을 포함한다.As shown in Figs. 4 and 5, the OLED 20 of the first embodiment includes a dummy electrode 22 formed by laminating over the entire surface of the substrate 21 on a substrate 21 made of a material such as glass having insulation and light transmittance, An insulating layer 23 laminated over the entire surface of the dummy electrode 22; a first electrode 24 formed of a transparent material such as ITO and laminated on the insulating layer 23; An organic light emitting layer 25 formed on the organic light emitting layer 24 and a second electrode 26 formed on the organic light emitting layer 25.

기판(21)상의 전체 면에 걸쳐서 형성되는 더미 전극(22)은 유기발광 층(25)의 발광 면 표면의 면적에 비해 이에 대응하는 제 1 전극(24)의 표면의 면적이 작아서, 제 1 전극(24)이 형성된 부분과 제 1 전극(24) 미형성부분에서 광의 흡수, 소멸 및 산란작용의 차이가 발생함으로써 OLED(20)의 외부로 방출되는 광의 투과율이 저하하는 문제를 보상하기 위한 층이다.The area of the surface of the first electrode 24 corresponding to the dummy electrode 22 formed over the entire surface of the substrate 21 is smaller than the area of the surface of the light emitting surface of the organic light emitting layer 25, A difference in absorption, extinction and scattering of light occurs between the portion where the first electrode 24 is formed and the portion where the first electrode 24 is not formed, thereby compensating for the problem that the transmittance of light emitted to the outside of the OLED 20 decreases .

더미 전극(22)은 예를 들어 ITO(indium tin oxide) 등과 같이 광의 흡수 및 소멸이 적고 투과율이 높은 재료를 사용하며, 제 1 전극(24)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다. 즉 제 1 전극(24)이 ITO인 경우에는 더미 전극(22)도 ITO를 사용하고, 제 1 전극(24)이 IZO(Indium Zinc Oxide)인 경우에는 더미 전극(22)도 IZO를 사용할 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 흡수 및 소멸이 적고 투과율이 높은 재료이면 더미 전극(22)과 제 1 전극(24)의 재질은 서로 달라도 좋다.The dummy electrode 22 may be made of the same material as the first electrode 24 using a material having low light absorption and extinction and high transmittance, such as ITO (indium tin oxide). That is, ITO is used for the dummy electrode 22 when the first electrode 24 is ITO, and IZO is used for the dummy electrode 22 when the first electrode 24 is IZO (Indium Zinc Oxide) . However, the material of the dummy electrode 22 and the first electrode 24 may be different from each other if the material is low in absorption and extinction and high in transmittance.

더미 전극(22)은 예를 들어 진공증착법, 스퍼터법 등의 PVD(Physical Vapor Deposition)법이나 그 밖의 공지의 방법에 의해 기판(21) 상에 형성하며, 여기서 중요한 점은 더미 전극(22)은 OLED(20)에 동작용 전력을 공급하는 실제 전극으로는 사용되지 않으므로 외부의 구동회로와 연결할 필요는 없다.The dummy electrode 22 is formed on the substrate 21 by a PVD (Physical Vapor Deposition) method such as a vacuum deposition method or a sputtering method or other known method. Since it is not used as an actual electrode for supplying the operating power to the OLED 20, it does not need to be connected to an external driving circuit.

본 실시형태에서는 더미 전극(22)의 두께는 150 내지 250㎚ 범위로 하였으며, 더미 전극(22)의 두께를 150㎚ 이하로 하면 너무 얇아서 실제 공정에서의 적용이 용이하지 않고, 250㎚ 이상으로 하면 더미 전극(22)에서의 광의 흡수가 많아져서 적절하지 않다.In the present embodiment, the thickness of the dummy electrode 22 is in the range of 150 to 250 nm, and if the thickness of the dummy electrode 22 is 150 nm or less, it is too thin to be easily applied in an actual process. The absorption of light at the dummy electrode 22 is increased, which is not suitable.

다음에, 절연 층(23)은 상기 더미 전극(22)과 제 1 전극(24)을 격리시키는 기능을 하며, 더미 전극(22)과 제 1 전극(24) 간의 광학적 특성의 차이를 보상해 주기 위한 층으로, 광의 흡수 및 소멸이 적고 투과율이 높은 재료인 예를 들어 SiO2 등의 재료를 이용하여 진공증착 등의 공지의 증착법으로 형성한다.The insulating layer 23 functions to isolate the dummy electrode 22 from the first electrode 24 and compensates for the difference in optical characteristics between the dummy electrode 22 and the first electrode 24 And is formed by a known vapor deposition method such as vacuum deposition using a material such as SiO 2 which is a material having low light absorption and extinction and a high transmittance.

본 실시형태에서는 절연 층(23)의 두께는 180㎚로 하였다.In this embodiment, the thickness of the insulating layer 23 is 180 nm.

다음에, 제 1 전극(24)은 양극 또는 음극 중 어느 하나의 전극으로서의 기능을 하며, 더미 전극(22)과 마찬가지로 투명전극으로서 사용 가능한 물질을 이용하여 형성한다.Next, the first electrode 24 functions as any one of an anode and a cathode, and is formed using a material usable as a transparent electrode in the same manner as the dummy electrode 22.

여기서, 제 1 전극(24)은 더미 전극(22)과 같이 기판(21)의 전체 면에 형성하는 것이 아니라, 종래의 OLED(10)와 마찬가지로 유기발광 층(25)의 면적보다 작은 면적으로 형성된다. 따라서 제 1 전극(24)을 예를 들어 진공증착법, 스퍼터법 등의 PVD법이나 그 밖의 공지의 방법에 의해 기판(21) 상에 형성하고, 그 후 포토레지스트에 의한 에칭에 의해 소정의 사이즈 및 형상으로 패턴화하여 형성할 수 있다. OLED(20)의 동작용 전력을 공급하기 위한 전극으로서의 제 1 전극(24)의 일부는 기판(21)의 단부까지 인출되어서 미 도시의 구동회로와 접속된다.The first electrode 24 is not formed on the entire surface of the substrate 21 like the dummy electrode 22 but is formed in an area smaller than the area of the organic light emitting layer 25 like the conventional OLED 10 do. Therefore, the first electrode 24 is formed on the substrate 21 by a PVD method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or another known method, and then, by etching with a photoresist, Can be formed by patterning in the form of a pattern. A part of the first electrode 24 as an electrode for supplying the cooperating electric power of the OLED 20 is drawn to the end of the substrate 21 and connected to the driving circuit not shown.

본 실시형태에서는 제 1 전극(24)의 두께는 150 내지 250㎚로 하였다.In the present embodiment, the first electrode 24 has a thickness of 150 to 250 nm.

제 1 전극(24)의 상부에는 유기발광 층(25)이 형성되며, 유기발광 층(25)은 제 1 전극(24)의 상부에 정공 주입 층(HIL), 정공 수송 층(HTL), 유기발광 층(EML), 전자수송 층(ETL) 순으로 적층 형성된다. 그러나 유기발광 층(25)은 상기 적층구조에 한정되는 것은 아니며, 유기발광 층 단독, 또는 정공 주입 층/유기발광 층 순, 또는 유기발광 층/전자주입 층 순, 또는 정공 주입 층/유기발광 층/전자주입 층 순, 또는 정공 주입 층/정공 수송 층/유기발광 층/전자주입 층 순, 또는 정공 주입 층/정공 수송 층/유기발광 층/전자수송 층/전자주입 층 순의 적층 구조라도 좋다.The organic light emitting layer 25 is formed on the first electrode 24 and the organic light emitting layer 25 includes a hole injection layer HIL, a hole transport layer HTL, A light emitting layer (EML), and an electron transporting layer (ETL). However, the organic light emitting layer 25 is not limited to the layered structure, and may be a single organic layer or a hole injection layer / organic light emitting layer, or an organic light emitting layer / A hole injecting layer / a hole transporting layer / an organic light emitting layer / an electron injecting layer, or a hole injecting layer / a hole transporting layer / an organic light emitting layer / an electron transporting layer / an electron injecting layer in this order .

유기발광 층(25)은 공지된 통상의 재료에 의해 형성하며, 스핀코팅, 열 증착, 스핀 캐스팅, 스퍼터법, 전자빔 증착, CVD(Chemical Vapor Deposition)법 등 공지의 방법으로 형성할 수 있다.The organic light emitting layer 25 is formed of a known conventional material and can be formed by a known method such as spin coating, thermal evaporation, spin casting, sputtering, electron beam evaporation, or CVD (Chemical Vapor Deposition).

유기발광 층(25)의 상부에는 제 2 전극(26)이 형성되며, 제 2 전극(26)은 양극 또는 음극 중 어느 하나의 전극으로서의 기능을 하며, 예를 들어 제 1 전극(24)이 양극이 되면 제 2 전극(26)은 음극이 되고, 역으로 제 1 전극(24)이 음극이 되면 제 2 전극(26)은 양극이 된다.A second electrode 26 is formed on the organic light emitting layer 25 and the second electrode 26 functions as either an anode or a cathode. The second electrode 26 becomes the cathode, and conversely, when the first electrode 24 becomes the cathode, the second electrode 26 becomes the anode.

여기서, 제 2 전극(26)은 예를 들어 알루미늄(Al)을 이용하여 진공증착법 또는 스퍼터법 등의 통상의 박막형성법을 이용해서 형성하며, 전극으로서의 제 2 전극(26)의 일부는 기판(21)의 단부까지 인출되어서 미 도시의 구동회로와 접속된다.Here, the second electrode 26 is formed using, for example, aluminum (Al) using a conventional thin film formation method such as a vacuum evaporation method or a sputtering method, and a part of the second electrode 26 as an electrode is formed on the substrate 21 And is connected to a drive circuit (not shown).

그러나 제 2 전극(26)의 재료는 알루미늄으로 한정되는 것은 아니며, OLED(20)의 광 인출방식에 따라서, 예를 들어 양면 발광형 OLED에서는 제 2 전극(26)도 제 1 전극(24)과 마찬가지로 투명한 전극재료로 형성한다.However, the material of the second electrode 26 is not limited to aluminum. Depending on the light extraction method of the OLED 20, for example, in the double-sided light emitting type OLED, Likewise, it is formed of a transparent electrode material.

도 4, 5에는 도시하고 있지 않으나, 제 1 전극(24)의 상부와 제 1 전극(24)이 형성되지 않은 절연 층(23)의 상부에는 전체 면에 걸쳐서 예를 들어 폴리이미드 등의 광의 흡수 및 소멸이 적고 투과율이 높은 재료로 이루어지는 보호층이 더 형성될 수 있고, 이 보호층의 두께는 대략 1000 내지 1500㎚ 범위에서 형성할 수 있다.Although not shown in FIGS. 4 and 5, the upper part of the first electrode 24 and the upper part of the insulating layer 23 on which the first electrode 24 is not formed absorb light such as polyimide And a protective layer made of a material with low extinction and high transmittance can be further formed, and the thickness of the protective layer can be formed within a range of approximately 1000 to 1500 nm.

상기 기판(21)의 외주부분은 밀봉 부재에 의해 밀봉된다.The outer peripheral portion of the substrate 21 is sealed by a sealing member.

도 6은 실시형태 1의 OLED(20)의 광학적 특성을 시뮬레이션한 그래프이며, (a)는 더미 전극(22) 및 제 1 전극(24)의 두께를 150㎚, 절연 층(23)의 두께를 180㎚로 한 경우의 광학적 특성을 시뮬레이션한 결과를, (b)는 더미 전극(22) 및 제 1 전극(24)의 두께를 250㎚, 절연 층(23)의 두께를 180㎚로 한 경우의 광학적 특성을 시뮬레이션한 결과를 각각 나타내고 있다.6A is a graph simulating the optical characteristics of the OLED 20 according to the first embodiment. FIG. 6A is a graph showing the thickness of the dummy electrode 22 and the first electrode 24 of 150 nm, the thickness of the insulating layer 23 (B) shows the result of simulation of the optical characteristics when the thickness of the dummy electrode 22 and the first electrode 24 is 250 nm and the thickness of the insulating layer 23 is 180 nm And the simulation results of the optical characteristics are shown respectively.

또, 도 6의 (a), (b)에서 가로 축은 광의 파장(㎚)을, 세로 축은 광의 투과율(%)을 각각 나타내고 있고, 흑색 실선은 도 4, 5에서 더미 전극(22)만 형성되고 제 1 전극(24)은 형성되지 않은 영역(도 5의 영역 A)의 광의 투과율을, 적색 실선은 더미 전극(22) 및 제 1 전극(24)이 모두 형성된 영역(도 5의 영역 B)의 광의 투과율을 각각 나타내고 있다.In FIGS. 6A and 6B, the horizontal axis represents the wavelength (nm) of light and the vertical axis represents the transmittance (%) of light, and the black solid line represents only the dummy electrode 22 in FIGS. The red solid line indicates the transmittance of the light in the region where the first electrode 24 is not formed (the region A in FIG. 5), and the red solid line indicates the transmittance of the region in which the dummy electrode 22 and the first electrode 24 And transmittance of light, respectively.

도 6의 (a), (b)에서 보는 것과 같이, 더미 전극(22) 및 절연 층(23)을 더 갖는 본 실시형태의 OLED(20)에서는 도 3의 더미 전극(22)을 갖지 않는 종래의 OLED(10)에 비해 청색영역인 400 내지 500㎚의 파장영역에서의 광의 투과율이 향상된 것을 알 수 있다.As shown in FIGS. 6A and 6B, in the OLED 20 of the present embodiment having the dummy electrode 22 and the insulating layer 23, The transmittance of light in the wavelength region of 400 to 500 nm, which is a blue region, is improved as compared with the OLED 10 of FIG.

또, 도 6의 (a), (b)로부터 더미 전극(22)과 제 1 전극(24)의 두께가 150 내지 250㎚의 범위 내에서는 그 두께의 차이에 따른 광 투과율의 차이는 크지 않음을 알 수 있다.6 (a) and 6 (b), the difference in the light transmittance between the dummy electrode 22 and the first electrode 24 in the range of 150 to 250 nm is not significant Able to know.

<실시형태 2>&Lt; Embodiment 2 >

다음에, 본 발명의 다른 실시형태인 실시형태 2에 대해 설명한다. 도 7은 본 발명의 실시형태 2의 배면 발광형 OLED(30)의 단면도이며, 도 4, 5에서는 4개의 OLED 소자로 이루어지는 표시장치를 나타내고 있으나, 도 7은 도 4, 5와는 달리 OLED 단일 소자만을 나타내고 있다.Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 7 is a cross-sectional view of a bottom emission type OLED 30 according to Embodiment 2 of the present invention. FIGS. 4 and 5 show a display device composed of four OLED elements, .

실시형태 2의 OLED(30)는 실시형태 1의 OLED(20)와는 더미 전극의 형성위치 및 형상이 다르며, 그 이외의 부분은 실시형태 1과 동일하다.The OLED 30 of Embodiment 2 differs from the OLED 20 of Embodiment 1 in the formation position and shape of the dummy electrode and the other portions are the same as those of Embodiment 1. [

도 7에서 보는 것과 같이, 실시형태 2의 OLED(30)는 유기발광 층(36) 형성영역에 대응하는 기판(31) 상의 영역 중 제 1 전극(34)이 형성되지 않은 영역(도 7의 영역 C)에만 투명전극 재료로 이루어지는 더미 전극(32)이 적층 형성되고, 상기 더미 전극(32)의 상부를 포함하는 기판의 전체 영역에 예를 들어 SiO2 등의 절연성 재료로 이루어지는 절연 층(33)을 형성하며, 상기 절연 층(33)의 상부의 유기발광 층(36)에 대응하는 영역의 일부(도 7의 영역 D)에는 투명전극재료로 이루어지는 제 1 전극(34)이 형성된다.7, the OLED 30 according to the second embodiment has a region in which the first electrode 34 is not formed in the region on the substrate 31 corresponding to the region where the organic light emitting layer 36 is formed insulating layer dummy electrode 32 made of a transparent electrode material only in C) is laminated, for example, the entire area of the substrate including an upper portion of the dummy electrode 32 made of an insulating material such as SiO 2 (33) And a first electrode 34 made of a transparent electrode material is formed on a part of the region corresponding to the organic light emitting layer 36 above the insulating layer 33 (region D in FIG. 7).

제 1 전극(34)의 형성위치 및 사이즈는 실시형태 1과 동일하다.The formation position and the size of the first electrode 34 are the same as those in the first embodiment.

또, 절연 층(33)의 상부영역 중 상기 제 1 전극(34)이 형성되는 위치 이외의 영역에는 폴리이미드 등으로 이루어지는 보호층(35)이 형성되고, 보호층(35) 및 제 1 전극(34)의 상부에는 유기발광 층(36) 및 제 2 전극(37)이 순차 형성되며, 유기발광 층(36) 및 제 2 전극(37)의 위치 및 사이즈, 재료 및 형성방법 등은 실시형태 1과 동일하다.A protective layer 35 made of polyimide or the like is formed in a region other than the position where the first electrode 34 is formed in the upper region of the insulating layer 33 and the protective layer 35 and the first electrode The organic light emitting layer 36 and the second electrode 37 are sequentially formed on the first electrode 34 and the organic light emitting layer 36. The position, .

더미 전극(32) 및 제 1 전극(34)은 ITO 등의 투명성을 갖는 도전재료로 형성하며, 예를 들어 진공증착이나 스퍼터 등의 PVD법 또는 그 외의 공지의 방법에 ITO 등의 더미 전극 재료를 기판(31) 상에 증착한 후 포토레지스트에 의한 에칭에 의해 소정의 형상으로 패턴화한다.The dummy electrode 32 and the first electrode 34 are formed of a conductive material having transparency such as ITO. For example, a dummy electrode material such as ITO may be formed by a PVD method such as vacuum deposition, sputtering, or other known methods Deposited on the substrate 31, and patterned into a predetermined shape by etching with a photoresist.

본 실시형태의 제 1 전극(34)의 일부는 기판(31)의 단부까지 인출되어서 미 도시의 구동회로와 연결되나, 더미 전극(32)은 실시형태 1의 더미 전극(22)과 마찬가지로 OLED의 실제 전극으로 이용되지는 않으므로 외부의 구동회로와는 접속되지는 않는다.A part of the first electrode 34 according to the present embodiment is drawn to the end of the substrate 31 and connected to the driving circuit not shown in the drawing. However, the dummy electrode 32, like the dummy electrode 22 of the first embodiment, It is not used as an actual electrode and is not connected to an external driving circuit.

본 실시형태에서 더미 전극(32)의 두께는 145㎚, 절연 층(33)의 두께는 제 1 전극(34)에 대응하는 부분(도 7의 영역 D)은 155㎚, 더미 전극(32)의 상부영역(도 7의 영역 C)은 10㎚로 하였다.In the present embodiment, the thickness of the dummy electrode 32 is 145 nm, the thickness of the insulating layer 33 is 155 nm (the region D in Fig. 7) corresponding to the first electrode 34, The upper region (region C in Fig. 7) was set at 10 nm.

또, 실시형태 1에서와 마찬가지로 보호층(35)은 필수의 구성은 아니며, 생략해도 좋다.In addition, like the first embodiment, the protective layer 35 is not essential and may be omitted.

도 8은 실시형태 2의 OLED(30)의 광학적 특성을 시뮬레이션한 그래프이며, (a)는 보호층(35)을 포함하지 않는 경우의 광학적 특성을 시뮬레이션한 결과를, (b)는 보호층(35)을 포함하는 경우의 광학적 특성을 시뮬레이션한 결과를 각각 나타내고 있다.FIG. 8 is a graph simulating the optical characteristics of the OLED 30 according to the second embodiment. FIG. 8 (a) shows a result of simulation of optical characteristics when the protective layer 35 is not included, 35), respectively. The results are shown in Fig.

또, 도 8의 (a), (b)에서 가로 축은 광의 파장(㎚)을, 세로 축은 광의 투과율(%)을 각각 나타내고 있고, 또, 도 8 (a)의 흑색 실선은 더미 전극(32)이 형성된 영역(도 7의 영역 C)의 광 투과율을, 적색 점선은 제 1 전극(34)이 형성된 영역(도 7의 영역 D)의 광의 투과율을 각각 나타내고 있다. 또, 보호층(35)을 포함하는 도 8 (b)의 흑색 실선은 더미 전극(32)이 형성된 영역(도 7의 영역 C)의 광 투과율을, 적색 실선은 제 1 전극(34)이 형성된 영역(도 7의 영역 D)의 광의 투과율을 각각 나타내고 있다.8 (a) and 8 (b) show the wavelength (nm) of light and the vertical axis the transmittance (%) of light, respectively. (The region C in Fig. 7), and the red dotted line represents the light transmittance in the region where the first electrode 34 is formed (region D in Fig. 7). The black solid line in FIG. 8B including the protective layer 35 indicates the light transmittance in the region where the dummy electrode 32 is formed (region C in FIG. 7), and the solid red line indicates the light transmittance And the transmittance of light in the region (region D in Fig. 7), respectively.

도 8의 (a), (b)에서 보는 것과 같이, 본 실시형태에 의해서도 더미 전극을 갖지 않는 도 3의 종래의 OLED에 비해 청색영역인 400 내지 500㎚의 파장영역, 그 중에서도 특히 450㎚ 전후의 파장에서의 투과율의 향상을 보이고 있고, 영역 C 및 영역 D의 광 투과율은 사실상 차이가 없음을 알 수 있다.As shown in FIGS. 8A and 8B, according to the present embodiment, compared with the conventional OLED of FIG. 3 having no dummy electrode, the blue region 400 to 500 nm wavelength region, And the light transmittance of the region C and the region D are substantially not different from each other.

또, 도 8의 (a)와 (b)를 비교하면 보호층(35)을 갖지 않는 (a)에 비해 보호층(35)을 더 갖는 (b)가 광의 투과율 상승이 더 크다는 것을 알 수 있다.8A and 8B, it can be seen that the increase in the transmittance of light is greater in the case (b) in which the protective layer 35 is further provided compared to the case (a) in which the protective layer 35 is not provided .

<실시형태 3>&Lt; Embodiment 3 >

이어서, 실시형태 3에 대해서 설명한다. 도 9는 본 발명의 실시형태 3의 배면 발광형 OLED(40)의 단면도이며, 도 7과 마찬가지로 OLED 단일 소자만을 나타내고 있다.Next, a third embodiment will be described. FIG. 9 is a cross-sectional view of a bottom emission OLED 40 according to Embodiment 3 of the present invention, and shows only a single OLED element as in FIG.

실시형태 3의 OLED(40)는 실시형태 2의 OLED(30)와 더미 전극 및 제 1 전극의 배치위치는 기본적으로 동일하나, 제 1 전극의 배치위치의 변화와 함께 절연 층, 더미 전극, 제 1 전극 및 보호층의 두께를 변경한 점에서 차이가 있다.In the OLED 40 of the third embodiment, the positions of the dummy electrodes and the first electrodes are basically the same as those of the OLED 30 of the second embodiment, and the positions of the first electrodes are changed, 1 electrode and the thickness of the protective layer.

도 9에 도시하는 것과 같이 실시형태 3의 OLED(40)는 기판(41) 상부의 유기발광 층(46) 형성영역에 대응하는 영역에 형성된 투명전극 재료로 이루어지는 더미 전극(42)과, 상기 더미 전극(42)의 상부를 포함하는 기판(41)의 상부에 형성된 예를 들어 SiO2 등의 재료로 이루어지는 절연 층(43)을 포함한다.9, the OLED 40 of the third embodiment includes a dummy electrode 42 made of a transparent electrode material formed in a region corresponding to a region where the organic light emitting layer 46 is formed on the substrate 41, And an insulating layer 43 made of a material such as SiO 2 formed on the upper surface of the substrate 41 including the upper portion of the electrode 42.

본 실시형태의 절연 층(43)은 실시형태 2에서의 절연 층(33)과는 달리 후술하는 제 1 전극(44)이 형성되는 영역이 에칭 등에 의해 일부 제거된 오목부로 되어 있고, 절연 층(43) 상부의 상기 오목부 내에 제 1 전극(44)이 형성되며, 제 1 전극(44) 및 절연 층(43)의 상부에는 전체 면에 걸쳐서 예를 들어 폴리이미드 등으로 이루어지는 보호층(45)이 형성된다.Unlike the insulating layer 33 in the second embodiment, the insulating layer 43 of this embodiment is a concave portion in which a region where the first electrode 44 to be described later is formed is partially removed by etching or the like, A first electrode 44 is formed in the concave portion on the upper surface of the insulating layer 43. A protective layer 45 made of polyimide or the like is formed on the entire surface of the first electrode 44 and the insulating layer 43, .

본 실시형태에서는 더미 전극(42) 및 제 1 전극(44)의 두께는 각각 150㎚, 절연 층(43)의 두께도 150㎚로 하고, 보호층(45)의 두께는 1000㎚로 하였다.In this embodiment, the thickness of the dummy electrode 42 and the first electrode 44 are respectively 150 nm, the thickness of the insulating layer 43 is 150 nm, and the thickness of the protective layer 45 is 1000 nm.

실시형태 2의 도 7과 달리 도 9에서는 제 1 전극(44)의 가장자리 부분과 더미 전극(42)의 가장자리 부분이 서로 일치하지 않으나, 이는 실제 제조공정에서의 더미 전극(42) 및 제 1 전극(44)의 패턴화과정에서 발생하는 차이이며, 특별한 의미를 갖는 것은 아니다.9, the edge portion of the first electrode 44 and the edge portion of the dummy electrode 42 do not coincide with each other in FIG. 9, but the dummy electrode 42 and the first electrode (44), and does not have a special meaning.

상기 보호층(45) 상부에는 유기발광 층(46) 및 제 2 전극(47)이 형성된다.An organic light emitting layer 46 and a second electrode 47 are formed on the passivation layer 45.

도 10은 실시형태 3의 OLED(40)의 광학적 특성을 시뮬레이션한 그래프이며, (a)는 더미 전극(42) 형성영역(도 9의 영역 E)의 광학적 특성을 시뮬레이션한 결과를, (b)는 제 1 전극(44) 형성영역(도 9의 영역 F)의 광학적 특성을 시뮬레이션한 결과를 각각 나타내고 있고, 도 10의 (a), (b)에서 가로 축은 광의 파장(㎚)을, 세로 축은 광의 투과율(%)을 각각 나타내고 있다.10 is a graph simulating the optical characteristics of the OLED 40 according to the third embodiment. Fig. 10A is a graph showing the result of simulating the optical characteristics of the dummy electrode 42 formation region (region E in Fig. 9) 10A and 10B show the results of simulating the optical characteristics of the region where the first electrode 44 is formed (region F in FIG. 9). In FIGS. 10A and 10B, the horizontal axis indicates the wavelength (nm) And the transmittance (%) of light, respectively.

도 10의 (a), (b)에서 보는 것과 같이, 본 실시형태에 의해서도 더미 전극을 갖지 않는 도 3의 종래의 OLED에 비해 청색영역인 400 내지 500㎚의 파장영역에서의 투과율의 향상을 보이고 있고, 영역 E 및 영역 F의 광 투과율은 사실상 차이가 없음을 알 수 있다.As shown in Figs. 10 (a) and 10 (b), according to this embodiment, the transmittance is improved in the wavelength range of 400 to 500 nm, which is a blue region, as compared with the conventional OLED of Fig. 3 having no dummy electrode And the light transmittances of the region E and the region F are substantially the same.

<보충><Supplement>

이상의 각 실시형태에서는 제 1 전극(24, 34, 44)의 재료는 ITO를 예로 들어 설명하였으나, 제 1 전극(24, 34, 44)의 재료는 ITO에 한정되는 것은 아니며, 광의 흡수 및 소멸이 적고 투과율이 높은 투명전극용 재료라면 어떤 재료라도 좋다. 예를 들어 ZnO, AlOx 등을 이용해도 좋다.Although the materials of the first electrodes 24, 34, and 44 are described using ITO as an example in the above embodiments, the material of the first electrodes 24, 34, and 44 is not limited to ITO, Any material may be used as long as it is a material for a transparent electrode having a low transmittance. For example, ZnO, AlOx, or the like may be used.

또, 상기 각 실시형태에서는 더미 전극(22, 32, 42)의 재료는 ITO를 예로 들어서 설명하였으나, 더미 전극(22, 32, 42)의 재료는 ITO에 한정되는 것은 아니며, 광의 흡수 및 소멸이 적고 투과율이 높은 투명전극용 재료라면 어떤 재료라도 좋다. 예를 들어 NA3AlF6, MgF2, SiO2, Al2O3, Y2O3, HfO2, ZrO2, Ta2O5, TiO2, ZnO, PI, IZO, Si3N4, MgO 등을 이용해도 좋다.Although the materials of the dummy electrodes 22, 32, and 42 have been described by taking ITO as an example in the above embodiments, the materials of the dummy electrodes 22, 32, and 42 are not limited to ITO, Any material may be used as long as it is a material for a transparent electrode having a low transmittance. For example, it is possible to use a metal oxide such as NA 3 AlF 6 , MgF 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , HfO 2 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , ZnO, PI, IZO, Si 3 N 4 , MgO May be used.

또, 절연 층(23, 33, 43)의 재료로는 SiO2를 예로 들어서 설명하였으나, 절연 층(23, 33, 43)의 재료는 SiO2에 한정되는 것은 아니며, 광의 흡수 및 소멸이 적고 투과율이 높은 투명재료라면 어떤 재료라도 좋다. 예를 들어 NA3AlF6, MgF2, Al2O3, Y2O3, HfO2, ZrO2, Ta2O5, TiO2, ZnO, PI, IZO, Si3N4, MgO 등을 이용해도 좋다.The material of the insulating layers 23, 33, and 43 is exemplified by SiO 2 , but the material of the insulating layers 23, 33, and 43 is not limited to SiO 2 , Any material may be used as long as it is a high transparent material. For example, using a material such as NA 3 AlF 6 , MgF 2 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , HfO 2 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , ZnO, PI, IZO, Si 3 N 4 , It is also good.

또, 상기 보호층의 재료로는 폴리이미드(PI)를 예로 들어서 설명하였으나, 보호층의 재료는 폴리이미드에 한정되는 것은 아니며, 광의 흡수 및 소멸이 적고 투과율이 높은 투명전극용 재료라면 어떤 재료라도 좋다. 예를 들어 NA3AlF6, MgF2, SiO2, Al2O3, Y2O3, HfO2, ZrO2, Ta2O5, TiO2, ZnO, IZO, Si3N4, MgO 등을 이용해도 좋다.Although the protective layer is made of polyimide (PI) as an example, the material of the protective layer is not limited to polyimide, and any material for a transparent electrode having low light absorption and extinction and high transmittance good. For example, it is possible to use an oxide such as NA 3 AlF 6 , MgF 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , HfO 2 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , ZnO, IZO, Si 3 N 4 , It may be used.

또, 상기 각 실시형태에서는 전면 발광형 OLED를 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 배면 발광형 또는 양면 발광형(투명) OLED에도 적용할 수 있다.In the above embodiments, the top emission OLED is described as an example. However, the present invention is not limited thereto, and the present invention can be applied to a bottom emission type or a double-sided emission type (transparent) OLED.

예를 들어 배면 발광형 OLED의 경우에는 투명전극재료로 이루어지는 제 1 전극 측을 음극으로 하면 되고, 양면 발광형(투명) OLED에서는 제 1 전극 및 제 2 전극을 모두 투명전극용 재료로 형성하면 된다. 또, 양면 발광형의 경우에는 제 2 전극 측에도 더미 전극, 절연 층 및 보호층을 더 형성하는 것으로 해도 좋고, 제 2 전극 측에는 더미 전극, 절연 층 및 보호층을 생략해도 좋다.For example, in the case of a bottom-emitting OLED, the first electrode made of a transparent electrode material may be used as a cathode, and both the first electrode and the second electrode may be formed of a material for a transparent electrode in a double-sided light emitting (transparent) OLED . In the case of a double-sided emission type, a dummy electrode, an insulating layer, and a protective layer may be further formed on the second electrode side, and the dummy electrode, the insulating layer, and the protective layer may be omitted on the second electrode side.

또, 상기 각 실시형태는 어디까지나 본 발명의 바람직한 실시형태의 예시에 불과하며, 본 발명의 범위 내에서 다양한 변경 또는 변형이 가능하다. 또, 각 실시형태는 단독으로 실시해도 좋고 서로 조합하여 실시해도 좋다.The above-described embodiments are merely examples of preferred embodiments of the present invention, and various modifications and variations are possible within the scope of the present invention. In addition, each embodiment may be performed alone or in combination with each other.

20, 30, 40 유기전계 발광소자
21, 31, 41 기판
22, 32, 42 더미 전극
23, 33, 43 절연 층
24, 34, 44 제 1 전극
25, 36, 46 유기발광 층
26, 37, 47 제 2 전극
35 보호층20, 30, 40 Organic electroluminescent device
21, 31, 41 substrate
22, 32, and 42,
23, 33, 43 insulation layer
24, 34, 44,
25, 36, 46 Organic light emitting layer
26, 37, 47 Second electrode
35 protective layer

Claims (9)

기판과,
상기 기판상에 적층 형성된 더미 전극과,
상기 더미 전극 상에 적층 형성된 절연 층과,
상기 절연 층상에 적층 형성된 제 1 전극과,
상기 제 1 전극 상에 적층 형성된 유기발광 층과,
상기 유기발광 층상에 적층 형성된 제 2 전극을 포함하며,
상기 제 1 전극의 표면의 면적은 상기 유기발광 층의 표면의 면적보다 작고,
상기 더미 전극은 상기 기판의 전체 면에 형성되는 유기전계 발광소자.A substrate;
A dummy electrode formed on the substrate,
An insulating layer formed on the dummy electrode,
A first electrode laminated on the insulating layer;
An organic light emitting layer formed on the first electrode,
And a second electrode formed on the organic light emitting layer,
Wherein an area of a surface of the first electrode is smaller than an area of a surface of the organic light emitting layer,
Wherein the dummy electrode is formed on the entire surface of the substrate. 기판과,
상기 기판상에 적층 형성된 더미 전극과,
상기 더미 전극 상에 적층 형성된 절연 층과,
상기 절연 층상에 적층 형성된 제 1 전극과,
상기 제 1 전극 상에 적층 형성된 유기발광 층과,
상기 유기발광 층상에 적층 형성된 제 2 전극을 포함하며,
상기 제 1 전극의 표면의 면적은 상기 유기발광 층의 표면의 면적보다 작고,
상기 더미 전극은 상기 기판상의 상기 제 1 전극과 대응하는 영역 이외의 영역에만 형성되는 유기전계 발광소자.A substrate;
A dummy electrode formed on the substrate,
An insulating layer formed on the dummy electrode,
A first electrode laminated on the insulating layer;
An organic light emitting layer formed on the first electrode,
And a second electrode formed on the organic light emitting layer,
Wherein an area of a surface of the first electrode is smaller than an area of a surface of the organic light emitting layer,
Wherein the dummy electrode is formed only in a region other than a region corresponding to the first electrode on the substrate. 청구항 2에 있어서,
상기 절연 층 상부의 상기 유기발광 층에 대응하는 영역에는 오목부가 형성되고,
상기 제 1 전극은 상기 오목부 내에 형성되는 유기전계 발광소자.The method of claim 2,
A recess is formed in a region of the insulating layer corresponding to the organic light emitting layer,
Wherein the first electrode is formed in the concave portion. 청구항 1 또는 2에 있어서,
상기 더미 전극은 ITO, NA3AlF6, MgF2, SiO2, Al2O3, Y2O3, HfO2, ZrO2, Ta2O5, TiO2, ZnO, PI, IZO, Si3N4, MgO 중 어느 하나로 이루어지는 유기전계 발광소자.The method according to claim 1 or 2,
The dummy electrode is ITO, NA 3 AlF 6, MgF 2, SiO 2, Al 2 O 3, Y 2 O 3, HfO 2, ZrO 2, Ta 2 O 5, TiO 2, ZnO, PI, IZO, Si 3 N 4 , and MgO. 청구항 1 또는 2에 있어서,
상기 절연 층은 NA3AlF6, MgF2, Al2O3, Y2O3, HfO2, ZrO2, Ta2O5, TiO2, ZnO, PI, IZO, Si3N4, MgO 중 어느 하나로 이루어지는 유기전계 발광소자.The method according to claim 1 or 2,
The insulating layer may be formed of any one of NA 3 AlF 6 , MgF 2 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , HfO 2 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , ZnO, PI, IZO, Si 3 N 4 , The organic electroluminescent device comprising: 청구항 1 또는 2에 있어서,
상기 더미 전극의 두께는 150 내지 250㎚인 유기전계 발광소자.The method according to claim 1 or 2,
Wherein the thickness of the dummy electrode is 150 to 250 nm. 청구항 1 또는 2에 있어서,
상기 더미 전극 및 상기 제 1 전극의 두께는 150㎚인 유기전계 발광소자.The method according to claim 1 or 2,
Wherein the thickness of the dummy electrode and the first electrode is 150 nm. 청구항 1 또는 2에 있어서,
상기 제 1 전극과 상기 절연 층의 상부에 형성되는 보호층을 더 포함하는 유기전계 발광소자.The method according to claim 1 or 2,
And a protective layer formed on the first electrode and the insulating layer. 청구항 8에 있어서,
상기 보호층은 PI, NA3AlF6, MgF2, SiO2, Al2O3, Y2O3, HfO2, ZrO2, Ta2O5, TiO2, ZnO, IZO, Si3N4, MgO 중 어느 하나로 이루어지는 유기전계 발광소자.The method of claim 8,
The protective layer may be formed of at least one of PI, NA 3 AlF 6 , MgF 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , HfO 2 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , ZnO, IZO, Si 3 N 4 , MgO. &Lt; / RTI &gt;
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