KR20140079273A - 백색 유기 발광 소자 - Google Patents

백색 유기 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20140079273A
KR20140079273A KR1020130114553A KR20130114553A KR20140079273A KR 20140079273 A KR20140079273 A KR 20140079273A KR 1020130114553 A KR1020130114553 A KR 1020130114553A KR 20130114553 A KR20130114553 A KR 20130114553A KR 20140079273 A KR20140079273 A KR 20140079273A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting layer
layer
stack
host
Prior art date
Application number
KR1020130114553A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102130648B1 (ko
Inventor
유태선
김화경
최홍석
송재일
한미영
김신한
오혜민
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to DE102013022617.1A priority Critical patent/DE102013022617B3/de
Priority to DE102013112602.2A priority patent/DE102013112602B4/de
Priority to GB1322017.3A priority patent/GB2510690B/en
Priority to US14/109,634 priority patent/US9224967B2/en
Priority to CN201310700545.9A priority patent/CN103872253B/zh
Publication of KR20140079273A publication Critical patent/KR20140079273A/ko
Priority to US14/949,184 priority patent/US10026915B2/en
Priority to US16/012,267 priority patent/US10418577B2/en
Priority to US16/534,816 priority patent/US10741781B2/en
Priority to KR1020200079965A priority patent/KR102277563B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102130648B1 publication Critical patent/KR102130648B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/27—Combination of fluorescent and phosphorescent emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90—Multiple hosts in the emissive layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 백색 유기 발광 소자를 개시한다. 개시된 본 발명의 백색 유기 발광 소자는, 기판 상에 서로 대향된 제 1 전극과 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 정공 주입층, 제 1 정공 수송층, 제 1 발광층 및 제 1 전자 수송층이 순차적으로 적층된 제 1 스택; 상기 제 1 스택과 제 2 전극 사이에 제 2 정공 수송층, 제 2 발광층, 제 3 발광층, 제 2 전자 수송층 및 전자 주입층이 순차적으로 적층된 제 2 스택; 상기 제 1 스택과 제 2 스택 사이에 형성되어 각 스택들 간의 전하 균형을 조절하는 전하 생성층을 포함하고, 상기 제 1 스택의 제 1 발광층은 발광피크는 1-Peak를 가지는 형광 청색 발광층으로 형성되고, 상기 제 2 스택의 제 2 발광층 및 제 3 발광층은 발광피크는 2-Peak를 가지고, 서로 접촉하여 형성되고, 상기 제 2 발광층 및 제 3 발광층 중 어느 하나는 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층으로 형성되고, 다른 하나는 인광 적색 발광층으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자는, 제 1 스택과 제 2 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자의 발광층이 3-Peak의 발광피크를 가지도록 형성되고, 정공 수송층과 인접한 제 2 스택의 발광층에서 정공 수송층의 재료를 호스트로 사용함으로써, 정공의 주입을 용이하게 하며, 제 2 스택의 발광층의 두께와 도핑 농도를 최적화시킴으로써, 소비전력을 개선하고, 패널 효율 및 색재현율을 향상시킬 수 있습니다.

Description

백색 유기 발광 소자{White organic light emitting device}
본 발명은 유기 발광 소자에 관한 것으로 특히, 효율 및 색 재현율의 특성을 향상시키거나 소비전력을 증가시킬 수 있는 백색 유기 발광 소자를 제공하는 것이다.
최근, 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 평판 표시장치(Flat Display Device)가 개발되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 빠르게 대체하고 있다.
이 같은 평판 표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Device: OLED) 등을 들 수 있다.
이 중, 별도의 광원을 요구하지 않으며 장치의 컴팩트화 및 선명한 컬러 표시를 위해 유기 발광 표시 장치가 경쟁력 있는 어플리케이션으로 고려되고 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층의 형성이 필수적인데, 종래 유기 발광층의 형성을 위해 새도우 마스크(shadow mask)를 이용한 증착 방법이 이용되었다.
그러나, 새도우 마스크는 대면적의 경우, 그 하중 때문에, 쳐짐 현상이 발생되어 여러번 사용하기 힘들고, 유기 발광층 패턴 형성에 불량이 발생하여 대안적 방법이 요구되었다.
이러한 새도우 마스크를 대체하여 여러 방법이 제시되었던 그 중 하나로서 백색 유기 발광 표시 장치가 있다.
이하, 백색 유기 발광 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
백색 유기 발광 표시 장치는 발광 다이오드 형성시 양극과 음극 사이의 각 층을 마스크 없이 증착시키는 것으로 유기 발광층을 포함한 성분이 다른 유기막들을 진공 상태에서 차례로 증착하는 것을 특징으로 한다. 이러한, 백색 유기 발광 표시 장치는 박형 광원, 액정표시장치의 백라이트 또는 컬러 필터를 채용한 풀컬러 표시장치에 쓰이는 등 여러 용도로 이용되고 있는 소자이다.
요즘, 백색 유기 발광 표시 장치는 청색(Blue) 형광 소자를 발광층으로 이용하는 제1 스택과, 노랑색(Yellow-Green) 인광 소자를 발광층으로 이용하는 제2 스택 구조가 적층된 형태의 인형광 스택 구조가 이용되고 있다. 이러한, 백색 유기 발광 소자는 청색 형광 소자로부터 발광되는 청색광과 노랑색 인광 소자로부터 발광되는 노랑색 광의 혼합 효과에 의해 백색광이 구현된다.
이러한, 인형광 스택 구조의 백색 유기 발광 표시 장치는 백색 발광 시 발광 효율 및 색재현율을 향상시키고, 소비전력을 개선 시킬 필요가 있다.
본 발명은 제 1 스택과 제 2 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자 또는 제 1 스택 내지 제 3 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자의 발광층이 3-Peak의 발광피크를 가지도록 형성되는 백색 유기 발광 소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 정공 수송층과 인접한 제 2 스택의 발광층에서 정공 수송층의 재료를 호스트로 사용함으로써, 정공의 주입을 용이하게 하는 백색 유기 발광 소자를 제공하는데 다른 목적이 있다.
본 발명의 제 2 스택의 발광층의 두께와 도핑 농도를 최적화 시킴으로써, 소비전력을 개선하고, 패널 효율 및 색재현율을 향상시키는 백색 유기 발광 소자를 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
본 발명은 제 1 스택 내지 제 3 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자의 제 2 스택의 발광층을 이중 발광층 구조로 형성함으로써, 적색 휘도 달성률을 증가시키고, 색재현율을 증가시키는 백색 유기 발광 소자를 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
상기와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 백색 유기 발광 소자는, 기판 상에 서로 대향된 제 1 전극과 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 정공 주입층, 제 1 정공 수송층, 제 1 발광층 및 제 1 전자 수송층이 순차적으로 적층된 제 1 스택; 상기 제 1 스택과 제 2 전극 사이에 제 2 정공 수송층, 제 2 발광층, 제 3 발광층, 제 2 전자 수송층 및 전자 주입층이 순차적으로 적층된 제 2 스택; 상기 제 1 스택과 제 2 스택 사이에 형성되어 각 스택들 간의 전하 균형을 조절하는 전하 생성층을 포함하고, 상기 제 1 스택의 제 1 발광층은 발광피크는 1-Peak를 가지는 형광 청색 발광층으로 형성되고, 상기 제 2 스택의 제 2 발광층 및 제 3 발광층은 발광피크는 2-Peak를 가지고, 서로 접촉하여 형성되고, 상기 제 2 발광층 및 제 3 발광층 중 어느 하나는 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층으로 형성되고, 다른 하나는 인광 적색 발광층으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자는, 제 1 스택과 제 2 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자 또는 제 1 스택 내지 제 3 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자의 발광층이 3-Peak의 발광피크를 가지도록 형성되는 제 1 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자는, 정공 수송층과 인접한 제 2 스택의 발광층에서 정공 수송층의 재료를 호스트로 사용함으로써, 정공의 주입을 용이하게 하는 제 2 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자는, 제 2 스택의 발광층의 두께와 도핑 농도를 최적화 시킴으로써, 소비전력을 개선하고, 패널 효율 및 색재현율을 향상시키는 제 3 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자는, 제 1 스택 내지 제 3 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자의 제 2 스택의 발광층을 이중 발광층 구조로 형성함으로써, 적색 휘도 달성률을 증가시키고, 색재현율을 증가시키는 제 4 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 백색 유기 발광 소자를 도시한 도면이다.
도 2는 종래 백색 유기 발광 소자와 본 발명의 백색 유기 발광 소자를 비교한 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 3은 종래 백색 유기 발광 소자와 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 발광파장 및 세기를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 2 스택의 녹색 발광층의 호스트의 비율에 따른 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제 2 스택의 적색 발광층의 호스트 비율에 따른 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제 2 스택의 녹색 발광층의 도핑 비율에 따른 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 백색 유기 발광 소자를 도시한 도면이다.
도 8은 종래 백색 유기 발광 소자와 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 발광 파장 및 세기를 도시한 도면이다.
도 9는 종래 백색 유기 발광 소자와 본 발명의 백색 유기 발광 소자를 비교한 실험 결과를 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 백색 유기 발광 소자를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 백색 유기 발광 소자는 기판(100) 상에 서로 대향된 제 1 전극(110)과 제 2 전극(130)이 형성된다. 상기 제 1 전극(110)과 제 2 전극(130) 사이에서, 상기 제 1 전극(110) 상에 제 1 스택(200), 전하 생성층(Charge Generation Layer;120) 및 제 2 스택(300)이 순차적으로 적층되어 형성된다. 상기 제 1 스택(200)과 상기 제 2 스택(300)은 각각 서로 다른 색의 발광층을 포함하고, 각 스택의 발광층으로부터 출사되는 서로 다른 색의 광이 혼합되어 백색 광을 구현한다.
상기 기판(100)은 절연 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터를 포함할 수 있으며, 상기 절연 기판은 절연 유리, 금속, 플라스틱 또는 폴리이미드(PI) 등으로 형성되고, 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극으로 이루어진다.
상기 제 1 전극(110)은 양극으로 투명 도전 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들면, ITO(Indum Tin Oxide), IZO(Indum Zinc Oxide) 및 ZnO로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제 2 전극(130)은 음극으로 금속 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들면, 일함수가 낮은 Mg, Ca, Al, Al-합금, Ag, Ag-합금, Au 및 Au-합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 전하 생성층(120)은 제 1 스택(200)과 제 2 스택(300) 사이에 형성되어, 제 1 스택(200)에는 전자를 공급하고, 제 2 스택(300)에는 정공을 공급하고, 각 스택들 간의 전하 균형을 조절한다. 상기 전하 생성층(120)은 알루미늄(Al) 등의 얇은 금속층으로 형성되거나 ITO(Indum Tin Oxide) 등의 투명 전극 등으로 단층으로 형성하여 소자 구성이 간단하고 제조를 용이하게 형성될 수 있다. 또한, 불순물 도핑에 의한 유기물층의 접합 구조인 복수층으로 형성될 수 있다.
복수층으로 형성되는 경우, 각각 전자 수송 및 정공 수송에 적합하도록 형성하여 효율 향상 및 수명 장기화에 유리하다. 이때, 상기 전하 생성층(120)의 상기 제 1 스택(200)과 접하는 영역은 전자 공급을 원활히 하기 위해 N 형 도핑될 수 있다. 또한, 상기 제 2 스택(300)과 접하는 영역은 정공 공급을 원활히 하기 위해 P형 도핑되어 형성될 수 있다.
상기 제 1 스택(200)은 제 1 전극(110)과 전하 생성층(120) 사이에 정공 주입층(Hole Injection Layer;HIL)(202), 제 1 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL)(203), 제 1 발광층(204) 및 제1 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL)(205)이 차례로 적층되어 형성된다.
상기 정공 주입층(HIL)은 정공 주입 능력이 뛰어난 물질을 사용하고, 정공 주입을 원활하게 하기 위해 P형 도핑을 할 수 있다.
상기 제 1 발광층(204)은 형광 청색 발광층으로 발광 피크가 1-Peak인 단일 발광층으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 1 발광층(204)은 하나의 호스트(host)에 형광 청색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성되거나, 두 개의 호스트(host)에 형광 청색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성될 수 있다. 상기 제 1 발광층(204)의 형광 청색 도펀트(dopant)는 발광 피크의 파장대가 420nm~490nm 범위를 가지는 도펀트(dopant)로 형성된다.
상기 제 2 스택(300)은 전하 생성층(120)과 제 2 전극(130) 사이에 제 2 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL)(302), 제 2 발광층(303), 제 3 발광층(304), 제2 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL)(305) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL)(306)이 차례로 적층되어 형성된다.
상기 전자 주입층(EIL)은 전자 주입 능력이 뛰어난 물질을 사용하고, 전자 주입을 원활하게 하기 위해 N형 도핑을 할 수 있다.
상기 제 2 스택(300)은 제 2 발광층(303)과 제 3 발광층(304)이 사이에 전하 생성층 또는 버퍼층 등의 구성없이 서로 접촉하여 형성된다. 또한, 상기 제 2 발광층(303)과 제 3 발광층(304)은 적층되어 하나의 제 2 스택 발광층(301)을 이룬다.
상기 제 2 스택 발광층(301)은 인광 적색 발광층과 인광 녹색 발광층이 적층되어 형성되어, 발광 피크가 2-Peak인 이중 발광층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 스택 발광층(301)은 인광 적색 발광층과 인광 황녹색 발광층이 적층되어 형성될 수 있다.
즉, 상기 제 2 발광층(303)은 인광 적색 발광층인 경우, 상기 제 3 발광층(304)는 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층으로 형성된다. 또는, 상기 제 2 발광층(303)이 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층인 경우, 상기 제 3 발광층(304)는 인광 적색 발광층으로 형성된다. 바람직하게는 상기 제 2 발광층(303)은 인광 적색 발광층으로 형성되고, 상기 제 3 발광층(304)은 인광 녹색 발광층으로 형성될 수 있다.
상기 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층은 발광 피크의 파장대가 500nm~580nm 범위를 가지는 인광 녹색 도펀트(dopant) 또는 인광 황녹색 도펀트로 형성되고, 상기 인광 적색 발광층은 발광 피크의 파장대가 580nm~680nm 범위를 가지는 인광 적색 도펀트(dopant)로 형성된다. 또한, 상기 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층의 도펀트 도핑 비율은 인광 적색 발광층의 도펀트 도핑 비율보다 높게 형성될 수 있다.
또한, 상기 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층은 상기 인광 적색 발광층보다 두께가 두껍게 형성될 수 있다. 바람직하게는 상기 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층의 두께가 상기 인광 적색 발광층의 두께의 3배가 되도록 형성할 수 있다.
상기 제 2 발광층(303)은 상기 제 2 정공 수송층(302) 상에 접촉하여 적층되어 형성되며, 두 개의 호스트(host)에 인광 적색 도펀트(dopant), 인광 녹색 도펀트(dopant) 또는 인광 황녹색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성될 수 있다. 상기 두 개의 호스트(host)는 정공 호스트(hole type host)와 전자 호스트(electron type host)로 구성될 수 있다. 이때, 상기 정공 호스트는 전체 호스트의 20 부피% 내지 80 부피%로 형성될 수 있고, 상기 전자 호스트는 전체 호스트의 80 부피% 내지 20 부피%로 형성될 수 있다.
또한, 상기 정공 호스트는 상기 제 2 정공 수송층(302)과 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 호스트가 정공 호스트를 포함하고, 상기 정공 호스트가 상기 제 2 정공 수송층(302)과 동일 물질로 형성되면, 발광층으로 정공의 주입을 보다 용이하게 할 수 있다.
상기 제 3 발광층(304)은 상기 제 2 발광층(303) 상에 형성되고, 두 개의 호스트(host)에 인광 녹색 도펀트(dopant), 인광 황녹색 도펀트(dopant) 또는 인광 적색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성될 수 있다. 이때, 상기 두 개의 호스트(host)는 정공 호스트(hole type host)와 전자 호스트(electron type host)로 구성될 수 있다. 이때, 상기 정공 호스트는 전체 호스트의 20 부피% 내지 80 부피%로 형성될 수 있고, 상기 전자 호스트는 전체 호스트의 80 부피% 내지 20 부피%로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 3 발광층(304)는 하나의 호스트(host)에 인광 녹색 도펀트(dopant), 인광 황녹색 도펀트(dopant) 또는 인광 적색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성될 수 있다. 이때, 상기 하나의 호스트(host)는 양극성(bipolar) 호스트로 형성된다.
상기 제 1 스택(200)은 양극과 인접한 구성으로 형광 유닛으로 형성하고, 상기 제 2 스택(300)은 음극과 인접한 구성으로 인광 유닛으로 형성하는 경우, 발광 효율이 보다 높아질 수 있다.
또한, 백색 유기 발광 소자의 소비전력 및 패널 효율을 개선하기 위해 제 2 발광층 및 제 3 발광층의 호스트 비율, 각 발광층의 두께 및 도핑농도를 최적화할 필요가 있다.
도 2는 종래 백색 유기 발광 소자와 본 발명의 백색 유기 발광 소자를 비교한 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 3은 종래 백색 유기 발광 소자와 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 발광파장 및 세기를 도시한 도면이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 종래 제 1 스택에서 청색(blue) 발광층을 포함하고, 제 2 스택에서 황녹색(yellow-green) 발광층을 포함하는 2-Peak의 패널효율 및 색재현율과 본 발명에 따른 제 1 스택에서 청색(blue) 발광층을 포함하고, 제 2 스택에서 적색(red) 발광층 및 녹색(green) 발광층을 포함하는 3-Peak의 패널효율 및 색재현율을 비교한 실험결과이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 3 Peak reddish는 3 Peak greenish 보다 적색 발광피크(B) 세기(intensity)가 크게 형성되는 구성이며, 3 Peak greenish는 3 Peak reddish 보다 녹색 발광피크(A) 세기(intensity)가 크게 형성되는 구성이다.
실험 Ⅰ, 실험 Ⅱ 및 실험 Ⅳ를 비교하면, 종래 백색 유기 발광 소자와 비교하여, 본 발명의 백색 유기 발광 소자가 색재현율에 있어서 10% 이상 뛰어난 것을 알 수 있다. 특히, 3 Peak greenish의 경우 패널효율의 감소 없이 색재현율이 개선될 수 있는 점에서 특징이 있다. 또한, 실험 Ⅰ 및 실험 Ⅴ를 비교하면, 본 발명의 백색 유기 발광 소자는 종래 백색 유기 발광 소자와 비교하여, 동일한 색재현율에서 패널효율이 개선되고, 따라서 소비전력도 개선되는 특징이 있음을 볼 수 있다.
즉, 본 발명은 종래 발명과 비교하여 색재현율을 향상시키거나 패널 효율 및 소비전력을 개선할 수 있는 효과가 있다. 특히, 녹색 발광피크(A)의 세기(intensity)가 크게 형성될수록 그 효과가 더 크게 형성됨을 알 수 있다.
도면에는 도시하지 않았으나, 적색 발광층 또는 녹색 발광층의 두께가 두꺼울 수록 각각 적색 발광피크(B)와 녹색 발광피크(A)가 높게 형성된다. 도 2에서 검토한 바와 같이 녹색 발광피크(A)의 세기가 클수록 패널효율 및 색재현율이 더 개선되는 효과를 나타내므로, 바람직하게는 녹색 발광층의 두께가 적색 발광층의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다. 더 바람직하게는 녹색 발광층의 두께가 적색 발광층의 두께의 3배가 되도록 형성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 제 2 스택의 녹색 발광층의 호스트의 비율에 따른 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 제 2 스택의 녹색 발광층은 전자 호스트 및 정공 호스트에 녹색 도펀트가 도핑되어 형성된 구성이다. 도 4는 녹색 발광층의 전자 호스트와 정공 호스트의 부피비에 따른 제 2 스택의 녹색 발광피크(A)와 적색 발광피크(B)를 도시한 도면이다.
적색 발광층의 조건이 동일한 경우, 상기 녹색 발광층의 정공 호스트의 부피비가 전자 호스트보다 클 때, 녹색 발광피크(A)의 세기(intensity)가 가장 높고, 적색 발광피크(B)의 세기가 가장 낮게 형성된다. 또한, 정공 호스트의 부피비가 전자 호스트보다 작을 때, 녹색 발광피크(A)의 세기(intensity)가 가장 낮고, 적색 발광피크(B)의 세기가 가장 높음을 알 수 있다. 도 2에서 검토한 바와 같이, 녹색 발광피크(A)의 세기가 클수록 패널효율 및 색재현율이 더 개선되는 효과를 나타낸다. 따라서, 종래와 비교하여 개선된 효과를 포함하기 위해서 녹색 발광피크(A)의 세기가 높게 형성되도록 정공 호스트 및 전자 호스트의 부피비를 형성한다.
도 5는 본 발명의 제 2 스택의 적색 발광층의 호스트의 비율에 따른 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 제 2 스택의 적색 발광층은 전자 호스트 및 정공 호스트에 적색 도펀트가 도핑되어 형성된 구성이다. 도 5는 적색 발광층의 전자 호스트와 정공 호스트의 부피비에 따른 제 2 스택의 녹색 발광피크(A)와 적색 발광피크(B)를 도시한 도면이다.
녹색 발광층의 조건이 동일한 경우, 상기 적색 발광층의 정공 호스트의 부피비가 전자 호스트보다 클 때, 녹색 발광피크(A)의 세기(intensity)가 가장 높고, 적색 발광피크(B)의 세기가 가장 낮게 형성된다. 또한, 정공 호스트의 부피비가 전자 호스트보다 작을 때, 녹색 발광피크(A)의 세기(intensity)가 가장 낮고, 적색 발광피크(B)의 세기가 가장 높음을 알 수 있다. 도 2에서 검토한 바와 같이, 녹색 발광피크(A)의 세기가 클수록 패널효율 및 색재현율이 더 개선되는 효과를 나타낸다. 따라서, 종래와 비교하여 개선된 효과를 포함하기 위해서 녹색 발광피크(A)의 세기가 높게 형성되도록 정공 호스트 및 전자 호스트의 부피비를 형성한다.
도 6은 본 발명의 제 2 스택의 녹색 발광층의 도핑 비율에 따른 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 6을 참조하면, 제 2 스택의 녹색 발광층은 호스트에 녹색 도펀트가 도핑되어 형성된 구성이다. 도 6은 녹색 발광층의 녹색 도펀트의 도핑 비율에 따른 제 2 스택의 녹색 발광피크(A)와 적색 발광피크(B)를 도시한 도면이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 녹색 도펀트의 도핑 비율이 높아질수록 녹색 발광피크(A)의 세기(intensity)가 커짐을 알 수 있다. 또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 제 2 스택의 적색 발광층도 적색 도펀트의 도핑 비율이 높아질수록 적색 발광피크(B)의 세기가 커지도록 형성된다. 따라서, 도 2에서 검토한 바와 같이 녹색 발광피크(A)의 세기가 클수록 패널효율 및 색재현율이 더 개선되는 효과를 나타내므로, 바람직하게는 녹색 발광층의 녹색 도펀트의 도핑 비율이 적색 발광층의 적색 도펀트의 도핑 비율보다 크게 형성될 수 있다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 백색 유기 발광 소자를 도시한 도면이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 백색 유기 발광 소자는 기판(100) 상에 서로 대향된 제 1 전극(110)과 제 2 전극(130)이 형성된다. 상기 제 1 전극(110)과 제 2 전극(130) 사이에서, 상기 제 1 전극(110) 상에 제 1 스택(400), 제 1 전하 생성층(Charge Generation Layer;220), 제 2 스택(500), 제 2 전하 생성층(320) 및 제 3 스택(600)이 순차적으로 적층되어 형성된다.
상기 제 1 스택(400)과 제 3 스택(600) 동일한 색의 발광층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 스택(500)은 상기 제 1 스택(400) 및 제 3 스택(600)과 다른 색의 발광층을 포함할 수 있다. 이때, 각 스택의 발광층으로부터 출사되는 서로 다른 색의 광이 혼합되어 백색 광을 구현한다.
바람직하게는, 상기 제 1 스택(400)과 제 3 스택(600)은 청색 광을 발광할 수 있다. 또한, 상기 제 2 스택(500)은 적색 및 황녹색 광을 발광하는 발광층을 포함하거나, 적색 및 녹색 광을 발광하는 발광층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 스택(400) 및 제 3 스택(600)은 형광 유닛으로 형성하고, 상기 제 2 스택(500)은 인광 유닛으로 형성될 수 있다.
상기 기판(100)은 절연 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터를 포함할 수 있으며, 상기 절연 기판은 절연 유리, 금속, 플라스틱 또는 폴리이미드(PI) 등으로 형성되고, 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극으로 이루어진다.
상기 제 1 전극(110)은 양극으로 투명 도전 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들면, ITO(Indum Tin Oxide), IZO(Indum Zinc Oxide) 및 ZnO로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 제 2 전극(130)은 음극으로 금속 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들면, 일함수가 낮은 Mg, Ca, Al, Al-합금, Ag, Ag-합금, Au 및 Au-합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제 1 전하 생성층(220)은 제 1 스택(400)과 제 2 스택(500) 사이에 형성되어, 제 1 스택(400)에는 전자를 공급하고, 제 2 스택(500)에는 정공을 공급하여, 각 스택들 간의 전하 균형을 조절한다. 또한, 상기 제 2 전하 생성층(320)은 제 2 스택(500)과 제 3 스택(600) 사이에 형성되어, 제 2 스택(500)에는 전자를 공급하고, 제 3 스택(600)에는 정공을 공급하여, 각 스택들 간의 전하 균형을 조절한다.
상기 제 1 전하 생성층(220) 및 제 2 전하 생성층(320)은 알루미늄(Al) 등의 얇은 금속층으로 형성되거나 ITO(Indum Tin Oxide) 등의 투명 전극 등으로 단층으로 형성하여 소자 구성이 간단하고 제조를 용이하게 형성될 수 있다. 또한, 불순물 도핑에 의한 유기물층의 접합 구조인 복수층으로 형성될 수 있다.
복수층으로 형성하는 경우, 각각 전자 수송 및 정공 수송에 적합하도록 형성하여 효율 향상 및 수명 장기화에 유리하다. 이때, 상기 제 1 전하 생성층(220)의 상기 제 1 스택(400)과 접하는 영역과 상기 제 2 전하 생성층(320)의 상기 제 2 스택(500)과 접하는 영역은 전자 공급을 원활히 하기 위해 N 형 도핑될 수 있다. 또한, 상기 제 1 전하 생성층(220)의 상기 제 2 스택(500)과 접하는 영역과 상기 제 2 전하 생성층(320)의 상기 제 3 스택(600)과 접하는 영역은 정공 공급을 원활히 하기 위해 P형 도핑되어 형성될 수 있다.
상기 제 1 스택(400)은 제 1 전극(110)과 제 1 전하 생성층(220) 사이에 정공 주입층(Hole Injection Layer;HIL)(402), 제 1 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL)(403), 제 1 발광층(404) 및 제1 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL)(405)이 차례로 적층되어 형성된다. 상기 정공 주입층(HIL)(402)은 정공 주입 능력이 뛰어난 물질을 사용하고, 정공 주입을 원활하게 하기 위해 P형 도핑을 할 수 있다.
상기 제 1 발광층(404)은 형광 청색 발광층으로 발광 피크가 1-Peak인 단일 발광층으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 1 발광층(404)은 하나의 호스트(host)에 형광 청색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성되거나, 두 개의 호스트(host)에 형광 청색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성될 수 있다. 상기 제 1 발광층(204)의 형광 청색 도펀트(dopant)는 발광 피크의 파장대가 420nm~490nm 범위를 가지는 도펀트(dopant)로 형성된다.
상기 제 2 스택(500)은 제 1 전하 생성층(220)과 제 2 전하 생성층(320) 사이에 제 2 정공 수송층(HTL)(502), 제 2 발광층(503), 제 3 발광층(504) 및 제 2 전자 수송층(ETL)(505) 이 차례로 적층되어 형성된다. 상기 제 2 스택(300)은 제 2 발광층(503)과 제 3 발광층(504)이 사이에 전하 생성층 또는 버퍼층 등의 구성없이 서로 접촉하여 형성된다. 또한, 상기 제 2 발광층(503)과 제 3 발광층(504)은 적층되어 하나의 제 2 스택 발광층(501)을 이룬다.
상기 제 2 스택 발광층(501)은 인광 적색 발광층과 인광 황녹색 발광층이 적층되어 형성되어, 발광 피크가 2-Peak인 이중 발광층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 스택 발광층(501)은 인광 적색 발광층과 인광 녹색 발광층이 적층되어 형성될 수 있다.
즉, 상기 제 2 발광층(503)은 인광 적색 발광층인 경우, 상기 제 3 발광층(504)는 인광 황녹색 발광층 또는 인광 녹색 발광층으로 형성된다. 또는, 상기 제 2 발광층(503)이 인광 황녹색 발광층 또는 인광 녹색 발광층인 경우, 상기 제 3 발광층(504)는 인광 적색 발광층으로 형성된다. 바람직하게는 상기 제 2 발광층(503)은 인광 적색 발광층으로 형성되고, 상기 제 3 발광층(504)은 인광 황녹색 발광층으로 형성될 수 있다.
상기 인광 황녹색 발광층 또는 인광 녹색 발광층은 발광 피크의 파장대가 500nm~580nm 범위를 가지는 인광 황녹색 도펀트(dopant) 또는 인광 녹색 도펀트(dopant)로 형성되고, 상기 인광 적색 발광층은 발광 피크의 파장대가 580nm~680nm 범위를 가지는 인광 적색 도펀트(dopant)로 형성된다. 또한, 상기 인광 황녹색 발광층 또는 인광 녹색 발광층의 도펀트 도핑 비율은 인광 적색 발광층의 도펀트 도핑 비율보다 높게 형성될 수 있다.
또한, 상기 인광 황녹색 발광층 또는 인광 녹색 발광층은 상기 인광 적색 발광층보다 두께가 두껍게 형성될 수 있다. 바람직하게는 상기 인광 황녹색 발광층 또는 인광 녹색 발광층의 두께가 상기 인광 적색 발광층의 두께의 3배가 되도록 형성할 수 있다.
상기 제 2 발광층(503)은 상기 제 2 정공 수송층(502) 상에 접촉하여 적층되어 형성되며, 두 개의 호스트(host)에 인광 적색 도펀트(dopant), 인광 황녹색 도펀트(dopant) 또는 인광 녹색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성될 수 있다. 상기 두 개의 호스트(host)는 정공 호스트(hole type host)와 전자 호스트(electron type host)로 구성될 수 있다.
이때, 상기 정공 호스트는 전체 호스트의 20 부피% 내지 80 부피%로 형성될 수 있고, 상기 전자 호스트는 전체 호스트의 80 부피% 내지 20 부피%로 형성될 수 있다. 또한, 상기 정공 호스트는 상기 제 2 정공 수송층(502)과 동일 물질로 형성되어 정공의 주입을 보다 용이하게 할 수 있다.
상기 제 3 발광층(504)은 상기 제 2 발광층(503) 상에 형성되고, 두 개의 호스트(host)에 인광 황녹색 도펀트(dopant), 인광 녹색 도펀트(dopant) 또는 인광 적색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성될 수 있다.
이때, 상기 두 개의 호스트(host)는 정공 호스트(hole type host)와 전자 호스트(electron type host)로 구성될 수 있다. 이때, 상기 정공 호스트는 전체 호스트의 20 부피% 내지 80 부피%로 형성될 수 있고, 상기 전자 호스트는 전체 호스트의 80 부피% 내지 20 부피%로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 3 발광층(504)는 하나의 호스트(host)에 인광 황녹색 도펀트(dopant), 인광 녹색 도펀트(dopant) 또는 인광 적색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성될 수 있다. 이때, 상기 하나의 호스트(host)는 양극성(bipolar) 호스트로 형성된다.
상기 제 3 스택(600)은 제 2 전하 생성층(320)과 제 2 전극(130) 사이에 제 3 정공 수송층(HTL)(601), 제 4 발광층(602), 제 3 전자 수송층(ETL)(603) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL)(604)이 차례로 적층되어 형성된다. 상기 전자 주입층(EIL)은 전자 주입 능력이 뛰어난 물질을 사용하고, 전자 주입을 원활하게 하기 위해 N형 도핑을 할 수 있다.
상기 제 4 발광층(602)은 형광 청색 발광층으로 발광 피크가 1-Peak인 단일 발광층으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 4 발광층(602)은 하나의 호스트(host)에 형광 청색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성되거나, 두 개의 호스트(host)에 형광 청색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성될 수 있다. 상기 제 4 발광층(602)의 형광 청색 도펀트(dopant)는 발광 피크의 파장대가 420nm~490nm 범위를 가지는 도펀트(dopant)로 형성된다.
도 8은 종래 백색 유기 발광 소자와 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 발광 파장 및 세기를 도시한 도면이다.
도 8을 참조하면, 종래 백색 유기 발광 소자는 제 1 스택 및 제 3 스택에서 청색(blue) 발광층을 포함하고, 제 2 스택에서 황녹색(yellow-green) 발광층을 포함하는 백색 유기 발광 소자이다. 또한, 본 발명의 백색 유기 발광 소자는 제 1 스택 및 제 3 스택에서 청색(blue) 발광층을 포함하고, 제 2 스택에서 적색(red) 발광층 및 황녹색(yellow-green) 발광층을 포함하는 백색 유기 발광 소자이다.
도 8에 표시된 영역은 적색 영역으로, 종래 발명에서는 2 피크(peak)만 존재하여 적색 영역에서는 피크가 형성되지 않음을 확인할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 3 피크(peak) 구조로써, 적색 영역에서 종래 발명과 비교하여 적색의 세기(intensity)가 크게 형성되는 것을 확인할 수 있다. 휘도 달성률, 패널효율 및 색재현율을 보다 자세히 설명하면 다음과 같다.
도 9는 종래 백색 유기 발광 소자와 본 발명의 백색 유기 발광 소자를 비교한 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 9를 참조하면, 종래 발명의 적색 휘도 달성률은 휘도 목표치를 100%라고 할 때 88%로 적색 휘도가 부족한 문제점이 있다. 이는 종래 발명에서는 별도의 적색 발광층이 존재 하지 않고, 적색 영역에서 피크(peak)가 형성되지 않기 때문이다.
따라서, 본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자는 제 2 스택에서 적색 발광층과 황녹색 발광층을 적층하여 제 2 스택 발광층을 형성하였다. 이로 인해, 적색 파장 영역에서 본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자는 종래 발명보다 세기(intensity)가 강하게 형성되었다.
이러한 본 발명과 종래 발명의 휘도 달성률을 비교하면, 본 발명은 101%로 약 13% 증가하였다. 또한, 본 발명의 적색 휘도 달성률은 휘도 목표치인 100%를 초과하는 것을 확인할 수 있다. 또한, 본 발명의 녹색 및 청색 휘도 달성률도 휘도 목표치인 100%를 초과하는 것을 확인할 수 있다.
또한, 패널 효율도 종래 발명보다 동등하거나 개선됨을 확인할 수 있다. 적색 파장 영역에서 세기가 강해짐에 따라, 색재현율도 증가하는 것을 알 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자는, 제 1 스택과 제 2 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자 또는 제 1 스택 내지 제 3 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자의 발광층이 3-Peak의 발광피크를 가지도록 형성된다. 이때, 정공 수송층과 인접한 제 2 스택의 발광층에서 정공 수송층의 재료를 호스트로 사용함으로써, 정공의 주입을 용이할 수 있다. 제 2 스택의 발광층의 두께와 도핑 농도를 최적화 시킴으로써, 소비전력을 개선하고, 패널 효율 및 색재현율을 향상시킬 수 있다. 또한, 제 1 스택 내지 제 3 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자의 제 2 스택의 발광층을 이중 발광층 구조로 형성함으로써, 적색 휘도 달성률을 증가시키고, 색재현율을 증가시키는 효과가 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
100: 기판 205: 제 1 전자 수송층
110: 제 1 전극 300: 제 2 스택
120: 전하 생성층 301: 제 2 스택 발광층
130: 제 2 전극 302: 제 2 정공 수송층
200: 제 1 스택 303: 제 2 발광층
202: 정공 주입층 304: 제 3 발광층
203: 제 1 정공 수송층 305: 제 2 전자 수송층
204: 제 1 발광층 306: 전자 주입층

Claims (24)

  1. 기판 상에 서로 대향된 제 1 전극과 제 2 전극;
    상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 정공 주입층, 제 1 정공 수송층, 제 1 발광층 및 제 1 전자 수송층이 순차적으로 적층된 제 1 스택;
    상기 제 1 스택과 제 2 전극 사이에 제 2 정공 수송층, 제 2 발광층, 제 3 발광층, 제 2 전자 수송층 및 전자 주입층이 순차적으로 적층된 제 2 스택;
    상기 제 1 스택과 제 2 스택 사이에 형성되어 각 스택들 간의 전하 균형을 조절하는 전하 생성층을 포함하고,
    상기 제 1 스택의 제 1 발광층은 발광피크는 1-Peak를 가지는 형광 청색 발광층으로 형성되고,
    상기 제 2 스택의 제 2 발광층 및 제 3 발광층은 발광피크는 2-Peak를 가지고, 서로 접촉하여 형성되고,
    상기 제 2 발광층 및 제 3 발광층 중 어느 하나는 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층으로 형성되고, 다른 하나는 인광 적색 발광층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 발광층은 인광 적색 발광층이고, 상기 제 3 발광층은 인광 녹색 발광층인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 발광층은 인광 녹색 발광층이고, 상기 제 3 발광층은 인광 적색 발광층인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 발광층은 상기 제 2 정공 수송층과 직접 접촉하여 형성되고,
    상기 제 2 발광층은 정공 호스트 및 전자 호스트에 도펀트를 도핑하여 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 발광층의 정공 호스트는 상기 제 2 정공 수송층의 재료와 동일한 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 발광층의 정공 호스트는 전체 호스트의 20 부피% 내지 80 부피%로 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 발광층은 정공 호스트 및 전자 호스트에 도펀트를 도핑하여 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 3 발광층의 정공 호스트는 전체 호스트의 20 부피% 내지 80 부피%로 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 발광층은 양극성 호스트에 도펀트를 도핑하여 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 인광 녹색 발광층의 두께는 인광 적색 발광층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광소자.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 인광 녹색 발광층의 두께는 인광 적색 발광층의 두께의 3배인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 인광 녹색 발광층의 도펀트 도핑 비율은 인광 적색 발광층의 도펀트 도핑 비율보다 높은 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광소자.
  13. 기판 상에 서로 대향된 제 1 전극과 제 2 전극;
    상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에서, 상기 제 1 전극 상에 정공 주입층, 제 1 정공 수송층, 제 1 발광층 및 제 1 전자 수송층이 순차적으로 적층된 제 1 스택;
    상기 제 1 스택과 제 2 전극 사이에서, 상기 제 1 스택 상에 제 2 정공 수송층, 제 2 발광층, 제 3 발광층 및 제 2 전자 수송층이 순차적으로 적층된 제 2 스택;
    상기 제 2 스택과 제 2 전극 사이에서, 상기 제 2 스택 상에 제 3 정공 수송층, 제 4 발광층, 제 3 전자 수송층 및 전자 주입층이 순차적으로 적층된 제 3 스택;
    상기 제 1 스택과 제 2 스택 사이와 상기 제 2 스택과 제 3 스택 사이에 형성되어 각 스택들 간의 전하 균형을 조절하는 전하 생성층을 포함하고,
    상기 제 1 발광층 및 제 4 발광층은 발광피크는 1-Peak를 가지는 형광 청색 발광층으로 형성되고,
    상기 제 2 스택의 제 2 발광층 및 제 3 발광층은 발광피크는 2-Peak를 가지고, 서로 접촉하여 형성되고,
    상기 제 2 발광층 및 제 3 발광층 중 어느 하나는 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층으로 형성되고, 다른 하나는 인광 적색 발광층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 발광층은 인광 적색 발광층이고, 상기 제 3 발광층은 인광 황녹색 발광층인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 발광층은 인광 황녹색 발광층이고, 상기 제 3 발광층은 인광 적색 발광층인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 발광층은 상기 제 2 정공 수송층과 직접 접촉하여 형성되고,
    상기 제 2 발광층은 정공 호스트 및 전자 호스트에 도펀트를 도핑하여 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 2 발광층의 정공 호스트는 상기 제 2 정공 수송층의 재료와 동일한 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 2 발광층의 정공 호스트는 전체 호스트의 20 부피% 내지 80 부피%로 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광소자.
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 3 발광층은 정공 호스트 및 전자 호스트에 도펀트를 도핑하여 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 3 발광층의 정공 호스트는 전체 호스트의 20 부피% 내지 80 부피%로 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광소자.
  21. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 3 발광층은 양극성 호스트에 도펀트를 도핑하여 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  22. 제 13 항에 있어서,
    상기 인광 녹색 발광층의 두께는 인광 적색 발광층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광소자.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 인광 녹색 발광층의 두께는 인광 적색 발광층의 두께의 3배인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  24. 제 13 항에 있어서,
    상기 인광 녹색 발광층의 도펀트 도핑 비율은 인광 적색 발광층의 도펀트 도핑 비율보다 높은 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광소자.
KR1020130114553A 2012-12-18 2013-09-26 백색 유기 발광 소자 KR102130648B1 (ko)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013022617.1A DE102013022617B3 (de) 2012-12-18 2013-11-15 Weiße organische Lichtemissionsvorrichtung und organische Lichtemissionsvorrichtung
DE102013112602.2A DE102013112602B4 (de) 2012-12-18 2013-11-15 Weiße organische Lichtemissionsvorrichtung
GB1322017.3A GB2510690B (en) 2012-12-18 2013-12-12 White organic light emitting device
US14/109,634 US9224967B2 (en) 2012-12-18 2013-12-17 White organic light emitting device
CN201310700545.9A CN103872253B (zh) 2012-12-18 2013-12-18 白色有机发光装置
US14/949,184 US10026915B2 (en) 2012-12-18 2015-11-23 White organic light emitting device
US16/012,267 US10418577B2 (en) 2012-12-18 2018-06-19 White organic light emitting device
US16/534,816 US10741781B2 (en) 2012-12-18 2019-08-07 White organic light emitting device
KR1020200079965A KR102277563B1 (ko) 2012-12-18 2020-06-30 백색 유기 발광 소자

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20120148300 2012-12-18
KR1020120148300 2012-12-18

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200079965A Division KR102277563B1 (ko) 2012-12-18 2020-06-30 백색 유기 발광 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140079273A true KR20140079273A (ko) 2014-06-26
KR102130648B1 KR102130648B1 (ko) 2020-07-06

Family

ID=51130539

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130114553A KR102130648B1 (ko) 2012-12-18 2013-09-26 백색 유기 발광 소자
KR1020200079965A KR102277563B1 (ko) 2012-12-18 2020-06-30 백색 유기 발광 소자

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200079965A KR102277563B1 (ko) 2012-12-18 2020-06-30 백색 유기 발광 소자

Country Status (2)

Country Link
KR (2) KR102130648B1 (ko)
DE (1) DE102013022617B3 (ko)

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160049918A (ko) * 2014-10-28 2016-05-10 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
KR20160060257A (ko) * 2014-11-19 2016-05-30 엘지디스플레이 주식회사 피리미딘 유도체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR20160067667A (ko) * 2014-12-04 2016-06-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 이를 구비한 표시소자
KR20160067668A (ko) * 2014-12-04 2016-06-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 이를 구비한 표시소자
KR20160067598A (ko) * 2014-12-04 2016-06-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 이를 구비한 표시소자
KR20160067545A (ko) * 2014-12-04 2016-06-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 이를 구비한 표시소자
KR20160074376A (ko) * 2014-12-18 2016-06-28 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기전계발광 표시장치
KR20160084535A (ko) * 2015-01-05 2016-07-14 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
KR20160117718A (ko) * 2015-03-30 2016-10-11 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20170047636A (ko) * 2015-10-23 2017-05-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20170066898A (ko) * 2015-12-07 2017-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20170080287A (ko) * 2015-12-31 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 표시장치
KR20170123557A (ko) * 2016-04-30 2017-11-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치
KR20170143292A (ko) * 2016-06-21 2017-12-29 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치
KR20180001826A (ko) * 2016-06-28 2018-01-05 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
KR20180025049A (ko) * 2016-08-31 2018-03-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR20180077765A (ko) * 2016-12-29 2018-07-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그를 이용한 유기 발광 표시 장치
KR20190047373A (ko) * 2017-10-27 2019-05-08 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치
KR20190048843A (ko) * 2017-10-31 2019-05-09 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
KR20200017985A (ko) * 2018-08-10 2020-02-19 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR20210035121A (ko) * 2014-11-19 2021-03-31 엘지디스플레이 주식회사 피리미딘 유도체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR20220017453A (ko) * 2021-03-16 2022-02-11 엘지디스플레이 주식회사 피리미딘 유도체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR20230050309A (ko) * 2015-06-30 2023-04-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090105072A (ko) * 2008-04-01 2009-10-07 단국대학교 산학협력단 유기 발광 소자
KR20100073417A (ko) * 2008-12-23 2010-07-01 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
KR20110074531A (ko) * 2008-09-16 2011-06-30 글로벌 오엘이디 테크놀러지 엘엘씨 높은 색 온도의 탠덤 백색 ｏｌｅｄ

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7750561B2 (en) 2005-05-20 2010-07-06 Lg Display Co., Ltd. Stacked OLED structure
CN101217187B (zh) 2008-01-14 2011-04-06 电子科技大学 一种具有超薄层结构的有机电致发光器件的制备方法
JP5609058B2 (ja) 2009-10-22 2014-10-22 ソニー株式会社 表示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090105072A (ko) * 2008-04-01 2009-10-07 단국대학교 산학협력단 유기 발광 소자
KR20110074531A (ko) * 2008-09-16 2011-06-30 글로벌 오엘이디 테크놀러지 엘엘씨 높은 색 온도의 탠덤 백색 ｏｌｅｄ
KR20100073417A (ko) * 2008-12-23 2010-07-01 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160049918A (ko) * 2014-10-28 2016-05-10 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
KR20160060257A (ko) * 2014-11-19 2016-05-30 엘지디스플레이 주식회사 피리미딘 유도체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR20210035121A (ko) * 2014-11-19 2021-03-31 엘지디스플레이 주식회사 피리미딘 유도체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR20160067667A (ko) * 2014-12-04 2016-06-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 이를 구비한 표시소자
KR20160067668A (ko) * 2014-12-04 2016-06-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 이를 구비한 표시소자
KR20160067598A (ko) * 2014-12-04 2016-06-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 이를 구비한 표시소자
KR20160067545A (ko) * 2014-12-04 2016-06-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 이를 구비한 표시소자
KR20220044179A (ko) * 2014-12-04 2022-04-06 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시소자
KR20160074376A (ko) * 2014-12-18 2016-06-28 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기전계발광 표시장치
KR20160084535A (ko) * 2015-01-05 2016-07-14 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
KR20160117718A (ko) * 2015-03-30 2016-10-11 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20230050309A (ko) * 2015-06-30 2023-04-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20220054761A (ko) * 2015-10-23 2022-05-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20170047636A (ko) * 2015-10-23 2017-05-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20170066898A (ko) * 2015-12-07 2017-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20220129517A (ko) * 2015-12-07 2022-09-23 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20170080287A (ko) * 2015-12-31 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 표시장치
KR20170123557A (ko) * 2016-04-30 2017-11-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치
KR20170143292A (ko) * 2016-06-21 2017-12-29 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치
KR20180001826A (ko) * 2016-06-28 2018-01-05 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
KR20180025049A (ko) * 2016-08-31 2018-03-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR20180077765A (ko) * 2016-12-29 2018-07-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그를 이용한 유기 발광 표시 장치
KR20190047373A (ko) * 2017-10-27 2019-05-08 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치
US11424426B2 (en) 2017-10-27 2022-08-23 Lg Display Co., Ltd. White organic light emitting device and organic light emitting display device using the same
KR20190048843A (ko) * 2017-10-31 2019-05-09 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
KR20200017985A (ko) * 2018-08-10 2020-02-19 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR20220017453A (ko) * 2021-03-16 2022-02-11 엘지디스플레이 주식회사 피리미딘 유도체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR20230014797A (ko) * 2021-03-16 2023-01-30 엘지디스플레이 주식회사 피리미딘 유도체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200083422A (ko) 2020-07-08
KR102130648B1 (ko) 2020-07-06
DE102013022617B3 (de) 2021-11-18
KR102277563B1 (ko) 2021-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102277563B1 (ko) 백색 유기 발광 소자
US10741781B2 (en) White organic light emitting device
US9831291B2 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR101786881B1 (ko) 백색 유기 발광 소자
US10157966B2 (en) Organic light emitting display device
KR101584990B1 (ko) 백색 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
US9997739B2 (en) White organic light emitting device
EP2846372B1 (en) White organic light emitting device
US8823019B2 (en) White organic light emitting device and display device using the same
KR20120043606A (ko) 백색 유기 발광 소자
KR20150063785A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20170080287A (ko) 백색 유기 발광 표시장치
KR20120047003A (ko) 백색 유기 발광 소자 및 이를 이용한 표시 장치
WO2020232911A1 (zh) 电致发光显示装置
KR101469484B1 (ko) 백색 유기 발광 소자
KR101777123B1 (ko) 백색 유기 발광 소자
US20210336177A1 (en) Oled display panel and oled display device
KR101715857B1 (ko) 백색 유기 발광 소자
KR20190047373A (ko) 백색 유기 발광 소자 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치
KR101777124B1 (ko) 백색 유기 발광 소자
WO2021253490A1 (zh) 有机发光二极管显示器件及显示面板
CN107195793A (zh) 一种白光有机电致发光器件和相应的显示面板
KR101849583B1 (ko) 백색 유기 발광 표시 장치
KR102089331B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN112909191B (zh) 发光器件结构及其制备方法、显示基板和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant