JP2014135440A - ネガティブ現像処理方法およびネガティブ現像処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】現像工程の終了後、基板の表面に洗浄液を供給することなく、基板を高速で回転させ、レジスト膜上の現像液に大きな遠心力を作用させて基板の表面上から現像液を速やかに除去する。その結果、想定通りのタイミングで現像処理を停止させて寸法通りの回路パターンを形成することが可能となる。このときに、溶解生成物も現像液とともに基板上から除去されるので、溶解生成物に起因する現像欠陥の発生も防止できる。従って、洗浄液の使用量を削減しつつ、ネガティブ現像処理の品質を好適に維持することが可能となる。
【選択図】図3
Description
すなわち、純水に比べて有機溶剤は高価であるので、ネガティブ現像処理方法では洗浄液の使用量がコストに大きく影響する。
すなわち、本発明は、基板の表面に形成されたレジスト膜上へ有機溶剤を含む現像液を供給させ、供給された現像液をレジスト膜上に盛って現像処理を行う現像工程と、前記現像工程の後に、第1の速度で基板を回転させて、基板の表面を乾燥させる表面乾燥工程と、前記表面乾燥工程の後に、基板の裏面のみに洗浄液を供給し、前記第1の速度に比べて低い第2の速度で基板を回転させて基板の裏面を洗浄する裏面洗浄工程と、前記裏面洗浄工程の後に、基板を回転させて基板の裏面を乾燥させる裏面乾燥工程とを備えるネガティブ現像処理方法である。
図1は、実施例に係るネガティブ現像処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
図3に示す時刻t0において、制御装置31は回転モータ5、現像液供給源16、脱気モジュール17、および開閉制御弁21を制御して、基板Wを所定の速度で回転させるとともに、現像液供給ノズル11から基板Wの表面中心部へ有機溶剤を含む現像液の供給を開始させる。所定の速度は、例えば1500rpmである。制御装置31は時刻t0から時刻t1までの期間にわたって基板Wの回転および現像液の供給を行わせる。基板Wへ供給された現像液は、基板Wの表面に形成されたレジスト膜を覆うように基板Wの表面全体に拡がる。時刻t0から時刻t1までの期間は、例えば5秒である。
表面乾燥工程は現像工程の終了と同時に開始する。すなわち、時刻t2において制御装置31は基板Wを第1の速度で回転させ始める。なお、表面乾燥工程では基板Wに洗浄液を供給しない。第1の速度は、例えば2000rpmである。第1の速度は比較的に高いので、比較的に大きな遠心力が発生する。そのため、基板W上の現像液は遠心力によって基板Wの外へ飛散し、基板Wの表面上から速やかに除去される。このとき、溶解生成物も現像液とともに基板W上から除去される。そして、現像液および溶解生成物が除去された後、基板Wの表面は速やかに乾燥される。
裏面洗浄工程は表面乾燥工程の終了と同時に開始する。すなわち、時刻t3において制御装置31は基板Wの回転速度を第1の速度から第2の速度に切り換える。第2の速度は第1の速度に比べて低く、例えば500rpmである。基板Wの回転速度を切り換えた直後、制御装置31は洗浄液供給ノズル13から基板Wの裏面へ洗浄液を供給させ始める。第2の速度は比較的に低いので、基板Wの裏面に供給された洗浄液は周囲に飛散することなく基板の裏面のみに好適に拡がる。そのため、基板Wの表面上の雰囲気は清浄に保たれつつ、基板Wの裏面に付着していた塵などの不純物は洗浄液によって除去される。
裏面乾燥工程は、裏面洗浄工程の終了と同時に開始する。すなわち、制御装置31は基板Wの回転速度を第2の速度から第3の速度に切り換えて裏面乾燥処理を開始する。第3の速度は第2の速度に比べて高く、例えば2000rpmである。基板Wの裏面はスピンドライの効果によって速やかに乾燥される。制御装置31は時刻t4から時刻t5までの期間にわたって基板Wを第3の速度で回転させる。時刻t4から時刻t5までの期間は、例えば10秒である。そして、制御装置31は時刻t5において基板Wの回転を停止させ、裏面乾燥処理は終了する。時刻t4から時刻t5までの期間が本発明における裏面乾燥工程に相当する。
3 …回転軸
5 …回転モータ(基板回転部)
7 …飛散防止カップ
9 …排液管
11 …現像液供給ノズル(現像液供給部)
13 …洗浄液供給ノズル(洗浄液供給部)
15、23…供給管
17、25…脱気モジュール
19、27…フィルタ
21、29…開閉制御弁
31 …制御装置(制御部)
W …基板
Claims (10)
- 基板の表面に形成されたレジスト膜上へ有機溶剤を含む現像液を供給させ、供給された現像液をレジスト膜上に盛って現像処理を行う現像工程と、
前記現像工程の後に、第1の速度で基板を回転させて、基板の表面を乾燥させる表面乾燥工程と、
前記表面乾燥工程の後に、基板の裏面のみに洗浄液を供給し、前記第1の速度に比べて低い第2の速度で基板を回転させて基板の裏面を洗浄する裏面洗浄工程と、
前記裏面洗浄工程の後に、基板を回転させて基板の裏面を乾燥させる裏面乾燥工程とを備えるネガティブ現像処理方法。 - 基板の表面に形成されたレジスト膜上へ有機溶剤を含む現像液を供給させ、供給された現像液をレジスト膜上に盛って現像処理を行う現像工程と、
前記現像工程の後に、第1の速度で基板を回転させて、レジスト膜上の現像液を遠心力で振り切って除去し、現像処理を停止させるとともに基板の表面を乾燥させる表面乾燥工程とを備えるネガティブ現像処理方法。 - 請求項2に記載のネガティブ現像処理方法において、
前記第1の速度は1500rpm以上2500rpm以下であるネガティブ現像処理方法。 - 請求項2または3に記載のネガティブ現像処理方法において、
前記表面乾燥工程の後に、基板の裏面のみに洗浄液を供給し、前記第1の速度に比べて低い第2の速度で基板を回転させて基板の裏面を洗浄する裏面洗浄工程をさらに備えるネガティブ現像処理方法。 - 請求項1または4に記載のネガティブ現像処理方法において、
前記裏面洗浄工程の後に、前記第2の速度に比べて高い第3の速度で基板を回転させて、基板の裏面を乾燥させる裏面乾燥工程をさらに備えるネガティブ現像処理方法。 - 基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部によって保持された基板を回転させる基板回転部と、
前記基板保持部によって保持された基板の表面に有機溶剤を含む現像液を供給する現像液供給部と、
基板の裏面のみに洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
前記現像液供給部から現像液を供給させて基板の表面に形成されたレジスト膜上に現像液を盛った状態で行う現像処理、基板を第1の速度で回転させて基板の表面を乾燥させる表面乾燥処理、前記洗浄液供給部から洗浄液を供給させ、前記第1の速度と比べて低い第2の速度で基板を回転させて基板の裏面を洗浄する裏面洗浄処理、および基板を回転させて基板の裏面を乾燥させる裏面乾燥処理を行うように、前記基板回転部、前記現像液供給部および前記洗浄液供給部をそれぞれ制御する制御部とを備えるネガティブ現像処理装置。 - 基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部によって保持された基板を回転させる基板回転部と、
前記基板保持部によって保持された基板の表面に有機溶剤を含む現像液を供給する現像液供給部と、
前記現像液供給部から現像液を供給させ、基板の表面に形成されたレジスト膜上に現像液を盛って現像処理を行った後、基板を第1の速度で回転させてレジスト膜上の現像液を遠心力で振り切って除去し、現像を停止させるとともに基板の表面を乾燥させる表面乾燥処理を行うように、前記基板回転部および前記現像液供給部をそれぞれ制御する制御部とを備えるネガティブ現像処理装置。 - 請求項7に記載のネガティブ現像処理装置において、
前記第1の速度は1500rpm以上2500rpm以下であるネガティブ現像処理装置。 - 請求項7または8に記載のネガティブ現像処理装置において、
基板の裏面のみに洗浄液を供給する洗浄液供給部をさらに備え、前記制御部は、表面乾燥処理の後、前記洗浄液供給部から洗浄液を供給させ、かつ、前記第1の速度に比べて低い第2の速度で基板を回転させて基板の裏面を洗浄する裏面洗浄処理を行うように、前記基板回転部および前記洗浄液供給部をそれぞれ制御するネガティブ現像処理装置。 - 請求項6または9に記載のネガティブ現像処理装置において、
前記制御部は裏面洗浄処理の後、前記第2の速度に比べて高い第3の速度で基板を回転させて基板の裏面を乾燥させる裏面乾燥処理を行うように、前記基板回転部を制御するネガティブ現像処理装置。
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