KR20140077523A - Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents
Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140077523A KR20140077523A KR1020120146433A KR20120146433A KR20140077523A KR 20140077523 A KR20140077523 A KR 20140077523A KR 1020120146433 A KR1020120146433 A KR 1020120146433A KR 20120146433 A KR20120146433 A KR 20120146433A KR 20140077523 A KR20140077523 A KR 20140077523A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting layer
- conductive polymer
- layer
- electrode
- Prior art date
Links
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 5
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 claims description 4
- 150000008442 polyphenolic compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 claims description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 105
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 (3-methylphenyl) -diaminophenyl Chemical group 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- MINPAAWFEYDCAO-UHFFFAOYSA-N 1,9-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical class C1=CC=CC2=CC(C=3C4=CC=CC=C4C=C4C=CC=C(C=34)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 MINPAAWFEYDCAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- HNWFFTUWRIGBNM-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C)=CC=C21 HNWFFTUWRIGBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFDORGWIGJJZEQ-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-2-ylanthracene Chemical class C1=CC=C2C(C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 MFDORGWIGJJZEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- PWYVVBKROXXHEB-UHFFFAOYSA-M trimethyl-[3-(1-methyl-2,3,4,5-tetraphenylsilol-1-yl)propyl]azanium;iodide Chemical compound [I-].C[N+](C)(C)CCC[Si]1(C)C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 PWYVVBKROXXHEB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 OLED 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 형성된 제1 및 제2 전극과; 상기 제1 및 제2 전극 사이에 형성되는 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층과; 상기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 각각과 상기 제1 전극 사이에 형성된 정공 수송층과; 상기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 각각과 상기 제2 전극 사이에 형성된 전자 수송층과; 상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 형성되고, 상기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 각각에 대응하는 영역별로 서로 다른 두께를 갖는 전도성 폴리머를 구비하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; 이하 OLED) 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시 장치로 OLED 표시 장치가 각광받고 있다. 이러한 OLED 표시 장치는 애노드 전극과, 캐소드 전극과, 애노드 전극 및 캐소드 전극 사이에 형성된 유기 반도체층을 구비한다. 유기 반도체층은 정공 주입층(hole injection layer)과, 정공 수송층(hole transport layer)과, 발광층(emission layer)과, 전자 수송층(electron transport layer)과, 전자 주입층(electron injection layer)을 구비한다.
한편, OLED 표시 장치의 색순도와 휘도를 향상시키기 위한 방법으로서 마이크로 캐비티(micro cavity) 기술이 있다. 마이크로 캐비티 기술은 발광층으로부터 방출된 빛이 전반사면과 반투과 반사면 사이에서 상호 간섭하는 마이크로 캐비티 효과를 이용하는 광학기술이다. 이를 위해, 종래의 OLED 표시 장치는 RGB 서브 픽셀별로 정공 수송층의 두께를 서로 다르게 하였다. 그런데, RGB 서브 픽셀별 정공 수송층의 두께 조절을 위해 별도로 적층되는 두께 조절용 정공 수송층은 재료비가 비싼데다가, 재료적 특성에 의해 성막시 쉐도우 마스크의 립(rip)에 잔사되고 아교화되어 쉐도우 마스크의 개구부를 막는 립 붙음 불량의 원인이 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 제조 비용을 절감하고, 쉐도우 마스크의 립 붙음 불량을 방지할 수 있는 OLED 표시 장치 및 그의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시 장치는 기판 상에 형성된 제1 및 제2 전극과; 상기 제1 및 제2 전극 사이에 형성되는 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층과; 상기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 각각과 상기 제1 전극 사이에 형성된 정공 수송층과; 상기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 각각과 상기 제2 전극 사이에 형성된 전자 수송층과; 상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 형성되고, 상기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 각각에 대응하는 영역별로 서로 다른 두께를 갖는 전도성 폴리머를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 전도성 폴리머는 상기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층에 대응하는 순서로 두께가 작아지는 것을 특징으로 한다.
상기 전도성 폴리머는 상기 적색 발광층 및 녹색 발광층에 대응하는 영역에만 형성되고, 상기 적색 발광층, 녹색 발광층에 대응하는 영역 순서로 두께가 작아지는 것을 특징으로 한다.,
상기 전도성 폴리머의 두께는 20nm ~ 200nm의 범위를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 전도성 폴리머의 굴절율은 1.5 ~ 2.0의 범위를 갖고, 상기 전도성 폴리머의 투과율은 가시광 영역에서 90%이상의 범위를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 전도성 폴리머는 전도성 플라스틱(PEDOT-PSS), 폴리아세틸렌, 폴리파라레닐레, 폴리피놀, 폴리아닐린 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 전도성 폴리머를 형성하는 단계와; 상기 전도성 폴리머 상에 제1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제1 전극 상에 정공 수송층을 형성하는 단계와; 상기 정공 수송층 상에 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층을 형성하는 단계와; 상기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계와; 상기 전자 수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고; 상기 전도성 폴리머는 상기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 각각에 대응하는 영역별로 서로 다른 두께를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 전도성 폴리머는 하프톤 마스크 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 OLED 표시 장치의 제조 방법.
본 발명은 RGB 서브 픽셀의 두께를 조절하여 발광층에서 발광된 1차적인 광과, 반사 또는 재반사된 2차적인 광 사이의 간섭을 조절하여 휘도를 향상시키고 우수한 색 특성을 갖는다. 특히, 본 발명은 재료비가 비싼 종래의 두께 조절용 정공 수송층을 삭제하여 제조 비용을 절감할 수 있으며, 쉐도우 마스크 공정의 횟수를 줄여 비용을 절감할 수 있다. 또한, 두께 조절용 정공 수송층을 삭제함에 따라, 쉐도우 마스크의 립 붙음 불량을 방지할 수 있다. 또한, 두께 조절용으로 구비되는 전도성 폴리머는 쉐도우 마스크 공정에 비해 쉽고 비용이 저렴한 하프톤 마스크 공정으로 형성할 수 있으므로, 비용이 절감되며 제조가 용이해진다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 RGB 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3)의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시 장치의 제조 방법을 단계적으로 나타낸 순서도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 RGB 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3)의 단면도이다.
도 5a 내지 도 5g는 전도성 폴리머(4)의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 RGB 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3)의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시 장치의 제조 방법을 단계적으로 나타낸 순서도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 RGB 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3)의 단면도이다.
도 5a 내지 도 5g는 전도성 폴리머(4)의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시 장치 및 그의 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 RGB 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3)의 단면도이다. 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시 장치의 제조 방법을 단계적으로 나타낸 순서도이다.
도 1에 도시된 OLED 표시 장치는 적색, 녹색, 청색 컬러를 표현하기 위한 RGB 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3)이 배열된다. RGB 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3)은 스트라이프 타입, 쿼드 타입 등으로 배열될 수 있으며, 적색, 녹색, 청색을 발광하는 3개의 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3)이 모여 단일 픽셀(P)을 구성한다. 도 1에서는 RGB 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3)이 스트라이프 타입으로 배열된 것으로 도시하였으나, 본 발명은 이는 하나의 예일 뿐, 본 발명은 이에 국한되지 않는다.
이하, RGB 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3)의 단면 구조와 제조 방법를 설명한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 OLED 표시 장치는 기판(2) 상에 전도성 폴리머(4)와, 제1 전극(6)과, 정공 수송층(8)과, 발광층(10a, 10b, 10c)과, 전자 수송층(12)과, 제2 전극(14)과, 전면 실링층(16)이 순차적으로 적층되며, 상기 적층 순서에 따라 제조된다. 이하, 적층 순서대로 본 발명을 설명한다.
기판(2)은 도시하지는 않았으나, RGB 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3)을 구동하기 위한 박막 트랜지스터와, 박막 트랜지스터를 구동하기 위한 게이트 라인 및 데이터 라인과, 전원을 공급하는 전원 라인이 구비된다. 기판(2)은 유리로 이루어진 글래스 기판(glass substrate)을 이용할 수 있으며, 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 구현하기 위하여 PET 등으로 이루어진 플라스틱 기판(plastic substrate)이나, 초박형유리 기판(ultra thin glass substrate)을 이용할 수 있다.
참고로, 본 발명의 OLED 표시 장치는 상부 발광 방식의 OLED 표시 장치이다. 따라서, 도 2에는 도시하지 않았지만 기판(2)과 전도성 폴리머(4) 사이에는 반사막이 더 구비된다. 반사막은 발광층(10a, 10b, 10c)으로부터 제1 전극(6) 방향으로 조사된 광을 제2 전극(14) 방향으로 반사시킨다. 반사막을 형성하는 금속층의 두께는 1000Å인 것이 바람직하며, 반사막의 반사율은 가시광 영역의 광, 예를 들면 파장 400nm 이상 700nm 이하의 범위의 광에 대하여 92% 이상의 반사율을 가지는 것이 바람직하다.
기판(2) 상에는(반사막 상에는) 전도성 폴리머(4)가 형성된다. 전도성 폴리머(4)는 RGB 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3)별로 두께가 다르게 형성됨으로써, 불투명 전극인 제1 전극(6)과 투명 전극인 제2 전극(8) 사이의 마이크로 캐비티 효과를 구현한다. 즉, 전도성 폴리머(4)는 발광층(10a, 10b, 10c)에서 발광된 1차적인 광과, 반사 또는 재반사된 2차적인 광 사이의 간섭을 조절하여 휘도를 향상시키고 색 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 마이크로 캐비티 효과의 구현을 위해, 종래의 두께 조절용 정공 수송층을 삭제하는 대신, 기판(2)과 제1 전극(6) 사이에 RGB 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3)별로 서로 다른 두께를 갖는 전도성 폴리머(4)를 구비하여 제조 비용을 절감하고, 쉐도우 마스크 립 붙음 불량을 방지할 수 있다. 구체적으로, 본 발명은 재료비가 비싼 종래의 두께 조절용 정공 수송층을 삭제하여 제조 비용을 절감할 수 있으며, 쉐도우 마스크 공정의 횟수를 줄여 비용을 절감할 수 있다. 또한, 종래의 두께 조절용 정공 수송층은 성막시 쉐도우 마스크의 립 붙음 불량을 초래한 바, 본 발명은 이를 삭제함으로써 쉐도우 마스크의 립 붙음 불량을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 전도성 폴리머(4)는 쉐도우 마스크 공정에 비해 쉽고 비용이 저렴한 하프톤 마스크 공정으로 형성할 수 있으므로, 비용이 절감되며 제조가 용이해진다.
이하, 본 발명의 전도성 폴리머(4)의 제조 방법을 구체적으로 설명한다.
도 5a 내지 도 5g는 전도성 폴리머(4)의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
먼저, 도 5a를 참조하면 기판(2) 상에 전도성 폴리머(4)의 재질인 전도성 고분자(18; 예를 들어 PEDOT:PSS)를 형성한다. 그리고 전도성 고분자(18) 상에 포토 레지스트(20)를 도포한다.
이어서, 도 5b를 참조하면, 포토 레지스트(20)가 도포된 기판(2)을 마스크 기판(28)에 대향시킨다. 마스크 기판(28) 상에는 R 서브 픽셀(SP1)에 대응하여 차단층(22)이 형성되고, G 서브 픽셀(SP2) 및 B 서브 픽셀(SP3) 각각에 대응하여 제1 및 제2 반투과층(24, 26)이 형성된다. 제1 반투과층(24)은 제2 반투과층(26)에 비해 투과율이 크다. 그리고 마스크 기판(28)에 형성된 차단층(22)과 제1 및 제2 반투과층(24, 26)을 이용하여 기판(2) 상에 형성된 포토 레지스트(20)를 패터닝한다. 패터닝된 포토 레지스트(20)는 도 5c에 도시한 바와 같이, RGB 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3)에만 남게되며, R 서브 픽셀(SP1), G 서브 픽셀(SP2), B 서브 픽셀(SP3) 순으로 두께가 작아진다.
이어서, 도 5d를 참조하면, 패터닝된 포토 레지스트(20)를 마스크로 하여 전도성 고분자(18)를 식각한다. 이에 따라, 전도성 고분자(18)는 GB 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3)에만 남게된다.
이어서, 도 5e를 참조하면, 에싱(ashing)공정 등을 통해 B 서브 픽셀(SP3)에 대응하는 포토 레지스트(20) 패턴을 제거하고, 이를 마스크로 하여 B 서브 픽셀(SP3)에 대응하는 전도성 고분자(18)의 일부를 식각한다.
이어서, 도 5f를 참조하면, 에싱(ashing)공정 등을 통해 G 서브 픽셀(SP2)에 대응하는 포토 레지스트(20) 패턴을 제거하고, 이를 마스크로 하여 G 서브 픽셀(SP2) 및 B 서브 픽셀(SP3)에 대응하는 전도성 고분자(18)의 일부를 식각한다.
이어서, R 서브 픽셀(SP1)에 대응하는 포토 레지스트(20) 패턴을 제거하여, 도 5g에 도시한 바와 같이, 기판(2) 상에 전도성 폴리머(4)를 형성한다.
이하, 본 발명의 전도성 폴리머(4)를 보다 구체적으로 설명한다.
전도성 폴리머(4)는 도 2에 도시한 바와 같이, R 서브 픽셀(SP1), G 서브 픽셀(SP2), B 서브 픽셀(SP3) 순으로 두께가 작아진다. 이는, RGB 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3)별로 구비된 적색 발광층(10a), 녹색 발광층(10b), 청색 발광층(10c)의 발광 효율의 차이를 고려한 것으로, 광 효율 향상을 위한 광학 거리 조절에 의한 마이크로 캐비티 효과를 구현하기 위함이다. 이때, 전도성 폴리머(4)는 도 4에 도시한 바와 같이, R 서브 픽셀(SP1) 및 G 서브 픽셀(SP2)에만 구비될 수 있다. 이 경우, 전도성 폴리머(4)는 R 서브 픽셀(SP1), G 서브 픽셀(SP2) 순으로 두께가 작아진다. 이러한 전도성 폴리머(4)는 두께가 20nm ~ 200nm의 범위를 갖고, 굴절율이 1.5 ~ 2.0의 범위를 갖고, 투과율은 가시광 영역에서 90%이상의 범위를 갖는 것이 바람직하다.
한편, 전도성 폴리머(4)는 전도성 고분자 재료를 이용할 수 있다. 예를 들어, 전도성 폴리머(4)는 전도성 플라스틱(poly(3,4,-ethylene dioxythiophene):polystyrene sulfonic acid; PEDOT-PSS), 폴리아세틸렌, 폴리파라레닐레, 폴리피놀, 폴리아닐린 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다. 바람직하게는 전도성 폴리머(4)는 전도성 플라스틱(PEDOT-PSS)으로 형성된다.
제1 전극(6)은 애노드로서, 전도성 폴리머(4) 상에 형성된다. 이러한 제1 전극(6)은 ITO(Indium Tin Oxide; 이하,ITO), IZO(Indum Zinc Oxide; 이하,IZO)와 같이, 투명하면서도 전기 도전성을 갖는 금속을 이용한다.
정공 수송층(8)은 제1 전극(6) 상에 형성된다. 정공 수송층(8)은 정공 주입층으로부터 제공된 정공을 발광층(10a, 10b, 10c)에 공급한다. 정공 수송층(8)은 높은 정공의 이동도(hole mobility)를 가지면서 열적 안정성(thermal stability)을 가지는 물질로 형성된다. 예를 들어, 정공 수송층(8)은 강직한(rigid) 구조를 가지는 방향족 아민 계열의 화합물이나, TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-di(3-methylphenyl)-4,4'-diaminophenyl), NPD(N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine), TCTA(4-(9H- carbazol-9-yl)-N,N-bis[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-benzenamine), CBP(4,4'- N,N'-dicarbazole-biphenyl) 등의 물질을 이용한다. 바람직하게는 정공 수송층(8)은 NPD으로 형성된다.
발광층(10a, 10b, 10c)은 정공 수송층(8) 상에 형성된다. 발광층(10a, 10b, 10c)은 R 서브 픽셀(SP1)에 대응하여 적색을 발광하는 적색 발광층(10a)과, G 서브 픽셀(SP2)에 대응하여 녹색을 발광하는 녹색 발광층(10b)과, B 서브 픽셀(SP3)에 대응하여 청색을 발광하는 청색 발광층(10c)을 구비한다.
적색 발광층(10a)의 호스트 재료(host material)는 bis-(2-methyl)-8-quinolinolato 유도체를 사용할 수 있으며, 도펀트 재료(dopant material)는 iridium complex인(biio)2Ir(acac)를 사용할 수 있다. 이 경우 적색 발광층(10a)의 두께는 200Å으로 설정하는 것이 바람직하다.
녹색 발광층(10b)의 호스트 재료는 N2-([0038] 9,9-dimethyl-9Hfluorne-2-yl)-9,10-(naphthalen-2-yl)anthracene 유도체를 사용할 수 있으며, 도펀트 재료는 2,N2,N6,N6,9,10-hexaphenylanthracene-2,6-diamine을 사용할 수 있다. 이 경우 녹색 발광층(10b)의 두께는 200Å으로 설정하는 것이 바람직하다.
청색 발광층(10c)의 호스트 재료는 9-naphthalen-2-yl-1-(naphthalen-3-yl)anthracene 유도체를 사용할 수 있으며, 도펀트 재료는 pyrene 유도체를 사용할 수 있다. 이 경우 청색 발광층(10c)의 두께는 250Å으로 설정하는 것이 바람직하다.
전자 수송층(12)은 발광층(10a, 10b, 10c) 상에 형성된다. 전자 수송층(12)은 전자 주입층으로부터 제공된 전자를 발광층(10a, 10b, 10c)에 공급한다. 전자 수송층(12)은 전자 이동도(electron mobility)가 크고 제2 전극(14)과 발광층(10a, 10b, 10c)의 중간 정도의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 준위를 가지는 물질로 형성된다. 전자 수송층(12)은 Alq3, oxidiazole, triazole, phenathroline, imidazole, silole, MADN 등의 물질을 이용한다.
제2 전극(14)은 캐소드로서, 전자 수송층(12) 상에 형성된다. 이러한 제2 전극(14)은 알루미늄(Al)이나 은(Ag) 등으로부터 선택된 단일층이거나 이들을 적층하여 형성한 다층 구조로 형성된 반투명 물질로 형성된다.
전면 실링층(16)은 제2 전극(14) 상에 형성된다. 이러한 전면 실링층(16)은 외부로부터 유입되는 수분이나 산소의 침투를 차단함으로써 신뢰성을 향상시키는 역할을 한다. 이를 위해, 전면 실링층(16)은 유기층과 무기층이 수회 교번적으로 형성된 구조를 갖는다. 여기서, 무기층은 외부의 수분이나 산소의 침투를 1차적으로 차단하도록 알루미늄 옥사이드(AlxOx), 산화실리콘(SiOx), SiNx, SiON 및 LiF 중 적어도 어느 하나로 형성된다. 또한, 유기층은 외부의 수분이나 산소의 침투를 2차적으로 차단한다. 또한, 유기층은 OLED 표시 장치의 휘어짐에 따른 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충 역할을 하며, 평탄화 성능을 강화한다. 이러한 유기층은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 또는 폴리에틸렌 등의 폴리머 재질로 형성된다.
표 1은 본 발명에 따른 OLED 표시 장치와, 종래의 마이크로 캐비티 기술을 적용한 OLED 표시 장치의 휘도 및 색감 특성을 비교한 표이다.
표 1을 참조하면, 본 발명에 따른 OLED 표시 장치는 종래의 마이크로 캐비티 기술을 적용한 OLED 표시 장치와 비교할 때, 휘도는 향상되면서도 색감 특성은 동등 수준인 것을 알 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 RGB 서브 픽셀의 두께를 조절하여 발광층에서 발광된 1차적인 광과, 반사 또는 재반사된 2차적인 광 사이의 간섭을 조절하여 휘도를 향상시키고 우수한 색 특성을 갖는다. 특히, 본 발명은 재료비가 비싼 종래의 두께 조절용 정공 수송층을 삭제하여 제조 비용을 절감할 수 있으며, 쉐도우 마스크 공정의 횟수를 줄여 비용을 절감할 수 있다. 또한, 두께 조절용 정공 수송층을 삭제함에 따라, 쉐도우 마스크의 립 붙음 불량을 방지할 수 있다. 또한, 두께 조절용으로 구비되는 전도성 폴리머는 쉐도우 마스크 공정에 비해 쉽고 비용이 저렴한 하프톤 마스크 공정으로 형성할 수 있으므로, 비용이 절감되며 제조가 용이해진다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
2: 기판 4: 전도성 폴리머
6: 제1 전극 8: 정공 수송층
10a, 10b, 10c: 발광층 12: 전자 수송층
14: 제2 전극 16: 전면 실링층
6: 제1 전극 8: 정공 수송층
10a, 10b, 10c: 발광층 12: 전자 수송층
14: 제2 전극 16: 전면 실링층
Claims (13)
- 기판 상에 형성된 제1 및 제2 전극과;
상기 제1 및 제2 전극 사이에 형성되는 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층과;
상기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 각각과 상기 제1 전극 사이에 형성된 정공 수송층과;
상기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 각각과 상기 제2 전극 사이에 형성된 전자 수송층과;
상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 형성되고, 상기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 각각에 대응하는 영역별로 서로 다른 두께를 갖는 전도성 폴리머를 구비하는 것을 특징으로 하는 OLED 표시 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 폴리머는
상기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층에 대응하는 순서로 두께가 작아지는 것을 특징으로 하는 OLED 표시 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 폴리머는
상기 적색 발광층 및 녹색 발광층에 대응하는 영역에만 형성되고, 상기 적색 발광층, 녹색 발광층에 대응하는 영역 순서로 두께가 작아지는 것을 특징으로 하는 OLED 표시 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 폴리머의 두께는 20nm ~ 200nm의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 OLED 표시 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 폴리머의 굴절율은 1.5 ~ 2.0의 범위를 갖고, 상기 전도성 폴리머의 투과율은 가시광 영역에서 90%이상의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 OLED 표시 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 폴리머는
전도성 플라스틱(PEDOT-PSS), 폴리아세틸렌, 폴리파라레닐레, 폴리피놀, 폴리아닐린 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 OLED 표시 장치. - 기판 상에 전도성 폴리머를 형성하는 단계와;
상기 전도성 폴리머 상에 제1 전극을 형성하는 단계와;
상기 제1 전극 상에 정공 수송층을 형성하는 단계와;
상기 정공 수송층 상에 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층을 형성하는 단계와;
상기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계와;
상기 전자 수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고;
상기 전도성 폴리머는 상기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 각각에 대응하는 영역별로 서로 다른 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 OLED 표시 장치의 제조 방법. - 청구항 7에 있어서,
상기 전도성 폴리머는
상기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층에 대응하는 순서로 두께가 작아지는 것을 특징으로 하는 OLED 표시 장치의 제조 방법. - 청구항 7에 있어서,
상기 전도성 폴리머는
상기 적색 발광층 및 녹색 발광층에 대응하는 영역에만 형성되고, 상기 적색 발광층, 녹색 발광층에 대응하는 영역 순서로 두께가 작아지는 것을 특징으로 하는 OLED 표시 장치의 제조 방법. - 청구항 7에 있어서,
상기 전도성 폴리머의 두께는 20nm ~ 200nm의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 OLED 표시 장치의 제조 방법. - 청구항 7에 있어서,
상기 전도성 폴리머의 굴절율은 1.5 ~ 2.0의 범위를 갖고, 상기 전도성 폴리머의 투과율은 가시광 영역에서 90%이상의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 OLED 표시 장치의 제조 방법. - 청구항 7에 있어서,
상기 전도성 폴리머는
전도성 플라스틱(PEDOT-PSS), 폴리아세틸렌, 폴리파라레닐레, 폴리피놀, 폴리아닐린 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 OLED 표시 장치의 제조 방법. - 청구항 7에 있어서,
상기 전도성 폴리머는 하프톤 마스크 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 OLED 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120146433A KR101980758B1 (ko) | 2012-12-14 | 2012-12-14 | Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| TW102145700A TWI549288B (zh) | 2012-12-14 | 2013-12-11 | 有機發光二極體顯示裝置及其製造方法 |
| CN201310684891.2A CN103872087B (zh) | 2012-12-14 | 2013-12-13 | 有机发光二极管显示器及其制造方法 |
| US14/106,147 US10217969B2 (en) | 2012-12-14 | 2013-12-13 | Organic light emitting diode display and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120146433A KR101980758B1 (ko) | 2012-12-14 | 2012-12-14 | Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140077523A true KR20140077523A (ko) | 2014-06-24 |
| KR101980758B1 KR101980758B1 (ko) | 2019-08-28 |
Family
ID=50910447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120146433A KR101980758B1 (ko) | 2012-12-14 | 2012-12-14 | Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10217969B2 (ko) |
| KR (1) | KR101980758B1 (ko) |
| CN (1) | CN103872087B (ko) |
| TW (1) | TWI549288B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190103678A (ko) * | 2018-02-28 | 2019-09-05 | 광주과학기술원 | 발광 다이오드 칩 및 이의 제조방법 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102073884B1 (ko) * | 2013-04-26 | 2020-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102245164B1 (ko) * | 2014-08-22 | 2021-04-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR102268135B1 (ko) * | 2014-11-07 | 2021-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| KR102322083B1 (ko) * | 2015-07-28 | 2021-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN105762171B (zh) * | 2016-03-24 | 2018-10-12 | 河南师范大学 | 一种三基色oled发光器件及其制备和驱动方法 |
| CN107359255B (zh) * | 2016-12-22 | 2019-08-09 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 有机电致发光器件及其制作方法 |
| CN109427988B (zh) * | 2017-08-21 | 2021-02-12 | 上海和辉光电股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| KR102604311B1 (ko) * | 2018-06-29 | 2023-11-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 및 차량용 표시 장치 |
| WO2021184235A1 (zh) * | 2020-03-18 | 2021-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法和显示面板 |
| KR102512014B1 (ko) * | 2020-05-21 | 2023-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN113130805B (zh) * | 2021-04-12 | 2023-06-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090003590A (ko) * | 2007-07-03 | 2009-01-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2010056017A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Fujifilm Corp | カラー表示装置及びその製造方法 |
| KR20120100813A (ko) * | 2011-03-04 | 2012-09-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5303036B2 (ja) | 2009-09-29 | 2013-10-02 | パナソニック株式会社 | 発光素子およびそれを用いた表示装置 |
| JP2011145391A (ja) * | 2010-01-13 | 2011-07-28 | Seiko Epson Corp | 電気泳動表示装置及び電子機器 |
| KR101659953B1 (ko) * | 2010-03-30 | 2016-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN101882666B (zh) * | 2010-06-01 | 2012-03-14 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
| JP5783780B2 (ja) | 2010-06-03 | 2015-09-24 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
| CN101944437B (zh) * | 2010-08-31 | 2012-12-12 | 中国乐凯胶片集团公司 | 一种用于柔性染料敏化太阳能电池的柔性光阳极及其制备方法 |
| JP5827885B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2015-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び照明装置 |
| US8957442B2 (en) * | 2011-02-11 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and display device |
| KR101960759B1 (ko) * | 2011-04-08 | 2019-03-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
-
2012
- 2012-12-14 KR KR1020120146433A patent/KR101980758B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-12-11 TW TW102145700A patent/TWI549288B/zh active
- 2013-12-13 CN CN201310684891.2A patent/CN103872087B/zh active Active
- 2013-12-13 US US14/106,147 patent/US10217969B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090003590A (ko) * | 2007-07-03 | 2009-01-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2010056017A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Fujifilm Corp | カラー表示装置及びその製造方法 |
| KR20120100813A (ko) * | 2011-03-04 | 2012-09-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190103678A (ko) * | 2018-02-28 | 2019-09-05 | 광주과학기술원 | 발광 다이오드 칩 및 이의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103872087B (zh) | 2017-04-12 |
| US20140167013A1 (en) | 2014-06-19 |
| TW201423982A (zh) | 2014-06-16 |
| KR101980758B1 (ko) | 2019-08-28 |
| US10217969B2 (en) | 2019-02-26 |
| TWI549288B (zh) | 2016-09-11 |
| CN103872087A (zh) | 2014-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101980758B1 (ko) | Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
| JP6222719B2 (ja) | 有機ｅｌ表示パネル、それを備えた表示装置および有機ｅｌ表示パネルの製造方法 | |
| KR101120212B1 (ko) | 유기 ｅｌ 표시 장치 및 유기 ｅｌ 표시 장치의 제조 방법 | |
| US9859340B2 (en) | Organic electroluminescent display device having bent type or curved surface type display | |
| US9343510B2 (en) | Organic light emitting display device | |
| CN108029178B (zh) | 有机电致发光装置、有机电致发光装置的制造方法、照明装置和显示装置 | |
| KR101135539B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| WO2015141142A1 (ja) | 有機ｅｌ表示パネル、それを備えた表示装置および有機ｅｌ表示パネルの製造方法 | |
| US8536782B2 (en) | Blue light-emitting device and organic light emitting display including the same | |
| KR20060052335A (ko) | 유기 전계 발광 장치 | |
| KR20150078333A (ko) | 유기발광다이오드 및 이를 이용한 표시장치 | |
| US20140361257A1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102042534B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그 제조 방법 | |
| KR102094141B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR101980771B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20130047200A (ko) | 유기발광표시장치 및 그 제조 방법 | |
| WO2019051878A1 (zh) | 一种oled器件结构 | |
| KR102113609B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
| KR20100021281A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101878326B1 (ko) | 유기전계 발광소자 | |
| KR101891720B1 (ko) | 유기발광표시장치 및 그 제조 방법 | |
| WO2022168312A1 (ja) | 発光素子、表示装置 | |
| KR100793362B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
| KR100796593B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
| KR101798234B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |