KR20140097070A - Indium target and method for manufacturing same - Google Patents

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KR20140097070A KR1020140083652A KR20140083652A KR20140097070A KR 20140097070 A KR20140097070 A KR 20140097070A KR 1020140083652 A KR1020140083652 A KR 1020140083652A KR 20140083652 A KR20140083652 A KR 20140083652A KR 20140097070 A KR20140097070 A KR 20140097070A
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요우스케 엔도
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제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤
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Abstract

The present invention relates to a novel indium target and manufacturing method thereof, where an abnormal electrical discharge at sputtering and a generation of particles in a produced film can be inhibited excellently. The indium target contains not more than 1500 number/gram of inclusions having a particle size of 0.5 μm to 20 μm.

Description

인듐 타깃 및 그 제조 방법{INDIUM TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}[0001] INDUSTRIAL APPLICABILITY [0002] The present invention relates to an indium target,

본 발명은 인듐 타깃 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an indium target and a manufacturing method thereof.

인듐 타깃은, 종래, 배킹 플레이트 상에 인듐 합금 등을 부착시킨 후, 금형에 인듐을 흘려 넣어 주조함으로써 제작되고 있다. 이와 같은 인듐 타깃의 용해 주조법에 있어서는, 주형에 공급된 인듐 원료가 공기 중의 산소와 반응하여 산화물을 형성하는 경우가 있는데, 이와 같은 절연성의 산화물이 인듐 타깃 중에 존재하고 있으면, 스퍼터링에 의한 박막 형성시의 이상 방전이나, 형성한 박막 중에 대한 파티클 발생 등의 문제가 발생한다.The indium target is conventionally manufactured by attaching an indium alloy or the like to a backing plate, casting indium into a mold, and casting the indium target. In such a dissolution casting method of the indium target, the indium source supplied to the casting mold reacts with oxygen in the air to form an oxide. When such an insulating oxide is present in the indium target, when the thin film is formed by sputtering And problems such as generation of particles in the formed thin film occur.

이와 같은 문제에 대하여, 본 발명자들에 의한 특허문헌 1 에서는, 인듐 타깃 중에 존재하는 미량의 개재물 (介在物) 에 대하여 문제시하여, 이들을 제거 또는 저감시키는 검토를 행하고 있다. 그리고, 특허문헌 1 에서는, 스퍼터시의 이상 방전이나 형성하는 막 중의 파티클 발생을 양호하게 억제할 수 있는 신규의 인듐 타깃 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 하여, 입경이 0.5 ∼ 20 ㎛ 인 개재물을 1500 개/g 이하, 더욱 바람직하게는 500 개/g 이하인 인듐 타깃을 제안하고 있다. 또, 그 제조 방법으로서, 인듐 원료를 용기 내에서 용해하고, 배관을 통하여 주형에 공급하여, 주형 내에서 냉각시킴으로써 주조하는 인듐의 제조 방법으로서, 용기, 배관 및 주형에 있어서, 인듐 원료와 접하는 부분의 표면 조도 (Ra) 를 5 ㎛ 이하로 하는 방법을 제안하고 있다.In view of such a problem, Patent Document 1 of the inventors of the present invention investigates to remove or reduce trace amounts of inclusions present in the indium target in question. Patent Document 1 discloses a novel indium target capable of satisfactorily suppressing an abnormal discharge during sputtering and the generation of particles in a film to be formed and a method for producing the same. Of not more than 1,500 g / g, more preferably not more than 500 g / g. In addition, as a production method thereof, a method for producing indium by melting an indium raw material in a container, supplying the indium raw material to a mold through a pipe and cooling it in a mold, (Ra) of 5 mu m or less is proposed.

일본 특허공보 제4884561호Japanese Patent Publication No. 4884561

본 발명은, 특허문헌 1 에 대하여, 상이한 수단에 의해, 추가로 스퍼터시의 이상 방전이나 형성하는 막 중의 파티클 발생을 양호하게 억제할 수 있는 신규의 인듐 타깃 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.The present invention aims to provide a novel indium target and a method for producing the same which can suppress further anomalous discharge during sputtering and generation of particles in a film to be formed by different means by means of Patent Document 1 do.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위하여 더욱 예의 검토한 결과, 스퍼터링시에 문제가 되는 입자는, Fe, Cr, Ni, Si, Al, Co 의 화합물의 입자이며, 이들 입자가 스퍼터링시의 이상 방전이나 형성하는 막 중의 파티클 발생의 원인이 되는 것이 판명되었다. 특히 5.0 ㎛ 이상의 입경의 이물질이 스퍼터시의 이상 방전의 주된 원인인 것이 판명되었다. 그래서, 이 5.0 ㎛ 이상의 입자의 개수 밀도를 소정의 범위로 제어함으로써, 스퍼터시의 이상 방전의 발생 등이 일어나지 않는 것을 알아냈다. 이로써, 본 발명자들은, 특허문헌 1 에 대하여, 상이한 수단에 의해, 추가로 스퍼터시의 이상 방전이나 형성하는 막 중의 파티클 발생을 양호하게 억제할 수 있는 신규의 인듐 타깃을 제공할 수 있는 것을 알아냈다.As a result of intensive studies to solve the above problems, the inventors of the present invention have found that particles which are problematic in sputtering are particles of compounds of Fe, Cr, Ni, Si, Al and Co, It has been found that this causes the generation of particles in the film to be formed. Particularly, it has been found that foreign matter having a particle size of 5.0 占 퐉 or more is a main cause of abnormal discharge during sputtering. Thus, it has been found that by controlling the number density of the particles of 5.0 mu m or more to a predetermined range, no abnormal discharge occurs during sputtering or the like. As a result, the inventors of the present invention found that, with respect to Patent Document 1, it is possible to provide a novel indium target capable of additionally suppressing abnormal discharge during sputtering and generation of particles in a film to be formed by different means .

이상의 지견 (知見) 을 기초로 하여 완성한 본 발명은 일 측면에 있어서, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 500 개/g 이하 포함하는 인듐 타깃이다.The present invention completed on the basis of the above findings is, in one aspect, an indium target containing 500 inclusions / g or less of inclusions having a particle diameter of 5.0 mu m or more and 20 mu m or less.

본 발명에 관련된 인듐 타깃은 일 실시형태에 있어서, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 1 개/g 이상 500 개/g 이하 포함하고, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.60 배 이하이다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The indium target according to an embodiment of the present invention is an indium target according to an embodiment of the present invention which includes inclusions having a particle diameter of 5.0 mu m or more and 20 mu m or less at 1 / g or more and 500 / g or less and having a number density of inclusions having a particle diameter of 5.0 mu m or more and 20 mu m or less / g) is 0.60 times or less the number density (number / g) of inclusions having a particle diameter of 2.0 mu m or more and less than 5.0 mu m.

본 발명에 관련된 인듐 타깃은 다른 일 실시형태에 있어서, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 1 개/g 이상 450 개/g 이하 포함하고, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.55 배 이하이다.The indium target according to another embodiment of the present invention is characterized in that the number density of inclusions having a particle diameter of not less than 5.0 μm and not more than 20 μm and not more than 450 particles / g and not more than 5.0 μm and not more than 20 μm, G / g) is 0.55 times or less the number density (number / g) of inclusions having a particle diameter of 2.0 mu m or more and less than 5.0 mu m.

본 발명에 관련된 인듐 타깃은 또한 다른 일 실시형태에 있어서, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 1 개/g 이상 400 개/g 이하 포함하고, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.50 배 이하이다.The indium target according to the present invention is also characterized in that it comprises, in another embodiment, at least one inclusion having a particle diameter of not less than 5.0 탆 and not more than 20 탆 at a rate of not less than 1 / g and not more than 400 / g, (Number / g) of 0.50 times or less the number density (number / g) of inclusions having a particle diameter of 2.0 占 퐉 or more and less than 5.0 占 퐉.

본 발명에 관련된 인듐 타깃은 또한 다른 일 실시형태에 있어서, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.01 배 이상 0.50 배 이하이다.The indium target according to the present invention is further characterized in that the number density (number / g) of inclusions having a particle diameter of 5.0 mu m or more and 20 mu m or less is the number density (inclusions / g) of inclusions having a particle diameter of 2.0 mu m or more and less than 5.0 mu m ) And not more than 0.50 times.

본 발명에 관련된 인듐 타깃은 또한 다른 일 실시형태에 있어서, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 포함하지 않고, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물을 1 개/g 이상 1000 개/g 이하 포함한다.The indium target according to the present invention further includes an inclusions having a grain size of not less than 5.0 탆 and not more than 20 탆 but not more than 1 / g and not more than 1000 / g inclusions having a grain size of not less than 2.0 탆 and not more than 5.0 탆 do.

본 발명에 관련된 인듐 타깃은 또한 다른 일 실시형태에 있어서, 평균 결정 입경이 0.1 ㎜ 이상 40 ㎜ 이하이다.The indium target according to the present invention also has an average crystal grain size of 0.1 mm or more and 40 mm or less in another embodiment.

본 발명에 관련된 인듐 타깃은 또한 다른 일 실시형태에 있어서, 평균 결정 입경이 0.1 ㎜ 이상 30 ㎜ 이하이다.The indium target according to the present invention further has an average crystal grain size of 0.1 mm or more and 30 mm or less in another embodiment.

본 발명에 관련된 인듐 타깃은 또한 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 개재물이, 금속, 금속 산화물, 탄소, 탄소 화합물, 염소 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상이다.In another embodiment, the indium target according to the present invention is at least one selected from the group consisting of a metal, a metal oxide, a carbon, a carbon compound, and a chlorine compound.

본 발명에 관련된 인듐 타깃은 또한 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 개재물이, Fe, Cr, Ni, Si, Al, Co 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 금속 또는 그 산화물이다.The indium target according to the present invention is also one or more metals or oxides thereof selected from the group consisting of Fe, Cr, Ni, Si, Al and Co in another embodiment.

본 발명은 다른 일 측면에 있어서, 인듐 원료를 용기 내에서 용해하고, 용해된 인듐 원료를 주형에 공급하여, 주형 내에서 냉각시킴으로써 주조하는 인듐 타깃의 제조 방법으로서, 인듐 원료 용해시에, 상기 용해된 인듐 원료를 1 시간 이상 교반하는 인듐 타깃의 제조 방법이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a process for producing an indium target which is obtained by dissolving an indium raw material in a container, supplying the dissolved indium raw material to a mold, and cooling the mold in a mold, And the indium raw material is stirred for 1 hour or more.

본 발명에 관련된 인듐 타깃의 제조 방법은 일 실시형태에 있어서, 인듐 원료 용해시에, 상기 용해된 인듐 원료를 버블링하면서 1 시간 이상 교반한다.In a method for producing an indium target according to the present invention, in an embodiment, when the indium raw material is dissolved, the dissolved indium raw material is stirred for at least 1 hour while bubbling the indium raw material.

본 발명에 의하면, 스퍼터시의 이상 방전이나 형성하는 막 중의 파티클 발생을 양호하게 억제할 수 있는 신규의 인듐 타깃 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide a novel indium target capable of satisfactorily suppressing an abnormal discharge during sputtering and the generation of particles in a film to be formed, and a manufacturing method thereof.

본 발명의 인듐 타깃은, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 500 개/g 이하 포함한다. 개재물은, 인듐 원료에 포함되어 있던 불순물이나, 주로 제조 공정에서 혼입된 불순물 또는 생성물에서 기인하는 것이며, 인듐 타깃의 조직 중에 존재하는 고형물을 의미한다. 개재물은, 예를 들어, 금속, 금속 산화물, 탄소, 탄소 화합물, 염소 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상이다. 또, 개재물은, Fe, Cr, Ni, Si, Al, Co 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 금속 또는 그 산화물이어도 된다.The indium target of the present invention contains 500 pieces / g or less of inclusions having a particle diameter of 5.0 mu m or more and 20 mu m or less. The inclusions are attributed to the impurities contained in the indium source material, mainly impurities or products incorporated in the manufacturing process, and means the solid matter present in the structure of the indium target. The inclusions are at least one selected from the group consisting of, for example, metals, metal oxides, carbon, carbon compounds, and chlorine compounds. The inclusions may be at least one metal selected from the group consisting of Fe, Cr, Ni, Si, Al, and Co, or oxides thereof.

인듐 타깃 중의 개재물은, 스퍼터시의 이상 방전이나, 형성한 막 중의 파티클 발생 등의 문제를 일으킨다. 본 발명자는, 특히, 입경이 5.0 ㎛ 이상인 개재물이 이상 방전 등에 영향을 주며, 이와 같은 입경의 개재물의 개수 밀도를 제어함으로써, 스퍼터시의 이상 방전이나 형성하는 막 중의 파티클 발생을 매우 양호하게 억제할 수 있는 것을 알아냈다. 한편, 특허문헌 1 과 같은 기술에서는, 입경이 5.0 ㎛ 이상인 개재물의 제어라는 사상이 없어, 이와 같은 특징적인 개재물 제어가 이루어지지 않았다. 이에 반하여, 본 발명의 인듐 타깃은, 상기와 같이 입경이 5.0 ㎛ 이상인 개재물의 개수 밀도가 500 개/g 이하로 제어되고 있기 때문에, 특허문헌 1 에 기재된 발명과 비교하여, 스퍼터시의 이상 방전이나 형성하는 막 중의 파티클 발생을 보다 양호하게 억제할 수 있다.The inclusions in the indium target cause problems such as abnormal discharge during sputtering and generation of particles in the formed film. Particularly, inclusions having a particle size of 5.0 占 퐉 or more influence the abnormal discharge or the like, and by controlling the number density of inclusions having such a particle diameter, the inventors of the present invention have found out that the abnormal discharge during sputtering and the generation of particles in the film to be formed are suppressed very well I found out I could. On the other hand, in the technique of Patent Document 1, there is no idea of control of inclusions having a particle diameter of 5.0 탆 or more, and such characteristic inclusions control is not achieved. On the other hand, in the indium target of the present invention, the number density of inclusions having a particle size of 5.0 m or more is controlled to be 500 dl / g or less as described above. Therefore, compared with the invention described in Patent Document 1, The generation of particles in the film to be formed can be suppressed more favorably.

본 발명의 인듐 타깃은, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 1 개/g 이상 500 개/g 이하 포함하고, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.60 배 이하여도 된다. 여기서, 개재물의 입경을 20 ㎛ 이하로 하고 있는 것은, 입경이 20 ㎛ 를 초과하는 개재물이 혼입되는 경우는 적은 점, 또한 20 ㎛ 를 초과하는 개재물이 혼입되어 있어도 그 양은 입경이 20 ㎛ 이하인 개재물의 양과 상관이 있으므로, 20 ㎛ 이하인 개재물의 밀도를 고려하면 충분하기 때문이다. 또, 본 발명의 인듐 타깃은, 소입경의 개재물의 개수 밀도에 대한 대입경의 개재물의 개수 밀도가 제어되어 있어도 된다. 상기와 같이, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.60 배 이하이면, 보다 양호한 이상 방전 억제 효과를 갖는다.The indium target of the present invention is characterized in that the number density (number / g) of inclusions having a particle diameter of not less than 5.0 μm and not more than 20 μm is not less than 1 / g and not more than 500 / Or 0.60 times the number density (number / g) of inclusions having a diameter of less than 5.0 占 퐉. The reason why the particle size of the inclusions is 20 占 퐉 or less is that the inclusions having a particle diameter exceeding 20 占 퐉 are small and the inclusions exceeding 20 占 퐉 are mixed with the inclusions having a particle diameter of 20 占 퐉 or less It is sufficient to consider the density of inclusions of 20 m or less. In the indium target of the present invention, the number density of inclusions of the larger diameter may be controlled with respect to the number density of the inclusions having a smaller diameter. As described above, when the number density (number / g) of inclusions having a particle diameter of 5.0 mu m or more and 20 mu m or less is 0.60 or more of the number density (number / g) of inclusions having 2.0 mu m or more and less than 5.0 mu m, .

또한, 개재물의 입경을 2.0 ㎛ 이상으로 하고 있는 것은, 입경이 2.0 ㎛ 이하인 개재물은 매우 작으므로, 이상 방전에 대한 영향이 거의 없기 때문이다.The reason why the particle size of the inclusions is 2.0 占 퐉 or more is that the inclusions having a particle size of 2.0 占 퐉 or less are very small and there is almost no influence on the abnormal discharge.

본 발명에 있어서, 「개수 밀도 (개/g) 의 0.60 배」등과 같은, 개수 밀도에 소정값을 곱한 값에 대해서는, 소수점 이하는 버리는 것으로 한다. 예를 들어, 개수 밀도가 333 (개/g) 인 경우의 「개수 밀도의 0.60 배」는, 333 × 0.60 ＝ 199.8, 즉, 199 (개/g) 로 한다.In the present invention, a value obtained by multiplying the number density by a predetermined value such as " number density (number / g) 0.60 times " For example, when the number density is 333 (number / g), "0.60 times of the number density" is 333 x 0.60 = 199.8, that is, 199 (number / g).

또, 보다 양호하게 스퍼터시의 이상 방전이나, 형성한 막 중의 파티클 발생 등을 억제하기 위해서는, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 1 개/g 이상 450 개/g 이하 포함하고, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.55 배 이하여도 된다. 또한, 형성한 막 중의 파티클 발생 등을 억제하기 위해서는, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 1 개/g 이상 400 개/g 이하 포함하고, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.50 배 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의, 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 에 대한 비의 하한값은 특별히 한정되지 않지만, 본 발명에 있어서는 전형적으로는 0.01 배 이상이다.In order to suppress the abnormal discharge at the time of sputtering and the generation of particles in the formed film more preferably, it is preferable that the inclusion containing not less than 1 / g and not more than 450 / g in particle diameter of not less than 5.0 탆 and not more than 20 탆, (Number / g) of the inclusions having a diameter of not less than 20 탆 and not more than 20 탆 is not more than 0.55 times the number density (number / g) of inclusions having not less than 2.0 탆 and not more than 5.0 탆. In order to suppress the generation of particles in the formed film, the number density of inclusions having a particle size of not less than 5.0 mu m and not more than 20 mu m at a ratio of not less than 1 / g and not more than 400 / g and having a particle diameter of not less than 5.0 mu m and not more than 20 mu m G / g) is 0.50 times or less of the number density (number / g) of inclusions having 2.0 mu m or more and less than 5.0 mu m. The lower limit value of the ratio of the number density (number / g) of inclusions having a particle diameter of not less than 5.0 mu m and not more than 20 mu m to the number density (number / g) of the inclusions not less than 2.0 mu m and not more than 5.0 mu m is not particularly limited, And is typically 0.01 times or more.

또한, 더욱더 양호하게 스퍼터시의 이상 방전이나, 형성한 막 중의 파티클 발생 등을 억제하기 위해서는, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 포함하지 않고, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물을 1 개/g 이상 1000 개/g 이하 포함하는 것이 바람직하다.In order to further suppress the abnormal discharge during the sputtering and the generation of particles in the formed film, it is preferable to use an inclusion having a particle diameter of not less than 5.0 탆 and not more than 20 탆 but not more than 2.0 탆 and less than 5.0 탆 as one / g to 1000 pieces / g or less.

개재물 등의 이물질은 결정 입계에 많이 석출되는 경향이 있다. 또, 입자경이 작을수록 입계의 수는 많아져, 존재하는 이물질의 분산이 양호해진다. 그 때문에, 입자경이 큰 경우에는 입계가 적어져, 한 지점에 이물질이 많이 모여 이상 방전을 유발한다. 한편, 결정립이 작은 경우에는 이물질이 넓게 분산되어 있기 때문에, 이상 방전을 저감시킬 수 있다. 이와 같은 관점에서, 인듐 타깃의 평균 결정 입경이 0.1 ㎜ 이상 40 ㎜ 이하이면, 보다 엄격한 스퍼터링 조건하에 있어서도, 양호하게 스퍼터시의 이상 방전이나, 형성한 막 중의 파티클 발생 등을 억제할 수 있기 때문에 바람직하다. 이와 같은 구성에 의하면, 허용되는 스퍼터링의 조건을 보다 넓게 할 수 있다. 인듐 타깃의 평균 결정 입경은, 보다 바람직하게는 0.1 ㎜ 이상 30 ㎜ 이하이다.Foreign substances such as inclusions tend to precipitate to a large extent at crystal grain boundaries. Further, the smaller the particle diameter, the greater the number of the grain boundaries, and the better the dispersion of foreign substances present. Therefore, when the particle size is large, the grain size becomes small, and a large amount of foreign matter collects at one point, causing an abnormal discharge. On the other hand, when the crystal grains are small, the foreign substances are dispersed widely, so that the abnormal discharge can be reduced. From such a viewpoint, it is preferable that the average crystal grain size of the indium target is not less than 0.1 mm and not more than 40 mm, because even under more severe sputtering conditions, the abnormal discharge during sputtering and the generation of particles in the formed film can be suppressed Do. With such a configuration, the conditions of the sputtering that are allowed can be widened. The average crystal grain size of the indium target is more preferably 0.1 mm or more and 30 mm or less.

상기 개재물의 사이즈는, 「액체용 광 산란식 자동 입자 계수기」(큐슈 리온 주식회사 제조) 로 측정되어 얻어진다. 이 측정법은, 액 중에서 입자의 사이즈를 선별하여, 그 입자 농도나 입자수를 측정하는 것으로서, 「액 중 파티클 카운터」라고도 일컬어지고 있으며, JIS B 9925 에 기초하는 것이다 (이하, 이 측정을 「액 중 파티클 카운터」라고도 칭한다).The size of the inclusion is obtained by measuring with a " light scattering type automatic particle counter for liquid " (manufactured by Kyushu Rayon Co., Ltd.). This measurement method is called "liquid particle counter" and is based on JIS B 9925 (hereinafter referred to as " liquids in solution " Particle counter ").

이 측정 방법을 구체적으로 설명하면, 5 g 을 샘플링하여, 개재물이 용해되지 않도록 천천히 200 ㎖ 의 농염산 (염화수소의 35.0 ∼ 37.0 ％ 수용액) 으로 용해하고, 48 시간 방치한 후, 추가로 이것을 500 ㎖ 가 되도록 순수로 희석시키고, 이 10 ㎖ 를 취하여, 희석시킨 당일 중에 상기 액 중 파티클 카운터로 측정하는 것이다. 예를 들어, 개재물의 개수가 1000 개/㎖ 인 경우에서는, 10 ㎖ 중에는 0.1 g 의 샘플이 측정되게 되기 때문에, 개재물은 10000 개/g 이 된다.Specifically, 5 g of the sample was sampled and slowly dissolved in 200 ml of concentrated hydrochloric acid (35.0 to 37.0% aqueous solution of hydrogen chloride) so that the inclusions did not dissolve. After 48 hours, 500 ml , 10 ml of this solution is taken, and the solution is measured with a particle counter in the solution on the day of dilution. For example, in the case where the number of inclusions is 1000 / ml, 0.1 g of the sample is measured in 10 ml, and thus the inclusions are 10000 / g.

또한, 본 발명에 있어서, 개재물의 개수는, 액 중 파티클 카운터에 의한 측정에 한정되지 않고, 마찬가지의 개수의 측정이 가능하면, 다른 수단을 사용하여 측정해도 된다.Further, in the present invention, the number of inclusions is not limited to the measurement by particle counter in liquid, but may be measured by other means if the same number of measurements is possible.

본 발명의 인듐 타깃은, 예를 들어, CIGS 계 박막 태양 전지용 광 흡수층의 스퍼터링 타킷 등, 각종 스퍼터링 타킷으로서 바람직하게 사용할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The indium target of the present invention can be preferably used as various sputtering targets such as a sputtering target of a light absorption layer for CIGS thin film solar cells.

본 발명에 관련된 인듐 타깃의 제조 방법의 바람직한 예를 순서에 따라 설명한다. 먼저, 원료인 인듐을 소정의 용기 내에서 용해한다. 사용하는 인듐 원료는, 불순물이 포함되어 있으면, 그 원료에 의해 제작되는 태양 전지의 변환 효율이 저하되어 버린다는 이유에 의해 높은 순도를 갖고 있는 것이 바람직하고, 예를 들어, 순도 99.99 질량％ (순도 4 N) 이상의 인듐을 사용할 수 있다.Preferred examples of the method for producing the indium target according to the present invention will be described in order. First, the raw material indium is dissolved in a predetermined container. It is preferable that the indium raw material to be used has a high purity due to the fact that the conversion efficiency of the solar cell produced by the raw material is lowered if the impurity is contained. For example, when the purity is 99.99% by mass 4 N) or more of indium can be used.

본 발명에 관련된 인듐 타깃의 제조 방법은, 이 인듐 원료 용해시에, 용해된 인듐 원료를 1 시간 이상 교반하는 것을 특징으로 하고 있다. 상기 서술한 바와 같이, 스퍼터링시에 문제가 되는 입자는, Fe, Cr, Ni, Si, Al, Co 의 화합물의 입자이며, 이들 입자가 스퍼터링시의 결함의 원인이 된다. 이들 입자의 제어는, 특허문헌 1 에 개시되어 있는 바와 같은, 용기, 배관 및 주형에 있어서, 인듐 원료와 접하는 부분의 표면 조도 (Ra) 를 제어하는 것으로는 불충분하다. 특히, 입경이 5.0 ㎛ 이상인 개재물의 제어에는 효과가 불충분하다. 그래서, 본 발명에서는, Fe, Cr 등의 화합물 등의 불순물은 슬래그측에 부상하기 쉽다는 지견으로부터, 그래서 용탕 (溶湯) 의 교반 시간을 많게 함으로써, Fe, Cr, Ni, Si, Al, Co 의 화합물의 입경 5.0 ㎛ 를 초과하는 입자를 슬래그측에 분배시킨다. 그리고, 구체적으로는, 인듐 원료 용해시에, 용해된 인듐 원료를 1 시간 이상 교반하는 것이 바람직한 것을 알아냈다. 또, 이 때, 버블링을 사용하여 교반함으로써, 보다 양호하게 상기 Fe, Cr 등의 원소의 화합물을 슬래그측에 분배할 수 있다. 일반적으로, 액체 중의 입자의 침강 속도는, 밀도가 동일한 경우, 입자경의 2 제곱에 비례하여 빨라진다. 즉, 조대한 입자일수록 빠르게 침강하여, 슬래그측으로의 분배의 기회가 적어진다. 본 발명에 관련된 제조 방법에서는, 교반 시간의 증가 및 버블링에 의해, 큰 입자의 재부상의 기회를 증가시켜, 5.0 ㎛ 이상의 입자의 슬래그측으로의 분배 비율을 크게 향상시키고 있다.The method for producing an indium target according to the present invention is characterized in that the dissolved indium source is stirred for at least 1 hour at the time of dissolving the indium source. As described above, the particles that are problematic in sputtering are particles of compounds of Fe, Cr, Ni, Si, Al, and Co, which cause defects during sputtering. Control of these particles is insufficient to control the surface roughness (Ra) of a portion in contact with the indium raw material in a container, a pipe, and a mold as disclosed in Patent Document 1. Particularly, the effect is insufficient for the control of inclusions having a particle diameter of 5.0 mu m or more. Therefore, in the present invention, from the knowledge that impurities such as Fe, Cr and the like are liable to float on the slag side, it is necessary to increase the stirring time of the molten metal to increase the amount of Fe, Cr, Ni, Si, Particles having a particle size exceeding 5.0 탆 of the compound are distributed to the slag side. More specifically, it has been found that it is preferable to stir the dissolved indium source material for 1 hour or more at the time of dissolving the indium source material. Further, at this time, by stirring using bubbling, the compound of the element such as Fe, Cr, etc. can be distributed to the slag side more preferably. In general, the settling rate of particles in a liquid increases in proportion to the square of the particle diameter when the densities are the same. That is, coarse particles precipitate more quickly, and there is less chance of distribution to the slag side. In the production method according to the present invention, the ratio of the particles to the slag side of 5.0 mu m or more is greatly improved by increasing the agitation time and bubbling, thereby increasing the chance of re-floating of large particles.

다음으로, 용해된 인듐 원료를 배킹 플레이트 상에 설치한 주형에 공급한다.Next, the dissolved indium source is supplied to the mold provided on the backing plate.

그 후, 실온까지 냉각시켜, 인듐 타깃 부재를 형성한다. 냉각 속도는 공기의 송풍에 의한 강제 냉각으로 한다. 계속해서, 표면의 절삭 가공을 실시함으로써, 인듐 타깃을 제작한다.Thereafter, the material is cooled to room temperature to form an indium target member. Cooling speed is forced cooling by air blowing. Subsequently, the indium target is produced by cutting the surface.

실시예Example

이하에 본 발명의 실시예를 비교예와 함께 나타내지만, 이들 실시예는 본 발명 및 그 이점을 보다 잘 이해하기 위하여 제공하는 것이며, 발명이 한정되는 것을 의도하는 것은 아니다.Examples of the present invention will be described below with reference to comparative examples. However, these examples are provided to better understand the present invention and its advantages, and are not intended to limit the invention.

(실시예 1)(Example 1)

먼저, 순도 4 N 의 인듐을 원료로서 사용하여, 이 인듐 원료를 용기 내에서 180 ℃ 에서 1 시간 교반하면서 용해시켰다. 다음으로, 이 용체를, 핫 플레이트 상에서 180 ℃ 가열해 둔 배킹 플레이트 상에 설치한 주형에 흘려 넣고, 핫 플레이트의 전원을 끄고, 공기를 송풍하여, 강제 냉각시켰다. 이 때의 냉각 응고 시간 (용탕을 주입하고 나서 응고가 완료될 때까지의 시간) 은 100 초였다. 이 조작에 의해, 배킹 플레이트와 일체화된 인듐 타깃을 제작하였다. 계속해서, 직경 204 ㎜, 두께 5 ㎜ 의 원판상으로 선반 가공하여, 스퍼터링 타킷으로 하였다.First, indium of a purity of 4 N was used as a raw material, and the indium raw material was dissolved in a container at 180 ° C for 1 hour with stirring. Next, the body was poured into a mold provided on a backing plate heated at 180 캜 on a hot plate, the power of the hot plate was turned off, air was blown, and forced cooling was performed. The cooling coagulation time (the time from the injection of the molten metal to the completion of solidification) was 100 seconds. By this operation, an indium target integrated with the backing plate was produced. Subsequently, the plate was processed into a disc having a diameter of 204 mm and a thickness of 5 mm to obtain a sputtering target.

(실시예 2 ∼ 7)(Examples 2 to 7)

실시예 2 ∼ 7 은, 실시예 1 에 대하여, 교반 시간만 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 타킷을 제작하였다.Examples 2 to 7 were prepared in the same manner as in Example 1 except that only the stirring time was changed.

(실시예 8)(Example 8)

실시예 8 은, 실시예 1 에 대하여, 교반 중에 용해조 하부로부터 공기를 가하여 버블링한 것 이외에는 동일하게 하여 타킷을 제작하였다.Example 8 was prepared in the same manner as in Example 1 except that air was bubbled through the lower portion of the dissolution tank during stirring.

(실시예 9)(Example 9)

실시예 9 는, 실시예 7 에 대하여, 교반 중에 용해조 하부로부터 공기를 가하여 버블링한 것 이외에는 동일하게 하여 타킷을 제작하였다.Example 9 was prepared in the same manner as in Example 7 except that air was bubbled through the lower portion of the dissolution tank during stirring.

(실시예 10)(Example 10)

실시예 10 은, 실시예 3 에 대하여, 인듐을 주형에 흘려 넣은 후, 방랭시켜, 냉각 응고 시간을 300 초로 길게 한 것 이외에는 동일하게 하여 타킷을 제작하였다.Example 10 was prepared in the same manner as in Example 3, except that indium was poured into a mold, followed by cooling, and the cooling and solidifying time was prolonged to 300 seconds.

(실시예 11)(Example 11)

실시예 11 은, 실시예 3 에 대하여, 인듐을 주형에 흘려 넣은 후, 빙수를 이용하여 급랭시켜, 냉각 응고 시간을 10 초로 짧게 한 것 이외에는 동일하게 하여 타킷을 제작하였다.Example 11 was prepared in the same manner as in Example 3 except that indium was poured into a mold and quenched by ice water to shorten the cooling and solidifying time to 10 seconds.

(실시예 12)(Example 12)

실시예 12 는, 실시예 8 에 대하여, 교반 및 버블링 시간을 8 시간으로 한 것 이외에는 동일하게 하여 타킷을 제작하였다.Example 12 was the same as Example 8 except that the agitation and the bubbling time were changed to 8 hours.

(실시예 13)(Example 13)

실시예 13 은, 실시예 3 에 대하여, 인듐을 주형에 흘려 넣은 후, 핫 플레이트의 온도 제어에 의해 배킹 플레이트 및 주형의 온도를 제어하여, 실시예 10 보다 냉각 응고 시간을 500 초로 길게 한 것 이외에는 동일하게 하여 타킷을 제작하였다.Example 13 was the same as Example 3 except that indium was poured into a mold and the temperature of the backing plate and the mold was controlled by temperature control of the hot plate to make the cooling and solidifying time longer than that of Example 10 to 500 seconds The target was prepared in the same manner.

(비교예 1 ∼ 4)(Comparative Examples 1 to 4)

비교예 1 ∼ 4 는, 실시예 1 에 대하여, 교반 시간만 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 타킷을 제작하였다.In Comparative Examples 1 to 4, the target was prepared in the same manner as in Example 1, except that only the stirring time was changed.

(개재물, 이상 방전 및 평균 결정 입경의 측정)(Inclusion, abnormal discharge and measurement of average crystal grain size)

실시예 및 비교예에서 얻어진 인듐 타깃에 대하여, 각각 5.0 g 만큼 채취하여, 200 ㎖ 원액 염산으로 용해한 후, 48 시간 방치하고, 초순수로 500 ㎖ 까지 희석시켰다. 계속해서, 당해 희석액을 10 ㎖ 취하여, 큐슈 리온 주식회사 제조의 액체용 광 산란식 자동 입자 계수기 (액 중 파티클 카운터) 로 액 중의 개재물 개수를 측정하였다. 이 측정을 3 회 반복하여, 평균값을 산출하였다.5.0 g of each of the indium targets obtained in the examples and the comparative examples was sampled and dissolved in 200 ml of an undiluted hydrochloric acid. The sample was allowed to stand for 48 hours and diluted with ultrapure water to 500 ml. Subsequently, 10 ml of the diluted liquid was taken and the number of inclusions in the liquid was measured with a light scattering type automatic particle counter for liquid (liquid particle counter) manufactured by Kyushu Lion Corporation. This measurement was repeated three times, and the average value was calculated.

또, 이들 실시예 및 비교예의 인듐 타깃을, ANELVA 제조 SPF-313H 스퍼터 장치로, 스퍼터 개시 전의 챔버 내의 도달 진공도 압력을 1 × 10-4 ㎩, 스퍼터시의 압력을 0.5 ㎩, 아르곤 스퍼터 가스 유량을 5 SCCM, 스퍼터 파워를 650 W 로 30 분간 스퍼터하여, 육안으로 관찰된 스퍼터 중의 이상 방전 횟수를 계측하였다.The indium targets of these examples and comparative examples were measured with an SPF-313H sputtering apparatus manufactured by ANELVA using a sputtering apparatus with an initial vacuum degree of 1 x 10 < -4 > Pa in the chamber before the start of the sputtering, a pressure of 0.5 Pa in the sputtering, 5 SCCM and sputtering power of 650 W for 30 minutes to measure the number of abnormal discharges in the sputter observed with the naked eye.

또한, 이들 실시예 및 비교예의 인듐 타깃의 평균 결정 입경을 이하와 같이 측정하였다.In addition, the average crystal grain size of the indium targets in these examples and comparative examples was measured as follows.

먼저, 측정 대상이 되는 타킷 부재의 표면을 디지털 카메라에 의해 촬영하여, 그 화상 표면의 임의의 영역 내 (당해 영역의 면적 S1 을 10000 ㎟ 로 하였다) 에 존재하는 결정립의 개수 (N) 를 세었다. 또한, 표면을 보기 쉽게 하기 위하여, 연마, 전해 연마, 에칭을 이용해도 된다. 영역의 경계에 걸쳐 존재하는 결정립은 0.5 개로 하고, 전체가 영역 내에 존재하는 결정립은 1 개로 하였다. 측정 대상 영역의 면적 (S1) 을 N 으로 나눔으로써, 결정립의 평균 면적 (S2) 를 산출하였다. 결정립을 구로 가정하여, 평균 결정 입경 (A) 를 이하의 식으로 산출하였다.First, the surface of the target member to be measured is photographed by a digital camera, and the number N of crystal grains existing in an arbitrary region of the image surface (the area S 1 of the region is set to 10000 mm 2) . Further, polishing, electrolytic polishing, or etching may be used to make the surface easier to see. The number of crystal grains existing over the boundary of the region was 0.5, and the number of crystal grains existing in the entire region was one. The area (S 1 ) of the measurement target area was divided by N to calculate the average area (S 2 ) of the crystal grains. Assuming that the crystal grains are spheres, the average crystal grain size (A) is calculated by the following formula.

A ＝ 2(S2/π)1/2 A = 2 (S 2 / π) 1/2

각 측정 조건 및 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.The measurement conditions and evaluation results are shown in Table 1.

Figure pat00001
Figure pat00001

(평가)(evaluation)

실시예 1 ∼ 13 은, 모두, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 500 개/g 이하 포함하고, 스퍼터시의 이상 방전을 양호하게 억제할 수 있었다.Examples 1 to 13 all contained 500 pieces / g or less of inclusions having particle diameters of 5.0 占 퐉 or more and 20 占 퐉 or less, and it was possible to satisfactorily suppress anomalous discharge during sputtering.

비교예 1 ∼ 4 는, 모두, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 500 개/g 을 초과하여 포함하고, 스퍼터시의 이상 방전 횟수가 실시예에 비해 많았다.In all of Comparative Examples 1 to 4, inclusions having particle diameters of not less than 5.0 占 퐉 and not more than 20 占 퐉 were contained in an amount of more than 500 / g, and the number of abnormal discharges during sputtering was larger than those in Examples.

Claims (10)

입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 1 개/g 이상 500 개/g 이하 포함하고,
입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.60 배 이하인, 인듐 타깃.G / g or more and 500 / g or less inclusions having a particle diameter of 5.0 mu m or more and 20 mu m or less,
Wherein the number density (number / g) of inclusions having a particle diameter of 5.0 占 퐉 or more and 20 占 퐉 or less is 0.60 times or less of the number density (number / g) of inclusions having a particle diameter of 2.0 占 퐉 or more and less than 5.0 占 퐉. 제 1 항에 있어서,
입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 1 개/g 이상 450 개/g 이하 포함하고,
입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.55 배 이하인, 인듐 타깃.The method according to claim 1,
G / g or more and 450 / g or less inclusions having a particle diameter of 5.0 mu m or more and 20 mu m or less,
Wherein the number density (number / g) of inclusions having a particle diameter of 5.0 mu m or more and 20 mu m or less is 0.55 times or less of the number density (number / g) of inclusions having a particle diameter of 2.0 mu m or more and less than 5.0 mu m. 제 2 항에 있어서,
입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 1 개/g 이상 400 개/g 이하 포함하고,
입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.50 배 이하인, 인듐 타깃.3. The method of claim 2,
G / g to 400 / g or less inclusions having a particle diameter of not less than 5.0 mu m and not more than 20 mu m,
Wherein the number density (number / g) of inclusions having a particle diameter of 5.0 占 퐉 or more and 20 占 퐉 or less is 0.50 times or less of the number density (inclusions / g) of inclusions having a particle diameter of 2.0 占 퐉 or more and less than 5.0 占 퐉. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.01 배 이상 0.50 배 이하인, 인듐 타깃.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the number density (number / g) of inclusions having a particle diameter of 5.0 占 퐉 or more and 20 占 퐉 or less is 0.01 times or more and 0.50 times or less of the number density (number / g) of inclusions having a particle diameter of 2.0 占 퐉 or more and 5.0 占 퐉 or less. 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 포함하지 않고, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물을 1 개/g 이상 1000 개/g 이하 포함하는, 인듐 타깃.An indium target which does not contain inclusions having a particle diameter of 5.0 mu m or more and 20 mu m or less and contains inclusions having a particle diameter of 2.0 mu m or more and less than 5.0 mu m at 1 / g to 1000 / g or less. 제 1 항 내지 제 3 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
평균 결정 입경이 0.1 ㎜ 이상 40 ㎜ 이하인, 인듐 타깃.The method according to any one of claims 1 to 3 and 5,
An indium target having an average crystal grain size of 0.1 mm or more and 40 mm or less. 제 6 항에 있어서,
평균 결정 입경이 0.1 ㎜ 이상 30 ㎜ 이하인, 인듐 타깃.The method according to claim 6,
An indium target having an average crystal grain size of 0.1 mm or more and 30 mm or less. 제 1 항 내지 제 3 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 개재물이, 금속, 금속 산화물, 탄소, 탄소 화합물, 염소 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상인, 인듐 타깃.The method according to any one of claims 1 to 3 and 5,
Wherein the inclusion is at least one selected from the group consisting of a metal, a metal oxide, carbon, a carbon compound, and a chlorine compound. 제 8 항에 있어서,
상기 개재물이, Fe, Cr, Ni, Si, Al, Co 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 금속 또는 그 산화물인, 인듐 타깃.9. The method of claim 8,
Wherein the inclusions are at least one metal selected from the group consisting of Fe, Cr, Ni, Si, Al and Co or an oxide thereof. 인듐 원료를 용기 내에서 용해하고, 용해된 인듐 원료를 주형에 공급하여, 주형 내에서 냉각시킴으로써 주조하는 인듐의 제조 방법으로서, 인듐 원료 용해시에, 상기 용해된 인듐 원료를 버블링하면서 1 시간 이상 교반하는, 인듐 타깃의 제조 방법.A process for producing indium by dissolving an indium raw material in a container and supplying the dissolved indium raw material to a mold and cooling it in a mold, wherein the indium raw material is bubbled for at least 1 hour ≪ / RTI >
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TW201527562A (en) * 2013-09-26 2015-07-16 Mitsubishi Materials Corp In alloy sputtering target, method for manufacturing the same, and in alloy film
JP6448441B2 (en) * 2015-03-30 2019-01-09 Ｊｘ金属株式会社 Laminated structure and manufacturing method thereof
CN105023958B (en) * 2015-07-28 2017-03-08 厦门神科太阳能有限公司 CIGS based thin film solar cell and preparation method thereof
JP6960363B2 (en) * 2018-03-28 2021-11-05 Ｊｘ金属株式会社 Co-anode, electric Co-plating method using Co-anode and evaluation method of Co-anode

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57185973A (en) * 1981-05-07 1982-11-16 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Production of target for sputtering
JP3974945B2 (en) * 1992-01-30 2007-09-12 東ソー株式会社 Titanium sputtering target
JP3560393B2 (en) * 1995-07-06 2004-09-02 株式会社日鉱マテリアルズ Manufacturing method of aluminum alloy sputtering target
JP3081602B2 (en) * 1998-02-23 2000-08-28 株式会社神戸製鋼所 Sputtering target material and method for producing the same
JP4992843B2 (en) * 2008-07-16 2012-08-08 住友金属鉱山株式会社 Manufacturing method of indium target
JP4884561B1 (en) * 2011-04-19 2012-02-29 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 Indium target and manufacturing method thereof

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