KR20140069984A - Wire, light emitting device having thereof, and lighting system - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 와이어, 이를 구비한 발광 소자 및 조명 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a wire, a light emitting device having the wire, and an illumination system.
발광소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.BACKGROUND ART A light emitting device, for example, a light emitting device (Light Emitting Device) is a type of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been widely recognized as a next generation light source in place of existing fluorescent lamps and incandescent lamps.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 발생하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor device, the light emitting diode consumes very low power as compared with an incandescent lamp that generates light by heating tungsten or a fluorescent lamp that generates ultraviolet rays generated by high-pressure discharge .
또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifetime, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source.
이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내 및 실외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다. Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode. The light emitting diode has been increasingly used as a light source for various lamps used in indoor and outdoor, lighting devices such as a liquid crystal display, have.
실시 예는 새로운 와이어를 제공한다.The embodiment provides a new wire.
실시 예는 발광 소자용 와이어를 제공한다. The embodiment provides a wire for a light emitting element.
실시 예는 은(Ag) 기반의 와이어를 갖는 발광 소자를 제공한다. An embodiment provides a light emitting device having a silver (Ag) based wire.
실시 예는 은(Ag)을 포함하는 적어도 3종류의 합금으로 형성된 와이어를 갖는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a wire formed of at least three kinds of alloys including silver (Ag).
실시 예에 따른 발광 소자는, 몸체; 상기 몸체 내에 배치된 복수의 리드 프레임; 상기 제1 및 제2리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩; 및 상기 발광 칩과 상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나에 연결된 와이어; 상기 발광 칩을 커버하는 몰딩 부재를 포함하며, 상기 와이어는 은(Ag) 및 금(Au)과 적어도 한 종류의 금속을 포함하며, 상기 와이어의 은(Ag) 함량은 80wt% 이상이며, 상기 금(Au) 함량은 10wt% 미만을 포함한다. A light emitting device according to an embodiment includes a body; A plurality of lead frames disposed in the body; A light emitting chip disposed on at least one of the first and second lead frames; And a wire connected to at least one of the light emitting chip and the plurality of lead frames; (Ag) and gold (Au) and at least one kind of metal, the silver (Ag) content of the wire is 80 wt% or more, and the gold (Au) content of less than 10 wt%.
실시 예에 따른 와이어는 발광 칩 및 리드 프레임 중 적어도 하나에 연결된 와이어에 있어서, 상기 와이어는 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd) 및 칼슘(Ca)을 갖는 적어도 5종류의 합금을 포함하며, 상기 와이어의 은(Ag) 함량은 85wt% 이상이며, 상기 금(Au) 함량은 10wt% 미만을 포함한다. A wire according to an embodiment is a wire connected to at least one of a light emitting chip and a lead frame, wherein the wire comprises at least five kinds of alloys having silver (Ag), gold (Au), palladium (Pd) , The silver (Ag) content of the wire is 85 wt% or more, and the gold (Au) content is less than 10 wt%.
실시 예는 와이어의 유연성을 증대시켜 줄 수 있다.The embodiment can increase the flexibility of the wire.
실시 예는 발광 소자에 구비된 와이어의 반사율을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the reflectivity of the wire provided in the light emitting device.
실시 예는 발광 소자의 광 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the light efficiency of the light emitting device.
실시 예는 발광 소자의 수율을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the yield of the light emitting device.
실시 예는 발광 소자의 전기적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the electrical reliability of the light emitting device.
실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.Embodiments can improve the reliability of a light emitting device and an illumination system having the same.
도 1은 실시 예에 따른 와이어를 갖는 발광소자의 사시도를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 발광 소자의 측 단면도이다.
도 3은 실시 예에 따른 발광 소자의 와이어에 있어서, 와이어의 물성 데이터를 비교한 도면이다.
도 4는 실시 예에 따른 와이어의 조성비에 따른 본딩 공정의 신뢰성 데이터를 나타낸 도면이다.
도 5는 실시 예에 따른 와이어에 칼슘 함량에 따른 신뢰성 데이터를 나타낸 도면이다.
도 6은 실시 예에 따른 은 기반의 와이어와 금 기반의 와이어를 갖는 발광 소자에서의 광 특성을 비교한 도면이다.
도 7은 실시 예에 따른 와이어에 함유된 은과, 비교 예의 금 또는 알루미늄의 반사율을 비교한 도면이다.
도 8은 실시 예와 비교 예에 따른 와이어의 광도를 비교한 도면이다.
도 9는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 10은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 조명장치를 나타낸 도면이다.1 is a perspective view of a light emitting device having a wire according to an embodiment.
2 is a side sectional view of the light emitting device of Fig.
Fig. 3 is a diagram comparing the physical property data of the wires of the light emitting device according to the embodiment. Fig.
4 is a view showing reliability data of the bonding process according to the wire composition ratio according to the embodiment.
5 is a view showing reliability data according to calcium content in a wire according to an embodiment.
6 is a graph comparing optical characteristics in a light emitting device having a silver-based wire and a gold-based wire according to an embodiment.
Fig. 7 is a diagram comparing the reflectance of silver contained in the wire according to the embodiment and gold or aluminum of the comparative example.
Fig. 8 is a diagram comparing the luminous intensities of the wires according to the embodiment and the comparative example.
9 is a perspective view showing a display device having a light emitting device according to an embodiment.
10 is a perspective view showing a display device having a light emitting device according to an embodiment.
11 is a view showing a lighting device having a light emitting device according to an embodiment.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상/위(on)"에 또는 "아래/하(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"과 "아래/하(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, Quot; on "and" under "include both being formed" directly "or" indirectly " . In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광소자의 사시도를 나타낸 도면이며, 도 2는 도 1의 발광 소자의 측 단면도이다. FIG. 1 is a perspective view of a light emitting device according to a first embodiment, and FIG. 2 is a side sectional view of the light emitting device of FIG.
도 1내지 도 2를 참조하면, 발광소자(100)는, 오목부(16)를 갖는 몸체(10), 복수의 리드 프레임(21,31), 발광 칩(71,72), 은(Ag) 기반의 와이어들(73 내지 76) 및 몰딩 부재(81)를 포함한다.1 and 2, a
상기 몸체(10)는 상기 발광 칩(71,72)에 의해 방출된 파장에 대해, 반사율이 투과율보다 더 높은 물질 예컨대, 70% 이상의 반사율을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 반사율이 70% 이상인 경우, 비 투광성의 재질로 정의될 수 있다. 상기 몸체(10)는 수지 계열의 절연 물질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 실리콘 계열, 또는 에폭시 계열, 또는 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 상기의 실리콘은 백색 계열의 수지를 포함한다. 또한 상기 몸체(10) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 선택적으로 첨가될 수 있다. 함유하고 있다. 상기 몸체(10)는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종에 의해 성형될 수 있다. 예를 들면, 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등으로 이루어지는 에폭시 수지와, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산4-메틸헥사히드로 무수프탈산 등으로 이루어지는 산무수물을, 에폭시 수지에 경화 촉진제로서 DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), 조촉매로서 에틸렌 그리콜, 산화티탄 안료, 글래스 섬유를 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜 B 스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The
또한 상기 몸체(10) 내에 차광성 물질 또는 확산제를 혼합하여 투과하는 광을 저감시켜 줄 수 있다. 또한 상기 몸체(10)는 소정의 기능을 갖게 하기 위해서, 열 경화성수지에 확산제, 안료, 형광 물질, 반사성 물질, 차광성 물질, 광 안정제, 윤활제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 적절히 혼합하여도 된다.In addition, a light shielding material or a diffusing agent may be mixed in the
상기 몸체(10)은 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질에 금속 산화물이 첨가될 수 있으며, 상기 금속 산화물은 TiO2, SiO2, Al2O3중 적어도 하나를 포함하며, 상기 몸체(10) 내에 3wt% 이상의 비율로 첨가될 수 있다. 이에 따라 상기 몸체(10)는 입사되는 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 몸체(10) 내에 첨가된 금속 산화물의 함량이 3wt% 이하인 경우, 반사 효율이 저하될 수 있으며, 이러한 반사 효율이 저하되면 광 지향각 분포가 달라질 수 있다. The
다른 예로서, 상기 몸체(10)는 투광성의 수지 물질 또는 입사 광의 파장을 변환시키는 형광체를 갖는 수지 물질로 형성될 수 있다.As another example, the
상기 몸체(10)의 상측에는 캐쏘드 마크(cathode mark)가 형성될 수 있다. 상기 캐쏘드 마크는 극성의 방향에 대한 혼동을 방지할 수 있다.A cathode mark may be formed on the upper side of the
상기 몸체(10)는 몸체 상면으로부터 리세스된 오목부(16)를 포함한다. 상기 오목부(16)는 상기 몸체(10)의 상면(15)으로부터 오목한 컵 구조, 캐비티 구조, 또는 리세스 구조로 정의될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 오목부(16)의 측면은 수직한 축에 대해 경사질 수 있다.The body (10) includes a recess (16) recessed from an upper surface of the body. The
상기 몸체(10)의 형상은 위에서 볼 때, 삼각형, 사각형, 오각형과 같은 다각형 구조로 형성되거나, 원형, 곡면을 갖는 형상으로 형성될 수 있다. 상기 오목부(16)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형), 모서리가 곡면인 다각형 형상일 수 있다. The shape of the
상기 몸체(10)는 복수의 측면부 예컨대, 4개의 측면부(11-14)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 측면부(11-14) 중 적어도 하나는 상기 몸체(10)의 하면의 수직한 축에 대해 경사지게 배치될 수 있다. The
상기 몸체(10)는 제1 내지 제4측면부(11~14)를 그 예로 설명하며, 제1측면부(11)와 제2측면부(12)는 서로 반대측 면이며, 상기 제3측면부(13)와 상기 제4측면부(14)는 서로 반대측 면이다. 상기 제1측면부(11) 및 제2측면부(12) 각각의 길이는 제3측면부(13) 및 제4측면부(14)의 길이와 다를 수 있으며, 예컨대 상기 제1측면부(11)와 상기 제2측면부(12)의 길이는 상기 제3측면부(13) 및 제4측면부(14)의 길이보다 짧게 형성될 수 있다. 상기 제1측면부(11) 또는 제2측면부(12)의 길이는 상기 제3측면부(13) 및 제4측면부(14) 사이의 간격일 수 있다. The first
상기 제1리드 프레임(21)은 상기 오목부(16)의 바닥보다 더 낮은 깊이를 갖는 제1캐비티(25)가 배치된다. 상기 제1캐비티(25)는 상기 오목부(16)의 바닥부터 상기 몸체(10)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. The first lead frame (21) is disposed with a first cavity (25) having a lower depth than the bottom of the recess (16). The
상기 제1캐비티(25)의 측벽은 상기 제1리드 프레임(21)이 절곡되어 형성되며, 상기 제1캐비티(25)의 바닥에 대해 경사지거나 수직하게 형성될 수 있다. 상기 제1캐비티(25)의 측벽 중에서 대응되는 두 측벽은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. The side wall of the
상기 제2리드 프레임(31)은 상기 오목부(16)의 바닥보다 더 낮은 깊이를 갖는 오목한 제2캐비티(35)가 형성된다. 상기 제2캐비티(35)는 상기 제2리드 프레임(31)의 상면으로부터 상기 몸체(10)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 제2캐비티(35)의 측벽은 상기 제2리드 프레임(31)이 절곡되어 형성되며, 상기 제2캐비티(35)의 바닥으로부터 경사지거나 수직하게 형성될 수 있다. 상기 제2캐비티(35)의 측벽 중에서 대응되는 두 측벽은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. The
상기 제1캐비티(25)와 상기 제2캐비티(35)는 위에서 볼 때, 동일한 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 제1리드 프레임(21) 및 상기 제2리드 프레임(31)의 내측 영역 각각은 상기 몸체(10)의 하부로 노출되며, 상기 몸체(10)의 하면과 동일 평면 또는 다른 평면 상에 배치될 수 있다. Each of the inner regions of the
상기 제1리드 프레임(21)은 제1리드부(23)를 포함하며, 상기 제1리드부(23)는 상기 몸체(10)의 제3측면부(13)로 돌출될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(31)은 제2리드부(33)를 포함하며, 상기 제2리드부(33)는 상기 몸체(10)의 제2측면부(14)로 돌출될 수 있다. The
상기 몸체(10)의 하면에 노출된 상기 제1리드 프레임(21) 및 제1리드부(23)와, 제2리드 프레임(31) 및 제2리드부(33)는 회로기판 상에 탑재될 수 있다. 상기 제1리드 프레임(21) 및 제2리드 프레임(31)의 두께는 0.15mm 이상 예컨대, 0.18mm~1.5mm 바람직하게, 0.3mm~0.8mm 범위로 형성될 수 있다. . 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1, 2리드 프레임(21,22)은 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The
상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31)은 전원을 공급하는 리드 프레임으로 기능하게 된다.The first and second lead frames 21 and 31 function as a lead frame for supplying power.
상기 연결 프레임(46)은 상기 오목부(16)의 바닥 영역 중에서 상기 제1리드 프레임(21)과 제2리드 프레임(31) 사이에 배치되어, 중간 연결 단자로 사용된다. 상기 오목부(16)은 형성하지 않을 수 있다.The
상기 제1리드 프레임(21)의 제1캐비티(25) 내에는 제1발광 칩(71)이 배치되며, 상기 제1발광 칩(71)은 제1접합 부재(81)로 제1캐비티(25) 상에 접착된다. 상기 제2리드 프레임(31)의 제2캐비티(35) 내에는 제2발광 칩(72)이 배치되며, 상기 제2발광 칩(72)은 제2접합 부재(82)로 제2캐비티(35) 상에 접착된다. 상기 제 1 및 제2접합 부재(81,82)는 절연성 접착제 또는 전도성 접착제일 수 있다. 상기 절연성 접착제는 에폭시 또는 실리콘과 같은 재질을 포함할 수 있으며, 상기 전도성 접착제는 솔더와 같은 본딩 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2접합 부재(81,82)는 열 전도율을 개선시켜 주기 위해 금속 산화물을 더 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A first
상기 제1 및 제2발광 칩(71,72)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1 및 제2발광 칩(71,72)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체와 II족-VI족 원소의 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 LED 칩을 포함한다.The first and second
상기 제1 및 제2발광 칩(71,72)은 하나 또는 복수의 와이어를 이용하여 제1 및 제2리드 프레임(21,31)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first and second
상기 제1발광 칩(71)은 제1와이어(73)로 상기 오목부(16)의 바닥에 배치된 제1리드 프레임(21)과 연결되며, 제2와이어(74)로 상기 연결 프레임(46)과 연결된다. 상기 제2발광 칩(72)은 제3와이어(75)로 상기 연결 프레임(46)과 연결되며, 제4와이어(76)로 상기 오목부(16)의 바닥에 배치된 제2리드 프레임(31)과 연결된다. 상기 연결 프레임(46)은 상기 제1발광 칩(71)과 상기 제2발광 칩(72)을 전기적으로 연결해 준다.The first
상기 제1 내지 제4와이어(73-76)은 은(Ag) 기반의 금속으로서, 3종류 이상의 합금으로 형성될 수 있다.The first to
보호 소자는 상기 제1리드 프레임(21) 및 상기 제2리드 프레임(31) 중 적어도 하나에 배치될 수 있다. 상기 보호 소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 제너 다이오드는 상기 발광 칩을 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다. 상기 보호 소자는 제1발광 칩(71) 및 제2발광 칩(72)의 연결 회로에 병렬로 연결됨으로써, 상기 발광 칩들(71,72)을 보호할 수 있다.The protection element may be disposed on at least one of the
상기 오목부(16), 제1캐비티(25) 및 상기 제2캐비티(35)에는 몰딩 부재(81)가 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(40)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 몰딩 부재(81)는 상기 발광 칩(71,72) 상으로 방출되는 빛의 파장을 변환하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 상기 제1캐비티(25) 및 상기 제2캐비티(35) 중 적어도 한 영역에 형성된 몰딩 부재(81)에 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체는 발광 칩(71,72)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(81)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(81)는 상기 와이어(73-76)에 접촉될 수 있다.The
상기 몰딩 부재(81)의 표면은 광 출사면이 될 수 있다. 상기 몰딩 부재(81)의 상부에는 렌즈가 배치될 수 있으며, 상기 렌즈는 발광 칩(71,72)에 대해 볼록한 렌즈, 오목한 렌즈, 중심부에 전반사면을 갖는 볼록 렌즈를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The surface of the
실시 예에 따른 발광 소자(100)에는 와이어(73-76)가 복수개인 배치된 구조로 설명하였으나, 발광 소자의 종류나 발광 칩의 종류에 따라 하나의 와이어가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Although a plurality of wires 73-76 are disposed in the
실시 예에 따른 와이어는 은(Ag) 기반이며, 상기 은을 포함하는 적어도 3종류의 합금을 포함하며, 예컨대 은(Ag), 금(Au), 팔리듐(Pd)를 포함하고, 상기 은 함량은 80% 이상이고, 상기 금 함량은 20% 미만이고, 상기 팔라듐 함량은 5wt% 미만이 된다. 상기 금 함량은 상기 은 함량보다는 낮고 상기 팔라듐 함량 보다는 높은 범위로서, 6-12wt% 범위이며, 상기 팔라듐 함량은 1-5wt% 범위를 포함한다. The wire according to an embodiment is silver based and comprises at least three alloys including silver and includes, for example, silver (Ag), gold (Au), palladium (Pd) Is 80% or more, the gold content is less than 20%, and the palladium content is less than 5 wt%. The gold content is lower than the silver content and higher than the palladium content, and is in the range of 6-12 wt%, and the palladium content is in the range of 1-5 wt%.
상기 와이어는 적어도 4가지의 금속의 합금을 포함하며, 예컨대 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 칼슘(Ca)의 합금을 포함한다. 상기 은 함량은 80wt% 이상 예컨대, 80-90wt% 범위이고, 상기 금(Au) 함량은 15% 미만이며, 상기 팔라듐(Pd)은 5wt% 미만이며, 상기 칼슘 함량은 1wt% 미만일 수 있다. 상기 금 함량은 상기 은 함량보다는 낮고 상기 팔라듐 함량 보다는 높은 범위로서, 6-12wt% 범위이며, 상기 팔라듐 함량은 1-5wt% 범위를 포함하며, 상기 칼슘(Ca) 함량은 1-100ppm 범위로 형성될 수 있다. The wire includes an alloy of at least four metals and includes, for example, an alloy of silver (Ag), gold (Au), palladium (Pd), and calcium (Ca). The silver content may be 80 wt% or more, for example, 80-90 wt%, the gold content may be less than 15 wt%, the palladium (Pd) may be less than 5 wt%, and the calcium content may be less than 1 wt%. The gold content is lower than the silver content and higher than the palladium content, and is in the range of 6-12 wt%, the palladium content is in the range of 1-5 wt%, and the calcium content is in the range of 1-100 ppm .
상기 와이어는 적어도 5가지의 금속의 합금을 포함하며, 예컨대 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 칼슘(Ca)과 적어도 한 종류의 금속의 합금을 포함한다. 여기서, 적어도 한 종류의 금속은 철(Fe), 알루미늄(Al), 실리콘(Si) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 은 함량은 80wt% 이상 예컨대, 80-90wt% 범위이고, 상기 금(Au) 함량은 15wt% 미만이며, 상기 팔라듐(Pd)은 5wt% 미만이며, 상기 칼슘 함량은 1wt% 미만일 수 있다. 상기 금 함량은 상기 은 함량보다는 낮고 상기 팔라듐 함량 보다는 높은 범위로서, 6-12wt% 범위이며, 상기 팔라듐 함량은 1-5wt% 범위를 포함하며, 상기 칼슘(Ca) 함량은 1-100ppm 범위이며, 상기 철(Fe), 알루미늄(Al), 실리콘(Si) 중 적어도 하나의 함량은 1-100ppm 범위일 수 있다. The wire comprises an alloy of at least five metals and includes, for example, an alloy of silver (Ag), gold (Au), palladium (Pd), calcium (Ca) and at least one kind of metal. Here, at least one kind of metal includes at least one of iron (Fe), aluminum (Al), and silicon (Si). The silver content may be 80 wt% or more, for example, 80-90 wt%, the gold content may be less than 15 wt%, the palladium (Pd) may be less than 5 wt%, and the calcium content may be less than 1 wt%. The gold content is lower than the silver content and higher than the palladium content, and is in the range of 6-12 wt%, the palladium content is in the range of 1-5 wt%, the calcium content is in the range of 1-100 ppm, The content of at least one of iron (Fe), aluminum (Al), and silicon (Si) may be in the range of 1-100 ppm.
상기 와이어는 은, 금, 팔라듐, 철, 알루미늄, 실리콘의 합금을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 은(Ag)는 85wt% 이상 예컨대, 87~89wt% 범위이며, 금(Au)는 10wt% 미만, 예컨대 7.5-8.5wt% 범위이며, 팔라듐(Pd)는 5wt% 미만 예컨대, 2.5-3.5wt% 범위이며, 상기 철(Fe), 알루미늄(Al), 실리콘(Si)의 각 함량은 5ppm 이하이고 1wt% 미만일 수 있다. 상기 와이어의 직경은 0.8-1.5mm 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이하 와이어의 주 성분에 대한 데이터를 비교하여 설명하기로 한다.The wire may include an alloy of silver, gold, palladium, iron, aluminum, and silicon. For example, the silver (Ag) may be in the range of 85 wt% or more, for example, 87 to 89 wt%, the gold (Au) may be in the range of less than 10 wt%, such as 7.5-8.5 wt%, and the palladium (Pd) And the content of each of iron (Fe), aluminum (Al) and silicon (Si) is 5 ppm or less and less than 1 wt%. The diameter of the wire may be in the range of 0.8-1.5 mm, but is not limited thereto. Hereinafter, the data of the main component of the wire will be described and compared.
상기 와이어는 표면에 산화 방지층이 형성될 수 있으며, 상기 산화 방지층은 동 또는 동 합금으로서, 예컨대 benzotriozole계(1.2.3-Benzotriazole, BTA) 동 또는 동 합금을 포함할 수 있다.
The wire may have an antioxidant layer formed on its surface, and the antioxidant layer may include copper or copper alloy, for example, benzotriazole (1.2.3-Benzotriazole, BTA) copper or copper alloy.
도 3을 참조하여, 와이어의 주 성분(Ag, Au, Pd)의 조성비에 따른 브레이크 로드(Break load, gf), 신장율(Elongation, %), 항목 하중(Yield load, gf)을 보면, 제1조성비(W1)는 팔라듐 은 함량이 88wt%, 금 함량이 8wt%, 팔라듐 함량이 3wt%을 포함하며, 이러한 제1조성비(W1)을 갖는 와이어의 브레이크 로드와 항복 하중은 제2 및 제3조성비(W2,W3)를 갖는 와이어의 브레이크 로드와 항목 비중에 비해 높고, 특히 제1 및 제2조성비의 차이에 따른 데이터 차이가 제2 및 제3조성비의 차이에 따른 데이터 차이보다 2배 이상 높게 나타남을 알 수 있다. 상기 제2조성비(W2)는 은 함량이 91wt%, 금 함량이 5wt%, 팔라듐 함량이 3wt%을 포함하며, 제3조성비(W3)는 은 함량이 95wt%, 금 함량이 1wt%, 팔라듐 함량이 3wt%을 포함한다. Referring to FIG. 3, break load (load, gf), elongation (%) and item load (gf) according to the composition ratios of the main components (Ag, Au, Pd) The composition ratio W1 of the wire having the first composition ratio W1 is 88 wt%, the gold content is 8 wt%, and the palladium content is 3 wt%. The brake rod and the yield load of the wire have the second and third composition ratios (W2, W3), and in particular, the data difference according to the difference between the first and second composition ratios is two times higher than the data difference due to the difference between the second and third composition ratios . The second composition ratio W2 includes a silver content of 91 wt%, a gold content of 5 wt%, and a palladium content of 3 wt%. The third composition ratio W3 includes a silver content of 95 wt%, a gold content of 1 wt%, a palladium content This includes 3 wt%.
그리고, 제1조성비는 제2 및 제3조성비 간의 신장율 차이는 크지 않게 나타남을 알 수 있다. It can be seen that the first composition ratio does not significantly differ from the second composition ratio to the third composition ratio.
따라서, 와이어의 조성비를 보면, 은 함량이 90wt% 이하이고 금 함량이 6wt%이상인 경우 은 함량이 90wt%를 초과하고, 금 함량이 7wt%를 미만한 경우보다 브레이크 로드 및 항목 하중은 개선됨을 알 수 있다.
Therefore, when the silver content is less than 90 wt% and the gold content is more than 6 wt%, the brake rod and the item load are improved as compared with the case where the content exceeds 90 wt% and the gold content is less than 7 wt% .
도 4를 참조하면, 케이스1의 조성비는 은(Ag) 88wt%, 금(Au) 8wt%, 팔라듐(Pd) 3wt%을 포함하며, 와이어의 본딩 공령 에러 발생율, 와이어 본딩 불량율, 열 충격 결과 데이터가 다른 케이스의 조성비에 비해 현저하게 개선됨을 알 수 있다.
4, the composition ratio of the
도 5를 참조하여 와이어에 칼슘(Ca) 성분 여부에 따른 신뢰성 데이터를 보면, 케이스 2에서 칼슘(Ca)를 100ppm 이하 첨가한 경우, 칼슘을 포함하지 않는 케이스 1의 조성비에 비해 열 충격 결과가 1.5 배 이상 높음을 알 수 있다.
Referring to FIG. 5, reliability data according to the presence or absence of calcium (Ca) component in the wire shows that when the calcium (Ca) content is less than 100 ppm in Case 2, the thermal shock is 1.5 Which is higher than twice.
도 6은 발광 소자에서 실시 예의 은색 와이어와 금색 와이어의 적용에 따른 광 특성을 비교한 도면이다.6 is a graph comparing optical characteristics of the light emitting device according to the application of the silver wire and the gold wire of the embodiment.
도 6을 참조하면, 실시 예에 따른 은색(Ag 와이어를 적용한 경우(B,C), 금속(Au) 와이어를 적용한 경우(A)에 비해 2% 이상의 광도가 개선됨을 알 수 있다. 또한 동일한 은색 와이어더라도, 와이어의 직경(C>B=B)이 더 두꺼운 경우 균일한 광도 개선 효과가 있다. 여기서, 케이스 C의 와이어는 1.3mm의 직경을 적용한 경우이고, 케이스 A,B 와이어는 1.2mm의 직경을 적용한 경우이다. 도 6에서 Y축은 광도이며, X축은 CIE 색도 값이다.
6, it can be seen that the luminous intensity is improved by 2% or more compared to the case (A) in which the silver wire is applied (B, C) or the metal (Au) wire according to the embodiment. Even when the wire has a larger diameter (C > B = B), there is a uniform brightness improvement effect. Here, the case C wire is 1.3 mm in diameter and the case A and B wires are 1.2 mm In FIG. 6, the Y-axis is the luminous intensity and the X-axis is the CIE chromaticity value.
도 7은 실시 예에 따른 와이어에 함유된 은과 비교 예의 금 또는 알루미늄의 반사율을 비교한 도면이다.Fig. 7 is a graph comparing the reflectance of gold contained in the wire according to the embodiment and the reflectance of gold or aluminum in the comparative example. Fig.
도 7을 참조하면, 은 재질의 반사율은 발광 칩의 청색 피크 파장 예컨대, 450nm인 경우 80% 이상이며, 금 재질의 반사율은 발광 칩의 청색 피크 파장 예컨대, 450nm인 경우 40% 이하로 나타남을 알 수 있다. 이에 따라 은 기반의 와이어를 적용한 발광 소자는 금 기반의 와이어를 갖는 발광 소자에 비해 반사율이 개선됨을 알 수 있다. 이러한 반사율의 차이는 도 8과 같은 광도의 차이로 연결된다.7, the reflectance of the silver material is 80% or more when the blue peak wavelength of the light emitting chip is, for example, 450 nm, and the reflectance of the gold material is 40% or less when the blue peak wavelength of the light emitting chip is 450 nm . Accordingly, it can be seen that the light emitting device using the silver-based wire improves the reflectance as compared with the light emitting device having the gold-based wire. The difference in reflectance is connected to the difference in luminous intensity as shown in FIG.
도 8은 실시 예의 와이어와 비교 예의 와이어의 광도를 비교한 도면이다.8 is a diagram comparing the luminances of the wires of the embodiment and the wires of the comparative example.
실시 예에 따른 은 기반의 와이어(W6)는 비교 예의 금 기반의 와이어(W5)에 비해 광도가 더 높은 것을 알 수 있다. It can be seen that the silver-based wire W6 according to the embodiment has a higher luminous intensity than the gold-based wire W5 according to the comparative example.
실시 에에 따른 은 기반의 와이어는 은 함량이 80wt% 이상이기 때문에 표면에 은색을 띠게 되며, 발광 칩으로부터 방출된 광에 대한 반사율이 개선된다. 또한 상기 와이어는 유연성이 증대되고, 브레이크 부하(break load)가 개선되고, 신장(Elongation)율은 증가될 수 있다.
The silver-based wire according to the embodiment has a silver color on the surface because the silver content is 80 wt% or more, and the reflectance for the light emitted from the light emitting chip is improved. Also, the wire may have increased flexibility, improved break load, and increased elongation rate.
실시예에 따른 발광 소자는 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 9 및 도 10에 도시된 표시 장치, 도 11에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting device according to the embodiment can be applied to an illumination system. The lighting system includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arrayed and includes a display device shown in Figs. 9 and 10, a lighting device shown in Fig. 11, and may include a lighting lamp, a traffic light, a vehicle headlight, have.
도 9는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치의 분해 사시도이다. 9 is an exploded perspective view of a display device having a light emitting device according to an embodiment.
도 9를 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.9, a
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The
상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl methacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphtha late) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The
상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The
상기 광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 발광 소자(1035)를 포함하며, 상기 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. The
상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The
그리고, 상기 복수의 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 도광판(1041)의 일측 면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
여기서, 상기 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the optical path of the
도 10은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다. 10 is a view showing a display device having a light emitting device according to an embodiment.
도 10을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(1124)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 10, the
상기 기판(1120)과 상기 발광 소자(1124)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기의 광원 모듈(1160)은 기판(1120) 및 상기 기판(1120) 위에 배열된 복수의 발광 소자(1124)를 포함한다.The
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(poly methyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the
상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1160) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1160)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
The
도 11은 실시 예에 따른 발광소자를 갖는 조명장치의 분해 사시도이다.11 is an exploded perspective view of a lighting device having a light emitting device according to an embodiment.
도 11을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자를 포함할 수 있다.11, the lighting apparatus according to the embodiment includes a
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the
상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. The inner surface of the
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The
상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.The
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 돌출부(2670)를 포함할 수 있다.The
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 돌출부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 돌출부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 돌출부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 돌출부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The
이상에서 실시예 들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
10: 몸체
11-14: 측면부
21,31: 리드 프레임
16: 오목부
25,35: 캐비티
71,72: 발광 칩
73-76: 와이어
81: 몰딩 부재10: Body
11-14:
21, 31: Lead frame
16:
25, 35: Cavity
71, 72: Light emitting chip
73-76: Wire
81: Molding member
Claims (14)
상기 제1 및 제2리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩; 및
상기 발광 칩과 상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나에 연결된 와이어를 포함하며,
상기 와이어는 은(Ag) 및 금(Au)과 적어도 한 종류의 금속을 포함하며,
상기 와이어의 은(Ag) 함량은 80wt% 이상이며, 상기 금(Au) 함량은 10wt% 미만을 포함하는 발광 소자. A plurality of lead frames;
A light emitting chip disposed on at least one of the first and second lead frames; And
And a wire connected to at least one of the light emitting chip and the plurality of lead frames,
Wherein the wire comprises silver (Ag) and gold (Au) and at least one kind of metal,
Wherein the silver (Ag) content of the wire is 80 wt% or more, and the gold (Au) content is less than 10 wt%.
상기 칼슘, 상기 철, 상기 알루미늄, 상기 실리콘의 함량은 각각 5ppm 이하인 발광 소자.6. The method of claim 5, wherein the wire comprises calcium, iron, aluminum and silicon,
Wherein the content of calcium, iron, aluminum, and silicon is 5 ppm or less, respectively.
상기 캐비티 내에 복수의 리드 프레임, 상기 와이어, 상기 발광 칩이 배치되는 발광 소자.14. The mold of claim 13, further comprising a body having a cavity in which the molding member is disposed,
Wherein the plurality of lead frames, the wires, and the light emitting chip are disposed in the cavity.
Priority Applications (1)
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- 2012-11-30 KR KR1020120137937A patent/KR20140069984A/en not_active Application Discontinuation
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