KR20140091658A - 네거티브 현상 처리 방법 및 네거티브 현상 처리 장치 - Google Patents

네거티브 현상 처리 방법 및 네거티브 현상 처리 장치 Download PDF

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KR20140091658A
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츠요시 미츠하시
다케히로 와지키
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가부시키가이샤 소쿠도
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Abstract

현상 공정의 종료 후, 기판의 표면에 세정액을 공급하지 않고, 기판을 고속으로 회전시켜, 레지스트막 상의 현상액에 큰 원심력을 작용시켜 기판의 표면 상으로부터 현상액을 신속하게 제거한다. 그 결과, 상정한 대로의 타이밍에 현상 처리를 정지시켜 치수 대로의 회로 패턴을 형성하는 것이 가능해진다. 이 때에, 용해 생성물도 현상액과 함께 기판 상으로부터 제거되므로, 용해 생성물에 기인하는 현상 결함의 발생도 방지할 수 있다. 따라서, 세정액의 사용량을 삭감하면서, 네거티브 현상 처리의 품질을 적합하게 유지하는 것이 가능해진다.

Description

네거티브 현상 처리 방법 및 네거티브 현상 처리 장치{NEGATIVE DEVELOPING METHOD AND NEGATIVE DEVELOPING APPARATUS}
본 발명은, 반도체 웨이퍼, 포토마스크용의 유리 기판, 액정 표시용의 유리 기판, 광디스크용의 기판 등(이하, 간단히 기판이라고 칭한다)을, 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용하여 현상하는 네거티브 현상 처리 방법 및 네거티브 현상 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 프로세스 등에 있어서는, 리소그래피 기술을 이용하여 기판 표면의 레지스트막에 회로 패턴을 형성하고 있다. 회로 패턴의 형성은, 기판의 표면에 포토레지스트를 도포하고, 노광기를 이용하여 기판 표면의 레지스트막에 회로 패턴을 소부(燒付)하고, 노광 후의 레지스트막에 현상액을 공급하여 현상 처리를 행한다는 일련의 공정에 의해 행해진다. 이 중, 현상 처리에 있어서는, 패들 현상에 의한 현상 처리 방법이 널리 이용되게 되었다. 패들 현상이란, 기판을 수평 자세로 유지하여 연직축 둘레로 회전시켜, 스트레이트 노즐의 선단 토출구로부터 기판의 중심부로 현상액을 공급하고, 기판 표면의 레지스트막의 전체면에 현상액을 막 형상으로 축적한 상태로 행하는 현상 처리의 방법이다. 레지스트막에 형성되는 회로 패턴의 선폭은, 현상 처리를 행하는 시간에 의해 제어된다. 소정 시간 레지스트막에 현상액을 축적하여 상정한 대로의 회로 패턴을 형성시킨 후, 기판 상으로 세정액을 공급하여 세정 처리를 행한다. 세정 처리가 종료된 후, 기판을 회전시켜, 스핀 드라이의 효과에 의해 기판의 건조 처리를 행한다(예를 들면, 일본국 특허공개 2008-91751호 공보 제3페이지에 개시된다).
종래는, TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide) 용액 등의 알칼리 현상액을 사용하는 포지티브 현상 처리 방법(포지 현상이라고도 한다)이 채용되어 왔다. 그러나, 최근은 이것 대신에, 아세트산부틸 등의 유기 용제를 포함하는 현상액을 사용하는 네거티브 현상 처리 방법(네거티브 현상이라고도 한다)이 채용되고 있다. 포지티브 현상 처리 방법에서는 순수를 세정액으로서 사용하는데 반해, 네거티브 현상 처리 방법에서는 MIBC(Methyl Iso Butyl Carbinol) 등의 유기 용제를 포함하는 세정액을 사용한다(예를 들면, 일본국 특허공개 2011-28281호 공보 제79 페이지에 개시된다).
그러나, 종래의 구성을 가지는 네거티브 현상 처리 방법에는, 다음과 같은 문제가 있다.
즉, 순수에 비해 유기 용제는 고가이기 때문에, 네거티브 현상 처리 방법에서는 세정액의 사용량이 비용에 크게 영향을 준다는 문제가 있다.
단, 세정액의 사용량을 삭감하려고 하면, 현상 처리의 품질 저하가 염려된다. 제1로, 레지스트막의 성분 등이 현상액 중에 녹아 생성되는, 용해 생성물이 세정 후에 있어서도 기판 상에 남기 쉬워지므로, 현상 결함의 발생이 염려된다. 제2로, 현상액이 세정 후에 있어서도 기판 상에 남기 쉬워져, 현상 처리를 적확한 타이밍에 정지시키는 것이 곤란해지므로, 회로 패턴의 선폭을 적합하게 관리하는 것이 곤란해지는 것이 염려된다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 세정액의 사용량을 삭감하면서, 현상 처리의 품질 유지를 가능하게 하는 네거티브 현상 처리 방법 및 네거티브 현상 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위해, 다음과 같은 구성을 채용한다.
즉, 본 발명은 네거티브 현상 처리 방법으로서, 상기 방법은 이하의 요소를 포함한다：
기판의 표면에 형성된 레지스트막 상으로 유기 용제를 포함하는 현상액을 공급시키고, 공급된 현상액을 레지스트막 상에 축적하여 현상 처리를 행하는 현상 공정；
상기 현상 공정 후에, 제1 속도로 기판을 회전시켜, 기판의 표면을 건조시키는 표면 건조 공정；
상기 표면 건조 공정 후에, 기판의 이면에만 세정액을 공급하고, 상기 제1 속도에 비해 낮은 제2 속도로 기판을 회전시켜 기판의 이면을 세정하는 이면 세정 공정；
상기 이면 세정 공정 후에, 기판을 회전시켜 기판의 이면을 건조시키는 이면 건조 공정.
본 발명에 관련된 네거티브 현상 처리 방법에 의하면, 표면 건조 공정에서는, 비교적으로 고속인 제1 속도로 기판을 회전시킨다. 고속 회전에 의해 비교적으로 큰 원심력이 레지스트막 상의 현상액에 작용하므로, 세정액을 기판에 공급하지 않고 현상액을 기판의 표면 상으로부터 적절히 제거할 수 있다. 따라서, 현상 처리를 적절한 타이밍에 정지시킬 수 있다. 또, 현상액은 유기 용제를 함유하고 있으므로, 현상액 중에 용해된 용해 생성물을, 현상액과 함께 기판의 표면 상으로부터 원심력에 의해 제거할 수 있다. 또한, 기판의 표면을 건조시킨다. 건조 후의 기판의 표면 상에 용해 생성물이 잔류하는 것을 방지할 수 있으므로, 용해 생성물에 기인하는 현상 결함의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.
이면 세정 공정에서는, 비교적으로 저속인 제2 속도로 기판을 회전시키므로, 기판의 이면에 공급한 세정액이 주위로 비산하는 것을 억제하여, 기판의 이면에만 세정액을 적합하게 퍼지게 할 수 있다. 그 결과, 이면 세정 공정에 있어서, 건조 후의 기판의 표면을 청정하게 유지하면서 기판의 이면을 적합하게 세정할 수 있다.
이상대로, 기판의 이면에만 세정액을 사용함으로써 세정액의 사용량을 억제하는 것이 가능해진다. 그리고, 표면 건조 공정에 있어서 기판의 회전 속도를 비교적으로 높게 하거나, 또한, 이면 세정 공정에 있어서 기판의 회전 속도를 비교적으로 낮게 함으로써, 네거티브 현상 처리의 품질을 적합하게 유지하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명에 관련된 네거티브 현상 처리 방법에 의하면, 현상 처리를 행한 후, 기판에 세정액을 공급하지 않고 표면 건조 처리를 행한다. 이 표면 건조 처리에 있어서, 현상액 및 용해 생성물의 제거, 및 기판 표면의 건조를 한번에 행한다. 그 결과, 세정액의 소비량 삭감, 고정밀의 현상 처리 진행의 관리, 및 건조 후의 기판 상에 있어서의 용해 생성물의 잔류 방지를 한번에 행할 수 있다. 즉, 세정액의 사용량을 삭감하면서, 현상 처리의 품질을 유지하는 것이 가능해진다.
또, 본 발명은 네거티브 현상 처리 방법으로서, 상기 방법은 이하의 요소를 포함한다：
기판의 표면에 형성된 레지스트막 상으로 유기 용제를 포함하는 현상액을 공급시키고, 공급된 현상액을 레지스트막 상에 축적하여 현상 처리를 행하는 현상 공정；
상기 현상 공정 후에, 제1 속도로 기판을 회전시켜, 레지스트막 상의 현상액을 원심력으로 떨쳐내 제거하고, 현상 처리를 정지시킴과 함께 기판의 표면을 건조시키는 표면 건조 공정.
본 발명에 관련된 네거티브 현상 처리 방법에 의하면, 표면 건조 공정에서는, 비교적으로 고속인 제1 속도로 기판을 회전시킨다. 고속 회전에 의해 비교적으로 큰 원심력이 레지스트막 상의 현상액에 작용하므로, 세정액을 기판에 공급하지 않고 현상액을 기판의 표면 상으로부터 적절히 제거할 수 있다. 따라서, 현상 처리를 적절한 타이밍에 정지시킬 수 있다. 또, 현상액은 유기 용제를 함유하고 있으므로, 원심력에 의해 용해 생성물을 현상액과 함께 기판의 표면 상으로부터 제거할 수 있다. 또한, 기판의 표면을 건조시킨다. 즉, 용해 생성물이 기판의 표면 상에 잔류하는 것도 억제할 수 있다. 이상대로, 세정액의 사용량을 억제하면서, 현상 처리의 품질을 유지하는 것이 가능해진다.
상기 서술한 발명에 있어서, 상기 제1 속도는 1500rpm 이상 2500rpm 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 충분히 큰 원심력을 발생시켜 현상액을 기판의 표면 상으로부터 신속하게 제거할 수 있다. 따라서, 표면 건조 공정 개시 후에, 현상 처리의 진행을 신속하게 정지할 수 있다. 즉, 회로 패턴의 선폭의 치수를 높은 정밀도로 관리할 수 있다.
또, 상기 서술한 발명에 있어서, 상기 표면 건조 공정 후에, 기판의 이면에만 세정액을 공급하고, 상기 제1 속도에 비해 낮은 제2 속도로 기판을 회전시켜 기판의 이면을 세정하는 이면 세정 공정을 더 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우, 기판의 이면에만 세정액을 공급하므로, 세정액의 사용량을 큰폭으로 삭감할 수 있다. 또, 기판의 회전 속도가 낮기 때문에, 이면 세정 공정 개시 후에 세정액의 비말이나 파티클이 기판의 주위에 부유하는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 세정액의 비말 등이 기판의 표면에 부착되는 것을 회피하여, 현상 처리의 품질 저하를 방지하는 것이 가능해진다.
또, 상기 서술한 발명에 있어서, 상기 이면 세정 공정 후에, 상기 제2 속도에 비해 높은 제3 속도로 기판을 회전시켜, 기판의 이면을 건조시키는 이면 건조 공정을 더 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우, 신속하게 기판의 이면을 건조시킬 수 있으므로, 네거티브 현상 처리에 관련된 일련의 공정에 필요로 하는 시간을 단축하는 것이 가능해진다.
또, 본 발명은 네거티브 현상 처리 장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다：
기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부；
상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 회전시키는 기판 회전부；
상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 표면에 유기 용제를 포함하는 현상액을 공급하는 현상액 공급부；
기판의 이면에만 세정액을 공급하는 세정액 공급부；
상기 현상액 공급부로부터 현상액을 공급시키고 기판의 표면에 형성된 레지스트막 상에 현상액을 축적한 상태로 행하는 현상 처리, 기판을 제1 속도로 회전시켜 기판의 표면을 건조시키는 표면 건조 처리, 상기 세정액 공급부로부터 세정액을 공급시키고, 상기 제1 속도와 비교해 낮은 제2 속도로 기판을 회전시켜 기판의 이면을 세정하는 이면 세정 처리, 및 기판을 회전시켜 기판의 이면을 건조시키는 이면 건조 처리를 행하도록, 상기 기판 회전부, 상기 현상액 공급부 및 상기 세정액 공급부를 각각 제어하는 제어부.
본 발명에 관련된 네거티브 현상 처리 장치에 의하면, 표면 건조 처리에 있어서, 기판 회전부는 비교적으로 고속인 제1 속도로 기판을 회전시킨다. 고속 회전에 의해 비교적으로 큰 원심력이 레지스트막 상의 현상액에 작용하므로, 세정액을 기판의 표면에 공급하지 않고 현상액을 기판 상으로부터 적절히 제거할 수 있다. 따라서, 현상 처리를 적절한 타이밍에 정지시킬 수 있다. 또, 현상액은 유기 용제를 함유하고 있으므로, 용해 생성물을 현상액과 함께 기판의 표면 상으로부터 원심력에 의해 제거할 수 있다. 또한, 기판의 표면을 건조시킨다. 즉, 건조 후의 기판의 표면 상에 용해 생성물이 잔류하는 것을 방지할 수 있으므로, 용해 생성물에 기인하는 현상 결함의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.
이면 세정 처리에 있어서, 기판 회전부는 비교적으로 저속인 제2 속도로 기판을 회전시키므로, 기판의 이면에 공급한 세정액이 주위로 비산하는 것을 억제하여, 기판의 이면에만 세정액을 적합하게 확산시킬 수 있다. 그 결과, 이면 세정 처리에 있어서, 건조 후의 기판의 표면을 청정하게 유지하면서 기판의 이면을 적합하게 세정할 수 있다.
이상대로, 기판의 이면에만 세정액을 사용함으로써 세정액의 사용량을 억제할 수 있다. 또한, 표면 건조 처리에 있어서 기판의 회전 속도를 비교적으로 높게 하거나, 또한, 이면 세정 처리에 있어서 기판의 회전 속도를 비교적으로 낮게 함으로써, 네거티브 현상 처리의 품질을 적합하게 유지하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명에 관련된 네거티브 현상 처리 장치에 의하면, 현상 처리를 행한 후, 기판에 세정액을 공급하지 않고 표면 건조 처리를 행한다. 이 표면 건조 처리에 있어서, 현상액 및 용해 생성물의 제거, 및 기판 표면의 건조를 한번에 행한다. 그 결과, 세정액의 소비량 삭감, 고정밀의 현상 처리 진행의 관리, 및 건조 후의 기판 상에 있어서의 용해 생성물의 잔류 방지를 한번에 행할 수 있다. 즉, 세정액의 사용량을 삭감하면서, 현상 처리의 품질을 유지하는 것이 가능해진다.
또, 본 발명은 네거티브 현상 처리 장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다：
기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부；
상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 회전시키는 기판 회전부；
상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 표면에 유기 용제를 포함하는 현상액을 공급하는 현상액 공급부；
상기 현상액 공급부로부터 현상액을 공급시키고, 기판의 표면에 형성된 레지스트막 상에 현상액을 축적하여 현상 처리를 행한 후, 기판을 제1 속도로 회전시켜 레지스트막 상의 현상액을 원심력으로 떨쳐내 제거하고, 현상을 정지시킴과 함께 기판의 표면을 건조시키는 표면 건조 처리를 행하도록, 상기 기판 회전부 및 상기 현상액 공급부.
본 발명에 관련된 네거티브 현상 처리 장치에 의하면, 표면 건조 처리에 있어서, 기판 회전부는 비교적으로 고속인 제1 속도로 기판을 회전시킨다. 그 결과, 비교적으로 큰 원심력이 레지스트막 상의 현상액에 작용하므로, 세정액을 기판의 표면에 공급하지 않고 현상액을 기판의 표면 상으로부터 적절히 제거할 수 있다. 따라서, 현상 처리를 적절한 타이밍에 정지시킬 수 있다. 또, 현상액은 유기 용제를 함유하고 있으므로, 원심력에 의해 용해 생성물을 현상액과 함께 기판의 표면 상으로부터 제거할 수 있다. 또한, 기판의 표면을 건조시킨다. 즉, 용해 생성물이 기판의 표면 상에 잔류하는 것도 억제할 수 있다. 이상대로, 세정액의 사용량을 억제하면서, 현상 처리의 품질을 유지하는 것이 가능해진다.
또, 상기 서술한 발명에 있어서, 상기 제1 속도는 1500rpm 이상 2500rpm 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 충분히 큰 원심력을 발생시켜, 현상액을 기판의 표면 상으로부터 신속하게 제거할 수 있다. 따라서, 표면 건조 처리 개시 후에 현상 처리의 진행을 신속하게 정지할 수 있다. 즉, 회로 패턴의 선폭의 치수를 높은 정밀도로 관리할 수 있다.
또, 상기 서술한 발명에 있어서, 기판의 이면에만 세정액을 공급하는 세정액 공급부를 더 구비하고, 상기 제어부는, 표면 건조 처리 후, 상기 세정액 공급부로부터 세정액을 공급시키며, 또한, 상기 제1 속도에 비해 낮은 제2 속도로 기판을 회전시켜 기판의 이면을 세정하는 이면 세정 처리를 행하도록, 상기 기판 회전부 및 상기 세정액 공급부를 각각 제어하는 것이 바람직하다. 이 경우, 기판의 이면에만 세정액을 사용하므로, 세정액의 사용량을 큰폭으로 삭감시킬 수 있다. 또, 기판의 회전 속도가 낮기 때문에, 이면 세정 공정 개시 후에 세정액의 비말이나 파티클이 기판의 주위에 부유하는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 세정액의 비말 등이 기판의 표면에 부착되는 것을 회피하여, 현상 처리의 품질 저하를 방지하는 것이 가능해진다.
또, 상기 서술한 발명에 있어서, 상기 제어부는 이면 세정 처리 후, 상기 제2 속도에 비해 높은 제3 속도로 기판을 회전시켜 기판의 이면을 건조시키는 이면 건조 처리를 행하도록, 상기 기판 회전부를 제어하는 것이 바람직하다. 이 경우, 신속하게 기판의 이면을 건조시킬 수 있으므로, 네거티브 현상 처리에 관련된 일련의 처리에 필요로 하는 시간을 단축하는 것이 가능해진다.
본 발명은, 현상 처리의 품질 유지를 가능하게 하는 네거티브 현상 처리 방법 및 네거티브 현상 처리 장치를 제공할 수 있다.
발명을 설명하기 위해 현재 적합하다고 생각되는 몇가지의 형태가 도시되어 있지만, 발명이 도시된 대로의 구성 및 방책에 한정되는 것은 아님이 이해되어야 한다.
도 1은, 실시예에 관련된 네거티브 현상 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 종단면도.
도 2는, 실시예의 동작에 관련된 플로차트.
도 3은, 실시예에 있어서, 동작 시간과 기판의 회전 속도의 관계를 나타내는 그래프도.
도 4는, 비교예의 동작에 관련된 플로차트.
도 5는, 비교예에 있어서, 동작 시간과 기판의 회전 속도의 관계를 나타내는 그래프도.
도 6은, 기판의 회전 속도와 기판의 표면을 건조시키기 위해서 필요로 하는 시간의 관계를 나타내는 그래프도이다.
이하, 본 발명의 적합한 실시예를 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.
도 1은, 실시예에 관련된 네거티브 현상 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 종단면도이다.
실시예에 관련된 네거티브 현상 처리 장치는 승강 이동하는 스핀 척(1)을 구비하고 있다. 스핀 척(1)은 기판 W를 수평 자세로 지지한다. 스핀 척(1)의 하부에는 회전축(3)이 연결되어 있다. 회전축(3)의 하부에는 회전 모터(5)가 설치되어 있으며, 회전 모터(5)는 스핀 척(1) 및 회전축(3)을 연직축 둘레로 회전시킨다. 스핀 척(1)의 주위에는, 비산 방지 컵(7)이 설치되어 있다. 또한, 스핀 척(1)을 고정으로 하고, 비산 방지 컵(7)을 승강시키도록 구성해도 된다. 스핀 척(1)은 본 발명에 있어서의 기판 유지부에 상당하고, 회전 모터(5)는 본 발명에 있어서의 기판 회전부에 상당한다.
비산 방지 컵(7)의 저부에는 배액관(9)이 연통 접속되어 있다. 비산 방지 컵(7)의 근방에는 기판 W의 표면에 현상액을 공급하기 위한 현상액 공급 노즐(11)이 설치되어 있다. 현상액 공급 노즐(11)은, 예를 들면 선단에 토출구가 형성된 스트레이트 노즐이다. 또한 현상액 공급 노즐(11)은, 스핀 척(1)의 상방에 해당하는 공급 위치(도면 중의 실선)와, 비산 방지 컵(7)의 상방으로부터 벗어난 위치에 해당하는 대기 위치(도면 중의 2점 쇄선) 사이에 걸쳐 이동한다. 현상액 공급 노즐(11)이 공급 위치로 이동했을 때에, 현상액 공급 노즐(11)의 토출구는, 기판 W의 중심부 바로 위에 위치한다. 또한, 현상액 공급 노즐(11)의 대기 위치는 비산 방지 컵(7)의 상방으로부터 벗어난 위치에 한정되지 않고, 비산 방지 컵(7)의 상방 등 적당하게 변경해도 된다. 현상액 공급 노즐(11)은 본 발명에 있어서의 현상액 공급부에 상당한다.
비산 방지 컵(7)의 내측이며, 스핀 척(1)의 하부 주위에 해당하는 위치에는, 기판 W의 이면에 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급 노즐(13)이 설치되어 있다. 세정액 공급 노즐(13)은, 예를 들면 선단에 토출구가 형성된 스트레이트 노즐이다. 세정액 공급 노즐(13)은 본 발명에 있어서의 세정액 공급부에 상당한다.
현상액 공급 노즐(11)은 현상액 공급관(15)을 통해서 현상액 공급원(16)에 유로 접속되어 있으며, 현상액 공급관(15)에는 탈기 모듈(17), 필터(19), 및 개폐 제어 밸브(21)가 끼워져 있다. 현상액 공급원(16)에는 유기 용제를 포함하는 현상액이 저류되어 있으며, 불활성 가스에 의한 압송에 의해 현상액이 현상액 공급 노즐(11)을 향해 송액된다. 현상액에 포함되는 유기 용제란, 예를 들면 아세트산부틸이다. 탈기 모듈(17)은 송액되는 현상액을 탈기시킨다. 현상액 공급 노즐(11)을 통한 현상액의 공급 및 그 정지는 개폐 제어 밸브(21)의 개폐에 의해 전환된다.
세정액 공급 노즐(13)은 세정액 공급관(23)을 통해서 세정액 공급원(24)에 유로 접속되어 있으며, 세정액 공급관(23)에는 탈기 모듈(25), 필터(27), 및 개폐 제어 밸브(29)가 끼워져 있다. 세정액 공급원(24)에는 유기 용제를 포함하는 세정액이 저류되어 있으며, 불활성 가스에 의한 압송에 의해 세정액이 세정액 공급 노즐(13)을 향해 송액된다. 세정액에 포함되는 유기 용제란, 예를 들면 MIBC이다. 탈기 모듈(25)는 송액되는 세정액을 탈기시킨다. 세정액 공급 노즐(13)을 통한 세정액의 공급 및 그 정지는 개폐 제어 밸브(29)의 개폐에 의해 전환된다.
상기 서술한 스핀 척(1)의 승강과, 회전 모터(5)의 회전과, 현상액 공급 노즐(11)의 이동과, 현상액 공급원(16)에 있어서의 현상액의 송액과, 탈기 모듈(17, 25)의 구동과, 개폐 제어 밸브(21, 29)의 개폐와, 세정액 공급원(24)에 있어서의 세정액의 송액은 제어 장치(31)에 의해 통괄적으로 제어된다. 제어 장치(31)는, 본 발명에 있어서의 제어부에 상당한다.
상기 서술한 바와 같이 구성된 네거티브 현상 처리 장치의 동작에 대해서, 도 2 및 도 3을 이용하여 설명한다. 도 2는, 실시예의 동작에 관련된 플로차트이며, 도 3은, 실시예에 있어서, 동작 시간과 기판의 회전 속도의 관계를 나타내는 그래프도이다. 또한, 이하의 설명에서는, 레지스트막이 도포되어 노광된 기판 W가 이미 스핀 척(1)에 유지되어 있으며, 현상액 공급 노즐(11)은 공급 위치로 이동하고 있는 것으로 한다.
단계 S1(현상 공정)
도 3에 나타내는 시각 t0에 있어서, 제어 장치(31)는 회전 모터(5), 현상액 공급원(16), 탈기 모듈(17), 및 개폐 제어 밸브(21)를 제어하여, 수평 자세의 기판 W를 소정의 속도로 회전시킴과 함께, 현상액 공급 노즐(11)로부터 기판 W의 표면 중심부로 유기 용제를 포함하는 현상액의 공급을 개시시킨다. 소정의 속도는, 예를 들면 1500rpm이다. 제어 장치(31)는 시각 t0부터 시각 t1까지의 기간에 걸쳐 기판 W의 회전 및 현상액의 공급을 행하게 한다. 기판 W로 공급된 현상액은, 기판 W의 표면에 형성된 레지스트막을 덮도록 기판 W의 표면 전체에 퍼진다. 시각 t0부터 시각 t1까지의 기간은, 예를 들면 5초이다.
시각 t1에 있어서 제어 장치(31)는 기판 W 상에 대한 현상액의 공급 및 기판 W의 회전을 정지시키고, 현상액 토출 노즐(11)을 대기 위치로 이동시킨다. 이 때, 현상액은 레지스트막 상에 축적된 상태가 된다. 시각 t1부터 시각 t2까지의 기간에 걸쳐, 이 상태를 유지시키고 현상 처리를 진행시킨다. 시각 t1부터 시각 t2까지의 기간은, 예를 들면 15초이다. 레지스트막의 비노광 부분은, 현상 처리에 의해 현상액에 용해되어 용해 생성물이 된다. 그리고, 현상 처리는 시각 t2에 있어서 종료된다. 또한, 시각 t0부터 시각 t2까지의 기간이 본 발명에 있어서의 현상 공정에 상당한다.
단계 S2(표면 건조 공정)
표면 건조 공정은 현상 공정의 종료와 동시에 개시한다. 즉, 시각 t2에 있어서 제어 장치(31)는 기판 W를 제1 속도로 회전시키기 시작한다. 또한, 표면 건조 공정에서는 기판 W에 세정액을 공급하지 않는다. 제1 속도는, 예를 들면 2000rpm이다. 제1 속도는 비교적으로 높기 때문에, 비교적으로 큰 원심력이 발생한다. 그 때문에, 기판 W 상의 현상액은 원심력에 의해 기판 W의 밖으로 비산하여, 기판 W의 표면 상으로부터 신속하게 제거된다. 이 때, 용해 생성물도 현상액과 함께 기판 W의 표면 상으로부터 제거된다. 그리고, 현상액 및 용해 생성물이 제거된 후, 기판 W의 표면은 신속하게 건조된다.
제어 장치(31)는 시각 t2부터 시각 t3까지의 기간에 걸쳐 기판 W를 제1 속도로 계속 회전시켜, 표면 건조 처리를 행한다. 시각 t2부터 시각 t3까지의 기간은, 예를 들면 10초이다. 그리고, 표면 건조 처리는 시각 t3에 있어서 종료된다. 또한, 시각 t2부터 시각 t3까지의 기간이 본 발명에 있어서의 표면 건조 공정에 상당한다.
단계 S3(이면 세정 공정)
이면 세정 공정은 표면 건조 공정의 종료와 동시에 개시한다. 즉, 시각 t3에 있어서 제어 장치(31)는 기판 W의 회전 속도를 제1 속도에서 제2 속도로 전환한다. 제2 속도는 제1 속도에 비해 낮고, 예를 들면 500rpm이다. 기판 W의 회전 속도를 전환한 직후, 제어 장치(31)는 세정액 공급 노즐(13)로부터 기판 W의 이면으로 세정액을 공급시키기 시작한다. 제2 속도는 비교적으로 낮기 때문에, 기판 W의 이면에 공급된 세정액은 주위로 비산하지 않고 기판의 이면에만 적합하게 퍼진다. 그 때문에, 기판 W의 표면 상의 분위기는 청정하게 유지되면서, 기판 W의 이면에 부착되어 있던 진애 등의 불순물은 세정액에 의해 제거된다.
제어 장치(31)는 시각 t3부터 시각 t4까지의 기간에 걸쳐 세정액을 계속 공급시켜, 상기 서술한 이면 세정 처리를 행한다. 시각 t3부터 시각 t4까지의 기간은, 예를 들면 5초이다. 그리고, 제어 장치(31)는 시각 t4에 있어서 세정액의 공급을 정지시키고, 이면 세정 처리는 종료된다. 또한, 시각 t3부터 시각 t4까지의 기간이 본 발명에 있어서의 이면 세정 공정에 상당한다.
단계 S4(이면 건조 공정)
이면 건조 공정은, 이면 세정 공정의 종료와 동시에 개시한다. 즉, 제어 장치(31)는 기판 W의 회전 속도를 제2 속도에서 제3 속도로 전환하여 이면 건조 처리를 개시한다. 제3 속도는 제2 속도에 비해 높고, 예를 들면 2000rpm이다. 기판 W의 이면은 스핀 드라이의 효과에 의해 신속하게 건조된다. 제어 장치(31)는 시각 t4부터 시각 t5까지의 기간에 걸쳐 기판 W를 제3 속도로 회전시킨다. 시각 t4부터 시각 t5까지의 기간은, 예를 들면 10초이다. 그리고, 제어 장치(31)는 시각 t5에 있어서 기판 W의 회전을 정지시키고, 이면 건조 처리는 종료된다. 시각 t4부터 시각 t5까지의 기간이 본 발명에 있어서의 이면 건조 공정에 상당한다.
이와 같이, 본 실시예에 관련된 네거티브 현상 처리 장치에 의하면, 기판 W의 표면을 세정액으로 세정하는 처리가 생략되어 있으므로, 세정액의 사용량을 효과적으로 삭감할 수 있다. 또, 표면 건조 처리에 있어서 제1 속도로 기판 W를 회전시키므로, 기판 W 상의 현상액을 신속하게 제거하여 현상 처리의 진행을 신속하게 정지시킬 수 있다. 그 때문에, 표면 건조 처리를 개시하는 타이밍의 조절에 의해, 현상 시간을 정밀도 있게 관리할 수 있다. 즉, 회로 패턴의 선폭을 높은 정밀도로 제어하는 것이 가능해진다.
또한, 표면 건조 처리에 의해 현상액의 제거(현상의 정지), 용해 생성물의 제거(현상 결함의 억제) 및 기판 W의 표면의 건조가 한번에 행해진다. 그 때문에, 일련의 처리에 필요로 하는 시간을 단축하는 것이 가능해진다.
또, 이면 세정 처리에서는, 세정액을 이용하여 기판 W의 이면을 세정하므로, 기판 W의 이면을 적합하게 세정할 수 있다. 세정액은 기판 W의 이면에만 공급되므로, 세정액의 사용량을 효과적으로 삭감할 수 있다. 또, 세정액은 유기 용제를 포함하므로, 네거티브 현상 처리를 행한 후의 기판 W를 적합하게 세정할 수 있다.
또한, 이면 세정 처리에서는, 기판 W를 제2 속도로 회전시키므로, 세정액의 비말이나 미스트가 생성되기 어렵고, 만일 생성되어도 주위로 떠오르기 어렵다. 그 때문에, 기판 W의 표면 상의 분위기를 청정하게 유지할 수 있다. 따라서, 건조 후의 기판 W의 표면에 비말, 미스트, 및 진애 등이 재부착되는 것을 회피할 수 있으므로, 기판 W의 처리 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또, 이면 건조 처리에서는, 기판 W를 제3 속도로 회전시키므로, 기판 W의 이면을 신속하게 건조시킬 수 있다. 그 때문에, 네거티브 현상 처리에 관련된 일련의 처리에 필요로 하는 시간을 더 단축하는 것이 가능해진다.
여기서 네거티브 현상 처리 방법에 대해서, 본 실시예와 비교예를 비교한다. 도 4는 비교예에 관련된 현상 처리에 있어서의 플로차트이며, 도 5는 비교예에 있어서, 동작 시간과 기판의 회전 속도의 관계를 나타내는 그래프도이다.
비교예에 관련된 네거티브 현상 처리는, 도 4에 나타내는 대로, 현상 공정, 세정 공정, 및 건조 공정의 3개의 공정을 순서대로 실행한다. 세정 공정에서는 기판 W의 표면 및 이면을 각각 세정하고, 건조 공정에서는 기판 W의 표면 및 이면을 한번에 건조한다.
이와 같이, 비교예에서는 세정 공정에 있어서 기판 W의 표면 및 이면에 세정액을 공급하므로, 다량의 세정액을 필요로 한다. 이에 반해, 본 실시예에서는 기판 W의 이면에만 세정액을 공급하므로, 비교예와 비교해 세정액의 사용량이 크게 저감할 수 있다.
다음에, 표면 건조 처리에 있어서의 제1 속도에 대해서, 더 상세하게 설명한다. 도 6은 기판의 회전 속도와 기판의 표면을 건조시키기 위해서 필요로 하는 시간의 관계를 나타내는 그래프도이다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 회전 속도의 증가에 수반하여 건조 시간은 짧아진다. 특히, 회전 속도가 1500rpm 이하의 범위에서는 회전 속도가 증가함에 따라, 건조 시간은 급격하게 단축된다. 한편, 회전 속도가 1500pm 이상인 범위에서는, 회전 속도가 증가해도 건조 시간은 매우 완만하게 밖에 단축되지 않아, 건조 시간은 최소값에 가까워져 있다. 따라서, 회전 속도가 1500rpm 이상 2500rpm 이하이면, 건조 시간을 4초에서 5초 정도로까지 충분히 단축할 수 있다. 즉, 제1 속도는 1500rpm 이상 2500rpm 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 이 경우, 현상액의 제거도 매우 신속하게 완료된다고 생각할 수 있다. 따라서, 제1 속도를 상기 서술한 범위 내로 함으로써, 회로 패턴의 선폭을 보다 고정밀도로 관리할 수 있다.
본 발명은, 상기 실시 형태에 한정되지 않으며, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.
(1) 상기 서술한 실시예에서는, 현상액 공급 노즐(11) 및 세정액 공급 노즐(13)은 스트레이트 노즐이었지만, 이것에 한정되지 않는다. 즉, 하단면에 슬릿 형상 토출구를 가지는 슬릿 노즐을 사용해도 된다.
(2) 상기 서술한 실시예에서는, 단계 S1에 있어서, 기판을 회전시킴과 함께 현상액을 기판에 공급했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 시각 t0에 있어서 현상액을 공급하기 전에 기판을 회전시켜도 되고, 시각 t0에 있어서 현상액을 공급한 후에 기판을 회전시켜도 된다. 또, 시각 t0부터 시각 t1까지의 기간에 걸쳐 기판을 회전시키지 않아도 된다.
(3) 상기 서술한 실시예에서는, 단계 S1에 있어서, 현상액을 공급시킨 후, 시각 t1부터 시각 t2까지의 기간에 걸쳐 기판 W의 회전을 정지시키고 현상 처리를 행했지만, 이것에 한정되지 않는다. 현상액을 공급시킨 후, 시각 t1부터 시각 t2까지의 기간에 걸쳐 기판 W를 적절한 속도로 회전시켜도 된다.
(4) 상기 서술한 실시예에서는, 세정액 공급 노즐(13)로 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급원(24)을 개별적으로 설치하고 있었지만, 이것에 한정되지 않는다. 네거티브 현상에 이용되는 현상액은 유기 용제를 함유하고 있으므로, 기판 W의 이면 세정에 이용되는 세정액으로서 사용하는 것이 가능한 경우가 있다. 이 경우, 현상액을 세정액으로서도 겸용시키는 구성으로 해도 된다.
구체적인 구성으로서는, 세정액 공급관(23)을 현상액 공급원(16)에 유로 접속시켜, 개폐 제어 밸브(21, 29)의 개폐를 제어하고, 현상액 공급원(16)에 저류된 현상액의 송액처를 전환한다. 즉, 현상액 공급 공정에 있어서, 현상액 공급원(16)에 저류된 현상액을 현상액 공급 노즐(11)로 송액시키고, 송액된 현상액을 현상 처리에 이용한다. 그리고 이면 세정 공정에 있어서는, 현상액 공급원(16)에 저류된 현상액을 세정액 공급 노즐(13)로 송액시키고, 송액된 현상액을 이면 세정 처리에 이용한다. 상기 서술한 구성을 취함으로써, 세정액 공급원(24)을 개별적으로 설치할 필요가 없어지므로, 네거티브 현상 장치를 간략화시키는 것이 가능해진다.
본 발명은, 그 사상 또는 본질로부터 일탈하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시할 수 있으며, 따라서, 발명의 범위를 나타낸 것으로서, 이상의 설명이 아닌, 부가된 청구항을 참조해야만 한다.

Claims (12)

  1. 네거티브 현상 처리 방법으로서, 상기 방법은 이하의 요소를 포함한다：
    기판의 표면에 형성된 레지스트막 상으로 유기 용제를 포함하는 현상액을 공급시키고, 공급된 현상액을 레지스트막 상에 축적하여 현상 처리를 행하는 현상 공정；
    상기 현상 공정 후에, 제1 속도로 기판을 회전시켜, 기판의 표면을 건조시키는 표면 건조 공정；
    상기 표면 건조 공정 후에, 기판의 이면에만 세정액을 공급하고, 상기 제1 속도에 비해 낮은 제2 속도로 기판을 회전시켜 기판의 이면을 세정하는 이면 세정 공정；
    상기 이면 세정 공정 후에, 기판을 회전시켜 기판의 이면을 건조시키는 이면 건조 공정.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 속도는 1500rpm 이상 2500rpm 이하인, 네거티브 현상 처리 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 이면 건조 공정에 있어서, 상기 제2 속도에 비해 높은 제3 속도로 기판을 회전시켜, 기판의 이면을 건조시키는, 네거티브 현상 처리 방법.
  4. 네거티브 현상 처리 방법으로서, 상기 방법은 이하의 요소를 포함한다：
    기판의 표면에 형성된 레지스트막 상으로 유기 용제를 포함하는 현상액을 공급시키고, 공급된 현상액을 레지스트막 상에 축적하여 현상 처리를 행하는 현상 공정；
    상기 현상 공정 후에, 제1 속도로 기판을 회전시켜, 레지스트막 상의 현상액을 원심력으로 떨쳐내 제거하고, 현상 처리를 정지시킴과 함께 기판의 표면을 건조시키는 표면 건조 공정.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 속도는 1500rpm 이상 2500rpm 이하인, 네거티브 현상 처리 방법.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 표면 건조 공정 후에, 기판의 이면에만 세정액을 공급하고, 상기 제1 속도에 비해 낮은 제2 속도로 기판을 회전시켜 기판의 이면을 세정하는 이면 세정 공정을 더 구비하는, 네거티브 현상 처리 방법.
  7. 네거티브 현상 처리 장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다：
    기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부；
    상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 회전시키는 기판 회전부；
    상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 표면에 유기 용제를 포함하는 현상액을 공급하는 현상액 공급부；
    기판의 이면에만 세정액을 공급하는 세정액 공급부；
    상기 현상액 공급부로부터 현상액을 공급시키고 기판의 표면에 형성된 레지스트막 상에 현상액을 축적한 상태로 행하는 현상 처리, 기판을 제1 속도로 회전시켜 기판의 표면을 건조시키는 표면 건조 처리, 상기 세정액 공급부로부터 세정액을 공급시키고, 상기 제1 속도와 비교해 낮은 제2 속도로 기판을 회전시켜 기판의 이면을 세정하는 이면 세정 처리, 및 기판을 회전시켜 기판의 이면을 건조시키는 이면 건조 처리를 행하도록, 상기 기판 회전부, 상기 현상액 공급부 및 상기 세정액 공급부를 각각 제어하는 제어부.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 제1 속도는 1500rpm 이상 2500rpm 이하인, 네거티브 현상 처리 장치.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 제어부는 이면 건조 처리에 있어서, 상기 제2 속도에 비해 높은 제3 속도로 기판을 회전시켜 기판의 이면을 건조시키도록, 상기 기판 회전부를 제어하는, 네거티브 현상 처리 장치.
  10. 네거티브 현상 처리 장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다：
    기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부；
    상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 회전시키는 기판 회전부；
    상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 표면에 유기 용제를 포함하는 현상액을 공급하는 현상액 공급부；
    상기 현상액 공급부로부터 현상액을 공급시키고, 기판의 표면에 형성된 레지스트막 상에 현상액을 축적하여 현상 처리를 행한 후, 기판을 제1 속도로 회전시켜 레지스트막 상의 현상액을 원심력으로 떨쳐내 제거하고, 현상을 정지시킴과 함께 기판의 표면을 건조시키는 표면 건조 처리를 행하도록, 상기 기판 회전부 및 상기 현상액 공급부.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 제1 속도는 1500rpm 이상 2500rpm 이하인, 네거티브 현상 처리 장치.
  12. 청구항 10에 있어서,
    기판의 이면에만 세정액을 공급하는 세정액 공급부를 더 구비하고, 상기 제어부는, 표면 건조 처리 후, 상기 세정액 공급부로부터 세정액을 공급시키며, 또한, 상기 제1 속도에 비해 낮은 제2 속도로 기판을 회전시켜 기판의 이면을 세정하는 이면 세정 처리를 행하도록, 상기 기판 회전부 및 상기 세정액 공급부를 각각 제어하는, 네거티브 현상 처리 장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6482919B2 (ja) 2015-03-23 2019-03-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス ネガティブ現像処理方法およびネガティブ現像処理装置
WO2017187951A1 (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置及び記憶媒体

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020170574A1 (en) * 2001-05-21 2002-11-21 Speedfam-Ipec Corporation Differential Cleaning for semiconductor wafers with copper circuitry
KR20080031617A (ko) * 2006-10-04 2008-04-10 가부시키가이샤 소쿠도 기판의 현상처리방법 및 기판의 현상처리장치
JP2011065105A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Fujifilm Corp レジストパターン形成方法及びそれに用いられる現像液
JP2011199012A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置の製造方法
KR20120098541A (ko) * 2011-02-28 2012-09-05 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. 포토레지스트 조성물 및 포토리소그래피 패턴 형성 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940006332B1 (ko) * 1989-09-20 1994-07-16 후지쓰 가부시끼가이샤 반도체장치의 제조방법
JP5656413B2 (ja) * 2009-01-30 2015-01-21 富士フイルム株式会社 ネガ型レジストパターン形成方法、それに用いられる現像液及びネガ型化学増幅型レジスト組成物、並びにレジストパターン
JP5557550B2 (ja) * 2009-02-20 2014-07-23 富士フイルム株式会社 電子線又はｅｕｖ光を用いた有機溶剤系現像又は多重現像パターン形成方法
JP2010287686A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及び基板の裏面洗浄方法。
JP5408059B2 (ja) * 2010-07-09 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5397399B2 (ja) * 2010-07-09 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP5050086B2 (ja) 2010-09-03 2012-10-17 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP2012181523A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 現像剤組成物、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法
JP5785121B2 (ja) * 2011-04-28 2015-09-24 信越化学工業株式会社 パターン形成方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020170574A1 (en) * 2001-05-21 2002-11-21 Speedfam-Ipec Corporation Differential Cleaning for semiconductor wafers with copper circuitry
KR20080031617A (ko) * 2006-10-04 2008-04-10 가부시키가이샤 소쿠도 기판의 현상처리방법 및 기판의 현상처리장치
JP2011065105A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Fujifilm Corp レジストパターン形成方法及びそれに用いられる現像液
JP2011199012A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置の製造方法
KR20120098541A (ko) * 2011-02-28 2012-09-05 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. 포토레지스트 조성물 및 포토리소그래피 패턴 형성 방법

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