KR20140064227A

KR20140064227A - Substrate processing apparatus

Info

Publication number: KR20140064227A
Application number: KR1020120131306A
Authority: KR
Inventors: 정현묵; 문종욱; 홍영준
Original assignee: 주성엔지니어링(주)
Priority date: 2012-11-20
Filing date: 2012-11-20
Publication date: 2014-05-28
Also published as: KR102009864B1

Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention includes a chamber having a reaction space; and a heating unit which is prepared in the outside of the chamber and heats the inner part of the chamber. According to one embodiment of the present invention, the heating unit includes a heater; a support part which supports the heater and a control part which controls the slope of the heater.

Description

기판 처리 장치{Substrate processing apparatus}[0001] Substrate processing apparatus [

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 특히 기판의 온도를 균일하게 조절할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of uniformly controlling the temperature of the substrate.

일반적으로 기판 처리 장치는 기판 상에 박막을 증착하거나, 기판 상에 증착된 박막을 식각하는 장치들을 지칭한다. 이러한 기판 처리 장치를 이용하여 박막을 증착하고 식각하여 반도체 소자, 평판 표시 패널, 광학 소자 및 솔라셀 등을 생산한다. 예를 들어, 기판 상에 박막을 증착하는 경우 기판 처리 장치 내의 기판 안치 수단 상에 기판을 안치시키고 기판을 소정 온도로 가열한 후 반응 공간 내에 공정 가스를 분사한다. 기판을 가열하기 위해 챔버의 외측 하부에 가열 수단을 마련할 수 있으며, 가열 수단은 예를 들어 복수의 할로겐 램프를 원형으로 배치하고 할로겐 램프 주위에 반사체를 배치한다.In general, a substrate processing apparatus refers to apparatuses for depositing a thin film on a substrate or etching thin films deposited on the substrate. A thin film is deposited and etched using such a substrate processing apparatus to produce a semiconductor device, a flat panel display panel, an optical element, and a solar cell. For example, when a thin film is deposited on a substrate, the substrate is placed on the substrate holding means in the substrate processing apparatus, and the substrate is heated to a predetermined temperature, and then the process gas is injected into the reaction space. Heating means may be provided on the lower outer side of the chamber to heat the substrate, for example, a plurality of halogen lamps are arranged in a circle and a reflector is arranged around the halogen lamp.

그런데, 최근 들어 기판의 사이즈가 증가함에 따라 기판 표면에 균일한 두께로 박막을 증착시키는 것이 어려워지고 있다. 이러한 문제의 원인 중 하나는 챔버의 가장자리 영역이 챔버의 중심 영역보다 구조적으로 열손실이 발생되어 챔버의 가장자리 영역과 중심 영역의 온도를 균일하게 유지하는 것이 어렵다는 것이다. 따라서, 도 1에 도시된 바와 같이 가열 수단을 2단으로 구성하는데, 기판(10)의 중심 영역을 가열하기 위해 상대적으로 낮은 위치에 제 1 가열 수단(30a)을 배치하고, 기판의 가장자리 영역을 가열하기 위해 상대적으로 높은 위치에 제 2 가열 수단(30b)을 배치하여 챔버 내부 온도의 균일성을 향상시켰다. 여기서, 제 1 및 제 2 가열 수단(30a, 30b)은 고정되어 설정된 영역만을 가열하였다.However, in recent years, as the size of the substrate increases, it becomes difficult to deposit a thin film having a uniform thickness on the substrate surface. One of the causes of this problem is that the edge region of the chamber is structurally more heat lost than the central region of the chamber, making it difficult to keep the temperature of the edge region and center region of the chamber uniform. Accordingly, as shown in Fig. 1, the heating means is composed of two stages. In order to heat the central region of the substrate 10, the first heating means 30a is disposed at a relatively low position, The second heating means 30b is disposed at a relatively high position for heating to improve the uniformity of the temperature inside the chamber. Here, the first and second heating means 30a and 30b are fixed and heated only the set region.

그러나, 가열 수단(30a, 30b)의 높이를 2단으로 형성하는 것만으로는 챔버(10) 내부의 중심 영역 온도가 가장자리 영역 온도보다 높게 형성되는 문제점을 해결하는데 한계가 있었다. 즉, 기존의 할로겐 램프는 수평 방향으로 고정되어 있고 이로 인한 가열 범위가 제한적이기 때문에 할로겐 램프의 개수, 위치 그리고 반사체의 형상에 따라 온도 균일성을 최적화하는데 어려움이 있다. 따라서, 할로겐 램프의 배열을 다시 정렬하거나 다른 열원을 추가하는 등 가열 장치의 구조를 변경해야 한다. 그러나, 가열 장치의 구조 변경에 많은 시간과 비용이 소요되고, 다양한 공정 조건에 따른 변경에 적절하게 대응하기 어려운 문제가 있다.
However, there is a limitation in solving the problem that the central region temperature inside the chamber 10 is formed to be higher than the edge region temperature only by forming the heating means 30a and 30b in two stages. That is, since the conventional halogen lamp is fixed in the horizontal direction and the heating range thereof is limited, it is difficult to optimize the temperature uniformity according to the number, position and reflector shape of the halogen lamp. Therefore, the structure of the heating device must be changed, such as rearranging the arrangement of the halogen lamps or adding other heat sources. However, it takes a lot of time and cost to change the structure of the heating apparatus, and it is difficult to appropriately cope with changes due to various process conditions.

본 발명은 램프의 추가나 다른 열원의 추가 없이 챔버 내부의 온도를 균일하게 조절할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus capable of uniformly controlling the temperature inside a chamber without adding a lamp or adding another heat source.

본 발명은 챔버 하부에 마련된 가열 수단의 각도를 조절함으로써 기판의 온도를 균일하게 조절할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
The present invention provides a substrate processing apparatus capable of uniformly regulating the temperature of a substrate by adjusting the angle of a heating means provided at a lower portion of the chamber.

본 발명의 일 양태에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버 외측에 마련되어 상기 챔버 내부를 가열하는 가열 수단을 포함하고, 상기 가열 수단은, 히터; 상기 히터를 지지하는 지지부; 및 상기 히터의 기울기를 조절하는 조절부를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention includes: a chamber having a reaction space; And a heating means provided outside the chamber for heating the inside of the chamber, the heating means comprising: a heater; A support for supporting the heater; And an adjusting unit for adjusting the inclination of the heater.

또한, 본 발명의 다른 양태에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간 내에 기판을 수용하는 챔버; 상기 기판 하측에 마련되어 상기 기판을 가열하는 가열 수단을 포함하고, 상기 가열 수단은, 히터; 상기 히터를 지지하는 지지부; 및 상기 기판에 대한 상기 히터의 조사 각도를 조절하는 조절부를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a chamber for accommodating a substrate in a reaction space; And a heating means provided below the substrate for heating the substrate, wherein the heating means comprises: a heater; A support for supporting the heater; And an adjusting unit adjusting the irradiation angle of the heater with respect to the substrate.

상기 가열 수단은 상기 지지부의 외측 상부에 마련된 측면부를 더 포함하고, 상기 조절부는 상기 지지부 및 측면부의 적어도 어느 하나에 마련되어 상기 지지부 및 측면부의 적어도 어느 하나의 기울기를 조절한다.The heating means may further include a side surface portion provided on an upper side of the support portion, and the adjustment portion may be provided on at least one of the support portion and the side surface portion to adjust the tilt of at least one of the support portion and the side surface portion.

상기 가열 수단은, 상기 챔버 내부의 중심 영역을 가열하는 제 1 가열 수단과, 상기 챔버 내부의 가장자리 영역을 가열하는 제 2 가열 수단을 포함하고, 상기 제 1 가열 수단 또는 제 2 가열 수단의 어느 하나는 다른 하나의 하측에 마련된다.Wherein the heating means includes a first heating means for heating a central region inside the chamber and a second heating means for heating an edge region inside the chamber, Is provided on the lower side of the other.

상기 조절부는 상기 지지부를 관통하도록 형성된 볼트탭과, 상기 볼트탭에 체결되고 상기 측면부의 하면과 접촉되는 볼트를 포함하고, 상기 볼트의 움직임에 따라 상기 측면부의 기울기가 조절된다.The adjusting portion includes a bolt formed to penetrate the supporting portion, and a bolt coupled to the bolt tab and contacting the lower surface of the side portion. The inclination of the side portion is adjusted according to the movement of the bolt.

상기 조절부는 상기 지지부를 관통하도록 형성된 관통홀과, 상기 관통홀 내에 마련되고 상기 측면부의 하면과 접촉되는 핀을 포함하고, 상기 핀의 움직임에 따라 상기 측면부의 기울기가 조절된다.The adjusting portion includes a through hole formed to penetrate the support portion and a pin provided in the through hole and in contact with the lower surface of the side portion, and the inclination of the side portion is adjusted according to the movement of the fin.

상기 조절부는 상기 측면부의 내측 및 외측의 적어도 어느 한 영역에 대응되도록 적어도 하나 마련된다.At least one of the regulating portions is provided so as to correspond to at least one of the inner side and the outer side of the side portion.

상기 조절부는 상기 지지부의 내측 하면에 마련되어 상기 지지부의 기울기를 조절한다.The adjustment portion is provided on the inner bottom surface of the support portion to adjust the inclination of the support portion.

상기 가열 수단은 동일 평면 상에서 적어도 둘 이상으로 분할되어 마련된다.The heating means is divided into at least two on the same plane.

상기 조절부는 상기 복수의 가열 수단의 상기 측면부의 각각에 마련되어 상기 측면부의 기울기를 조절한다.The adjusting portion is provided on each of the side portions of the plurality of heating means to adjust the inclination of the side portion.

상기 히터의 기울기는 상기 기판을 가열하는 도중 또는 기판을 가열하기 이전에 조절된다.The slope of the heater is adjusted during heating of the substrate or before heating of the substrate.

상기 히터의 각도는 상기 기판을 가열하는 도중 또는 기판을 가열하기 이전에 조절된다.
The angle of the heater is adjusted during heating of the substrate or before heating of the substrate.

본 발명의 실시 예들은 가열 수단의 적어도 일부에 조절부를 마련하고, 조절부에 의해 가열 수단의 적어도 일부의 기울기를 조절함으로써 램프 히터의 조사 각도를 조절할 수 있다. 따라서, 챔버 내부의 온도 분포를 균일하게 조절할 수 있고, 그에 따라 기판 상에 증착되는 박막의 두께 균일성을 향상시킬 수 있다.Embodiments of the present invention can adjust the angle of irradiation of the lamp heater by providing a regulating portion on at least a part of the heating means and adjusting the inclination of at least a part of the heating means by the regulating portion. Accordingly, the temperature distribution inside the chamber can be uniformly adjusted, and the thickness uniformity of the thin film deposited on the substrate can be improved.

뿐만 아니라, 가열 수단을 적어도 둘 이상의 복수로 마련하고 복수의 가열 수단 각각에 조절부를 마련함으로써 복수의 가열 수단의 램프 히터의 조사 각도를 각각 조절할 수 있다. 이에 따라, 챔버 내부의 각 영역에서의 온도를 서로 다르게 조절할 수 있어 필요에 따라 기판 상에 증착되는 박막의 두께를 다르게 할 수도 있다.
In addition, it is possible to adjust the irradiation angle of the lamp heater of each of the plurality of heating means by providing at least two or more heating means in plural and arranging the adjusting means in each of the plural heating means. Accordingly, the temperature in each region of the chamber can be adjusted differently, so that the thickness of the thin film deposited on the substrate may be different if necessary.

도 1은 종래의 기판 처리 장치의 가열 수단의 가열 범위를 도시한 개략도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 가열 수단의 가열 범위를 도시한 개략도.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 가열 수단의 개략도.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 실시 예들에 따른 가열 수단의 부분 단면도.1 is a schematic view showing a heating range of a heating means of a conventional substrate processing apparatus;
2 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
3 is a schematic view showing a heating range of a heating means of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
4 is a schematic view of a heating means according to an embodiment of the invention;
5 to 7 are partial cross-sectional views of heating means according to embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of other various forms of implementation, and that these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know completely.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략 단면도이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 가열 수단의 가열 범위를 도시한 개략도이다. 또한, 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 가열 수단의 개략도이고, 도 5 내지 도 7은 본 발명의 실시 예들에 따른 가열 수단의 부분 개략도이다.FIG. 2 is a schematic sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a schematic view showing a heating range of a heating means of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. 4 is a schematic view of a heating means according to an embodiment of the present invention, and Figs. 5 to 7 are partial schematic views of heating means according to embodiments of the present invention.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 갖는 챔버(100)와, 챔버(100) 내부에 마련되어 기판(10)을 안치하고 회전시키는 기판 안치 수단(200)과, 챔버(100)의 하측에 마련되어 챔버(100) 내부를 가열하는 가열 수단(300)을 포함한다. 여기서, 가열 수단(300)은 챔버(100) 하측의 중심 영역에 위치하여 반응 공간의 중심 영역을 가열하는 제 1 가열 수단(300a)과, 챔버(100)의 하측 가장자리 영역에 위치하여 반응 공간의 가장자리 영역을 가열하는 제 2 가열 수단(300b)을 포함할 수 있다. 또한, 가열 수단(300)은 도 3에 도시된 바와 같이 상측 및 하측으로 각도가 조절되어 기판(10)의 조사 영역을 조절할 수 있다. 여기서, 가열 수단(300)은 기판(10)을 가열하기 이전 또는 기판(10)을 가열하는 동안에 조사 각도가 조절될 수 있다. 한편, 챔버(100)의 상부에 위치하여 반응 공간을 가열하는 상측 가열 수단(400)을 더 포함할 수 있다. 물론, 도시되지 않았지만 반응 공간(101)에 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생 장치가 마련될 수도 있다.2 to 4, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber 100 having a reaction space, substrate holding means provided inside the chamber 100 for holding and rotating the substrate 10 200 and a heating means 300 provided under the chamber 100 for heating the inside of the chamber 100. The heating means 300 includes a first heating means 300a positioned at a central region below the chamber 100 to heat the central region of the reaction space and a second heating means 300b located at the lower edge region of the chamber 100, And second heating means 300b for heating the edge region. In addition, the heating means 300 can adjust the irradiation region of the substrate 10 by adjusting the angle to the upper side and the lower side as shown in FIG. Here, the heating means 300 can adjust the irradiation angle before heating the substrate 10 or while heating the substrate 10. The apparatus may further include an upper heating unit 400 positioned above the chamber 100 to heat the reaction space. Of course, although not shown, a plasma generating device for generating plasma in the reaction space 101 may be provided.

챔버(100)는 반응 공간(101)을 형성하는 챔버 몸체(110), 상부돔(120) 및 하부돔(130)을 구비한다. 챔버 몸체(110)는 상하부가 개방된 원통 형상으로 제작된다. 즉, 원형의 띠 형태로 제작된다. 그러나, 이에 한정되지 않고 다각형의 통 형상으로 제작될 수도 있다. 챔버 몸체(110)는 일부 또는 모두가 예를 들어 알루미늄 또는 스테인레스 등의 금속 재질로 제작될 수 있다. 이러한 챔버 몸체(110)는 챔버(100) 내의 반응 공간의 측벽면 역할을 한다. 한편, 도시되지 않았지만, 챔버 몸체(110)의 일부에는 기판이 출입하는 기판 출입구와, 반응 공간에 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급 장치가 형성될 수도 있다. 상부돔(120)은 챔버 몸체(110)의 상부 커버, 즉 챔버(100)의 상부벽이 된다. 상부돔(120)은 돔의 하부 영역, 즉 돔의 가장자리 영역이 챔버 몸체(110)의 상부면에 부착되어 반응 공간의 상부 영역을 밀폐시킨다. 이때, 상부돔(120)은 탈착 가능하게 챔버 몸체(110)에 부착되는 것이 바람직하다. 상부돔(120)은 제 3 가열수단(300)의 열이 반응 공간에 효과적으로 전달될 수 있도록 열 전도성이 우수한 물질로 제작된다. 즉, 상부 돔(120)으로 복사열을 반응 공간에 잘 전달할 수 있는 예를 들어 석영 등의 투광성 판으로 제작할 수도 있다. 따라서, 챔버(100)의 반응 공간에서 상부돔(120) 방향으로 전도되는 복사열이 상부돔(120)을 투과한다. 그리고, 투과한 복사열은 제 3 가열 수단(300)에 의해 반사되어 다시 상부돔(120)을 투과하여 챔버(100)의 반응 공간에 전도될 수 있다. 물론, 상부돔(120)은 이에 한정되지 않고 다양한 물질로 제작될 수 있는데, 예를 들어 세라믹 재질로 제작될 수도 있다. 하부돔(130)은 챔버 몸체(110)의 하부 커버, 즉 챔버(100)의 바닥면이 된다. 하부돔(130)은 챔버 몸체(110)의 하부면에 부착되어 반응 공간의 하부 영역을 밀폐시킨다. 이러한 하부돔(130)은 예를 들어 석영 등의 광 투과성 물질로 제작될 수 있다. 따라서, 하부돔(130)은 챔버(100) 외측에 위치한 제 1 가열 수단(300) 및 제 2 가열 수단(400)의 복사열이 챔버(100) 내부의 반응 공간으로 전달되도록 한다. 또한, 하부돔(130)은 일부 영역만이 광 투과성 물질로 제작될 수 있고, 나머지 영역은 열 전도성의 우수한 불투광성 물질로 제작될 수도 있다. 한편, 하부돔(130)은 도 2에 도시된 바와 같이 하향 경사진 바닥판(131)과, 바닥판의 중심에서 하측 방향으로 돌출 연장된 연장관(132)을 구비할 수 있고, 바닥판(131)은 상하부가 개방된 역상의 원뿔 형상으로 제작된다. 이렇게 챔버 몸체(110), 상부돔(120) 및 하부돔(130)의 결합에 의해 반응 공간을 갖는 챔버(100)가 제작된다. 또한, 챔버(100)에는 압력 조절 장치, 압력 측정 장치 및 챔버(100) 내부를 점검하기 위한 각종 장치들이 설치될 수 있다. 뿐만 아니라, 챔버(100) 내부의 불순물 및 미반응 물질을 배기하기 위한 배기 수단이 더 마련될 수도 있고, 챔버(100) 외부에서 내부 반응 공간을 들여다 볼 수 있는 뷰포트(view port)가 설치될 수도 있다.The chamber 100 includes a chamber body 110, an upper dome 120 and a lower dome 130 forming a reaction space 101. The chamber body 110 is formed in a cylindrical shape with upper and lower portions opened. That is, it is formed in the shape of a circular band. However, it is not limited to this, and it may be formed into a polygonal cylinder. Some or all of the chamber body 110 may be made of a metal material such as aluminum or stainless steel. The chamber body 110 serves as a sidewall of the reaction space in the chamber 100. Although not shown, a part of the chamber body 110 may be provided with a substrate entry / exit port through which the substrate enters and exits, and a gas supply device for supplying reaction gas to the reaction space. The upper dome 120 becomes the upper cover of the chamber body 110, that is, the upper wall of the chamber 100. The upper dome 120 is attached to the upper surface of the chamber body 110 to seal the upper region of the reaction space. At this time, it is preferable that the upper dome 120 is detachably attached to the chamber body 110. The upper dome 120 is made of a material having excellent thermal conductivity so that the heat of the third heating means 300 can be effectively transferred to the reaction space. That is, the upper dome 120 may be made of a translucent plate such as quartz that can transmit radiant heat to the reaction space well. Therefore, radiant heat conducted in the direction of the upper dome 120 in the reaction space of the chamber 100 passes through the upper dome 120. The transmitted radiant heat may be reflected by the third heating means 300 and then transmitted through the upper dome 120 to be transferred to the reaction space of the chamber 100. Of course, the upper dome 120 is not limited thereto and may be made of various materials, for example, a ceramic material. The lower dome 130 is the bottom surface of the chamber body 110, i.e., the bottom surface of the chamber 100. The lower dome 130 is attached to the lower surface of the chamber body 110 to seal the lower region of the reaction space. The lower dome 130 may be made of a light-transmitting material such as quartz. The lower dome 130 allows radiation heat of the first heating means 300 and the second heating means 400 located outside the chamber 100 to be transferred to the reaction space inside the chamber 100. In addition, the lower dome 130 may be made of a light-transmitting material only in a part of the area, and the remaining area may be made of an opaque material having an excellent thermal conductivity. 2, the lower dome 130 may include a downward sloping bottom plate 131 and an extension pipe 132 protruding downward from the center of the bottom plate. The bottom plate 131 ) Are formed in the shape of a conical shape of a reversed phase in which upper and lower portions are opened. Thus, the chamber 100 having the reaction space is manufactured by the combination of the chamber body 110, the upper dome 120, and the lower dome 130. In addition, the chamber 100 may be provided with a pressure regulating device, a pressure measuring device, and various devices for checking the inside of the chamber 100. In addition, an exhaust means for exhausting impurities and unreacted materials in the chamber 100 may be further provided, and a view port for viewing the internal reaction space outside the chamber 100 may be installed have.

기판 안치 수단(200)은 챔버(100) 내의 하측에 마련된다. 이러한 기판 안치 수단(200)은 기판이 안착되는 서셉터(210)와, 서섭터(210)에 접속되어 반응 공간 외측으로 연장된 구동축(220)과, 구동축(220)을 승강 및 회전시키는 구동 장치(230)를 포함한다. 서셉터(210)는 대략 기판(10)과 동일한 판 형상으로 제작되며, 열 전도성이 우수한 물질로 제작된다. 또한, 서셉터(210)에는 적어도 하나의 기판 안치 영역이 마련된다. 이를 통해 서셉터(210) 상에 적어도 하나의 기판(10)이 안치될 수 있다. 구동축(220)은 하부돔(130)의 연장관(132)을 통하여 챔버(100)의 외측으로 연장된다. 또한, 구동 장치(230)는 구동축(220)을 승강 및 회전시킬 수 있는 어떠한 수단이 이용되어도 무방하며, 예를 들어 스테이지를 이용할 수 있다. 이때 스테이지는 승강 및 회전을 위한 모터를 구비할 수 있다. 그리고, 도시되지 않았지만, 기판 안치 수단(200)은 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 돕기 위한 복수의 리프트 핀을 더 구비할 수 있다.The substrate holding means 200 is provided on the lower side in the chamber 100. The substrate holding means 200 includes a susceptor 210 on which a substrate is placed, a drive shaft 220 connected to the sorter 210 and extending to the outside of the reaction space, (230). The susceptor 210 is formed in the same plate shape as the substrate 10, and is made of a material having excellent thermal conductivity. Also, the susceptor 210 is provided with at least one substrate seating area. Whereby at least one substrate 10 can be placed on the susceptor 210. The drive shaft 220 extends outwardly of the chamber 100 through an extension pipe 132 of the lower dome 130. The drive unit 230 may be any means capable of lifting and lowering the drive shaft 220, for example, a stage. At this time, the stage may include a motor for lifting and rotating. Although not shown, the substrate holding means 200 may further include a plurality of lift pins for assisting the loading and unloading of the substrate 10.

가열 수단(300)은 챔버(100) 외부의 하측에 마련되어 챔버(100)의 하부돔(130)을 투과하여 챔버(100) 내부에 복사열을 인가한다. 이러한 가열 수단(300)은 챔버(100) 내의 중심 영역을 가열하는 제 1 가열 수단(300a)과, 챔버(100) 내의 가장자리 영역을 가열하는 제 2 가열 수단(300b)를 포함할 수 있다. 이때, 제 1 가열 수단(300a)은 제 2 가열 수단(300b)보다 하측에 위치할 수 있다. 이러한 가열 수단(300)은 도 4에 도시된 바와 같이 수평으로 마련된 지지부(310)와, 지지부(310)의 외측으로부터 상측으로 연장되며 복수의 홀(321)이 마련된 측면부(320)와, 측면부(320)의 홀(321) 내에 삽입된 복수의 램프 히터(330)와, 지지부(310) 하측에 마련되어 램프 히터(330)의 각도를 조절하는 조절부(340)를 포함한다. 또한, 도시되지 않았지만, 측면부(320)의 상측에 마련된 반사판을 더 포함할 수 있다.The heating means 300 is provided on the lower side of the chamber 100 to apply radiant heat to the inside of the chamber 100 through the lower dome 130 of the chamber 100. The heating means 300 may include a first heating means 300a for heating the central region in the chamber 100 and a second heating means 300b for heating the edge region in the chamber 100. [ At this time, the first heating means 300a may be located below the second heating means 300b. 4, the heating means 300 includes a support portion 310 horizontally provided, a side portion 320 extending upward from the outside of the support portion 310 and having a plurality of holes 321, A plurality of lamp heaters 330 inserted into the holes 321 of the lamp unit 320 and an adjusting unit 340 provided below the supporting unit 310 to adjust the angle of the lamp heater 330. Further, although not shown, a reflector provided above the side portion 320 may further be included.

지지부(310)은 챔버(100)의 형상을 따라 챔버(100)의 하측의 연장관(132)을 둘러싸도록 마련되고, 수평 방향으로 소정의 폭을 갖는 대략 링 형상으로 마련될 수 있다. 이때, 제 2 가열 수단(300b)은 제 1 가열 수단(300a)보다 상측에 마련되고 제 1 가열 수단(300a)은 제 2 가열 수단(300b)의 지지부(310) 내측을 통해 복사열을 인가한다. 따라서, 제 1 가열 수단(300a)의 지지부(310)는 그 외경이 제 2 가열 수단(300b)의 지지부의 내경보다 작거나 같게 마련될 수 있다. 또한, 지지부(310)는 램프 히터(330)에서 발생된 복사열을 반사하여 챔버(100) 내로 향할 수 있도록 복사열을 반사할 수 있는 알루미늄 등의 물질로 제작될 수 있으며, 알루미늄, 금 등이 도금되어 제작될 수 있다.The support 310 may be provided to surround the extension pipe 132 on the lower side of the chamber 100 along the shape of the chamber 100 and may be provided in a substantially ring shape having a predetermined width in the horizontal direction. At this time, the second heating means 300b is provided above the first heating means 300a, and the first heating means 300a applies radiant heat through the inside of the support portion 310 of the second heating means 300b. Therefore, the outer diameter of the support portion 310 of the first heating means 300a may be smaller than or equal to the inner diameter of the support portion of the second heating means 300b. The support 310 may be made of a material such as aluminum capable of reflecting the radiant heat generated by the lamp heater 330 so that the radiant heat can be reflected into the chamber 100, Can be produced.

측면부(320)는 지지부(310)의 외측으로부터 상측으로 연장되어 마련된다. 즉, 측면부(320)는 소정의 폭을 갖는 대략 통 형상을 가지고, 챔버(100) 하부를 둘러싸도록 마련된다. 이러한 측면부(320)에는 복수의 램프 히터(330)가 각각 삽입되는 복수의 홀(321)이 등간격으로 형성되고, 측면부(320) 내에는 복수의 램프 히터(330)를 고정하고 전기적으로 연결되는 복수의 소켓(미도시)이 마련된다. 즉, 복수의 램프 히터(330)는 복수의 홀(321)을 통해 각각 삽입되어 소켓에 고정된다. 또한, 측면부(320)는 일부가 지지부(310)에 접촉되고 일부는 상하 움직임이 가능하도록 마련된다. 이를 위해 예를 들어 측면부(320)의 외측과 지지부(310)의 외측 사이에 측면부(320)와 지지부(310)를 고정하는 동시에 측면부(320)의 상하 움직임을 가능하도록 하는 접이식 힌지 등의 고정 부재(미도시)가 마련될 수 있다. 물론, 접이식 힌지 등의 고정 부재는 측면부(320)의 외측 하면과 지지부(310)의 상면 사이에 마련될 수도 있다. 한편, 측면부(320) 상측에는 가열 수단(300) 외측으로 램프 히터(330)의 복사열이 방출되는 것을 방지하고 챔버(100)로의 복사열 조사를 집중시키기 위해 반사판(미도시)이 마련될 수 있다. 반사판은 램프 히터(340) 측으로 소정 각도를 갖도록 마련될 수 있다. 또한, 반사판은 복사열을 반사할 수 있는 물질, 예를 들어 알루미늄, 금 등이 도금되어 제작될 수 있다.The side portion 320 is provided extending upward from the outside of the support portion 310. That is, the side portion 320 has a substantially cylindrical shape having a predetermined width, and is provided to surround the lower portion of the chamber 100. A plurality of holes 321 into which the plurality of lamp heaters 330 are inserted are formed at equal intervals in the side portion 320 and a plurality of lamp heaters 330 are fixed within the side portion 320, A plurality of sockets (not shown) are provided. That is, the plurality of lamp heaters 330 are inserted through the plurality of holes 321 and fixed to the socket. In addition, the side part 320 is partly contacted with the support part 310, and part of the side part 320 is movable up and down. A fixing member such as a foldable hinge for fixing the side portion 320 and the support portion 310 between the outer side of the side portion 320 and the outer side of the support portion 310 and allowing the side portion 320 to move up and down, (Not shown) may be provided. Of course, a fixing member such as a foldable hinge may be provided between the outer bottom surface of the side portion 320 and the upper surface of the support portion 310. [ A reflector (not shown) may be provided on the upper side of the side portion 320 to prevent radiant heat of the lamp heater 330 from being radiated to the outside of the heating means 300 and concentrate irradiation of the radiant heat to the chamber 100. The reflection plate may be provided at a predetermined angle to the lamp heater 340 side. Further, the reflection plate may be manufactured by plating a material capable of reflecting radiant heat, for example, aluminum, gold, or the like.

램프 히터(330)는 전구 형태 또는 원형 띠 형태를 이용할 수 있다. 본 실시 예에서는 전구 형태의 램프 히터(330)가 이용되며, 예를 들어 할로겐 전구를 이용할 수 있다. 램프 히터(330)는 인가되는 전원에 따라 발생되는 열이 조절될 수 있다. 즉, 램프 히터(330)에 높은 전원이 인가될수록 높은 온도의 열을 방출할 수 있다. The lamp heater 330 may use a bulb shape or a circular band shape. In this embodiment, a bulb type lamp heater 330 is used, and for example, a halogen bulb can be used. The lamp heater 330 can control the heat generated according to the applied power source. That is, as the high power source is applied to the lamp heater 330, heat of a high temperature can be emitted.

조절부(340)는 가열 수단(300)의 적어도 일부를 상측 또는 하측으로 이동시키고, 그에 따라 램프 히터(330)의 복사열 조사 각도가 조절되도록 한다. 이러한 조절부(340)는 지지부(310) 하측의 측면부(320)에 대응되는 영역에 마련될 수 있다. 예를 들어, 도 5(a)에 도시된 바와 같이 지지부(310)를 관통하여 복수의 볼트탭(341)이 형성되고, 복수의 볼트(342)가 볼트탭(341)에 결합되어 볼트(342)의 상면이 측면부(320)의 하측에 접촉된다. 이때, 볼트탭(341)은 측면부(320)의 내측에 대응되는 영역의 지지부(310)에 형성된다. 따라서, 볼트(342)가 일 방향으로 회전하여 상측으로 이동하는 경우 도 5(b)에 도시된 바와 같이 측면부(320)의 내측도 상측으로 이동하게 된다. 즉, 측면부(320)가 외측으로 기울어지게 된다. 이때, 측면부(320)와 지지부(310) 사이에 접이식 힌지 등이 마련되므로 지지부(310)로부터 측면부(320)가 이탈되지는 않는다. 측면부(320)가 외측으로 기울어지게 되면 그에 따라 램프 히터(330)도 상측을 향하도록 이동된다. 따라서, 램프 히터(330)의 복사열의 조사 부분이 도 3에 도시된 바와 같이 기판(10)의 외측으로 이동하게 된다. 이와 반대로, 볼트(342)가 타 방향으로 회전하여 하측으로 이동하는 경우 측면부(320)의 내측도 하측으로 이동하게 된다. 따라서, 램프 히터(330)도 하측을 이동하고 그에 따라 램프 히터(330)가 도 3에 도시된 바와 같이 챔버(100)의 중심 부분을 향하게 된다. 이렇게 볼트(342)의 회전에 의해 측면부(320)의 기울기를 조절할 수 있고, 그에 따라 램프 히터(330)의 조사 방향을 조절할 수 있다. 한편, 램프 히터(330)의 복사열 조사 각도를 조절하기 위해 조절부(340)를 구동하는 구동부(미도시) 및 제어부(미도시)가 더 마련될 수 있다. 구동부는 DC 모터 등을 이용하여 모터의 회전에 의해 볼트(342)를 회전시킬 수 있다. 또한, 제어부는 볼트(342)의 회전을 제어하여 램프 히터(330)의 조사 각도를 제어하기 위해 구동부를 제어할 수 있다.
The adjusting unit 340 moves at least a part of the heating means 300 upward or downward so that the radiant heating angle of the lamp heater 330 is adjusted accordingly. The adjustment portion 340 may be provided in a region corresponding to the side portion 320 on the lower side of the support portion 310. For example, as shown in FIG. 5A, a plurality of bolt tabs 341 are formed to penetrate through the support portion 310, and a plurality of bolts 342 are coupled to the bolt tabs 341, Is brought into contact with the lower side of the side portion 320. [ At this time, the bolt tab 341 is formed in the support portion 310 of the region corresponding to the inside of the side portion 320. Accordingly, when the bolt 342 rotates in one direction and moves upward, the inside of the side portion 320 also moves upward as shown in FIG. 5 (b). That is, the side portion 320 is inclined outward. At this time, since the folding hinge is provided between the side part 320 and the support part 310, the side part 320 is not separated from the support part 310. When the side portion 320 is tilted outwardly, the lamp heater 330 is also moved upward. Therefore, the irradiated portion of the radiant heat of the lamp heater 330 is moved to the outside of the substrate 10 as shown in Fig. In contrast, when the bolt 342 rotates in the other direction and moves downward, the inside of the side portion 320 also moves downward. Accordingly, the lamp heater 330 also moves downward, so that the lamp heater 330 is directed to the central portion of the chamber 100 as shown in FIG. The inclination of the side portion 320 can be adjusted by the rotation of the bolt 342, and the irradiation direction of the lamp heater 330 can be adjusted accordingly. A driving unit (not shown) and a control unit (not shown) may be further provided to drive the adjusting unit 340 to adjust the radiant heating angle of the lamp heater 330. The driving unit can rotate the bolt 342 by the rotation of the motor using a DC motor or the like. Further, the control unit may control the driving unit to control the angle of irradiation of the lamp heater 330 by controlling the rotation of the bolt 342.

상기한 바와 같이 본 발명의 일 실시 예는 가열 수단(300)의 하측에 측면부(320)의 내측과 접촉되도록 볼트(342) 등의 조절부(340)를 마련하고, 조절부(340)의 회전에 의해 측면부(320)의 기울어짐 각도를 조절함으로써 도 3에 도시된 바와 같이 램프 히터(330)의 각도를 조절할 수 있다. 이렇게 램프 히터(330)의 각도를 조절함으로써 챔버(100) 내부의 온도를 전체적으로 균일하게 조절하거나 챔버(100) 내부의 온도를 부분적으로 제어할 수 있다. 예를 들어, 기판(10)의 가장자리에서의 막 두께가 중앙부보다 얇게 형성되는 경우 제 2 가열 수단(300b)이 기판(10)의 가장자리를 향하도록 램프 히터(340)의 조사 각도를 상측으로 이동시킬 수 있다. 그에 따라 막 두께가 얇은 부분에 복사열을 더 조사하여 온도를 상승시킴으로써 박막의 증착 두께를 증가시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 램프 히터(340)의 조사 각도를 조절함으로써 기판(10) 상의 임의의 영역의 박막 증착 두께를 다른 영역과 다르게 조절할 수도 있다.
As described above, according to one embodiment of the present invention, the adjusting unit 340 such as the bolt 342 is provided on the lower side of the heating unit 300 so as to be in contact with the inside of the side 320, The angle of the ramp heater 330 can be adjusted as shown in FIG. 3 by adjusting the inclination angle of the side portion 320 by the inclination angle. By adjusting the angle of the lamp heater 330, the temperature inside the chamber 100 can be uniformly adjusted as a whole or the temperature inside the chamber 100 can be partially controlled. For example, when the film thickness at the edge of the substrate 10 is thinner than the central portion, the irradiation angle of the lamp heater 340 is moved upward so that the second heating means 300b faces the edge of the substrate 10 . Accordingly, it is possible to increase the deposition thickness of the thin film by further radiating radiant heat to the thinner portion and raising the temperature. In addition, by adjusting the irradiation angle of the lamp heater 340, the thin film deposition thickness of an arbitrary region on the substrate 10 may be adjusted differently from other regions.

또한, 도 6(a)에 도시된 바와 같이 두 개의 볼트(342)가 측면부(320)의 내측 및 외측에 각각 대응되도록 마련될 수 있다. 이때, 내측의 볼트(322a)와 외측의 볼트(342b)은 측면부(320)의 예를 들어 내측을 이동시키기 위해 회전 속도가 다르게 동일 방향으로 회전할 수도 있다. 예를 들어, 내측의 볼트(342a)가 일 방향으로 소정 회 회전할 때 회측의 볼트(342b)가 동일 방향으로 이보다 적은 수로 회전할 수 있다. 이렇게 되면 도 6(b)에 도시된 바와 같이 측면부(320)의 내측이 외측보다 높게 이동할 수 있고, 그에 따라 램프 히터(330)가 상측을 향하도록 할 수 있다. 또한, 내측의 볼트(342a)가 일 방향으로 소정 회 회전할 때 회측의 볼트(342b)가 동일 방향으로 이보다 많은 수로 회전하게 되면, 도 6(c)에 도시된 바와 같이 측면부(320)의 외측이 내측보다 높게 이동할 수 있고, 그에 따라 램프 히터(330)가 하측을 향하도록 할 수 있다. 이때, 측면부(320)의 내측 하면과 지지부(310)의 상면 사이, 그리고 측면부(320)의 외측 하면과 지지부(310)의 상면 사이의 적어도 어느 한 부분에 접이식 힌지 등의 고정 부재가 마련될 수 있다.
6 (a), two bolts 342 may be provided so as to correspond to the inside and the outside of the side portion 320, respectively. At this time, the inner bolt 322a and the outer bolt 342b may rotate in the same direction with different rotational speeds to move the inner side of the side portion 320, for example. For example, when the bolt 342a on the inner side rotates a predetermined number of times in one direction, the bolt 342b on the side can rotate in the same direction in a smaller number. 6 (b), the inside of the side portion 320 can move higher than the outside, so that the lamp heater 330 can be directed upward. When the inner bolt 342a rotates a predetermined number of times in one direction, when the bolt 342b on the side of rotation rotates in a larger number in the same direction, as shown in Fig. 6 (c), the outer side of the side portion 320 So that the lamp heater 330 can be directed to the lower side. At this time, a fixing member such as a foldable hinge may be provided on at least one portion between the inner bottom surface of the side portion 320 and the upper surface of the support portion 310, and between the outer bottom surface of the side portion 320 and the upper surface of the support portion 310 have.

한편, 상기 본 발명의 일 실시 예는 볼트탭(341) 및 볼트(342)를 이용하여 조절부(340)를 제작하였으나, 예를 들어 지지부(310)에 관통홀이 형성되고 관통홀을 삽입되도록 핀이 마련되어 조절부(340)를 제작할 수도 있다. 핀은 예를 들어 측면부(320) 내측의 하면에 접촉되어 측면부(320) 내측을 상측 및 하측으로 이동시킬 수 있다. 또한, 핀을 상하 이동을 제어하기 위해 예를 들어 구동부 및 제어부가 마련될 수 있는데, 구동부는 유압 방식으로 핀을 이동시키고, 제어부는 구동부를 제어하여 핀에 인가되는 유압이 조절되도록 할 수 있다.
Although the adjusting part 340 is manufactured using the bolt tab 341 and the bolt 342 according to an embodiment of the present invention, for example, the through hole may be formed in the supporting part 310, The adjusting portion 340 may be manufactured by providing pins. The pin may contact the lower surface of the inside of the side portion 320, for example, to move the inside of the side portion 320 upward and downward. In addition, for example, a driving unit and a control unit may be provided to control the up and down movement of the pin. The driving unit moves the pin in a hydraulic manner, and the control unit controls the driving unit to adjust the hydraulic pressure applied to the pin.

또한, 상기 실시 예들은 조절부(340)가 지지부(310)를 관통하여 측면부(320) 하측에 접촉되어 측면부(320)의 일부를 이동시키는 경우를 설명하였으나, 도 7(a)에 도시된 바와 같이 지지부(310)의 내측에 조절부(340)가 마련되어 지지부(310)의 내측을 상측으로 이동시킬 수 있다. 이때, 조절부(340)가 상측으로 이동됨으로써 지지부(310)의 내측이 도 7(b)에 도시된 바와 같이 상측으로 이동된다. 이에 따라 측면부(320)도 함께 이동하여 램프 히터(340)도 상측을 향하도록 이동될 수 있다. 즉, 가열 수단(300) 전체가 이동될 수 있다.
In the above-described embodiments, the adjustment unit 340 is moved down through the support unit 310 to contact the lower side of the side unit 320 to move a part of the side unit 320. However, as shown in FIG. 7A The adjustment unit 340 may be provided inside the support unit 310 to move the inside of the support unit 310 upward. At this time, as the adjustment portion 340 is moved upward, the inside of the support portion 310 is moved upward as shown in FIG. 7 (b). Accordingly, the side portion 320 also moves together so that the lamp heater 340 can also be moved upward. That is, the entire heating means 300 can be moved.

한편, 조절부(340)는 상기 실시 예들에 설명된 구조뿐만 아니라 다양한 방식으로 변형이 가능하다. 즉, 본 발명에 따른 조절부(340)는 가열 수단(300)의 지지부(310) 및 측면부(320)의 적어도 어느 하나를 적어도 일 부분이 기울어지도록 마련됨으로써 램프 히터(330)의 조사 각도를 조절할 수 있는 구성 또는 방식이면 어느 것이나 가능하다. 예를 들어 지지부(310)가 측면부(320)의 하측을 모두 지지하지 않고 일부만 지지하고, 지지부(310)가 제거된 영역의 측면부(320) 하측에 조절부(340)를 마련할 수 있다. 조절부(340)는 측면부(320) 하측에 마련되어 측면부(320)의 각도를 조절하는 틸팅 부재(미도시)와, 틸팅 부재의 일측에 마련되어 틸팅 부재를 구동시키는 구동 부재(미도시)를 포함할 수 있다. 이러한 조절부(340)는 구동 부재(342)가 예를 들어 일 방향으로 회전하면 틸팅 부재가 상측 또는 하측으로 구동하고 그에 따라 측면부(320)가 상측 또는 하측으로 이동하게 된다. 한편, 지지부(310)의 외측와 측면부(320)의 하측 사이에 접이식 힌지 등의 고정 부재가 마련되어 측면부(320)의 기울기가 조절되더라도 지지부(310)로부터 측면부(320)가 이탈되는 것을 방지할 수 있다.
Meanwhile, the control unit 340 can be modified in various ways as well as the structure described in the above embodiments. That is, the adjusting unit 340 according to the present invention is provided so that at least one portion of at least one of the supporting portion 310 and the side portion 320 of the heating means 300 is inclined at a certain angle, thereby adjusting the irradiation angle of the lamp heater 330 Or the like. For example, the support portion 310 supports only a part of the side portion 320 without supporting the lower portion thereof, and the adjustment portion 340 can be provided below the side portion 320 of the region where the support portion 310 is removed. The adjustment unit 340 includes a tilting member (not shown) provided below the side portion 320 to adjust the angle of the side portion 320 and a driving member (not shown) provided at one side of the tilting member to drive the tilting member . When the driving member 342 rotates in one direction, for example, the adjusting unit 340 drives the tilting member upward or downward, so that the side portion 320 moves upward or downward. A fixing member such as a folding hinge is provided between the outer side of the support portion 310 and the lower side of the side portion 320 to prevent the side portion 320 from being separated from the support portion 310 even if the inclination of the side portion 320 is adjusted .

또한, 본 발명의 실시 예들에 따른 가열 장치(300)는 챔버(100) 하측에 하나로 마련될 수 있으나, 적어도 둘 이상 분할되어 마련될 수 있다. 이렇게 가열 장치(300)가 적어도 둘 이상으로 분할되어 마련되는 경우 조절부(340)는 복수의 가열 장치(300)에 각각 마련될 수 있다. 또한, 이 경우 측면부(320)의 측면, 즉 램프 히터가 마련되는 측면부(320)의 일측과 대향되는 타측에 조절부(340)가 마련될 수 있다. 조절부(340)는 틸팅 힌지(미도시)와 틸팅 힌지의 각도 조절을 위한 조절 부재(미도시)를 포함할 수 있다.
In addition, the heating apparatus 300 according to the embodiments of the present invention may be provided under the chamber 100, but may be divided into at least two or more chambers. When the heating apparatus 300 is divided into at least two or more units, the controller 340 may be provided in each of the plurality of heating apparatuses 300. In this case, the adjusting portion 340 may be provided on the side of the side portion 320, that is, on the other side of the side portion 320 where the lamp heater is provided. The adjuster 340 may include a tilting hinge (not shown) and an adjusting member (not shown) for adjusting the angle of the tilting hinge.

본 발명의 기술적 사상은 상기 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
Although the technical idea of the present invention has been specifically described according to the above embodiments, it should be noted that the above embodiments are for explanation purposes only and not for the purpose of limitation. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention.

100 : 챔버 200 : 기판 안착 수단
300 : 가열 수단 310 : 지지부
320 : 측면부 330 : 램프 히터
350 : 조절부100: chamber 200: substrate seating means
300: Heating means 310: Support
320: side portion 330: lamp heater
350:

Claims

반응 공간을 갖는 챔버;
상기 챔버 외측에 마련되어 상기 챔버 내부를 가열하는 가열 수단을 포함하고,
상기 가열 수단은,
히터;
상기 히터를 지지하는 지지부; 및
상기 히터의 기울기를 조절하는 조절부를 포함하는 기판 처리 장치.
A chamber having a reaction space;
And heating means provided outside the chamber for heating the inside of the chamber,
The heating means,
heater;
A support for supporting the heater; And
And an adjusting unit for adjusting the inclination of the heater.

반응 공간 내에 기판을 수용하는 챔버;
상기 기판 하측에 마련되어 상기 기판을 가열하는 가열 수단을 포함하고,
상기 가열 수단은,
히터;
상기 히터를 지지하는 지지부; 및
상기 기판에 대한 상기 히터의 조사 각도를 조절하는 조절부를 포함하는 기판 처리 장치.
A chamber for receiving a substrate within a reaction space;
And heating means provided below the substrate for heating the substrate,
The heating means,
heater;
A support for supporting the heater; And
And an adjusting unit for adjusting an irradiation angle of the heater with respect to the substrate.

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 가열 수단은 상기 지지부의 외측 상부에 마련된 측면부를 더 포함하고,
상기 조절부는 상기 지지부 및 측면부의 적어도 어느 하나에 마련되어 상기 지지부 및 측면부의 적어도 어느 하나의 기울기를 조절하는 기판 처리 장치.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the heating means further includes a side portion provided on the upper side of the support portion,
Wherein the adjusting portion is provided on at least one of the supporting portion and the side surface portion to adjust the tilt of at least one of the supporting portion and the side surface portion.

제 3 항에 있어서, 상기 가열 수단은,
상기 챔버 내부의 중심 영역을 가열하는 제 1 가열 수단과,
상기 챔버 내부의 가장자리 영역을 가열하는 제 2 가열 수단을 포함하고,
상기 제 1 가열 수단 또는 제 2 가열 수단의 어느 하나는 다른 하나의 하측에 마련되는 기판 처리 장치.
4. The apparatus according to claim 3,
A first heating means for heating a central region inside the chamber,
And second heating means for heating the edge region inside the chamber,
Wherein either one of the first heating means or the second heating means is provided on the lower side of the other.

제 4 항에 있어서, 상기 조절부는 상기 지지부를 관통하도록 형성된 볼트탭과, 상기 볼트탭에 체결되고 상기 측면부의 하면과 접촉되는 볼트를 포함하고, 상기 볼트의 움직임에 따라 상기 측면부의 기울기가 조절되는 기판 처리 장치.
[5] The apparatus as claimed in claim 4, wherein the adjuster comprises: a bolt formed to penetrate through the support; and a bolt coupled to the bolt tab and contacting the lower surface of the side portion, wherein the inclination of the side portion is adjusted according to the movement of the bolt / RTI >

제 4 항에 있어서, 상기 조절부는 상기 지지부를 관통하도록 형성된 관통홀과, 상기 관통홀 내에 마련되고 상기 측면부의 하면과 접촉되는 핀을 포함하고, 상기 핀의 움직임에 따라 상기 측면부의 기울기가 조절되는 기판 처리 장치.
[5] The apparatus of claim 4, wherein the regulating portion includes a through hole formed to penetrate the support portion, and a pin provided in the through hole and in contact with a lower surface of the side portion, wherein a slope of the side portion is adjusted / RTI >

제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 조절부는 상기 측면부의 내측 및 외측의 적어도 어느 한 영역에 대응되도록 적어도 하나 마련되는 기판 처리 장치.
The substrate processing apparatus according to claim 5 or 6, wherein at least one of the regulating portions is provided so as to correspond to at least one of an inner side and an outer side of the side portion.

제 4 항에 있어서, 상기 조절부는 상기 지지부의 내측 하면에 마련되어 상기 지지부의 기울기를 조절하는 기판 처리 장치.
The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the adjusting portion is provided on an inner bottom surface of the supporting portion to adjust a tilt of the supporting portion.

제 4 항에 있어서, 상기 가열 수단은 동일 평면 상에서 적어도 둘 이상으로 분할되어 마련되는 기판 처리 장치.
The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the heating means is divided into at least two or more portions on the same plane.

제 9 항에 있어서, 상기 조절부는 상기 복수의 가열 수단의 상기 측면부의 각각에 마련되어 상기 측면부의 기울기를 조절하는 기판 처리 장치.
10. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the adjusting section is provided on each of the side portions of the plurality of heating means to adjust the inclination of the side portion.

제 1 항에 있어서, 상기 히터의 기울기는 상기 기판을 가열하는 도중 또는 기판을 가열하기 이전에 조절되는 기판 처리 장치.
The apparatus of claim 1, wherein the slope of the heater is adjusted during heating of the substrate or before heating of the substrate.

제 2 항에 있어서, 상기 히터의 각도는 상기 기판을 가열하는 도중 또는 기판을 가열하기 이전에 조절되는 기판 처리 장치.3. The apparatus of claim 2, wherein the angle of the heater is adjusted during heating of the substrate or before heating of the substrate.