KR20140132961A - 하이브리드 필러 시스템을 이용한 열전도성 고분자 조성물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 성형품 - Google Patents

하이브리드 필러 시스템을 이용한 열전도성 고분자 조성물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 성형품 Download PDF

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KR20140132961A
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원종찬
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하성민
이횡래
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Abstract

본 발명은 열전도성 필러와 단일벽 탄소나노튜브를 일정비로 혼합하여 사용하는 것을 포함하는 고분자 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에서 제조되는 고분자 조성물은 판상형의 형상을 가지는 열전도성 필러와 단일벽 탄소나노튜브를 혼합하여, 필러 간 접촉율을 향상시켜 열전도성 필러를 단독으로 사용하였을 경우, 표면처리된 단일벽 탄소나노튜브를 사용하였을 경우보다 열전도도가 향상되는 우수한 효과가 있다. 또한, 열전도성 필러로 상용화된 필러를 사용하고, 제조공정이 단순하기 때문에 제조단가가 낮아 대량생산을 할 수 있어 전자 부품산업, 반도체 산업 등에 광범위하게 활용될 수 있다.

Description

하이브리드 필러 시스템을 이용한 열전도성 고분자 조성물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 성형품{Thermally conductive polymer compositions based on hybrid system, methods for preparing the same and shaped articles using the same}
본 발명은 하이브리드 필러 시스템을 이용한 열전도성 고분자 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 스마트폰, 컴퓨터 등의 전자기기가 소형화되고 가벼워짐에 따라 반도체 패키지의 고밀도 패키징과 직접회로에서 소자의 고 집적화 및 고속화 등이 요구되고 있다. 이에 따라, 각종 전자 부품에서 발생 되는 열을 외부로 방출하여 열에 의한 부품 손상을 방지하는 것으로 방열판 또는 방열시트에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다.
종래에 사용되는 방열판으로는 열전도성이 좋은 금속의 예를 들면, 알루미늄과 같은 방열판이 사용된다. 하지만 방열판 소재로 금속을 사용하게 되면 낮은 성형성, 생산성 및 부품 디자인의 한계가 있어 이를 대체할 수 있는 물질에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 방열시트는 발광다이오드(LED) 또는 전지 및 인쇄회로기판(PCB) 등의 열을 발생시키는 부품이나 제품에 부착되어 높은 방열 효과를 내는 제품으로 현재 방열시트의 소재로서 열전도성 고분자가 개발되어있다.
상기 열전도성 고분자는 열 저항체인 고분자에 높은 열전도도를 가지는 열전도성 필러를 첨가시킴으로써 제조된다. 또한, 상기 열전도성 고분자 소재의 개발은 사출성형이 가능하고 적정 수준의 물성을 확보하기 위하여 최소의 열전도성 필러 함량으로 최적의 열전도도를 얻기 위한 방향으로 진행되고 있다.
종래 열전도성 고분자의 제조방법으로는 다음과 같은 기술들이 공지되어 있다.
특허문헌 1은 백색도, 열전도성 및 압출 성형성이 우수한 폴리아마이드계 수지 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 폴리아마이드 수지에 열전도 필러, 충진제 및 폴리아마이드와 상용성이 있고, 중량 평균 분자량이 500,000 내지 5,000,000인 열 가소성 수지를 포함하는 백색도, 열전도성 및 압출 성형성이 우수한 폴리아마이드계 수지 조성물을 제조하는 방법에 관한 것이다.
상기 발명은 열전도성 필러로 보론나이트라이드를 사용하여 높은 백색도와 열전도성을 동시에 획득할 수 있지만, 제조되는 열전도성 고분자의 기계적 강도 및 성형성을 보완하기 위하여 별도의 충진재, 백색안료, 및 주쇄로 사용하는 폴리아마이드 수지와 상용성이 있는 고분자 수지를 사용한다.
또한, 특허문헌 2는 내열도, 반사율 및 열전도도가 우수한 수지 조성물 및 제조방법에 관한 것으로, 용융점이 270 ℃ 이상인 결정성 수지 40 내지 70 중량%와 백색 무기물 5 내지 50 중량%와 열전도성 필러 1 내지 40 중량%와 강성 증가제 5 내지 30 중량%를 배럴온도 280 내지 360 ℃의 이축 압출기에서 혼합, 압출하는 단계를 통해 펠렛 형태로 제조하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키징용 소재의 제조방법에 관한 것이다. 상기 발명에서 제조되는 고분자 조성물의 평균 열전도율은 0.5 W/m·K 이며, 기계적인 물성을 보완하기 위하여 추가적으로 강성 증가제를 사용한다.
나아가, D.Khastgir등은 모양과 크기가 다른 탄소계 필러가 에틸렌초산비닐공중합체의 전기 전도도 등과 관련된 물성에 끼치는 영향에 대한 실험을 수행하였다(비특허문헌 1).
상기 실험에서는 전기전도성 필러로 흑연을, 그리고 쇼트탄소섬유 및 다중벽 탄소나노튜브를 사용하였으며, 상기 실험의 결과로 전기전도성 필러인 흑연보다 종횡비가 큰 쇼트탄소섬유 및 다중벽 탄소나노튜브를 사용하여 제조된 고분자 조성물이 낮은 함량에서 퍼콜레이션에 의해 전기전도도가 높게 나타났다(비특허문헌1).
하지만, 다중벽 탄소나노튜브의 경우 열전도도가 높지 않기 때문에 원하는 물성의 열전도성 고분자 조성물을 얻기 위해서는 고함량의 다중벽 탄소나노튜브를 포함하여야하며, 이로 인해 기계적 물성이 저하되고 낮은 성형성을 갖게 되어 상용화가 어려운 점이 있다.
이에, 본 발명자들은 고분자 수지에 판상형 열전도성 필러와 소량의 단일벽 탄소나노튜브를 혼합한 하이브리드 필러 시스템을 이용하여, 열전도성 필러간의 접촉율이 향상되어 열전도도가 우수한 고분자 조성물을 제조할 수 있음을 알아내고 본 발명을 완성하였다.
1. 특허문헌 1 : 대한민국 공개특허 제 10-2011-0079146호
2. 특허문헌 2 : 대한민국 공개특허 제 10-2009-0088134호
3. 비특허문헌 1: N.J.S. Sohi Sambhu Bhadra and D.Khastgir, Carbon volume 49, issue 4, April 2011, 1349-1350, 1359- 1360
본 발명의 목적은 하이브리드 필러 시스템을 이용한 열전도성 고분자 조성물 및 이의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 고분자 조성물을 이용한 성형품 및 이의 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 내열성 고분자 수지, 열전도성 필러, 및 비표면 처리된 단일벽 탄소나노튜브를 포함하는 열전도성 고분자 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 내열성 고분자 수지, 카본계 판상형 열전도성 필러 및 비표면 처리된 탄소나노튜브를 용융혼합장치에서 용융혼합하는 단계를 포함하는 상기 열전도성 고분자 조성물의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 열전도성 고분자 조성물을 포함하는 성형품 및 이의 제조방법을 제공한다.
본 발명에서 제조되는 열전도성 고분자 조성물은 판상형 열전도성 필러와 단일벽 탄소나노튜브를 혼합하여 사용함으로써, 판상형 열전도성 필러 간의 효과적인 네트워크를 형성하여 접촉율을 향상시킴으로써 열전도도가 우수한 효과가 있다. 또한, 상용화된 필러를 사용하고 제조공정이 단순하기 때문에 전자부품산업, 반도체 산업 등에 광범위하게 활용될 수 있다.
도 1은 기존의 열전도성 필러만 포함하는 고분자 조성물을 확대하여 나타낸 모식도이고,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 열전도성 고분자 필러들과 표면처리된 단일벽 탄소나노튜브들을 혼합하여 사용하는 고분자 조성물을 확대하여 나타낸 모식도이고, 및
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 열전도성 고분자 필러들과 표면처리되지 않은 단일벽 탄소나노튜브들을 혼합하여 사용하는 고분자 조성물을 확대하여 나타낸 모식도이다.
이하 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명은,
내열성 고분자 수지 5 - 90 중량% ;
열전도성 필러 5 - 90 중량%; 및
비표면 처리된 단일벽 탄소나노튜브 1 - 5 중량%;
을 포함하는 열전도성 고분자 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 상기 조성물에 있어서, 상기 내열성 고분자 수지는 폴리아마이드(PA), 액정고분자 (LCP), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리카보네이트(PC) 등을 사용할 수 있으나, 200 ℃ 이상의 고온에서 기계적, 전기적 성질을 포함하는 물리적 성질을 유지할 수 있는 고분자 물질이면 사용이 가능하며, 이들의 사용을 특별히 제한하는 것은 아니다. 본 발명에서 사용되는 내열성 고분자 수지의 적절한 예로서, 폴리아마이드(PA)는 내열성, 강성, 안정성이 뛰어나 이를 포함한 고분자 조성물은 전자부품이나 정밀성형 부품 등에 이용될 수 있다.
이때, 상기 내열성 고분자 수지의 함량은 5 - 90 중량%가 바람직하고, 35 - 85 중량%인 것이 더욱 바람직하다. 상기 내열성 수지의 함량이 5 중량% 미만인 열전도성 고분자조성물의 경우, 기계적 물성과 성형성이 저하되고 생산성 및 부품 디자인의 한계가 있고, 상기 내열성 수지의 함량이 90 중량%를 초과하는 경우, 원하는 물성의 열전도성 고분자조성물을 얻기 어려운 문제가 있다.
본 발명에 따른 조성물에 있어서 상기 열전도성 필러는 필러 간 접촉율을 향상시킬 수 있는 형태라면 이에 제한없이 사용될 수 있으나, 바람직하게는 판상형 필러 또는 섬유형 필러를 사용할 수 있고, 더욱 바람직하게는 판상형 필러를 사용할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 흑연 나노입자를 사용할 수 있다.
구체적으로, 외부에서 공급된 열이 고분자 내에서 이동한다고 가정했을 때, 열 저항체인 고분자는 열을 전달할 수 있는 매개체가 없어 고분자 내에서 이동하는 열은 대부분 손실된다. 하지만 상기 고분자가 열전도성 필러를 포함하는 경우에는 필러가 열을 전달하는 매개체가 되어 열이 외부로 이동할 수 있게 된다. 따라서, 외부에서 공급된 열은 열전도성 필러 간의 접촉율이 늘어나면 더 효과적으로 외부로 방출할 수 있게 된다.
본 발명에서는 판상형 열전도성 필러와 탄소나노튜브를 혼합하여 사용함으로써, 고분자 내에서 판상형 열전도성 필러들 사이로 탄소나노튜브들이 채워져 필러의 접촉율을 향상시켜 제조되는 고분자 조성물의 열전도도가 향상될 수 있다.
본 발명에 따른 고분자 조성물에 포함되는 열전도성 필러는 형상에 따라 접촉면적이 달라진다. 점 접촉을 하는 구형 또는 튜브형태의 필러보다는 선 또는 면 접촉을 하는 시트(sheet)나 플레이트(plate)형상의 필러를 사용하는 것이 고분자 조성물의 열전도도를 향상시키는데 유리하며 적용분야에 따라 전기절연성을 나타내는 세라믹계 필러를 사용할 수 있다.
상기 열전도성 필러는 5 - 90 중량%가 바람직하고, 10 - 60 중량%인 것이 더욱 바람직하다. 열전도성 필러의 함량이 5 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 제조되는 고분자 조성물의 원하는 물성인 열전도도를 얻기 힘든 문제가 있고, 90 중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 제조되는 고분자 조성물의 기계적 물성이 저하되고 점도가 지나치게 높아져 성형성이 나빠지는 문제가 있다.
또한, 본 발명은 내열성 고분자 수지, 카본계 판상형 열전도성 필러 및 비표면 처리된 탄소나노튜브를 용융혼합장치에서 용융혼합하는 단계를 포함하는 상기 열전도성 고분자 조성물의 제조방법을 제공한다.
구체적으로, 상기 제조방법은 내열성 고분자 수지에 카본계 판상형 열전도성 필러와 비표면처리된 단일벽 탄소나노튜브를 용융혼합 장치에서 용융혼합하는 단계를 포함하여 구성된다. 상기 단계를 통해 내열성 고분자 수지와 열전도성 필러 및 비표면처리된 단일벽 탄소나노튜브가 균일하게 혼합된다.
본 발명에 따른 제조방법에 있어서, 상기 용융혼합 장치는 이축 압출기를 사용할 수 있다. 상기 내열성 고분자 수지와 판상형 열전도성 필러 및 단일벽 탄소나노튜브의 용융혼합은 이축 압출기(twin-screw extruder)와 같은 장치를 이용하여 공지의 방법에 따라 수행될 수 있다. 한편, 상기 내열성 고분자 수지와 열전도성 필러 및 비표면 처리된 단일벽 탄소나노튜브의 혼합은 용융공정에 의해 진행되는 바, 용매를 전혀 사용하지 않기 때문에 환경 친화적인 공정이며, 공정을 단순화시킬 수 있다.
본 발명에 따른 제조방법에 있어서, 상기 용융혼합은 250 내지 350 ℃의 온도에서 수행하는 것이 바람직하다. 내열성 고분자 수지와 열전도성 필러 및 비표면 처리된 단일벽 탄소나노튜브가 250 ℃ 미만에서 용융혼합되는 경우, 내열성 고분자 수지와 열전도성 필러 및 탄소나노튜브간의 혼합이 균일하게 이루어지지 않는 문제점이 있고, 350 ℃를 초과하는 경우에는 내열성 고분자 수지의 열분해에 따라 물성이 저하되는 문제가 있다.
한편, 상기 내열성 고분자 수지와 열전도성 필러 및 비표면처리된 탄소나노튜브의 혼합은 내열성 고분자 수지 및 사용하는 열전도성 필러에 따라 상기 용융혼합 온도를 적절히 선택할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 열전도성 고분자 조성물을 포함하는 고분자 성형품을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 제조된 열전도성 고분자 조성물을 사출 성형하여 상기 고분자 성형품을 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 제조방법으로 제조된 고분자 조성물은 열전도도가 우수하여 전자기기에서 발생하는 열을 방출시키기 위한 부품에 적용될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 통해 더욱 상세히 설명한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
< 실시예 1> 열전도성 고분자 조성물의 제조 1
내열성 고분자 수지로 폴리아마이드(PA, KP chemtech사, EN 300) 84.15 중량%, 열전도성 필러로 흑연나노입자(GNP(Graphite nanopletelet), Timcal사) 14.85 중량% 및 비표면 처리된 단일벽 탄소나노튜브(SWNT(Single walled carbon nanotube), Nanocyl사) 1 중량%를 혼합하여서 이 혼합용액을 이축 압출기(DSM Xplore사, DSM Xplore micro-compounder)를 이용하여 압출함으로써 고분자 조성물의 펠렛을 제조하였다. 이때, 압출온도는 280 ℃였다.
< 실시예 2-6> 열전도성 고분자 조성물의 제조 2
상기 실시예 1의 혼합용액에 있어서 내열성 고분자 수지로 폴리아마이드(PA, KP chemtech사, EN 300)의 중량%, 열전도성 필러로 흑연나노입자 (GNP(Graphite nanopletelet), Timcal사)의 중량%, 단일벽 탄소나노튜브 (SWNT(Single walled carbon nanotube), Nanocyl사)의 중량%를 하기 표 1과 같이 혼합한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 고분자 조성물의 펠렛을 제조하였다.
< 실시예 7> 열전도성 고분자 조성물을 이용한 성형품의 제조 1
상기 실시예 1을 통해 제조된 고분자 조성물의 펠렛을 사출 성형기(DSM Xplore사, DSM Xplore micro-injection molding machine)로 사출 성형하여 열전도성 및 내열성을 갖는 고분자 조성물의 성형품을 제조하였다.
<비교예 1-9>
상기 실시예 1의 혼합용액에 있어서 내열성 고분자 수지로 폴리아마이드(PA, KP chemtech사, EN 300)의 중량%, 열전도성 필러로 흑연나노입자 (GNP(Graphite nanopletelet), Timcal사)의 중량%, 표면 처리된 단일벽 탄소나노튜브 (SWNT [-COOH](Functionalized Single walled carbon nanotube), Nanocyl사)의 중량%를 하기 표 1과 같이 혼합한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 고분자 조성물의 펠렛을 제조하였다.

PA6 GNP SWNT
(중량%) (중량%) (중량%)
실시예 1 84.15 14.85 1.00
실시예 2 69.3 29.7 1.00
실시예 3 49.5 49.5 1.00
실시예 4 80.75 14.25 5.00
실시예 5 66.5 28.5 5.00
실시예 6 47.5 47.5 5.00
비교예 1 85 15 -
비교예 2 70 30 -
비교예 3 50 50 -
비교예 4 84.15 14.85 *1.00
비교예 5 69.3 29.7 *1.00
비교예 6 49.5 49.5 *1.00
비교예 7 80.75 14.25 *5.00
비교예 8 66.5 28.5 *5.00
비교예 9 47.5 47.5 *5.00
"*"는 표면처리된 탄소나노튜브(SWNT[-COOH])
< 실험예 1> 고분자 조성물의 열전도도 측정
본 발명의 실시예 1 내지 실시예 6 및 비교예 1 내지 비교예 9에 의하여 제조된 고분자 조성물의 열전도도를 측정하기 위하여 하기와 같은 실험을 수행하였다. 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 6 및 비교예 1 내지 비교예 9에 의하여 제조된 열전도성 고분자 조성물에 대하여 Netzsch LFA 447 측정기(Netzsch 사)를 이용하여 25 ℃의 온도에서 ASTM E1461에 따라 열 확산도를 측정하였고, MDSC 측정기(TA instrument 사)를 이용하여 ASTM E1952에 따라 비열을 측정하였으며, 가스 비중병(pycnometer) 측정기(Protech 사)를 이용하여 ASTM D6226에 따라 밀도를 측정하였다. 그 후 하기의 수학식 1에 따라 상기의 실험에 의해 얻어진 열 확산도, 비열 및 밀도를 대입하여 열전도도(κ)를 구하였고 그 결과를 하기의 표 2에 나타내었다.
[수학식 1]
열전도도(κ) = 열확산도(α) X 비열(Cp) X 밀도(ρ)
열확산도(mm2/s) 밀도(g/cm3) 비열(J/g·K) 열전도도(W/m·K)
실시예 1 1.222 1.237 1.523 2.303
실시예 2 2.584 1.319 1.353 4.612
실시예 3 3.809 1.446 1.278 7.039
실시예 4 1.403 1.248 1.483 2.596
실시예 5 3.182 1.323 1.321 5.561
실시예 6 5.031 1.446 1.21 8.802
비교예 1 1.102 1.229 1.354 1.834
비교예 2 2.234 1.308 1.136 3.319
비교예 3 3.300 1.437 1.099 5.212
비교예 4 1.220 1.217 1.47 2.182
비교예 5 2.528 1.287 1.366 4.444
비교예 6 3.635 1.418 1.251 6.449
비교예 7 1.421 1.219 1.41 2.443
비교예 8 2.784 1.298 1.376 4.973
비교예 9 4.186 1.443 1.277 7.713
표 2는 폴리아마이드(PA)내의 판상형 열전도성 필리의 양을 열전도성 고분자 조성물 총 중량에 대하여 5 - 90 중량 %로, 판상형 열전도성 필러(GNP)를 단독으로 사용하거나 비표면처리된 단일벽 탄소 나노튜브(SWNT) 또는 표면처리된 단일벽 탄소 나노튜브(SWNT[-COOH])를 상기 표1에 나타낸 비율로 상기 판상형 열전도성 필러(GNP)와 혼합하여 제조한 고분자 조성물의 열전도도를 나타낸 것이다.
표 2에 따르면, 판상형 열전도성 필러를 사용하여 제조된 열전도성 고분자 조성물의 열전도도는 판상형 열전도성 필러의 중량 %가 클수록 높은 열전도도를 보였고, 카복실산화 표면처리된 단일벽 탄소나노튜브(SWNT[-COOH])와 같이 혼합하여 사용했을 때보다 표면처리 없는 단일벽 탄소나노튜브(SWNT)를 같이 혼합하여 사용하였을 때 열전도도가 더 높은 값을 보였다.
구체적으로, 실시예 1과 비교예 1; 실시예 2와 비교예 2 및; 실시예 3과 비교예 3을 살펴보면, 대비되는 두 열전도성 고분자 조성물내 거의 유사한 폴리아마이드 및 판상형 열전도성 필러의 조성비를 갖지만, 실시예 1, 2, 3은 비표면 처리된 단일벽 탄소튜브(SWNT)를 포함하므로써 열전도도 값이 상기 설시한 순서대로 각각, 약 0.469 W/m·K, 1.293 W/m·K, 1.827 W/m·K 씩 상승된 값을 나타냈다.
이를 통하여, 판상형 열전도성 필러를 단독으로 사용할 때보다는 단일벽 탄소나노튜브를 혼합하여 사용할 경우 열전도도가 향상됨을 알 수 있었으며, 이는, 판상형 열전도성 필러 사이로 단일벽 탄소나노튜브가 존재하여 필러들의 접촉율을 향상시키기 때문인 것으로 판단된다.
또한, 분산의 문제를 해결하기 위해 표면처리된 단일벽 탄소나노튜브(SWNT[-COOH])를 사용했을 경우엔, 표면처리된 단일벽 탄소나노튜브(SWNT[-COOH])가 고분자 수지와의 계면 상호작용이 좋고, 표면처리되지 않은 단일벽 탄소나노튜브 경우보다 열전도성 필러와의 접촉이 덜하게 되어서, 표면처리 하지 않은 단일벽 탄소나노튜브를 사용하는 경우가 표면처리된 단일벽 탄소나노튜브(SWNT[-COOH])를 사용했을 경우보다 더 높은 열전도도 값을 보였다.
구체적으로, 실시예 1과 비교예 4, 실시예 2와 비교예 5, 실시예 3과 비교예 6, 실시예 4와 비교예 7, 실시예 5와 비교예 8, 실시예 6과 비교예 9를 각각 대비하면, 각 열전도성 고분자 조성물의 폴리아마이드, 열전도성 필러, 단일벽 탄소나노튜브의 조성비율은 동일하지만, 실시예 1 내지 6은 비교예 4 내지 9와 달리 표면처리 되지 않은 단일벽 탄소 나노튜브를 포함하므로써 실시예의 열전도도 값들은 비교예의 열전도도 값에 비해서 상기 설시한 순서대로 각각, 0.121W/m·K, 0.168W/m·K, 0.590W/m·K, 0.153W/m·K, 0.588W/m·K, 1.089W/m·K 씩 상승된 값을 나타냈다.

Claims (10)

  1. 내열성 고분자 수지 5 - 90 중량%;
    열전도성 필러 5 - 90 중량%; 및
    비표면 처리된 단일벽 탄소나노튜브 1 - 5 중량%;
    을 포함하는 열전도성 고분자 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 내열성 고분자 수지가 35 - 85 중량%이고, 상기 열전도성 필러가 10 - 60 중량%인 것을 특징으로 하는 열전도성 고분자 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 내열성 고분자 수지는 폴리아마이드(PA), 액정고분자 (LCP), 폴리페닐렌설파이드(PPS) 및 폴리카보네이트(PC)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 열전도성 고분자 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 열전도성 필러는 카본계 판상형 필러인 것을 특징으로 하는 열전도성 고분자 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 상기 카본계 판상형 필러는 흑연 나노입자인 것을 특징으로 하는 열전도성 고분자 조성물.
  6. 내열성 고분자 수지, 카본계 판상형 열전도성 필러 및 비표면 처리된 탄소나노튜브를 용융혼합장치에서 용융혼합하는 단계를 포함하는 제1항의 열전도성 고분자 조성물의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 용융혼합 장치는 이축 압출기인 것을 특징으로 하는 열전도성 고분자 조성물의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 용융혼합은 250 내지 350 ℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 열전도성 고분자 조성물의 제조방법.
  9. 제1항의 열전도성 고분자 조성물을 포함하는 고분자 성형품.
  10. 제1항의 열전도성 고분자 조성물을 사출 성형하여 제10항의 고분자 성형품을 제조하는 방법.
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