KR20140049314A - 신축성 전자 디바이스 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 신축성 전자 디바이스 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 제조방법은, 제 1 기판 상에 코일 배선들을 형성하는 단계와, 상기 코일 배선을 덮는 제 1 신축 절연 층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 신축 절연 층 상에 제 2 기판을 형성하는 단계와, 상기 코일 배선 및 상기 제 1 신축 절연 층으로부터 상기 제 1 기판을 분리하는 단계와, 상기 코일 배선 상에 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 전자 디바이스 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 신축성 전자 디바이스 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
신축성 전자 디바이스는 외부에서 작용하는 응력에 의해 기판이 확장(expended)되더라도 전기적인 기능을 그대로 유지할 수 있다. 신축성 전자 디바이스는 단순한 휨 (bendable) 및/또는 유연(flexible) 소자의 한계를 뛰어넘어 로봇용 센서 피부, wearable 통신 소자, 인체내장/부착형 바이오 소자, 차세대 디스플레이 등 다양한 분야의 응용 가능성을 가지고 있다.
종래의 신축성 전자 디바이스는 금속 배선의 확장이 가능한 구조를 가질 수 있다. 금속 배선은 미리 당겨진(pre-strained) 신축성 기판 표면에 전사된 뒤에 상기 신축성 기판의 수축에 의해 물결 모양으로 형성될 수 있다. 금속 배선은 전자 디바이스의 확장능력(stretchability)을 부여할 수 있다. 그러나, 종래의 신축 전자 디바이스는 초기에 기판에 가해진 pre-strain의 양에 의해 금속 배선의 확장능력이 제한될 수 있다. 또한, 물결 모양의 금속 배선은 일반적인 반도체 소자 제작공정에 비해 과정이 복잡하여 대면적 적용 및 신뢰성 확보가 어렵다는 단점을 갖는다.
다른 종래의 신축성 전자 디바이스는 금속 대신 전도성을 갖는 신축성 소재의 배선을 포함할 수 있다. 전도성 신축 소재는 주로 전도성 고분자, 탄소나노튜브, 그래핀 등의 전도성 물질을 포함한다. 그러나, 전도성 신축 소재는 확장능력이 높은 반면 금속에 비해 전기저항이 높고 마이크로미터 수준의 미세 패터닝이 어렵다는 단점을 가질 수 있다
또 다른 종래의 신축성 전자 디바이스는 2차원 평면 스프링 모양의 배선을 포함할 수 있다. 스프링 모양의 배선은 배선제작 공정이 일반적인 반도체 소자 공정과 호환되어 비용 절감 및 신뢰성 확보가 용이하고, 높은 전도성을 가질 수 있다. 그러나, 스프링 모양의 배선은 신축될 때, 배선의 특정 부위에만 국부적으로 변형량이 집중되어 파손을 유발하므로 확장율을 높이는 데에 한계가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 입체적 코일 배선을 갖는 신축성 전자 디바이스 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 과제는 코일 배선의 단선을 최소화 또는 제거할 수 있는 신축성 전자 디바이스 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 신축성 전자 디바이스의 제조방법은, 제 1 기판 상에 코일 배선들을 형성하는 단계;상기 코일 배선을 덮는 제 1 신축 절연 층을 형성하는 단계; 상기 제 1 신축 절연 층 상에 제 2 기판을 형성하는 단계; 상기 코일 배선 및 상기 제 1 신축 절연 층으로부터 상기 제 1 기판을 분리하는 단계; 및 상기 코일 배선 상에 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 코일 배선의 형성 단계는, 상기 제 1 기판 상에 희생 층을 형성하는 단계; 상기 희생 층 상에 제 1 배선들을 형성하는 단계; 상기 제 1 배선들 상에 기둥 배선들을 형성하는 단계; 및 상기 기둥 배선들 상에 제 2 배선들을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 희생 층은 포토레지스트, 폴리 실리콘, 실리콘 산화막, 또는 실리콘 질화막을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제 1 기판의 분리 단계는, 상기 희생 층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 제 1 배선들의 형성 단계는, 상기 희생 층 상에 제 1 씨드 층을 형성하는 단계; 상기 제 1 씨드 층의 일부 상에 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 포토레지스트 패턴에 의해 노출되는 상기 제 1 씨드 층 상에 제 1 캡 배선 층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제 1 캡 배선 층은 전해 도금 방법으로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 기둥 배선들의 형성 단계는, 상기 제 1 캡 배선 층의 일부와, 상기 제 1 씨드 층 상에 제 2 포토레지스트 패턴 층을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 캡 배선 층 상에 기둥 배선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제 2 배선의 형성 단계는, 상기 기둥 배선 및 상기 제 2 포토레지스트 패턴 상에 제 2 씨드 층을 형성하는 단계; 상기 제 2 씨드 층의 일부에 제 3 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제 3 포토레지스트 패턴으로부터 노출되는 상기 제 2 씨드 층 상에 제 2 캡 배선 층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 코일 배선의 형성 단계는, 상기 제 3 포토 레지스트 패턴과, 상기 제 2 캡 배선 층으로부터 노출되는 상기 제 2 씨드 층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제 2 씨드 층은 식각될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 코일 배선의 형성 단계는, 상기 제 2 포토 레지스트 패턴과, 상기 제 1 캡 배선 층으로부터 노출되는 상기 제 1 씨드 층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제 1 씨드 층은 식각될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 트랜지스터의 형성 후에, 제 2 신축성 절연 층을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 기판을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 신축성 전자 디바이스는, 신축 절연 층; 상기 신축 절연 층 내의 트랜지스터들; 및 상기 트랜지스터들 사이에 지그재그로 연결되고 상기 신축 절연 층의 수축 또는 팽창에 의해 신축(stretched)되는 배선을 포함한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 신축 절연 층은 탄성 중합체를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 탄성 중합체는 피디엠에스(PDMS)를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 배선은 코일 배선을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 코일 배선은, 제 1 배선; 상기 제 1 배선 상에 형성된 기둥 배선; 및 상기 기둥 배선 상에 형성된 제 2 배선을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제 1 배선은 제 1 씨드 층과 제 1 캡 배선 층을 포함하고, 상기 제 2 배선은 제 2 씨드 층과 제 2 캡 배선 층을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 신축성 전자 디바이스는 트랜지스터와, 코일 배선과, 신축 절연 층을 포함할 수 있다. 트랜지스터와 코일 배선은 신축 절연 층 내에 배치된다. 코일 배선은 포토리소그래피 공정 및 전해도금방법에 의해 입체적으로 형성될 수 있다. 코일 배선은 하부 배선들, 상부 배선들, 및 기둥 배선들을 포함할 수 있다. 상부 배선들과 하부 배선들은 지그 재그 모양으로 연장될 수 있다. 지그 재그 모양의 코일 배선은 신축 절연 층의 수축 팽창 시에 변형의 집중 현상이 억제될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 신축성 전자 디바이스는 코일 배선의 단선을 최소화 또는 제거할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 신축성 전자 디바이스를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 코일 배선을 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 1의 단면도이다.
도 4 내지 도 21은 도 3에 근거한 본 발명의 실시 예에 따른 신축성 전자 디바이스의 제조방법을 나타낸 공정 단면도들이다.
도 2는 도 1의 코일 배선을 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 1의 단면도이다.
도 4 내지 도 21은 도 3에 근거한 본 발명의 실시 예에 따른 신축성 전자 디바이스의 제조방법을 나타낸 공정 단면도들이다.
앞의 일반적인 설명 및 다음의 상세한 설명들은 모두 청구된 발명의 부가적인 설명을 제공하기 위한 예시적인 것이다. 그러므로 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해 질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 포함한다고 언급되는 경우에, 이는 그 외의 다른 구성요소를 더 포함할 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 여기에서 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 신축성 전자 디바이스를 개략적으로 나타내는 사시도이다. 도 2는 도 1의 코일 배선을 나타낸 사시도이다. 도 3은 도 1의 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 신축성 전자 디바이스는 트랜지스터(10), 코일 배선(20) 및 신축 절연 층(30)을 포함할 수 있다.
트랜지스터(10) 및 코일 배선(20)은 신축 절연 층(30) 내에 배치될 수 있다. 트랜지스터(10)는 활성 층(12), 게이트 절연막(14) 및 게이트 전극(16)을 포함할 수 있다. 활성 층(12)은 코일 배선(20)에 연결될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 활성 층(12)은 코일 배선(20) 상의 소스/드레인 영역을 가질 수 있다. 소스/드레인 영역은 도전성 불순물로 도핑될 수 있다. 게이트 절연막(14)은 활성 층(12)을 덮는다. 게이트 전극(16)은 활성 층(12)에 오버랩(overlap)된다.
코일 배선(20)은 신축 절연 층(30) 내에서 신장(stretchable)될 수 있다. 코일 배선(20)은 하부 배선(24), 기둥 배선(28), 및 상부 배선(22)을 포함할 수 있다. 하부 배선(24), 기둥 배선(28) 상부 배선(22)은 입체적(three dimensional)으로 연결될 수 있다. 기둥 배선(28)은 하부 배선(24) 및 상부 배선(22)을 연결할 수 있다. 하부 배선(24) 및 상부 배선(22)은 지그재그로 연장될 수 있다. 신축 절연 층(30)이 신축될 때, 하부 배선(24) 및 상부 배선(22)은 균일하게 신축(stretched)될 수 있다. 코일 배선(20)은 국부적인 변형 집중 현상이 방지될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 신축성 전자 디바이스는 코일 배선(20)의 단선(open)을 최소화 또는 제거할 수 있다.
하부 배선(24)은 하부 씨드 층(25) 및 하부 캡 배선 층(26)을 포함할 수 있다. 상부 배선(22)은 상부 씨드 층(21) 및 상부 캡 배선 층(23)을 포함할 수 있다. 기둥 배선(28)은 상부 캡 배선 층(23)과 하부 씨드 층(25) 사이에 연결될 수 있다.
신축 절연 층(30)은 코일 배선(20)을 신축 가능하게 할 수 있다. 코일 배선(20)은 신축 절연 층(30)의 팽창 또는 수축에 의해 신축(stretched)될 수 있다. 신축 절연 층(30)은 외부의 인장응력(tensile stress)에 의해 탄성 변형될 수 있다. 신축 절연 층(30)은 PDMS(Poly-Dimethyllesiloxane)와 같은 탄성 중합체를 포함할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 실시 예에 따른 신축성 전자 디바이스의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 4 내지 도 21은 도 3에 근거한 본 발명의 실시 예에 따른 신축성 전자 디바이스의 제조방법을 나타낸 공정 단면도들이다.
도 4를 참조하면, 제 1 기판(42) 상에 희생 층(40) 및 상부 씨드 층(21)을 형성한다. 제 1 기판(42)은 실리콘 웨이퍼 또는 글래스와 같은 평판 기판을 포함할 수 있다. 희생 층(40)은 스핀 코팅으로 형성된 포토레지스트, 폴리 실리콘, 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막을 포함할 수 있다. 상부 씨드 층(21)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알미늄(Al), 텅스텐(W), 타이타늄(Ti), 크롬(Cr)과 같은 금속을 포함한다. 금속은 스퍼터링 방법 또는 열증착 방법으로 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상부 씨드 층(21) 상에 제 1 포토레지스트 패턴(52)을 형성한다. 제 1 포토레지스트 패턴(52)은 일반적인 포토리소그래피 공정으로 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 제 1 포토레지스트 패턴(52)으로부터 노출된 상부 씨드 층(21) 상에 상부 캡 배선 층(23)을 형성한다. 상부 씨드 층(21)은 전해 도금 방법으로 형성된 구리를 포함할 수 있다. 이후, 제 1 포토레지스트 패턴(52)는 제거될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상부 캡 배선 층(23)의 일부와 제 1 포토레지스트 패턴(52) 상(위에서 이미 제거됨)에 제 2 포토레지스트 패턴(54)을 형성한다. 제 2 포토레지스트 패턴(54)은 제 1 포토레지스트 패턴(52)와 동일한 포토리소그래피 공정으로 형성될 수 있다. 제 2 포토레지스트 패턴(54)은 콘택 홀(53)을 가질 수 있다. 콘택 홀(53)은 상부 캡 배선 층(23)을 노출시킬 수 있다.
도 8을 참조하면, 콘택 홀(53) 내에 기둥 배선(28)을 형성한다. 기둥 배선(28)은 상부 캡 배선 층(23) 상에 형성될 수 있다. 기둥 배선(28)은 전해 도금 방법으로 형성된 구리를 포함할 수 있다.
도 9를 참조하면, 기둥 배선(28) 및 제 2 포토레지스트 패턴(54) 상에 하부 씨드 층(25)을 형성한다. 하부 씨드 층(25)은 스퍼터링 방법 또는 열증착 방법으로 형성될 수 있다. 하부 씨드 층(25)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알미늄(Al), 텅스텐(W), 타이타늄(Ti), Cr(크롬)과 같은 금속을 포함할 수 있다.
도 10을 참조하면, 하부 씨드 층(25) 상의 일부에 제 3 포토레지스트 패턴(56)을 형성한다. 제 3 포토레지스트 패턴(56)은 포토리소그래피 공정으로 형성될 수 있다.
도 11을 참조하면, 제 3 포토레지스트 패턴(56)에 의해 노출된 하부 씨드 층(25) 상에 하부 캡 배선 층(26)을 형성한다. 하부 캡 배선 층(26)은 전해 도금 방법으로 형성된 구리를 포함할 수 있다.
도 12를 참조하면, 제 3 포토레지스트 패턴(56)과, 하부 씨드 층(25)의 일부를 제거한다. 제 3 포토레지스트 패턴(56)은 유기 용매에 의해 제거될 수 있다. 유기 용매는 휘발성이 높은 알코올을 포함할 수 있다. 하부 캡 배선 층(26)으로부터 노출된 하부 씨드 층(25)은 식각 공정에 의해 제거될 수 있다.
도 13을 참조하면, 제 2 포토레지스트 패턴(54)과, 상부 씨드 층(21)의 일부를 제거한다. 제 2 포토레지스트 패턴(54)은 유기 용매에 의해 제거될 수 있다. 상부 캡 배선 층(23)으로부터 노출된 상부 씨드 층(21)은 식각 공정에 의해 제거될 수 있다.
도 2 및 도 14를 참조하면, 코일 배선(20)을 덮는 하부 신축 절연 층(32)을 형성한다. 하부 신축 절연 층(32)은 PDMS(Poly-Dimethyllesiloxane)과 같은 탄성 중합체를 포함할 수 있다. 하부 신축 절연 층(32)은 코일 배선(20)을 매립할 수 있다.
도 15를 참조하면, 하부 신축 절연 층(32) 상에 제 2 기판(44)을 형성한다. 제 2 기판(44)은 실리콘 웨이퍼, 플라스틱 기판, 또는 글래스를 포함할 수 있다.
도 16을 참조하면, 희생 층(40)을 제거하여 상부 배선(22) 및 하부 신축 절연 층(32)으로부터 제 1 기판(42)을 분리한다. 희생 층(40)은 포토레지스트 층일 때, 유기 용매에 의해 제거될 수 있다. 희생 층(40)은 실리콘 산화막일 때, 제 1 기판(42)의 제거 후에 습식 식각 공정으로 제거될 수 있다. 제 1 기판(42)은 화학적기계적 연마공정에 의해 제거될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상부 씨드 층(21)은 기판의 전면에서 제거될 수 있다. 코일 배선(20)과 하부 신축 절연 층(32)은 제 2 기판(44)에 전이될 수 있다.
도 2 및 도 17을 참조하면, 제 2 기판(44), 코일 배선(20)을 뒤집는다. 상부 배선(22)의 상부 씨드 층(21)이 제 2 기판(44) 상에 배치될 수 있다.
도 18을 참조하면, 상부 배선들(22) 및 상기 상부 배선들(22) 사이의 하부 신축 절연 층(32) 상에 활성 층(12)을 형성한다. 활성 층(12)은 폴리 실리콘, 유기반도체 물질을 포함할 수 있다. 폴리 실리콘은 화학기상증착 공정, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. 유기반도체 물질은 잉크젯 프린팅, 스핀코팅 등의 공정에 의해 형성될 수 있다.
도 19를 참조하면, 활성 층(12) 상에 게이트 절연막(14)을 형성한다. 게이트 절연막(14)은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막, 유기 절연막 등을 포함할 수 있다. 게이트 절연막(14)은 증착 공정, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정, 잉크젯 프린팅, 스핀 코팅에 의해 형성될 수 있다.
도 20을 참조하면, 게이트 절연막(14) 상에 게이트 전극(16)을 형성한다. 게이트 전극(16)은 도전성 금속을 포함할 수 있다. 게이트 전극은 증착 공정, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정, shadow 마스크를 통한 증착 공정에 의해 형성될 수 있다.
도 21를 참조하면, 트랜지스터(10) 및 코일 배선(20) 상에 상부 신축 절연 층(34)을 형성한다. 상부 신축 절연 층(34)은 PDMS와 같은 탄성 중합체를 포함할 수 있다.
도 22를 참조하면, 하부 신축 절연 층(32)으로부터 제 2 기판(44)을 분리한다. 제 2 기판(44)은 외력에 의해 하부 신축 절연 층(32)으로부터 제거 또는 박리될 수 있다. 또한, 제 2 기판(44)은 화학적 기계적 연마 공정에 의해 제거될 수 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시 예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 트랜지스터 20: 코일 배선
30: 신축 절연 층 40: 희생 층
30: 신축 절연 층 40: 희생 층
Claims (20)
- 제 1 기판 상에 코일 배선들을 형성하는 단계;
상기 코일 배선을 덮는 제 1 신축 절연 층을 형성하는 단계;
상기 제 1 신축 절연 층 상에 제 2 기판을 형성하는 단계;
상기 코일 배선 및 상기 제 1 신축 절연 층으로부터 상기 제 1 기판을 분리하는 단계; 및
상기 코일 배선 상에 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 코일 배선의 형성 단계는,
상기 제 1 기판 상에 희생 층을 형성하는 단계;
상기 희생 층 상에 제 1 배선들을 형성하는 단계;
상기 제 1 배선들 상에 기둥 배선들을 형성하는 단계; 및
상기 기둥 배선들 상에 제 2 배선들을 형성하는 단계를 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 희생 층은 포토레지스트, 폴리 실리콘, 실리콘 산화막, 또는 실리콘 질화막을 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 기판의 분리 단계는,
상기 희생 층을 제거하는 단계를 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 배선들의 형성 단계는,
상기 희생 층 상에 제 1 씨드 층을 형성하는 단계;
상기 제 1 씨드 층의 일부 상에 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 제 1 포토레지스트 패턴에 의해 노출되는 상기 제 1 씨드 층 상에 제 1 캡 배선 층을 형성하는 단계를 포함하는 단계를 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 배선들의 형성 단계 후에 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 캡 배선 층은 전해 도금 방법으로 형성된 신축성 전자 디바이스의 제조방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 기둥 배선들의 형성 단계는,
상기 제 1 캡 배선 층과 상기 제 1 씨드 층 상에 제 2 포토레지스트 패턴 층을 형성하는 단계; 및
상기 제 1 캡 배선 층 상에 기둥 배선을 형성하는 단계를 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 2 배선의 형성 단계는,
상기 기둥 배선 및 상기 제 2 포토레지스트 패턴 상에 제 2 씨드 층을 형성하는 단계;
상기 제 2 씨드 층의 일부에 제 3 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 제 3 포토레지스트 패턴으로부터 노출되는 상기 제 2 씨드 층 상에 제 2 캡 배선 층을 형성하는 단계를 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 코일 배선의 형성 단계는,
상기 제 3 포토 레지스트 패턴과, 상기 제 2 캡 배선 층으로부터 노출되는 상기 제 2 씨드 층을 제거하는 단계를 더 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 2 씨드 층은 식각되는 신축성 전자 디바이스의 제조방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 포토레지스트 패턴과 상기 제 1 캡 배선 층으로부터 노출되는 상기 제 1 씨드 층을 제거하는 단계를 더 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 제 1 씨드 층은 식각되는 신축성 전자 디바이스의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 트랜지스터의 형성 후에, 제 2 신축성 절연 층을 형성하는 단계; 및
상기 제 2 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 신축성 전자 디바이스의 제조방법. - 신축 절연 층;
상기 신축 절연 층 내의 트랜지스터들; 및
상기 트랜지스터들 사이에 지그재그로 연결되고 상기 신축 절연 층의 수축 또는 팽창에 의해 신축(stretched)되는 배선을 포함하는 신축성 전자 디바이스. - 제 15 항에 있어서,
상기 신축 절연 층은 탄성 중합체를 포함하는 신축성 전자 디바이스. - 제 16 항에 있어서,
상기 탄성 중합체는 피디엠에스(PDMS)를 포함하는 신축성 전자 디바이스. - 제 15 항에 있어서,
상기 배선은 코일 배선을 포함하는 신축성 전자 디비이스. - 제 18 항에 있어서,
상기 코일 배선은,
제 1 배선;
상기 제 1 배선 상에 형성된 기둥 배선; 및
상기 기둥 배선 상에 형성된 제 2 배선을 포함하는 신축성 전자 디바이스. - 제 16 항에 있어서,
상기 제 1 배선은 제 1 씨드 층과 제 1 캡 배선 층을 포함하고, 상기 제 2 배선은 제 2 씨드 층과 제 2 캡 배선 층을 포함하는 신축성 전자 디바이스.
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